專利名稱：：用于標記存儲設(shè)備內(nèi)容的裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及數(shù)字存儲電路領(lǐng)域。更具體的，本發(fā)明涉及提供一種具有用于提供信息的電子標記的信息存儲單元，該信息例如為保存在該信息存儲單元中的數(shù)據(jù)內(nèi)容。
背景技術(shù)：
：現(xiàn)在，許多商用設(shè)備用于產(chǎn)生和/或使用數(shù)量越來越大的數(shù)據(jù)。用于靜止和/或運動圖象的便攜式數(shù)據(jù)相機，例如，產(chǎn)生代表圖象的大量數(shù)字數(shù)據(jù)。每個數(shù)字圖象可要求多達幾兆字節(jié)(MB)的數(shù)據(jù)存儲空間，而這種存儲器必須是在該相機中可用的。為了提供這種數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用，存儲器對于在大約10MB到數(shù)百吉字節(jié)(GB)范圍的足夠容量具有相對較低價格。該存儲器還應(yīng)具有較低功耗(例如＜＜1Watt)和具有相對較粗放的物理性質(zhì)以于便攜式電池供電的操作環(huán)境相適應(yīng)。對于檔案存儲，數(shù)據(jù)只需要一次性寫入存儲器。優(yōu)選地，存儲器應(yīng)具有一個短的存取時間(在微秒的量級)和適度的傳輸速率(例如20Mb/s)。優(yōu)選地，還有，該存儲器應(yīng)可以被封裝在工業(yè)標準接口模塊中，諸如PCMCIA或緊湊型閃存卡(CompactFlashcard)。一次性寫入緊湊型信息存儲器的一種形式為授予Gudesen等人的美國專利No.6,055,180所公開，其中可分別存取單元的矩陣被安置在正交排列的導(dǎo)體之間的層中。這些單元可以包括交叉點二極管，OLEDs，雙穩(wěn)態(tài)液晶元件或其他狀態(tài)隨熱和/或光的引入而改變的設(shè)備。在用于提供高密度檔案存儲器的便攜式設(shè)備中的另一種應(yīng)用公開在共同未決美國專利申請?zhí)枺撸撸撸撸?HP公司的文檔號10002367)，標題為“一次性寫入存儲器”，該申請的公開在此被引入作為參考。這里所公開的存儲系統(tǒng)，稱為便攜式便宜粗放存儲器(portableinexpensiveruggedmemory(PIRM))，目的是用于為檔案存儲提供低價格的高容量一次性存儲器。這通過避免采用硅基底，最小化處理復(fù)雜度和降低區(qū)域的密度可以部分實現(xiàn)。該存儲系統(tǒng)包括一個由構(gòu)建在塑料基底上的集成電路層的層疊堆棧所形成的存儲模塊。每層包括交叉點存儲器陣列，而對保存于該陣列中的數(shù)據(jù)的傳感時由遠離存儲模塊的一個單獨集成電路來實施的。因為PIRM存儲器相對價格較低，使用者很可能要求大量的具有各種保存內(nèi)容的PIRM模塊。這對于粗略地瀏覽模塊內(nèi)容而不必將模塊插入一個設(shè)備進行完全目錄列表是有用的。因此，使用者需要一個顯示裝置以指示存儲器模塊的內(nèi)容。通常，重要的是用顯示器提供保存于該存儲器模塊中的數(shù)據(jù)性質(zhì)。該顯示可包括標題，創(chuàng)作日期，位置，數(shù)據(jù)類型，所有人和其他與所保存內(nèi)容有關(guān)的描述性信息。該顯示器還可以提供一個已經(jīng)使用的存儲模塊部分的顯示，該顯示可以數(shù)字，圖形或其他可視裝置來描述。優(yōu)選地，與存儲量有關(guān)的顯示信息可以被修正為所保存數(shù)據(jù)改變量。用于標記具有內(nèi)容的存儲設(shè)備的現(xiàn)有解決方案都有其缺點。手寫式背粘標記通常用于可記錄介質(zhì)，諸如軟盤，后備磁帶和緊湊式光盤(CD)。本發(fā)明是靈活的和簡單的，但是該解決方案受到使用者書法的限制，而其精確度依賴于使用者在將其保持為當(dāng)前信息方面的勤奮。標記照相膠片可以通過一個小LEDs陣列直接在負片上曝光來打印日期而實現(xiàn)。該方案使得圖象質(zhì)量降低并且不能夠進行粗略瀏覽。在照片背面打印使得信息更容易訪問，但是打印的日期不可能是按動快門的日期。APS照相膠片包括在膠片上的磁性帶條，用于將其他形式的元信息寫入負片上。然而，沒有掃描儀很難進行瀏覽。用于線性帶打開格式的帶盒提供小量的用于診斷和粗略目錄信息的非易失性固態(tài)存儲器。該方法避免了必須裝載和掃描整個帶，但是它仍然是需要一個機器才可重讀。可重讀CD和可重記錄CD具有幾個內(nèi)容標記方法，其中最簡單的為在盤片上的手寫標記。另外，塑料存儲器外殼可以包括具有內(nèi)容的打印襯片。然而，難以制造這種外殼襯片且它們易于與外殼分離。CDs還可以直接標記在背面，但是要求復(fù)雜的處理工藝。易于指示所使用的記錄介質(zhì)量的現(xiàn)有系統(tǒng)還具有它們的限制。CD-R設(shè)備提供了一種觀察在已記錄區(qū)域中的盤片反射率中的微小改變。然而，這種解決方案太精細，以至于需要好的照明來確定差別。APS照相膠片提供了一種顯示膠片是否曝光，部分曝光，完全曝光或完全曝光并處理過的擴展的可視報訊器。雖然這為有用信息，易于實現(xiàn)該系統(tǒng)的成本包括在膠片盒中的復(fù)雜度和要求該相機能檢測出未曝光的膠片。因此，這需要電子標記的高密度，便攜式和一次性使用的存儲器模塊，用于提供和顯示關(guān)于模塊內(nèi)容和存儲器模決已經(jīng)使用程度的信息。這種標記應(yīng)可自動實施，易于觀察和可以顯示各種信息。該顯示還應(yīng)清晰地指示已用和/或仍可用存儲量。發(fā)明概述本發(fā)明包括一個用于記錄、尋址和讀取數(shù)據(jù)的電可尋址設(shè)備，它包括一個具有多個數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)層的存儲器陣列單元，每一層被放置在一個基底上；和一個在存儲器陣列單元的至少一個存儲介質(zhì)層上的電子標記設(shè)備，用于提供一個指示預(yù)選數(shù)據(jù)或信息，諸如保存在存儲器陣列單元上的數(shù)據(jù)內(nèi)容的性質(zhì)，的電子標記設(shè)備。在一個實施例中，電子標記設(shè)備包括至少一層，該層為一個可部分可視地提供信息顯示的顯示層，諸如顯示主題和數(shù)據(jù)內(nèi)容名稱和已經(jīng)使用的存儲量。該顯示層包括多個信息存儲單元，每個存儲單元包括至少一個數(shù)據(jù)位的值，其中信息存儲單元的視覺外表根據(jù)信息單元的狀態(tài)而變化。每個單元為根據(jù)數(shù)據(jù)位的值而改變狀態(tài)的多態(tài)電設(shè)備且它具有可根據(jù)該電設(shè)備的狀態(tài)而變化的容量、顏色和/或反射率。一個適合的單元包括一個電熔絲，它具有根據(jù)該熔絲是否燒斷而改變的透明度，或具有一個指示該熔絲已經(jīng)燒斷的內(nèi)嵌標記。優(yōu)選地，該顯示層包括存儲器陣列單元的一個最外層。該存儲器陣列還包括在顯示層和在存儲器陣列中下一層之間的一個反射層。在本發(fā)明的另一個實施例中，存儲器陣列設(shè)備的每一層被放置在基本上透明的基底上，而該電標記設(shè)備包括一個用于將數(shù)據(jù)以一種在存儲器陣列單元的每層上連續(xù)的方式保存在該存儲器陣列單元上的尋址設(shè)備。該存儲器陣列設(shè)備具有在該存儲器陣列單元的每層上近似相同位置的對應(yīng)的數(shù)據(jù)地址和將數(shù)據(jù)同時保存在該存儲器陣列單元的多層上的，每層上近似相同位置處的尋址設(shè)備。一個反射層可以提供在存儲器陣列單元的至少一個最外層上。該顯示指示已經(jīng)被記錄有數(shù)據(jù)的存儲模塊量。另一個實施例包括一個用于標記用于記錄、尋址和記錄數(shù)據(jù)并包括具有多個存儲介質(zhì)層的存儲器陣列單元的電可尋址設(shè)備的方法。該方法包括將數(shù)據(jù)保存在代表數(shù)據(jù)內(nèi)容的最外層上以提供一個指示所保存在存儲器陣列單元上數(shù)據(jù)內(nèi)容的性質(zhì)。優(yōu)選地，在最外層和存儲器陣列單元的剩余層之間的界面上配置有一個反射層。該顯示還指示任意預(yù)選的信息，包括并不限于關(guān)于主題和數(shù)據(jù)內(nèi)容名稱，以及記錄有數(shù)據(jù)的存儲器陣列單元。本發(fā)明的其他方面和優(yōu)點將通過下面的詳細描述，并接合以示例性方式描述本發(fā)明原理的附圖變得更加清楚。附圖簡述圖1為根據(jù)本發(fā)明一個實施例的一個一次性寫入存儲系統(tǒng)的框圖；圖2為示出一個存儲模塊的一般結(jié)構(gòu)的一次性寫入存儲系統(tǒng)的示例性框圖；圖3為根據(jù)本發(fā)明一個實施例來構(gòu)造的一次性寫入存儲模塊的剖視等積圖；圖4為在本發(fā)明的實施例中實施可用的一個交叉點存儲元件的示圖；圖5為一個交叉點陣列存儲單元的簡化平面圖；圖6顯示一個一次性存儲器陣列，用于示出該陣列的尋址存儲元件；圖7為根據(jù)本發(fā)明一個實施例的一次性存儲模塊中的各層的分解圖；圖8為圖7的存儲模塊的顯示層的象素部分的簡化布局圖；和圖9示出圖7的存儲模塊的顯示層的一個象素的不同灰度陰影。優(yōu)選實施例詳述在此公開了一次性寫入存儲器、存儲系統(tǒng)，尋址和傳感電路和用于制造、實現(xiàn)和使用這種電路和系統(tǒng)的方法。在下面的描述中，只作為解釋，設(shè)定具體的命名法和具體的實現(xiàn)細節(jié)以提供對本發(fā)明的完全理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解這些具體細節(jié)對于實現(xiàn)本發(fā)明是不需要的。在下面的描述中，“數(shù)據(jù)”所指的應(yīng)理解為該“數(shù)據(jù)”可以根據(jù)內(nèi)容以各種方式來表示。例如，在存儲單元中的“數(shù)據(jù)”可以用一個電壓電平、一個磁性狀態(tài)、或一個諸如表示諸如電壓或電流電平的可測量效應(yīng)或例如到傳感器的改變的電阻率的物理特性來代表。另一方面，在一個總線上或在傳輸過程中，這種“數(shù)據(jù)”應(yīng)為電流或電壓信號的形式。例如，這里大多數(shù)環(huán)境中“數(shù)據(jù)”主要為性質(zhì)上為二元的，這可以很容易地用“0”和“1”的狀態(tài)來表示，但應(yīng)理解該二元狀態(tài)在實際中可以用相對不同的電壓、電流、電阻或類似特性來表示并且一個特殊的具體表現(xiàn)是否表示一個“0”或“1”一般是非實質(zhì)的。本發(fā)明包括一個用于標記存儲器陣列內(nèi)容的裝置和方法。本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例將在前述共同未決美國專利申請中所述的存儲系統(tǒng)中使用那一類型交叉點二極管存儲器陣列的上下文中進行討論。為了提供對本發(fā)明的一個完全理解，因此下面的詳細描述被提供在這樣一個存儲系統(tǒng)的上下文中，雖然本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)認識到在申請中，本發(fā)明并不限于所述結(jié)構(gòu)。一個特別有用于在諸如數(shù)字相機或便攜式數(shù)字音頻設(shè)備的設(shè)備中保存數(shù)據(jù)的便攜式、便宜的、粗放的存儲器(PIRM)系統(tǒng)，具體表現(xiàn)為圖1框圖所示的一個存儲卡。該存儲系統(tǒng)可以被包含在一個工業(yè)標準接口卡(例如，PCMCIA或CF)中，從而它可以在具有這些接口的現(xiàn)有或?qū)淼漠a(chǎn)品中使用。該存儲卡10具有一個I/O接口連接器12，可以在卡10和它所連接的設(shè)備2之間建立通信。該接口連接器被連接到一個接口和一個連接到可移去存儲器模塊的控制電路14上。存儲器模塊20提供用于一次性寫入存儲的電路，包括一些檢測，可寫入和尋址功能。接口和控制電路14包括用于在每個可移去存儲模塊20被接受入卡中時對它們執(zhí)行控制、面接、檢測，誤差校正編碼(ECC)和類似功能的電路。存儲器模塊20被接受入存儲卡中的一個插座或類似部件中，從而它可以由此移去并用另一個存儲器模塊來代替。當(dāng)被接受入一個存儲卡中時，存儲器模塊20通過一個內(nèi)部接口連接到該接口和控制電路14。一次性寫入存儲意味著，有效地，數(shù)據(jù)只能一次性寫入存儲器，此后保持不能改變。在多種形式的一次性寫入存儲器中，即數(shù)據(jù)在初始寫入之后并非完全不能改變，然而它一般不能任意改變，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的。例如，多數(shù)一次性寫入存儲器被設(shè)置為每個存儲單元處于第一二元態(tài)中(例如，代表一個二元數(shù)據(jù)“0”)，而在一個寫入過程中所選擇的存儲單元被改變到第二二元態(tài)(例如，代表一個二元數(shù)據(jù)“1”)。在存儲器中由第一二元態(tài)到第二二元態(tài)的改變經(jīng)常是不可逆的，例如，一旦數(shù)據(jù)“1”被寫入，它就不能變回數(shù)據(jù)“0”了。這限制了在數(shù)據(jù)被寫入存儲器之后可以對其進行的改變，其中任意數(shù)據(jù)只能一次性寫入而之后，數(shù)據(jù)“0”，例如，只能變?yōu)閿?shù)據(jù)“1”，而沒有其他方式返回。因為存儲器模塊20包括一次性寫入存儲器，它對于檔案數(shù)據(jù)存儲器是合適的，其中數(shù)據(jù)一旦寫入就被保持了。這稍微有點象照相膠片，其中圖象被保存在其上一次，而顯影的膠片被保持作為永久記錄。因此，一旦存儲器模塊已經(jīng)被數(shù)據(jù)填滿容量，則要求另一個數(shù)據(jù)存儲器。簡單地調(diào)換在設(shè)備2中的整個存儲卡10應(yīng)是可能的，然而這將意味著接口和控制電路，以及存儲卡結(jié)構(gòu)，與存儲器模塊一起被存檔。為了降低數(shù)據(jù)存儲器價格，希望存儲器系統(tǒng)的可重用和相對較低廉的部件不被永久性地連接到實際的存儲器上，并為了在優(yōu)先實施例中，存儲器模塊20是可由存儲卡10移去的。存儲卡10的體積包括一個一次性成本，而用于插入其中的存儲器模塊被低廉地裝配，如下所述的。一次性寫入模塊圖2示出了存儲器模塊20的一個框圖表示，該存儲器模塊連接到一個接口和控制電路14。為了對于一個給定的基區(qū)增加一個存儲器模塊的存儲容量，模塊20由一個疊層22的堆疊構(gòu)成。每一層22具有一個提供數(shù)據(jù)存儲器的存儲元件陣列25。這些層的每個還包括通過存儲器系統(tǒng)內(nèi)部接口16將各自的存儲器陣列分別連接到接口和控制電路14的尋址電路30。在每層上的尋址電路使得在存儲模塊的各層之間的互聯(lián)導(dǎo)體更少，這有利于裝配的簡單和成本的降低。圖3是一個存儲器模塊20的剖視等積圖，示出在存儲器模塊中的電路和各層的一個可能的物理排列。每一層22包括形成在基底50上的一個存儲器陣列25和一個尋址電路30。存儲器陣列25包括一個存儲元件26的矩陣。尋址電路30包括與存儲器陣列25的各自正交邊緣相鄰放置的列和行多重/去多重(mux/demux)電路部分。在制造過程中，還在基底上形成輸入/輸出(I/O)引線40。在存儲器模塊20中，行I/O引線40a由行多重/去多重電路30a延伸到基底的第一相鄰邊緣44a，而列I/O引線40b由列多重/去多重電路30b延伸到基底的第一相鄰邊緣44b。每根引線40終止于各自的接觸焊片42處，它們中的部分被暴露在基底50的邊緣40a和40b。多層22被堆疊在相同方向并被疊壓在一起。利用導(dǎo)電性接觸元件55在堆疊層的接觸焊片42的暴露部分形成電接觸，這由圖3中的部分剖視圖所顯示。沿存儲器模塊20的邊緣延伸的接觸元件55，與單層平面相垂直。作為示例，每個接觸元件55形成到堆疊中多層的接觸焊片的點接點。這些接觸元件55可以被用于將存儲器模塊通過存儲系統(tǒng)內(nèi)部接口連接到接口和控制電路14。在存儲器模塊的一個優(yōu)先實施例中，對于用于每一層22的基底50由一個聚合體塑料材料來形成。集成電路(例如存儲器和尋址電路)可以由此方法形成在基底上的處理工藝，和被組裝為一個存儲器模塊的層在前述共同未決的美國專利申請中被詳細描述。一次性寫入存儲器陣列一個存儲元件26的陣列被形成在在存儲器模塊20的每一層上。存儲器陣列包括一個列線和行線的規(guī)則矩陣，其中在每一個列/行交點上都有一個存儲元件。圖4示出一個具有列線60和行線62的存儲器陣列25的一部分的示意圖。連接在每一個列線和行線之間的是一個存儲元件26，它還更詳細地顯示在圖4示圖的放大部分。在存儲器陣列的一個優(yōu)選實施例中，每一個存儲元件26包括一個與二極管元件66相串聯(lián)的熔絲元件64。熔絲元件64提供一個實際的存儲元件的數(shù)據(jù)保存效應(yīng)，而二極管66有利于使用列線和行線對存儲元件的用于寫入和讀出數(shù)據(jù)的尋址。存儲器陣列25的優(yōu)選操作過程如下。在裝配時，每一個存儲元件26具有一個導(dǎo)通的熔絲元件。熔絲元件的導(dǎo)通狀態(tài)表示一個二元數(shù)據(jù)狀態(tài)，稱為數(shù)據(jù)“0”。為了將數(shù)據(jù)寫入存儲器陣列，使用列線和行線來對希望保存一個數(shù)據(jù)“1”的每個存儲元件進行尋址而熔絲元件在這里為“燒斷”，將其置為一個非導(dǎo)通狀態(tài)。熔絲元件的非導(dǎo)通狀態(tài)表示另一個二元數(shù)據(jù)狀態(tài)，稱為數(shù)據(jù)“1”。燒斷熔絲元件是一個單向操作，這使得存儲器為一個“一次性寫入”存儲器，如上所述的。一個數(shù)據(jù)寫入操作(例如將數(shù)據(jù)“1”寫入所選擇的存儲元件)可以同時將預(yù)定電流經(jīng)由所選擇行線施加在一個所選擇列線上，例如足以燒斷直接將那些行線/列線互聯(lián)的存儲元件的熔絲燒斷，來實施。可以通過使用列線和行線對存儲元件尋址并傳感哪些存儲元件為導(dǎo)通(數(shù)據(jù)“0”)和哪些為非導(dǎo)通(數(shù)據(jù)“1”)來由存儲器陣列讀取數(shù)據(jù)。在陣列的每一存儲元件中的二極管元件66有助于在使用列線和行線對存儲元件的用于寫入和讀取數(shù)據(jù)的唯一的尋址過程。如果在列/行交叉點存儲元件中沒有一個二極管，則存在一個通過在給定列線和行線之間的許多存儲元件的電流路徑。然而，如果具有形成通過每一存儲元件的一個單向?qū)窂降亩O管，則單根列線和單根行線可以用于唯一地對一個單獨的存儲元件尋址。換句話說，形成一個由一列線到一行線的電路允許電流只通過一個單獨的存儲元件。通過將一個預(yù)定的“數(shù)據(jù)寫入”電流經(jīng)由該電路來施加，在存儲元件中的熔絲可以被燒斷以將數(shù)據(jù)“0”改變?yōu)閿?shù)據(jù)“1”。還有，通過傳感在該電路中的電阻，可以確定存儲元件熔絲是否進入一個斷開電路或為閉合電路，從而讀取數(shù)據(jù)“1”或“0”。從而，二極管66降低了在讀取和寫入操作過程中在存儲元件之間的串音的發(fā)生。此外，二極管的非線性電流-電壓(I-V)特性改善了數(shù)據(jù)傳感的信噪比(SNR)，這有助于遠程的傳感和碼字的尋址。因為傳感電路在接口和控制電路14中，在存儲器模塊中的數(shù)據(jù)被遠程地傳感，該電路14被包含在一個分離的集成電路中。還有，使用如下所述的尋址電路，來實施對存儲元件的組合的二極管邏輯尋址，以降低在存儲器模塊20和接口和控制電路14之間速要求的連接的數(shù)量。由結(jié)構(gòu)的角度出發(fā)，存儲器陣列有時被稱為交叉點陣列存儲器，而圖5提供了該優(yōu)選實施例的存儲器陣列的單元的一個簡化平面圖。交叉點陣列存儲器的基本結(jié)構(gòu)包括兩層正交的空間平行導(dǎo)體集合，在它們之間配置有一個半導(dǎo)體層。在這些交叉點的每一個中，通過一個表現(xiàn)為串聯(lián)的二極管和熔絲的半導(dǎo)體層(圖5中的75)，在行電極(圖5中的62)和列電極(圖5中的60)之間形成一個連接。在陣列中的二極管全都被這樣定向，使得如果在所有行電極和所有列電極之間施加一個公共電位，則所有二極管被偏置為相同方向。熔絲元件可以被實現(xiàn)為一個分離的元件，當(dāng)一個臨界電流通過時，該熔絲元件將斷開電路或它可以被結(jié)合入二極管的性能中。雖然在本說明書中，半導(dǎo)體層(例如75)通常被稱為單數(shù)，但是業(yè)可以采用多個不同的材料層。這些層可以包括非半導(dǎo)體的材料，例如為各種構(gòu)造的金屬和甚至為電介質(zhì)。適于實現(xiàn)所期望功能的材料和結(jié)構(gòu)在此被描述。圖6為交叉點一次性寫入存儲器陣列的示意圖。圖6顯示了八行乘八列的陣列。如果如圖所示，電壓被施加到行和列電極(例如除了一個列電極處于-V電位，其他所有列電極都處于V電位，而除了一個行電極處于-V電位，其他所有行電極都處于V電位)，則只有一個二極管被前向偏置。在頂行和最左列之間的二極管在其上將無偏置，而陣列中的剩余二極管將被反向偏置。這構(gòu)成對陣列的一個尋址機制。如果一個電流在行和列之間流過，而這些二極管處于與左上二極管的完整的熔絲(例如表示數(shù)據(jù)“0”)不同的電位。相反地，如果沒有電流在這些構(gòu)造中流過，則相應(yīng)的二極管/熔絲將被燒斷(例如，表示數(shù)據(jù)“1”)。如果調(diào)節(jié)施加到陣列電極上的電壓幅度，可以使得更多的電流流過所選擇的二極管。如果該電壓使得一個電流超過熔絲的閾值，則熔絲被燒斷，改變了該存儲元件的狀態(tài)。這構(gòu)成一個寫入存儲器的方法。燒斷一根在存儲器陣列中的熔絲所要求的實際電流(或所施加以實現(xiàn)該電流的電壓)在裝配時，應(yīng)是可以預(yù)測的并且是可以控制的。因為它是流過存儲元件的所謂操作因子的電流密度，元件被燒斷時的所施加電壓/電流可以通過改變元件的結(jié)區(qū)來調(diào)整。例如，如果交叉點電極的交互作用的交叉區(qū)域被減少，這還降低為達到燒斷熔絲的臨界電流密度而要求施加的的電流/電壓。該機理可以用于存儲器電路的設(shè)計和裝配中以確?？刂齐妷嚎梢员皇┘右詢H燒斷所期望的交叉點熔絲。這里所描述的PIRM存儲器模塊的裝配優(yōu)選地根據(jù)在共同未決美國專利申請?zhí)枺撸撸撸撸?HP公司的文檔號10002972)，標題為“用于對交叉點二極管存儲器陣列尋址的裝配方法”中提供的裝配方法來實施，該公開在此被引入作為參考。內(nèi)容標記系統(tǒng)前面的描述已經(jīng)提供了本發(fā)明的上下文。本發(fā)明的兩個優(yōu)選實施例將被描述如下一個一次性寫入顯示器和一個被動式容量監(jiān)測器。應(yīng)理解，本發(fā)明的其他優(yōu)選實施例將被描述并將落入所附權(quán)利要求的范圍中。優(yōu)選地，本發(fā)明的內(nèi)容標記系統(tǒng)提供，至少部分由一個相對透明的材料制成一個或多個層。本發(fā)明還提供熔絲材料自身，或一個被包含作為熔絲一部分的標記或染料，顯示當(dāng)熔絲被燒斷時在熔絲本身的不透明性的改變，然而不包括該設(shè)備的操作描述。一次性寫入顯示器一次性寫入要求存儲器模塊的一個專用外層作為標記層，以提供任何類型的預(yù)選信息，包括關(guān)于保存于模塊中的數(shù)據(jù)內(nèi)容。優(yōu)選地，標記層留在基底上，可以是不透明的或是透明的，并且可以覆蓋一透明覆蓋層。參見圖7，通過將一個反射性覆蓋層106放置在最外層102(或在頂上或在底部)和存儲器堆疊104的剩余層之間的界面上來構(gòu)造一個一次性寫入存儲器。最外層102被由象素形成的灰度顯示器。因為熔絲元件的位間距為一個微米的量級，所以幾個熔絲可以組合形成一個單獨的象素。這一方案使得可以燒斷在一個象素中的部分熔絲以改變象素相對于未寫入背景的對比度。現(xiàn)在參見圖8，顯示了一個圖7中所提供的最外層102的象素部分110。象素部分優(yōu)選地為一個具有近似相等分辨率的尺度112和113的矩形區(qū)域，其中每個為50-100微米。如圖所示，在熔絲元件之間的位分辨率或間距114只有大約1微米。從而，在大小為100平方微米的象素中，可只有大約10,000個熔絲元件。如圖8所示，大約一半的熔絲118被燒斷，導(dǎo)致大約50％的不透明度或灰度陰影。因為在一個象素中的大量熔絲，可以顯示許多的灰度陰影，使得可以在顯示層102上顯示各種信息。圖9提供了包括一個5×5熔絲器件陣列的象素中不同顯示的簡單示意圖。如圖所示，在122，當(dāng)熔絲被燒斷時，顯示最黑的顏色。在124中，九個熔絲被激勵，導(dǎo)致36％的灰度色。126顯示了五個熔絲被燒斷，導(dǎo)致20％的灰度。128顯示只有一個熔絲被燒斷，提供4％的輕灰度陰影?？商鎿Q的，可以使用非常高分辨率的熔絲陣列以產(chǎn)生一個包括大量信息的顯示，但是要求進行放大以被觀看。應(yīng)理解的是，熔絲或其他信息存儲單元的其他視覺外觀特征可以替代不透明度來被修改。從而，可以采用一個根據(jù)元件的狀態(tài)來修改元件的顏色，反射性或其他視覺特征的元件。顯示優(yōu)選地被用于標識所保存內(nèi)容的當(dāng)前圖象或文本中。所顯示的描述性特性可以包括，但不限于創(chuàng)作日期，標題，位置，類型(視頻，靜止，音頻，游戲等)，所有人，或其他與所保存內(nèi)容有關(guān)的描述性元數(shù)據(jù)。顯示的一部分還被用于圖形顯示已被使用的存儲器的一部分，例如用一個條形圖。顯示存儲器以與其他存儲層相同的方式被尋址，寫入和讀取。用于尋址，讀取和寫入存儲器模塊的優(yōu)選方法在共同未決的美國專利申請?zhí)枺撸撸撸?HP公司文檔號10002595)標題為“尋址和傳感一個交叉點二極管存儲器陣列”和共同未決美國專利申請?zhí)枺撸撸?HP公司文檔號10002971)，標題為“交叉點二極管存儲器陣列的并行存取”中被給出，所述公開在此被引入作為參考。從而，優(yōu)選地，該一次性寫入顯示的位圖還被電讀取并被傳輸。雖然顯示器不能被再寫入，但可以通過使得屬于在將要被擦除區(qū)域中的象素的所有熔絲進入一個斷開狀態(tài)而被擦除。被動式容量監(jiān)測器本方案不要求存儲器模塊的一個專用層或使用一個反射覆蓋層。而通過存儲器模塊自身的外觀可以確定已用存儲量和剩余量。用于裝配存儲器層的基底優(yōu)選地由相對透明的得到。在該實施例中，每層的列和行以相同量級而被布置用以尋址。在存儲器模塊中的數(shù)據(jù)字或字節(jié)通過使用由每一存儲器層的，在相同行和列地址處一位來形成。存儲器通常以順序的方式被寫入，例如寫入在一行中的所有位，然而再進到下一行。應(yīng)注意到，誤差校正碼要求數(shù)據(jù)是隨機的。從而寫一位對于相應(yīng)于該位的熔絲被燒斷只提供50％的可能性，這是因為該位為1的概率為50％(假設(shè)1由燒斷的熔絲來指定)。因此，根據(jù)本發(fā)明，燒斷的熔絲伴隨有在本地不透明性上的變化，存儲器的已使用部分可以很容易地被識別。不需要為了觀察相對于未寫區(qū)域的不透明性的變化而燒斷在已記錄區(qū)域中的每一熔絲。被動式容量監(jiān)測器的另一個實施例包括將反射器放置在存儲器模塊的頂層和低層的最外表面。然后，通過存儲器模塊邊緣在投射或反射上的不透明性以確定存儲器的其透明性已改變的部分。本發(fā)明的另一個實施例包括將上述的一次性寫入顯示器與被動式容量監(jiān)測器相組合。另一個可選實施例在存儲器設(shè)備的一個或多個層中使用至少一些光學(xué)透明特性。還應(yīng)理解本發(fā)明的范圍包括顯示在存儲器單元中的任何類型或種類的信息或標記，該信息是否指示該單元內(nèi)容的特征或其他與該內(nèi)容有關(guān)或無關(guān)的信息。由前述內(nèi)容可知，本發(fā)明提供了存儲器模塊的現(xiàn)有顯示器的一些優(yōu)點。本發(fā)明提供了用于自動標記在一個可記錄存儲器上所保存內(nèi)容的機制，因為該標記信息是電子存儲的。與手動標記相比的另外的優(yōu)點是改進的易讀性，減少的尺寸和標記位圖的直接電子轉(zhuǎn)移。此外，本發(fā)明還提供配置有數(shù)據(jù)和與為CD盒產(chǎn)生標記相比要求相對少的步驟來產(chǎn)生的優(yōu)點。本發(fā)明提供了與其他可讀電子標記，諸如嵌入磁帶中的FLASH數(shù)據(jù)相比的，可以視覺分離的優(yōu)點。與諸如在照相負片或照片上提供標記相比，本發(fā)明的實施例標記了一個相對大的存儲器內(nèi)容塊，從而改善了瀏覽效率。具體地，被動式容量監(jiān)測器不要求另外使用存儲器模塊存儲器，在許多現(xiàn)有內(nèi)容顯示方法，諸如APS照相系統(tǒng)的相對大的優(yōu)點。本發(fā)明的原理可以與許多其他變型一起提供給在此描述的電路、結(jié)構(gòu)、配置和處理過程，而不背離如在所附權(quán)利要求中限定的發(fā)明范圍，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)能理解的。權(quán)利要求1.一個用于記錄、尋址和讀取數(shù)據(jù)的電可尋址設(shè)備，包括一個具有多個數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)層(22)的存儲器陣列單元(20)，每一個所述層(22)被安置在一個基底(50)上；和一個與所述至少一個存儲器陣列單元(20)的存儲介質(zhì)的至少一層有關(guān)以提供一個顯示指示預(yù)選信息的電標記設(shè)備(25)。2.權(quán)利要求1所述的電可尋址設(shè)備，其特征在于，該電子標記設(shè)備(25)包括數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的層中的至少一個顯示層(102)，所述顯示層(102)可以部分可視地替換以提供所述顯示。3.權(quán)利要求2所述的電可尋址設(shè)備，其特征在于，該顯示層(102)還包括多個多態(tài)信息存儲單元(26)，每一個表示至少一個數(shù)據(jù)位的值，其中每一個信息存儲單元(26)視覺外表根據(jù)信息存儲單元(26)的狀態(tài)而變化。4.權(quán)利要求1所述的電可尋址設(shè)備，其特征在于，該信息存儲單元(26)的每一個還包括一個多態(tài)電設(shè)備(64，66)，該多態(tài)電設(shè)備根據(jù)該數(shù)據(jù)位的值來改變狀態(tài)并且具有根據(jù)電設(shè)備(64，66)的狀態(tài)而可變的視覺外表。5.權(quán)利要求4所述的電可尋址設(shè)備，其特征在于，該電設(shè)備(64，66)包括一個被激勵來當(dāng)設(shè)備狀態(tài)改變后改變該電設(shè)備的視覺外表的可視標記。6.權(quán)利要求2所述的電可尋址設(shè)備，其特征在于，該電設(shè)備(102)包括存儲器陣列單元的一個最外層，并且還包括一個在存儲器陣列單元(20)中的顯示層(102)和下一層之間的反射層(106)。7.權(quán)利要求3所述的電可尋址設(shè)備，其特征在于，通過改變信息存儲單元的不透明性或反射率或顏色來改變每個信息存儲單元的視覺外表。8.用于標記一個用于記錄、尋址和讀取數(shù)據(jù)的電可尋址設(shè)備的內(nèi)容的方法，該電可尋址設(shè)備包括一個具有多個數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)層(22)的存儲器陣列單元(20)，每層安置在一個基底(50)上，該方法包括選擇數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的至少一層(102)作為顯示層；和將數(shù)據(jù)電保存在最外層(102)上以提供指示預(yù)選信息的顯示。9.權(quán)利要求8所述的標記方法，其特征在于，還包括將一個反射層(106)放置在顯示層(102)和存儲器陣列單元的剩余層(22)之間的界面上。10.權(quán)利要求8所述的標記方法，其特征在于，該顯示指示任何預(yù)選信息，包括但非限于關(guān)于指示已記錄有數(shù)據(jù)的存儲器陣列單元數(shù)量的數(shù)據(jù)或信息的內(nèi)容的信息。全文摘要一個用于記錄、尋址和讀取數(shù)據(jù)的電可尋址設(shè)備,包括一個具有多個數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)層的存儲器陣列單元,每一層被安置在一個基底上;和與存儲介質(zhì)的至少一層有關(guān)以提供一個顯示指示預(yù)選信息的電標記設(shè)備。該電子標記設(shè)備包括至少一個顯示層,所述顯示層可以部分可視地替換以提供所述顯示。該顯示層還包括多個多態(tài)信息存儲單元,每一個表示至少一個數(shù)據(jù)位的值,其中每一個信息存儲單元視覺外表根據(jù)信息存儲單元的狀態(tài)而變化。本發(fā)明還提供一個用于標記一個用于記錄、尋址和讀取數(shù)據(jù)的電可尋址設(shè)備的內(nèi)容的方法。該方法包括選擇數(shù)據(jù)電保存在最外層上以提供指示諸如存儲器陣列模塊中所保存數(shù)據(jù)特性的預(yù)選信息的顯示。文檔編號G11C17/14GK1374661SQ0210676公開日2002年10月16日申請日期2002年3月7日優(yōu)先權(quán)日2001年3月7日發(fā)明者C·P·陶斯,J·N·霍甘,R·E·埃爾德申請人:惠普公司