一種磁傳感器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種磁傳感器，包括芯片、永磁體和第一導(dǎo)磁體，芯片用于感應(yīng)被測(cè)物體內(nèi)防偽標(biāo)識(shí)的磁場(chǎng)；永磁體用于磁化所述防偽標(biāo)識(shí)，在所述永磁體上設(shè)有第一容腔；在所述第一導(dǎo)磁體上設(shè)有凹部，所述芯片設(shè)于所述凹部，所述第一導(dǎo)磁體嵌套于所述第一容腔。該磁傳感器借助第一導(dǎo)磁體可以減少永磁體對(duì)芯片的干擾，從而提高磁傳感器靈敏度和抗干擾能力。
【專利說(shuō)明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于精密測(cè)量領(lǐng)域，具體涉及一種用于檢測(cè)設(shè)置于鈔票、票據(jù)等內(nèi)的防偽 標(biāo)識(shí)的高靈敏磁傳感器。 一種磁傳感器

【背景技術(shù)】
[0002] 目前，設(shè)置于鈔票等有價(jià)票據(jù)內(nèi)部的防偽標(biāo)識(shí)主要為磁標(biāo)識(shí)，通過(guò)檢測(cè)磁標(biāo)識(shí)可 以判斷有價(jià)票據(jù)的真?zhèn)?。隨著防偽技術(shù)的進(jìn)步，防偽標(biāo)識(shí)逐漸由硬磁標(biāo)識(shí)向軟磁防偽標(biāo)識(shí) 發(fā)展，以提商防偽能力。
[0003] 軟磁防偽標(biāo)識(shí)本身不具有磁性，但在磁場(chǎng)的作用下會(huì)被磁化，被磁化后的軟磁防 偽標(biāo)識(shí)能夠被磁傳感器感應(yīng)。由于軟磁傳感器具有這一特性，目前市場(chǎng)上出售的磁傳感器 還無(wú)法對(duì)軟磁防偽標(biāo)識(shí)進(jìn)行檢測(cè)。
[0004] 為此，相關(guān)技術(shù)人員對(duì)現(xiàn)有磁傳感器進(jìn)行了改進(jìn)，并開發(fā)了用于檢測(cè)軟磁防偽標(biāo) 識(shí)的磁傳感器。即，在磁傳感器中增設(shè)了永磁體，利用永磁體來(lái)磁化軟磁防偽標(biāo)識(shí)。但是， 永磁體在磁化軟磁防偽標(biāo)識(shí)的同時(shí)，會(huì)影響芯片的靈敏度，即芯片會(huì)感應(yīng)永磁體的磁場(chǎng)而 輸出差分信號(hào)，導(dǎo)致磁傳感器的靈敏度降低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題就是針對(duì)磁傳感器中存在的上述缺陷，提供一種磁傳感 器，其可以降低永磁體對(duì)芯片的影響，從而提高靈敏度。
[0006] 為此，本發(fā)明提供一種磁傳感器，包括：
[0007] 芯片，用于感應(yīng)被測(cè)物體內(nèi)防偽標(biāo)識(shí)的磁場(chǎng)；
[0008] 永磁體，用于磁化所述防偽標(biāo)識(shí)，在所述永磁體上設(shè)有第一容腔；
[0009] 還包括第一導(dǎo)磁體，在所述第一導(dǎo)磁體上設(shè)有凹部，所述芯片設(shè)于所述凹部，所述 第一導(dǎo)磁體嵌套于所述第一容腔。
[0010] 其中，所述第一容腔為凹槽、凹坑或通孔。
[0011] 其中，所述凹部為凹槽、凹坑或通孔。
[0012] 其中，所述第一導(dǎo)磁體的頂面不低于所述永磁體的頂面。
[0013] 其中，所述芯片的感應(yīng)面與所述第一導(dǎo)磁體的頂面齊平或高于所述第一導(dǎo)磁體 的頂面。
[0014] 其中，還包括第二導(dǎo)磁體，所述第二導(dǎo)磁體設(shè)有第二容腔，所述永磁體嵌于所述第 二容腔，而且所述第二容腔的開口與所述第一容腔的開口方向一致。
[0015] 其中，所述第二容腔為凹槽、凹坑或通孔。
[0016] 其中，所述導(dǎo)磁體采用硅鋼片、坡莫合金或鐵氧體制作。
[0017] 其中，所述芯片包括磁敏感膜和芯片焊盤，所述芯片焊盤作為所述芯片的輸入端 和輸出端與所述磁感應(yīng)膜對(duì)應(yīng)電連接；
[0018] 所述磁敏感膜為霍爾效應(yīng)薄膜、各向異性磁電阻薄膜、巨磁電阻薄膜、隧道磁電阻 薄膜、巨磁阻抗薄膜或巨霍爾效應(yīng)薄膜。
[0019] 其中，進(jìn)一步包括線路板和焊針，所述芯片固定于所述線路板，而且所述芯片焊盤 與設(shè)于所述線路板的第一線路板焊盤對(duì)應(yīng)電連接，所述線路板和所述芯片設(shè)于所述第一導(dǎo) 磁體的凹部；
[0020] 所述焊針與設(shè)于所述線路板的第二線路板焊盤對(duì)應(yīng)電連接，所述第一線路板焊盤 和所述第二線路板焊盤通過(guò)設(shè)于所述線路板的布線對(duì)應(yīng)電連接，所述線路板將所述芯片的 輸入端、輸出端與所述焊針對(duì)應(yīng)電連接。
[0021] 其中，進(jìn)一步包括殼體，所述芯片、所述永磁體、所述第一導(dǎo)磁體以及所述線路板 置于所述殼體內(nèi)，所述焊針作為傳感器的輸入輸出端。
[0022] 本發(fā)明具有以下有益效果：
[0023] 本發(fā)明提供的磁傳感器，將第一導(dǎo)磁體嵌套于永磁體的第一容腔，第一導(dǎo)磁體約 束了所述永磁體所產(chǎn)生的位于所述第一容腔內(nèi)側(cè)的磁場(chǎng)分布，即將所述第一容腔內(nèi)側(cè)的磁 場(chǎng)基本上被吸引在所述第一導(dǎo)磁體內(nèi)傳導(dǎo)，從而在凹部形成磁真空，將芯片置于凹部可以 減少永磁體對(duì)芯片的影響，提高磁傳感器的靈敏度；而且，第一導(dǎo)磁體還可以屏蔽外界的磁 場(chǎng)，減少外界磁場(chǎng)對(duì)芯片的干擾，從而提高磁傳感器的抗干擾能力。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024] 圖la為本發(fā)明實(shí)施例磁傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025] 圖lb為本發(fā)明實(shí)施例永磁體和第一導(dǎo)磁體的磁力線分布不意圖；
[0026] 圖2為本發(fā)明另一實(shí)施例磁傳感器的部分結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0027] 圖3為本發(fā)明再一實(shí)施例磁傳感器的部分結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0028] 為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提 供的磁傳感器進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0029] 如圖1所不，本實(shí)施例磁傳感器包括芯片11、線路板12、永磁體13、第一導(dǎo)磁體 14、殼體15以及焊針16,其中，芯片11固定于線路板12,芯片11的輸入端、輸出端與線路 板12電連接，芯片11、線路板12、永磁體13、第一導(dǎo)磁體14置于殼體15內(nèi)，且芯片11靠近 傳感器檢測(cè)面(殼體15的頂面，即與開口相對(duì)的面）一側(cè)。
[0030] 芯片11包括磁感應(yīng)膜和芯片焊盤，磁感應(yīng)膜用于感應(yīng)被測(cè)物體內(nèi)防偽標(biāo)識(shí)的磁 場(chǎng)；芯片焊盤作為芯片11的輸入端和輸出端與磁感應(yīng)膜電連接。芯片11可以包括一條(個(gè)） 磁感應(yīng)膜，也可以包括兩條或更多條磁感應(yīng)膜。當(dāng)芯片11包括一條磁感應(yīng)膜時(shí)，設(shè)置的兩 個(gè)芯片焊盤分別電連接磁感應(yīng)膜的頂面和底面，磁感應(yīng)膜因感應(yīng)磁場(chǎng)而產(chǎn)生的電流沿芯片 11的垂直方向流動(dòng)。當(dāng)芯片11包括兩條或更多條磁感應(yīng)膜時(shí)，設(shè)置的三個(gè)芯片焊盤對(duì)應(yīng)地 電連接磁感應(yīng)膜的端部,磁感應(yīng)膜因感應(yīng)磁場(chǎng)而產(chǎn)生的電流沿芯片11的水平方向流動(dòng)。本 實(shí)施例磁感應(yīng)膜為霍爾效應(yīng)薄膜、各向異性磁電阻薄膜、巨磁電阻薄膜、隧道磁電阻薄膜、 巨磁阻抗薄膜或者巨霍爾效應(yīng)薄膜。
[0031] 芯片焊盤與設(shè)于線路板12的第一線路板焊盤（圖中未示出）對(duì)應(yīng)電連接。焊針16 作為磁傳感器的輸入輸出端，其一端與設(shè)于線路板12的第二線路板焊盤（圖中未示出)對(duì)應(yīng) 電連接，另一端自殼體15伸出。換言之，焊針16通過(guò)線路板12將芯片的輸入端、輸出端對(duì) 應(yīng)電連接。第一線路板焊盤和第二線路板焊盤通過(guò)設(shè)于線路板12的布線對(duì)應(yīng)電連接。
[0032] 通常設(shè)置在被測(cè)物體內(nèi)的防偽標(biāo)識(shí)包括強(qiáng)磁防偽標(biāo)識(shí)和弱磁防偽標(biāo)識(shí)。芯片11 可以感應(yīng)強(qiáng)磁防偽標(biāo)識(shí)，然而無(wú)法感應(yīng)弱磁防偽標(biāo)識(shí)，但弱磁防偽標(biāo)識(shí)被永磁體13磁化后 可以被芯片11感應(yīng)。然而，永磁體13產(chǎn)生的平行于芯片感應(yīng)面的磁場(chǎng)分量同樣會(huì)導(dǎo)致芯 片11輸出差分信號(hào)。因此，需要減小或消除平行于芯片感應(yīng)面的磁場(chǎng)分量。
[0033] 本實(shí)施例在永磁體13上設(shè)有第一容腔131，第一容腔131可以減少永磁體13與第 一容腔131相對(duì)的上方平行于感應(yīng)面的磁場(chǎng)強(qiáng)度分量較小，但是第一容腔內(nèi)131、尤其是靠 近第一容腔131邊緣區(qū)域仍然存在較強(qiáng)的平行于芯片感應(yīng)面的磁場(chǎng)分量，該磁場(chǎng)分量導(dǎo)致 磁傳感器無(wú)法應(yīng)用。為此，本實(shí)施例在第一容腔131內(nèi)設(shè)置了意在削弱平行于芯片感應(yīng)面 的磁場(chǎng)分量的第一導(dǎo)磁體。
[0034] 具體地，如圖1所示，本實(shí)施例第一容腔131為凹槽，形成"U"形結(jié)構(gòu)的永磁體13。 第一導(dǎo)磁體14采用導(dǎo)磁材料制作，如硅鋼片、坡莫合金或鐵氧體。第一導(dǎo)磁體14的外形與 第一容腔131的形狀相同，并在第一導(dǎo)磁體14上設(shè)有凹部141。本實(shí)施例凹部141為凹槽， 形成"U"形結(jié)構(gòu)的第一導(dǎo)磁體14。由于第一導(dǎo)磁體14能夠吸引磁場(chǎng)，因此將第一導(dǎo)磁體 14嵌套于第一容腔131，一方面可以將永磁體13產(chǎn)生的位于第一容腔131內(nèi)的磁場(chǎng)約束在 第一導(dǎo)磁體14內(nèi)傳導(dǎo)，這大大削弱了凹部141內(nèi)平行于芯片感應(yīng)面的磁場(chǎng)分量的強(qiáng)度；另 一方面，第一導(dǎo)磁體可以阻擋外界的磁場(chǎng)進(jìn)入凹部，或者說(shuō)是屏蔽外界的磁場(chǎng)，具體地，可 以阻擋那些不垂直于芯片感應(yīng)面的外界磁場(chǎng)進(jìn)入凹部，使不垂直于芯片感應(yīng)面的外界磁場(chǎng) 在第一導(dǎo)磁體內(nèi)傳導(dǎo)，而垂直于芯片感應(yīng)面的磁場(chǎng)進(jìn)入凹部被芯片感應(yīng)。因此，第一導(dǎo)磁體 14可以減少永磁體13對(duì)芯片影響，從而提高磁傳感器的靈敏度；而且可以減少外界磁場(chǎng)對(duì) 芯片的干擾，提高磁傳感器的抗干擾能力。
[0035] 如圖lb所示，永磁體13頂部偏向第一容腔131 -側(cè)的磁力線被第一導(dǎo)磁體14吸 收，從而削弱了凹部141內(nèi)平行于芯片感應(yīng)面的磁場(chǎng)強(qiáng)度，進(jìn)而降低了永磁體13對(duì)芯片11 靈敏度的影響。需要說(shuō)明的是，永磁體13的磁極可以任意設(shè)置，即永磁體13的N極朝向芯 片11方向，或者S極朝向芯片11方向設(shè)置均可。
[0036] 在另一實(shí)施例中，如圖2所示，第一容腔131為通孔，即永磁體13呈環(huán)狀結(jié)構(gòu)。對(duì) 應(yīng)地，設(shè)置在第一導(dǎo)磁體14上的凹部141為通孔，同樣形成一個(gè)環(huán)狀的第一導(dǎo)磁體14。永 磁體13和第一導(dǎo)磁體14可以為圓環(huán)或方形環(huán)或長(zhǎng)條形環(huán)，但第一導(dǎo)磁體14優(yōu)選與第一容 腔131的側(cè)壁匹配，第一導(dǎo)磁體14的外徑小于第一容腔131的內(nèi)徑，第一導(dǎo)磁體14嵌套于 永磁體13的第一容腔131內(nèi)。在傳感器的高度方向，第一導(dǎo)磁體14的高度可以與第一容 腔131的高度相同，也可以低于第一容腔131的高度。當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)磁體14的高度低于第一容 腔131的高度時(shí)，需要確保第一導(dǎo)磁體14的頂面不低于永磁體13的頂面。但這并不表示 第一導(dǎo)磁體14的頂面高于永磁體13的頂面時(shí)，第一導(dǎo)磁體14不能約束永磁體13的磁場(chǎng)， 只是效果不理想。由于第一導(dǎo)磁體14具有吸引磁場(chǎng)的特性，位于第一容腔131的磁力線在 第一導(dǎo)磁體14內(nèi)傳導(dǎo)，大大削弱了凹部141內(nèi)平行于芯片感應(yīng)面的磁場(chǎng)分量的強(qiáng)度，同時(shí)， 第一導(dǎo)磁體14并不約束永磁體13產(chǎn)生的垂直于感應(yīng)面的磁場(chǎng)強(qiáng)度，也就是說(shuō)，第一導(dǎo)磁體 14不會(huì)對(duì)磁化防偽標(biāo)識(shí)造成影響。將芯片11和線路板12設(shè)于凹部141，可以減少永磁體 13對(duì)芯片11靈敏度的影響，從而提高磁傳感器的靈敏度和精度。
[0037] 需要說(shuō)明的是，本發(fā)明提供的磁傳感器，設(shè)置于永磁體13上的第一容腔131不僅 限于凹槽或通孔，還可以是凹坑。設(shè)置于第一導(dǎo)磁體14上的凹部141也不僅限于通孔，還 可以是凹坑或凹槽。而且，除上述實(shí)施例披露的不同結(jié)構(gòu)的第一容腔131和凹部141組合 夕卜，第一容腔131和凹部141可以任意組合，如第一容腔131為凹坑，凹部141為凹坑；或 者，第一容腔131為通孔，凹部141為凹坑。但在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中，優(yōu)選第一容腔131的各 側(cè)面被第一導(dǎo)磁體14遮擋，如，當(dāng)?shù)谝蝗萸?31為通孔時(shí)，優(yōu)選凹部141為通孔和凹坑；再 如，當(dāng)?shù)谝蝗萸?31為凹坑時(shí)，優(yōu)選凹部141為通孔和凹坑；這樣可以更好地減小、甚至消除 凹部141內(nèi)平行于芯片感應(yīng)面的磁場(chǎng)分量的強(qiáng)度。因此，將芯片11和線路板12設(shè)于凹部 141，可以減少永磁體13對(duì)芯片11靈敏度的影響，從而提高磁傳感器的靈敏度和精度。更 優(yōu)選地，第一導(dǎo)磁體14的頂面不低于永磁體13的頂面，以將永磁體13產(chǎn)生的平行于芯片 感應(yīng)面的磁場(chǎng)分量屏蔽，從而減少永磁體13對(duì)芯片11靈敏度的影響。
[0038] 在制作本實(shí)施例磁傳感器時(shí)，一方面，芯片11的感應(yīng)面與傳感器的檢測(cè)面之間的 距離影響磁傳感器的靈敏度，因此應(yīng)盡可能地減小芯片11的感應(yīng)面與傳感器檢測(cè)面之間 的距離。另一方面，為避免永磁體13對(duì)芯片11靈敏度的影響，芯片11應(yīng)設(shè)于第一導(dǎo)磁體 14的凹部141。如圖2所示，將芯片11和線路板12設(shè)于凹部141，而且芯片11的感應(yīng)面 (即芯片11的上表面，也稱芯片感應(yīng)面）與第一導(dǎo)磁體14的頂面齊平。當(dāng)然，芯片11的感 應(yīng)面也可以高于第一導(dǎo)磁體14的頂面，但芯片11的感應(yīng)面不宜太高于第一導(dǎo)磁體14的頂 面，以防止永磁體13干擾芯片11的靈敏度。實(shí)際上，在裝配傳感器時(shí)，優(yōu)選芯片11的感應(yīng) 面不低于第一導(dǎo)磁體14的頂面，這樣既可以使芯片11的感應(yīng)面盡可能地靠近傳感器的檢 測(cè)面，又可避免永磁體13干擾芯片11。
[0039] 在本發(fā)明的再一實(shí)施例中，磁傳感器還包括第二導(dǎo)磁體，第二導(dǎo)磁體17采用硅鋼 片、坡莫合金或鐵氧體制作。如圖3所示，在第二導(dǎo)磁體17上設(shè)有第二容腔171，永磁體13 嵌于第二容腔171內(nèi)，第二容腔171的開口與第一容腔131的開口方向一致，而且第二導(dǎo)磁 體17的頂面與永磁體13的頂面齊平。第二導(dǎo)磁體17將永磁體13周邊發(fā)散的磁場(chǎng)約束在 其內(nèi)傳導(dǎo)，尤其是將永磁體13周邊平行于芯片感應(yīng)面的磁場(chǎng)約束在第二導(dǎo)磁體17內(nèi)傳導(dǎo)。 第二導(dǎo)磁體17并不削弱永磁體13產(chǎn)生的垂直于芯片感應(yīng)面的磁場(chǎng)，相反，第二導(dǎo)磁體17 不僅不會(huì)削弱永磁體13磁化防偽標(biāo)識(shí)，反而會(huì)增強(qiáng)垂直于芯片感應(yīng)面的磁場(chǎng)強(qiáng)度，更有 利于磁化防偽標(biāo)識(shí)。第二容腔171可以是凹槽、凹坑或通孔。不難理解，當(dāng)永磁體13的結(jié) 構(gòu)為"U"形結(jié)構(gòu)時(shí)，第二容腔171采用凹槽，將永磁體13底面與側(cè)面包裹，僅保留永磁體13 的頂面，使永磁體13產(chǎn)生的磁場(chǎng)從其頂面射出，磁化防偽標(biāo)識(shí)。當(dāng)?shù)谝蝗萸?31為凹坑時(shí)， 第二容腔171也采用凹坑，將將永磁體13底面與側(cè)面包裹，僅保留永磁體13的頂面。當(dāng)?shù)?一容腔131為通孔時(shí)，即永磁體13為環(huán)狀結(jié)構(gòu)時(shí)，第二容腔171也為通孔，形成環(huán)狀的第二 導(dǎo)磁體，第二導(dǎo)磁體17嵌套于永磁體13的外側(cè)。借助第一導(dǎo)磁體14和第二導(dǎo)磁體17約 束永磁體13產(chǎn)生的磁場(chǎng)，不僅削弱了凹部141內(nèi)平行于芯片感應(yīng)面的磁場(chǎng)強(qiáng)度，而且不影 響永磁體13磁化防偽標(biāo)識(shí)。第二導(dǎo)磁體17還可屏蔽外界的磁場(chǎng)，減少外界磁場(chǎng)對(duì)芯片的 干擾，從而提高磁傳感器的抗干擾能力。
[0040] 本實(shí)施例中，殼體15可以采用坡莫合金或鐵氧體等屏蔽材料制作，也可以采用銅 等非屏蔽材料制作。當(dāng)采用屏蔽材料制作殼體15時(shí)，在殼體15的頂面（即檢測(cè)面）還設(shè)有 開口，芯片11正對(duì)開口。永磁體13產(chǎn)生的磁場(chǎng)穿過(guò)開口磁化防偽標(biāo)識(shí)，同時(shí)防偽標(biāo)識(shí)產(chǎn)生 的磁場(chǎng)穿過(guò)開口被芯片11感應(yīng)。當(dāng)采用非屏蔽材料制作殼體15時(shí)，殼體15上可以不設(shè)置 開口，永磁體13產(chǎn)生的磁場(chǎng)透過(guò)殼體15磁化防偽標(biāo)識(shí)，同時(shí)，防偽標(biāo)識(shí)產(chǎn)生的磁場(chǎng)也可以 透過(guò)殼體15被芯片11感應(yīng)。
[0041] 本實(shí)施例提供的磁傳感器，將第一導(dǎo)磁體嵌套于永磁體的第一容腔，第一導(dǎo)磁體 約束了所述永磁體所產(chǎn)生的位于所述第一容腔內(nèi)側(cè)的磁場(chǎng)分布，即將所述第一容腔內(nèi)側(cè)的 磁場(chǎng)基本上被吸引在所述第一導(dǎo)磁體內(nèi)傳導(dǎo)，從而在凹部形成磁真空，將芯片置于凹部可 以減少永磁體對(duì)芯片的影響，提高磁傳感器的靈敏度；同時(shí)，第一導(dǎo)磁體還可以屏蔽外界的 磁場(chǎng)，從而提高磁傳感器的抗干擾能力。
[0042] 可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施 方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精 神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種磁傳感器，包括： 芯片，用于感應(yīng)被測(cè)物體內(nèi)防偽標(biāo)識(shí)的磁場(chǎng)； 永磁體，用于磁化所述防偽標(biāo)識(shí)，在所述永磁體上設(shè)有第一容腔； 其特征在于，還包括第一導(dǎo)磁體，在所述第一導(dǎo)磁體上設(shè)有凹部，所述芯片設(shè)于所述凹 部，所述第一導(dǎo)磁體嵌套于所述第一容腔。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，所述第一容腔為凹槽、凹坑或通孔。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，所述凹部為凹槽、凹坑或通孔。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，所述第一導(dǎo)磁體的頂面不低于所述 永磁體的頂面。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，所述芯片的感應(yīng)面與所述第一導(dǎo)磁 體的頂面齊平或高于所述第一導(dǎo)磁體的頂面。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，還包括第二導(dǎo)磁體，所述第二導(dǎo)磁體 設(shè)有第二容腔，所述永磁體嵌于所述第二容腔，而且所述第二容腔的開口與所述第一容腔 的開口方向一致。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁傳感器，其特征在于，所述第二容腔為凹槽、凹坑或通孔。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，所述導(dǎo)磁體采用硅鋼片、坡莫合金或 鐵氧體制作。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器，其特征在于，所述芯片包括磁敏感膜和芯片焊盤， 所述芯片焊盤作為所述芯片的輸入端和輸出端與所述磁感應(yīng)膜對(duì)應(yīng)電連接； 所述磁敏感膜為霍爾效應(yīng)薄膜、各向異性磁電阻薄膜、巨磁電阻薄膜、隧道磁電阻薄 膜、巨磁阻抗薄膜或巨霍爾效應(yīng)薄膜。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁傳感器，其特征在于，進(jìn)一步包括線路板和焊針，所述芯 片固定于所述線路板，而且所述芯片焊盤與設(shè)于所述線路板的第一線路板焊盤對(duì)應(yīng)電連 接，所述線路板和所述芯片設(shè)于所述第一導(dǎo)磁體的凹部； 所述焊針與設(shè)于所述線路板的第二線路板焊盤對(duì)應(yīng)電連接，所述第一線路板焊盤和所 述第二線路板焊盤通過(guò)設(shè)于所述線路板的布線對(duì)應(yīng)電連接，所述線路板將所述芯片的輸入 端、輸出端與所述焊針對(duì)應(yīng)電連接。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁傳感器，其特征在于，進(jìn)一步包括殼體，所述芯片、所述 永磁體、所述第一導(dǎo)磁體以及所述線路板置于所述殼體內(nèi)，所述焊針作為傳感器的輸入輸 出端。
【文檔編號(hào)】G07D7/04GK104157068SQ201310176587
【公開日】2014年11月19日 申請(qǐng)日期:2013年5月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月14日
【發(fā)明者】劉樂(lè)杰, 時(shí)啟猛, 曲炳郡 申請(qǐng)人:北京嘉岳同樂(lè)極電子有限公司