專利名稱：光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備以及像差調(diào)正方法
背景技術(shù)：
相關(guān)技術(shù)描述迄今為止，人們已經(jīng)對(duì)作為一種信息信號(hào)的記錄介質(zhì)的光盤進(jìn)行了提高其記錄密度的多種嘗試。例如，就具有大約65mm直徑的磁光盤來(lái)講，有人提議將承載信息信號(hào)的記錄軌道的磁道間距由1.6μm減小到0.95μm，用以將記錄密度增加到原先的大約5倍。
為了在具有上述道間距減小的磁光盤上記錄信息信號(hào)，以及為了再現(xiàn)記錄下的信息信號(hào)，掃描磁光盤上形成的記錄軌道的光束的光點(diǎn)直徑必須更小。其理由是，假如光束的光點(diǎn)直徑變得比記錄軌道的道間距大，那么就不能準(zhǔn)確地探測(cè)記錄軌道，由此則不能在期望的記錄軌道上記錄或者再現(xiàn)信息信號(hào)。
因此，有人建議利用一種具有設(shè)計(jì)用于輻射短波光束的光源的光拾取裝置，來(lái)減小照射在磁光盤上的光束的光點(diǎn)直徑。假如將輻射短波光束的光拾取裝置用于記錄和/或再現(xiàn)磁光盤，因?yàn)楣馐墓恻c(diǎn)直徑明顯小于記錄軌道的寬度，就不能準(zhǔn)確地探測(cè)期望的記錄軌道，因此不能準(zhǔn)確地記錄和/或再現(xiàn)信息信號(hào)。
為了識(shí)別記錄軌道的道間距值，以最終能夠用通用的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備記錄和/或再現(xiàn)具有不同記錄密度的多種類型的磁光盤，已經(jīng)有人建議一種光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，其包括一個(gè)具有多個(gè)光源的光拾取裝置，每個(gè)光源都輻射一個(gè)短波光束和一個(gè)長(zhǎng)波光束。
這種光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備設(shè)計(jì)為在多個(gè)光源之間切換以輻射不同波長(zhǎng)的光束，使其適于多種類型的磁光盤，所述多種類型的磁光盤的記錄軌道具有互不相同的道間距值。
對(duì)于具有1.6μm道間距的磁光盤，雙折射比具有0.95μm道間距的磁光盤更顯著，且因此當(dāng)光束沿著光徑傳送到磁光盤時(shí)在光學(xué)系統(tǒng)中產(chǎn)生了象散差。因此，光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備用于具有1.6μm磁道間距的磁光盤時(shí)，監(jiān)控關(guān)于整個(gè)光學(xué)系統(tǒng)的這種象散差的值。另一方面，對(duì)于具有0.95μm磁道間距的磁光盤，其雙折射小于具有1.6μm磁道間距的磁光盤，因此在光學(xué)系統(tǒng)中的象散差減低了。關(guān)于上述的光拾取裝置，其具有多個(gè)光源，該裝置自身尺寸增大了，使其難以用于需要減小尺寸的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備中。
關(guān)于輻射例如約650nm的短波光束的半導(dǎo)體激光器，其功率消耗大于輻射例如約780nm的長(zhǎng)波光束的半導(dǎo)體激光器。使用具有較大功率消耗的半導(dǎo)體激光器的光拾取裝置，不適合于靠電池供電的便攜式光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備。另外，關(guān)于具有較大功率消耗的半導(dǎo)體激光器，溫度系數(shù)較大且經(jīng)受很大的自身加熱，因此，當(dāng)將該半導(dǎo)體激光器安裝到光拾取裝置上時(shí)，需要消除熱輻射的措施，以使得當(dāng)將該半導(dǎo)體激光器安裝到光拾取裝置上時(shí)，光束的振蕩穩(wěn)定，其結(jié)果是難于減小光拾取裝置的尺寸和厚度。
而且，輻射短波光束的半導(dǎo)體激光器比適合于以780nm波長(zhǎng)振蕩光束的半導(dǎo)體激光器(其使用廣泛)更貴些，因此，假如使用這種半導(dǎo)體激光器，就不可能減少光拾取裝置以及光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備的費(fèi)用。
假如，使用用于具有0.95μm道間距的磁光盤的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，在具有1.6μm磁道間距的磁光盤上記錄或者再現(xiàn)信息信號(hào)，就會(huì)出現(xiàn)如下的問(wèn)題在記錄和/或再現(xiàn)光學(xué)系統(tǒng)中易于產(chǎn)生象散差。
假如，在用于具有0.95μm磁道間距的磁光盤的記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備中，在具有1.6μm磁道間距的磁光盤上記錄或者再現(xiàn)信息信號(hào)，就會(huì)出現(xiàn)如下的問(wèn)題在上述象散差的影響下，在檢測(cè)ADER(累進(jìn)的地址誤差率)即ADIP(槽前地址)誤差率的聚焦偏差的最佳點(diǎn)，和具有0.95μm磁道間距的磁光盤的RF信號(hào)(再生信號(hào))的聚焦偏差的最佳點(diǎn)之間，產(chǎn)生一個(gè)差值。
相對(duì)于適合對(duì)具有0.95μm磁道間距的磁光盤進(jìn)行記錄和/或再現(xiàn)信息信號(hào)的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備的聚焦偏差，尤其有必要對(duì)適合對(duì)具有1.6μm磁道間距的磁光盤進(jìn)行記錄和/或再現(xiàn)信息信號(hào)的聚焦偏差進(jìn)行電補(bǔ)償。
但是，由于存在于各自不同的記錄和/或再現(xiàn)系統(tǒng)中的象散差不同，最佳補(bǔ)償量也各不相同，從而難于補(bǔ)償校正。
還存在這種情況，其中，由于磁光盤外形變化或者磁光盤傾斜放置，光束不是以正確的角度入射到磁光盤的記錄表面。假使這樣，這里就出現(xiàn)了一個(gè)問(wèn)題入射到磁光盤記錄表面的光束就不會(huì)沿著與光盤記錄表面垂直的方向反射，于是該反射光束就會(huì)產(chǎn)生彗形像差，從而有損信息信號(hào)的讀出效率。
因此本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，其中，該設(shè)備尺寸與厚度可以進(jìn)一步減小，而且，可以在具有0.95μm磁道間距的磁光盤與具有1.6μm磁道間距的磁光盤上記錄或者再現(xiàn)信息信號(hào)。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種對(duì)這種記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備校正像差的方法。
本發(fā)明的概述為達(dá)到上述目的，依照本發(fā)明的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備包括用于輻射具有約780nm波長(zhǎng)光束的光源，具有約0.62數(shù)值孔徑NA且用于將光源輻射的光束會(huì)聚照射到光盤上的物鏡，用于形成照射到光盤的光束中的像差的像差形成裝置，以及用于接收來(lái)自光盤的反射光的光接收裝置。依據(jù)盤片識(shí)別裝置識(shí)別出的盤片種類，像差形成裝置用于修正在光束中產(chǎn)生的不同種類的像差，以便對(duì)光盤進(jìn)行信息信號(hào)記錄和/或再現(xiàn)。
依照本發(fā)明的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備對(duì)具有不同的道間距值的多種類型的光盤記錄或再現(xiàn)信息信號(hào)，同時(shí)對(duì)光學(xué)系統(tǒng)中產(chǎn)生的象散差與彗形像差進(jìn)行校正，以實(shí)現(xiàn)對(duì)具有不同的道間距值的多種類型的光盤進(jìn)行信息信號(hào)最優(yōu)化記錄和/或再現(xiàn)。
依照本發(fā)明的像散校正方法用于一種光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，該設(shè)備具有用于輻射具有約780nm波長(zhǎng)光束的光源，具有約0.62數(shù)值孔徑NA且用于將光源輻射的光束會(huì)聚，從而把得到的會(huì)聚光照射到光盤上的物鏡，用于形成照射到光盤的光束中的像差的像差形成裝置，以及用于接收來(lái)自光盤的反射光的光接收裝置。該像散校正方法包含第一像散生成裝置校正步驟，將具有不同記錄軌道道間距值因而具有不同的記錄密度值的多個(gè)光盤中具有較小道間距值的一張載入設(shè)備中，驅(qū)動(dòng)像差形成裝置，且基于利用光接收裝置從光盤中讀出的信息信號(hào)校正彗形像差；以及第二像散生成裝置校正步驟，將具有較大道間距值的光盤載入設(shè)備中，驅(qū)動(dòng)像差形成裝置，且基于利用光接收裝置從光盤中讀出的信息信號(hào)校正彗形像差。
利用本發(fā)明的像散校正方法，對(duì)具有不同道間距值的多種類型的光盤記錄或再現(xiàn)信息信號(hào)，同時(shí)校正象散差與彗形像差以便對(duì)具有不同的道間距值的多種類型的光盤進(jìn)行信息信號(hào)最優(yōu)化記錄和/或再現(xiàn)。
附圖的簡(jiǎn)要說(shuō)明

圖1是顯示應(yīng)用本發(fā)明像散校正方法的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備的方框圖。
圖2是顯示第一磁光盤記錄軌道的示意平面圖。
圖3是顯示第二磁光盤記錄軌道的示意平面圖。
圖4是顯示用于本發(fā)明的液晶器件的透視圖。
圖5是顯示設(shè)置在液晶器件上的每個(gè)電極圖形的示意平面圖。
圖6是顯示透過(guò)液晶器件的光束的與液晶分子取向相同的偏振分量和同一光束的與液晶分子取向垂直的偏振分量之間相位差隨著施加到液晶器件上的驅(qū)動(dòng)電壓變化的曲線圖。
圖7是顯示讀出RF信號(hào)時(shí)的抖動(dòng)隨著施加到液晶器件上的驅(qū)動(dòng)電壓變化的曲線圖。
圖8是顯示RF信號(hào)誤差率隨著施加到液晶器件的跨過(guò)第一與第二電極圖形和公共電極圖形上的驅(qū)動(dòng)電壓變化的曲線圖。
圖9是顯示用于本發(fā)明的像散校正裝置的構(gòu)造的方框圖。
圖10是顯示ADER隨著施加到液晶器件的跨過(guò)第一電極圖形和公共電極圖形上的驅(qū)動(dòng)電壓變化的曲線圖。
圖11是顯示依照本發(fā)明的像散校正方法的流程圖。
圖12是顯示設(shè)置在液晶器件上的每個(gè)電極圖形的另一個(gè)實(shí)施例的透視平面圖。
優(yōu)選實(shí)施例的描述參照附圖，將詳細(xì)闡明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。應(yīng)該注意到，本發(fā)明不局限于這里闡明的實(shí)施例，而且可以作不背離其范圍的適當(dāng)修改。
圖1顯示了本發(fā)明具體實(shí)施的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備的示意性構(gòu)造。
本發(fā)明光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1包括光拾取裝置3，其具有一個(gè)光學(xué)系統(tǒng)(未示出)，用于將光束照射到作為記錄介質(zhì)的磁光盤2上，以及用于探測(cè)從磁光盤2反射回來(lái)的光束；磁頭4，其用于施加根據(jù)要記錄到磁光盤2上的信息信號(hào)調(diào)制的外加磁場(chǎng)；以及主軸馬達(dá)5，其抓住磁光盤且用于象用于旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)那樣驅(qū)動(dòng)這個(gè)磁光盤。
在具體實(shí)施本發(fā)明的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1中，面對(duì)著光拾取裝置3且中間隔著磁光盤2安裝磁頭4，并且和光拾取裝置3的移動(dòng)保持同步一致的磁頭4可以在磁光盤2的內(nèi)緣和外緣之間移動(dòng)。
這樣設(shè)置在光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1中的光拾取裝置3包括半導(dǎo)體激光器11，作為輸出光束的光源，輸出的光束照射在磁光盤2的信號(hào)記錄表面上。
這個(gè)半導(dǎo)體激光器11輻射的光束的波長(zhǎng)大約為780nm，該激光器廣泛地用為光拾取裝置的光源，所述光拾取裝置用于從具有記錄軌道道間距約1.6μm的光盤讀取信息。
光拾取裝置3在半導(dǎo)體激光器11一邊按照由半導(dǎo)體激光器11開(kāi)始的次序依次包括光柵12和光束分離器13。
光柵12將半導(dǎo)體激光器11輻射的光束L1分離為一個(gè)主光束和兩個(gè)輔助光束，用于通過(guò)三光束法獲得軌道誤差信號(hào)。
光束分離器13將照射在磁光盤2上的光束和從磁光盤2反射回來(lái)的光束分離開(kāi)。同時(shí)，這里使用一個(gè)渥拉斯頓棱鏡的組合棱鏡作為光束分離器13。
光拾取裝置3包括準(zhǔn)直棱鏡14，其用于使以預(yù)定輻射角從半導(dǎo)體激光器11輻射的光束準(zhǔn)直；和物鏡15，其用于會(huì)聚由棱鏡14準(zhǔn)直過(guò)的光束且用于將會(huì)聚的光束照射到磁光盤2的信號(hào)記錄表面上(當(dāng)沿著來(lái)自半導(dǎo)體激光器11的光束由光束分離器13傳送過(guò)來(lái)的方向來(lái)看時(shí)，光束是沿著這個(gè)次序來(lái)傳送的)。
光拾取裝置3還包括檢偏器16，其用于將返回光束的克爾旋轉(zhuǎn)角轉(zhuǎn)換為輸出光強(qiáng)度；復(fù)合棱鏡17；以及光檢測(cè)器18，其作為光接收裝置用于接收由磁光盤2反射回來(lái)且通過(guò)檢偏器16以及復(fù)合棱鏡17的光束(當(dāng)沿著反射由磁光盤2反射回來(lái)的光束分離器13返回光束的方向來(lái)看時(shí)，光束是沿著這個(gè)次序來(lái)傳送的)。
這些部件中，根據(jù)歸因于接收到的由磁光盤2反射返回的光束的偏振面旋轉(zhuǎn)角的差的光量變化，光檢測(cè)器18將記錄在磁光盤2上的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為輸出電信號(hào)。
同時(shí)，數(shù)值孔徑NA約為0.62的物鏡用作物鏡15，用于將光束會(huì)聚到磁光盤2上。具有780nm波長(zhǎng)的光束，透射過(guò)物鏡15被會(huì)聚并照射到磁光盤2上，形成一個(gè)聚束光點(diǎn)，在聚焦點(diǎn)的光點(diǎn)直徑約為1.53μm。也就是，數(shù)值孔徑NA約為0.62的物鏡15將具有780nm波長(zhǎng)的光束會(huì)聚，且在物鏡15的聚焦點(diǎn)照射到磁光盤2的信號(hào)記錄表面上，以致形成光點(diǎn)直徑約為1.53μm的聚束光點(diǎn)。
應(yīng)該注意到，在直徑約64mm的磁光盤2中，具有140MB記錄容量的第一磁光盤2a的記錄軌道21，如圖2所示，形成的道間距Tp1約1.6μm。這個(gè)記錄軌道21包括作為數(shù)據(jù)記錄區(qū)的凹槽21G，以及在槽21G兩邊的波動(dòng)的凸區(qū)21L，用于產(chǎn)生軌道控制和地址探測(cè)信號(hào)。
在直徑約64mm的磁光盤2中，具有650MB記錄容量的第二磁光盤2b的記錄軌道22，如圖3所示，形成的道間距Tp2約0.95μm。這個(gè)記錄軌道22包括數(shù)據(jù)記錄區(qū)凸區(qū)22L；位于凸區(qū)22L一側(cè)的凹槽22G1，其用于界定記錄軌道22；以及位于凸區(qū)22L另一側(cè)的波動(dòng)的凹槽22G2，其用于產(chǎn)生軌道控制和地址探測(cè)的信號(hào)。
應(yīng)該注意到，為了優(yōu)選地在磁光盤2的所希望的記錄軌道上記錄和/或再現(xiàn)信息信號(hào)，由光拾取設(shè)備3發(fā)射出的光束需要準(zhǔn)確地掃描磁光盤2的記錄軌道。為了使該光束準(zhǔn)確掃描磁光盤2的記錄軌道，至少需要生成軌道控制信號(hào)以便光束掃描位置能夠基于這個(gè)軌道控制信號(hào)得到控制。即，為了使該光束通過(guò)軌道控制信號(hào)準(zhǔn)確掃描記錄軌道，該光束需要照射到記錄軌道的整個(gè)寬度上，以便探測(cè)波動(dòng)的凸區(qū)21L、22L或凹槽22G、22G1和22G2。
利用光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1，通過(guò)由作為單一光源的半導(dǎo)體激光器11射出的單一光束，在具有1.6μm道間距的第一磁光盤2a上記錄信息信號(hào)或由第一磁光盤2a再現(xiàn)信息信號(hào)、以及在具有0.95μm道間距的第二磁光盤2b上記錄信息信號(hào)或由第二磁光盤2b再現(xiàn)信息信號(hào)。
同樣，利用依照本發(fā)明的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1，作為產(chǎn)生像差的裝置的液晶器件31設(shè)置在會(huì)聚透鏡14和物鏡15之間。這個(gè)液晶器件31用于校正象散差和彗形像差，以便校正光束直徑，在具有1.6μm道間距的第一磁光盤2a上記錄和/或者由第一磁光盤2a再現(xiàn)信息信號(hào)，以及在具有0.95μm道間距的第二磁光盤2b上記錄和/或者由第二磁光盤2b再現(xiàn)信息信號(hào)。
特別地，液晶器件31的第一電極板33和第二電極板34設(shè)置液晶板32的兩側(cè)，如圖4和5所示，液晶板32中密封著液晶分子。
在這些電極板中，第一電極板33包括一對(duì)位于圓孔35兩邊的電極圖形，光束從圓孔35中穿過(guò)作為參考光。這兩個(gè)電極圖形中的一個(gè)稱為第一電極圖形36a，另一個(gè)稱為第二電極圖形36b。
在第一電極板33上，一對(duì)電極圖形形成在第一電極圖形36a和第二電極圖形36b的外側(cè)。形成在第一電極圖形36a外側(cè)的電極圖形是第三電極圖形36c，而形成在第二電極圖形36b外側(cè)的電極圖形是第四電極圖形36d。
在這些第一至第四電極圖形之間和周圍形成的電極圖形稱為第五電極圖形37。
在第二電極板34上形成公共電極圖形37，正對(duì)著這些第一至第五電極圖形36a至36e。
跨在第一至第五電極圖形36a至36e和公共電極圖形37上由液晶驅(qū)動(dòng)單元(未示出，與各個(gè)電極圖形相連接)施加電壓相同或不同的驅(qū)動(dòng)電壓。通過(guò)在各個(gè)電極圖形上施加的驅(qū)動(dòng)電壓，驅(qū)動(dòng)電壓施加到液晶板32上，用以在液晶板32中改變液晶分子取向。
因此，利用本發(fā)明光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1，由半導(dǎo)體激光器11射出的光束的光束直徑可通過(guò)液晶器件31得到校正，以達(dá)到信息信號(hào)在具有1.6μm道間距的第一磁光盤2a上的最佳記錄和/或由第一磁光盤2a的最佳再現(xiàn)、以及在具有0.95μm道間距的第二磁光盤2b上的最佳記錄和/或由第二磁光盤2b的最佳再現(xiàn)。
在液晶器件31中，驅(qū)動(dòng)電壓VLC1、VLC2、VLC3、VLC4和VLC5，施加在第一至第五電極圖形36a至36e以及公共電極圖形37上，它們施加在各個(gè)電極圖形上，由此相應(yīng)于各個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓VLC1至VLC5改變各自的液晶分子的取向。利用液晶分子取向這樣的改變，光束通過(guò)液晶器件31產(chǎn)生相位差。這個(gè)相位差，取決于施加到液晶器件31上的各個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓VLC1至VLC5，其是在與液晶器件31取向方向相同的偏振光分量和與液晶器件31取向方向相垂直的偏振光分量之間產(chǎn)生的，且對(duì)于各個(gè)電極圖形局部地設(shè)定不同的值，各個(gè)電極圖形是第一至第五驅(qū)動(dòng)電壓VLC1至VLC5的不同值的函數(shù)。液晶器件31將上述的相位差合成為由光學(xué)系統(tǒng)產(chǎn)生的象散差與彗形像差，以校正各個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓VLC1至VLC5，由此經(jīng)物鏡15調(diào)節(jié)的聚束光點(diǎn)的波前像差的RMS(均方根)值將為最小值。
在光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1中，假設(shè)在具有1.6μm道間距的第一磁光盤2a上記錄信息信號(hào)或由第一磁光盤2a再現(xiàn)信息信號(hào)，將分別施加到液晶器件31第一、第二與第五電極圖形36a、36b與36e上的驅(qū)動(dòng)電壓VLC1、VLC2與VLC5設(shè)定為特定的相同電壓，同時(shí)將施加到第三與第四電極圖形36c、36d的驅(qū)動(dòng)電壓VLC3與VLC4設(shè)定為與驅(qū)動(dòng)電壓VLC1、VLC2與VLC5不同的同一電壓，由此在光束中產(chǎn)生象散差，控制光點(diǎn)直徑，校正象散差。
假設(shè)在具有0.95μm道間距的第二磁光盤2b上記錄或由第二磁光盤2b再現(xiàn)信息信號(hào)，則調(diào)整施加到液晶器件31各個(gè)電極圖形上的各個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓VLC1至VLC5以便不在光束中產(chǎn)生象散差。其理由是，具有0.95μm道間距的第二磁光盤2b只經(jīng)受較小程度的雙折射且因此僅僅產(chǎn)生很小的象散差。尤其，施加到第一與第四電極圖形36a、36d的驅(qū)動(dòng)電壓VLC1、VLC4和施加到第二與第三電極圖形36b、36c的驅(qū)動(dòng)電壓VLC2、VLC3分另向參考電壓的正側(cè)和負(fù)側(cè)移動(dòng)(下面將詳細(xì)闡述)，以校正彗形像差。
同時(shí)，假設(shè)在具有0.95μm道間距的第二磁光盤2b上記錄或由第二磁光盤2b再現(xiàn)信息信號(hào)，預(yù)先調(diào)整并設(shè)定參考電壓，因此施加到各個(gè)電極圖形與公共電極圖形37的驅(qū)動(dòng)電壓VLC1至VLC5的平均值將落入相位差的2/λ的鄰近區(qū)域內(nèi)，所述相位差是在與光束穿過(guò)液晶器件31的液晶分子取向方向相同的偏振分量和與該方向垂直的偏振分量之間產(chǎn)生的。
圖6顯示了當(dāng)施加到液晶器件31各個(gè)電極圖形的各個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓VLC1至VLC5時(shí)設(shè)定為同一電壓時(shí)改變?cè)撏浑妷旱南辔徊畹淖兓?，由此上述相位差將落在?2的鄰近區(qū)域內(nèi)。圖7顯示了當(dāng)施加到液晶器件31各個(gè)電極圖形的各個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓VLC1至VLC5設(shè)定為同一電壓時(shí)改變?cè)撏浑妷旱淖x出RF信號(hào)的抖動(dòng)，由此上述相位差將落在λ/2的鄰近區(qū)域內(nèi)。
從圖6和7中可以看到，當(dāng)調(diào)整施加到各個(gè)電極圖形的各個(gè)電極圖形VLC1至VLC5由此上述相位差逼近λ/2時(shí)，RF信號(hào)的抖動(dòng)非常顯著地減小，是在磁光盤2上記錄和/或由磁光盤2再現(xiàn)信息信號(hào)所非常期望得到的。這個(gè)調(diào)整參考電壓下面被稱為電壓VLC(ref)。
假設(shè)在具有0.95μm道間距的第二磁光盤2b上記錄或由第二磁光盤2b再現(xiàn)信息信號(hào)，就沒(méi)必要去校正歸因于雙折射的象散差。但是，施加到液晶器件31各個(gè)電極圖形上用于校正彗形像差的VLC1至VLC5的平均電壓，是為了上述相位差逼近λ/2的調(diào)整的電壓VLC(ref)。此時(shí)，施加到第一與第四電極圖形36a、36d的驅(qū)動(dòng)電壓VLC1、VLC4和施加到第二與第三電極圖形36b、36c的驅(qū)動(dòng)電壓VLC2、VLC3分別向參考電壓的正側(cè)和負(fù)側(cè)移動(dòng)(下面將詳細(xì)闡述)，以校正彗形像差。
施加到第五電極圖形36e上的驅(qū)動(dòng)電壓VLC5恒定保持為VLC(ref)。應(yīng)該注意到，施加到第一至第四電極圖形36a至36d的驅(qū)動(dòng)電壓VLC1至VLC4移動(dòng)，由此施加到各個(gè)電極圖形的VLC1至VLC5平均值將保持在電壓VLC(ref)，以這樣一種方法讀出RF信號(hào)的抖動(dòng)將為最小值。
如上所述調(diào)整的驅(qū)動(dòng)電壓VLC1、VLC4和驅(qū)動(dòng)電壓VLC2、VLC3，下面分別稱為電壓VLC(coma+)與電壓VLC(coma-)。
假設(shè)在具有1.6μm道間距的第一磁光盤2a上記錄信息信號(hào)或由第一磁光盤2a再現(xiàn)信息信號(hào)，施加到第一、第二與第五電極圖形36a、36b和36e以及共電極圖形37上的驅(qū)動(dòng)電壓VLC1、VLC2至VLC5是上述的VLC(ref)，其與施加到第三與第四電極圖形36c、36d和公共電極圖形37上的驅(qū)動(dòng)電壓VLC3、VLC4不同。也即，施加到第三與第四電極圖形36c、36d的驅(qū)動(dòng)電壓VLC3、VLC4，被調(diào)整到使校正光學(xué)系統(tǒng)的象散差最優(yōu)化的電壓。
圖8顯示了在具有1.6μm道間距的第一磁光盤2a上記錄信息信號(hào)或由第一磁光盤2a再現(xiàn)信息信號(hào)時(shí)，施加到第一、第二與第五電極圖形36a、36b、36e和公共電極圖形37的驅(qū)動(dòng)電壓VLC1、VLC2與VLC5固定在上述電壓VLC(ref)，同時(shí)施加到液晶器件31的第三與第四電極圖形36c、36d的驅(qū)動(dòng)電壓VLC3、VLC4變化時(shí)的ADER的變化。
現(xiàn)在只是簡(jiǎn)單地解釋一下ADER。在附圖2和3中，區(qū)域A至D代表光電檢測(cè)器18接收到的光束的拆分區(qū)域，光電檢測(cè)器18被分割開(kāi)對(duì)應(yīng)這些區(qū)域A至D。光電檢測(cè)器18計(jì)算由其與區(qū)域A至D對(duì)應(yīng)的部分接收的光束等級(jí)。該等級(jí)就是ADER。也即，通過(guò)如下運(yùn)算就可以得到ADER當(dāng)盤片是第一磁光盤2a時(shí)，光束等級(jí)是(A+D)-(B+C)，或者當(dāng)盤片是第二磁光盤2b時(shí)，光束等級(jí)是(A+B+C+D)。
如圖9曲線圖所示，調(diào)整施加到第三與第四電極圖形36c、36d的驅(qū)動(dòng)電壓VLC3與VLC4以致差不多處于抑制的ADER區(qū)域。這個(gè)調(diào)整電壓是VLC(AS)。
因此，假設(shè)在具有1.6μm道間距的第一磁光盤2a上記錄信息信號(hào)或由第一磁光盤2a再現(xiàn)信息信號(hào)，施加到第三與第四電極圖形36c、36d的驅(qū)動(dòng)電壓VLC3、VLC4將是調(diào)整電壓VLC(AS)。
現(xiàn)在參照?qǐng)D9描述光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1的不同部分的控制以及各種信號(hào)的流程。
光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1包括微處理器61，其連接到驅(qū)動(dòng)液晶器件31的液晶驅(qū)動(dòng)單元62、聚焦驅(qū)動(dòng)單元63以及軌道驅(qū)動(dòng)單元64上。液晶驅(qū)動(dòng)單元62、聚焦驅(qū)動(dòng)單元63以及軌道驅(qū)動(dòng)單元64連接到光拾取裝置3上且在微處理器61的控制信號(hào)作用下控制對(duì)光拾取裝置3的驅(qū)動(dòng)。
基于來(lái)自微處理器61的控制信號(hào)，光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1將各個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓VLC1至VLC5施加到液晶器件31的各個(gè)電極圖形36a至36e上。同時(shí)，微處理器61作為盤片識(shí)別裝置判定磁光盤2的種類，以便根據(jù)磁光盤2的種類來(lái)改變和調(diào)整施加到各個(gè)電極圖形36a至36e的各個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓VLC1至VLC5。
基于來(lái)自微處理器61的控制信號(hào)，光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1將聚焦偏差施加到光拾取設(shè)備3上以引發(fā)聚焦伺服機(jī)構(gòu)作用。
應(yīng)該注意到，為了減小錯(cuò)誤率，將聚焦偏差調(diào)整到從光拾取裝置3讀取的RF信號(hào)能夠優(yōu)選地再現(xiàn)的電壓范圍中間部分。這個(gè)調(diào)整的聚焦偏差在下文中稱為聚焦偏差VFB。
微處理器61控制軌道驅(qū)動(dòng)單元64，使得光拾取裝置3將能準(zhǔn)確掃描記錄軌道。
參照?qǐng)D8，微處理器61連接到旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)單元65上?；趤?lái)自微處理器61的控制信號(hào)，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)單元65控制主軸馬達(dá)5，其結(jié)果是使磁光盤2以預(yù)設(shè)轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。
光拾取裝置3連接到RF放大器66上半部，以便將通過(guò)光拾取裝置3再現(xiàn)的RF信號(hào)送到放大RF信號(hào)的RF放大器66。RF放大器66連接到DSP(數(shù)字信號(hào)處理器)67上且將RF信號(hào)送到DSP67，在此RF信號(hào)轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號(hào)。
DSP67連接到微處理器61以及ECC/ACIRC(糾錯(cuò)碼/改進(jìn)的交叉交錯(cuò)Reed-Solomon碼)單元68上。由DSP67，將ADER即ADIP的錯(cuò)誤率送到微處理器61，同時(shí)將EFM(八至十四調(diào)制)信號(hào)送到ECC/ACIRC單元68。
ECC/ACIRC單元68連接到微處理器61上且對(duì)輸入的EFM信號(hào)執(zhí)行解碼和糾錯(cuò)處理，以便將得到的錯(cuò)誤率送到微處理器61。
微處理器61連接到作為存儲(chǔ)裝置的RAM(隨機(jī)存貯器)69上，且將液晶驅(qū)動(dòng)單元62、聚焦驅(qū)動(dòng)單元63以及軌道驅(qū)動(dòng)單元64由各種發(fā)送自DSP67與ECC/ACIRC單元68的錯(cuò)誤信息調(diào)整為RAM69中的電壓VLC(ref)、VLC(AS)、VLC (coma+)、VLC(coma-)與聚焦偏差VFB的存儲(chǔ)的調(diào)整優(yōu)選值。同時(shí)，例如EPROM(可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)可用作為RAM69。
當(dāng)光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1在磁光盤2上記錄信息信號(hào)或再現(xiàn)磁光盤2上的信息信號(hào)的時(shí)候，微處理器61通過(guò)微處理器61從微處理器61中讀取電壓VLC(ref)、VLC(AS)、VLC(coma+)、VLC(coma-)與聚焦偏差VFB(作為參數(shù)，根據(jù)這些參數(shù)判別出類型)來(lái)判別磁光盤2的類型。
具體假設(shè)判定盤片為具有道間距1.6μm的第一磁光盤2a，讀出電壓VLC(ref)作為驅(qū)動(dòng)電壓VLC1、VLC2與VLC5，同時(shí)讀出VLC(AS)作為驅(qū)動(dòng)電壓VLC3與VLC4。假設(shè)微處理器61識(shí)別出盤片為具有道間距0.95μm的第二磁光盤2b，讀出電壓VLC(coma+)作為驅(qū)動(dòng)電壓VLC1、VLC4，讀出電壓VLC(coma-)作為驅(qū)動(dòng)電壓VLC2與VLC3，且讀出電壓VLC(ref)作為驅(qū)動(dòng)電壓VLC5。至于聚焦偏差，對(duì)這兩種磁光盤中任一個(gè)讀出聚焦偏差VFB。
現(xiàn)在結(jié)合附圖11來(lái)說(shuō)明上述光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1的像差校正方法。
首先，在步驟S1，將具有道間距為0.95μm的第二磁光盤2b載入光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1。在來(lái)自微處理器61的控制信號(hào)的作用下，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)單元65控制主軸馬達(dá)5使第二磁光盤2b旋轉(zhuǎn)。微處理器61判別第二磁光盤2b的類型。
然后，在步驟S2，來(lái)自微處理器61的控制信號(hào)控制聚焦驅(qū)動(dòng)單元63，聚焦偏差由聚焦驅(qū)動(dòng)單元63施加到光拾取裝置3上以調(diào)整物鏡15相對(duì)于第二磁光盤2b的焦距，基于光拾取設(shè)備3讀出的RF信號(hào)錯(cuò)誤率引發(fā)聚焦伺服機(jī)構(gòu)作用。這里，使用電壓VLC(λ/2)作為施加到液晶器件31各個(gè)電極圖形的驅(qū)動(dòng)電壓VLC1至VLC5，而電壓VLC(λ/2)是依賴經(jīng)驗(yàn)獲取的電壓，用以得到上述相位差λ/2。
然后，在步驟S3，微處理器61基于光拾取設(shè)備3讀出的RF信號(hào)錯(cuò)誤率檢驗(yàn)聚焦偏差是否最優(yōu)。如果聚焦偏差不是最優(yōu)，程序返回到步驟S2。如果聚焦偏差是最優(yōu)，程序進(jìn)行到步驟S4。
在步驟S4，將被微處理器61檢驗(yàn)為最優(yōu)的聚焦偏差在RAM69中存儲(chǔ)為聚焦偏差。
然后，在步驟S5，通過(guò)來(lái)自微處理器61的控制信號(hào)控制液晶驅(qū)動(dòng)單元62?；诠馐叭≡O(shè)備3讀出的RF信號(hào)錯(cuò)誤率，對(duì)施加到液晶器件31電極圖形上的驅(qū)動(dòng)電壓VLC1至VLC5進(jìn)行調(diào)整，以便相位差處于λ/2的鄰域。
然后，在步驟S6，微處理器61基于光拾取設(shè)備3讀出的RF信號(hào)錯(cuò)誤率檢驗(yàn)相位差是否等于λ/2。如果相位差不等于λ/2，程序返回到步驟S5。反之，如果相位差等于λ/2，程序進(jìn)行到步驟S7。
假設(shè)在步驟S7，微處理器61已經(jīng)檢驗(yàn)出相位差等于λ/2，則施加到液晶器件31各個(gè)電極圖形的驅(qū)動(dòng)電壓VLC1至VLC5在RAM69中存儲(chǔ)為電壓VLC(ref)。
然后，在步驟S8，通過(guò)來(lái)自微處理器61的控制信號(hào)控制液晶驅(qū)動(dòng)單元62?；诠馐叭≡O(shè)備3讀出的RF信號(hào)錯(cuò)誤率，將分別施加到第一與第四電極圖形36a、36d的驅(qū)動(dòng)電壓VLC1與VLC4，以及分別施加到第二與第三電極圖形36b、36c的驅(qū)動(dòng)電壓VLC2與VLC3，分別向參考電壓VLC(ref)的正側(cè)和負(fù)側(cè)移動(dòng)(下面將詳細(xì)闡述)，因此調(diào)整偏移量，液晶器件31各個(gè)電極圖形的平均驅(qū)動(dòng)電壓將為VLC(ref)。
然后，在步驟S9，微處理器61基于光拾取設(shè)備3讀出的RF信號(hào)錯(cuò)誤率檢驗(yàn)上述偏移量是否最優(yōu)。如果偏移量不是最優(yōu)，程序返回到步驟S8。如果上述偏移量是最優(yōu)，程序進(jìn)行到步驟S10。
然后，在步驟S10，假設(shè)微處理器61檢驗(yàn)出的偏移量是最優(yōu)，則將分別施加到第一與第四電極圖形36a、36d的驅(qū)動(dòng)電壓VLC1與VLC4，以及分別施加到第二與第三電極圖形36b、36c的驅(qū)動(dòng)電壓VLC2與VLC3，在RAM69中分別存儲(chǔ)為VLC(coma+)、VLC(coma-)。
然后，在步驟S11，卸下具有道間距為0.95μm的第二磁光盤2b，同時(shí)將具有道間距為1.6μm的第一磁光盤2a載入到位。在來(lái)自微處理器61的控制下，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)單元65控制主軸馬達(dá)5使第一磁光盤2a旋轉(zhuǎn)。微處理器61判別第一磁光盤2a的類型。
然后，在步驟S12，液晶驅(qū)動(dòng)單元62在微處理器61的控制下將電壓VLC(ref)施加到液晶器件31的第一、第二與第五電極圖形36a、36b與36e以及公共電極圖形37上，同時(shí)將與電壓VLC(ref)不同的驅(qū)動(dòng)電壓VLC3與VLC4施加到第三與第四電極圖形36c與36d以及公共電極圖形37上應(yīng)該注意的是，電壓VLC(ref)被施加并固定為液晶器件31的第一、第二與第五電極圖形36a、36b與36e以及公共電極圖形37上的驅(qū)動(dòng)電壓VLC1VLC2與VLC5，同時(shí)改變施加到第三與第四電極圖形36c與36d以及公共電極圖形37上的驅(qū)動(dòng)電壓VLC3與VLC4，以便由光拾取設(shè)備3讀出的RF信號(hào)檢測(cè)出的ADER最優(yōu)。
在步驟S13，由光拾取設(shè)備3讀出的RF信號(hào)檢測(cè)ADER，且微處理器61判定這個(gè)ADER是否最優(yōu)。如果ADER不是最優(yōu)，程序返回到步驟S12。如果ADER是最優(yōu)，程序進(jìn)行到步驟S14。
在步驟S14，假設(shè)微處理器61已經(jīng)驗(yàn)證ADER是最優(yōu)，則將施加到液晶器件31的第三與第四電極圖形36c與36d的驅(qū)動(dòng)電壓VLC3、VLC4在RAM69中存儲(chǔ)為VLC(AS)。
通過(guò)上述步驟，聚焦偏差VFB與電壓VLC(ref)、VLC(AS)、VLC(coma+)、VLC(coma-)存儲(chǔ)在RAM69中。當(dāng)在光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1的磁光盤2上記錄信息信號(hào)或由磁光盤2再現(xiàn)信息信號(hào)的時(shí)候，上述電壓可用于校正象散差或彗形像差。
假定在調(diào)整光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1的像差其間，電壓VLC(λ/2)預(yù)先存儲(chǔ)在RAM69中。
優(yōu)選地在光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1作為產(chǎn)品發(fā)貨之前完成對(duì)施加到液晶器件31的各個(gè)電極圖形上的驅(qū)動(dòng)電壓VLC1至VLC5的調(diào)整，由此易于對(duì)獨(dú)特的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1的記錄和/或再現(xiàn)光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行調(diào)整。
在上述的實(shí)施例中，在最初載入和調(diào)整第二磁光盤后載入且調(diào)整第一光盤。作為操作程序，這個(gè)過(guò)程可以反過(guò)來(lái)進(jìn)行，那即，在最初載入與調(diào)整第一磁光盤后載入且調(diào)整第二光盤。
在后一種情況，對(duì)第一磁光盤執(zhí)行同樣的過(guò)程步驟S1至S7，由此將與第一磁光盤光學(xué)屬性匹配的聚焦偏差VFB與參考電壓VLC(ref)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中。
在將參考電壓VLC(ref)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中之后，調(diào)整VLC(AS)且用第二磁光盤取代第一磁光盤?；趨⒖茧妷篤LC(ref)，調(diào)整電壓VLC(coma+)和VLC(coma-)且將其存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中。
依照本發(fā)明，如上所述，在液晶器件31的幫助下，可在磁光盤2上記錄信息信號(hào)或由磁光盤2再現(xiàn)信息信號(hào)，所述磁光盤2具有互不相同的記錄軌道道間距值且因此具有不同記錄密度值。而且，在磁光盤的記錄和/或再現(xiàn)的光學(xué)系統(tǒng)中可以非常容易地修正象散差與彗形像差。此外，在光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備1中，由于光拾取裝置3沒(méi)有必要具有多個(gè)數(shù)目的光源，可減小該裝置的尺寸、厚度以及費(fèi)用。
在液晶器件的改進(jìn)中，可以用如圖12所示的通用的電極圖形校正象散差。在這種情況下，可以通過(guò)給兩個(gè)電極圖形施加不同的驅(qū)動(dòng)電壓值校正象散差，兩個(gè)電極圖形即位于孔35兩邊的一對(duì)新月形的電極圖形71以及為橢圓形電極圖形71所環(huán)繞的電極圖形72。但是，在這種情況下，需要諸如液晶器件的用于校正彗形像差的校正裝置。因此，基于簡(jiǎn)化裝置結(jié)構(gòu)和降低費(fèi)用的考慮，能夠利用單獨(dú)的液晶器件校正象散差與彗形像差的液晶器件31是更優(yōu)選的。
權(quán)利要求
1.一種光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，其包括盤片旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其用于有選擇地在其上加載具有互不相同的記錄軌道道間距值且因此具有不同記錄密度值的多種光盤；盤片識(shí)別裝置，其用于識(shí)別加載在所述盤片旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)上的光盤種類；光源，其用于射出具有約780nm波長(zhǎng)的光束；物鏡，其用于會(huì)聚由所述光源射出的光束以照射所述光盤，所述物鏡具有約0.62的數(shù)值孔徑(NA)；像差形成裝置，其用于在由所述物鏡射到所述光盤上的光束中形成像差；光接收裝置，其用于接收來(lái)自所述光盤的反射光；以及控制裝置，其用于依據(jù)由所述盤片識(shí)別裝置識(shí)別的所述光盤的種類驅(qū)動(dòng)所述像差形成裝置，以校正在所述光束中形成的不同種類的像差，以便對(duì)所述光盤記錄和/或再現(xiàn)信息信號(hào)。
2.依照權(quán)利要求1所述的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，其中所述像差形成裝置由具有多個(gè)電極圖形的液晶器件構(gòu)成，且其中所述控制裝置控制施加到所述電極圖形上的驅(qū)動(dòng)電壓以校正在所述電極圖形中形成的像差。
3.依照權(quán)利要求2所述的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，其中由所述控制裝置校正的像差既包含象散差又包含彗形像差。
4.依照權(quán)利要求1所述的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，其中當(dāng)在所述盤片識(shí)別裝置中將盤片分別校驗(yàn)為第一盤片或第二盤片的時(shí)候，所述控制裝置控制施加到所述電極圖形上的驅(qū)動(dòng)電壓，以校正象散差或彗形像差。
5.一種光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，其包括盤片旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其用于有選擇地在其上加載具有第一雙折射系數(shù)的第一光盤和具有第二雙折射系數(shù)的第二光盤，所述第二雙折射系數(shù)大于所述第一雙折射系數(shù)；盤片識(shí)別裝置，其用于識(shí)別加載在所述盤片旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)上的光盤種類；光源，其用于射出具有單一波長(zhǎng)的光束；物鏡，其用于會(huì)聚由所述光源射出的光束，以將會(huì)聚光照射在加載在所述盤片旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)上的光盤上；像差形成裝置，其用于在由所述物鏡射到所述光盤上的光束中形成像差；光接收裝置，其用于接收來(lái)自所述光盤的反射光；以及控制裝置，其用于依據(jù)由所述盤片識(shí)別裝置識(shí)別的所述光盤的種類驅(qū)動(dòng)所述像差形成裝置，以校正在光束中形成的像差，以便對(duì)所述光盤記錄和/或再現(xiàn)信息信號(hào)。
6.依照權(quán)利要求5所述的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，其中所述像差形成裝置由具有多個(gè)電極圖形的液晶器件構(gòu)成，且其中所述控制裝置控制施加到所述電極圖形上報(bào)的驅(qū)動(dòng)電壓，以校正在會(huì)聚到所述光盤上的光束中形成的像差。
7.依照權(quán)利要求6所述的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，其中由所述控制裝置校正的像差包括象散差和彗形像差。
8.依照權(quán)利要求5所述的光盤記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備，其中在所述盤片識(shí)別裝置將光盤分別校驗(yàn)為第一盤片或第二盤片的情況下，所述控制裝置控制施加到所述電極圖形上的驅(qū)動(dòng)電壓，以便校正象散差或彗形像差。
9.一種用于調(diào)正光盤裝置中像差的方法，光盤裝置可有選擇地加載具有第一雙折射系數(shù)的第一光盤或具有第二雙折射系數(shù)的第二光盤，所述第二雙折射系數(shù)大于所述第一雙折射系數(shù)，并且光盤裝置包括位于光源和物鏡之間的液晶器件，所述物鏡將由所述光源射出的光束會(huì)聚到加載在所述光盤裝置上的光盤上，所述方法包括如果載入的光盤是第一光盤，則對(duì)聚焦偏差最優(yōu)化的最優(yōu)化步驟；存儲(chǔ)在所述最優(yōu)化步驟得到的最優(yōu)化聚焦偏差值的步驟；第一調(diào)整步驟，調(diào)整施加到所述液晶器件上的電壓，以便使沿著所述液晶器件排列方向的偏振光分量和沿著與所述液晶器件的所述排列方向垂直的方向的另一個(gè)偏振光分量之間的相位差將約為λ/2，λ是波長(zhǎng)；將在所述第一調(diào)整步驟調(diào)整的電壓作為參考電壓存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的步驟；第二調(diào)整步驟，調(diào)整施加到所述液晶器件上的電壓，以便基于所述參考電壓校正彗形像差；以及將在所述第二調(diào)整步驟調(diào)整的電壓作為彗形像差校正電壓存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的步驟。
10.依照權(quán)利要求9的像差調(diào)配正方法，其中，如果在所述第二調(diào)整步驟之后載入第二盤片，則基于在所述第一調(diào)整步驟調(diào)整的參考電壓校正象散差。
11.一種用于調(diào)正光盤裝置中像差的方法，光盤裝置可有選擇地加載具有第一雙折射系數(shù)的第一光盤或具有第二雙折射系數(shù)的第二光盤，所述第二雙折射系數(shù)大于所述第一雙折射系數(shù)，并且光盤裝置包括位于光源和物鏡之間的液晶器件，所述物鏡將由所述光源射出的光束會(huì)聚到加載在所述光盤裝置上的光盤上，所述方法包括如果載入的光盤是第二光盤，則對(duì)聚焦偏差最優(yōu)化的最優(yōu)化步驟；存儲(chǔ)在所述最優(yōu)化步驟得到的最優(yōu)化聚焦偏差值的步驟；第一調(diào)整步驟，調(diào)整施加到所述液晶器件上的電壓，以便使沿著所述液晶器件排列方向的偏振光分量和沿著與所述液晶器件的所述排列方向垂直的方向的另一個(gè)偏振光分量之間的相位差將約為λ/2，λ是波長(zhǎng)；將在所述第一調(diào)整步驟調(diào)整的電壓作為參考電壓存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的步驟；第二調(diào)整步驟，調(diào)整施加到所述液晶器件上的電壓，以便基于所述參考電壓校正象散差；以及將在所述第二調(diào)整步驟調(diào)整的電壓作為象散差校正電壓存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的步驟。
12.依照權(quán)利要求11的像差調(diào)正方法，其中，如果在所述第二調(diào)整步驟之后載入第一盤片，基于在所述第一調(diào)整步驟調(diào)整的參考電壓校正彗形像差。
全文摘要
光學(xué)系統(tǒng)中的象散差將得到校正。確切的講,在光盤裝置中,可有選擇地載入具有第一雙折射系數(shù)的第一光盤或具有第二雙折射系數(shù)的第二光盤,所述第二雙折射系數(shù)大于所述第一雙折射系數(shù),并且光盤裝置包括液晶器件31,位于光源11和物鏡15之間,所述物鏡15將由所述光源射出的光束會(huì)聚到加載在光盤裝置上的光盤2上,調(diào)整施加到液晶器件31的電壓以分別對(duì)第一盤片或第二盤片校正彗形像差或象散差。
文檔編號(hào)G11B7/135GK1372255SQ0114573
公開(kāi)日2002年10月2日 申請(qǐng)日期2001年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2000年12月28日
發(fā)明者小林由平 申請(qǐng)人:索尼公司