專利名稱：近場光盤片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提供了一種近場光盤片(near-field optical disk)，包括一適當(dāng)厚度的近場層(near-field layer)與一鹵化銀類化合物(silverhalide，AgX)的第二光散射層(light scattering layer)，使該近場光盤片的記錄層與穿透光束在近場距離完成燒錄后，可得到更高密度的記錄密度。
一般常用的儲存裝置有很多，但均有容量太小、容易故障、不易攜帶與流通性差等缺點，而光盤片可解決上述的缺點，尤其是在燒錄軟件與低價燒錄機大行其道后，加速可燒錄式光盤片的流行。
雖然一般的光盤片容量已達640Mb以上，但因數(shù)字影音圖像數(shù)據(jù)與功能完備的軟件均需要大量的儲存空間，故仍希望藉由提高光盤片的儲存容量，使單一光盤片中可以容納更多資料。
光盤片的資料儲存能力取決于記錄密度的大小，要提高光盤片的容量需提高其記錄密度，但在遠場原理下要進一步提高記錄密度會因光波繞射的限制而無法達成，故需改用近場的原理進行燒錄，以得到較高的記錄密度。
如

圖1所示，是現(xiàn)有技術(shù)的一般光盤片結(jié)構(gòu)的剖視圖，現(xiàn)有技術(shù)的一般光盤片11是在一聚碳酸酯(polycarbonate)的基底層(substrate)2上依序形成一含花青色素類的化合物(merocyaninedye)的記錄層(recording layer)3、一可選擇金、銀、鋁或銅鉻合金的反射層(reflex layer)4與一紫外線樹脂(lacquer)的保護層(protection layer)5，燒錄時所使用的穿透光束穿過反射層4到達記錄層3，以穿透光束的熱量使記錄層3中的花青色素類產(chǎn)生變化進行記錄。
如圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)的近場光盤片12結(jié)構(gòu)的剖視圖，現(xiàn)有技術(shù)的近場光盤片是在一聚基底層2上依序形成一記錄層3、一含硫化鋅-二氧化硅(ZnS-SiO2)的近場層6、一含氧化銀(silveroxide，AgOx)的第一光散射層71與一含硫化鋅-二氧化硅的保護層8。
如圖3所示，是現(xiàn)有技術(shù)的近場光盤片第一光散射層的反應(yīng)式，利用光束加熱將含氧化銀的第一光散射層71中氧與銀間的鍵結(jié)打斷，產(chǎn)生銀原子，待熱能移除后，氧與銀即可重新回復(fù)鍵結(jié)，產(chǎn)生一個熱致動光開關(guān)。該近場光盤片的記錄層與穿透光束在近場距離完成燒錄后，可得到更高的記錄密度。
現(xiàn)有技術(shù)中的近場光盤片是使用加熱方式打斷氧化銀中氧與銀間的鍵結(jié)，但因氧化銀中氧與銀的間鍵能高，故使用功率較高的光束，以產(chǎn)生較高的能量，因此會產(chǎn)生較高的溫度。
上述現(xiàn)有技術(shù)中，近場光盤片的第一光散射層與記錄層均以加熱為其作用方式，所以穿透光束與第一光散射層的氧化銀作用后，部份能量已先被氧化銀吸收，因此，傳遞至記錄層時很容易因為熱能不夠造成燒錄失敗。
本發(fā)明的主要目的，在于解決上述的缺陷，避免上述缺陷的存在，本發(fā)明是提供一種近場光盤片，在光盤片進行燒錄時無需使用高功率的光束，因此可大量減少能量消耗。
本發(fā)明的又一目的，是提供一種近場光盤片，光散射層無需利用散熱即可使銀原子與鹵素原子重新鍵結(jié)。
本發(fā)明的又一目的，是提供一種近場光盤片，光散射層是以光作用，故讀寫速度較快。
本發(fā)明的又一目的，是提供一種近場光盤片，光散射層與記錄層的作用不會互相干擾。
為達上述的目的，本發(fā)明是于一基底層上依序形成一記錄層、一適當(dāng)厚度的近場層、一鹵化銀類化合物的第二光散射層與一保護層，該適當(dāng)厚度的近場層與該鹵化銀類化合物的第二光散射層，使該近場光盤片的記錄層與穿透光束在近場距離完成燒錄后，可得到更高的記錄密度。
本發(fā)明提供了一種近場光盤片，該近場光盤片的記錄層與穿透光束在近場距離完成燒錄后，可得到更高的記錄密度。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)的一般光盤片結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖2是現(xiàn)有技術(shù)的近場光盤片結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖3是現(xiàn)有技術(shù)的近場光盤片第一光散射層的反應(yīng)式。
圖4-1，圖4-2，圖4-3，圖4-4，圖4-5，是本發(fā)明的近場光盤片結(jié)構(gòu)各制備過程的剖視圖。
圖5是本發(fā)明的近場光盤片第二光散射層的反應(yīng)式。
圖6是雙光束的穿透光束的示意圖。
圖7是單光束的穿透光束的示意圖。
如圖4-1，圖4-2，圖4-3，圖4-4，圖4-5所示，為本發(fā)明的近場光盤片結(jié)構(gòu)各制備過程的剖視圖，本發(fā)明的近場光盤片12是在一玻璃或聚碳酸酯的基底層2上以旋涂(spin coating)或濺鍍(sputtering)方式形成一記錄層3，該記錄層3可為鍺銻碲合金(GeSbTe alloy)或花青色素類的化合物，厚度介于1～500nm；于記錄層3表面以濺鍍法或化學(xué)沉積法(chemical vapordeposition，簡稱CVD)形成一近場層6，該近場層6為氮化硅(Si3N4)或硫化鋅-二氧化硅，厚度介于1～500nm；于近場層6上以蒸鍍法(evaporation)或濺鍍法形成一第二光散射層72，厚度介于1～500nm，該第二光散射層72可為氟化銀(silver fluoride，AgF)、氯化銀(silver chloride，AgCl)、溴化銀(silver bromide，AgBr)與碘化銀(silver iodide，AgI)等鹵化銀化合物；于第二光散射層72表面以濺鍍法或化學(xué)沉積法形成一保護層，該保護層為氮化硅或硫化鋅-二氧化硅，厚度介于1～500nm。
如圖5所示，是本發(fā)明的近場光盤片第二光散射層的反應(yīng)式，利用特定波長的光束將本發(fā)明的近場光盤片中含氧化銀的第二光散射層72中氧與銀間的鍵結(jié)打斷，產(chǎn)生銀原子停止光束照射后，銀原子與鹵素原子即可重新回復(fù)鍵結(jié)，成為一個光致動光開關(guān)。該近場光盤片的記錄層與穿透光束在近場距離完成燒錄后，可得到更高的記錄密度。
本發(fā)明的近場光盤片其第二光散射層所含的鹵化銀，可依鹵素原子的不同而分為氟化銀、氯化銀、溴化銀與碘化銀等四種，四者雖具有相似的物理與化學(xué)性質(zhì)，但用以觸動光致動光開關(guān)的光束，仍依第二光散射層中所含的鹵化銀種類不同，而有所不同。
本發(fā)明的第二光散射層是以穿透光束的波長來做為作用的方式，所以觸發(fā)第二光散射層與進行燒錄所使用的光束不同，故如圖6所示，雙光束的穿透光束的示意圖，需使用二種光束，一是波長足以使第二光散射層中的鹵化銀還原成為銀的觸發(fā)光91，另一則是能量足以加熱記錄層使記錄層中的染料產(chǎn)生化學(xué)變化的讀寫光束92。
若記錄層材料的作用方式，由加熱機制改為光作用機制，且與觸發(fā)第二光散射層所使用的光波波長相同時，則如圖7所示，是使用單光束的穿透光束的示意圖，僅需使用一種穿透光束9即可完成。
本發(fā)明特別披露并描述了所選擇的較佳實施例，不能以之限定本發(fā)明實施的范圍，即凡熟悉本技術(shù)的人均可明了，依本發(fā)明申請專利范圍所作任何形或是細節(jié)上可能的變化，均未脫離本發(fā)明專利涵蓋的精神與范圍。
權(quán)利要求
1.一種近場光盤片，其特征在于第二光散射層72包含如結(jié)構(gòu)(I)的鹵化銀化合物Ag-X(I)其中X表示鹵素原子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤片，其特征在于鹵化銀化合物是由氟化銀、氯化銀、溴化銀與碘化銀等所組成的族群中所選出。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤片，其特征在于第二光散射層72是以濺鍍法形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤片，其特征在于第二光散射層72的厚度是介于1～500nm。
全文摘要
本發(fā)明提供一種近場光盤片。該近場光盤片是在一基底層上依序形成一記錄層、一適當(dāng)厚度的近場層、一鹵化銀類化合物的第二光散射層與一保護層,由于該適當(dāng)厚度的近場層與該鹵化銀類化合物的第二光散射層,故無需提高穿透光束的能量,使該近場光盤片的記錄層與穿透光束在近場距離完成燒錄后,可得到更高的記錄密度。
文檔編號G11B7/24GK1377035SQ0110429
公開日2002年10月30日 申請日期2001年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月22日
發(fā)明者羅士哲, 林熙翔, 王鴻年 申請人:財團法人工業(yè)技術(shù)研究院