專利名稱：光記錄介質的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及如CD(光盤)或CD-ROM(CD只讀存儲器)的光記錄介質，其中，半透明反射膜層和反射膜層對于天氣的抵抗力可被提高，并可被更便宜地制造。
背景技術：
由于用于記錄如音頻信息和視頻信息的各種信息的光記錄介質，各種類型的光記錄介質以如CD和CD-ROM的只讀光記錄介質，如磁光盤和相變光盤以及如有機材料制成的CD-R的一次寫入光盤的形式可用。
組成這些光記錄介質的信息記錄層是鋸齒狀的以在其上形成非常小的、如記錄數據信息、跟蹤伺服信號和相似物的相位凹坑和預凹槽的鋸齒。
最近，實現能夠記錄大量信息的光記錄介質的需求不斷增加，例如，具有分層的第一和第二信息記錄層的兩層結構的DVD(數字壓縮光盤)在商業(yè)上已可用。
圖4是例舉兩層結構的光記錄介質200橫截面示意圖，其中，第一信息記錄層231和第二信息記錄層232被彼此分層。
在第一信息記錄層231中，由合適材料如Au、Si、AgPdCu和AgPdTi制成的半透明反射膜層223被沉積在噴射模塑法塑成第一基底201的同時所形成的第一非常小的鋸齒211上。
半透明粘著層203將第一和第二基底201和202和彼此面對的第一和第二信息記錄層231和231壓成薄片，以形成兩層信息記錄層。
期望應當使用一付光學頭從光記錄介質200的第一和第二信息記錄層231和232，用從光記錄介質的同一邊即從第一基底201邊照射的激光束，再現或記錄或再現和記錄(下文簡單地被稱作“再現或記錄”)，例如，這樣驅動裝置可被簡化。光學頭可用短的時間存取這些信息記錄層231和232，并可以連續(xù)地記錄或再現這些信息記錄層。
當光學頭從光記錄介質的同一側照射在第一和第二信息記錄層231和231上，以記錄或再現或記錄和再現第一和第二信息記錄層時，如圖4中實線所示，同一光學頭聚焦一激光束L在第一記錄層231上，以記錄或再現或記錄和再現第一信息記錄層，以及如圖4中虛線所示，同一光學頭聚焦一激光束L在第二記錄層232上，以記錄或再現或記錄和再現第二信息記錄層。
為了同一光學頭可以用激光束的照射記錄或再現或記錄和再現第一和第二信息記錄層231和232，第一信息記錄層231具有在它的入口邊形成的半透明反射膜層223，用于向內的激光束以反射部分照射激光束，以便第一記錄層231可被記錄或再現，并透過部分激光束以允許部分激光束穿過至第二信息記錄層232，以便第二信息記錄層232可被記錄或再現。
由對于激光束具有高透射率的材料所制成的半透明粘著層203，用足以防止它們的再現信號彼此干擾的距離分層第一和第二信息記錄層231和232。因此，光學頭可以調節(jié)物鏡以便正確地聚焦激光束在相應于各個信息記錄層231和232的位置，從而可能高精度地從各個信息記錄層再現信息。
為實現上述信號再現方法，第一信息記錄層的半透明反射膜層223的膜層設計變得相當重要。
如上所述，Au、Si、AgPdCu和AgPdTi被用作形成半透明反射膜層223的材料。
至今，這些材料已被用作半透明反射膜層的材料，因為從有關激光束的反射率和透射率的觀點，它們可以滿足半透明反射膜層的光學特性，并且它們可通過噴射被容易地沉積為薄的膜層。
然而，Au遇到一個材料的成本增加的問題。盡管Si相對便宜，它在粘合至組成粘著介質層203或被粘合至基底201的材料的材料粘著特性上很弱。因此，硅在如彎曲或扭曲的機械變形或高濕度的苛刻條件下，是不夠可靠的。
另外，當Si膜層與金屬膜層比較時，當膜層被沉積時，Si容易從噴射處理中其被粘著的噴射室的內部分離，即所謂的顆粒容易產生，于是引起誤碼率惡化。
該半透明反射膜層當由金屬或至今被使用形成普通半透明反射膜層的Si半導體等材料制成時，需要有從5nm至25nm的膜層厚度，該半透明反射膜層的膜層厚度與普通壓縮光盤的反射膜層例如從35nm至60nm的膜層厚度范圍相比是薄的，用于普通半透明反射膜層的金屬或Si半導體材料和相似物，在保存長時間并被保存在高溫和高濕的條件之后，由于受基底201的影響，在它們的表面容易氧化。因此，表面上所產生的氧化改變了具有相當膜層厚度的半透明反射膜層的反射率，并且該半透明反射膜層對于天氣的抵抗力是弱的。
半透明反射膜層223不僅被來自基底201方的影響破壞，而且被與透明粘著介質層203接觸所帶來的接觸部分的氧化破壞。接觸部分的氧化改變了半透明反射膜層的反射率，并使再現信號的抖動的惡化不可避免。
除了上述氧化的問題，該半透明反射膜層還遇到一個現象，當該半透明反射膜層被置于高溫條件下之后，原子被引起在沉積的膜層內移動以增加熱傳導率或半透明反射膜層的反射率，即發(fā)生所謂的退火效果。該現象根據半透明反射膜層的成分成為一個嚴重的問題。
具有多層結構的光記錄介質當制造它的透明反射膜層時，有應當解決的各種問題。為提高透明反射膜層的對于天氣的抵抗力并減小它的成本，當使得具有多層結構的光記錄介質在市場上可用時，是應當解決的重要問題。
反射膜層對于天氣的抵抗力不僅在具有多層結構的光記錄介質的反射膜層中是重要的，而且在用于其中各種材料膜層被分層作為信息記錄層的如磁光記錄介質、相變光記錄介質和染料系統(tǒng)(dye-system)的可重寫光記錄介質中的反射膜層中也是重要的。當反射膜層由于陳化的惡化如氧化而惡化時，惡化的反射膜層不僅改變了再現信號的質量，而且改變了如記錄靈敏度的記錄條件。
該AgPdCu薄膜層或AgPdTi薄膜層與簡單物質Au相比，從資金的觀點是便宜的，并不能從粘著材料或不像Si膜層的基底材料分離。
最近，高記錄密度或更大記錄容量的需求不斷增加，具有短波長的激光被用作用在記錄或再現信息中的激光，從而可以增加表面記錄密度。在這種情況下，記錄凹坑應當以更高精度形成，以及當表面記錄密度低時，盡管被惡化的再現信號中的抖動的量小于所允許的程度，這樣小的惡化抖動的量當表面記錄密度增加時引起嚴重的問題。
另外，當信息記錄層被形成為具有上述兩層結構的信息記錄層時，或信息記錄層被形成為具有多于兩層的多層結構的信息記錄層時，每個信息記錄層中的在向內光線的入口端的半透明反射膜層，被更大地減小了它的膜層厚度，因為每一層的反射率和透射率以及相似物應當被正確地選擇。因此，該半透明反射膜層需要更高的對于天氣的抵抗力。
具體地，該半透明反射膜層需要高的對于天氣的抵抗力，以至于在長時間苛刻條件下，反射率可被防止變化、再現信號中的抖動可被防止惡化。
另外，制造更便宜的光記錄介質的需求也比以前增加了。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種光記錄介質，其中，組成光記錄介質的信息記錄層的半透明反射膜層和反射膜層對于天氣具有抵抗力，尤其具有如半透明特殊特性的半透明反射膜層的對于天氣的抵抗力可被改進，以及它的費用可被減小。
依據本發(fā)明，提供一種光記錄介質，該光記錄介質包括至少一個信息記錄層和反射膜層，其中，該反射膜層由其Cu含量大于或等于3.0[原子％]并且小于或等于6.5[原子％]的AgCu合金薄膜層組成。
另外，依據本發(fā)明，提供一種光記錄介質，其中，至少第一信息記錄層和第二信息記錄層彼此分層，其中，第一信息記錄層有一層在其上形成的半透明反射膜層，以及該半透明反射膜層由其Cu含量大于或等于3.0[原子％]并且小于或等于6.5[原子％]的AgCu合金薄膜層組成。
在這種配置中，通過用穿過第一信息記錄層的光線進行照射而從第二記錄層再現信息。
另外，依據本發(fā)明，提供一種光記錄介質，該光記錄介質包括至少一個信息記錄層和反射膜層，其中，該反射膜層由其Cu含量大于或等于2.0[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]的AgCu合金薄膜層組成，該包含合金的AgCu由包含化學元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一種或兩種的三元合金或四元合金的AgCu所制成，其中，化學元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]。
另外，依據本發(fā)明，提供一種光記錄介質，其中，至少第一信息記錄層和第二信息記錄層彼此分層，其中，第一信息記錄層有一層在其上形成的半透明反射膜層，以及該半透明反射膜層由其Cu含量大于或等于2.0[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]的AgCu組成，該包含合金的AgCu由包含化學元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一種或兩種的三元合金或四元合金的AgCu所制成，其中，化學元素的全部含量大于或等于0。5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]。
在這種配置中，通過用穿過第一信息記錄層的光線進行照射而從第二記錄層再現信息。
另外，依據本發(fā)明，提供一種光記錄介質，該光記錄介質包括至少一個信息記錄層和反射膜層，其中，該反射膜層由其Cu含量大于或等于1.5[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]的AgCu合金薄膜層組成，該包含合金的AgCu由包含化學元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一種或兩種的四元合金或五合金的AgCuPd所制成，其中，Pd的含量大于或等于0.1[原子％]并且小于或等于2.0％，化學元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]。
另外，依據本發(fā)明，提供一種光記錄介質，其中，至少第一信息記錄層和第二信息記錄層彼此分層，其中，第一信息記錄層有一層在其上形成的半透明反射膜層，以及該半透明反射膜層由其Cu含量大于或等于1.5[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]的AgCu合金薄膜層成分，該包含合金的AgCu由包含化學元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一種或兩種的四元合金或五合金的AgCuPd所制成，其中，Pd的含量大于或等于0.1[原子％]并且小于或等于2.0％，化學元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8。1[原子％]。
在這種配置中，通過用穿過第一信息記錄層的光線進行照射而從第二記錄層再現信息。
然后，在上述包括至少第一和第二信息記錄層的光記錄介質中，第一信息記錄層被形成在第一基底上，第二信息記錄層被形成在第二基底上，該第一和第二基底可被以其上的信息記錄層彼此面對的方式彼此分層，信息被從第一和第二信息記錄層用從第一基底方的照射光線再現。
如上所述，依據本發(fā)明的配置，在包括反射膜層的光記錄介質中，它的反射膜層由AgCu合金、包含合金的AgCu和包含合金的AgCuPd膜層組成，在包括反射膜層和半透明反射膜層的光記錄介質中，至少該半透明反射膜層由AgCu合金、包含合金的AgCu和包含合金的AgCuPd膜層組成。因此，可以獲得對于天氣具有良好抵抗力并且不貴的光記錄介質。
另外，在組成反射膜層或半透明反射膜層或反射膜層和半透明反射膜層的包含合金的AgCu和包含合金的AgCuPd中，因為添加的適于組成這些合金的化學元素是指定的，它們的成分比例是指定的，反射膜層或半透明反射膜層或反射膜層和半透明反射膜層在對于天氣的抵抗力方面可被改進。即使該光記錄介質在高溫和高濕的條件下被存儲了很長的時間，例如，該光記錄介質的信息記錄層所需要的如反射率和透射率的光特性或記錄密度可被有效地防止變化。
依據本發(fā)明的配置，從以下的描述將清楚，試圖獲得一種光記錄介質，可以對于天氣具有良好抵抗力并且不貴，可被便宜地制造。


圖1是截面圖，示出了依據本發(fā)明的包括兩層信息記錄層的光記錄介質的樣本；圖2是截面圖，示出了依據本發(fā)明的光記錄介質的另一個樣本；圖3是截面圖，示出了放大比例示出的磁-光記錄介質的磁-光記錄層部分；圖4是截面圖，示出了依據現有技術的光記錄介質的樣本；圖5示出了記錄功率和存儲測試之前和之后所獲得的CNR之間的關系；圖6是列表(表1-1)，列表或排序具有各種光盤結構的樣本的配置；圖7是列表(表1-2)，排序圖6所示的各個樣本的特性；圖8是列表(表2-1)，排序具有各種光盤結構的樣本的配置；圖9是列表(表2-2)，排序圖8所示的各個樣本的特性；圖10是列表(表3-1)，排序具有各種光盤結構的樣本的配置；圖11是列表(表3-2)，排序圖10所示的各個樣本的特性；圖12是列表(表4-1)，排序具有各種光盤結構的樣本的配置；圖13是列表(表4-2)，排序圖12所示的各個樣本的特性；圖14是列表(表5-1)，排序具有各種光盤結構的樣本的配置；圖15是列表(表5-2)，排序圖14所示的各個樣本的特性。
具體實施例方式
以下將參考附圖，描述本發(fā)明實施例的光記錄介質。不用說，依據本發(fā)明的光記錄介質并不限于以下樣本。
圖1是截面圖，示出了依據本發(fā)明的光記錄介質10。
在該光記錄介質10中，第一和第二基底1和2通過半透明粘著介質層3，以在這些基底1和2上形成的信息記錄層21和22彼此面對的方式彼此分層。這個光記錄介質被依照DVD(數字壓縮光盤)格式制造，具有兩層結構，其中，第一和第二信息記錄層21和22被彼此分層。
該第一和第二信息記錄層21和22具有相應于記錄信息的第一和第二非常小的鋸齒11和12。第一非常小的鋸齒11具有沉積其上的半透明反射膜層13，以通過或反射用于記錄和/或再現光記錄介質的照射光線。該第二非常小的鋸齒12具有沉積其上的反射膜層14以反射同一照射光線。
該第一基底1可被可以通過上述照射光線的如polycarbonate的塑料材料的噴射模塑法所塑造。在這種情況下，第一非常小的鋸齒11也可以在第一基底被噴射模塑塑造的同時，在第一基底1上的第一信息記錄層21上形成。
第二基底2也可相似地被如polycarbonate的塑料材料的噴射模塑法塑造，而不管塑料材料的種類，如透明塑料材料或不透明塑料材料。第二非常小的鋸齒1 2也可以在第二基底被塑造的同時，在第二信息記錄層22上形成。
半透明反射膜層13被沉積在第一信息記錄層21的第一非常小的鋸齒11上。
該半透明反射膜層13由AgCu合金薄膜層或包含合金薄膜層的AgCu制成，具有范圍從10[nm]至15[nm]的膜層厚度，這樣它可以反射并通過部分上述照射光線即激光束。
包含其Cu含量大于或等于3.0[原子％]并且小于或等于6.5[原子％]的AgCu合金可被用作組成半透明反射膜層13的AgCu。
該半透明反射膜層13可由包含其Cu含量大于或等于2.0[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]、包含化學元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一種或兩種的AgCu合金，即包含三元合金或四元合金的AgCu所制成，其中，化學元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]。
可替換地，該半透明反射膜層13可由其Cu含量大于或等于1.5[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]、由包含化學元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一種或兩種的AgCu合金，即包含四元合金或五合金的AgCuPd所制成，其中，Pd的含量大于或等于0.1[原子％]并且小于或等于2.0％，化學元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]。
在第二信息記錄層22中，反射膜層14被沉積于上述第二非常小的鋸齒12上。
該反射膜層14可由具有高反射率的金屬材料制成，如主要成分是Au的合金Au，主要成分是Ag的合金Ag，或主要成分是Pt的合金Pt，或主要成分是Cu的合金Cu以及相似物。
另外，為了減少成本，該反射膜層14可由添加其它金屬材料如Si、Ti或Cr的Al合金制成。
然而，為了提高反射膜層對于天氣的抵抗力，以及為了減少反射膜層的成本，該反射膜層14可由具有與上述半透明反射膜層相似材料和成分的上述AgCu合金、包含三元合金或四元合金的AgCu以及包含四元合金或五元合金的AgCuPd所制成，以及例如該反射膜層的厚度可被在從35[nm]至60[nm]的范圍內選擇。
該半透明反射膜層13以及反射膜層14均可被傳統(tǒng)的反應濺射法沉積，通常為磁電管濺射。
應使用一付光學頭從第一和第二信息記錄層21和22再現信號，或用來自光記錄介質10的同一方，例如，在圖1所示的排列中來自第一基底1方的激光束照射，在光記錄介質10的第一和第二信息記錄層上記錄信號，這樣，可以簡化它的驅動裝置，該光學頭可以以短的時間訪問該信息記錄層，并連續(xù)地記錄或再現該信息記錄層。
當該光學頭從光記錄介質10的同一方照射激光束在第一和第二信息記錄層上，以再現或記錄該第一和第二信息記錄層時，如圖1實線所示，同一光學頭聚焦激光束L在第一信息記錄層21以再現或記錄該第一信息記錄層，以及如圖1虛線所示，同一光學頭聚焦激光束L在第二信息記錄層22以再現或記錄該第二信息記錄層。
以下將描述依據本發(fā)明的光記錄介質被應用于磁光記錄介質的情況。
圖2示出了磁光記錄介質100的樣本的截面圖。
該磁光記錄介質100包括由具有能見度的如polycarbonate的樹脂制成的基底101、噴射模塑法形成基底的同時在基底上所形成的如預凹槽的非常小鋸齒102、在非常小鋸齒102上形成的磁光記錄層104的信息層105以及信息層105上所形成的保護層106。
圖3示出了圖2所示的磁光記錄介質100的磁光記錄層104的分層結構的截面圖。
該磁光記錄層104可以具有圖3所示的分層結構。
該磁光記錄層104包括按以下順序分層的，例如在由SiNx所制成的第一絕緣層41上，例如膜層厚度為將近40[nm]的基底101，例如膜層厚度為將近15[nm]，由TbFeCo所制成的記錄層42，以下將描述的膜層厚度為將近10[nm]，由包含合金的AgCu所制成的半透明熱調節(jié)膜層43，例如膜層厚度為將近20[nm]，由SiNx所制成的第二絕緣層44，以及以下將描述的膜層厚度為將近40[nm]，由包含合金的AgCu所制成的反射膜層45。
圖3所示的熱調節(jié)膜層43和反射膜層45可以由AgCu合金薄膜層或相似于上述半透明膜層13和反射膜層14的包含合金薄膜層的AgCu制成。
其Cu含量大于或等于3.0[原子％]并且小于或等于6.5[原子]的AgCu合金可被應用于AgCu合金。
可替換地，半透明反射膜層和反射膜層可由包含其Cu含量大于或等于2.0[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]、包含化學元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一種或兩種的AgCu合金，即包含三元合金或四元合金的AgCu所制成，其中，化學元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]。
可替換地，該半透明反射膜層和反射膜層可由其Cu含量大于或等于1.5[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]、由包含化學元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一種或兩種的AgCu合金，即包含四元合金或五合金的AgCuPd所制成，其中，Pd的含量大于或等于0.1[原子％]并且小于或等于2.0％，化學元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]。
保護層106可以由傳統(tǒng)的可通過旋轉噴涂凝固的紫外線固化樹脂制成。
信息通過來自基底101方的激光束照射在磁光記錄介質上而被記錄上或從圖2所示的磁光記錄介質100再現。
具體地，如圖2中的實線所示，光學頭聚焦激光束在信息層105上，以記錄信息到磁光記錄介質上或從該磁光記錄介質再現信息。
以下，為了理解依據本發(fā)明的光記錄介質的特性，我們舉具有各個光盤結構的包括依據本發(fā)明的光記錄介質的樣本，然后我們衡量相應特性，即對于天氣的抵抗力。
在這些樣本中，以下將描述我們舉信息記錄層形成在僅一層基底上的光盤結構(該光盤樣本下文被稱作“單板”)的樣本，然后我們衡量這些樣本的特性的原因。即，當基底的厚度例如被選為0.6[nm]時，由于這樣的基底的整個硬度比兩層基底之間夾第一和第二信息記錄層的結構要差，所以存儲測試存儲之后，基底被嚴重變形，并且例如在成分半透明反射膜層的合金薄膜層之間的粘著層和基底被降低，從而引起合金薄膜層和基底易于彼此分開。結果，它變得可以嚴格地估算對于天氣的抵抗力。
另外，在關于相應于第一和第二基底1和2兩基底，相應于第一和第二信息記錄層21和22被彼此分層的光盤結構的樣本中，相應于反射膜層14的合金薄膜層由普通合金薄膜層的AlTi材料制成，而不像半透明反射膜層中的合金薄膜層，因為上述不同性質的合金薄膜層彼此分層的光盤樣本，在高濕條件下其惡化被不可避免地加強，所以我們可以更嚴格地估算這樣的樣本對于天氣的抵抗力。具體地，在這樣的兩層基底被彼此分層的結構樣本中，當半透明反射膜層和反射膜層均由AgCu合金、包含合金的AgCu或包含合金的AgCuPd制成時，這些樣本展現了良好的對于天氣的抵抗力。
即，基于各個樣本，我們更嚴格地研究了半透明反射膜層的材料特性。
〔樣本1〕首先，0.6[nm]厚的基底被polycarbonate的噴射模塑法所塑造。
塑造基底的同時，非常小的鋸齒即使用EFM碼調制的凹坑行在這個基底的一個主表面形成，其中，光道間距為0.74[μm]，凹坑深度為110[nm]以及最短的凹坑長度為0.44[μm]。
由Ag100-XCux(x是原子％)制成的半透明反射膜層被沉積在基底上，其中，凹坑數據行被磁電管反應濺射法形成，其中x＝3.0，表面厚度范圍為從10[nm]至15[nm]，從而導致形成第一信息記錄層21。
然后，通過旋轉噴涂和凝固紫外線固化樹脂而在AgCu合金半透明反射膜層的整個表面上形成保護層。
〔樣本2〕與例1的相似，半透明反射膜層具有其中x＝6.5的成分。
〔樣本3〕(比較舉例1)
該樣本具有相應于圖1所示的結構，其中，包括第一和第二信息記錄層21和22的第一和第二基底1和2彼此分層。
在這種情況下，第一基底1具有與例1的基底相似的排列。具有Ag100-xCux成分的AgCu膜層被磁電管反應濺射法沉積在第一基底上，以沉積具有表面厚度范圍為從10[nm]至15[nm]的半透明反射膜層13，其中x＝3.0，從而導致形成第一信息記錄層21。
另一方面，制造了與第一基底1具有相似排列的第二基底2。在該第二基底2上，沉積由AlTi合金薄膜層被磁電管反應濺射法所制成的具有50[nm]膜層厚度的反射膜層14，從而導致形成第二信息記錄層22。
然后，通過使用紫外線固化樹脂作為透明粘著介質，以它們的信息記錄層21和22彼此面對的方式，將第一和第二基底1和2彼此分層，從而導致制造具有分層結構的光盤。
在這種連接關系中，包含沉積在第一基底1上的合金薄膜層的AgCu的膜層厚度被這樣選擇，當具有從35[nm]至60[nm]膜層厚度范圍的Al合金薄膜層或具有從30[nm]至60[nm]膜層厚度范圍的Ag合金薄膜層如反射膜層14，通過具有660[nm]波長的激光束而在第二基底2上形成時，第一信息記錄層21的反射率和第二信息記錄層的反射率可以變得彼此相等。
〔樣本4〕(比較舉例1)盡管該樣本具有與樣本1相似的排列，并用相似的方法制造，它的合金薄膜層具有被表示為Ag100-xCux的原子成分，其中，x＝2.0。
〔樣本5〕(比較舉例2)盡管該樣本具有與樣本1相似的排列，并用相似的方法制造，它的合金薄膜層具有被表示為Ag100-xCux的原子成分，其中，x＝7.0。
〔樣本6〕(比較舉例3)盡管該樣本具有與樣本1相似的排列，并用相似的方法制造，它的合金薄膜層具有被表示為Ag100-xCux的原子成分，其中，x＝9.0。
〔樣本7〕(比較舉例4)盡管該樣本具有與樣本1相似的排列，并用相似的方法制造，具有從10[nm]至15[nm]膜層厚度范圍的Si膜層被磁電管反應濺射法沉積于第一基底1上，而不是它的Ag100-xCux合金薄膜層，從而導致形成第一信息記錄層。
然后，與第一基底1相似，由具有50[nm]膜層厚度的AlTi合金薄膜層所制成的反射膜層14，通過磁電管反應濺射法沉積在第二基底2上，從而導致形成第二信息記錄層22。
與樣本3相似，這些第一和第二基底1和2通過使用紫外線固化樹脂作為透明粘著介質，以它們的信息記錄層21和22彼此分層的方式而彼此分層，從而制造分層結構的光盤。
〔樣本8〕(比較舉例5)盡管該樣本具有與樣本1相似的排列并用相似的方法制造，具有從10[nm]至15[nm]膜層厚度范圍的Ag膜層被沉積作為它的透明反射膜層。
關于上述各個樣本1至8的高溫和高濕條件下的存儲測試被影響，以及測量各個信息記錄層21和22的反射率[％]和抖動[％]，計算存儲測試之前和之后信息記錄層變化的比率。
在高溫和高溫條件下的存儲測試中，各個樣本的光盤被置于具有85℃的溫度和90％濕度的RH環(huán)境的存儲電解液內100小時。
抖動值被具有660[nm]波長的半導體激光和具有0.60數字光圈的物鏡的光讀取器測量。
圖6和圖7的表1-1和表1-2示出了沉積的半透明反射膜層的材料的成分[原子％]、光盤的結構、存儲測試之前和之后所獲得的各個信息記錄層21、22的測量的反射率[原子％]和抖動[原子％]的結果，以及有關各個樣本1至8，在存儲測試之前和之后信息記錄層的反射率變化的總量。
在所述表中，R1[％]示出了在初始階段所獲得的單板結構和分層結構的各個樣本(光盤)的第一信息記錄層21的反射率，即在存儲測試之前所獲得的反射率，以及R3[％]這些樣本在存儲測試之后所獲得的反射率。
在所述表中，R2[％]示出了在初始階段所獲得的單板結構和分層結構的各個樣本(光盤)的第二信息記錄層22的反射率，以及R4[％]這些樣本在存儲測試之后所獲得的反射率。
另外，存儲測試之前和之后反射率的變化的總量被|R1-R3|[％]示出。
將要理解，對于Ag100-xCux(3≤x≤6.5)膜層沉積在單板結構的光盤的信息記錄層上以及如表1(圖6和7)所示的分層結構的光盤的第一信息記錄層21的樣本1至3，存儲測試之前和之后所獲得的反射率的變化可被減小至小于1.0[％]，存儲測試之前和之后所獲得的抖動的變化可被壓縮為小于1[％]，于是可以獲得具有對于天氣的良好的抵抗力的光特性。
在樣本4至7(比較舉例1至4)中，存儲測試之前和之后所獲得的反射率的變化量已超過1.0[％]。在樣本8中(與樣本5比較)，產生一個問題，即存儲測試之前和之后所獲得的抖動值被增加，于是信號不能被穩(wěn)定再現。
然后，制造了樣本9至39，其中，包含其Cu含量大于或等于2.0[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]，并包含化學元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一種或兩種的AgCu(Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W)三元合金或四元合金被沉積在信息記錄層上，其中，化學元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]。
〔樣本9〕至〔樣本31〕這些樣本具有與樣本1相似的排列并用相似的方法制造。在這些樣本中，半透明反射膜層13由具有從10[nm]至15[nm]膜層厚度范圍的Ag100-x-yCuxAy膜層制成(A是化學元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一種或兩種，以及x、y分別表示原子％)，其中，2≤x≤9.0以及0.5≤y≤8.1。
〔樣本32〕(本發(fā)明舉例2)至(樣本38)(本發(fā)明舉例8)圖1所示的具有第一和第二信息記錄層21和22的第一和第二基底1和2的分層結構的這些樣本，具有與樣本3相似的排列，并被用相似的方法制造。在這些樣本32至38中，第一基底1上的半透明反射膜層13由具有從10[nm]至15[nm]膜層厚度范圍的Ag100-x-yCuxAy膜層制成(A是化學元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一種或兩種，以及x、y分別表示原子％)，其中，2≤x≤9.0以及0.5≤y≤8.1。
〔樣本39〕(比較舉例6)該樣本與樣本1具有相似的結構并用相似的方法制造。在該樣本39中，它的半透明反射膜層13具有表示為Ag100-x-yCuxAy的合金原子成分(A是Al和Ti)，其中，x＝5.4，以及y＝8.5。
其它條件與[樣本1]相似，以及制造單板結構的光盤的樣本。
對于上述樣本9至39，形成它們的半透明反射膜層的材料的成分(原子％)以及光盤結構被示出于圖8和圖10的表2-1和3-1中。相似的具有高溫和高濕條件的存儲測試影響這些樣本，測試結果示出于圖9和圖11的表2-2和3-2中。
在具有單板結構的光盤的信息記錄層以及分層結構的光盤的第一信息記錄層21，其中合金原子成分被表示為Ag100-x-yCuxAy(A是化學元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的至少一種)并2≤x≤9.0以及0.5≤y≤8.1的樣本9至38中，存儲測試之前和之后反射率變化的總量可被減小為小于1.0[％]，以及存儲測試之前和之后抖動的變化總量可被壓縮至小于1[％]。特別地，可以獲得對于天氣具有很好的抵抗力的光特性。
另一方面，在樣本39(比較舉例6)中，存儲測試之前和之后反射率變化的總量超過1.0[％]以及對于天氣的抵抗力惡化。
下面示出樣本，其中，由其Cu含量大于或等于1.5[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]、包含化學元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一種或兩種的四元合金或五合金的AgCuPd所制成的半透明反射膜層被沉積在信息記錄層上，其中，Pd的含量大于或等于0.1[原子％]并且小于或等于2.0％，化學元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]。
〔樣本40〕至〔樣本60〕盡管這些樣本具有與樣本1相似的單板結構并被用相似方法制造，它們的半透明反射膜層13具有表示為Ag100-x-y-zPdzCuxAy的合金原子成分(A是Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一種，以及x、y、z分別表示原子％)，其中，1.5≤x≤9.0以及0.5≤y≤8.1以及0.1≤z≤2.0。
〔樣本61〕(本發(fā)明舉例9)至〔樣本65〕(本發(fā)明舉例13)盡管這些樣本與樣本3(本發(fā)明舉例1)具有相似的結構并用相似的方法制造，它們的半透明反射膜層13具有表示為Ag100-x-y-zPdzCuxAy的合金原子成分(A是Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一種，以及x、y、z分別表示原子％)，其中，1.5≤x≤9.0以及0.5≤y≤8.1以及0.1≤z≤2.0。
〔樣本66〕(比較舉例7)盡管這些樣本與樣本1具有相似的結構并用相似的方法制造，它們的半透明反射膜層13具有表示為Ag100-x-y-zPdzCuxAy的合金原子成分(A是Al)，其中，x＝4.0，y＝9.0，以及z＝0.9。
〔樣本67〕(比較舉例8)盡管這些樣本與樣本1具有相似的結構并用相似的方法制造，它們的半透明反射膜層13具有表示為Ag100-x-y-zPdzCuxAy的合金原子成分，其中，x＝1.5，y＝0.0，以及z＝0.9。
〔樣本68〕(比較舉例9)盡管這些樣本與樣本1具有相似的結構并用相似的方法制造，它們的半透明反射膜層13具有表示為Ag100-x-y-zPdzCuxAy的合金原子成分，其中，x＝1.5，y＝0.0，以及z＝0.9。
〔樣本69〕(比較舉例10)盡管這些樣本與樣本1具有相似的結構并用相似的方法制造，它們的半透明反射膜層13具有表示為Ag100-x-y-zPdzCuxAy的合金原子成分，其中，x＝1.5，y＝0.0，以及z＝0.9。
〔樣本70〕(比較舉例11)盡管這些樣本與樣本1具有相似的結構并用相似的方法制造，它們的半透明反射膜層13具有表示為Ag100-x-y-zPdzCuxAy的合金原子成分，其中，x＝1.5，y＝0.0，以及z＝0.9。
對于上述樣本57至70的光盤，圖14和15的表5-1和5-2示出了形成它們的半透明反射膜層的材料的成分(原子％)、光盤結構和高溫和高濕條件下相似的存儲測試之前和之后所獲得的測試結果。
如圖14和15的表5-1和5-2所示，在單板結構和分層結構的第一信息記錄層21具有被表示為Ag100-x-y-zPdzCuxAy的合金原子成分，其中，A是化學元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一種或兩種，并1.5≤x≤9.0以及0.5≤y≤8.1以及0.1≤z≤2.0的樣本40至65中，存儲測試之前和之后反射率變化的總量可被減小為小于1.0[％]，以及存儲測試之前和之后抖動的變化總量可被壓縮至小于1[％]。特別地，可以獲得對于天氣具有很好的抵抗力的光特性。
在樣本66(比較舉例7)中，存儲測試之后所獲得的抖動值被減小，于是信號可被高穩(wěn)定地再現。
在樣本67(比較舉例8)至樣本70(比較舉例11)中，存儲測試之前和之后反射率變化的總量超過1.0[％]以及對于天氣的抵抗力惡化。
從上述描述清楚得知，依據本發(fā)明，AgCu合金薄膜層或包含合金的AgCu膜層被應用于信息記錄層，上述合金薄膜層的成分被指定，上述成分的化學元素被選擇，以及這樣的化學元素的內容被指定，因此信息記錄層對于天氣的抵抗力可被提高，光記錄介質的信息記錄層所要求的光特性如反射率或能見度在高溫和高濕條件下存儲長時間之后變化的總量可被元素為很低，并可以有效地防止抖動的惡化。另外，依據本發(fā)明光記錄介質的成本與現有技術的光記錄介質比較可被降低。
至今在上述各個樣本中，盡管已經例舉了ROM(只讀存儲器)類型的光盤，但本發(fā)明并不限于那些樣本，并可被應用于可重寫光盤，如磁光樣本光盤和變相樣本光盤。當本發(fā)明的包括信息記錄層的AgCu合金薄膜層被應用于反射膜層或熱結構膜層時，對于天氣的抵抗力可被提高，并在光盤存儲長時間之后所引起的由于老化而變化的記錄密度的總量可被減小。結果，穩(wěn)定的記錄成為可能，并且可有效地防止抖動惡化。
例如，如圖3所示，本發(fā)明被應用于磁光記錄介質100，記錄靈敏度的變化被測量。
該磁光記錄介質100包括基底101，基底上按以下順序分層由SiNx所制成、膜層厚度為40[nm]的第一絕緣層41，以及由TbFeCo所制成、膜層厚度為15[nm]的記錄層42，由包括合金的AgCu所制成的厚度為將近10[nm]的半透明反射膜層形成的熱調節(jié)膜層43，由SiNx所制成、具有將近20[nm]的膜層厚度的第二絕緣層44，以及由包含合金的AgCu所制成、絕緣將近40[nm]的膜層厚度的反射膜層45。
我們已經制造了其中熱調節(jié)膜層43和反射膜層45被AgPd0.9Cu1.5合金薄膜層形成的磁光光盤樣本，以及AgCu0.9Ti1.7合金薄膜層形成的磁光光盤。
在這種情況，0.3[μm]的記號長度被記錄在沉積于基底101上的磁光記錄層104上，其中記錄所謂的凸區(qū)和凹槽所形成的引導凹槽，在各個條件下，形成0.80[μm]的光道間距和30[nm]的凹坑深度，其中，激光光線的波長被選擇為405[nm]，物鏡的數字光圈被選擇為0.60，以及線性速度被稱作磁場調制記錄的方法選擇為4.6[m/s]，以及我們已經測量了記錄功率和上述磁場測試之前和之后所獲得的再現信號的CNRs之間的關系。
圖5示出了測量的結果。圖5中，實心方形和空心方形示出了存儲測試影響其中沉積AgPd0.9Cu1.5合金薄膜層的磁光光盤之前和之后所獲得的測量結果，實心圓和空心圓示出了存儲測試影響其中沉積AgCu0.9Ti1.7合金薄膜層的磁光光盤之前和之后所獲得的測量結果如圖5所示，在沉積AgPd0.9Cu1.5合金薄膜層的磁光光盤中，高溫高濕條件下的存儲測試之后所獲得的記錄功率，按增加將近10％的方向被移動。即，該磁光光盤被置于高溫高濕條件下之后，引起沉積膜層中的原子移動以增加膜層的密度，結果熱傳導性增加以及能量損失增加。
另一方面，在其中沉積依據本發(fā)明的光記錄介質的樣本的磁光光盤中的AgCu0.9Ti1.7合金薄膜層的磁光光盤中，高溫高濕條件下的存儲測試之后，將被理解記錄功率沒有增加，能量損失是小的，膜層特性對于天氣的抵抗力非常好。
通常，金屬材料的熱傳導性在具有高的反射率的金屬材料中可以增加，以及相反，當它的反射率減小時金屬材料的熱傳導性可以減小。另外，當金屬材料的熱傳導性增加時，記錄密度減小。否則，當熱傳導性減小時記錄密度增加。
通過測量反射膜層的反射率在存儲測試之前和之后變化的總量，可能估計記錄靈敏度的變化。因此，從〔表1〕至〔表5〕所示的各個本發(fā)明舉例，可以估計各種成分中樣本靈敏度的變化。
盡管本發(fā)明的特征在于，AgCu合金或AgCuPd合金包含Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的多于一種，將期望上述合金除了與實現本發(fā)明具有相似效果的所添加的化學元素，還可以包括具有相似化學特性的V、Cr、Mn、Co、Y、Zr、Nb、Ru、Ta的過渡金屬元素。
依據本發(fā)明的光記錄介質并不限于具有單層的和兩層的信息記錄層的光記錄介質，以及本發(fā)明可被相似地應用于具有多層結構的光記錄介質，其中，多于三層的信息記錄層被彼此分層。
另外，雖然組成光記錄介質的基底在上述樣本中被噴射模塑法塑造而形成，本發(fā)明并不限于上述樣本并可被應用于其中通過2P(光polimerization)而具有光滑表面的金屬板上形成非常小的鋸齒的光記錄介質的情況。
另外，雖然在上述樣本中至今已經描述了類似盤和盤形狀的光記錄介質的樣本，本發(fā)明并不限于那些樣本，并也可被應用于各種形狀如卡狀光記錄介質和片狀光記錄介質的光記錄介質。
權利要求
1.在包括至少一個信息記錄層和反射膜層的光記錄介質中，光記錄介質的特征在于，所述反射膜層由AgCu合金薄膜層組成，該AgCu合金薄膜層含有Cu，該Cu的含量大于或等于3.0[原子％]并且小于或等于6.5[原子％]。
2.在至少一個第一信息記錄層和第二信息記錄層被彼此分層的光記錄介質中，光記錄介質的特征在于，所述第一信息記錄層具有在其上形成的半透明反射膜層，所述第二信息記錄層具有在其上形成的反射膜層，所述半透明反射膜層由AgCu合金薄膜層組成，該AgCu合金薄膜層含有Cu，該Cu的含量大于或等于3.0[原子％]并且小于或等于6.5[原子％]，以及，通過用穿過所述第一信息記錄層的光線進行照射而從所述第二信息記錄層再現信息。
3.在包括至少一個信息記錄層和反射膜層的光記錄介質中，光記錄介質的特征在于，所述反射膜層由其Cu含量大于或等于2.0[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]的AgCu組成，所述包含合金的AgCu由包含化學元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一種或兩種的三元合金或四元合金的AgCu所制成，其中，化學元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]。
4.在至少一個第一信息記錄層和第二信息記錄層被彼此分層的光記錄介質中，光記錄介質的特征在于，所述第一信息記錄層具有在其上形成的半透明反射膜層，所述第二信息記錄層具有在其上形成的反射膜層，所述半透明反射膜層由其Cu含量大于或等于2.0[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]的包含合金薄膜的AgCu組成，所述包含合金的AgCu由包含化學元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一種或兩種的三元合金或四元合金的AgCu所制成，其中，化學元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]，以及，通過用穿過所述第一信息記錄層的光線進行照射而從所述第二信息記錄層再現信息。
5.在包括至少一個信息記錄層和反射膜層的光記錄介質中，光記錄介質的特征在于，所述反射膜層由其Cu含量大于或等于1.5[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]的包含合金薄膜的AgCu組成，以及所述包含合金的AgCu由包含化學元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一種或兩種的四元合金或五元合金的AgCuPd所制成，其中，Pd的含量大于或等于0.1[原子％]并且小于或等于2.0％，化學元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]。
6.在至少一個第一信息記錄層和第二信息記錄層被彼此分層的光記錄介質中，光記錄介質的特征在于，所述第一信息記錄層具有在其上形成的半透明反射膜層，所述第二信息記錄層具有在其上形成的反射膜層，所述半透明反射膜層由其Cu含量大于或等于1.5[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]的包含合金薄膜的AgCu組成，所述包含合金的AgCu由包含化學元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一種或兩種的四元合金或五元合金的AgCuPd所制成，其中，Pd的含量大于或等于0.1[原子％]并且小于或等于2.0％，化學元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]，以及，通過用穿過所述第一信息記錄層的光線進行照射而從所述第二信息記錄層再現信息。
7.如權利要求2、4或6所述的光記錄介質，其中，所述第一信息記錄層在第一基底上形成，所述第二信息記錄層在第二基底上形成，所述第一基底和第二基底以其上的信息記錄層彼此面對的方式彼此分層，以及，通過用來自所述第一基底方的光線的進行照射而從所述第一和第二信息記錄層再現信息。
全文摘要
依據本發(fā)明,提供一種光記錄介質,包括至少一個信息記錄層和反射膜層,其中,所述反射膜層由包含大于或等于3.0[原子%]并且小于或等于6.5[原子%]的Cu含量的AgCu合金薄膜層所組成。這樣,該光記錄介質可被便宜地制造,以及對于天氣的抵抗力可被提高,因此,在光記錄介質被存儲長時間之后其特性可以避免惡化。
文檔編號G11B7/24GK1423813SQ01808073
公開日2003年6月11日 申請日期2001年12月26日 優(yōu)先權日2000年12月28日
發(fā)明者荒谷勝久, 田中信太郎, 大川直樹 申請人:索尼公司