專利名稱：制造磁頭滑塊的方法、固定一行棒的方法以及固化劑的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到一種制造磁頭滑塊的方法，滑塊上包括一個(gè)薄膜磁頭器件，用于在／從諸如硬盤等記錄媒體上記錄或重放信息，并且涉及到用來加工磁頭滑塊的一行棒的固定方法，以及一種用來促使固定一行棒的粘合劑凝固的固化劑。
在諸如硬盤驅(qū)動器的磁記錄裝置中，在面對著磁記錄媒體的記錄面的磁頭滑塊上裝有一個(gè)用于記錄或重放信息的薄膜磁頭器件。
以日本待審專利申請公開號平10-228617所公開的內(nèi)容為例，磁頭滑塊是按照以下步驟制造的。
首先在例如陶瓷材料制成的晶片上通過薄膜工藝形成許多薄膜磁頭器件。接著用切片鋸等等將晶片切割成一行多個(gè)棒，每個(gè)棒上包括至少一個(gè)磁頭滑塊。然后對獲得的一行多個(gè)棒進(jìn)行表面拋光，利用光刻工藝等蝕刻技術(shù)在每個(gè)面上形成具有預(yù)定形狀的滑塊軌道。進(jìn)而將具有滑塊軌道的每一個(gè)棒切割成單個(gè)的磁頭滑塊。
在一行多個(gè)棒被粘接和固定在預(yù)定的支撐基片上的狀態(tài)下加工形成滑塊軌道。為了降低磁頭滑塊的制造成本，希望盡可能多次重復(fù)使用支撐基片。為此就需要防止在加工滑塊軌道時(shí)(例如蝕刻工藝)損傷到支撐基片。在某些情況下，在加工滑塊軌道的過程中，支撐基片表面的原子會隨著蝕刻工藝而飛濺，并且粘結(jié)在待加工的一行棒的表面或側(cè)面。這種粘結(jié)會在硬盤驅(qū)動器中造成麻煩。因此就希望這種異物不要粘結(jié)在成行的棒上。
在日本待審專利申請公開號平11-110727中公開了一種放置一行棒的方法，使棒上的待加工面的背面放在支撐基片上，形成一個(gè)蓋住支撐基片表面和整個(gè)一行棒的聚酰胺薄膜，并且僅僅去掉覆蓋著每一個(gè)棒的待加工面的聚酰胺薄膜。按照這種方法，支撐基片的表面被聚酰胺薄膜所覆蓋，因而能夠防止支撐基片在加工成行的棒時(shí)受到損傷。由于支撐基片表面上的原子不會飛濺，這些原子不會粘結(jié)在每個(gè)棒的待加工面或側(cè)面上。
然而，在日本待審專利申請公開號平11-110727中所公開的方法中，由于完全去掉覆蓋著一行棒中每個(gè)棒的待加工面的聚酰胺薄膜存在技術(shù)上的困難，會有一部分聚酰胺薄膜殘留在待加工面上。由于殘留的聚酰胺薄膜所造成的問題是難以在加工中精確地形成滑塊軌道。
日本待審專利申請公開號平11-96531和平-10-302237所公開的方法是用聚酰胺薄膜等覆蓋一行棒上除了待加工面以外的表面，防止異物粘結(jié)在棒上。按照這種方法，由于在蝕刻過程中從支撐基片表面上飛濺出來的原子會附著在聚酰胺薄膜上，只要是在加工完成之后去掉聚酰胺薄膜就很容易去掉這些原子。然而，該文獻(xiàn)沒有涉及到防止支撐基片本身受到損傷的方法。
本發(fā)明的申請人在日本待審專利申請公開號平11-282959中已經(jīng)提出了一種方法，將一行多個(gè)棒中每一個(gè)棒的待加工面的背面粘結(jié)并固定在支撐基片上，使一行棒的待加工面對準(zhǔn)一個(gè)預(yù)定的參考平面。按照這種固定方法，可以將一行多個(gè)棒保持在這樣的狀態(tài)，使棒的待加工面位于一個(gè)預(yù)定的參考平面之內(nèi)，這樣就能改善加工精度。盡管在這種固定方法中需要盡快使固定棒的粘合劑凝固，但是目前還沒有一種能夠在短時(shí)間內(nèi)使粘合劑凝固的有效方法。
本發(fā)明的目的是克服上述問題。本發(fā)明的目的是提供一種制造磁頭滑塊的方法和一行棒的固定方法，這種方法可以用低制造成本改善加工精度，并且能夠防止異物粘結(jié)在磁頭滑塊上，并且提供了一種制造磁頭滑塊的方法和固定一行棒的方法，以及一種可以使用來固定一行棒的粘合劑在短時(shí)間內(nèi)凝固的固化劑。
按照本發(fā)明的固定一行多個(gè)棒的方法包括保護(hù)膜形成步驟，在支撐件的至少一個(gè)整面上形成用來保護(hù)支撐件的保護(hù)膜；粘合劑施加步驟，在保護(hù)膜的表面上施加一種粘合劑；以及粘結(jié)步驟，將一行棒粘結(jié)和固定在支撐件上，使一行多個(gè)棒中每個(gè)棒的待加工面的背面接觸到粘合劑。
在按照本發(fā)明的固定一行棒的方法中，在支撐件的至少一個(gè)整面上形成保護(hù)膜，并且在保護(hù)膜的表面上施加粘合劑，再將一行多個(gè)棒的待加工面的背面附著在粘合劑上。支撐件上用來固定一行棒的表面上覆蓋著保護(hù)膜，保護(hù)其在加工一行棒的過程中不會受到損傷。
理想的方式是按照預(yù)定的溫度對一種聚酰胺前體進(jìn)行熱處理，從而形成保護(hù)膜。進(jìn)而，對聚酰胺前體執(zhí)行熱處理的理想溫度處在100℃到150℃的范圍。
該方法最好是在保護(hù)膜形成步驟和粘合劑施加步驟之間進(jìn)一步包括一個(gè)固化劑薄膜形成步驟，在保護(hù)膜的表面上形成一個(gè)固化劑薄膜，它所包含的固化劑可以促使粘合劑凝固。
按照本發(fā)明的另一種固定一行棒的方法包括固化劑薄膜形成步驟，在支撐件的至少一個(gè)表面上形成一個(gè)固化劑薄膜，它所包含的固化劑可以促使粘合劑凝固；一個(gè)粘合劑施加步驟，在固化劑薄膜的表面上施加一種粘合劑；以及粘結(jié)步驟，將一行棒粘結(jié)和固定在支撐件上，使一行多個(gè)棒中每個(gè)棒的待加工面的背面接觸到粘合劑。
在按照本發(fā)明的另一種固定一行棒的方法中，在支撐件的至少一個(gè)表面上形成固化劑薄膜，并且在固化劑薄膜的表面上施加粘合劑，再將一行多個(gè)棒的待加工面的背面附著在粘合劑上。由于粘合劑和固化劑薄膜是彼此相接觸的，固化劑的作用可以縮短使粘合劑凝固所需要的時(shí)間。
在粘結(jié)步驟中，最好是在一行棒中的每個(gè)棒的待加工面和一個(gè)預(yù)定的參考平面對齊的狀態(tài)下使待加工面的背面接觸到粘合劑。固化劑薄膜中最好是包含一種酸性媒染料，而粘合劑最好是一種氰基丙烯酸脂粘合劑。
按照本發(fā)明的制造磁頭滑塊的方法包括器件形成步驟，在一個(gè)預(yù)定的基片上形成薄膜磁頭器件；切割步驟，將基片切割成一行多個(gè)棒，每個(gè)棒上包括至少一個(gè)磁頭滑塊，在滑塊內(nèi)形成薄膜磁頭器件；保護(hù)膜形成步驟，在預(yù)定的支撐件的至少一個(gè)整面上形成用來保護(hù)支撐件的保護(hù)膜；一個(gè)粘合劑施加步驟，在保護(hù)膜的表面上施加一種粘合劑；粘結(jié)步驟，將一行棒粘結(jié)和固定在支撐件上，使一行多個(gè)棒中每個(gè)棒的待加工面的背面接觸到粘合劑；一個(gè)加工步驟，對粘結(jié)步驟中固定在支撐件上的一行多個(gè)棒執(zhí)行預(yù)定的加工；以及一個(gè)分離步驟，將加工步驟中已經(jīng)完成預(yù)定加工的一行棒中的每個(gè)棒切割成磁頭滑塊。
在按照本發(fā)明的制造磁頭滑塊的方法中，將晶片切割成一行多個(gè)棒，每個(gè)棒上包括至少一個(gè)磁頭滑塊。在預(yù)定的支撐件的至少一個(gè)表面上形成一個(gè)保護(hù)膜，在保護(hù)膜的表面上施加一種粘合劑，并且將一行多個(gè)棒中每個(gè)棒的待加工面的背面固定在粘合劑上。對固定在支撐件上的一行多個(gè)棒分別執(zhí)行預(yù)定的加工，并且切割成磁頭滑塊。支撐件上用來固定一行棒的表面上覆蓋有保護(hù)膜，可以保護(hù)其在加工一行棒時(shí)不會受到損傷。
按照本發(fā)明的一種制造磁頭滑塊的方法包括器件形成步驟，在一個(gè)預(yù)定的基片上形成薄膜磁頭器件；切割步驟，將基片切割成一行多個(gè)棒，每個(gè)棒上包括至少一個(gè)磁頭滑塊，在滑塊內(nèi)形成薄膜磁頭器件；固化劑薄膜形成步驟，在預(yù)定的支撐件的至少一個(gè)表面上形成一個(gè)固化劑薄膜，它所包含的固化劑可以促使粘合劑凝固；一個(gè)粘合劑施加步驟，在固化劑薄膜的表面上施加粘合劑；粘結(jié)步驟，將一行棒粘結(jié)和固定在支撐件上，使一行多個(gè)棒中每個(gè)棒的待加工面的背面接觸到粘合劑；一個(gè)加工步驟，對粘結(jié)步驟中固定在支撐件上的一行多個(gè)棒執(zhí)行預(yù)定的加工；以及一個(gè)分離步驟，將加工步驟中經(jīng)過預(yù)定加工的一行棒中的每個(gè)棒單獨(dú)切割成磁頭滑塊。
在按照本發(fā)明的制造磁頭滑塊的方法中，將晶片切割成一行多個(gè)棒，每個(gè)棒上包括至少一個(gè)磁頭滑塊。進(jìn)而在支撐件的至少一個(gè)表面上形成一個(gè)固化劑薄膜，在固化劑薄膜的表面上施加一種粘合劑，并且將一行多個(gè)棒中每個(gè)棒的待加工面的背面固定在粘合劑上。對固定在支撐件上的一行多個(gè)棒分別執(zhí)行預(yù)定的加工，并且切割成磁頭滑塊。由于粘合劑接觸到固化劑薄膜，固化劑的作用可以縮短使粘合劑凝固所需要的時(shí)間。
按照本發(fā)明的固化劑可以促使一種包含烷基-α-氰基丙烯酸脂的樹脂凝固。
在按照本發(fā)明的固化劑中，利用酸性媒染料提供的陰離子激活烷基-α-氰基丙烯酸脂的聚合作用，并且促使凝固。
通過以下的說明可以更加充分地理解本發(fā)明的其他和進(jìn)一步的目的，特征和優(yōu)點(diǎn)。


圖1是用來表示按照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的磁頭滑塊結(jié)構(gòu)的透視圖，在磁頭滑塊上采用了制造磁頭滑塊的方法、固定一行棒的方法、并且施加了一種固化劑。
圖2是用來表示安裝在圖1所示的磁頭滑塊上的一個(gè)薄膜磁頭器件的結(jié)構(gòu)分解透視圖。
圖3是沿著圖1的線III-III方向截取的圖1的薄膜磁頭器件結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖4是在按照本發(fā)明實(shí)施例的制造磁頭滑塊的方法和固定一行棒的方法中使用的一種支撐件的結(jié)構(gòu)透視圖。
圖5是在按照本發(fā)明實(shí)施例的制造磁頭滑塊的方法和固定一行棒的方法中使用的一種直線對準(zhǔn)器的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6是按照本發(fā)明實(shí)施例的制造磁頭滑塊的方法的一個(gè)流程圖。
圖7A和7B分別是用來說明在圖6所示的制造方法中在晶片上形成薄膜磁頭器件的步驟以及將晶片切割成塊的步驟的透視圖。
圖8A到8C是各個(gè)步驟的透視圖，用來說明在圖6所示的制造方法中切割和拋光一行棒的方法。
圖9是在圖6所示的制造方法中對齊一行棒的過程的流程圖。
圖10是一個(gè)透視圖，用來表示在圖9的對齊一行棒的過程中將這一行棒放置在一個(gè)托板上的狀態(tài)。
圖11是一個(gè)透視圖，用來表示在圖9所示的對齊一行棒的過程中觀測這一行棒的方法。
圖12A和12B是通過圖10所示的觀測一行棒的方法獲得的一例圖像。
圖13A到13C是各個(gè)步驟的截面圖，用來說明在圖9所示的對齊一行棒的過程中載送這一行棒的方法。
圖14是一個(gè)透視圖，表示在圖5所示的制造方法中形成一個(gè)滑塊軌道的方法。
圖15是一個(gè)透視圖，用來說明在圖5所示的制造方法中切割一行棒的方法的各個(gè)步驟。
〈磁頭滑塊的結(jié)構(gòu)〉首先要參照圖1到3來說明采用了按照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的磁頭滑塊制造方法的一種磁頭滑塊的結(jié)構(gòu)。
圖1表示采用了按照本發(fā)明實(shí)施例的磁頭滑塊制造方法的一個(gè)磁頭滑塊2。磁頭滑塊2被安裝在用于一個(gè)硬盤驅(qū)動器(未示出)中的驅(qū)動臂3的一端。例如，可以利用一個(gè)音圈電機(jī)(未示出)的驅(qū)動力使驅(qū)動臂3擺動。通過擺動可使磁頭滑塊2沿著磁記錄媒體M例如硬盤(未示出)的記錄表面在橫跨軌跡線的x方向上移動。
磁頭滑塊2是一個(gè)大體上按六面體形狀布置的塊，六面體的一面(圖1中的頂面)接近地面對著記錄媒體的記錄表面。在面對著記錄媒體之記錄表面的那個(gè)表面中形成一個(gè)滑塊軌道2a，它從平面上看幾乎是一個(gè)U-字形?；瑝K軌道2a的表面被稱作空氣軸承表面(ABS)2e。在記錄媒體轉(zhuǎn)動時(shí)，在記錄媒體的記錄表面和空氣軸承表面2e之間產(chǎn)生的氣流可以使磁頭滑塊2在y方向上稍稍移動而離開記錄表面。這樣就能在空氣軸承表面2e和記錄媒體之間形成一個(gè)恒定的間隔。
薄膜磁頭器件1被設(shè)在一個(gè)端面上(圖1中面向左側(cè)的一面)，端面上具有與磁頭滑塊2的空氣軸承表面2e共同的一條脊線。
圖2是薄膜磁頭器件1的結(jié)構(gòu)分解圖。圖3是沿著圖1中的線III-III截取的薄膜磁頭器件1的一個(gè)截面圖。薄膜磁頭器件1具有一個(gè)整體結(jié)構(gòu)，它包括用來重放記錄在記錄媒體上的磁性信息的一個(gè)重放頭1a和用來在記錄媒體上記錄磁性信息的一個(gè)記錄頭1b。
例如圖2和3所示，重放頭1a具有一種層疊結(jié)構(gòu)，它包括一個(gè)絕緣層11，底屏蔽層12，底屏蔽間隙層13，頂屏蔽間隙層14和一個(gè)頂屏蔽層15，它們按照這樣的次序?qū)盈B在滑塊2的晶片2d上。例如絕緣層11的厚度是2μm到10μm，并且是用Al2O3(氧化鋁)制成的，而底屏蔽層12的厚度是1μm到3μm，并且是用諸如NiFe(鐵-鎳合金坡莫合金)的磁性材料制成的。例如，底屏蔽間隙層13和頂屏蔽間隙層14各自的厚度是10nm到100nm，并且是用Al2O3或AIN(氮化鋁)制成的。例如，頂屏蔽層15的厚度是1μm到4μm，并且是用諸如NiFe的磁性材料制成的。頂屏蔽層15還可以起到記錄頭1b的底層磁極的作用。
在底屏蔽間隙層13和頂屏蔽間隙層14之間還埋設(shè)有一個(gè)MR(磁阻)元件1c。MR元件1c是用于讀出寫在磁記錄媒體(未示出)上的信息的元件，并且位于空氣軸承表面2e的那一側(cè)。MR元件1c包括一個(gè)用AMR(各向異性磁阻)薄膜或GMR(巨大磁阻)薄膜構(gòu)成的MR薄膜20。這種AMR薄膜具有包括一個(gè)由NiFe制成的磁性層的單層結(jié)構(gòu)。GMR薄膜具有一種多層結(jié)構(gòu)，除了一個(gè)軟磁性層之外還包括一個(gè)由CoFe(鐵-鈷合金)等制成的鐵磁層和一個(gè)由Cu(銅)制成的非磁性金屬層。
如圖2所示，例如由硬磁性材料制成的磁疇控制薄膜30a和30b沿著軌道寬度的方向(圖3中的X方向)設(shè)置在MR薄膜20的兩側(cè)。磁疇控制薄膜30a和30b被用來在一個(gè)固定方向上對MR薄膜20施加一個(gè)偏置磁場，可用來抑制Barkhausen噪聲。在MR薄膜20上沿軌道寬度的方向彼此面對設(shè)置的一對引線層33a和33b用電路連接到MR薄膜20上。引線層33a和33b例如是用鉭(Ta)金屬制成的，并且設(shè)在底屏蔽間隙層13和頂屏蔽間隙層14之間。引線層33a和33b在與空氣軸承表面2e相反的方向上延伸，并且用電路連接到輸出端子33c和33d，端子通過設(shè)在頂屏蔽間隙層14中的一個(gè)開口(未示出)在頂屏蔽間隙層14上形成預(yù)定的圖形。
如圖3所示，記錄頭1b具有例如設(shè)在項(xiàng)屏蔽層15上面的一個(gè)由Al2O3等絕緣薄膜制成的厚度為0．1μm到0．5μm的寫間隙層41。在寫間隙層41對應(yīng)著下述的薄膜線圈43和45各自中心的位置上具有一個(gè)開口41a。厚度為1μm到3μm的薄膜線圈43和覆蓋這一薄膜線圈43的光致抗蝕劑層44例如通過一個(gè)中間厚度為1．0μm到5．0μm的光致抗蝕劑層42形成在寫間隙層41上。厚度為1μm到3μm的薄膜線圈45和覆蓋這一薄膜線圈45的光致抗蝕劑層46形成在光致抗蝕劑層44上。
用諸如NiFe或FeN(氮化鐵)等具有高飽和磁通密度的磁性材料制成的厚度大約為3μm的頂層磁極47被形成在寫間隙層41和光致抗蝕劑層42，44及46上。頂層磁極47通過寫間隙層41上位置對應(yīng)著薄膜線圈43和45各自中心的一個(gè)開口41a與頂屏蔽層15形成接觸和磁耦合。盡管在圖2和3中沒有表示，在頂層磁極47上面還有一個(gè)覆蓋整個(gè)表面的20μm到30μm厚的Al2O3制覆蓋層。通過薄膜線圈43和45的電流使記錄頭1b在用作底層磁極的頂屏蔽層15和頂層磁極47之間產(chǎn)生一個(gè)磁通，用寫間隙層41附近的磁通使記錄媒體磁化，這樣就能記錄信息。
具有上述結(jié)構(gòu)的薄膜磁頭器件1的工作原理如下。使電流通過記錄頭1b的薄膜線圈43和45，產(chǎn)生用于寫入的磁通，將信息記錄在記錄媒體上。使一個(gè)檢測電流通過重放頭1a的MR薄膜20，由于檢測到記錄媒體的信號磁場，它的磁阻會發(fā)生變化，從而讀出記錄在記錄媒體上的信息。
〈支撐基片的結(jié)構(gòu)〉以下要參照圖4說明在按照本實(shí)施例的制造磁頭滑塊2的方法中使用的一種支撐基片90。支撐基片90被這樣來支撐一行細(xì)長的棒5(圖5)，通過加工在磁頭滑塊2中形成滑塊軌道2時(shí)，每個(gè)棒包括多個(gè)磁頭滑塊2。支撐基片90是一個(gè)具有晶片形狀的陶瓷基片。將一行多個(gè)棒5固定在支撐基片90的表面上。在支撐基片90的表面上形成一個(gè)用于保護(hù)支撐基片90的表面的保護(hù)膜200。在保護(hù)膜200的表面上形成一個(gè)固化劑薄膜201，如下文所述，它所包含的固化劑可以促使粘合劑202凝固。進(jìn)而在固化劑薄膜201上按照預(yù)定的圖形施加烷基-α-氰基丙烯酸脂制成的粘合劑202，用來粘結(jié)一行棒5。
保護(hù)膜200是這樣形成的，用一個(gè)旋轉(zhuǎn)涂層器在支撐基片90的整個(gè)表面上施加一種聚酰胺前體的溶液，例如是聚酰胺酸，并且對溶液進(jìn)行熱處理。在這種情況下，例如聚酰胺酸這樣的聚酰胺前體在大約250℃下完全變成聚酰胺。在本實(shí)施例中，執(zhí)行熱處理的溫度比聚酰胺前體完全變成聚酰胺的溫度要低(也就是溫度低于250℃)。另一方面，為了獲得保護(hù)膜所需要的最小強(qiáng)度，對聚酰胺前體的熱處理溫度必須達(dá)到100℃以上。聚酰胺前體的熱處理溫度的最佳范圍是100℃到150℃。
出于以下原因而使用了以上述溫度范圍內(nèi)的溫度對聚酰胺前體進(jìn)行熱處理所獲得的保護(hù)膜200。
1．在此溫度范圍內(nèi)，聚酰胺前體逐漸凝結(jié)到不會被酒精和丙酮溶解的程度。這樣的保護(hù)膜200經(jīng)過多次光刻加工也不會剝落。
2．由于聚酰胺前體在這一溫度范圍內(nèi)尚未完全變成聚酰胺，它可溶于NMP并且便于消除。
具體的聚酰胺前體可以使用Toray Industres，Inc．生產(chǎn)的SemicofineTM。在這種情況下，由于聚酰胺前體完全變成聚酰胺的溫度是300℃，用低于300℃的溫度執(zhí)行熱處理就可以獲得所需的最小強(qiáng)度。最佳的熱處理溫度例如是120℃。
固化劑薄膜201被用來為氰基丙烯酸脂制成的粘合劑202提供陰離子，由此促使粘合劑202凝固，它包含一種酸性媒染料(又稱為鉻染料)制成的固化劑。在形成固化劑薄膜201時(shí)，使用旋轉(zhuǎn)涂層器在支撐基片90的保護(hù)膜200上涂覆一層包含酸性媒染料和聚酯樹脂的溶劑，然后用50℃到150℃進(jìn)行熱處理。如下文所述，用一個(gè)分配器94按照預(yù)定的圖形在固化劑薄膜201上涂覆粘合劑202。
固化劑薄膜201是用諸如鉻絡(luò)合物的一種陰離子和諸如K(鉀)的一種陽離子構(gòu)成的，如以下的通式1所示。
另一方面，如通式2所示，烷基-α-氰基丙烯酸脂具有一個(gè)具備強(qiáng)電子吸附力的氰基族和一個(gè)烷氧基羧基族。因此，在聯(lián)接至兩個(gè)族的一個(gè)碳原子(它被稱為α位置上的碳原子)周圍的電子密度很高，而在相鄰的一個(gè)碳原子(它被稱為β位置上的碳原子)周圍的電子密度很低。由于電子密度是這樣分布的，就會有一個(gè)極弱的陰離子變成聚合反應(yīng)的激發(fā)器，從而引發(fā)通式3所示的聚合反應(yīng)。 [通式3]
因此，如圖4所示，如果將粘合劑202涂覆在固化劑薄膜201上，由固化劑薄膜201中的酸性媒染料提供的陰離子就會促使粘合劑202的聚合反應(yīng)加速。這樣就能使粘合劑202在涂覆到固化劑薄膜201上之后的很短時(shí)間內(nèi)凝固。
在本實(shí)施例中，預(yù)先在支撐基片90上形成保護(hù)膜200和固化劑薄膜201。從粘合劑202被涂覆到固化劑薄膜201上起到粘合劑202凝固為止的一段時(shí)間內(nèi)，使用一個(gè)下文所述的一行棒的對準(zhǔn)器6將一行多個(gè)棒粘結(jié)并固定在支撐基片90上。
支撐基片90相當(dāng)于本發(fā)明的“支撐件”的一個(gè)特例。保護(hù)膜200相當(dāng)于本發(fā)明的“保護(hù)膜”的一個(gè)特例。固化劑薄膜201相當(dāng)于本發(fā)明的“固化劑薄膜”的一個(gè)特例。粘合劑202相當(dāng)于本發(fā)明的“粘合劑”的一個(gè)特例。
〈對準(zhǔn)一行棒的結(jié)構(gòu)〉圖5表示在按照本實(shí)施例的制造磁頭滑塊的方法中使用的一行棒的對準(zhǔn)器的基本結(jié)構(gòu)。一行棒的對準(zhǔn)器6的配置可以對準(zhǔn)一行多個(gè)棒5，使棒的待加工面和一個(gè)預(yù)定的參考平面對齊，將一行棒5定位在一個(gè)與上述參考平面平行的平面中。如圖5所示，在一個(gè)水平面中在一個(gè)方向(在圖5中從左下到右上的方向)上載送一行棒的同時(shí)，由一行棒的對準(zhǔn)器6執(zhí)行必要的工作。在下文中將一行棒的對準(zhǔn)器6載送一行棒的方向稱為Y方向，而在這一水平面上與Y方向垂直的方向被稱為X方向。
一行棒的對準(zhǔn)器6具有一個(gè)用來在Y方向上水平放置一行多個(gè)棒5的托板62；一個(gè)機(jī)械手64，用來一個(gè)挨一個(gè)提起放在托板62上的一行棒5；一個(gè)載架70，用來一個(gè)接一個(gè)接收和載送由機(jī)械手64提起的一行棒5；一個(gè)吸盤80，用來吸取和保持由載架70載送的一行多個(gè)棒5；以及上述的支撐基片90，用來支撐由吸盤80運(yùn)來的一行棒5。在一個(gè)控制器C的控制下對用來驅(qū)動機(jī)械手64、載架70和支撐基片90的機(jī)構(gòu)進(jìn)行驅(qū)動。
托板62是一個(gè)板狀部件，其面積大到足以在上面放置預(yù)定數(shù)量的一行棒5(例如五十個(gè)棒)。機(jī)械手64執(zhí)行的一系列動作是一個(gè)接一個(gè)地從托板62上抓起一行棒5并且將一行棒5一個(gè)接一個(gè)地放置到載架70上。機(jī)械手64可以采用任何特定的結(jié)構(gòu)，只要是它能夠執(zhí)行上述的動作。
載架70的形狀是一個(gè)長方塊，它包括一個(gè)放置表面70a，其面積大到足以在上面放置一行棒5。在放置表面70a上沿著載架70的長度方向形成一排吸氣孔(未示出)。這些吸氣孔連接到從載架70向外延伸的一個(gè)管子70c上。管子70c上有一個(gè)閥門71，它在閥門控制機(jī)構(gòu)71a的控制下打開或是關(guān)閉。載架70的結(jié)構(gòu)可以通過打開閥門71將一行棒5吸取和保持在放置表面70a上，并且通過關(guān)閉閥門71而停止吸取一行棒5。
提升機(jī)構(gòu)723可以使載架70在垂直方向上移動，并且旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)725能夠使其在水平面上轉(zhuǎn)動。在X方向上用X臺面驅(qū)動機(jī)構(gòu)752驅(qū)動載架70，并且在Y方向上由Y臺面驅(qū)動機(jī)構(gòu)756驅(qū)動。載架70可以在從靠近機(jī)械手64的位置到吸盤80下面的位置之間的范圍內(nèi)移動。
吸盤80是一個(gè)例如由不銹鋼制成的板狀部件，其面積大到足以容納一行例如五十個(gè)棒5。吸盤80的下表面是一個(gè)平滑的表面。在吸盤80的下表面中設(shè)有吸氣孔(未示出)的許多設(shè)置線路。吸氣孔的線路數(shù)量對應(yīng)著需要吸取的一行棒5的數(shù)量。吸氣孔的線路各自獨(dú)立地連接到管子80a。每一條管子80a具有一個(gè)閥門81，閥門在閥門機(jī)構(gòu)81a的控制下彼此獨(dú)立地打開或關(guān)閉。這樣就能通過每條線路接通或關(guān)閉吸氣孔的吸氣。
在吸盤80中形成兩個(gè)縫隙87a和87b，縫隙在吸盤80的厚度方向上切透吸盤80，用來觀測一行棒5的吸取位置。形成縫隙87a和87b的位置在一行棒5的長度方向(即X方向)上對應(yīng)著需要被吸盤80吸取的一行棒5的兩端?？p隙87a和87b的長度在一行棒5的對齊方向(即Y方向)上延伸。兩個(gè)攝像機(jī)35a和35b位于吸盤80上方，二者在X方向上有一個(gè)預(yù)定的間隔，可以在(被吸盤80吸取的)一個(gè)棒5的長度方向上通過縫隙87a和87b觀測棒的兩端。用一個(gè)攝像機(jī)驅(qū)動機(jī)構(gòu)82沿著縫隙87a和87b移動攝像機(jī)35a和35b。
如上所述，支撐基片90是一個(gè)具有例如晶片形狀的陶瓷基片，在支撐基片90附近設(shè)有一個(gè)分配器94，用來在支撐基片90的表面上施加粘合劑。分配器94是這樣配置的，用一個(gè)公知的分配器驅(qū)動裝置95沿著支撐基片90的表面移動分配器，并且從分配器端部分配液體粘合劑202(圖4)。
可以由一個(gè)支撐基片驅(qū)動機(jī)構(gòu)98在Y方向上移動支撐基片90。支撐基片90可以在吸盤80下方的位置和遠(yuǎn)離吸盤80的位置之間移動。當(dāng)支撐基片90位于吸盤80下方時(shí)，由吸盤80保持的一行多個(gè)棒5可以載送到支撐基片90上。在載送一行棒5時(shí)，由支撐基片驅(qū)動機(jī)構(gòu)98將支撐基片90垂直移動例如幾個(gè)毫米，使支撐基片90上的粘合劑接觸到被吸盤80保持著的一行棒5。
吸盤80的吸取面(下表面)相當(dāng)于本發(fā)明的“參考平面”的一個(gè)特例。
〈制造磁頭滑塊的方法〉圖6是制造磁頭滑塊的方法的一個(gè)流程圖。圖7A和7B以及圖8A到8C是用來說明圖6所示的制造方法中各個(gè)步驟的透視圖。如圖7A所示，采用薄膜工藝在3英寸到6英寸的Al2O3-TiC制成的晶片4上形成許多薄膜磁頭器件1(步驟S10)。
以下要參照圖2和3簡要描述步驟S10中的薄膜工藝。
首先在晶片4上通過濺射等形成一種絕緣材料Al2O3制成的絕緣層11。然后在絕緣層11上通過濺射有選擇地形成一個(gè)NiFe磁性材料制成的底屏蔽層12。接著通過濺射在底屏蔽層12上淀積一層Al2O3薄膜。將Al2O3薄膜加熱，形成高度絕緣的底屏蔽間隙層13。
接著在底屏蔽間隙層13上通過濺射形成一個(gè)用來形成MR薄膜20的層疊薄膜，然后在層疊薄膜上有選擇地形成一個(gè)光致抗蝕劑圖形。此后將光致抗蝕劑圖形作為掩模通過離子碾磨對層疊薄膜進(jìn)行蝕刻，形成具有預(yù)定平面形狀和尺寸的MR薄膜20。然后在底屏蔽間隙層13上通過濺射形成磁疇控制薄膜30a和30b以及引線層33a和33b。
接著按照與底屏蔽間隙層13相同的方式在底屏蔽間隙層13、MR薄膜20和引線層33a和33b上形成頂屏蔽間隙層14。此后，在頂屏蔽間隙層14上通過濺射有選擇地形成頂屏蔽層15。
在形成頂屏蔽層15之后，在頂屏蔽層15上通過濺射形成一個(gè)絕緣材料Al2O3制成的寫間隙層41。然后在寫間隙層41上采用光刻工藝有選擇地形成光致抗蝕劑層42。然后在光致抗蝕劑層42上通過電鍍或?yàn)R射有選擇地形成薄膜線圈43。接著按照與光致抗蝕劑層42相同的方式在光致抗蝕劑層42和薄膜線圈43上有選擇地形成光致抗蝕劑層44。按照與薄膜線圈43相同的方式在光致抗蝕劑層44上有選擇地形成薄膜線圈45。進(jìn)而按照與光致抗蝕劑層42相同的方式在光致抗蝕劑層44和薄膜線圈45上有選擇地形成光致抗蝕劑層46。
在形成光致抗蝕劑層46之后局部蝕刻出寫間隙層41，從而在薄膜線圈43和45的中心附近形成開口41a。此后通過濺射在寫間隙層41和光致抗蝕劑層44及46上形成用諸如NiFe或FeN等磁性材料制成的頂層磁極47。接著用頂層磁極47作為掩模通過離子碾磨蝕刻出寫間隙層41和一部分頂屏蔽層15。此后通過濺射在頂層磁極47上形成一個(gè)Al2O3制成的覆蓋層(未示出)。
按照上述方法在圖7A所示的晶片4上形成許多薄膜磁頭器件1。
接著如圖7B所示將晶片4切割成一些塊，例如是具有三種尺寸的塊4a，4b和4c(步驟S12)。每個(gè)塊4a，4b和4c對應(yīng)著具有相同長度的一個(gè)整體結(jié)構(gòu)的層疊的一行棒5。一行中的每個(gè)棒5對應(yīng)著多個(gè)磁頭滑塊2的一個(gè)整體結(jié)構(gòu)，每個(gè)磁頭滑塊具有至少一個(gè)薄膜磁頭器件1。
接著從塊4a，4b和4c上切下一行棒5并且拋光(步驟S14)。具體地說，如圖8A所示，用一個(gè)磨沙輪102對塊4a中包括的一個(gè)棒5的一個(gè)端面、也就是對應(yīng)著空氣軸承表面的一個(gè)端面拋光。此時(shí)將塊4a上與等待拋光的表面相對的那個(gè)端面固定在一個(gè)固定夾具100上。接著如圖8B所示在塊4a的拋光端面上粘結(jié)一個(gè)保護(hù)膜104。用另一個(gè)夾具(未示出)吸取和保持塊4a的拋光端面，將保護(hù)膜104夾在中間。這樣就能從塊4a的兩個(gè)端面上將塊4a夾住并保持在固定夾具100和另一個(gè)夾具之間。然后用一個(gè)刀片106將具有拋光面的一行棒5從相鄰的一行棒5上切割下來。在切割之后從一行棒5上剝離保護(hù)膜104。這樣就獲得了如圖8C所示的具有拋光面的一行棒5。
重復(fù)圖8A到8C所示的步驟，對塊4a中包括的所有一行棒5上作為空氣軸承表面的表面進(jìn)行拋光并且從塊4a上切下所有的棒5。象對待塊4a中包括的棒一樣的方式對塊4b和4c中的棒進(jìn)行拋光并且將其從塊上切下來。這樣就獲得了預(yù)定數(shù)量的一行棒5(例如是一行五十個(gè)棒5)。
在圖8A所示的拋光步驟中，可以采用所謂的RLG(ResistanceLapping Guide)拋光，按照薄膜磁頭器件1的測量出的隨著拋光而改變的電阻值來控制拋光。由于RLG拋光技術(shù)是公知的，在此省略了具體的描述。還可以采用粗拋光和細(xì)拋光的組合。
用圖5所示的一行棒的對準(zhǔn)器6將通過上述步驟獲得的一行多個(gè)棒5對齊，并且將其粘結(jié)和固定在支撐基片90上(步驟S16)。
圖9是在圖6所示的步驟S16中執(zhí)行的對準(zhǔn)過程的一個(gè)流程圖。圖10，11，14和15是用來說明在圖9所示的對準(zhǔn)過程的透視圖。圖13A到13C是用來說明圖9所示的對準(zhǔn)過程的截面圖。
在對準(zhǔn)過程中，首先用一個(gè)旋轉(zhuǎn)涂層器在支撐基片90的整個(gè)表面上涂覆一種聚酰胺前體例如是聚酰胺酸，并且在120℃下進(jìn)行30分鐘的熱處理，形成圖4所示的保護(hù)膜200(步驟S100)。然后用旋轉(zhuǎn)涂層器在保護(hù)膜200上涂覆一層包含酸性媒染料的溶液，并且在120℃下進(jìn)行30分鐘的熱處理，形成固化劑薄膜201(步驟S102)。這樣就能使保護(hù)膜200和固化劑薄膜201依次層疊在支撐基片90的表面上。
接著如圖10所示將預(yù)定數(shù)量的一行棒5(例如是一行50個(gè)棒5)放置到托板62上，使每個(gè)棒上作為空氣軸承表面的那個(gè)表面(在圖中用符號S表示)朝上(步驟S104)。此時(shí)要按照預(yù)定的次序布置一行棒5(也就是與從晶片4上切割棒5之前相同的次序)。一行中的每個(gè)棒5在托板62上的位置精度應(yīng)該不會妨礙機(jī)械手64提起棒5。
接著如圖5所示驅(qū)動機(jī)械手64，一個(gè)接一個(gè)地提起一行棒5并且將其載送到載架70上(步驟S106)。此時(shí)由控制器C控制機(jī)械手64，使機(jī)械手64以預(yù)定的次序(例如是從位置最靠近機(jī)械手64的一個(gè)棒5開始)提起布置在托板62上的一行棒5并且一個(gè)接一個(gè)地將一行棒5載送到載架70上。
然后由控制器C驅(qū)動Y臺面驅(qū)動機(jī)構(gòu)756，將載架70移動到吸盤80下面的位置，然后驅(qū)動提升機(jī)構(gòu)723，將載架70提升到盡量靠近吸盤80下表面的位置。在這種狀態(tài)下，放置在載架70上的一行棒5在水平面上相對于吸盤80定位(步驟S108)。如圖11所示，利用位于吸盤80上方的攝像機(jī)35a和35b捕捉位于一行棒5兩端上的磁頭滑塊2的薄膜磁頭器件1的圖像信息，如圖12A和12B所示?？刂破鰿(圖5)根據(jù)位于一行棒5兩端的磁頭滑塊2的薄膜磁頭器件1的圖像和預(yù)先存儲的圖形P之間的偏差來獲得一行棒5在X和Y方向上的位置偏差和傾斜的控制信息?？刂破鰿按照這種控制信息來驅(qū)動X臺面驅(qū)動機(jī)構(gòu)752，Y臺面驅(qū)動機(jī)構(gòu)756和旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)725，從而調(diào)節(jié)載架70在水平面上的位置。
在完成了載架70相對于吸盤80的定位之后，控制器C驅(qū)動閥門機(jī)構(gòu)81a，從而有選擇地打開用來吸取一行棒5的吸盤80的吸氣孔線路閥門81。同時(shí)由控制器C驅(qū)動閥門驅(qū)動機(jī)構(gòu)71a，關(guān)閉閥門71，從而停止載架70的真空吸取。這樣就能使一行棒5脫離載架70并且使其被吸盤80吸取(步驟S110)。在一行棒5被吸盤80吸住時(shí)，控制器C使載架70恢復(fù)到接近機(jī)械手64的原始位置。每當(dāng)吸盤80完成一次吸取和保持一行棒5的動作時(shí)，控制器C就驅(qū)動攝像機(jī)驅(qū)動機(jī)構(gòu)82以將攝像機(jī)35a和35b向前移動一行棒5的間距。
用機(jī)械手64將一行棒5放置到載架70上(步驟S106)，用載架70將一行棒5定位(步驟S108)，并且將一行棒5從載架70載送到吸盤80上(步驟S110)，按照一行棒5的數(shù)量重復(fù)這些動作(步驟S112)。這樣就能用吸盤80吸取所有預(yù)定數(shù)量的一行棒5。
按照上述方式用吸盤80保持一行多個(gè)棒5，使棒上作為空氣軸承表面的那個(gè)表面與參考平面(吸盤80的下表面)對齊。
然后由控制器C驅(qū)動分配器驅(qū)動裝置95，如圖4所示由分配器94在支撐基片90上的固化劑薄膜201上面施加粘合劑202(步驟S114)。當(dāng)粘合劑202接觸到固化劑薄膜201時(shí)，就會發(fā)生聚合反應(yīng)。
在分配器94施加完粘合劑202之后，控制器C將支撐基片90水平移動到圖13A所示的吸盤80下面的位置，并且朝向吸盤80提升支撐基片90，使粘合劑202接觸到被吸盤80吸取的一行棒5。如圖13B所示，當(dāng)一行棒5接觸到粘合劑202的一瞬間，粘合劑202尚未凝固。這樣，一行中每一個(gè)棒5下面的粘合劑202的厚度就會隨著每個(gè)棒5而改變。當(dāng)粘合劑202在這種狀態(tài)下凝固之后，吸盤80停止吸氣，而支撐基片90與吸盤80分離。從而如圖13C所示將一行棒5從吸盤80轉(zhuǎn)移到支撐基片90上(步驟S116)。
按照上述方式可以在支撐基片90上對齊一行多個(gè)棒5，使棒上作為空氣軸承表面的表面沿著參考平面(在圖13C中用交替的長、短虛線S表示)對齊。換句話說，一行多個(gè)棒5上作為空氣軸承表面的那一表面被布置成相同的高度(也就是說，支撐基片90的表面與作為空氣軸承表面的那表面之間的距離是彼此相等的)。如圖5所示，將如此對齊布置的一行多個(gè)棒5連同支撐基片90一起從一行棒的對準(zhǔn)器上取下，并且裝載到執(zhí)行光刻工藝的一個(gè)裝置上。
回到圖6的流程圖，在步驟S18中執(zhí)行用光致抗蝕劑形成軌道的步驟。在形成軌道的步驟中，在支撐基片90上對齊的一行棒5上層積一個(gè)感光膠膜(未示出)，然后用一個(gè)全晶片直線對準(zhǔn)器(未示出)將一行棒5對光源曝光。在完全曝光之后用堿執(zhí)行定影。采用離子碾磨等來蝕刻一行棒5，然后去掉感光膠膜。如圖14所示，按照上述方法，就能在一行每個(gè)棒5的磁頭滑塊2的表面中形成幾乎成U-形的滑塊軌道2a?；瑝K軌道2a的表面作為空氣軸承表面2e。
此時(shí)，由于一行棒5的待加工面(作為空氣軸承表面的表面)被布置在同一高度上，這樣就能使所有一行棒5的待加工面準(zhǔn)確地進(jìn)入曝光焦點(diǎn)。這樣就能消除棒與棒之間的光致抗蝕劑圖形的變化。由此就能形成具有精確形狀的滑塊軌道2a。
由于保護(hù)膜200是用已經(jīng)凝結(jié)到使保護(hù)膜200不會溶解于酒精和丙酮的程度的聚酰胺前體形成的，即使是在軌道形成步驟中使用酒精、丙酮等等消除感光膠膜的情況下，保護(hù)膜200也不會從支撐基片90上剝離。烷基-α-氰基丙烯酸脂制成的粘合劑202可溶于NMP，丙酮等等，但是不溶于酒精。
在形成滑塊軌道2a之后，按照圖15中箭頭C所示將支撐在支撐基片90上的一行多個(gè)棒5分別切割成單獨(dú)的磁頭滑塊2(步驟S20)。進(jìn)而用丙酮溶解粘合劑202，以便使磁頭滑塊2脫離支撐基片90(步驟S22)。這樣就獲得了圖2所示的磁頭滑塊2。也可以在通過溶解粘合劑使一行棒5脫離支撐基片90之后將每個(gè)棒5切割成磁頭滑塊2。
由于用來形成保護(hù)膜200的聚酰胺前體尚未完全變成聚酰胺，保護(hù)膜200易溶于NMP。在去掉保護(hù)膜200和固化劑薄膜20之后可以重復(fù)使用支撐基片90。
如上所述，按照這一實(shí)施例，在支撐基片90上形成保護(hù)膜200，在保護(hù)膜200上形成固化劑薄膜201，并且用粘合劑202將一行棒5固定在固化劑薄膜201上。這樣就能保護(hù)支撐基片90不會在軌道形成步驟中的蝕刻過程中受到損傷。這樣就能夠重復(fù)使用支撐基片90。由于支撐基片90受到保護(hù)膜200的保護(hù)，支撐基片90表面上的原子在蝕刻步驟中不會飛濺到一行中每個(gè)棒5的待加工面和側(cè)面上。進(jìn)而，由于保護(hù)膜200僅僅接觸到一行棒5的待加工面的背面，不會發(fā)生保護(hù)膜200覆蓋住一部分待加工面的情況。這樣就能準(zhǔn)確地加工待加工面。
另外，用來形成保護(hù)膜200的聚酰胺前體凝結(jié)到其不會溶解于酒精或丙酮的程度。例如，即使是在軌道形成步驟中用酒精等重復(fù)清除感光膠膜以多次反復(fù)執(zhí)行光刻工藝，保護(hù)膜200也不會從支撐基片90上剝離。由于聚酰胺前體的保護(hù)膜200還沒有完全變成聚酰胺，這種聚酰胺前體易溶于NMP。因此，在完成軌道形成步驟之后容易用NMP去掉保護(hù)膜200。這樣就便于重復(fù)使用支撐基片90。
由于一行多個(gè)棒5的待加工面(作為空氣軸承表面的那些面)與參考平面是對齊的，即使是在形成滑塊軌道2a時(shí)采用全晶片曝光技術(shù)，仍然能夠在所有待加工面上獲得準(zhǔn)確的曝光焦點(diǎn)。這樣就能形成各自具有精確形狀的滑塊軌道2a。另外，與用來逐個(gè)曝光一行多個(gè)棒5的所謂步進(jìn)和重復(fù)曝光技術(shù)相比，可以用廉價(jià)的設(shè)備執(zhí)行全晶片曝光。這樣就能降低制造成本。另外，由于一行多個(gè)棒5在平行于吸盤80之吸氣表面的一個(gè)平面上的位置是可以調(diào)節(jié)的，在全晶片曝光的曝光圖形和一行棒5之間不會出現(xiàn)位置偏差。因而就能形成具有精確形狀的滑塊軌道2a。
由于固化劑薄膜201中包含的固化劑使用了酸性媒染料(鉻染料)，在施加固化劑之后可以使固化劑穩(wěn)定地停留在表面上，并且維持穩(wěn)定的效果。
另外，由具有用來確定參考平面的一個(gè)表面的吸盤80同時(shí)保持一行棒5并且將棒載送到支撐基片90上。這樣就能同時(shí)將一行多個(gè)棒5載送到支撐基片90上。從而縮短了制造時(shí)間。
另外，在棒5相對于參考平面定位的同時(shí)觀測位于該棒5兩端的磁頭滑塊2的薄膜磁頭器件1。這樣就能使一行中每個(gè)棒5的位置精確地配合到使用光刻的軌道加工步驟中的曝光圖形的位置。
盡管本發(fā)明是按照上述實(shí)施例描述的，本發(fā)明并非僅限于這些實(shí)施例，還可以有各種各樣的變更。例如，盡管上述實(shí)施例中的保護(hù)膜200和固化劑薄膜201是層疊在支撐基片90上的，也可以單獨(dú)形成保護(hù)膜200或固化劑薄膜201。也就是說，可以僅僅在支撐基片90上形成保護(hù)膜200，并且在保護(hù)膜200上施加粘合劑202。也可以僅僅在支撐基片90上形成固化劑薄膜201，并且在固化劑薄膜201上施加粘合劑202。也可以用本發(fā)明以外的方法在固化劑薄膜201上施加粘合劑202。
盡管本實(shí)施例中采用的是在不會使聚酰胺前體變成聚酰胺的溫度下對聚酰胺前體進(jìn)行熱處理所獲得的粘合劑202，也可以采用任何其他材料，只要是這種材料能夠耐受光刻等，并且不易溶解于酒精一類的溶劑。
薄膜磁頭器件1不僅限于使用AMR薄膜或GMR薄膜的器件。薄膜磁頭器件1也可以是采用其他MR薄膜的器件(例如TMR(溝道型磁阻)薄膜)。另外，薄膜磁頭器件也可以是單一重放磁頭或單一記錄磁頭。
如上所述，按照本發(fā)明的固定一行棒的方法或本發(fā)明的制造磁頭滑塊的方法，在支撐基片的至少一個(gè)表面上形成保護(hù)膜，在保護(hù)膜的表面上施加粘合劑，并且用粘合劑來固定一行棒。這樣就能防止支撐基片在加工一行棒的過程中受到損傷。因而就能夠重復(fù)使用支撐基片并且降低制造成本。由于支撐件受到保護(hù)膜的保護(hù)，在加工一行棒的過程中，原子不會從支撐件的表面飛濺出來，也能夠防止粘合劑的原子從支撐基片上飛濺到一行中每個(gè)棒的待加工面和側(cè)面上。進(jìn)而，由于保護(hù)膜接觸到一行中每個(gè)棒的待加工面的背面，不會發(fā)生保護(hù)膜覆蓋住一部分待加工面的情況。這樣就能實(shí)現(xiàn)高精確度的加工。
按照本發(fā)明的固定一行棒的方法或本發(fā)明的制造磁頭滑塊的方法，支撐件是通過用預(yù)定的溫度對聚酰胺前體進(jìn)行熱處理而形成的。即使是反復(fù)執(zhí)行聚酰胺前體能夠耐受的工藝(例如是光刻工藝)，支撐件也不會受到損傷。
另外，按照本發(fā)明的固定一行棒的方法或本發(fā)明的制造磁頭滑塊的方法，聚酰胺前體在100℃到150℃的范圍內(nèi)經(jīng)過熱處理。這樣的保護(hù)膜不溶于酒精或丙酮。即使是在多次執(zhí)行光刻工藝之后，保護(hù)膜也不會剝離。由于聚酰胺前體是在尚未完全變成聚酰胺的溫度范圍內(nèi)經(jīng)過熱處理的，它可以溶于NMP(N-2-甲基-砒咯烷酮)并且易于清除保護(hù)膜。這樣就能獲得壽命更長的保護(hù)膜，并且容易清除使用的保護(hù)膜。
按照本發(fā)明的固定一行棒的方法或本發(fā)明的制造磁頭滑塊的方法，固定一行多個(gè)棒，使一行中每一個(gè)棒的待加工面和預(yù)定的參考平面對齊。這樣就容易使一行多個(gè)棒的待加工面與參考平面對齊。例如在加工過程中執(zhí)行光刻加工時(shí)，可以在一行棒的整個(gè)待加工面上獲得曝光焦點(diǎn)，從而改善了一行棒的加工精度。
進(jìn)而，按照本發(fā)明的固定一行棒的方法或本發(fā)明的制造磁頭滑塊的方法，由于包含固化劑的固化劑薄膜是形成在保護(hù)膜的表面上的，固化劑的作用可以使粘合劑在短時(shí)間內(nèi)凝固。
按照本發(fā)明的固定一行棒的方法或本發(fā)明的制造磁頭滑塊的方法，由于粘合劑是施加在固化劑薄膜的表面上，固化劑的作用可以使粘合劑在短時(shí)間內(nèi)凝固。
另外，按照本發(fā)明的固定一行棒的方法或本發(fā)明的制造磁頭滑塊的方法，在待加工面與預(yù)定的參考平面對齊的狀態(tài)下使一行多個(gè)棒中每一個(gè)棒的待加工面的背面接觸到粘合劑。因此，當(dāng)一行棒接觸到粘合劑時(shí)，粘合劑的厚度會隨著一行棒的厚度變化而變化，并且在這種狀態(tài)下促使粘合劑凝固。這樣就容易使一行多個(gè)棒的待加工面與參考平面對齊。例如在加工過程中執(zhí)行光刻加工的情況下，可以在一行棒的整個(gè)待加工面上獲得曝光焦點(diǎn)。從而改善了一行棒的加工精度。
另外，按照本發(fā)明的固定一行棒的方法或本發(fā)明的制造磁頭滑塊的方法，固化劑中包含一種酸性媒染料，這樣就容易向用來形成粘合劑的烷基-α-氰基丙烯酸脂提供陰離子。
按照本發(fā)明的固化劑，由于固化劑中包含酸性媒染料，可以在施加之后使固化劑穩(wěn)定地停留在表面上，并且維持穩(wěn)定的效果。
顯而易見，根據(jù)上述的技術(shù)還可以對本發(fā)明作出各種各樣的修改和變更。因此應(yīng)該認(rèn)為，本發(fā)明在權(quán)利要求書而不是說明書的范圍內(nèi)都是可以實(shí)現(xiàn)的。
權(quán)利要求
1．一種為了對一行中每一個(gè)棒的一個(gè)預(yù)定表面進(jìn)行加工而將一行多個(gè)棒固定在預(yù)定支撐件上的方法，這種細(xì)長的棒包括至少一個(gè)磁頭滑塊，該方法包括保護(hù)膜形成步驟，在支撐件的至少一個(gè)整面上形成用來保護(hù)支撐件的保護(hù)膜；粘合劑施加步驟，在保護(hù)膜的表面上施加一種粘合劑；以及粘結(jié)步驟，將一行多個(gè)棒粘結(jié)并固定在支撐件上，使一行多個(gè)棒中每個(gè)棒的待加工面的背面接觸到粘合劑。
2．按照權(quán)利要求1的固定一行棒的方法，其特征是保護(hù)膜是通過按預(yù)定的溫度對一種聚酰胺前體進(jìn)行熱處理而形成的。
3．按照權(quán)利要求2的固定一行棒的方法，其特征是對聚酰胺前體執(zhí)行熱處理的溫度范圍是100℃到150℃。
4．按照權(quán)利要求2的固定一行棒的方法，其特征是對聚酰胺前體執(zhí)行熱處理的溫度低于使聚酰胺前體完全變成聚酰胺的溫度。
5．按照權(quán)利要求1的固定一行棒的方法，其特征是，在粘結(jié)步驟中保持一行多個(gè)棒，使一行中每個(gè)棒的待加工面與預(yù)定的參考平面對齊，而使待加工面的背面接觸到粘合劑。
6．按照權(quán)利要求1的固定一行棒的方法，其特征是進(jìn)一步包括固化劑薄膜形成步驟，在保護(hù)膜的表面上形成一個(gè)固化劑薄膜，其所包含的固化劑可以促使粘合劑凝固，該步驟被安排在保護(hù)膜形成步驟和粘合劑施加步驟之間。
7．按照權(quán)利要求6的固定一行棒的方法，其特征是固化劑包含一種酸性媒染料。
8．一種為了對一行中每一個(gè)棒的一個(gè)預(yù)定表面進(jìn)行加工而將一行多個(gè)棒固定在預(yù)定支撐件上的方法，這一細(xì)長的棒包括至少一個(gè)磁頭滑塊，該方法包括固化劑薄膜形成步驟，在支撐件的至少一個(gè)表面上形成一個(gè)固化劑薄膜，其所包含的固化劑可以促使粘合劑凝固；粘合劑施加步驟，在固化劑薄膜的表面上施加一種粘合劑；以及粘結(jié)步驟，將一行多個(gè)棒粘結(jié)并固定在支撐件上，使一行多個(gè)棒中每個(gè)棒的待加工面的背面接觸到粘合劑。
9．按照權(quán)利要求8的固定一行棒的方法，其特征是，在粘結(jié)步驟中保持一行多個(gè)棒，使一行中每個(gè)棒的待加工面與預(yù)定的參考平面對齊，而使待加工面的背面接觸到粘合劑。
10．按照權(quán)利要求8的固定一行棒的方法，其特征是固化劑包含一種酸性媒染料。
11．按照權(quán)利要求10的固定一行棒的方法，其特征是固化劑薄膜形成步驟包括在支撐件的至少一個(gè)表面上通過使用包含酸性媒染料的一種溶液形成一個(gè)薄膜的步驟；以及對薄膜執(zhí)行熱處理的步驟。
12．按照權(quán)利要求8的固定一行棒的方法，其特征是粘合劑中包含烷基-α-氰基丙烯酸脂。
13．一種制造磁頭滑塊的方法，其特征是包括器件形成步驟，在一個(gè)預(yù)定的基片上形成薄膜磁頭器件；切割步驟，將基片切割成一行多個(gè)棒，每個(gè)棒包括至少一個(gè)磁頭滑塊，在滑塊中形成薄膜磁頭器件；保護(hù)膜形成步驟，在預(yù)定的支撐件的至少一個(gè)整面上形成用來保護(hù)支撐件的保護(hù)膜；粘合劑施加步驟，在保護(hù)膜的表面上施加一種粘合劑；粘結(jié)步驟，將一行多個(gè)棒粘結(jié)并固定在支撐件上，使一行多個(gè)棒中每個(gè)棒的待加工面的背面接觸到粘合劑；加工步驟，對粘結(jié)步驟中被固定到支撐件上的一行多個(gè)棒執(zhí)行預(yù)定的加工；以及分離步驟，將加工步驟中已經(jīng)執(zhí)行過預(yù)定加工的一行棒中的每個(gè)棒切割成磁頭滑塊。
14．按照權(quán)利要求13的制造磁頭滑塊的方法，其特征是保護(hù)膜是通過按預(yù)定的溫度對一種聚酰胺前體進(jìn)行熱處理而形成的。
15．按照權(quán)利要求14的制造磁頭滑塊的方法，其特征是對聚酰胺前體執(zhí)行熱處理的溫度范圍是100℃到150℃。
16．按照權(quán)利要求14的制造磁頭滑塊的方法，其特征是對聚酰胺前體執(zhí)行熱處理的溫度低于使聚酰胺前體變成聚酰胺的溫度。
17．按照權(quán)利要求13的制造磁頭滑塊的方法，其特征是在粘結(jié)步驟中保持一行多個(gè)棒，使一行中每個(gè)棒的待加工面與預(yù)定的參考平面對齊，而使待加工面的背面接觸到粘合劑。
18．按照權(quán)利要求13的制造磁頭滑塊的方法，其特征是進(jìn)一步包括固化劑薄膜形成步驟，在保護(hù)膜的表面上形成一個(gè)固化劑薄膜，其所包含的固化劑可以促使粘合劑凝固，該步驟被安排在保護(hù)膜形成步驟和粘合劑施加步驟之間。
19．按照權(quán)利要求18的制造磁頭滑塊的方法，其特征是固化劑包含一種酸性媒染料。
20．一種制造磁頭滑塊的方法，其特征是包括器件形成步驟，在一個(gè)預(yù)定的基片上形成薄膜磁頭器件；切割步驟，將基片切割成一行多個(gè)棒，每個(gè)棒包括至少一個(gè)磁頭滑塊，在滑塊中形成薄膜磁頭器件；固化劑薄膜形成步驟，在預(yù)定的支撐件的至少一個(gè)表面上形成一個(gè)固化劑薄膜，其所包含的固化劑可以促使粘合劑凝固；粘合劑施加步驟，在固化劑薄膜的表面上施加一種粘合劑；粘結(jié)步驟，將一行多個(gè)棒粘結(jié)并固定在支撐件上，使一行多個(gè)棒中每個(gè)棒的待加工面的背面接觸到粘合劑；加工步驟，對粘結(jié)步驟中被固定到支撐件上的一行多個(gè)棒執(zhí)行預(yù)定的加工；以及分離步驟，將加工步驟中已經(jīng)執(zhí)行過預(yù)定加工的一行棒中的每個(gè)棒切割成磁頭滑塊。
21．按照權(quán)利要求20的制造磁頭滑塊的方法，其特征是在粘結(jié)步驟中保持一行多個(gè)棒，使一行中每個(gè)棒的待加工面與預(yù)定的參考平面對齊，而使待加工面的背面接觸到粘合劑。
22．按照權(quán)利要求20的制造磁頭滑塊的方法，其特征是固化劑包含一種酸性媒染料。
23．按照權(quán)利要求22的制造磁頭滑塊的方法，其特征是固化劑薄膜形成步驟包括在支撐件的至少一個(gè)表面上通過使用包含酸性媒染料的一種溶液形成一個(gè)薄膜的步驟；以及對薄膜執(zhí)行熱處理的步驟。
24．按照權(quán)利要求20的制造磁頭滑塊的方法，其特征是粘合劑中包含烷基-α-氰基丙烯酸脂。
25．一種用來促使包含烷基-α-氰基丙烯酸脂的粘合劑凝固的固化劑，其特征是固化劑包含一種酸性媒染料。
26．按照權(quán)利要求25的固化劑，其特征是這種固化劑是通過在一種聚酯樹脂中散布酸性媒染料而獲得的。
全文摘要
一種制造磁頭滑塊的方法和固定棒的方法,在晶片上通過薄膜工藝形成許多薄膜磁頭器件之后,將晶片切割成一行多個(gè)棒。在每個(gè)棒的預(yù)定表面上通過光刻形成軌道之前,將一行棒的待加工面的背面粘結(jié)并固定在支撐基片上。通過在低于聚酰胺前體變成聚酰胺的溫度下對聚酰胺前體進(jìn)行熱處理,在支撐基片的表面上形成保護(hù)膜。在保護(hù)膜表面上形成固化劑薄膜,它所包含的固化劑可以促使用來粘結(jié)棒的粘合劑凝固。保護(hù)膜可防止支撐基片在加工棒的過程中受到損傷。
文檔編號G11B5/60GK1294380SQ0013149
公開日2001年5月9日 申請日期2000年10月23日 優(yōu)先權(quán)日1999年10月21日
發(fā)明者種村茂樹 申請人:Tdk株式會社