專(zhuān)利名稱(chēng)：光記錄方法和光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光記錄方法和一種光記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，隨著信息量的增加，對(duì)能夠高速度高密度寫(xiě)入和檢索大量數(shù)據(jù)的記錄介質(zhì)的需求也在不斷增加。現(xiàn)在越來(lái)越期望光盤(pán)能滿(mǎn)足這種要求。
光盤(pán)分兩類(lèi)只允許用戶(hù)記錄數(shù)據(jù)一次的一次寫(xiě)入式光盤(pán)，以及允許用戶(hù)根據(jù)其需要多次記錄和擦除數(shù)據(jù)的可重寫(xiě)光盤(pán)?？芍貙?xiě)光盤(pán)的例子包括利用磁光效應(yīng)的磁光盤(pán)以及利用使可逆晶體狀態(tài)改變來(lái)改變反射率的相變類(lèi)記錄介質(zhì)。
錄寫(xiě)光盤(pán)的原理就是把記錄功率(recording power)加到記錄層上以把該記錄層的溫度提高到或高于一個(gè)預(yù)定臨界溫度，從而引起物理或化學(xué)變化來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄。該原理適用于以下的所有介質(zhì)利用形成凹坑或變形的一次寫(xiě)入式介質(zhì)、利用在居里點(diǎn)附近磁反轉(zhuǎn)的磁光介質(zhì)、以及利用記錄層的非晶態(tài)與晶體狀態(tài)間的相變的相變介質(zhì)。
另外，利用相變記錄介質(zhì)的一束光重寫(xiě)(1-beam overwrite)能力(擦除與寫(xiě)入同時(shí)進(jìn)行)已經(jīng)開(kāi)發(fā)了與CD和DVD(可重寫(xiě)CD和CD-RW)及可重寫(xiě)DVD兼容的可重寫(xiě)緊致盤(pán)。
近年來(lái)的所有這些光記錄介質(zhì)幾乎都采用了一種標(biāo)記(mark)長(zhǎng)度記錄法，該方法適合于提高記錄密度。
標(biāo)記長(zhǎng)度記錄是一種既改變標(biāo)記長(zhǎng)度又改變空白(space)長(zhǎng)度來(lái)記錄數(shù)據(jù)的方法。與僅僅改變空白長(zhǎng)度的標(biāo)記位置記錄法相比，該方法更適于提高記錄密度，可把記錄密度提高1.5倍。但是，為了準(zhǔn)確檢索數(shù)據(jù)則需要嚴(yán)格檢測(cè)標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度，因而需要準(zhǔn)確控制標(biāo)記邊緣的形狀。另一個(gè)困難就是需要形成從長(zhǎng)標(biāo)記到短標(biāo)記的多種不同長(zhǎng)度的標(biāo)記。
在下面的描述中，標(biāo)記的空間長(zhǎng)度被稱(chēng)為標(biāo)記長(zhǎng)度，標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度被稱(chēng)為標(biāo)記時(shí)間長(zhǎng)度。在參考時(shí)鐘周期確定以后，標(biāo)記長(zhǎng)度與標(biāo)記時(shí)間長(zhǎng)度一一對(duì)應(yīng)。
在標(biāo)記長(zhǎng)度記錄中，當(dāng)寫(xiě)入一個(gè)nT標(biāo)記(標(biāo)記時(shí)間長(zhǎng)度為nT的一個(gè)標(biāo)記，其中T是數(shù)據(jù)的參考時(shí)鐘周期，n是一個(gè)自然數(shù))時(shí)，僅僅照射時(shí)間長(zhǎng)度為nT或長(zhǎng)度被精確調(diào)節(jié)的方波的記錄功率將會(huì)在每個(gè)標(biāo)記的前后端產(chǎn)生不同的溫度分布，進(jìn)而特別使后端部分積熱而加寬，從而形成幾何形狀不對(duì)稱(chēng)的標(biāo)記。這會(huì)增加準(zhǔn)確控制標(biāo)記長(zhǎng)度并消除標(biāo)記邊緣差異的難度。
為了使從短標(biāo)記到長(zhǎng)標(biāo)記的標(biāo)記形狀一致，已經(jīng)采取了各種措施，如分割記錄脈沖以及使用空閑(off)脈沖。例如，在相變介質(zhì)中采用以下的技術(shù)。
也就是分割記錄脈沖來(lái)調(diào)節(jié)非晶態(tài)標(biāo)記的幾何形狀(JP-A 62-259229，JP-A63-266632)。這種方法還被用在不重寫(xiě)的一次寫(xiě)入式介質(zhì)中。另外，空閑脈沖作為一種標(biāo)記形狀補(bǔ)償措施也被廣泛地采用(JP-A 63-22439等)。
其它被推薦使用的方法包括仔細(xì)地使記錄脈沖的后沿減弱以便調(diào)節(jié)標(biāo)記長(zhǎng)度和標(biāo)記時(shí)間長(zhǎng)度的方法(JP-A 7-37252)；變換記錄脈沖照射時(shí)間的方法(JP-A 8-287465)；在多脈沖記錄方法中區(qū)分在標(biāo)記寫(xiě)操作期間與在空白寫(xiě)操作期間的偏置功率值的方法(JP-A 7-37251)；以及根據(jù)線(xiàn)速度控制冷卻時(shí)間的方法(JP-A 97176)。
基于上述脈沖分割法的記錄方法也被用在磁光記錄介質(zhì)和一次寫(xiě)入式光記錄介質(zhì)中。在磁光及一次寫(xiě)入式介質(zhì)中，這種方法的目的就是防止局部加熱。在相變介質(zhì)中，這種方法還具有防止再結(jié)晶的作用。
標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制記錄的常見(jiàn)例子包括使用EFM(8-14調(diào)制)的CD兼容介質(zhì)、使用作為8-16調(diào)制變型的EFM+調(diào)制的DVD兼容介質(zhì)、以及使用(1，7)-RLL-NRZI(行程長(zhǎng)度受限不歸零碼反轉(zhuǎn))調(diào)制的磁光記錄介質(zhì)。EFM調(diào)制提供3T-11T的標(biāo)記；EFM+調(diào)制提供3T-14T的標(biāo)記；而(1，7)-RLL-NRZI調(diào)制提供2T-8T的標(biāo)記。當(dāng)然，EFM+調(diào)制和(1，7)-RLL-NRZI調(diào)制被認(rèn)為是用于高密度標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制記錄的調(diào)制方法。
作為用于諸如CD這樣的標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制記錄介質(zhì)的記錄脈沖分割方案，以下的方法被廣泛使用。
即，當(dāng)一個(gè)將被記錄的標(biāo)記具有時(shí)間長(zhǎng)度nT時(shí)(T是參考時(shí)鐘周期，n是一個(gè)大于等于2的自然數(shù))，時(shí)間(n-η)T被分成α1T，β1T，α2T，β2T，…，αmT，βmT
(其中∑αi+∑βi＝n-η；η是一個(gè)從0至2的實(shí)數(shù)；m是一個(gè)滿(mǎn)足m＝m-k的數(shù)；而k為1或2)。在作為記錄脈沖部分的時(shí)間周期αiT(1≤i≤m)，照射的是記錄功率為Pw的記錄光。在作為空閑脈沖部分的時(shí)間周期βiT(1≤i≤m)，照射的是具有小于Pw的偏置功率Pb的記錄光。
圖2是表示在這種記錄方法中使用的記錄光的功率模式的示意圖。為了形成圖2(a)所示長(zhǎng)度的標(biāo)記，使用圖2(b)所示的模式。為了使進(jìn)行標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制的標(biāo)記形成nT的長(zhǎng)度(T是參考時(shí)鐘周期；n是一個(gè)標(biāo)記長(zhǎng)度，它是一個(gè)可在標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制記錄中使用的整數(shù))，(n-η)T被分成m＝n-k(k是1或2)個(gè)記錄脈沖(在圖2(b)的情況下，k＝1和η＝0.5)，而且各個(gè)記錄脈沖寬度被設(shè)置為αiT(1≤i≤m)，它們每個(gè)之后都有空閑脈沖部分βiT(1≤i≤m)。在記錄期間的αiT(1≤i≤m)部分，照射記錄功率為Pw的記錄光，而在βiT(1≤i≤m)部分，照射偏置功率Pb(Pb＜Pw)。此時(shí)，為了確保在標(biāo)記長(zhǎng)度檢測(cè)期間獲得精確的nT標(biāo)記，∑αi+∑βi可設(shè)置為略微小于n，并進(jìn)行以下的設(shè)置∑αi+∑βi＝n-η(η是一個(gè)實(shí)數(shù)，0.0≤η≤2.0)。
也就是說(shuō)，在傳統(tǒng)技術(shù)中，當(dāng)照射用來(lái)形成nT標(biāo)記的記錄光被分割時(shí)，記錄脈沖被分成m段(m＝n-k，其中k為1或2)，m通過(guò)n均勻地減去k來(lái)獲得(如JP-A 9-282661所述)，隨后，從記錄脈沖的分割數(shù)m中減去一個(gè)預(yù)定的數(shù)以便精確控制標(biāo)記時(shí)間長(zhǎng)度(以下把這種脈沖分割方案稱(chēng)作“n-k分割”方案)。
通常，參考時(shí)鐘周期T隨著密度或速度的增加而減小。例如，T在以下的情況下減小。
(1)當(dāng)為了增加記錄容量而提高記錄密度時(shí)隨著標(biāo)記長(zhǎng)度和標(biāo)記時(shí)間長(zhǎng)度的減小，密度隨之增加。在這種情況下需要增加時(shí)鐘頻率來(lái)減小參考時(shí)鐘周期T。
(2)當(dāng)為了增加數(shù)據(jù)傳送速率而提高記錄線(xiàn)速度時(shí)在可記錄CD和DVD的高速記錄時(shí)，通過(guò)增加時(shí)鐘頻率來(lái)減小參考時(shí)鐘周期T。例如，在諸如可重寫(xiě)致密盤(pán)這樣的基于CD的介質(zhì)中，在1倍速操作期間(線(xiàn)速度是1.2-1.4m/s)的參考時(shí)鐘周期T是231納秒；但在10倍速操作期間，參考時(shí)鐘周期T變得非常短，為23.1納秒。在基于DVD的介質(zhì)中，在1倍速操作期間(3.5m/s)的參考時(shí)鐘周期T是38.2納秒，而在2倍速操作期間則為19.1ns。
從(1)和(2)可以看出，在高數(shù)據(jù)傳送速率的大容量光盤(pán)和CD及DVD中，參考時(shí)鐘周期T非常短。因此，記錄脈沖部分αiT和空閑脈沖部分βiT也會(huì)變得非常短。在這種環(huán)境下會(huì)出現(xiàn)以下的問(wèn)題。
(問(wèn)題a)記錄脈沖部分αiT相對(duì)于照射光尤其是激光的前/后沿速度來(lái)說(shuō)太短以至于不能跟得上。上升時(shí)間指的是諸如激光這樣的照射光的投射功率達(dá)到一個(gè)設(shè)定值所用的時(shí)間，下降時(shí)間指的是諸如激光這樣的照射光的投射功率從該設(shè)定值下降到完全空閑電平所用的時(shí)間。目前，上升和下降時(shí)間分別需要至少2-3納秒。因此，當(dāng)脈沖寬度小于15ns時(shí)，光實(shí)際投射達(dá)到需要的功率所用的時(shí)間是幾納秒。另外，當(dāng)脈沖寬度小于五納秒時(shí)，投射的功率在達(dá)到設(shè)定值之前下降，這樣，記錄層的溫度不會(huì)充分升高，從而不能產(chǎn)生預(yù)定的標(biāo)記尺寸。根據(jù)把光照射到襯底/薄膜表面的方法，或者根據(jù)其它記錄方法，通過(guò)提高光源的波長(zhǎng)并不能解決信號(hào)源和激光束的這些響應(yīng)速度限制的問(wèn)題。
(問(wèn)題b)當(dāng)空閑脈沖部分βiT短時(shí)，記錄介質(zhì)沒(méi)有足夠的冷卻時(shí)間，因此盡管提供了空閑脈沖部分，但空閑脈沖的功能(冷卻速度控制功能)也不起作用，從而使熱量累積在標(biāo)記的后端，從而不可能形成正確的標(biāo)記形狀。這個(gè)問(wèn)題會(huì)隨著標(biāo)記長(zhǎng)度的增加而變得更嚴(yán)重。
這個(gè)問(wèn)題將以相變介質(zhì)為例進(jìn)行解釋。
目前可用的相變介質(zhì)通常以晶體部分作為未記錄狀態(tài)或擦除狀態(tài)，而以非晶態(tài)部分作為記錄狀態(tài)。非晶態(tài)標(biāo)記的形成涉及把激光照射到記錄層的微小區(qū)域上以熔化該微小部分并將其快速冷卻，從而形成非晶態(tài)標(biāo)記。例如，當(dāng)通過(guò)使用如圖3(a)所示的沒(méi)有任何空閑脈沖部分的記錄功率的矩形波形成長(zhǎng)標(biāo)記(根據(jù)用于CD格式的EFM調(diào)制記錄的長(zhǎng)度大于5T的標(biāo)記)時(shí)，則形成如圖3(b)所示的后端窄的非晶態(tài)標(biāo)記，并且觀察到如圖3(c)所示的失真的檢索波形。這是因?yàn)?，由于?lái)自前部的熱擴(kuò)散，熱量尤其會(huì)在長(zhǎng)標(biāo)記的后部累積，從而使后部熔化區(qū)增加，但冷卻速度下降，這樣顯然會(huì)使熔化區(qū)在其凝固時(shí)再結(jié)晶。這種趨勢(shì)會(huì)隨著記錄線(xiàn)速度的下降而變得明顯，這是因?yàn)橛涗泴拥睦鋮s速度會(huì)隨著線(xiàn)速度的降低而變得更慢。
相反，如果在記錄長(zhǎng)標(biāo)記時(shí)冷卻速度快到了幾乎可以忽略再結(jié)晶的程度，則形成如圖3(d)所示的后端較厚的非晶態(tài)標(biāo)記，從而產(chǎn)生如圖3(e)所示的失真檢索波形。下面解釋這種情況。由于來(lái)自前部的熱擴(kuò)散，熱量尤其會(huì)在長(zhǎng)標(biāo)記的后部累積，從而使后部熔化區(qū)增加，并且熔化區(qū)的形狀較精確地變形為非晶態(tài)標(biāo)記的形狀，其原因是冷卻速度在整個(gè)區(qū)域當(dāng)中一直較高。
當(dāng)在整個(gè)標(biāo)記長(zhǎng)度中沒(méi)有分布和適當(dāng)?shù)厥褂枚鄠€(gè)空閑脈沖部分時(shí)，如圖3(b)和3(d)所示，盡管程度不同，但在該標(biāo)記的某些地方再結(jié)晶會(huì)變得明顯，從而防礙了非晶態(tài)長(zhǎng)標(biāo)記的良好成形并引起檢索波形的失真。
插入空閑脈沖部分可以使范圍從長(zhǎng)標(biāo)記前端到后端的記錄層的溫度相對(duì)于時(shí)間的變化明顯，從而防止標(biāo)記由于記錄期間的再結(jié)晶而引起的質(zhì)量下降。
但是，如上所述，因?yàn)閰⒖紩r(shí)鐘周期T由于密度和速度的增加而變得更短，所以即使以傳統(tǒng)的方法提供空閑脈沖部分，也難以實(shí)現(xiàn)快速冷卻，從而使標(biāo)記的前半部分再結(jié)晶。
例如，當(dāng)時(shí)間長(zhǎng)度為4T的標(biāo)記需記錄在CD-RW這樣的相變類(lèi)可重寫(xiě)光盤(pán)上時(shí)，通過(guò)傳統(tǒng)的n-k分割方案(k＝1)，可在形成非晶態(tài)標(biāo)記的過(guò)程中用下面的脈沖照射α1T，β1T，α2T，β2T，α3T，β3T在此，標(biāo)記的起始端通過(guò)施加記錄脈沖α1T而熔化，之后，通過(guò)施加隨后的記錄脈沖α2T，α3T而產(chǎn)生的熱量向標(biāo)記的前部傳導(dǎo)。圖4是標(biāo)記起始端的溫度隨時(shí)間變化的示意圖，圖4(a)表示線(xiàn)速度低的情況，圖4(b)表示線(xiàn)速度高的情況。在這兩種情況之任意一種情況中，可以觀察到由于α1T，α2T，α3T產(chǎn)生的三個(gè)升溫過(guò)程以及由于β1T，β2T，β3T引起的三個(gè)冷卻過(guò)程。
如圖4(a)所示，在低線(xiàn)速度的情況下，在β1T，β2T具有充分的冷卻時(shí)間，在它們每一個(gè)期間，冷卻層的溫度可降至結(jié)晶溫度以下。但在高線(xiàn)速度時(shí)，如圖4(b)所示，由于參考時(shí)鐘周期T與線(xiàn)速度呈反比減小，所以由α1T熔化的記錄層由下一個(gè)α2T并接著由α3T加熱，而不會(huì)冷卻到結(jié)晶溫度范圍以下。記錄層停留在結(jié)晶溫度范圍內(nèi)的時(shí)間在高線(xiàn)速度的T4+T5+T6要比在低線(xiàn)速度的T1+T2+T3長(zhǎng)得多，因此可以理解，在線(xiàn)速度快時(shí)更可能出現(xiàn)再結(jié)晶。在組成物接近SbTe低共熔組成物的用作相變記錄層的合金中，晶體可能會(huì)在非晶態(tài)/晶體邊界處生長(zhǎng)，因此，再結(jié)晶容易在標(biāo)記的外部區(qū)域出現(xiàn)。在這里，低速指的是低于大約10倍速(T＝小于23.1納秒)，高速指的是約為10倍速或更高。
如上所述，在相變介質(zhì)中，由于參考時(shí)鐘周期T因?yàn)槊芏群退俣鹊脑黾佣兌蹋岳脗鹘y(tǒng)脈沖分割方案可能會(huì)出現(xiàn)再結(jié)晶，從而引起一個(gè)嚴(yán)重的問(wèn)題，即在長(zhǎng)標(biāo)記中心部分不能產(chǎn)生所需程度的調(diào)制。
在非晶態(tài)標(biāo)記記錄在整個(gè)晶體區(qū)的相變介質(zhì)中，盡管通常利用高線(xiàn)速度容易保證足夠的冷卻速度來(lái)形成非晶體，但結(jié)晶時(shí)間難以保證。因此，相變介質(zhì)常常采用一種其成分易于結(jié)晶的記錄層，即一種其成分易于再結(jié)晶的記錄層。因此，重要的是增長(zhǎng)空閑脈沖部分來(lái)提高冷卻效果，但在高線(xiàn)速度期間，空閑脈沖部分反而會(huì)變短。
在為了增加相變介質(zhì)的密度而通過(guò)減小激光源波長(zhǎng)或增加數(shù)值孔徑來(lái)減小光束直徑的時(shí)候也會(huì)遇到類(lèi)似的問(wèn)題。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)波長(zhǎng)為780nm且數(shù)值孔徑NA＝0.50的激光變成波長(zhǎng)為400nm且數(shù)值孔徑為0.65的激光時(shí)，光束直徑幾乎限制到了一半。此時(shí)，激光束的能量分布變陡，使得加熱的部分容易冷卻，從而容易形成非晶態(tài)標(biāo)記。但這樣會(huì)使記錄層更難結(jié)晶。這種情況下必須提高冷卻效果。
本發(fā)明解決了上述問(wèn)題。本發(fā)明的一個(gè)目的就是提供一種光記錄方法和一種適用于該方法的光記錄介質(zhì)，即使在使用適于高密度記錄和高速記錄的短時(shí)鐘周期進(jìn)行標(biāo)記長(zhǎng)度記錄時(shí)也能夠以一種令人滿(mǎn)意的方式執(zhí)行記錄。
本發(fā)明的公開(kāi)本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)認(rèn)識(shí)到，上述目的可通過(guò)從傳統(tǒng)分割數(shù)中減少脈沖分割方案中的分割數(shù)m來(lái)實(shí)現(xiàn)。
從一個(gè)方面來(lái)看，本發(fā)明提供了一種光記錄方法，通過(guò)把光照射到記錄介質(zhì)上，以多個(gè)記錄標(biāo)記長(zhǎng)度來(lái)記錄標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制的信息，該光記錄方法包括的步驟是當(dāng)一個(gè)記錄標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度表示為nT時(shí)(T是參考時(shí)鐘周期，小于等于25ns，而n是一個(gè)大于等于2的自然數(shù))，把該記錄標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度nT以下面的順序分割成η1T，α1T，β1T，α2T，β2T，…，αiT，βiT，…，αmT，βmT，η2T(m是脈沖分割數(shù)；∑i(αi+βi)+η1+η2＝n；αi(1≤i≤m)是大于0的實(shí)數(shù)；βi(1≤i≤m-1)是大于0的實(shí)數(shù)；βm是大于等于0的實(shí)數(shù)；η1和η2是介于-2和2之間的實(shí)數(shù))；以及在αiT(1≤i≤m)的時(shí)間周期照射記錄功率為Pwi的記錄光，并在βiT(1≤i≤m-1)的時(shí)間周期照射偏置功率為Pbi的記錄光，偏置功率Pbi＜Pwi且Pbi＜Pwi+1；其中，對(duì)于至少一個(gè)記錄標(biāo)記的時(shí)間周期來(lái)說(shuō)，脈沖分割數(shù)m大于等于2，而對(duì)于所有記錄標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度來(lái)說(shuō)，它滿(mǎn)足n/m≥1.25。
從另一個(gè)方面來(lái)看，本發(fā)明提供了一種通過(guò)該光記錄方法記錄的相變型光記錄介質(zhì)，該相變型光記錄介質(zhì)的記錄層由MzGey(SbxTe1-x)1-y-z合金制成(其中0≤z≤0.1，0≤y≤0.3，0.8≤x；而且M是以下元素的至少之一，這些元素是In，Ga，Si，Sn，Pb，Pd，Pt，Zn，Au，Ag，Zr，Hf，V，Nb，Ta，Cr，Co，Mo，Mn，Bi，O，N和S)。
附圖簡(jiǎn)述

圖1是表示一種根據(jù)本發(fā)明產(chǎn)生記錄脈沖的典型記錄脈沖分割方案和典型方法的說(shuō)明圖。
圖2是表示傳統(tǒng)記錄脈沖分割方案的說(shuō)明圖。
圖3是表示記錄標(biāo)記的形狀以及相變光記錄介質(zhì)的反射率變化的示意圖。
圖4是在記錄光照射到相變光記錄介質(zhì)的記錄層上時(shí)溫度隨時(shí)間變化的例子。
圖5是EFM調(diào)制信號(hào)的檢索波形(眼圖)的示意圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的11T標(biāo)記的記錄脈沖的分割方案實(shí)例。
圖7是表示在本發(fā)明實(shí)施例1中的α1與標(biāo)記時(shí)間長(zhǎng)度之間的關(guān)系的圖。
圖8是表示在本發(fā)明實(shí)施例1中的β1和標(biāo)記時(shí)間長(zhǎng)度之間的關(guān)系的圖。
圖9是表示在本發(fā)明實(shí)施例1中的EFM隨機(jī)模式的記錄脈沖分割方案的實(shí)例。
圖10是表示在本發(fā)明實(shí)施例1中的標(biāo)記時(shí)間長(zhǎng)度/空白時(shí)間長(zhǎng)度的測(cè)量值與理論值之間的關(guān)系的圖。
圖11是11T標(biāo)記/11T空白的記錄脈沖的傳統(tǒng)分割方案實(shí)例。
圖12是表示根據(jù)本發(fā)明的脈沖分割方案的說(shuō)明圖。
圖13是表示用在圖12所示脈沖分割方案產(chǎn)生門(mén)脈沖的定時(shí)的說(shuō)明圖。
圖14是表示實(shí)施例3的(1)中的脈沖分割方案的說(shuō)明圖。
圖15是表示實(shí)施例3的(1)中的調(diào)制的相關(guān)性的圖。
圖16是表示實(shí)施例3的(2)中的脈沖分割方案的說(shuō)明圖。
圖17是表示實(shí)施例3的(2)中的標(biāo)記長(zhǎng)度(-▲-)和空白長(zhǎng)度(-○-)的αi的相關(guān)性的圖。
圖18是表示實(shí)施例3的(2)中的標(biāo)記長(zhǎng)度(-▲-)和空白長(zhǎng)度(-○-)的βi的相關(guān)性的圖。
圖19是表示實(shí)施例3的(2)中的標(biāo)記長(zhǎng)度(-▲-)和空白長(zhǎng)度(-○-)的βm的相關(guān)性的圖。
圖20是表示實(shí)施例3的(3)中的脈沖分割方案的說(shuō)明圖。
圖21是表示實(shí)施例3的(3)中的標(biāo)記長(zhǎng)度(-◇-)和空白長(zhǎng)度(-●-)以及它們的抖動(dòng)的圖。
圖22是表示實(shí)施例3的(4)中的脈沖分割方案的說(shuō)明圖。
圖23是表示實(shí)施例3的(4)中的標(biāo)記長(zhǎng)度(-◇-)和空白長(zhǎng)度(-●-)以及它們的抖動(dòng)的圖。
圖24是表示根據(jù)本發(fā)明的脈沖分割方案實(shí)例的說(shuō)明圖。
圖25是表示根據(jù)實(shí)施例4的脈沖分割方案實(shí)例以及獲得的調(diào)制與Tw/T的關(guān)系曲線(xiàn)的說(shuō)明圖。
圖26是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例4的脈沖分割方案實(shí)例的說(shuō)明圖。
圖27是表示調(diào)制和抖動(dòng)與功率的關(guān)系曲線(xiàn)以及抖動(dòng)與重寫(xiě)次數(shù)的關(guān)系曲線(xiàn)圖。
圖28是表示根據(jù)實(shí)施例4的脈沖分割方案的另一個(gè)例子的說(shuō)明圖。
本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例現(xiàn)在將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明。
本發(fā)明的光記錄方法減少脈沖分割方案中的分割數(shù)，即加長(zhǎng)記錄光的每個(gè)脈沖，從而使加熱光記錄介質(zhì)的光照射部分的時(shí)間相對(duì)于激光脈沖的響應(yīng)速度來(lái)說(shuō)足夠長(zhǎng)，并且還把光照射部分的冷卻時(shí)間設(shè)置得足夠長(zhǎng)。這樣，即使使用低至小于等于25nm的時(shí)鐘周期也能夠獲得令人滿(mǎn)意的標(biāo)記長(zhǎng)度記錄。
具體來(lái)說(shuō)，假設(shè)記錄標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度是nT(T是參考時(shí)鐘周期，它等于或小于25ns；n是等于大于2的自然數(shù))。記錄標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度nT以下面的順序分割η1T，α1T，β1T，α2T，β2T，…，αiT，βiT，…，αmT，βmT，η2T(m是脈沖分割數(shù)；∑i(αi+βi)+η1+η2＝n；αi(1≤i≤m)是大于0的實(shí)數(shù)；βi(1≤i≤m-1)是大于0的實(shí)數(shù)；βm是大于等于0的實(shí)數(shù)；η1和η2是大于等于-2(最好為0)并小于等于2(最好為1)的實(shí)數(shù))。在αiT(1≤i≤m)的時(shí)間長(zhǎng)度照射的是記錄功率為Pwi的記錄光，在βiT(1≤i≤m)的時(shí)間長(zhǎng)度照射的是偏置功率為Pbi的記錄光，Dbi具有的關(guān)系為Pbi＜Pwi且Pbi＜Pwi+1。對(duì)于至少一個(gè)記錄標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度來(lái)說(shuō)，上述脈沖分割數(shù)m被設(shè)置為大于等于2；對(duì)于所有記錄標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度來(lái)說(shuō)，n/m≥1.25。
也就是說(shuō)，盡管傳統(tǒng)的n-k分割方案把脈沖分割數(shù)m設(shè)置為n-k(k是1或2)，但本發(fā)明從一個(gè)不同的觀點(diǎn)定義脈沖分割數(shù)m。
在本發(fā)明中，對(duì)于至少一個(gè)記錄標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度來(lái)說(shuō)，上述脈沖分割數(shù)m被設(shè)置為大于等于2。但應(yīng)當(dāng)指出，這里并不需要對(duì)所有的nT標(biāo)記(時(shí)間長(zhǎng)度為nT的標(biāo)記；T是參考時(shí)鐘周期；n是一個(gè)等于或大于2的自然數(shù))執(zhí)行這種脈沖分割。在諸如2T、3T和4T這樣的短標(biāo)記中，熱累積的問(wèn)題相對(duì)較小，但脈沖響應(yīng)速度不能適應(yīng)脈沖分割的情況將會(huì)產(chǎn)生一個(gè)更為嚴(yán)重的問(wèn)題。因而最好只照射記錄功率為Pw的記錄光的一個(gè)脈沖，或者最好照射記錄功率為Pw的記錄光的一個(gè)脈沖以及偏置功率為Pb的記錄光的一個(gè)脈沖。
在本發(fā)明中，對(duì)于所有記錄標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度來(lái)說(shuō)，假定n/m≥1.25。
假設(shè)η1和η2均為0。那么，由于∑i(αi+βi)/m＝n/m，所以n/m的值對(duì)應(yīng)于(αi+βi)的平均長(zhǎng)度且(n/m)T的值對(duì)應(yīng)于分割脈沖的平均周期。
在傳統(tǒng)的n-k分割方案中，m＝n-k且k固定為1或2，這樣，n/m＝n/(n-1)或n/m＝n/(n-2)。這個(gè)值隨著n的增加而減小。這樣，如果我們?cè)O(shè)最長(zhǎng)的標(biāo)記時(shí)間長(zhǎng)度為nmaxT，則對(duì)于nmax來(lái)說(shuō)，n/m變?yōu)樽钚≈怠Ｒ簿褪钦f(shuō)，由于最短標(biāo)記的分割脈沖的平均周期最長(zhǎng)且最長(zhǎng)標(biāo)記的最短，所以最長(zhǎng)標(biāo)記的αiT和βiT最短。
例如，在EFM調(diào)制中，n＝3-11且k＝2，所以(nmax/m)＝11/(11-2)＝大約1.22。
類(lèi)似地，在EFM+調(diào)制中，n＝3-14且k＝2，所以(nmax/m)＝14/(14-2)＝大約1.16。
在(1，7)-RLL-NRZI調(diào)制中，n＝2-8且k＝1，所以(nmax/m)＝8/(8-1)＝大約1.14。
從上面可以看出，在傳統(tǒng)方案中，n/m的值約為1.22，1.16，1.14。當(dāng)參考時(shí)鐘周期T變得短于25納秒時(shí)，在最長(zhǎng)標(biāo)記中的分割脈沖的平均周期通常低于25納秒，記錄脈沖部分αiT的平均值或空閑脈沖部分βiT的平均值小于12.5納秒。這意味著，對(duì)于至少一個(gè)i來(lái)說(shuō)，αiT或者βiT小于12.5納秒。另外，當(dāng)時(shí)鐘周期T低于大約20納秒時(shí)，αiT或者βiT變得更小。
在上面的解釋當(dāng)中，如果特定的αi或βi變得大于平均值，那么這將意味著其它αi或βi變得更短并且仍然會(huì)存在αiT或βiT變得更小的情況。
為了更準(zhǔn)確地說(shuō)明，在n-k分割方案中，∑(αi+βi)并不是必須等于n，它也可以等于n-η(η＝0-2)。在這種情況下，αi或βi的平均值變得更小，從而帶來(lái)更為嚴(yán)重的問(wèn)題。
在本發(fā)明的光記錄方法中，對(duì)于范圍從短標(biāo)記到長(zhǎng)標(biāo)記的所有記錄標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度來(lái)說(shuō)，m的設(shè)置要滿(mǎn)足n/m≥1.25的條件。由此可使αiT和βiT的長(zhǎng)度足夠長(zhǎng)。例如，記錄脈沖部分αiT和空閑脈沖部分βiT通常被設(shè)置為略大于0.5T，以便于充分加熱記錄層，同時(shí)限制由隨后的脈沖所提供的熱量，從而產(chǎn)生充分的冷卻效果。
尤其是在長(zhǎng)標(biāo)記時(shí)，標(biāo)記的形狀由于熱量累積而容易變形。因此，對(duì)于標(biāo)記7T或時(shí)間長(zhǎng)度更長(zhǎng)的標(biāo)記來(lái)說(shuō)，n/m最好應(yīng)當(dāng)設(shè)置為1.5或更大。當(dāng)然，對(duì)于短標(biāo)記6T或更短的標(biāo)記來(lái)說(shuō)，n/m優(yōu)選設(shè)置為1.5或更大，最好為1.8或更大。
但應(yīng)當(dāng)指出，由于過(guò)大的n/m值會(huì)使熱累積增加，因此n/m通常優(yōu)選設(shè)置為4或更小，最好為3或更小。
本發(fā)明的光記錄方法會(huì)隨著參考時(shí)鐘周期T的減小而產(chǎn)生更大的效果，并且該參考時(shí)鐘周期優(yōu)選設(shè)置為20nm或更小，最好為15ns或更小。一個(gè)非常短的時(shí)鐘周期實(shí)際上是難以實(shí)現(xiàn)的，通常時(shí)鐘周期優(yōu)選為0.1ns或更大，或者優(yōu)選為1ns或更大，或者最好為3ns或更大。由于時(shí)鐘周期T減小，因此希望n/m的最小值增加。
在本發(fā)明中的記錄標(biāo)記被看作是在記錄介質(zhì)中連續(xù)形成的物理標(biāo)記并可在光學(xué)上與其它部分區(qū)別開(kāi)。也就是說(shuō)，本發(fā)明并不通過(guò)再現(xiàn)系統(tǒng)的處理把滿(mǎn)足條件n/m≥1.25的傳統(tǒng)n-k分割方案的2T、3T和4T標(biāo)記結(jié)合在一起并將它們看作是一個(gè)長(zhǎng)標(biāo)記。然而，在本發(fā)明中，記錄標(biāo)記可由低于檢索光的光學(xué)分辨率的多個(gè)物理標(biāo)記形成。如果我們假設(shè)用來(lái)聚焦檢索光的物鏡的數(shù)值孔徑為NA且檢索光的波長(zhǎng)為λ，那么當(dāng)物理標(biāo)記彼此間隔為0.2(λ/NA)或更大時(shí)，這些物理標(biāo)記可從光學(xué)上被識(shí)別為獨(dú)立的標(biāo)記。因此，當(dāng)使用多個(gè)物理標(biāo)記形成一個(gè)記錄標(biāo)記時(shí)，它們彼此最好相隔不到0.2(λ/NA)。
在本發(fā)明中，與分割脈沖相關(guān)的參數(shù)，如αi，βi，η1，η2，Pw和Pb可根據(jù)需要依據(jù)標(biāo)記長(zhǎng)度和i而改變。
另外，在本發(fā)明中，從保證照射光響應(yīng)能力的角度出發(fā)，記錄脈沖部分αiT(1≤i≤m)的平均值和空閑脈沖部分βiT(1≤i≤m-1)的平均值均優(yōu)選設(shè)置為3納秒或更長(zhǎng)，或優(yōu)選為5納秒或更長(zhǎng)，或者最好為10納秒或更長(zhǎng)。更進(jìn)一步，各個(gè)αiT(1≤i≤m)和βiT(1≤i≤m-1)優(yōu)選設(shè)置為3納秒或更長(zhǎng)，或5納秒或更長(zhǎng)，或者特別優(yōu)選為10納秒或更長(zhǎng)。通常在記錄處理期間使用的激光束的功率的上升時(shí)間和下降時(shí)間最好應(yīng)當(dāng)設(shè)置為最小的αiT(1≤i≤m)和βiT(1≤i≤m)的50％或更小。
在本發(fā)明中，盡管在最后空閑脈沖部分βmT期間可設(shè)置βm為0從而不發(fā)光，但如果標(biāo)記結(jié)尾的熱累積問(wèn)題嚴(yán)重的話(huà)，則最好提供βmT。此時(shí)，βmT一般優(yōu)選設(shè)置為3納秒或更長(zhǎng)，或者更進(jìn)一步為5納秒或更長(zhǎng)，或者最好為10納秒或更長(zhǎng)。
當(dāng)記錄脈沖部分αiT(1≤i≤m)大于等于3納秒，尤其是大于等于5納秒時(shí)，記錄所需的照射能量可通過(guò)增加記錄功率Pwi來(lái)保證，不過(guò)也會(huì)存在記錄光前/后沿的問(wèn)題。
另一方面，當(dāng)空閑脈沖部分βiT(1≤i≤m-1)也大于等于3納秒，尤其是大于等于5納秒時(shí)，冷卻效果可通過(guò)把偏置功率Pb降低至接近檢索光功率Pr或0來(lái)保證，只要這樣不會(huì)損害尋跡伺服等即可。
為了獲得更好的冷卻效果，我們希望把與所有記錄標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度相關(guān)的∑i(αi)設(shè)置為小于等于0.6n，尤其是等于或小于0.5n。最好把∑i(αi)設(shè)置為等于小于0.4n。也就是說(shuō)，記錄脈沖部分之和∑i(αiT)設(shè)置為比∑i(βiT)短，這樣，每個(gè)標(biāo)記中的空閑脈沖部分較長(zhǎng)。特別是，對(duì)于i＝2至m-1的所有i來(lái)說(shuō)，優(yōu)選αiT≤βiT，即，在至少第二脈沖之后的記錄脈沖串中，βiT要長(zhǎng)一些。
在本發(fā)明的記錄方法中，αi(1≤i≤m)和βi(1≤i≤m-1)的值根據(jù)記錄脈沖部分αiT(1≤i≤m)和空閑脈沖部分βiT(1≤i≤m-1)的值進(jìn)行適當(dāng)?shù)卦O(shè)置，并且通常設(shè)置為等于大于0.01(優(yōu)選為等于大于0.05)，并且通常設(shè)置為等于小于5(優(yōu)選為等于小于3)。過(guò)小的βi(1≤i≤m-1)值會(huì)導(dǎo)致不充分的冷卻效果，因此優(yōu)選設(shè)置為0.5或更大，最好為1或更大。另一方面，過(guò)大的βi值會(huì)導(dǎo)致過(guò)冷卻并會(huì)引起記錄標(biāo)記的光學(xué)分離。因而優(yōu)選設(shè)置為2.5或更小，最好為2或更小。這樣設(shè)置對(duì)第一空閑脈沖部分βiT的效果特別大，因?yàn)榈谝豢臻e脈沖部分βiT對(duì)標(biāo)記前端的形狀有很大的影響。
上述情況也適用于對(duì)標(biāo)記后端的形狀有很大影響的最后空閑脈沖部分βmT。因此，βmT一般設(shè)置為0.1或更大，優(yōu)選為0.5或更大，最好為1或更大，并且一般設(shè)置為2.5或更小，最好為2或更小。從簡(jiǎn)化電路的角度考慮，起始脈沖部分α1T與最后脈沖部分αmT之間的一些中間脈沖部分(組)αiT(2≤i≤m-1)的轉(zhuǎn)換周期最好設(shè)置為常數(shù)。具體來(lái)說(shuō)，(αi+βi)T(2≤i≤m-1)或(αi+βi-1)T(2≤i≤m-1)優(yōu)選設(shè)置為1.5T、2T或2.5T。
在本發(fā)明中，在空閑脈沖部分βiT(1≤i≤m-1)期間照射的記錄光的功率Pbi設(shè)置為小于記錄脈沖部分αiT和αi+1T期間照射的記錄光的功率Pwi和Pwi+1。為了獲得良好的冷卻效果，對(duì)于所有記錄標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度來(lái)說(shuō)，優(yōu)選設(shè)置Pbi＜Pwi。更進(jìn)一步，優(yōu)選設(shè)置Pbi/Pwi≤0.5，再進(jìn)一步，優(yōu)選設(shè)置為Pbi/Pwi≤0.2。偏置功率Pb可設(shè)置為等于檢索期間照射的光的功率Pr。這將簡(jiǎn)化脈沖分割所需的分割脈沖電路的設(shè)置。
對(duì)于一個(gè)特定記錄標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度來(lái)說(shuō)，可根據(jù)i來(lái)使用Pbi和/或Pwi的兩個(gè)或多個(gè)不同的值。具體來(lái)說(shuō)，把起始記錄脈沖部分α1T與最后記錄脈沖部分αmT中使用的記錄功率Pw1和Pwm設(shè)置為與中間記錄脈沖部分αiT(2≤i≤m-1)的記錄功率Pwi的值不同可以準(zhǔn)確控制標(biāo)記前后端的形狀。最好，中間記錄脈沖部分αiT(2≤i≤m-1)的記錄功率Pwi盡可能實(shí)際上設(shè)置為相同的值，這樣可簡(jiǎn)化分割脈沖電路的設(shè)置。類(lèi)似地，除非有合理的原因，否則空閑脈沖部分βiT(1≤i≤m-1)的偏置功率Pbi最好盡可能實(shí)際上設(shè)置為相同的值。對(duì)于相同的i來(lái)說(shuō)，至少兩個(gè)具有不同n的記錄標(biāo)記可具有不同的Pwi和/或Pbi值。
在本發(fā)明中，盡管沒(méi)有對(duì)什么樣的光功率需照射到不形成記錄標(biāo)記的空白上進(jìn)行限制規(guī)定，但要照射的光最好具有功率Pe，且Pbi≤Pe＜Pwi。在可重寫(xiě)記錄介質(zhì)中，功率Pe是擦除功率，它用來(lái)擦除記錄標(biāo)記。在這種情況下，在(n-(η1+η2))T部分期間最好照射功率等于或大于偏置功率Pbi且等于或小于擦除功率Pe的光。把光的功率設(shè)置為等于偏置功率Pbi或擦除功率Pe有利于分割脈沖電路的設(shè)置。當(dāng)在η1T部分期間照射具有偏置功率Pb的光時(shí)，該偏置功率為Pb的光在起始記錄脈沖α1T部分之前照射，從而盡可能減小了前面記錄標(biāo)記的熱影響。
根據(jù)所使用的光記錄介質(zhì)的不同，記錄功率Pw和偏置功率Pb或擦除功率Pe具有不同的物理功能。
例如，在磁光介質(zhì)的情況下，Pw或Pe是使記錄層溫度提高到至少在居里溫度附近以上所必需的功率，以便于容易出現(xiàn)磁化反轉(zhuǎn)。在所謂的光調(diào)制可重寫(xiě)磁光介質(zhì)中，Pw大于Pe，是使具有不同居里點(diǎn)的多個(gè)磁層的溫度高于居里點(diǎn)溫度之一的功率。
在相變介質(zhì)的情況下，在通過(guò)結(jié)晶執(zhí)行記錄時(shí)，Pw是使記錄層溫度高于結(jié)晶溫度的功率?；蛘撸谕ㄟ^(guò)轉(zhuǎn)變?yōu)榉蔷B(tài)來(lái)執(zhí)行記錄時(shí)，Pw是使記錄層溫度至少高于其熔點(diǎn)的功率。當(dāng)通過(guò)非晶化記錄和結(jié)晶擦除執(zhí)行重寫(xiě)時(shí)，Pe是使記錄層溫度至少高于結(jié)晶溫度的功率。
在通過(guò)金屬或有機(jī)記錄層的凹坑化或變形來(lái)執(zhí)行記錄的一次寫(xiě)入式介質(zhì)中，Pw是使記錄層溫度提高到可引起軟化、熔化、汽化、分解或化學(xué)反應(yīng)的溫度所必需的功率。
盡管各種記錄介質(zhì)的記錄功率Pw和偏置功率Pb的值彼此不同，但在可重寫(xiě)相變介質(zhì)中，舉例來(lái)說(shuō)，記錄功率Pw通常約為1-100mW，且偏置功率Pb約為0.01-10mW。
無(wú)論使用什么介質(zhì)，記錄功率Pw均為把記錄層溫度提高到使記錄層發(fā)生某些光學(xué)變化的溫度或保持該溫度所必需的激光束功率。而偏置功率Pb是至少低于記錄功率Pw的功率。通常，偏置功率Pb低于記錄功率Pw和擦除功率Pe，并且不會(huì)使記錄層發(fā)生任何物理變化。
上述熱累積問(wèn)題在執(zhí)行標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制記錄的各種光盤(pán)中普遍存在，如相變類(lèi)、磁光類(lèi)和一次寫(xiě)入式光記錄介質(zhì)。
在其中的可重寫(xiě)相變介質(zhì)中，由于標(biāo)記記錄和標(biāo)記擦除是通過(guò)準(zhǔn)確控制記錄層的加熱速度和冷卻速度這兩個(gè)溫度參數(shù)來(lái)同時(shí)執(zhí)行的，因此與其它一次寫(xiě)入式介質(zhì)和磁光介質(zhì)相比，通過(guò)空閑脈沖冷卻記錄層的功能更重要一些。因而，本發(fā)明對(duì)相變型記錄介質(zhì)特別有效。
在本發(fā)明利用脈沖分割的記錄方法中，相同的脈沖分割數(shù)m可用在脈沖記錄標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度nT的n不同的至少兩個(gè)記錄標(biāo)記上。相同的m值通常用于具有相近時(shí)間長(zhǎng)度的nT標(biāo)記中，如3T標(biāo)記和4T標(biāo)記。通過(guò)設(shè)置相等的m值，至少αi(1≤i≤m)、βi(1≤i≤m)、η1、η2、Pwi(1≤i≤m)和PbI(1≤i≤m)之一與其它值不同。這樣可把具有相同分割數(shù)的標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度彼此區(qū)分開(kāi)。
可以不考慮n值的大小來(lái)設(shè)置分割數(shù)m，但分割數(shù)m最好設(shè)置為隨著標(biāo)記的變長(zhǎng)而單調(diào)遞增，即m值增加(包括保持相同值的情況)。
根據(jù)本發(fā)明的脈沖分割方案的例子表示如下。
(分割方案例1)舉例來(lái)說(shuō)，在形成3T-11T標(biāo)記的EFM調(diào)制中，n＝3時(shí)，m＝1，而且n≥4(4，5，6，7，8，9，10，11)時(shí)m增加。也就是說(shuō)，隨著n值增加為n＝3，4，5，6，7，8，9，10，11分割數(shù)m也隨之增加為m＝1，2，3，4，5，6，7，8。
當(dāng)n＝11時(shí)，n/m的值最小，為1.38，當(dāng)n＝3時(shí)為最大值3。
(分割方案例2)同樣在EFM調(diào)制中，隨著n值增加為n＝3，4，5，6，7，8，9，10，11分割數(shù)m也隨之增加為m＝1，2，2，3，4，5，6，6，6。
當(dāng)n＝9時(shí)，n/m的值最小，為1.5，當(dāng)n＝3時(shí)為最大值3。
(分割方案例3)同樣在EFM調(diào)制中，隨著n值增加為n＝3，4，5，6，7，8，9，10，11分割數(shù)m也隨之增加為m＝1，2，2，3，3，4，5，5，5。
當(dāng)n＝9時(shí)，n/m的值最小，為1.8，當(dāng)n＝3時(shí)為最大值3。
當(dāng)相同的脈沖分割數(shù)m用在n值不同的至少兩個(gè)記錄標(biāo)記上時(shí)，脈沖周期τi＝αi+βi和占空比(αi/(αi+βi))可以改變。這個(gè)過(guò)程的例子表示如下。
(分割方案例4)最簡(jiǎn)單的分割方案是等分，使得在m≥2時(shí)脈沖周期τi＝nT/m。
但是，把nT簡(jiǎn)單地分成相等的部分會(huì)使τi的值完全與參考時(shí)鐘周期T的定時(shí)和長(zhǎng)度無(wú)關(guān)。
(分割方案例5)脈沖周期τi最好與參考時(shí)鐘周期T或除以整數(shù)的參考時(shí)鐘周期T(優(yōu)選為1/2T、1/4T、1/5T、1/10T)同步，因?yàn)檫@將允許脈沖的前/后沿利用作為參考的基本時(shí)鐘進(jìn)行控制。此時(shí)，∑i(τi)＝∑i(αi+βi)不必與n一致，并且會(huì)產(chǎn)生多余的時(shí)間，這樣必須校正脈沖長(zhǎng)度。脈沖照射時(shí)間之和最好設(shè)置為小于n，這是因?yàn)榘言摵驮O(shè)置為大于n將使標(biāo)記長(zhǎng)度太長(zhǎng)。
因而提供部分η1T、η2T以使∑i(αi+βi)+(η1+η2)＝n(η1和η2均為實(shí)數(shù)，0≤η1、0≤η2)，并且這些部分在分割數(shù)m相同但長(zhǎng)度不同的兩個(gè)記錄標(biāo)記的每個(gè)標(biāo)記中都有變化。在部分η1T、η2T期間可照射偏壓功率為Pb的光。此時(shí)優(yōu)選0≤(η1+η2)≤1。
上面的η1和η2也可用來(lái)校正從其它的之前和/或之后標(biāo)記傳送的熱量的影響。在這種情況下，η1T和η2T的時(shí)間長(zhǎng)度可根據(jù)之前和/或之后標(biāo)記的標(biāo)記長(zhǎng)度和/或空白長(zhǎng)度進(jìn)行變化。
可以只使用分割脈沖的第一η1T或最后η2T而把另一個(gè)設(shè)置為0，或者在0≤(η1+η2)≤1的范圍內(nèi)使用二者。也可在部分η1T和η2T期間照射不是偏置功率Pb的光以便對(duì)齊標(biāo)記長(zhǎng)度，或是更準(zhǔn)確地控制從之前和/或之后標(biāo)記傳送的熱量的影響。
(分割方案例6)根據(jù)i的不同，分割脈沖周期τi和占空比(αi/(αi+βi))可進(jìn)行變化。利用這種方法可改善標(biāo)記前后端的抖動(dòng)(起伏)，這對(duì)于標(biāo)記長(zhǎng)度記錄來(lái)說(shuō)是重要的。
具體來(lái)說(shuō)，使第一記錄脈沖周期τ1和/或最后記錄脈沖周期τm與中間脈沖的記錄脈沖周期τi(2≤i≤m-1)不同。
此時(shí)可根據(jù)之前和/或之后標(biāo)記長(zhǎng)度或空白長(zhǎng)度略微調(diào)節(jié)第一和/或最后脈沖的τ1、α1、β1、τm、αm和βm。
第一記錄脈沖部分α1T優(yōu)選設(shè)置為比任何隨后記錄脈沖部分α2T，…，αmT都大。也可把記錄功率Pw1優(yōu)選設(shè)置為比之后的記錄脈沖部分α2T，…，αmT的記錄功率Pwi大。這些方法有效地改善了下述檢索信號(hào)的不對(duì)稱(chēng)值。
在諸如具有3T和4T的時(shí)間長(zhǎng)度這樣的短標(biāo)記中的熱累積效應(yīng)小，因此標(biāo)記容易成為比所需的稍短一些。在這種情況下，通過(guò)把記錄脈沖部分α1T加長(zhǎng)一定的程度或者把記錄脈沖部分α1T中的記錄功率Pwi設(shè)置為略高于要求就可以嚴(yán)格控制標(biāo)記時(shí)間長(zhǎng)度。
在重寫(xiě)相變介質(zhì)晶體區(qū)中的非晶態(tài)標(biāo)記時(shí)，改變第一脈沖或最后脈沖的方法特別有效。
改變第一記錄脈沖部分α1T可控制相變介質(zhì)中記錄層首先熔化區(qū)的寬度。
最后空閑脈沖βmT在防止相變介質(zhì)記錄層再結(jié)晶方面是重要的，并且也是確定在其中記錄層成為非晶態(tài)的區(qū)域的重要脈沖。
當(dāng)非晶態(tài)標(biāo)記形成時(shí)，已經(jīng)熔化的標(biāo)記后端部分的區(qū)域再次結(jié)晶，從而使實(shí)際形成的非晶態(tài)標(biāo)記小于熔化區(qū)。加長(zhǎng)空閑脈沖部分，即增加冷卻時(shí)間長(zhǎng)度可以防止再結(jié)晶，增長(zhǎng)非晶態(tài)部分。因此，通過(guò)改變最后空閑脈沖部分βmT的長(zhǎng)度可以改變標(biāo)記后端部分保持在結(jié)晶時(shí)間的時(shí)間，從而在很大程度上改變標(biāo)記的長(zhǎng)度。
反之，通過(guò)改變中間參數(shù)τi、αi、βi(2≤i≤m-1)而不改變?chǔ)?、α1、β1、τm、αm和βm，在不影響標(biāo)記邊緣的情況下可以控制調(diào)制度。
下面將解釋實(shí)現(xiàn)上述分割方案的產(chǎn)生分割記錄脈沖的方法。
上面的脈沖分割基本上可通過(guò)針對(duì)每個(gè)標(biāo)記時(shí)間長(zhǎng)度nT制定可編程的分割方案納入ROM芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)。然而，要同一個(gè)脈沖產(chǎn)生電路有很大的靈活性會(huì)使電路復(fù)雜。因此，下面的兩個(gè)脈沖產(chǎn)生方法可被優(yōu)選使用。它們可提供幾乎能夠容易地處理所有介質(zhì)的脈沖。
(分割記錄脈沖產(chǎn)生方法1)對(duì)于進(jìn)行圖1(a)所示的EFM調(diào)制的標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制數(shù)據(jù)100來(lái)說(shuō)，可應(yīng)用圖1(b)所示的分割方案101。也就是說(shuō)進(jìn)行如下的分割
n＝3，4，5，6，7，8，9，10，11時(shí)，m＝1，1，2，3，3，4，5，5，5。
此時(shí)，在圖1(c)所示定時(shí)產(chǎn)生時(shí)鐘的電路門(mén)脈沖1、門(mén)脈沖2、門(mén)脈沖3、門(mén)脈沖4被組合在一起來(lái)實(shí)現(xiàn)圖1(b)所示的分割方案。
在圖1(c)中，以102表示的門(mén)脈沖1產(chǎn)生延遲時(shí)間為T(mén)d1的第一記錄脈沖α1T。以103表示的門(mén)脈沖2產(chǎn)生延遲時(shí)間為T(mén)d2的第二以及之后的中間記錄脈沖組αiT。以104表示的門(mén)脈沖3產(chǎn)生具有偏置功率Pb的脈沖和具有功率Pe的脈沖。也就是說(shuō)，當(dāng)門(mén)脈沖1、門(mén)脈沖2和門(mén)脈沖4不產(chǎn)生記錄脈沖時(shí)，具有偏置功率Pb的空閑脈沖βiT在電平低時(shí)被檢索并且具有功率Pe的脈沖在電平高時(shí)被檢索。門(mén)脈沖3和Td1決定(n-(η1+η2))T。在已經(jīng)產(chǎn)生中間記錄脈沖組αiT之后，以105表示的門(mén)脈沖4產(chǎn)生延遲時(shí)間為T(mén)d3的最后記錄脈沖αmT。在門(mén)脈沖3處于低電平的部分當(dāng)中，當(dāng)記錄脈沖處于高電平時(shí)，它們相對(duì)于空閑脈沖具有優(yōu)選權(quán)。
β1T可由延遲時(shí)間Td2和α1T獨(dú)立控制，βmT可由門(mén)脈沖3和αmT獨(dú)立控制。
在門(mén)脈沖1產(chǎn)生α1T脈沖的部分中，使用記錄功率Pw1；在門(mén)脈沖2產(chǎn)生中間脈沖組αiT的部分中，使用記錄功率Pw2；在門(mén)脈沖4產(chǎn)生αmT脈沖的部分中，使用記錄功率Pw3。這種安排允許在第一脈沖部分、中間脈沖部份組和最后脈沖部分的每一個(gè)中獨(dú)立地控制記錄功率。
為了在第一和最后部分中獨(dú)立控制記錄脈沖寬度和記錄功率，中間脈沖的周期由γi＝αi+βi-1(2≤i≤m-1)定義，其中Td2作為起始點(diǎn)，并且在γi＝1-3時(shí)γi設(shè)置為接近常數(shù)。在這種情況下，βi被自動(dòng)確定。在圖1中，γi＝1.5。但是應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于β1來(lái)說(shuō)，Td2被定義用于(Td2-(Td1+α1T))的校正，并且β1因此可被處理為獨(dú)立的參數(shù)。
在另一種情況下，假設(shè)門(mén)脈沖的定時(shí)與參考時(shí)間周期T或參考時(shí)鐘周期除以整數(shù)的基本時(shí)鐘同步，并假設(shè)αi和βi由占空比相對(duì)于基本時(shí)鐘來(lái)定義。
如果n小于預(yù)定值nc，貝m＝1，門(mén)脈沖2不產(chǎn)生中間脈沖組。如果n等于或大于nc，則預(yù)定數(shù)目的脈沖根據(jù)上面的(分割方案例3)檢索。在圖1中，nc設(shè)為5并且當(dāng)n等于或小于4時(shí)，m＝1；在n大于等于5時(shí)，產(chǎn)生中間脈沖。在此，假設(shè)根據(jù)n產(chǎn)生在數(shù)目上等于存儲(chǔ)在ROM存儲(chǔ)器中的分割數(shù)的中間脈沖。
由門(mén)脈沖4產(chǎn)生的最后脈沖αmT僅僅在n≥nc+1時(shí)產(chǎn)生。這可由圖1中的9T標(biāo)記表示。
當(dāng)n＝nc時(shí)，該脈沖被分成兩個(gè)脈沖，即第一脈沖和一個(gè)中間脈沖。在圖1中，這種情況由5T標(biāo)記表示。
當(dāng)時(shí)間長(zhǎng)度不同的多個(gè)標(biāo)記均被分割成數(shù)目相同的分割時(shí)，如果諸如圖1的3T標(biāo)記和4T標(biāo)記均由一對(duì)記錄脈沖和空閑脈沖記錄，則在3T標(biāo)記和4T標(biāo)記之間至少要區(qū)別開(kāi)α1、β1、η1和η2，如果進(jìn)一步要求的話(huà)，還要區(qū)分Pw1和Pw3。
(分割記錄脈沖產(chǎn)生方法2)下面的描述涉及一種分割記錄脈沖產(chǎn)生方法，該方法基于通過(guò)對(duì)周期為T(mén)的參考時(shí)鐘進(jìn)行分頻獲得的周期為2T的時(shí)鐘信號(hào)。這種方法比分割記錄脈沖產(chǎn)生方法1有更多的限制，但它的優(yōu)點(diǎn)是允許根據(jù)較常用的規(guī)則設(shè)置邏輯電路。
脈沖產(chǎn)生方法2的特征在于，處理過(guò)程根據(jù)nT中的n值是奇數(shù)還是偶數(shù)來(lái)確定。
也就是說(shuō)，對(duì)于n為偶數(shù)(即標(biāo)記長(zhǎng)度是nT＝2LT(L是大于等于2的整數(shù)))的標(biāo)記的記錄來(lái)說(shuō)，該標(biāo)記被分割為m＝L個(gè)部分，并且記錄脈沖部分αiT和空閑脈沖部分βiT中的αi和βi定義如下α1+β1＝2+δ1αi+βi＝2(2≤i≤m-1)αm+βm＝2+δ2(其中，δ1和δ2是實(shí)數(shù)，它們滿(mǎn)足-0.5≤δ1≤0.5，-1≤δ2≤1；而且當(dāng)L＝2時(shí)，假設(shè)只存在α1，β1，αm和βm)。
另一方面，對(duì)于n為奇數(shù)(即標(biāo)記長(zhǎng)度是nT＝(2L+1)T)的標(biāo)記的記錄來(lái)說(shuō)，該標(biāo)記被分割為m＝L個(gè)部分，并且記錄脈沖部分αi’T和空閑脈沖部分βi’T中的αi’和βi’定義如下α1’+β1’＝2.5+δ1’αi’+βi’＝2(2≤i≤m-1)αm’+βm’＝2.5+δ2’(其中，δ1’和δ2’是實(shí)數(shù)，它們滿(mǎn)足-0.5≤δ1’≤0.5，-1≤δ2’≤1；而且當(dāng)L＝2時(shí)，假設(shè)只存在α1’，β1’，αm’和βm’)。
另外，在脈沖產(chǎn)生方法2中滿(mǎn)足下面的等式α1+β1+αm+βm+Δ＝α1’+β1’+αm’+βm’(式中，Δ＝0.8-12)在上面的脈沖產(chǎn)生方法2中，α1、β1、α1’、β1’、δ1、δ2、、δ1’和δ2’可根據(jù)L的值而變化。在脈沖產(chǎn)生方法2中，在形成具有n＝2L和n＝(2L+1)的記錄標(biāo)記的處理過(guò)程中，它們均被分割為相同分割數(shù)L的記錄脈沖。也就是說(shuō)，當(dāng)n為2，3，4，5，6，7，8，9，…時(shí)，分割數(shù)m分別被設(shè)置為1，1，2，2，3，3，4，4，…。具體來(lái)說(shuō)，在EFM調(diào)制信號(hào)中，當(dāng)n＝3，4，5，6，7，8，9，10，11時(shí)，分割數(shù)m依次設(shè)置為m＝1，2，2，3，3，4，4，5，5。在EFM+信號(hào)中，增加n＝14。此時(shí)，分割數(shù)m設(shè)置為7。在(1，7)-RLL-NRZI調(diào)制中，存在n＝2的情況，在該情況下，分割數(shù)m設(shè)置為1。
在脈沖產(chǎn)生方法2中，具有相同分割數(shù)m＝L和不同長(zhǎng)度的兩個(gè)記錄標(biāo)記只有第一脈沖周期(α1+β1)T和最后脈沖周期(αm+βm)T彼此不同。也就是說(shuō)，對(duì)于(α1+β1+αm+βm)來(lái)說(shuō)，(α1’+β1’+αm’+βm’)被增加了Δ(Δ＝0.8-1.2)。Δ通常為1，但考慮到來(lái)自之前和之后記錄標(biāo)記的熱干擾的影響，它也可在大約0.8-1.2的范圍內(nèi)變化。
δ1和δ2以及δ1’和δ2’被調(diào)節(jié)到保證每個(gè)標(biāo)記長(zhǎng)度將精確為nT并減小標(biāo)記兩端的抖動(dòng)。它們通常為-0.5≤δ1≤0.5，-0.5≤δ1’≤0.5。-1≤δ2≤1和-1≤δ2’≤1。前后端的校正量最好相等，即|δ2/δ1|和|δ2’/δ1’|最好均在0.8-1.2的范圍內(nèi)。
分割數(shù)相同的兩個(gè)記錄標(biāo)記最好以使它們的標(biāo)記長(zhǎng)度差1T在前端側(cè)約為0.5T且在后端側(cè)約為0.5T的方式形成。亦即，α1+β1+Δ1＝α1’+β1’(其中Δ1＝0.4-0.6)。
在這種情況下，后端側(cè)通常為αm+βm+Δ2＝αm’+βm’(其中Δ2＝0.4-0.6且Δ1+Δ2＝Δ)。
最好把δ1設(shè)置為約等于0且δ1’約等于0，因?yàn)檫@樣將允許使用一種可產(chǎn)生與標(biāo)記前端同步的分割脈沖的電路。標(biāo)記前端的位置幾乎是由在α1T的記錄功率的激光束前沿確定的，并且其抖動(dòng)由α1和β1的占空比以及α1’和β1’的占空比來(lái)確定。因此，在本方法中，設(shè)置δ1＝0和δ1’＝0.5可以令人滿(mǎn)意地控制標(biāo)記前端的位置和抖動(dòng)。
標(biāo)記后端的位置取決于δ2(和δ2’)，即標(biāo)記后端的分割脈沖周期(αm+βm)T(和(αm’+βm’)T)的值也取決于αm和βm的占空比(以及αm’和βm’的占空比)的值。另外，標(biāo)記后端的位置也取決于后端的記錄脈沖αmT(和αm’T)的后沿位置和在該后沿位置之前和之后的記錄層冷卻處理過(guò)程。尤其是在形成非晶態(tài)標(biāo)記的相變介質(zhì)中，標(biāo)記后端的位置取決于對(duì)記錄層的冷卻速度具有很大影響的后端的空閑脈沖部分βmT(和βm’T)的值。因此，在后端的分割脈沖周期(αm+βm)T不必是0.5T或1T，并且可利用大約0.1T，優(yōu)選為0.05T，或者最好為0.025T的分辨率進(jìn)行細(xì)調(diào)。
在脈沖產(chǎn)生方法2中，可針對(duì)每個(gè)標(biāo)記長(zhǎng)度優(yōu)化αi和βi之間的占空比αi/(αi+βi)，但為了簡(jiǎn)化脈沖產(chǎn)生電路，位于第一脈沖和最后脈沖之間的中間脈沖的占空比最好設(shè)置為一個(gè)固定值。也就是說(shuō)，在L≥3這樣存在中間脈沖的情況下時(shí)，對(duì)于分割數(shù)m＝L相同的兩個(gè)記錄標(biāo)記中的范圍從2到(m-1)的所有i來(lái)說(shuō)，αi和αi’可被設(shè)定為αi＝αc(固定值)和αi’＝αc’(固定值)。另外，當(dāng)L大于等于3時(shí)，αc和αc’優(yōu)選設(shè)置為固定值，最好為αc＝αc’，而不是根據(jù)L的值而定，這是因?yàn)檫@樣將進(jìn)一步簡(jiǎn)化電路。
在脈沖產(chǎn)生方法2中，為了簡(jiǎn)化脈沖產(chǎn)生電路，在n為偶數(shù)的記錄標(biāo)記中，對(duì)于所有L大于等于3的情況來(lái)說(shuō)，最好假設(shè)α1和β1為固定值。對(duì)于所有L大于等于2的情況來(lái)說(shuō)，α1+β1最好設(shè)置為2，因?yàn)檫@將使范圍從1到(m-1)的所有i的周期(αi+βi)T變?yōu)?T。
類(lèi)似地，為了在脈沖產(chǎn)生方法2中簡(jiǎn)化脈沖產(chǎn)生電路，在n為奇數(shù)的記錄標(biāo)記中，對(duì)于所有L大于等于3的情況來(lái)說(shuō)，最好假設(shè)α1’和β1’為固定值。對(duì)于所有L大于等于2的情況來(lái)說(shuō)，α1+β1最好設(shè)置為2.5，因?yàn)檫@將使其容易與隨后的分割脈沖周期2T同步。
另外，為了在脈沖產(chǎn)生方法2中簡(jiǎn)化脈沖產(chǎn)生電路，對(duì)于所有L大于等于3的情況來(lái)說(shuō)，特別是對(duì)于大于等于2的情況來(lái)說(shuō)，αm、βm、αm’和βm’最好均假定為相同的值。在此，如果Δ2＝(αm’+βm’)-(αm+βm)＝0.5，則該電路將被進(jìn)一步簡(jiǎn)化。
當(dāng)n為2或3時(shí)，分割數(shù)m是1。在這種情況下，α1-β1的占空比和δ1(或者α1’-β1’的占空比和δ1’)可調(diào)節(jié)成實(shí)現(xiàn)希望的標(biāo)記長(zhǎng)度和抖動(dòng)。在此，希望δ1’-δ1＝1。
在脈沖產(chǎn)生方法2中，如上所述，特別希望δ1＝δ1’＝0。此時(shí)，脈沖產(chǎn)生電路最好應(yīng)當(dāng)控制成保證αi(1≤i≤m)與周期為2T的經(jīng)分頻的第一參考時(shí)鐘3同步，時(shí)鐘3是通過(guò)對(duì)周期為T(mén)的第一參考時(shí)鐘1分頻產(chǎn)生的；保證αi’(2≤i≤m)與周期為2T的經(jīng)分頻的第二參考時(shí)鐘4同步，時(shí)鐘4是通過(guò)對(duì)與第一參考時(shí)鐘1具有相同周期T并且相對(duì)于第一參考時(shí)鐘1偏移0.5T的第二參考時(shí)鐘2分頻產(chǎn)生的；以及保證α1’在α2’之前2.5T。使用多個(gè)參考時(shí)鐘可以簡(jiǎn)化脈沖產(chǎn)生電路。
存在這樣的情況，即α1和α1’的前沿不必相對(duì)于根據(jù)要記錄的標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制的方波的前沿或后沿延遲或超前。在這種情況下，最好增加相同的延遲時(shí)間Td1，以便使空白的長(zhǎng)度恒定。Td1是介于-2和2之間的實(shí)數(shù)。當(dāng)Td1的值為負(fù)時(shí)，它表示一個(gè)超前時(shí)間。
圖12表示當(dāng)本發(fā)明的記錄方法中的脈沖分割方案通過(guò)使用上述多個(gè)參考時(shí)鐘來(lái)實(shí)施時(shí)，記錄脈沖之間的典型關(guān)系。在圖12中，相對(duì)于nT標(biāo)記前端的α1T和αi’T的延遲時(shí)間Td1為0；記錄脈沖部分αiT(1≤i≤m)的記錄功率是Pw，它是恒定的；空閑脈沖部分βi’T(1≤i≤m)中的偏置功率是Pb，它是恒定的。并且照射到空白中或照射到αiT(1≤i≤m)和βiT(1≤i≤m)之外的光的功率是擦除功率Pe，它是恒定的。這里Pb≤Pe≤Pw。
在圖12中，參考數(shù)字200表示周期為T(mén)的參考時(shí)鐘。
圖12(a)表示與長(zhǎng)度為nT的記錄標(biāo)記相對(duì)應(yīng)的脈沖波形，其中參考數(shù)字201表示2LT記錄標(biāo)記的長(zhǎng)度，202表示(2L+1)T記錄標(biāo)記的長(zhǎng)度。圖12(a)表示L＝5的情況。
圖12(b)表示當(dāng)n＝2L(＝10)時(shí)的分割記錄脈沖波形，圖12(c)表示當(dāng)n＝2L+1(＝11)時(shí)的分割記錄脈沖波形。
在圖12(b)中，周期為2T的經(jīng)分頻的第一參考時(shí)鐘205通過(guò)對(duì)第一參考時(shí)鐘203分頻產(chǎn)生，第一參考時(shí)鐘203相對(duì)于周期為T(mén)的參考時(shí)鐘200具有零相位延遲。由于α1+β1＝2，所以每個(gè)記錄脈沖部分αiT(1≤i≤m)的前沿與周期為2T的經(jīng)分頻的第一參考時(shí)鐘205同步。與分頻的第一參考時(shí)鐘205同步，αi-βi的占空比被調(diào)節(jié)用以產(chǎn)生脈沖波形207。
在圖12(c)中，周期為2T的經(jīng)分頻的第二參考時(shí)鐘206通過(guò)對(duì)周期為T(mén)的第二參考時(shí)鐘204分頻產(chǎn)生，第二參考時(shí)鐘204相對(duì)于參考時(shí)鐘200具有0.5T的相移。每個(gè)記錄脈沖部分αiT(2≤i≤m)的前沿與周期為2T的經(jīng)分頻的第二參考時(shí)鐘206同步。由于α1+β1＝2.5，所以只有αiT在時(shí)鐘前0.5T上升。與分頻的第二參考時(shí)鐘206同步，αi-βi的占空比被調(diào)節(jié)用以產(chǎn)生記錄脈沖波形208。
在圖12中，標(biāo)記長(zhǎng)度2LT和(2L+1)T被描述為它們的后端在T2和T4對(duì)齊。因此，在周期均為2T的參考時(shí)鐘205和206之間只有兩種可能的關(guān)系(b)和(c)。但在實(shí)際當(dāng)中，當(dāng)使用2T-周期的參考時(shí)鐘時(shí)，這些標(biāo)記長(zhǎng)度的前端位置可以相互有1T的相差。另外，考慮到n為偶數(shù)和n為奇數(shù)的情況，則存在圖13(a)、(b)、(c)和(d)所示的四種可能的關(guān)系。因此希望采用下面的門(mén)脈沖產(chǎn)生方法來(lái)處理這種情況。
圖13是用于解釋上述門(mén)脈沖產(chǎn)生方法的定時(shí)圖。圖13的門(mén)脈沖產(chǎn)生方法涉及下面的步驟(1)它產(chǎn)生與在記錄軌跡的預(yù)定位置形成的時(shí)鐘標(biāo)記相對(duì)應(yīng)的參考時(shí)間Tsync；(2)它產(chǎn)生四個(gè)參考時(shí)鐘一個(gè)2T-周期的參考時(shí)鐘1a，它相對(duì)于作為起始點(diǎn)的參考時(shí)間Tsync滯后延遲時(shí)間Td1；一個(gè)2T-周期的參考時(shí)鐘2a，它相對(duì)于參考時(shí)鐘1a超前0.5T；一個(gè)2T-周期的參考時(shí)鐘1b，它相對(duì)于參考時(shí)鐘1a超前1T；和一個(gè)2T-周期的參考時(shí)鐘2b，它相對(duì)于參考時(shí)鐘1a超前1.5T；(3)當(dāng)記錄nT＝2LT的標(biāo)記時(shí)，它產(chǎn)生門(mén)脈沖組G1a、G1b，這兩個(gè)脈沖組在與α1T、αiT(2≤i≤m-1)和αmT部分相對(duì)應(yīng)的定時(shí)與參考時(shí)鐘1a或1b之任意一個(gè)同步；并且(4)當(dāng)記錄nT＝2L+1的標(biāo)記時(shí)，它產(chǎn)生門(mén)脈沖組G2a、G2b，這兩個(gè)脈沖組在與α1’T、αi’T(2≤i≤m-1)和αm’T部分相對(duì)應(yīng)的定時(shí)與參考時(shí)鐘2a或2b之任意一個(gè)同步。
在圖13中，參考數(shù)字300表示周期為T(mén)的參考時(shí)鐘(用于數(shù)據(jù)的參考時(shí)鐘)。為了在記錄介質(zhì)的特定位置上記錄數(shù)據(jù)，記錄系統(tǒng)通常比較同步信號(hào)Tsync和預(yù)先產(chǎn)生的T-周期參考時(shí)鐘的相位以便建立同步，其中同步信號(hào)Tsync在每個(gè)最小地址單位的該介質(zhì)上的時(shí)鐘標(biāo)記處產(chǎn)生(舉例來(lái)說(shuō)，諸如在該介質(zhì)上作為凹坑串形成并安排給每個(gè)扇區(qū)的VFO這樣的同步信號(hào)，以及作為該介質(zhì)上的紋槽線(xiàn)形成的安排給每個(gè)ATIP幀(每1/75秒)的同步模式)。
圖13表示標(biāo)記前端出現(xiàn)在Tsync之后的偶數(shù)周期T的實(shí)例。n為偶數(shù)的偶數(shù)長(zhǎng)度標(biāo)記301在圖13(a)中示出，n為奇數(shù)的奇數(shù)長(zhǎng)度標(biāo)記304在圖13(d)中示出。作為標(biāo)記前端出現(xiàn)在Tsync之后的奇數(shù)周期T的例子，示出了n為偶數(shù)的偶數(shù)長(zhǎng)度標(biāo)記302(圖13(b))以及n為奇數(shù)的奇數(shù)長(zhǎng)度標(biāo)記303(圖13(c))。
在圖13(a)-13(d)的每一個(gè)圖中，當(dāng)利用類(lèi)似于圖12所示的方式把它們彼此移位0.5T而產(chǎn)生參考時(shí)鐘時(shí)，將產(chǎn)生以305、306、307和308表示的四個(gè)不同的時(shí)鐘串。也就是說(shuō)，以參考時(shí)鐘305作為參考，時(shí)鐘307移位0.5T，時(shí)鐘306移位1T，時(shí)鐘308移位1.5T。這些時(shí)鐘都是通過(guò)對(duì)在Tsync開(kāi)始的T-周期參考時(shí)鐘分頻后再將它們的相位彼此移位0.5T而形成的。
在圖13(a)的情況下，與記錄脈沖部分α1T、α2T、α3T、α4T、α5T相對(duì)應(yīng)的門(mén)脈沖組G1a與周期P1a、P2a、P3a、P4a和P5a中的每一個(gè)同步。
在圖13(b)的情況下，與記錄脈沖部分α1T、α2T、α3T、α4T、α5T相對(duì)應(yīng)的門(mén)脈沖組G1b與周期P1b、P2b、P3b、P4b和P5b中的每一個(gè)同步。
在圖13(c)的情況下，與記錄脈沖部分α1’T、α2’T、α3’T、α4’T、α5’T相對(duì)應(yīng)的門(mén)脈沖組G2a與周期R1a、R2a、R3a、R4a和R5a中的每一個(gè)同步。
在圖13(d)的情況下，與記錄脈沖部分α1’T、α2’T、α3’T、α4’T、α5’T相對(duì)應(yīng)的門(mén)脈沖組G2b與周期R1b、R2b、R3b、R4b和R5b中的每一個(gè)同步。
在此，記錄脈沖產(chǎn)生的門(mén)脈沖組G1a、G1b、G2a和G2b與在圖1中組合的門(mén)脈沖1、門(mén)脈沖2和門(mén)脈沖4相同。也就是說(shuō)，在圖1中，用于產(chǎn)生第一脈沖α1T的門(mén)脈沖1、用于產(chǎn)生中間脈沖組αiT(2≤i≤m-1)的門(mén)脈沖2和用于產(chǎn)生最后脈沖αmT的門(mén)脈沖4是單獨(dú)產(chǎn)生的并在隨后組合產(chǎn)生門(mén)脈沖組G1a和G1b。在圖1中，第一脈沖α1’T、中間脈沖組αi’T(2≤i≤m-1)和最后脈沖αm’T單獨(dú)產(chǎn)生并在隨后組合產(chǎn)生門(mén)脈沖組G2a和G2b。
當(dāng)n為奇數(shù)時(shí)，通過(guò)產(chǎn)生與nT的前端同步的α1’T的門(mén)脈沖并產(chǎn)生具有2.5T延遲的2T-周期的中間脈沖組αi’T，由圖1的門(mén)脈沖1獨(dú)立產(chǎn)生第一脈沖則可以處理(αi’+βi’)為2.5的情況。這相當(dāng)于把圖1中的門(mén)脈沖2的Td2設(shè)置為2.5T(當(dāng)存在一個(gè)延遲Td1時(shí)，再加上延遲Td1)。
門(mén)脈沖組G1a、G1b、G2a和G2b選擇如下。首先，以Tsync作為參考，確定T-周期參考時(shí)鐘300的起始點(diǎn)，并且檢驗(yàn)在該起始點(diǎn)之后到標(biāo)記長(zhǎng)度nT上升是偶數(shù)個(gè)時(shí)鐘周期T還是奇數(shù)個(gè)時(shí)鐘周期T。具體來(lái)說(shuō)，是使用在Tsync復(fù)位的1-比特加法器并且每個(gè)周期加1。如果結(jié)果為0，則確定經(jīng)過(guò)的時(shí)間為偶數(shù)個(gè)周期；而如果結(jié)果為1，則經(jīng)過(guò)的時(shí)間確定為奇數(shù)個(gè)周期。也就是說(shuō)，如果從參考時(shí)間Tsync到nT標(biāo)記前端所經(jīng)過(guò)的時(shí)間是偶數(shù)個(gè)周期T，則根據(jù)n是偶數(shù)還是奇數(shù)來(lái)選擇門(mén)脈沖信號(hào)組G1a或G2b。如果從參考時(shí)間Tsync到nT標(biāo)記前端所經(jīng)過(guò)的時(shí)間是奇數(shù)個(gè)周期T，則根據(jù)n是偶數(shù)還是奇數(shù)來(lái)選擇門(mén)脈沖信號(hào)組G1b或G2a。因此，通過(guò)使用四個(gè)彼此移位0.5T的2T-周期參考時(shí)鐘的組合，可以產(chǎn)生呈現(xiàn)為以T0為起始點(diǎn)，產(chǎn)生的一系列nT標(biāo)記的所有記錄脈沖。
如果要確定空閑脈沖部分和擦除功率Pe的光照射的部分的長(zhǎng)度，則需要注意空閑脈沖部分βmT。也就是說(shuō)，希望提供約±1T的余量而不是周期2T的標(biāo)記的后端。在這種情況下，最后空閑脈沖βm或βm’的定時(shí)不必特別定義。因此，最好產(chǎn)生與圖1的門(mén)脈沖3相對(duì)應(yīng)的門(mén)信號(hào)。例如，以nT標(biāo)記的前端作為參考，門(mén)信號(hào)根據(jù)n是偶數(shù)還是奇數(shù)來(lái)產(chǎn)生，也就是說(shuō)，當(dāng)n為偶數(shù)時(shí)產(chǎn)生延遲時(shí)間為T(mén)d1的∑(αi+β1)的門(mén)脈沖G3；當(dāng)n為奇數(shù)時(shí)產(chǎn)生延遲時(shí)間為T(mén)d1的∑(αi’+βi’)的門(mén)脈沖G4，從而根據(jù)下面的情況照射具有不同功率的光。(1)在G3和G4均空閑(off)期間，照射功率為Pe的光；(2)在G3或G4工作(on)期間，照射功率為Pb的光；(3)在G3和G1a同時(shí)工作期間，在G1a工作部分照射功率為Pw的光；(4)在G3和G1b同時(shí)工作期間，在G1b工作部分照射功率為Pw的光；(5)在G4和G2a同時(shí)工作期間，在G2a工作部分照射功率為Pw的光；并且(6)在G4和G2b同時(shí)工作期間，在G2b工作部分照射功率為Pw的光。
上述的門(mén)脈沖優(yōu)選權(quán)的關(guān)系通過(guò)把門(mén)脈沖空閑/工作與邏輯0和1電平對(duì)應(yīng)并對(duì)每個(gè)門(mén)控邏輯信號(hào)執(zhí)行OR操作來(lái)確定。
圖12和圖13表示以下的一種情況，即出于簡(jiǎn)便的目的，第一記錄脈沖α1T、α1’T的前沿處于nT標(biāo)記的前端，即與要記錄的nT標(biāo)記的前端同步。如果標(biāo)記有延遲，則從把空白長(zhǎng)度保持在一個(gè)希望值的角度出發(fā)，最好使α1T和α1’T的前沿具有相同延遲Td1。
(分割記錄脈沖產(chǎn)生方法3)下面的描述涉及分割記錄脈沖產(chǎn)生方法的另一個(gè)例子，該分割記錄脈沖產(chǎn)生方法基于通過(guò)對(duì)周期為T(mén)的參考時(shí)鐘分頻而獲得的2T-周期的時(shí)鐘信號(hào)。這種方法允許根據(jù)比分割記錄脈沖產(chǎn)生方法1更常用的規(guī)則來(lái)設(shè)計(jì)邏輯電路。
具體來(lái)說(shuō)，正如在脈沖產(chǎn)生方法2中一樣，處理過(guò)程根據(jù)nT標(biāo)記的n值是奇數(shù)還是偶數(shù)來(lái)確定。在分割記錄脈沖產(chǎn)生方法2中，具有相同分割數(shù)的偶數(shù)長(zhǎng)度標(biāo)記與奇數(shù)長(zhǎng)度標(biāo)記之間的標(biāo)記長(zhǎng)度差1T的校正可分配給第一和最后記錄脈沖周期。但是，在脈沖產(chǎn)生方法3中，標(biāo)記長(zhǎng)度差1T的校正可通過(guò)調(diào)節(jié)中間分割記錄脈沖組中的空閑脈沖長(zhǎng)度βiT(2≤i≤m-1)來(lái)進(jìn)行。
也就是說(shuō)，對(duì)于n為偶數(shù)(即標(biāo)記長(zhǎng)度是nT＝2LT(L是大于等于2的整數(shù)))的標(biāo)記的記錄來(lái)說(shuō)，該標(biāo)記被分割為m＝L個(gè)部分，并且記錄脈沖部分αiT和空閑脈沖部分βiT中的αi和βi定義如下Td1+α1＝2+ε1βi-1+αi＝2(2≤i≤m)另一方面，對(duì)于n為奇數(shù)(即標(biāo)記長(zhǎng)度是nT＝(2L+1)T)的標(biāo)記的記錄來(lái)說(shuō)，該標(biāo)記被分割為m＝L個(gè)部分，并且記錄脈沖部分αi’T和空閑脈沖部分βi’T中的αi’和βi’定義如下Td1’+α1’＝2+ε1’β1’+α2’＝2.5+ε2’βi-1’+αi’＝2(3≤i≤m-1)βm-1’+αm’＝2.5+ε3’(當(dāng)L＝2時(shí)，假設(shè)β1’+α2’＝2.5+ε2’或β1’+α2’＝3+ε2’)。
β1、α2、βm-1、αm、β1’、α2’、βm-1和αm’滿(mǎn)足下面的等式。
β1+α2+βm-1+αm+Δ2＝β1’+α2’+βm-1’+αm’(式中，Δ2＝0.8-1.2)αi、βi、αi’、βi’、Td1、Td1’、ε1、ε1’、ε2’和ε3’的值可根據(jù)L的值而變化。
Td1和Td1’是從標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制原始信號(hào)中的nT標(biāo)記起始端到第一記錄脈沖α1T上升為止的延遲或超前時(shí)間。它們通常是介于-2和2之間的實(shí)數(shù)。Td1和Td1’的正值表示延遲。Td1和Td1’最好設(shè)置為接近常值，與L值無(wú)關(guān)。
αi、βi、αi’、βi’通常為0-2之間的實(shí)數(shù)，最好在0.5-1.5之間。
ε1、ε1’、ε2’和ε3’通常為介于-1和1之間的實(shí)數(shù)，最好在-0.5和1.5之間。它們根據(jù)需要被用作校正值，以用于實(shí)現(xiàn)形成周期2T的分割脈沖周期(βi-1+αi)T中的精確標(biāo)記長(zhǎng)度或空白長(zhǎng)度。
在脈沖產(chǎn)生方法3中，在記錄過(guò)程中，與n＝2LT和n＝(2L+1)T(L相同)相對(duì)應(yīng)的兩個(gè)標(biāo)記均被分割為相同分割數(shù)L的記錄脈沖。也就是說(shuō)，當(dāng)n為2，3，4，5，6，7，8，9，…時(shí)，相應(yīng)的n的記錄脈沖數(shù)被設(shè)置為1，1，2，2，3，3，4，4，5，5…。例如，在EFM調(diào)制信號(hào)中，當(dāng)n＝3，4，5，6，7，8，9，10，11時(shí)，分割數(shù)m按順序設(shè)置為m＝1，2，2，3，3，4，4，5，5。在EFM+信號(hào)中，增加n＝14。此時(shí)，分割數(shù)m設(shè)置為7。在(1，7)-RLL-NRZI調(diào)制中，在n＝2的情況下，分割數(shù)m也設(shè)置為1。
為了記錄分割數(shù)相同的兩種n＝2L和2L+1的標(biāo)記長(zhǎng)度，周期(β1+α2)T和周期(βm-1+αm)T均被增加或減小0.5T以用于調(diào)節(jié)它們的長(zhǎng)度。在標(biāo)記長(zhǎng)度記錄中重要的是通過(guò)標(biāo)記前后端的波形確定標(biāo)記兩端位置和抖動(dòng)。只要能夠獲得中間部分的正確幅度，標(biāo)記的中間部分就不會(huì)對(duì)標(biāo)記兩端的抖動(dòng)造成很大的影響。以上的調(diào)節(jié)方法利用了以下的事實(shí)，即只要標(biāo)記沒(méi)有呈現(xiàn)出光學(xué)分離，那么如果標(biāo)記中間部分的記錄脈沖周期增加或減小0.5T，則標(biāo)記長(zhǎng)度只增加或減小一個(gè)相應(yīng)的量，并且不會(huì)顯著影響標(biāo)記兩端的抖動(dòng)。
在脈沖產(chǎn)生方法3中，2T被用作任意標(biāo)記長(zhǎng)度的基本記錄脈沖周期?？舍槍?duì)每個(gè)標(biāo)記長(zhǎng)度或每個(gè)i優(yōu)化αi-βi的占空比，但最好提供以下的限制，以便于簡(jiǎn)化記錄脈沖產(chǎn)生電路。
就標(biāo)記前端而言，當(dāng)L值大于等于3時(shí)，α1、β1、α1’、β1’均最好設(shè)置為常數(shù)而與L無(wú)關(guān)。更進(jìn)一步，優(yōu)選α1’＝0.8α1-1.2α1且β1’＝β1+大約0.5。再進(jìn)一步，優(yōu)選β1’＝β1+0.5，α1＝α1’且β1＝β1’。標(biāo)記前端的位置幾乎是由第一記錄脈沖的前沿確定的。也就是說(shuō)，如果α1T＝α1’T的前沿位置被設(shè)置為滯后標(biāo)記長(zhǎng)度nT的起始端一個(gè)恒定的延遲時(shí)間Td1，則實(shí)際的標(biāo)記前端位置幾乎是唯一確定的。另一方面，就標(biāo)記前端的抖動(dòng)而言，如果在假設(shè)α1T基本上等于α1’T時(shí)β1T大過(guò)一個(gè)特定的長(zhǎng)度(在實(shí)際中是0.5T)，那么與n值無(wú)關(guān)，僅通過(guò)把β1’設(shè)置為接近β1’＝β1+0.5就可把抖動(dòng)保持在一個(gè)令人滿(mǎn)意的程度內(nèi)。
至于標(biāo)記的后端，當(dāng)L值大于等于3時(shí)，αm、βm、αm’、βm’均最好設(shè)置為常數(shù)而與L無(wú)關(guān)。更進(jìn)一步，優(yōu)選βm-1’＝βm-1+大約0.5，αm’＝0.8αm至1.2αm且βm’＝0.8βm至1.2βm。再進(jìn)一步，優(yōu)選βm-1’＝βm-1+0.5，αm＝αm’且βm＝βm’。
當(dāng)L＝2時(shí)，優(yōu)選β1’＝β1+0.5至1.5，αm’＝αm’+0至1，并且βm’＝0.8βm至1.2βm。但是，無(wú)論哪種情況中，都希望αmT和αm’T的后沿與標(biāo)記長(zhǎng)度nT的后端同步，在它們之間有一個(gè)預(yù)定的時(shí)間差。
標(biāo)記的后端位置不僅取決于最后記錄脈沖αmT(或αm’T)的后沿位置，而且還取決于標(biāo)記后端位置前后的記錄層溫度的冷卻過(guò)程。尤其是在形成非晶態(tài)標(biāo)記的相變介質(zhì)中，標(biāo)記后端位置根據(jù)最后空閑脈沖部份βmT(或βm’T)控制的記錄層溫度的冷卻速度而定。因此，如果αmT和αm’T相對(duì)于nT標(biāo)記的后端移位一個(gè)預(yù)定的時(shí)間并且βm’＝βm，則標(biāo)記后端位置幾乎是唯一確定的。
另一方面，就后端抖動(dòng)而言，如果βm-1、βm-1’、αm、αm’大于一個(gè)預(yù)定長(zhǎng)度，則產(chǎn)生的抖動(dòng)較小并且?guī)缀跏峭ㄟ^(guò)βm’＝βm來(lái)控制。優(yōu)化βm’＝βm可產(chǎn)生接近最佳的抖動(dòng)。
還是在脈沖產(chǎn)生方法3中，尤其是在高密度記錄的處理過(guò)程中，Td1、α1、α1’、β1、β1’、αm、αm’、βm和βm’的值可在大約±20％的范圍內(nèi)細(xì)調(diào)，以便根據(jù)緊接著記錄標(biāo)記之前或之后的標(biāo)記或空白校正熱干擾。在上面的解釋中，“大約0.5”或“大約1”的表述意味著允許細(xì)調(diào)的程度。
為了進(jìn)一步簡(jiǎn)化脈沖產(chǎn)生電路，當(dāng)L大于等于3時(shí)，αi和αi’可設(shè)置為常數(shù)，而與2≤i≤m-1的i無(wú)關(guān)。也就是說(shuō)，α2＝α3＝…＝αm-1α2’＝α3’＝…＝αm-1’在此，所謂“L大于等于3”是建立分割數(shù)大于等于3因而除了第一和最后分割脈沖之外還有一個(gè)或多個(gè)中間分割記錄脈沖的條件。
優(yōu)選地，當(dāng)L大于等于3時(shí)，2≤i≤m-1的αi和αi’的值分別被設(shè)定為常數(shù)值αc和αc’，它們與L無(wú)關(guān)。更進(jìn)一步，優(yōu)選αc＝αc’。在標(biāo)記長(zhǎng)度記錄中，只要產(chǎn)生合適的信號(hào)幅度，則標(biāo)記中間部分的形成幾乎對(duì)標(biāo)記兩端的位置和抖動(dòng)沒(méi)有影響。因此，在大部分情況下，可進(jìn)行如上所述的統(tǒng)一設(shè)置，即αi＝αi’＝αc(2≤i≤m-1)。
再進(jìn)一步，對(duì)于2≤i≤m-1來(lái)說(shuō)，αm和αm’最好設(shè)置為與αi和αi’相同的值。
當(dāng)L＝1時(shí)，即標(biāo)記長(zhǎng)度nT為2T或3T時(shí)，優(yōu)選m＝1。此時(shí)，周期(α1+β1)T和α1-β1的占空比(或者周期(α1’+β1’)T和α1’-β1’的占空比)可被調(diào)節(jié)用以實(shí)現(xiàn)希望的標(biāo)記長(zhǎng)度和抖動(dòng)。如果對(duì)于m≥4來(lái)說(shuō)β1或β1’是常數(shù)，則對(duì)于n≥4來(lái)說(shuō)βm或βm’也使用與β1或β1’相同的值。
當(dāng)0≤Td1≤2且0≤Td1’≤2時(shí)，這些分割記錄脈沖可按如下方式形成。
首先，(1)假設(shè)原始標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制信號(hào)與周期為T(mén)的第一參考時(shí)鐘同步產(chǎn)生。以標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制信號(hào)的nT標(biāo)記的起始端作為參考，產(chǎn)生延遲時(shí)間為T(mén)d1(或Td1’)的第一記錄脈沖α1T(或α1’T)。接著，(2)在一個(gè)時(shí)間差ε3(或ε3’)之后，產(chǎn)生最后記錄脈沖αmT(或αm’T)以使其后沿與nT標(biāo)記的后端對(duì)齊。之后(3)對(duì)于αiT和βiT(2≤i≤m-1)(當(dāng)L大于等于3時(shí)產(chǎn)生的中間分割記錄脈沖)來(lái)說(shuō)，α2T在nT標(biāo)記的起始端之后4T下降并在之后產(chǎn)生周期為2T的αi+βi-1。(4)當(dāng)n為奇數(shù)(n＝2L+1)時(shí)，α2’T在nT標(biāo)記的起始端之后4T下降并在之后產(chǎn)生αi’+βi-1’。
在上面的例子中，也是在ε1、ε1’、ε2’和ε3’不為0時(shí)，在中間分割記錄脈沖組中至少α2T或α2’T的后沿被精確產(chǎn)生，其在nT標(biāo)記的起始端之后為4T或4.5T的延遲時(shí)間。因此，至少中間分割記錄脈沖組可與2T-周期的參考時(shí)鐘同步，該參考時(shí)鐘是通過(guò)預(yù)先對(duì)T-周期的參考數(shù)據(jù)時(shí)鐘分頻產(chǎn)生的。
圖24表示在通過(guò)組合多個(gè)2T-周期參考時(shí)鐘執(zhí)行本發(fā)明的記錄脈沖分割方法時(shí)的記錄脈沖之間的關(guān)系。
在圖24中，為了簡(jiǎn)便起見(jiàn)，對(duì)于任意i來(lái)說(shuō)，在記錄脈沖部分期間照射的光的記錄功率Pw、在空閑脈沖部分期間照射的光的偏置功率Pb和在不是這些部分期間照射的光的擦除功率Pe所示均為恒定的。盡管這些功率所示為具有Pb＜Pe＜Pw的關(guān)系，但這些功率可根據(jù)n和i值設(shè)置為不同的值。特別是，α1T和α1’T中的記錄功率Pw1以及αmT和αm’T中的記錄功率Pwm的設(shè)置可與其它部分αiT(i＝2至m-1)中的記錄功率Pwi不同。
另外，在圖24中，為簡(jiǎn)便起見(jiàn)，假定ε1＝ε1’＝ε2’＝ε3’＝0，而且第一記錄脈沖α1T和α1’T所示為在進(jìn)行記錄的nT標(biāo)記的前端之后2T下降，并且αmT和αm’T的后沿所示為與nT標(biāo)記的后端一致。
在圖24中，參考數(shù)字220表示T-周期的參考時(shí)鐘。
圖24(a)表示與原始標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制信號(hào)的nT標(biāo)記相關(guān)的方波，其中221表示長(zhǎng)度為2LT的標(biāo)記且222表示長(zhǎng)度為(2L+1)T的標(biāo)記。在此，盡管所示為對(duì)應(yīng)于L＝5的兩種標(biāo)記，但通過(guò)在每當(dāng)L加1或減1時(shí)增加或減去2≤i≤m-1中的中間i的2T周期則可以處理L值的其它情況。
圖24(b)表示當(dāng)n＝2L＝10時(shí)的分割記錄脈沖的波形，圖24(c)表示當(dāng)n＝2L+1＝11時(shí)的分割記錄脈沖的波形。
在圖24(b)中，2T-周期參考時(shí)鐘225通過(guò)對(duì)T-周期參考時(shí)鐘223分頻獲得，T-周期參考時(shí)鐘223相對(duì)于T-周期參考時(shí)鐘220沒(méi)有相移。當(dāng)Td1+α1＝2時(shí)，每個(gè)記錄脈沖αiT(1≤i≤m)的后沿與2T-周期參考時(shí)鐘225同步。與2T-周期參考時(shí)鐘225同步，αi-βi的占空比被調(diào)節(jié)用于產(chǎn)生記錄脈沖波形227。
在圖24(c)中，2T-周期參考時(shí)鐘226通過(guò)對(duì)T-周期參考時(shí)鐘224分頻獲得，T-周期參考時(shí)鐘224與T-周期參考時(shí)鐘220相差為0.5T。每個(gè)記錄脈沖αi’T(2≤i≤m)的后沿與2T-周期參考時(shí)鐘226同步。與參考時(shí)鐘226同步，βi-1-αi的占空比被調(diào)節(jié)用于產(chǎn)生記錄脈沖波形228。
以此方式，通過(guò)使用T-周期的第一參考時(shí)鐘1(223)和與該T-周期的第一參考時(shí)鐘相差為0.5T的T-周期第二參考時(shí)鐘2(224)，可產(chǎn)生與2T-周期參考時(shí)鐘3(225)同步的αi(1≤i≤m)，其中2T-周期參考時(shí)鐘3(225)是通過(guò)對(duì)參考時(shí)鐘1分頻獲得的，并且可產(chǎn)生與2T-周期參考時(shí)鐘4(226)同步的αi’(2≤i≤m-1)，其中2T-周期參考時(shí)鐘4(226)是通過(guò)對(duì)參考時(shí)鐘2分頻獲得的，由此可容易地產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于2L和2L+1的分割記錄脈沖。
在圖24中，標(biāo)記長(zhǎng)度2LT和(2L+1)T所示為在T2和T4處它們的后端彼此對(duì)齊。因此，在2T-周期參考時(shí)鐘225和226之間只有兩種可能的關(guān)系(b)和(c)。但在實(shí)際當(dāng)中，當(dāng)使用2T-周期的參考時(shí)鐘時(shí)，這些標(biāo)記長(zhǎng)度的前端位置可以彼此相差1T，不過(guò)它們與2T周期同相。因此，與分割記錄脈沖產(chǎn)生方法2一樣，分割記錄脈沖產(chǎn)生方法3也需要考慮以下的事實(shí)，即存在圖13(a)、(b)、(c)和(d)所示的n為奇數(shù)和n為偶數(shù)的四種可能關(guān)系。
之后，通過(guò)使用圖13的2T-周期時(shí)鐘串4，在(1a)的情況下，對(duì)應(yīng)于記錄脈沖部分α1T、α2T、α3T、α4T、α5T的門(mén)脈沖組G1a與周其P1a、P2a、P3a、P4a、P5a中的每一個(gè)同步產(chǎn)生；在(1b)的情況下，對(duì)應(yīng)于記錄脈沖α1T、α2T、α3T、α4T、α5T的門(mén)脈沖組G1b與周期P1b、P2b、P3b、P4b、P5b中的每一個(gè)同步產(chǎn)生；在(2a)的情況下，對(duì)應(yīng)于記錄脈沖α1’T、α2’T、α3’T、α4’T、α5’T的門(mén)脈沖組G2a與周期R1a、R2a、R3a、R4a、R5a中的每一個(gè)同步產(chǎn)生；并且在(2b)的情況下，對(duì)應(yīng)于記錄脈沖α1’T、α2’T、α3’T、α4’T、α5’T的門(mén)脈沖組G2b與周期Q1b、Q2b、Q3b、Q4b、Q5b中的每一個(gè)同步產(chǎn)生。
與分割記錄脈沖產(chǎn)生方法2中的情況一樣，這些記錄脈沖產(chǎn)生門(mén)脈沖組G1a、G1b、G2a和G2b與在圖1中的門(mén)脈沖1、門(mén)脈沖2和門(mén)脈沖4的組合相同。
也就是說(shuō)，如圖1所示，在產(chǎn)生G1a和G1b時(shí)，用于產(chǎn)生第一脈沖α1T的門(mén)脈沖1、用于產(chǎn)生中間脈沖組αiT(2≤i≤m-1)的門(mén)脈沖2和用于產(chǎn)生最后脈沖αmT的門(mén)脈沖4分別產(chǎn)生再進(jìn)行組合。或者，在產(chǎn)生G2a和G2b時(shí)，如圖1所示，第一脈沖α1’T、中間脈沖組αi’T(2≤i≤m-1)和最后脈沖αm’T分別產(chǎn)生再組合。當(dāng)ε1、ε1’、ε2’和ε3’不為0時(shí)，第一記錄脈沖α1T、α1’T可被給定周期P1a、Q1a、P1b或Q1b的預(yù)定時(shí)間差，并且最后記錄脈沖αmT、αm’T可被給定周期P5a、P5b、Q5a或Q5b的預(yù)定時(shí)間差。
另一方面，為了確定空閑脈沖部分和Pe功率照射部分，我們必須考慮標(biāo)記的最后空閑脈沖部分βmT不規(guī)則的事實(shí)。也就是說(shuō)，標(biāo)記后端的周期不必是2T并且必須給出大約2T±1T的余量。這可以通過(guò)特別定義最后空閑脈沖βm或βm’來(lái)處理。因此產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于圖1所示門(mén)脈沖3的門(mén)信號(hào)。
也就是說(shuō)，當(dāng)n為偶數(shù)時(shí)產(chǎn)生相對(duì)于nT標(biāo)記前端具有延遲時(shí)間Td1的∑(αi+βi)T的門(mén)脈沖G3；并且當(dāng)n為奇數(shù)時(shí)產(chǎn)生相對(duì)于nT標(biāo)記前端具有延遲時(shí)間Td1’的∑(αi’+βi’)T的門(mén)脈沖G4。那么，在G3或G4空閑(off)期間，照射具有擦除功率Pe的光；在G3或G4工作(on)期間，照射具有偏置功率Pb的光；在G3和G1a同時(shí)工作期間，通過(guò)響應(yīng)G1a工作部分照射具有記錄功率Pw的光；在G3和G1b同時(shí)工作期間，通過(guò)響應(yīng)G1b工作部分照射具有記錄功率Pw的光；在G4和G2a同時(shí)工作期間，通過(guò)響應(yīng)G2a工作部分照射具有記錄功率Pw的光；并且在G4和G2b同時(shí)工作期間，通過(guò)響應(yīng)G2b工作部分照射具有記錄功率Pw的光。上述的門(mén)脈沖優(yōu)選關(guān)系通過(guò)使門(mén)脈沖空閑/工作與邏輯0和1電平對(duì)應(yīng)并對(duì)每個(gè)門(mén)控邏輯信號(hào)執(zhí)行OR操作來(lái)確定。
簡(jiǎn)而言之，用于產(chǎn)生記錄脈沖部分αiT的所有門(mén)脈沖可通過(guò)下面的步驟產(chǎn)生。(1)產(chǎn)生與在記錄軌跡的預(yù)定位置形成的時(shí)鐘標(biāo)記相對(duì)應(yīng)的參考時(shí)間Tsync；(2)產(chǎn)生四個(gè)參考時(shí)鐘一個(gè)2T-周期的參考時(shí)鐘1a，它在作為起始點(diǎn)的參考時(shí)間Tsync產(chǎn)生；一個(gè)2T-周期的參考時(shí)鐘2a，它相對(duì)于參考時(shí)鐘1a超前0.5T產(chǎn)生；一個(gè)2T-周期的參考時(shí)鐘1b，它相對(duì)于參考時(shí)鐘1a超前1T產(chǎn)生；和一個(gè)2T-周期的參考時(shí)鐘2b，它相對(duì)于參考時(shí)鐘1a超前1.5T產(chǎn)生；(3)當(dāng)記錄nT＝2LT的標(biāo)記時(shí)，產(chǎn)生與參考時(shí)鐘1a或1b之任意一個(gè)同步的門(mén)脈沖組G1a、G1b，這兩個(gè)脈沖組具有與α1T、αiT(2≤i≤m-1)和αmT部分相對(duì)應(yīng)的定時(shí)；(4)當(dāng)記錄nT＝(2L+1)T的標(biāo)記時(shí)，產(chǎn)生與參考時(shí)鐘2a或2b之任意一個(gè)同步的門(mén)脈沖組G2a、G2b，這兩個(gè)脈沖組具有與α1’T、αi’T(2≤i≤m-1)和αm’T部分相對(duì)應(yīng)的定時(shí)。
門(mén)脈沖組G1a、G1b、G2a和G2b可選擇如下。首先，檢驗(yàn)在作為起始點(diǎn)的參考時(shí)間Tsync之后偶數(shù)個(gè)時(shí)鐘周期T還是奇數(shù)個(gè)時(shí)鐘周期T標(biāo)記長(zhǎng)度nT上升。具體來(lái)說(shuō)，是使用在Tsync復(fù)位的1-比特加法器并且每個(gè)周期加1。如果結(jié)果為0，則確定經(jīng)過(guò)的時(shí)間為偶數(shù)個(gè)周期；如果結(jié)果為1，則經(jīng)過(guò)的時(shí)間被確定為奇數(shù)個(gè)周期。也就是說(shuō)，如果從參考時(shí)間Tsync到nT標(biāo)記前端所經(jīng)過(guò)的時(shí)間是偶數(shù)個(gè)周期T，則根據(jù)n是偶數(shù)還是奇數(shù)來(lái)選擇門(mén)信號(hào)組G1a或G2b。如果從參考時(shí)間Tsync到nT標(biāo)記前端所經(jīng)過(guò)的時(shí)間是奇數(shù)個(gè)周期T，則根據(jù)n是偶數(shù)還是奇數(shù)來(lái)選擇門(mén)信號(hào)組G1b或G2a。因此，通過(guò)使用四個(gè)彼此移位0.5T的2T-周期參考時(shí)鐘的組合，可以產(chǎn)生所有以T0為起始點(diǎn)產(chǎn)生的一系列nT標(biāo)記的記錄脈沖。
利用上述分割記錄脈沖產(chǎn)生方法1、2和3，通過(guò)在1T、1.5T、2T和2.5T保持至少中間脈沖組(αi+βI)T或(αi+βi-1)T(2≤i≤m-1)的轉(zhuǎn)換周期恒定，并且通過(guò)改變?chǔ)羒-βi的占空比和αi’-βi’的占空比，即使在使用具有不同特性的介質(zhì)時(shí)或者在以不同線(xiàn)速度使用相同的介質(zhì)時(shí)，也可以容易地找出最佳的分割記錄脈沖策略。
本發(fā)明的光記錄介質(zhì)對(duì)相變介質(zhì)特別有效，在相變介質(zhì)中，通過(guò)在晶體狀態(tài)的介質(zhì)上形成非晶態(tài)標(biāo)記來(lái)重寫(xiě)信息，該晶體狀態(tài)被用作未記錄狀態(tài)或擦除狀態(tài)。
在具有不同線(xiàn)速度的相同介質(zhì)上進(jìn)行記錄時(shí)，本發(fā)明的光記錄方法也是有效的。通常，恒定的密度記錄是常用的，它不以線(xiàn)速度作為依據(jù)，而是在多個(gè)線(xiàn)速度保持vT乘積恒定，其中v是線(xiàn)速度，T是時(shí)鐘周期。
例如，當(dāng)按照vxT保持恒定這樣的方式以多個(gè)線(xiàn)速度v在相同的記錄介質(zhì)上執(zhí)行基于標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制方案的記錄時(shí)，L等于或大于2時(shí)的脈沖產(chǎn)生方法2不考慮線(xiàn)速度而保持(αi+βi)T或(αi’+βi’)T(2≤i≤m-1)的周期恒定，并且不考慮線(xiàn)速度而保持每個(gè)i的Pwi、Pbi和Pe接近恒定，并且隨著線(xiàn)速度變慢而減小αi和αi’(1≤i≤m)(JP-A9-7176)。結(jié)果則可以在各種線(xiàn)速度下進(jìn)行令人滿(mǎn)意的重寫(xiě)。
當(dāng)按照vxT保持恒定這樣的方式以多個(gè)線(xiàn)速度v在相同的記錄介質(zhì)上執(zhí)行基于標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制方案的記錄時(shí)，L等于或大于2時(shí)的脈沖產(chǎn)生方法3不考慮線(xiàn)速度而保持(βi-1+αi)T或(βi-1’+αi’)T(2≤i≤m)的周期恒定，并且不考慮線(xiàn)速度而保持每個(gè)i的Pwi、Pbi和Pe恒定，并且隨著線(xiàn)速度變慢而單調(diào)減小αi和αi’(JP-A9-7176)。結(jié)果則可以在各種線(xiàn)速度下進(jìn)行令人滿(mǎn)意的重寫(xiě)。
在上面的兩個(gè)例子中，所謂“Pwi、Pbi和Pe與線(xiàn)速度無(wú)關(guān)而幾乎恒定”意味著最小值在最大值的大約20％之內(nèi)，優(yōu)選為在10％之內(nèi)。更進(jìn)一步，Pwi、Pbi和Pe最好完全與線(xiàn)速度無(wú)關(guān)而實(shí)際上為恒定。
在上面的兩個(gè)例子中，隨著線(xiàn)速度的降低而在(αi+βi)T中減小αi并增加βi并且在(αi+βi)T中減小αi并增加βi-1的方法對(duì)相變介質(zhì)特別有效。這是因?yàn)椋谙嘧兘橘|(zhì)中，記錄層的冷卻速度隨著線(xiàn)速度的降低而變慢并且必須通過(guò)增加空閑脈沖部分βi的比例來(lái)提高冷卻效果。此時(shí)，對(duì)于使用的所有線(xiàn)速度v和所有的L來(lái)說(shuō)，βi和βi’優(yōu)選設(shè)置為0.5＜βi≤2.5且0.5＜βi’≤2.5，最好為1≤βi≤2且1＜βi’≤2，以保證把介質(zhì)變?yōu)榉蔷B(tài)的冷卻時(shí)間。
在上面的兩個(gè)例子中，進(jìn)一步優(yōu)選地，對(duì)于所有線(xiàn)速度來(lái)說(shuō)，αiT和αi’T(2≤i≤m-1)保持恒定，即中間記錄脈沖具有幾乎為恒定的絕對(duì)時(shí)間長(zhǎng)度。所謂“幾乎為恒定”意味著它們?cè)诿總€(gè)線(xiàn)速度具有大約±0.1T的變化范圍。此時(shí)，參考時(shí)鐘T隨著線(xiàn)速度的降低而變大，因此，在中間脈沖組中的αi和αi’必須單調(diào)降低。盡管第一記錄脈沖部分αiT、αi’T可以保持恒定，但它們最好應(yīng)當(dāng)在每個(gè)線(xiàn)速度進(jìn)行細(xì)調(diào)。在每個(gè)線(xiàn)速度最好細(xì)調(diào)βm和βm’。在該情況下，優(yōu)選地，βm和βm’設(shè)置為常數(shù)或者隨著線(xiàn)速度的降低而增加。
在上面的三個(gè)脈沖產(chǎn)生方法1，2和3中，當(dāng)參考時(shí)鐘周期T小于可記錄DVD的1倍速時(shí)(線(xiàn)速度3.5m/s；并且參考時(shí)鐘周期T是38.2納秒)，n-(η1+η2)以及第一和最后脈沖最好應(yīng)當(dāng)根據(jù)之前和/或之后標(biāo)記長(zhǎng)度或空白長(zhǎng)度進(jìn)行控制。
下面將描述證明本發(fā)明特別有效的實(shí)例。
第一種情況是，為了執(zhí)行高密度記錄，在記錄期間的線(xiàn)速度被設(shè)置為高達(dá)10m/s或更高并且最短標(biāo)記長(zhǎng)度短到了0.8μm或更短。由于最短標(biāo)記長(zhǎng)度被表示為nT xV，其中V是線(xiàn)速度，所以最短標(biāo)記長(zhǎng)度的降低將會(huì)使參考時(shí)鐘周期T變短。
另外有效的是，為了執(zhí)行高密度記錄，把記錄光的波長(zhǎng)設(shè)置為500nm或更短，用于聚焦記錄光的透鏡的數(shù)值孔徑設(shè)置為高達(dá)0.6或更大，記錄光的光束直徑設(shè)置為一個(gè)小值，并且最短標(biāo)記長(zhǎng)度設(shè)置為短到了0.3μm或更短。
另外有效的是，使用諸如8-16調(diào)制方案和(1，7)-RLL-NRZI調(diào)制方案這樣的高密度記錄調(diào)制方案作為標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制方案。
另一種情況是，標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制方案是EFM調(diào)制方案并且記錄期間的線(xiàn)速度被設(shè)置為1.2m/s-1.4m/s的CD參考線(xiàn)速度的10倍這樣非常高的速度，同時(shí)在記錄期間保持記錄線(xiàn)密度恒定。
又一種情況是，標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制方案是EFM+調(diào)制方案、高密度記錄方案，并且記錄期間的線(xiàn)速度被設(shè)置為3.49m/s的DVD參考線(xiàn)速度的2倍或更高倍的速度，同時(shí)在記錄期間保持記錄線(xiàn)密度恒定。
接著，參考附圖將描述標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制信號(hào)的質(zhì)量。
圖5是表示在包含CD-RW的CD系列中使用的EFM調(diào)制信號(hào)的檢索波形(眼圖)的示意圖。在EFM調(diào)制中，記錄標(biāo)記和空白長(zhǎng)度可用3T-11T之間的時(shí)間長(zhǎng)度，并且該眼圖實(shí)際上隨機(jī)包括從3T-11T的所有非晶態(tài)標(biāo)記的檢索波形。EFM+調(diào)制還包括14T的標(biāo)記長(zhǎng)度和14T的空白長(zhǎng)度。
轉(zhuǎn)換為反射率的眼圖上端Itop是上端值Rtop，并且由Itop標(biāo)準(zhǔn)化的眼圖的振幅(實(shí)際上是11T標(biāo)記的振幅)I11是如下表示的記錄信號(hào)的調(diào)制m11。
m11＝(I11/Itop)×100％ (1)m11優(yōu)選設(shè)置在40％-80％之間，并且特別重要的是把m11設(shè)置為40％或更高。最好把信號(hào)幅度設(shè)置得大一些，但太大的信號(hào)幅度會(huì)使信號(hào)再現(xiàn)系統(tǒng)的放大器的增益變?yōu)檫^(guò)飽和。因此，m11的上限設(shè)置為大約80％。另一方面，太小的信號(hào)幅度將會(huì)減小信-噪比(SN比)，因此下限設(shè)置為大約40％。
另外，由下面的公式定義的不對(duì)稱(chēng)值A(chǔ)sym最好盡可能設(shè)置為接近0。
Asym＝(Islice/I11-1/2)(％) (2)另外，希望檢索信號(hào)的每個(gè)標(biāo)記和空白的抖動(dòng)接近參考時(shí)鐘周期T的10％或更小，并且希望標(biāo)記長(zhǎng)度和空白長(zhǎng)度接近nTxV(T是數(shù)據(jù)的參考時(shí)鐘周期，n是3-11的整數(shù)，而v是再現(xiàn)期間的線(xiàn)速度)。利用這種配置，使用商用CD-ROM驅(qū)動(dòng)器的信號(hào)再現(xiàn)可以在低誤碼率下執(zhí)行。在使用EFM+調(diào)制方案的可記錄DVD介質(zhì)中，公式(1)和(2)通過(guò)以14T標(biāo)記的幅度I14取代I11來(lái)定義。該抖動(dòng)被測(cè)量為所謂的邊緣-時(shí)鐘抖動(dòng)，它通過(guò)使模擬檢索信號(hào)經(jīng)過(guò)均衡器以將其數(shù)字化來(lái)獲得。在該情況下，抖動(dòng)值優(yōu)選為時(shí)鐘周期的13％或更小，最好是9％或更小。
接著將解釋在上述光記錄方法中使用的優(yōu)選光記錄介質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明記錄的光記錄介質(zhì)包括基于顏料的有機(jī)記錄介質(zhì)、磁光記錄介質(zhì)、相變記錄介質(zhì)和其它各種類(lèi)型的記錄介質(zhì)。它們還包括一次寫(xiě)入式和可重寫(xiě)介質(zhì)。在這些介質(zhì)當(dāng)中，可產(chǎn)生特別明顯效果的是相變記錄介質(zhì)，特別是在其中非晶態(tài)標(biāo)記可重寫(xiě)在晶體狀態(tài)的介質(zhì)上的可重寫(xiě)相變記錄介質(zhì)，晶體狀態(tài)被用作未記錄狀態(tài)。
記錄層特別優(yōu)選的材料是在其中在晶體區(qū)和熔化區(qū)間的界面開(kāi)始結(jié)晶的這類(lèi)材料。
屬于優(yōu)選相變介質(zhì)的是那些在記錄層的SbTe低共熔組成物中依然包含過(guò)量Sb的介質(zhì)。特別優(yōu)選的組成物是在基于Sb70Te30的低共熔組成物中包含過(guò)量Sb并且還有Ge的組成物。Sb/Te之比優(yōu)選設(shè)置為4或更大。Ge的含量?jī)?yōu)選為10％的原子比或更小。這種記錄層的例子是MzGey(SbxTe1-x)1-y-z合金(其中0≤z≤0.1，0＜y≤0.3，0.8≤x；而且M至少是以下元素之一，這些元素是In，Ga，Si，Sn，Pb，Pd，Pt，Zn，Au，Ag，Zr，Hf，V，Nb，Ta，Cr，Co，Mo，Mn，Bi，O，N和S)。
正如上面所解釋的，具有上述組成的合金是在Sb70Te30低共熔點(diǎn)包含過(guò)量Sb的二元合金并且它包含Ge以改善與時(shí)間有關(guān)的穩(wěn)定性和抖動(dòng)，并且還至少包含由M表示的一系列元素之一，以便進(jìn)一步減小抖動(dòng)并改善線(xiàn)速度相關(guān)性和光學(xué)特性。另外，Te含量接近零的組成物可被看作是具有在接近Ge15Sb85低共熔點(diǎn)的組成物中加入的Te或M元素的合金。
在上面的組成物中，Ge用于提高非晶態(tài)標(biāo)記的與時(shí)間有關(guān)的穩(wěn)定性，而不會(huì)降低由過(guò)量Sb提供的高速結(jié)晶功能。它被認(rèn)為具有提高結(jié)晶溫度并增加結(jié)晶激活能的能力。也就是說(shuō)，在基于SbTe的低共熔組合物中主要由GeSbTe構(gòu)成的上述合金記錄層可提高Sb/Te之比，同時(shí)由于Ge的存在而抑制晶核的形成，并由此提高晶體生長(zhǎng)速度。通常，晶核開(kāi)始形成的溫度低于晶體生長(zhǎng)的溫度，在形成非晶態(tài)標(biāo)記時(shí)，這一點(diǎn)對(duì)于在室溫附近的標(biāo)記的存儲(chǔ)穩(wěn)定性來(lái)說(shuō)并不是希望的。在以上述GeSbTe作為主要成分的合金記錄層中，由于在熔點(diǎn)附近的晶體生長(zhǎng)是有選擇地進(jìn)行，因此該合金能夠快速擦除并且在室溫下非晶態(tài)標(biāo)記具有優(yōu)良的穩(wěn)定性。從這一點(diǎn)來(lái)說(shuō)，上述的合金記錄層特別適合于高線(xiàn)速度記錄。
作為上述組成物中的元素M，In和Ga可被使用。In在減小抖動(dòng)和增加相關(guān)線(xiàn)速度余量方面特別有效。相變介質(zhì)記錄層更進(jìn)一步的優(yōu)選組成物是A1aA2bGeCc(SbdTe1-d)1-a-b-c合金(其中0≤a≤0.1，0＜b≤0.1，0.02＜c≤0.3，0.8≤d；而且A1至少是以下元素之一，這些元素是Zn，Pd，Pt，V，Nb，Ta，Cr，Co，Si，Sn，Pb，Bi，N，O和S；A2是In和/或Ga)。
這些組成物是優(yōu)選的，這是因?yàn)?，與接近傳統(tǒng)GeTe-Sb2Te3偽二元合金的組成物相比，單個(gè)細(xì)晶粒的反射率與晶面方向具有較小的相依性，從而向這些組成物提供了降低噪聲的能力。
另外，具有上述高于80/20的Sb/Te比的基于SbTe的組成物是優(yōu)異的，這是因?yàn)椋軌蛟诘扔诨虼笥?2倍CD線(xiàn)速度(約14m/s)或4倍DVD線(xiàn)速度(約14m/s)的高線(xiàn)速度下快速擦除。
另一方面，這種組成物在參考時(shí)鐘周期小到了25ns或更小時(shí)呈現(xiàn)出一個(gè)特別大的問(wèn)題。其原因如下。
上述組成物中的非晶態(tài)標(biāo)記的擦除實(shí)際上是由從與圍繞非晶態(tài)標(biāo)記的晶體區(qū)的邊界開(kāi)始的晶體生長(zhǎng)來(lái)控制的，并且非晶態(tài)標(biāo)記內(nèi)的晶核形成以及從晶核開(kāi)始的晶體生長(zhǎng)過(guò)程幾乎對(duì)再結(jié)晶過(guò)程不起作用。隨著線(xiàn)速度的增加(例如，達(dá)到大于10m/s)，擦除功率Pe照射的時(shí)間也在變短，從而極大地縮短了晶體生長(zhǎng)所必需的使記錄層保持在熔點(diǎn)附近的高溫時(shí)間。在上面的組成物中，盡管從非晶態(tài)標(biāo)記周?chē)膮^(qū)域開(kāi)始的晶體生長(zhǎng)可通過(guò)增加Sb含量來(lái)促進(jìn)，但增加Sb含量也會(huì)在熔化區(qū)再次凝固期間增加晶體生長(zhǎng)速度。也就是說(shuō)，在高線(xiàn)速度記錄期間為了快速擦除非晶態(tài)標(biāo)記而提高Sb含量會(huì)難以形成良好的非晶態(tài)標(biāo)記。換言之，當(dāng)從非晶態(tài)標(biāo)記周?chē)_(kāi)始的再結(jié)晶速度提高到一定程度時(shí)，在用以記錄非晶態(tài)標(biāo)記而形成的熔化區(qū)的再次凝固期間，從圍繞著熔化區(qū)開(kāi)始的再結(jié)晶也會(huì)加快。
在上述組成物中，存在的一個(gè)問(wèn)題是，在嘗試進(jìn)行高速擦除以實(shí)現(xiàn)高線(xiàn)速度記錄時(shí)會(huì)使非晶態(tài)標(biāo)記的形成困難。另外，在高線(xiàn)速度下，時(shí)鐘周期變短，從而會(huì)縮短空閑脈沖部分并降低冷卻效果，進(jìn)而會(huì)出現(xiàn)更為嚴(yán)重的問(wèn)題。
與通用的基于傳統(tǒng)GeTe-Sb2Te3偽二元合金的組成物相比，上述組成物的問(wèn)題并不是特別大。在基于GeTe-Sb2Te3偽二元合金的組成物中，非晶態(tài)標(biāo)記的擦除大部分是由非晶態(tài)標(biāo)記內(nèi)的晶核形成來(lái)起作用的，而且受晶體生長(zhǎng)的影響不大。另外，在低溫下，晶核的形成比晶體生長(zhǎng)更為活躍。因此，在基于GeTe-Sb2Te3偽二元合金的組成物中，即使晶體生長(zhǎng)較慢，再結(jié)晶也可通過(guò)產(chǎn)生大量的晶核來(lái)實(shí)現(xiàn)。另外，在低于熔點(diǎn)的溫度下再次凝固的過(guò)程中，晶核不會(huì)產(chǎn)生而且晶體生長(zhǎng)速度較慢，因此，在較小的臨界冷卻速度下，記錄層容易變換為非晶態(tài)。
在SbTe低共熔組成物中含有過(guò)量Sb的組成物，特別是還包含Ge的組成物的記錄層最好具有實(shí)際上由單相構(gòu)成的晶體狀態(tài)，而不會(huì)伴有相分離。晶體狀態(tài)可通過(guò)執(zhí)行初始化操作獲得，該操作涉及加熱并結(jié)晶化在使用濺射的薄膜沉積處理的初始階段產(chǎn)生的非晶態(tài)記錄層。所謂“實(shí)際上單相”意味著記錄層可由單晶相或多晶相形成，并且當(dāng)它由多晶相形成時(shí)，最好沒(méi)有晶格失匹。當(dāng)它由單晶相形成時(shí)，記錄層可以是具有相同晶相但具有不同取向的多晶層。
這種實(shí)際上單相的記錄層可提高以下特性，如降低噪聲、提高存儲(chǔ)穩(wěn)定性并且利用它更容易實(shí)現(xiàn)高速再結(jié)晶。這可以在下面得到解釋。當(dāng)包括六角結(jié)構(gòu)的晶相、諸如Sb但具有大大不同的晶格常數(shù)的立方晶體、諸如在AgSbTe2中可見(jiàn)的面心立方晶體以及屬于其它空間群的其它晶相的各種晶相以混合狀態(tài)存在時(shí)，會(huì)形成具有大晶格失匹的晶粒間界。這被認(rèn)為是對(duì)標(biāo)記周?chē)鷰缀涡螤钤斐闪似茐牟⑶疫€產(chǎn)生光噪聲。但在單相記錄層中不會(huì)形成這種晶粒間界。
在記錄層中形成的晶相類(lèi)型很大程度上是根據(jù)在記錄層執(zhí)行的初始化方法來(lái)確定的。也就是說(shuō)，為了在本發(fā)明中產(chǎn)生優(yōu)選的晶相，記錄層初始化方法應(yīng)當(dāng)最好采用以下措施。
記錄層一般通過(guò)諸如濺射這樣的物理真空沉積形成。緊接著薄膜形成之后的沉積狀態(tài)通常是非晶態(tài)，因此應(yīng)當(dāng)被晶化以呈現(xiàn)為未記錄/擦除狀態(tài)。這個(gè)操作被稱(chēng)作初始化。舉例來(lái)說(shuō)，初始化操作包括在從結(jié)晶溫度(一般為150-300℃)直到熔點(diǎn)的溫度范圍內(nèi)固相的爐內(nèi)退火；使用激光束和閃光燈的光照射的光能進(jìn)行退火；以及通過(guò)熔化的初始化。為了獲得優(yōu)選晶體狀態(tài)的記錄層，最好進(jìn)行熔化初始化。在固相退火的情況下，存在一個(gè)用于建立熱平衡的時(shí)間余量，由此可能會(huì)形成其它晶相。
在熔化結(jié)晶時(shí)，可以熔化記錄層并在隨后的再凝固過(guò)程中直接使其再結(jié)晶?；蛘咭部稍谠倌踢^(guò)程中把記錄層變?yōu)榉蔷B(tài)并在隨后在接近熔點(diǎn)時(shí)使其再結(jié)晶。在該情況下，當(dāng)結(jié)晶速度太慢時(shí)，可能會(huì)帶來(lái)用以建立熱平衡的時(shí)間余量，由此會(huì)形成其它晶相。因此最好把冷卻速度提高到一定的程度。
例如，把記錄層保持在熔點(diǎn)以上的時(shí)間通常優(yōu)選設(shè)置為2us或更小，最好是1us或更小。對(duì)于熔化初始化來(lái)說(shuō)，優(yōu)選使用激光束。特別希望初始化過(guò)程使用其短軸幾乎平行于掃描方向的橢圓激光束(這種初始化方法在下文被稱(chēng)作“整盤(pán)擦除”)。在該情況下，長(zhǎng)軸的長(zhǎng)度一般為10-1,000μm，而短軸通常為0.1-10μm。激光束的長(zhǎng)軸和短軸的長(zhǎng)度可被定義為在光束內(nèi)測(cè)量的光能密度分布的半寬度。掃描速度通常約為3-10m/s。當(dāng)以高于至少本發(fā)明的相變介質(zhì)可被重寫(xiě)記錄的最大可用線(xiàn)速度的速度執(zhí)行掃描時(shí)，在初始化掃描期間熔化的區(qū)域可變?yōu)榉蔷B(tài)。另外，以低于最大可用線(xiàn)速度30％的速度進(jìn)行掃描會(huì)引起相分離，從而難以產(chǎn)生單相。掃描速度特別優(yōu)選為最大可用線(xiàn)速度的50-80％。最大可用線(xiàn)速度本身被確定為可在該線(xiàn)速度下在以Pe功率照射介質(zhì)時(shí)確保完全擦除的線(xiàn)速度上限。
激光源可使用半導(dǎo)體激光器、氣體激光器和其它激光器。激光束的功率一般介于大約100mW到2W之間。
舉例來(lái)說(shuō)，在通過(guò)整盤(pán)擦除進(jìn)行初始化期間，當(dāng)使用盤(pán)類(lèi)記錄介質(zhì)時(shí)，可以使橢圓光束的短軸方向基本上與圓周方向一致，通過(guò)旋轉(zhuǎn)光盤(pán)而在短軸方向上掃描光盤(pán)，并且針對(duì)每一周而在長(zhǎng)軸(徑向)方向上移動(dòng)光束，從而初始化整個(gè)表面。對(duì)于每一周來(lái)說(shuō)，由光束在徑向移動(dòng)的距離最好比光束長(zhǎng)軸短以便于重疊掃描，這樣，相同的半徑可被激光束照射多次。這種配置為可靠的初始化提供了條件并且避免了不均勻的初始化狀態(tài)，這種不均勻的初始化狀態(tài)是由光束徑向的能量分布(一般為10-20％)引起的。當(dāng)移動(dòng)距離太小時(shí)，可能會(huì)形成其它不想要的晶相。因此，在徑向的移動(dòng)距離通常設(shè)置為光束長(zhǎng)軸的1/2或更大。
熔化初始化也可通過(guò)以下步驟完成使用兩個(gè)激光束；利用前一束光熔化記錄層；并且利用第二束光使記錄層再結(jié)晶。如果兩束光的距離太大，則由前束光熔化的區(qū)域在由第二束光再結(jié)晶之前凝固。
熔化/再結(jié)晶執(zhí)行與否可以通過(guò)檢驗(yàn)在記錄層實(shí)際上利用間隔約為1μm的記錄光以非晶態(tài)標(biāo)記重寫(xiě)之后的擦除狀態(tài)的反射率R1實(shí)際上是否等于初始化之后的未記錄狀態(tài)的反射率R2來(lái)確定。當(dāng)使用用于斷續(xù)記錄非晶態(tài)標(biāo)記的信號(hào)模式時(shí)，R1的測(cè)量通常在已經(jīng)執(zhí)行了多次重寫(xiě)(通常為大約5-100次重寫(xiě))之后進(jìn)行。這樣可以消除在只進(jìn)行一次記錄操作之后可能會(huì)以未記錄狀態(tài)的形式保留的空白的影響。
上述擦除狀態(tài)可以不通過(guò)根據(jù)實(shí)際記錄脈沖產(chǎn)生方法調(diào)制聚焦記錄激光束來(lái)獲得，而是可以通過(guò)照射DC方式的記錄功率來(lái)熔化記錄層并在隨后將其再次固化來(lái)獲得。
在本發(fā)明的記錄介質(zhì)的情況下，R1和R2之間的差值最好盡可能設(shè)置得越小越好。
具體來(lái)說(shuō)，進(jìn)行如下定義的包含R1和R2的值優(yōu)選設(shè)置為10(％)或更小，最好為5(％)或更小。2|R1-R2|R1+R2×100%]]>例如，在R1約為17％的相變介質(zhì)中，R2需要在16-18％的范圍內(nèi)。
為了實(shí)現(xiàn)這種初始化狀態(tài)，希望幾乎與實(shí)際記錄條件相同的熱量隨時(shí)間變化的關(guān)系通過(guò)初始化處理給出。
通過(guò)這種初始化方法獲得的單晶相通常在Sb/Te之比大于4.5時(shí)是六角晶體，并且在Sb/Te之比小于4.5時(shí)是面心立方晶體。但這并不僅僅取決于Sb/Te之比。在以16倍于CD線(xiàn)速度和4倍于DVD線(xiàn)速度的速度進(jìn)行記錄時(shí)，記錄層最好由單相的六角多晶構(gòu)成。
本發(fā)明的相變介質(zhì)通常在襯底上形成下保護(hù)層、相變記錄層、上保護(hù)層和反射層。特別優(yōu)選的是形成所謂的快速冷卻結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，記錄層有10-30nm厚、上保護(hù)層有15-50nm厚，反射層有30-300nm厚。當(dāng)本發(fā)明的記錄方法應(yīng)用于上述光記錄介質(zhì)時(shí)，與所有記錄標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度相關(guān)的n/m應(yīng)當(dāng)優(yōu)選設(shè)置為1.5或更大。另外，n/m最好設(shè)置為1.8或更大。n/m的上限一般約為4，優(yōu)選為3，但也可根據(jù)諸如記錄功率Pw和偏置功率Pb這樣的其它條件而變化。基本上，n/m只需在可給出充分冷卻時(shí)間長(zhǎng)度的范圍內(nèi)。
當(dāng)光記錄方法應(yīng)用于一次寫(xiě)入式介質(zhì)時(shí)，需要進(jìn)行這樣的設(shè)置，即Pe＝Pb＝Pr(r是檢索光功率)。也可設(shè)置Pe＞Pr，以便于提供剩余熱效應(yīng)。
本發(fā)明的記錄方法并不取決于記錄介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)或光照射方法，它不僅可應(yīng)用于具有襯底/保護(hù)層/記錄層/保護(hù)層/反射層的層結(jié)構(gòu)并且在其中檢索/寫(xiě)入激光束通過(guò)襯底照射的介質(zhì)，而且可應(yīng)用于具有襯底/反射層/保護(hù)層/記錄層/保護(hù)層的層結(jié)構(gòu)并且在其中檢索/寫(xiě)入激光束從與襯底相對(duì)的一側(cè)照射的所謂薄膜側(cè)入射類(lèi)介質(zhì)。另外，本發(fā)明的記錄方法也可應(yīng)用到組合這些介質(zhì)來(lái)形成多個(gè)記錄層的介質(zhì)。
反射層具有促進(jìn)熱耗散并提高冷卻速度的作用。因此，在本發(fā)明的記錄介質(zhì)中，反射層的選擇非常重要。具體來(lái)說(shuō)，在本發(fā)明中使用的反射層最好具有高的熱耗散效應(yīng)。
反射層的導(dǎo)熱性被認(rèn)為與其體積電阻率基本上成反比，從而反射層的熱耗散效應(yīng)與膜厚成正比。因此，反射層的熱耗散效應(yīng)通常被認(rèn)為與表面電阻率成反比。因此在本發(fā)明中，優(yōu)選使用表面電阻率為0.5Ω/□或更小，最好是0.4Ω/□或更小的反射層。體積電阻率最好在大約20nΩ.m到100nΩ.m的范圍內(nèi)。體積電阻率太大的材料實(shí)際上是不可用的。體積電阻率太大的材料不僅具有不良的熱耗散效應(yīng)，而且還會(huì)降低記錄靈敏度。
反射層可能的材料包括鋁、銀和以這些材料作為主要成分的合金。
可用于反射層的鋁合金的例子是在Al中至少加入Ta，Ti，Co，Cr，Si，Sc，Hf，Pd，Pt，Mg，Zr，Mo和Mn之一的鋁合金。添加元素的含量一般在0.2％原子比到1％原子比之間。當(dāng)這些含量太小時(shí)，耐小丘的能力(hillock resistance)往往不足；而當(dāng)它們太大時(shí)，熱耗散效應(yīng)往往下降。
可用于反射層的銀合金的例子是在Ag中至少加入Ti，V，Ta，Nb，W，Co，Cr，Si，Ge，Sn，Sc，Hf，Pd，Rh，Au，Pt，Mg，Zr，Mo和Mn之一的銀合金。從提高與時(shí)間有關(guān)的穩(wěn)定性的角度出發(fā)，添加的元素最好至少為T(mén)i，Mg，Pd和Cu金屬元素之一。添加元素的含量一般在0.2％原子比到3％原子比之間。當(dāng)這些含量太小時(shí)，耐蝕力往往降低；而當(dāng)它們太大時(shí)，熱耗散效應(yīng)往往下降。
體積電阻率與Al合金中的添加元素的含量以及Ag合金中的添加元素的含量成正比增加。
反射層一般通過(guò)濺射或真空沉積法形成。由于在反射層中包括制膜期間夾在其中的水和氧氣的雜質(zhì)總量應(yīng)當(dāng)優(yōu)選設(shè)置為2％原子比或更小，因此希望在用于形成該層的處理室中的真空度設(shè)置為1×10-3Pa或更小。為了減少夾雜的雜質(zhì)含量，沉積速率優(yōu)選設(shè)置為1nm/秒或更高，最好為10nm/秒或更高。夾雜的雜質(zhì)含量也可根據(jù)濺射時(shí)使用的合金靶的制造方法以及濺射氣體(稀有氣體，如Ar，Ne和Xe)來(lái)確定。
為了增強(qiáng)反射層的熱耗散效果，反射層的材料最好盡可能實(shí)際上只由鋁和銀構(gòu)成。
反射層也可以以多層的形式形成，以便提高熱耗散效應(yīng)和介質(zhì)的可靠性。
例如，當(dāng)反射層主要由具有大的熱耗散效應(yīng)的銀制成并且在反射層和記錄層之間加有含硫保護(hù)層時(shí)，在高溫潮濕的加速實(shí)驗(yàn)環(huán)境下，銀和硫的影響會(huì)給重復(fù)重寫(xiě)特性和耐蝕力帶來(lái)問(wèn)題。為了避免這些問(wèn)題，可以在這兩層之間提供由基于鋁的合金形成的界面層，這樣則可以獲得包含鋁層和銀層的2-層反射層。在該情況下，界面層的厚度通常介于大約5nm到100nm之間，最好在5nm到50nm之間。當(dāng)界面層太薄時(shí)，保護(hù)效果往往不夠；當(dāng)它太厚時(shí)，熱耗散效應(yīng)往往下降。
對(duì)于在希望的層厚下獲得希望的平面電阻率來(lái)說(shuō)，以多層的形式形成記錄層也是有效的。
現(xiàn)在將利用典型實(shí)施例詳細(xì)解釋本發(fā)明。應(yīng)當(dāng)指出，本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例，而是可應(yīng)用于在本發(fā)明范圍之內(nèi)的任何應(yīng)用。
實(shí)施例1在以尋跡紋槽(軌跡間距1.6μm，紋槽寬度約為0.53μm，紋槽深度約為37nm)形成的1.2mm厚的聚碳酸酯襯底上，通過(guò)在真空室進(jìn)行濺射沉積了70nm厚的(ZnS)80(SiO2)20保護(hù)層、17nm的Ge5Sb77Te18記錄層，40nm的(ZnS)85(SiO2)15保護(hù)層和220nm的Al99.5Ta0.5合金。一層4μm厚的紫外線(xiàn)固化(curing)保護(hù)層覆在該襯底上并被固化，從而制造出相變型可重寫(xiě)光盤(pán)。
這種可重寫(xiě)光盤(pán)通過(guò)使用激光波長(zhǎng)為810nm且光束直徑約為108μm×1.5μm的整盤(pán)擦除器在功率為420mW下進(jìn)行初始結(jié)晶。另外，在激光波長(zhǎng)為780m且拾取裝置的數(shù)值孔徑NA為0.55的評(píng)價(jià)設(shè)備中，通過(guò)啟動(dòng)伺服裝置，紋槽和紋間平面(land)利用9.5mV的DC光結(jié)晶一次，以便降低晶體級(jí)的噪聲。
隨后，在激光波長(zhǎng)為780nm且拾取裝置的數(shù)值孔徑NA為0.55的評(píng)價(jià)設(shè)備中，紋槽在下面的條件下利用EFM調(diào)制隨機(jī)模式進(jìn)行重寫(xiě)線(xiàn)速度為12m/s(CD的10倍速)、基本時(shí)間頻率為43.1MHz、參考時(shí)鐘周期T為23.1ns。EFM調(diào)制方案使用時(shí)間長(zhǎng)度從3T到11T的標(biāo)記。標(biāo)記時(shí)間長(zhǎng)度不同的這些標(biāo)記被隨機(jī)產(chǎn)生的模式是EFM調(diào)制隨機(jī)模式。
這些模式通過(guò)使用上述脈沖分割方案3(當(dāng)n＝3，4，5，6，7，8，9，10，11時(shí)，分割數(shù)設(shè)置為m＝1，2，2，3，3，4，5，5，5)進(jìn)行重寫(xiě)記錄，其中記錄功率Pw設(shè)置為18mW，擦除功率Pe為9mW并且偏置功率Pb＝檢索功率Pr為0.8mW。通過(guò)略微改變圖1的脈沖產(chǎn)生電路可以實(shí)現(xiàn)該脈沖分割方案。
檢索是在2.4m/s(CD的2倍速)的速度下進(jìn)行的，并且檢索信號(hào)經(jīng)過(guò)2-kHz高頻帶通濾波器并在隨后通過(guò)把信號(hào)幅度的中心作為閥值來(lái)進(jìn)行DC-限幅和檢索。
在執(zhí)行重寫(xiě)之前，該脈沖分割方案在范圍從3T-11T的標(biāo)記時(shí)間長(zhǎng)度的每一個(gè)中進(jìn)行優(yōu)化。特別是，第一記錄脈沖部分α1T和最后空閑脈沖部分βmT被優(yōu)化。
現(xiàn)在示出一個(gè)實(shí)例，在其中11T標(biāo)記(在2倍速下是1.27ms)被分成五個(gè)部分并且記錄脈沖寬度和空閑脈沖寬度被確定。
通過(guò)使用圖6(a)所示的脈沖分割方案，脈沖寬度通過(guò)只改變?chǔ)?來(lái)記錄。在2.4m/s線(xiàn)速度下的檢索標(biāo)記時(shí)間長(zhǎng)度與α1的關(guān)系曲線(xiàn)在圖7中示出。在α1＝1.0時(shí)，標(biāo)記時(shí)間長(zhǎng)度是優(yōu)選的1.28ms。其理論值是1.27ms。
類(lèi)似地，通過(guò)使用圖6(b)所示的脈沖分割方案，測(cè)量是通過(guò)βm(m＝5)的關(guān)系曲線(xiàn)進(jìn)行的。圖8表示在等于2倍于CD線(xiàn)速度的2.4m/s線(xiàn)速度下檢索標(biāo)記時(shí)間長(zhǎng)度與βm的關(guān)系曲線(xiàn)。當(dāng)βm＝β5＝1.0時(shí)，標(biāo)記時(shí)間長(zhǎng)度是1.35ms。
這些實(shí)驗(yàn)是以具有相應(yīng)標(biāo)記時(shí)間長(zhǎng)度的標(biāo)記為基礎(chǔ)進(jìn)行的，目的是優(yōu)化特別是第一記錄脈沖的α1和最后空閑脈沖的β5。圖9所示的脈沖分割方案被確定。對(duì)于具有8T-11T長(zhǎng)度的長(zhǎng)標(biāo)記來(lái)說(shuō)，則設(shè)置α1＝1.0和βm＝1.0。
在優(yōu)化之后，圖9的脈沖分割方案被用來(lái)重寫(xiě)晶體區(qū)中的非晶態(tài)標(biāo)記。nT標(biāo)記的各個(gè)輸入信號(hào)的檢索信號(hào)的標(biāo)記時(shí)間長(zhǎng)度的測(cè)量值在圖10中示出。標(biāo)記長(zhǎng)度變化是線(xiàn)性的并且檢索標(biāo)記的標(biāo)記長(zhǎng)度偏差是在允許3T-11T標(biāo)記被分別正確區(qū)分和檢測(cè)的范圍之內(nèi)。這里的抖動(dòng)值較低，遠(yuǎn)低于2倍速再現(xiàn)的17.5ns的CD標(biāo)準(zhǔn)抖動(dòng)上限，并且該調(diào)制為0.6或更高。這表示由此獲得的記錄信號(hào)是令人滿(mǎn)意的。在圖中，標(biāo)記長(zhǎng)度指的是標(biāo)記時(shí)間長(zhǎng)度，空白長(zhǎng)度指的是空白時(shí)間長(zhǎng)度。
接著，通過(guò)使用圖9的脈沖分割方案，EFM隨機(jī)信號(hào)被重寫(xiě)。該隨機(jī)信號(hào)使用Sony Techtronix生產(chǎn)的AWG520產(chǎn)生。此時(shí)，優(yōu)化每個(gè)標(biāo)記長(zhǎng)度的脈沖分割。結(jié)果，即使在產(chǎn)生隨機(jī)信號(hào)時(shí)，在2倍速再現(xiàn)期間也能夠獲得希望的標(biāo)記長(zhǎng)度以及在17.5ns以下的令人滿(mǎn)意的標(biāo)記長(zhǎng)度抖動(dòng)和空白長(zhǎng)度抖動(dòng)。
當(dāng)該隨機(jī)模式被記錄時(shí)，由透射電子顯微鏡證實(shí)nT標(biāo)記未被分成多個(gè)非晶態(tài)部分，而是形成了連續(xù)的非晶態(tài)標(biāo)記。
實(shí)施例2在以尋跡紋槽(軌跡間距1.6μm，紋槽寬度約為0.53μm，紋槽深度約為37nm)形成的1.2mm厚的聚碳酸酯襯底上，通過(guò)在真空室進(jìn)行濺射沉積了70nm厚的(ZnS)80(SiO2)20保護(hù)層、17nm的Ge7Sb79Te14記錄層，40nm的(ZnS)85(SiO2)15保護(hù)層和220nm的Al99.5Ta0.5合金。一層4μm厚的紫外線(xiàn)固化保護(hù)層覆在該襯底上并被固化，從而制造出光盤(pán)。
這種可重寫(xiě)光盤(pán)通過(guò)使用激光波長(zhǎng)為810nm且光束直徑約為108μm×1.5μm的整盤(pán)擦除器在功率為420mW下進(jìn)行初始結(jié)晶。另外，在激光波長(zhǎng)為780nm且拾取裝置的數(shù)值孔徑NA為0.55的評(píng)價(jià)設(shè)備中，通過(guò)啟動(dòng)伺服裝置，紋槽和紋間平面利用9.5mW的DC光結(jié)晶一次，以便降低晶體級(jí)的噪聲。
隨后，在激光波長(zhǎng)為780nm且拾取裝置的數(shù)值孔徑NA為0.55的評(píng)價(jià)設(shè)備中，紋槽在下面的條件下通過(guò)使用圖6(c)所示的脈沖分割方案以時(shí)間長(zhǎng)度為11T的非晶態(tài)標(biāo)記進(jìn)行記錄線(xiàn)速度為19.2m/s(CD的16倍速)、基本時(shí)間頻率為69.1MHz、參考時(shí)鐘周期T為14.5ns。
重寫(xiě)記錄通過(guò)使用18mW的記錄功率Pw、9mW的擦除功率Pe和等于0.8mW檢索功率Pr的偏置功率Pb來(lái)進(jìn)行。
檢索是在2.4m/s(CD的2倍速)下進(jìn)行的，并且檢索信號(hào)經(jīng)過(guò)2-kHz高頻帶通濾波器并在隨后通過(guò)把信號(hào)幅度的中心作為閥值來(lái)進(jìn)行DC-限幅和檢索。
標(biāo)記抖動(dòng)是13.1納秒，空白抖動(dòng)是13.2納秒，遠(yuǎn)低于17.5ns的CD標(biāo)準(zhǔn)抖動(dòng)上限。
EFM調(diào)制隨機(jī)模式以類(lèi)似于實(shí)施例1的方式來(lái)記錄和檢索。其結(jié)果令人滿(mǎn)意。
比較例1在激光波長(zhǎng)為780nm且拾取裝置的數(shù)值孔徑NA為0.55的評(píng)價(jià)設(shè)備中，通過(guò)使用目前在CD-RW中采用的圖11所示的n-k分割方案(m＝n-k，n＝1，n/m的最小值是1.1)，在實(shí)施例2中制造的光盤(pán)交替使用時(shí)間長(zhǎng)度為11T的非晶態(tài)標(biāo)記和時(shí)間長(zhǎng)度為11T的空白進(jìn)行記錄，其條件如下線(xiàn)速度為19.2m/s(CD的16倍速)、基本時(shí)間頻率為69.1MHz、參考時(shí)鐘周期T為14.5ns。
重寫(xiě)記錄通過(guò)使用18mW的記錄功率Pw、9mW的擦除功率Pe和等于0.8mW檢索功率Pr的偏置功率Pb來(lái)進(jìn)行。
當(dāng)在2.4m/s的線(xiàn)速度下檢索信號(hào)時(shí)，與檢索信號(hào)的標(biāo)記中心部分相對(duì)應(yīng)的反射率未充分下降。通過(guò)對(duì)標(biāo)記的檢驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，標(biāo)記的中心部分明顯地再結(jié)晶。抖動(dòng)實(shí)際上超過(guò)了17.5納秒的限制并且太高以至于不能測(cè)量。為了防止再結(jié)晶，在仍然使用n-1分割方案的同時(shí)，記錄脈沖寬度被變窄，但記錄激光束的調(diào)制跟不上變窄的脈沖，從而導(dǎo)致記錄功率Pw增加且不能提高冷卻效果。
實(shí)施例3在以尋跡紋槽(軌跡間距1.6μm，紋槽寬度約為0.53μm，紋槽深度約為37nm)形成的1.2mm厚的聚碳酸酯襯底上，通過(guò)在真空室進(jìn)行濺射沉積了70nm厚的(ZnS)80(SiO2)20保護(hù)層、17nm的Ge7Sb78Te15記錄層，45nm的(ZnS)80(SiO2)20保護(hù)層和220nm的Al99.5Ta0.5合金反射層(體積電阻率約為100nΩ.m且平面電阻率為0.45Ω/□)。一層4μm厚的紫外線(xiàn)固化保護(hù)層覆在該襯底上。用于尋跡的導(dǎo)向槽被賦予幅度30nm(峰-峰)的紋槽線(xiàn)，這是通過(guò)把22.05kHz的載波調(diào)頻±1kHz而形成的。也就是說(shuō)，地址信息是以所謂的ATIP的形式沿著螺旋紋槽提供的。
與實(shí)施例1和2相同，光盤(pán)配置成使聚焦激光束的主軸指向光盤(pán)的徑向，該激光束具有大約810nm的波長(zhǎng)并且是在長(zhǎng)軸方向上約為108μm且在短軸方向上約為1.5μm的橢圓形。光盤(pán)以3-6m/s的線(xiàn)速度掃描并且以400-600mW的功率照射以進(jìn)行初始化。另外，在激光波長(zhǎng)為780nm且拾取裝置的數(shù)值孔徑NA為0.55的評(píng)價(jià)設(shè)備中，伺服裝置被啟動(dòng)以便利用9.5mW的DC光使紋槽和紋間平面結(jié)晶一次，從而降低結(jié)晶級(jí)的噪聲。
為了檢索/寫(xiě)入評(píng)價(jià)，Pulsetech DDU1000(波長(zhǎng)780nm，NA＝0.55)被用來(lái)通過(guò)紋槽寫(xiě)入和檢索。檢索在2倍速下進(jìn)行，而與記錄用的線(xiàn)速度無(wú)關(guān)。在此情況下的CD格式的抖動(dòng)容限值是17.5ns。Sony Techtronix制造的任意波形的信號(hào)源AWC520可被用作產(chǎn)生門(mén)信號(hào)的信號(hào)源。
首先，記錄是在16倍于CD線(xiàn)速度的線(xiàn)速度下(19.2m/s)進(jìn)行，參考時(shí)鐘周期T是14.5納秒。
(1)首先，通過(guò)使用圖14的分割記錄脈沖來(lái)研究中間脈沖組的最佳條件。記錄功率Pwi被設(shè)置為恒定的20mW，偏置功率Pbi也被設(shè)置為恒定的0.8mW，并且空白的擦除功率Pe設(shè)置為10mW。
如圖14(a)所示，在具有常數(shù)αi＝1的分割記錄脈沖當(dāng)中，βi被設(shè)置為βc(常數(shù)值)并在隨后進(jìn)行變化以檢驗(yàn)非晶態(tài)標(biāo)記的形成與空閑脈沖部分的長(zhǎng)度的相關(guān)性。
當(dāng)空閑脈沖部分比大約1T短時(shí)，如圖3(d)所示，在標(biāo)記前端的信號(hào)幅度由于標(biāo)記前端的再結(jié)晶而降低。后端的幅度也有一些降低。通過(guò)擦除電平信號(hào)強(qiáng)度(x100％)分割的整個(gè)標(biāo)記長(zhǎng)度中的最大幅度被定義為調(diào)制，該調(diào)制與空閑脈沖部分的關(guān)系曲線(xiàn)在圖15(a)中示出?？梢钥闯觯?dāng)空閑脈沖部分短時(shí)，調(diào)制由于波形失真的影響而變差(非晶態(tài)標(biāo)記的不良成形)。當(dāng)空閑脈沖部分超過(guò)1T時(shí)，該調(diào)制變?yōu)轱柡停瑥亩a(chǎn)生接近無(wú)失真的矩形波的波形。
接著，通過(guò)使用圖14(b)所示的空閑脈沖部分設(shè)置為1.5T的分割記錄脈沖，該調(diào)制與記錄脈沖部分的關(guān)系曲線(xiàn)得到檢驗(yàn)。在圖14(b)中，αi被設(shè)置為αc(一個(gè)常數(shù)值)并且均勻變化。圖15(b)表示αc與調(diào)制的關(guān)系曲線(xiàn)?？梢钥闯觯羉＝1到5時(shí)可獲得接近飽和的調(diào)制。
(2)接著，圖16所示的中間脈沖組固定為αi＝1且βi＝1.5的分割記錄脈沖被使用，并且標(biāo)記長(zhǎng)度和標(biāo)記特性的控制通過(guò)控制第一周期和最后周期來(lái)檢驗(yàn)。在圖16中，一個(gè)0.5T的記錄脈沖部分被加到標(biāo)記后端以使標(biāo)記長(zhǎng)度精確地接近11T。這樣可以使標(biāo)記長(zhǎng)度和空白長(zhǎng)度設(shè)定為11T，并且可以搜索用于獲得令人滿(mǎn)意的抖動(dòng)的條件。原始波形是11T標(biāo)記和11T空白的重復(fù)模式，其中第一記錄脈沖前沿與11T標(biāo)記的前端同步。在此，由于執(zhí)行2倍速檢索，所以抖動(dòng)允許值的上限為17.5納秒(ns)，而且11T相當(dāng)于大約1.27微秒(μs)。圖17，18和19以虛線(xiàn)表示這些值。
使用如圖16(a)所示的分割記錄脈沖檢驗(yàn)了與第一記錄脈沖α1長(zhǎng)度的關(guān)系。圖17(a)和17(b)分別示出了標(biāo)記長(zhǎng)度和空白長(zhǎng)度與α1的關(guān)系以及標(biāo)記抖動(dòng)和空白抖動(dòng)與α1的關(guān)系。從圖17(b)可見(jiàn)，α1最好設(shè)置為0.8-1.8，以使抖動(dòng)低于17.5ns。
在圖17(b)中，標(biāo)記長(zhǎng)度和空白長(zhǎng)度并未獲得想要的11T。因此，αi設(shè)置為αi＝1，并且圖16(b)所示的分割記錄脈沖被用來(lái)檢驗(yàn)與第一空閑脈沖βiT的長(zhǎng)度的相關(guān)性。圖18(a)和18(b)分別表示標(biāo)記長(zhǎng)度和空白長(zhǎng)度與β1的關(guān)系曲線(xiàn)，以及標(biāo)記抖動(dòng)和空白抖動(dòng)與β1的關(guān)系曲線(xiàn)?？梢钥闯觯?＝1.3時(shí)獲得基本上是希望的標(biāo)記長(zhǎng)度和空白長(zhǎng)度，還可以看出，β1的范圍在1-1.7之間時(shí)獲得令人滿(mǎn)意的抖動(dòng)。這里選擇β1＝1.5。
另外，通過(guò)使用圖16(c)所示的分割記錄脈沖并且設(shè)置α1＝1且β1＝1.5，可研究與最后空閑脈沖βm的長(zhǎng)度的相關(guān)性。圖19(a)和19(b)分別表示標(biāo)記長(zhǎng)度和空白長(zhǎng)度與βm的關(guān)系曲線(xiàn)，以及標(biāo)記抖動(dòng)和空白抖動(dòng)與βm的關(guān)系曲線(xiàn)。這些附圖表示在βm＝大約0.7時(shí)獲得希望的標(biāo)記長(zhǎng)度和空白長(zhǎng)度，并且在βm＝0-1.8的大范圍內(nèi)可獲得令人滿(mǎn)意的抖動(dòng)。
通過(guò)這些可以看出，設(shè)置α1＝1且β1＝1.5會(huì)產(chǎn)生希望的11T標(biāo)記長(zhǎng)度和最小抖動(dòng)。
(3)考慮到上述(1)和(2)的結(jié)果，在α1＝1+0.5且β1＝1±0.5的范圍內(nèi)，對(duì)由3T-11T標(biāo)記長(zhǎng)度構(gòu)成的EFM調(diào)制信號(hào)執(zhí)行基于以上(分割記錄脈沖產(chǎn)生方法2)并使用2T基本周期的脈沖分割法。用于每個(gè)標(biāo)記長(zhǎng)度的特定脈沖分割方法在圖20中示出。
也就是說(shuō)，對(duì)于n為偶數(shù)的標(biāo)記記錄來(lái)說(shuō)，標(biāo)記長(zhǎng)度是nT＝2LT，其中L是大于等于2的整數(shù)，標(biāo)記被分割為m＝L個(gè)部分，并且照射記錄功率Pwi的記錄脈沖部分αi和照射偏置功率Pbi的空閑脈沖部分βi進(jìn)行如下設(shè)置α1+β1＝2αi+βi＝2(2≤i≤m-1)αm+βm＝1.6對(duì)于n為奇數(shù)的標(biāo)記記錄來(lái)說(shuō)，標(biāo)記長(zhǎng)度是nT＝(2L+1)T，標(biāo)記被分割為m＝L個(gè)部分，并且每個(gè)脈沖部分進(jìn)行如下設(shè)置α1’+β1’＝2.5
αi’+βi’＝2(2≤i≤m-1)αm’+βm’＝2.1盡管對(duì)于2LT標(biāo)記和(2L+1)T標(biāo)記來(lái)說(shuō)分割數(shù)是同樣的m＝L，但這些標(biāo)記的第一周期和最后周期由于給定它們0.5T的差值而有所不同。
在圖20中，相對(duì)于nT標(biāo)記前端的α1T的延遲被設(shè)置為T(mén)d1＝0。當(dāng)n≥4時(shí)，中間脈沖組保持αi＝0.8且βi＝1.2(2≤i≤m-1)恒定，而與n值無(wú)關(guān)。
另外，當(dāng)n為偶數(shù)時(shí)進(jìn)行下面的設(shè)置α1＝0.8，β1＝1.2，αm＝0.7，βm＝0.9。當(dāng)n為奇數(shù)時(shí)，進(jìn)行如下的設(shè)置α1’＝1.0，β1’＝1.5，αm’＝1.0，βm’＝1.1。只有在3T的情況下才是例外。3T標(biāo)記長(zhǎng)度的設(shè)置為α1＝1.2，β1＝1.5。在圖20中，記錄脈沖部分和空閑脈沖部分由矩形波的頂部和底部表示。各部分長(zhǎng)度由數(shù)字表示，并且在圖中頂部和底部描繪的長(zhǎng)度并不是與精確的各部分長(zhǎng)度成比例。
記錄功率Pwi和偏置功率Pbi設(shè)置為恒定，而與i值無(wú)關(guān)，即Pw＝20mW且Pb＝0.8mW。擦除功率Pe設(shè)置為10mW。
在執(zhí)行9次重寫(xiě)之后(初始記錄被認(rèn)為是第0次記錄)，進(jìn)行每個(gè)nT標(biāo)記和nT空白的標(biāo)記長(zhǎng)度和空白長(zhǎng)度以及抖動(dòng)的測(cè)量。圖21(a)所示為標(biāo)記長(zhǎng)度和空白長(zhǎng)度的測(cè)量結(jié)果，圖21(b)所示為標(biāo)記和空白的抖動(dòng)的測(cè)量結(jié)果。盡管由于重寫(xiě)的原因從原始記錄開(kāi)始抖動(dòng)差了2-3納秒，但標(biāo)記長(zhǎng)度和空白長(zhǎng)度基本上精確為nT且抖動(dòng)低于17.5納秒。以DC方式照射的擦除功率Pe用于擦除操作而不用于執(zhí)行重寫(xiě)。這將使抖動(dòng)改善大約2納秒。
(4)通過(guò)改變時(shí)鐘周期以使線(xiàn)速度v與時(shí)鐘周期T的乘積為常數(shù)，以CD的10倍速對(duì)相同的介質(zhì)執(zhí)行重寫(xiě)。也就是說(shuō)，在這種情況下的參考時(shí)鐘周期T為23.1納秒。當(dāng)n≥4時(shí)，αiT(1≤i≤m)幾乎保持恒定。也就是說(shuō)，中間記錄脈沖組保持αi＝0.5且βi＝1.5(2≤i≤m-1)恒定。
分割脈沖在圖22中示出。當(dāng)n為偶數(shù)時(shí)，脈沖被設(shè)置為α1＝0.6，β1＝14，αm＝0.5，βm＝1.4。當(dāng)n為奇數(shù)時(shí)，脈沖被設(shè)置為α1’＝0.6，β1’＝1.9，αm’＝0.6，βm’＝1.8。只有在3T的情況下才是例外。3T標(biāo)記長(zhǎng)度的設(shè)置為α1＝0.8，β1＝2.4。除去n＝3之外，這樣分割的記錄脈沖大致相當(dāng)于時(shí)鐘周期乘以16/10(與線(xiàn)速度成反比)，同時(shí)使在圖20中獲得的記錄脈沖長(zhǎng)度保持恒定。與16倍速的情況一樣，記錄功率Pwi和偏置功率Pbi保持在Pw＝20mW且Pb＝0.8mW恒定，而與i值無(wú)關(guān)。擦除功率Pe也與16倍速的情況一樣被設(shè)置為10mW。
在執(zhí)行9次重寫(xiě)之后(初始記錄被認(rèn)為是第0次記錄)，進(jìn)行每個(gè)nT標(biāo)記和nT空白的標(biāo)記長(zhǎng)度和空白長(zhǎng)度以及抖動(dòng)的測(cè)量。圖23(a)所示為標(biāo)記長(zhǎng)度和空白長(zhǎng)度的測(cè)量結(jié)果，圖23(b)所示為標(biāo)記和空白的抖動(dòng)的測(cè)量結(jié)果。盡管由于重寫(xiě)的原因從原始記錄開(kāi)始抖動(dòng)差了2-3納秒，但標(biāo)記長(zhǎng)度和空白長(zhǎng)度基本上精確為nT并且抖動(dòng)低于17.5納秒。
以DC方式照射的擦除功率Pe用于擦除操作而不用于執(zhí)行重寫(xiě)。這將使抖動(dòng)改善大約2納秒。
(5)通過(guò)使用由具有分割記錄脈沖的11T標(biāo)記和11T空白構(gòu)成的重復(fù)模式(11T模式)以及由具有分割記錄脈沖的3T標(biāo)記和3T空白構(gòu)成的重復(fù)模式(3T模式)對(duì)相同的介質(zhì)執(zhí)行重寫(xiě)。在重寫(xiě)3T模式九次之后，在第10次重寫(xiě)11T模式，并且3T信號(hào)載波電平的縮減率(以dB為單位)被測(cè)量作為擦除比(重寫(xiě)擦除比)。盡管在不同的線(xiàn)速度當(dāng)中3T模式略有差異，但無(wú)論是3T還是11T模式基本上都是根據(jù)圖20的分割方法改變，以使αiT(1≤i≤m)幾乎保持恒定。
擦除比是通過(guò)改變線(xiàn)速度同時(shí)保持線(xiàn)速度與參考時(shí)鐘周期的乘積為常數(shù)來(lái)估計(jì)的。在10，12，16和18倍于CD線(xiàn)速度時(shí)可獲得20dB或更大的重寫(xiě)擦除比。
當(dāng)隨機(jī)模式被記錄時(shí)，通過(guò)透射電子顯微鏡證實(shí)nT標(biāo)記未被分割為多個(gè)非晶態(tài)部分，而是形成連續(xù)的非晶態(tài)標(biāo)記。
類(lèi)似于上面所用的記錄層在初始化之后錄寫(xiě)，再利用透射電子顯微鏡來(lái)觀察其結(jié)晶性。通過(guò)觀察發(fā)現(xiàn)，記錄層是由單相六角晶體形成的多晶。另外還發(fā)現(xiàn)，晶相無(wú)相分離，從而推斷出具有旋轉(zhuǎn)取向的單相多晶結(jié)構(gòu)。通過(guò)使用X-射線(xiàn)衍射檢驗(yàn)發(fā)現(xiàn)它具有六角結(jié)構(gòu)。
實(shí)施例4在以尋跡紋槽(軌跡間距0.74μm，紋槽寬度約為0.27μm，紋槽深度約為30nm)形成的0.6mm厚的聚碳酸酯襯底上，通過(guò)在真空室進(jìn)行濺射沉積了68nm厚的(ZnS)80(SiO2)20保護(hù)層、14nm的Ge5Sb77Te18記錄層，25nm的(ZnS)80(SiO2)20保護(hù)層和220nm的Al99.5Ta0.5合金反射層(體積電阻率約為100nΩ.m且平面電阻率為0.5Ω/□)。一層4μm厚的紫外線(xiàn)固化保護(hù)層通過(guò)旋涂法涂覆在該襯底上。這與另一個(gè)具有相同層結(jié)構(gòu)的0.6mm厚的襯底粘合在一起，從而形成相變光盤(pán)。
與實(shí)施例3相同，如此獲得的光盤(pán)配置成使聚焦激光束的主軸指向光盤(pán)的徑向，該激光束具有大約810nm的波長(zhǎng)并且是在長(zhǎng)軸方向上約為108μm且在短軸方向上約為1.5μm的橢圓形。光盤(pán)以3-6m/s的線(xiàn)速度掃描并且以400-600mW的功率照射以進(jìn)行初始化。另外，在激光波長(zhǎng)為660nm且拾取裝置的數(shù)值孔徑NA為0.65的評(píng)價(jià)設(shè)備中，尋跡和聚焦伺服裝置被啟動(dòng)以便利用大約6mV的DC光以4m/s掃描紋槽一次，以降低結(jié)晶級(jí)的噪聲。
為了檢索/寫(xiě)入評(píng)價(jià)，Pulsetech DDU1000(波長(zhǎng)660nm，NA＝0.55)被用來(lái)對(duì)紋槽進(jìn)行寫(xiě)入和檢索。Sony Techtronix制造的任意波形的信號(hào)源AWC520可被用作產(chǎn)生門(mén)信號(hào)的信號(hào)源。在這種情況下，3T標(biāo)記的長(zhǎng)度為0.4μm并且在每個(gè)線(xiàn)速度下的時(shí)鐘周期的設(shè)置要使記錄密度與DVD的記錄密度相同(在3.5m/s時(shí)為26.16MHz)。
首先，記錄期間的線(xiàn)速度被設(shè)置為16.8m/s(時(shí)鐘頻率為125.93Mhz且時(shí)鐘周期為7.9ns)，這相當(dāng)于DVD的4.8倍速；通過(guò)使用圖25所示的簡(jiǎn)單波形分割14T部分；檢驗(yàn)中間分割記錄脈沖?？瞻妆辉O(shè)置為14T。記錄功率設(shè)置為恒定的Pw＝15mW，擦除功率Pe＝5mW，且偏置功率Pb＝0.5mW。記錄功率應(yīng)用部分表示為T(mén)w，偏置功率應(yīng)用部分表示為T(mén)b。研究了下面兩種情況在第一種情況下，設(shè)置Tw+Tb＝1T并且Pw和Pb應(yīng)用于14T周期(圖25(a))；在第二種情況下，設(shè)置Tw+Tb＝2T并且Pw和Pb應(yīng)用于7T周期(圖25(b))。在這兩種情況的每一種情況下，檢索信號(hào)的記錄標(biāo)記部分的調(diào)制與Tw和T之比(Tw/T)的關(guān)系曲線(xiàn)被估算。當(dāng)2T周期的Tw/T為1.0時(shí)，獲得的信號(hào)是幾乎沒(méi)有失真的方波并且調(diào)制為最大值。當(dāng)Tw/T比小于0.5時(shí)，波形失真。其原因被認(rèn)為是記錄功率應(yīng)用部分不夠，因此溫度上升不充分。相反，當(dāng)Tw/T大于1.0時(shí)，隨著Tw的增加，調(diào)制降低。這被認(rèn)為是由于冷卻時(shí)間不夠，由于再結(jié)晶而阻礙了變換為非晶態(tài)。當(dāng)Tw/T超過(guò)1.5時(shí)，調(diào)制下降到5％以下，從而產(chǎn)生失真的波形(未示出)。對(duì)于1T周期來(lái)說(shuō)，在整個(gè)范圍內(nèi)的調(diào)制都較低，并且只產(chǎn)生失真的波形。這是因?yàn)?，?T周期中不存在記錄功率應(yīng)用時(shí)間和冷卻時(shí)間都足夠的范圍。
從上面的討論可以看出，在分割記錄脈沖產(chǎn)生方法2或3中，至少2≤i≤m-1的中間分割記錄脈沖組優(yōu)選設(shè)置為αi＝αi’＝1且βi＝βi’＝1。
接著，如下驗(yàn)證了上述光盤(pán)在14m/s和17.5m/s的高線(xiàn)速度下(相當(dāng)于3.5m/s的DVD線(xiàn)速度的4和5倍)能夠進(jìn)行高速擦除。也就是說(shuō)，通過(guò)使用由具有分割記錄脈沖的8T標(biāo)記和8T空白構(gòu)成的重復(fù)模式(8T模式)以及由具有分割記錄脈沖的3T標(biāo)記和3T空白構(gòu)成的重復(fù)模式(3T模式)執(zhí)行重寫(xiě)。在重寫(xiě)3T模式九次之后，在第10次重寫(xiě)8T模式，并且3T信號(hào)載波電平的縮減率被確定為重寫(xiě)擦除比。重寫(xiě)擦除比是通過(guò)保持線(xiàn)速度與參考時(shí)鐘周期的乘積為常數(shù)來(lái)確定的，以便獲得與DVD相同的記錄密度。在14m/s和17.5m/s時(shí)可獲得25dB或更大的重寫(xiě)擦除比。
另外，對(duì)由3T-11T和14T標(biāo)記構(gòu)成的EFM+調(diào)制信號(hào)執(zhí)行基于以上分割記錄脈沖產(chǎn)生方法3并使用2T基本周期的脈沖分割法。這種EFM+調(diào)制信號(hào)以14m/s和16.8m/s(3.5 m/s的DVD線(xiàn)速度的3和4.8倍)予以記錄。對(duì)于4倍速而言，時(shí)鐘頻率為104.9MHz且時(shí)鐘頻率為9.5納秒。對(duì)于4.8倍速而言，時(shí)鐘頻率為125.9MHz且時(shí)鐘頻率為7.9納秒。在圖26中示出了該特定的脈沖分割方法。
對(duì)于n為偶數(shù)的標(biāo)記記錄來(lái)說(shuō)，即標(biāo)記長(zhǎng)度是nT＝2LT(L是大于等于2的整數(shù))，標(biāo)記被分割為m＝L個(gè)部分，并且記錄脈沖部分αiT和空閑脈沖部分βiT中的αi和βi進(jìn)行如下設(shè)置Td1+α1＝2(Td1＝0.95)βi-1+αi＝2(2≤i≤m-1)對(duì)于n為奇數(shù)的標(biāo)記記錄來(lái)說(shuō)，即標(biāo)記長(zhǎng)度是nT＝(2L+1)T，標(biāo)記被分割為m＝L個(gè)部分，并且記錄脈沖部分αiT和空閑脈沖部分βiT中的αi和βi進(jìn)行如下設(shè)置Td1’+α1’＝2.05(Td1’＝1)β1’+α2’＝2.45βi-1’+αi’＝2(3≤i≤m-1)βm-1’+αm’＝2.45在這種情況下，當(dāng)L＝2時(shí)，β1’+α2’＝2.9，并且αm＝1且αm’＝αm+0.2＝1.2。
在L≥3的情況下，中間記錄脈沖組被設(shè)置為常數(shù)值αi’＝αi＝1且βi’＝βi＝1(2≤i≤m-1)，并且αm＝αm’＝1。在L≥2時(shí)，它們被設(shè)置為常數(shù)值，而與n值無(wú)關(guān)αi＝αi’＝1.05且βm＝βm’＝0.4。
另外，在3T的情況下，獲得的3T標(biāo)記長(zhǎng)度具有Td1＝1.15，α1＝1.2，β1＝0.8。在圖26中，記錄脈沖部分和空閑脈沖部分由矩形波的頂部和底部表示。特定部分長(zhǎng)度由數(shù)字表示，并且在圖中的頂部和底部所示長(zhǎng)度并不對(duì)應(yīng)于這些部分的長(zhǎng)度。
偏置功率Pbi被設(shè)置為一個(gè)固定值Pb＝0.5mW，它與i值無(wú)關(guān)，并且擦除功率Pe設(shè)置為4.5mW。記錄功率Pwi也被設(shè)置為一個(gè)與i值無(wú)關(guān)的固定值。在重寫(xiě)9次之后，測(cè)量了邊緣-時(shí)鐘抖動(dòng)和調(diào)制與記錄功率的關(guān)系曲線(xiàn)。檢索是使用再現(xiàn)光功率Pr＝0.8mW和線(xiàn)速度3.5m/s來(lái)執(zhí)行的。如圖27(a)和27(b)所示，在其中的一個(gè)記錄線(xiàn)速度下，利用15.0mW的記錄功率，邊緣-時(shí)鐘抖動(dòng)小于10％，而且調(diào)制達(dá)到60％或更高。Rtop約為18％。如圖27(c)所示，利用15.0mW的記錄功率測(cè)量重寫(xiě)關(guān)系曲線(xiàn)可以發(fā)現(xiàn)，即使在10,000次重寫(xiě)操作之后，邊緣-時(shí)鐘抖動(dòng)也為11％或更小。此時(shí)的Rtop和調(diào)制顯示出幾乎不隨著重寫(xiě)而變化。
另外，在相當(dāng)于DVD線(xiàn)速度的兩倍的7m/s的線(xiàn)速度下，且時(shí)鐘頻率為52.5MHz(時(shí)鐘周期為19.1納秒)時(shí)，通過(guò)記錄EFM+調(diào)制信號(hào)對(duì)類(lèi)似的光盤(pán)執(zhí)行了基于上述分割記錄脈沖產(chǎn)生方法3的圖28所示的脈沖分割法。
與利用4和4.8倍于DVD速度的情況一樣，偏置功率設(shè)置為恒定的Pb＝0.5mW，擦除功率Pe為4.5mW。記錄功率Pwi也設(shè)置為恒定而與i值無(wú)關(guān)的。在9次重寫(xiě)操作之后，測(cè)量了邊緣-時(shí)鐘抖動(dòng)以及調(diào)制與記錄功率的關(guān)系曲線(xiàn)。如圖27(a)和27(b)所示，在記錄功率為13.0mW時(shí)，邊緣-時(shí)鐘抖動(dòng)小于8％，而且調(diào)制達(dá)到57％或更高。Rtop約為18％。如圖27(c)所示，在記錄功率為13.0mW時(shí)測(cè)量重寫(xiě)關(guān)系曲線(xiàn)可以發(fā)現(xiàn)，即使在10,000次重寫(xiě)操作之后，邊緣-時(shí)鐘抖動(dòng)也低于11％。此時(shí)的Rtop和調(diào)制顯示出幾乎不隨著重寫(xiě)而變化。
通過(guò)上面的討論可以理解，使用基于分割記錄脈沖產(chǎn)生方法3的脈沖分割方法能夠在2-4.8倍于DVD線(xiàn)速度的線(xiàn)速度范圍內(nèi)進(jìn)行記錄。因此，通過(guò)利用該方法，在構(gòu)成DVD數(shù)據(jù)區(qū)的大約24mm至大約58mm的徑向范圍內(nèi)可執(zhí)行恒定角速度的記錄。
工業(yè)適用性即使在參考時(shí)鐘周期短時(shí)，根據(jù)本發(fā)明也能夠執(zhí)行令人滿(mǎn)意的標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制記錄，從而允許光記錄介質(zhì)可以有更高密度和用更快的速度記錄。這將進(jìn)而提高光盤(pán)的可記錄能力并且能夠提高光盤(pán)的記錄速度和傳送速率，從而極大地?cái)U(kuò)展其應(yīng)用范圍，用于記錄諸如音樂(lè)和視頻的大量數(shù)據(jù)并用于計(jì)算機(jī)的外部存儲(chǔ)設(shè)備。例如，它可實(shí)現(xiàn)一種可在高于CD線(xiàn)速度12倍的速度下重寫(xiě)EFM調(diào)制標(biāo)記的可重寫(xiě)CD，以及一種可在高于DVD線(xiàn)速度4倍的速度下重寫(xiě)EFM+調(diào)制標(biāo)記的可重寫(xiě)DVD。
權(quán)利要求
1.一種光記錄方法，通過(guò)把光照射到記錄介質(zhì)上，以多個(gè)記錄標(biāo)記長(zhǎng)度來(lái)記錄標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制信息，該光記錄方法包括的步驟是當(dāng)一個(gè)記錄標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度表示為nT時(shí)(T是參考時(shí)鐘周期，小于等于25ns，而n是一個(gè)大于等于2的自然數(shù))，把該記錄標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度nT以下面的順序分割成η1T，α1T，β1T，α2T，β2T，…，αiT，βiT，…，αmT，βmT，η2T(m是脈沖分割數(shù)；∑i(αi+βi)+η1+η2＝n；αi(1≤i≤m)是大于0的實(shí)數(shù)；βi(1≤i≤m-1)是大于0的實(shí)數(shù)；βm是大于等于0的實(shí)數(shù)；η1和η2是介于-2和2之間的實(shí)數(shù))；在αiT(1≤i≤m)的時(shí)間周期照射具有記錄功率Pwi的記錄光；并且在βiT(1≤i≤m-1)的時(shí)間周期照射具有偏置功率Pbi的記錄光，偏置功率Pbi＜Pwi且Pbi＜Pwi+1；其中，對(duì)于至少一個(gè)記錄標(biāo)記的時(shí)間周期來(lái)說(shuō)，脈沖分割數(shù)m大于等于2，而對(duì)于所有記錄標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度來(lái)說(shuō)，它滿(mǎn)足n/m≥1.25。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的光記錄方法，其中βi(1≤i≤m-1)介于0.5-2.5之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的光記錄方法，其中對(duì)于所有記錄標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度來(lái)說(shuō)，αiT(1≤i≤m)的平均值為3納秒或更大，βiT(1≤i≤m-1)的平均值為3納秒或更大。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任意之一的光記錄方法，其中對(duì)于所有記錄標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度來(lái)說(shuō)，對(duì)于每一個(gè)i，αiT≥3納秒(1≤i≤m)且βiT≥3納秒(1≤i≤m-1)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意之一的光記錄方法，其中對(duì)于所有記錄標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度來(lái)說(shuō)，滿(mǎn)足n/m≥1.25。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意之一的光記錄方法，其中αi+βi(2≤i≤m-1)或βi-1+αi(2≤i≤m-1)取值為1.5，2或2.5。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意之一的光記錄方法，其中對(duì)于具有不同n的至少兩個(gè)記錄標(biāo)記來(lái)說(shuō)，相同的脈沖分割數(shù)m被使用，并且至少αi(1≤i≤m)、βi(1≤i≤m)、η1、η2、Pwi(1≤i≤m)和Pbi(1≤i≤m)之一與至少兩個(gè)記錄標(biāo)記之任意一個(gè)彼此不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的光記錄方法，其中當(dāng)標(biāo)記長(zhǎng)度表示為nT＝2LT(L是大于等于2的整數(shù))時(shí)，該標(biāo)記被分割為m＝L個(gè)部分，并且記錄脈沖部分αiT和空閑脈沖部分βiT中的αi和βi(這些可根據(jù)L值而變化)定義如下α1+β1＝2+δ1αi+βi＝2(2≤i≤m-1)αm+βm＝2+δ2(其中，δ1和δ2是實(shí)數(shù)，它們分別滿(mǎn)足-0.5≤δ1≤0.5，-1≤δ2≤1；而且當(dāng)L＝2時(shí)，只存在α1，β1，αm和βm)；當(dāng)標(biāo)記長(zhǎng)度表示為nT＝(2L+1)T時(shí)，該標(biāo)記被分割為m＝L個(gè)部分，并且記錄脈沖部分αi’T和空閑脈沖部分βi’T中的αi’和βi’(這些可根據(jù)L值而變化)定義如下α1’+β1’＝2.5+δ1’αi’+βi’＝2(2≤i≤m-1)αm’+βm’＝2.5+δ2’(其中，δ1’和δ2’是實(shí)數(shù)，它們分別滿(mǎn)足-0.5≤δ1’≤0.5，-1≤δ2’≤1；而且當(dāng)L＝2時(shí)，只存在α1’，β1’，αm’和βm’)；并且α1、β1、αm、βm、α1’、β1’、αm’和βm’滿(mǎn)足下面的等式α1+β1+αm+βm+Δ＝α1’+β1’+αm’+βm’(式中，Δ＝0.8-1.2)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的光記錄方法，其中α1、β1、α1’和β1’滿(mǎn)足下面的公式α1+β1+Δ1＝α1’+β1’(式中，Δ1＝0.4-0.6)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7的光記錄方法，其中當(dāng)標(biāo)記長(zhǎng)度表示為nT＝2LT(L是大于等于2的整數(shù))時(shí)，該標(biāo)記被分割為分割數(shù)m＝L個(gè)部分，并且記錄脈沖部分αiT和空閑脈沖部分βiT中的αi和βi(這些可根據(jù)L值而變化)定義如下Td1+α1＝2+ε1βi-1+αi＝2(2≤i≤m)當(dāng)標(biāo)記長(zhǎng)度表示為nT＝(2L+1)T時(shí)，該標(biāo)記被分割為分割數(shù)m＝L個(gè)部分，并且記錄脈沖部分αi’T和空閑脈沖部分βi’T中的αi’和βi’(這些可根據(jù)L值而變化)定義如下Td1’+α1’＝2+ε1’β1’+α2’＝2.5+ε2’βi-1’+αi’＝2(3≤i≤m-1)βm-1’+αm’＝2.5+ε3’(其中當(dāng)L＝2時(shí)，β1’+α2’＝2.5+ε2’或β1’+α2’＝3+ε2’；Td1和Td1’是介于-2和2之間的幾乎恒定的實(shí)數(shù)，它與L值無(wú)關(guān)；并且ε1、ε1’、ε2’和ε3’為介于-1和1之間的實(shí)數(shù))；并且β1、α2、βm-1、αm、β1’、α2’、βm-1’和αm’滿(mǎn)足下面的等式β1+α2+βm-1+αm+Δ2＝β1’+α2’+βm-1’+αm’(式中，Δ2＝0.8-1.2)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的光記錄方法，其中當(dāng)L大于等于3時(shí)，βi’＝β1+大約0.5，βm-1’＝βm-1+大約0.5，α1＝0.8α1’-1.2α1’，αm＝0.8αm’-1.2αm’，而且βm＝0.8βm’-1.2βm’。
12.根據(jù)權(quán)利要求8-11任意之一的光記錄方法，其中在記錄標(biāo)記長(zhǎng)度nT＝2T或3T的標(biāo)記時(shí)，該標(biāo)記被分割為分割數(shù)m＝1個(gè)部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求8-11任意之一的光記錄方法，其中當(dāng)L大于3時(shí)，對(duì)于2≤i≤m-1來(lái)說(shuō)，αi保持恒定為αi＝αc，并且αi’保持恒定為αi’＝αic’。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的光記錄方法，其中當(dāng)L大于3時(shí)，αc和αc’為常數(shù)，與L無(wú)關(guān)。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14的光記錄方法，其中當(dāng)L大于3時(shí)，αc＝αc’。
16.根據(jù)權(quán)利要求8-15任意之一的光記錄方法，其中當(dāng)L大于3時(shí)，Td1、Td1’、α1、α1’、β1、β1’之每一個(gè)均取常數(shù)值。
17.根據(jù)權(quán)利要求8-15任意之一的光記錄方法，其中當(dāng)L大于3時(shí)，αm、αm’、βm、βm’之每一個(gè)均取常數(shù)值。
18.根據(jù)權(quán)利要求8-17任意之一的光記錄方法，其中通過(guò)使用周期為T(mén)的第一參考時(shí)鐘1以及相對(duì)于第一參考時(shí)鐘偏移0.5的周期為T(mén)的第二參考時(shí)鐘2，αI(1≤i≤m)與通過(guò)對(duì)參考時(shí)鐘1分頻而產(chǎn)生的周期為2T的參考時(shí)鐘3同步產(chǎn)生，并且αi’(2≤i≤m-1)與通過(guò)對(duì)參考時(shí)鐘2分頻而產(chǎn)生的周期為2T的參考時(shí)鐘4同步產(chǎn)生。
19.根據(jù)權(quán)利要求8的光記錄方法，其中對(duì)于所有L來(lái)說(shuō)，相對(duì)于要記錄的標(biāo)記長(zhǎng)度前端的延遲時(shí)間Td1在記錄脈沖αi’T和αi’T的前沿提供；產(chǎn)生與在記錄軌跡的預(yù)定位置形成的時(shí)鐘標(biāo)記相對(duì)應(yīng)的參考時(shí)間Tsync；通過(guò)把參考時(shí)間Tsync作為起始點(diǎn)來(lái)產(chǎn)生與每個(gè)標(biāo)記長(zhǎng)度和空白相對(duì)應(yīng)的調(diào)制信號(hào)；產(chǎn)生四個(gè)參考時(shí)鐘，這四個(gè)參考時(shí)鐘是一個(gè)2T-周期的參考時(shí)鐘1a，它相對(duì)于作為起始點(diǎn)的參考時(shí)間Tsync滯后延遲時(shí)間Td1產(chǎn)生；一個(gè)2T-周期的參考時(shí)鐘2a，它相對(duì)于參考時(shí)鐘1a超前0.5T；一個(gè)2T-周期的參考時(shí)鐘1b，它相對(duì)于參考時(shí)鐘1a超前1T；和一個(gè)2T-周期的參考時(shí)鐘2b，它相對(duì)于參考時(shí)鐘1a超前1.5T；當(dāng)記錄nT＝2LT的標(biāo)記時(shí)，與參考時(shí)鐘1a或1b之任意一個(gè)同步產(chǎn)生門(mén)脈沖組G1a、G1b，這兩個(gè)脈沖組與α1T、αiT(2≤i≤m-1)和αmT部分的定時(shí)相對(duì)應(yīng)；當(dāng)記錄nT＝(2L+1)T的標(biāo)記時(shí)，與參考時(shí)鐘2a或2b之任意一個(gè)同步產(chǎn)生門(mén)脈沖組G2a、G2b，這兩個(gè)脈沖組與α1’T、αi’T(2≤i≤m-1)和αm’T部分的定時(shí)相對(duì)應(yīng)；當(dāng)n為偶數(shù)時(shí)，產(chǎn)生∑(αi+βi)T的門(mén)脈沖G3，它具有相對(duì)于用作參考的nT標(biāo)記前端的延遲時(shí)間Td1；當(dāng)n為奇數(shù)時(shí)，產(chǎn)生∑(αi’+βi’)T的門(mén)脈沖G4，它具有相對(duì)于用作參考的nT標(biāo)記前端的延遲時(shí)間Td1’；從作為起始點(diǎn)的參考時(shí)間Tsync到nT標(biāo)記前端所經(jīng)過(guò)的時(shí)間按參考時(shí)鐘T計(jì)數(shù)；當(dāng)經(jīng)過(guò)的時(shí)間是偶數(shù)個(gè)參考時(shí)鐘T時(shí)，根據(jù)n是偶數(shù)還是奇數(shù)來(lái)選擇門(mén)信號(hào)組G1a或G2b；當(dāng)經(jīng)過(guò)的時(shí)間是奇數(shù)個(gè)參考時(shí)鐘T時(shí)，根據(jù)n是偶數(shù)還是奇數(shù)來(lái)選擇門(mén)信號(hào)組G1b或G2a；在G3和G4均空閑(off)時(shí)，照射具有擦除功率Pe的記錄光；在G3或G4工作(on)時(shí)，照射具有偏置功率Pb的記錄光；在G3和G1a同時(shí)工作時(shí)，通過(guò)響應(yīng)G1a工作部分照射具有記錄功率Pw的記錄光；在G3和G1b同時(shí)工作時(shí)，通過(guò)響應(yīng)G1b工作部分照射具有記錄功率Pw的記錄光；在G4和G2a同時(shí)工作時(shí)，通過(guò)響應(yīng)G2a工作部分照射具有記錄功率Pw的記錄光；并且在G4和G2b同時(shí)工作時(shí)，通過(guò)響應(yīng)G2b工作部分照射具有記錄功率Pw的記錄光。
20.根據(jù)權(quán)利要求10的光記錄方法，其中對(duì)于所有L來(lái)說(shuō)，相對(duì)于要記錄的標(biāo)記長(zhǎng)度前端的延遲時(shí)間Td1或Td1’在記錄脈沖αiT和αi’T的前沿提供；產(chǎn)生與在記錄軌跡的預(yù)定位置形成的時(shí)鐘標(biāo)記相對(duì)應(yīng)的參考時(shí)間Tsync；通過(guò)把參考時(shí)間Tsync作為起始點(diǎn)來(lái)產(chǎn)生與每個(gè)標(biāo)記長(zhǎng)度和空白相對(duì)應(yīng)的調(diào)制信號(hào)；產(chǎn)生四個(gè)參考時(shí)鐘，這四個(gè)參考時(shí)鐘是一個(gè)2T-周期的參考時(shí)鐘1a，它通過(guò)作為起始點(diǎn)的參考時(shí)間Tsync產(chǎn)生；一個(gè)2T-周期的參考時(shí)鐘2a，它相對(duì)于參考時(shí)鐘1a超前0.5T；一個(gè)2T-周期的參考時(shí)鐘1b，它相對(duì)于參考時(shí)鐘1a超前1T；和一個(gè)2T-周期的參考時(shí)鐘2b，它相對(duì)于參考時(shí)鐘1a超前1.5T；當(dāng)記錄nT＝2LT的標(biāo)記時(shí)，與參考時(shí)鐘1a或1b之任意一個(gè)同步產(chǎn)生門(mén)脈沖組G1a、G1b，這兩個(gè)脈沖組與α1T、αiT(2≤i≤m-1)和αmT部分的定時(shí)相對(duì)應(yīng)；當(dāng)記錄nT＝(2L+1)T的標(biāo)記時(shí)，與參考時(shí)鐘2a或2b之任意一個(gè)同步產(chǎn)生門(mén)脈沖組G2a、G2b，這兩個(gè)脈沖組與α1’T、αi’T(2≤i≤m-1)和αm’T部分的定時(shí)相對(duì)應(yīng)；當(dāng)n為偶數(shù)時(shí)，產(chǎn)生∑(αi+βi)T的門(mén)脈沖G3，它具有相對(duì)于用作參考的nT標(biāo)記前端的延遲時(shí)間Td1；當(dāng)n為奇數(shù)時(shí)，產(chǎn)生∑(αi’+βi’)T的門(mén)脈沖G4，它具有相對(duì)于用作參考的nT標(biāo)記前端的延遲時(shí)間Td1’；從作為起始點(diǎn)的參考時(shí)間Tsync到nT標(biāo)記前端所經(jīng)過(guò)的時(shí)間按參考時(shí)鐘T計(jì)數(shù)；當(dāng)經(jīng)過(guò)的時(shí)間是偶數(shù)個(gè)參考時(shí)鐘T時(shí)，根據(jù)n是偶數(shù)還是奇數(shù)來(lái)選擇門(mén)信號(hào)組G1a或G2b；當(dāng)經(jīng)過(guò)的時(shí)間是奇數(shù)個(gè)參考時(shí)鐘T時(shí)，根據(jù)n是偶數(shù)還是奇數(shù)來(lái)選擇門(mén)信號(hào)組G1b或G2a；在G3和G4均空閑(off)時(shí)，照射具有擦除功率Pe的記錄光；在G3或G4工作(on)時(shí)，照射具有偏置功率Pb的記錄光；在G3和G1a同時(shí)工作時(shí)，通過(guò)響應(yīng)G1a工作部分照射具有記錄功率Pw的記錄光；在G3和G1b同時(shí)工作時(shí)，通過(guò)響應(yīng)G1b工作部分照射具有記錄功率Pw的記錄光；在G4和G2a同時(shí)工作時(shí)，通過(guò)響應(yīng)G2a工作部分照射具有記錄功率Pw的記錄光；并且在G4和G2b同時(shí)工作時(shí)，通過(guò)響應(yīng)G2b工作部分照射具有記錄功率Pw的記錄光。
21.根據(jù)權(quán)利要求8的光記錄方法，其中當(dāng)通過(guò)使用多個(gè)線(xiàn)速度v同時(shí)保持vxT恒定而在同樣的記錄介質(zhì)上執(zhí)行標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制方案的記錄時(shí)，當(dāng)L等于或大于2時(shí)，在2≤i≤m-1時(shí)的(αi+βi)T和(αi’+βi’)T的周期保持恒定，它與線(xiàn)速度無(wú)關(guān)，每個(gè)i的Pwi、Pbi和Pe接近恒定而與線(xiàn)速度無(wú)關(guān)，并且αi和αi’(2≤i≤m)隨著線(xiàn)速度的下降而下降。
22.根據(jù)權(quán)利要求10的光記錄方法，其中當(dāng)通過(guò)使用多個(gè)線(xiàn)速度v同時(shí)保持vxT恒定而在同樣的記錄介質(zhì)上執(zhí)行標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制方案的記錄時(shí)，當(dāng)L等于或大于2時(shí)，在2≤i≤m時(shí)的(βi-1+αi)T和(βi-1’+αi’)T的周期保持恒定，它與線(xiàn)速度無(wú)關(guān)，每個(gè)i的Pwi、Pbi和Pe接近恒定而與線(xiàn)速度無(wú)關(guān)，并且αi和αi’(2≤i≤m)隨著線(xiàn)速度的下降而下降。
23.根據(jù)權(quán)利要求21或22的光記錄方法，其中αiT和αi’T(2≤i≤m-1)與線(xiàn)速度無(wú)關(guān)而接近恒定。
24.根據(jù)權(quán)利要求1-23任意之一的光記錄方法，其中Pbi≤Pe≤Pwi(1≤i≤m)的擦除功率Pe在空白的時(shí)間長(zhǎng)度照射。
25.根據(jù)權(quán)利要求1-24任意之一的光記錄方法，其中該記錄介質(zhì)是相變類(lèi)光記錄介質(zhì)，在其中，晶體狀態(tài)被用作未記錄/擦除狀態(tài)，非晶態(tài)被用作記錄標(biāo)記。
26.根據(jù)權(quán)利要求1-25任意之一的光記錄方法，其中對(duì)于所有記錄標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度來(lái)說(shuō)，滿(mǎn)足4≥n/m≥1.5，∑i(αi)≤0.6n并且Pb/Pe≤0.2。
27.根據(jù)權(quán)利要求1-26任意之一的光記錄方法，其中記錄期間的線(xiàn)速度為10m/s或更高，最小標(biāo)記長(zhǎng)度小于0.8μm。
28.根據(jù)權(quán)利要求1-27任意之一的光記錄方法，其中記錄光的波長(zhǎng)小于500nm，用于聚焦記錄光的透鏡的數(shù)值孔徑大于等于0.6，并且最小標(biāo)記長(zhǎng)度小于0.3μm。
29.根據(jù)權(quán)利要求1-28任意之一的光記錄方法，其中標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制方案是8-16調(diào)制方案或(1，7)-RLL-NRZI調(diào)制方案。
30.根據(jù)權(quán)利要求1-29任意之一的光記錄方法，其中標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制方案是EFM調(diào)制方案，在其中，通過(guò)在記錄期間把線(xiàn)速度設(shè)置為1.2m/s-1.4m/s的CD參考線(xiàn)速度的10倍或更多倍并同時(shí)保持記錄線(xiàn)密度恒定來(lái)執(zhí)行記錄。
31.根據(jù)權(quán)利要求1-30任意之一的光記錄方法，其中標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制方案是EFM調(diào)制方案，在其中，通過(guò)在記錄期間把線(xiàn)速度設(shè)置為3.49m/s的DVD參考線(xiàn)速度的兩倍或更多倍并同時(shí)保持記錄線(xiàn)密度恒定來(lái)執(zhí)行記錄。
32.在權(quán)利要求1-31任意之一中要求保護(hù)的光記錄方法所記錄的相變類(lèi)光記錄介質(zhì)，該相變類(lèi)光記錄介質(zhì)的記錄層由MzGey(SbxTe1-x)1-y-z合金組成(其中0≤z≤0.1，0≤y≤0.3，0.8≤x；而且M至少是以下元素之一，這些元素是In，Ga，Si，Sn，Pb，Pd，Pt，Zn，Au，Ag，Zr，Hf，V，Nb，Ta，Cr，Co，Mo，Mn，Bi，O，N和S)。
全文摘要
一種光記錄方法,用于通過(guò)使用多個(gè)記錄標(biāo)記長(zhǎng)度把標(biāo)記長(zhǎng)度調(diào)制信息記錄到記錄介質(zhì)上。該光記錄方法包括的步驟是:當(dāng)一個(gè)記錄標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度表示為nT時(shí)(T是參考時(shí)鐘周期,小于等于25ns,而n是一個(gè)大于等于2的自然數(shù)),(i)把該記錄標(biāo)記的時(shí)間長(zhǎng)度nT以下面的順序分割成η
文檔編號(hào)G11B7/26GK1347553SQ00805674
公開(kāi)日2002年5月1日 申請(qǐng)日期2000年5月11日 優(yōu)先權(quán)日1999年5月19日
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