專利名稱：光學(xué)功率校正方法及光盤機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光學(xué)功率校正方法及光盤機(jī)，特別涉及一種依據(jù)數(shù)據(jù)寫入位置來(lái)進(jìn)行光學(xué)功率校正的方法及光盤機(jī)。
可讀寫式光盤機(jī)(CD-R/CD-RW drive)已被廣泛地使用在計(jì)算機(jī)的周邊存取設(shè)備。一般而言，此類型光盤機(jī)在將數(shù)據(jù)寫入光盤片(CD-R/CD-RW)前，都會(huì)先執(zhí)行一光學(xué)功率校正程序。光學(xué)功率校正是在光盤片內(nèi)緣的一功率校正區(qū)(PCA)預(yù)寫入特定的信息，然后再將寫入的信息讀回，藉此探知該光盤片的特性，來(lái)決定所需的寫入功率，以期能正確地將數(shù)據(jù)寫入光盤片。
參照

圖1。圖1為公知光盤片10的結(jié)構(gòu)示意圖。公知光盤片10的規(guī)格是規(guī)定在橘皮書(Orange Book)中。概括而言，光盤片10包含有一中心部位12，一功率校正區(qū)14位于中心部位12的外側(cè)用來(lái)進(jìn)行光學(xué)功率校正，以及一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)16位于功率校正區(qū)14的外側(cè)用來(lái)供使用者寫入數(shù)據(jù)。公知光盤機(jī)10在進(jìn)行寫入工作之前，會(huì)先于功率校正區(qū)14內(nèi)進(jìn)行光學(xué)功率校正程序，以決定適當(dāng)?shù)墓β蕝?shù)。也就是說(shuō)，公知光盤機(jī)10是以此內(nèi)緣功率校正區(qū)14所處的環(huán)境以及振態(tài)特性等，來(lái)模擬全部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)16的情形，以找出適當(dāng)?shù)膶懭牍β省?br> 然而，上述的功率校正方式并不能夠精準(zhǔn)的達(dá)到校正的目的。由于功率校正區(qū)14是位于光盤片10的內(nèi)緣，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)16有相當(dāng)?shù)牟糠纸咏獗P片10的外緣，又光盤片10內(nèi)、外緣的所處環(huán)境以及振態(tài)特性常有相當(dāng)?shù)牟町悾虼斯墓β市Ｕ椒ú⒉荒軠?zhǔn)確的測(cè)知最合適的寫入功率，導(dǎo)致寫入品質(zhì)不良。
因此，本發(fā)明的主要目的在提供一種光學(xué)功率校正方法及光盤機(jī)。其可依據(jù)數(shù)據(jù)的寫入位置，控制該存取裝置選擇于一內(nèi)緣或一外緣功率校正區(qū)內(nèi)進(jìn)行光學(xué)功率校正，解決上述問(wèn)題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種光學(xué)功率校正方法，用來(lái)校正一光盤機(jī)的寫入功率，該光盤機(jī)包含有一存取裝置用來(lái)將數(shù)據(jù)寫入一光盤片，該光盤片包含有一中心部位，一內(nèi)緣功率校正區(qū)位于該中心部位的外側(cè)用來(lái)做光學(xué)功率校正，一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)位于該內(nèi)緣功率校正區(qū)的外側(cè)用來(lái)供使用者寫入數(shù)據(jù)，以及一外緣功率校正區(qū)位于該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)的外側(cè)用來(lái)做光學(xué)功率校正，該方法包含有提供一欲寫入的數(shù)據(jù)；決定該數(shù)據(jù)于該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)的一寫入位置；依據(jù)該寫入位置，控制該存取裝置在該內(nèi)緣及外緣功率校正區(qū)中之一者內(nèi)進(jìn)行光學(xué)功率校正；以及依據(jù)光學(xué)功率校正的結(jié)果，決定所需的寫入功率，并控制該存取裝置將該數(shù)據(jù)寫入在該光盤片。
另外，本發(fā)明還提供一種光盤機(jī)，其包含有一存取裝置，用來(lái)將數(shù)據(jù)寫入一光盤片，該光盤片包含有一中心部位，一內(nèi)緣功率校正區(qū)位于該中心部位的外側(cè)用來(lái)做光學(xué)功率校正，一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)位于該內(nèi)緣功率校正區(qū)的外側(cè)用來(lái)供使用者寫入數(shù)據(jù)，以及一外緣功率校正區(qū)位于該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)的外側(cè)用來(lái)做光學(xué)功率校正；以及一控制裝置，用來(lái)控制該光盤機(jī)的操作；其中該控制裝置會(huì)決定一欲寫入的數(shù)據(jù)于該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)的一寫入位置，并依據(jù)該寫入位置控制該存取裝置在該內(nèi)緣及外緣功率校正區(qū)中之一者內(nèi)進(jìn)行光學(xué)功率校正以決定所需的寫入功率，而后將該數(shù)據(jù)寫入于該光盤片。
為使本發(fā)明的特征，優(yōu)點(diǎn)更加明確，下面結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
圖1為公知光盤片的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本發(fā)明光盤機(jī)的示意圖。
圖3為圖2光盤機(jī)的控制方式示意圖。
圖4為本實(shí)施例功率校正方法的流程圖。
圖5為本發(fā)明的另一實(shí)施例示意圖。
圖6為圖5實(shí)施例功率校正方法的流程圖。
參照?qǐng)D2，圖2為本發(fā)明光盤機(jī)30的示意圖。光盤機(jī)30包含有一存取裝置32用來(lái)將數(shù)據(jù)寫入一光盤片34，以及一控制裝置36用來(lái)控制光盤機(jī)30的操作?？刂蒲b置36會(huì)控制存取裝置32進(jìn)行光學(xué)功率校正，并依據(jù)校正的結(jié)果將數(shù)據(jù)寫入光盤片34。
如圖2所示，光盤片34由中心到外緣依序包含有一中心部位38，一內(nèi)緣功率校正區(qū)40用來(lái)作光學(xué)功率校正，一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)46用來(lái)供使用者寫入欲存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，以及一最后可能終止區(qū)48用來(lái)紀(jì)錄該光盤片數(shù)據(jù)結(jié)束的信息。依據(jù)橘皮書的規(guī)格，在所有光盤片最外緣的部分都必須留存適當(dāng)?shù)拈L(zhǎng)度以紀(jì)錄數(shù)據(jù)結(jié)束信息，此區(qū)域即為光盤片的最后可能終止區(qū)48。在本發(fā)明中，內(nèi)緣功率校正區(qū)40可提供100次功率校正，而最后可能終止區(qū)48則包含有一外緣功率校正區(qū)52，亦為提供功率校正之用。
依據(jù)橘皮書的規(guī)格，最后可能終止區(qū)48的長(zhǎng)度至少大于013000，有些制造商提供的光盤片最后可能終止區(qū)48甚至達(dá)015000，一般而言，每進(jìn)行一次光學(xué)功率校正需耗用15個(gè)影像幀(frame)，因此100次寫入功率校正就需要1500個(gè)影像幀，相當(dāng)于20秒(002000)，故只要在最后可能終止區(qū)48中留存足夠的長(zhǎng)度以供紀(jì)錄數(shù)據(jù)終止信息，其他部分即可設(shè)置外緣功率校正區(qū)52以供功率校正之用。在本實(shí)施例中，外緣功率校正區(qū)52設(shè)置于一最后可能起始時(shí)間50后的10000至012060處。另外，本實(shí)施例的內(nèi)緣功率校正區(qū)40與外緣功率校正區(qū)52各設(shè)置有相對(duì)應(yīng)的測(cè)試區(qū)以及計(jì)次區(qū)，分別用來(lái)進(jìn)行寫入測(cè)試以及計(jì)算寫入測(cè)試的次數(shù)。關(guān)于如何利用測(cè)試區(qū)以及計(jì)次區(qū)來(lái)進(jìn)行光學(xué)功率校正，為本領(lǐng)域的技術(shù)人員所公知，在此不加贅述。
參照?qǐng)D3，圖3為圖2光盤機(jī)30的控制方式示意圖。在本實(shí)施例中，光盤機(jī)30是以一固定切線速度(CLV)的方式控制光盤片34的旋轉(zhuǎn)。如圖4所示，固定線性速度的控制方法會(huì)控制光盤片34的轉(zhuǎn)速，使得光盤片34軌道上不同位置的數(shù)據(jù)單元通過(guò)存取裝置32的切線速度都相同。此時(shí)就光盤片34的轉(zhuǎn)速(即角速度)而言，在對(duì)接近光盤片34中心的數(shù)據(jù)單元進(jìn)行寫入時(shí)，光盤片34的轉(zhuǎn)速會(huì)較快，而在對(duì)接近光盤片34外緣的數(shù)據(jù)單元進(jìn)行寫入時(shí)，光盤片34的轉(zhuǎn)速則會(huì)較慢。
光盤機(jī)30可依據(jù)數(shù)據(jù)的寫入位置，來(lái)選擇應(yīng)于內(nèi)緣功率校正區(qū)40，亦或是外緣功率校正區(qū)52進(jìn)行功率校正。如圖3所示，本實(shí)施例將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)46分成一內(nèi)側(cè)區(qū)46a以及一外側(cè)區(qū)46b。當(dāng)欲寫入一數(shù)據(jù)時(shí)，控制裝置36會(huì)決定該數(shù)據(jù)在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)46內(nèi)的一寫入位置。當(dāng)該寫入位置位于內(nèi)側(cè)區(qū)46a時(shí)，光盤機(jī)30會(huì)使用圖2的內(nèi)緣功率校正區(qū)40進(jìn)行光學(xué)功率校正，當(dāng)該寫入位置位于外側(cè)區(qū)46b時(shí)，光盤機(jī)30則會(huì)使用外緣功率校正區(qū)52以進(jìn)行光學(xué)功率校正。
參照?qǐng)D4，圖4為本實(shí)施例功率校正方法的流程圖。本實(shí)施例的功率校正方法是依下列步驟進(jìn)行步驟100將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)46分成內(nèi)側(cè)區(qū)46a以及外側(cè)區(qū)46b。步驟102提供一欲寫入的數(shù)據(jù)。步驟104決定該數(shù)據(jù)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)46內(nèi)的一寫入位置。步驟106依據(jù)該寫入位置，控制存取裝置32在內(nèi)緣或外緣功率校正區(qū)40、52內(nèi)進(jìn)行光學(xué)功率校正，其中當(dāng)該寫入位置位于內(nèi)側(cè)區(qū)46a時(shí)，使用內(nèi)緣功率校正區(qū)40進(jìn)行光學(xué)功率校正，當(dāng)該寫入位置位于外側(cè)區(qū)46b時(shí)，使用外緣功率校正區(qū)52進(jìn)行光學(xué)功率校正。步驟108依據(jù)光學(xué)功率校正的結(jié)果，決定所需使用的寫入功率，并控制存取裝置32將該數(shù)據(jù)寫入光盤片34。
依上述步驟，由于內(nèi)側(cè)區(qū)46a較接近內(nèi)緣功率校正區(qū)40，而外側(cè)區(qū)46b較接近外緣功率校正區(qū)52，故內(nèi)側(cè)區(qū)46a及外側(cè)區(qū)46b的所處環(huán)境及振態(tài)特性分別較接近內(nèi)緣與外緣功率校正區(qū)40、52。因此，本發(fā)明的功率校正方法可更精準(zhǔn)的預(yù)測(cè)實(shí)際應(yīng)于數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)46內(nèi)的寫入功率，提高寫入品質(zhì)。
此外，上述實(shí)施例是以固定切線速度的控制方式為例加以說(shuō)明，然而在使用固定角速度(CAV)控制方式的光盤機(jī)中，亦可同樣應(yīng)用本發(fā)明所述的方式，將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)46分成內(nèi)側(cè)區(qū)46a以及外側(cè)區(qū)46b，并分別以不同的功率校正區(qū)40、52來(lái)進(jìn)行功率校正，以求取更正確的校正結(jié)果。
參照?qǐng)D5，圖5為本發(fā)明的另一實(shí)施例示意圖。與前一實(shí)施例不同的是，光盤機(jī)30并不是采用固定切線速度或固定角速度的控制方式，而是以一種多段式切線速度的方式來(lái)控制光盤片34的旋轉(zhuǎn)。如圖6所示，此種控制方式是將光盤片34的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)46由內(nèi)而外分成5個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)段Z1、Z2、Z3、Z4、Z5，而光盤機(jī)30是在每一數(shù)據(jù)區(qū)段Z1、Z2、Z3、Z4、Z5中分別以固定切線速度的方式控制光盤片34的旋轉(zhuǎn)，且其中每一數(shù)據(jù)區(qū)段Z1、Z2、Z3、Z4、Z5的切線速度皆不同，分別為V1、V2、V3、V4、V5，而每一數(shù)據(jù)區(qū)段Z1、Z2、Z3、Z4、Z5的起始角速度則大致相同，約為W0。
在本實(shí)施例中，控制裝置36會(huì)依據(jù)欲寫入的數(shù)據(jù)在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)46內(nèi)的一寫入位置所在的數(shù)據(jù)區(qū)段Z1、Z2、Z3、Z4、Z5，以決定使用內(nèi)緣或外緣功率校正區(qū)40、52。當(dāng)該寫入位置位于內(nèi)側(cè)3個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)段Z1、Z2、Z3時(shí)，光盤機(jī)30會(huì)使用內(nèi)緣功率校正區(qū)40以進(jìn)行光學(xué)功率校正，當(dāng)該寫入位置位于其他2個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)段Z4、Z5時(shí)，光盤機(jī)30則會(huì)使用外緣功率校正區(qū)52以進(jìn)行光學(xué)功率校正。
參照?qǐng)D6。圖6為圖5實(shí)施例功率校正方法的流程圖。圖5實(shí)施例所述的功率校正方法可依下列步驟進(jìn)行步驟200預(yù)定N個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)段Z1至Zn以供多段式切線速度控制之用。步驟202提供一欲寫入的數(shù)據(jù)。步驟204決定該數(shù)據(jù)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)46內(nèi)的一寫入位置。步驟206依據(jù)該寫入位置，控制存取裝置32于內(nèi)緣或外緣功率校正區(qū)40、52內(nèi)進(jìn)行光學(xué)功率校正，其中當(dāng)該寫入位置位于內(nèi)側(cè)M個(gè)(M＜N)數(shù)據(jù)區(qū)段時(shí)，使用該內(nèi)緣功率校正區(qū)以進(jìn)行光學(xué)功率校正，當(dāng)該寫入位置位于其他N-M個(gè)紀(jì)錄區(qū)時(shí)，使用外緣功率校正區(qū)52以進(jìn)行光學(xué)功率校正。步驟208依據(jù)光學(xué)功率校正的結(jié)果，決定所需使用的寫入功率，并控制存取裝置32將該數(shù)據(jù)寫入光盤片34。
其中M的值可為N的一半左右，當(dāng)然，N與M的值也可由設(shè)計(jì)者依據(jù)相關(guān)因素自行選擇，只要是依據(jù)寫入位置來(lái)選擇適當(dāng)?shù)墓β市Ｕ齾^(qū)，皆符合本發(fā)明的精神。
與公知技術(shù)相比較，本發(fā)明的光學(xué)功率校正方法是在依據(jù)數(shù)據(jù)的寫入位置，選擇在內(nèi)緣及外緣功率校正區(qū)40、52中之一者內(nèi)進(jìn)行光學(xué)功率校正，故可更精準(zhǔn)的預(yù)測(cè)實(shí)際在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)46內(nèi)的寫入功率，提高寫入品質(zhì)。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求范圍所做的等同變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明權(quán)利要求的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)功率校正方法，用來(lái)校正一光盤機(jī)的寫入功率，該光盤機(jī)包含有一存取裝置用來(lái)將數(shù)據(jù)寫入一光盤片，該光盤片包含有一中心部位，一內(nèi)緣功率校正區(qū)位于該中心部位的外側(cè)用來(lái)做光學(xué)功率校正，一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)位于該內(nèi)緣功率校正區(qū)的外側(cè)用來(lái)供使用者寫入數(shù)據(jù)，以及一外緣功率校正區(qū)位于該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)的外側(cè)用來(lái)做光學(xué)功率校正，該方法包含有提供一欲寫入的數(shù)據(jù)；決定該數(shù)據(jù)于該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)的一寫入位置；依據(jù)該寫入位置，控制該存取裝置在該內(nèi)緣及外緣功率校正區(qū)中之一者內(nèi)進(jìn)行光學(xué)功率校正；以及依據(jù)光學(xué)功率校正的結(jié)果，決定所需的寫入功率，并控制該存取裝置將該數(shù)據(jù)寫入在該光盤片。
2.如權(quán)利要求1的功率校正方法，其還包含有將該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)分成一內(nèi)側(cè)區(qū)以及一外側(cè)區(qū)；而該方法中進(jìn)行光學(xué)功率校正的步驟則包含有當(dāng)該寫入位置位于該內(nèi)側(cè)區(qū)時(shí)，控制該存取裝置于該內(nèi)緣功率校正區(qū)進(jìn)行光學(xué)功率校正，當(dāng)該寫入位置位于該外側(cè)區(qū)時(shí)，控制該存取裝置于該外緣功率校正區(qū)進(jìn)行光學(xué)功率校正。
3.如權(quán)利要求1的功率校正方法，其中該光盤機(jī)是以固定切線速度(CLV)的方式控制該光盤片的旋轉(zhuǎn)。
4.如權(quán)利要求1的功率校正方法，其中該光盤機(jī)是以固定角速度(CAV)的方式控制該光盤片的旋轉(zhuǎn)。
5.如權(quán)利要求1的功率校正方法，其中該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)包含有多個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)段，而該光盤機(jī)是在每一數(shù)據(jù)區(qū)段中分別以固定切線速度的方式控制該光盤片的旋轉(zhuǎn)，且每一數(shù)據(jù)區(qū)段的切線速度皆不同。
6.如權(quán)利要求5的功率校正方法，其中該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)包含有N個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)段，而該方法中進(jìn)行光學(xué)功率校正的步驟包含有當(dāng)該寫入位置位于內(nèi)側(cè)M個(gè)(M＜N)數(shù)據(jù)區(qū)段時(shí)，控制該存取裝置在該內(nèi)緣功率校正區(qū)進(jìn)行光學(xué)功率校正，當(dāng)該寫入位置位于其他N-M個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)段時(shí)，控制該存取裝置在該外緣功率校正區(qū)進(jìn)行光學(xué)功率校正。
7.如權(quán)利要求1的功率校正方法，其中該光盤機(jī)還包含有一最后可能終止區(qū)位于該光盤片的外緣用來(lái)紀(jì)錄該光盤片數(shù)據(jù)結(jié)束的信息，而該外緣功率校正區(qū)則位于該最后可能終止區(qū)之內(nèi)。
8.一種光盤機(jī)，其包含有一存取裝置，用來(lái)將數(shù)據(jù)寫入一光盤片，該光盤片包含有一中心部位，一內(nèi)緣功率校正區(qū)位于該中心部位的外側(cè)用來(lái)做光學(xué)功率校正，一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)位于該內(nèi)緣功率校正區(qū)的外側(cè)用來(lái)供使用者寫入數(shù)據(jù)，以及一外緣功率校正區(qū)位于該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)的外側(cè)用來(lái)做光學(xué)功率校正；以及一控制裝置，用來(lái)控制該光盤機(jī)的操作；其中該控制裝置會(huì)決定一欲寫入的數(shù)據(jù)于該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)的一寫入位置，并依據(jù)該寫入位置控制該存取裝置在該內(nèi)緣及外緣功率校正區(qū)中之一者內(nèi)進(jìn)行光學(xué)功率校正以決定所需的寫入功率，而后將該數(shù)據(jù)寫入于該光盤片。
9.如權(quán)利要求8的光盤機(jī)，其中該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)包含有一內(nèi)側(cè)區(qū)以及一外側(cè)區(qū)，當(dāng)該寫入位置位于該內(nèi)側(cè)區(qū)時(shí)，該控制裝置會(huì)控制該存取裝置于該內(nèi)緣功率校正區(qū)進(jìn)行光學(xué)功率校正，當(dāng)該寫入位置位于該外側(cè)區(qū)時(shí)，該控制裝置則會(huì)控制該存取裝置于該外緣功率校正區(qū)進(jìn)行光學(xué)功率校正。
10.如權(quán)利要求8的光盤機(jī)，其中該光盤機(jī)是以固定切線速度(CLV)的方式控制該光盤片的旋轉(zhuǎn)。
11.如權(quán)利要求8的光盤機(jī)，其中該光盤機(jī)是以固定角速度(CAV)的方式控制該光盤片的旋轉(zhuǎn)。
12.如權(quán)利要求8的光盤機(jī)，其中該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)包含有多個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)段，而該光盤機(jī)在每一數(shù)據(jù)區(qū)段中都是以固定切線速度的方式控制該光盤片的旋轉(zhuǎn)，且每一數(shù)據(jù)區(qū)段的切線速度都不同。
13.如權(quán)利要求12的光盤機(jī)，其中該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)包含有N個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)段，當(dāng)該寫入位置位于內(nèi)側(cè)M個(gè)(M＜N)數(shù)據(jù)區(qū)段時(shí)，該控制裝置會(huì)控制該存取裝置在該內(nèi)緣功率校正區(qū)進(jìn)行光學(xué)功率校正，當(dāng)該寫入位置位于其他N-M個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)段時(shí)，該控制裝置會(huì)控制該存取裝置于該外緣功率校正區(qū)進(jìn)行光學(xué)功率校正。
14.如權(quán)利要求8的光盤機(jī)，其中該光盤片還包含有一最后可能終止區(qū)位于該光盤片的外緣用來(lái)紀(jì)錄該光盤片數(shù)據(jù)結(jié)束的信息，而該外緣功率校正區(qū)則位于該最后可能終止區(qū)之內(nèi)。
全文摘要
光學(xué)功率校正方法,用來(lái)校正一光盤機(jī)的寫入功率。該光盤機(jī)有一存取裝置用來(lái)將數(shù)據(jù)寫入光盤片。該光盤片有一中心部位,一內(nèi)緣功率校正區(qū)位于該中心部位的外側(cè),一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)位于該內(nèi)緣功率校正區(qū)的外側(cè)用來(lái)供寫入數(shù)據(jù),一外緣功率校正區(qū)位于該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)的外側(cè)。該方法依據(jù)一欲寫入數(shù)據(jù)在該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)的寫入位置,來(lái)控制該存取裝置在該內(nèi)緣及外緣功率校正區(qū)中之一者內(nèi)進(jìn)行光學(xué)功率校正,以決定所需的寫入功率,并將該數(shù)據(jù)寫入在該光盤片。
文檔編號(hào)G11B7/125GK1373473SQ01110949
公開日2002年10月9日 申請(qǐng)日期2001年3月7日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月7日
發(fā)明者王威, 顏孟新, 陳佐才 申請(qǐng)人:明碁電通股份有限公司