專利名稱：磁復(fù)制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)大容量的高密磁記錄重放裝置用磁記錄載體進(jìn)行記錄信息磁復(fù)制的方法，尤其是涉及被用于對(duì)大容量的高密磁記錄載體進(jìn)行伺服信號(hào)、地址信號(hào)、其它常見的影像信號(hào)、聲頻信號(hào)、數(shù)據(jù)信號(hào)等記錄的磁復(fù)制方法。
背景技術(shù)：
隨著數(shù)字圖象利用的發(fā)展，用個(gè)人電腦等獲取的信息量正在飛速增加。隨著信息量的增加，人們需要記錄信息的容量大、廉價(jià)且記錄讀取時(shí)間短的磁記錄載體。
在硬盤等高密記錄載體和ZIP(Iomega公司)等大容量的可擦式磁記錄載體中，與軟盤相比，信息記錄區(qū)是由窄磁道構(gòu)成的，磁頭正確地掃描窄磁道寬度，為了按照高S/N比進(jìn)行信號(hào)的記錄和重放，必須利用跟蹤伺服技術(shù)來進(jìn)行正確的掃描。
因此，在象硬盤、可擦式磁記錄載體這樣的大容量磁記錄載體中，對(duì)每塊盤片設(shè)置了按照一定角間隔記錄下跟蹤用伺服信號(hào)和地址信息信號(hào)、重放時(shí)鐘信號(hào)等的區(qū)域。通過按照一定間隔重放這些信號(hào)，一邊確定并修正磁頭位置，磁頭一邊正確地掃描磁道。執(zhí)行在制造磁記錄載體時(shí)預(yù)先在磁記錄載體上記錄下這些信號(hào)的且被稱為預(yù)格式化的方法。
由于在跟蹤用伺服信號(hào)和地址信息信號(hào)、重放時(shí)鐘信號(hào)等的記錄中要求正確的定位精度，所以，在磁記錄載體被組裝到驅(qū)動(dòng)器中后，通過使用專用伺服記錄裝置而嚴(yán)格控制位置的磁頭來進(jìn)行預(yù)格式化記錄。
不過，在磁頭的伺服信號(hào)與地址信息信號(hào)、重放時(shí)鐘信號(hào)的預(yù)格式化記錄中，為了一邊用專用伺服記錄裝置嚴(yán)格控制磁頭位置并一邊進(jìn)行記錄，要一個(gè)個(gè)、一條條磁道地記錄制作，因此，預(yù)格式化記錄需要很長時(shí)間。此外，隨著磁記錄密度的增大，應(yīng)預(yù)格式化記錄的信號(hào)量增加，所以需要更長的時(shí)間。因此，在磁記錄載體的制造中，伺服信號(hào)等的預(yù)格式化記錄工作所需的費(fèi)用占制造成本的比例增大，所以，人們希望該工序降低成本。
另一方面，也有人提出了這樣的磁復(fù)制方式，即不在每條磁道上記錄預(yù)格式化信息地從主載體上把預(yù)格式化信息磁復(fù)制到從載體上。例如，在特開昭63-183623、特開平10-40544號(hào)公報(bào)及特開平10-269566號(hào)公報(bào)中介紹了復(fù)制技術(shù)。
根據(jù)特開昭63-183623號(hào)公報(bào)與特開平10-40544號(hào)公報(bào)所述的方法，作為磁復(fù)制用主載體在基板表面上形成了對(duì)應(yīng)于信息信號(hào)的凸凹形狀，在凸凹形狀的至少凸起表面上形成有強(qiáng)磁性薄膜的磁復(fù)制用主載體的表面接觸含有強(qiáng)磁性薄膜或強(qiáng)磁粉的組成物的涂布層所形成的片狀或盤片狀磁記錄載體的表面，或者還施加交流偏磁場(chǎng)或直流磁場(chǎng)地對(duì)構(gòu)成凸起表面的強(qiáng)磁性材料進(jìn)行勵(lì)磁，由此一來，在磁記錄載體上記錄下對(duì)應(yīng)于凸凹形狀的磁化圖形。
這種方法是這樣的復(fù)制方法，即在使磁復(fù)制用主載體的凸起表面接觸應(yīng)預(yù)格式化的磁記錄載體即從載體的同時(shí)，對(duì)構(gòu)成凸起的強(qiáng)勵(lì)磁生材料進(jìn)行勵(lì)磁，由此一來，在從載體上形成了所定的預(yù)格式化信息的記錄，其特點(diǎn)是，能夠不改變磁復(fù)制用主載體與從載體之間的相對(duì)位置地穩(wěn)定地進(jìn)行記錄并且可以進(jìn)行正確的預(yù)格式化記錄，而且記錄所需的時(shí)間也極短。
此外，由于磁復(fù)制方法是在磁復(fù)制用主載體與從載體都靜止的狀態(tài)下使其接觸地進(jìn)行復(fù)制的方式，所以，伺服信號(hào)記錄工序中的磁復(fù)制用主載體和從載體一起很少發(fā)生破損，從而它是預(yù)期有高耐久性的方式。
但是，在磁復(fù)制方法中，在磁復(fù)制用主載體與從載體接觸后，在反復(fù)進(jìn)行施加磁場(chǎng)地進(jìn)行磁復(fù)制的過程中，存在著復(fù)制信號(hào)的信號(hào)遺漏的場(chǎng)合并且記錄在伺服區(qū)內(nèi)的信號(hào)無法擔(dān)負(fù)起伺服信號(hào)的作用，事實(shí)上，存在著它不能被用作磁記錄載體的問題。
因此，對(duì)信號(hào)遺漏進(jìn)行分析的結(jié)果表明，磁復(fù)制用原材料與從載體之間的接觸不充分是信號(hào)遺漏的原因。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述原因，本發(fā)明的目的是一種磁復(fù)制方法，即在從磁復(fù)制用主載體到從載體的磁復(fù)制中，為了將制成的從載體用作大容量的磁記錄載體，在不可缺少的在從載體上形成伺服區(qū)的工序中，可以不會(huì)產(chǎn)生信號(hào)部分遺漏等現(xiàn)象地對(duì)從載體進(jìn)行正確的伺服信號(hào)復(fù)制。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下所述技術(shù)方案能夠通過這樣一種使磁復(fù)制用主載體緊貼著從載體地施加復(fù)制磁場(chǎng)的磁復(fù)制方法來解決本發(fā)明的問題，即它使用了從復(fù)制用主載體上被復(fù)制到從載體上的伺服區(qū)域與不復(fù)制的區(qū)域在同一平面內(nèi)的磁復(fù)制用主載體。
此外，所述磁復(fù)制方法是這樣的方法，即磁復(fù)制用主載體的數(shù)據(jù)區(qū)的表面平均粗糙度(Ra)為0.1nm以上到5nm以下。
上述磁復(fù)制方法是這樣的方法，即在數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)有溝槽。
通過采用本發(fā)明的磁復(fù)制用主載體的磁復(fù)制方法，能夠在硬盤、大容量的可擦式盤片載體、大容量的柔軟載體等盤片狀載體上時(shí)間短、生產(chǎn)性優(yōu)良地進(jìn)行沒有導(dǎo)致復(fù)制遺漏等質(zhì)量下降地穩(wěn)定了跟蹤用伺服信號(hào)、地址信息信號(hào)、重放時(shí)鐘信號(hào)等的預(yù)格式化記錄的磁復(fù)制。


圖1是本發(fā)明磁復(fù)制方法所用的磁復(fù)制主載體的圖。
圖2是本發(fā)明磁復(fù)制方法所用的磁復(fù)制主載體的另一個(gè)例子的圖。
圖3是本發(fā)明磁復(fù)制方法所用的磁復(fù)制主載體的另一個(gè)例子的平面圖。
其中附圖標(biāo)號(hào)表示為1-磁復(fù)制用主載體；2-伺服區(qū)；3-數(shù)據(jù)區(qū)；4-粗糙面；5-從載體；6-放射狀溝槽；7-同心圓形溝槽；9-配合槽；
以下，參見附圖來說明本發(fā)明。
圖1是本發(fā)明磁復(fù)制方法所用的磁復(fù)制用主載體的視圖，圖1(A)是平面圖，圖1(B)是局剖視圖，圖1(C)是說明使磁復(fù)制用主載體與從載體緊密接觸狀態(tài)的截面圖。
記錄磁復(fù)制用主載體1的伺服信號(hào)的伺服區(qū)2有規(guī)則地設(shè)置在磁記錄載體面上，伺服區(qū)一般相對(duì)磁記錄載體的整個(gè)面積占到了10％以下的面積。當(dāng)進(jìn)行信號(hào)復(fù)制以便在從載體上形成伺服區(qū)時(shí)，如果磁復(fù)制用主載體的伺服區(qū)緊貼著從載體面，則沒有必要使數(shù)據(jù)區(qū)緊貼著從載體。
因而，數(shù)據(jù)區(qū)可以成凹狀或凸?fàn)?，磁?fù)制用主載體的數(shù)據(jù)區(qū)3占磁復(fù)制用主載體面積的90％以上。因此，數(shù)據(jù)區(qū)成凸?fàn)?，即通過使數(shù)據(jù)區(qū)在伺服信號(hào)磁復(fù)制時(shí)接觸從載體面，從而分散了在使磁復(fù)制用主載體與從載體緊密接觸時(shí)作用的力，由此提高了磁復(fù)制用主載體的伺服區(qū)的磁性層的耐久性。
不過，盡管在數(shù)據(jù)區(qū)成凸?fàn)钋宜欧^(qū)同平面的情況下能夠提高磁復(fù)制用主載體的數(shù)據(jù)區(qū)的耐久性，但在磁復(fù)制后，在成型于從載體上的伺服信號(hào)中出現(xiàn)了信號(hào)遺漏，存在著復(fù)制質(zhì)量有問題的現(xiàn)象。
在檢討發(fā)生這樣問題的原因時(shí)，我們發(fā)現(xiàn)，當(dāng)磁復(fù)制用主載體的數(shù)據(jù)區(qū)成凸?fàn)钋覐妮d體同平面時(shí)，由于磁復(fù)制主載體與從載體的接觸面積增大，所以，在磁復(fù)制用主載體與從載體之間出現(xiàn)了殘留空氣，兩者的緊貼程度在局部降低，伺服信號(hào)區(qū)的緊貼程度也受到了影響，結(jié)果，造成了復(fù)制信號(hào)的信號(hào)遺漏的發(fā)生。另外，在沒有出現(xiàn)空氣殘留的區(qū)域內(nèi)，由于磁復(fù)制用主載體與從載體大面積接觸，所以吸附力增大，在磁復(fù)制結(jié)束后，必須需要用很大的力把從載體剝離磁復(fù)制用主載體。
因而，與兩者接觸面大有關(guān)系，為了能夠讓空氣順利地出入，如在圖1(B)中畫出的磁復(fù)制用主載體局部截面那樣，在數(shù)據(jù)區(qū)3的表面上形成表面粗糙的大粗糙面4，從而如圖1(C)所示，在磁復(fù)制用主載體接觸從載體5的場(chǎng)合下，降低從載體區(qū)的緊貼程度地并且不在兩者之間發(fā)生空氣殘留地輕松地將兩者剝離開。
在表面平均粗糙度(Ra)為0.2nm以上到5nm以下時(shí)，磁復(fù)制用主載體的數(shù)據(jù)區(qū)的表面粗糙度能夠降低兩者間的吸附力。此外，當(dāng)Ra不到0.2nm時(shí)，吸附力增強(qiáng)，不能輕松地剝離從載體。而當(dāng)超過5nm時(shí)，磁復(fù)制用主載體與從載體之間的距離過度增大，存在著發(fā)生伺服信號(hào)復(fù)制不良的情況。
圖2是說明本發(fā)明磁復(fù)制方法所用的磁復(fù)制用主載體的另一個(gè)例子的視圖，圖2(A)是平面圖，圖2(B)是局剖視圖。
圖2所示的磁復(fù)制用主載體1是這樣的，數(shù)據(jù)區(qū)3與伺服區(qū)2是同一個(gè)平面，在數(shù)據(jù)區(qū)的表面粗糙度取預(yù)定值的同時(shí)，在數(shù)據(jù)區(qū)3上開設(shè)了放射狀溝槽6。通過形成溝槽，能夠大幅度改善空氣殘留狀況。另外，溝槽深度最好為50nm-800nm，溝槽寬度最好為10m-100m。
圖3是說明本發(fā)明磁復(fù)制方法所用的磁復(fù)制用主載體的另一個(gè)例子的視圖。
在圖3(A)中，記錄有磁復(fù)制用主載體的伺服信號(hào)的伺服區(qū)2與數(shù)據(jù)區(qū)3成型于同一個(gè)平面內(nèi)，在數(shù)據(jù)區(qū)的表面粗糙度取預(yù)定值的同時(shí)，在數(shù)據(jù)磁復(fù)制用主載體的數(shù)據(jù)信號(hào)區(qū)內(nèi)形成了同心圓狀溝槽7，由此一來，在占磁復(fù)制用主載體面積的90％以上的數(shù)據(jù)信號(hào)區(qū)內(nèi)，能夠通過在接觸時(shí)排出空氣來防止空氣殘留的形成。
此外，如圖3(B)所示，除了同心圓狀溝槽7外，還設(shè)置了與同心圓狀溝槽配合的配合槽8，由此一來，能夠更順利地在接觸時(shí)排出空氣。
本發(fā)明的磁復(fù)制用主載體能夠采用這樣的制作方法，即在基板上通過光刻法形成所述主載體的金屬表面光刻法、在制作CD-ROM制造用沖壓模時(shí)所用的方法即在通過激光器照射而形成圖形上電鑄上基板材料的方法。
在用金屬表面光刻法制造的場(chǎng)合下，以硅、石英、玻璃、鋁、合成樹脂等的非磁性表面具有理想粗糙度的材料為基板地，能夠通過在其上形成磁性層進(jìn)行制作?；宓谋砻娲植诙日{(diào)整能夠通過使用研磨材料的研磨、利用氟氫酸等化學(xué)劑的處理等來進(jìn)行。
具體地說，在基板上涂布光刻膠并且掩模曝光與通過磁復(fù)制形成的圖形吻合的光刻膠圖形，或者直接精細(xì)描繪出圖形。
在掩模曝光的場(chǎng)合下，通過反應(yīng)蝕刻或采用氬等離子體等的物理蝕刻或采用蝕刻液的化學(xué)蝕刻，在基板上形成了圖形。
接著，通過濺射法將底層制成預(yù)定厚度的膜后，形成磁性材料膜地形成了磁性層。
隨后，通過取下而除去光刻膠。此外，也可以利用金屬表面光刻法只形成在磁復(fù)制時(shí)接觸從載體的凸形磁性層。
在形成磁性層之前，最好在基板上形成非磁性底層以便形成所需的磁異向性，并且必須使結(jié)晶結(jié)構(gòu)與晶格常數(shù)與磁性層一致。
能夠?qū)r、CrTi、CoCr、CrTa、CrMo、NiAl、Ru等用作非磁性底層。而非磁性底層的厚度最好為200nm以上且1000nm以下并最佳地為300nm以上且700nm以下。
另外，磁性層的優(yōu)選厚度為50nm以上且800nm以下并最好為100nm以上且500nm以下。
具體地說，作為磁性層地，能夠采用Co、Co合金(CoNi、CoNiZr、CoNbTaZr等)、Fe、Fe合金(FeCo、FeCoNi、FeNiMo、FeAlSi、FeAl、FeTaN)、Ni、Ni合金(NiFe)，其中優(yōu)選FeCo、FeCoNi。
此外，最好在磁性層上設(shè)置類金剛石碳(DLC)等硬質(zhì)碳素護(hù)膜，也可以在硬質(zhì)碳素護(hù)膜上設(shè)置潤滑劑層。
作為護(hù)膜，最好是5nm-30nm的類金剛石碳膜并最好設(shè)有潤滑劑。
潤滑劑承擔(dān)了防止當(dāng)在磁復(fù)制用主載體與從載體緊密接觸時(shí)產(chǎn)生于接觸過程中的錯(cuò)移時(shí)的摩擦損傷的作用。
此外，磁復(fù)制用主載體與CD-ROM制造用壓模的制作一樣地能夠通過以下方式制成。
在表面粗糙度為預(yù)定值的石英、玻璃等圓板狀基板上涂布光刻膠，在預(yù)焙光刻膠層上，一邊使基板轉(zhuǎn)動(dòng)，一邊對(duì)應(yīng)于伺服信號(hào)地照射調(diào)制激光，在圓板整個(gè)面上的光刻膠上，在每個(gè)磁道中，在對(duì)應(yīng)于圓周上的各伺服信號(hào)的部分上對(duì)相當(dāng)于沿半徑方向從轉(zhuǎn)動(dòng)中心起成放射狀延伸的伺服信號(hào)的圖形進(jìn)行曝光顯影，隨后進(jìn)行烘焙處理。
在形成溝槽的場(chǎng)合下，與伺服信號(hào)一樣地用激光照射部分溝槽，從而能夠形成伺服區(qū)和溝槽的圖形。
在形成了理想圖形的基板上，通過化學(xué)鍍覆形成薄薄的鍍銀層，以鍍銀層為其中一個(gè)電極地在鍍銀層上電鑄上鎳，從基板上剝下鎳層地制作出具有應(yīng)形成的圖形的金屬盤片。
接著，在具有對(duì)應(yīng)于信號(hào)的圖形的金屬盤片上，通過真空成膜技術(shù)形成磁性層。磁性層的形成能夠通過真空鍍覆法、濺射法、離子鍍覆法等真空成膜技術(shù)來進(jìn)行，尤其是最好采用濺射法來進(jìn)行。
接著，也可以在磁性層上通過濺射等方式形成類金剛石碳等碳膜。
也可以以通過鎳電鑄形成的金屬盤片為鑄模地再次電鑄鎳并且以所獲得的鎳盤片為磁復(fù)制用主載體地形成磁性層。根據(jù)這樣的方法，將在一次圖形制作工序中獲得的金屬盤片制成母模并且可以形成多片磁復(fù)制用主載體。
此外，作為本發(fā)明磁復(fù)制方法所用的從載體，也能夠使用采用剛性基體的硬盤用磁記錄載體、采用撓性材料基體的軟盤用磁記錄載體，也能夠使用強(qiáng)磁性金屬顆粒分散在粘接劑中的涂布型磁記錄載體或在基板上形成強(qiáng)磁性金屬薄膜的金屬薄膜型磁記錄載體。
確切地說，作為涂布型磁記錄載體地例舉出是Zip(Iomega公司)用記錄載體的Zip100、Zip250或被稱為HiFD的高密軟盤等磁記錄載體。
至于金屬薄膜型磁記錄載體，能夠?qū)o、Co合金(CoPtCr、CoCr、CoptCrTa、CoPtCrNbTa、CoCrB、CoNi等)、Fe、Fe合金(FeCo、FePt、FeCoNi)用作磁性材料。最好是磁力線密度大并且與磁復(fù)制用主載體的磁性層同方向，即具有面內(nèi)方向(如果是面內(nèi)記錄的話)的和垂直的垂直方向的磁異向性，以便進(jìn)行清楚的復(fù)制。
此外，在磁性層的底部上即在基板側(cè)上，最好設(shè)置非磁性底層以便形成必要的磁異向性，最好使結(jié)晶構(gòu)造與結(jié)晶常數(shù)與磁性層一致。
實(shí)施例以下，表示出實(shí)施例及對(duì)比例地說明本發(fā)明。
實(shí)施例1在由表面粗糙度Ra為0.2nm的合成石英制成的3.7型圓板上旋涂上光刻膠，隨后預(yù)烘焙。經(jīng)過預(yù)烘焙的光刻膠厚200nm。一邊使形成光刻膠的圓板轉(zhuǎn)動(dòng)，一邊對(duì)應(yīng)于伺服信號(hào)地照射調(diào)制激光，在圓板面的光刻膠上，在對(duì)應(yīng)于圓周上的各伺服信號(hào)的部分上對(duì)相當(dāng)于各磁道的從轉(zhuǎn)動(dòng)中心起沿半徑方向成放射狀延伸的伺服信號(hào)的圖形進(jìn)行曝光，并用堿顯像液顯像。
在這里，所形成的圖形以10度為間隔地在0.3度區(qū)域內(nèi)以從中心到沿半徑方向20mm-40mm的位置的5微米寬的等間隔成放射狀。在數(shù)據(jù)區(qū)上，在半徑為20mm的位置上形成了放射狀的100微米寬的溝槽。
光刻膠表面被洗凈后，進(jìn)行烘焙地制作出原盤。接著，在進(jìn)行了化學(xué)鍍銀后，以鍍銀層為電極地電鑄出300微米厚的鎳層并從原盤上剝下鎳層地制作出金屬盤片，以這樣的盤片為磁復(fù)制用主載體。
在25℃下，通過濺射在金屬盤片上形成了軟磁層FeCo層(原子比50∶50)。濺射壓力為1.5×10-4帕(1.08mTorr)。使用電功率為2.80W/cm2。
接著，作為從載體地使用可在市場(chǎng)上買到的Zip250用涂布型磁記錄載體(富士膠卷制)。從載體的保磁力Hc為199kA/m(2500Oe)。
最大磁場(chǎng)強(qiáng)度成為398kA/m(5000Oe副He的兩倍)地/使用電磁鐵裝置，進(jìn)行從載體的初期直流磁化，接著，使經(jīng)過初期直流磁化的從載體與磁復(fù)制用主載體緊密接觸，用電磁鐵裝置施加199kA/m(2500Oe)的磁場(chǎng)，由此進(jìn)行磁復(fù)制。
通過以下方法對(duì)所獲得的從載體進(jìn)行評(píng)估并進(jìn)行磁復(fù)制信息的評(píng)估，其結(jié)果列于表1中。
實(shí)施例2除了使用表面粗糙度為2.0nm的基材外，與實(shí)施例1一樣地制作磁復(fù)制用主載體并且與實(shí)施例1一樣地進(jìn)行評(píng)估，其結(jié)果列于表1中。
實(shí)施例3除了使用表面粗糙度為4.6nm的基材外，與實(shí)施例1一樣地制作磁復(fù)制用主載體并且與實(shí)施例1一樣地進(jìn)行評(píng)估，其結(jié)果列于表1中。
實(shí)施例4除了不設(shè)置溝槽外，與實(shí)施例1一樣地制作磁復(fù)制用主載體并且與實(shí)施例1一樣地進(jìn)行評(píng)估，其結(jié)果列于表1中。
實(shí)施例5除了使用表面粗糙度為0.1nm的基材外，與實(shí)施例1一樣地制作磁復(fù)制用主載體并且與實(shí)施例1一樣地進(jìn)行評(píng)估，其結(jié)果列于表1中。
對(duì)比例1
除了使用表面粗糙度為0.8nm的基材并且以按照實(shí)施例4所述方法制成的金屬板為鑄模地再次電鑄鎳并將其制成磁復(fù)制用主載體的基板外，與實(shí)施例1一樣地制作磁復(fù)制用主載體并且與實(shí)施例1一樣地進(jìn)行評(píng)估，其結(jié)果列于表1中。
對(duì)比例2除了使用表面粗糙度為7.6nm的基材并且以按照實(shí)施例4所述方法制成的金屬板為鑄模地再次電鑄鎳并將其制成磁復(fù)制用主載體的基板外，與實(shí)施例1一樣地制作磁復(fù)制用主載體并且與實(shí)施例1一樣地進(jìn)行評(píng)估，其結(jié)果列于表1中。
(評(píng)估方法)·表面粗糙度Ra通過光干涉式表面粗糙度計(jì)(WYKO公司制的HD2000型)，采用了物鏡×50、中間透鏡×0.5并測(cè)量242μm×184μm的范圍。
·耐久性測(cè)定當(dāng)磁復(fù)制用主載體與從載體之間的接觸壓力為490千帕(5kg/cm2)并且反復(fù)進(jìn)行1000次接觸分離時(shí)，用微分干涉型顯微鏡并以480倍放大率在50視野內(nèi)隨機(jī)觀測(cè)磁復(fù)制用主載體表面。在50視野內(nèi)，如果磁性層的磨損或龜裂處不到5個(gè)，認(rèn)為是良好，達(dá)到5個(gè)以上，被認(rèn)為是不良。
·空氣殘留評(píng)估法至于在耐久性評(píng)估時(shí)制成的從載體，將磁性顯像液(Sigma Hi-chemical公司制的Sigmaker Q)稀釋10倍，將其滴在從載體上并烘干、顯像，評(píng)估如此形成的磁復(fù)制信號(hào)端的變動(dòng)量。在100視野內(nèi)，用微分干涉型顯微鏡并以50倍的放大率觀察伺服區(qū)，信號(hào)遺漏兩處以上的，被認(rèn)為是不良的。
·拉伸力評(píng)估測(cè)量進(jìn)行磁復(fù)制用主載體與從載體的剝離時(shí)的拉伸力。
在測(cè)定中，在從載體上安裝中心芯，在磁復(fù)制后，從中心芯上部起垂直上拉。用彈簧秤測(cè)量上拉時(shí)的力。如果拉伸力超過4.75牛頓(480gf)，在認(rèn)為是不良的。
·信號(hào)質(zhì)量評(píng)估通過電磁轉(zhuǎn)換特性測(cè)量裝置(協(xié)同電子制SS-60)來進(jìn)行從載體磁復(fù)制信號(hào)的信號(hào)失真的評(píng)估。在磁頭中使用了磁頭間隙為0.23微米、磁道寬為3.0微米的感應(yīng)磁頭，測(cè)定重放信號(hào)(TAA)，如果獲得0.85毫伏的重放輸出電壓，則認(rèn)為是良好的。
表1

權(quán)利要求
1.一種使磁復(fù)制用主載體緊貼著從載體地施加復(fù)制磁場(chǎng)的磁復(fù)制方法，其特征在于它使用了從復(fù)制用主載體上被復(fù)制到從載體上的伺服區(qū)域與不復(fù)制的區(qū)域在同一平面內(nèi)的磁復(fù)制用主載體。
2.如權(quán)利要求1所述的磁復(fù)制方法，其特征在于磁復(fù)制用主載體的數(shù)據(jù)區(qū)的表面平均粗糙度(Ra)為0.1nm以上到5nm以下。
3.如權(quán)利要求1或2所述的磁復(fù)制方法，其特征在于在數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)有溝槽。
全文摘要
本發(fā)明要提供這樣一種磁復(fù)制方法,即在磁復(fù)制用主載體接觸從載體的情況下進(jìn)行磁復(fù)制的方法中,沒有發(fā)生復(fù)制信號(hào)的信號(hào)遺漏等現(xiàn)象。在使磁復(fù)制用主載體緊貼著從載體地施加復(fù)制磁場(chǎng)的磁復(fù)制方法中,它使用了從復(fù)制用主載體上被復(fù)制到從載體上的伺服區(qū)域與不復(fù)制的區(qū)域在同一平面內(nèi)的磁復(fù)制用主載體。
文檔編號(hào)G11B5/86GK1341919SQ0112362
公開日2002年3月27日 申請(qǐng)日期2001年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2000年9月4日
發(fā)明者西川正一, 渡邊清一 申請(qǐng)人:富士膠片株式會(huì)社