專利名稱：光盤、重放設備、以及盤標識符選擇裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光盤、重放設備、以及盤標識符選擇裝置，有關(guān)保護在光盤上記錄數(shù)據(jù)的著作權(quán)情況下的改進。
在光盤上記錄銷售游戲軟件、圖象等的數(shù)字著作的從業(yè)者最警惕的是通常用戶的隨機復制。所謂隨機復制是用戶連接所謂電腦、市售的重放設備、市售的記錄設備，讀出記錄在CD-ROM、DVD-ROM等光盤上的數(shù)據(jù)，在硬盤和CD-R、DVD-R等的可記錄型盤上作記錄的行為。由于不使用特別設備就能實現(xiàn)隨機復制，所以如果多數(shù)用戶作隨機復制，那么銷售者會受到很大打擊。因此，光盤的制造者使用光盤固有的識別信息對應在光盤上記錄的數(shù)據(jù)加密等，對于在光盤上應記錄的數(shù)據(jù)上施加軟件處置，對防止隨機復制作最好的提醒。
盡管用光盤固有識別信息進行加密等的處置產(chǎn)生效果，但是，分析加密過程的逆向技術(shù)也發(fā)展了，不能說軟件處置是半永久有效的。假定，分析光盤記錄時的加密過程，提出了如使這解碼的加密解碼程序，如果向一般公眾頒布，那么利用由安裝了加密解碼程序的電腦、市售重放設備、記錄設備組成的系統(tǒng)復制數(shù)字著作。象這樣，用于對數(shù)字著作保護的軟件的處置，當在向公眾頒布如破除該保護程序的情況下，不可能防止隨機復制，不能說防止隨機復制是萬全之策。
本發(fā)明目的是提供一種光盤，不依賴于軟件的處置，使用市售重放設備、記錄設備能有效地防止隨機復制。
為了達到上述目的，本發(fā)明的一種光盤，記錄數(shù)字數(shù)據(jù)，其特征是，備有數(shù)據(jù)區(qū)域，形成用于與所述數(shù)字數(shù)據(jù)對應的數(shù)據(jù)用坑列，在其途中，裝入證明數(shù)字數(shù)據(jù)為原始的證明用坑，所述數(shù)據(jù)用坑列由具有根據(jù)一定編碼方式的物理特征的凹坑和具有同樣物理特征的凸坑組成，所述證明用坑具有不根據(jù)所述編碼方式的物理特征。
證明用坑由于具有不根據(jù)使數(shù)字數(shù)據(jù)編碼時的編碼方式的物理特征，所以，只要不作特別夠改造，即使市售的記錄設備在可記錄型光盤上記錄數(shù)據(jù)用坑也不能在可記錄型光盤上記錄證明用坑。使該可記錄型光盤上記錄的數(shù)據(jù)重放的重放設備通過確認光盤的證明用坑存在，可判定是由正當?shù)闹圃熹N售者記錄數(shù)據(jù)著作的原始的光盤，還是由隨機復制記錄數(shù)字著作的可記錄型光盤。并且對于通過隨機復制記錄數(shù)字著作的可記錄型光盤不作所有重放，這樣可實現(xiàn)對有關(guān)記錄原始數(shù)據(jù)的光盤的重放控制。
這里，所述一定的編碼方式是變換數(shù)字數(shù)據(jù)的掃描寬度抑制型編碼方式，要使0位的連續(xù)個數(shù)在第1個數(shù)以上第2個數(shù)以下，所述數(shù)據(jù)用坑列的物理特征是構(gòu)成它的凸坑和凹坑具有根據(jù)所述第一個數(shù)的第一長度以上、根據(jù)第二個數(shù)的第二長度以下的連續(xù)長度，證明用坑為凸坑或凹坑，其物理特征也可以是具有低于第一長度的連續(xù)長度。在使用光拾取器讀出這樣的證明用坑的情況下所得到的RF信號的最大電平、最小電平不成為充分的電平，它們在補正后二進制化而記錄在可記錄型光盤上。即使進一步把補正后的二進制信號記錄在硬盤、和CD-R、DVD-R等上，這些盤也不能被識別為原始盤。
其中，所述一定的編碼方式是變換數(shù)字數(shù)據(jù)的掃描寬度抑制型編碼方式，要使0位的連續(xù)個數(shù)為第1個數(shù)以上第2個數(shù)以下，所述數(shù)據(jù)用坑列的物理特征是構(gòu)成它的凸坑和凹坑具有相當于所述第一個數(shù)的第一長度以上，相當于第二個數(shù)的第二長度以下的連續(xù)長度，證明用坑為凹坑，其物理特征也可以是具有超出第二連接長度的第三連續(xù)長度。證明用坑由于具有第三連續(xù)長，所以，只要不作特別改造，市售的記錄設備即使把在第一連續(xù)長～第二連續(xù)長范圍內(nèi)的凹凸坑記錄在可記錄型光盤上，也不能在可記錄型盤上記錄具有第三連續(xù)長的證明用坑。而且，在讀出證明用坑時的RF信號與讀出數(shù)據(jù)區(qū)域時的RF信號作比較，低區(qū)間繼續(xù)變長。通過測量低區(qū)間的長度的簡單處理，可判定重放設備在這以后要重放的光盤是否為合法制造銷售者的正當盤。
而且，也可構(gòu)成如下具有激光加工的加工部分的光盤。即，在光盤加工部分以外的區(qū)域上形成凹坑和凸坑的排列，凹坑和凸坑具有第一長度以上第二長度以內(nèi)的連續(xù)長度，涂敷好反射膜，在所述加工部分上是具有作為超出第二連續(xù)長的長度的第三連續(xù)長的第一凹坑，或具有第三連續(xù)長的凹凸坑列，其構(gòu)成也可包括在凸坑上反射膜不存在的第一凹凸坑列。由于通過簡易的激光加工可形成作為原始盤的證明用坑，所以當設置證明用坑時價格性能比低。
其中，所述加工部分除了第一凹坑或第一凹凸坑列外是具有第三連續(xù)長的凹凸坑列，凸坑的反射膜連續(xù)長包括小于第一連續(xù)長的第二凹凸坑列，所述第一凹坑，或第一凹凸坑列通過與第一、第二閾值比較從加工部分檢出用光拾取器讀出加工部分時得到的RF信號電平，其位置和連續(xù)長度也可記錄在光盤上的特定區(qū)域上。不是如凸坑上留下反射膜的坑列，具有第三連續(xù)長的凹坑或凸坑上不存在反射膜的凹凸坑列的位置和長度被記錄在特定區(qū)域上。由于如在凸坑上反射膜剩下的坑列位置和長度從特定區(qū)域排除，所以可使在檢測光盤是否為原始盤時的檢測精度提高。


圖1是表示第1實施例的光盤1的外觀圖；圖2A表示光盤1的剖面結(jié)構(gòu)圖；圖2B是表示凹坑和凸坑和1位、0位的對應關(guān)系的圖；圖3A是表示數(shù)據(jù)區(qū)域的坑的具體長度的圖；圖3B是表示在數(shù)據(jù)區(qū)域2的凹凸坑列上照射激光時得到的RF信號的圖；圖4是表示具有1T～2T連續(xù)長的峰值A(chǔ)、峰值B的圖；圖5是第1實施例的重放設備中內(nèi)部構(gòu)成圖；圖6是表示RF信號、二進制信號M，H，L、EX-OR運算電路54的運算結(jié)果、檢測信號的圖；圖7是表示具有階梯狀側(cè)面C，D的凹坑的圖；圖8是表示RF信號、二進制信號M4，H4，L4、EX-OR運算電路54的運算結(jié)果，檢測信號的圖；圖9是表示加工部分6的放大圖；圖10A是表示僅由具有長度X的連續(xù)長的凹坑組成的圓弧軌道的圖；圖10B是具有長度X的連續(xù)長的凹凸坑列，凸坑上反射膜不存在的圖；圖10C是表示途中留下3T以上反射膜的凸坑存在的凹凸坑列類型的圖；圖10D是表示包括留下小于2T的反射膜的凸坑的凹凸坑列的圖；圖11A是表示讀出10A類型圓弧軌道時得到的RF信號的圖；圖11B是表示從具有圖10D類型的圓弧軌道讀出的RF信號圖；圖12A是表示從圖9所示的加工部分怎樣選擇盤標識符的圖；圖12B是表示記錄圖12A的物理特征信息的狀態(tài)的特定區(qū)域3的圖13是本實施例的光盤制造工序圖；圖14是表示光盤標識符選擇裝置內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖；圖15A是表示有關(guān)N個加工部分每個所包括的Y條圓弧軌道的Y條物理特征信息的圖；圖15B是表示利用盤標識符設定部18設定OK/NG的物理信息的一個例子的圖；圖16A是表示多電平二進制部16的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖；圖16B是表示盤標識選擇部17內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖；圖17A是表示對圖10D類型的凹凸坑列設定的閾值M、H、L一個例子的圖；圖17B是表示RF信號和3個二進制信號M、H、L的圖；圖18是表示在通過光拾取器讀出具有圖10A、10B所示形狀的圓弧軌道情況下輸出的RF信號的圖；圖19A是表示有關(guān)圖17B所示的二進制信號的低區(qū)間的圖；圖19B是表示有關(guān)圖18所示的二進制信號的低區(qū)間的圖；圖20是表示第2實施例的光盤重放設備內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖；圖21是表示反射膜僅留下1T～2T的凸坑的圖；圖22A是表示涂敷或粘貼抑制在盤表面反射光的低反射物質(zhì)的凹凸坑列的圖；圖22B是表示具有沒有達到充分振幅電平的峰值H、I的RF信號的圖；圖23是表示在通過第3實施例的重放設備變更前的閾值的圖；圖24是表示在通過第3實施例的重放設備變更后的閾值的圖。
以下說明有關(guān)本發(fā)明的光盤、盤標識符選擇裝置、重放設備的實施例。圖1是表示本實施例的光盤1的外觀圖。在光盤1上的區(qū)域被大致分成2個，由記錄構(gòu)成數(shù)字著作的數(shù)字數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)域2，和特定區(qū)域3組成。在數(shù)據(jù)區(qū)域2上，用于著作權(quán)保護的加工部分4、5、6、7、8存在N個(N-5)。
圖2A表示光盤1的剖面結(jié)構(gòu)圖。如圖2A所示的光盤1由作成坑的凹凸形的襯底9、在襯底9上通過蒸鍍鋁形成的反射膜10、作為保護襯底9和反射膜10的透明材料的保護層11組成。在襯底9上形成凹坑和凸坑列。
圖2B是表示凹坑及凸坑和記錄時使用的“1”和“0”的位信息連接(位列)的對應關(guān)系的圖。用T表示位信息的間隔。如本圖所示，所作的記錄使得產(chǎn)生在位信息為1的情況下坑的倒置(在箭頭↓↑上表示的邊緣部分)。凹坑、凸坑的連續(xù)長用位信息1的間隔表現(xiàn)。在圖2B的例子中，凸坑pt1的連續(xù)長為4T，凸坑pt2的連續(xù)長為6T。一般，為了降低由盤重放的信號中的低頻成分，限制坑的最大倒置間隔，為了防止高頻帶，限制坑的最小倒置間隔。為了滿足該限制，在本實施例中，在原始的數(shù)字數(shù)據(jù)上施加作為調(diào)制方式之一的8/16調(diào)制方式之后，把數(shù)據(jù)作為記錄時的位系列使用，在位信息1的情況下，記錄引起坑的倒置。所謂8/16調(diào)制方式是使用一定的變換表，把構(gòu)成數(shù)字數(shù)據(jù)的8位數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成16位數(shù)據(jù)的編碼，作為在DVD中所采用的編碼方式是公知的。當然，把構(gòu)成數(shù)字數(shù)據(jù)的8位數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成14位數(shù)據(jù)的EFM(Eight to FourteeModulation)方式也可以。如果實施8/16的調(diào)制方式，那么，構(gòu)成原始數(shù)字數(shù)據(jù)的8位數(shù)據(jù)被轉(zhuǎn)換成稱為“1001”～“10000 0000 001”的1和1之間0位由包括從2個到10個的位排列組成的16位數(shù)據(jù)。借此，凹坑和凸坑的連續(xù)長變成3T～11T。變換的16位數(shù)據(jù)添加同步碼，記錄在光盤上。
這里，同步碼在8/16的調(diào)制中包括沒有出現(xiàn)的“10000 0000 0000 01”的圖形，與原始數(shù)字數(shù)據(jù)相區(qū)別。這相當于14T的坑。如上所述，數(shù)字數(shù)據(jù)作為具有3T～14T的連續(xù)長的坑列記錄在光盤上。圖3A顯示數(shù)據(jù)區(qū)域的坑的具體長度。
在數(shù)據(jù)區(qū)域2的凹凸坑列上照射激光，其反射光被轉(zhuǎn)換成電，得到如圖3B所示的RF(Radio Frequency(射頻))信號。通常，RF信號是通過光電轉(zhuǎn)換在凹凸坑列上照射激光時得到的反射波獲得的電信號，稱為其振幅衡定(均衡的)的信號。通過用閾值M使該RF信號變成二進制，得到二進制信號，在該二進制信號上施加8/16解調(diào)處理、糾錯處理，可得到構(gòu)成數(shù)字著作的數(shù)據(jù)。接著，說明有關(guān)加工部分4～8。圖4是表示在加工部分6中包括的凹坑、凸坑的圖。在本實施例中，在加工部分6上存在具有如圖4所示的1T～2T的連續(xù)長的凹坑和具有同樣1T～2T的連續(xù)長的的凸坑以長度X間隔。這些凸坑和凸坑通過使用比在盤制作時規(guī)定的記錄波形還要短的記錄波形容易形成。稱為1T～2T的連續(xù)長比稱為3T～14T的通常的坑列的連續(xù)長短。用光盤讀出時的RF信號如通常的凹凸坑列讀出時的RF信號，達不到明電平、暗電平。象這樣的RF信號不能在銷售的重放設備中再重放獲得。應當注意通過銷售的記錄設備不能在其他光盤上進行記錄。即是說，銷售的重放設備從光盤讀取3T～14T的凹凸坑列，或銷售的記錄設備在可記錄型盤上記錄3T～14T的凹凸坑列。在從比通常的長度短的凹坑和凸坑讀出RF信號時，銷售的重放設備、記錄設備對作為規(guī)范外的RF信號，在重放處理、記錄處理中，實施糾錯處理，變換成規(guī)范內(nèi)的RF信號。因此不會有在可記錄型光盤上通過隨機復制記錄具有1T～2T連續(xù)長的凹坑和凸坑。
存在具有1T～2T連續(xù)長的凹坑和凸坑，是該光盤是由正規(guī)制造者制造的原始光盤的證明，將具有相隔長度X間隔存在的1T～2T連續(xù)長的凹坑和具有連續(xù)長的凸坑稱為盤標識符。用于該光盤重放的正規(guī)制造和銷售的重放設備從應重放的光盤讀出標識符，通過判定1T～2T的凹坑、1T～2T的凸坑的間隔只是哪個，可判定應重放的光盤是原始盤還是通過隨機復制非法記錄數(shù)字著作的可記錄盤。以上結(jié)束有關(guān)第1實施例的加工部分的說明。接著說明有關(guān)第1實施例的特定區(qū)域3。
特定區(qū)域3在加工部分內(nèi)從對應盤標識符的1T～2T的凸坑到1T～2T的凹坑的長度及標識符的位置作為物理特征信息被記錄著。圖4所示的標識符的物理特征信息由于被記錄在特定區(qū)域3上，所以要重放光盤的正規(guī)重放設備通過參照該物理特征信息能知道在每個光盤上是否存在應參照的盤標識符。并且在物理特征信息中由于展示著1T～2T的凹坑和1T～2T的凸坑的間隔(盤標識符的長度)，所以在盤標識符中，可知道從凹坑到凸坑的間隔。
接著，說明有關(guān)第1實施例的光盤重放設備。圖5是表示第2實施例的重放設備中的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖。本重放設置如圖5所示包括系統(tǒng)控制部50(包括物理特征信息讀出部51、個數(shù)判定部59)、信號重放部52、多電平二進制部53、EX-OR運算部54、濾波器55、計數(shù)器56、比較器57、計數(shù)器58。
系統(tǒng)控制部50通過CPU和存儲器、存儲在存儲器中的程序構(gòu)成，對重放設備作統(tǒng)合控制。
物理特征信息讀出部51裝備光盤，如果指示使其重放的旨意，那么從特定區(qū)域3讀出N個物理特征信息，從在各物理特征信息中表示的位置僅以在物理特征信息中表示的長度于信號重放部52上讀出光盤的凹凸坑列的形狀。
信號重放部52使用光拾取器在凹凸坑列上照射激光，通過接受其反射光得到RF信號。圖6表示在讀出圖4的凹凸坑列形狀時得到的RF信號一個例子?？覣、坑B由于連續(xù)長小于2T，所以在這上照射激光時的反射光沒有分別達到充分的亮電平、暗電平。因此，如第一級所示，展現(xiàn)由此反射光獲得的RF信號上沒有充分的振幅的X部、Y部。
多電平二進制部53使用閾值M、L、H使RF信號二進制化。圖6的第1級上表示RF信號與閾值M、L、H的對應關(guān)系。圖6的第2級上表示使用閾值M二進制情況下獲得的二進制信號M3，第3級上表示使用閾值H二進制情況下獲得的二進制信號H3，第4級上表示使用閾值L二進制情況下獲得的二進制信號L3。
由于使用閾值M使具有峰值X、Y的RF信號二進制化，所以，在二進制信號M3上完全不存在對應于坑X的高區(qū)間和對應于坑Y的低區(qū)間。在使用閾值H使RF信號二進制化的情況下的二進制信號H3上不存在對應于坑A的高區(qū)間，但是展現(xiàn)對應于坑B的低區(qū)間。在使用閾值L使RF信號二進制的情況下的二進制信號L3上盡管存在對應于坑A的高區(qū)間，但不存在對應于坑B的低區(qū)間。
EX-OR運算電路54采取二進制信號H3和二進制信號L3的異或邏輯和。如果進行有關(guān)第4級、第3級所示的二進制信號L3和二進制信號H3的EX-OR運算，那么可獲得如圖6所示的第5級所示的信號。
濾波器55僅通過在EX-OR運算電路54的EX-OR運算結(jié)果內(nèi)的高電平長度為一定值以上的那些。如果僅通過第5級的EX-OR運算結(jié)果的信號中所包括的高區(qū)間內(nèi)的具有一定寬的那些，那么獲得如第6級的檢測信號。
計數(shù)器56在從濾波器55輸出的二進制信號中，對從對應于峰值A(chǔ)的高區(qū)間到對應于峰值B的高區(qū)間的低區(qū)間的長度計數(shù)。
比較器57把由計數(shù)器56計數(shù)的低區(qū)間長度與物理特征信息中表示的連續(xù)長作比較，如果一致，那么將檢測信號輸出到計數(shù)器58。借此從比較器45輸出的檢測信號的個數(shù)M通過計數(shù)器58計數(shù)。
計數(shù)器58對由比較器45輸出的檢測信號的個數(shù)M進行計數(shù)。
個數(shù)判定部59算出BCA中存在的物理特征信息的總數(shù)N和由計數(shù)器58計數(shù)的檢測信號的個數(shù)M的比率M/N，使比率M/N與一定的閾值比較。如果比率M/N使閾值超出，那么重放該光盤。如果比率M/N在閾值以下，那么不使該光盤重放。假定真正的光盤內(nèi)容被隨機復制，即使記錄復制物的可記錄型盤裝入重放設備中，重放設備也不使可記錄型盤重放。根據(jù)如上所述的該實施例，由于把具有銷售的重放設備、記錄設備不能重放、記錄的1T～2T以下的連續(xù)長的凹坑或凸坑作為盤標識符使用，所以重放在該光盤上記錄的數(shù)據(jù)的重放設備通過確認這些盤標識符的存在，可判定應重放的光盤是通過正當?shù)闹圃熹N售者記錄數(shù)字著作的光盤，還是通過隨機復制記錄數(shù)字著作的可記錄型盤。
還有，在本實施例中，也可以設置具有臺階上壁表面的凹坑。圖7是表示具有臺階狀側(cè)面C、D的凹坑的圖。側(cè)面C、D的臺階差對于凹坑的深度大體在一半的深度中存在。通常，如果設激光的波長為λ，那么，把凹坑深度作為λ/4表現(xiàn)。側(cè)面C、D的臺階差對于凹坑深度的λ/4，設置成為大致一半的位置的λ/8。這樣的側(cè)面C、D的形成是在具有通常的3T～14T的連續(xù)長的凹坑的端部上，通過照射YAG激光進行加熱，溶解鋁反射膜10，再變形襯底9進行的。這些側(cè)面C、D上照射激光時得到的RF信號是與在不到3T的凹坑成照射激光時得到的RF信號一樣的，通過與檢測不到3T的凹坑同樣的順序可檢出。圖8是表示利用讀出包括峰值C、D的凹凸坑列得到的RF信號二進制化的過程的圖。圖8的第1級表示RF信號、3個閾值M、L、H。第2級表示使用閾值M使RF信號二進制化得到的二進制信號M4，第3級表示使用閾值H使RF信號二進制化得到的二進制信號H4，第4級表示使用閾值L使RF信號二進制化得到的二進制信號L4，第5級表示對于二進制信號M4、二進制信號H4，由EX-OR運算電路54進行EX-OR運算的結(jié)果，第6級表示來自濾波器55的檢測信號。
實施例2在第1實施例中，盡管將具有1T～2T的連續(xù)長的凹坑、凸坑用于盤標識符，但也可建議將具有超出15T的連續(xù)長的凹坑用于盤標識符。
首先，說明有關(guān)第2實施例的加工部分。本實施例的加工部分是通過YAG激光(釔、鋁、榴子石)激光加工的部分。
圖9是表示對第2實施例的加工部分6放大的圖。在本圖中的加工部分6中包括Y條具有長度X連續(xù)長的螺旋軌道的圓弧。在加工部分軌道圓弧之間的間隔為0.79μm，該加工部分的大小用上述糾錯碼確定為可糾正的大小。加工部分所含的軌道圓弧的形狀分類為圖10A～圖10D所示的4種類型的任一種。圖10A是表示僅由具有長度X的連續(xù)長的凹坑組成的軌道圓弧的圖。長度X在15T以上。雖然原來具有3T～14T連續(xù)長的凹凸坑列存在，但通過YAG激光照射，凸坑如虛線所示熔化。
在圖10A的類型中，由于凹坑長度X連續(xù)，所以在使用光拾取器讀出時的RF信號根據(jù)讀出通常凹凸坑列時的RF信號，低區(qū)間延續(xù)很長。圖11A是表示在讀出圖10A類型的軌道圓弧時得到的RF信號的圖。如比通常長的延續(xù)低區(qū)間的RF信號應注意，通過銷售的重放設備不能重放，用銷售的記錄設備不能在其他光盤上記錄。即是說，銷售的重放設備從光盤讀出3T～14T的凹凸坑列，而且，銷售的記錄設備把3T～14T的凹凸坑列記錄在可記錄型盤上。在從比通常長度長的凹坑讀出RF信號時，銷售的重放設備、記錄設備對作為規(guī)范外的RF信號，在重放處理、記錄處理中，施加糾錯處理，變換成規(guī)范的RF信號。因此，具有長度X連續(xù)長的軌道圓弧用隨機復制不可能記錄在可記錄型盤上。只要具有長度X的連續(xù)長的軌道圓弧存在，就證明該光盤是通過正規(guī)制造者制造的原始光盤，在第2實施例中，將此稱為盤標識符。用于該光盤的重放的正規(guī)制造銷售的重放設備從應重放的光盤上讀出盤標識符，通過判定RF信號的低區(qū)間是否僅此繼續(xù)，可判定應重放的光盤是正規(guī)的，還是通過隨機復制違法記錄數(shù)字著作的可記錄型盤。
圖10B是具有長度X的第一連續(xù)長的凹凸坑列，凸坑上不存在反射膜的圖。不管凹坑的反射膜是留下還是完全熔解。由于在凸坑上不存在反射膜，所以讀出該圖10B的凹凸坑列時的RF信號的形狀與讀出圖10A的凹坑時的RF信號的形狀相同。即，從通常的凹凸坑列讀出的RF信號低區(qū)間繼續(xù)加長。由于低區(qū)間比通常延長，圖10B類型的軌道圓弧也與盤標識符相應。
圖10C表示在中途留下3T以上反射膜的凸坑存在的凹凸坑列類型。是凹坑連續(xù)長X1、X2，在長度X以下。因此，如圖10C所示，作為具有不足長度X的連續(xù)長的凹坑識別。
圖10D表示包括留下未滿2T的反射膜的凸坑的凹凸坑列。即便是具有該圖10D類型的凹凸坑列，讀出凹凸坑列形狀時的RF信號與圖10A、10B相同，低區(qū)間在一定期間以上繼續(xù)。然而，由于1T、2T的反射膜存在于凸坑中，所以在讀出這時的RF信號上出現(xiàn)對應于這些留下的反射膜的峰值部分。圖11B是表示從具有圖10D類型的軌道圓弧讀出的RF信號的圖。該RF信號上出現(xiàn)對應1T、2T反射膜的峰值P、峰值Q。如果峰值P在重放時檢測，那么這根據(jù)重放設備不是具有長度X的連續(xù)長的凹坑，而能作為具有如圖10C所示的不滿長度X的連續(xù)長的凹凸坑列識別。
圖10D類型的軌道圓弧由于擔心在重放時被誤識別成圖10C類型，所以雖說存在于加工部分內(nèi)，但與盤標識符不相應。圖12A是表示從圖9所示的加工部分怎樣選擇盤標識符的圖。在加工部分包括的Y條軌道圓弧內(nèi)，由于從地址α6開始存在的長度X軌道圓弧是圖10A、圖B類型，其他軌道圓弧由于是圖10C、10D類型，所以知道從該地址α6開始存在的長度X的軌道圓弧作為盤標識符選擇。
如上所述，結(jié)束有關(guān)加工部分的說明。接著說明有關(guān)特定區(qū)域3。
特定區(qū)域3在加工部分中包括的Y條盤標識符內(nèi)，成為盤標識符的位置及長度作為物理特征信息、記錄著。圖12B表示記錄圖12A物理特征信息的狀態(tài)的特定區(qū)域3的內(nèi)容。如圖12A所示在特定區(qū)域3上，記錄包括作為有關(guān)盤標識符的位置的地址α6和作為盤標識符的連續(xù)長的長度X的物理特征信息。相當于圖10A、10B類型的盤標識符的物理特征信息由于被記錄在特定區(qū)域3上，所以要使光盤重放的正規(guī)重放設備通過參照該物理特征信息，知道在每個光盤上是否存在應參照的盤標識符。并且在物理特征信息上由于顯示盤標識符的長度，所以在讀出盤標識符時的RF信號中了解到低區(qū)間僅與哪個連續(xù)。
在上面結(jié)束了有關(guān)本實施例的光盤說明。接著說明有關(guān)本實施例的光盤制造工序。圖13是表示本實施例的光盤的制造工序圖。該工序就經(jīng)襯底形成工序S1、反射膜成膜工序S2、保護膜涂敷工序S3、粘結(jié)工序S4、標記印刷工序S5制造這一點與通常的光盤的制造工序一樣。在這些工序以后所作的激光加工工序S6、盤標識符選擇工序S7、物理特征信息記錄工序S8為本實施例特有的工序。
激光加工工序S6是通過在光盤上照射YAG激光得到N個加工部分的工序。
盤標識符選擇工序S7是從通過照射YAG激光得到的各加工部分中檢測盤標識符，得到表示檢測的盤標識符連續(xù)長和位置的物理特征信息的工序。
物理特征信息記錄工序S8是將用激光加工工序得到的物理特征信息記錄在特定區(qū)域3上的工序。
通過YAG激光進行加工的激光加工工序S6、給特定區(qū)域3進行盤標識符的記錄的物理特征信息記錄工序S8可在已有的光盤制造設備中進行。盤標識符選擇工序S7通過使用圖14所示的盤標識符選擇裝置實現(xiàn)。下面，說明有關(guān)該標識符選擇裝置。在圖14中，標識符選擇裝置備有進行盤標識符選擇裝置統(tǒng)合控制的系統(tǒng)控制部12(包括物理特征信息存儲部13、物理特征信息讀出部14、盤標識符設定部18)、信號重放部15、多電平二進制部16、盤標識符選擇部17。
系統(tǒng)控制部12通過CPU和存儲器、存儲在存儲器中的程序構(gòu)成進行重放設備的統(tǒng)合控制。
物理特征信息儲存部13存儲表示在N個加工部分中包括的各個盤標識符的位置、長度的物理特征信息。圖15A是表示有關(guān)在N個加工部分每個所含的Y條軌道圓弧的Y條物理特征信息的圖。物理特征信息存儲部13把可將軌道圓弧的地址和長度記錄為物理特征信息的物理特征信息欄和表示是否作為盤標識符相應的(OK/NG(行/不行))的OK/NG欄相對應。
物理特征信息讀出部14根據(jù)在物理特征信息儲存器13上存儲的物理特征信息，控制信號重放部15，讀出有關(guān)在N個加工部中所含的Y條軌道圓弧的每個的凹凸坑列。
信號重放部15根據(jù)來自物理特征信息讀出部14指示的軌道圓弧位置和軌道圓弧連續(xù)長，讀出軌道圓弧的凹凸坑列形狀，得到RF信號。
多電平二進制部16使用3個閾值M、L、H使從信號重放部15讀出的RF信號二進制，輸出3個二進制信號M、L、H。圖17A表示對圖10D類型的凹凸坑列設定的閾值M、H、L的一個例子。
盤標識符選擇部17通過參照自多電平二進制部16輸出的3個二進制信號M、L、H，判定讀出形狀的軌道圓弧是相當于圖10A、10B類型的還是相當于圖10C、10D類型的，在相當于圖10A、10B類型的情況下，向盤標識符設定部18輸出檢測信號。
盤標識符設定部18把有關(guān)判定為相當于圖10A、10B類型的軌道圓弧的物理特征信息的OK/NG欄設定為OK，把有關(guān)判定為相當于圖10C、10D類型的軌道圓弧的物理特征信息的OK/NG欄設定為NG。在圖15B中，表示通過盤標識符設定部18設定OK/NG的物理特征信息的一個例子。
接著，說明有關(guān)多電平二進制部16的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。圖16A是表示多電平二進制部16內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖。如圖16A所示，多電平二進制部16由比較器21、比較器22、比較器23組成。
比較器21對于RF的振幅在中央附近設置閾值，根據(jù)閾值M使RF信號二進制化，輸出二進制信號M1。以RF信號的振幅設定閾值的原因是，來自凹凸坑列的反射光的電平因光盤的種類而異。在圖17B的第1級上表示對于RF信號的閾值M的設定例子。在圖17B的第2級上表示使由比較器21讀出的RF信號經(jīng)比較器21二進制化得到的二進制信號M1。還有，也可預先確定閾值為固定值。
比較器22根據(jù)閾值L使RF信號二進制化，輸出二進制信號L1。在圖17B的第1級上，表示對于RF信號的閾值L的設定例子。閾值L對于閾值M僅低補償(offset)α。比閾值M低比閾值L高的峰值Q在閾值M中不作二進制化，但是，在使用閾值L的情況下作二進制化。在圖17B的第4級上，表示由比較器22的二進制化得到的二進制信號L1。在本圖的二進制信號L1上了解到包括使峰值Q二進制化獲得的脈沖波Q1。
比較器23使用閾值H使RF信號二進制化。在圖17B的第1級上表示對于RF信號的閾值H的設定例子。閾值H比閾值M僅高補償α。因此，在閾值M產(chǎn)生的二進制中二進制化了的峰值P在使用閾值H的二進制化中不進行二進制化。在圖17B的第1級上，表示對于RF信號的閾值H的設定例子，在圖17B的第3級上，表示比較器23產(chǎn)生的二進制化獲得的二進制信號H1。二進制信號M1低區(qū)間從位置A0開始，在位置A1低區(qū)間結(jié)束。二進制信號H1低區(qū)間從位置A2開始，在位置A3低區(qū)間結(jié)束，所以了解到低區(qū)間延續(xù)長。另一方面，二進制信號L1低區(qū)間從位置A4開始，在位置A5低區(qū)間結(jié)束，所以了解到低區(qū)間比二進制信號M1短。
在圖18中表示在用光拾取器讀出具有圖10A、圖10B所示形狀的軌道圓弧的情況下輸出的RF信號。與圖17B所示的RF信號比較，圖18的RF信號不同點在于不存在峰值P、Q。用閾值M、L、H使這作二進制化的情況下的二進制信號L2變成與二進制信號H2相似的形狀。
根據(jù)這些事實，使通過圖10D的凹凸坑列讀出的RF信號作二進制化時的二進制信號M1、L1、H1在低區(qū)間的長度不同，可使從圖10A、10B的凸坑讀出的RF信號二進制獲得的二進制信號M2、L2、H2的低區(qū)間長度一致。
接著，說明有關(guān)盤標識符選擇部17內(nèi)部的機構(gòu)。圖16B是表示盤標識符選擇部17內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖。如圖16B所示，盤標識符選擇部17由計數(shù)器31、計數(shù)器32、比較器33、比較器34組成。
計數(shù)器31計量二進制信號H2、H3的低區(qū)間長度，輸出計量值x。
計數(shù)器32計量二進制信號L1、L2的低區(qū)間長度，輸出計量值y。
比較器33使計量值x和計量值y與稱為14T的凹凸坑列的上限長比較，如果計量值x和計量值y超過上限長，那么，向比較器34輸出其宗旨。
比較器34判定斷定為超過稱為14T的上限長的計量值x和斷定為超過坑上限的計量值y的差分x－y是否超過一定閾值。例如象圖18所示，在不包括峰值P、Q的RF信號作二進制化得到的二進制信號H2、二進制信號L2中，由于低區(qū)間長度大致相等，所以，計量值x和計量值y也大致相等，測量值的差分x—y低于閾值。
相反，在包括峰值P、Q的RF信號二進制化得到的二進制信號H1、二進制信號L1中，低區(qū)間的長度有大的差別，測量值的差分x－y超過一定的閾值。如果差分x－y低于閾值，那么比較器34告知軌道圓弧相當于圖10A、10B類型，如果差分x－y超過閾值，那么告知軌道圓弧相當于圖10D類型。對在加工部分中包括的Y條軌道圓弧重復以上的處理，那么僅選擇具有圖10A、10B類型的軌道圓弧，其位置長度在后級物理特征信息記錄工序中記錄在特定區(qū)域3上。除圖10D類型外，由于作為盤標識符選擇具有圖10A、10B類型的軌道圓弧，所以可穩(wěn)定地進行盤標識符的檢測。
圖19A是表示有關(guān)圖17B所示的二進制信號的低區(qū)間的圖，圖19B是表示有關(guān)圖18所示的二進制低區(qū)間的圖。在這些圖中，黑區(qū)間長度由計數(shù)器31、計數(shù)器32計量，由比較器34比較這些差分x－y。
接著，說明有關(guān)光盤的重放設備。圖20是表示第2實施例的光盤重放設備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖。如本圖中所示，重放設備備有系統(tǒng)控制部40(包括物理特征信息讀出部41、個數(shù)判定部47)、信號重放部42、單一電平二進制部43、計數(shù)器44、比較器45、計數(shù)器46。
系統(tǒng)控制部40通過CPU和存儲器、存儲在存儲器中的程序構(gòu)成作重放設備的統(tǒng)合控制。
裝入光盤，物理特征信息讀出部41如果被指示重放此的宗旨，那么從特定區(qū)域3讀出N個物理特征信息，從各物理特征信息表示的位置僅以在物理特征信息中表示的長度在信號重放部42上讀出光盤凹凸坑列形狀。
信號重放部42根據(jù)來自物理特征信息讀出部41指示的位置和連續(xù)長，讀出各軌道圓弧的凹凸坑列形狀，得到RF信號。
單一電平二進制部43使用一個閾值M使利用信號重放部42讀出的RF信號二進制化，輸出二進制信號M。
計數(shù)器44對從單一電平二進制部43輸出的二進制信號M的低區(qū)間的長度計數(shù)。
比較器45使由計數(shù)器44計數(shù)的二進制信號M的低區(qū)間長度與在物理特征信息中所示的軌道圓弧的連續(xù)長相比較，如果兩者一致，那么把檢測的信號輸出到計數(shù)器46。
計數(shù)器46計量從比較器45輸出的檢測信號的個數(shù)M。
個數(shù)判定部47算出在BCA上存在的物理特征信息的總數(shù)N和由計數(shù)器46計數(shù)的檢測信號個數(shù)M的比率M/N，使M/N與一定的閾值相比較。如果比率M/N超過閾值，則重放該光盤。如果比率M/N低于閾值，則不重放該光盤。假如原始光盤內(nèi)容被隨機復制，即使把記錄復制品的可記錄型盤裝入重放設備中，重放設備也不能使可記錄型盤重放。
根據(jù)如上所述的本實施例，由于把具有銷售的重放設備和記錄設備不能重放記錄的15T以上的連續(xù)長的凹坑、或凹坑坑列作為盤標識符使用，所以使在該光盤上記錄的數(shù)據(jù)重放的重放設備通過確認具有長度X連續(xù)長的盤標識符的存在，可判定應重放的光盤是通過正當?shù)闹圃煺哂涗洈?shù)字作品的原始光盤，還是通過隨機復制記錄數(shù)字作品的可記錄型盤。
還有，如圖21所示，也可把反射膜僅留下1T～2T的凸坑作為盤標識符。即便是在反射膜僅留下1T～2T的凸坑照射激光的情況下，RF信號的振幅也不能達到充分的振幅電平。這樣，通過使用閾值L檢測不充分振幅，也可進行光盤是否為原始的判斷。
如圖22A所示，也可把在盤表面上涂敷或粘貼抑制光反射的低反射物質(zhì)的凹凸坑列作為標識符。如果使用激光讀出這樣凹凸坑列兩端，那么不能得到充分的電平反射光，RF信號的振幅也不能成為充分的電平。進而如果發(fā)生盤的振擺，那么使RF信號二進制時的二進制信號產(chǎn)生偏差。圖22B是表示具有不能到達充分振幅電平的峰值H、I的RF信號的圖。峰值H、I由于是對應凹凸坑列端部的值，所以不是用閾值M而是使用更低的閾值L使該峰值H、I二進制化，得到二進制信號，從該二進制信號檢出對應峰值H、I的脈沖，以此判定光盤是否為原始的。
實施例3第3實施例是在特定區(qū)域3上記錄物理特征信息以及閾值設定信息的方案。閾值設定信息是從在物理特征信息中表示的位置，在僅以物理特征信息中表示的長度讀出凹凸坑列時，在重放設備中指示比通常閾值M低的閾值L的設定的信息。第3實施例的重放設備在存取特定區(qū)域3時，與物理特征信息一起讀出閾值設定信息。根據(jù)物理特征信息中表示的位置、長度，在存取凹凸坑列期間，將閾值從M變更為L。如果在物理特征信息中表示位置、長度的凹凸坑的存取結(jié)束，那么，閾值從L返回M。圖23、圖24表示變更前的閾值、變更后的閾值。由于使閾值從M變更為L，所以可了解到檢出沒有充分電平的E部、F部、G部。
如上所述，根據(jù)本實施例，通過使閾值變化，不設多個比較器，可合適地檢出盤標識符。
權(quán)利要求
1.一種光盤，記錄數(shù)字數(shù)據(jù)，其特征是，備有數(shù)據(jù)區(qū)域，形成與所述數(shù)字數(shù)據(jù)對應的數(shù)據(jù)用坑列，在其途中，裝入證明數(shù)字數(shù)據(jù)為原始的證明用坑；所述數(shù)據(jù)用坑列由具有根據(jù)一定編碼方式的物理特征的凹坑和具有同樣物理特征的凸坑組成；所述證明用坑具有不根據(jù)所述編碼方式的物理特征。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤，其特征是，所述一定的編碼方式是變換數(shù)字數(shù)據(jù)的掃描寬度抑制型編碼方式，要使0位的連續(xù)個數(shù)在第1個數(shù)以上第2個數(shù)以下；所述數(shù)據(jù)用坑列的物理特征為構(gòu)成它的凸坑和凹坑具有根據(jù)所述第一個數(shù)的第一長度以上，根據(jù)第二個數(shù)的第二長度以下的連續(xù)長度；證明用坑為凸坑或凹坑，其物理特征是具有低于第一長度的連續(xù)長度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光盤，其特征是，掃描寬度抑制型編碼方式是通過將構(gòu)成數(shù)字數(shù)據(jù)的8位單位的數(shù)據(jù)置換成16位單位數(shù)據(jù)，進行數(shù)字數(shù)據(jù)變換的8/16調(diào)制方式。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光盤，其特征是，包括特定區(qū)域，記錄表示證明用坑的位置和連續(xù)長度的信息。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤，其特征是，所述一定編碼方式是變換數(shù)字數(shù)據(jù)的掃描寬度抑制型編碼方式，使0位的連續(xù)個數(shù)成為第一個數(shù)以上第二個數(shù)以下；所述數(shù)據(jù)用坑列的物理特征為，構(gòu)成它的凸坑和凹坑具有相當于所述第一個數(shù)的第一長度以上、相當于第二個數(shù)的第二長度以下的連續(xù)長度；證明用坑為凹坑；該物理特征為具有超過第二連續(xù)長度的第三連續(xù)長度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光盤，其特征是，掃描寬度抑制型編碼方式是通過將構(gòu)成數(shù)字數(shù)據(jù)的8位單位的數(shù)據(jù)置換成16位單位數(shù)據(jù)，進行數(shù)字數(shù)據(jù)變換的8/16調(diào)制方式。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光盤，其特征是，包括特定區(qū)域，記錄表示證明用坑的位置和連續(xù)長度的信息。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤，其特征是，所述一定的編碼方式是變換數(shù)字數(shù)據(jù)的掃描寬度抑制型編碼方式，要使0位的連續(xù)個數(shù)在第1個數(shù)以上第2個數(shù)以下；所述數(shù)據(jù)用坑列的物理特征為凸坑和凹坑具有根據(jù)所述第一個數(shù)的第一長度以上，根據(jù)第二個數(shù)的第二長度以下的連續(xù)長度；證明用坑由凹坑和反射膜不存在的凸部組成；其物理特征是合計長度具有第三連續(xù)長；第三連續(xù)長為超過第二連續(xù)長的長度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤，其特征是，所述數(shù)據(jù)用坑列的凸坑和凹坑用第一反射物質(zhì)涂敷；證明用坑用第二反射物質(zhì)復蓋；第二反射物質(zhì)比第一反射物質(zhì)的反射率低。
10.一種光盤，具有激光加工的加工部分，其特征是，在光盤加工部分以外的區(qū)域上形成凹坑和凸坑的排列；凹坑和凸坑具有第一長度以上第二長度以下的連續(xù)長度，涂敷了反射膜；在所述加工部分上是具有超過第二連續(xù)長的長度的第三連續(xù)長的第一凹坑，或具有第三連續(xù)長的凹凸坑列，包含在凸坑上反射膜不存在的第一凹凸坑列。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的光盤，其特征是，加工部分除了第一凹坑，或第一凹凸坑列外，是具有第三連續(xù)長的凹凸坑列，包括凸坑的反射膜的連續(xù)長小于第一連續(xù)長的第二凹凸坑列；所述第一凹坑，或第一凹凸坑列通過與第一、第二閾值比較，從加工部分檢出使用光拾取器讀出加工部分時獲得的RF信號電平，將其位置和連續(xù)長記錄在光盤的特定區(qū)域上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光盤，其特征是，所述第二凹凸坑列的使用光拾取器讀出時得到的RF信號的全部電平比第一閾值高，比第二閾值低；所述第一凹坑或第一凹凸坑列的使用光拾取器讀出時得到的RF信號的全部電平比第一閾值、第二閾值的任一個都低；其中第一閾值是從RF信號二進制時的閾值上減一定的補償?shù)闹?，第二閾值是在RF信號二進制時的閾值上加一定的補償?shù)闹怠?br> 13.一種光盤重放設備，其特征是，包括信號重放部，通過使用激光讀出光盤的凹凸坑列的形狀得到RF信號；第一二進制部，通過使用一定的第一閾值使RF信號二進制化，得到包括多個高區(qū)間、低區(qū)間的第一二進制信號；第一二進制信號的高區(qū)間對應具有第一長度以上第二長度以下的連續(xù)長度的凸坑，和對應具有小于第一長度的連續(xù)長度的證明用凸坑；第二二進制部，通過使用與第一閾值不同的第二閾值使RF信號二進制化，獲得包括多個高區(qū)間、低區(qū)間的第二二進制信號；第二二進制信號的高區(qū)間對應具有第一長度以上第二長度以下的連續(xù)長度的凸坑；EX-OR運算部，采取第一二進制信號和第二二進制信號的EX-OR運算；判定部，根據(jù)EX-OR運算結(jié)果，判定在光盤上是否存在兩個以上相隔一定間距的具有未達到第一閾值的連續(xù)長的凸坑。
14.一種光盤重放設備，其特征是，包括信號重放部，通過使用激光讀出光盤的凹凸坑列的形狀得到RF信號；第一二進制部，通過使用一定的第一閾值使RF信號二進制化，得到包括多個高區(qū)間、低區(qū)間的第一二進制信號；第一二進制信號的高區(qū)間對應具有第一長度以上第二長度以下的第二連續(xù)長度的凸坑，和對應具有小于第一長度的連續(xù)長度的凸坑；第二二進制部，通過使用一定的第二閾值使RF信號二進制化，獲得包括多個高區(qū)間、低區(qū)間的第二二進制信號；第二二進制信號的低區(qū)間對應具有第一長度以上第二長度以下的第二連續(xù)長度的凹坑，和對應具有小于第一長度的連續(xù)長的凹坑；EX-OR運算部，作第一二進制信號和第二二進制信號的EX-OR運算；比較部，根據(jù)EX-OR運算結(jié)果，判定具有小于第一長度的連續(xù)長度的凸坑和具有小于第一長度的連續(xù)長度的凹坑在光盤中是否以一定間隔存在。
15.一種光盤重放設備，形成凹凸坑列，凹凸坑列由凹坑和凸坑組成，這些具有第一長度以上第二長度以下的連續(xù)長度，涂敷反射膜；其特征是，重放設備包括信號重放部，通過使用激光讀出光盤的凹凸坑列的形狀，獲得RF信號；判定部，根據(jù)檢查RF信號的低區(qū)間連續(xù)期間，判定作為具有第三連續(xù)長度的凹坑或具有第三連續(xù)長度的凹凸坑列，凸坑上反射膜不存在的凹凸坑列是否存在于光盤上；識別部，如果判定為存在，那么識別該光盤為原始的。
16.一種盤標識符選擇裝置，選擇在光盤上形成的凹凸坑列作為標識符，其特征是，包括信號重放部，通過使用激光讀出光盤的凹凸坑列的形狀得到RF信號；RF信號包括對應于具有第一長度以上第二長度以下的連續(xù)長度的凹坑和凸坑的峰值，和對應于具有小于第一長度的連續(xù)長度的凸坑的峰值；第一二進制部，通過使用第一閾值使RF信號二進制化，獲得包括多個高區(qū)間、低區(qū)間的第一二進制信號；第一閾值比對應于具有小于第一長度的連續(xù)長度的凸坑的峰值電平低；第二二進制部，通過使用第二閾值使RF信號二進制化，獲得包括多個高區(qū)間、低區(qū)間的第二二進制信號；第二閾值比對應具有第一長度以上第二長度以下的連續(xù)長度的凸坑的峰值電平低，但比對應具有小于第一長度的連續(xù)長度的凸坑的峰值電平高；判定部，通過判定從第一二進制部輸出的第一二進制信號的低區(qū)間長度和和從第二二進制部輸出的第二二進制信號的低區(qū)間的長度的差分是否超過一定長度，判定凹凸坑列是否相應作為盤標識符。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其特征是，第一二進制信號包括，對應從具有第一長度以上第二長度以下連續(xù)長的凸坑，到具有第一長度以上第二長度以下連續(xù)長度的凸坑上存在的凹坑的低區(qū)間；第二二進制信號包括，對應從具有小于第一長度的連續(xù)長度的凸坑，到具有小于第一長度的連續(xù)長度的凸坑上存在的凹坑的低區(qū)間。
全文摘要
一種具有照射YAG激光的加工部分的光盤,在光盤的加工部分以外的區(qū)域上形成具有3T～14T(T為0.133μm)的連續(xù)長的凹凸坑列。在所述加工部分上,是具有長度X連續(xù)長的凹坑,或具有長度X連續(xù)長的凹凸坑列,包括在凸坑上反射膜不存在的第一凹凸坑列。表示這些凹坑、第一凹凸坑列的位置和長度的物理特征信息被記錄在特定區(qū)域上。
文檔編號G11B7/013GK1336640SQ01121260
公開日2002年2月20日 申請日期2001年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2000年4月12日
發(fā)明者森岡幸一, 弓場隆司, 川島啟一 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社