專利名稱：磁頭滑塊的制造和固定方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到一種制造磁頭滑塊的方法，滑塊上包括一個(gè)薄膜磁頭器件，用于在／從諸如硬盤等記錄媒體上記錄或重放信息，并且涉及到用來加工磁頭滑塊的棒的固定方法。
在諸如硬盤驅(qū)動(dòng)器的磁記錄裝置中，在面對(duì)著磁記錄媒體的記錄面的磁頭滑塊上裝有一個(gè)用于記錄或重放該信息的薄膜磁頭器件。
以日本待審專利申請(qǐng)公開號(hào)平10-228617所公開的內(nèi)容為例，磁頭滑塊是按照以下步驟制造的。
首先在例如陶瓷材料制成的基片(晶片)上通過薄膜工藝形成許多薄膜磁頭器件。接著用切片鋸等等將晶片切割成許多棒，每個(gè)棒上包括至少一個(gè)磁頭滑塊。然后對(duì)獲得的多個(gè)棒進(jìn)行表面拋光，利用光刻工藝等蝕刻技術(shù)在每個(gè)面上形成具有預(yù)定形狀的滑塊軌道。進(jìn)而將具有滑塊軌道的每個(gè)棒切割成單個(gè)的磁頭滑塊。
在形成滑塊軌道的步驟中，將棒上與待加工面(也就是需要形成滑塊軌道的表面)相對(duì)的那一面粘住，并且將棒直接固定在陶瓷等等制成的支撐基片上。
然而，如上所述的將與待加工面相對(duì)的棒表面直接固定在支撐基片上的方法存在以下的缺點(diǎn)。如果對(duì)批量加工的多個(gè)棒采用這種方法，棒與棒之間在厚度上的差異會(huì)造成棒與棒的待加工面之間在高度上(也就是支撐基片的表面到待加工面之間的距離)發(fā)生變化。因此，如果采用所謂的全晶片印刷技術(shù)在加工中用例如光刻工藝使許多棒同時(shí)在光源下曝光，有些棒就會(huì)處在曝光焦點(diǎn)上，而其他棒處在曝光焦點(diǎn)之外。由于作為掩模的光致抗蝕劑圖形不能獲得理想的尺寸和形狀，處在焦點(diǎn)之外的棒上的滑決軌道形狀會(huì)發(fā)生變化。因此，這種方法的問題是磁頭滑塊的特性會(huì)受到影響(例如對(duì)應(yīng)著磁頭滑塊與記錄媒體之間的間隔的磁頭懸浮量等等)。
為了解決上述問題，可以用所謂的逐步曝光技術(shù)代替全晶片印刷技術(shù)，使棒逐個(gè)地對(duì)光源曝光。然而，現(xiàn)存的問題是由于步進(jìn)電機(jī)價(jià)格昂貴，制造成本增加。另一個(gè)問題是制造時(shí)間延長(zhǎng)，因?yàn)榘羰侵饌€(gè)對(duì)光源曝光的。
在日本待審專利申請(qǐng)公開號(hào)平8-315341中公開了一種方法，其中的多個(gè)棒是按照這種方式固定的，使棒的待加工面沿著一個(gè)預(yù)定的參考平面排列。具體地說，一次將待加工的多個(gè)棒的表面粘在一個(gè)共用的玻璃片上，然后在多個(gè)棒周圍灌注低熔點(diǎn)金屬并且等待其凝固。在去掉玻璃片之后，用低熔點(diǎn)金屬支撐著棒，使棒的表面曝光。這種方法可以使棒的待加工面具有相同的高度(或水平)。
然而，日本待審專利申請(qǐng)公開號(hào)平8-315341中所公開的方法難以使棒在一個(gè)平行于參考平面(即玻璃片表面)的平面上準(zhǔn)確地定位。因此，在全晶片印刷中使用共同的光致抗蝕劑圖形將多個(gè)棒對(duì)光源曝光會(huì)造成光致抗蝕劑圖形和棒之間的錯(cuò)位。這樣就難以制成具有精確形狀的滑塊軌道。為了將每個(gè)棒切割成單獨(dú)的磁頭滑塊，圍住每個(gè)棒的低熔點(diǎn)金屬必須和每個(gè)棒一起切割。因此，這種方法還存在著切割刀片壽命降低的缺點(diǎn)。
日本待審專利申請(qǐng)公開號(hào)平6-236508公開了一種方法，把多個(gè)棒固定在支撐基片上，使多個(gè)棒一個(gè)挨一個(gè)地排列在與支撐基片的表面平行的一個(gè)平面上。具體地說，用一個(gè)吸力支架吸起棒的待加工面，將放置在一個(gè)XYZ臺(tái)上的支撐基片相對(duì)于棒適當(dāng)?shù)囟ㄎ?，然后將與棒的待加工面相對(duì)的表面固定在支撐基片上。然而，日本待審專利申請(qǐng)公開號(hào)平6-236508公開的這種方法和日本待審專利申請(qǐng)公開號(hào)平10-228617的方法存在一些相同的問題，因?yàn)榕c待加工面相對(duì)的表面是直接固定在支撐基片上的。也就是說，棒的厚度變化會(huì)造成待加工面高度的變化。因此，這種方法的問題在于，在采用光刻工藝的加工過程中難以制成具有精確形狀的滑塊軌道。
本發(fā)明的目的是克服上述問題。本發(fā)明的目的是提供一種制造磁頭滑塊的方法和一種棒的固定方法，這種方法可以改善裝配精度，并不會(huì)增加制造成本。
按照本發(fā)明提供了一種將一個(gè)棒固定在一個(gè)預(yù)定的支撐件上的方法，以便加工包括至少一個(gè)磁頭滑塊的細(xì)長(zhǎng)棒上的一個(gè)預(yù)定表面，該方法包括以下步驟沿著一個(gè)預(yù)定的參考平面布置其多個(gè)表面需要加工的棒；并且將多個(gè)棒移動(dòng)并放置到支撐件上，同時(shí)保持棒的相對(duì)位置，其中的布置步驟包括將多個(gè)棒分別定位在一個(gè)與參考平面平行的平面上。
在按照本發(fā)明的棒的固定方法中，待加工的多個(gè)棒的表面是沿著參考平面定位的。這樣，即使是在使用例如光刻技術(shù)的工藝中采用全晶片印刷方法，也能夠使待加工的多個(gè)棒的所有表面都處在曝光焦點(diǎn)上。這樣就能精確地形成滑塊軌道。另外，在平行于參考平面的平面上將每個(gè)棒定位。這樣就容易使用于光刻技術(shù)的光致抗蝕劑圖形和棒對(duì)齊。因而就能精確地形成滑塊軌道。另外也不需要使棒一個(gè)接一個(gè)地對(duì)光源逐步曝光。這樣就能縮短制造時(shí)間，并且不需要昂貴的步進(jìn)電機(jī)，因而又能降低制造成本。
在載送步驟中最好是利用在與多個(gè)棒的待加工面相對(duì)的背面和支撐件之間的粘合劑將多個(gè)棒固定在支撐件上。這樣，粘合劑的厚度可以隨著多個(gè)棒的厚度變化而變化。因此，在保持多個(gè)棒的同時(shí)就能使棒的待加工面與參考平面對(duì)齊。
布置步驟中最好是包括以下步驟用一個(gè)用來確定參考平面的參考件使待加工的多個(gè)棒的表面直接接觸到參考平面；并且用參考件保持住多個(gè)棒。這樣就能用簡(jiǎn)單的方法使待加工的多個(gè)棒的表面與參考平面對(duì)齊。
載送步驟中最好是進(jìn)一步包括以下步驟在支撐件上施加一種粘合劑；使與被參考件保持住的多個(gè)棒的待加工面相對(duì)的背面接觸到粘合劑；并且在粘合劑凝固之后將參考件與多個(gè)棒分開。
最好是在布置步驟中使多個(gè)棒相對(duì)于參考平面定位，同時(shí)觀測(cè)設(shè)置在每個(gè)棒上的預(yù)定的標(biāo)記。這樣就便于使每個(gè)棒精確地定位。
按照本發(fā)明的棒的固定方法包括，在布置步驟之前在棒上除了待加工面之外的至少一個(gè)表面上形成一個(gè)保護(hù)膜的步驟。這樣就能使設(shè)在棒上除了待加工面之外的任何一個(gè)表面上的薄膜磁頭器件防止由于加工(例如光刻法的蝕刻)等而受到損傷。
上述多個(gè)棒最好是包括具有不同長(zhǎng)度的多種類型的棒。這樣，在從晶片上切割棒時(shí)就不至于浪費(fèi)這些棒，從而可以節(jié)省材料。
本發(fā)明的制造磁頭滑塊的方法包括以下步驟在預(yù)定的底座上形成薄膜磁頭器件；將基座切割成多個(gè)棒，每個(gè)棒包括至少一個(gè)磁頭滑塊，在磁頭滑塊上形成薄膜磁頭器件；沿著一個(gè)預(yù)定的參考平面布置該多個(gè)棒的預(yù)定表面；將多個(gè)棒移動(dòng)并放置到一個(gè)預(yù)定的支撐件上，同時(shí)保持棒與棒的相對(duì)位置，用支撐件支撐住多個(gè)棒；對(duì)支撐件支撐著的多個(gè)棒執(zhí)行一種預(yù)定的加工；并且通過對(duì)棒的切割將這些棒分離成單個(gè)的磁頭滑塊，其中的布置步驟包括在一個(gè)平行于參考平面的平面上將該多個(gè)棒定位。
按照本發(fā)明的制造磁頭滑塊的方法，多個(gè)棒的預(yù)定表面也就是待加工面沿著參考平面定位。這樣，即使是在使用光刻技術(shù)的工藝中采用全晶片印刷方法，也能使待加工的多個(gè)棒的所有表面都處在曝光焦點(diǎn)上。這樣就能精確地形成滑塊軌道。另外，在平行于參考平面的平面上將每個(gè)棒定位。這樣就容易使用于例如全晶片印刷的光致抗蝕劑圖形和棒對(duì)齊。因而就能精確地形成滑塊軌道。另外也不需要使棒一個(gè)接一個(gè)地對(duì)光源逐步曝光。這樣就能縮短制造時(shí)間，并且不需要昂貴的步進(jìn)電機(jī)，因而又能降低制造成本。
通過以下的說明可以更加充分地理解本發(fā)明的其他和進(jìn)一步的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。


圖1是包括一個(gè)磁頭滑塊的驅(qū)動(dòng)臂的結(jié)構(gòu)透視圖，在磁頭滑塊上采用了按照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制造磁頭滑塊的方法和棒的固定方法；圖2是圖1所示的驅(qū)動(dòng)臂上的磁頭滑塊的結(jié)構(gòu)透視圖；圖3是安裝在圖2所示的磁頭滑塊上的一個(gè)薄膜磁頭器件的分解透視圖；圖4是從圖3的箭頭IV方向上看到的圖3的薄膜磁頭器件的結(jié)構(gòu)平面圖；圖5是沿著圖4的V-V線從箭頭方向上看到的圖3的薄膜磁頭器件的結(jié)構(gòu)截面圖；圖6是在按照本發(fā)明的實(shí)施例制造磁頭滑塊的方法和棒的固定方法中使用的一種固定裝置的總體結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是用來固定圖6所示的裝置的一個(gè)載送架以及用來驅(qū)動(dòng)載送架的機(jī)構(gòu)的透視圖；圖8是圖6所示的固定裝置的一個(gè)吸盤的透視圖；圖9是按照本發(fā)明的實(shí)施例的制造磁頭滑塊的方法的一個(gè)流程圖；圖10A和10B是用來說明在圖9所示的制造方法中在晶片上形成薄膜磁頭器件的步驟以及將晶片切割成塊的步驟等各步驟的透視圖；圖11A到11C是用來說明在圖9所示的制造方法中從塊切割成棒的方法以及對(duì)棒進(jìn)行拋光的方法等各步驟的透視圖；圖12是在圖9所示的制造方法中的棒的固定方法的流程圖；圖13是一個(gè)透視圖，用來表示在圖12所示的棒的固定方法中如何形成一個(gè)保護(hù)膜的方法；圖14是一個(gè)狀態(tài)透視圖，表示在圖12所示的棒的固定方法中將棒放置在一個(gè)托板上；
圖15是一個(gè)透視圖，表示在圖12所示的棒的固定方法中觀測(cè)棒的一種方法；圖16A和16B是通過圖15所示的觀測(cè)棒的方法獲得的一例圖像；圖17A到17C是用來說明在圖12所示的固定棒的方法中載送一個(gè)棒的方法的各個(gè)步驟的截面圖；圖18是一個(gè)透視圖，用來說明在圖9所示的制造方法中形成一個(gè)磁頭滑塊的方法；以及圖19是一個(gè)透視圖，用來說明在圖9所示的制造方法中切割棒的方法的各個(gè)步驟。
<磁頭滑塊的結(jié)構(gòu)>
首先要參照?qǐng)D1到5來說明采用了本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制造磁頭滑塊的方法和固定棒的方法的一種磁頭滑塊的結(jié)構(gòu)。
圖1表示包括一個(gè)磁頭滑塊2的驅(qū)動(dòng)臂3的結(jié)構(gòu)，在磁頭滑塊上采用了按照本發(fā)明實(shí)施例的制造磁頭滑塊的方法和棒的固定方法。驅(qū)動(dòng)臂3例如是被用在一個(gè)硬盤驅(qū)動(dòng)器(未示出)中。驅(qū)動(dòng)臂3有一個(gè)磁頭滑塊2，在滑塊上形成一個(gè)薄膜磁頭器件1。例如可以將磁頭滑塊2安裝在被一個(gè)支撐樞軸2b轉(zhuǎn)動(dòng)支撐著的一個(gè)臂2c的端部?？梢岳靡粋€(gè)音圈電機(jī)(未示出)的驅(qū)動(dòng)力使臂2c轉(zhuǎn)動(dòng)。這樣可使磁頭滑塊2在方向x上移動(dòng)，使磁頭滑塊2沿著磁記錄媒體M例如是硬盤(圖1的記錄表面的下表面)的記錄表面跨過一條軌道線。例如，磁記錄媒體M在z方向上轉(zhuǎn)動(dòng)，z方向與磁頭滑塊2跨越軌道線的方向x大體上垂直。按照這種方式轉(zhuǎn)動(dòng)磁記錄媒體M并移動(dòng)磁頭滑塊2，從而將信息記錄到磁記錄媒體M上，或是從磁磁記錄媒體M上讀出所記錄的信息。
圖2表示圖1中所示的磁頭滑塊2的結(jié)構(gòu)。磁頭滑塊2具有一個(gè)例如用Al2O3-TiC(altic)制成的框形底座2d。底座2d大體上是一個(gè)六面體。六面體的一面(圖2中的頂面)嚴(yán)格面對(duì)著磁記錄媒體M(參見圖1)的記錄表面。在面對(duì)著磁記錄媒體M之記錄表面的一個(gè)表面上形成兩個(gè)平行的滑塊軌道2a。各個(gè)滑塊軌道2a的表面被稱作空氣軸承表面(ABS)2e。在磁記錄媒體M轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，在磁記錄媒體M的記錄表面和空氣軸承表面2e之間產(chǎn)生的氣流使磁頭滑塊2在面對(duì)著記錄表面的y方向上稍稍離開記錄表面。這樣就能在空氣軸承表面2e和磁記錄媒體M之間形成一個(gè)恒定的間隔。在底座2d上與空氣軸承表面2e相鄰的一側(cè)(圖2中的左側(cè))形成薄膜磁頭器件1。
圖3是薄膜磁頭器件1的分解透視圖。圖4是從圖3的箭頭IV方向上看到的一個(gè)結(jié)構(gòu)平面圖。圖5是沿著圖4的V-V線從箭頭方向上看到的一個(gè)結(jié)構(gòu)截面圖。薄膜磁頭器件1具有一個(gè)整體結(jié)構(gòu)，它包括用來重放記錄在磁記錄媒體M(參見圖1)上的磁性信息的一個(gè)重放頭1a和用來在磁記錄媒體M上記錄磁性信息的一個(gè)記錄頭1b。
例如圖3和5所示，重放頭1a具有一種層疊結(jié)構(gòu)，它包括一個(gè)絕緣層11，底屏蔽層12，底屏蔽間隙層13，頂屏蔽間隙層14，一個(gè)頂屏蔽層15，它們按照這樣的次序?qū)盈B在底座2d上靠近空氣軸承表面2e的一側(cè)。例如絕緣層11在沿著層疊方向上的厚度(以下簡(jiǎn)稱為厚度)是2μm到10μm，并且是用Al2O3(鋁)制成的。例如，底屏蔽層12的厚度是1μm到3μm，并且是用諸如NiFe(鐵-鎳合金坡莫合金)的磁性材料制成的。例如，底屏蔽間隙層13和頂屏蔽間隙層14各自的厚度是10nm到100nm，并且是用Al2O3或AlN(氮化鋁)制成的。例如，頂屏蔽層15的厚度是1μm到4μm，并且是用諸如NiFe的磁性材料制成的。頂屏蔽層15還可以起到記錄頭1b的底層磁極的作用。
在底屏蔽間隙層13和頂屏蔽間隙層14之間還埋設(shè)有一個(gè)MR(磁阻)元件1c。MR元件1c是用于讀出寫在磁記錄媒體(未示出)上的信息的元件，并且位于靠近空氣軸承表面2e的那一側(cè)。MR元件1c包括一個(gè)用AMR(各向異性磁阻)薄膜或GMR(巨大磁阻)薄膜構(gòu)成的MR薄膜20。這種AMR薄膜具有包括一個(gè)由NiFe制成的磁性層的單層結(jié)構(gòu)。GMR薄膜具有一種多層結(jié)構(gòu)，除了一個(gè)軟磁性層之外還包括一個(gè)由CoFe(鐵-鈷合金)制成的鐵磁層，由例如MnPt(錳-鉑合金)制成的一個(gè)反鐵磁層，一個(gè)由例如Cu(銅)制成的非磁性金屬層等等。
例如由硬磁性材料制成的磁疇控制薄膜30a和30b沿著軌道寬度的方向(圖3中的X方向)設(shè)置在MR薄膜20的兩側(cè)。磁疇控制薄膜30a和30b是用來在一個(gè)固定方向上對(duì)MR薄膜20施加一個(gè)偏置磁場(chǎng)的薄膜，可用來防止Barkhausen噪聲。在軌道寬度的方向上與中間的MR薄膜20彼此面對(duì)的一對(duì)引線層33a和33b用電路連接到MR薄膜20上。與MR薄膜20類似，引線層33a和33b也被設(shè)在底屏蔽間隙層13和頂屏蔽間隙層14之間。引線層33a和33b例如是用鈦(Ta)金屬制成的。
引線層33a和33b在與空氣軸承表面2e相反的方向上延伸。引線層33a和33b用電路連接到輸出端子33c和33d，端子通過設(shè)在頂屏蔽間隙層14中的一個(gè)開口(未示出)在頂屏蔽間隙層14上形成預(yù)定的圖形。
例如圖3到5中所示，記錄頭1b具有設(shè)在頂屏蔽層15上面的由例如Al2O3的一個(gè)絕緣薄膜制成的厚度為0．1μm到0．5μm的寫間隙層41。寫間隙層41在對(duì)應(yīng)著下述的薄膜線圈43和45中心的位置上具有一個(gè)開口41a。厚度為1μm到3μm的薄膜線圈43和覆蓋這一薄膜線圈43的光致抗蝕劑層44通過一個(gè)用來確定層間間隔高度的厚度為1．0μm到5．0 μm的光致抗蝕劑層42形成在寫間隙層41上。厚度為1μm到3μm的薄膜線圈45和覆蓋這一薄膜線圈45的光致抗蝕劑層46形成在光致抗蝕劑層44上。在本實(shí)施例所描述的例子中，兩個(gè)薄膜線圈層是層疊的。然而，薄膜線圈層的數(shù)量可以是一或三或更多。
用諸如NiFe或FeN(氮化鐵)等具有高飽和磁通密度的磁性材料制成的厚度大約為3μm的頂層磁極47被形成在寫間隙層41和光致抗蝕劑層42，44及46上。頂層磁極47通過寫間隙層41上位置對(duì)應(yīng)著薄膜線圈43和45中心的一個(gè)開口41a與頂屏蔽層15形成接觸和磁耦合。盡管在圖3到5中沒有表示，在頂層磁極47上面還有一個(gè)覆蓋整個(gè)表面的20μm到30μm厚的Al2O3覆蓋層。通過薄膜線圈43和45的電流使記錄頭1b在底層磁極也就是頂屏蔽層15和頂層磁極47之間產(chǎn)生一個(gè)磁通，由寫間隙層41附近產(chǎn)生的磁通使磁記錄媒體M(參見圖1)磁化，這樣就能記錄信息。
具有上述結(jié)構(gòu)的薄膜磁頭器件1的工作原理如下。使電流通過記錄頭1b的薄膜線圈43和45，產(chǎn)生用于寫入的磁通，將信息記錄在磁記錄媒體M(參見圖1)上。使一個(gè)檢測(cè)電流通過重放頭1a的MR薄膜20，由于檢測(cè)到磁記錄媒體M的信號(hào)磁場(chǎng)，它的磁阻會(huì)發(fā)生變化，從而讀出記錄在磁記錄媒體M上的信息。
<棒固定裝置的結(jié)構(gòu)>
圖6表示在按照本發(fā)明的實(shí)施例制造磁頭滑塊的方法中使用的一種棒固定裝置的基本結(jié)構(gòu)。棒固定裝置6的結(jié)構(gòu)可以這樣來布置多個(gè)棒5，使棒的待加工面沿著一個(gè)預(yù)定的參考平面定位，從而在一個(gè)平行于上述參考平面的平面上將棒5定位。如圖6所示，棒固定裝置6在水平面的一個(gè)方向上(在圖6中是從左下方到右上方)在載送該棒5的同時(shí)執(zhí)行必要的操作。在下文中，將棒固定裝置6載送棒5的方向稱為Y方向，而在水平面上與Y方向垂直的方向被稱為X方向。
棒固定裝置6具有一個(gè)用來沿著Y方向水平放置多個(gè)棒5的托板62，一個(gè)機(jī)械手64、其用來提起一個(gè)挨一個(gè)放在托板62上的棒5，一個(gè)載架70、用來接收和載送由機(jī)械手64一個(gè)接一個(gè)從托板62上提起的棒5，一個(gè)吸盤80、用來吸取和保持由載架70載送的棒5，以及一個(gè)支撐基片90、用來支撐由吸盤80運(yùn)來的棒5。支撐基片90在下文所述的光刻工藝加工過程中保持多個(gè)棒5。在一個(gè)控制器C的控制下對(duì)用來驅(qū)動(dòng)機(jī)械手64、載架70和支撐基片90的機(jī)構(gòu)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
托板62是一個(gè)板狀部件，其面積大到足以在上面放置預(yù)定數(shù)量的棒5(例如五十個(gè)棒)。機(jī)械手64執(zhí)行的一系列動(dòng)作是一個(gè)接一個(gè)地從托板62上抓起棒5并且將棒5一個(gè)接一個(gè)地放置到載架70上。機(jī)械手64可以采用任何特定的結(jié)構(gòu)，只要是這種機(jī)械手64能夠執(zhí)行上述的動(dòng)作。
圖7表示一個(gè)載架70和用來驅(qū)動(dòng)載架70的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)透視圖。如圖7所示，載架70包括一個(gè)長(zhǎng)方塊70a，其放置表面70a的面積大到足以在上面放置一個(gè)棒5。在放置表面70a上沿著載架70的長(zhǎng)度方向形成吸氣孔70b的線路。吸氣孔70b連接到從載架70向外延伸的一個(gè)管子70c上。管子70c上有一個(gè)閥門71，在閥門控制機(jī)構(gòu)71a的控制下打開或是關(guān)閉。載架70的結(jié)構(gòu)可以通過打開閥門71將棒5吸取和保持在放置表面70a上，并且通過關(guān)閉閥門71而停止吸取棒5。
載架70被安裝在一個(gè)提升和旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)器72上，它可以垂直地上下移動(dòng)并且能在水平面上轉(zhuǎn)動(dòng)。提升和旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)器72被安裝在一個(gè)可以在水平面上移動(dòng)的XY臺(tái)面75上。提升和旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)器72包括一個(gè)底座720，在底座720上被提升機(jī)構(gòu)723(參見圖6)上、下移動(dòng)的一個(gè)上下板722，該提升機(jī)構(gòu)包括例如螺桿傳動(dòng)裝置和一個(gè)被包括如齒輪系的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)725(參見圖6)轉(zhuǎn)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)盤724。XY臺(tái)面75包括一個(gè)用來支撐提升和旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)器72的X臺(tái)面750，用來在X方向上直線移動(dòng)X臺(tái)面750的X臺(tái)面驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)752，用來安裝X臺(tái)面750和X臺(tái)面驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)752的Y臺(tái)面754，以及用來在Y方向上直線移動(dòng)Y臺(tái)面754的Y臺(tái)面驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)756。X臺(tái)面驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)752具有一對(duì)在X方向上延伸的導(dǎo)向軸752a和752b，在X方向上延伸的滾珠絲桿752c，以及用來轉(zhuǎn)動(dòng)滾珠絲桿的752c的電機(jī)752d。同樣，Y臺(tái)面驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)756具有一對(duì)在Y方向上延伸的導(dǎo)向軸756a和756b，在Y方向上延伸的滾珠絲桿756c，以及用來轉(zhuǎn)動(dòng)滾珠絲桿的756c的電機(jī)756d。Y臺(tái)面754在從靠近機(jī)械手64的位置到吸盤80下面的位置之間的范圍內(nèi)移動(dòng)。上述提升和旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)器72可以包括用來相對(duì)粗略定位的機(jī)構(gòu)和用來精確定位的機(jī)構(gòu)的組合，但是本文省略了具體的說明。
圖8是一個(gè)吸盤80的結(jié)構(gòu)透視圖。吸盤80是一個(gè)由例如不銹鋼制成的板狀部件，其面積大到足以容納例如五十個(gè)棒5。吸盤80的下表面是一個(gè)平滑的表面。在吸盤80的下表面中設(shè)有吸氣孔(未示出)的許多線路。吸氣孔的線路數(shù)量對(duì)應(yīng)著需要吸取的棒5的數(shù)量。吸氣孔的線路各自獨(dú)立地連接到管子80a。每一條管子80a具有各自的閥門81，閥門在閥門機(jī)構(gòu)81a的控制下彼此獨(dú)立地打開或關(guān)閉。這樣就能通過每條線路接通或關(guān)閉吸氣孔的吸氣。
在吸盤80中形成兩個(gè)縫隙87a和87b，縫隙在吸盤80的厚度方向上切透該吸盤80，用來觀測(cè)棒5的吸取位置。形成縫隙87a和87b的位置在棒5的長(zhǎng)度方向(即X方向)上對(duì)應(yīng)著待被吸盤80吸取的棒5的兩端。縫隙87a和87b的長(zhǎng)度在棒5的布置方向(即Y方向)上延伸。兩個(gè)攝像機(jī)85a和85b位于吸盤80上方，二者在X方向上有一個(gè)預(yù)定的間隔，可以用攝像機(jī)85a和85b在棒5的長(zhǎng)度方向上通過縫隙87a和87b來觀測(cè)被吸盤80吸取的棒5的兩端。用一個(gè)攝像機(jī)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)82(參見圖6)沿著縫隙87a和87b移動(dòng)攝像機(jī)85a和85b。
如圖6所示，支撐基片90是一個(gè)具有例如晶片形狀的陶瓷基片，其面積大到足以在上面放置預(yù)定數(shù)量的棒5(例如五十個(gè)棒5)。支撐基片90的表面覆蓋著一層聚酰亞胺材料，它可以耐受多次光刻加工并且難溶于酒精和丙酮。具體用在涂層中的聚酰亞胺包括Toray Industries，Inc．生產(chǎn)的SemicofineTM等等。在支撐基片90附近設(shè)有一個(gè)分配器94，用來在支撐基片90的表面上施加粘合劑。分配器94是這樣構(gòu)成的，用一個(gè)公知的分配器驅(qū)動(dòng)裝置95沿著支撐基片90的表面移動(dòng)分配器，并且從分配器端部分配液體粘合劑。粘合劑參見下文。
可以由一個(gè)支撐基片驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)98在Y方向上移動(dòng)支撐基片90。支撐基片90可以在吸盤80下方的位置和遠(yuǎn)離吸盤80的位置之間水平地移動(dòng)。當(dāng)支撐基片90位于吸盤80下方時(shí)，由吸盤80保持的多個(gè)棒5被移動(dòng)并放置到支撐基片90上。在棒5被移動(dòng)并放置到支撐基片90上時(shí)，由支撐基片驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)98驅(qū)動(dòng)支撐基片90上、下移動(dòng)例如幾個(gè)毫米，使支撐基片90上的粘合劑(參見下文)接觸到被吸盤80保持著的棒5。
支撐基片90相當(dāng)于本發(fā)明的“支撐件”的一個(gè)特例。吸盤80相當(dāng)于本發(fā)明的“參考件”的一個(gè)特例。吸盤80的吸取面(下表面)相當(dāng)于本發(fā)明的“參考平面”的一個(gè)特例。載架70相當(dāng)于本發(fā)明的“載架”的一個(gè)特例。
<制造磁頭滑塊的方法>
圖9是制造磁頭滑塊的方法的一個(gè)流程圖。圖10A和10B以及圖11A到11C是用來說明圖9所示的制造方法中各個(gè)步驟的透視圖。如圖10A所示，采用薄膜工藝等(步驟S10)在厚度為3英寸到6英寸的例如由Al2O3-TiC制成的晶片4上形成許多薄膜磁頭器件1。
以下要參照?qǐng)D3到5簡(jiǎn)要描述步驟S10中的薄膜工藝。
首先在上述晶片4上通過濺射等形成一種絕緣材料如Al2O3制成的絕緣層11。然后在絕緣層11上通過濺射等有選擇地形成一個(gè)由NiFe等磁性材料制成的底屏蔽層12。接著通過濺射在底屏蔽層12上淀積一層Al2O3薄膜。將Al2O3薄膜加熱，形成高度絕緣的底屏蔽間隙層13。
接著在底屏蔽間隙層13上通過例如濺射形成一個(gè)用來形成MR薄膜20的層疊薄膜，然后在層疊薄膜上有選擇地形成一個(gè)光致抗蝕劑圖形。此后將光致抗蝕劑圖形作為掩模通過離子碾磨對(duì)層疊薄膜進(jìn)行蝕刻，形成具有預(yù)定平面形狀和尺寸的MR薄膜20。然后在底屏蔽間隙層13上通過例如濺射形成磁疇控制薄膜30a和30b以及引線層33a和33b。
接著按照與底屏蔽間隙層13相同的方式在底屏蔽間隙層13、MR薄膜20和引線層33a和33b上形成頂屏蔽間隙層14。此后，在頂屏蔽間隙層14上通過濺射等有選擇地形成頂屏蔽層15。
在形成頂屏蔽層15之后，在頂屏蔽層15上通過濺射等形成一個(gè)絕緣材料如Al2O3制成的寫間隙層41。然后在寫間隙層41上采用光刻工藝有選擇地形成光致抗蝕劑層42。然后在光致抗蝕劑層42上通過電鍍或?yàn)R射等有選擇地形成薄膜線圈43。接著按照與光致抗蝕劑層42相同的方式在光致抗蝕劑層42和薄膜線圈43上有選擇地形成光致抗蝕劑層44。然后按照與薄膜線圈43相同的方式在光致抗蝕劑層44上有選擇地形成薄膜線圈45。進(jìn)而按照與光致抗蝕劑層42相同的方式在光致抗蝕劑層44和薄膜線圈45上有選擇地形成光致抗蝕劑層46。
在形成光致抗蝕劑層46之后局部蝕刻出寫間隙層41，從而在薄膜線圈43和45的中心附近形成開口41a。此后通過濺射等在寫間隙層41和光致抗蝕劑層44及46上形成用諸如NiFe或FeN等磁性材料制成的頂層磁極47。接著用頂層磁極47作為掩模通過離子碾磨等蝕刻出寫間隙層41和一部分頂屏蔽層15。此后通過濺射等在頂層磁極47上形成一個(gè)Al2O3制成的覆蓋層(未示出)。
按照上述方法在圖10A所示的晶片4上形成許多薄膜磁頭器件1。
接著如圖10B所示將晶片4切割成一些塊，例如是具有三種尺寸的塊4a，4b和4c(步驟S12)。每個(gè)塊4a，4b和4c對(duì)應(yīng)著具有相同長(zhǎng)度的一個(gè)整體結(jié)構(gòu)的層疊棒5。每個(gè)棒5對(duì)應(yīng)著多個(gè)磁頭滑塊2的一個(gè)整體結(jié)構(gòu)，每個(gè)磁頭滑塊具有至少一個(gè)薄膜磁頭器件1。
接著從塊4a，4b和4c上切下棒5并且拋光(步驟S14)。具體地說，如圖11A所示，用一個(gè)磨沙輪102對(duì)塊4a中包括的其中一個(gè)棒5的一個(gè)端面、也就是對(duì)應(yīng)著空氣軸承表面的那一個(gè)端面拋光。此時(shí)將塊4a上與待拋光表面相對(duì)的那個(gè)端面固定在一個(gè)固定夾具100上。接著如圖11B所示在塊4a的拋光端面上粘結(jié)一個(gè)保護(hù)膜104。用另一個(gè)夾具(未示出)吸取和保持塊4a的拋光端面，將保護(hù)膜104夾在中間。這樣就能將塊4a在其兩個(gè)端面上夾在并保持在固定夾具100和另一個(gè)夾具之間。然后用一個(gè)刀片106將具有拋光面的棒5從相鄰的棒5上切割下來。在切割之后從棒5上剝離保護(hù)膜104。這樣就獲得了如圖11C所示的具有拋光面的一個(gè)棒5。
重復(fù)圖11A到11C所示的步驟，對(duì)塊4a中包括的所有棒5的表面也就是對(duì)應(yīng)著空氣軸承表面的表面進(jìn)行拋光并且從塊4a上切下所有的棒5。象對(duì)待塊4a中所包括的棒那樣的方式對(duì)塊4b和4c中包括的棒進(jìn)行拋光并且將其從塊上切下來。這樣就獲得了預(yù)定數(shù)量的棒5(例如五十個(gè)棒5)。
在圖11A所示的拋光步驟中，可以采用所謂的RLG(ResistanceLapping Guide)拋光，按照薄膜磁頭器件1的測(cè)量出的隨著拋光量而改變的電阻值來控制拋光。由于RLG拋光技術(shù)是公知的，在此省略了具體的描述。還可以采用粗拋光和細(xì)拋光的組合。
用圖6中所示的棒固定裝置將通過上述步驟獲得的多個(gè)棒5布置、粘結(jié)和固定在支撐基片90上(步驟S16)。
圖12是在圖9所示的步驟S16中執(zhí)行的布置過程的一個(gè)流程圖。圖13到圖16A和16B是用來說明在圖12所示的布置過程的流程圖。圖17A到17C是用來說明圖12所示的布置過程的截面圖。如圖13A所示，按照箭頭K所示將油墨(例如Domino公司生產(chǎn)的產(chǎn)品號(hào)BK2701R)噴射到設(shè)有薄膜磁頭器件1的每個(gè)棒5的表面上。這樣就形成了用來保護(hù)薄膜磁頭器件1的保護(hù)膜(步驟S100)。然后如圖14所示將預(yù)定數(shù)量的棒5(例如五十個(gè)棒5)放置到托板62上，使棒的表面朝上對(duì)應(yīng)著空氣軸承表面(即圖14中符號(hào)S所指的表面)(步驟S101)。此時(shí)要按照固定的次序布置棒5(也就是與從晶片4上切割下棒5之前相同的次序)。每個(gè)棒5在托板62上的位置精度可以達(dá)到使這一位置精度不會(huì)妨礙機(jī)械手64提起每個(gè)棒5。
接著如圖6所示驅(qū)動(dòng)機(jī)械手64，一個(gè)接一個(gè)地提起棒5并且將其一個(gè)接一個(gè)地移動(dòng)到載架70上(步驟S102)。此時(shí)由控制器C控制機(jī)械手64，使機(jī)械手64以固定的次序(例如是按照機(jī)械手64和棒5之間的距離遞增的次序，從位置最靠近機(jī)械手64的一個(gè)棒5開始)一個(gè)接一個(gè)地提起布置在托板62上的棒5并且一個(gè)接一個(gè)地將棒5移動(dòng)到載架70上。
然后由控制器C驅(qū)動(dòng)Y臺(tái)面驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)756，將載架70移動(dòng)到吸盤80下面的位置。然后由控制器C驅(qū)動(dòng)提升機(jī)構(gòu)723，將載架70提升到盡量靠近吸盤80的下表面。在這種狀態(tài)下，放置在載架70上的棒5在水平面上相對(duì)于吸盤80定位(步驟S104)。如圖15所示，利用位于吸盤80上方的攝像機(jī)35a和35b捕捉位于棒5兩端上的磁頭滑塊2的薄膜磁頭器件1的圖像信息，例如是圖16A和16B所示的圖像信息?？刂破鰿(參見圖6)根據(jù)預(yù)先存儲(chǔ)的圖形P按照位于棒5兩端的磁頭滑塊2的薄膜磁頭器件1的圖像的位移來獲得關(guān)于棒5在X和Y方向上的位移和傾斜的控制信息?？刂破鰿按照這種控制信息來驅(qū)動(dòng)X臺(tái)面驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)752，Y臺(tái)面驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)756和旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)725，以便使載架70在水平面上定位。
在完成了載架70相對(duì)于吸盤80的定位之后，控制器C驅(qū)動(dòng)閥門機(jī)構(gòu)81a，從而有選擇地打開用來吸取棒5的吸盤80的吸氣孔線路閥門81。同時(shí)由控制器C驅(qū)動(dòng)閥門驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)71a，關(guān)閉閥門71從而停止載架70的真空吸氣。這樣就能使棒5脫離載架70并且被吸盤80吸取(步驟S106)。在棒5被吸盤80吸住時(shí)，控制器C使載架70恢復(fù)到接近機(jī)械手64的位置。每當(dāng)吸盤80完成一次吸取和保持棒5的動(dòng)作時(shí)，控制器C就驅(qū)動(dòng)攝像機(jī)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)82，將攝像機(jī)85a和85b向前移動(dòng)一個(gè)棒5的間距。
用機(jī)械手64將棒5放置到載架70上(步驟S102)，用載架70使棒5定位(步驟S104)，并且將棒5從載架70載送到吸盤80上(步驟S106)，重復(fù)執(zhí)行這些動(dòng)作(步驟S108)。在這種情況下，重復(fù)的次數(shù)等于棒5的數(shù)量。這樣就能用吸盤80吸取所有預(yù)定數(shù)量的棒5。
按照上述方式用吸盤80保持多個(gè)棒5，使棒的表面沿著參考平面(吸盤80的下表面)對(duì)應(yīng)著空氣軸承表面。
然后由控制器C驅(qū)動(dòng)分配器驅(qū)動(dòng)裝置95，由分配器94在支撐基片90的表面上施加粘合劑(步驟S110)。應(yīng)該使用凝固速度快的粘合劑。最好是采用一種cyanoacrylate粘合劑。粘合劑可以施加到支撐基片90的整個(gè)表面上，或者是例如沿著一條預(yù)定的鋸齒形圖形施加粘合劑。
接著，控制器C驅(qū)動(dòng)支撐基片驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)98，將支撐基片90水平移動(dòng)到圖17A所示的吸盤80下面的位置，然后朝向吸盤80提升支撐基片90，使支撐基片90上的粘合劑B接觸到被吸盤80吸取的棒5。此時(shí)，如圖17B所示，粘合劑B在待加工棒5的表面相對(duì)于吸盤80的下表面定位的狀態(tài)下凝固。這樣，粘合劑B的厚度就會(huì)隨著棒5的厚度變化而改變，這樣就能使所有待加工的棒5的表面沿著參考平面定位。在粘合劑B凝固之后，吸盤80停止吸氣。此后將支撐基片90與吸盤80分離，將棒5從吸盤80轉(zhuǎn)移到支撐基片90上(步驟S112)。
按照上述的方式可以在支撐基片90上布置多個(gè)棒5，使棒的待加工面(對(duì)應(yīng)著空氣軸承表面的表面)沿著參考平面排列。換句話說，對(duì)應(yīng)著空氣軸承表面的多個(gè)棒5的表面的高度(也就是支撐基片90的表面與對(duì)應(yīng)著空氣軸承表面的那一面之間的距離)是彼此相同的。如圖6所示，從棒5固定裝置上拆下如此布置的多個(gè)棒5和支撐基片90，然后將棒5裝載到執(zhí)行光刻工藝的一個(gè)裝置上。
回到圖9的流程圖，在步驟S18中執(zhí)行用光致抗蝕劑形成軌道的步驟。在形成軌道的步驟中，在布置于支撐基片90上的棒5上層積一個(gè)感光膠膜(未示出)，然后用一個(gè)全晶片直線對(duì)準(zhǔn)器(未示出)將棒5對(duì)光源曝光。在完全曝光之后用堿執(zhí)行定影。在使用離子碾磨等進(jìn)行蝕刻之后去掉膠膜。如圖18所示，在上述方法中，每個(gè)棒5上的磁頭滑塊2的中心被削掉了。這樣就在將該中心夾在中間的兩側(cè)上形成了滑塊軌道2a，并且在滑塊軌道2a的表面上形成了空氣軸承表面2e。
此時(shí)，待加工的棒5的表面的高度(對(duì)應(yīng)著空氣軸承表面的表面)是彼此精確配合的。這樣就能使待加工的所有棒5的表面準(zhǔn)確地進(jìn)入曝光焦點(diǎn)。這樣就能消除棒與棒之間的光致抗蝕劑圖形的尺寸和形狀的變化。由此就能形成具有精確形狀的滑塊軌道2a。
在形成滑塊軌道2a之后，從圖19中箭頭C的方向上將支撐在支撐基片90上的多個(gè)棒5切割成單獨(dú)的磁頭滑塊2(步驟S20)。進(jìn)而用一種溶劑溶解粘合劑B，以便使磁頭滑塊2脫離支撐基片90(步驟S22)。這樣就獲得了圖2所示的磁頭滑塊2。在通過溶解溶劑使棒5脫離支撐基片90之后可以單獨(dú)地切割該棒5。
如上所述，按照這一實(shí)施例，將多個(gè)棒5的待加工面(對(duì)應(yīng)著空氣軸承表面的表面)沿著參考平面排列。這樣，即使是采用全晶片印刷技術(shù)來形成滑塊軌道2a，也能使所有待加工面準(zhǔn)確地進(jìn)入曝光焦點(diǎn)。因此，可形成具有精密形狀的滑塊軌道2a。進(jìn)而，與將棒5一個(gè)接一個(gè)地對(duì)光源曝光的所謂步進(jìn)和重復(fù)曝光技術(shù)相比，可以用廉價(jià)的設(shè)備執(zhí)行全晶片印刷。這樣就能降低制造成本。另外，棒5在平行于吸盤80的吸氣表面的一個(gè)平面上定位。這樣，棒5就不會(huì)錯(cuò)過用于全晶片印刷的曝光圖形。因而就能形成具有精確形狀的滑塊軌道2a。
另外，棒5被保持在具有用來確定參考平面的表面的吸盤80上，并且將棒5載送到支撐基片90上。這樣就能同時(shí)將多個(gè)棒5移動(dòng)到支撐基片90上。從而可以縮短制造時(shí)間。
另外，在載送棒5的同時(shí)，在多個(gè)棒5上與待加工表面相反的表面以及支撐基片90之間放置粘合劑。這樣就能保持住多個(gè)棒5，使棒的待加工面沿著參考平面排列。
進(jìn)而在觀測(cè)位于棒5兩端上的磁頭滑決2的薄膜磁頭器件1的同時(shí)使棒5相對(duì)于參考平面定位。這樣就能使每個(gè)棒5的位置與例如采用光刻工藝形成軌道的步驟中使用的曝光圖形的位置準(zhǔn)確配合。
另外在已經(jīng)形成薄膜磁頭器件1的棒5的表面上形成一個(gè)保護(hù)膜。這樣就能保護(hù)薄膜磁頭器件1不會(huì)受到光刻蝕刻的損傷。
進(jìn)而，在本實(shí)施例中，從一個(gè)晶片4上切割出具有不同長(zhǎng)度的多種類型的棒5。這樣就能有效地利用晶片4，從而減少材料的浪費(fèi)。
本發(fā)明不僅限于上述的實(shí)施例，還可以有各種各樣的變更。在上述實(shí)施例中，每次在支撐基片90上固定五十個(gè)棒5。然而，在支撐基片90上可以固定任意數(shù)量的棒5。另外，除了用光刻工藝形成軌道之外，本發(fā)明還可以應(yīng)用于任何工藝。例如本發(fā)明還可以用于所謂的RLG拋光等等。
另外，薄膜磁頭器件1不僅限于使用AMR薄膜或GMR薄膜的器件。薄膜磁頭器件1也可以是采用其他MR薄膜的器件(例如TMR(溝道型磁阻)薄膜)。另外，薄膜磁頭器件也可以是單一重放磁頭或單一記錄磁頭。
如上所述，按照本發(fā)明的棒的固定方法或本發(fā)明的制造磁頭滑塊的方法，將多個(gè)棒的待加工面相對(duì)定位。這樣就能使所有棒的待加工面處在同一表面上。進(jìn)而將多個(gè)棒在一個(gè)平行于參考平面的平面上定位。這樣就能在光刻加工步驟中使曝光圖形準(zhǔn)確地對(duì)準(zhǔn)棒。由此就實(shí)現(xiàn)了一種獲得精確形狀的方法。
按照本發(fā)明的棒的固定方法或本發(fā)明的制造磁頭滑塊的方法，為了用光刻工藝形成滑塊軌道等，可以使所以棒的待加工面處在同一表面上。這樣就容易使棒的待加工面進(jìn)入曝光焦點(diǎn)，從而改善了裝配精度。因此，磁頭滑塊的特性(例如磁頭滑塊與記錄媒體等等之間的公差)可以保持恒定。另外還可以采用諸如光刻工藝等等全晶片印刷技術(shù)。因而就能縮短制造時(shí)間。此外，全晶片印刷技術(shù)不需要昂貴的步進(jìn)電機(jī)，與例如將棒一個(gè)接一個(gè)地對(duì)光源曝光的步進(jìn)和重復(fù)曝光技術(shù)不同，這樣可以降低制造成本。
按照本發(fā)明的棒的固定方法或本發(fā)明的制造磁頭滑塊的方法，在棒上與待加工表面相反的表面以及支撐件之間放置粘合劑。這樣就容易用支撐件保持住多個(gè)棒，使棒的待加工面沿著參考平面排列。
按照本發(fā)明的棒的固定方法或本發(fā)明的制造磁頭滑塊的方法，使多個(gè)棒的待加工表面直接接觸到參考件的參考平面，并且用參考件保持住多個(gè)棒。這樣就能用簡(jiǎn)單的方法使待加工的多個(gè)棒的表面與參考平面對(duì)齊。
按照本發(fā)明的棒的固定方法或本發(fā)明的制造磁頭滑塊的方法，利用參考件的吸取裝置來保持多個(gè)棒。這樣就能用一種簡(jiǎn)單的方法保持住棒。
按照本發(fā)明的棒的固定方法或本發(fā)明的制造磁頭滑塊的方法，與保持在參考件上的多個(gè)棒的待加工面相反的表面被壓靠在施加到支撐件上的粘合劑上，并且在這種狀態(tài)下使粘合劑凝固。這樣，粘合劑的厚度就能隨著棒的厚度變化而變化。從而就能使待加工的多個(gè)棒的表面與參考平面對(duì)齊。
按照本發(fā)明的棒的固定方法或本發(fā)明的制造磁頭滑塊的方法，棒被定位在與參考平面平行的一個(gè)平面上，同時(shí)觀測(cè)設(shè)在每個(gè)棒上的一個(gè)預(yù)定的標(biāo)記。這樣就能使用于例如光刻工藝的曝光圖形精確地對(duì)準(zhǔn)待加工的每個(gè)棒的表面。
按照本發(fā)明的棒的固定方法或本發(fā)明的制造磁頭滑塊的方法，在棒上除了待加工面之外的至少一個(gè)表面上形成保護(hù)膜。這樣就能保護(hù)薄膜磁頭器件不會(huì)受到加工(例如光刻蝕刻)的損傷。
按照本發(fā)明的棒的固定方法或本發(fā)明的制造磁頭滑塊的方法可以形成具有不同長(zhǎng)度的多種類型的棒。這樣就能有效地從一個(gè)盤形晶片上切割出這些棒，從而減少材料的浪費(fèi)。
顯而易見，根據(jù)上述的技術(shù)還可以對(duì)本發(fā)明作出各種各樣的修改和變更。因此應(yīng)該認(rèn)為，本發(fā)明在權(quán)利要求書而不是說明書的范圍內(nèi)都是可以實(shí)現(xiàn)的。
權(quán)利要求
1．一種為了對(duì)棒的預(yù)定表面進(jìn)行加工而將各自包括至少一個(gè)磁頭滑塊的細(xì)長(zhǎng)棒固定在一個(gè)預(yù)定的支撐件上的方法，包括以下步驟沿著一個(gè)預(yù)定的參考平面布置多個(gè)其表面需要加工的棒；并且將布置步驟中布置的多個(gè)棒載送到支撐件上，同時(shí)保持棒的相對(duì)位置，其中的布置步驟包括將多個(gè)棒中的每個(gè)棒定位在一個(gè)與參考平面平行的平面上。
2．按照權(quán)利要求1的固定棒的方法，其特征是待加工的棒的表面是對(duì)應(yīng)著一個(gè)空氣軸承表面的表面，該空氣軸承表面是面對(duì)著記錄媒體的磁頭滑塊表面。
3．按照權(quán)利要求1的固定棒的方法，其特征是上述加工包括采用光刻的加工。
4．按照權(quán)利要求1的固定棒的方法，其特征是，在載送步驟中，利用與多個(gè)棒的待加工面相反的表面和支撐件之間的粘合劑將多個(gè)棒固定在該支撐件上。
5．按照權(quán)利要求1的固定棒的方法，其特征是布置步驟中包括以下步驟用一個(gè)具有用來確定參考平面的表面的參考件使待加工的多個(gè)棒的表面直接接觸到參考平面；并且用參考件保持住多個(gè)棒。
6．按照權(quán)利要求5的固定棒的方法，其特征是參考件裝備有吸取裝置，并且在保持步驟中用吸取裝置保持多個(gè)棒。
7．按照權(quán)利要求5的固定棒的方法，其特征是載送步驟中進(jìn)一步包括以下步驟在支撐件上施加一種粘合劑；使與被參考件保持住的多個(gè)棒的待加工面相反的表面接觸到粘合劑；并且在粘合劑凝固之后將參考件與多個(gè)棒分開。
8．按照權(quán)利要求1的固定棒的方法，其特征是，在布置步驟中用一個(gè)能夠在平行于參考平面的平面上相對(duì)于參考平面移動(dòng)的載架一個(gè)接一個(gè)地載送多個(gè)棒。
9．按照權(quán)利要求1的固定棒的方法，其特征是在布置步驟中使多個(gè)棒中的每個(gè)棒在平行于參考平面的一個(gè)平面上定位，同時(shí)觀測(cè)設(shè)在每個(gè)棒上的預(yù)定的標(biāo)記。
10．按照權(quán)利要求1的固定棒的方法，其特征是進(jìn)一步包括在布置步驟之前在棒上除了待加工面之外的至少一個(gè)表面上形成一個(gè)保護(hù)膜的步驟。
11．按照權(quán)利要求1的固定棒的方法，其特征是多個(gè)棒包括具有不同長(zhǎng)度的多種類型的棒。
12．一種制造磁頭滑塊的方法，包括以下步驟在預(yù)定的底座上形成薄膜磁頭器件；將基座切割成多個(gè)棒，每個(gè)棒包括至少一個(gè)磁頭滑塊，在磁頭滑塊上形成薄膜磁頭器件；沿著一個(gè)預(yù)定的參考平面布置該多個(gè)棒的待加工面；將布置步驟中布置的多個(gè)棒移動(dòng)并載送到一個(gè)預(yù)定的支撐件上，同時(shí)保持棒與棒的相對(duì)位置；對(duì)由支撐件支撐著的多個(gè)棒的待加工面執(zhí)行一種預(yù)定的加工；并且通過對(duì)棒的切割將每個(gè)棒分離成磁頭滑塊，其中的布置步驟包括在一個(gè)平行于參考平面的平面上將多個(gè)棒各自定位。
13．按照權(quán)利要求12的制造磁頭滑塊的方法，其特征是棒的預(yù)定表面是一個(gè)對(duì)應(yīng)著一空氣軸承表面的表面，該空氣軸承表面是面對(duì)著記錄媒體的磁頭滑塊表面。
14．按照權(quán)利要求12的制造磁頭滑塊的方法，其特征是上述加工包括采用光刻的加工。
15．按照權(quán)利要求12的制造磁頭滑塊的方法，其特征是，在載送步驟中，在與多個(gè)棒的待加工面相反的表面和支撐件之間放置一種粘合劑。
16．按照權(quán)利要求12的制造磁頭滑塊的方法，其特征是布置步驟中包括以下步驟用一個(gè)具有用來確定參考平面的表面的參考件使待加工的多個(gè)棒的表面直接接觸到參考平面；并且用參考件保持住多個(gè)棒。
17．按照權(quán)利要求16的制造磁頭滑塊的方法，其特征是參考件裝備有吸取裝置，并且在保持步驟中用吸取裝置保持多個(gè)棒。
18．按照權(quán)利要求16的制造磁頭滑塊的方法，其特征是載送步驟中進(jìn)一步包括以下步驟在支撐件上施加一種粘合劑；使與被參考件保持住的多個(gè)棒的待加工面相反的表面接觸到粘合劑；并且在粘合劑凝固之后將參考件與多個(gè)棒分開。
19．按照權(quán)利要求12的制造磁頭滑塊的方法，其特征是，在布置步驟中采用一個(gè)載架來一個(gè)接一個(gè)地載送多個(gè)棒，這種載架能夠在平行于參考平面的平面上相對(duì)于參考平面移動(dòng)。
20．按照權(quán)利要求12的制造磁頭滑塊的方法，其特征是在布置步驟中使多個(gè)棒中的每個(gè)棒在平行于參考平面的一個(gè)平面上定位，同時(shí)觀測(cè)設(shè)在每個(gè)棒上的預(yù)定的標(biāo)記。
21．按照權(quán)利要求12的制造磁頭滑塊的方法，其特征是進(jìn)一步包括在布置步驟之前在棒上除了待加工面之外的至少一個(gè)表面上形成一個(gè)保護(hù)膜的步驟。
22．按照權(quán)利要求12的制造磁頭滑塊的方法，其特征是，在切割步驟中從底座上切下具有不同長(zhǎng)度的多種類型的棒。
全文摘要
一種制造磁頭滑塊的方法和棒的固定方法,在晶片上通過薄膜工藝形成許多薄膜磁頭器件之后將晶片切割成多個(gè)棒,各棒包括兩個(gè)或多個(gè)磁頭滑塊。用一個(gè)載架將多個(gè)棒一個(gè)接一個(gè)地載送并裝到一吸盤上。使各待加工棒的一個(gè)表面直接接觸到吸盤的吸取面,且使各棒在一個(gè)平行于吸取面的平面上定位。然后在一支撐基片的表面上施加粘合劑。與保持在吸盤上的多個(gè)棒的待加工面相反的表面被壓在粘合劑上,使粘合劑凝固。粘合劑的厚度就能隨著多個(gè)棒的厚度變化而變化。
文檔編號(hào)G11B5/105GK1290924SQ0012929
公開日2001年4月11日 申請(qǐng)日期2000年10月8日 優(yōu)先權(quán)日1999年10月4日
發(fā)明者小山秋典, 小林一廣 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社