專利名稱：光信息記錄介質(zhì)用反射層或半透明反射層、光信息記錄介質(zhì)和光信息記錄介質(zhì)用濺射靶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能夠抑制Ag的擴(kuò)散，并且能夠抑制晶粒成長(zhǎng)的光信息記錄介質(zhì)用反射層或半透明反射層(光盤用反射層或者光盤用半透明反射層)、光信息記錄介質(zhì)和光信息記錄介質(zhì)的反射層或半透明反射層用濺射靶。本發(fā)明的反射層或半透明反射層具有高反射率，因而適合用于CD-ROM、DVD-ROM等讀出專用光盤(不可寫入·更改)；CD-R、DVD-R等補(bǔ)寫型光盤(可以記錄一次和重復(fù)再生)；CD-RW、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW、PD等改寫型光盤(可反復(fù)進(jìn)行記錄·再生的光盤)等。
其中，①的讀出專用光盤基本上是在聚碳酸酯基體等的透明基體上，層壓以Ag、Al、Au等為母材的反射膜層和紫外線固化樹脂保護(hù)膜層等保護(hù)膜層而形成。上述讀出專用光盤通過設(shè)置于透明塑料基體上的凹凸槽形成記錄數(shù)據(jù)，再通過檢測(cè)照射磁盤的激光的相位差和反射差使數(shù)據(jù)再生。除上述層壓型以外，如

圖1所示，也有在透明塑料基體1上，通過粘接層3膠結(jié)設(shè)有半透明反射膜層2的基材和設(shè)有反射膜層4的基材，再層壓透明塑料基體5形成的結(jié)構(gòu)。作為采用這種數(shù)據(jù)讀出專用(不可寫入·記錄)方式的光盤如CD-ROM、DVD-ROM等。
其次，上述②的改寫型(相變化型)光盤是控制激光的功率和照射時(shí)間，通過在記錄層上形成準(zhǔn)晶質(zhì)相與非晶體相的異相狀態(tài)記錄數(shù)據(jù)，再通過用激光檢測(cè)兩相的反射率變化使數(shù)據(jù)再生。通過該記錄再生方式可反復(fù)進(jìn)行記錄·再生，通常能夠反復(fù)記錄數(shù)千次至數(shù)十萬次。上述改寫型光盤的基本結(jié)構(gòu)如圖2所示，在透明塑料基體1上層壓電介質(zhì)層7、記錄層8、電介質(zhì)層7、反射層4和透明塑料基體5的各種薄膜層而形成，作為采用所述方式的光盤，例如CD-RW、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW等。
另外，上述③的補(bǔ)寫型光盤是通過激光的功率使記錄薄膜層(有機(jī)色素層)的色素發(fā)熱·變質(zhì)，通過使槽(預(yù)先在基板上刻制的溝)變形記錄數(shù)據(jù)，再通過檢測(cè)變質(zhì)處反射率與未變質(zhì)處反射率的差使數(shù)據(jù)再生。圖3表示補(bǔ)寫型光盤的基本結(jié)構(gòu)。圖中，1為透明塑料基體，6為有機(jī)色素層，4為反射膜層，5為透明塑料基體。該記錄再生方式有一次記錄的數(shù)據(jù)不能改寫(可以記錄一次和重復(fù)再生)的特點(diǎn)，作為采用所述方式的光盤例如CD-R、DVD-R等。
上述各種光盤中，對(duì)反射薄膜層材料要求反射率、熱傳導(dǎo)率、耐熱沖擊性、化學(xué)穩(wěn)定性[特別是耐蝕性(耐氧化性)]等諸特性優(yōu)良，記錄再生特性隨時(shí)間的變化少等。
例如上述②的改寫型光盤用反射薄膜層兼有熱擴(kuò)散層，因而除上述特性以外，還要求熱傳導(dǎo)率高。特別是在高記錄密度中，從提高記錄密度的觀點(diǎn)出發(fā)，反射放熱層的熱傳導(dǎo)率高是不可缺少的?？墒菍?shí)際情況是尚未能提供出滿足所述要求特性的反射層用材料。
例如作為改寫型光盤用反射薄膜層材料而被廣泛使用的Al合金，對(duì)用于記錄再生的激光波長(zhǎng)(780nm，650nm)具有比較高的反射率和耐蝕性(化學(xué)耐蝕性)，但在反射率方面還不充分，與Au系或Ag系比較，存在反射率低的缺點(diǎn)。而且與Au系比較，除化學(xué)穩(wěn)定性差外，還有熱傳導(dǎo)率低的缺點(diǎn)。特別是改寫型和補(bǔ)寫型的各光盤也存在要求的高熱傳導(dǎo)性差的缺點(diǎn)。因此，在反射薄膜層中使用Al合金，難于使該反射層具備要求的各種特性，結(jié)果產(chǎn)生制約磁盤的結(jié)構(gòu)或設(shè)計(jì)的不合適情況。
因而有使用Au、Ag、Cu作為反射薄膜用材料代替Al合金的提案，但分別具有下面揭示的問題。
例如純Au或以Au為主要成分的合金具有化學(xué)穩(wěn)定性優(yōu)良，記錄再生特性隨時(shí)間的變化少，且能夠得到高反射率、高耐蝕性和高熱傳導(dǎo)率的優(yōu)點(diǎn)，但Au非常昂貴，不實(shí)用。而且存在對(duì)成為下一代主要激光波長(zhǎng)的藍(lán)色(藍(lán)紫色、紫色)激光(波長(zhǎng)405nm)不能充分得到高反射率的問題。
另外，純Cu或以Cu為主要成分的合金廉價(jià)，但除耐蝕性(特別是耐氧化性)差以外，還存在與Au系同樣，對(duì)藍(lán)色激光的反射率低的缺點(diǎn)。結(jié)果擔(dān)心導(dǎo)致磁盤的可靠性(耐久性)降低。
另外，純Ag或以Ag為主要成分的合金，雖然在實(shí)用波長(zhǎng)范圍400～800內(nèi)具有充分高的反射率，但存在耐蝕性和記錄再生特性隨時(shí)間變化比Au系反射膜更差的問題。特別是Ag系合金中，Ag容易擴(kuò)散，因而存在容易產(chǎn)生晶粒成長(zhǎng)等結(jié)構(gòu)變化，膜特性惡化的問題。
另一方面，在上述③的補(bǔ)寫型光盤的反射薄膜層中，也出現(xiàn)與上述②的改寫型光盤同樣的問題。
在上述補(bǔ)寫型光盤中，廣泛使用Au或以Au為主要成分的合金作為反射薄膜層用材料。這些材料相對(duì)于用于記錄再生的激光波長(zhǎng)(780nm，650nm)，即使存在有機(jī)色素層，也能夠達(dá)到70％以上的高反射率。但如前所述，Au非常昂貴，成為成本上升的主要原因。
因而有使用Ag、Cu、Al作為反射薄膜材料代替上述材料的提案。但是以純Ag、純Cu為主要成分的合金如上所述存在耐蝕性差的缺點(diǎn)。
另外，純Al或以Al為主要成分的合金存在耐久性差的問題。即在光盤反射膜層使用純Al、以純Al為主要成分的合金，容易出現(xiàn)化學(xué)反應(yīng)引起的反射率降低，錯(cuò)誤增加等磁盤特性隨時(shí)間變化的問題，因而難于在要求高度可靠性的補(bǔ)寫型光盤中使用。而且Al材料反射率低，特別是添加了合金元素的Al基合金反射率進(jìn)一步降低，也有若存在有機(jī)色素層就不能達(dá)到70％以上的高反射率的問題。
這樣盡管為了得到可靠性高的介質(zhì)，對(duì)光盤用反射薄膜層要求滿足高反射率、化學(xué)穩(wěn)定性(特別是耐氧化性)、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性(具有能夠抑制Ag的擴(kuò)散，能夠抑制晶粒成長(zhǎng)和凝集意義的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性)、記錄再生特性的穩(wěn)定性、低成本等各種特性，但尚未能提供出全部滿足這些要求特性的金屬薄膜層。在反射率、化學(xué)穩(wěn)定性等方面Au最優(yōu)良，但除成本高以外，還存在用下一代規(guī)格的藍(lán)色激光(波長(zhǎng)405nm)反射率大幅降低的問題。
能夠解決上述課題的本發(fā)明可抑制Ag晶粒成長(zhǎng)的光信息記錄介質(zhì)用反射層或半透明反射層的要點(diǎn)在于用含有Nd0.1～3.0％的Ag基合金構(gòu)成。另外，所謂本發(fā)明的半透明反射層(膜)表示作為在磁盤單面進(jìn)行2層以上多層記錄介質(zhì)的反射膜而被使用的膜，透射率·反射率根據(jù)磁盤的構(gòu)成規(guī)定，但大體具有20～80％透射率的薄膜。另外，所謂本發(fā)明的反射層(膜)是作為在磁盤單面單層記錄的反射膜或多層記錄的最下層反射膜使用的薄膜，透射率幾乎為0％，反射率根據(jù)磁盤的構(gòu)成規(guī)定，但大體在70％以上。
用上述Ag-Nd合金構(gòu)成的反射層或半透明反射層能夠抑制Ag的擴(kuò)散，能夠抑制晶粒成長(zhǎng)，結(jié)果晶體結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性優(yōu)良，這與記錄再生特性的穩(wěn)定性以及耐久性這些實(shí)用效果有關(guān)。
在上述Ag-Nd合金中，進(jìn)一步含有至少一種選自Au、Cu、Pd、Mg、Ti和Ta的元素且合計(jì)為0.2～5.0％的物質(zhì)能夠提高耐氧化性，因而是理想狀態(tài)。特別是添加了Au、Cu、Pd的Ag-Nd合金(其中，特別是在Ag-Nd合金中添加了Cu的合金)非常有用，能夠抑制合金化引起的反射率降低，同時(shí)還能夠使耐氧化性進(jìn)一步提高。
本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)用反射層或半透明反射層能夠適用于讀出專用型、改寫型、補(bǔ)寫型中的任何一種，特別是適合用于補(bǔ)寫型和讀出專用型的光盤。
另外，具有上述光信息記錄介質(zhì)用反射層或半透明反射層的光信息記錄介質(zhì)和用上述Ag基合金構(gòu)成的光信息記錄介質(zhì)用濺射靶也包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
圖1是表示讀出專用光盤剖面結(jié)構(gòu)的模式圖。
圖2是表示補(bǔ)寫型光盤剖面結(jié)構(gòu)的模式圖。
圖3是表示改寫型光盤基本結(jié)構(gòu)的模式圖。
圖4是表示純Ag的高溫高濕實(shí)驗(yàn)前的晶體粒徑的照片。
圖5是表示純Ag的高溫高濕實(shí)驗(yàn)后的晶體粒徑的照片。
圖6是表示Au的高溫高濕實(shí)驗(yàn)前的晶體粒徑的照片。
圖7是表示純Au的高溫高濕實(shí)驗(yàn)后的晶體粒徑的照片。
圖8是表示Ag-0.9％Cu-1.0％Au的高溫高濕實(shí)驗(yàn)前的晶體粒徑的照片。
圖9是表示Ag-0.9％Cu-1.0％Au的高溫高濕實(shí)驗(yàn)后的晶體粒徑的照片。
圖10是表示Ag-0.5％Nd的高溫高濕實(shí)驗(yàn)前的晶體粒徑的照片。
圖11是表示Ag-0.5％Nd的高溫高濕實(shí)驗(yàn)后的晶體粒徑的照片。
圖12是表示Ag-0.5％Nd-0.9％Cu-1.0％Au的高溫高濕實(shí)驗(yàn)前的晶體粒徑的照片。
圖13是表示Ag-0.5％Nd-0.9％Cu-1.0％Au的高溫高濕實(shí)驗(yàn)后的晶體粒徑的照片。
圖14是表示各種Ag合金薄膜的加速環(huán)境實(shí)驗(yàn)時(shí)間與晶體粒徑關(guān)系的圖。
圖15是表示各種Ag合金薄膜的元素添加量與晶體粒徑關(guān)系的圖。
圖16是表示各種Ag合金薄膜的元素添加量與初期反射率關(guān)系的圖。
其中，1為聚碳酸酯、2為半透明反射層、3為粘接層、4為反射層、5為透明塑料基體、6為有機(jī)色素層、7為電介質(zhì)層、8為記錄層。
因而本發(fā)明者為了提供能夠防止這種Ag晶粒增大的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性優(yōu)良的光信息記錄介質(zhì)用反射層或半透明反射層(下面有時(shí)用“反射層”代表)，進(jìn)行了悉心研究。具體的說，使用在Ag中添加各種元素制成的Ag基合金濺射板，通過濺射法形成由各種成分構(gòu)成的Ag基合金薄膜，評(píng)價(jià)作為反射薄膜層的特性。結(jié)果可以看出，如果在Ag中添加Nd，能夠抑制Ag的擴(kuò)散，并且能夠抑制晶粒的成長(zhǎng)，結(jié)果能夠得到結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性非常優(yōu)良的反射層。而且還發(fā)現(xiàn)，在上述Ag-Nd合金中，添加一定量的選自Au、Cu、Pd、Mg、Ti和Ta的至少一種元素(更優(yōu)選含有Au、Cu、Pd的至少一種；最優(yōu)選含有Cu)能夠提高耐蝕性(特別是耐氧化性)，從而完成了本發(fā)明。
下面依次說明構(gòu)成本發(fā)明光信息記錄介質(zhì)用反射層的必要條件。
本發(fā)明的反射層用含有Nd0.1～3.0％的Ag基合金構(gòu)成。也就是說，可以看出上述發(fā)明最重要的發(fā)明點(diǎn)在于，如果向Ag基合金中添加Nd0.1～3.0％，就能夠抑制Ag的晶粒成長(zhǎng)，使記錄再生特性的穩(wěn)定性優(yōu)良，結(jié)果能夠提高可靠性。
按照本發(fā)明者的研究結(jié)果，可以看出在加速環(huán)境實(shí)驗(yàn)(溫度80℃，濕度90％RH)中，Ag-Nd合金薄膜中添加0.1％以上的Nd，能夠抑制Ag擴(kuò)散引起的晶體粒徑的增大，能夠抑制晶體粒徑的成長(zhǎng)。優(yōu)選0.3％以上。但考慮到反射率，必須將其上限規(guī)定為3.0％。這是因?yàn)樵诒景l(fā)明中作為反射率的目標(biāo)水平之一，揭示了在一般DVD使用的激光波長(zhǎng)650nm下，使之與純Au薄膜的反射率程度相同，但存在Nd的添加量越多，反射率越低的趨勢(shì)，特別是添加量如果超過3.0％，反射率會(huì)顯著降低。更優(yōu)選2.0％以下。而且可以看出，在上述范圍與純Ag比較，化學(xué)穩(wěn)定性(特別是耐氧化性)也優(yōu)良，因而能夠得到希望的薄膜。
因此，為了維持高反射率和耐蝕性，而且同時(shí)能夠抑制Ag晶粒的成長(zhǎng)，將Nd的添加量規(guī)定為0.1％以上(優(yōu)選0.3％以上)，3.0％以下(優(yōu)選2.0％以下)。
在上述Ag-Nd合金中，進(jìn)一步含有至少一種選自Au、Cu、Pd、Mg、Ti和Ta的元素且合計(jì)為0.5～5.0％的物質(zhì)能夠進(jìn)一步提高耐氧化性，因而是理想狀態(tài)。如上所述，在Ag中添加了Nd的Ag基合金薄膜，與純Ag比較，耐氧化性提高，而且在添加上述元素時(shí)，具有抑制了合金化引起的反射率降低，同時(shí)還進(jìn)一步提高耐氧化性的優(yōu)點(diǎn)。一般地，用反射率的減少量評(píng)價(jià)光信息記錄介質(zhì)的耐氧化性，可以看出，由用于光信息記錄介質(zhì)的實(shí)用激光波長(zhǎng)為780，650，405nm附近的波長(zhǎng)范圍的反射率減少量評(píng)價(jià)耐氧化性時(shí)，如果添加這些元素合計(jì)為0.5％以上，耐氧化性提高，但如果超過5％，與純Ag比較，耐氧化性降低。順便說一下，關(guān)于激光的波長(zhǎng)，上一代的規(guī)格(CD)為780nm，這一代的規(guī)格(DVD)為650nm，而且預(yù)測(cè)2002年以后的下一代規(guī)格以藍(lán)色激光(405nm)為標(biāo)準(zhǔn)。
上述元素的耐氧化性提高作用也因元素的種類而有一些不同，但推薦控制在Cu0.2～5.0％、Au0.2～5.0％、Pd0.2～3.0％、Mg0.2～3.0％、Ti0.2～3.0％、Ta0.2～3.0％的范圍。其中，雖然Mg、Ti和Ta的耐氧化性提高作用與Cu、Au、Pd相比要差，但有成本低廉的優(yōu)點(diǎn)。另外，雖然發(fā)現(xiàn)Au或Pd以外的貴重金屬元素(Ru、Rh、Ir等)也同樣有提高耐氧化性作用，但成本高，不實(shí)用。另外，這些元素可以單獨(dú)使用，也可以二種以上合并使用。
本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)用反射層含有上述成分，剩余部分為Ag，而且在不損害本發(fā)明作用的范圍內(nèi)，也可以添加上述成分以外的其它成分。例如以具有硬度提高等特性為目的，也可以積極地添加Pt等貴重金屬或除Nd以外的過渡金屬。另外，也可以含有O、N等氣體成分等雜質(zhì)。
上述本發(fā)明合金推薦采用濺射法形成。這是因?yàn)橛糜诒景l(fā)明的元素在平衡狀態(tài)下相對(duì)于Ag的固溶限度非常小(另外，Au為全部固溶)，通過濺射法形成薄膜由于濺射法固有的氣相急冷可以非平衡固溶，因而與通過其它薄膜形成法形成Ag基合金薄膜的場(chǎng)合比較，上述合金元素均勻地存在于基體中，其效果變得更加顯著。
另外，在濺射時(shí)，作為濺射靶材料，優(yōu)選使用通過溶解·鑄造法或粉末燒結(jié)法制造的Ag基合金(下面稱作“熔煉Ag基合金靶材”)。
下面基于實(shí)施例詳細(xì)說明本發(fā)明。但是，下述實(shí)施例并未限定本發(fā)明，在不脫離上述與下述宗旨的范圍內(nèi)進(jìn)行的變化實(shí)施均包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
實(shí)施例實(shí)施例1本實(shí)施例使用透射型電子顯微鏡(TEM)觀察環(huán)境實(shí)驗(yàn)前后的晶粒變化。
作為試樣使用通過DC磁控管濺射，在透明聚碳酸酯基板(基板尺寸直徑50mm，厚度1mm)上形成厚度為1500的各種薄膜(反射薄膜層)的試樣，也就是說，形成純Ag、純Au、Ag-0.9％Cu-1.0％Au、Ag-0.5％Nd、Ag-0.5％Nd-0.9％Cu-1.0％Au的各種合金薄膜的試樣。
成膜條件如下所示。
濺射裝置島凈制作所制的HSM-552基板溫度22℃Ar氣氣壓2mTorrAr氣流量30sccm達(dá)到真空度5×10-6torr基板-靶間距離55mm成膜功率260T基板前處理RF反濺射(200W，5mTorr，3min)另外，加熱環(huán)境實(shí)驗(yàn)的條件是溫度為80℃，濕度為90％RH，保持時(shí)間為48小時(shí)。其結(jié)果分別如圖4～13所示。其中，圖4是表示純Ag的高溫高濕實(shí)驗(yàn)前的晶體粒徑的照片，圖5是表示純Ag的高溫高濕實(shí)驗(yàn)后的晶體粒徑的照片，圖6是表示純Au的高溫高濕實(shí)驗(yàn)前的晶體粒徑的照片，圖7是表示純Au的高溫高濕實(shí)驗(yàn)后的晶體粒徑的照片，圖8是表示Ag-0.9％Cu-1.0％Au的高溫高濕實(shí)驗(yàn)前的晶體粒徑的照片，圖9是表示Ag-0.9％Cu-1.0％Au的高溫高濕實(shí)驗(yàn)后的晶體粒徑的照片，圖10是表示Ag-0.5％Nd的高溫高濕實(shí)驗(yàn)前的晶體粒徑的照片，圖11是表示Ag-0.5％Nd的高溫高濕實(shí)驗(yàn)后的晶體粒徑的照片，圖12是表示Ag-0.5％Nd-0.9％Cu-1.0％Au的高溫高濕實(shí)驗(yàn)前的晶體粒徑的照片，圖13是表示Ag-0.5％Nd-0.9％Cu-1.0％Au的高溫高濕實(shí)驗(yàn)后的晶體粒徑的照片。
由圖可以看出，相對(duì)于純Au薄膜在環(huán)境實(shí)驗(yàn)前后幾乎看不到晶粒的變化(圖6和7)，純Ag薄膜(圖4和5)和Ag-0.9％Cu-1.0％Au薄膜(圖8和9)晶粒成長(zhǎng)增大至約5倍。相對(duì)于此，在Ag中添加了Nd的Ag-0.5％Nd薄膜(圖10和11)以及Ag-0.5％Nd-0.9％Cu-1.0％Au薄膜(圖12和13)在實(shí)驗(yàn)前后幾乎沒有晶粒的變化，可以看出通過添加Nd，能夠顯著抑制Ag基合金薄膜的晶粒成長(zhǎng)。
實(shí)施例2本實(shí)施例研究加速環(huán)境實(shí)驗(yàn)時(shí)間與晶粒之間的相關(guān)關(guān)系。
與實(shí)施例1同樣制造圖14所示的各種試樣，通過TEM像計(jì)算出晶粒。其結(jié)果如圖14所示。
在各種Ag合金中，添加了Nd的Ag-1％Nd即使增加保持時(shí)間，幾乎沒有晶體粒徑的變化，相對(duì)于此，添加了Nd以外元素的Ag合金隨著保持時(shí)間增加，晶體粒徑顯著增加。在純Ag中，伴隨著保持時(shí)間的增加，晶粒也增加，特別是在Ag中添加了Au、Cu、In、Zn、Sn的時(shí)候，與純Ag比較，晶粒顯著增加。但如果向這些元素中添加Nd(例如Ag-1％Nd-1％Cu-1％Au合金)，幾乎看不到晶粒的變化，因而可以看出通過添加Nd，晶體粒徑增大抑制效果非常顯著。
實(shí)施例3本實(shí)施例研究各種Ag二元基合金薄膜的元素添加量與加速環(huán)境實(shí)驗(yàn)前后的晶體粒徑之間的相關(guān)關(guān)系。
與實(shí)施例1同樣制造圖15所示的各種試樣，通過TEM像計(jì)算出晶體粒徑。其結(jié)果如圖15所示。
由圖可以看出，與其它元素相比，Nd的晶粒增大抑制作用顯著。還可以看出，這種作用通過0.1％的添加即可發(fā)揮，即使添加的量超過這一數(shù)值，該作用也已經(jīng)飽和。
實(shí)施例4本實(shí)施例研究各種Ag二元基合金薄膜的元素添加量與初期反射率之間的相關(guān)關(guān)系。
通過與實(shí)施例1同樣的方法制造形成了各種Ag二元基合金薄膜(反射薄膜層)的試樣后，測(cè)定測(cè)定激光波長(zhǎng)650nm的反射率。另外，反射率使用Neoark制Model 810改造機(jī)(光度計(jì)B)進(jìn)行測(cè)定。其結(jié)果如圖16所示。
由圖可以看出，即使添加Au和Cu，幾乎沒有反射率的降低，然而對(duì)于其它元素，反射率與添加量的增加成比例地降低。另外，反射率目前以和用于DVD等的純Au(初期反射率為85.8％)程度相同為基準(zhǔn)，如果由該觀點(diǎn)出發(fā)，推薦Nd的添加量控制在3.0％以下，Ti、Mg、Ta的各添加量控制在2.0％以下。
實(shí)施例5本實(shí)施例評(píng)價(jià)各種組成的Ag-Nd基合金薄膜的耐蝕性。研究高溫高濕實(shí)驗(yàn)(溫度80℃，濕度90％RH，保持時(shí)間48小時(shí))前后反射率的降低量評(píng)價(jià)耐蝕性(耐氧化性)。具體的說，測(cè)定高溫高濕實(shí)驗(yàn)結(jié)束后各個(gè)試樣的反射薄膜層的反射率(激光波長(zhǎng)650nm)，通過計(jì)算實(shí)驗(yàn)前后的反射率差(即實(shí)驗(yàn)結(jié)束后反射率的減少量)評(píng)價(jià)耐蝕性(耐氧化性)。其結(jié)果如表1所示。為了參考，一并記錄純Au和純Ag的耐蝕性。
表1

純Ag的場(chǎng)合，反射率降低量大幅降低為-7.0％，耐蝕性差，但在Ag中添加了Nd的合金，反射率降低量約為-2.0％，耐蝕性改善。而且可以看出，在Ag-Nd中添加了Ti、Mg、Ta的合金，耐蝕性進(jìn)一步改善，添加了Au、Cu、Pd的合金，耐蝕性更進(jìn)一步改善。
如上所述構(gòu)成本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)用反射層或半透明反射層，因而當(dāng)然具有高反射率，而且能夠抑制Ag擴(kuò)散引起的晶粒增大，因而能夠格外地提高光信息記錄介質(zhì)(讀出專用型、補(bǔ)寫型和改寫型的各種光盤)的性能和可靠性。另外，本發(fā)明的濺射靶適合在通過濺射法形成上述光信息記錄介質(zhì)用反射層或半透明反射層時(shí)使用，形成的反射薄膜層除具有成分組成易于穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn)以外，還具有能夠高效地得到密合性、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、耐蝕性(特別是耐氧化性)等各種特性也優(yōu)良的反射薄膜層的優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)特別是對(duì)除光磁記錄介質(zhì)以外的光信息記錄介質(zhì)有用。
權(quán)利要求
1.一種能夠抑制Ag晶粒成長(zhǎng)的光信息記錄介質(zhì)用反射層或半透明反射層，其特征在于，用含有Nd0.1～3.0原子％的Ag基合金構(gòu)成。
2.如權(quán)利要求1所述的反射層或半透明反射層，其特征在于，通過還含有至少一種選自Au、Cu、Pd、Mg、Ti和Ta的元素且合計(jì)為0.2～5.0原子％能夠提高耐氧化性。
3.如權(quán)利要求2所述的反射層或半透明反射層，其特征在于，含有至少一種選自Au、Cu和Pd的元素且合計(jì)為0.2～5.0原子％。
4.如權(quán)利要求3所述的反射層或半透明反射層，其特征在于，含有Cu0.2～5.0原子％。
5.一種光信息記錄介質(zhì)，具有用權(quán)利要求1～4中任意一項(xiàng)所述的Ag基合金構(gòu)成的反射層或半透明反射層。
6.一種光信息記錄介質(zhì)用濺射靶，其特征在于，用權(quán)利要求1～4中任意一項(xiàng)所述的Ag基合金構(gòu)成。
全文摘要
一種能夠抑制Ag晶粒成長(zhǎng)的光信息記錄介質(zhì)用反射層或半透明反射層,其特征在于,用含有Nd 0.1～3.0原子%的Ag基合金構(gòu)成。從而提供了一種當(dāng)然具有高反射率,而且能夠抑制Ag晶粒成長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性優(yōu)良的新型光信息記錄介質(zhì)用反射層·半透明反射層、光信息記錄介質(zhì)以及光信息記錄介質(zhì)用濺射靶。
文檔編號(hào)G11B7/259GK1361525SQ0113665
公開日2002年7月31日 申請(qǐng)日期2001年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2000年12月26日
發(fā)明者中井淳一, 大西隆, 藤井秀夫, 高木勝壽 申請(qǐng)人:株式會(huì)社神戶制鋼所