專利名稱：頭裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及安裝于VTR等磁記錄再生裝置中的磁頭的頭裝置之制造方法。
背景技術(shù)：
一邊參照附圖，一邊說明現(xiàn)有的頭裝置的制造方法。圖3示出現(xiàn)有的頭裝置之一例的側(cè)視圖。如圖3所示，在底座1上粘著了左、右這兩個(gè)頭芯片(下面，稱為「芯片」)2、3。把纏繞了線圈4的金屬板(磁心)5、6相互間膠合而形成芯片2、3。
間隙7、8分別為各芯片的金屬板5、6的接合部分之間隙。在芯片2、3的前面分別形成曲面2a、3a，曲面2a、3a部分上的間隙分別為頭間隙7a、8a。GD表示各芯片2、3的側(cè)面部分上的間隙7、8的間隙深度(間隙的深度)尺寸。
最終，把底座1安裝到旋轉(zhuǎn)圓柱(未圖示)上來使用，芯片2、3前面的曲面2a、3a在磁帶上滑動(dòng)。9表示旋轉(zhuǎn)圓柱的旋轉(zhuǎn)中心。
圖4A示出芯片前面的在研磨狀態(tài)下之一例的正視圖。下面的說明以芯片3為中心來進(jìn)行，但關(guān)于芯片2也是同樣的。10表示芯片3的曲面3a之等高線，如圖3所示，是從連結(jié)了頭間隙8a與旋轉(zhuǎn)圓柱的旋轉(zhuǎn)中心9的直線11延長(zhǎng)線上、看頭間隙8a時(shí)的曲面3a之等高線。12表示曲面3a的頂點(diǎn)，該頂點(diǎn)12相當(dāng)于等高線10的中心。此外，Bo表示頂點(diǎn)12與頭間隙8a之間的距離。Y表示從底座1的芯片安裝面1a起的芯片2的高度、與芯片3的高度之差，即這2個(gè)芯片2與3之間的相對(duì)高度(下面，稱為「頭相對(duì)高度」)。換言之，頭相對(duì)高度為在與芯片移動(dòng)方向正交之方向上的兩芯片之臺(tái)階差。
圖5為示出芯片的研磨工序的透視圖。在研磨工序中，把具有芯片2、3的頭裝置13安裝到旋轉(zhuǎn)鼓14上。因此，芯片2、3與旋轉(zhuǎn)鼓14的旋轉(zhuǎn)(箭頭b)成為一體地旋轉(zhuǎn)。芯片2、3的前面之研磨，使該旋轉(zhuǎn)中的芯片2、3的前面接觸研磨帶15來進(jìn)行。此外，由于一邊使研磨帶15在上下方向上移動(dòng)一邊進(jìn)行研磨，故總是由研磨帶15的新面來進(jìn)行研磨。
在這樣的研磨工序中，如圖4A所示，成為距離Bo之基準(zhǔn)的頂點(diǎn)12根據(jù)研磨量在箭頭a方向上移動(dòng)。圖4B示出了經(jīng)過上述那樣的研磨工序芯片前面的結(jié)束了研磨之后的狀態(tài)。如果把圖4A與圖4B加以比較，則可知頂點(diǎn)12在箭頭a方向上移動(dòng)。S表示在研磨前后的頂點(diǎn)12的移動(dòng)量。
由于在頂點(diǎn)12部分中磁帶的接觸狀態(tài)變得良好，故最好使頂點(diǎn)12盡可能接近于頭間隙7a、8a，頂點(diǎn)12位于頭間隙7a、8a上的情況，即Bo＝0是理想的。因此，Bo是左右磁頭性能的重要的要素，有必要挑選并使用在生產(chǎn)工序中Bo納入了滿足所需性能而規(guī)定的規(guī)格值內(nèi)的磁頭。
但是，在上述那樣的現(xiàn)有制造方法中，頂點(diǎn)12的移動(dòng)量S根據(jù)頭裝置的種類而有離散性，因此，難以使距離Bo成為目標(biāo)值，這一點(diǎn)成了使制造成品率降低的主要原因。
發(fā)明的公開本發(fā)明解決了上述那樣的現(xiàn)有問題，其目的在于提供下述頭裝置的制造方法，能夠使芯片前面研磨后的芯片前面曲面頂點(diǎn)與頭間隙之距離在規(guī)定量?jī)?nèi)。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明頭裝置的制造方法，是在一個(gè)底座上安裝了多個(gè)頭芯片的頭裝置的制造方法，其特征在于，如果假定在把頭芯片固定于底座上的狀態(tài)下，頭芯片的前面曲面頂點(diǎn)與頭間隙之距離為Bo；頭芯片的間隙深度尺寸為GD；上述Bo中，頭芯片的前面研磨前的值為Bo1、前面研磨后的值為Bo2；上述GD中，頭芯片的前面研磨前的值為GD1、前面研磨后的值為GD2；作為GD1與GD2之差的研磨量為ΔGD；上述多個(gè)頭芯片中，作為相鄰的2個(gè)頭芯片的、從上述底座看的高度之差的頭相對(duì)高度為Y，則上述頭相對(duì)高度Y對(duì)于Y’的頭芯片、在上述研磨量ΔGD進(jìn)行ΔGD’的加工的情況下，對(duì)于頭相對(duì)高度與Y’大致相同的頭裝置，利用預(yù)先求出的上述Bo與上述GD之關(guān)系、Bo2的目標(biāo)值及上述ΔGD’之值求出對(duì)應(yīng)于上述Bo2目標(biāo)值的Bo1，將其作為上述頭相對(duì)高度Y’的頭芯片之Bo1。
按照上述那樣的頭裝置的制造方法，由于預(yù)先求出對(duì)應(yīng)于Bo2目標(biāo)值的Bo1而進(jìn)行頭芯片前面的研磨，故可效率良好地制造把Bo2納入到規(guī)格值內(nèi)的頭裝置，可使成品率提高。
在上述頭裝置的制造方法中，最好把上述Bo與GD之關(guān)系作為特性直線預(yù)先求出。按照上述那樣的頭裝置的制造方法，利用特性直線的關(guān)系式、Bo2的目標(biāo)值及ΔGD，可容易地求出對(duì)應(yīng)于Bo2目標(biāo)值的Bo1。
此外，上述特性直線最好是表示利用坐標(biāo)(GD1，Bo1)及坐標(biāo)(GD2，Bo2)的分布求出的坐標(biāo)軸間之相關(guān)關(guān)系的直線。
此外，最好把上述Bo2的目標(biāo)值定為0。按照上述那樣的頭裝置的制造方法，由于通過把Bo2的目標(biāo)值定為作為理想值的0而求出Bo1、Bo2變得容易集中于0附近，故使成品率提高，因而是有利的。
此外，最好是，把在把上述頭芯片固定到上述底座上之前的、上述頭芯片的前面曲面頂點(diǎn)與頭間隙之距離的目標(biāo)值設(shè)定為對(duì)應(yīng)于上述Bo2目標(biāo)值的Bo1之值，來形成上述前面研磨前的頭芯片。按照上述那樣的頭裝置的制造方法，通過把芯片盡可能不傾斜地粘著到底座上，以良好的精度得到了Bo1之值。
此外，最好是，在把上述頭芯片固定到上述底座上時(shí)，調(diào)整上述頭芯片的固定角度以使上述頭芯片的Bo1成為對(duì)應(yīng)于上述Bo2目標(biāo)值的Bo1之值。按照上述那樣的頭裝置的制造方法，通過角度調(diào)整，可調(diào)整在把頭芯片固定到底座上之前的加工離散性，可使Bo1的精度提高。
附圖的簡(jiǎn)單說明

圖1為示出表示本發(fā)明一實(shí)施形態(tài)的每一個(gè)頭相對(duì)高度Y與GD、與Bo之關(guān)系的特性直線的圖；圖2為在使用了本發(fā)明一實(shí)施形態(tài)的制造方法的頭裝置及使用了現(xiàn)有例的制造方法的頭裝置中，對(duì)Bo2的離散性進(jìn)行比較的圖；圖3為頭裝置之一例的側(cè)視圖；圖4A為芯片前面的研磨前狀態(tài)下之一側(cè)的正視圖；圖4B為芯片前面的研磨后狀態(tài)下之一側(cè)的正視圖；圖5為頭裝置的研磨工序一例的透視圖；圖6A為研磨工序中的頭裝置之一例的側(cè)視圖；圖6B為研磨工序中的頭裝置之一例的正視圖；以及圖6C為研磨工序中的頭裝置另一例的正視圖。
用于實(shí)施發(fā)明的最佳形態(tài)一邊參照附圖，一邊說明本發(fā)明的一實(shí)施形態(tài)。由于頭裝置的基本結(jié)構(gòu)及研磨工序與使用圖3～5說明了的結(jié)構(gòu)相同，故本實(shí)施形態(tài)也使用那些圖來說明，有關(guān)重復(fù)部分省略其說明。在下面的說明中，把芯片固定到底座上的狀態(tài)下的芯片前面曲面頂點(diǎn)與頭間隙之距離稱為Bo，把間隙深度尺寸稱為GD。此外，Bo中，把研磨前之值稱為Bo1，把研磨后之值稱為Bo2，在GD中，把研磨前之值稱為GD1，把硬座后之值稱為GD2。
本發(fā)明發(fā)現(xiàn)，根據(jù)頭相對(duì)高度、Bo與GD之關(guān)系不同，利用該關(guān)系來設(shè)定成為Bo2目標(biāo)值那樣的Bo1。下面，一邊使用實(shí)驗(yàn)結(jié)果一邊具體地加以說明。
準(zhǔn)備15個(gè)圖3所示那樣的頭裝置的取樣，測(cè)定了研磨前后的GD及Bo。研磨以使用圖5說明了的那樣的研磨方法來進(jìn)行。下列表1示出測(cè)定結(jié)果。
表1

表1中，GD1、GD2、Bo1及Bo2的各值(μm)示出左右芯片的平均值。根據(jù)頭相對(duì)高度Y之值，把各取樣分成3類，即組1～3。
圖1為有關(guān)這些取樣表示GD與Bo之關(guān)系的圖。圖1的曲線圖以橫軸為GD、縱軸為Bo，描繪了表1所示各取樣的(GD1，Bo1)及(GD2，Bo2)之值。
觀察該分布可知，各取樣的(GD1，Bo1)即研磨前的數(shù)據(jù)大半分布在區(qū)域A內(nèi)，與此不同，(GD2，Bo2)即研磨后的數(shù)據(jù)分成區(qū)域B、C、D三個(gè)分布。
更具體地說可知，隨著GD的減小(隨著研磨量的增大)Bo發(fā)生變化，但是，即使研磨量相同該變化量也不一定相同，該變化量為對(duì)應(yīng)于頭相對(duì)高度Y的值。
即，GD與Bo之間根據(jù)頭相對(duì)高度Y而有相關(guān)關(guān)系，可知每組GD與Bo之關(guān)系可用1次函數(shù)近似地表示。圖1的各線16～18對(duì)每組利用最小平方法，近似以直線表示GD與Bo之關(guān)系。各直線16～18的函數(shù)式分別為下述(1)～(3)式。
(1)式Bo＝-0.046GD＋25.6(2)式Bo＝2.7GD－30.4(3)式Bo＝7.6GD－101.7把各直線加以比較可知，頭相對(duì)高度Y變得越小直線的斜率就變得越大?？梢园阎本€的斜率表示為(Bo1－Bo2)/(GD1－GD2)，該值表示每1μm研磨量的Bo變化量。
由此可以說，頭相對(duì)高度越大(兩個(gè)芯片的臺(tái)階差越大)Bo的變化量就變得越小。這可以考慮為，頭相對(duì)高度Y變得越大在2個(gè)芯片間就變得越容易進(jìn)入研磨帶。有關(guān)這一點(diǎn)，一邊使用圖6一邊具體地加以說明。
如圖6A所示，在研磨工序中，研磨帶15沿芯片前面進(jìn)行接觸。由于把研磨帶15沿芯片前面形狀推上去，故可使研磨帶15以足夠的接觸壓力接觸到曲面在遠(yuǎn)離研磨帶15的方向(箭頭c)上連續(xù)地形成的芯片前面外側(cè)部分16、17上。
在這里，如圖6所示，如果頭相對(duì)高度Y小，則在芯片的旋轉(zhuǎn)方向(箭頭d)上在芯片2與3之間、芯片2、3與研磨帶15的接觸面大致相同，研磨帶15難以進(jìn)入這2個(gè)芯片間的部分18。因此，如果與芯片前面外側(cè)部分16、17相比，則芯片前面內(nèi)側(cè)部分19、20與研磨帶15的接觸壓力變低。
因此，在研磨工序中，與芯片前面內(nèi)側(cè)部分19、20的研磨量相比，芯片前面外側(cè)部分16、17的研磨量大。由于這樣的研磨量之差使芯片前面形狀變得也容易變化，頂點(diǎn)12的位置移動(dòng)量也變大了。
與此不同，如圖6C所示，如果2、3這兩芯片的相對(duì)高度大，則在芯片2、3的旋轉(zhuǎn)方向上在芯片2與3之間、芯片2、3與研磨帶15的接觸面發(fā)生偏移，研磨帶15變得容易進(jìn)入旋轉(zhuǎn)中的芯片間的部分18。
因此，可以認(rèn)為，要充分確保芯片前面內(nèi)側(cè)19、20部分與研磨帶15的接觸壓力，可確保在芯片前面外側(cè)部分16、17及芯片前面內(nèi)側(cè)19、20部分這兩部分上有足夠的接觸壓力，使芯片前面的研磨量變得大致均勻。
在該情況下，由于可確保在前面整體上有足夠的接觸壓力，由于對(duì)間隙深度部分也能充分研磨、且在芯片前面整體范圍內(nèi)研磨量大致是均勻的，故即使進(jìn)行了研磨，芯片前面形狀也較好地保持了研磨前的狀態(tài)。這樣，如果芯片前面形狀的變化小，則研磨前后頂點(diǎn)12的移動(dòng)量也變小。
如果利用這樣的、與頭相對(duì)高度Y對(duì)應(yīng)的、GD與Bo之關(guān)系，就能提高Bo2的精度。按照?qǐng)D1，能夠利用頭相對(duì)高度Y、Bo2、研磨量ΔGD(GD1－GD2)這3個(gè)參數(shù)求出Bo1，使Bo2成為規(guī)定的量。
利用直線17，說明具體例。在直線17的計(jì)算中使用了的取樣的頭相對(duì)高度Y之平均值為17.6μm(表1)。因此，在相對(duì)高度Y的設(shè)定值例如為17.6μm附近的Y＝17μm的情況下，使用了直線17。
Bo2的最佳值與相對(duì)高度Y無關(guān)，Bo2＝0。圖3中，在直線13與Bo＝0的交點(diǎn)上的GD值可通過把Bo＝0代入(2)式而求出，得到GD2＝11.3μm。
在研磨量ΔGD的設(shè)定值ΔGD＝7μm的情況下，由于研磨前的間隙深度GD1為(GD2＋ΔGD)，故GD1＝18.3μm。如果將其代入(2)式的GD，則得到Bo＝19.0μm，這相當(dāng)于Bo1。因而，在把兩芯片粘接到頭裝置的狀態(tài)下，如果Bo1＝19.0μm，則在7μm研磨后可得到理論上Bo2＝0的頭裝置。
不過，各式為近似式，此外，存在著加工離散性引起的Bo1的離散性、左右芯片間的研磨量的離散性等，不一定能得到Bo2＝0的理想芯片。但是，只要Bo2在規(guī)定的規(guī)格值范圍內(nèi)、例如-50～+50μm的范圍內(nèi)即可，通過進(jìn)行上述那樣的最佳化，納入這些范圍內(nèi)的比例變大，成品率提高。
作為Bo1的設(shè)定有下述方法，例如把在前面研磨前(把芯片粘著到底座上之前)的芯片形成加工時(shí)的芯片前面曲面頂點(diǎn)與頭間隙之距離的目標(biāo)值作為利用上述那樣的方法求出的Bo1之值。按照該方法，通過把芯片盡可能不傾斜地粘著到底座上，以良好的精度得到了Bo1之值。因而，如果在把兩芯片粘著到底座上之后直接進(jìn)行研磨，則Bo2納入規(guī)格值內(nèi)的比例也變大，可確保足夠的成品率。
即使在加工離散性引起的Bo1的離散性大、精度低的情況下，通過調(diào)整在把芯片粘著到底座上時(shí)的芯片從安裝角度也能夠防止成品率的低下。
具體地說，正如使用圖3、4說明了的那樣，如果以芯片3為例，則成為Bo的基準(zhǔn)的頂點(diǎn)12的位置是，從連結(jié)了頭間隙8a與旋轉(zhuǎn)圓柱的旋轉(zhuǎn)中心9的直線11之延長(zhǎng)線上、看頭間隙8a時(shí)的曲面13a之等高線10的中心。
因而，如果以使從直線11之延長(zhǎng)線上、看頭間隙8a時(shí)的曲面3a之等高線10的中心、與頭間隙8a之間的距離成為所需要的Bo1的方式來調(diào)整芯片角度并在此狀態(tài)下結(jié)束粘著，則能以良好的精度得到所需要的Bo1，也能減小Bo2的離散性，可確保足夠的成品率。再有，如果使用干涉條紋測(cè)定器就能計(jì)測(cè)等高線10的中心。
此外，在上述例中以使用(2)式的情況為例作了說明，但在使用(1)、(3)式的情況下，Bo1的求法也是同樣的。在該情況下，根據(jù)表1，在(1)式的計(jì)算中使用的取樣的頭相對(duì)高度Y的平均值為37.7μm，在(3)式的計(jì)算中使用的取樣的平均值為2.6μm。因此，如果頭裝置的頭相對(duì)高度Y在37.7μm附近則選定(1)式，如果在2.6μm附近則選定(3)式。
此外，頭相對(duì)高度不限定于上述3種，有時(shí)根據(jù)需要以VTR格式及VTR功能而需要多種。如果預(yù)先準(zhǔn)備出把頭相對(duì)高度變成多種來計(jì)算的關(guān)系式，就能解決頭相對(duì)高度不同的各種頭裝置的研磨。
此外，表1的分組示出了一例，如果減小各組中的取樣的頭相對(duì)高度之范圍并使取樣個(gè)數(shù)增大，就能進(jìn)一步提高關(guān)系式的精度。
圖2為示出對(duì)于頭相對(duì)高度16μm的頭裝置，在設(shè)定成Bo1＝0的比較例(取樣個(gè)數(shù)42個(gè))及利用上述那樣的方法求出Bo1、設(shè)定成Bo1＝33.9μm的實(shí)施例(取樣個(gè)數(shù)15個(gè))中，Bo2的離散性之比較的圖。由于實(shí)施例及比較例都把GD1設(shè)定成20μm，把GD2設(shè)定成7.5μm，故研磨量GD的設(shè)定值為12.5μm。
由于在本實(shí)驗(yàn)中，頭相對(duì)高度Y為16μm，故在實(shí)施例的Bo1的計(jì)算中利用上述(2)式來求，(2)式是使用頭相對(duì)高度平均值為17.6μm的取樣來計(jì)算的。具體地說，首先，以0代入Bo，求出GD＝11.3μm。該GD相當(dāng)于GD2。由于研磨量ΔGD為12.5μm，故GD1等于12.5μm與11.3μm相加，為23.8μm。如果把該23.8μm代入(2)式的GD，則得Bo＝33.9μm。該Bo相當(dāng)于Bo1。
因而，在實(shí)施例中，把Bo1設(shè)定成33.9μm并進(jìn)行加工，在比較例中，把Bo1設(shè)定成0μm并進(jìn)行加工，圖2表示Bo2的離散性，帶斜線的條為實(shí)施例的結(jié)果，無斜線的條為比較例的結(jié)果。橫軸表示Bo2(μm)，例如，-10表示-10μm≤Bo2＜0μm的范圍?？v軸表示進(jìn)入橫軸各范圍內(nèi)的取樣的個(gè)數(shù)(頻度)。
實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，比較例的Bo2的平均值為-41.3μm，實(shí)施例的Bo2的平均值為-21.6μm。根據(jù)這一點(diǎn)及圖2的曲線圖分布，如果與比較例相比，則實(shí)施例的分布整體上向Bo2＝0一側(cè)移動(dòng)，分布在Bo2＝0附近的值變多。其結(jié)果，在實(shí)施例中全部取樣納入作為規(guī)格值的-50μm≤Bo2≤50μm范圍內(nèi)，與此不同，在比較例中還看到了Bo2＜-50μm的取樣。這樣，按照本發(fā)明的制造方法，由于能夠在預(yù)先求出了最佳的Bo1之后進(jìn)行研磨，故可使Bo2的精度提高。
工業(yè)上利用的可能性如上所述，按照本發(fā)明，由于預(yù)先求出對(duì)應(yīng)于目標(biāo)值的、頭芯片前面研磨前的頭前面曲面頂點(diǎn)與頭間隙之距離而進(jìn)行頭芯片前面的研磨，故可效率良好地制造納入到規(guī)格值內(nèi)的頭裝置，可使成品率提高。因此，可作為安裝于VTR等磁記錄再生裝置中的磁頭的頭裝置的制造方法來使用。
權(quán)利要求
1.一種頭裝置的制造方法，是在一個(gè)底座上安裝了多個(gè)頭芯片的頭裝置的制造方法，其特征在于，如果假定在把頭芯片固定于底座上的狀態(tài)下，頭芯片的前面曲面頂點(diǎn)與頭間隙之距離為Bo；頭芯片的間隙深度尺寸為GD；上述Bo中，頭芯片的前面研磨前的值為Bo1、前面研磨后的值為Bo2；上述GD中，頭芯片的前面研磨前的值為GD1、前面研磨后的值為GD2；作為GD1與GD2之差的研磨量為ΔGD；上述多個(gè)頭芯片中，作為相鄰的2個(gè)頭芯片的、從上述底座看的高度之差的頭相對(duì)高度為Y，則上述頭相對(duì)高度Y對(duì)于Y’的頭芯片、在上述研磨量ΔGD進(jìn)行ΔGD’的加工的情況下，對(duì)于頭相對(duì)高度與Y’大致相同的頭裝置，利用預(yù)先求出的上述Bo與上述GD之關(guān)系、Bo2的目標(biāo)值及上述ΔGD’之值求出的對(duì)應(yīng)于上述Bo2目標(biāo)值的Bo1，將其作為上述頭相對(duì)高度Y’的頭芯片之Bo1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的頭裝置的制造方法，其特征在于，把上述Bo與GD之關(guān)系作為特性直線預(yù)先求出。
3.根據(jù)權(quán)利要求2中所述的頭裝置的制造方法，其特征在于，上述特性直線為表示利用坐標(biāo)(GD1，Bo1)及坐標(biāo)(GD2，Bo2)的分布求出的坐標(biāo)軸間之相關(guān)關(guān)系的直線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的頭裝置的制造方法，其特征在于，把上述Bo2的目標(biāo)值定為0。
5.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的頭裝置的制造方法，其特征在于，把在上述頭芯片固定到上述底座上之前的、上述頭芯片的前面曲面頂點(diǎn)與頭間隙之距離的目標(biāo)值設(shè)定為對(duì)應(yīng)于上述Bo2目標(biāo)值的Bo1之值，來形成上述前面研磨前的頭芯片。
6.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的頭裝置的制造方法，其特征在于，在把上述頭芯片固定到上述底座上時(shí)，調(diào)整上述芯片的固定角度以使上述頭芯片的Bo1成為對(duì)應(yīng)于上述Bo2目標(biāo)值的Bo1之值。
全文摘要
頭相對(duì)高度Y對(duì)于Y’的頭裝置、在研磨量ΔGD進(jìn)行ΔGD’的加工的情況下,對(duì)于與頭相對(duì)高度Y’大致相同的頭裝置,利用預(yù)先求出的、研磨前后的頭前面曲面頂點(diǎn)與頭間隙的距離Bo、與間隙深度尺寸GD之關(guān)系求出對(duì)應(yīng)于研磨后Bo目標(biāo)值的Bo1,將其作為上述頭相對(duì)高度Y’的頭裝置之Bo1。由于這一點(diǎn),由于預(yù)先求出對(duì)應(yīng)于目標(biāo)值的Bo1而進(jìn)行頭芯片前面的研磨,故可效率良好地制造把研磨后Bo納入到規(guī)格值內(nèi)的頭裝置,可使成品率提高。
文檔編號(hào)G11B5/60GK1339153SQ00803460
公開日2002年3月6日 申請(qǐng)日期2000年11月29日 優(yōu)先權(quán)日1999年12月3日
發(fā)明者岡那哲也, 藤木三久, 山林悟志, 小笠原真也 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社