專利名稱：帶有熱凸出補償?shù)亩鄬哟牌帘蔚闹谱鞣椒?br> 參照相關(guān)申請本申請要求由Ladislav RudolfPust，Mark Thomas Kief，Ibro Tabakovic，JamesF.Dolejsi，和Vee Sochivy Kong申請的，申請日為2002年7月22日，申請?zhí)枮?0/397634，名稱為“帶有熱凸出補償?shù)亩鄬哟牌帘巍钡呐R時申請的優(yōu)先權(quán)。
背景技術(shù)：
本發(fā)明通常涉及磁數(shù)據(jù)存儲和再現(xiàn)系統(tǒng)領(lǐng)域。具體的，本發(fā)明涉及一種由于減小熱極尖突出而得到性能提升的薄膜轉(zhuǎn)換頭。
在磁數(shù)據(jù)存儲和再現(xiàn)系統(tǒng)中，薄膜轉(zhuǎn)換頭典型的包括轉(zhuǎn)換器、其上構(gòu)建轉(zhuǎn)換器的基片、和轉(zhuǎn)換器上的覆蓋套層。轉(zhuǎn)換器典型的包括將編碼的磁信息記錄到磁介質(zhì)上的寫部和從磁介質(zhì)中再現(xiàn)編碼的磁信息的讀部，它是由多個層面在基片上連續(xù)層疊形成的。轉(zhuǎn)換器的體積典型的要比基片的體積和覆蓋套層的體積都要小的多。
包括金屬層和絕緣層的轉(zhuǎn)換器上的多個層面，，都和基片有不同的機械和化學(xué)屬性。屬性上的不同影響著轉(zhuǎn)換器的幾個方面。首先，轉(zhuǎn)換頭上的層面將以不同的速度研磨。這樣，在它的制作中研磨轉(zhuǎn)換頭的空氣軸承面(ABS)時，不同數(shù)目的層面的磨去量不同就導(dǎo)致了轉(zhuǎn)換頭的ABS不平整。通常在研磨過程中，轉(zhuǎn)換器金屬層的磨損量要大于基片的磨損量。這樣，研磨過程導(dǎo)致產(chǎn)生轉(zhuǎn)換器的金屬層面相對于基片的極尖凹進(PTR)。某一層面的PTR定義為基片的空氣軸承面到該層的空氣軸承面的距離。
基片和轉(zhuǎn)換器層面之間不同的機械和化學(xué)屬性在轉(zhuǎn)換頭運行的過程中影響了空氣軸承面。當(dāng)磁數(shù)據(jù)存儲和再現(xiàn)系統(tǒng)運行時，轉(zhuǎn)換頭在磁數(shù)據(jù)存儲和再現(xiàn)系統(tǒng)中將會受到溫度上升的影響。另外，由于轉(zhuǎn)換器中電流產(chǎn)生的散熱，轉(zhuǎn)換頭本身或者其中的一部分的溫度也可能會顯著高于磁數(shù)據(jù)存儲和再現(xiàn)系統(tǒng)中的溫度。
用來形成基片的材料的熱膨脹系數(shù)(CTE)典型的比用來形成轉(zhuǎn)換器的金屬層面的材料的CTE要小的多。由于轉(zhuǎn)換器的金屬層面具有大的CTE，這些層面對于高溫的反應(yīng)將會比基片有更大的膨脹量。這樣，當(dāng)轉(zhuǎn)換頭處于高溫的運行環(huán)境時，金屬層將會比基片更凸近磁盤，因此影響了轉(zhuǎn)換器的PTR。這種由溫度引起的PTR的改變稱之為熱PTR(TPTR)。
在磁數(shù)據(jù)存儲和再現(xiàn)系統(tǒng)的運行中，轉(zhuǎn)換頭處在接近磁介質(zhì)的位置上。轉(zhuǎn)換器和介質(zhì)之間的距離最好足夠小到能夠以一個大的區(qū)間密度從磁介質(zhì)中寫入和讀出，并且其距離足夠大到防止磁介質(zhì)和轉(zhuǎn)換頭之間出現(xiàn)接觸。轉(zhuǎn)換器的性能主要取決于介質(zhì)和轉(zhuǎn)換頭之間的距離。
為了保持轉(zhuǎn)換頭和磁介質(zhì)之間的距離不變，PTR應(yīng)該不隨著溫度顯著變化。如果TPTR大，轉(zhuǎn)換器和介質(zhì)之間的距離就會隨溫度顯著變化，因此需要低溫懸浮量足以適應(yīng)較高的運行溫度。另一方面，如果TPTR接近零，低溫懸浮量可以減小。
在典型的轉(zhuǎn)換頭中，磁屏蔽由坡莫合金制成，尤其是組成大概為20％Fe-80％Ni的鎳鐵合金。坡莫合金具有很高的和幾乎為零的磁伸縮性，幾乎是理想的屏蔽材料。然而，坡莫合金具有大的CTE，介于12至13×10-6/℃。與AlTiC基片相比，屏蔽層較大的熱膨脹是TPTR的主要因素。如果TPTR不明顯的減小，使用這種轉(zhuǎn)換頭運轉(zhuǎn)的磁盤不能以100Gb/inch2左右或者更高的區(qū)間密度運行。其他用于減少由于屏蔽引起的TPTR的現(xiàn)有技術(shù)方案包括(a)使用較小的屏蔽，(b)使用較薄的屏蔽，或(c)用其他具有低CTE的磁材料，例如45/55NiFe來制造屏蔽。這些已知的方案只是部分的減少了TPTR，并且經(jīng)常會導(dǎo)致轉(zhuǎn)換頭的磁性能有所下降。
本發(fā)明為一個轉(zhuǎn)換頭結(jié)構(gòu)，當(dāng)轉(zhuǎn)換頭在高溫下運行時，可以減小磁屏蔽的TPTR。
發(fā)明概述本發(fā)明涉及一種具有一個基片和一個位于基片上的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換頭的磁頭。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換頭包括一個具有頂端屏蔽和底端屏蔽的讀出器，其特征在于至少其中一個屏蔽包括一個用于補償讀出器的熱膨脹的層面。
附圖概述

圖1是根據(jù)本發(fā)明的轉(zhuǎn)換頭的部分截面視圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的轉(zhuǎn)換頭的示意截面視圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的示意截面視圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的示意截面視圖。
發(fā)明詳述圖1是根據(jù)本發(fā)明的轉(zhuǎn)換頭10的部分截面視圖。圖1中的截面主要取自轉(zhuǎn)換頭10的空氣軸承面的常規(guī)視圖。轉(zhuǎn)換頭10包括基片12，覆蓋基層14，讀出器16，寫入器18，絕緣層20和覆蓋套層22。讀出器16包括底端屏蔽結(jié)構(gòu)24，讀出元件26，讀出間隙28和頂端屏蔽結(jié)構(gòu)30。寫入器18包括底端磁極32，共同磁極延伸34，后通道36，導(dǎo)電線圈38、線圈絕緣部40，和頂端磁極42。共同磁極44由頂端屏蔽結(jié)構(gòu)30和底端磁極32共同形成。
覆蓋基層14位于基片12上。讀出器16和寫入器18都是通過在臨近轉(zhuǎn)換頭10的ABS的覆蓋基層14上層疊成的多層器件。如圖1所示，在覆蓋基層14上形成讀出器16，寫入器18按照背載結(jié)構(gòu)(兩個元件的層面不共面)疊在讀出器16上。在其他實施例中沒有示出，讀出器16和寫入器18可以按照合并的結(jié)構(gòu)(兩個元件的層面共面)布置，和/或?qū)懭肫?8可以形成在覆蓋基層14上(讀出器16形成在寫入器18上)。位置與讀出器16和寫入器18共面，并與轉(zhuǎn)換頭10的ABS相對的是絕緣層20。覆蓋套層22在寫入器18和絕緣層20上形成。
基片12典型的是由例如AlTiC，TiC，Si，SiC，Al2O3的材料，或這些材料復(fù)合形成的合成材料形成的。這些材料中，AlTiC和TiC具有相對較大的熱膨脹系數(shù)(CTE)，范圍典型的為大約6.6×10-6/℃到8.3×10-6/℃，然而硅具有較小的CTE，范圍大約為2.0×10-6/℃到3.0×10-6/℃。
覆蓋基層14形成于轉(zhuǎn)換頭10中的基片12上，如圖1所示，但是其他的實施例中的覆蓋基層14可以在一個可替換的位置形成。覆蓋基層14通常是由絕緣材料制成，例如Al2O3，AlN，SiO2，Si3N4，或SiO0-2N0-1.5。通常，用于覆蓋基層14的絕緣材料的選擇要使其與基片12使用的材料的化學(xué)與機械屬性最相近。例如，Al2O3的覆蓋基層常常與AlTiC的基片結(jié)合使用，因為這兩種材料具有相似的CTE。
讀出器16形成在覆蓋基層14上，包括底端屏蔽結(jié)構(gòu)24，讀出元件26，讀出間隙28和頂端屏蔽結(jié)構(gòu)30。底端屏蔽結(jié)構(gòu)24是一個包括補償層46，非磁性間隔物48，和底端屏蔽50的多層結(jié)構(gòu)。補償層46形成在覆蓋基層14上面，底端屏蔽50與讀出間隙28相鄰形成。非磁性間隔物48位于補償層46和底端屏蔽50之間。多層底端屏蔽結(jié)構(gòu)24通過一步電鍍或者濺射過程制成的。
頂端屏蔽結(jié)構(gòu)30通過讀出間隙28與底端屏蔽結(jié)構(gòu)24相隔開。頂端屏蔽結(jié)構(gòu)30是一個包括補償層52，非磁性間隔物54，和頂端屏蔽56的多層結(jié)構(gòu)。頂端屏蔽56與讀出間隙28相鄰，非磁性間隔物54將頂端屏蔽56和補償層52隔開。補償層52形成在頂端屏蔽結(jié)構(gòu)30的非磁性間隔物54上面。多層頂端屏蔽結(jié)構(gòu)30通過一步電鍍或者濺射過程制成的。
底端和頂端屏蔽50和56用坡莫合金形成，尤其是補償接近為20％Fe-80％Ni的鎳鐵合金。這樣的合金典型的具有大的CTE。例如，Ni79Fe21的CTE大約為12.2×10-6/℃。坡莫合金具有屏蔽所需要的大的導(dǎo)磁率和低的矯頑力。
補償層46和52由具有低CTE的材料形成，例如不脹鋼，一種組成約為35％Fe-65％Ni的鎳鐵合金。優(yōu)選的，補償層46和52由具有低CTE，其CTE在大約1×10-6/℃到2.5×10-6/℃之間的材料制成，最重要的是要低于屏蔽的CTE。
非磁性間隔物48和54的功能是將每一屏蔽(50和56)分別與其相應(yīng)的補償層(46和52)從磁性上隔開，以確保屏蔽50和56有更好的磁性能。雖然形成補償層46，52的材料具有低的CTE，但它同樣是磁材料。于是，非磁性間隔物48，54將屏蔽50，56和補償層46，52隔開，從而保護了屏蔽50，56不會受到磁噪聲。第一間隔物48位于底端屏蔽50和第一補償層46之間，第二間隔物54位于頂端屏蔽56和第二補償層52之間。而且間隔物48，54與ABS相鄰。間隔物48，54由非磁性材料形成，例如NiPd，CuNi，NiP，Cr，或氧化鋁。
在ABS上介于底端屏蔽50和頂端屏蔽56終端之間為讀出間隙28。讀出元件26位于讀出間隙28中，與ABS相鄰。讀出間隙28將讀出元件26與底端屏蔽50和頂端屏蔽56隔離。讀出元件26可以是各種不同類型的讀出元件，例如各向異性的磁阻(MR)讀出元件或巨磁阻(GMR)元件。運行中，磁介質(zhì)表面的磁通量讓MR讀出元件26的磁化強度向量產(chǎn)生轉(zhuǎn)動，它又繼續(xù)導(dǎo)致MR讀出元件26的電阻率的改變。讀出元件26的電阻率的改變可以通過在電阻元件26中通過的電流和測量通過元件26的電壓來檢測。
寫入器18形成在讀出器16上，并且包括底端磁極32，共同磁極延伸34，后通道36，導(dǎo)電線圈38、線圈絕緣部40，和頂端磁極42。底端磁極32形成在頂端屏蔽結(jié)構(gòu)30的上面。共同磁極延伸34和后通道36形成在底端磁極32的上面，并且共同磁極延伸34鄰近ABS，后通道36與ABS隔開。在ABS上介于共同磁極延伸34和頂端磁極42之間為寫入間隙58。頂端磁極42形成在共同磁極延伸34的上方，并從ABS向后通道36延伸。導(dǎo)電線圈38位于底端磁極32和頂端磁極42之間的線圈絕緣部40之中，將后通道36環(huán)繞，這樣通過導(dǎo)電線圈38的電流就產(chǎn)生一個穿過寫入間隙58的磁場。
轉(zhuǎn)換頭10是一個背載結(jié)構(gòu)，其中讀出器16的頂端屏蔽結(jié)構(gòu)30和寫入器18的底端磁極32是由分開的層面形成。盡管沒有舉例說明，轉(zhuǎn)換頭10也可以安置成合并磁頭結(jié)構(gòu)，其中共同磁極44用作讀出器16的頂端屏蔽結(jié)構(gòu)30和寫入器18的底端磁極32，或是讀出器16建于寫入器18上的合并磁頭結(jié)構(gòu)。
底端屏蔽50，頂端屏蔽56，底端磁極32，共同磁極延伸34，后通道36和頂端磁極42都是由金屬材料形成。優(yōu)選的，每一組件是由主要成份為Fe，Ni，和/或Co的合金形成。底端和頂端屏蔽50，56優(yōu)選的由坡莫合金，組成大概為20％Fe-80％Ni的鎳鐵合金形成。這種合金典型的具有大的CTE。例如，Ni79Fe21的CTE大約為12.2×10-6/℃。
讀出間隙28通常是由諸如Al2O3的絕緣材料形成的。線圈38通常是由諸如銅，金，或銀之類的導(dǎo)電材料形成的。最通常使用的是銅，它的CTE大約為16.5×10-6/℃。線圈絕緣部40通常是由具有較大CTE的曲形光刻膠形成，或者由其他諸如AlN，SiO2和Si3N4之類的絕緣材料形成。
圖1中沒有示出到讀出元件26和線圈38的電導(dǎo)軌和觸點。電導(dǎo)軌和觸點典型的是由諸如金，鈦或合金之類的金屬形成的。
轉(zhuǎn)換頭10的讀出器16和寫入器18的層面位于絕緣層20的面內(nèi)，與ABS相對。絕緣層20最好是由諸如Al2O3，AlN，SiO2，Si3N4和SiO0-2N0-1.5之類的絕緣材料形成。
在圖1所示的實施例中，覆蓋套層22在頂部磁極42的上方形成，通常也形成在寫入器18的上方。覆蓋套層22典型的是由諸如Al2O3，AlN，SiO2，Si3N4和SiO0-2N0-1.5之類的絕緣材料形成。
在圖1中本發(fā)明的實施例中，使用了兩個補償層。補償層46位于覆蓋基層14的項部和第一非磁性間隔物48的下方，補償層52位于第二非磁性間隔物54的頂部和底端磁極32的下方。補償層46，52的厚度不超過相應(yīng)的底端或頂端屏蔽的厚度的90％。底端和頂端屏蔽50，56的厚度介于大約0.2微米和2.5微米之間。
補償層46形成在覆蓋基層14和非磁性間隔物48之間。補償層52形成在第二間隔物54和寫入器18之間。補償層46，52是由低CTE的補償材料形成，它的CTE在大約1.0×10-6/℃到大約2.5×10-6/℃之間。優(yōu)選的，補償層46，52是由組成為35％Fe-65％Ni的鎳鐵合金形成。然而，其他許多具有低CTE的材料，例如CTE介于大約1.0×10-6/℃到大約2.5×10-6/℃之間的元素或合金金屬，電介質(zhì)，和半導(dǎo)體材料，也可以用作補償層46，52，但不僅限于此?？赡軙褂玫倪@些材料的實例為W，Mo，Cr，Si，Ta，Zr，Hf，Os，Ge，Re，Ru，Ce，B，Ir，NiFe，TiW，氧化硅，氮化硅和氧氮化硅。
在轉(zhuǎn)換頭10的生產(chǎn)過程中，底端屏蔽結(jié)構(gòu)24和頂端屏蔽結(jié)構(gòu)30分別是在單步和掩膜中形成的，例如通過電鍍或濺射。
轉(zhuǎn)換頭10的層面都有不同的機械和化學(xué)屬性，尤其是底端屏蔽結(jié)構(gòu)24和頂端屏蔽結(jié)構(gòu)30。由于這些不同的屬性，轉(zhuǎn)換頭10的層面將被以不同的速率拋光。于是，制作過程中對轉(zhuǎn)換頭10的ABS進行拋光就會導(dǎo)致轉(zhuǎn)換頭10得到一個不平整ABS，如圖1中所看到的。通常在研磨過程中，轉(zhuǎn)換頭10除去的的金屬層要比從基片12上除去的層數(shù)多，就會導(dǎo)致產(chǎn)生金屬層相對于基片12的極尖凹進(PTR)。某一層面的PTR定義為基片12的ABS和該層的ABS之間的距離。本發(fā)明的轉(zhuǎn)換頭10的間隙60定義為基片12的ABS和屏蔽結(jié)構(gòu)24和30的ABS 62之間的距離在運行中，轉(zhuǎn)換頭10的層面不同的機械和化學(xué)屬性進一步影響轉(zhuǎn)換頭10的ABS。形成基片12所使用的材料的CTE典型的要比形成轉(zhuǎn)換頭10的金屬層所使用的材料的CTE小許多，尤其是底端屏蔽50和頂端屏蔽56。由于金屬層較大的CTE，這些層面的膨脹量會比基片12的大。于是，當(dāng)轉(zhuǎn)換頭10處于高溫運行中時，金屬層將會比基片12更凸近磁盤，因此影響了轉(zhuǎn)換頭10的金屬層的PTR。這種由溫度引起的PTR的改變稱之為熱PTR(TPTR)。
本發(fā)明通過使用多層底端屏蔽結(jié)構(gòu)24和多層頂端屏蔽結(jié)構(gòu)30來解決TPTR這一問題。每一屏蔽結(jié)構(gòu)的補償層46和52對轉(zhuǎn)換頭10的金屬層的高CTE進行補償。通常，補償層46，52處于與高CTE材料靠近的位置，它們是屏蔽50，56的TPTR大的主要因素。補償層46，52基本上沿與轉(zhuǎn)換頭10的ABS垂直并向后方延伸，并沿與轉(zhuǎn)換頭10的屏蔽50，56平行的方向平展。相對于基片12，補償層46，52的低CTE材料在運行溫度上升時凹進，當(dāng)運行溫度下降時則凸出，正好與磁屏蔽結(jié)構(gòu)24，30中TPTR來源的高CTE材料相反。本發(fā)明的多層屏蔽結(jié)構(gòu)24，30在高溫運行中保持間隙60的大小，并通過消除和補償屏蔽50，56產(chǎn)生的TPTR來防止屏蔽結(jié)構(gòu)24，30的TPTR。而且，在磁屏蔽中使用低CTE層46，52并不損害轉(zhuǎn)換頭10的性能。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的轉(zhuǎn)換頭的示意截面視圖。圖2中所示是讀出器16和寫入器18的一部分，特別是底端磁極32和共同磁極延伸34。底端屏蔽結(jié)構(gòu)24包括第一補償層46，第一非磁性間隔物48，和底端屏蔽50。在圖2所示的實施例中，第一補償層46形成于底端屏蔽根層64上。底端屏蔽根層64是一個用于電鍍底端屏蔽50的導(dǎo)體面。底端屏蔽根層64并不必要能夠減少TPTR，并且依據(jù)制作底端屏蔽結(jié)構(gòu)24的過程，該層可以省掉。
第一非磁性間隔物48將補償層46和底端屏蔽50隔開，以確保底端屏蔽50有更好的磁性能。并且，第一非磁性間隔物48將底端屏蔽50從來自第一補償層46中的磁噪聲屏蔽起來。當(dāng)在底端屏蔽結(jié)構(gòu)24中沒有隔離層時也可以取得相似的減小的TPTR。
頂端屏蔽結(jié)構(gòu)30通過讀出間隙28與底端屏蔽結(jié)構(gòu)24隔離開。頂端屏蔽結(jié)構(gòu)30包括頂端屏蔽56，第二非磁性間隔物54，和第二補償層52。底端磁極32形成在頂端屏蔽結(jié)構(gòu)30上方。底端屏蔽結(jié)構(gòu)24的底端屏蔽50和頂端屏蔽結(jié)構(gòu)30的頂端屏蔽56都相鄰著讀出間隙28平展。第二間隔物54將頂端屏蔽56和第二補償層52隔開，以確保讀出器16有更好的磁性能。例如，通常用作補償層46，52的材料具有低的CTE，但也是磁材料。屏蔽50，56和相應(yīng)的補償層46，52之間的非磁性間隔物48，54保護屏蔽50，56不受來自補償層48，54的磁噪聲的影響。
通常，補償層46，52的位置處于與磁屏蔽結(jié)構(gòu)24，30的高CTE層面靠近的位置，它們是轉(zhuǎn)換頭10的TPTR的主要特征。通過適當(dāng)選擇補償層的材料和尺寸，補償層將會均衡和補償屏蔽結(jié)構(gòu)24，30的金屬層的較大的CTE。補償層46，52保持TPTR接近零，從而可以使轉(zhuǎn)換頭10與可讀/可寫介質(zhì)之間的懸浮量保持較低，和提高了轉(zhuǎn)換頭10的性能。在高溫運行下，補償層46，52相對于基片12凹進，在附近將屏蔽50，56凸出的金屬層拉回。當(dāng)運行溫度下降時，補償層46，52相對于高CTE材料凸出，和減少凹進。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的轉(zhuǎn)換頭10的讀出器16的另一實施例的示意截面視圖。在圖3所示的實施例中，底端屏蔽結(jié)構(gòu)24包括減少TPTR的補償層66，而頂端屏蔽結(jié)構(gòu)30只包括頂端屏蔽68。底端屏蔽結(jié)構(gòu)24包括補償層66，非磁性間隔物70和底端屏蔽72。轉(zhuǎn)換頭10的寫入器18，和尤其是底端磁極32和共同磁極延伸34形成于讀出器16的頂端屏蔽68之上。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的轉(zhuǎn)換頭10的另一實施例的示意截面視圖。在圖4所示的實施例中，頂端屏蔽結(jié)構(gòu)30包括減少TPTR的補償層74，但是底端屏蔽結(jié)構(gòu)24只包括底端屏蔽76。頂端屏蔽結(jié)構(gòu)30包括頂端屏蔽78，非磁性間隔物80和補償層74。轉(zhuǎn)換頭10的寫入器18，和尤其是底端磁極32和共同磁極延伸34形成于讀出器16的頂端屏蔽68之上。
如圖3和4所示的實施例所述，在讀出器16中低CTE的補償層既可以與底端屏蔽也可以與頂端屏蔽相鄰使用，仍可以得到大的TPTR減少。
本發(fā)明減小了轉(zhuǎn)換頭中，尤其是轉(zhuǎn)換頭中的讀出器的磁屏蔽的熱極尖凸出和凹進。本發(fā)明是轉(zhuǎn)換頭的讀出器中用作底端屏蔽和/或頂端屏蔽的多層的磁屏蔽。每一磁屏蔽結(jié)構(gòu)包括磁屏蔽和補償層。優(yōu)選的，屏蔽和補償層通過非磁性間隔物隔開。補償層是由低CTE材料形成，例如不脹鋼，它相對于轉(zhuǎn)換頭的基片當(dāng)溫度上升時凹進，當(dāng)溫度下降時凸出。低TPTR可以使磁頭和盤面的距離不斷的減小，這一點對于高記錄區(qū)間密度是很重要的。補償層均衡了磁屏蔽的金屬層的熱凸出效果，防止轉(zhuǎn)換頭的TPTR的增加，并保持懸浮量穩(wěn)定。
雖然參照優(yōu)選的實施例對本發(fā)明進行了描述，但是本領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員意識到不脫離本發(fā)明的精神范圍，可以在形式上和細節(jié)作一些改變。
權(quán)利要求
1.一種磁頭，具有基片和位于基片上方的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器包括由頂端屏蔽和底端屏蔽組成的讀出器，其特征在于至少一個屏蔽包括用于補償讀出器由于熱引起的膨脹的層面。
2.權(quán)利要求1所述的磁頭，其中用于補償?shù)膶用嬗稍诘锥似帘涡纬傻膶用娼M成，該層的熱膨脹系數(shù)小于底端屏蔽的其他層面的熱膨脹系數(shù)。
3.權(quán)利要求1或2所述的磁頭，其中用于補償?shù)膶用嬗稍陧敹似帘涡纬傻膶用娼M成，該層的熱膨脹系數(shù)小于頂端屏蔽的其他層面的熱膨脹系數(shù)。
4.一種在數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器中形成的讀出器，用于從磁盤讀出數(shù)據(jù)，該讀出器包括第一屏蔽，由包括第一材料層面的多個層面形成；讀出間隙；第二屏蔽，通過讀出間隙與頂端屏蔽隔開，其中第二屏蔽由第一材料形成；和補償層，形成在第一屏蔽中，補償層的熱膨脹系數(shù)小于第一材料的熱膨脹系數(shù)。
5.權(quán)利要求4所述的讀出器，其中第一屏蔽是底端屏蔽。
6.權(quán)利要求5所述的讀出器，進一步包括非磁性間隔物層，將底端屏蔽的第一材料層和底端屏蔽的補償層隔開。
7.權(quán)利要求6所述的讀出器，其中非磁性間隔物的厚度介于大約0.1微米和大約0.5微米之間。
8.權(quán)利要求5所述的讀出器，其中補償層的厚度不大于底端屏蔽的第一材料層的厚度的90％。
9.權(quán)利要求5所述的讀出器，其中第一材料層面的厚度介于大約0.2微米和大約2.5微米之間。
10.權(quán)利要求4所述的讀出器，其中第一屏蔽是頂端屏蔽。
11.權(quán)利要求10所述的讀出器，進一步包括非磁性間隔物層，將頂端屏蔽的第一材料層和頂端屏蔽的補償層隔開。
12.權(quán)利要求10所述的讀出器，其中補償層的厚度不大于頂端屏蔽的第一材料層的厚度的90％。
13.權(quán)利要求4所述的讀出器，其中補償層由組成大約為65％Ni和35％Fe的鎳鐵合金組成。
14.權(quán)利要求4所述的讀出器，其中第一材料由組成大約為80％Ni和20％Fe的鎳鐵合金組成。
15.權(quán)利要求4所述的讀出器，其中補償層的熱膨脹系數(shù)介于大約1.0×10-6/℃到大約2.5×10-6/℃之間。
16.權(quán)利要求4所述的讀出器，其中第一屏蔽是通過單獨處理步驟形成的
17.一種數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，用于從磁盤中讀出和寫入數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器包括頂端磁極；寫入間隙；公共磁極，通過寫入間隙與頂端磁極隔開；讀出間隙；底端屏蔽，通過讀出間隙與公共磁極隔開，其中底端屏蔽極包括第一材料層；和補償層，形成在底端屏蔽中，補償層的熱膨脹系數(shù)小于第一材料的熱膨脹系數(shù)。
18.權(quán)利要求17所述的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，進一步包括非磁性間隔物層，將底端屏蔽的第一材料層和底端屏蔽的補償層隔開。
19.權(quán)利要求17所述的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，其中公共磁極包括頂端屏蔽，由第一材料形成；非磁性間隔物層，形成在頂端屏蔽上方；第二補償層，形成在非磁性間隔物層上方；和底端磁極，形成在補償層上方。
全文摘要
一種包括基片和位于基片上方的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的磁頭。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器包括由頂端屏蔽和底端屏蔽組成的讀出器，其特征在于至少一個屏蔽包括用于補償讀出器由于熱引起的膨脹的層面。
文檔編號G11B5/39GK1489134SQ03127479
公開日2004年4月14日 申請日期2003年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月22日
發(fā)明者L·R·普斯特, M·T·基弗, I·塔巴科維克, J·F·多勒西, V·S·孔, L R 普斯特, 基弗, 多勒西, 孔, 涂莆 申請人:西加特技術(shù)有限責(zé)任公司