專利名稱：具有冗余功能的半導(dǎo)體存儲裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲裝置，特別是，涉及一種具有對成為不合格的正常存儲單元進(jìn)行置換的備用存儲單元的半導(dǎo)體存儲裝置。
將用
圖10，說明現(xiàn)有的DRAM(Dynamic Random AccessMemory，以下稱為半導(dǎo)體存儲裝置)。如圖10所示，現(xiàn)有的半導(dǎo)體存儲裝置9000具備有行列狀排列的多個正常存儲單元、與行對應(yīng)的多個正常字線91#1～91#4、與列對應(yīng)的多個位線93#1～93#4、可置換正常字線的備用字線92#1～92#2和用于置換不合格的正常存儲單元的多個備用存儲單元。
正常字線和備用字線都被連接到行譯碼器80，按照輸入到外部地址輸入端子(圖未示出)的行地址，而成為選擇狀態(tài)。行譯碼器80在所輸入的行地址相當(dāng)于不良地址的情況下，包括用于選擇與該不良地址對應(yīng)的備用字線的冗余電路。
位線93#1～93#2連接到讀出放大器82#1，位線93#3～93#4連接到讀出放大器82#2。讀出放大器82#1和82#2連接到列譯碼器84，按照輸入到外部地址輸入端子(圖未示出)的列地址進(jìn)行選擇。
圖10所示的標(biāo)號94#1～94#8表示在正常存儲單元中包括的電容的存儲點，標(biāo)號99#1～99#4表示在備用存儲單元中包括的電容的存儲點。并且，標(biāo)號95表示源／漏區(qū)。例如，包括存儲點94#1的存儲單元，通過正常字線91#3進(jìn)行選擇。因此，存儲的電荷，經(jīng)由位線接點98，傳輸?shù)轿痪€93#1上。
在這樣的結(jié)構(gòu)里，例如，當(dāng)包括存儲點94#1的正常存儲單元壞了，選擇正常字線91#3的活化信號發(fā)生時，行譯碼器80就不能將該正常字線活化，而要進(jìn)行運(yùn)作，使備用字線92#1活化。因此，備用存儲單元的電荷傳送給字線93#2。讀出放大器82#1放大包括存儲點99#1的備用存儲單元的電荷，而不用包括存儲點94#1的正常存儲單元。即，以備用字線92#1置換正常字線91#3，就是用與備用字線92#1連接的備用存儲單元，置換與正常字線91#3連接的正常存儲單元。
可是，在現(xiàn)有的半導(dǎo)體存儲裝置中，正常字線和備用字線具有相同的構(gòu)造，并且正常存儲單元和備用存儲單元也要制造成具有完全同樣大小。
因此，備用存儲單元也與正常存儲單元一樣，都有變成不合格的可能性。
但是，如果因不合格導(dǎo)致備用存儲單元功能不正常，則在正常存儲單元有缺陷時，就不可能對其進(jìn)行挽救。因此，希望備用存儲單元變成不合格的幾率，比正常存儲單元還要低。
本發(fā)明的目的在于提供一種降低備用存儲單元的不合格幾率，并能可靠地進(jìn)行挽救的半導(dǎo)體存儲裝置。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，半導(dǎo)體存儲裝置備有行列狀配置的多個正常存儲單元、與多個正常存儲單元的行對應(yīng)而設(shè)置的多條正常字線、行列狀配置，用于置換所述正常存儲單元中不合格正常存儲單元的多個備用存儲單元、及與多個備用存儲單元的行對應(yīng)設(shè)置的多條備用字線；并且多條備用字線將分別配置成使多條備用字線間的最小間隔加寬到比多條正常字線間的最小間隔要寬。
理想的是，多條備用字線將分別配置成，使多條備用字線與多條正常字線之間的最小間隔加寬到比多條正常字線間的最小間隔要寬。
理想的是，多個正常存儲單元分別包括第1存儲單元電容，和通過對應(yīng)的正常字線變成導(dǎo)通狀態(tài)的第1存儲單元晶體管；多個備用存儲單元分別包括具有比第1存儲單元電容的容量要大的容量的第2存儲單元電容，和通過對應(yīng)的備用字線變成導(dǎo)通狀態(tài)的第2存儲單元晶體管。
理想的是，多個備用存儲單元將分別被配置成，使多個備用存儲單元與多個正常存儲單元之間的最小距離增大到比多個正常存儲單元間的最小距離要大。
理想的是，多個備用存儲單元將分別被配置成，使多個備用存儲單元之間的最小距離增大到比多個正常存儲單元之間的最小距離要大。
因此，如按照上述半導(dǎo)體存儲裝置，因為比起正常字線間的間隔來，擴(kuò)大了備用字線間的間隔，所以可以降低備用字線間由異物引起的接觸缺陷發(fā)生的幾率。因此，確實能夠挽救變成不合格的正常存儲單元，提高半導(dǎo)體存儲裝置的成品率。
特別是，因為比起正常字線間的間隔來，擴(kuò)大了正常字線與備用字線之間的間隔，所以可以降低因正常字線與備用字線間的異物引起的接觸缺陷發(fā)生的幾率。
特別是，通過擴(kuò)大備用存儲單元中的存儲點，可以提高備用存儲單元的暫停刷新特性。
特別是，通過使正常存儲單元與備用存儲單元的距離比正常存儲單元間的距離要大，所以能夠降低正常存儲單元與備用存儲單元之間的異物引起的接觸不良發(fā)生的幾率。
特別是，通過使備用存儲單元間的距離比正常存儲單元間的距離大，所以能夠降低備用存儲單元間的異物引起的接觸不良發(fā)生的幾率。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，半導(dǎo)體存儲裝置備有行列狀配置的多個正常存儲單元、形成用于置換所述多個正常存儲單元中不合格正常存儲單元的多個備用存儲單元的存儲單元形成區(qū)、及在存儲單元形成區(qū)的最外周邊部分形成的虛擬形成區(qū)；多個正常存儲單元分別包括第1存儲單元晶體管和第1存儲單元電容，多個備用存儲單元分別包括第2存儲單元晶體管和伸向虛擬形成區(qū)形成的，具有比第1存儲單元電容的容量大的第2存儲單元電容。
理想的是，虛擬形成區(qū)包括形成虛擬單元的區(qū)域和形成虛擬布線的區(qū)域，第2存儲單元電容包括沿虛擬單元的活化區(qū)域方向延伸的存儲點和與存儲點對應(yīng)設(shè)置的單元板極(plate)。
因而，倘采用上述半導(dǎo)體存儲裝置，將備用存儲單元延伸到虛擬形成區(qū)域。因此，備用存儲單元的電容比正常存儲單元的要大。因此，因正常存儲單元的暫停刷新特性的不合格，而發(fā)生了置換成備用存儲單元時，通過置換達(dá)到提高暫停特性的效果。
根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，半導(dǎo)體存儲裝置備有包括正常存儲部件和與正常存儲部件對應(yīng)配置的讀出放大器部件的正常部件帶，和包括備用存儲部件和與備用存儲部件對應(yīng)配置的讀出放大器部件，在與正常部件帶不同的區(qū)域上形成的備有部件帶；正常存儲部件包括行列狀配置的多個正常存儲單元和與多個正常存儲單元的行對應(yīng)設(shè)置的多條正常字線；備用存儲部件包括行列狀配置，用于置換多個正常存儲單元中不合格正常存儲單元的，與多個正常存儲單元形狀不同的多個備用存儲單元，和與多個備用存儲單元的行對應(yīng)設(shè)置，按與多個正常字線間的間隔不同的間隔配置的多條備用字線。
理想的是，多條備用字線將分別被配置成，使多條備用字線間的最小間隔，比多條正常字線間的最小間隔要寬。
理想的是，多條備用字線將分別被配置成，使得多條正常字線與多條備用字線之間的最小間隔，比多條正常字線間的最小間隔要寬。
理想的是，多個正常存儲單元分別包括第1存儲單元電容，和通過對應(yīng)的正常字線變成導(dǎo)通狀態(tài)的第1存儲單元晶體管；多個備用存儲單元分別包括具有比第1存儲單元電容的容量要大的容量的第2存儲單元電容，和通過對應(yīng)的備用字線變成導(dǎo)通狀態(tài)的第2存儲單元晶體管。
理想的是，多個備用存儲單元將分別被配置成，使多個備用存儲單元與多個正常存儲單元之間的最小距離，比多個正常存儲單元間的最小距離要大。
理想的是，多個備用存儲單元將分別被配置成，使多個備用存儲單元之間的最小距離，比多個正常存儲單元之間的最小距離要大。
理想的是，還備有用于根據(jù)外部地址，選擇對應(yīng)的行的行譯碼器；正常存儲部件中包括的多條正常字線和所述備用存儲部件中包括的多條備用字線，分別借助于行譯碼器成為選擇狀態(tài)。
理想的是，還備有在正常存儲部件和所述備用存儲部件的列方向配置的多條位線，和用于根據(jù)外部地址，選擇正常存儲部件和所述備用存儲部件的對應(yīng)的列的列譯碼器。
因此，根據(jù)上述半導(dǎo)體存儲裝置，將構(gòu)造不同的正常存儲單元部件和備用存儲單元部件配置在不同的區(qū)域上。因此，可以形成備用存儲單元區(qū)域，使備用存儲單元的不合格幾率降低。因此，確實能夠挽救變成不合格的正常存儲單元，提高半導(dǎo)體存儲裝置的成品率。
特別是，因為比起正常字線間的間隔來，擴(kuò)大了備用字線間的間隔，所以可以降低備用字線間由異物引起的接觸不良發(fā)生的幾率。
特別是，因為比起正常字線間的間隔來，擴(kuò)大了備用字線與正常字線之間的間隔，所以可以降低備用字線與正常字線之間由異物引起的接觸不良發(fā)生的幾率。
特別是，通過擴(kuò)大備用存儲單元中的存儲點，可以提高備用存儲單元的暫停刷新特性。
特別是，通過使正常存儲單元與備用存儲單元的距離比正常存儲單元間的距離大，所以能夠降低正常存儲單元與備用存儲單元間由異物引起的接觸不良發(fā)生的幾率。
特別是，通過使備用存儲單元間的距離比正常存儲單元間的距離大，所以能夠降低備用存儲單元間由異物引起的接觸不良發(fā)生的幾率。
圖1為說明本發(fā)明的實施例1的半導(dǎo)體存儲裝置1000構(gòu)成的圖。
圖2為說明存儲單元構(gòu)成的圖。
圖3為說明存儲單元構(gòu)造的剖面圖。
圖4為說明本發(fā)明的實施例2的半導(dǎo)體存儲裝置2000的圖。
圖5為說明虛擬區(qū)域與備用存儲單元之間的關(guān)系的示意圖。
圖6為說明本發(fā)明的實施例3的半導(dǎo)體存儲裝置3000的圖。
圖7為說明本發(fā)明的實施例4的半導(dǎo)體存儲裝置4000的圖。
圖8為說明正常存儲單元部件帶24構(gòu)成的框圖。
圖9為說明備用存儲單元部件帶26的構(gòu)成的框圖。
圖10為說明現(xiàn)有半導(dǎo)體存儲裝置9000的圖。
參照附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明的實施例。另外，對同一要素，給予同一符號或者同一標(biāo)號，其說明省去。
(實施例1)首先，用圖1說明本發(fā)明實施例1的半導(dǎo)體存儲裝置1000。
如圖1所示，半導(dǎo)體存儲裝置1000備有行列狀配置的多個存儲單元、與行對應(yīng)的正常字線1#1～1#4、與列對應(yīng)的多個位線3#1～3#4、用于置換不合格的正常存儲單元的多個備用存儲單元、可以置換正常字線的備用字線2#1～2#2、行譯碼器30、讀出放大器32#1～32#2以及列譯碼器34。
正常字線和備用字線(總稱為字線)都與行譯碼器30連接。行譯碼器30接收輸入到附圖未示出的外部地址輸入端子的行地址，選擇對應(yīng)的正常字線(進(jìn)行活化)。行譯碼器包括附圖未示出的冗余電路。如果輸入的行地址為不良地址，則冗余電路選擇備用字線以代替不良地址的正常字線。
位線3#1～3#2連接到讀出放大器32#1，位線3#3～3#4連接到讀出放大器32#2。讀出放大器32#1和32#2連接到列譯碼器34，按照在外部地址輸入端子(圖未示出)上輸入的列地址進(jìn)行選擇。
正常存儲單元和備用存儲單元(總稱為存儲單元)，如圖2所示，包括以電荷的形式存儲信息的存儲單元電容C，和響應(yīng)對應(yīng)字線的電位并導(dǎo)通，連接對應(yīng)位線和存儲單元電容C的存儲單元晶體管T。
圖3是表示存儲單元區(qū)域的剖面圖。參照圖3，在由硅襯底100、雜質(zhì)區(qū)域101和阱102形成的半導(dǎo)體襯底表面上，以一定的間隔，形成雜質(zhì)區(qū)域(源／漏區(qū))104和器件隔離絕緣層103。在這樣的襯底表面上形成存儲單元。存儲單元由如上所述的存儲單元晶體管和存儲單元電容構(gòu)成。
存儲單元晶體管是由在襯底表面上按規(guī)定的間隔形成的，一對源／漏區(qū)和柵極105構(gòu)成。柵極105是在被一對源／漏區(qū)夾著的區(qū)域上，介以柵氧化膜106而形成。另外，在柵極上，形成絕緣膜107，并且在柵極的側(cè)壁上，要形成側(cè)壁絕緣膜109，使之覆蓋側(cè)壁。
還要形成層間絕緣膜120a，以覆蓋存儲單元晶體管。在層間絕緣膜120a上形成位線125(125a、125b)，使之與存儲單元晶體管的一對源／漏區(qū)的一方電連接。再形成層間絕緣膜120b使之蓋住位線125。
而且，層間絕緣膜120b上，形成存儲單元電容。存儲單元電容具有存儲點130和介以電介質(zhì)131與存儲點130對置設(shè)置的單元板極132。另外，圖中的符號X表示垂直于存儲單元字線方向的長度。在本發(fā)明的實施例1中，該長度X在正常存儲單元和備用存儲單元中不同。
圖1所示的標(biāo)號4#1～4#8表示正常存儲單元的存儲點，標(biāo)號6#1～6#4表示備用存儲單元的存儲點。并且，標(biāo)號5、7表示源／漏區(qū)。
參照圖1，如選擇正常字線1#1，則把存入具有存儲點4#3的存儲單元電容里的電荷，通過對應(yīng)的位線接點8，傳輸給位線3#2。如選擇正常字線1#2，則存入具有存儲點4#4的存儲單元電容里的電荷，通過對應(yīng)的位線接點8，傳輸給位線3#2。
并且，如選擇備用字線2#1，則存入具有存儲點6#1的存儲單元電容里的電荷，通過對應(yīng)的位線接點8，傳輸給位線3#2。如選擇備用字線2#2，存入具有存儲點6#2的存儲單元電容里的電荷，通過對應(yīng)的位線接點8，傳輸給位線3#2。
在這種結(jié)構(gòu)中，例如，包括存儲點4#1的正常存儲單元不合格，在選擇正常字線1#3的活化信號發(fā)生時，行譯碼器30運(yùn)作，使對應(yīng)的備用字線2#1活化，而不使該正常字線活化。因此，備用存儲單元的電荷傳輸?shù)轿痪€3#2上。讀出放大器32#1放大包括存儲點6#1的備用存儲單元的電荷，以代替包括存儲點4#1的正常存儲單元。即，通過用備用字線2#1置換正常字線1#3的辦法，用與備用字線2#1連接的備用存儲單元，置換與正常字線1#3連接的正常存儲單元。
現(xiàn)在，說明有關(guān)本發(fā)明實施例1的半導(dǎo)體存儲裝置1000的構(gòu)造。在圖1中，符號NNW表示正常字線間的最小間隔(例如，正常字線1#1～1#2、正常字線1#2～1#3、正常字線1#3～1#4)。符號NSW表示正常字線與備用字線間的最小間隔(例如，正常字線1#4～備用字線2#1)。符號SSW表示備用字線間的最小間隔(例如，備用字線2#1～2#2)。
并且，圖中符號ND、SD，分別表示正常存儲單元中與存儲點的字線垂直的方向的長度，和備用存儲單元中的與存儲點的字線垂直的方向的長度。
本發(fā)明實施例1的半導(dǎo)體存儲裝置1000將備用字線配置成，使正常字線與備用字線之間的最小間隔NSW加寬到比正常字線間的最小間隔NNW要寬。并且，相對于正常字線間的最小間隔NNW，要這樣配置備用字線，使備用字線間的最小間隔SSW加寬。也就是，NSW＞NNW、SSW＞NNW之間的關(guān)系成立。
因而，構(gòu)成備用存儲單元的存儲點6#1～6#4的大小，要比構(gòu)成正常存儲單元的存儲點4#1～4#8大。即，與正常存儲單元的存儲點的長度ND和備用存儲單元的存儲點長度SD有關(guān)形成備用存儲單元，，使SD＞ND的關(guān)系成立(圖3剖面的存儲點長度X在正常存儲單元和備用存儲單元不同)。
存儲點的字線方向的構(gòu)造，也與正常存儲單元和備用存儲單元相同。因此，如以C表示正常存儲單元的電容，以CS表示備用存儲單元的電容，與現(xiàn)有技術(shù)中CSC不同，在本發(fā)明的實施例1中，CS＞C的關(guān)系成立。
這樣，通過加大備用字線與正常字線之間的間隔NSW，可以降低在制造階段由異物引起接觸不良的幾率。并且，由于備用字線間的間隔SSW，比通常的字線間隔寬，所以可以降低因異物使備用字線相互接觸的幾率。即，備用字線變成不合格的幾率下降。
進(jìn)而，由于將備用存儲單元的電容做得比正常存儲單元的電容大，因正常存儲單元的暫停刷新特性不良品被置換成備用存儲單元的情況下，可以通過置換獲得暫停刷新特性提高的效果。
可是，通過本發(fā)明的實施例1示出的構(gòu)造，可以降低備用存儲單元變成不合格的幾率，通過與現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)比較，確實可以挽救變成不合格的存儲單元。因此能夠提高DRAM等半導(dǎo)體存儲裝置的成品率。
(實施例2)利用圖4說明本發(fā)明實施例2的半導(dǎo)體存儲裝置2000。在圖4中，標(biāo)號1#1-1#5、標(biāo)號4#1-4#10、標(biāo)號2#1、標(biāo)號10#1-10#2、和標(biāo)號3#1-3#4，分別表示與正常存儲單元對應(yīng)的正常字線、正常存儲單元的存儲點、備用字線、備用存儲單元的存儲點、和位線。并且，標(biāo)號5、11表示源／漏區(qū)。
一般，如圖5所示，在正常存儲單元區(qū)域的最外圍部分，具有形成與電路動作無關(guān)的虛擬單元和虛擬布線的虛擬形成區(qū)域。圖中的標(biāo)號12#1～12#2、標(biāo)號13#1～13#2分別表示形成虛擬單元的區(qū)域和虛擬布線。另外，標(biāo)號9#1～9#2表示備用存儲單元的存儲點。
與此不同，在本發(fā)明的實施例2中，如圖4所示，把構(gòu)成備用存儲單元的存儲點，沿虛擬形成區(qū)域的方向延伸。作為一個例子，如圖所示使存儲點沿虛擬單元的活化區(qū)域的方向延伸。
圖中符號NL表示沿正常存儲單元中存儲點的字線的方向的長度，SL表示沿備用存儲單元中的存儲點的字線的方向的長度。
例如，這樣形成備用存儲單元，使得有關(guān)沿正常存儲單元中存儲點的字線的方向的長度NL和沿備用存儲單元中的存儲點的字線的方向的長度SL之間，SL＞NL的關(guān)系成立。
因此，與正常存儲單元的電容相比，備用存儲單元的電容增大。其結(jié)果，因正常存儲單元的暫停刷新特性的不合格而發(fā)生被備用存儲單元置換的情況下，通過置換可獲得暫停刷新特性提高的效果。
因而，按照本發(fā)明的實施例2所示的構(gòu)造，可以降低備用存儲單元中暫停刷新不合格發(fā)生的幾率，與現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)比較，確實更能挽救變成了暫停刷新不合格的存儲單元。因此，能夠提高DRAM等半導(dǎo)體存儲裝置的成品率。
(實施例3)利用圖6說明本發(fā)明實施例3的半導(dǎo)體存儲裝置3000。在圖6中，標(biāo)號1#1～1#4、標(biāo)號4#1～4#8、標(biāo)號2#1～2#2、標(biāo)號9#1～9#4、和標(biāo)號3#1～3#4，分別表示與正常存儲單元對應(yīng)的正常字線、正常存儲單元的存儲點、備用字線、備用存儲單元的存儲點、和位線。并且，標(biāo)號5、15表示源／漏區(qū)。
圖6所示的區(qū)域20，是由正常字線1#1～1#4和按照正常字線活化的正常存儲單元(存儲點4#1～4#8)構(gòu)成的正常存儲單元部件。并且，區(qū)域22是由備用字線2#1～2#2和按照備用字線活化的備用存儲單元(存儲點9#1～9#4)構(gòu)成的備用存儲單元部件。
圖中標(biāo)號SNLN表示正常存儲單元間的最小距離(例如，正常存儲單元4#1和正常存儲單元4#4)。標(biāo)號SNLS表示備用存儲單元和正常存儲單元之間的最小距離(例如，正常存儲單元4#2和備用存儲單元9#1)或備用存儲單元間的最小距離(例如，備用存儲單元9#1和備用存儲單元9#3)。
本發(fā)明實施例3的半導(dǎo)體存儲裝置3000，要這樣配置備用存儲單元，使得備用存儲單元與正常存儲單元之間的最小距離或備用存儲單元間的最小距離，比正常存儲單元間的最小距離要大。
就是說，關(guān)于正常存儲單元間的最小距離SNLN、正常存儲單元與備用存儲單元之間或與備用存儲單元間的最小距離SNLS之間，SNLS＞SNLN的關(guān)系成立。
并且，這樣配置備用字線，使得與正常字線間的最小間隔NNW、正常字線與備用字線之間的最小間隔NSW、和備用字線間的最小間隔SSW有關(guān)，且NSW＞NNW，SSW＞NNW的關(guān)系成立。
這樣，由于使備用存儲單元與存儲單元(備用存儲單元、正常存儲單元)之間的最小距離，比正常存儲單元間的最小距離大，所以降低了制造階段的備用存儲單元與其它存儲單元因異物而引起接觸不良的幾率。
舉例說，通過加寬備用存儲單元的存儲點9#1和與其鄰接的存儲單元的存儲點4#2、9#3的間隔，在存儲單元的存儲點9#1和與其鄰接的存儲單元間發(fā)生的接觸幾率，比起在正常存儲單元間發(fā)生的接觸的幾率要低。
因而，按照本發(fā)明的實施例3所示的構(gòu)造，確實更能挽救變成了不合格的存儲單元。因此，可以提高DRAM等半導(dǎo)體存儲裝置的成品率。
(實施例4)利用圖7～圖9說明本發(fā)明的實施例4的半導(dǎo)體存儲裝置4000。
參照圖7～圖9，半導(dǎo)體存儲裝置4000備有正常存儲單元部件帶24、備用存儲單元部件帶26、行譯碼器50和列譯碼器54。
正常存儲單元部件帶24包括多個正常存儲單元部件和多個讀出放大器部件。在圖8中，典型地示出了正常存儲單元部件25#1～25#6，和與正常存儲單元部件25#1～25#6分別對應(yīng)的讀出放大器部件28#1～28#6。
正常存儲單元部件25#1～25#6，分別包括正常字線和正常存儲單元。讀出放大器部件28#1～28#6，分別包括多個上述讀出放大器32#1(32#2)。
備用存儲單元部件帶26包括多個備用存儲單元部件和多個讀出放大器部件。在圖9中，典型地示出了備用存儲單元部件27#1～27#6，和與備用存儲單元部件27#1～27#6分別對應(yīng)的讀出放大器部件29#1～29#6。
備用存儲單元部件27#1～27#6，分別包括備用字線和備用存儲單元。讀出放大器部件29#1～29#6，分別包括多個上述讀出放大器32#1(32#2)。
正常存儲單元部件和備用存儲單元部件，分別具有上述實施例中說過的構(gòu)造。
就是說，把正常字線與備用字線之間的最小間隔NSW加寬到比正常字線間的最小間隔NNW要寬(NSW＞NNW)。把備用字線間的最小間隔SSW加寬到比正常字線間的最小間隔NNW要寬(SSW＞NNW)。將備用存儲單元的存儲點長度SD加大到比正常存儲單元的存儲點長度ND要大(SD＞ND)。
或者，把備用存儲單元與正常存儲單元之間或備用存儲單元間的最小距離SNLS加大到比正常存儲單元間的最小距離SNLN大(SNLS＞SNLN)。
舉例說，如果把實施例1或?qū)嵤├?中說過的備用存儲單元構(gòu)造或具有備用字線配置的備用存儲單元部件，配置到正常存儲單元部件的端部，為了在正常存儲單元部件和備用存儲單元部件上，改變字線的間隔、存儲單元(存儲點)的大小、和存儲單元的間隔，所以在兩個部件的邊界處，圖形的周期性改變．因此，變得難以制造所需形狀的存儲單元和字線，可能發(fā)生制造階段的成品率降低。
因此，在本發(fā)明的實施例4中，在一個存儲部件中不僅配置有備用存儲單元部件和正常存儲單元部件，而且分別在各個區(qū)域里，配置只由正常存儲單元部件構(gòu)成的正常存儲單元部件帶和只由備用存儲單元部件構(gòu)成的備用存儲單元部件帶。
作為配置的方法，在可以用列譯碼器54選擇的存儲單元范圍內(nèi)，在同正常存儲單元部件不同的位置，在一處集中配置備用存儲單元部件?；蛘咭部梢栽诳梢杂眯凶g碼器50選擇的存儲單元范圍內(nèi)，在同正常存儲單元部件不同的位置，在一處集中配置備用存儲單元部件。
采用這樣的結(jié)構(gòu)，可以構(gòu)成備用存儲單元部件，以便降低備用存儲單元的不合格幾率。并且，由于將備用存儲單元部件帶配置到同正常存儲單元部件帶不同的位置，可以在制造階段防止降低成品率。
而且，同現(xiàn)有技術(shù)相比，確實更能搶救不合格的正常存儲單元，提高DRAM等半導(dǎo)體存儲裝置的成品率。
另外，在以上，已經(jīng)對以字線為單位進(jìn)行置換的備用列作出說明，然而即使對于包括可用行譯碼器50選擇的多個正常存儲單元部件的正常存儲單元部件帶中的備用列(以位線為單位的置換)，也同樣可以應(yīng)用，通過制成同樣的構(gòu)造，可以提高挽救幾率，而且提高成品率。
以上結(jié)合具體實施例對本發(fā)明進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于此。本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯然可按照本發(fā)明的意旨進(jìn)行各種變更，這也應(yīng)包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體存儲裝置，具備有行列狀配置的多個正常存儲單元(4#1～4#8)；與所述多個正常存儲單元(4#1～4#8)的行對應(yīng)設(shè)置的多條正常字線(1#1～1#4)；行列狀配置，用于置換所述多個正常存儲單元(4#1～4#8)中不合格的正常存儲單元的多個備用存儲單元(6#1～6#4，9#1～9#4)；與所述多個備用存儲單元(6#1～6#4，9#1～9#4)的行對應(yīng)設(shè)置的多條備用字線(2#1～2#2)；其特征在于所述多條備用字線(2#1～2#2)將分別配置成，使得所述多條備用字線間的最小間隔SSW加寬到比所述多條正常字線間的最小間隔NNW要寬。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征是所述多條備用字線將分別配置成，使得所述多條備用字線與多條正常字線之間的最小間隔NSW，比所述多條正常字線間的最小間隔NNW要寬。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征是所述多個正常存儲單元(4#1～4#8)分別包括第1存儲單元電容(4#1～4#8)，和通過對應(yīng)的正常字線變成導(dǎo)通狀態(tài)的第1存儲單元晶體管T；所述多個備用存儲單元分別包括具有比所述第1存儲單元電容(4#1～4#8)的容量要大的容量的第2存儲單元電容(6#1～6#4)，和通過對應(yīng)的備用字線變成導(dǎo)通狀態(tài)的第2存儲單元晶體管T。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征是所述多個備用存儲單元(9#1～9#4)分別被配置成，使得所述多個備用存儲單元與所述多個正常存儲單元之間的最小距離SNLS，比所述多個正常存儲單元之間的最小距離SNLN要大。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征是所述多個備用存儲單元(9#1～9#4)分別被配置成，使得所述多個備用存儲單元間的最小距離SNLS，比所述多個正常存儲單元間的最小距離SNLN大。
6.一種半導(dǎo)體存儲裝置，具備有形成行列狀配置的多個正常存儲單元，和用于置換所述多個正常存儲單元中不合格的正常存儲單元的多個備用存儲單元的存儲單元形成區(qū)，以及在所述存儲單元形成區(qū)的最外圍部分形成的虛擬形成區(qū)；所述多個正常存儲單元分別包括第1存儲單元晶體管T，和第1存儲單元電容(4#1～4#10，132)；多個備用存儲單元分別包括第2存儲單元晶體管T，和伸向所述虛擬形成區(qū)形成的，具有所述比第1存儲單元電容的容量要大的第2存儲單元電容(10#1，10#2，132)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征是所述虛擬形成區(qū)包括形成虛擬單元的區(qū)域(12#1，12#2)，和形成虛擬布線的區(qū)域(13#1，13#2)；所述第2存儲單元電容(10#1，10#2，132)包括沿所述虛擬單元的活化區(qū)域方向延伸的存儲點(10#1，10#2)，和與所述存儲點(10#1，10#2)對應(yīng)設(shè)置的單元屏極(132)。
8.一種半導(dǎo)體存儲裝置，具備有包括正常存儲部件(25#1～25#6)和與正常存儲部件(25#1～25#6)對應(yīng)配置的讀出放大器部件(28#1～28#6)的正常部件帶(24)，和包括備用存儲部件(27#1～27#6)和與備用存儲部件(27#1～27#6)對應(yīng)配置的讀出放大器部件(29#1～29#6)，在與正常部件帶(24)不同的區(qū)域上形成的備有部件帶(26)；所述正常存儲部件(25#1～25#6)包括行列狀配置的所述多個正常存儲單元，和與所述多個正常存儲單元的行對應(yīng)設(shè)置的多條正常字線(1#1～1#4)；所述備用存儲部件(27#1～27#6)包括行列狀配置，用于置換所述多個正常存儲單元之中不合格的正常存儲單元的，與所述多個正常存儲單元形狀不同的多個備用存儲單元，和與所述多個備用存儲單元的行對應(yīng)設(shè)置，按與所述多個正常字線間的間隔不同的間隔配置的多條備用字線(2#1～2#4)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征是所述多條備用字線(2#1～2#2)分別被配置成，使得所述多條備用字線間的最小間隔SSW，比所述多條正常字線間的最小間隔NNW要寬。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征是所述多條備用字線(2#1～2#2)分別被配置成，使得所述多條正常字線與所述多條備用字線之間的最小間隔NSN，比多條正常字線間的最小間隔NNW要寬。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征是所述多個正常存儲單元分別包括第1存儲單元電容(4#1～4#10)，和通過對應(yīng)的正常字線變成導(dǎo)通狀態(tài)的第1存儲單元晶體管T；所述多個備用存儲單元分別包括具有比所述第1存儲單元電容的容量要大的容量的第2存儲單元電容(6#1～6#4，10#1～10#2)，和通過對應(yīng)的備用字線變成導(dǎo)通狀態(tài)的第2存儲單元晶體管T。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征是所述多個備用存儲單元分別被配置成，使得所述多個備用存儲單元與所述多個正常存儲單元之間的最小距離SNLS，比所述多個正常存儲單元間的最小距離SNLN要大。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征是所述多個備用存儲單元分別被配置成，使得所述多個備用存儲單元間的最小距離SNLS，比所述多個正常存儲單元間的最小距離SNLN要大。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征是還備有用于根據(jù)外部地址，選擇對應(yīng)的行的行譯碼器(50)；所述正常存儲部件(25#1～25#6)中包括的所述多條正常字線(1#1～1#2)，和所述備用存儲部件(27#1～27#6)中包括的所述多條備用字線(2#1～2#2)，分別通過上述行譯碼器(50)成為選擇狀態(tài)。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其特征是還備有在所述正常存儲部件(25#1～25#6)和所述備用存儲部件(27#1～27#6)的列方向配置的多條位線(3#1～3#4)，和用于根據(jù)外部地址，選擇所述正常存儲部件(25#1～25#6)和所述備用存儲部件(27#1～27#6)對應(yīng)列的列譯碼器(54)。
全文摘要
提供一種可能降低備用存儲單元的不合格幾率,并確實能挽救的半導(dǎo)體存儲裝置。本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲裝置包括:正常字線1＃1～1＃4、備用字線2＃1～2＃2和位線3＃1～3＃4。相對正常字線間隔,要把備用字線間隔加寬。并且,正常字線和備用字線之間的間隔也加寬。因此在制造階段由異物引起的接觸不良發(fā)生的幾率降低。進(jìn)而,把備用存儲單元的存儲點6＃1～6＃4的大小增大到比正常存儲單元的存儲點4＃1～4＃8要大。因此,可以增大備用存儲單元的電容。
文檔編號G11C7/00GK1281260SQ0010893
公開日2001年1月24日 申請日期2000年5月22日 優(yōu)先權(quán)日1999年7月16日
發(fā)明者伊藤孝 申請人:三菱電機(jī)株式會社