專利名稱：光盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光盤，這種光盤可以在均勻條件下，通過(guò)在包括導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)的盤的整個(gè)表面上形成凹槽(groove)和平臺(tái)(land)制成，并且被配置成能獲取高度可靠的記錄/再現(xiàn)信號(hào)。
背景技術(shù)：
一般來(lái)說(shuō)，光盤廣泛用作光拾取設(shè)備以非接觸形式記錄/再現(xiàn)信息的信息記錄介質(zhì)，和按信息記錄容量將其分類成致密盤(CD，compact disc)和數(shù)字多功能盤(DVD)。并且，還可以把能夠?qū)憽⒉脸妥x信息的DVD盤再分類成數(shù)字多功能盤-隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(DVD-RAM)盤和數(shù)字多功能盤-可重寫(DVD-RW)盤。
如圖1所示，在這樣的DVD-RAM或DVD-RW盤中，存在著記錄諸如盤大小、可讀面上軌道層的數(shù)目或非法復(fù)制防止信息之類的只讀數(shù)據(jù)的導(dǎo)入?yún)^(qū)10、可以重復(fù)地讀出和/或?qū)懭胗脩魯?shù)據(jù)的用戶數(shù)據(jù)區(qū)20、和記錄其它盤相關(guān)信息的導(dǎo)出區(qū)30。
如圖1中導(dǎo)入?yún)^(qū)10(部分A)和導(dǎo)出區(qū)30(部分B)的局部放大圖所示，存在著許多用于記錄只讀數(shù)據(jù)的凹坑15。
在用戶數(shù)據(jù)區(qū)20中，交替形成凹槽23和平臺(tái)25，以便沿著預(yù)定軌道記錄和/或再現(xiàn)信息標(biāo)記27。這里，標(biāo)號(hào)40表示再現(xiàn)束。
DVD-RAM與DVD-RW之間的顯著差異在于提供記錄的物理區(qū)。換句話來(lái)說(shuō)，DVD-RAM在凹槽23和平臺(tái)25兩者上進(jìn)行記錄，而DVD-RW只在凹槽23上進(jìn)行記錄。但是，盤的這兩種標(biāo)準(zhǔn)格式都牽涉到如下問(wèn)題。
首先，在物理上與作為只讀盤的DVD-ROM具有相同記錄結(jié)構(gòu)的DVD-RW在DVD-ROM驅(qū)動(dòng)器或DVD播放器中具有卓越的再現(xiàn)兼容性，但是，相位差取決于平臺(tái)和凹槽的深度的DVD-RAM需要把硬件修改成能適當(dāng)?shù)馗櫰脚_(tái)和凹槽，這意味著再現(xiàn)兼容性差。
其次，考慮到把數(shù)據(jù)記錄在DVD-RW中的凹槽上的過(guò)程中的記錄/再現(xiàn)特性或注模特性，形成的凹槽比DVD-RAM中的凹槽淺兩倍或更多倍。這里，如果必要的話，以凹坑15的形式，在導(dǎo)入?yún)^(qū)10上形成只讀數(shù)據(jù)。圖2是顯示再現(xiàn)信號(hào)的幅度比與凹坑深度的關(guān)系的圖形，其中凹坑深度用再現(xiàn)束的波長(zhǎng)(λ)與盤的折射率(n)之比λ/n為單位表示。
這里，設(shè)最小記錄標(biāo)記長(zhǎng)度為T，在記錄標(biāo)記的長(zhǎng)度是3T和4T的情況下，當(dāng)凹坑深度以λ/n為單位大約是0.06時(shí)，這對(duì)應(yīng)于DVD-RW的凹槽深度，由m1和m2表示的幅度比在0.2到0.3之間的范圍內(nèi)。當(dāng)凹坑深度是0.25時(shí)，幅度比大約是1。因此，當(dāng)凹坑深度是λ/12n時(shí)，這對(duì)應(yīng)于DVD-RW的凹槽深度，與凹坑深度是λ/4n時(shí)的情況相比，信號(hào)電平大約是30％(1∶0.3)。如上所述，如果在DVD-RAM中形成與凹槽深度一樣淺的只讀數(shù)據(jù)，那么，不能獲得可靠的凹坑信號(hào)。
第三，為了提高記錄容量，如圖3所示，需要從入射束的方向看去具有數(shù)個(gè)記錄層的多層光盤。例如，在第一記錄層為L(zhǎng)0和第二記錄層為L(zhǎng)1的雙記錄層盤中，當(dāng)在第二記錄層L1上進(jìn)行記錄時(shí)，記錄激光穿過(guò)第一記錄層L0。在這種情況中，在凹坑部分與凹槽部分之間光功率存在著差異。此外，在使用數(shù)字區(qū)中代表基本記錄單元的物理標(biāo)題的情況中，由于物理標(biāo)題區(qū)總是保持晶化的，因此，與記錄區(qū)不同，光透射率存在著差異。
圖4是顯示鏡面部分、凹坑部分、凹槽部分和含有標(biāo)記的凹槽部分每一個(gè)的光功率的圖形。如圖4所示，第一記錄層10的物理外形影響光功率。
表1列出用在光功率實(shí)驗(yàn)中的條件。
表1

在表1中，Rc代表記錄層的晶化部分的反射率，和Ra代表記錄層的非晶部分的反射率。根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果，在鏡面部分中光功率的降低最小，并且光功率按照凹坑部分、凹槽部分和含有標(biāo)記的凹槽部分的次序逐漸降低。如圖3所示，記錄/再現(xiàn)光束40會(huì)聚(trap)在第一記錄層L0的導(dǎo)入?yún)^(qū)10和含有凹槽的數(shù)據(jù)區(qū)20的邊界上，因此，投射在第二記錄層L1上的光束的光量不同于記錄/再現(xiàn)光束40只遍布凹槽時(shí)的情況。如上所述，當(dāng)將數(shù)據(jù)寫在雙層光盤的第二記錄層L1上時(shí)，含有標(biāo)記的凹槽部分對(duì)記錄功率產(chǎn)生負(fù)面影響，導(dǎo)致記錄/再現(xiàn)效率較差。
為了減小再現(xiàn)光束的光斑大小，以達(dá)到高密記錄的目的，應(yīng)該增大數(shù)值孔徑(NA)。這里，雙記錄層光盤，即光功率不同所帶來(lái)的問(wèn)題隨著NA的增大變得越來(lái)越嚴(yán)重。隨著NA的增大使光功率不同的因素列在表2中。
表2

如表2所示，當(dāng)在雙記錄層光盤的第一記錄層中形成凹槽和凹坑的情況中，隨著NA變得越來(lái)越大，光束會(huì)聚的軌道數(shù)也隨之增多和光束入射角也隨之增大，大大地影響光功率。
第四，當(dāng)制作光盤母板時(shí)，光盤的制造條件可能隨著光盤在導(dǎo)入?yún)^(qū)(凹坑)、數(shù)據(jù)區(qū)(凹槽)和導(dǎo)出區(qū)(凹坑)方面的結(jié)構(gòu)不同而不同，這使制造過(guò)程變得復(fù)雜，導(dǎo)致生產(chǎn)率降低和制造成本提高。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決這些問(wèn)題，本發(fā)明的一個(gè)目的是，在母板制作期間，通過(guò)在導(dǎo)入?yún)^(qū)和導(dǎo)出區(qū)兩者中形成使制造條件相同的凹槽，提供一種生產(chǎn)率提高了的、制造成本降低了的和記錄/再現(xiàn)容量提高了的光盤。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是，提供一種使多記錄層的結(jié)構(gòu)得到改善的光盤，以便在記錄/再現(xiàn)期間使光功率均勻地照射在多層光盤上。
因此，為了達(dá)到第一個(gè)目的，本發(fā)明提供了其中配備了每一個(gè)都含有在上面形成的凹槽和平臺(tái)的導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)的記錄和/或再現(xiàn)光盤。
這里，最好在凹槽和平臺(tái)的至少一側(cè)上形成波紋(wobble)作為只讀數(shù)據(jù)。
在導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)中的波紋可以通過(guò)相同的調(diào)制技術(shù)調(diào)制。
此外，在導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)中的波紋也可以通過(guò)不同的調(diào)制技術(shù)調(diào)制。
最好，波紋通過(guò)QPSK(正交相移鍵控)技術(shù)調(diào)制，或波紋通過(guò)MAM(改進(jìn)調(diào)幅)技術(shù)調(diào)制，在MAM技術(shù)中，把具有預(yù)定周期的單頻率擺動(dòng)部分和具有預(yù)定周期的非擺動(dòng)部分合并在一起。
此外，波紋最好通過(guò)調(diào)頻技術(shù)調(diào)制，或波紋最好通過(guò)調(diào)幅技術(shù)調(diào)制。
并且，波紋也可以通過(guò)調(diào)相技術(shù)調(diào)制。
此外，用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的波紋可以通過(guò)從QPSK調(diào)制、調(diào)頻、調(diào)幅和MAM中選擇出來(lái)的至少一種調(diào)制，和導(dǎo)入?yún)^(qū)和導(dǎo)出區(qū)中的波紋通過(guò)與用于用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的波紋的調(diào)制技術(shù)不同的調(diào)制技術(shù)調(diào)制。
在根據(jù)本發(fā)明的光盤中，提供了至少一個(gè)記錄層。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，本發(fā)明提供了其中配備了每一個(gè)都含有在上面形成的凹槽和平臺(tái)的導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)，和把用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的數(shù)據(jù)記錄在平臺(tái)和凹槽的至少一側(cè)上的記錄和/或再現(xiàn)光盤。


通過(guò)結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述目的和優(yōu)點(diǎn)將更加清楚，在附圖中圖1是顯示傳統(tǒng)光盤的A、B和C部分的放大圖；圖2是顯示再現(xiàn)信號(hào)的幅度比與凹坑深度之間的關(guān)系的圖形；圖3是顯示傳統(tǒng)光盤的局部剖視圖；圖4是顯示各種情況下光功率的圖形；圖5是顯示根據(jù)本發(fā)明的光盤的C、D和E部分的放大圖；圖6顯示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的、光盤的單側(cè)擺動(dòng)方法；圖7顯示了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的、光盤的波紋和平臺(tái)預(yù)置凹坑(prepit)組合方法；圖8A顯示了根據(jù)調(diào)頻技術(shù)從波紋中獲取的波形；圖8B顯示了根據(jù)調(diào)相技術(shù)從波紋中獲取的波形；圖8C顯示了根據(jù)調(diào)幅技術(shù)從波紋中獲取的波形；
圖8D顯示了根據(jù)改進(jìn)調(diào)幅(MAM)技術(shù)從波紋中獲取的波形；圖9顯示了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的正交相移鍵控(QPSK)技術(shù)；圖10至12顯示了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例從波紋中獲取的波形；圖13和14顯示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例表示其中將只讀數(shù)據(jù)記錄為擺動(dòng)信號(hào)的區(qū)域的地址信息的首標(biāo)字段和只讀數(shù)據(jù)字段在光盤中的排列；圖15是根據(jù)本發(fā)明把數(shù)據(jù)記錄在光盤上和/或從中再現(xiàn)數(shù)據(jù)的系統(tǒng)的示意圖。
具體實(shí)施例方式
參照?qǐng)D5，根據(jù)本發(fā)明的光盤包括導(dǎo)入?yún)^(qū)100、用戶數(shù)據(jù)區(qū)120和導(dǎo)出區(qū)130，并且在光盤的整個(gè)表面上形成凹槽123和平臺(tái)125。
用戶數(shù)據(jù)可以只記錄在凹槽123上，也可以記錄在凹槽123和平臺(tái)125兩者上。當(dāng)記錄只讀數(shù)據(jù)，把擺動(dòng)信號(hào)105的波形依次記錄在凹槽123和平臺(tái)125的至少一側(cè)上，而不是記錄在凹坑上。參照?qǐng)D5中“C”和“D”部分的放大圖，在導(dǎo)入和導(dǎo)出區(qū)100和130中交替形成凹槽123和平臺(tái)125，并且在凹槽125和平臺(tái)125兩者上形成波形狀的擺動(dòng)信號(hào)108。此外，參照?qǐng)D5中作為用戶數(shù)據(jù)區(qū)130的一部分的“E”部分，在上面交替形成凹槽125和平臺(tái)125，和在凹槽123和平臺(tái)125兩者上形成擺動(dòng)信號(hào)103。記錄和/或再現(xiàn)是在記錄/再現(xiàn)光束110沿著凹槽和/或平臺(tái)軌道傳播的同時(shí)進(jìn)行的。
如圖6所示，在形成波紋的過(guò)程中，可以使用在平臺(tái)125′和凹槽123′的至少一側(cè)上形成波紋108′的單側(cè)擺動(dòng)方法。否則，可以在凹槽123′和平臺(tái)125′的兩側(cè)上形成波紋。
圖7顯示了在預(yù)定間隔內(nèi)，通過(guò)組合在平臺(tái)125上形成的波紋127和平臺(tái)預(yù)置凹坑133，記錄只讀數(shù)據(jù)的方法。平臺(tái)預(yù)置凹坑133是在制造盤基底的時(shí)候在預(yù)定區(qū)域上形成的。利用記錄在平臺(tái)預(yù)置凹坑133中的信息，配置在記錄/再現(xiàn)設(shè)備中的拾取器件可以容易地移動(dòng)到所需位置。此外，拾取器件利用以平臺(tái)預(yù)置凹坑形式記錄的信息，可以識(shí)別扇區(qū)號(hào)或類型、平臺(tái)/凹槽等，并且能夠進(jìn)行伺服控制。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，只讀數(shù)據(jù)被記錄成擺動(dòng)信號(hào)，而不是凹坑，在盤的整個(gè)表面，記錄層的物理外形自始至終都是相同的。因此，由多層組成的盤的光功率降低得比傳統(tǒng)光盤小。
圖8A顯示了根據(jù)本發(fā)明的擺動(dòng)信號(hào)調(diào)制的例子，即調(diào)頻技術(shù)，從而，根據(jù)調(diào)頻技術(shù)改變擺動(dòng)信號(hào)108和108′的頻率來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。例如，通過(guò)組合邏輯“0”或“1”的位來(lái)記錄數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)是這樣記錄的，使在邏輯“0”或“1”的位的情況下擺動(dòng)信號(hào)105和105′的頻率彼此不同。邏輯“0”的擺動(dòng)信號(hào)的頻率大于邏輯“1”的擺動(dòng)信號(hào)的頻率，以便可以區(qū)分具有邏輯值“0”和“1”的位。
或者，如圖8B所示，在記錄數(shù)據(jù)時(shí)可以使用調(diào)相技術(shù)，從而移動(dòng)擺動(dòng)信號(hào)108和108′的相位。也就是說(shuō)，按照這樣的方式記錄數(shù)據(jù)，使在邏輯“0”的位和在邏輯“1”的位的情況下擺動(dòng)信號(hào)的相位彼此不同。例如，在邏輯“0”的擺動(dòng)信號(hào)與邏輯“1”的擺動(dòng)信號(hào)之間形成180°的相位差。
此外，如圖8C所示，可以通過(guò)調(diào)幅技術(shù)調(diào)制擺動(dòng)信號(hào)。也就是說(shuō)，按照這樣的方式記錄數(shù)據(jù)，使邏輯“0”和“1”的位的擺動(dòng)信號(hào)的幅度彼此不同。
如圖8D所示，數(shù)據(jù)可以通過(guò)MAM(改進(jìn)調(diào)幅)技術(shù)記錄，在這種技術(shù)中，合并具有預(yù)定周期的單頻率擺動(dòng)部分135和具有預(yù)定周期的非擺動(dòng)部分187。例如，使相鄰擺動(dòng)部分的長(zhǎng)度或相鄰非擺動(dòng)部分的長(zhǎng)度彼此不同，從而記錄數(shù)據(jù)。
或者，如圖9所示，可以通過(guò)QPSK(正交相移鍵控)調(diào)制記錄數(shù)據(jù)，從而使各個(gè)擺動(dòng)信號(hào)140的相位彼此相差90°。這里，標(biāo)號(hào)145表示與用戶數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的記錄標(biāo)記。如上所述，如果只讀數(shù)據(jù)被記錄成擺動(dòng)信號(hào)，那么，用戶數(shù)據(jù)和只讀數(shù)據(jù)兩者都存儲(chǔ)在凹槽和/或平臺(tái)軌道中，從而提高了盤記錄區(qū)的利用率。
如圖10所示，數(shù)據(jù)可以通過(guò)MSK(最小移頻鍵控)調(diào)制記錄，從而，只有由連續(xù)擺動(dòng)信號(hào)140組成的預(yù)定周期內(nèi)的頻率發(fā)生變化。此外，如圖11所示，還可以應(yīng)用STW調(diào)制，從而形成鋸齒波紋150。鋸齒波紋150的邏輯狀態(tài)“0”或“1”通過(guò)相對(duì)陡峭部分150a和相對(duì)平坦部分150b的形狀確定。否則，如圖12所示，通過(guò)使波紋的軌道間隔TP1和TP2彼此不同，可以減少軌道之間的串?dāng)_。
如圖14所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光盤包括配置在導(dǎo)入?yún)^(qū)中的只讀數(shù)據(jù)區(qū)103和寫/讀數(shù)據(jù)區(qū)105(圖5所示的100)。在只讀數(shù)據(jù)區(qū)103中，數(shù)據(jù)由第一波紋記錄著。在寫/讀數(shù)據(jù)區(qū)105中，形成第二波紋。第一和第二波紋可以通過(guò)不同的調(diào)制技術(shù)調(diào)制，或由不同的規(guī)格指示。換句話來(lái)說(shuō)，第一波紋通過(guò)從QPSK調(diào)制、調(diào)頻、調(diào)幅、改進(jìn)調(diào)幅(MAM)、MSK調(diào)制和STW調(diào)制中選擇出來(lái)的至少一種調(diào)制，和第二波紋通過(guò)與用于第一波紋的調(diào)制技術(shù)不同的調(diào)制技術(shù)調(diào)制。如圖13所示，地址信息包含在寫/讀區(qū)105中凹槽的整個(gè)區(qū)域中，指示地址信息的首標(biāo)字段101和只讀數(shù)據(jù)字段102配置在只讀數(shù)據(jù)區(qū)103中。首標(biāo)字段101可以位于ECC記錄單元的前部或后部，也可以記錄在ECC記錄單元的交接處。這里，首標(biāo)字段101中波紋的規(guī)格可以與寫/讀數(shù)據(jù)區(qū)或只讀數(shù)據(jù)區(qū)中的波紋相同，也可以與它們不同。具體地說(shuō)，如圖14所示，在只讀數(shù)據(jù)區(qū)103的只讀數(shù)據(jù)字段102中形成的波紋是高頻波紋，和在首標(biāo)字段101和寫/讀數(shù)據(jù)區(qū)105中形成的波紋是低頻波紋。這是為了防止再現(xiàn)信號(hào)在高頻記錄包含在首標(biāo)字段101中的地址信息時(shí)受到損壞。
此外，為了降低軌道之間的串?dāng)_，寫/讀數(shù)據(jù)區(qū)105和只讀數(shù)據(jù)區(qū)103的軌道間距最好彼此不同。更具體地講，只讀數(shù)據(jù)區(qū)103的軌道間距比寫/讀數(shù)據(jù)區(qū)105的大。
除了導(dǎo)入?yún)^(qū)100、數(shù)據(jù)區(qū)120和導(dǎo)出區(qū)130之外，上述根據(jù)本發(fā)明的光盤還可以包括為特殊目的形成的預(yù)定區(qū)域。
圖15是根據(jù)本發(fā)明把數(shù)據(jù)記錄在光盤上和/或從中再現(xiàn)數(shù)據(jù)的系統(tǒng)的示意圖。該系統(tǒng)包括發(fā)射光的激光二極管150、校準(zhǔn)激光二極管150發(fā)射的光的準(zhǔn)直透鏡152、根據(jù)入射光的偏振方向改變?nèi)肷涔獾膫鞑ヂ窂降钠窆夥质?54、1/4波片156和把入射光聚焦在光盤160上的物鏡158。從光盤160反射而來(lái)的光由偏振光分束器154反射，然后在光電檢測(cè)器，即四象限光電檢測(cè)器162中被接收。通過(guò)推挽方法把在四象限光電檢測(cè)器162中接收的光被轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，并且輸出到信道1和信道2，在信道1中檢測(cè)電信號(hào)作為RF(射頻)信號(hào)，和在信道2中檢測(cè)電信號(hào)作為擺動(dòng)信號(hào)。這里，H1、H2、H3和H4表示DC放大器，Ia、Ib、Ic和Id表示從四象限光電檢測(cè)器162輸出的第一至第四電流信號(hào)。
根據(jù)本發(fā)明的光盤，只讀數(shù)據(jù)可以通過(guò)上述的各種調(diào)制方案形成。具體地說(shuō)，通過(guò)相同的調(diào)制技術(shù)，可以在導(dǎo)入?yún)^(qū)100、導(dǎo)出區(qū)130和用戶數(shù)據(jù)區(qū)120上形成擺動(dòng)信號(hào)。
另一方面，根據(jù)盤區(qū)，即導(dǎo)入?yún)^(qū)100、用戶數(shù)據(jù)區(qū)120或?qū)С鰠^(qū)130，可以通過(guò)不同的調(diào)制技術(shù)形成波紋。例如，在用戶數(shù)據(jù)區(qū)120中可以應(yīng)用從調(diào)頻、調(diào)相、調(diào)幅、改進(jìn)調(diào)幅、QPSK調(diào)制、MSK調(diào)制和鋸齒波紋調(diào)制中選擇出來(lái)的至少一種。然后，在導(dǎo)入?yún)^(qū)100和導(dǎo)出區(qū)130中可以應(yīng)用與應(yīng)用在用戶數(shù)據(jù)區(qū)120中的調(diào)制技術(shù)不同的調(diào)制技術(shù)。
為了提高存儲(chǔ)容量，本發(fā)明提供了具有至少一個(gè)記錄層的盤。例如，在本發(fā)明中，在由第一記錄層和第二記錄層組成的雙層盤的情況中，在盤的整個(gè)表面上形成凹槽和平臺(tái)，并且把只讀數(shù)據(jù)均勻地形成為擺動(dòng)信號(hào)。因此，在導(dǎo)入?yún)^(qū)或?qū)С鰠^(qū)與用戶數(shù)據(jù)區(qū)之間的邊界上光功率沒(méi)有差異。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的光盤中，在盤的整個(gè)表面上只需要自始至終連續(xù)地形成凹槽，從母板制作參數(shù)的可控制性這個(gè)角度來(lái)看，這意味著具有易于制造的優(yōu)點(diǎn)。此外，由于在制作光盤母板過(guò)程中可以采用相同的制造條件，因此，可以提高生產(chǎn)率和降低制造成本。并且，通過(guò)把只讀數(shù)據(jù)形成波紋，而不是凹坑，在把數(shù)據(jù)記錄在多層盤上和/或從多層盤上再現(xiàn)數(shù)據(jù)的同時(shí)，可以均勻地調(diào)整光功率。
或者，如圖9所示，數(shù)據(jù)可以通過(guò)QPSK(正交相移鍵控)調(diào)制來(lái)記錄，從而，使各個(gè)擺動(dòng)信號(hào)140的相位彼此相差90°。這里，標(biāo)號(hào)145表示與用戶數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的記錄標(biāo)記。如上所述，如果只讀數(shù)據(jù)被記錄成擺動(dòng)信號(hào)，那么，用戶數(shù)據(jù)和只讀數(shù)據(jù)兩者都存儲(chǔ)在凹槽和/或平臺(tái)軌道中，從而，提高了盤記錄區(qū)的利用率。
根據(jù)本發(fā)明的光盤，只讀數(shù)據(jù)可以通過(guò)上述的各種調(diào)制方案形成。具體地說(shuō)，通過(guò)相同的調(diào)制技術(shù)，可以在導(dǎo)入?yún)^(qū)100、導(dǎo)出區(qū)130和用戶數(shù)據(jù)區(qū)120上形成擺動(dòng)信號(hào)。
另一方面，根據(jù)盤區(qū)，即導(dǎo)入?yún)^(qū)100、用戶數(shù)據(jù)區(qū)120或?qū)С鰠^(qū)130，可以通過(guò)不同的調(diào)制技術(shù)形成波紋。例如，在用戶數(shù)據(jù)區(qū)120中可以應(yīng)用從調(diào)頻、調(diào)相、調(diào)幅、改進(jìn)調(diào)幅、QPSK調(diào)制等中選擇出來(lái)的至少一種。然后，在導(dǎo)入?yún)^(qū)100和導(dǎo)出區(qū)130中可以應(yīng)用與應(yīng)用在用戶數(shù)據(jù)區(qū)120中的調(diào)制技術(shù)不同的調(diào)制技術(shù)。為了提高存儲(chǔ)容量，本發(fā)明提供了具有至少一個(gè)記錄層的盤。例如，在本發(fā)明中，在由第一記錄層和第二記錄層組成的雙層盤的情況中，在盤的整個(gè)表面上形成凹槽和平臺(tái)，并且把只讀數(shù)據(jù)均勻地形成為擺動(dòng)信號(hào)。因此，在導(dǎo)入?yún)^(qū)或?qū)С鰠^(qū)與用戶數(shù)據(jù)區(qū)之間的邊界上光功率沒(méi)有差異。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的光盤中，在盤的整個(gè)表面上只需要自始至終連續(xù)地形成凹槽，從母板制作參數(shù)的可控制性這個(gè)角度來(lái)看，這意味著具有易于制造的優(yōu)點(diǎn)。此外，由于在制作光盤母板過(guò)程中可以采用相同的制造條件，因此，可以提高生產(chǎn)率和降低制造成本。并且，通過(guò)把只讀數(shù)據(jù)形成波紋，而不是凹坑，在把數(shù)據(jù)記錄在多層盤上和/或從多層盤上再現(xiàn)數(shù)據(jù)的同時(shí)，可以均勻地調(diào)整光功率。
權(quán)利要求
1.一種記錄和/或再現(xiàn)光盤，其中配備了每一個(gè)都含有在上面形成的凹槽和平臺(tái)的導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤，其中，在凹槽和平臺(tái)的至少一側(cè)上形成波紋作為只讀數(shù)據(jù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光盤，其中，在導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)中的波紋通過(guò)相同的調(diào)制技術(shù)調(diào)制。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光盤，其中，在導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)中的波紋通過(guò)不同的調(diào)制技術(shù)調(diào)制。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的光盤，其中，波紋通過(guò)QPSK(正交相移鍵控)技術(shù)調(diào)制。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的光盤，其中，波紋通過(guò)MAM(改進(jìn)調(diào)幅)技術(shù)調(diào)制，其中，把具有預(yù)定周期的單頻率擺動(dòng)部分和具有預(yù)定周期的非擺動(dòng)部分合并在一起。
7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的光盤，其中，波紋通過(guò)調(diào)頻技術(shù)調(diào)制。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的光盤，其中，波紋通過(guò)調(diào)幅技術(shù)調(diào)制。
9.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的光盤，其中，波紋通過(guò)調(diào)相技術(shù)調(diào)制。
10.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的光盤，其中，波紋通過(guò)最小移頻鍵控(MSK)調(diào)制技術(shù)調(diào)制，其中，只有由連續(xù)波紋組成的預(yù)定周期中的頻率發(fā)生變化。
11.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的光盤，其中，波紋通過(guò)鋸齒波紋(STW)調(diào)制技術(shù)調(diào)制。
12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光盤，其中，用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的波紋通過(guò)從QPSK調(diào)制、調(diào)頻、調(diào)幅、改進(jìn)調(diào)幅(MAM)、MSK調(diào)制和STW波紋調(diào)制中選擇出來(lái)的至少一種調(diào)制，和導(dǎo)入?yún)^(qū)和導(dǎo)出區(qū)中的波紋通過(guò)與用于用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的波紋的調(diào)制技術(shù)不同的調(diào)制技術(shù)調(diào)制。
13.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4或12所述的光盤，其中，提供了至少一個(gè)記錄層。
14.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4或12所述的光盤，其中，除了導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)之外，還提供了用于特殊目的的預(yù)定區(qū)。
15.一種記錄和/或再現(xiàn)光盤，其中配備了每一個(gè)都含有在上面形成的凹槽和平臺(tái)的導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)，和把用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的數(shù)據(jù)記錄在平臺(tái)和凹槽的至少一側(cè)上。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光盤，其中，在凹槽和/或平臺(tái)中形成波紋作為只讀數(shù)據(jù)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的光盤，其中，在導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)中的波紋通過(guò)相同的調(diào)制技術(shù)調(diào)制。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的光盤，其中，在導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)中的波紋通過(guò)不同的調(diào)制技術(shù)調(diào)制。
19.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的光盤，其中，波紋通過(guò)QPSK(正交相移鍵控)技術(shù)調(diào)制。
20.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的光盤，其中，波紋通過(guò)MAM(改進(jìn)調(diào)幅)技術(shù)調(diào)制，其中，把具有預(yù)定周期的單頻率擺動(dòng)部分和具有預(yù)定周期的非擺動(dòng)部分合并在一起。
21.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的光盤，其中，波紋通過(guò)調(diào)頻技術(shù)調(diào)制。
22.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的光盤，其中，波紋通過(guò)調(diào)幅技術(shù)調(diào)制。
23.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的光盤，其中，波紋通過(guò)調(diào)相技術(shù)調(diào)制。
24.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的光盤，其中，波紋通過(guò)最小移頻鍵控(MSK)調(diào)制技術(shù)調(diào)制，其中，只有由連續(xù)波紋組成的預(yù)定周期中的頻率發(fā)生變化。
25.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的光盤，其中，波紋通過(guò)鋸齒波紋(STW)調(diào)制技術(shù)調(diào)制。
26.根據(jù)權(quán)利要求18所述的光盤，其中，用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的波紋通過(guò)從QPSK調(diào)制、調(diào)頻、調(diào)幅、改進(jìn)調(diào)幅(MAM)、MSK調(diào)制和STW波紋調(diào)制中選擇出來(lái)的至少一種調(diào)制，和導(dǎo)入?yún)^(qū)和導(dǎo)出區(qū)中的波紋通過(guò)與用于用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的波紋的調(diào)制技術(shù)不同的調(diào)制技術(shù)調(diào)制。
27.根據(jù)權(quán)利要求15、16、17、18或26所述的光盤，其中，除了導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)之外，還提供了用于特殊目的的預(yù)定區(qū)。
28.根據(jù)權(quán)利要求15、16、17、18或26所述的光盤，其中，提供了至少一個(gè)記錄層。
29.一種記錄和/或再現(xiàn)光盤，其中配備了每一個(gè)都含有在上面形成的凹槽和平臺(tái)的導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)，和導(dǎo)入?yún)^(qū)包括只讀數(shù)據(jù)區(qū)和寫/讀數(shù)據(jù)區(qū)。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的光盤，其中，在凹槽和/或平臺(tái)中形成波紋作為只讀數(shù)據(jù)。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的光盤，其中，在導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)中的波紋通過(guò)相同的調(diào)制技術(shù)調(diào)制。
32.根據(jù)權(quán)利要求30所述的光盤，其中，在導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)中的波紋通過(guò)不同的調(diào)制技術(shù)調(diào)制。
33.根據(jù)權(quán)利要求30或31所述的光盤，其中，波紋通過(guò)QPSK(正交相移鍵控)技術(shù)調(diào)制。
34.根據(jù)權(quán)利要求30或31所述的光盤，其中，波紋通過(guò)MAM(改進(jìn)調(diào)幅)技術(shù)調(diào)制，其中，把具有預(yù)定周期的單頻率擺動(dòng)部分和具有預(yù)定周期的非擺動(dòng)部分合并在一起。
35.根據(jù)權(quán)利要求30或31所述的光盤，其中，波紋通過(guò)調(diào)頻技術(shù)調(diào)制。
36.根據(jù)權(quán)利要求30或31所述的光盤，其中，波紋通過(guò)調(diào)幅技術(shù)調(diào)制。
37.根據(jù)權(quán)利要求30或31所述的光盤，其中，波紋通過(guò)調(diào)相技術(shù)調(diào)制。
38.根據(jù)權(quán)利要求30或31所述的光盤，其中，波紋通過(guò)最小移頻鍵控(MSK)調(diào)制技術(shù)調(diào)制，其中，只有由連續(xù)波紋組成的預(yù)定周期中的頻率發(fā)生變化。
39.根據(jù)權(quán)利要求30或31所述的光盤，其中，波紋通過(guò)鋸齒波紋(STW)調(diào)制技術(shù)調(diào)制。
40.根據(jù)權(quán)利要求32所述的光盤，其中，用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的波紋通過(guò)從QPSK調(diào)制、調(diào)頻、調(diào)幅、改進(jìn)調(diào)幅(MAM)、MSK調(diào)制和STW波紋調(diào)制中選擇出來(lái)的至少一種調(diào)制，和導(dǎo)入?yún)^(qū)和導(dǎo)出區(qū)中的波紋通過(guò)與用于用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的波紋的調(diào)制技術(shù)不同的調(diào)制技術(shù)調(diào)制。
41.根據(jù)權(quán)利要求29、30、31、32或40所述的光盤，其中，除了導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)之外，還提供了用于特殊目的的預(yù)定區(qū)。
42.根據(jù)權(quán)利要求29、30、31、32或40所述的光盤，其中，提供了至少一個(gè)記錄層。
43.根據(jù)權(quán)利要求29所述的光盤，其中，在只讀數(shù)據(jù)區(qū)中形成第一波紋，和在寫/讀數(shù)據(jù)區(qū)中形成通過(guò)與用于第一波紋的調(diào)制技術(shù)不同的調(diào)制技術(shù)調(diào)制的第二波紋。
44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的光盤，其中，第一波紋最好通過(guò)從QPSK調(diào)制、調(diào)頻、調(diào)幅、改進(jìn)調(diào)幅(MAM)、MSK調(diào)制和STW調(diào)制中選擇出來(lái)的至少一種調(diào)制，和第二波紋最好通過(guò)與用于第一波紋的調(diào)制技術(shù)不同的調(diào)制技術(shù)調(diào)制。
45.根據(jù)權(quán)利要求43所述的光盤，其中，第一波紋是高頻波紋，和第二波紋相對(duì)于第一波紋來(lái)說(shuō)，是低頻波紋。
46.根據(jù)權(quán)利要求29、43或45所述的光盤，其中，在只讀數(shù)據(jù)區(qū)中，指示地址信息的首標(biāo)字段位于ECC記錄單元的前部或后部，或者位于ECC記錄單元的交接處。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的光盤，其中，在首標(biāo)字段中形成的波紋是低頻波紋。
48.根據(jù)權(quán)利要求29、32、43、44或45所述的光盤，其中，寫/讀數(shù)據(jù)區(qū)和只讀數(shù)據(jù)區(qū)的軌道間距彼此不同。
49.根據(jù)權(quán)利要求48所述的光盤，其中，只讀數(shù)據(jù)區(qū)的軌道間距比寫/讀數(shù)據(jù)區(qū)的大。
全文摘要
本發(fā)明提供的是一種光盤,這種光盤可以在相同制造條件下,通過(guò)在導(dǎo)入?yún)^(qū)和導(dǎo)出區(qū)兩者中形成凹槽制成,并且被配置成能獲取可靠的再現(xiàn)信號(hào)。在提供的光盤中,配備了每一個(gè)都含有在上面形成的凹槽和平臺(tái)的導(dǎo)入?yún)^(qū)、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)。由于在制作光盤母板過(guò)程中可以采用相同的制造條件,因此,可以提高生產(chǎn)率和降低制造成本。
文檔編號(hào)G11B7/0037GK1384491SQ0210629
公開(kāi)日2002年12月11日 申請(qǐng)日期2002年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2001年5月2日
發(fā)明者李坰根, 樸仁植, 尹斗燮 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社