專利名稱：磁頭臂制造方法及磁頭臂用金屬基板的檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁盤裝置用磁頭臂的制造方法及磁頭臂用金屬基板的檢測方法。
在磁盤裝置中，為了將磁頭定位在旋轉(zhuǎn)磁盤所希望的磁道上，采用了稱為磁頭臂(suspen sion)的片狀支承體。在該磁頭臂上，形成有若干布線圖形，同時在頂端附近設(shè)有安裝磁頭的磁頭安裝區(qū)(下面稱為舌片tongue)。在制造磁頭臂時，在金屬構(gòu)成的基板上依次形成絕緣層，布線圖形及覆蓋層。
近年來，為了多個生產(chǎn)磁頭臂，提出了一種制造方法(日本發(fā)明專利公開1998年第320736號公報)，該方法是一面用卷筒連續(xù)或斷續(xù)輸送長條形的基板，一面在長條形基板上依次進(jìn)行絕緣層形成工序，布線圖形形成工序及覆蓋層形成工序。


圖12所示為上述以往的制造方法中長條形基板的平面圖。如圖12所示，在長條形基板100上沿基板100的長度方向設(shè)有兩列作為曝光處理單元的若干矩形區(qū)域110。各區(qū)域110內(nèi)形成6列及16行的多個磁頭臂。
將這樣的長條形基板100一面連續(xù)或斷續(xù)輸送，一面在基板100上的各區(qū)域110依次進(jìn)行規(guī)定的工序，這樣就能夠在長條形基板100上同時形成大量的磁頭臂。
但是，在將磁頭安裝在磁頭臂的舌片上時，要將舌片進(jìn)行彎曲加工，使舌片相對于磁頭臂本體(除去舌片的磁頭臂部分)形成規(guī)定的角度。在對舌片進(jìn)行彎曲加工時，必須使許多磁頭臂舌片的角度一定。
但是，原來卷在卷筒上的長條形基板具有一定程度的翹曲。因而，對于在這樣基板上形成的多個磁頭臂，其舌片要產(chǎn)生翹曲。
在舌片彎曲加工時，為了使多個的磁頭臂舌片的角度一定，希望多個的磁頭臂舌片的翹曲也一定。因此要求長條形基板各區(qū)域的翹曲差異要小。
本發(fā)明目的在于提供一種磁頭臂的制造方法，該制造方法能夠減少長條形金屬基板上形成的多個磁頭臂舌片的翹曲差異，提高正品率。
本發(fā)明的其它目的在于提供一種磁頭臂用金屬基板的檢查方法，該檢查方法能夠減少長條形金屬基板上形成的多個磁頭臂舌片的翹曲差異，提高正品率。
本發(fā)明者進(jìn)行了各種實(shí)驗(yàn)及研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)長條形金屬基板寬度方向的曲率差異與該金屬基板上形成的多個磁頭臂安裝磁頭部分的翹曲差異之間有相關(guān)關(guān)系，當(dāng)長條形金屬基板一部分的寬度方向曲率差異在規(guī)定值以下時，就能夠減小該金屬基板上形成的多個磁頭臂安裝磁頭部分的翹曲差異。因而根據(jù)這一結(jié)果，提出以下本發(fā)明的方案。
根據(jù)本發(fā)明一形態(tài)的磁頭臂制造方法，具有對長條形金屬基板一部分區(qū)域的寬度方向曲率差異進(jìn)行測量的步驟，對曲率差異在規(guī)定值以下的金屬基板進(jìn)行選擇的步驟，以及將選擇的金屬基板沿長度方向輸送并在金屬基板上層積絕緣層及導(dǎo)體層而形成多個磁頭臂的步驟。
當(dāng)長條形金屬基板一部分區(qū)域的寬度方向曲率差異在規(guī)定值以下時，該金屬基板幾乎整個長度內(nèi)各區(qū)域的翹曲差異可降低至一定值以下。因而，通過選擇一部分區(qū)域的寬度方向曲率差異在規(guī)定值以下的金屬基板，在該選擇的金屬基板上層積絕緣層及導(dǎo)體層而形成多個磁頭臂，就能夠在金屬基板幾乎整個長度內(nèi)降低多個磁頭臂安裝磁頭部分的翹曲差異。結(jié)果將提高磁頭臂的正品率，而且將提高安裝磁頭部分的彎曲加工精度。
規(guī)定值最好在2．0×10-3mm-1以下。這種情況下，在長條形金屬基板上形成的多個磁頭臂安裝磁頭部分的翹曲差異可減小到足夠程度。因而將進(jìn)一步提高磁頭臂的正品率，將進(jìn)一步提高安裝磁頭部分的彎曲加工精度。
規(guī)定值最好在1．0×10-3mm-1以下。這種情況下，在長條形金屬基板上形成的多個磁頭臂安裝磁頭部分的翹曲差異可以進(jìn)一步減小到足夠程度。因而將進(jìn)一步提高磁頭臂的正品率，將進(jìn)一步提高安裝磁頭部分的彎曲加工精度。
形成多個磁頭臂的步驟包括在金屬基板上形成多個磁頭臂并使多個磁頭臂的長度方向與金屬基板寬度方向平行的步驟。
這種情況下，在金屬基板上形成的多個磁頭臂的安裝磁頭部分彎曲加工方向與金屬基板翹曲方向一致。由于在金屬基板幾乎整個長度內(nèi)寬度方向的翹曲差異在一定值以下，因此金屬基板上形成的多個磁頭臂安裝磁頭部分的翹曲差異減小到足夠程度。
金屬基板可以由具有15μm以上50μm以下厚度的不銹鋼構(gòu)成。另外，金屬基板可以由具有100mm以上500mm以下寬度的不銹鋼構(gòu)成。這些情況下，通過選擇一部分區(qū)域的寬度方向曲率差異在規(guī)定值以下的金屬基板，能夠在金屬基板幾乎整個長度內(nèi)充分降低多個磁頭臂安裝磁頭部分的翹曲差異。
測量曲率差異的步驟可以包括在長條形金屬基板一部分區(qū)域采取沿其寬度方向排列并延伸的若干條形試驗(yàn)片的步驟，在所采取的各試驗(yàn)片長度方向設(shè)定三個以上測量點(diǎn)的步驟，對各試驗(yàn)片設(shè)定的三個以上測量點(diǎn)的高度分別進(jìn)行測量的步驟，根據(jù)對各試驗(yàn)片測量的三個以上測量點(diǎn)的高度求得各試驗(yàn)片曲率的步驟，以及根據(jù)若干試驗(yàn)片曲率計(jì)算曲率差異的步驟。
計(jì)算曲率差異的步驟可以是求出若干試驗(yàn)片曲率的最大值與最小值之差作為曲率差異的步驟。
采取若干試驗(yàn)片的步驟可以是利用刻蝕方法從長條形金屬基板一部分區(qū)域去掉除了若干試驗(yàn)片以外部分的步驟。
分別測量三個以上測量點(diǎn)高度的步驟可以是用激光顯微鏡對各試驗(yàn)片設(shè)定的三個以上測量點(diǎn)的高度分別進(jìn)行測量的步驟。
根據(jù)本發(fā)明其它形態(tài)的磁頭臂用金屬基板檢查方法，具有對長條形金屬基板一部分區(qū)域的寬度方向曲率差異進(jìn)行測量的步驟，以及選擇曲率差異在規(guī)定值以下的金屬基板作為磁頭臂用金屬基板的步驟。
當(dāng)長條形金屬基板一部分區(qū)域的寬度方向曲率差異在規(guī)定值以下時，該金屬基板幾乎整個長度內(nèi)各區(qū)域的翹曲差異可降低至一定值以下。因而，通過選擇一部分區(qū)域的寬度方向曲率差異在規(guī)定值以下的金屬基板作為磁頭臂用金屬基板，能夠降低在金屬板基板上形成的多個磁頭臂安裝磁頭部分的翹曲差異。結(jié)果將提高磁頭臂的正品率，而且將提高安裝磁頭部分的彎曲加工精度。
規(guī)定值最好在2．0×10-3mm-1以下。這種情況下，在長條形金屬基板上形成的多個磁頭臂安裝磁頭部分的翹曲差異可更減小到足夠程度。因而將進(jìn)一步提高磁頭臂的正品率，將進(jìn)一步提高安裝磁頭部分的彎曲加工精度。
規(guī)定值最好在1．0×10-3mm-1以下。這種情況下，在長條形金屬基板上形成的多個磁頭臂安裝磁頭部分的翹曲差異可進(jìn)一步減小到足夠程度。因而將更進(jìn)一步提高磁頭臂的正品率，將更進(jìn)一步提高安裝磁頭部分的彎曲加工精度。
金屬基板可以由具有15μm以上50μm以下厚度的不銹鋼構(gòu)成。另外，金屬基板可以由具有100mm以上500mm以下寬度的不銹鋼構(gòu)成。這些情況下，通過選擇一部分區(qū)域的寬度方向曲率差異在規(guī)定值以下的金屬基板，能夠在金屬基板幾乎整個長度內(nèi)充分降低多個磁頭臂安裝磁頭部分的翹曲差異。
測量曲率差異的步驟可以包括在長條形金屬基板一部分區(qū)域采取沿其寬度方向排列并延伸的若干條形試驗(yàn)片的步驟，在所采取的各試驗(yàn)片長度方向設(shè)定三個以上測量點(diǎn)的步驟，對各試驗(yàn)片設(shè)定的三個以上測量點(diǎn)的高度分別進(jìn)行測量的步驟，根據(jù)對各試驗(yàn)片測量的三個以上測量點(diǎn)的高度求得各試驗(yàn)片曲率的步驟，以及根據(jù)若干試驗(yàn)片曲率計(jì)算曲率差異的步驟。
計(jì)算曲率差異的步驟可以是求出若干試驗(yàn)片曲率的最大值與最小值之差作為曲率差異的步驟。
采取若干試驗(yàn)片的步驟可以是利用刻蝕方法從長條形金屬基板一部分區(qū)域去掉除了若干試驗(yàn)片以外部分的步驟。
分別測量三個以上測量點(diǎn)高度的步驟可以是用激光顯微鏡對各試驗(yàn)片設(shè)定的三個以上測量點(diǎn)的高度分別進(jìn)行測量的步驟。
圖1為對本發(fā)明一實(shí)施例的磁頭臂制造中所采用的基板檢查方法進(jìn)行說明用的平面圖。
圖2為在圖1的基板寬度方向上曲率差異測量方法的說明圖。
圖3為利用本發(fā)明實(shí)施例的制造方法而制造的磁頭臂的平面圖。
圖4(a)及圖4(b)分別為沿圖3中的A-A線及B-B線的磁頭臂的剖面圖。
圖5是表示圖3的磁頭臂制造工序的示意工序剖面圖。
圖6是表示圖3的磁頭臂制造工序的示意工序剖面圖。
圖7是表示圖3的磁頭臂制造工序的示意工序剖面圖。
圖8為本發(fā)明一實(shí)施例的制造方法中長條形基板的平面圖。
圖9為圖8的長條形基板上一個區(qū)域的平面圖。
圖10為圖9的子區(qū)域內(nèi)一個區(qū)域的一部分的平面圖。
圖11所示為對試驗(yàn)片曲率差異與舌片的翹曲差異的關(guān)系進(jìn)行測量的結(jié)果。
圖12為以往的制造方法中長條形基板的平面圖。
下面說明本發(fā)明一實(shí)施例中磁頭臂的制造方法。
在本實(shí)施例的磁頭臂制造方法中，首先用下述的檢查方法對不銹鋼構(gòu)成的長條形基板進(jìn)行檢查，選擇寬度方向曲率差異在規(guī)定值以下的基板。然后，在該選擇的基板上用后述的方法形成多個磁頭臂。
首先說明磁頭臂用基板的檢查方法。圖1為對本實(shí)施例的磁頭臂制造中所采用的基板檢查方法進(jìn)行說明用的平面圖。另外，圖2為在圖1的基板寬度方向上曲率差異測量方法的說明圖。
在圖1中，基板10的厚度例如為15～50μm，基板10的寬度例如為100～500mm，基板10的長度例如約為25m。在基板10的端部區(qū)域，利用刻蝕方法采取10條與基板10寬度方向TD平行的試驗(yàn)片70。這種情況下，在基板10上的端部區(qū)域，僅僅在試驗(yàn)片70部分形成刻蝕劑圖形，利用刻蝕方法去掉基板10的其它部分。試驗(yàn)片70在基板10的長度方向MD有2．5mm的寬度，在基板10的寬度方向TD有30mm的長度。10片試驗(yàn)片70在基板10的寬度方向TD整個寬度范圍內(nèi)分別配置在隔開一定距離d1的位置處。
接著如圖2所示，將采取的試驗(yàn)片70放在激光顯微鏡的平臺80上。然后，在試驗(yàn)后70的長度方向每隔10mm設(shè)定三個測量點(diǎn)P1、P2、P3，在這些測量點(diǎn)P1，P2，P3分別測量從平臺80起試驗(yàn)片70的高度h1、h2、h3。該測量是在三個測量點(diǎn)P1、P2、P3中測量試驗(yàn)片70寬度方向的中心部分。然后，將三個測量點(diǎn)P1、P2、P3中兩端兩個測量點(diǎn)P1及P3的高度作為零，利用下式求得這種情況下中央部分測量點(diǎn)P2的高度h。
h=h2-(h1+h3)／2 …(1)再利用上式(1)求得的中央部分測量點(diǎn)P2的高度h，根據(jù)下式求得試驗(yàn)片70的曲率k[l／mm]。
k=2h／(h2+100) …(2)將根據(jù)上式(2)求得的基板10寬度方向TD上10片試驗(yàn)片70的曲率k的最大值與最小值之差作為寬度方向TD中曲率k的差異。
選擇這樣求得的基板10在寬度方向TD上曲率k的差異在0．002[l／mm]以下的基板10作為優(yōu)良品，將寬度方向TD上曲率k的差異大于0．002[l／mm]的基板10作為不合格品。然后利用下面的方法在所選擇的基板10上形成多個磁頭臂。
如上所述，最好是選擇寬度方向TD上曲率k的差異在0．002[l／mm]以下的基板10作為優(yōu)良品，如后所述，選擇寬度方向TD上曲率k的差異在0．001[l／mm]以下的基板10作為優(yōu)良品則更理想。
下面說明磁頭臂的制造方法。圖3為利用本發(fā)明實(shí)施例的制造方法而制造的磁頭臂的平面圖。圖4(a)為圖3的磁頭臂沿A-A線的剖面圖，圖4(b)為圖3的磁頭臂沿B-B線的剖面圖。
如圖3所示，磁頭臂1具有利用不銹鋼構(gòu)成的長條形基板10形成的磁頭臂本體20。在磁頭臂本體20上形成有布線圖形25。在磁頭臂本體20的頂端通過形成U字形開口部分26，設(shè)置安裝磁頭部分(下面稱為舌片)24。舌片24在虛線R處進(jìn)行彎折加工，使其相對磁頭臂本體20形成規(guī)定的角度。
在舌片24的端部形成四個電極焊盤22。在磁頭臂本體20的另一端形成四個電極焊盤27。舌片24上的電極焊盤22與磁頭臂本體20另一端的電極焊盤27利用布線圖形25電氣連接。在磁頭臂本體20上形成若干個孔28。另外，圖3中未表示覆蓋層。
如圖4(a)所示，在基板10上形成由聚酰亞胺構(gòu)成的絕緣層11。在絕緣層11上的四個地方依次層積鉻膜12，由銅構(gòu)成的導(dǎo)體層圖形16及鎳膜17，再在鎳膜17上形成由金構(gòu)成的電極焊盤27。在絕緣層11上的上面，除了電極焊盤27的上面，用聚酰亞胺構(gòu)成的覆蓋層18覆蓋。
如圖18(b)所示，在絕緣層11上一側(cè)與另一側(cè)兩部分的分別兩個地方依次層積鉻膜12，由銅構(gòu)成的導(dǎo)體層圖形16及鎳膜17。兩側(cè)部分的兩組鉻膜12，導(dǎo)體層圖形16及鎳膜17用聚酰亞胺構(gòu)成的覆蓋層覆蓋。這樣形成布線圖形25。
下面說明圖3的磁頭臂制造工序。圖5，圖6及圖7所示為圖3的磁頭臂制造工序的示意工序剖面圖。
首先如圖5(a)所示，在厚度為15～50μm不銹鋼構(gòu)成的基板10上，涂布厚度為5～25μm的感光聚酰亞胺樹脂前驅(qū)體11a。接著如圖5(b)所示，在曝光機(jī)中隔著規(guī)定的掩模對基板10上的感光聚酰亞胺樹脂前驅(qū)體11a照射200～700mJ／cm2的紫外線，形成由聚酰亞胺構(gòu)成的絕緣層11。
然后如圖5(c)所示，在基板10上及絕緣層11上利用鉻及銅的連續(xù)濺射依次形成厚度為100～600的鉻膜12及厚度為500～2000具有0．6Ω／□以下薄膜電阻的鍍銅基底13。
接著如圖5(d)所示，在鍍銅基底13上形成具有規(guī)定圖形的鍍膜用抗蝕劑14。然后如圖5(e)所示，在抗蝕劑14的開口處利用電鍍銅的方法形成厚度為2～15μm的銅鍍層15。在本實(shí)施例中，銅鍍層15的厚度約為10μm。
接著如圖6(f)所示，去掉抗蝕劑14后，利用堿性處理液通過刻蝕方法去掉鍍銅基底13，形成由銅構(gòu)成的導(dǎo)體層圖形16。再如圖6(g)所示，利用堿性處理液(氰鐵化鉀溶液)通過刻蝕方法去掉基板10上及絕緣層11上露出的鉻膜12。
接著如圖6(h)所示，利用鎳的非電解鍍在基板10上及導(dǎo)體層圖形16上形成厚度為0．05～0．1μm的鎳膜17。該鎳膜17是為了提高導(dǎo)體層圖形16與覆蓋層18的密接性及為了防止銅的遷移而設(shè)置的。
接著如圖6(i)所示，在鎳膜17上及絕緣層11上涂布感光聚酰亞胺樹脂前驅(qū)體，依次進(jìn)行曝光處理，加熱處理，顯影處理及加熱硬化處理，從而緣層11上及鎳膜17上形成具有規(guī)定圖形的由厚度為3～5μm聚酰亞胺構(gòu)成的覆蓋層18。這種情況下，在覆蓋層18的規(guī)定位置設(shè)置形成電極焊盤用的開口19。另外，露出一部分鎳膜17作為電極焊盤電鍍用引線部分29。
接著如圖7(j)所示，將露出的鎳膜剝離之后，在覆蓋層18的開口19內(nèi)利用電鍍形成厚度為1～5μm的鎳膜21及由厚度為1～5μm的金屬構(gòu)成的電極焊盤22。然后如圖7(k)所示，利用刻蝕去掉電極焊盤電鍍用引線部分29。
接著如圖7(l)所示，在基板10上及覆蓋層18上形成具有規(guī)定圖形的光刻膠23。然后如圖7(m)所示，利用氯化鐵溶液及氯化銅溶液對基板10進(jìn)行刻蝕，在形成開口部分26后，去掉光刻膠23。最后進(jìn)行水洗。這樣就制成圖3所示的磁頭臂1。
下面參照圖8，圖9及圖10說明在長條形基板上形成多個磁頭臂的方法。圖8為本發(fā)明實(shí)施例的制造方法中長條形基板的平面圖。圖9為圖8的長條形基板上一個區(qū)域的平面圖，圖10為圖9的子區(qū)域內(nèi)一個區(qū)域的一部分的平面圖。
如圖8所示，由不銹鋼構(gòu)成的長條形基板10沿長度方向MD輸送。在基板10上，沿長度方向MD設(shè)置若干矩形區(qū)域30。各矩形區(qū)域30分成四個子區(qū)域31，子區(qū)域31是沿基板10的長度方向MD配置兩列，而沿寬度方向TD配置兩行。子區(qū)域31是利用曝光機(jī)進(jìn)行曝光處理的一個單元，區(qū)域30是在圖7(j)完成電極焊盤鍍層處理以后進(jìn)行批量處理時的一個單元。
基板10的寬度W為50～500mm，最好為125～300mm，在本實(shí)施例中為250mm。另外，其板10的厚度為10～60μm，從防止振動的觀點(diǎn)來看，最好為10～30μm，在本實(shí)施例中為25μm。
區(qū)域30的面積為25～2500cm2。在本實(shí)施例中，區(qū)域30的寬D1約為200mm，長L1約為235mm。子區(qū)域31的面積為區(qū)域30的面積被子區(qū)域數(shù)除的大小。在本實(shí)施例中，子區(qū)域31為四個，但也可以為三個或兩個。另外，也可以無子區(qū)域31。在本實(shí)施例中，子區(qū)域31的寬D2約為100mm，長L2約為110mm。
再有，在長度方向MD的區(qū)域30間的間隔S1為5～50mm，在本實(shí)施例中約為20mm。在寬度方向TD區(qū)域30外側(cè)寬度S2為10～50mm，在本實(shí)施例中約為25mm。
在子區(qū)域31內(nèi)沿長度方向MD配置2～200個，沿寬度方向TD配置1～30個磁頭臂，共計(jì)配置2～6000個磁頭臂。子區(qū)域31的面積及子區(qū)域31內(nèi)形成的磁頭臂的個數(shù)，為了提高正品率，最好盡可能要大一些及多一些。
如圖9所示，各子區(qū)域31又分成若干區(qū)域32。在本實(shí)施例中，各子區(qū)域31分成沿長度方向MD延伸的三個區(qū)域32。在本實(shí)施例中，沿長度方向MD相鄰子區(qū)域31間的間隔S3為14mm，沿寬度方向TD相鄰子區(qū)域31間的間隔S4為4mm。
如圖10所示，在各區(qū)域32中沿寬度方向TD平行排列許多磁頭臂1。這里，將沿長度方向MD若干磁頭臂1的排列稱為列，將沿寬度方向TD若干磁頭臂1的排列稱為行。在本實(shí)施例中，各區(qū)域32中排列了2列及24行的磁頭臂1。因而，在各子區(qū)域31中排列了6列及24行磁頭臂，而在各區(qū)域30中，排列了12列及48行磁頭臂。
實(shí)施例下面在對三個基板10利用上述實(shí)施例的檢查方法對試驗(yàn)片70的曲率k的差異進(jìn)行測量后，在這三個基板10上利用圖3～圖10的制造方法制造多個磁頭臂1，再來檢查舌片24的翹曲差異。下面將三個基板10分別作為實(shí)施例1，實(shí)施例2及比較例來進(jìn)行。
在實(shí)施例1，實(shí)施例2及比較例中，采用由不銹鋼構(gòu)成的長條形基板10。基板10的寬度W為250mm，厚度為25μm。
首先，在這些基板10的端部區(qū)域涂布光刻膠，利用日光曝光及顯影在與圖1所示10片試驗(yàn)片70對應(yīng)的區(qū)域上形成光刻膠圖形。然后將基板10的端部區(qū)域用氯化鐵溶液進(jìn)行刻蝕，通過這樣采取10片試驗(yàn)片70。
然后，用圖2所示的方法利用上式(1)及(2)求得各試驗(yàn)片70的曲率k，求得10處試驗(yàn)片70的曲率k的最大值與最小值之差作為試驗(yàn)片70的曲率k的差異。
接著利用圖3～圖10所示的制造方法在實(shí)施例1，實(shí)施例2及比較例的基板10上制造多個的磁頭臂。各子區(qū)域31的寬度D2為100mm，長度L2為110mm。沿長度方向MD相鄰區(qū)域30間的間隔S1約為20mm，沿寬度方向TD各區(qū)域30的外側(cè)寬度S2約為25mm。
在各區(qū)域30內(nèi)的各子區(qū)域31中排列了6列及24行磁頭臂。即在基板10的寬度方向TD的整個寬度內(nèi)排列的兩個子區(qū)域31中排列了12列及24行磁頭臂。
這些12列到及24行磁頭臂1的舌片24的翹曲角度是利用竹芝(TAKESIBA)電機(jī)株式會社生產(chǎn)的HGA／磁頭臂角度測量裝置SAM-8000根據(jù)下述測量原理進(jìn)行測量的。用激光顯微鏡測量舌片24四角的4點(diǎn)及舌片24中央的4點(diǎn)共8點(diǎn)的XYZ坐標(biāo)。然后利用最小平方法根據(jù)8點(diǎn)的XYZ坐標(biāo)計(jì)算出平面，再求出該平面相對于基準(zhǔn)水平面(磁頭臂本體20)形成的上下方向的角度作為翹曲角度。這時也可以根據(jù)超過8點(diǎn)的測量點(diǎn)來求出翹曲角度。
計(jì)算這些磁頭臂1各列沿長度方向24個舌片24的翹曲平均值，再求出12列磁頭臂1的舌片24的翹曲平均值的最大值與最小值之差，將該差作為舌片24的翹曲差異。
表1及圖11所示為實(shí)施例1，實(shí)施例2及比較例中試驗(yàn)片70的曲率k的差異與磁頭臂1的舌片24的翹曲差異之關(guān)系的測量結(jié)果。
表1如表1及圖11所示可知，在基板10端部區(qū)域采取的試驗(yàn)片70的曲率k之差異與在該基板10上形成的多個磁頭臂1的舌片24的翹曲差異之間存在著明顯的相關(guān)關(guān)系。即基板10端部區(qū)域采取的試驗(yàn)片70的曲率k之差異越小，在該基板10上形成的多個磁頭臂1的舌片24的翹曲差異也越小。
當(dāng)試驗(yàn)片70的曲率k的差異為0．002[l／mm]時，舌片24的翹曲差異約為0．6°。而當(dāng)試驗(yàn)片70的曲率k的差異為0．001[l／mm]時，舌片24的翹曲差異約為0．5°。
因而，最好是選擇試驗(yàn)片70的曲率k差異在0．002[l／mm]以下的基板10作為磁頭臂1用的基板。進(jìn)一步更好是選擇試驗(yàn)片70的曲率k的差異在0．001[l／mm]以下的基板10作為磁頭臂1用的基板。
這樣能夠減少磁頭臂1的舌片24的翹曲差異，提高正品率。結(jié)果將提高磁頭臂1的舌片24的彎曲加工精度。
權(quán)利要求
1．一種磁頭臂制造方法，其特征在于，具有對長條形金屬基板一部分區(qū)域的寬度方向曲率差異進(jìn)行測量的步驟，對所述曲率差異在規(guī)定值以下的金屬基板進(jìn)行選擇的步驟，以及將所述選擇的金屬基板沿長度方向輸送并在所述金屬基板上層沉積絕緣層及導(dǎo)體層而形成多個磁頭臂的步驟。
2．如權(quán)利要求1所述的磁頭臂制造方法，其特征在于，所述規(guī)定值為2．0×10-3mm-1。
3．如權(quán)利要求1所述的磁頭臂制造方法，其特征在于，所述規(guī)定值為1．0×10-3mm-1。
4．如權(quán)利要求1所述的磁頭臂制造方法，其特征在于，形成所述多個磁頭臂的步驟包括在所述金屬基板上形成所述多個磁頭臂并使所述多個磁頭臂的長度方向與所述金屬基板的寬度方向平行的步驟。
5．如權(quán)利要求1所述的磁頭臂制造方法，其特征在于，所述金屬基板由具有15μm以上50μm以下厚度的不銹鋼構(gòu)成。
6．如權(quán)利要求1所述的磁頭臂制造方法，其特征在于，所述金屬基板由具有100mm以上500mm以下寬度的不銹鋼構(gòu)成。
7．如權(quán)利要求1所述的磁頭臂制造方法，其特征在于，測量所述曲率差異的步驟包括在所述長條形金屬基板的所述一部分區(qū)域采取分別沿其寬度方向排列并延伸的若干條形試驗(yàn)片的步驟，在所述所采取的各試驗(yàn)片長度方向設(shè)定三個以上測量點(diǎn)的步驟，對各試驗(yàn)片設(shè)定的三個以上測量點(diǎn)的高度分別進(jìn)行測量的步驟，根據(jù)對各試驗(yàn)片測量的所述三個以上測量點(diǎn)的高度求得各試驗(yàn)片曲率的步驟，以及根據(jù)所述若干試驗(yàn)片曲率計(jì)算所述曲率差異的步驟。
8．如權(quán)利要求7所述的磁頭臂制造方法，其特征在于，計(jì)算所述曲率差異的步驟包括求出所述若干試驗(yàn)片曲率的最大值與最小值之差作為所述曲率差異的步驟。
9．如權(quán)利要求7所述的磁頭臂制造方法，其特征在于，采取所述若干試驗(yàn)片的步驟包括利用刻蝕方法從所述長條形金屬基板的所述一部分區(qū)域去掉除了所述若干試驗(yàn)片以外部分的步驟。
10．如權(quán)利要求7所述的磁頭臂制造方法，其特征在于，分別測量所述三個以上測量點(diǎn)高度的步驟包括用激光顯微鏡對各試驗(yàn)片設(shè)定的所述三個以上測量點(diǎn)的高度分別進(jìn)行測量的步驟。
11．一種磁頭臂用金屬基板檢查方法，其特征在于，具有對長條形金屬基板一部分區(qū)域的寬度方向曲率差異進(jìn)行測量的步驟，選擇所述曲率差異在規(guī)定值以下的金屬基板作為磁頭臂用金屬基板的步驟。
12．如權(quán)利要求11所述的磁頭臂用金屬基板檢查方法，其特征在于，所述規(guī)定值為2．0×10-3mm-1。
13．如權(quán)利要求11所述的磁頭臂用金屬基板檢查方法，其特征在于，所述規(guī)定值為1．0×10-3mm-1。
14．如權(quán)利要求11所述的磁頭臂用金屬基板檢查方法，其特征在于，所述金屬基板由具有15μm以上50μm以下厚度的不銹鋼構(gòu)成。
15．如權(quán)利要求11所述的磁頭臂用金屬基板檢查方法，其特征在于，所述金屬基板由具有100mm以上500以下寬度的不銹鋼構(gòu)成。
16．如權(quán)利要求11所述的磁頭臂用金屬基板檢查方法，其特征在于，測量所述曲率差異的步驟包括在所述長條形金屬基板的所述一部分區(qū)域采取分別沿其寬度方向排列并延伸的若干條形試驗(yàn)片的步驟，在所述采取的各試驗(yàn)片長度方向設(shè)定三個以上測量點(diǎn)的步驟，對各試驗(yàn)片設(shè)定的所述三個以上測量點(diǎn)的高度分別進(jìn)行測量的步驟，根據(jù)對各試驗(yàn)片測定的所述三個以上測量點(diǎn)的高度求得各試驗(yàn)片曲率的步驟，以及根據(jù)所述若干試驗(yàn)片曲率計(jì)算所述曲率差異的步驟。
17．如權(quán)利要求16所述的磁頭臂用金屬基板檢查方法，其特征在于，計(jì)算所述曲率差異的步驟包括求出所述若干試驗(yàn)片曲率的最大值與最小值之差作為所述曲率差異的步驟。
18．如權(quán)利要求16所述的磁頭臂用金屬基板檢查方法，其特征在于，采取所述若干試驗(yàn)片的步驟包括利用刻蝕方法從所述長條形金屬基板的一部分區(qū)域去掉除了所述若干試驗(yàn)片以外部分的步驟。
19．如權(quán)利要求16所述的磁頭臂用金屬基板檢查方法，其特征在于，分別測量所述三個以上測量點(diǎn)高度的步驟包括用激光顯微鏡對各試驗(yàn)片設(shè)定的所述三個以上測量點(diǎn)的高度分別進(jìn)行測量的步驟。
全文摘要
一種磁頭臂制造方法及磁頭臂用金屬基板的檢測方法,該制造方法在由不銹鋼構(gòu)成的長條形基板端部區(qū)域采取與基板寬度方向TD平行的若干片試驗(yàn)片,測量所采取的試驗(yàn)片的曲率差異,選擇曲率差異在0.002(1/mm)以下的基板作為磁頭臂用基板,將所選擇的基板沿長度方向輸送,并在基板上層積絕緣層及導(dǎo)體層而形成多個磁頭臂。能減少在長條形基板上形成的多個磁頭臂舌片的翹曲差異,提高正品率。
文檔編號G11B5/48GK1290925SQ0013044
公開日2001年4月11日 申請日期2000年9月26日 優(yōu)先權(quán)日1999年9月30日
發(fā)明者淺野猛, 田中厚, 東條泰久, 表利彥 申請人:日東電工株式會社