專利名稱：光記錄方法和光記錄媒體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在相變型光記錄媒體上進(jìn)行記錄的方法，以及使用該方法的光記錄媒體。
由于其晶體狀態(tài)和非晶體狀態(tài)的反射率的差值大且非晶體狀態(tài)的穩(wěn)定性比較高，相變型的記錄層多采用Ge-Te系或Ge-Sb-Te系等的硫族材料。
一般地，在相變型光記錄媒體中記錄信息時，首先，整個記錄層是晶體狀態(tài)，照射使記錄層升溫到熔點(diǎn)以上的高功率(記錄功率)的激光。在施加激光束部分，記錄層熔化后急冷，形成非晶態(tài)的記錄標(biāo)記。而在擦除記錄標(biāo)記時，對記錄層照射較低功率(擦除功率)的激光，使記錄層升溫到結(jié)晶溫度以上但低于熔點(diǎn)的溫度。被照射該激光束的記錄標(biāo)記，被加熱到結(jié)晶溫度以上，然后緩冷，又成為晶態(tài)。因此，通過只改變激光的強(qiáng)度，相變型記錄媒體就可以進(jìn)行重寫。
在可借助于重寫進(jìn)行改寫的相變型媒體中，通過向晶態(tài)記錄層上照射記錄功率大小的激光使其熔化，從熔化狀態(tài)急冷形成非晶態(tài)記錄標(biāo)記。在擦除時，通過照射比記錄功率低的擦除功率大小的激光，使記錄層升溫到結(jié)晶化溫度以上但不到熔點(diǎn)的溫度，然后緩冷，使非晶態(tài)記錄標(biāo)記結(jié)晶化。因此，通過邊調(diào)整一束激光的強(qiáng)度邊照射，就可以進(jìn)行重寫。
在相變型媒體中進(jìn)行高速重寫時，必須用高線速度擦除記錄標(biāo)記(結(jié)晶化)。此時的節(jié)奏就是記錄層的結(jié)晶化速度，即從非晶態(tài)向晶態(tài)變化時的結(jié)晶轉(zhuǎn)變速度。在進(jìn)行高速重寫時，雖然可以用結(jié)晶化速度快的記錄層，但若結(jié)晶化速度太快，非晶態(tài)記錄標(biāo)記容易結(jié)晶化，不穩(wěn)定。因此，重放耐久性和保存可靠性差。但是，如果對結(jié)晶化速度慢的記錄層進(jìn)行高溫重寫，作為記錄標(biāo)記擦除不充分的結(jié)果，有跳動大的問題。
另外，在結(jié)晶化速度快的記錄層中，記錄時由于向記錄層的面內(nèi)方向的熱傳導(dǎo)，發(fā)生形成的記錄標(biāo)記的一部分再結(jié)晶化的自擦除現(xiàn)象，記錄時會發(fā)生相鄰記錄道之間的記錄標(biāo)記被擦除的串道擦除現(xiàn)象。自擦除和串道擦除都會增加跳動。
因此，在可重寫的相變型媒體中，記錄層的結(jié)晶化速度不能太快，因此難以顯著提高數(shù)據(jù)傳輸速度。
另外，相變型媒體是以恒定角速度旋轉(zhuǎn)的盤狀媒體時，生成以下說明的問題。另外，作為角速度恒定的記錄格式，代表性的有CAV(恒定角速度)方式或MCAV(變更的CAV)方式，在例如1989年2月10日由日本無線電技術(shù)社發(fā)行的“光盤技術(shù)”的第223頁中記載有記錄格式。
以恒定角速度旋轉(zhuǎn)的盤狀媒體中，從內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)線速度增加。另一方面，由于記錄層的成分在整個表面上是均勻的，一般地記錄層的結(jié)晶化速度在整個表面上是均勻的。因此，如果以使媒體內(nèi)周側(cè)的線速度得到充分的擦除率的方式確定記錄層的結(jié)晶化速度，在線速度更大的外周側(cè)不能得到充分的擦除率，跳動大。
本發(fā)明的目的在于，在相變型光記錄媒體中，以高線速度重寫時，不使記錄層的結(jié)晶化速度過度增加，抑制跳動的增大。另外，本發(fā)明的另一目的在于在對角速度恒定的盤狀媒體進(jìn)行重寫時，抑制整個媒體區(qū)域上的跳動的增大。
(1)一種光記錄方法，是對于具有相變型記錄層、以恒定角速度旋轉(zhuǎn)的盤狀光記錄媒體，在記錄層上形成非晶態(tài)記錄標(biāo)記的方法，其中
當(dāng)最短信號長度為SL，與上述最短信號對應(yīng)的最短記錄標(biāo)記中，最大寬度為MW，EW＝0.1MW，前端側(cè)的寬度為EW的位置為有效前端，后端側(cè)的寬度為EW的位置為有效后端，有效前端與有效后端的距離為有效長度ML，有效前端到后端側(cè)的寬度開始減少的位置的距離為WL時，以從上述光記錄媒體的內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)，WL/ML呈分段地或連續(xù)地減小的方式形成最短記錄標(biāo)記。
(2)如(1)所述的光記錄方法，其中在記錄層的至少一部分上，形成0.1≤WL/ML≤0.7的最短記錄標(biāo)記。
(3)一種光記錄方法，是對于具有相變型記錄層、以恒定角速度旋轉(zhuǎn)的盤狀光記錄媒體，在記錄層上形成非晶態(tài)記錄標(biāo)記的方法，其中當(dāng)最短信號長度為SL，與上述最短信號對應(yīng)的最短記錄標(biāo)記中，最大寬度為MW，EW＝0.1MW，前端側(cè)的寬度為EW的位置為有效前端，后端側(cè)的寬度為EW的位置為有效后端，有效前端與有效后端的距離為有效長度ML時，以從上述光記錄媒體的內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)，SL/ML呈分段地或連續(xù)地減小的方式形成最短記錄標(biāo)記。
(4)如(3)所述的光記錄方法，其中在記錄層的至少一部分上，形成0.61≤SL/ML≤0.8的最短記錄標(biāo)記。
(5)一種光記錄方法，是對于具有相變型記錄層、以恒定角速度旋轉(zhuǎn)的盤狀光記錄媒體，在記錄層上形成非晶態(tài)記錄標(biāo)記的方法，其中當(dāng)最短信號長度為SL，與上述最短信號對應(yīng)的最短記錄標(biāo)記中，最大寬度為MW，EW＝0.1MW，前端側(cè)的寬度為EW的位置為有效前端，后端側(cè)的寬度為EW的位置為有效后端，有效前端與有效后端的距離為有效長度ML，距有效前端的距離為SL的位置的寬度為SW時，以從上述光記錄媒體的內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)，SW/MW呈分段地或連續(xù)地減小的方式形成最短記錄標(biāo)記。
(6)如(5)所述的光記錄方法，其中在記錄層的至少一部分上，形成0.1≤SW/MW≤0.8的最短記錄標(biāo)記。
(7)如(1)～(6)中任一項所述的光記錄方法，其中上述光記錄媒體的最小線速度為Vmin時，Vmin≥4m/s.
(8)如(1)～(7)中任一項所述的光記錄方法，其中上述光記錄媒體的最小數(shù)據(jù)傳輸速度為Rmin時，Rmin≥30Mbps。
(9)如(1)～(8)中任一項所述的光記錄方法，其中上述光記錄媒體的最小與最大線速度分別為Vmin和Vmax時，Vmax-Vmin≥4.5m/s。
(10)如(1)～(9)中任一項所述的光記錄方法，其中最短信號的長度SL為SL≤350nm。
(11)如(1)～(10)中任一項所述的光記錄方法，其中上述光記錄媒體的最小與最大數(shù)據(jù)傳輸速度分別為Rmin和Rmax時，Rmax-Rmin≥30Mbps。
(12)一種光記錄方法，是對于具有相變型記錄層的盤狀光記錄媒體，在記錄層上形成非晶態(tài)記錄標(biāo)記的方法，其中當(dāng)最短信號長度為SL，與上述最短信號對應(yīng)的最短記錄標(biāo)記中，最大寬度為MW，EW＝0.1MW，前端側(cè)的寬度為EW的位置為有效前端，后端側(cè)的寬度為EW的位置為有效后端，有效前端與有效后端的距離為有效長度ML，有效前端距后端側(cè)的寬度開始減少的位置的距離為WL時，在記錄層的全部區(qū)域上，以0.1≤WL/ML≤0.7的方式形成最短記錄標(biāo)記。
(13)一種光記錄方法，是對于具有相變型記錄層的盤狀光記錄媒體，在記錄層上形成非晶態(tài)記錄標(biāo)記的方法，其中當(dāng)最短信號長度為SL，與上述最短信號對應(yīng)的最短記錄標(biāo)記中，最大寬度為MW，EW＝0.1MW，前端側(cè)的寬度為EW的位置為有效前端，后端側(cè)的寬度為EW的位置為有效后端，有效前端與有效后端的距離為有效長度ML時，在記錄層的全部區(qū)域上，以0.61≤SL/ML≤0.8的方式形成最短記錄標(biāo)記。
(14)一種光記錄方法，是對于具有相變型記錄層的盤狀光記錄媒體，在記錄層上形成非晶態(tài)記錄標(biāo)記的方法，其中當(dāng)最短信號長度為SL，與上述最短信長對應(yīng)的最短記錄標(biāo)記中，最大寬度為MW，EW＝0.1MW，前端側(cè)的寬度為EW的位置為有效前端，后端側(cè)的寬度為EW的位置為有效后端，有效前端與有效后端的距離為有效長度ML，距有效前端的距離為SL處的寬度為SW時，在記錄層的全部區(qū)域上，以0.1≤SW/MW≤0.8的方式形成最短記錄標(biāo)記。
(15)如(12)～(14)中任一項所述的所述的光記錄方法，其中上述光記錄媒體的線速度為8m/s以上。
(16)如(1)～(15)中任一項所述的光記錄方法，其中最短記錄標(biāo)記具有從寬度最大的位置分別向前端側(cè)和后端側(cè)寬度減小的形狀，最短記錄標(biāo)記的前端側(cè)呈弧狀，在最短記錄標(biāo)記的后端側(cè)有在記錄道長度方向上突出的尾狀部分。
(17)一種用如(1)～(16)中任一項所述的光記錄方法形成記錄標(biāo)記的光記錄媒體。
(18)一種以恒定角速度旋轉(zhuǎn)的盤狀光記錄媒體，其中數(shù)據(jù)傳輸速度為30Mbps以上，跳動為10％以下。
(19)一種以恒定角速度旋轉(zhuǎn)的盤狀光記錄媒體，其中最小線速度為4m/s以上，跳動為10％以下。
(20)一種以恒定角速度旋轉(zhuǎn)的盤狀光記錄媒體，其中最大和最小數(shù)據(jù)傳輸速度的差為30Mbps以上，跳動為10％以下。
實施本發(fā)明的具體方式在本發(fā)明中，對具有相變型記錄層的光記錄媒體進(jìn)行記錄(重寫)。即，通過向記錄層照射至少具有記錄功率大小和比其更小的擦除功率大小的功率調(diào)制后的記錄用激光束，在擦除(結(jié)晶化)形成在晶態(tài)記錄層上的非晶態(tài)記錄標(biāo)記的同時，形成新的非晶態(tài)記錄標(biāo)記。


圖1示出本發(fā)明的以比較高的線速度進(jìn)行重寫時形成的最短記錄標(biāo)記的示意圖，該記錄標(biāo)記具有從寬度最大的位置分別向前端側(cè)和后端側(cè)減小的形狀，前端側(cè)是弧狀，后端側(cè)存在在記錄道長度方向上突出的尾狀部。即，該記錄標(biāo)記是“銀杏葉”的形狀，該記錄標(biāo)記是用從上述前端側(cè)向上述后端側(cè)移動的記錄用激光束形成的。
在本說明書中，最短信號的長度為SL。作為最短信號是指在媒體上記錄的調(diào)制信號的最短信號。最短信號的長度指與最短信號的時間寬度對應(yīng)的記錄層上的長度(距離)。另外，在本說明書中，與上述最短信長對應(yīng)的最短記錄標(biāo)記中，最大寬度為MW，EW＝0.1MW，記錄標(biāo)記前端側(cè)寬度為EW的位置作為記錄標(biāo)記的有效前端，記錄標(biāo)記后端側(cè)寬度為EW的位置作為記錄標(biāo)記的有效后端，有效前端和有效后端的距離為有效長度ML。該有效長度ML是在讀出記錄標(biāo)記時基本上施加到重放信號輸出上的長度。即，在例如圖1中，最短記錄標(biāo)記的后端側(cè)存在的尾狀部分中的寬度不到EW的區(qū)域基本上不施加到重放信號輸出上。另外，算出有效長度ML用的寬度EW是本發(fā)明的發(fā)明者用實驗確定的值。另外，在本說明書中，最短記錄標(biāo)記中，后端側(cè)的寬度開始減小的位置到有效前端的距離為WL，距有效前端的距離為SL的位置的寬度為SW。在這些定義中，距離和長度是記錄道長度方向(光斑移動方向)上的尺寸，寬度是記錄道寬度方向上的尺寸。
在本發(fā)明中，對角速度恒定的媒體形成記錄標(biāo)記時，應(yīng)當(dāng)滿足的第一條件是以從媒體的內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)，WL/ML呈階段地或連續(xù)地減小的方式形成最短記錄標(biāo)記。由此，通過在線速度比較大的位置，使從有效前端到寬度開始減小的位置的距離WL對有效長度ML的比值比較小，不會增加記錄層的結(jié)晶化速度，即不會犧牲保存可靠性和重放耐久性，可以在線速度快的位置提高最短記錄標(biāo)記的擦除率。因此，在角速度恒定的媒體的從內(nèi)周部到外周部的整個區(qū)域上可以實現(xiàn)低跳動。
在本發(fā)明，在滿足上述第一條件的基礎(chǔ)上，在線速度比較快的位置，具體地，在線速度為8m/s以上，特別是9.6m/s以上的位置上形成的最短記錄標(biāo)記中，優(yōu)選地，以0.1≤WL/ML≤0.7，更優(yōu)選地，以0.2≤WL/ML≤0.6的方式進(jìn)行記錄。如果把最短記錄標(biāo)記的形狀控制成從有效前端到寬度開始減小的位置的距離WL對有效長度ML的比值在上述預(yù)定比值以下，擦除率的提高效果增加。但是，若WL相對于ML太短，由于記錄標(biāo)記面積小，CNR(載噪比)低，所以對WL/ML設(shè)了上述下限。
在本發(fā)明中，在對角速度恒定的媒體形成記錄標(biāo)記時，應(yīng)當(dāng)滿足的第二條件是以從媒體的內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)，SL/ML呈階段地或連續(xù)地減小的方式形成最短記錄標(biāo)記。由此，通過在線速度比較大的位置，使信號長度SL對有效長度ML的比值比較小，不會增加記錄層的結(jié)晶化速度，即不會犧牲保存可靠性和重放耐久性，可以在線速度快的位置提高最短記錄標(biāo)記的擦除率。因此，在角速度恒定的媒體的從內(nèi)周部到外周部的整個區(qū)域上可以實現(xiàn)低跳動。
在本發(fā)明，在滿足上述第二條件的基礎(chǔ)上，在線速度比較快的位置，具體地，在線速度為8m/s以上，特別是9.6m/s以上的位置上形成的最短記錄標(biāo)記中，優(yōu)選地，以0.61≤SL/ML≤0.8，更優(yōu)選地，以0.65≤SL/ML≤0.78的方式進(jìn)行記錄。如果使有效長度ML的長度為，信號長度SL對有效長度ML的比值在上述預(yù)定比值以下，擦除率的提高效果增加。但是，若SL相對ML太短，由于跳動增大，所以對SL/ML設(shè)了上述下限。
在本發(fā)明中，在對角速度恒定的媒體形成記錄標(biāo)記時，應(yīng)當(dāng)滿足的第三條件是以從媒體的內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)，SW/MW呈階段地或連續(xù)地減小的方式形成最短記錄標(biāo)記。由此，通過在線速度比較大的位置，使到有效前端的距離為SL的位置處的寬度SW與最大寬度MW的比值比較小，不會增加記錄層的結(jié)晶化速度，即不會犧牲保存可靠性和重放耐久性，可以在線速度快的位置提高最短記錄標(biāo)記的擦除率。因此，在角速度恒定的媒體的從內(nèi)周部到外周部的整個區(qū)域上可以實現(xiàn)低跳動。
在本發(fā)明，在滿足上述第三條件的基礎(chǔ)上，在線速度比較快的位置，具體地，在線速度為8m/s以上，特別是9.6m/s以上的位置上形成的最短記錄標(biāo)記中，優(yōu)選地，以0.1≤SW/MW≤0.8，更優(yōu)選地，以0.2≤SW/MW≤0.7，最優(yōu)選地，0.3≤SW/MW≤0.6的方式進(jìn)行記錄。如果使記錄標(biāo)記后端側(cè)以寬度SW對最大寬度MW的比值在上述預(yù)定比值以下的方式成為絞曲形狀，不會使跳動增大，擦除率的提高效果增加。但是，若寬度SW相對最大寬度MW太小，由于記錄標(biāo)記面積小，CNR(載噪比)低，所以對SW/MW設(shè)了上述下限。
下面，更詳細(xì)地說明在上述各條件中，WL/ML、SL/ML和SW/MW分別呈階段地或連續(xù)地減小。
在角速度恒定的媒體中，從內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)重寫線速度連續(xù)地增加。本發(fā)明的特征在于通過減小WL/ML、SL/ML和SW/MW來抑制伴隨線速度的高速化的擦除率降低。因此，可以與線速度對應(yīng)地連續(xù)地控制WL/ML、SL/ML和SW/MW。但是，實際上，僅僅進(jìn)行對WL/ML、SL/ML和SW/MW的分段控制就可得到充分的效果。另外，由于分段控制比連續(xù)控制的控制機(jī)構(gòu)簡單，所以是優(yōu)選的。為了進(jìn)行分段控制，在角速度恒定的媒體的最小線速度和最大線速度之間分割成多個線速度區(qū)，在分割的各線速度區(qū)中，可以各設(shè)定一個WL/ML、SL/ML和SW/MW。另外，分割成多個線速度區(qū)時，可以以各線速度區(qū)寬度相同的方式均勻分別，但也可以不均勻地分割。
直徑為12cm左右的盤狀媒體以恒定角速度使用時，最內(nèi)周的線速度和最外周的線速度的比一般為2～3的范圍，通常為2.5。此時，最小線速度和最大線速度之間分成兩個以上，優(yōu)選為三個以上線速度區(qū)，在分割的各線速度區(qū)中，可以各設(shè)定一個WL/ML、SL/ML和SW/MW。若分割的線速度區(qū)的數(shù)目太少，本發(fā)明的效果不充分。另一方面，即使分割的線速度區(qū)的數(shù)目很多，本發(fā)明的效果也不會顯著增大，所以分割的線速度區(qū)的數(shù)目沒必要超過40。
本發(fā)明中，希望滿足上述第一條件、第二條件和第三條件中的一個以上，優(yōu)選為兩個以上，最優(yōu)選為都滿足。尤其優(yōu)選地，至少滿足第一條件。
對應(yīng)于線速度對最短記錄標(biāo)記各部分的尺寸最優(yōu)化控制的本發(fā)明，在重寫時的最大線速度和最小線速度的差大的場合下有效，具體而言，當(dāng)角速度恒定的媒體的最大線速度為Vmax和最小線速度為Vmin時，Vmax-Vmin≥4.Sm/s時，尤其是Vmax-Vmin≥5.4m/s時特別有效。本發(fā)明在媒體內(nèi)線速度差大的記錄格式中，不犧牲保存可靠性和重放耐久性，可在整個媒體區(qū)域上得到十分高的擦除率。但是，若線速度差太大，在整個媒區(qū)域上難以得到十分高的擦除率，所以，優(yōu)選地，Vmax-Vmin≥30m/s，更優(yōu)選地，Vmax-Vmin≥25m/s。
另外，在角速度恒定的媒體中，若媒體的最小線速度Vmin增加，最大線速度Vmax也增加，所以本發(fā)明對最小線速度Vmin快的場合特別有效，具體地，Vmin≥4m/s時特別有效。
另外，本發(fā)明對最短信號長度SL≤350nm，尤其是SL≤250nm的場合特別有效。在本發(fā)明中，主要地，通過控制圖1所示的“銀杏葉”狀的記錄標(biāo)記中的上述尾狀部的長度，控制最短記錄標(biāo)記的擦除率。如果最短信號長度SL長，由于上述尾狀部的長度相對于最短記錄標(biāo)記長度的比值小，難以通過控制上述尾狀部的長度實現(xiàn)效果。但是，若最短信號長度SL也相當(dāng)短，則難以穩(wěn)定地形成具有所期望的形狀和尺寸比的記錄標(biāo)記，所以最短信號長度SL優(yōu)選為SL≥70nm，更優(yōu)選為SL≥120nm。
另外，在CAV方式中，由于記錄時的基準(zhǔn)時鐘頻率一定，從內(nèi)周側(cè)最短信號長度SL單調(diào)增加。另一方面，在MCAV方式中，為了增大記錄容量，從媒體內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)基準(zhǔn)時鐘頻率分段地增加。即，在媒體上以同心圓狀設(shè)定多個圓環(huán)狀的區(qū)，在各區(qū)中基準(zhǔn)時鐘頻率保持為一定。各區(qū)中的基準(zhǔn)時鐘頻率，通常以區(qū)的最內(nèi)周的最短信號長度SL在全部區(qū)中相等的方式設(shè)定。結(jié)果，雖然在各區(qū)內(nèi)最短信號長度SL從內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)單調(diào)增加，但在整個媒體范圍中從內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)呈鋸齒狀變化。所以，在MCAV方式中最短信號長度SL在各區(qū)內(nèi)有小的變化，從媒體的內(nèi)周部到外周部基本上恒定。因此，對最短信號長度SL為一定值以下的場合特別有效的本發(fā)明，在適用于MCAV方式中時特別有效。
在角速度恒定的媒體中，最小線速度Vmin如上所述地增加，最大線速度Vmax和最小線速度Vmin的差如上所述地增加，最短信號長度SL基本恒定且短時，最大數(shù)據(jù)傳速度和最小數(shù)據(jù)傳輸速度的差增大，且最小數(shù)據(jù)傳輸速度也增大。當(dāng)媒體的最小和最大數(shù)據(jù)傳輸速度分別為Rmin、Rmax時，本發(fā)明對Rmax-Rmin≥30Mbps、Rmin≥30Mbps的場合特別有效。本發(fā)明中，即使傳輸速度差(Rmax-Rmin)如此大，最小數(shù)據(jù)傳輸速度Rmin如此高時，也可以在媒體的整個區(qū)域上把跳動(時鐘跳動)抑制到10％以下。但是，優(yōu)選地，Rmax-Rmin≤200Mbps，Rmin≤150Mbps。理由與上述線速度差的限定理由和最小線速度的限定理由相同。
以上說明了在角速度恒定的媒體中適用本發(fā)明的場合，但本發(fā)明也可適用于CLV(恒定線速度)方式和MCLV(變更CLV)方式等角速度不恒定的記錄格式。在CLV方式中，以記錄時的基準(zhǔn)時鐘頻率一定、且在整個媒體區(qū)域上線速度為恒定的方式控制媒體的旋轉(zhuǎn)次數(shù)。所以，在整個媒體區(qū)域上，最短信號長度SL一定。另一方面，在MCAV方式中，記錄時的基準(zhǔn)時鐘頻率一定，且從媒體的內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)媒體旋轉(zhuǎn)次數(shù)分段地減少。即，在媒體上以同心圓狀設(shè)定多個圓環(huán)狀的區(qū)，在各區(qū)中媒體的旋轉(zhuǎn)次數(shù)保持為一定。各區(qū)中的旋轉(zhuǎn)次數(shù)，通常以區(qū)的最內(nèi)周的線速度SL在全部區(qū)中相等的方式設(shè)定。結(jié)果，與MCAV同樣地，各區(qū)中的最內(nèi)周的最短信號長度SL相同。所以，在MCLV方式中線速度最短信號長度SL在各區(qū)內(nèi)有小的變化，從媒體的內(nèi)周部到外周部基本上恒定。
在CLV和MCLV等以恒定或基本上恒定的線速度旋轉(zhuǎn)的格式中，本發(fā)明對于在結(jié)晶化速度比較慢的記錄層以高線速度重寫的場合特別有效。此時，最短記錄標(biāo)記的形狀為“銀杏葉”狀，且最好以WL/ML、SL/ML和SW/MW中的至少一個、優(yōu)選為兩個、最優(yōu)選為全部都在上述優(yōu)選范圍內(nèi)的方式形成最短記錄標(biāo)記，尤其是，以至少WL/ML在上述優(yōu)選范圍內(nèi)的方式形成最短記錄標(biāo)記。由此，記錄層的結(jié)晶化速度不會加快，即，不會犧牲保存可靠性和重放耐久性，且不會導(dǎo)致跳動的顯著增加，可以提高高線速度時的擦除率。因此，對保存可靠性和重放耐久性優(yōu)良的媒體的全部區(qū)域可以高速重寫。
在CLV和MCLV等以恒定或基本上恒定的線速度旋轉(zhuǎn)的格式中，對于在媒體的全部區(qū)域上線速度為8m/s以上，尤其為9.6m/s以上的場合本發(fā)明特別有效。
上述的本發(fā)明雖然對重寫時媒體的線速度比較快的場合有效，但若線速度相當(dāng)快，會產(chǎn)生媒體驅(qū)動裝置高成本化、驅(qū)動時的媒體穩(wěn)定性差等的問題。因此，無論什么記錄格式，媒體整個區(qū)域上的線速度V優(yōu)選地，V≤35m/s，更優(yōu)選地，V≤30m/s。
下面，說明在形成具有上述形狀和上述尺寸比的記錄標(biāo)記時適用的方法。
在相變型記錄媒體上進(jìn)行重寫時，如上所述，照射至少具有記錄功率大小和擦除功率大小的功率調(diào)制后的激光束。通過照射記錄功率大小的激速使記錄層熔化，經(jīng)過預(yù)定的照射時間后，由于激光束的功率下降到擦除功率，熔化的區(qū)域急冷成為非晶態(tài)。在本發(fā)明的上述記錄標(biāo)記形成過程中，通過不使熔化區(qū)全部非晶態(tài)化，而是一部分結(jié)晶化，使記錄標(biāo)記前端成為上述形狀。具體地，通過使熔化區(qū)域的后端側(cè)(離激光束遠(yuǎn)的一側(cè))冷卻速度緩慢，使熔化區(qū)域后端部結(jié)晶化，此時，通過控制記錄脈沖策略和照射功率，可以形成圖1所示形狀和上述尺寸比(WL/ML、SL/ML和SW/MW)的最短記錄標(biāo)記。
關(guān)于在形成記錄標(biāo)記時熔化區(qū)域的一部分結(jié)晶化，在日本專利特開平9-7176號公報中有記載。但是，在該公報中提出了，光記錄盤的線速度慢時記錄標(biāo)記前半部分發(fā)生再結(jié)晶，為了防止該再結(jié)晶，以預(yù)定的圖案脈沖狀地照射記錄功率大小的激光。在該公報中還記載了，向相當(dāng)于記錄標(biāo)記后半部分的區(qū)域照射激光束產(chǎn)生的熱向相當(dāng)于熔化的標(biāo)記前半部分的區(qū)域傳導(dǎo)，結(jié)果由于標(biāo)記前半部分沒有急冷而發(fā)生了再結(jié)晶。另外，在日本專利特開平11-232697號公報中把上述特開平9-7176號公報中記載的作用的再結(jié)晶化稱為“自擦除”。如上述各公報所示，在形成記錄標(biāo)記時通過上述自擦除使熔化區(qū)域的前端部結(jié)晶化，以及該結(jié)晶化對記錄標(biāo)記前端部形狀施加的影響已經(jīng)公知了。但是，如上述特開平9-7176號公報所公開的，現(xiàn)在，防止自擦除對記錄標(biāo)記形狀施加的影響是重要的。
與此相反，本發(fā)明是在熔化區(qū)域后端側(cè)積極利用與上述自擦除相同的作用，由此使熔化區(qū)后端側(cè)結(jié)晶化，使記錄標(biāo)記后端成為圖1所示的形狀。為了在熔化區(qū)域后端側(cè)利用自擦除功能。例如，可以控制在熔化區(qū)域的后側(cè)照射的激光束的功率及其照射時間。由于在熔化區(qū)域的后側(cè)照射的激光束產(chǎn)生的熱傳到熔化區(qū)域的后端側(cè)，通過控制此時的照射功率及其照射時間，可調(diào)整熔化區(qū)域后端部的冷卻速度，結(jié)果，可控制熔化區(qū)域后端部的結(jié)晶化區(qū)域的長度。在熔化區(qū)域后端側(cè)利用自擦除作用時，結(jié)晶化主要在記錄標(biāo)記的長度方向上產(chǎn)生，基本上不在記錄標(biāo)記的寬度方向上產(chǎn)生。因此，通過適當(dāng)?shù)乜刂朴涗浌β蚀笮?，形成寬度較窄且較長的熔化區(qū)域，然后通過自擦除使該熔化區(qū)域的后端部結(jié)晶化，可以使記錄標(biāo)記后端部具有圖示形狀。
另一方面，在形成記錄標(biāo)記的后端時不利用自擦除作用的場合下，例如如上述特開平9-7176號公報的圖2所示，記錄標(biāo)記的后端部成為和前端部相同的圓形形狀。于是，在該場合下如果記錄標(biāo)記長度比信號長度還長，記錄標(biāo)記的面積大，跳動顯著增大，錯誤發(fā)生多。
另外，圖1所示的尾狀部分的生成，認(rèn)為是由于在激光光斑內(nèi)，能量分布近似為高斯分布的原因。即，由于能量密度在激光光斑的中央附近高，在記錄道中央附近達(dá)到的溫度比較高，結(jié)果冷卻速度快。因此在記錄道中央附近，比記錄道的端部附近更不容易受自擦除的影響。這種現(xiàn)象在記錄時的媒體的線速度比較快時，即記錄光照射后的記錄層的冷卻速度比較快時更加顯著。
本發(fā)明中，記錄標(biāo)記也可以是圖2和圖3中分別示出的形狀。圖2所示的記錄標(biāo)記具有在前端側(cè)突出的前端部。圖3所示的記錄標(biāo)記是上述尾狀部分和上述前端部為相連的狀態(tài)。即，在記錄道的長度方向上，相鄰的“銀杏葉”狀的記錄標(biāo)記之間通過非晶態(tài)的帶狀區(qū)域連接的狀態(tài)。在圖2和圖3所示的形狀中，記錄標(biāo)記的有效長度ML由寬度EW規(guī)定，這一點(diǎn)與圖1所示形狀的場合相同。
另外，在本申請人的日本專利特開2000-231725號公報中記載了形成后端的一部分向前端突起的最短記錄標(biāo)記的光記錄方法。在該方法中，形成記錄標(biāo)記時，熔化區(qū)域的后端部通過自擦除而結(jié)晶化這一點(diǎn)與本發(fā)明類似。另外，如在該公報的段落0013中所示，用該方法形成的記錄標(biāo)記是在其后端中央附近具有在記錄道方向上突起的尾狀部分的形狀(在該公報中，表現(xiàn)為“蝙蝠展翅狀”)，在這一點(diǎn)上也與本發(fā)明類似。但是，在該公報中，未記載是在角速度恒定的媒體中，而且也沒有記載與線速度對應(yīng)地控制記錄標(biāo)記的形狀。另外，在該公報的實施例中，以低速(線速度3.5m/s)記錄，在這些實施例中形成的最短記錄標(biāo)記的每個尾狀部分短而且極細(xì)，SL/ML＞0.86，WL/ML＞0.7，因此，該公報記載的發(fā)明不能實現(xiàn)本發(fā)明的效果。
下面，說明在熔化區(qū)域后端側(cè)控制自擦除作用的具體方法。
首先，說明記錄脈沖策略。一般地，在相變型光記錄媒體中記錄時，不是與記錄標(biāo)記的長度對應(yīng)地連續(xù)地照射記錄用激光束，如上述特開平9-7176號公報所記載的，為了控制記錄標(biāo)記的形狀，分割成由多個脈沖構(gòu)成的脈沖列進(jìn)行照射的場合多。該場合下的脈沖分割的具體構(gòu)成一般稱為記錄脈沖策略。圖4示出記錄脈沖策略的例子。圖4舉例示出了與NRZI信號的5個信號對應(yīng)的記錄脈沖列。在該圖中。TTOP是開始的向上的脈沖的寬度，TEND是最末尾的向上的脈沖的寬度，TMP是除此之外的向上的脈沖的寬度，TCL是在最未尾的向上的脈沖之后附加的向下的脈沖(也稱為粘附脈沖)的寬度。這些脈沖的寬度通帶用以基準(zhǔn)時鐘寬度(1T)歸一化后的值表示。圖中所示記錄脈沖策略中，包含粘附脈沖在內(nèi)的全部向下的脈沖的功率(偏置功率Pb)設(shè)定為比擦除功率Pe還低。
用這樣的記錄脈沖策略進(jìn)行激光束的功率調(diào)整時，在熔化區(qū)域后端側(cè)控制自擦除作用可以控制記錄功率PW、TMP、TEND、粘附脈沖的功率(圖中的例子中為偏置功率Pb)、TCL和擦除功率Pe中的至少一個。具體地，可以與記錄層的成分和媒體結(jié)構(gòu)等與熔化區(qū)域的結(jié)晶化有關(guān)的要素對應(yīng)地適當(dāng)選擇，通常，優(yōu)選地，至少控制記錄功能率PW、擦除功率Pe和TCL中的至少一個。
本發(fā)明對高線速度的重寫特別有效，另外，本發(fā)明中控制最短記錄標(biāo)記的形狀和尺寸。以高線速度形成最短記錄標(biāo)記時，受激光二極管的響應(yīng)性的制約，激光的脈沖分割困難，是不可能的。為此，如例如圖5所示的2T信號所示，只設(shè)計一個向上的脈沖。因此，此時只進(jìn)行TTOP、TCL和功率的控制。此時，與線速度增加相應(yīng)地，最末尾的向下的脈沖的寬度TCL變短，或者，最末尾的向下的脈沖的功率大小(圖中的Pb)增大到接近擦除功率Pe，更優(yōu)選地同時使TCL縮短和Pb上升，也可以使TCL＝0。
另外，例如在日本專利特開2000-132836號公報和上述特開平9-7176號公報中記載了與線速度對應(yīng)地控制TCL。但是，在現(xiàn)有技術(shù)中，與線速對應(yīng)地控制TCL是為了抑制在線速度比較慢時變得顯著的自擦除現(xiàn)象，抑制跳動的增大。與此相反，本發(fā)明中通過在高線速時控制TCL，在記錄標(biāo)記后端部積極地利用自擦除，由此控制記錄標(biāo)記的形狀及其各部分的尺寸。由此使跳動的增大在容許程度上，且提高高線速時的擦除率。因此，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)是完全不同的，另外，在現(xiàn)有技術(shù)中也不知道象本發(fā)明限定的那樣控制記錄標(biāo)記的形狀及其各部分的尺寸。
下面，說明適于采用本發(fā)明的光記錄媒體的結(jié)構(gòu)例。圖6所示的結(jié)構(gòu)該光記錄媒體是在支撐基體20上依次層疊由金屬或半金屬構(gòu)成的反射層5、第二介電層32、記錄層4、第一介電層31和透光性基體2而形成的。用于記錄和重放的激光穿過透光性基體2入射。在支撐基體20和反射層5之間設(shè)置由介電材料構(gòu)成的中間層也是可以的。支撐基體20支撐基體20是為了維持媒體的剛性設(shè)置的。支撐基體20的厚度通常為0.2～1.2mm，優(yōu)選為0.4～1.2mm，可以是透明的，也可以是不透明的。支撐基體20雖然最好是用與通常的光記錄媒體相同的樹脂構(gòu)成，但用玻璃構(gòu)成也是可以的。光記錄媒體中通常設(shè)置的槽(凹槽)21，如圖所示，通過在其上形成的各層上轉(zhuǎn)印，可以形成在支撐基體20上設(shè)置的溝。槽21是從記錄重放光入射側(cè)看，相對而言在手前側(cè)的區(qū)域，相鄰接的槽之間的凸條是突起22。反射層5在本發(fā)明中對反射層的構(gòu)成材料沒有特別限制，雖然通常可由Al、Au、Ag、Pt、Cu、Ni、Cr、Ti、Si等金屬或半金屬的單體或含有一種以上上述元素的合金構(gòu)成。
反射層的厚度通常優(yōu)選為10～300nm。若厚度不到上述范圍則難以得到足夠的反射率。而即使超出上述范圍，反射率的提高也很小，對于成本不利。反射層優(yōu)選用濺射法和蒸鍍法等氣相成長法形成。第一介電層31和第二介電32這些介電層防止記錄層的氧化、變質(zhì)，而且通過使記錄時從記錄層傳來的熱向未被遮斷的面內(nèi)方向逸散，保持支撐基體20或透光性基體2。而且通過設(shè)置這些介電層可以提高調(diào)整度。各介電層也可以是由兩層以上的成分不同的單位介電層疊層而成的。
作為這些介電層中使用的介電體，優(yōu)選為含有例如Si、Ge、Zn、Al、稀土元素等中選出的至少一種元素的各種化合物。作為化合物，優(yōu)選為氧化物、氮化物或硫化物。也可以采用含有這些化合物中的兩種以上的混合物。
第一介電層和第二介電層的厚度可以基于得到充分的保護(hù)效果和提高調(diào)整度的效果而適當(dāng)決定。通常第一介電層31的厚度優(yōu)選為10～300nm，更優(yōu)選為50～250nm，第二介電層32的厚度優(yōu)選為10～100nm。
優(yōu)選地，用濺射法形成各介電層。記錄層對記錄層4的組成沒有特別限制，可從各種相變材料中適當(dāng)選擇，優(yōu)選為至少包含Sb和Te。僅由Sb和Te構(gòu)成的記錄層，結(jié)晶化溫度低到130℃左右，不具有充分的保存可靠性，所以為了提高結(jié)晶化溫度，優(yōu)選地添加其它元素。此時作為添加元素，最好是In、Ag、Au、Bi、Se、Al、P、Ge、H、Si、C、V、W、Ta、Zn、Ti、Su、Pb、Pd和稀土元素(Sc、Y和鑭系)中選出的至少一一種。在它們中，由于提高保存可靠性的效果特別高，優(yōu)選為從稀土類元素、Ag和Ge中選出的至少一種元素。
作為含有Sb和Te的成分，優(yōu)選為以下的成分。除Sb和Fe之外的元素用M表示，記錄層構(gòu)成元素的原子比用式I(SbxTe1-x)1-yMy表示時，優(yōu)選地，0.2≤x≤0.90 0≤y≤0.25更優(yōu)選地0.55≤x≤0.850.01≤y≤0.20在上述式I中，若表示Sb含量的x太小，則結(jié)晶化速度太慢，且重放輸出低。重放輸出與非晶態(tài)記錄標(biāo)記和晶態(tài)區(qū)域之間的反射率差有關(guān)，該差越大重放輸出就越高。而且若x太小，記錄也困難。另一方面，若x太大，晶態(tài)與非晶態(tài)之間的反射率差就減小了。
對元素M沒有特別限制，為了顯示出提高保存可靠性的效果，優(yōu)選地從上述元素中選擇至少一種。表示元素M含量的y若太大，則結(jié)晶化速度降低，所優(yōu)選地y落在上述范圍內(nèi)。
記錄層的厚度優(yōu)選為4nm～50nm，更優(yōu)選為5nm～30nm。若記錄層太薄則晶體相的生長困難，相變引起的反射率變化不充分，重放輸出低。另一方面，若記錄層太厚，則由于記錄層的熱容量增大記錄變得困難，重放信號輸出也降低。
優(yōu)選地，用濺射法形成記錄層。透光性基體2透光性基體2具有可透過記錄重放光的透光性。透光性基體2采用與支撐體20厚度相當(dāng)?shù)臉渲寤虿ＡО逡彩强梢缘?。但是，本發(fā)明對進(jìn)行高密度記錄的場合特別有效，因此為了通過記錄重放光學(xué)系統(tǒng)的高NA化實現(xiàn)高記錄密度，優(yōu)選地對透光性基體2薄型化。此時透光性基體的厚度最好在30～300μm的范圍內(nèi)選擇。若透光性基體太薄，在透光性基體表面上附著的塵埃的光學(xué)影響會增加。另一方面，若透光性基體太厚，難以通過高NA化實現(xiàn)高記錄密度。
對透光性基體2薄型化時，例如可用各種接合劑和粘合劑把由透光性樹脂形成的透光性薄板貼在第一介電層31上作為透光性基體，也可以用涂敷法在第一介電層31上直接形成透光性樹脂層作為透光性基體。
本發(fā)明中，可利用突起和/或凹槽作為記錄道。圖7所示的結(jié)構(gòu)圖7所示的光記錄媒體，在透光性基體2上依次具有第一介電層31、記錄層4、第二介電層32、反射層5和保護(hù)層6，記錄光和重放光通過透光性基體2入射。
圖7中的透光性基體2可以用與圖6的支撐基體20同樣的基體，但必須具有透光性。
保護(hù)層6是為了提高耐擦傷性和耐蝕性而設(shè)置的。該保護(hù)層優(yōu)選地用各種有機(jī)物質(zhì)構(gòu)成，尤其是由可被電子束、紫外線等放射線硬化的物質(zhì)構(gòu)成的放射線硬化型化合物及其組合物。保護(hù)層的厚度通常為0.1～100μm左右，可以用旋涂、刮涂、噴涂、滴涂等常規(guī)方法形成。
其它各層與圖6所示的構(gòu)成例相同。
支撐基體20采用通過射出成形同時形成槽的直徑120mm、厚為1.2mm的盤狀聚碳酸酯。突起凹槽記錄方式中記錄道間距為0.3μm。
在Ar氣氛中用濺射法形成反射層5。靶材料采用Ag98Pd1Cu1。反射層厚度為100nm。
第二介電層32在Ar氣氛中采用Al2O3構(gòu)成的靶材用濺射法形成。第二介電層厚為20nm。
記錄層4用合金靶材在Ar氣氛中濺射形成。記錄層的成分(原子比)為(Sb0.78Fe0.22)0.95In0.01Ge0.04記錄層的厚度為12nm。
第一介電31在Ar氣氛中以ZnS(80mol％)-SiO2(20mol％)為靶濺射形成。第一介電層厚為130nm。
透光性基體2通過在第一介電層31的表面上夾著溶劑型的紫外線硬化型丙烯酸系樹脂構(gòu)成的厚為3μm的接合層，接合聚碳酸酯薄板(厚為100μm)而形成。
將由此制作的試樣用體激光(bulky laser)初始化(結(jié)晶化)后，在激光波長405nm數(shù)值孔徑NA0.85調(diào)制碼(code)(1，7)RLL的條件下以恒定角速度旋轉(zhuǎn)試樣進(jìn)行記錄。表1中示出記錄時的線速度。線速度11.4m/s相當(dāng)于以2178rpm旋轉(zhuǎn)的試樣的半徑50mm的位置處理處的線速度，線速度5.7m/s相當(dāng)于半徑25mm的位置處的線速度。記錄脈中策略如圖4和圖5中例示的圖案一樣，nT信號中向上的脈沖數(shù)為n-1，其條件為TTOP、TMP、TEND、TCL表1所示的值Pw5.0mWPe表1所示的值Pb0.1mW。最短信號為2T，該2T信號的長度(SL)以使線速度偏差為173nm的方式控制時鐘頻率。
然后，對試樣的記錄層用透射電子顯微鏡照相，從該照片的最短記錄標(biāo)記上測量ML，WL，MW和SW，求得WL/MW，SW/MW，結(jié)果示于表2。
圖8和圖9分別示出表1中在No.101和No.103所示的條件下形成的記錄標(biāo)記的照片。用不具有粘附脈沖的記錄脈沖策略進(jìn)行高線速度記錄的No.101，其最短記錄標(biāo)記為“銀杏葉”狀，最短記錄標(biāo)記的尺寸比在本發(fā)明限定的范圍內(nèi)。與此相反，進(jìn)行低線速度記錄的No.103中，存在如上述特開2000-231725號公報中記載的“蝙蝠”狀的最短記錄標(biāo)記，標(biāo)記各部分的尺寸比在本發(fā)明限定的范圍以外。此外，在No.102中雖然進(jìn)行與No.101同樣的高線速度記錄，由于設(shè)置了比較寬的粘附脈沖，最短記錄標(biāo)記是與No.103尺寸比基本相同的“蝙蝠”狀。另外，No.104以與No.103相同的條件記錄。
然后，在表1所示的各條件下對試樣只記錄2T信號后，以表1所示的擦除線速度旋轉(zhuǎn)試樣，同時照射輸出1.4mW的直流激光，進(jìn)行記錄標(biāo)記擦除，求出此時的擦除率，表1所示的擦除率是2T信號的載波的減少部分。若擦除率不滿25dB，就認(rèn)為不能擦除。
另外，對試樣用表1所示的各條件記錄(1，7)RLL調(diào)制的混合信號后，一邊用表1所示的各擦除速度旋轉(zhuǎn)試樣，一邊重寫(1，7)RLL調(diào)制的混合信號。表1示出重寫后的跳動。該跳動是時鐘跳動，只要時鐘跳動為10％以下，就可以進(jìn)行在實用上無問題的信號重放。用時間間隔分析儀測定重放信號，求出“信號的搖動σ”通過σ/TW(％)求出時鐘跳動。TW是檢測窗口寬度。
表1記錄線速度SlTTOPTMPTENDTCLPe MLWLMWSWNo.(m/s)(nm) (T)(T)(T)(T) (mW) (nm)(nm) (nm) (nm)10111.4 1730.40.40.5 0 1.424510025510510211.4 1730.60.50.5 0.7 2.02051802902901035.7 1730.70.50.5 0.8 2.42001903103101045.7 1730.70.50.5 0.8 2.4200190310310表1(續(xù))擦除 半徑方向WLSLSW線速度 位置 傳輸速度 擦除率 跳動No./ML/ML/MW(m/s) (mm) (Mbps)(dB) (％)1010.408 0.7060.41211.4 50 70 26.58.61020.878*0.843*1.000*11.4 50 70 22.411.51030.950*0.865*1.000*5.7 25 35 30.07.71040.950*0.865*1.000*11.4 50 70 20.012.5*限定范圍外從表1可看出本發(fā)明的效果。No.102、No.103和No.104的最短記錄標(biāo)記與上述特開2000-231725號公報中記載的最短記錄標(biāo)記同樣地，SL/ML＞0.86，WL/ML＞0.7，是該公報中記載的蝙蝠狀的記錄標(biāo)記。所以，擦除線速度為5.7m/s的慢的No.103得到了充分的擦除率，而擦除線速度為11.4m/s的快的No.102和No.104的擦除率不充分。與此相反，最短記錄標(biāo)記的尺寸比(WL/ML、SL/ML和SW/MW)都在本發(fā)明限定的范圍內(nèi)的No.101在11.4m/s的擦除線速度下表現(xiàn)出充分的擦除率。另外，No.101中的跳動與以低線速記錄和擦除的No.103相比差不多大，在容許范圍內(nèi)。
因此，在角速度恒定的光記錄媒體中，如果在線速度慢的內(nèi)周側(cè)與No.103同樣地形成最短記錄標(biāo)記，在線速度快的外周側(cè)與No.101同樣地形成最短記錄標(biāo)記，在進(jìn)行重寫時，在盤的全部區(qū)域上得到良好的擦除特性和低跳動特性。而且。這時，由于記錄層的結(jié)晶化速度可根據(jù)內(nèi)周側(cè)的慢的線速度設(shè)定，保存可靠性和重放耐耐性都很好。另外，如果在線速度基本一定的光記錄盤的整個區(qū)域上形成No.101那樣的最短記錄標(biāo)記，可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸速度高、且保存可靠性和重放耐久性好的媒體。
表2記錄線速度SLTTOPTMPTENDTCLPeMLWLMWSWNo. (m/s)(nm)(T) (T) (T) (T)(mW) (nm)(nm) (nm) (nm)201 5.7 173 0.7 0.5 0.5 0.82.4200190310310202 7.4 173 0.6 0.450.5 0.62.2216169302259203 8.1 173 0.6 0.450.5 0.51.9220152301231204 9.7 173 0.5 0.4 0.5 0.31.7236128283162205 11.4173 0.4 0.4 0.5 0 1.4245100255105206 14.0173 0.4 0.350.5 0 1.226191 24491表2(續(xù))擦除半徑方向WLSLSW線速度位置 傳輸速度 擦除率 跳動No. /ML/ML/MW(m/s) (mm) (Mbps) (dB)(％)201 0.950*0.8651.000*5.7 24 35 30.07.7202 0.782*0.801*0.858*7.4 31 45 29.57.5203 0.691*0.7860.767 8.1 34 50 29.47.9204 0.542 0.7330.572 9.7 41 60 28.18.2205 0.408 0.7060.412 11.4 48 70 26.58.6206 0.349 0.6630.373 14.0 59 86 25.48.9*限定范圍外表3記錄線速度 SLTTOPTMPTENDTCLPeMLWLMWSWNo. (m/s) (nm) (T)(T)(T) (T) (mW) (nm) (nm) (nm) (nm)3015.71730.70.50.5 0.82.4 2001903103103028.11730.70.50.5 0.81.9 205195300300表3(續(xù))擦除半徑方向WLSLSW線速度位置 傳輸速度 擦除率 跳動No. /ML/ML/MW(m/s)(mm)(Mbps) (dB)(％)301 0.950*0.865*1.000*5.7 24 35 30.07.7302 0.951*0.868*1.000*8.1 34 50 24.910.1*限定范圍外從表2和表3可看出本發(fā)明的效果。
即，表2中在不到8m/s的線速度的位置上進(jìn)行擦除和重寫的No.201中和No.202中，雖然WL/ML、SL/ML和SW/MW在本發(fā)明限定的范圍以外，但得到了充分高的擦除率，且跳動小。另一方面，表2中在線速度8m/s以上的位置上進(jìn)行擦除和重寫的No.203～No.206中，由于以WL/ML、SL/ML和SW/MW在本發(fā)明限定的范圍內(nèi)的方式形成最短記錄標(biāo)記，得到了充分高的擦除率，且跳動小。表2中，在各速度恒定的試樣中，以從內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)WL/ML、SL/ML和SW/MW的每一個都減小的方式進(jìn)行控制，在試樣的全部區(qū)域上得到了低的跳動。
與此相反，在表3中，由于在線速度未滿8m/s的位置和線速度8m/s以上的位置上形成了尺寸比基本相同的最短記錄標(biāo)記，在線速度8m/s以上的位置上得不到充分的擦除率，且跳動也大。
本發(fā)明通過對最短記錄標(biāo)記的形狀和尺寸比進(jìn)行最優(yōu)化控制，在以高線速度進(jìn)行重寫時，可以使記錄層結(jié)晶化速度不過度增加，且抑制跳動的增加。另外，如果在角速度恒定的盤狀媒體上適用本發(fā)明，可以在媒體的全部區(qū)域上抑制跳動的增大。
權(quán)利要求
1.一種光記錄方法，是對于具有相變型記錄層、以恒定角速度旋轉(zhuǎn)的盤狀光記錄媒體，在記錄層上形成非晶態(tài)記錄標(biāo)記的方法，其中當(dāng)最短信號長度為SL，與上述最短信號對應(yīng)的最短記錄標(biāo)記中，最大寬度為MW，EW＝0.1MW，前端側(cè)的寬度為EW的位置為有效前端，后端側(cè)的寬度為EW的位置為有效后端，有效前端與有效后端的距離為有效長度ML，有效前端到后端側(cè)的寬度開始減少的位置的距離為WL時，以從上述光記錄媒體的內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)，WL/ML呈分段地或連續(xù)地減小的方式形成最短記錄標(biāo)記。
2.如權(quán)利要求1所述的光記錄方法，其中在記錄層的至少一部分上，形成0.1≤WL/ML≤0.7的最短記錄標(biāo)記。
3.一種光記錄方法，是對于具有相變型記錄層、以恒定角速度旋轉(zhuǎn)的盤狀光記錄媒體，在記錄層上形成非晶態(tài)記錄標(biāo)記的方法，其中當(dāng)最短信號長度為SL，與上述最短信號對應(yīng)的最短記錄標(biāo)記中，最大寬度為MW，EW＝0.1MW，前端側(cè)的寬度為EW的位置為有效前端，后端側(cè)的寬度為EW的位置為有效后端，有效前端與有效后端的距離為有效長度ML時，以從上述光記錄媒體的內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)，SL/ML呈分段地或連續(xù)地減小的方式形成最短記錄標(biāo)記。
4.如權(quán)利要求3所述的光記錄方法，其中在記錄層的至少一部分上，形成0.61≤SL/ML≤0.8的最短記錄標(biāo)記。
5.一種光記錄方法，是對于具有相變型記錄層、以恒定角速度旋轉(zhuǎn)的盤狀光記錄媒體，在記錄層上形成非晶態(tài)記錄標(biāo)記的方法，其中當(dāng)最短信號長度為SL，與上述最短信號對應(yīng)的最短記錄標(biāo)記中，最大寬度為MW，EW＝0.1MW，前端側(cè)的寬度為EW的位置為有效前端，后端側(cè)的寬度為EW的位置為有效后端，有效前端與有效后端的距離為有效長度ML，距有效前端的距離為SL的位置的寬度為SW時，以從上述光記錄媒體的內(nèi)周側(cè)到外周側(cè)，SW/MW呈分段地或連續(xù)地減小的方式形成最短記錄標(biāo)記。
6.如權(quán)利要求5所述的光記錄方法，其中在記錄層的至少一部分上，形成0.1≤SW/MW≤0.8的最短記錄標(biāo)記。
7.如權(quán)利要求1～6中任一項所述的光記錄方法，其中上述光記錄媒體的最小線速度為Vmin時，Vmin≥4m/s.
8.如權(quán)利要求1～7中任一項所述的光記錄方法，其中上述光記錄媒體的最小數(shù)據(jù)傳輸速度為Rmin時，Rmin≥30Mbps。
9.如權(quán)利要求1～8中任一項所述的光記錄方法，其中上述光記錄媒體的最小與最大線速度分別為Vmin和Vmax時，Vmax-Vmin≥4.5m/s。
10.如權(quán)利要求1～9中任一項所述的光記錄方法，其中最短信號的長度SL為SL≤350nm。
11.如權(quán)利要求1～10中任一項所述的光記錄方法，其中上述光記錄媒體的最小與最大數(shù)據(jù)傳輸速度分別為Rmin和Rmax時，Rmax-Rmin≥30Mbps。
12.一種光記錄方法，是對于具有相變型記錄層的盤狀光記錄媒體，在記錄層上形成非晶態(tài)記錄標(biāo)記的方法，其中當(dāng)最短信號長度為SL，與上述最短信號對應(yīng)的最短記錄標(biāo)記中，最大寬度為MW，EW＝0.1MW，前端側(cè)的寬度為EW的位置為有效前端，后端側(cè)的寬度為EW的位置為有效后端，有效前端與有效后端的距離為有效長度ML，有效前端距后端側(cè)的寬度開始減少的位置的距離為WL時，在記錄層的全部區(qū)域上，以0.1≤WL/ML≤0.7的方式形成最短記錄標(biāo)記。
13.一種光記錄方法，是對于具有相變型記錄層的盤狀光記錄媒體，在記錄層上形成非晶態(tài)記錄標(biāo)記的方法，其中當(dāng)最短信號長度為SL，與上述最短信號對應(yīng)的最短記錄標(biāo)記中，最大寬度為MW，EW＝0.1MW，前端側(cè)的寬度為EW的位置為有效前端，后端側(cè)的寬度為EW的位置為有效后端，有效前端與有效后端的距離為有效長度ML時，在記錄層的全部區(qū)域上，以0.61≤SL/ML≤0.8的方式形成最短記錄標(biāo)記。
14.一種光記錄方法，是對于具有相變型記錄層的盤狀光記錄媒體，在記錄層上形成非晶態(tài)記錄標(biāo)記的方法，其中當(dāng)最短信號長度為SL，與上述最短信長對應(yīng)的最短記錄標(biāo)記中，最大寬度為MW，EW＝0.1MW，前端側(cè)的寬度為EW的位置為有效前端，后端側(cè)的寬度為EW的位置為有效后端，有效前端與有效后端的距離為有效長度ML，距有效前端的距離為SL處的寬度為SW時，在記錄層的全部區(qū)域上，以0.1≤SW/MW≤0.8的方式形成最短記錄標(biāo)記。
15.如權(quán)利要求12～14中任一項所述的所述的光記錄方法，其中上述光記錄媒體的線速度為8m/s以上。
16.如權(quán)利要求1～15中任一項所述的光記錄方法，其中最短記錄標(biāo)記具有從寬度最大的位置分別向前端側(cè)和后端側(cè)寬度減小的形狀，最短記錄標(biāo)記的前端側(cè)呈弧狀，在最短記錄標(biāo)記的后端側(cè)有在記錄道長度方向上突出的尾狀部分。
17.一種用如權(quán)利要求1～16中任一項所述的光記錄方法形成記錄標(biāo)記的光記錄媒體。
18.一種以恒定角速度旋轉(zhuǎn)的盤狀光記錄媒體，其中數(shù)據(jù)傳輸速度為30Mbps以上，跳動為10％以下。
19.一種以恒定角速度旋轉(zhuǎn)的盤狀光記錄媒體，其中最小線速度為4m/s以上，跳動為10％以下。
20.一種以恒定角速度旋轉(zhuǎn)的盤狀光記錄媒體，其中最大和最小數(shù)據(jù)傳輸速度的差為30Mbps以上，跳動為10％以下。
全文摘要
一種在盤狀光記錄媒體的記錄層上形成非晶態(tài)記錄標(biāo)記的方法,其中:當(dāng)最短信號長度為S
文檔編號G11B7/013GK1348172SQ0110888
公開日2002年5月8日 申請日期2001年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2000年10月10日
發(fā)明者加藤達(dá)也, 宇都宮肇, 井上弘康, 新開浩, 田中美知 申請人:Tdk株式會社