專(zhuān)利名稱(chēng)：光記錄媒體和光記錄裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及光記錄媒體，特別涉及凸脊、凹槽記錄方式的磁光記錄媒體。
背景技術(shù)：
作為提高光盤(pán)記錄密度的一種方法，研究出縮短在記錄或再現(xiàn)數(shù)據(jù)時(shí)使用的激光波長(zhǎng)之方法。例如，當(dāng)前3.5英寸的磁光盤(pán)裝置中使用的激光波長(zhǎng)為650nm，但是，通過(guò)將其設(shè)定為波長(zhǎng)405nm的青紫色激光，光點(diǎn)直徑從原來(lái)的約1.0μm減小到0.65μm，從而可執(zhí)行高密度的記錄。
磁光盤(pán)被看作為高密度記錄媒體是眾所周知的，但是，伴隨著信息量的增大，希望更高的高密度化。高密度化通過(guò)縮短記錄標(biāo)記的間隔就能夠?qū)崿F(xiàn)，但是，其再現(xiàn)因媒體上光束的大小(光點(diǎn))而受到限制。在設(shè)定為在光點(diǎn)內(nèi)僅僅存在一個(gè)記錄標(biāo)記的情況下，能夠?qū)㈦S著記錄標(biāo)記有或是沒(méi)有而與“1”、“0”相對(duì)應(yīng)的輸出波形作為再現(xiàn)信號(hào)進(jìn)行觀測(cè)。
但是，如果縮短記錄標(biāo)記的間隔，以使其在光點(diǎn)內(nèi)存在多個(gè)，則即便媒體上的光點(diǎn)移動(dòng)，在再現(xiàn)輸出中也沒(méi)有產(chǎn)生變化，由此，輸出波形變?yōu)橹本€，從而不能識(shí)別是否有記錄標(biāo)記。為了再現(xiàn)這種具有光點(diǎn)以下周期的小記錄標(biāo)記，可以縮小光點(diǎn)，但是，光點(diǎn)大小受光源波長(zhǎng)λ和物鏡的數(shù)值孔徑NA的制約，不能充分減小。
最近，市場(chǎng)上銷(xiāo)售一種采用磁感應(yīng)超清晰(magnetically Inducedsuper resolutionMSR)技術(shù)的再現(xiàn)方法之磁光盤(pán)裝置，這種MSR技術(shù)原樣不動(dòng)地使用現(xiàn)有的光學(xué)系統(tǒng)來(lái)再現(xiàn)光點(diǎn)以下的記錄標(biāo)記。MSR是通過(guò)在再現(xiàn)光點(diǎn)內(nèi)的一個(gè)標(biāo)記時(shí)屏蔽其他標(biāo)記，來(lái)提高再現(xiàn)分辨率的一種再現(xiàn)方法。為此，在超清晰光盤(pán)媒體中，在用于記錄各標(biāo)記的記錄層以外，最少還需要為了在信號(hào)再現(xiàn)時(shí)僅僅再現(xiàn)一個(gè)標(biāo)記而隱藏其他標(biāo)記的屏蔽層或再現(xiàn)層。
例如，已經(jīng)提出了一種CAD(中心孔徑檢測(cè))型的MSR媒體，即在再現(xiàn)層和記錄層之間插入一個(gè)非磁性層，通過(guò)借助于靜磁耦合記錄層的記錄標(biāo)記而復(fù)制到再現(xiàn)層上，從而執(zhí)行信息再現(xiàn)。作為再現(xiàn)層，使用在室溫下在平面內(nèi)方向具有易磁化性的平面膜，由于僅有因激光束的照射而變?yōu)楦邷夭糠值挠涗泴又涗洏?biāo)記被復(fù)制在再現(xiàn)層上，而由再現(xiàn)層屏蔽了再現(xiàn)部分以外的標(biāo)記，因此能夠?qū)崿F(xiàn)超清晰再現(xiàn)。利用CAD媒體，則由于孔徑部以外的再現(xiàn)層磁化是在平面內(nèi)而不能被檢測(cè)出，所以強(qiáng)烈地抑制了來(lái)自相鄰磁道的串?dāng)_，從而可以使軌跡變窄。
近年來(lái)，作為實(shí)現(xiàn)光盤(pán)高密度化的手段，展開(kāi)了利用短波長(zhǎng)激光或高NA透鏡等光束半徑縮小化開(kāi)發(fā)。例如，在使用當(dāng)前磁光盤(pán)裝置中使用的波長(zhǎng)650nm、數(shù)值孔徑NA 0.55的透鏡之光學(xué)系統(tǒng)中，光點(diǎn)直徑約1.0μm(1/e2)，但是，既便是相同NA 0.55的透鏡，由于將光束波長(zhǎng)設(shè)定為405nm，因而會(huì)得到0.65μm左右的光點(diǎn)直徑。由于借助于減小光點(diǎn)直徑來(lái)提高分辨率，因此，能夠記錄小標(biāo)記，從而提高記錄密度。由于因光束波長(zhǎng)從650nm變更為405nm導(dǎo)致標(biāo)記長(zhǎng)度和磁跡間距也減小，因此，能夠期待記錄密度提高大約2.5倍。
但是，如果用波長(zhǎng)405nm的激光束來(lái)記錄再現(xiàn)已有波長(zhǎng)650nm的激光束用的CAD媒體，則可以看到利用波長(zhǎng)換算后的標(biāo)記長(zhǎng)度沒(méi)有得到充分的記錄再現(xiàn)信號(hào)品質(zhì)。例如，使用波長(zhǎng)650nm的激光束之CAD媒體盡管得以實(shí)用化，但是，在其最短標(biāo)記長(zhǎng)度0.40μm中，得到了約45dB的CN比。我們可以認(rèn)識(shí)到存在以下問(wèn)題如果利用光束直徑來(lái)執(zhí)行換算，則如果使用405nm的激光束，則利用0.25μm的標(biāo)記，就得不到45dB左右的CN比，實(shí)際上，利用0.25μm的標(biāo)記長(zhǎng)度，既便使用405nm的激光束進(jìn)行記錄再現(xiàn)，連42dB左右的CN比都得不到。我們很清楚這個(gè)問(wèn)題，在將凸脊和凹槽用記錄道的磁光記錄媒體中，在凸脊部非常顯著，其并不僅限于CAD方式的磁光記錄媒體，對(duì)于一般的磁光記錄媒體也是一樣，在使用波長(zhǎng)405nm的青紫色激光束的情況下，在凸脊的再現(xiàn)時(shí)，得不到充分的CN比。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種光記錄媒體，在使用短波長(zhǎng)激光的小光束直徑上，可實(shí)現(xiàn)凸脊和凹槽都良好的記錄再現(xiàn)特性。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種光存儲(chǔ)裝置，在使用短波長(zhǎng)激光的小光束直徑上，可實(shí)現(xiàn)凸脊和凹槽都良好的記錄再現(xiàn)特性。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面是一種光記錄媒體，其具有由凸脊和凹槽構(gòu)成的記錄道，在記錄再現(xiàn)中使用的激光束在記錄媒體面上的直徑小于或等于0.7μm。本發(fā)明提供了這樣一種光記錄媒體其具有包含交替形成的多個(gè)凸脊和多個(gè)凹槽的透明基板；以及設(shè)置于該透明基板上的可光記錄的記錄層，其特征在于，當(dāng)設(shè)前述各凸脊和各凹槽的邊界中心高度上的凸脊寬度為w1、凸脊的平坦頂部寬度為w2、各凹槽的深度為d時(shí)，則0.4≤w2/w1≤0.8且25nm≤d≤45nm，至少所述各凸脊具有曲面形狀的邊緣部。
最好是，各凹槽具有曲面形狀的邊緣部，記錄層由包含稀土類(lèi)過(guò)渡金屬材料構(gòu)成的磁光記錄層構(gòu)成。
根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)側(cè)面是一種磁光記錄媒體，它具有由凸脊和凹槽構(gòu)成的記錄道，在記錄再現(xiàn)中使用的激光束在記錄媒體面中的直徑小于或等于0.7μm。其包含透明基板，具有交替形成的多個(gè)凸脊和多個(gè)凹槽；再現(xiàn)層，設(shè)置于該透明基板上，由相對(duì)的克爾轉(zhuǎn)角大、在室溫下的保持力小的稀土類(lèi)過(guò)渡金屬材料構(gòu)成；以及，記錄層，設(shè)置于該再現(xiàn)層上，由相對(duì)的克爾轉(zhuǎn)角小，在室溫下的保持力大的稀土類(lèi)過(guò)渡金屬材料構(gòu)成。其特征在于，當(dāng)設(shè)前述各凸脊和各凹槽的邊界中心高度上的凸脊寬度為w1、凸脊的平坦頂部寬度為w2、各凹槽的深度為d時(shí)，則0.4≤w2/w1≤0.8且25nm≤d≤45nm，
至少所述各凸脊具有曲面形狀的邊緣部。
根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)側(cè)面，提供了一種磁光記錄媒體，它具有由凸脊和凹槽構(gòu)成的記錄道，在記錄再現(xiàn)中使用的激光束在記錄媒體面中的直徑小于或等于0.7μm。其特征在于，其包含透明基板，具有交替形成的多個(gè)凸脊和多個(gè)凹槽；第一再現(xiàn)層，設(shè)置于該透明基板上，具有室溫下容易在平面內(nèi)方向磁化的特性；第二再現(xiàn)層，設(shè)置于該第1再現(xiàn)層上，具有室溫下容易在平面內(nèi)方向磁化的特性；設(shè)置于該第二再現(xiàn)層上的非磁性屏蔽層；記錄層，設(shè)置于該非磁性屏蔽層上，單層中具有室溫下垂直方向容易磁化的特性；設(shè)置于該記錄層上的非磁性保護(hù)層；以及，設(shè)置于該非磁性保護(hù)層上的金屬層，當(dāng)設(shè)前述各凸脊和各凹槽的邊界中心高度上的凸脊寬度為w1、凸脊的平坦頂部寬度為w2、各凹槽的深度為d時(shí)，則0.4≤w2/w1≤0.8且25nm≤d≤45nm至少所述各凸脊具有曲面形狀的邊緣部。
最好是，設(shè)第1和第2再現(xiàn)層的居里溫度分別為T(mén)c1、Tc2時(shí)，Tc2≤Tc1且165℃≤Tc2≤190℃最好是，設(shè)第1再現(xiàn)層具有25nm～35nm的膜厚tr1、第2再現(xiàn)層的膜厚為tr2時(shí)，tr1×0.3≤tr2≤tr1×0.4最好是，非磁性材料保護(hù)層具有5nm～15nm的膜厚，金屬層具有50nm～90nm的膜厚，非磁性屏蔽層具有0.5nm～2nm的膜厚。
根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)側(cè)面，提供了一種光存儲(chǔ)裝置，至少可以讀出存儲(chǔ)在具有由凸脊和凹槽構(gòu)成的記錄道之光記錄媒體內(nèi)的信息。其特征在于，其包含光學(xué)頭，用于將在記錄媒體面上的光束直徑小于或等于0.7μm的激光光束照射到所述光記錄媒體上；以及，光檢測(cè)器，利用由所述光記錄媒體反射的反射光來(lái)產(chǎn)生再現(xiàn)信號(hào)。所述光記錄媒體包含透明基板，具有交替形成的多個(gè)凸脊和多個(gè)凹槽；以及，設(shè)置于該透明基板上的可執(zhí)行光記錄的記錄層。當(dāng)設(shè)前述各凸脊和各凹槽的邊界中心高度上的凸脊寬度為w1、凸脊的平坦頂部寬度為w2、各凹槽的深度為d時(shí)，則0.4≤w2/w1≤0.8且25nm≤d≤45nm至少所述各凸脊具有曲面形狀的邊緣部。


圖1是凸脊·凹槽記錄用光記錄媒體的局部剖面圖；圖2是本發(fā)明第1實(shí)施例的磁光記錄媒體結(jié)構(gòu)圖；圖3是本發(fā)明第2實(shí)施例的磁光記錄媒體結(jié)構(gòu)圖；圖4是本發(fā)明第3實(shí)施例的磁光記錄媒體結(jié)構(gòu)圖；圖5是本發(fā)明第4實(shí)施例的磁光記錄媒體結(jié)構(gòu)圖；圖6是本發(fā)明第5實(shí)施例的磁光記錄媒體結(jié)構(gòu)圖；圖7是本發(fā)明試驗(yàn)中使用的具有矩形凹槽(矩形凸脊)的基板的照片；圖8是本發(fā)明試驗(yàn)中使用的具有圓形凹槽(圓形凸脊)的基板的照片；圖9圖示了圖4所示第3實(shí)施例中磁光記錄媒體(CAD媒體)的CN比與w2/w1的相關(guān)性。
圖10圖示了圖4所示磁光記錄媒體(CAD媒體)的CN比與溝深的相關(guān)性；圖11圖示了圖5所示第4實(shí)施例的磁光記錄媒體(通常為MO媒體)的CN比與w2/w1的相關(guān)性；圖12圖示了圖5所示第4實(shí)施例的磁光記錄媒體(通常的MO媒體)與溝深的相關(guān)性；圖13圖示了圖6所示第5實(shí)施例的磁光記錄媒體(雙層膜媒體)的CN比與w2/w1的相關(guān)性；圖14圖示了圖6所示第5實(shí)施例的磁光記錄媒體(雙層膜媒體)的CN比與溝深的相關(guān)性；圖15圖示了圖4所示第3實(shí)施例的磁光記錄媒體之CN比與第2再現(xiàn)層之居里溫度Tc的相關(guān)性；
圖16圖示了第3實(shí)施例的磁光記錄媒體的CN比與第1再現(xiàn)層膜厚的相關(guān)性；圖17圖示了第3實(shí)施例的磁光記錄媒體的CN比與第2再現(xiàn)層膜厚的相關(guān)性；圖18圖示了第3實(shí)施例的磁光記錄媒體的CN比與非磁性屏蔽層膜厚的相關(guān)性；圖19圖示了第3實(shí)施例的磁光記錄媒體的CN比與保護(hù)層膜厚的相關(guān)性；圖20圖示了第3實(shí)施例的磁光記錄媒體的記錄敏感度與保護(hù)層膜厚的相關(guān)性；圖21圖示了第3實(shí)施例的磁光記錄媒體的CN比與Al層膜厚的相關(guān)性；圖22圖示了第3實(shí)施例的磁光記錄媒體的記錄靈敏度與Al層膜厚的相關(guān)性；圖23是本發(fā)明光盤(pán)裝置的框圖；圖24是加載了MO盤(pán)盒的裝置內(nèi)部結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖。
具體實(shí)施例方式
參照?qǐng)D1，其中顯示了本發(fā)明的凸脊、凹槽記錄用光記錄媒體的局部剖面圖。光記錄媒體2通常為盤(pán)狀。由玻璃或聚碳酸酯等形成的透明基板4，具有交替形成的凸脊8和凹槽10?；?上相鄰的凸脊8和凹槽10之中心間隔(間距)例如為0.40μm，在基板4上層疊有記錄層6?；?的凸脊8和凹槽10的階梯差例如為35nm。能夠應(yīng)用于本發(fā)明的光記錄媒體2是至少以凸脊和凹槽為記錄道的光學(xué)記錄媒體即可。作為記錄層6，例如可以采用磁光記錄層、相變型記錄層等。
將基板4上形成的凸脊8的邊緣部8a和凹槽10的邊緣部10a全都制成具有規(guī)定曲率半徑的曲面形狀。再有，如在后將要詳細(xì)說(shuō)明的那樣，如果設(shè)各凸脊8和各凹槽10的邊界中心高度上的凸脊8的寬度為w1、凸脊8的平坦頂部寬度為w2、各凹槽10的深度為d時(shí)，則最好0.4≤w2/w1≤0.8且25nm≤d≤45nm。
在制造光記錄媒體2時(shí)，凹槽和凹坑是預(yù)先作在透明基板上的。具體而言，使用具有有源(positive)型抗蝕(resist)膜的壓模(stamper)，在除去相當(dāng)于凹槽和凹坑的部分以后的部分上，曝光激光光束。接下來(lái)，顯像并執(zhí)行刻蝕，形成相當(dāng)于凹槽和凹坑的突起的部分。其中，為了在相當(dāng)于凸脊的邊緣部或凹槽的邊緣部的部分保持規(guī)定曲率，利用離子銑削、濺射等來(lái)執(zhí)行刻蝕。將如此作成的壓模安裝在射出成形機(jī)的模具上，將聚碳酸酯等數(shù)值提供給射出成形機(jī)，從而作成具有交替形成凸脊8和凹槽10的透明基板4。之后，在透明基板4的復(fù)制面(形成凹槽或凹坑的面)上形成記錄層、保護(hù)層以及反射層，從而完成光記錄媒體。例如在特開(kāi)平11-232707號(hào)中就記載了這種基板制造方法。
圖2顯示了本發(fā)明第1實(shí)施例的磁光記錄媒體12A的結(jié)構(gòu)圖。圖1所示的透明基板4上，由SiN構(gòu)成的襯底電介質(zhì)層14、由GdFeCo構(gòu)成的再現(xiàn)層16、由SiN構(gòu)成的非磁性層18、由TbFeCo構(gòu)成的記錄層20按照這種順序?qū)盈B在一起。此外，在記錄層20上，還層疊了一個(gè)SiN保護(hù)層22、包含Al的金屬層24。本實(shí)施例的磁光記錄媒體12A，是記錄層20的記錄標(biāo)記借助于靜磁耦合而被復(fù)制到再現(xiàn)層16上的CAD(中心孔徑檢測(cè))型的磁感應(yīng)超清晰(MSR)媒體。再現(xiàn)層16，與記錄層20相比，克爾旋轉(zhuǎn)角相對(duì)較大，而室溫下的保磁力較小。另一方面，記錄層20與再生層16相比較，克爾旋轉(zhuǎn)較相對(duì)較小，在室溫下的保磁力相對(duì)較大。
圖3顯示了本發(fā)明第2實(shí)施例的磁光記錄媒體12B的結(jié)構(gòu)圖。圖1所示的透明基板4上，按順序?qū)盈B了由SiN構(gòu)成的襯底電介質(zhì)層14、由GdFeCo構(gòu)成的第一再現(xiàn)層26、由GdFe構(gòu)成的第2再現(xiàn)層28、由SiN構(gòu)成的非磁性層30、由TbFeCo構(gòu)成的記錄層32。在記錄層32上，層疊了SiN保護(hù)層22、含有Al的金屬層24。金屬層24也可以由以Au、Cu、Ag為主要成份的材料構(gòu)成。本實(shí)施例的磁光記錄媒體12B也是以下這種CAD型MSR媒體，即記錄層32的記錄標(biāo)記借助于靜磁耦合而被復(fù)制到第2再現(xiàn)層28和第1再現(xiàn)層26上。第1再現(xiàn)層26和第2再現(xiàn)層28具有在室溫下在平面內(nèi)方向上容易磁化的特性。另一方面，記錄層32在單層中具有在室溫下在垂直方向容易磁化的特性。
圖4顯示了本發(fā)明第3實(shí)施例的磁光記錄媒體12C的結(jié)構(gòu)圖。圖1所示的透明基板4上，按順序?qū)盈B了由SiN構(gòu)成的襯底電介質(zhì)層14、由GdFeCo構(gòu)成的第一再現(xiàn)層26、由GdFe構(gòu)成的第2再現(xiàn)層28、由SiN構(gòu)成的非磁性層30、由TbFeCo構(gòu)成的記錄層32。在記錄層32上，還層疊了由GdFeCo構(gòu)成的記錄輔助層34、SiN保護(hù)層22、含有Al的金屬層24。本實(shí)施例的磁光記錄媒體12C也是以下這種CAD型MSR媒體，即記錄層32的記錄標(biāo)記借助于靜磁耦合而被復(fù)制到第2再現(xiàn)層28和第1再現(xiàn)層26上。第1再現(xiàn)層26和第2再現(xiàn)層28，具有在室溫下在平面內(nèi)方向容易磁化的特性。另一方面，記錄層32在單層中具有在室溫下在垂直方向容易磁化的特性。
圖5顯示了本發(fā)明第4實(shí)施例的磁光記錄媒體12D的結(jié)構(gòu)圖。圖1所示的透明基板4上，按順序?qū)盈B了由SiN構(gòu)成的襯底電介質(zhì)層14、由TbFeCo構(gòu)成的記錄層36、由GdFeCo構(gòu)成的記錄輔助層38、SiN保護(hù)層22、含有Al的金屬層24。本實(shí)施例的磁光記錄媒體12D是普通類(lèi)型的磁光記錄媒體。
圖6顯示了本發(fā)明第5實(shí)施例的磁光記錄媒體12E的結(jié)構(gòu)圖。圖1所示的透明基板4上按以下順序?qū)盈B了由SiN構(gòu)成的襯底電介質(zhì)層14、由GdFeCo構(gòu)成的再現(xiàn)層39、由TbFeCo構(gòu)成的記錄層36、由GdFeCo構(gòu)成的記錄輔助層38。在記錄輔助層38上，層疊了SiN保護(hù)層22、含有Al的金屬層24。本實(shí)施例的磁光記錄媒體12E是具有再現(xiàn)層39和記錄層36的雙層膜媒體。
接下來(lái)，就圖4所示的第3實(shí)施例的磁光記錄媒體12C的制造方法進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。具有多個(gè)相鄰的凸脊8和凹槽10的間隔(道間距)為0.40μm、改變了圖1的w2/w1的值和凹槽10的深度d的基板4。將基板插入到具有真空度小于等于5×10-5Pa的成膜室(chamber)(sputter chamber濺射室)的靜止相向型濺射裝置內(nèi)。首先，將上述基板傳送到安裝了Si靶(target)的第1室內(nèi)，導(dǎo)入Ar氣體和N2氣體，之后，利用反應(yīng)性濺射來(lái)成膜一個(gè)40nm的SiN層。
接下來(lái)，將基板移動(dòng)到安裝了Gd30Fe56Co14合金靶(target)的第2室內(nèi)，導(dǎo)入Ar氣體，之后，利用DC濺射在室溫下成膜由富含RE組分(REリツチ組成)(補(bǔ)償溫度大于或等于室溫)的Gd30Fe56Co14構(gòu)成的第1再現(xiàn)層26。第1再現(xiàn)層26的居里溫度為300℃。接下來(lái)，將基板移動(dòng)到安裝了Gd靶和Fe靶的第3室內(nèi)，導(dǎo)入Ar氣體，之后，利用DC濺射成膜一個(gè)由GdFe構(gòu)成的第2再現(xiàn)層28。第1再現(xiàn)層26通過(guò)調(diào)整濺射時(shí)間來(lái)調(diào)整膜厚。在第2再現(xiàn)層28的成膜中，通過(guò)變更Gd靶和Fe靶的投入功率和成膜時(shí)間，來(lái)調(diào)整組分和膜厚。第2再現(xiàn)層28通過(guò)調(diào)整Gd和Fe的組分來(lái)改變居里溫度。即，在13at％～21at％的范圍內(nèi)改變第2再現(xiàn)層28的Gd組分。Gd 13％下的居里溫度為150℃，Gd 21％下的居里溫度為200℃。
接下來(lái)，使基板返回第1室，成膜SiN非磁性屏蔽層30。SiN非磁性屏蔽層30通過(guò)改變成膜時(shí)間來(lái)調(diào)整膜厚。接下來(lái)，將基板移動(dòng)到安裝了Tb19Fe70Co11合金靶的第4室內(nèi)，導(dǎo)入Ar氣體，之后，通過(guò)DC濺射而以50nm的厚度成膜由Tb19Fe70Co11構(gòu)成的記錄層32。記錄層32的居里溫度為210℃。接下來(lái)，將基板移動(dòng)到安裝了Gd20Fe64Co16合金靶的第5室內(nèi)，導(dǎo)入Ar氣體，并利用DC濺射，以6nm的厚度成膜由Gd20Fe64Co16構(gòu)成的記錄輔助層34。
接下來(lái)，將基板移動(dòng)到第1室內(nèi)，成膜SiN保護(hù)層22。另外，將基板移動(dòng)到安裝了包含1.5wt％的Ti的AlTi合金靶的第6室內(nèi)，成膜一個(gè)AlTi金屬層24。保護(hù)層22和金屬層24通過(guò)改變成膜時(shí)間來(lái)調(diào)整其膜厚。在金屬層24上實(shí)施紫外線固化樹(shù)脂的涂敷，做成圖4所示的磁光記錄媒體12C。
分別在表1和表2內(nèi)，顯示了在2個(gè)基板溝中，對(duì)利用以上方法做成的磁光記錄媒體12C的本發(fā)明的成膜基準(zhǔn)條件及其CN比進(jìn)行比較的結(jié)果。在圖7和圖8中顯示了溝形狀的照片。
表1

表2

做成的磁光記錄媒體12C中，在記錄標(biāo)記的長(zhǎng)度0.25μm、線速度7.5m/s的條件下，使用405nm的激光束(物鏡的NA＝0.55)來(lái)執(zhí)行光調(diào)制記錄，并利用頻譜分析儀來(lái)測(cè)量C/N比。正如從表2中可以看出的那樣，在圖7的矩形溝中，凸脊的CN比低，僅僅獲得了約42dB，但是，圖8的圓形溝或曲面溝中，即便是凸脊也得到了將近46dB的CN比。另外，其中，利用對(duì)基板表面的紫外線照射時(shí)間來(lái)調(diào)整溝的形狀。
接下來(lái)，做成了固定為表1的成膜條件，而改變了基板的w2/w1和溝深后的樣本，并在圖9和圖10中顯示了測(cè)量的凸脊的CN比結(jié)果。設(shè)圖9中改變了w2/w1后的基板的溝深為30nm，設(shè)圖10中改變了溝深的基板的w2/w1為0.6。根據(jù)圖9可看出，CN比在w2/w1變大的近似于矩形的溝形狀下急劇降低。反之，如果w2/w1變小，則由于受到除去相鄰軌道時(shí)的熱影響之后，消除了記錄標(biāo)記，從而CN比降低。其中，相鄰軌跡的消除功率被設(shè)定為比能夠完全消除所記錄的標(biāo)記的功率還要高15％的功率。根據(jù)圖9可看出，w2/w1最好為CN比大于等于45dB的0.4～0.8的范圍。根據(jù)圖10可看出，溝深最好為CN大于等于45dB的25nm～45nm的范圍。
對(duì)于圖5所示的單層記錄層的普通磁光記錄媒體12D和具有圖6所示的再現(xiàn)層39和記錄層36的雙層膜磁光記錄媒體12E，也執(zhí)行相同的實(shí)驗(yàn)。在圖5和圖6所示的媒體的各層條件與圖4所示的CAD媒體相同。設(shè)記錄標(biāo)記長(zhǎng)度為0.45μm，則執(zhí)行相同測(cè)量的結(jié)果顯示于圖11～圖14中。圖11是普通MO媒體的CN比與w2/w1的相關(guān)性，圖12是普通MO媒體的CN比與溝深的相關(guān)性。圖13是雙層膜媒體的CN比與w2/w1的相關(guān)性，圖14顯示了雙層膜媒體的CN比與溝深的相關(guān)性。根據(jù)這些結(jié)果可以看出在單層記錄層的普通MO媒體和雙層膜MO媒體中，也獲得了與圖4所示的CAD媒體幾乎相同的結(jié)果。即，w2/w1最好在CN大于等于45dB的0.4～0.8范圍，溝深最好在CN比大于等于45dB的25nm～45nm的范圍內(nèi)。凸脊和凹槽的邊緣部的曲率半徑最好不太大。即便大致取沒(méi)有棱角的面，也能充分抑制串?dāng)_，從而改善CN比。
接下來(lái)，以表1的本發(fā)明的基準(zhǔn)條件為中心，做成了多個(gè)使用溝深30nm、w2/w1＝6/10的基板并改變膜的各設(shè)計(jì)因子的參數(shù)的樣本，利用凸脊來(lái)執(zhí)行測(cè)量。在表3中顯示了本發(fā)明基準(zhǔn)條件和已有條件的比較。
表3

圖15中顯示了改變第2再現(xiàn)層28的Gd組分，從而改變了居里溫度Tc時(shí)的CN比。根據(jù)圖15可以看出，第2再現(xiàn)層28的居里溫度在160℃～190℃的范圍內(nèi)，獲得了大于等于44dB的良好的CN比。圖16中顯示了對(duì)應(yīng)于第1再現(xiàn)膜26的膜厚的變化，CN比所發(fā)生的變化。圖17中顯示了對(duì)應(yīng)于第2再現(xiàn)層膜厚比(％)(第2再現(xiàn)層28的膜厚/第1再現(xiàn)層26的膜厚)，CN比所發(fā)生的變化。根據(jù)圖16可以看出，第1再現(xiàn)層26的膜厚在不足25nm時(shí)CN比急劇降低，若大于30nm則CN比緩慢降低。為了獲得大于等于44dB的CN比，最好為小于或等于35nm的膜厚。第2再現(xiàn)層28的膜厚依賴(lài)于第1再現(xiàn)層26的膜厚，如圖17所示，第2再現(xiàn)層28的膜厚相對(duì)于第1再現(xiàn)層26的膜厚在30％～40％的范圍內(nèi)得到了良好的CN比。
在圖18中顯示了CN比對(duì)于非磁性屏蔽層30的膜厚的相關(guān)性。屏蔽層30的膜厚不足0.5nm時(shí)，則記錄層32和再現(xiàn)層26、28間的交換耦合力急劇增大，產(chǎn)生了用于妨礙記錄層32和再現(xiàn)層26、28間的靜磁耦合力的CN比的急劇降低。另一方面，由于如果增厚了非磁性屏蔽層30，則靜磁耦合力降低，所以，記錄標(biāo)記的復(fù)制性降低，CN比降低。因此，為了獲取良好的CN比，非磁性屏蔽層30的膜厚最好為0.5nm～2.0nm的范圍。
圖19顯示了CN比與保護(hù)層22的膜厚相關(guān)性。圖20顯示了記錄靈敏度而保護(hù)層22的膜厚的相關(guān)性。若增厚保護(hù)層22，則CN比降低，記錄功率(Pw)降低。一般而言，在光記錄中，為了提高傳輸比率，必須要高速旋轉(zhuǎn)，但是，如果將轉(zhuǎn)數(shù)設(shè)定為高從而使線速度增高，則就會(huì)使記錄時(shí)必需的激光功率變高。特別是，由于適用于高密度記錄的青紫色激光與紅色激光相比，其輸出低，因此，為了高線速化，必須將媒體的記錄功率盡可能地抑制為低。根據(jù)圖19和圖20，為了獲得低的記錄功率、良好的CN比，保護(hù)層22的膜厚最好為5nm～15nm的范圍。
圖21顯示了CN比對(duì)于AlTi層24的膜厚相關(guān)性，圖22顯示了記錄敏感度對(duì)于AlTi層24的膜厚相關(guān)性。AlTi層24的膜厚越厚，則CN比越大，但是記錄功率Pw也會(huì)上升。為了在低的記錄功率下獲取良好的CN比，AlTi層24的膜厚最好為50nm～90nm的范圍。
參照?qǐng)D23，其中顯示了根據(jù)本發(fā)明的光盤(pán)裝置的電路框圖。本發(fā)明的光盤(pán)裝置，是由控制器單元40和附件(enclosure)41構(gòu)成。在控制器單元40中，設(shè)置了執(zhí)行光盤(pán)裝置整體控制的MPU 42、在與前一級(jí)裝置之間執(zhí)行指令和數(shù)據(jù)的交換的接口47、對(duì)光盤(pán)執(zhí)行數(shù)據(jù)讀寫(xiě)所必需的處理之光盤(pán)控制器(ODC)44、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)46、緩沖存儲(chǔ)器48。緩沖存儲(chǔ)器48為MPU 42、光盤(pán)控制器44、以及前一級(jí)接口47所共用。
在光盤(pán)控制器44中，設(shè)置了格式器44a和ECC處理部44b。在寫(xiě)入訪問(wèn)時(shí)，格式器44a將NRZ寫(xiě)數(shù)據(jù)按媒體扇區(qū)單位進(jìn)行分割，產(chǎn)生記錄格式。ECC處理部44b按扇區(qū)寫(xiě)入數(shù)據(jù)單位來(lái)產(chǎn)生ECC碼，并將其添加到記錄格式內(nèi)，此外，如果需要還產(chǎn)生、附加CRC碼。另外，將ECC編碼完畢的扇區(qū)數(shù)據(jù)變換為例如是1-7RLL碼。
格式器44a產(chǎn)生從OS執(zhí)行訪問(wèn)時(shí)所使用的邏輯塊地址(LBA)。該LBA根據(jù)光盤(pán)媒體的記錄容量而被預(yù)先編程，該程序以軟件形式被存儲(chǔ)在格式器44a內(nèi)。在格式器44a內(nèi)，存儲(chǔ)有將LBA轉(zhuǎn)換為道地址和扇區(qū)地址的程序。另外，還在格式器44a內(nèi)存儲(chǔ)有在對(duì)光盤(pán)媒體進(jìn)行物理格式化時(shí)所發(fā)現(xiàn)的缺陷扇區(qū)號(hào)。
在讀訪問(wèn)時(shí)，對(duì)解調(diào)的扇區(qū)讀數(shù)據(jù)執(zhí)行1-7RLL逆變換，在ECC處理部44b內(nèi)，在執(zhí)行CRC校驗(yàn)后執(zhí)行誤差檢測(cè)校正，另外，在格式器44a內(nèi)，連接扇區(qū)單位的NRZ數(shù)據(jù)，并將其作為NRZ讀數(shù)據(jù)流傳送到前一級(jí)裝置中。寫(xiě)入LSI電路50受光盤(pán)控制器44的控制。LSI電路50具有寫(xiě)調(diào)制部51和激光二極管控制電路52。激光二極管控制電路52的輸出被提供給設(shè)置于附件41一側(cè)的光學(xué)單元內(nèi)的激光二極管單元60。
激光二極管單元60具有激光二極管60a和監(jiān)視用光電檢測(cè)器60b。寫(xiě)入調(diào)制部51將寫(xiě)入數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為PPM記錄或PWM記錄的數(shù)據(jù)格式。作為使用激光二極管單元60來(lái)執(zhí)行記錄再現(xiàn)的光盤(pán)、即可擦寫(xiě)的磁光(MO)盤(pán)盒式(cartridge)媒體，本發(fā)明的光盤(pán)裝置能夠使用128MB、230MB、540MB、640MB、1.3GB以及本發(fā)明的光記錄媒體的任何一種。若物鏡的數(shù)值孔徑(NA)大于等于0.55，則使用波長(zhǎng)405nm的青紫色激光，可以與本發(fā)明的光記錄媒體進(jìn)行后級(jí)互換。
其中，對(duì)于128MB、230MB的MO盒式媒體，采用了按照媒體上標(biāo)記的有無(wú)來(lái)記錄數(shù)據(jù)的凹坑位置記錄(PPM記錄)。媒體的記錄格式為CAV(恒角速度)。就可高密度記錄的540MB、640MB以及1.3GB的MO盒式媒體而言，采用了使標(biāo)記的邊緣部分，即標(biāo)記的前緣和后緣與數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的脈沖寬度記錄(PWM記錄)。另外，還采用了分區(qū)CAV。
如此，本發(fā)明的光盤(pán)裝置可與128MB、230MB、540MB、640MB或1.3GB的各種記錄容量的MO盒式媒體相對(duì)應(yīng)。因此，光盤(pán)裝置中，在加載MO盤(pán)時(shí)，首先，讀取位于媒體頭部的由多個(gè)預(yù)凹坑形成的ID部，MPU 42利用該凹坑間隔來(lái)識(shí)別媒體種類(lèi)，并將識(shí)別結(jié)果通知給寫(xiě)入LSI 50。另外，在光盤(pán)裝置內(nèi)裝載CAD型MO盤(pán)時(shí)，由MPU 42將預(yù)定設(shè)定值設(shè)定為用于該媒體，并將該設(shè)定值通知給寫(xiě)入LSI 50。
對(duì)于來(lái)自光盤(pán)控制器44的扇區(qū)光數(shù)據(jù)，如果是128MB、230MB媒體，則由寫(xiě)入調(diào)制部51將其轉(zhuǎn)換為PPM記錄數(shù)據(jù)，如果是540MB、640MB或1.3GB媒體或本發(fā)明的光記錄媒體，則被轉(zhuǎn)換為PWM記錄數(shù)據(jù)。經(jīng)過(guò)寫(xiě)入調(diào)制部51轉(zhuǎn)換的PPM記錄數(shù)據(jù)或PWM記錄數(shù)據(jù)被提供給激光二極管控制電路52，用于驅(qū)動(dòng)激光二極管60a，從而將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到媒體內(nèi)。
讀出LSI電路54具有讀出解調(diào)部55和頻率合成器56。利用ID/MO用檢測(cè)器62檢測(cè)出從激光二極管60a射出的激光光束的返回光，經(jīng)由頭放大器64作為ID信號(hào)和MO信號(hào)被輸入給讀出LSI電路54。頭地址信息等被作為ID信號(hào)而檢測(cè)出，通過(guò)再現(xiàn)識(shí)別符和道地址、扇區(qū)地址的連續(xù)數(shù)據(jù)，從而能夠識(shí)別出光束在媒體上的位置。
在讀出LSI電路54的讀出解調(diào)部55上，設(shè)置了AGC電路、濾波器、扇區(qū)標(biāo)記檢測(cè)電路等電路功能，利用所輸入的ID信號(hào)和MO信號(hào)來(lái)生成讀出時(shí)鐘和讀出數(shù)據(jù)，從而將PPM記錄數(shù)據(jù)或PWM記錄數(shù)據(jù)解調(diào)為原始的NRZ數(shù)據(jù)。由于采用分區(qū)CAV作為主軸馬達(dá)70的控制，因此，由MPU 42對(duì)內(nèi)置于讀出LSI電路54內(nèi)的頻率合成器56，執(zhí)行用于產(chǎn)生與分區(qū)相對(duì)應(yīng)的時(shí)鐘頻率的分頻比的設(shè)定控制。
頻率合成器56是具有可編程分頻器的PLL電路，產(chǎn)生相對(duì)于媒體的分區(qū)(邊界)位置具有預(yù)定的固有頻率的基準(zhǔn)時(shí)鐘，作為讀出時(shí)鐘。即，頻率合成器56由具有可編程分頻器的PLL電路構(gòu)成，MPU 42根據(jù)fo＝(m/n)·fi來(lái)產(chǎn)生依據(jù)按分區(qū)編號(hào)設(shè)置的分頻比(m/n)的頻率fo的基準(zhǔn)時(shí)鐘。其中，分頻比(m/n)中作為分母的分頻值n是與128MB、230MB、540MB、640MB、1.3GB媒體或本發(fā)明的光記錄媒體類(lèi)別相對(duì)應(yīng)的固有值。作為分子的分頻值m是按照媒體的分區(qū)位置而變化的值，是預(yù)先準(zhǔn)備作為與有關(guān)各媒體的分區(qū)編號(hào)相對(duì)應(yīng)的值的表信息。
讀出LSI電路54還向DSP 46輸出MOXID信號(hào)E4。MOXID信號(hào)E4在成為數(shù)據(jù)區(qū)域的MO區(qū)域中變?yōu)镠電平(位1)、在形成預(yù)凹坑的ID區(qū)域內(nèi)變?yōu)長(zhǎng)電平(位0)的信號(hào)，是表示媒體的記錄軌道上的MO區(qū)域和ID區(qū)域的物理位置的信號(hào)。將在讀出LSI 54內(nèi)被解調(diào)的讀出數(shù)據(jù)提供給光盤(pán)控制器44，在1-7RLL的逆變換后，通過(guò)ECC處理部44b的編碼功能來(lái)接受CRC校驗(yàn)和ECC處理，并將其解碼為NRZ扇區(qū)數(shù)據(jù)。此外，在格式器44a內(nèi)將其附加在NRZ讀出數(shù)據(jù)的流內(nèi)后，經(jīng)由緩沖存儲(chǔ)器48，通過(guò)上一級(jí)接口47而被傳送給上一級(jí)裝置。
經(jīng)由DSP 46，將設(shè)置于附件41一側(cè)的溫度傳感器66的檢測(cè)信號(hào)提供給MPU 42。MPU 42基于利用溫度傳感器66檢測(cè)出的裝置內(nèi)部的環(huán)境溫度，將激光二極管控制電路52中的讀出、寫(xiě)入、擦除的各發(fā)光功率控制為最適當(dāng)?shù)闹?。激光二極管控制電路52，例如將寫(xiě)入功率控制為6.0mW，將讀出功率控制為2.0mW。從128MB的媒體到1.3GB的媒體執(zhí)行光調(diào)制記錄。在本發(fā)明的磁光記錄媒體中，能夠采用光調(diào)制記錄和磁調(diào)制記錄的任何一種。MPU 42還經(jīng)由DSP 46，借助于驅(qū)動(dòng)器68來(lái)控制設(shè)置于附件41一側(cè)的主軸馬達(dá)70。由于MO盤(pán)盒的記錄格式是分區(qū)CAV，因此，主軸馬達(dá)70例如是以4500rpm的恒定速度來(lái)旋轉(zhuǎn)的。在數(shù)據(jù)記錄時(shí)和再現(xiàn)時(shí)，媒體的線速度為7.5m/s。
MPU 42還經(jīng)由DSP 46，通過(guò)驅(qū)動(dòng)器72來(lái)控制設(shè)置于附件41一側(cè)的電磁鐵(日文電磁石)74。電磁鐵74被配置在與加載在裝置內(nèi)的MO盤(pán)的光束照射側(cè)相對(duì)的一側(cè)，從而將外部磁場(chǎng)提供給媒體。DSP 46具有用于對(duì)媒體執(zhí)行確定來(lái)自激光二極管60a的激光束的位置的伺服功能，其包含搜索控制部57，用于在目的軌道上進(jìn)行搜索、循跡(ontrack)；以及，循跡控制部58，在將光束引入目的軌道后，追隨軌跡中心。
為了實(shí)現(xiàn)DSP 46的伺服功能，將用于接收來(lái)自媒體的光束返回光的FES用檢測(cè)器75設(shè)置于附件41一側(cè)的光學(xué)單元內(nèi)，F(xiàn)ES檢測(cè)電路76根據(jù)FES用檢測(cè)器75的感光輸出而生成聚焦誤差信號(hào)，并將其輸入該DSP 46。在附件41一側(cè)的光學(xué)單元上，設(shè)置了用于接收來(lái)自媒體的光束返回光的TES用檢測(cè)器77，TES檢測(cè)電路78根據(jù)TES用檢測(cè)器77的感光輸出而生成循跡誤差信號(hào)E1，并將其輸入給DSP46。
循跡誤差信號(hào)E1被輸入給TZC檢測(cè)電路(跟蹤過(guò)零檢測(cè)電路)80，產(chǎn)生跟蹤過(guò)零脈沖E2，并將其輸入給DSP 46。DSP 46為了控制媒體上的光點(diǎn)的位置，借助于驅(qū)動(dòng)器88、92、96，來(lái)控制聚焦激勵(lì)器90、透鏡激勵(lì)器94以及VCM98的驅(qū)動(dòng)。
參照?qǐng)D24，顯示了光盤(pán)裝置的附件41的大概結(jié)構(gòu)。在外殼100內(nèi)設(shè)置了主軸馬達(dá)70，在經(jīng)由插入門(mén)104將MO盤(pán)106插入到裝置內(nèi)后，在主軸馬達(dá)70的旋轉(zhuǎn)軸的中心校驗(yàn)內(nèi)部的MO媒體12，來(lái)執(zhí)行MO媒體12的裝入。在被裝入的MO媒體12的下側(cè)，設(shè)置了支架108，能夠借助于VCM 98而在橫切媒體軌跡的方向上自由移動(dòng)。在支架108上，安裝了物鏡110和光束直立棱鏡114。
來(lái)自設(shè)置于固定光學(xué)系統(tǒng)112內(nèi)的激光二極管60a的激光光束，由光束直立棱鏡114反射后，入射到物鏡110上，從而將光點(diǎn)聚焦到MO媒體12的記錄面上。利用圖23的附件41內(nèi)所示的聚焦激勵(lì)器90，在光軸方向上移動(dòng)控制物鏡110，或利用跟蹤激勵(lì)器94，而能夠在橫越媒體軌道的半徑方向上，在例如是幾十條軌道的范圍內(nèi)移動(dòng)。在所裝載的MO媒體12的上方，設(shè)置了向媒體提供外部磁場(chǎng)的電磁鐵102。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種光記錄媒體即便在數(shù)據(jù)記錄再現(xiàn)中使用了光點(diǎn)小的青紫色激光的情況下，也能夠?qū)⒕哂辛己玫腃N比和充分小的串?dāng)_特征的凸脊和凹槽作為記錄道。此外，還提供了適于對(duì)這樣的光記錄媒體進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄/再現(xiàn)的光盤(pán)裝置。
權(quán)利要求
1.一種光記錄媒體，具有由凸脊和凹槽構(gòu)成的記錄道且記錄再現(xiàn)中所使用的激光束在記錄媒體表面上的光束直徑小于或等于0.7μm，其中，所述光記錄媒體包括透明基板，具有交替形成的多個(gè)凸脊和多個(gè)凹槽；以及設(shè)置于該透明基板上的記錄層，可執(zhí)行光記錄；其中設(shè)所述各凸脊和各凹槽的邊界中心高度處的凸脊寬度為w1、凸脊的平坦頂部寬度為w2、各凹槽的深度為d，則
0.4≤w2/w1≤0.8且25nm≤d≤45nm，至少所述各凸脊具有曲面形狀的邊緣部。
2.如權(quán)利要求1所述的光記錄媒體，其中所述各凹槽具有曲面形狀的邊緣部。
3.如權(quán)利要求1所述的光記錄媒體，其中所述記錄層由磁光記錄層構(gòu)成，所述磁光記錄層由稀土類(lèi)過(guò)渡金屬材料構(gòu)成。
4.一種磁光記錄媒體，具有由凸脊和凹槽構(gòu)成的記錄道且記錄再現(xiàn)中所使用的激光束在記錄媒體表面上的光束直徑小于或等于0.7μm，其中，所述磁光記錄媒體包括透明基板，具有交替形成的多個(gè)凸脊和多個(gè)凹槽；設(shè)置于該透明基板上的再現(xiàn)層，由克爾轉(zhuǎn)角相對(duì)大、在室溫下的保持力小的稀土類(lèi)過(guò)渡金屬材料構(gòu)成；以及，設(shè)置于該再現(xiàn)層上的記錄層，由克爾轉(zhuǎn)角相對(duì)小、在室溫下的保持力大的稀土類(lèi)過(guò)渡金屬材料構(gòu)成；其中設(shè)前述各凸脊和各凹槽的邊界中心高度處的凸脊寬度為w1、凸脊的平坦頂部寬度為w2、各凹槽的深度為d，則
0.4≤w2/w1≤0.8且25nm≤d≤45nm，至少所述各凸脊具有曲面形狀的邊緣部。
5.如權(quán)利要求4所述的磁光記錄媒體，還具有插入到所述再現(xiàn)層和所述記錄層之間的非磁性層。
6.如權(quán)利要求4所述的磁光記錄媒體，還具有插入到所述再現(xiàn)層和所述記錄層之間的磁性中間層。
7.一種磁光記錄媒體，具有由凸脊和凹槽構(gòu)成的記錄道且記錄再現(xiàn)中所使用的激光束在記錄媒體表面上的光束直徑小于或等于0.7μm，其中，所述磁光記錄媒體包括透明基板，具有交替形成的多個(gè)凸脊和多個(gè)凹槽；設(shè)置于該透明基板上的第一再現(xiàn)層，具有在室溫下容易在平面內(nèi)方向磁化的特性；設(shè)置于該第1再現(xiàn)層上的第二再現(xiàn)層，具有在室溫下容易在平面內(nèi)方向磁化的特性；設(shè)置于該第二再現(xiàn)層上的非磁性屏蔽層；設(shè)置于該非磁性屏蔽層上的記錄層，單層具有室溫下垂直方向容易磁化的特性；設(shè)置于該記錄層上的非磁性保護(hù)層；以及，設(shè)置于該非磁性保護(hù)層上的金屬層；其中設(shè)前述各凸脊和各凹槽的邊界中心高度處的凸脊寬度為w1、凸脊的平坦頂部寬度為w2、各凹槽的深度為d，則
0.4≤w2/w1≤0.8且25nm≤d≤45nm，至少所述各凸脊具有曲面形狀的邊緣部。
8.如權(quán)利要求7所述的磁光記錄媒體，其中設(shè)所述第1和第2再現(xiàn)層的居里溫度分別為T(mén)c1、Tc2，Tc2＜Tc1且160℃≤Tc2≤190℃。
9.如權(quán)利要求7所述的磁光記錄媒體，其中所述第1再現(xiàn)層具有25nm～35nm的膜厚tr1。
10.如權(quán)利要求7所述的磁光記錄媒體，其中設(shè)第2再現(xiàn)層的膜厚為tr2，tr1×0.3≤tr2≤tr1×0.4。
11.如權(quán)利要求7所述的磁光記錄媒體，其中所述非磁性保護(hù)層具有5nm～15nm的膜厚。
12.如權(quán)利要求7所述的磁光記錄媒體，其中所述金屬層具有50nm～90nm的膜厚。
13.如權(quán)利要求7所述的磁光記錄媒體，其中所述非磁性保護(hù)層由SiN構(gòu)成。
14.如權(quán)利要求7所述的磁光記錄媒體，其中所述金屬層包含以Al為主的成份。
15.如權(quán)利要求7所述的磁光記錄媒體，其中所述非磁性屏蔽層具有0.5nm～2nm的膜厚。
16.一種光存儲(chǔ)裝置，至少可以讀出存儲(chǔ)在具有由凸脊和凹槽構(gòu)成的記錄道的光記錄媒體內(nèi)的信息，其特征在于，包括光學(xué)頭，用于將在記錄媒體表面上的光束直徑小于或等于0.7μm的激光光束照射到所述光記錄媒體上；以及，光檢測(cè)器，利用由所述光記錄媒體反射的反射光來(lái)生成再現(xiàn)信號(hào)；其中所述光記錄媒體包含透明基板，具有交替形成的多個(gè)凸脊和多個(gè)凹槽；以及，設(shè)置于該透明基板上的可執(zhí)行光記錄的記錄層；設(shè)前述各凸脊和各凹槽的邊界中心高度處的凸脊寬度為w1、凸脊的平坦頂部寬度為w2、各凹槽的深度為d，則0.4≤w2/w1≤0.8且25nm≤d≤45nm，至少所述各凸脊具有曲面形狀的邊緣部。
全文摘要
提供了一種光記錄媒體和光記錄裝置，所述光記錄媒體具有由凸脊和凹槽構(gòu)成的記錄道，在記錄再現(xiàn)中使用的激光束的記錄媒體面上的光束直徑小于或等于0.7μm，其具有包含交替形成的多個(gè)凸脊和多個(gè)凹槽的透明基板；以及，設(shè)置于該透明基板上的可光記錄的記錄層。當(dāng)設(shè)前述各凸脊和各凹槽的邊界中心高度上的凸脊寬度為w1、凸脊的平坦頂部寬度為w2、各凹槽的深度為d時(shí)，則0.4≤w2/w1≤0.8且25nm≤d≤45nm，至少所述各凸脊具有曲面形狀的邊緣部。
文檔編號(hào)G11B7/24076GK1625773SQ0282895
公開(kāi)日2005年6月8日 申請(qǐng)日期2002年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月31日
發(fā)明者細(xì)川哲夫 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社