專利名稱：光信息記錄媒體、光信息記錄媒體用原盤及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光信息記錄媒體，更詳細地說，涉及具有以脊與槽兩者作為記錄道的光信息記錄媒體。
背景技術(shù)：
可改寫的且能更換的光信息記錄媒體(以后簡作光盤)，已廣泛作為個人計算機用的文件存儲器。為適應(yīng)需求，正開發(fā)用以增加記錄容量的種種技術(shù)。作為提高記錄容量的方法有沿徑向與圓周方向提高記錄密度的方法。
作為沿徑向提高記錄密度的方法，有將脊(平坦部分)與槽(溝部分)兩者用作記錄道的脊-槽記錄格式。這種方法是把過去只以脊或槽的一方作為記錄道的情形，通過將此兩方都用作記錄道來提高記錄密度的方法。
在此種脊-槽記錄方法中，不僅是脊與槽分別有信號質(zhì)量CNR(載波噪聲比)、抖動或道間串?dāng)_等問題，而且還表現(xiàn)為相鄰道中記錄的信號之間即來自與脊鄰接的槽的道間串?dāng)_或來自與槽鄰接的脊之中記錄的信號的道間串?dāng)_的影響。
一般，在脊-槽記錄中，從再生激光的入射面來看，在凹面的脊道與凸面的槽道之間可以看到道間串?dāng)_特性的不同。此外，從脊漏入槽的信號量和從槽漏入脊的信號量是不同的，在注意到上述情形下進行復(fù)雜的設(shè)計乃是當(dāng)前的狀況。
脊與槽作為記錄道是相鄰的，因此CNR與抖動現(xiàn)象也更為復(fù)雜。
另一方面，作為沿圓周方向提高記錄密度的方法有磁感應(yīng)超分辨法(MSR)。這是使比再生光的衍射極限更細微的記錄標志磁性地通過于上層(即所謂再生層)中形成的孔而讀出的技術(shù)。由此能將在衍射極限以下的相鄰標志分離地讀出。
但在將這種脊-槽記錄與上述MSR相組合時，脊與槽兩者在道中的道間串?dāng)_與抖動以及MSR的磁性質(zhì)成為折衷關(guān)系，不存在完全同時滿足兩種情況的設(shè)計方法或最佳設(shè)計方法，因而成為難以解決的問題，曾設(shè)想過，這部分地是由于例如道間串?dāng)_與脊和槽間的傾角有關(guān)，抖動與MSR的磁性則與脊面和槽面的算術(shù)平均糙度以及圖案的形狀有關(guān)。然而并未能求得它們的最優(yōu)組合或可控參數(shù)。
由于未能求得這種最優(yōu)組合，也就沒有求得制造這種光信息記錄媒體的光信息記錄媒體用原盤以及它的制造方法。
本發(fā)明正是鑒于上述事實而提出的，其目的在于提供以脊與槽兩方作為記錄道的信號質(zhì)量高的光信息記錄媒體。

發(fā)明內(nèi)容
上述課題可由下述的本發(fā)明的光信息記錄媒體、光信息記錄媒體用原盤及其制造方法實現(xiàn)。
(1)具體地說，本發(fā)明的光信息記錄媒體是在基片上具有將脊與槽兩方作為記錄道的光信息記錄媒體，其特征在于，上述基片的槽側(cè)面的傾角大于等于25°且小于等于40°，并且上述基片的脊面與槽面的算術(shù)平均值糙度(Ra)都為0.2～0.7nm。具備這樣結(jié)構(gòu)的光信息記錄媒體具有良好的信號質(zhì)量特性，即具有良好的抖動，消磁特性與道間串?dāng)_特性。
上述(1)中記述的光信息記錄媒體中該脊面與該槽面的算術(shù)平均糙度(Ra)的差最好小于等于0.2nm。具備這種結(jié)構(gòu)的光信息記錄媒體，在脊與槽之間的磁平衡良好，具有良好的信號質(zhì)量特性。
上述(1)中記述的光信息記錄媒體中，信息的再生最好用磁感應(yīng)超分辨法(MSR)進行。具有這種結(jié)構(gòu)的光信息記錄媒體，通過使用MSR，能以良好的信號質(zhì)量特性進行更高密度的記錄。
(2)本發(fā)明涉及到對具有將脊與槽兩方作為記錄道的光信息記錄媒體用基片進行復(fù)制制作的光信息記錄媒體用原盤，其特征在于，與該槽側(cè)面對應(yīng)的原盤面的傾角大于等于25°且小于等于40°，并且該脊面與該槽面對應(yīng)的原盤面的算術(shù)平均糙度(Ra)都為0.2～0.7nm。利用這種結(jié)構(gòu)的光信息記錄媒體用原盤，能夠復(fù)制具有良好信號質(zhì)量的光信息記錄媒體。
(3)本發(fā)明的光信息記錄媒體用原盤的制造方法是將具有以脊與槽兩方作為記錄道的光信息記錄媒體用基片進行復(fù)制制作的光信息記錄用原盤的制造方法，其特征在于包括于原盤坯件表面上制成脊與槽形狀的步驟；對形成了該脊與槽形狀的原盤坯件表面進行等離子蝕刻處理，使該槽側(cè)面對應(yīng)的原盤面的傾角大于等于25°且小于等于40°，同時使該脊面與該槽面對應(yīng)的原盤面的算術(shù)平均糙度(Ra)都為0.2～0.7nm的步驟。通過這種制造光信息記錄媒體原盤的方法，能制成可復(fù)制具有良好信號質(zhì)量特性的光信息記錄媒體的光信息記錄媒體用原盤。
上述(3)中記述的光信息記錄媒體用原盤的制造方法的特征還在于，所述等離子蝕刻處理步驟中的等離子發(fā)生氣體是Ar、N2、He或O2。此外，上述(3)中記述的光信息記錄媒體用原盤的制造方法中最好是使脊面與槽面的算術(shù)平均糙度(Ra)的差小于等于0.2nm。通過這種制造光信息記錄媒體原盤的方法，能良好地平衡調(diào)節(jié)脊面與槽面的算術(shù)平均糙度，可以制成復(fù)制具有良好信號質(zhì)量特性的光信息記錄媒體的光信息記錄媒體用原盤。


圖1是將本發(fā)明光信息記錄媒體一例的一部分切除的透視圖。
圖2是本發(fā)明光信息記錄媒體一例的模式剖面圖。
圖3是本發(fā)明光信息記錄媒體一例的透明盤基片的部分透視圖。
圖4是本發(fā)明光信息記錄媒體一例的透明盤基片的部分剖面圖。
圖5是示明實施例1、比較例1與2的抖動特性的曲線圖。
圖6是示明實施例1、比較例1與2的消除磁場特性的曲線圖。
圖7是示明實施例1、比較例1與2的功率裕度特性的曲線圖。
圖8A-8I是示明本發(fā)明光信息記錄媒體用原盤制造方法的工藝的剖面圖。
圖9是已有例的光信息記錄媒體的透明盤基片的部分模式剖面圖。
圖10是示明本發(fā)明的光信息記錄媒體用原盤的制造工藝中等離子蝕刻時間與槽側(cè)面對應(yīng)的原盤面的傾角關(guān)系的曲線圖。
圖11是示明本發(fā)明的光信息記錄媒體用原盤的制造工藝中等離子蝕刻時間與槽側(cè)面對應(yīng)的原盤面的算術(shù)平均糙度的關(guān)系。
具體實施形式本發(fā)明的光信息記錄媒體(簡作光盤)構(gòu)成為在基片上具有以槽與脊兩方作為記錄道，而從該基片的背面照射激光進行記錄與再生。
下面參看

本發(fā)明光盤的一例，但本發(fā)明的光盤不限于實施形式或?qū)嵤├Ｒ簿褪钦f，本發(fā)明的光盤只要是在基片上用槽與脊形成為記錄道的情形都可適用。例如除光磁盤之外，既可以是根據(jù)記錄信號將預(yù)定的微細凹凸圖案形成于信號記錄層上的再生專用光盤，也可以是相變型或應(yīng)用色素的光盤。
第一實施形式圖1是本實施形式的光信息記錄媒體1(以后簡作光盤)經(jīng)部分切除的透視圖。本發(fā)明的光盤1能進行多次的記錄信號的記錄與再生。例如能裝納于光盤盒(未圖示)，可用來相對于記錄再生裝置(未圖示)自由地裝卸。
本發(fā)明的光盤1如圖2所示，于透明光盤基片2上順次疊層第一電介質(zhì)層3、信號記錄/再生層4、第二電介質(zhì)層5、熱擴散層6與保護層7而形成。信號記錄/再生層4由再生層、中間層而后是記錄層組成。
透明光盤基片2如圖3所示，剖面呈溝狀的槽2a與剖面呈臺狀的脊2b沿圓周方向形成螺旋狀。光盤1則構(gòu)成為沿著槽2a與脊2b進行信號的記錄與再生。
于透明光盤基片2中，沿著槽2a形成進行記錄信號的記錄再生的記錄用道。
在本發(fā)明的透明光盤基片2中，于槽和脊兩方進行信號記錄。
圖4中模式地示明了圖3中脊-槽形狀的放大剖面。圖4中的RaL、RaG分別示明脊面的算術(shù)平均糙度與槽面的算術(shù)平均糙度，槽側(cè)面的傾角θ是槽側(cè)面與透明光盤基片2的水平面相交的角度。在此，槽側(cè)面的傾角大于等于25°而小于等于40°，此外脊面的算術(shù)平均糙度RaL與槽面的算術(shù)平均糙度RaG都為0.2～0.7nm。
本發(fā)明的算術(shù)平均糙度是從糙度曲線沿其平均線方向選擇基準長度(1)，計算從此擇取部分的平均線到測定曲線的偏差的絕對值即平均值，可由下式求出Ra=1l∫0l|f(x)|dx]]>在本實施形式中，上述結(jié)構(gòu)的光盤1是用磁感應(yīng)超分辨法(MSR)進行信息的再生。
在取上述結(jié)構(gòu)的透明光盤基片2上，如圖2所示，由常規(guī)方法順次形成第一電介質(zhì)層3、信號記錄/再生層4、第二電介質(zhì)層5、熱擴散層6與保護層7而制成光盤。例如可由濺射法形成第一電介質(zhì)層3、信號記錄/再生層4、第二電介質(zhì)層5與熱擴散層6，而由旋涂法形成保護層7。
這里各個層的厚度，基片為1.2mm，第一電介質(zhì)層3(SiN)為80nm。信號記錄/再生層4由再生層(GdFeCo)40nm，中間層(GdFe)30nm，而后是記錄層(TbFeCo)50nm組成。第二電介質(zhì)層5(SiN)為20nm，熱擴散層6(AlTi)為10nm，保護層7(紫外光固化樹脂)為10μm。
應(yīng)用具有表1所示的脊面與槽面的算術(shù)平均糙度與槽側(cè)面傾角的光盤基片，進行了評價抖動、消除磁場特性與功率裕度特性的試驗，在圖5-7中以曲線圖示明了其結(jié)果，對膜層結(jié)構(gòu)進行了完全相同的試驗。這里的比較例2是已有的制品。
表1

圖5示明各例的抖動特性，圖6示明其消除磁場特性而圖7示明其功率裕度特性。這里的功率裕度特性最終表明道間串?dāng)_發(fā)生時的難易程度。在試驗條件中作為所有試驗項目的共同條件是，讀取用激光的波長為650nm，NA(數(shù)值孔徑)為0.55，線速度為7.5m/see。
(I)有關(guān)抖動的試驗，按以下步驟進行。
1.消除脊與其兩端的槽的記錄。
2.于最優(yōu)條件下對脊進行隨機記錄，由最優(yōu)條件再生，測定抖動(所謂最優(yōu)條件即抖動值為最小的條件)。
于上述1與2的步驟中可將各步驟中的脊與槽交換而置換為下述的1′與2′的步驟。
1′.消除槽與其兩端的脊的記錄。
2′.于最優(yōu)條件下對槽進行隨機記錄，由最優(yōu)條件再生，測定抖動(所謂最優(yōu)條件即抖動值為最小的條件)。
試驗結(jié)果如圖5所示。
(II)消除磁場特性的試驗按以下步驟進行。
1.消除脊與其兩端的槽的記錄。
2.于脊中以最佳功率記錄。
3.以最佳再生功率再生，測量抖動(將其設(shè)為抖動600)。
4.以最大消除磁場(600 Oe)消除后，用最佳功率記錄。
5.以消除磁場(300 Oe)消除后，用最佳功率記錄。
6.以最佳再生功率再生，測量抖動(將其設(shè)為抖動300)。
7.以(抖動300/抖動600)測量消除率。
于上述1與2的步驟中可將各步驟中的脊與槽交換而轉(zhuǎn)換為下述的1′與2′的步驟。
1′.消除槽與其兩端的脊的記錄。
2′.于槽中以最佳功率記錄。
試驗結(jié)果如圖6所示。
(III)有關(guān)功率裕度特性的試驗按以下步驟進行。
1.消除脊與其兩端的槽的記錄。
2.于脊中以最佳條件記錄。
3.于兩端的槽中，以最佳記錄功率的至少5％進行記錄。
4.于Radial Tilt(徑向傾角)＝3.5mrad和Detrack(位移)＝道距的5％進行偏移，測量如下。
5.于脊中使再生功率變化而再生，測定抖動。
6.從抖動的下降(Prmin)到抖動的上升(Prmax)進行測量。
7.將Prmorgin＝{(Prmax-Prmin)/Prmin}×100％設(shè)為XT余量。
8.將抖動上升、抖動下降設(shè)定為抖動值達到11％時的值。
于上述1、2、3與5的步驟中可將各步驟中的脊與槽交換而轉(zhuǎn)換為下述1′、2′、3′、與5′的步驟1′.消去槽與其兩端的脊的記錄。
2′.于槽中以最佳條件記錄。
3′.于兩端的槽中，以最佳記錄功率的至少5％進行記錄。
5′.于槽中使再生功率變化而再生，測定抖動。
試驗結(jié)果如圖7所示。
現(xiàn)在研究圖5至圖7的試驗結(jié)果。
關(guān)于抖動，如圖5所示。對于實施例1與比較例1中脊與槽的抖動，可知其脊與槽雙方的抖動能協(xié)調(diào)地壓低。
與此相反，在比較例2中，槽處的抖動雖然低，但脊處的抖動則高，故不能使兩者協(xié)調(diào)，這種不平衡的抖動特性是不適宜將脊與槽兩方用作為記錄道的。
在實施例1中，脊面的算術(shù)平均糙度提高，這是為了能與槽面的算術(shù)平均糙度有良好的平衡。
觀察圖6所示的消除磁場特性，即知實施例1與比較例1兩者的脊與槽都壓制得比比較例2的低。其原因即是，由于等離子蝕刻，致使脊面的算術(shù)平均糙度加大，而與槽面的算術(shù)平均糙度惡化無關(guān)，有關(guān)消除特性改進原因的詳情尚不明了，但可推測為由于反磁化成為容易實現(xiàn)的表面狀態(tài)而改進了消除特性。
圖7示明了功率裕度特性，表明了相對于道間串?dāng)_的阻力。由于槽側(cè)面的傾角θ一般較平緩，故其道間串?dāng)_加大使讀取特性降低，也即可推測出功率裕度降低。但據(jù)實施例1的試驗結(jié)果可知，當(dāng)槽側(cè)面的傾角為25°，功率裕度不會變差而保持住。這樣，脊與槽的雙方可以認為取平衡態(tài)。與上述相反，比較例1的槽側(cè)面的傾角為19°，功率裕度大幅度減少。
定性地總結(jié)上述結(jié)果則如下表2所示。
表2

(○良，△差，×惡劣)。
從以上試驗結(jié)果可知，根據(jù)實施例1，通過控制記錄面的形狀即透明盤基片的形狀，可知對光盤的磁性可取得以下效果。
1.在改進脊面的抖動的同時，脊與槽雙方間的平衡良好。
2.脊面與槽面一齊改進了消除磁場特性。
3.能使脊面與槽面的功率裕度特性保持成不劣化。
這就是說，根據(jù)本發(fā)明的實施形式，通過控制基片表面的槽與脊的形狀，對于此前成為困惑問題的脊與槽雙方的道間串?dāng)_與抖動以及磁性能都能同時解決。
第二實施形式本發(fā)明的光信息記錄媒體1雖可采用具有前述形狀的透明光盤基片2制作，但此光盤基片也可通過制造和使用下述的光信息記錄媒體用原盤而獲得。這是由于成型后光盤的形狀(傾角與算術(shù)平均糙度)都與壓模(原盤)的形狀相似。
具體地說，光信息記錄媒體用原盤的制造方法是對于具有以脊與槽雙方作為記錄道的光信息記錄媒體的基片進行復(fù)制制作的光信息記錄媒體用原盤的制造方法，其特征在于包括于原盤坯件表面上制作成脊與槽形狀的步驟；以及對形成有該脊與槽形狀的原盤坯件表面進行等離子蝕刻處理，使對應(yīng)于該槽側(cè)面的原盤面的傾角大于等于25°和小于等于40°，且使該脊面與該槽面所對應(yīng)的原盤面的算術(shù)平均糙度(Ra)都成為0.2～0.7nm的步驟。
下面參看圖8A-8I描述此光信息記錄媒體用原盤的制造方法。此方法包括以下各步驟。
首先將用作原盤制造的玻璃板10的表面進行研磨、洗凈(圖8A)；于玻璃板10的表面上涂布抗蝕劑11(圖8B)。然后相對抗蝕劑11的表面，以激光束17曝光進行切削以留下道的形狀(圖8C)；使抗蝕劑11顯象。洗凈，制成于表面上形成有由抗蝕劑殘余部12構(gòu)成了凹凸狀道的玻璃板18(圖D)。
于此玻璃板18的道的表面上，為了進行鍍鎳的準備，例如通過濺射形成非電解電鍍而附著上薄的鎳膜13以使表面導(dǎo)體化(圖8E)，再在其上進行鍍鎳而形成鎳鍍層14(圖8F)。
將此鎳鍍層14從玻璃板18上剝離、洗凈并進行背面研磨，而制成鎳制的原盤15(圖G、圖H)。再于此鎳制原盤15的整個表面上進行等離子蝕刻處理(圖8I)。
本實施形式中于原盤坯件表面上形成脊與槽形狀的步驟(簡稱為第一步驟)包括上述圖8A至圖8H的各步驟。對于這種步驟可采用周知技術(shù)中的種種方法，這里所述的鍍鎳方法乃是其中之一。此外，原盤坯件不局限于上述鎳材。
由上述第一步驟制成的鎳制原盤15的特性是，由于此脊面是在表面狀態(tài)粗糙的抗蝕劑表面進行鍍層的結(jié)果，故對應(yīng)于脊面的原盤面的算術(shù)平均糙度大。亦即如圖9中它的模式剖面圖所示，脊面是處在比槽面為粗的狀態(tài)下，脊面與對應(yīng)于槽面的原盤面的算術(shù)平均糙度不平衡。至此所得的光盤乃是已有的例子，相當(dāng)于前述表1、2中的比較例2。
本發(fā)明中，如圖8I所示，對形成了脊與槽狀的原盤坯件表面再作等離子蝕刻處理。根據(jù)這一步驟(稱作第二步驟)，使對應(yīng)于槽側(cè)面的原盤面的傾角大于等于25°而小于等于40°，同時使脊面與槽面對應(yīng)的原盤面的算術(shù)平均糙度(Ra)都為0.2～0.7nm。
在本實施形式中是把由平行平板設(shè)置基片陰極型的裝置用作等離子蝕刻處理，所用的等離子蝕刻氣體為氬(Ar)氣.
實施例1與比較例1的RF功率、Ar氣壓、處理時間分別為150W、10Pa、3min(實施例1)，以及150W、10Pa、5min(比較例1)。此條件下的鎳膜蝕刻速率約為10nm/min， 測定采用原子力顯微鏡(AFM＝Atomic Force Microscope)。
試驗結(jié)果如圖10與11所示。圖10是示明本實施例的等離子蝕刻時間與槽側(cè)面對應(yīng)的原盤面傾角關(guān)系的曲線圖，圖11是示明本實施例的等離子蝕刻時間與和脊面及槽面對應(yīng)的原盤面的算術(shù)平均糙度的關(guān)系。
如圖10所示，對應(yīng)于槽側(cè)面的原盤面的傾角θ，由于各向異性蝕刻中蝕刻速度對角度的相關(guān)性，隨著蝕刻處理時間的加長而鈍化。此傾角于初始狀態(tài)為40°，例如在實施例1的3分鐘下約25°(圖10中A的部分)，而在比較例1的5分鐘下則為19°(圖10中的B的部分)。
如圖11所示，與脊面和槽面相對應(yīng)的原盤面的算術(shù)平均糙度(Ra)基本上存在于因離子沖擊而劣化的方向。但脊面在第一步驟中，由于在表面狀態(tài)粗的抗蝕劑的表面上形成了鍍層，在初始狀態(tài)下是粗糙的。因此，在等離子蝕刻的初期，算術(shù)平均糙度加大。這就是說，因等離子蝕刻處理而糙化的初始狀態(tài)的脊面所對應(yīng)的原盤面的算術(shù)平均糙度暫時加大。這以后，仍舊繼續(xù)進行等離子蝕刻處理，由于等離子蝕刻的結(jié)果，表面粗糙化，亦即算術(shù)平均糙度單調(diào)地增大。
于是，經(jīng)過一定時間后，停止蝕刻，使得脊與槽兩者的算術(shù)平均糙度停留于相互接近的狀態(tài)，而有助于道間串?dāng)_特性提高等信號質(zhì)量的改進。這樣，用等離子蝕刻法可以控制和脊面與槽面對應(yīng)的原盤面的算術(shù)平均糙度，而控制這種算術(shù)平均糙度便得以提高信號質(zhì)量。
此外，上述實施形式中是用Ar氣進行的等離子蝕刻，但也可用其他種類氣體如N2、He與O2等。
根據(jù)以上所述制作的本發(fā)明的光盤與已有的光盤在特性方面的比較，如前述的表2所示。即在實施例1中，蝕刻的時間為3分鐘，槽側(cè)面的傾角為25°，槽面與脊面兩者的算術(shù)平均糙度都減小而且平衡。因此，抖動等信號質(zhì)量良好。
比較例2是已有的制品，由于處在未施加本發(fā)明的等離子蝕刻處理的狀態(tài)下，槽側(cè)面的傾角加大，且脊面與槽面的算術(shù)平均糙度未能平衡。因此雖然功率剩余特性優(yōu)越，但抖動與消除磁場特性不良。
比較例1由于將本發(fā)明的蝕刻處理時間取為5分鐘，槽側(cè)面的傾角成為19°，因此功率剩余特性變差。
如以上所詳細說明的，根據(jù)本發(fā)明的光信息記錄媒體與光信息記錄媒體用原盤及其制造方法，可取得下述效果。
采用本發(fā)明的光信息記錄媒體，能于脊和側(cè)面方面進行記錄且不會降低其記錄質(zhì)量。也就是說，能使與脊和槽兩方面相關(guān)的抖動，消除磁場特性與功率剩余特性恰當(dāng)?shù)仄胶?，而且能與信號記錄膜的性質(zhì)無關(guān)，僅僅通過形狀就可改進上述特性。本發(fā)明的光信息記錄媒體在沿圓周方向提高記錄密度的MSR方式中特別能發(fā)揮其效果。
此外，根據(jù)本發(fā)明的光信息記錄媒體用原盤及其制造方法，能進行上述記錄媒體的大批量生產(chǎn)，而通過采用等離子蝕刻，使和脊面與槽面對應(yīng)的原盤面的算術(shù)平均糙度容易控制。
權(quán)利要求
1.一種光信息記錄媒體，它是在基片上具有將脊與槽兩方都作為記錄道的光信息記錄媒體，其特征在于，上述基片的槽側(cè)面的傾角大于等于25°且小于等于40°，并且上述基片的脊面與槽面的算述平均糙度(Ra)都為0.2～0.7nm。
2.權(quán)利要求1所述的光信息記錄媒體，其特征在于，上述脊面與槽面的算述平均糙度(Ra)之差小于等于0.2nm。
3.權(quán)利要求1所述的光信息記錄媒體，其特征在于，信息的再生是用磁感應(yīng)超分辨法(MSR)進行的。
4.權(quán)利要求1所述的光信息記錄媒體，其特征在于，在上述基片上順次形成第一電介質(zhì)層、信號記錄層，再生層，第二電介質(zhì)層、熱擴散層與保護層。
5.一種光信息記錄媒體用原盤，它是對具有將脊與槽兩方作為記錄道的光信息記錄媒體用基片進行復(fù)制制作的光信息記錄媒體用原盤，其特征在于，與上述槽側(cè)面對應(yīng)的原盤面的傾角大于等于25°且小于等于40°，且和上述脊面與槽面兩者對應(yīng)的原盤面的算術(shù)平均糙度(Ra)都為0.2～0.7nm。
6.一種光信息記錄媒體用原盤的制造方法，它是將具有以脊與槽兩方作為記錄道的光信息記錄媒體用基片進行復(fù)制制作的光信息記錄用原盤的制造方法，其特征在于包括于原盤坯件表面上制成脊與槽形狀的步驟；對形成了上述脊與槽形狀的原盤坯件表面進行等離子蝕刻處理，使上述槽側(cè)面對應(yīng)的原盤面的傾角大于等于25°且小于等于40°，同時使上述脊面與槽面兩者對應(yīng)的原盤面的算術(shù)平均糙度(Ra)都為0.2～0.7nm的步驟。
7.權(quán)利要求6所述的光信息記錄媒體用原盤的制造方法，其特征在于，上述等離子蝕刻處理步驟中的等離子發(fā)生氣體是Ar、N2、He或O2。
8.權(quán)利要求6所述的光信息記錄媒體用原盤的制造方法，其特征在于，和上述脊面與槽面兩者對應(yīng)的原盤面的算術(shù)平均糙度(Ra)之差小于等于0.2nm。
9.權(quán)利要求6所述的光信息記錄媒體用原盤的制造方法，其特征在于，上述等離子蝕刻處理步驟中的蝕刻時間超過0分鐘而且小于等于3分鐘。
全文摘要
本發(fā)明提供以脊面與槽面兩者作為記錄道的高信號質(zhì)量的光信息記錄媒體，它是在基片上具有將脊與槽兩方作為記錄道而從基片后側(cè)以激光照射進行記錄與再生的光信息記錄媒體，上述槽側(cè)面的傾角大于等于25°且小于等于40°，并且上述脊面與槽面兩者的算術(shù)平均糙度(Ra)都為0.2～0.7nm。
文檔編號G11B7/26GK1465055SQ02802515
公開日2003年12月31日 申請日期2002年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月2日
發(fā)明者竹本宏之, 有馬光雄, 鈴木忠男, 福島義仁, 中山比呂史, 竹內(nèi)厚 申請人:索尼株式會社