專利名稱：制作具可變磁道密度的磁盤驅(qū)動器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁盤驅(qū)動器的制作方法，尤指一種具可變磁道密度的磁盤驅(qū)動器的制作方法。
背景技術(shù)：
在磁介質(zhì)信息存儲領(lǐng)域中，在不改變某一設(shè)備結(jié)構(gòu)的前提下，通常會通過提高單位面積上的存儲密度來在該設(shè)備中獲得最大的信息存儲量。如美國專利第5,596,458號所述，該專利揭示了一種具可變區(qū)域讀/寫轉(zhuǎn)換器的磁盤驅(qū)動器，在該磁盤驅(qū)動器中，先測量讀/寫傳感器的讀/寫性能，再根據(jù)該性能確立每一區(qū)域的邊界及用于該區(qū)域的讀/寫頻率，同時該讀/寫轉(zhuǎn)換器適用的頻率范圍也是通過該轉(zhuǎn)換器的讀/寫性能來確定。在該磁盤驅(qū)動器中，驅(qū)動伺服信息被寫入磁道，即可根據(jù)所想要達(dá)到的讀/寫轉(zhuǎn)換器磁道寬度來形成一定的數(shù)據(jù)磁道間距。
此外，考慮到讀/寫轉(zhuǎn)換器的讀/寫特性以及區(qū)域布局，讀/寫轉(zhuǎn)換器磁道寬度的記錄特性也可利用在增大單位存儲密度方面。采用較小磁道寬度的記錄磁頭，可以使數(shù)據(jù)磁道間結(jié)合更緊密，增大了單位面積上的存儲密度，但存儲表面的磁道分布將要由測量到的讀/寫轉(zhuǎn)換器寫入信號的磁道寬度來決定。如美國專利第08/966,591號所述，該專利揭示了一種測量讀/寫轉(zhuǎn)換器的磁道寬度，并利用所得到的結(jié)果來建立存儲介質(zhì)上的磁道間距的技術(shù)。利用測量到的磁道寬度建立磁道間距后，將伺服信息寫入寫入磁道。采用上述技術(shù)后，每一存儲表面上的磁道間距可以使單位面積上的存儲密度達(dá)到最大，但每一讀/寫轉(zhuǎn)換器將僅具有唯一不變的磁道間距。因此，在每一存儲區(qū)域上伺服磁道的寫入都需要一唯一不變的間距。
雖然前述兩種技術(shù)各有其優(yōu)點(diǎn)，但在產(chǎn)品制作中，我們?nèi)韵Ｍ懿捎靡话愕乃欧诺篱g距，而無需建立一特定的磁道間距來改變磁道寬度以獲得最大的存儲量。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種制作具可變磁道密度的磁盤驅(qū)動器的方法。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明的磁盤驅(qū)動器，其包括一讀/寫轉(zhuǎn)換器以及一存儲介質(zhì)，該讀/寫轉(zhuǎn)換器與該存儲介質(zhì)表面相結(jié)合，該磁盤驅(qū)動器通過以下方法制作在確定該磁盤驅(qū)動器存儲介質(zhì)表面的數(shù)據(jù)磁道位置時，先將伺服信息寫入該存儲介質(zhì)表面的磁道中，形成伺服磁道，該伺服磁道具有一定的磁道間距，再測量該讀/寫轉(zhuǎn)換器的磁道寬度，并基于該磁道寬度為數(shù)據(jù)磁道確定一磁道間距。
本發(fā)明磁盤驅(qū)動器的優(yōu)點(diǎn)在于在確定磁盤驅(qū)動器存儲介質(zhì)表面的數(shù)據(jù)磁道位置時，無需建立一特定的磁道間距來改變磁道寬度，即可在該存儲介質(zhì)表面獲得最大的信息存儲量。

下面參照附圖結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。
圖1是本發(fā)明確定磁盤驅(qū)動器存儲介質(zhì)表面的數(shù)據(jù)磁道位置的流程圖。
圖2是本發(fā)明的方法接續(xù)圖1后的流程圖。
圖3是本發(fā)明伺服磁道和數(shù)據(jù)磁道相互位置的示意圖。
圖4是本發(fā)明存儲介質(zhì)的部分立體圖。
具體實(shí)施方式請參照圖1及圖2，根據(jù)步驟101建立好頭盤元件以后，進(jìn)入步驟102。圖2上部所示為與標(biāo)準(zhǔn)位置信號成對的一解調(diào)信號8，下部為一積分位置信號9。其中伺服磁道用垂直實(shí)線來表示，除與伺服磁道1相重合的數(shù)據(jù)磁道1外，其余數(shù)據(jù)磁道都用垂直虛線來表示。從圖中可以看出，除數(shù)據(jù)磁道1外，其余數(shù)據(jù)磁道都偏離于伺服磁道。伺服信息在被測量之前已基于某一磁道間距寫入磁道中，并以此來決定讀/寫轉(zhuǎn)換器的磁道寬度，該磁道間距大于為該讀/寫轉(zhuǎn)換器設(shè)定的預(yù)期可用磁道間距。在該特定實(shí)施例中，該比例是1.2，使該數(shù)據(jù)磁道2位于伺服磁道2.2(圖未示)。與此相似，數(shù)據(jù)磁道3在伺服磁道3和4之間，且它的位置是伺服磁道3.4(圖未示)，由數(shù)據(jù)磁道2的位置加上1.2到2.2之間的距離產(chǎn)生。
現(xiàn)有技術(shù)中，可以使用一個與理想的數(shù)據(jù)磁道間距相等或稍大的間距記錄伺服磁道。盡管伺服磁道間距比最后的數(shù)據(jù)磁道間距大，但可以通過以一個比預(yù)期數(shù)據(jù)磁道間距稍微小的間距來記錄伺服磁道，使數(shù)據(jù)磁道比伺服磁道更緊密。當(dāng)預(yù)期最小轉(zhuǎn)換器磁道寬度比伺服磁道寬度多60％時，其效果最好。
圖2中，常規(guī)位置信號和積分位置信號的V1、V2、V3、V4、V5表示常規(guī)位置信號8和積分位置信號9上用于建立數(shù)據(jù)磁道1、2、3、4、5的數(shù)據(jù)磁道位置的位置，并標(biāo)記這些位置上的信號的斜率。如果已知該斜率和截止電壓，伺服系統(tǒng)能夠通過磁道預(yù)設(shè)的伺服位置信號斜率來控制磁道位置。斜率決定伺服極性，截止電壓決定預(yù)期的磁道無效位置。實(shí)際上，通過一個AGC或其它標(biāo)準(zhǔn)化過程來校準(zhǔn)這兩個伺服信號的量級，就可以預(yù)測到截止電壓基于磁道位置的偏移量。而且斜率可從已知的預(yù)期伺服位置圖樣預(yù)知，同時已知兩個伺服信號中哪一個在數(shù)據(jù)磁道位置上是線性的。例如，在圖2中數(shù)據(jù)磁道3上，只有積分位置信號9是線性的。因此，該信號被用于定位數(shù)據(jù)磁道3。在數(shù)據(jù)磁道2時，常規(guī)位置信號8和積分位置信號9都是線性的，因此兩個信號都能被用來搜尋和跟隨數(shù)據(jù)磁道2。
常規(guī)位置信號8被數(shù)據(jù)磁道1標(biāo)記，截止電壓V1為零，因?yàn)閿?shù)據(jù)磁道位置與伺服磁道位置的中心線一致。其它數(shù)據(jù)磁道位置的截止電壓混和了正電壓和負(fù)電壓，在所用到的位置信號基礎(chǔ)上被選擇使用，該位置信號在被搜尋的數(shù)據(jù)磁道位置上具有一個線性斜率。通過選擇合適的預(yù)期數(shù)據(jù)磁道的截止電壓，任何磁道位置能用一個或其它常規(guī)位置信號8和積分位置信號9合成。
請參考圖3，該存儲介質(zhì)包括磁盤15、內(nèi)徑(ID)16、外徑(OD)17及中心線18，磁道t可以位于磁盤表面的任意位置，但最好是靠近數(shù)據(jù)區(qū)外圍的位置。讀/寫轉(zhuǎn)換器通過一電信號來提供一頻率給寫入的測試圖樣，測試圖樣最好為一個有恒定振幅和頻率的NRZ(反向不歸零制)信號，其頻率最好在所需處于或接近磁盤驅(qū)動器的預(yù)期最高記錄頻率上。測量時還需利用一個水平的萬向節(jié)頭裝置(HGA)測試器來定位讀/寫轉(zhuǎn)換器。
接下來，在位置t讀取記錄測試圖樣，測到的信號振幅被存儲以備后用。然后將讀/寫轉(zhuǎn)換器移動到位置t+1，寫入一個直流擦除信號。該位置t+1的中心線19，該距離d開始是建立在進(jìn)行測試的讀/寫轉(zhuǎn)換器的預(yù)期最小磁道寬度的基礎(chǔ)上，如果讀/寫轉(zhuǎn)換器有一個比磁盤最小預(yù)期值大的實(shí)際可寫磁道寬度，則距離d需要增加。接著將讀/寫轉(zhuǎn)換器移動至t-1，與前面的步驟相同，寫入一個直流擦除信號。該位置t-1的中心線為20到磁道位置t中心線的距離為d，距離d為讀/寫轉(zhuǎn)換器的最小預(yù)期磁道寬度。由于該兩個直流擦除信號是基于預(yù)期磁道寬度而寫入磁道t兩端，則該測試圖樣超出預(yù)期磁道寬度的部分將被擦除。然后，將讀/寫轉(zhuǎn)換器移動回原來在磁道t時的初始位置，再一次讀取測試圖樣，記錄其振輻。接下來比較直流擦除信號前后的信號振幅，依據(jù)信號振輻的比例，來形成一個均衡信號比例。
請參照圖1，步驟103中得到的磁道寬度特性將在步驟104中分析。然后，通過步驟104中選擇的數(shù)據(jù)磁道間距和在步驟102中寫入了伺服系統(tǒng)數(shù)據(jù)的伺服磁道間距，得出讀/寫轉(zhuǎn)換器與存儲介質(zhì)表面結(jié)合的數(shù)據(jù)磁道的磁道定位公式。此時可以發(fā)現(xiàn)，所測出的磁道到磁道的間距增加了1/256，若為其它的增加值也能達(dá)到一定的效果。例如，參照圖2，該實(shí)施例中數(shù)據(jù)磁道間距是伺服系統(tǒng)磁道寬度的1.2倍。進(jìn)一步運(yùn)用上述測量到的增加值，此技術(shù)方案的一般公式如下伺服磁道位置＝307÷256(數(shù)據(jù)磁道位置)接著將磁道定位公式存貯在記憶體，即完成步驟105和106。當(dāng)磁道定位請求時，公式即可根據(jù)所需之?dāng)?shù)據(jù)磁道定位出伺服磁道的位置。假如該磁盤驅(qū)動器包含多個用于讀/寫介質(zhì)的磁頭，則如圖1所述的過程可為每一存儲介質(zhì)表面定位數(shù)據(jù)磁道位置。
請參照圖4，建立磁道公式后，如步驟1203所示，將頭盤元件裝配到電路板上。再進(jìn)入步驟1206和1207，考慮到讀/寫轉(zhuǎn)換器的讀/寫性能，先測量讀/寫傳感器的移動距離以建立一組可用的數(shù)據(jù)軌道，再測量該讀/寫傳感器的記錄密度，該記錄密度可于某一圓周或多個圓周上測量，也可于某一讀/寫頻率或多個讀/寫頻率上測量。若該記錄密度低于所需達(dá)到的記錄密度，則改變該讀/寫傳感器的讀/寫頻率。最后基于該該組數(shù)據(jù)軌道和該記錄密度，建立多個具有圓周邊界和一定讀/寫頻率的區(qū)域，完成數(shù)據(jù)區(qū)域的排布。接下來完成步驟1208、1209和1210的工作，首先最優(yōu)化各區(qū)域的讀信道濾波器，然后確定驅(qū)動并減少缺陷，再進(jìn)行最后的驅(qū)動測試，即結(jié)束該磁盤驅(qū)動器的制作。
權(quán)利要求
1.一種制作具可變磁道密度的磁盤驅(qū)動器的方法，該磁盤驅(qū)動器包括一讀/寫轉(zhuǎn)換器以及一存儲介質(zhì)，該讀/寫轉(zhuǎn)換器與該存儲介質(zhì)表面相結(jié)合，其特征在于該存儲介質(zhì)表面的數(shù)據(jù)磁道位置是由下述方法確定，即在一定的磁道間距下，將伺服信息寫入該存儲介質(zhì)表面的磁道中，形成伺服磁道，再測量該讀/寫轉(zhuǎn)換器的磁道寬度，并基于該磁道寬度為數(shù)據(jù)磁道確定一磁道間距。
2.如權(quán)利要求1所述的制作具可變磁道密度的磁盤驅(qū)動器的方法，其特征在于該數(shù)據(jù)軌道位置的確定方法還包括以下步驟根據(jù)伺服磁道的位置得出該數(shù)據(jù)磁道的定位公式，并存儲該定位公式于一記憶體中。
3.如權(quán)利要求1所述的制作具可變磁道密度的磁盤驅(qū)動器的方法，其特征在于該數(shù)據(jù)磁道間距與該伺服磁道間距不同。
4.如權(quán)利要求1所述的制作具可變磁道密度的磁盤驅(qū)動器的方法，其特征在于該讀/寫轉(zhuǎn)換器磁道寬度是由下述步驟加以測量使用該讀/寫轉(zhuǎn)換器在該存儲介質(zhì)表面一第一位置寫入一測試圖樣，讀取該測試圖樣，并測量該圖樣信號的振幅；沿一第一方向?qū)⒃撟x/寫轉(zhuǎn)換器移動至一第二位置，寫入一直流擦除信號，再沿一第二方向?qū)⒃撟x/寫轉(zhuǎn)換器移動至一第三位置，寫入一直流擦除信號；于第一位置讀取該測試圖樣，并測量該圖樣信號的振幅，然后將所得結(jié)果與初始寫入的測試圖樣信號的振幅相比較。
5.如權(quán)利要求4所述的制作具可變磁道密度的磁盤驅(qū)動器的方法，其特征在于該第二位置和第三位置到第一位置的距離是相同的，且該距離是該讀/寫傳感器紀(jì)錄圖樣的預(yù)期最小磁道寬度。
6.如權(quán)利要求4所述的制作具可變磁道密度的磁盤驅(qū)動器的方法，其特征在于該讀/寫轉(zhuǎn)換器通過一電信號來提供該測試圖樣一頻率，該頻率處于該讀/寫傳感器的記錄頻率范圍內(nèi)。
7.如權(quán)利要求6所述的制作具可變磁道密度的磁盤驅(qū)動器的方法，其特征在于該頻率為一恒定頻率。
8.如權(quán)利要求1所述的制作具可變磁道密度的磁盤驅(qū)動器的方法，其特征在于該磁盤驅(qū)動器的制作還包括以下步驟測量該讀/寫傳感器的移動距離以建立一組可用的數(shù)據(jù)軌道，再測量該讀/寫傳感器的記錄密度，并基于該該組數(shù)據(jù)軌道和該記錄密度，建立多個具有圓周邊界和一定讀/寫頻率的區(qū)域。
9.如權(quán)利要求8所述的制作具可變磁道密度的磁盤驅(qū)動器的方法，其特征在于該記錄密度還應(yīng)與所需達(dá)到的記錄密度相比較，若該記錄密度低于所需達(dá)到的記錄密度，則改變該讀/寫傳感器的讀/寫頻率。
全文摘要
本發(fā)明為一種制作具可變磁道密度的磁盤驅(qū)動器的方法，該磁盤驅(qū)動器包括一讀/寫轉(zhuǎn)換器以及一存儲介質(zhì)，該讀/寫轉(zhuǎn)換器與該存儲介質(zhì)表面相結(jié)合，該磁盤驅(qū)動器通過以下方法制作在確定該磁盤驅(qū)動器存儲介質(zhì)表面的數(shù)據(jù)磁道位置時，先將伺服信息寫入該儲存介質(zhì)表面的磁道中，形成伺服磁道，該伺服磁道具有一定的磁道間距，再測量該讀/寫轉(zhuǎn)換器的磁道寬度，并基于該磁道寬度為數(shù)據(jù)磁道確定一磁道間距。本發(fā)明在確定磁盤驅(qū)動器存儲介質(zhì)表面的數(shù)據(jù)磁道位置時，無需建立一特定的磁道間距來改變磁道寬度，即可在該存儲介質(zhì)表面獲得最大的信息存儲量。
文檔編號G11B5/09GK1553435SQ03126738
公開日2004年12月8日 申請日期2003年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月27日
發(fā)明者布魯斯·伊莫, 布萊恩·威爾遜, 威爾遜, 布魯斯 伊莫 申請人:深圳易拓科技有限公司