專利名稱：單面磁記錄磁盤的兩張磁盤同時處理的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一般用于硬盤驅(qū)動器的硬存儲磁盤的制造。更確切地說，本發(fā)明涉及被稱之為單面磁盤的處理，其中，該磁盤的兩表面中僅一面被完全處理以提供功能性或活性存儲能力。此外，本發(fā)明涉及成對單面磁盤的處理，其中兩磁盤被同時處理。
背景技術(shù)：
硬盤驅(qū)動器對于數(shù)據(jù)存儲來說是一種有效而節(jié)約成本的解決方案。根據(jù)特定應(yīng)用的需求，磁盤驅(qū)動器可包括從一到八之間任意數(shù)目的硬盤，并且數(shù)據(jù)可以被存儲在每張磁盤的一個或兩個表面上。雖然硬盤驅(qū)動器傳統(tǒng)上被認為是個人計算機或網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器的一個部件，但其運用已經(jīng)擴大到包括其它的存儲應(yīng)用，比如用于電視節(jié)目記錄和時移(time shifting)的電視機機頂盒、個人數(shù)碼助理、照相機、音樂播放機和其它消費電子裝置，每一種都具有不同信息存儲能力的需求。
一般來說，硬存儲磁盤制造成在磁盤的兩側(cè)或表面上具有功能性的磁記錄能力。在通常情況下，這些硬盤是通過對原材料基底磁盤比如玻璃、鋁或一些其它合適材料的兩側(cè)進行多種制造加工處理而生產(chǎn)的。活性材料被沉積在該基底磁盤的兩側(cè)上，并且磁盤的兩側(cè)受到完全處理，這樣從記憶存儲的觀點來看，磁盤的兩側(cè)都可以被稱作活性的或功能性的。最后結(jié)果就是，成品磁盤的兩側(cè)均具有實現(xiàn)磁記錄和提供數(shù)據(jù)存儲所需要的必要材料和特征。這些通常被稱作雙面處理磁盤。圖1-3中示出了一雙面處理磁盤Dd的示意圖。如圖3所示，材料M被沉積在基底磁盤S的兩側(cè)上。假定兩表面通過鑒定測試并且沒有缺陷，磁盤的兩側(cè)就可以被稱作對于記憶存儲是活性的或功能性的。這些磁盤被稱作測試通過的雙面磁盤。測試通過的雙面磁盤可被用在雙面記錄的磁盤驅(qū)動器中。
常規(guī)的硬存儲磁盤的雙面處理包括許多不連續(xù)的步驟。一般來說，二十五個基底磁盤被放置在一個塑料盒中，軸向地排列成一單排。因為磁盤的加工處理是在不同的位置采用不同的裝置進行的，所以盒子從一個工作站移動到另一個工作站。對于大多數(shù)處理來說，基底磁盤通過自動化裝置被單獨地從盒子中取走，每張磁盤的兩側(cè)或兩面都經(jīng)過特殊的處理，并且將處理過的磁盤送回盒子。一旦每張磁盤已被全面地處理并送回盒子，該盒子就被轉(zhuǎn)移到下一個工作站來進行磁盤的進一步處理。
更具體地說，在常規(guī)的雙面磁盤加工處理過程中，基底磁盤最初都經(jīng)過數(shù)據(jù)區(qū)域的紋理化處理(texturing)。紋理化處理為基底磁盤的表面接收材料層作準(zhǔn)備，該材料層將在每張磁盤的表面上提供活性的或記憶存儲能力。一般來說，紋理化處理通過兩種方法來完成固定的研磨紋理化處理或自由的研磨紋理化處理。固定的研磨紋理化處理類似于砂磨，其中，將一種細級配的砂紙或織物壓在旋轉(zhuǎn)的基底磁盤的兩側(cè)上，以使其兩表面變得粗糙或紋理化。自由的研磨紋理化處理包括在有漿料存在的情況下將粗糙的織物壓在磁盤的表面上。該漿料一般含有進行紋理化處理的金剛石顆粒、用于減少紋理化處理過程中產(chǎn)生的熱量的冷卻劑以及作為基液的去離子水。紋理化處理隨后一般就是清洗，以將在紋理化處理期間產(chǎn)生的顆粒清除。清洗是個多階段的過程，并且通常包括磁盤表面的擦洗。然后將紋理化的基底磁盤進行干燥處理。干燥每次都是在一整盒磁盤裝置上進行的。在干燥處理之后，紋理化的基底磁盤將進行激光區(qū)域紋理化處理。激光區(qū)域紋理化處理不像數(shù)據(jù)區(qū)域的紋理化處理那樣包括物理接觸和將壓力施加到基底磁盤的表面上。相反，一條激光束被聚焦在磁盤表面上，并且與磁盤表面的不連續(xù)部分相互作用，主要在于形成一個凸起的陣列，用于使磁頭和浮動塊部件落在磁盤表面上及從其上移開。激光區(qū)域紋理化處理每次完成一張磁盤。然后磁盤被再次清洗。在干燥步驟之后，磁盤被一張張單獨地進行處理，該處理給磁盤的兩表面增加材料層，從而達到產(chǎn)生數(shù)據(jù)存儲能力的目的。這可以通過噴鍍(sputtering)、沉積或本領(lǐng)域的技術(shù)人員所了解的其它技術(shù)來完成。在給每一面增加材料層之后，一般施加一層潤滑層。該潤滑處理可以通過將一整盒磁盤浸入一種液態(tài)潤滑劑中來完成；不必要一次一張地進行。干燥也是一次對一整盒盤進行。在潤滑處理之后，對磁盤一張張單獨地進行表面拋光處理(burnishing)來清除表面的凹凸不平、提高潤滑劑對磁盤表面的接合力，另外還給磁盤表面提供一般的均勻的精修(finish)。在拋光處理之后，將對基底磁盤進行不同類型的測試。測試的示例包括滑行測試，用來發(fā)現(xiàn)和去除具有影響磁頭/浮動塊部件浮動的凹凸的磁盤，以及鑒定測試，其記錄和讀出磁盤的表面。鑒定測試還用于發(fā)現(xiàn)和去除帶有缺陷的磁盤，該缺陷使得磁盤表面不能用于數(shù)據(jù)存儲。然后這些成品磁盤可以進行伺服寫入處理，并放置在磁盤驅(qū)動器中，或先被放置在磁盤驅(qū)動器中，然后進行伺服寫入處理。數(shù)據(jù)區(qū)域紋理化處理、激光區(qū)域紋理化處理、擦洗處理、噴鍍處理、拋光處理和測試處理是每次一張地進行，并且單張磁盤的每一面是同時處理的。
盡管所采用的活性材料和制造工藝從本質(zhì)上來說困難而且昂貴，但是多年來用于制造硬存儲磁盤的技術(shù)仍得到了迅速發(fā)展。因此，能存儲在磁盤表面上的信息密度是非常大的。實際上，用在個人計算機中的通過測試的雙面磁盤具有的存儲能力在計算機使用期間大大超過大多數(shù)消費者的需求。這樣，消費者不得不因為額外的存儲能力和用于取得額外的存儲能力的部件而付出相當(dāng)大的金額。在一些當(dāng)前的應(yīng)用場合中，這已經(jīng)造成一些磁盤驅(qū)動器制造者去制造和銷售這樣的磁盤驅(qū)動器，即，只將通過測試的雙面磁盤的一面用于存儲目的，或使用雙面處理磁盤好的一面，該雙面處理磁盤一面通過了鑒定測試，而第二面沒有通過。在任何一種情況下，盡管全部經(jīng)過處理，第二面還是沒有被使用。然而，磁盤驅(qū)動器制造者通過除去這些為接近未使用的磁盤表面所必要的機械和電子部件來降低其成本。這些磁盤驅(qū)動器被稱作單面驅(qū)動器，并且一般被用于低端或經(jīng)濟型的磁盤驅(qū)動器來滿足消費市場低成本端的需求。盡管這種方法可以減少一些成本，但不會減少制造每張磁盤未被使用的存儲表面所浪費的成本。因而，真正的節(jié)約不僅要通過制造帶有單面活性或功能性的磁盤來實現(xiàn)，還要通過以節(jié)省成本的方式來實現(xiàn)。
與雙面磁盤相比，單面磁盤Ds只有一個帶有活性記錄材料M的功能性記憶表面(見圖4-6)。它不是一個一面沒有使用或一面沒有通過測試的雙面處理的磁盤。相反，僅采用單一的單面處理技術(shù)以受控的方式對磁盤的一面作處理。與傳統(tǒng)的雙面磁盤相比，活性記錄材料只被施加到磁盤的一面上，并且只在磁盤的一面上進行完全的處理。因而，通過不處理每張磁盤的第二面來實現(xiàn)真正的節(jié)約。
另外，本發(fā)明通過利用傳統(tǒng)的雙面磁盤制造裝置和方法并經(jīng)過有限的改進實現(xiàn)了其優(yōu)勢。本發(fā)明能夠通過用于制造雙面磁盤的同一裝置和方法來對兩基底磁盤同時進行處理。同時處理兩張基底磁盤可以使得兩張單面磁盤的生產(chǎn)同時進行，并且使用基本上與當(dāng)前用于生產(chǎn)雙面磁盤時的裝置相同的裝置。然而，每張單面磁盤只有單個活性或功能性表面。為圖示方便，圖7并排地在左邊示出了一張雙面磁盤Dd的處理，而在右邊示出了兩張單面磁盤Ds的同時處理。在每種情況下，該雙面磁盤或兩個單面磁盤都進行同樣的處理步驟1到N，但是在同一時間內(nèi)單面磁盤的處理生產(chǎn)兩張磁盤，而雙面磁盤處理生產(chǎn)一張磁盤。
由磁盤的同時單面處理帶來的優(yōu)點就是，通過不在每張磁盤的一面上施加材料并處理來實現(xiàn)真正的成本節(jié)約。進一步的、潛在有效的成本節(jié)約可以通過利用現(xiàn)有的雙面磁盤處理裝置經(jīng)過有限的改進來實現(xiàn)，從而處理成對的單面磁盤。更進一步的優(yōu)點就是，生產(chǎn)量有了相當(dāng)大的提高(或者說根據(jù)上述觀點減少了處理時間)。通過利用現(xiàn)有的雙面磁盤處理裝置，在單面磁盤的生產(chǎn)中實現(xiàn)了生產(chǎn)率大致為傳統(tǒng)雙面磁盤生產(chǎn)處理時的兩倍(基于所生產(chǎn)的磁盤數(shù)量)。而且，這些提高的生產(chǎn)力水平是在與生產(chǎn)相同數(shù)量雙面磁盤的一半的材料成本消耗近似相同的情況下實現(xiàn)的，基底磁盤除外。
這種同時處理是通過將兩張基底磁盤組合在一起成為一個基底磁盤對或磁盤對來實現(xiàn)的。一個磁盤對是兩張基底磁盤，這兩張基底磁盤被定向成背靠背的關(guān)系，該背靠背的表面或直接物理接觸，或以微小的間隙接近。該間隙可以通過帶有或不帶有一個插入墊片來實現(xiàn)。該基底磁盤對以與雙面磁盤幾乎相同的方式通過每道工序，但是只有磁盤對中每張磁盤向外的表面被進行了完全的處理。因而，每對磁盤向外的表面變成活性的或功能性的表面，每對磁盤向內(nèi)的表面仍保持非活性或非功能性。
為便于理解，對下列術(shù)語加以限定a)“R面”和“L面”分別指一張磁盤的活性面和非活性面。R面是指確實具有或?qū)⒁哂谢钚杂涗洸牧虾陀洃浤芰Φ哪敲?。該R面也可以指活性或功能性面。L面是指具有很少或沒有活性記錄材料或記憶能力的那面；從數(shù)據(jù)存儲的觀點來看它是沒有功能性的或非活性的。
b)“合并”意指將兩張磁盤相互靠近來形成一對磁盤、一個磁盤對或一個基底對。
c)“拆分”反過來指將合并的磁盤對互相分開。
d)“磁盤”意指一張成品存儲磁盤和在制造處理期間以一張基底磁盤開始并被加工成為一個成品存儲磁盤過程中的所有的前體結(jié)構(gòu)，依其所處語句的上下文關(guān)系來確定其意。
e)“磁盤對”或“基底對”意指以接觸合并、間隙合并或墊片合并的方位定位的兩張磁盤。
f)“雙面磁盤”意指經(jīng)過雙面處理的單張磁盤，無論磁盤的兩面都通過測試或只有一面通過測試。
g)“間隙合并”意指一個已經(jīng)被合并的磁盤對，但是在兩張合并的磁盤之間保持了一定的間隔。可以用或不用一個或多個墊片來保持該間隙或間隔。間隙合并包括同心的和不同心的合并。應(yīng)該理解，對于磁盤之間的間隔是沒有精確的尺寸或限制的，該間隔使得磁盤被間隙合并。間隙合并還包括這樣的情況，即，當(dāng)兩張磁盤相互成一定角度時，磁盤之間的間隙從磁盤的一個周邊向磁盤的相對周邊逐漸減小。一個示例為，磁盤的底部周邊間隔開，而上周邊保持接觸。
h)“單面磁盤”意指進行了單面處理的單張磁盤，其中，只有磁盤的一個表面被完全處理。
i)“墊片合并”意指采用了一個墊片體，以在兩個間隙合并的磁盤之間形成間隔。
j)“接觸合并” 意指一個合并的磁盤對，其中每張磁盤的內(nèi)表面與另一張磁盤的內(nèi)表面接觸。接觸合并包括同心和非同心合并。
k)“同心合并”意指兩張合并的磁盤具有相同的軸，假定這兩張磁盤具有相同的外徑和內(nèi)徑(通過中心孔確定)，它們外內(nèi)周邊是對準(zhǔn)的。
1)“同心接觸合并”意指被定向成既接觸合并又同心合并的一對磁盤。
m)“非同心合并”或“偏心合并”意指這兩張合并的磁盤相互不是同心的，或它們的周邊沒有對準(zhǔn)。
n)“非同心接觸合并”意指這兩張接觸合并的磁盤相互不是同心的，或它們的周邊沒有對準(zhǔn)。
參照圖9，其示出了一對間隙合并磁盤的橫剖面圖。R面(活性或功能性面)是磁盤對中每張磁盤朝外的表面R。L面(非活性或非功能性面)是磁盤對中每張磁盤朝內(nèi)的表面L。與之相比，圖8示出了一對同心接觸合并磁盤的橫剖面圖。每張磁盤R面和L面的相對方位仍相同，然而，磁盤對的每張磁盤的L面是有接觸的，而每張磁盤的外內(nèi)周P與另一張磁盤的外內(nèi)周P是對準(zhǔn)的。
圖10示出了一張傳統(tǒng)的雙面磁盤。其左側(cè)面稱作“A”面，而右側(cè)面稱作“B”面。該A面和B面都進行過處理，包括增加活性的或磁性的材料。相比之下，參照圖8和9，磁盤對中每張磁盤的R面被定向在磁盤對的外面，并以與雙面磁盤的A面和B面相同的方式進行處理。相反，磁盤對中每張磁盤的L面被定向在磁盤對的內(nèi)部，并不以與雙面磁盤的A面和B面相同的方式進行完全處理。

發(fā)明內(nèi)容
這些和其它優(yōu)點通過本發(fā)明的不同實施例和結(jié)構(gòu)體現(xiàn)。利用為處理一張傳統(tǒng)的雙面磁盤而設(shè)計和建造的裝置來一次同時加工處理兩張單面基底磁盤?；状疟P被成對定位用于操作、輸送和處理?；状疟P被定位成一張基底磁盤的一表面與另一基底磁盤的一表面抵靠或者稍微隔開。兩張磁盤的這一并置允許進行同時處理。因此，只有這兩張磁盤的外表面、R面可以完整地進行每道工序的處理。因為內(nèi)表面沒有被完全地處理，所以從它們不能存儲數(shù)據(jù)的觀點來說，它們是非活性的。
在一實施例中，對于數(shù)據(jù)區(qū)域的紋理化處理和激光區(qū)域的紋理化處理，該磁盤對以間隙合并的方位被操作和輸送，并以同心接觸的方位進行紋理化處理。對于擦洗和清潔，該磁盤對以間隙合并的方位被操作和輸送，并以同心接觸合并的方位進行擦洗。對于噴鍍，該磁盤對以間隙合并的方位進行操作、輸送和加工處理。對于潤滑，磁盤以一個平均隔開的關(guān)系進行操作、輸送和加工處理。一般來說，一個盒中所有的磁盤將同時進行潤滑處理，這與傳統(tǒng)的潤滑處理非常相似。在潤滑處理之后，磁盤被重新定位成對，其具有同心接觸合并的方位。在潤滑處理之后的帶式拋光處理、測試處理和伺服磁道寫入處理中，磁盤以同心接觸合并的方位進行操作、輸送和加工處理。在測試和除去任何有缺陷的磁盤之后，磁盤被拆開或分到盤盒中，在盤盒中定位單獨的磁盤(它們的活性和非活性表面被定向在相同的方向上)。隨后磁盤被裝配到磁盤驅(qū)動器或相似的裝置中去。
本發(fā)明的單面磁盤處理提供了很大的靈活性。應(yīng)理解的是，單面磁盤同時處理的技術(shù)不必用在整體制造工序的每道分工序中。例如，在其它的實施例中，基底磁盤可以一次一張地進行紋理和清潔處理，每張磁盤的兩表面都進行了紋理化處理和清潔處理。噴鍍、潤滑、拋光和測試可以利用單張磁盤同時處理技術(shù)。雖然這減緩了整體制造工序的生產(chǎn)能力，但通過在噴鍍處理之前開始對兩張磁盤同時進行單面處理仍能實現(xiàn)實質(zhì)性的成本節(jié)約。當(dāng)磁盤的第二表面不在單面磁盤驅(qū)動器中使用時，只噴鍍處理每張磁盤的一個面節(jié)約了相當(dāng)大的成本。因為本發(fā)明利用傳統(tǒng)的雙面磁盤處理裝置來同時一次兩張地制造單面磁盤，所以提高了靈活性。
單面噴鍍技術(shù)，包括怎樣操作磁盤和何時改變磁盤方位，也可以在不危及成本節(jié)約和效率的情況下改變。例如在一實施例中，潤滑處理可以在磁盤處于間隙合并方位而不是均勻隔開的情況下進行。在潤滑處理之后，但磁盤仍然位于潤滑站時，磁盤可以被重新定位到接觸合并的方位上或留置在間隙合并的方位或平均間隔的方位上。比如當(dāng)個別磁盤對被加載到用于拋光的一心軸部件或夾頭上時，也可在拋光站重新定位到同心接觸合并的方位上?；蛘?，在噴鍍處理之后，磁盤可以被完全地分開并放置在傳統(tǒng)的處理盒中。在潤滑處理之后，磁盤可以在拋光站合并到同心接觸合并的方位上。進一步的變型是，在噴鍍處理之后維持磁盤對的間隙合并方位，但加寬間隙的尺寸。這輕微的拆分使?jié)櫥尤菀?。潤滑處理之后，磁盤對的定位被變成同心接觸合的方位。
又一種變型包括在整個活動進程中或至少在那些優(yōu)選需要同心接觸合并方位的情況下，使磁盤定位在墊片合并的方位上。一個插入的墊片使得磁盤能夠經(jīng)受接觸加工處理，比如數(shù)據(jù)區(qū)域紋理化處理、拋光處理和小范圍測試，而不會受到磁盤彎曲或翹曲的不利影響。
在一實施例中，對磁盤進行拋光和測試處理。拋光就是要除去磁盤活性表面上的不利凹凸，從而有助于潤滑劑結(jié)合到磁盤上，并且一般給磁盤表面提供均勻的精修。實施的測試處理是為了檢驗磁盤的處理是否適當(dāng)?；袦y試相對于磁頭/浮動塊部件所需要的浮動特征檢查表面的平滑度。鑒定測試在磁盤表面實施讀和寫測試。在兩種情況下，優(yōu)選的是，磁盤以同心接觸合并的方位來完成處理。因此，為達到功效，希望在潤滑處理之后以同心接觸合并的方位來定位磁盤對，并在整個拋光和測試處理的過程中使磁盤對留置于同心接觸合并的方位上。
測試處理之后可有所選擇地、部分或完全地進行伺服磁道寫入處理。單面磁盤同時處理技術(shù)也可以用于伺服磁道寫入處理。
上述實施例和結(jié)構(gòu)并不是完全或窮盡的。正如所能理解的那樣，本發(fā)明的其它實施例可單獨地或在組合中采用一個或多個上述或下述的特征。


圖1是雙面處理磁盤的正視圖；圖2是沿著圖1中線2-2的橫剖面圖；圖3是沿著圖2中線3-3的局剖圖；圖4是單面處理磁盤的正視圖；圖5是沿著圖4中線5-5的橫剖面圖；圖6是沿著圖5中線6-6的局剖圖；圖7在左邊示出了制造雙面磁盤過程的示意圖，右邊示出了制造單面磁盤過程的示意圖；圖8是一對同心接觸合并磁盤的橫剖面圖；圖9是一對處于間隙合并方位上的單面磁盤的橫剖面圖；圖10是一對處于墊片合并方位上的單面磁盤的橫剖面圖；圖11是一個接合一單張磁盤的磁盤操作工具的示意圖；圖12是圖11中磁盤操作工具的第二實施例的示意圖；圖13是使一對磁盤定位在間隙合并方位上的磁盤操作工具的示意圖；圖14是圖13中磁盤操作工具的第二實施例的示意圖；圖15是使一對磁盤定位在同心接觸合并方位上的磁盤操作工作的示意圖；圖16是圖15中磁盤操作工具的可替換實施例的示意圖；圖17A是一個合并一對磁盤的磁盤操作工具的示意圖；圖17B是圖17A中合并磁盤后的該磁盤操作工具的示意圖；圖18A是一個合并一對磁盤的磁盤操作工具的示意圖；圖18B是圖18A中合并磁盤后的該磁盤操作工具的示意圖；
圖19A是一個拆分一對磁盤的磁盤操作工具的示意圖；圖19B是圖19A中拆分磁盤后的該磁盤操作工具的示意圖；圖20A是一個用于拆分一對接觸合并磁盤的磁盤操作工具的第二實施例的示意圖；圖20B是圖20A中拆分磁盤后的該磁盤操作工具的示意圖；圖21是一轉(zhuǎn)移站的示意頂視圖，示出了一個合并/拆分站的實施例。
圖22是該合并/拆分站的一實施例的示意端視圖，示出了一個容納了25對準(zhǔn)備拆分的接觸合并磁盤的盒子；圖23是圖22中實施例的示意端視圖，示出了與一個拆分工具接合的25對磁盤；圖24是圖23中示出的實施例的示意正視圖；圖25是圖24中示出的實施例中的提升滑座的局部正視圖；圖26是圖25中示出的提升滑座的局部端視圖；圖27是圖24中拆分工具的局部正視圖；圖28是圖27中拆分工具的局部端視圖；圖29是圖27中的拆分工具在拆分一對接觸合并的磁盤之前的分解正視圖；圖30是圖27中拆分工具的分解正視圖，示出了一對在拆分狀態(tài)下的磁盤；圖31是圖22中所示實施例的示意端視圖，示出了25對與一心軸接合的拆分磁盤；圖32是圖22中所示實施例的示意端視圖，示出了25對位于轉(zhuǎn)移盒中的磁盤；圖33是圖22中實施例的示意端視圖，示出了通過一個轉(zhuǎn)移升降器從轉(zhuǎn)移盒中取出的其它磁盤；圖34是圖33的局部端視圖，示出了通過轉(zhuǎn)移升降器從轉(zhuǎn)移部件中取出的磁盤；圖35是圖34的局部正視圖，示出了一張通過轉(zhuǎn)移升降器從轉(zhuǎn)移盒中取出的磁盤；圖36是沿圖33線36-36的橫剖面圖；圖37是圖32中實施例的示意端視圖，示出了位于盒中的一半磁盤；
圖38是圖22中實施例的示意端視圖，示出了一個與轉(zhuǎn)移盒中的剩余磁盤接合的心軸；圖39是圖22中實施例的示意端視圖，示出了位于盒子中的剩余磁盤；圖40是圖22中實施例的示意端視圖，示出了排列在盒子中一個方向上的25張磁盤以及排列在第二盒子中相反方向上的25張磁盤。它還示出了用于合并磁盤或基底磁盤的合并/拆分站的第二實施例的第一階段；圖41是圖40中實施例的示意端視圖，示出了與一心軸接合的一個盒子中的磁盤；圖42是圖40中實施例的示意端視圖，示出了位于一個轉(zhuǎn)移站盒子中的第一盒子內(nèi)的所有磁盤；圖43是圖40中實施例的示意端視圖，示出了與第二盒子中所有磁盤接合的一心軸；圖44是圖40中實施例的示意端視圖，進一步示出了與轉(zhuǎn)移升降器接合的第二盒子中的磁盤；圖45是圖40中實施例的示意端視圖，示出了位于轉(zhuǎn)移盒中的第一和第二盒子中的所有磁盤；圖46是圖40中實施例的示意端視圖，示出了與一心軸接合的轉(zhuǎn)移盒中的所有磁盤對；圖47是圖40中實施例的示意端視圖，示出了在單個盒子中合并為磁盤對或基底磁盤對的第一和第二盒子中的所有磁盤；圖48是一個拆分工具的第二實施例的側(cè)視圖；圖49是與一心軸接合的一對拆分磁盤或基底磁盤的側(cè)視圖；圖50是圖49中實施例的正視圖；圖51是從盒子中取出一對磁盤的一個用于操作磁盤對的工具的一實施例的透視圖；圖52是圖51中工具的正視圖；圖53是圖52中實施例的側(cè)視圖；圖54是沿圖53中線54-54的橫剖面圖；圖55是圖53中實施例的端視平面圖；圖56是沿圖53中線56-56的橫剖面圖；圖57是一個用于操作磁盤對的第二實施例的放大局剖圖；
圖58是一個用于操作磁盤對的第三實施例的正視平面圖；圖59是一個刀片元件的正視圖；圖60是圖58中實施例的放大局部透視圖；圖61是一對間隙合并磁盤的橫剖面圖，其中磁盤相互平行且在磁盤之間形成均勻的空間；圖62是一對間隙合并磁盤的橫剖面圖，其中磁盤在其間具有不均勻的空間并在其上周邊相接觸；圖63是一個用于操作磁盤對的第四實施例的正視平面圖；圖64是沿圖63中線64-64的橫剖面圖；圖65是沿圖63中線65-65的橫剖面圖；圖66是與一對間隙合并磁盤在中心孔處接合的心軸的局部平面圖；圖67是圖61和66組合為一個磁盤轉(zhuǎn)移系統(tǒng)工作的實施例的透視圖；圖68是一個用于操作磁盤對的第五實施例的正視平面圖；圖69是磁盤接合刀片的正視平面圖；圖70是本發(fā)明的磁盤接合刀片的第二實施例的正視平面圖；圖71是沿圖68中線71-71的橫剖面圖；圖72是沿圖68中線72-72的橫剖面圖；圖73是一個磁盤操作和傳送裝置的一實施例的透視圖；圖74是圖73中實施例的頂視平面圖；圖75是圖73中實施例的側(cè)視圖；圖76是圖73中實施例的端視圖；圖77是圖73中實施例的相對端的端視圖；圖78是沿圖74中線78-78的橫剖面圖；圖79是沿圖74中線79-79的橫剖面圖；圖80是沿圖77中線80-80的橫剖面圖；圖81是沿圖79中線81-81的局剖圖；圖82是沿圖79中線82-82的局剖圖；圖83是圖82的局部分解圖；圖84是一個用于支撐射頻識別標(biāo)簽的空腔的局部分解圖；圖85是一個磁盤操作和傳送裝置的第二實施例的頂視平面圖；圖86是圖85中實施例的端視圖；
圖87是圖85中實施例的局部放大圖；圖88是沿圖85中線88-88的橫剖面圖；圖89是圖85所示實施例的一側(cè)壁橫剖面的放大細部圖；圖90是圖98所示磁盤操作和傳送裝置的端視平面圖；圖91是圖90中實施例的側(cè)視平面圖；圖92是圖98所示實施例的側(cè)壁元件的頂視平面圖；圖93是圖92所示實施例的端視平面圖；圖94是圖92所示實施例部分的放大細部圖；圖95是圖98所示實施例的底部元件的正視平面圖；圖96是圖95中實施例的頂視平面圖；圖97是圖95中實施例的端視平面圖；圖98是一個磁盤操作和傳送裝置的第三實施例的透視圖；圖99是圖98中實施例的頂視平面圖；圖100是沿圖99中線100-100的橫剖面圖；圖101A是從盒子中取出一對磁盤的一個用于操作磁盤對的裝置的正視圖；圖101B是沿圖101A中線101B-101B的橫剖面圖；圖102是圖101B所示操作磁盤對的裝置的一部分的放大視圖；圖103是圖101A和101B所示操作磁盤對的裝置的正視圖；圖104是沿圖103中線104-104的圖103裝置的橫剖面圖；圖105A是圖104中磁盤操作裝置的上部的放大視圖；圖105B是圖105A中磁盤操作裝置的一可替換實施例的上部的放大視圖；圖106A是一個用于操作磁盤對的裝置的另一實施例的正視圖；圖106B是圖106A所示磁盤操作裝置的側(cè)視圖；圖107是圖106B所示磁盤操作裝置的一部分的放大視圖；圖108是一個用于接合磁盤對的接觸輥的平面圖；圖109是圖106A所示磁盤操作裝置的頂視圖，進一步示出了一個磁盤承載盒和一個接合磁盤對的心軸；圖110A是在其中心孔與一心軸接合的一對磁盤的正視圖；圖110B是圖110A所示磁盤和心軸的側(cè)視圖；
圖111A是圖110A和110B所示心軸的側(cè)視圖，但延伸成允許與一對磁盤接合；圖111B是圖111A心軸的正視圖；圖112A是被定位成對磁盤的表面進行紋理化處理的一對紋理化處理輥的正視圖；圖112B是被定位成對兩張磁盤的表面進行紋理化處理的一對紋理化處理輥的側(cè)視圖；圖113A是一個用于拆分一對接觸合并磁盤的拆分工具的正視圖；圖113B是圖113A裝置的左側(cè)視圖；圖114A是圖113A所示拆分工具的正視圖，示出了與一對磁盤接合的拆分工具；圖114B是圖114A所示裝置的右平面圖；圖115是圖113A所示拆分滑座的正視圖；圖116是圖115所示拆分滑座的頂視圖；圖117是沿圖116線117-117的橫剖面圖；圖118是圖115所示拆分工具的透視圖；圖119A是被定位成將一對磁盤從拆分工具中降到盒子中的磁盤操作裝置的正視圖；圖119B是圖119A裝置的側(cè)視圖；圖120是圖119B所示磁盤操作裝置和拆分工具的局部放大圖；圖121是一個拆分工具的可替換實施例的正視圖，示出了與一對磁盤接合的拆分輥；圖122是與一對磁盤接合的拆分輥的側(cè)視圖；圖123是沿圖121中線123-123的橫剖面圖；圖124是激光區(qū)域紋理化處理裝置的側(cè)視圖；圖125是圖121所示拆分工具的正視圖，示出了與磁盤對脫離的拆分輥；圖126是圖125拆分裝置工具的頂視圖；圖127是圖125所示拆分工具的頂視圖，進一步示出了收回的心軸；圖128是一個拆分輥的正視圖；圖129是一個磁盤擦洗裝置的一實施例的透視圖；
圖130是圖129所示擦洗裝置一部分的透視圖，示出了兩對處于要擦洗位置上的磁盤，但其中已經(jīng)去掉一定的部件比如擦洗刷，以便更好地顯示出磁盤的位置；圖131是圖129擦洗裝置的提升滑座的正視平面圖；圖132是沿圖131中線132-132的橫剖面圖；圖133是與圖129擦洗裝置的上部拆分滑座接合的一對間隙合并單面磁盤的透視圖；圖134是圖133所示實施例的端視平面圖，進一步示出了一個流體輸送通路和噴水嘴；圖135是示出了擦洗操作的示意側(cè)視圖；圖136是一對同心接觸合并磁盤剛好在被下部提升滑座拆分之前的放大橫剖面圖；圖137是一個用于操作和傳送磁盤的心軸的一實施例的透視圖；圖138是圖137中實施例的側(cè)視圖，進一步放大了心軸的一部分；圖139是圖137中實施例的正視圖；圖140是本發(fā)明心軸的一實施例的透視圖，其在一個盒子的上方固定許多間隙合并磁盤對；圖141是圖140中實施例的正視圖；圖142是沿圖141中線142-142截取的圖140中實施例的側(cè)視圖，但在橫剖面中示出了不同的盒子的實施例；圖143是坐落在心軸上且位于潤滑劑槽中的多對間隙合并磁盤的側(cè)視圖；圖144是本發(fā)明心軸的一實施例的正視圖，多張潤滑了的磁盤返回到一個接觸合并盒子中；圖145是沿圖144中線145-145的橫剖面圖；圖146是圖145的局部分解圖，示出了幾個磁盤對的下周邊；圖147是圖145的局部分解圖，示出了幾個磁盤對的上周邊；圖148是用于操作和傳送磁盤的心軸的第二實施例的局部透視圖；圖149是與一磁盤接合的圖148中的心軸的正視圖；圖150是坐落在圖148心軸上的均勻間隔開的多張磁盤的側(cè)視圖；圖151A是圖148心軸遠端的局部透視圖；
圖151B是圖151A中實施例的頂視平面圖；圖152是一磁盤操作和傳送裝置的一實施例的透視圖，其被構(gòu)造用來使磁盤對處于同心接觸合并方位上；圖153是圖152中實施例的端視圖；圖154是圖152中實施例的頂視圖；圖155是沿圖154中線155-155的橫剖面圖；圖156是圖152中盒子底壁元件的頂視圖；圖157是圖156所示底壁元件的端視圖；圖158是圖156所示實施例的正視圖；圖159是圖152所示盒子的一側(cè)壁元件的頂視圖；圖160是圖159的側(cè)壁的一部分的放大圖；圖161是圖159所示實施例的端視圖；圖162A、B和C是局部頂視圖系列，示出了一對磁盤與圖152盒子的側(cè)壁元件的相鄰肋相互作用；圖163A、B和C是與圖162A、B和C相對應(yīng)的局部正視圖系列；圖164是圖152所示盒子的側(cè)壁元件的第二實施例的頂視圖；圖165是圖164側(cè)壁元件的正視圖；圖166是一個合并站的一實施例的透視圖；圖167是圖166合并站的頂視平面圖；圖168是一磁盤盒子的透視圖，其被構(gòu)造成使磁盤位于同心接觸合并方位上；圖169是一磁盤盒子的透視圖，其被構(gòu)造成使磁盤位于間隙合并方位上；圖170是本發(fā)明一合并站的透視圖，其中一個接觸合并盒子裝有磁盤；圖171是圖170所示實施例的頂視平面圖；圖172是與一個合并槽座接合的磁盤對的側(cè)視圖；圖173是完全與合并槽座接合的一對同心接觸合并磁盤的側(cè)視圖；圖174是本發(fā)明合并槽座的一實施例的透視圖，其被構(gòu)造成使同心接觸合并方位的定向變得容易；圖175是本發(fā)明一合并站的透視圖，位于磁盤并沒有與盒子完全接合的提升或固定位置上；
圖176是與合并槽座的一個可替換實施例相接合的一對磁盤的示意側(cè)視圖；圖177是完全與圖176的合并槽座接合的一對間隙合并磁盤的示意側(cè)視圖；圖178是在帶拋光前將一對間隙合并磁盤從盒子中取出的提升滑座的透視圖；圖179是與合并輥接合的圖178的磁盤對的局部透視圖；圖180是與一個心軸部件接合的圖179中磁盤對的局部透視圖；圖181是經(jīng)受帶拋光處理的圖180中磁盤對的局部透視圖；圖182是圖178中提升滑座的正視平面圖；圖183是圖179中實施例的頂視平面圖；圖184是沿圖182中線184-184的橫剖面圖；圖185是圖182中實施例的端視圖；圖186是圖182中實施例的磁盤接觸部分的局部分解圖；圖187是一個接觸或合并輥的一實施例的透視圖；圖188是圖187中實施例的正視圖；圖189是經(jīng)受激光區(qū)域紋理化處理的雙面磁盤的示意圖；圖190是經(jīng)受同時激光區(qū)域紋理化處理的兩張單面磁盤的示意圖；圖191是經(jīng)受測試的雙面磁盤的示意圖；圖192是經(jīng)受測試的一對同心接觸合并磁盤的示意圖；圖193是將液體層加到每張磁盤內(nèi)表面上的一對磁盤的橫剖面圖；圖194是與一個盒子中的一對磁盤相接合的磁盤操作裝置的透視圖；圖195是將從圖50所示盒子中取出的磁盤重新定位的磁盤操作裝置的透視圖；圖196是圖195中磁盤被對準(zhǔn)定位以與一心軸部件接合的透視圖；圖197是將一磁盤對固定在心軸部件上的磁盤操作裝置的透視圖；圖198是經(jīng)受測試的一對磁盤的透視圖；圖199是圖194-198磁盤操作裝置的正視平面圖；圖200是圖199中實施例的端視圖；圖201是圖199中磁盤操作裝置的局部分解圖；圖202是沿圖199中線202-202的橫剖面圖；
圖203是沿圖199中線203-203的橫剖面圖；圖204是用于單張雙面磁盤的現(xiàn)有技術(shù)中的伺服寫入裝置的頂視平面圖；圖205是圖204所示裝置的立視圖；圖206是通過圖204和205所示裝置在磁盤上表面上寫入的伺服圖案的示例；圖207是通過圖204和205所示裝置在磁盤下表面上寫入的伺服圖案的示例；圖208是用于一對合并磁盤的本發(fā)明的伺服寫入裝置的頂視平面圖；圖209是圖208所示裝置的立視圖；圖210是通過圖208和209所示的裝置在一對磁盤的上部磁盤的外表面上寫入的伺服圖案的示例；圖211是通過圖208和209所示的裝置在一對磁盤的下部磁盤的外表面上寫入的伺服圖案的示例；圖212是本發(fā)明磁盤操作和傳送裝置的一實施例的透視圖；圖213是圖212中實施例的頂視平面圖；圖214是圖2 12中實施例的分解透視圖；圖215是圖214中實施例的分解端視圖；圖216是圖212中實施例的側(cè)視圖；圖217是圖212中實施例第一構(gòu)造的示意端視圖；圖218是圖212中實施例第二構(gòu)造的示意端視圖；圖219是圖212中實施例第三構(gòu)造的示意端視圖；圖220是一側(cè)壁插件的端視圖；圖221是一側(cè)壁插件的局部頂視平面圖，其中肋被構(gòu)造在接觸合并方位上；圖222是一側(cè)壁插件的局部頂視平面圖，其中肋被構(gòu)造在間隙合并方位上；圖223是一磁盤的平面圖；圖224是沿圖223中磁盤中心線224-224的橫剖面圖；圖225是沿本發(fā)明一實施例中的電鍍磁盤(plated disk)的磁盤中心線的橫剖面圖；圖226是沿基于圖225電鍍磁盤的噴鍍磁盤的磁盤中心線的橫剖面圖；圖227是本發(fā)明一實施例中的基底加工的流程圖；圖228A是沿磁盤拋光部件中心線的橫剖面圖；圖228B是沿磁盤拋光部件中心線的橫剖面圖；圖229是沿磁盤拋光部件的中心線的橫剖面圖；圖230是本發(fā)明一實施例中的介質(zhì)加工的流程圖；圖231是沿本發(fā)明一實施例中的電鍍磁盤的磁盤中心線的橫剖面圖；圖232是沿本發(fā)明一實施例中的電鍍磁盤的磁盤中心線的橫剖面圖；圖233是沿基于圖231磁盤的噴鍍磁盤的磁盤中心線的橫剖面圖；圖233A和233B描繪了通過第一實驗工序制造的電鍍拋光磁盤；圖234A和234B描繪了通過第一實驗工序制造的電鍍拋光磁盤；圖235A和235B描繪了通過第一實驗工序制造的電鍍拋光磁盤；圖236A和236B描繪了通過第一實驗工序制造的電鍍拋光磁盤；圖237A和237B描繪了通過第一實驗工序制造的電鍍拋光磁盤；圖238A和238B描繪了通過第二實驗工序制造的電鍍拋光磁盤；圖239A和239B描繪了通過第二實驗工序制造的電鍍拋光磁盤；圖240A和240B描繪了通過第二實驗工序制造的電鍍拋光磁盤；圖241A和241B描繪了通過第二實驗工序制造的電鍍拋光磁盤；圖242A和242B描繪了通過第二實驗工序制造的電鍍拋光磁盤；圖243A和243B描繪了第一實驗B類構(gòu)造的噴鍍磁盤；圖244A和244B描繪了第一實驗B類構(gòu)造的噴鍍磁盤；圖245A和245B描繪了第一實驗B類構(gòu)造的噴鍍磁盤；圖246A和246B描繪了第一實驗B類構(gòu)造的噴鍍磁盤；圖247A和247B描繪了第一實驗B類構(gòu)造的噴鍍磁盤；圖248A和248B描繪了第一實驗B類構(gòu)造的噴鍍磁盤；圖249A和249B描繪了第二實驗B類構(gòu)造的噴鍍磁盤；圖250A和250B描繪了第二實驗B類構(gòu)造的噴鍍磁盤；圖251A和251B描繪了第二實驗B類構(gòu)造的噴鍍磁盤；圖252A和252B描繪了第二實驗B類構(gòu)造的噴鍍磁盤；圖253A和253B描繪了第二實驗B類構(gòu)造的噴鍍磁盤；圖254A和254B描繪了第二實驗B類構(gòu)造的噴鍍磁盤；
圖255是現(xiàn)有技術(shù)中磁盤的橫剖面圖；圖256是本發(fā)明一實施例中的磁盤的平面圖；圖257A是沿圖256中線257-257的橫剖面圖；圖257B是沿圖256中線257-257的橫剖面圖；圖257C是沿圖256中線257-257的橫剖面圖；圖257D是沿圖256中線257-257的橫剖面圖；圖257E是沿圖256中線257-257的橫剖面圖；圖257F是沿圖256中線257-257的橫剖面圖；圖257G是沿圖256中線257-257的橫剖面圖；圖258示出了本發(fā)明一實施例中的兩張合并磁盤；圖259示出了本發(fā)明一實施例中的形成不同倒棱的金剛石刀頭的行進線；圖260是單面磁盤同時制造加工的一實施例的流程圖；圖261是單面磁盤同時制造加工的第二實施例的流程圖；圖262是單面磁盤同時制造加工的第三實施例的流程圖；圖263是單面磁盤同時制造加工的第四實施例的流程圖；圖264是單面磁盤同時制造加工的第五實施例的流程圖；圖265是單面磁盤同時制造加工的第六實施例的流程圖；圖266是單面磁盤同時制造加工的第七實施例的流程圖。
應(yīng)該理解，附圖不必按比例繪制。在某種情況下，對于理解本發(fā)明不需要的或使其它細節(jié)難于領(lǐng)會的細節(jié)可能已被省略。當(dāng)然，應(yīng)該理解，本發(fā)明不必局限于這里所述的特定實施例。
具體實施例方式
出于說明性的目的，這里所描述的實施例和示例中的磁盤具有95毫米的直徑、25毫米直徑的中心孔和0.050英寸的厚度。本發(fā)明不應(yīng)被構(gòu)造成局限于特定大小的磁盤。應(yīng)該理解，本發(fā)明可用于不同大小的磁盤。例如，磁盤的直徑可小可大，厚度也可改變。還應(yīng)該理解，本發(fā)明可用于從一對到若干對的各種數(shù)量對的磁盤。
A.合并和拆分磁盤一般情況下，有兩種方法來操作或傳送硬存儲磁盤。它們是與磁盤的外周邊接合或與通過中心孔成形的磁盤內(nèi)周邊接合。當(dāng)磁盤位于盒子或托架中時，或者當(dāng)將它們從盒子中取下用于處理時，比如通過一個提升工具或類似機構(gòu)，其通過盒子底部的一個開口與磁盤的外周邊接合，并將磁盤垂直提升到盒子上方的位置，磁盤可以在它們的外周邊被接合。被安置在盒子中的磁盤也可以通過夾持機構(gòu)在其上部的外周邊接合，該夾持機構(gòu)通過盒子的開口頂部存取磁盤。磁盤通過心軸或類似機構(gòu)磁盤在它們的內(nèi)部直徑接合。在圖11和12中示出了磁盤操作機構(gòu)的兩個示意圖。如圖所示，一個磁盤操作機構(gòu)10，無論它是盒子的側(cè)壁、心軸或提升工具，一般包括一個凹槽或通道12，成形在凸起的肋或齒14之間。通道壁可以是磨圓的，如圖11所示，或者是直線的，如圖12所示。在兩種情況下，磁盤的外周邊或內(nèi)周邊位于通道內(nèi)，并通過周圍的肋狀物或齒狀物的壁來限制其移動。
為了操作和/或傳送磁盤對來進行同時處理，對磁盤操作機構(gòu)的改進是必需的。圖13和14示出了兩種機械方法，其中是以間隙合并的方位來操作或傳送磁盤對的。這些實施例包括位于較大肋或齒14之間的較小的肋或齒16。這些較小外形的肋用來維持兩張磁盤之間所需的間隔。這些較大的齒被安置在每對磁盤的外部，用來維持每對相鄰磁盤對之間所需的間隔。這些肋也限定凹槽或通道12，用于接合磁盤的外周邊或磁盤的內(nèi)周邊。該凹槽可以是圓形的，如圖13所示，或可以是V形的(或W形)，如圖14所示。
圖15和16示出了用于操作或傳送接觸合并磁盤對或同心接觸合并磁盤對的裝置。因為磁盤的L面是接觸的，所以只有單個通道或凹槽12成形在凸起的肋或齒14之間。然而，所定通道的寬度尺寸足以支撐兩張磁盤，而不是一張磁盤。如圖15所示，它們各自的通道可以是U形或圓形，或如圖16中所示的V形。
為了每次同時處理兩張磁盤，這就需要能夠改變磁盤的方位。一般來說，圖17A、17B、18A和18B示出了合并一對磁盤的一種方法。圖17A和17B示出了兩張磁盤一起靠近來形成一間隙合并方位的磁盤對。磁盤的邊緣，無論是外周邊，還是內(nèi)周邊，都與大肋的傾斜表面18接合，并滑動至圖17B中的位置。這種合并過程減少了兩張磁盤之間的間隔。這種過程可以用來產(chǎn)生一個間隙合并的方位或減少以間隙合并的方位定位的磁盤間的間隔。同樣，如圖18A和18B所示，通過磁盤外周邊或內(nèi)周邊與形成凹槽12的肋的側(cè)壁18之間的相互作用，一對間隔的磁盤被合并成為接觸合并的方位。兩張磁盤間的間隔完全被除去，并且該對磁盤處于接觸合并的方位上。
在兩張單面磁盤同時處理的過程中，磁盤對也必須被拆分多次。例如圖19A、19B、20A和20B示出了兩個用于拆分磁盤對的裝置。參照圖1 9A、19B，利用一工具拆分一對間隙合并的磁盤，該工具具有較小的凸起的齒或肋16，它們和已有的磁盤間的間隙相互作用使得磁盤間產(chǎn)生一個較大的間隔或間隙。當(dāng)磁盤的L面與插入的肋或齒16接合時，磁盤沿著肋的外表面20滑動，直到它們被完全地定位在該通道或凹槽中，且在它們之間帶有較大的間隔。肋或齒的形狀決定著分開的磁盤可以被間隔的距離。拆分一對接觸合并的磁盤略有不同，因為磁盤L面是接觸的。參照圖20A和20B，拆分工具22包括一個楔形物24。另外，優(yōu)選的是，磁盤具有一個斜切的或倒棱的外周邊C，給拆分工具形成了一個導(dǎo)軌26。在一對磁盤之間給拆分工具加壓便在磁盤對間產(chǎn)生一個間隙。該間隙允許其它的工具比如心軸來完成拆分過程并在磁盤間形成一個統(tǒng)一的間隙。磁盤也可以被轉(zhuǎn)移到盒子上，該盒子被構(gòu)造成使磁盤定位在預(yù)定的方位上。
利用磁盤合并技術(shù)的一個示例就是在單張磁盤制造過程的初期。一般來說，第一步就是數(shù)據(jù)區(qū)域的紋理化處理。數(shù)據(jù)區(qū)域紋理化處理是從傳統(tǒng)的、高拋光的雙面基底磁盤開始的?；状疟P面的方向是無關(guān)的，基底磁盤的兩面是相同的。然而，出于操作的目的，基底磁盤的相對方位是重要的。優(yōu)選的是，基底磁盤被成對地以間隙合并的方位排列在一個盒子中。因此，有必要將兩個傳統(tǒng)的基底磁盤盒組成單個基底磁盤對的盒子，磁盤對處于間隙合并的方位。通過使用傳統(tǒng)的雙面磁盤處理的盒子，基底磁盤將相互間隔0.25英寸，25張基底磁盤放在一個盒子中。一旦以間隙合并的方位組成單個盒子，這50張基底磁盤將以間隙合并的方位被排列成25對，每對磁盤之間的間隙大約為0.025到0.035英寸，沿著該盒子的長度方向每隔0.25英寸一對。
下面描述的裝置也可以用于在制造過程的其它時期合并基底磁盤或磁盤。例如，基底磁盤可以被單獨地進行傳統(tǒng)的雙面紋理化處理和清洗處理，在經(jīng)受噴鍍處理之前以間隙合并的方位被合并成對。
圖21示出了一個用于同時組合或分開磁盤的裝置或工作站。該裝置由一個三軸機械手30構(gòu)成，其帶有垂直臂32，該垂直臂帶有磁盤承載心軸34。在一個實施例中，該心軸被構(gòu)造成容納25對磁盤(共50張)。然而，應(yīng)該理解的是，磁盤的數(shù)量可以不同，從一對到一個盒子或磁盤容器所能容納的多對。該心軸的橫剖面可以是圓形的，如這里的多幅圖所示。該心軸的橫剖面也可以是半圓形的，如圖50所示，或可以是兩個尖端分叉的V形或三叉式的形狀，如圖137或148分別所示。該裝置還包括一個承載升降器36、一個轉(zhuǎn)移升降器84、一個拆分工具40以及四個磁盤操作站42、44、46和48。站44是個固定轉(zhuǎn)移工作站。
該合并過程開始于在輸入站46和48中放置兩盒相同數(shù)量的基底磁盤或磁盤，如圖40所示。假如該盒子90、92容納的是原生基底磁盤，無所謂它們是怎樣被安置在站46和48的。然而，假如該盒子容納的是部分或完全被處理過的單面磁盤，盒子90、92的方位是關(guān)鍵的。在這樣的情況下，盒子90和92以這樣的方位被裝入，即，在每個盒子中磁盤的R面的取向與另一個盒子中的磁盤相反。例如，盒子是這樣被裝載的，即，站46處盒子90中的磁盤的R面(活性面)的方位面朝圖40中的前方，而站48處盒子92中的磁盤的R面(活性面)面朝圖40中的后方。該方位是必需的，這樣當(dāng)組合時，每個磁盤對的R面(活性面)朝外，而L面(非活性面或無功能面)朝向磁盤對的內(nèi)部。
參照圖41，機械手30進入站48，將心軸34插入磁盤或基底磁盤的中心孔，在盒子92中接合所有的磁盤，并將它們從盒子中取出。然后，機械手30裝載著這些磁盤進入在站44處的轉(zhuǎn)移盒82(圖42)。緊接著，在站46處機械手30將同樣與盒子90的磁盤接合(圖43)，并且將它們轉(zhuǎn)移到轉(zhuǎn)移站44(圖44)上方的一個位置。一個轉(zhuǎn)移升降器84被安置在站44處的轉(zhuǎn)移盒下方。
一個轉(zhuǎn)移升降器84包括許多提升桿86，每個提升桿86在其頂部具有單獨的磁盤滑座88。提升桿和承載升降器的數(shù)目等于盒子中磁盤數(shù)的一半。更具體地說，該單獨的提升桿86和承載升降器88被安置在轉(zhuǎn)移盒82中的每隔一張磁盤的下面。承載升降器延伸到在站44處先前裝載的磁盤上方的位置，并且接合掛在心軸34上的磁盤(圖34-36)。磁盤從心軸被轉(zhuǎn)移到承載升降器上。隨后，機械手30收回心軸34。該承載升降器88隨后在站44處使磁盤降到轉(zhuǎn)移盒82中(圖45)。與每0.25英寸安置一個基底磁盤的傳統(tǒng)盒子90、92相比，轉(zhuǎn)移盒82每0.25英寸安置兩個磁盤或基底磁盤。轉(zhuǎn)移盒82現(xiàn)在容納傳統(tǒng)雙面磁盤盒中兩倍數(shù)目的基底磁盤或磁盤。
機械手30移動到該轉(zhuǎn)移盒82的中心。通過所有磁盤的孔插入心軸34，并接合和移動所有磁盤(圖46)。機械手30使所有的磁盤移動到站42處，并將磁盤降到盒50中(圖47)。
該合并盒子50的構(gòu)造將影響盒子50中磁盤的方位。該合并盒子可以被構(gòu)造成等間距安置基底磁盤或磁盤，或在磁盤對中具有一個間隙合并的方位或接觸合并的方位。如果要求的是等間距，那么將合并盒子50構(gòu)造成與轉(zhuǎn)移盒82相同，并且心軸34做了一個簡單的從轉(zhuǎn)移盒到合并盒的轉(zhuǎn)移。如果要求的是間隙合并的定位，那么需要一個具有如圖17A、17B中所示的側(cè)壁肋的盒子。如圖17A所示，當(dāng)磁盤被降到盒子中時，肋的側(cè)壁促使磁盤進入間隙合并的方位，如圖17B所示。同樣，如果要求的是接觸合并的方位，盒子將具有如圖18A、18B中構(gòu)造的側(cè)壁。
同樣的裝置和方法可以被用于拆分單面磁盤的磁盤對。制造過程的終端是必需拆分磁盤對的一個示例。被完全處理的磁盤在盒子50中到達該拆分工作站。磁盤將被成對排列在盒子中，并且每張磁盤的R面都朝向磁盤對的外邊(見圖8、9)。因而，每張磁盤的位置相對于其下一張磁盤的位置是反向的。目的就是拆分磁盤對并把它們放置在盒子中，這樣它們在每個盒子中的方位都是相同的。重新定位磁盤將使得隨后的自動化的操作變得容易，比如從盒子中移出磁盤，并把它們放置在磁盤驅(qū)動器中。因為磁盤是單面的，所以關(guān)鍵的是了解它們的方位。將單面磁盤顛倒地放進一個磁盤驅(qū)動器會導(dǎo)致驅(qū)動器不可用。
在一實施例中，裝有成品單面磁盤的盒子從對處于接觸合并的方位的磁盤對進行測試的位置移出。如圖22所示，容納接觸合并磁盤對的盒子50位于承載站40處。一個承載升降器36位于該盒子的下方。該承載升降器36被構(gòu)造成接合和容納盒子50中的所有接觸合并的磁盤對。
參照圖24-26，該承載升降器36包括一個主體部分52，其帶有磁盤接觸面54。該磁盤接觸面54被彎曲成與磁盤的半徑一致。該磁盤接觸面54還包括一系列凹槽或通道56，其由楔狀物或肋58形成。當(dāng)存在于盒子50中的磁盤處于接觸合并的方位時，每個凹槽56的寬度大致與兩張磁盤的厚度對應(yīng)。每個凹槽56形成在相鄰的楔狀物58的傾斜側(cè)壁60之間。該側(cè)壁60在頂脊62處相連。相鄰脊62間的距離是0.25英寸。
如圖24、27和28所示，一個拆分工具位于承載站42的上方。該拆分工具具有一個主體66，其帶有一個磁盤接觸面68，該接觸面68被彎曲成與磁盤半徑一致。該磁盤接觸面68還包括一系列凹槽或通道70，其由一系列三角肋或楔狀物72形成。這些楔狀物72以一種預(yù)定的方式被間隔開，以與每對接觸合并的磁盤L面之間的接觸面64和每對磁盤之間的間隔74對齊。正如可以理解的那樣，肋72的數(shù)目是肋58的兩倍，因為拆分工具40在每張磁盤之間安插有一個肋72，而承載升降器36在每對磁盤間安插有一個肋58。
在操作中，如圖23-30所示，當(dāng)拆分工具40保持固定時，提升桿76提升主體部分52。當(dāng)該接觸合并的磁盤開始與拆分工具40的楔狀物72接觸時，該楔狀物72迫使磁盤分開。既然一對磁盤中的每張磁盤的活性面(R面)朝向該對磁盤的外部，那么在拆分過程期間，損壞磁盤活性面的概率很小。磁盤的倒棱外周邊使得磁盤的拆分和分離變得容易。
緊接著，如圖24所示，當(dāng)所有磁盤被維持在拆分工具40和承載升降器36之間時，機械手30移動以將心軸34插入它們的中心孔。由于通過拆分工具40造成磁盤間的分離，現(xiàn)在在每張磁盤之間就存在間隙。心軸34稍微地提起以與每張磁盤孔的上部內(nèi)邊緣接觸。心軸34在橫剖面上可以是圓形的或半圓形的，并至少具有一排肋78。或者，心軸可以是V形的，具有兩排肋或可以是三叉式的，具有三排肋。在一個實施例中，肋78每隔0.125英寸均勻地間隔開。一個肋78位于每張磁盤之間，并且每張磁盤位于一個單獨磁盤接納凹槽80內(nèi)。如圖31所示，一旦磁盤由心軸34支撐，承載升降器36降低提升桿76和主體部分52，并離開掛在心軸上的磁盤。然后，機械手30移動所有的磁盤對到轉(zhuǎn)移站44上方的位置，在那里使磁盤降到轉(zhuǎn)移盒82中(圖32)。轉(zhuǎn)移盒被構(gòu)造成以一種平均間隔分布的方式支撐磁盤。機械手30從磁盤的中心孔收回，從而離開被支撐在轉(zhuǎn)移盒82中的磁盤，如圖32所示。
如上所述，轉(zhuǎn)移升降器84位于轉(zhuǎn)移盒的下方。該提升桿升起承載升降器，從而移去在轉(zhuǎn)移盒中具有相同方位的所有磁盤，也就是說，每隔一張磁盤。因而，所有被定向成使它們的R面朝向同一方向的磁盤被提升到盒子的上方，留下所有R面朝向相反方向的磁盤(見圖36)。
機械手30將心軸34安置在被提升磁盤的中心孔中，以使這些磁盤與心軸34接合(見圖33、36)。一旦磁盤被裝載在心軸34的上面，轉(zhuǎn)移升降器84降低到轉(zhuǎn)移盒82下方的位置。機械手30移動到站46的位置，那里安置有磁盤盒90。被支撐在心軸34上的磁盤被裝載到該盒子90內(nèi)(圖37)。然后，機械手30返回到轉(zhuǎn)移站44，并與剩下的定位相反的磁盤接合(圖38)。機械手30移動這些磁盤到站48處，并將這些磁盤裝入位于該站的盒子92中(圖39)。先前的接觸合并的磁盤對現(xiàn)在被分開了，并且被裝入兩個分開的盒子，在每個盒子中磁盤以相同的方向定向。
如果磁盤在盒子中定向相同，也就是說，所有盒子中的磁盤的R面都朝向相同的方向，那么單面磁盤從盒子到磁盤驅(qū)動器的移動和定位就簡化了。當(dāng)一個完整的盒子到達容納成品單面磁盤對的拆分站時的方位并不是這樣。然而，在拆分或分離操作的終端，磁盤被放入兩個盒子90、92，在同一盒子中每張磁盤的R面朝向相同的方向。這些磁盤能夠更加容易地被裝到磁盤驅(qū)動器中，而不會在驅(qū)動器中錯誤定向。
作為另一個實施例，心軸100、承載升降器102和拆分工具104被構(gòu)造成處理比盒子中所有磁盤要少的磁盤。如圖48-50所示，該可替換設(shè)計的一個實施例被構(gòu)造成一次操作一對磁盤，而不是整個盒子。參照圖48，相對于拆分處理，承載升降器102從盒子中提升一對接觸合并的磁盤，直到磁盤的上周邊與拆分工具接合為止。該承載升降器具有單個通道或凹槽106來將磁盤對固定在接觸合并方位上。該拆分工具具有兩個被楔狀物110分開的通道或凹槽108。當(dāng)承載升降器102升起磁盤對與拆分工具接觸時，該楔狀物產(chǎn)生磁盤的初步分離。一旦磁盤之間的分離發(fā)生時，心軸100在中心孔112處與磁盤接合。心軸具有兩個被楔狀物116分開的凹槽114。如圖49所示，該楔狀物將在該分離的磁盤之間配合來支撐磁盤對并且讓承載升降器回到它在盒子下方的位置。通過楔狀物116在磁盤間形成的物理間隔由將要存放磁盤的盒子的方位來決定。然后心軸100移動磁盤對到一個接納盒中。
出于合并的目的，心軸100將與同一盒子中相鄰的磁盤接合。此外，兩個凹槽和中心楔狀物之間的間隔將決定著心軸上兩張磁盤間的間隔。心軸可以充當(dāng)一個合并工具并將兩張磁盤緊靠在一起，例如進入間隙合并的方位。該間隔應(yīng)該和目標(biāo)盒的間隔相匹配。在一個實施例中，當(dāng)在制造過程的開始端操作基底磁盤時，要求得到的是將兩張基底磁盤以間隙合并方位安置。因此，心軸將兩張磁盤合并到間隙合并方位上，然后將它們存放在具有相同間隙合并方位的盒中。通過一次處理兩張磁盤，這就不需要使用轉(zhuǎn)移盒。
B.用于兩張單面硬盤的同時操作和轉(zhuǎn)移工具磁盤同時處理的另一觀點就是以單對的或多對操作磁盤。這里將描述多種用于實現(xiàn)這一點的工具。在一實施例中，轉(zhuǎn)移工具或提升滑座120用于從盒子或容器122中轉(zhuǎn)移出一對間隙合并方位的磁盤，或者轉(zhuǎn)移給盒子或容器122。如圖51所示，提升滑座垂直地通過盒子的底部和頂部開口從盒子下方第一位置移動到通常在盒子頂部或接近頂部的第二位置。在較低到較高的位置之間的移動中，該提升滑座與兩張磁盤接合并從盒子中提起磁盤，并將它們轉(zhuǎn)移到這樣一個位置，即該對磁盤將與其它的自動化處理裝置接合。該其它的處理裝置可以包括第二轉(zhuǎn)移工具，其將該對磁盤移動到另一個位置進行處理?；蛘?，磁盤可以在處于上方位置的提升滑座上進行處理。該提升滑座還用于在處理之后將磁盤對送回盒子。
參照圖52-56，該提升滑座包括一個主體124，其帶有一個彎曲的或弓形的磁盤接合部分126。該彎曲的或弓形形狀的半徑趨向于接近磁盤的半徑。然而，如果該提升滑座將用來在處理中提高磁盤的溫度，例如在噴鍍處理中，該曲線應(yīng)略微大于磁盤的半徑用以適應(yīng)磁盤的熱膨脹。如圖54最好地示出，磁盤接合部分一般具有W形的橫剖面，其包括兩個相鄰而又平行的凹槽128。更具體地說，一個中心脊或肋130被設(shè)置用來保持該對磁盤之間的指定間隔。因而，設(shè)置了兩個通道，每個通道被設(shè)計用于分別接合和固定在間隙合并方位的磁盤對中的一個磁盤。每一通道的底部，其由外側(cè)壁132和內(nèi)側(cè)壁134形成，并終止于頂點136處，如圖52、54所示。由每個通道的內(nèi)壁和外壁形成的角度被設(shè)計用于給通道提供一個足夠的寬度來容納磁盤特定的厚度，同時大致與任何形成在磁盤外周邊中的斜面相匹配(見圖52)。如果磁盤被倒棱，那么優(yōu)選側(cè)壁的角度和斜面相匹配，從而在轉(zhuǎn)移操作期間格外穩(wěn)定地固定磁盤。在提升滑座的第二實施例中，如圖57的橫剖面所示，通道128可形成有一個扁平的底面138。扁平部分的寬度W3優(yōu)選與磁盤的厚度相匹配，該厚度去掉了磁盤周邊的倒棱部分(如果有的話)。
一個剪切或中空部分140被設(shè)在提升滑座主體124的一側(cè)中，以容納提升桿142的遠端。該提升桿在其較低和較高的位置之間垂直地移動該提升滑座。在提升滑座的主體上設(shè)置了一對孔142，其用于容納鎖定螺釘或其它固定器件來將提升滑座固定在提升桿上。如圖54最好地示出，剪切部分140也允許該提升桿齊平地配合在主體部分內(nèi)來最大程度地減小提升滑座的寬度。這就允許提升滑座可以利用傳統(tǒng)的雙面磁盤處理裝置，從而將一對單面磁盤移動到這樣的間隔內(nèi)，該間隔原先是為容納單張雙面磁盤所設(shè)計和構(gòu)造的。例如，圖54中所示的滑座寬度W1是0.25英寸。兩個通道中心到中心的距離W2是0.085英寸，側(cè)壁132和134之間所形成的角度大約為30度(圖54)。如圖52所示，該幾何結(jié)構(gòu)將容納兩張厚度為0.05英寸的磁盤，或稍微大一些的磁盤。這一點是重要的，因為磁盤的溫度在噴鍍處理開始時是周圍的環(huán)境溫度(室溫)，而在噴鍍處理期間可能接近300攝氏度。在這一升高的溫度下，磁盤將會膨脹大概百分之七。這種熱膨脹應(yīng)當(dāng)考慮在內(nèi)。
應(yīng)該理解的是，提升滑座的磁盤接合部分的尺寸可以依據(jù)所涉及的磁盤尺寸來改變。另外，提升滑座可以用一整塊的耐高溫材料制成，這樣不僅在形成滑座的磁盤接合部分126時提供更高的精確度和準(zhǔn)確性，而且在磁盤處理期間允許提升滑座運行在高溫的環(huán)境下。在硬存儲磁盤的處理期間，磁盤可經(jīng)受達到350攝氏度的溫度。一個高溫環(huán)境的示例就是噴鍍處理，此時磁盤對將從盒子中移出，經(jīng)受多次噴鍍處理步驟且最后被放回盒子。磁盤接觸面的加工，比如兩個通道128的內(nèi)壁和外壁132、134，允許提升滑座處理熱的或冷的磁盤。經(jīng)受得起這些極端溫度變化的可選金屬包括304和316不銹鋼(全淬硬)?；蛘?，根據(jù)應(yīng)用環(huán)境，該磁盤滑座可以用塑料制成。在高溫環(huán)境下，比如達到350攝氏度，該提升滑座可以由聚酯酯酮(polyesteresterketone或PEEK)制成。一個這樣的示例為商品名Ultem或Vespel的商品。對于低溫環(huán)境，比如低于40攝氏度，該提升滑座還可以用PEEK制成。PEEK提供了很好的硬度且不磨損。然而，PEEK是一種相對昂貴、高性能的塑料。其它用于低溫環(huán)境的可接受高性能的塑料包括聚對苯二甲酸丁二醇酯(polybutylene terephthalate或PBT)或聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate或PET)。PET提供了最好的注塑特性，并且是這三種塑料成本最小的一種。PET還具有至少容許的磨損性能。磨損是制造磁盤時的一個重要因素。
圖58-60示出了轉(zhuǎn)移工具或提升件150的第二實施例。與第一實施例中轉(zhuǎn)移工具不同，這里示出的提升件與每張磁盤在三個不連續(xù)的位置接觸，而不是在延伸的周邊上。因而，提升件150與磁盤之間的物理接觸的量與提升滑座120相比明顯減少了。因此，提升件150更適合于噴鍍處理或其它在每張磁盤表面增加原料的處理。這樣的處理可以在較少阻礙磁盤R面的方式下進行。
該第二提升件包括主體152和三個單件磁盤接合件或刀片154。在該優(yōu)選實施例中，該刀片永久地被固定在提升件150上，且不能夠調(diào)整。不過，在一個替換實施例中，該刀片通過固定螺釘156或其它器件被可調(diào)整地加到提升件上，以允許刀片相對于主體調(diào)整位置。為此該刀片可以包括三個孔158、160、162。該中心孔160可以被擴大以用于刀片位置的微調(diào)。這還允許該三個刀片相對彼此適當(dāng)排列來最佳地固定磁盤。該外部孔158、162可以固定在升降器主體(未示出)內(nèi)任何一系列固定孔上，它們的相對位置是預(yù)先確定的來適應(yīng)不同直徑的磁盤。這種可拆除性允許刀片由于磨損或其它的原因而更換。
如圖59所示，刀片154具有一個磁盤接合邊緣164，其一般來說是W形的，用于接合、固定和保持磁盤對的預(yù)定間隙合并方位。如圖60所示，刀片的邊緣設(shè)計有齒166、168、179，其允許沿著磁盤的周長或外部邊緣支承每張磁盤。應(yīng)該注意的是，刀片的輪廓可以相對于不同的目的變化，比如在磁盤間保持不同的間隔或容納不同厚度的磁盤。同樣，磁盤刀片磁盤邊緣的輪廓可被設(shè)計成匹配或維持由其它裝置賦予磁盤對的間隔。例如，在噴鍍處理中，磁盤對可以從盒子被轉(zhuǎn)移到提升件150，再到其它處理或轉(zhuǎn)移裝置，并通過這個操作裝置鏈回到盒子中。在這樣的情況下，優(yōu)選的是磁盤的間隔一致以易于在不同裝置中轉(zhuǎn)移。因此，磁盤可以在間隔或方位不變的情況下轉(zhuǎn)移。
在一個主要用于噴鍍處理的實施例中，圖59示出的角度A大約在100到110度之間。這樣一個寬角度有意識地避免了刀片邊緣154和磁盤數(shù)據(jù)區(qū)域之間的接觸，這樣在每張磁盤的R面上的噴鍍處理就不會受到阻礙。參照圖58，外部刀片172與磁盤的垂直中心線成角度B，中心線由中心刀片174限定。在該實施例中，角度B是55度。提升件和刀片可以由耐高溫材料制成，比如304或316不銹鋼(全淬硬)，以便能夠抵抗高溫環(huán)境。當(dāng)工作的磁盤具有0.050英寸的厚度時，優(yōu)選的是，刀片具有0.250英寸的寬度和0.015英寸的厚度。
圖63-66示出了提升滑座的第三個實施例。磁盤D之間的間隙是不均一的，不是第一和第二個實施例中的那種情況。相反，當(dāng)兩張磁盤D相對彼此成一個角度時，間隔從相對周邊的一個周邊逐漸減少，因為磁盤的上周邊是接觸的，而底部周邊是分離的。圖62示出了該方位的一個示例。雖然應(yīng)該理解的是，這第三實施例中使用的磁盤可以是其它尺寸、形狀、直徑和/或厚度，但出于說明性的目的，現(xiàn)在描述說明的磁盤或基底磁盤是這樣一種尺寸，也就是，95毫米直徑的磁盤具有25毫米直徑的中心孔10和0.05英寸的厚度。這種尺寸的平行的間隙合并的磁盤對(圖61)優(yōu)選具有一個大約0.025英寸的間隔或間隙W1。如果該對磁盤相對彼此傾斜，比如當(dāng)磁盤的頂部邊緣(圖62)是接觸的時，底部外周邊的優(yōu)選間隔或間隙Y3大約為0.075英寸，磁盤中心孔180上部邊緣的間隔Y1大約是0.025英寸。在該后者的間隙合并方位中，每張磁盤傾斜大約0.6度的角度θ，從而在兩張磁盤之間產(chǎn)生大約1.2度的角度2θ。任何一種間隙合并方位對于磁盤對的操作和轉(zhuǎn)移來說都足夠穩(wěn)定，而不會掉落一張或兩張磁盤。然而，每張磁盤頂部內(nèi)邊緣接觸的間隙合并方位提供了額外的穩(wěn)定性，因為它給每張磁盤提供了一個額外的接觸點。此外，單面磁盤同時制造的一個理論表明，如果磁盤對的一張磁盤從操作機構(gòu)上落下，優(yōu)選的是磁盤對的兩張磁盤都落下。萬一第一張磁盤移出和落下，成傾斜角定位的磁盤會導(dǎo)致第二張磁盤不穩(wěn)定。
參照圖63-66，一個磁盤操作或轉(zhuǎn)移裝置使磁盤對維持在間隙合并的方位上，此時磁盤向著彼此微微成一個角度，使得磁盤的上部內(nèi)邊緣相互接觸。該提升主體182在三個位置與磁盤的外部下邊緣接觸。三個磁盤刀片184、186和188與提升主體相連，并與每張磁盤的周邊接合。在這個實施例中，與如圖65所示的中心磁盤刀片186相比，如圖64所示的該外部兩磁盤刀片184、188具有不同的形狀。這些刀片被設(shè)計用于維持圖62中示出的方位和間隔。因而，正如應(yīng)該理解的那樣，磁盤接觸邊緣的形狀在外部刀片184、186和中心刀片188處必須不同，因為磁盤在這兩個位置的間隔不同。還應(yīng)該理解的是，中心刀片186可以具有如圖64所示的用于外部刀片184和188的W形磁盤接觸邊緣。
參照圖64，該外部刀片184、188具有W形的磁盤接觸邊緣。它們優(yōu)選被安置在與磁盤垂直中心線成55度(圖63中的α)的位置。三個齒190、192、194形成兩個相鄰的槽196、198，該兩張磁盤的外周邊就置于其中。距離GCC2代表兩張磁盤中心線之間的距離(間隙中心到中心的距離GCC)。它也是測量兩個槽196、198中心線之間在這一點的距離的尺度。對于厚度為0.05英寸、傾斜度為0.6度的95毫米直徑的磁盤，距離GCC2將是0.110英寸。在該相同位置測量的從L面到L面的距離，如圖62所示的Y2，將是0.060英寸。差值是兩張磁盤厚度的一半(或一張磁盤的厚度)。
參照圖65，示出了該中心刀片186的一個實施例。該磁盤的接觸邊緣包括單個中心齒200。該齒用于分開這兩張磁盤，從而使每張磁盤有傾角。在外部刀片上的中心齒192用于同樣的目的。外部刀片上的外齒190、194限制磁盤并防止磁盤傾斜超過預(yù)定的角度。肩部202、204也給磁盤提供一些支撐。該中心刀片位于分離程度最大的兩張磁盤的底部周邊。如圖62所示，兩張磁盤L面之間在這一點的距離Y3是0.75英寸。比較起來，兩張磁盤中心線之間的距離GCC3是0.125英寸，假定磁盤的厚度是0.05英寸。如圖66所示，心軸也可以用于接合磁盤對。該心軸206，有時也被稱為轉(zhuǎn)移臂扣(transfer arm button)，用于將磁盤從第一位置傳送到第二位置的目的，下面將詳細說明。該心軸包括一個臂208，其在遠端帶有兩個凹槽210、212，用于接合磁盤上部的內(nèi)周邊，該邊緣由磁盤中心的孔180形成。一個中心齒214維持磁盤的間隔，外齒216防止外部磁盤從臂208移出。這些凹槽的方位同樣被設(shè)計用于維持圖62所示的間隙方位，同時允許該傾斜磁盤接合。正如先前結(jié)合圖62所提到的那樣，每張磁盤L面之間在這一點的距離Y1是0.025英寸。距離GCC1是0.075英寸，由磁盤的中心線之間或兩個凹槽的頂點之間測得。
圖67描述了一轉(zhuǎn)移系統(tǒng)，其中，一個活動傳送臂218位于其遠端，該傳送臂帶有一個心軸或轉(zhuǎn)移臂扣206。該轉(zhuǎn)移系統(tǒng)一般至少完成兩項任務(wù)。在一種情況下，其在第一位置從盒子中移出一對磁盤，并將磁盤對轉(zhuǎn)移到第二位置，在那里磁盤對被轉(zhuǎn)移到一個提升主體182上(虛影所示)。在第二種情況下，第一提升件從盒子中移出磁盤對，轉(zhuǎn)移系統(tǒng)將磁盤對從第一提升主體移動到第二位置的第二提升件(虛影所示)。在每種情況下，心軸206在磁盤的中心孔處與磁盤接合，如圖66所示。然后，該轉(zhuǎn)移系統(tǒng)將這對磁盤移動到第二位置，在這里磁盤被轉(zhuǎn)移到一個提升件上。發(fā)生這些類型轉(zhuǎn)移的示例就是在噴鍍處理中，其中磁盤對必須在許多處理站中間被移動。例如，在Intevac NDP 250B噴鍍系統(tǒng)中有184個站。每對磁盤都從磁盤盒中被移出，并轉(zhuǎn)移到提升主體182上，該提升主體182在184個站的每個站之間順序移動。當(dāng)該處理完成時，該對磁盤從提升主體轉(zhuǎn)移回盒子。
如圖62所示的間隙合并方位是借助于一個傾斜安裝的機構(gòu)實現(xiàn)的，其中每張磁盤頂部周邊的一部分接觸，該傾斜安裝的機構(gòu)或者是與中心孔磁盤接合的心軸或者是沿著磁盤下周邊與磁盤在三個點接合的提升件的刀片。該凹槽或通道的設(shè)計是這樣的，即，當(dāng)提取磁盤時，它們與垂直線形成傾斜角θ其中，θ=sin-1(G/2X1)]]>其中，G是在間隙合并磁盤對中每張磁盤L面之間測量的間隙距離(由磁盤制造商選擇來符合制造的需要，比如機器公差)(G在圖5中是W1，而在圖6中是Y1)，其中，X1是從磁盤外邊緣到內(nèi)邊緣的距離，以及其中，磁盤對中兩張磁盤之間的傾角將是2θ。
圖62-66中示出了這些尺寸。在95毫米直徑磁盤的情況下，該磁盤帶有預(yù)定或選定的0.025英寸的間隙距離G和0.050英寸的磁盤厚度，θ大約為0.6度，并且2θ大約為1.2度。
當(dāng)兩張磁盤被轉(zhuǎn)移到提升件182的三個刀片上時，磁盤底部周長或邊緣產(chǎn)生的較寬的間隙帶來了一個優(yōu)點。在底部的較寬間隙使得一張磁盤在刀片的一個凹槽196的放置變得容易，并且另一張磁盤在另一個凹槽198的放置也變得容易。該較寬的展布方位技術(shù)允許在提升件182和心軸206之間轉(zhuǎn)移有誤差容限。
當(dāng)兩張磁盤通過心軸206被放置在提升件182的三個刀片上時，沿著磁盤垂直中心線安置的該中心的或較低的刀片186應(yīng)當(dāng)比外部刀片184、188具有一個更寬的中心到中心的間隙距離。這種最佳定位穩(wěn)定性是通過采用帶有中心到中心的間隙距離設(shè)計的刀片來實現(xiàn)的，該距離與磁盤頂部周邊到正在討論的刀片位置的垂直距離成比例。下面是應(yīng)用公式X1∶X2∶X3＝Y(jié)1∶Y2∶Y3
其中，X1是磁盤外直徑(OD)到內(nèi)直徑(ID)的距離，X2是磁盤頂部邊緣到外部刀片184或186的磁盤接觸點的距離，X3是磁盤的外直徑，Y1是兩張磁盤之間的預(yù)定間隙，Y2是在外部刀片184、188的磁盤接觸點的磁盤間隙，Y3是在中心刀片186的磁盤接觸點的磁盤間隙，于是，GCC(中心到中心的間隙)距離＝Y(jié)+t，其中t是磁盤的厚度。
一個較寬的用于中心刀片186的中心到中心的間隙設(shè)計使得保持兩張磁盤在頂部的接觸變得容易。四點接觸(圖62)在傳送期間比平行間隙合并(圖61)傳送更穩(wěn)定，在平行間隙合并(圖61)傳送中在磁盤和刀片之間只有三個接觸點。
這里所給出的示例和說明是相對于這樣一個實施例而言的，其中間隙合并磁盤間的預(yù)定間距是0.025英寸，磁盤厚度為0.050英寸，具有95毫米的外直徑(OD)和25毫米的內(nèi)直徑(ID)。同時移動兩張間隙合并磁盤且使之在頂部接觸的理念可以擴展到其它間隙合并的傳送，包括較寬的或較窄的間隙(例如0.010到0.10英寸)以及其它磁盤的形狀因素。例如，使用相同尺寸的磁盤，預(yù)定間隙合并間距Y1為0.050英寸情況下的傾斜角θ大致變成1度，該上部的或外部的刀片184、188將具有大約0.170英寸的中心到中心的間隙距離GCC2，較低的或中心的刀片186具有大約0.20英寸的中心到中心的間隙距離GCC3。
圖68-72示出了該第三實施例的選擇方案。該提升件包括一個主體222，其帶有三個磁盤接合刀片224、226、228。如圖69所示的外部刀片224、228與磁盤對的外周邊接觸，并與磁盤的垂直中心線成55度角。該中心齒230主要用于促使這兩張磁盤分離。外部齒232、234限制磁盤從刀片上落下。如圖63和64所示，外部刀片224、228與外部刀片184和188一樣。該中心刀片226與第一實施例中的中心刀片186不同。該磁盤接合邊緣提供了兩個被一個中心楔狀物240分開的凹槽236、238，該中心楔狀物240以確定的間隔維持著磁盤。外部邊緣或齒242、244維持磁盤在凹槽內(nèi)。每個凹槽或通道的扁平底部246、248的尺寸被定成允許與磁盤外部邊緣接合，因此，其與磁盤的厚度一樣或略微寬于磁盤的厚度。如上所述，關(guān)于圖63-66中的實施例，齒230和240的傾斜表面用于以所需的傾斜度或角度將磁盤對齊在每個凹槽內(nèi)。
三個孔250、252、254被設(shè)置用于將刀片固定在主體上，并允許調(diào)整每個刀片相對于主體的位置。這種調(diào)整性使得每個刀片相對于其它刀片被合適地定位，從而適當(dāng)并牢靠地固定磁盤。其還允許更換受損壞的刀片或以不同的角度安置磁盤。盡管在圖63-66中未示出，刀片184、186、188具有相同的特征以允許更換和可調(diào)整的定位?；蛘?，刀片可以永久地連在提升主體222上且不能更換。
兩個實施例中的刀片和提升主體可以用合適的材料制成，這些材料被利用在整個磁盤制造處理中的任一處理程序中。例如，如果在高溫環(huán)境下使用，比如噴鍍處理，它們可以由用侵蝕處理的304或316不銹鋼(全淬硬)制成?；蛘撸镀梢杂谰玫剡B在提升主體182上且不能更換。
C.利用盒子操作、傳送磁盤并以間隙合并方位合并磁盤在制造過程中不同的位置，希望將磁盤對以間隙合并方位放置。例如，如上所述，將兩盒基底磁盤以間隙合并方位合并成一盒磁盤對。同樣，在紋理化處理和清洗處理的過程中，磁盤對也以間隙合并方位被存儲和傳送。在這些情況的每種情況中，盒子可使磁盤對合并到間隙合并方位中變得容易，從而維持所需的間隙合并方位和以間隙合并方位傳送大量的磁盤對。
圖73示出了一間隙合并盒子300的一個實施例。該盒子具有開口頂部302和開口底部304。該盒子具有兩個端壁306，端壁帶有U形開口308，該開口308從端壁的頂部邊緣310朝底部邊緣312延伸。該側(cè)壁314包括一個上部316、一個下部318和一個底部320。該上部316基本上垂直，下部318從上部側(cè)壁部分向內(nèi)傾斜到底部320。該下部318可以是直的，如圖75和76所示，或者它可以是彎曲的，從而與硬盤(未示出)的輪廓大致相配。
一系列垂直的指示槽(indexing slots)或開口322沿著上部側(cè)壁部分316布置，從而允許盒子相對于不同的處理機器來指示定位和移動，該處理機器包括磁盤制造處理(見圖75、79、80)。例如，盒子可能被定位在一個特定的站上，磁盤對被一次一對的移開并處理。當(dāng)磁盤返回時，盒子可能使用指示槽重新定位。同樣，指示槽能用來使盒子與處理裝置對齊，比如與沿著中心孔與磁盤接合的一心軸對齊，或者與其它類型的用于與磁盤的外部邊緣接合的裝置對齊。在優(yōu)選實施例中，25個指示槽對應(yīng)于25對磁盤的位置沿著每個側(cè)壁的上部被平均地隔開。指示定位可由機械或者光反饋來完成。
另外，成排的槽324沿著上部側(cè)壁和下部側(cè)壁連接處的側(cè)壁被安置。這些槽允許用在不同處理中的液體從盒子中排泄出。例如，在一些處理中，例如數(shù)據(jù)區(qū)域紋理化處理，整個盒子被浸在水下。槽324允許水進入，并在盒子移動到下個工作站之前從盒子中排出。
轉(zhuǎn)到圖74、78、79、82和83，側(cè)壁314的上部316和下部318的內(nèi)表面326包括至少一排凹槽328，以成對地以間隙合并方位定位磁盤。凹槽可以通過側(cè)壁內(nèi)凹進的通道形成，或通過從側(cè)壁延伸的肋330形成，或許兩者兼之。在第一實施例中，為間隙合并磁盤對設(shè)計的肋330分別在大和小的凸起肋332、334之間交錯。該較大的肋332被布置在其間并分開磁盤對。該較大的肋332具有側(cè)壁336，其由在鈍角處連接的兩表面338和340形成，如圖83最好地示出。該側(cè)壁336合并形成脊342。單個小肋334被安置在連續(xù)的大肋332之間。就像大肋一樣，小肋也具有側(cè)壁344，其由在鈍角處連接的兩表面346、348形成。表面346合并形成凸起脊350。該小肋維持著包括磁盤對的兩張磁盤間的間隔。在一對間隙合并磁盤之間的間隔可以在0.075和0.025英寸之間的范圍內(nèi)，最優(yōu)選是0.035英寸。另外，如圖79所示，大肋332比較小肋334更接近地延伸到開口頂部302。如圖82和83所示，每個通道的底面352基本上是平面的。盡管如此，應(yīng)該理解的是，通道可以不是平面的而是V形，在的底部有個頂點，只要V形通道的寬度足夠容納磁盤的寬度。
希望能容易地使得磁盤平滑地轉(zhuǎn)移到盒子300內(nèi)，并以間隙合并的方位實現(xiàn)磁盤的定位。實現(xiàn)這一點的一種方法就是，在側(cè)壁314和肋332及334的構(gòu)造中形成不同的錐體。如圖77和78所示，側(cè)壁314的相對內(nèi)表面326從開口頂部逐漸地向內(nèi)減小，直到大肋332開始點為止。這就允許磁盤在磁盤與肋332、334之間相互作用之前被部分地降到盒子內(nèi)。
緊接著，當(dāng)磁盤進一步降到盒子中時，在肋332、334中形成的兩個不同的錐體也將有助于平滑地轉(zhuǎn)移進入間隙合并方位。圖80最好地示出了第一錐體，每個肋332和334的上部或前緣各自漸縮到一個在354和356處的點。因而，在磁盤與小肋334相合之前，大肋的前緣354通過在相鄰的大肋之間定位兩張磁盤從而一開始就將磁盤成對隔離。同時，每對磁盤之間的間隙將變小。從圖81和82可最好地看出，通過大肋332的上部側(cè)壁表面338和下部側(cè)壁表面340形成的錐體進一步促使磁盤之間的間隙變窄。在一個實施例中，如圖83所示，上部側(cè)壁表面形成一個大約52度的角A1，其提供了一個寬的開口，從而使磁盤的轉(zhuǎn)移變得容易。如圖83所示，下部側(cè)壁340形成一個大約20度的角A2，其也利于接納磁盤，但同樣也限制磁盤的移動。在該實施例中，同一磁盤對的兩張磁盤之間的間隙X1或距離，或小肋334的寬度是0.035英寸。不同磁盤對的兩張相鄰磁盤的R面之間的距離X2，或大肋332的厚度是0.115英寸。中心到中心的間隙距離X3，或兩個相鄰小肋的脊間的距離是0.25英寸。應(yīng)當(dāng)理解的是，根據(jù)所用磁盤的厚度，邊緣到邊緣的分開(間隙分開)距離可以在大約0.020英寸和0.075英寸間變化。因而，磁盤可以平滑地轉(zhuǎn)移進入盒子300，并被盒子保持為間隙合并的磁盤對。
盒子也可包括一個管狀空腔358，其位于盒子的一端。該空腔被設(shè)計成可靠地接納射頻識別(RFID)標(biāo)簽，其能讓盒子及其內(nèi)容物由自動裝置進行目標(biāo)跟蹤(圖77、84)。每個RFID標(biāo)簽將包含它自己的唯一標(biāo)識號，不同于所有其它的盒子。采用這樣的方式，一批磁盤可以在全部的制造處理中被跟蹤，甚至跟蹤到用戶身上。該RFID標(biāo)簽可進一步包括一個讀/寫存儲器，它可存儲每個工序完成的認可信息，其通過與每個處理站連接的發(fā)送器而被寫到芯片上。如果之后發(fā)現(xiàn)了缺陷，它也能夠跟蹤到其它同時處理的批次的位置。
盒子可以由合適的塑料注塑而成，這種塑料可以根據(jù)在整個制造工序中盒子的特定用途來選定。一種適當(dāng)?shù)募夹g(shù)應(yīng)當(dāng)是注塑。高性能的塑料，例如聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)可以被使用，因為它具有可接受的強度和耐久性特性。聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)具有優(yōu)良的注塑性能，但它不具有優(yōu)良的磨損特性。或者，如果盒子將被使用在高溫環(huán)境中，聚酯酯酮(PEEK)就可以被使用，例如溫度可以達到350攝氏度的噴鍍處理中。PEEK的示例可為商品名為Ultem和Vespel的商品。
圖85-89示出了間隙合并盒子的第二個實施例，其被設(shè)計成用于噴鍍處理。它在高度上比圖73-84中所示的實施例要短，并且它更適宜用金屬制成來適應(yīng)因為噴鍍處理的高溫而提高的磁盤溫度。該盒子可以是由單塊金屬壓鑄、沖壓、機械加工而成。由單塊金屬構(gòu)造避免了緊固多個部件的需要，因此，減少了盒子進入噴鍍處理帶來污染的機會。接縫和緊固孔是污染源。污染物可以損壞一批磁盤。盒子也可以被電鍍來改進抗磨損性。一種適當(dāng)?shù)碾婂儾牧暇褪擎嚒Ｄp是另一個污染源。適當(dāng)?shù)牟牧习?04或316不銹鋼或鋁，其可以在高溫環(huán)境下保持完整并固定高溫的磁盤。盡管在噴鍍處理中溫度可以達到350攝氏度，在盒子中的磁盤溫度一般不會超過270攝氏度。
盒子370具有兩個側(cè)壁372、兩個端壁374、一個開口頂部376和一個開口底部378。端壁具有一個U形或半圓形開口380，允許通向磁盤的中心孔。側(cè)壁在380處被彎曲以適應(yīng)磁盤的曲率，側(cè)壁的內(nèi)表面384構(gòu)造有大肋386和小肋388的交替結(jié)構(gòu)。該肋限定了一對并行的通道390。如圖19最好地示出，小肋388分離磁盤對，而大肋386維持每磁盤對中兩張磁盤的間隙。肋的大小和間隙的尺寸可以依照磁盤和所要求的間隔的尺寸改變。對于厚度為0.05英寸的磁盤，在相同磁盤對中磁盤間的間隙可以在0.025和0.07英寸之間。優(yōu)選的是，間隙大約0.035英寸。相鄰磁盤對間的間隙間隔可以在0.085和0.130英寸之間。優(yōu)選的間距是0.115英寸。理想的是，每一磁盤對所占用的空間不超過0.25英寸，其中，所測得的一個間隙合并磁盤對的R面到R面的距離是0.135英寸。
參照圖85和87，一系列精確排列的標(biāo)記或孔394被沿著所示盒子的側(cè)壁372的頂部邊緣396加工，以允許相對于處理機械正確地定位盒子。理想的是，一個定位標(biāo)記394位于每對間隙合并磁盤對的附近。在圖87中，該標(biāo)記位于構(gòu)成每個磁盤對的兩張磁盤間的間隙附近。已知的光學(xué)和機械系統(tǒng)可以基于這些定位標(biāo)記來定位磁盤。當(dāng)連續(xù)的磁盤對被移開和送回時，它們也可以用于相對于處理裝置指示定位(index)盒子的位置，直到整批磁盤完成加工處理。該定位孔被加工成允許盒子相對于處理裝置和其它機器進行雙向定位。
圖90-100示出了第三個盒子400，其用于以間隙合并的方位固定許多磁盤對。該盒子由三個模件制成，總共八件。它的模件特性允許磨損件的更換或不同構(gòu)件的互換。因而，正如對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員是顯而易見的那樣，盒子可以被重新構(gòu)造來以不同方位安置磁盤，比如間隙合并或是在磁盤處理期間需要的其它結(jié)構(gòu)。另外，盒子的長度可以被改變以運送不同數(shù)量的磁盤對。在一個優(yōu)選實施例中，該盒子由塑料制成，因此，由于用于制造盒子的塑料特征而限制了它的使用。
該端壁402通常是U形的以允許通向磁盤，并包括六個孔404，用于連接其它部件。該U形開口406通向磁盤。如圖95、96所示，一對底壁部件408通過底壁部件和端壁上的緊固孔410被固定在端壁上。螺釘或其它的緊固件用于將底壁固定在端壁上。另外，四個側(cè)壁部件412被固定在每個端壁之間用以給磁盤提供支撐面。圖98-100中示出的所有四個側(cè)壁部件彼此相同。圖92、93示出了單個側(cè)壁部件。
圖92和98-100中示出的側(cè)壁的內(nèi)表面414包括一排齒，它們在大尺寸的齒416和小尺寸的齒418之間輪流交替。在該優(yōu)選實施例中，如圖93所示，每個側(cè)壁的橫剖面是八角形的。
參照圖94，示出了一個間隙合并磁盤支撐凹槽420的剖面的放大示意圖。一對大齒422被一個中間的較小的齒424分隔開。大齒的側(cè)壁有兩個表面、一個底部426和一個上部428。由相鄰大齒的側(cè)壁上部形成的角是60度。側(cè)壁的底部形成90度的角。該底部的角被設(shè)計成適應(yīng)磁盤外周邊的斜面。這些凹槽的精確制造允許保持磁盤的一致和精確的定位，對于單面處理需要的精確處理是必需的。應(yīng)該理解的是，齒和肋的結(jié)構(gòu)可以被改進成適應(yīng)磁盤間不同的對齊定位、方位或間隔。因而，側(cè)壁412具有適應(yīng)其它磁盤方位的磁盤支撐表面也可以被利用。
通過使用合并槽座使磁盤的合并變得更容易。合并槽座與磁盤盒相協(xié)作，并幫助磁盤對合并到所要求的方位，比如間隙合并方位。下面將更詳細地討論合并槽座。
D.兩張單面硬盤的同時紋理化處理參照圖101A、101B，盒子450被示出固定多對間隙合并的磁盤D。在紋理化處理的起始端，優(yōu)選使磁盤位于間隙合并方位。提升滑座452的一個實施例是用來從盒子中移出磁盤和將磁盤返回到盒子中。提升滑座452具有一個弧形的磁盤接合部分454，其包括兩個被一個凸起的中心脊或肋458分開的通道或凹槽456(圖102-105)。磁盤接合部分454的外壁460支撐磁盤的外邊緣?；?52包括兩個凹口或孔462，其位于主體的中心用以接納和固定推桿464。推桿464在盒子450下方的第一位置和盒子上方的貫穿的第二位置之間移動提升滑座452，如圖101、101B所示。因此，提升滑座452可以從盒子中移出磁盤對并將其返回同一盒子或不同的盒子。
推桿464移動該提升滑座452到一個位置，在那里它將接合第一對間隙合并磁盤，并將磁盤對移出到盒子上方的一個位置(圖101A、101B)。在該上升的位置，如圖101B所示，磁盤對將與另外的處理裝置接合，將在下面討論。在所示的實施例中，其主要用在數(shù)據(jù)區(qū)域紋理化處理中，相對于厚度為0.050英寸的95毫米直徑的磁盤，提升滑座的每個通道的扁平部分466具有大約0.046英寸的寬度(圖105中的W1)。通道間中心到中心的距離是0.075英寸(圖105中的W2)。因此，中心脊16的寬度是0.025英寸，這也就是磁盤對中每張磁盤的L面間的間隙距離。每個通道456的側(cè)壁460的角度大約是40度，由中心脊或肋458的壁部形成的角度大約是40度。如果該磁盤包括一個被倒棱的外周邊，且該邊緣與肋和外部壁的角度匹配或接近地匹配，那么該扁平部分466將具有小于磁盤厚度的寬度。提升滑座的磁盤接合部分的尺寸可以被改變，以適應(yīng)磁盤的不同尺寸，直徑和厚度。
為了同時處理兩個R面(活性面)，磁盤對的無功能性或非活性的側(cè)面(L面)被合并。為了進行紋理化處理，磁盤對優(yōu)選以同心接觸合并的方位定位。優(yōu)選的是，當(dāng)兩張磁盤同時進行紋理化處理時，兩張接觸合并的磁盤之間沒有相對運動或滑動。為了提高兩張磁盤一起移動的能力，也就是不相對滑動，一個流體層被均勻地沉積在每張磁盤的非活性側(cè)面(L面)。該流體層作為粘合劑來保持磁盤在一起。這可以通過將磁盤浸入去離子水池中來實現(xiàn)。當(dāng)提升滑座從盒子中移出兩張磁盤時，水將漸漸排盡，并在磁盤表面保留所需的水或薄膜層。該層優(yōu)選厚度在0.1和10微米之間。因為磁盤在制造過程中的這個站點是被拋光的基底磁盤，表面的相對平整度將增加兩張磁盤的靜摩擦。
參照圖106-109，一旦一對間隙合并的磁盤被提升滑座452定位在盒子450上方時，磁盤對將與許多輥子或抓手418接合。輥子418可旋轉(zhuǎn)地安裝在合并臂470上。該合并臂470又被安裝在可旋轉(zhuǎn)的外殼472上以橫向運動。如圖107和108所示，輥子418成形為消除磁盤間的間隙，并產(chǎn)生一個同心接觸合并方位，也就是用來合并磁盤。更具體地說，成形在輥子內(nèi)的通道474具有一個扁平底部476，其具有類似于提升滑座452的通道456的扁平部分466的寬度W3(大約單張磁盤厚度的兩倍)。傾斜內(nèi)壁478被定向為成一個優(yōu)選為大約94度的角度，以容納磁盤外周邊45度的斜面，并且當(dāng)磁盤同時被提升滑座452以間隙合并方位支撐時，能夠沿著磁盤對的外周長與磁盤對接合。應(yīng)該理解的是，可以將輥子的角度改變成與磁盤周長內(nèi)斜面的角度互配。當(dāng)該合并臂470橫向地向內(nèi)移動，提升滑座452收回。該合并臂470的橫向向內(nèi)運動使輥子468橫向向內(nèi)移動并與磁盤接合。因此，磁盤對間的間距被去除了。一個柔韌的或塑料的杯子480被安裝在外殼470上，并施加一個外力F，見圖106B，其也容易去除磁盤間的間隙，并幫助一些去離子水從磁盤間擠出。該杯子施加的力一般不超過十磅，并進一步增加了磁盤間的靜摩擦。該塑料杯可以被用在數(shù)據(jù)區(qū)域的紋理化處理中，或用在激光區(qū)域的紋理化處理中。當(dāng)提升滑座452從磁盤對在盒子450中浸沒的位置移出磁盤對時，磁盤也被去離子水從磁盤對間排出時產(chǎn)生的毛細管作用吸到一起或合并。盡管示出了四個輥子，但三個輥子足以牢靠地固定和合并磁盤對，并允許提升滑座收回。
一旦輥子468已經(jīng)牢固地抓住磁盤對且滑座452已經(jīng)縮回，外殼旋轉(zhuǎn)90度(圖109中順時針方向)。磁盤現(xiàn)在處于將與心軸部件482接合的位置上。在圖110A、110B、111A、111B、112A和112B中示出的該心軸部件482主要用在數(shù)據(jù)區(qū)域的紋理化處理中，盡管任何合適的心軸部件也可以工作，該心軸部件還可以被用在激光區(qū)域的紋理化處理中。該心軸部件482包括一個可擴張的夾頭484，其位于心軸桿486的端部。該夾頭484包括一系列交錯偏移的齒或爪形裝置488，以與由每張磁盤的中心孔492形成的內(nèi)邊緣490接合。因而，每隔一個齒與一張磁盤接合，剩下的齒與另一張磁盤接合。心軸部件482還包括一個可縱向延伸的凸輪軸494，其中該軸494的遠端上布置有一個凸輪元件496。在操作中，凸輪軸如圖111A中所示那樣延伸，夾頭484的直徑小于磁盤中心孔492的直徑。當(dāng)凸輪軸494縮回時，凸輪元件496與夾頭484的內(nèi)部相合，以擴張夾頭484，從而使齒488與兩張磁盤的中心孔492的內(nèi)邊緣490接合。或者，如圖110A、110B和111A所示，一些齒448可貫穿兩張磁盤的中心孔492并與外磁盤的外表面498接合，從而進一步使磁盤對容易固定并防止磁盤之間滑動。一旦將心軸桿486固定在磁盤上時，抓手或輥子468釋放，且磁盤對在同心接觸合并方位上被心軸桿486完全支撐。在優(yōu)選的實施例中，一個柔韌的杯子480還被用來平衡心軸部件482。該杯子480位于與心軸部件482相對的外殼472上。杯子480是中空的，以允許心軸部件482貫穿磁盤的中心孔492。杯子480形成了一個推壓磁盤的表面，以使磁盤與心軸平衡接合。所有元件的相協(xié)作形成了牢靠固定在心軸部件482上的同心接觸合并的磁盤對。
一旦磁盤對固定在心軸部件482上，輥子468就與磁盤脫離并移走。外殼472接著轉(zhuǎn)回到其初始位置。四個紋理化處理輥500定位成如圖112A和112B所示的那樣；兩個在心軸的兩邊上，兩個與每張磁盤相接觸。如果采用了固定的研磨紋理化處理，砂帶或砂布(未示出)被卷繞在輥子500上。砂帶含細小的砂?；蚪饎偸w粒。如果利用自由研磨紋理化處理，便在每個輥子上卷繞粗糙的織物，將漿料涂到織物和轉(zhuǎn)動的磁盤上以對磁盤進行紋理化處理。漿料包含對磁盤表面進行紋理化處理的金剛石顆粒、保持低溫的冷卻劑和去離子水基溶液。在兩種紋理化處理中，每個輥子500用大約2.75磅的作用力壓到一部分磁盤表面上，同時心軸部件以每分鐘大約1000轉(zhuǎn)的速度轉(zhuǎn)動磁盤對。該操作對每張磁盤的R面的數(shù)據(jù)區(qū)域進行了紋理化處理。如果兩張磁盤相對彼此不滑動，就能實現(xiàn)最佳的紋理化處理。由紋理化處理輥的相對作用在磁盤對上產(chǎn)生的內(nèi)壓進一步提高了磁盤之間的靜摩擦。
拆分工具502用于從心軸部件382上卸下紋理化磁盤對。圖109和113-118中示出了拆分工具502。拆分工具502包括一對安裝在外殼472上的拆分滑座504，這樣它們就可相對于外殼側(cè)向移動至與磁盤的相對外周邊接合?？蓮膱D115和118中最好地看出，拆分滑座504包括一個彎曲部分506。該彎曲部分506包括一對平行通道或凹槽508，其具有分開兩通道地脊或楔狀物510。與提升滑座462相似，通道508被彎曲成與磁盤對的半徑取向一致。通道508的橫剖面可為V形，或如圖118所示，拆分滑座通道508可具有一個扁平底部。通道508的壁512傾斜以與磁盤外周邊的倒棱的角度相匹配。因而，如果磁盤具有45度的倒棱，側(cè)壁512就以大致90度的角度成型。
除了與磁盤對接合之外，拆分滑座504的一個功能還在于拆分磁盤對并將磁盤對從同心接觸合并方位重新定位到間隙合并方位。因此，楔形物510就與由鄰接的L面磁盤表面的倒棱形成的凹槽514相抵(圖114B)。為了成功地拆分磁盤對，拆分工具502必須克服磁盤對之間的靜摩擦。在這種情況下，由于施加在磁盤表面上的壓力比如通過帶輥500施加在磁盤上的壓力、磁盤之間的水層以及L面磁盤表面的相對平整度的原因，增加了靜摩擦。在該實施例中，拆分滑座504被設(shè)計成施加達到大約10磅的作用力來拆分磁盤對，盡管優(yōu)選使用較小的力來最大程度地減小對磁盤造成的潛在危害?？赏ㄟ^將拆分工具作用到磁盤的較大周邊上來減小所需的作用力的量值。拆分工具502還被設(shè)計成支撐磁盤對來允許心軸部件482在施加拆分力之前脫開。在心軸部件482已脫開之后，每個拆分滑座504的向內(nèi)延伸的下部516支撐磁盤對(圖114A)。
隨著磁盤對與拆分工具502牢靠地接合，外殼472轉(zhuǎn)動以將拆分工具502定位到如圖119A和119B所示的盒子的上方。提升滑座452抬起并接合磁盤對的下周邊。提升滑座452的通道456的間隙合并間隔與如圖118所示的拆分滑座504的通道508的間隙合并間隔相對應(yīng)。當(dāng)磁盤對與提升滑座452重新接合(圖119A、119B、120)時，拆分滑座508便脫離開。提升滑座452降下磁盤對并使它們位于盒子450中。盒子450接著指示定位到新位置，提升滑座452與盒子450中新的一對磁盤接觸并將其取出。優(yōu)選的順序是讓一對磁盤接合到心軸部件482上并被進行紋理化處理，同時剛完成紋理化處理的第二對磁盤返回到盒子中且新的未作紋理化處理的一對磁盤被裝到輥子488之間。
正如上面已說明的那樣，本發(fā)明還可用于對磁盤的R面表面進行激光區(qū)域紋理化處理。進行了激光區(qū)域紋理化處理，磁盤表面就不被機械地接觸了。因此，磁盤之間的靜摩擦就少之又少了。因此，用于進行激光區(qū)域紋理化處理時的拆分工具502可與進行數(shù)據(jù)區(qū)域紋理化處理時構(gòu)造不同。
圖121-128示出了磁盤操作部件518的第二實施例。該磁盤操作部件主要被設(shè)計用來進行激光區(qū)域紋理化處理的操作，盡管它也可被用于處理制造過程中其它點位置的磁盤。在激光區(qū)域紋理化處理中，一對間隙合并磁盤與一個提升滑座452接合并從盒子中取出。與圖105A所示的提升滑座相比，圖105B所示的提升滑座相對于磁盤接合部分454具有細微的差異，主要用于數(shù)據(jù)區(qū)域紋理化處理。特別是，外壁460包括一個上表面460a和一個下表面460b。相對側(cè)壁的上表面形成40度的角度，而相對側(cè)壁的下表面形成20度的角度。上表面460a與下表面460b之間的界面存在于扁平部分466上方0.040英寸的位置(圖105B中的H1)，該扁平部分466形成通道456的底部。相對于具有0.050英寸厚度的磁盤，每個通道W1的寬度為0.046英寸。中心脊458的高度H2為0.097英寸。中心脊的寬度W3為0.045英寸。
圖121-128中的磁盤操作裝置518可用于接合磁盤并從提升滑座452中取出磁盤，如圖105B所示，并且將磁盤返回到提升滑座452，主要用于激光區(qū)域紋理化處理。磁盤操作部件518包括兩個分開但相同的磁盤操作機構(gòu)520，其位于可轉(zhuǎn)動板522的相對端。這樣，磁盤操作部件518就可同時操作兩對不同的磁盤?？赊D(zhuǎn)動板522在其中心具有一個樞轉(zhuǎn)點524，其允許板轉(zhuǎn)動180度，從而使每對磁盤在第一與第二位置之間移動。第一位置位于盒子上，這樣提升滑座就可將一對磁盤提升到第一位置，并且磁盤對可與位于板522一端的第一磁盤操作機構(gòu)520接合。同時，位于板522另一端的第二磁盤操作機構(gòu)520已將第二磁盤對傳送到第二位置上進行加工處理。當(dāng)完成加工處理時，板522轉(zhuǎn)動且第二磁盤操作機構(gòu)使處理的磁盤返回到第一位置，在那里磁盤對被裝在提升滑座452上并返回到盒子中，并且第一磁盤操作機構(gòu)450使未處理的磁盤移動到第二位置進行處理。
該機構(gòu)包括四個轉(zhuǎn)動地安裝在臂528上的間隙輥526(圖121、123、125-127)。臂528在轉(zhuǎn)動板512上側(cè)向移動，從而允許輥子526與磁盤對接合或脫離。圖128中示出了間隙輥526。如圖所示，輥子516具有一對被一個控制楔形物552分開的通道550。每個通道具有一個扁平底部554，盡管每個通道也可具有V形的橫剖面。這里描述的其它輥子也是一樣，內(nèi)側(cè)壁556與楔形物552的壁558形成的角度與磁盤的外周邊倒棱的角度相對應(yīng)。如圖122所示，輥子546被設(shè)計成保持磁盤的間隙合并方位。
圖121和123示出了與一對磁盤接合的磁盤操作機構(gòu)520，比如在磁盤對與提升滑座452脫離之后。在該情況下，板522將使磁盤操作機構(gòu)轉(zhuǎn)動到第二位置或加工位置以使磁盤對位于心軸部件482上。如圖127所示，磁盤部件將與磁盤對接合，并使磁盤對定位成與心軸部件482接合以隨后加工處理。磁盤操作機構(gòu)520與磁盤對脫離，如圖125、126所示。如圖124所示，這樣的加工處理可包括通過一對激光束550進行的激光區(qū)域紋理化處理。激光在每張磁盤的R面表面上進行激光區(qū)域紋理化處理。在處理之后，磁盤操作機構(gòu)520將與磁盤對重新接合(圖121-123)，心軸部件482將脫開。如圖126和127所示，夾持輥526使之定位在該對接觸合并磁盤的外周邊。臂528向內(nèi)壓到磁盤對上，促使楔形物532位于該對磁盤之間。因為靜摩擦小于數(shù)據(jù)區(qū)域紋理化處理時磁盤間形成的靜摩擦，所以夾持輥526用機械方法足以拆分磁盤，從而允許心軸部件完全脫離。在該實施例中，由間隙輥施加的大約4磅的作用力將拆分磁盤。相比之下，因為在數(shù)據(jù)區(qū)域紋理化處理情況下接觸合并磁盤對之間的靜摩擦要大，所以拆分工具502與間隙輥526相比要在更大的周長上與磁盤接合。較大的接觸面積提供了更大的機械杠桿作用，從而更容易分開接觸合并對。
E.兩張單面硬磁盤的同時擦洗和清洗如圖129部分地示出那樣，用于擦洗和清洗的裝置的一個實施例提供了四個站610、612、614、616，包含多張磁盤D的盒子618將定位在這些站上。盒子618具有一個開口頂部和一個開口底部，以允許多對磁盤從盒子610中取出并返回到盒子中。提升滑座620位于每個盒子的下方，并固定在提升桿622上。每根軸622使提升滑座620在盒子下方的下部位置與盒子上方且位于擦洗區(qū)內(nèi)的上部位置之間垂直移動，磁盤對在擦洗區(qū)內(nèi)受到擦洗和清洗。單個軸622可例如通過板624互連，以使每個提升滑座容易始終如一地移動。因而，多個擦洗區(qū)的操作可相一致，并且實現(xiàn)了均一有效的生產(chǎn)量。
固定在拆分軸628上的互補的一套拆分滑座626與提升滑座垂直對齊并位于提升滑座上方，如圖130最好地示出那樣。拆分滑座626和拆分軸628在第一位置與第二位置之間垂直移動。拆分軸628還可通過一塊板或托架630互連，以容易進行始終如一的運動。如圖129和130所示，上互連板630被固定到一個伺服驅(qū)動器632上，該伺服驅(qū)動器在第一和第二位置間移動拆分滑座626和拆分軸628。盡管因為裝置復(fù)雜而未在圖129中示出，下互連板624與相似的驅(qū)動器連接。伺服驅(qū)動器提供了滑座620和626精確、均一且協(xié)調(diào)的運動。應(yīng)該理解的是，也可采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的其它用來移動提升滑座620和拆分滑座626的裝置，比如氣壓或液壓系統(tǒng)。
轉(zhuǎn)到圖131和132，提升滑座620包括一個固定在軸622上的主體部分634。在優(yōu)選實施例中，一個空腔636形成在提升滑座620的主體634內(nèi)以接納軸622。提升滑座620還包括一個磁盤接合部分638，其與兩張磁盤的底部周邊相接合。接合部分638包括兩個被一中心齒或楔狀物642分開的彎曲凹槽或通道640。此外，中心齒或楔狀物642可包括多個高壓噴口或噴嘴644。噴口可連接到一個歧管或流體輸送系統(tǒng)646上，其將去離子水或其它合適的流體輸送給噴嘴644。一個流體源(未示出)被固定在流體輸送系統(tǒng)646上?？蛇x擇的流體包括空氣或氮氣。
提升滑座620磁盤接合部分638中的凹槽或通道640被設(shè)計成維持一對處于間隙合并方位上的磁盤。每個通道640是通過滑座620側(cè)壁內(nèi)表面648和中心楔狀物的側(cè)壁650形成的。這兩個表面形成一個角度，近似于磁盤外周邊上的倒棱652的角度。通道640的扁平底部654近似于磁盤的寬度，扣除了倒棱部分。在一個實施例中，磁盤的直徑可為95毫米、厚度可為0.050英寸，具有45度的倒棱。應(yīng)該理解的是，本發(fā)明可被構(gòu)造成與多種的磁盤尺寸一起操作。
四個盒子610位于工作站位置610、612、614、616上?？稍黾悠渌墓ぷ髡净蚩刹捎幂^少一些的工作站。盒子包含許多軸向排列成單排的磁盤。磁盤還被優(yōu)選布置在間隙合并方位(圖9)上。在直徑為95毫米的磁盤具有大致0.050英寸的厚度的情況下，包括一對磁盤的磁盤對間的間隔或間隙可在約0.025到0.035英寸的范圍內(nèi)，優(yōu)選間隙為約0.035英寸。該間隙允許磁盤對利用原本被設(shè)計構(gòu)造成操作單張雙面磁盤的清洗和擦洗裝置，而不用作出顯著的改動。盒子610還位于一個未示出的指示機構(gòu)中，其在處理的一對磁盤返回到盒子中之后使盒子在提升滑座620上增量地移動或前進，這樣就可取出并加工下一對磁盤。
圖133和134中最好地示出了拆分滑座626的一個實施例。該拆分滑座626包括一個主體部分656和一個磁盤接合部分658。磁盤接合部分658包括單個凹槽或通道660，其由兩個傾斜側(cè)壁表面662和一個扁平底部664形成。拆分滑座還包括多個沿著扁平部分664中心的高壓噴口或噴嘴666。噴嘴666通過一個流體輸送系統(tǒng)668接納去離子水或其它合適的液體。
相一致地，伺服驅(qū)動器632使拆分滑座626和提升滑座620移動到與每個盒子610中的一對磁盤接合的位置上。提升滑座620和拆分滑座626接著相一致地向上垂直移動，從而從盒子中取出該對磁盤并將該對磁盤移動到磁盤擦洗區(qū)670?；蛘撸搶Υ疟P僅通過提升滑座620傳送到擦洗區(qū)670。拆分滑座626仍位于擦洗區(qū)670上并與擦洗后的磁盤對接合，從而在提升滑座使該對磁盤返回到盒子中之前穩(wěn)定地拆分磁盤。
可在整個擦洗區(qū)上施加細霧，以便在將磁盤對的方位改變成接觸合并方位之前在每張磁盤的L面上形成液體層。當(dāng)磁盤對從盒子移動到擦洗區(qū)時，可連續(xù)或間歇地施加細霧。液體層有助于使磁盤粘接到一起，這樣它們之間就沒有相對移動了。
參照圖129、130和135，當(dāng)一對磁盤通過提升滑座620從下方進入磁盤擦洗區(qū)670時，磁盤的上部外周邊與一對邊緣輥672接合。邊緣輥672具有傾斜內(nèi)壁674和扁平底部676。邊緣輥672通過將磁盤的頂部壓在一起而使磁盤對的方位部分地轉(zhuǎn)變成同心接觸合并方位。一對擦洗刷678位于磁盤對的各面上，但一開始與磁盤對間隔開以便不防礙磁盤對向上移動。
如上所述，應(yīng)該理解的是，本發(fā)明的一個優(yōu)點是，通過采用被設(shè)計和構(gòu)造成處理一張雙面磁盤的裝置實現(xiàn)了對兩張單面磁盤的擦洗和清洗。在該情況下，一張傳統(tǒng)的95毫米直徑的雙面磁盤一般具有大致0.050英寸的厚度，而具有相同直徑的單面磁盤一般具有大致0.050英寸的厚度(或一對磁盤為0.10英寸)。當(dāng)確定間隙合并方位上的兩張單面磁盤之間的容許間隙時，這些尺寸就有相關(guān)性了。例如，兩張單面磁盤必須從盒子610垂直地行進到擦洗區(qū)670，并位于擦洗刷678之間。為了避免對現(xiàn)有的雙面磁盤制造裝置作出顯著的改變，磁盤對必須經(jīng)過為單張雙面磁盤形成的間隔。因此，兩張單面磁盤之間的間隙或間隔不能太大，以致一方面在磁盤和提升滑座之間、另一方面和現(xiàn)有裝置之間形成干涉。對于具有0.050英寸厚度的磁盤而言，可接受尺寸的間隙可在0.025英寸與0.035英寸的范圍內(nèi)。因此，磁盤對的總厚度不大于約0.135英寸，這樣就允許使用現(xiàn)有的加工裝置。應(yīng)該理解的是，磁盤之間的間隔可根據(jù)磁盤的厚度改變。
該對轉(zhuǎn)動的刷子678開始與每對磁盤中的每張磁盤的外相對面(R面)接觸。當(dāng)提升滑座620和拆分工具626同時與該對磁盤脫離時，刷子678的該相對向內(nèi)的運動完全去除了磁盤之間的間隔。在圖129所示的實施例中，兩刷子被用于每對磁盤，一個刷子位于磁盤對的一面。在其它實施例中，超過一個的刷子也可被用在磁盤的一面上。刷子678向上轉(zhuǎn)動，如圖135所示，這就將磁盤壓到每個輥子672上并固定磁盤，無需提升滑座620的支撐。刷子還將內(nèi)作用力施加到每張磁盤的R面表面上。在一個實施例中，由刷子施加的內(nèi)壓位于每平方英寸為20至30磅的范圍內(nèi)，優(yōu)選為每平方英寸25磅。邊緣輥672被驅(qū)動成使磁盤對在擦洗過程中轉(zhuǎn)動。相一致地，邊緣輥672轉(zhuǎn)動該對磁盤，且刷子678轉(zhuǎn)動以擦洗轉(zhuǎn)動磁盤。以本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的方式給磁盤涂上清洗液。刷子678相對磁盤的向上轉(zhuǎn)動保持了靠在邊緣輥672上的磁盤的同心接觸合并的方位。由于壁674和底部676的原因，邊緣輥672也保持磁盤位于同心合并方位上。更確切地說，傾斜壁674與磁盤外邊緣的倒棱652相一致，而扁平部分676的寬度與磁盤對的厚度扣除了倒棱部分654后的值相一致。扁平底部676還防止了一張磁盤相對于另一張磁盤側(cè)向移動。
磁盤在清洗和擦洗時其間的相對運動或滑動會導(dǎo)致清洗不均勻、不合格，從而需要對磁盤再作清洗或擦洗。因此，就需要磁盤之間具有一定量的靜摩擦，從而防止這樣的相對運動或滑動。通過將磁盤盒浸在去離子水或別的合適液體中，就在同心接觸合并的磁盤對之間形成了液膜，其充當(dāng)一種粘合劑，以將磁盤固定在一起而不會有相對運動或滑動。磁盤或基底磁盤未加工的L面表面的相對平整度還提高了靜摩擦，同時還通過擦洗刷在磁盤上施加相對向內(nèi)的作用力。
當(dāng)完成擦洗時，伺服驅(qū)動器632移動提升滑座620和拆分滑座626到接近于磁盤的位置。圖135示出了從擦洗區(qū)取出的提升滑座620和拆分滑座626，比如在清洗和擦洗過程中。圖136示出了擦洗刷678剛釋放磁盤且移開之前靠近磁盤對的提升滑座620。拆分滑座626同樣接近磁盤的上周邊。磁盤支撐從刷子678和邊緣輥672轉(zhuǎn)移到提升滑座620和拆分滑座626上的一個重要方面是，磁盤的外周長位于提升滑座和拆分滑座的通道640和660內(nèi)，這樣當(dāng)刷子678與磁盤脫離時，磁盤就不可能掉落。而是將磁盤卡在通道640和660內(nèi)。
在這一點上，磁盤對返回到間隙合并方位。這是必要的，以便提升滑座620固定該對磁盤并使它們返回到盒子618中，其被構(gòu)造成接納間隙合并方位上的磁盤對。起初，在提升滑座620和拆分滑座626最后一次增量地相向移動以與磁盤對物理接合并使之固定之前，噴水嘴644和666操作并對準(zhǔn)在磁盤之間的界面680處以促使磁盤分開。得利于磁盤周邊上的內(nèi)倒棱形成的凹槽682，噴嘴在磁盤間形成大致為0.005英寸的間隙。采用了該噴嘴，每平方英寸60磅的水壓就足以克服靜摩擦并分開磁盤對。當(dāng)提升滑座和拆分滑座相向運動并與磁盤對物理接合時，提升滑座620的中心楔狀物642機械地增加了分離程度。楔狀物的斜面或有角度的面將促使磁盤進入提升滑座的兩個通道640中，并且拆分磁盤。在第二實施例中，拆分滑座626可包括一個楔狀物以幫助磁盤對的機械分離。伺服驅(qū)動器632相協(xié)力地使提升滑座620和拆分滑座626與間隙合并磁盤一起移動并返回到盒子618。每個盒子指示定位到一個新的位置，以允許用新的一組磁盤對重復(fù)加工。或者，拆分滑座626可仍固定在原位上，或稍微收回，同時提升滑座620使磁盤返回到盒子618中。
雙伺服驅(qū)動器系統(tǒng)632是可按程序驅(qū)動的、精確的，并在整個處理過程中實現(xiàn)磁盤對的同時操作。
擦洗處理僅是磁盤或基板磁盤的總清洗的一部分。同樣，清洗可在整個制造過程中進行一次或多次。例如，可在數(shù)據(jù)區(qū)域紋理化處理或激光區(qū)域紋理化處理之后進行清洗。一般來說，在擦洗之前，磁盤一開始要在肥皂水中預(yù)浸泡以松開并去除有機物和其它顆粒。在預(yù)浸泡的過程中，液體被施加了超聲波，超聲波擾動液體并幫助去除不需要的顆粒。處理是在磁盤位于盒子中時進行的。緊接著，仍位于盒子中的磁盤經(jīng)受清水的沖洗。如上所述，擦洗一般是跟在初始浸泡和沖洗之后的。在進行了擦洗后，盒子和磁盤經(jīng)過一系列的額外沖洗步驟處理，接著進入干燥循環(huán)。干燥優(yōu)選是在旋轉(zhuǎn)式脫水機中進行的，此時磁盤仍位于盒子中。應(yīng)該理解的是，為了實現(xiàn)最佳干燥，磁盤不應(yīng)位于接觸合并方位上，而是，最小程度位于間隙合并方位上。而且，通過使磁盤對定位在間隙合并方位上，可有效地進行加工處理，因為接下來的處理優(yōu)選利用間隙合并方位上的磁盤。因此，通過在清洗之后使磁盤定位在間隙合并方位上，可無需在下一工序中對磁盤進行重新定位。
F.單面硬盤的同時潤滑在某些情況下，在制造硬存儲磁盤的過程中要對該磁盤進行潤滑。圖137表示了一單排磁盤D，該排磁盤D軸向?qū)R地排列在盒子710或其它合適的容器內(nèi)。盡管所示的磁盤位于間隙合并方位，但它們在容器內(nèi)還可以是等距間隔的或位于其它一些方位。由于潤滑處理通常跟在噴鍍處理之后，磁盤經(jīng)噴鍍處理后出來時可能處于間隙合并方位，也可能處于磁盤間具有一定間隙的方位。這是因為噴鍍處理中磁盤要經(jīng)受相當(dāng)高的溫度，如果磁盤相互接觸，高溫就會使它們物理焊接在一起。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知道的，可依據(jù)磁盤的厚度和尺寸來改變間距。在本文中，95毫米直徑的磁盤具有0.050英寸的厚度，在間隙合并方位上一對磁盤的間距優(yōu)選在0.025英寸至0.035英寸之間，但該尺寸可以從這個范圍變化。對于具有該尺寸的磁盤，在這個范圍內(nèi)的間距使得只需對該磁盤制造設(shè)備進行有限的變形(如果有的話)該磁盤對就可以采用設(shè)計并構(gòu)造用于處理雙面磁盤的磁盤制造設(shè)備。
一心軸712經(jīng)由中間孔714與盒子710內(nèi)的所有磁盤D相接合。如圖137-139所示，該心軸712的一個實施例包括自支柱718起延伸的一伸長件716。如圖139和141所示，該伸長件716為M形，從而為磁盤的內(nèi)緣724提供兩個接觸點720和722。該伸長件716的兩側(cè)壁726和728為剛性結(jié)構(gòu)?？商鎿Q的，如圖137和138所示，通過刪除該兩側(cè)壁，伸長件716可以為V形。在以上任一種情況下都具有兩個接觸點720和722。優(yōu)選的，伸長件716自主支柱起向上傾斜。優(yōu)選的，傾角為大約水平面往上2度。該傾角有助于減少磁盤表面上的潤滑波紋，在潤滑處理后排出凹槽內(nèi)潤滑劑的過程中或移動磁盤的過程中會出現(xiàn)潤滑波紋。
如圖137和138所示，一系列齒730位于心軸的上部兩側(cè)，每一列都包括位于一對大齒734之間的一小齒732。這種齒布置維持了該磁盤的間隙合并方位。如圖137-142所示，經(jīng)由磁盤的中心孔714插入心軸712的伸長部分716，并將其準(zhǔn)確定位成使兩列齒730與磁盤之間的間隔對準(zhǔn)。更具體的，磁盤對之間的間隔要大于每對磁盤對中兩個磁盤之間的間隔。小齒與形成在每對磁盤對中兩個磁盤之間的間隙對準(zhǔn)，以及大齒與每對磁盤之間的間隙對準(zhǔn)。一旦將心軸712全部準(zhǔn)確地定位在磁盤孔的內(nèi)側(cè)，就提升該心軸712，直至每個磁盤的內(nèi)緣724位于形成在連續(xù)齒730之間的凹槽736內(nèi)。如圖140所示，進一步提升心軸712，將自盒子710內(nèi)升起磁盤。圖137，138，140和142所示的磁盤對處于間隙合并方位(見圖9)。
接著，心軸712移動到潤滑劑槽740上方的一個位置，并將其自身及磁盤降入槽內(nèi)。接著在該優(yōu)選實施例中，將潤滑劑L注入該槽，直至完全浸沒磁盤(圖143)。經(jīng)過適當(dāng)時間后，排出槽740內(nèi)的潤滑劑，同時心軸712將已經(jīng)過潤滑的磁盤提升出該槽。接著在該優(yōu)選實施例中，心軸移動到潤滑工作站的第二位置，并將磁盤運到盒子內(nèi)，如圖144和145所示。如以下所述，可用各種不同的盒子來接納經(jīng)潤滑的磁盤。為了得到最佳效率，應(yīng)將該磁盤轉(zhuǎn)移到這樣一種盒子內(nèi)，該盒子被構(gòu)造成可將磁盤定位在下一處理所需要的方位上。根據(jù)下一處理所要求的方位，該盒子被構(gòu)造成用以將磁盤定位在接觸合并方位、間隙合并方位或其它一些方位。當(dāng)然，還可將磁盤運回從其中取出該磁盤的那個盒子里。還優(yōu)選的，可同時采用多個心軸與多個潤滑劑槽協(xié)同工作，以提高系統(tǒng)的生產(chǎn)量。
一種典型的潤滑劑是全氟聚醚(PFPE)。如果使用這種潤滑劑，且采用厚度為0.050英寸、直徑為95毫米的磁盤，則磁盤要在潤滑劑中停留大約30至120秒?？筛鶕?jù)預(yù)期的磁盤最終潤滑效果及該磁盤的尺寸來改變潤滑劑的種類及磁盤暴露在潤滑劑中的持繼時間。當(dāng)排出槽內(nèi)的潤滑劑時，一層潤滑劑將給磁盤提供潤滑效果并殘留在該磁盤的表面上。該層潤滑劑主要用于在操作磁盤驅(qū)動器的過程中保護磁盤的表面。但是，其還方便地作為磁盤對的L面的粘合劑，以在后續(xù)處理中維持磁盤對之間的接觸合并方位?？赡艿暮罄m(xù)處理的例子有帶拋光或測試，這些處理要求接觸合并方位，在這里可方便地使用潤滑劑的粘合特性。
如所能想到的，可在將磁盤放入槽內(nèi)后，再將潤滑劑加入槽中；或者在放入磁盤前，槽內(nèi)就已經(jīng)存在潤滑液了。如果在放入磁盤時槽內(nèi)有潤滑劑，就應(yīng)該控制該磁盤下降入液體內(nèi)的速度，以防止該液體移動心軸上的一個或多個磁盤，或者無意識地將磁盤對合并成為接觸合并方位。如果一對磁盤在進入潤滑劑內(nèi)時移動至接觸合并方位，該接觸方位會阻止?jié)櫥瑒┙佑|該磁盤的全部或部分接觸面。
如上所述，用于接納新潤滑過的磁盤的盒子可依據(jù)后續(xù)的磁盤處理而改變。在該優(yōu)選實施例中，由于下一處理通常為帶拋光，而帶拋光最佳地是在同軸接觸合并磁盤對上進行，因此，潤滑后磁盤的接納盒子將被構(gòu)造為磁盤的同軸接觸合并方位。盡管同軸接觸合并方位可在帶拋光站而不是潤滑站內(nèi)實現(xiàn)，但更高效的是在潤滑處理后將磁盤運回至盒子內(nèi)時，將磁盤放置成同軸接觸合并方位，而不是在帶拋光站里重新定位該磁盤。因此，潤滑后磁盤的接納盒子應(yīng)被構(gòu)造成這樣，使磁盤定位成下一處理所需要的方位。
V或M形心軸設(shè)計的一種替換方式是一種如圖148-151所示的三尖頭心軸設(shè)計。該三尖頭心軸750沿磁盤的內(nèi)圓周向三個不同的接觸點施加相等的接觸壓力，這與兩尖頭心軸設(shè)計不同。該三尖頭心軸750可被構(gòu)造為使磁盤間產(chǎn)生相等的間隔、生成間隙合并方位、或其它任何預(yù)定的方位。如先前所提到的，當(dāng)將磁盤緊密地間隔在一心軸上時，磁盤間會發(fā)生毛細管作用或芯吸作用，特別是當(dāng)磁盤在間隙合并方位上一對一對緊密間隔時更是如此。這種現(xiàn)象基于相鄰磁盤相互靠得有多近，或者磁盤位于間隙合并方位還是相等間隔的方位。因此，至少對于潤滑處理來說，我們認為相等間隔的磁盤方位比間隙合并方位要優(yōu)選。圖150所示的實施例被構(gòu)造為磁盤間具有相等間隔。在磁盤厚度為0.050英寸且直徑為95毫米的情況下，圖150所示每張磁盤間的間距大約為0.075英寸。
如圖148，149所示，該三尖頭心軸750具有三排齒752，754，756。齒758由V形凹槽口760形成。當(dāng)操作厚0.050英寸的磁盤時，相鄰齒758峰間(或者相鄰凹槽口間)的距離W1優(yōu)選為0.125英寸，如圖151A所示。應(yīng)意識到的是，可將該凹槽口768或齒758切割成不同的尺寸以適應(yīng)不同厚度的磁盤。在心軸750的三排齒752，754，756中的每一排上都形成有該凹槽口，以與磁盤內(nèi)徑的半徑相匹配，如圖149所示。這就在磁盤上產(chǎn)生了三個接觸點762，764和766，而不是像V或M形心軸只產(chǎn)生兩個接觸點。在一種實施例中，靠外排的齒752和756相對于中間排754成45度角。優(yōu)選的，將該心軸設(shè)置成一定角度θ，如圖151A所示，該角度優(yōu)選為大約兩度。這有助于減少在排放磁盤上的潤滑劑時，在該磁盤表面上形成潤滑劑的波紋。每個凹槽口760的優(yōu)選角度為60度，如圖151A所示。還可改變該凹槽口的角度，以與形成在中央孔處磁盤內(nèi)側(cè)邊緣的倒棱相匹配。例如，倒棱角和凹槽口角可都為60度，以提高磁盤的穩(wěn)定性。
由于心軸具有斜角或者傾角，為了維持磁盤在該心軸上的垂直定位，中間排的齒754要比外排的齒742，756稍稍靠前。這可在圖151A中看到。另外，為了獲得最佳的穩(wěn)定性，所有三排齒上的凹槽口都要相對于心軸向前轉(zhuǎn)動一個角度，該角度等于心軸的傾角。該傾角可在水平面往上0.5到10度之間。
在兩刀頭構(gòu)造中，磁盤更易于在心軸712上擺動，從而更可能移動和脫落。三尖頭心軸750中增加的第三排或中間排齒754可將磁盤更牢固地固定在心軸上，從而防止了磁盤擺動，并減少了磁盤在處理過程中相互接觸的危險。這種更加牢固的三接觸點幾何設(shè)計還可防止在排出磁盤間潤滑劑時所產(chǎn)生的毛細管力的作用下磁盤相互吸引。
在潤滑處理后，將新潤滑過的磁盤運回一盒子內(nèi)。如先前所提到的，可這樣構(gòu)造該用于潤滑后磁盤的盒子，其將磁盤保持在任何一種需要的方位上。由于潤滑處理后的下一處理通常為帶拋光，在帶拋光中磁盤對最好位于同軸接觸合并方位，因此優(yōu)選的，將該用于潤滑后磁盤的盒子構(gòu)造成使磁盤對定位在同軸接觸合并方位上。
G.利用盒子將單面硬盤處理、輸送并合并成同軸接觸合并方位在制造單面硬存儲磁盤的過程中，可能需要將磁盤對重新定位為同軸接觸合并方位。例如，在潤滑處理中磁盤相互分離，在潤滑處理后理想的是將磁盤對定位成同軸合并方位。這是因為通常跟隨在潤滑處理后的是帶拋光處理。在帶拋光處理中，磁盤最好位于同軸接觸合并方位。這種磁盤方位的變化可利用一種適當(dāng)構(gòu)造的盒子來實現(xiàn)。
轉(zhuǎn)至圖152-161，表示了一種用于接納潤滑后磁盤的盒子780的實施例。該磁盤盒780由八個部分組成。這八個部分包括兩個端壁782、兩個底座788和四個側(cè)壁792。每個端壁782具有六個用于容納固定件786的孔784。兩底座788使兩端壁782相互連接，并經(jīng)由孔790將底座788固定在側(cè)壁上，該孔790與端壁782內(nèi)的固定孔784對齊。四個側(cè)壁792也使兩端壁782相互連接，并經(jīng)由類似的固定孔794將四個側(cè)壁792固定在端壁782上。在這個實施例方案中，四個側(cè)壁792、兩個端壁782以及兩底座788各自都是相同的。這就具備了模塊性和可交換性。例如，可交換性允許磁盤制造商用庫存的側(cè)壁792來替換在使用過程中被損壞或磨損的單個側(cè)壁。模塊性允許所構(gòu)造的側(cè)壁能將磁盤保持在不同的方位上，該不同的方位可相互替換。因此，在一種實施例中該盒子可能被構(gòu)造為將磁盤保持在接觸合并方位，而在另一種實施例中該側(cè)壁可能被替換為用于將磁盤保持在間隙合并方位上的側(cè)壁。
盒子780及其組件最好通過注塑處理由塑料制成。根據(jù)盒子將要使用的環(huán)境，可選擇具有不同特性的不同塑料。高性能塑料是優(yōu)選的。在通常的環(huán)境下，例如紋理化處理、清潔處理、潤滑處理、伺服寫入處理、測試處理以及圍繞生產(chǎn)設(shè)備對磁盤的一般操作，該塑料可為聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)，聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)或聚酯酯酮(PEEK)。PBT最容易塑造，但耐磨性最不理想。PET具有較好的耐磨性。PEEK具有最好的耐磨性，最耐用且能經(jīng)受的溫度最高。其也是三個中最昂貴的。還可以由金屬通過澆鑄、鍛造、蝕刻或機械加工來得到該組件，但成本可能會成為一個阻礙因素。
如圖161所示，側(cè)壁792的橫截面可以為八邊形。沿該側(cè)壁的一側(cè)設(shè)置有一排用于與磁盤接合的凸肋796，如圖152，154，155和159所示。在這個實施例中，該凸肋796具有兩個側(cè)面798和800，該兩側(cè)面形成了用于容納磁盤的通道或凹槽802。該凹槽802設(shè)計用于將磁盤對定位在同軸接觸合并方位上。該兩表面798，800形成為不同的角度。如圖160所示，下側(cè)壁798形成90度的第一角。該下側(cè)壁798的90度角與形成45度角的磁盤倒棱外邊緣相匹配。該角度可以變化以適應(yīng)不同的倒棱。上側(cè)壁800形成60度角。該由上側(cè)壁800形成的60度角生成一個類似于漏斗的開口，該開口有利于將一對間隔合并磁盤合并成一對位于接觸合并方位的磁盤。該角度也可以變化以適應(yīng)不同尺寸的磁盤。每個凸肋796的上側(cè)壁800還會聚于一點，以生成一脊線804，該脊線804形成了每個凸肋的頂點。每個凸肋還具有傾斜的前后面806。平基座部分808的寬度和由下側(cè)壁798的角度所增加的額外寬度之和應(yīng)與兩張磁盤的厚度相匹配。因此，每對相鄰的凸肋792將一對磁盤保持在同軸合并狀態(tài)。
圖162和163表示了利用盒子側(cè)壁的構(gòu)造來合并磁盤對。為了簡化圖示，所表示的凸肋796的側(cè)壁僅具有一個表面800。沒有表示下表面798。圖162為自盒子頂部向下看去一對磁盤D的外周邊處的俯視圖。磁盤的倒棱在圖中標(biāo)識為C。圖163為正視圖，表示磁盤垂直向下移入盒子內(nèi)，且凸肋796位于磁盤的后面。如圖162A所示，兩相鄰?fù)估叩募咕€804之間的距離W2被設(shè)計成寬于兩磁盤在間隙合并方位下的厚度。因此，如果磁盤為0.050英寸厚且間隔為0.035英寸，那么距離W2應(yīng)該為0.135英寸或更寬。
在操作中，當(dāng)將磁盤放入盒子內(nèi)并且磁盤接觸表面800時，該向內(nèi)傾斜的表面800有利于磁盤相互朝向?qū)Ψ揭苿印Ｒ虼?，隨著心軸712或750將已潤滑過的磁盤放入盒子780內(nèi)，每個側(cè)壁792的側(cè)壁面800就用來強行將磁盤合為一體。于是，當(dāng)將磁盤放入盒子內(nèi)時，該磁盤會慢慢地移動至同軸接觸合并方位，如圖162C和163C所示。一旦磁盤完全坐盒子內(nèi)，就可以自磁盤的中央孔內(nèi)取出心軸。
在一種可替換的實施例中，如圖164和165所示，該凸肋796的前沿還可以傾斜，以生成加寬的入口810，這在圖162和163所示實施例中是沒有的。該由每個凸肋796的斜面812，184所形成的加寬入口進一步有利于合并磁盤。該加寬入口810有利于兩磁盤移入每個凹槽802內(nèi)，以確保心軸712或750上相互分離的磁盤正確地重新排列成接觸合并磁盤，且每個凹槽802內(nèi)有一對磁盤。
按照相同的方式，圖140-143所示的間隔合并磁盤對可被重新定位成如圖145-157所示的同軸接觸合并方位。沿盒子710內(nèi)側(cè)設(shè)置的凸肋796排的尺寸是這樣定義的，該尺寸要能強行地使磁盤進入接觸合并方位。該凸肋具有傾斜的側(cè)壁面800，該側(cè)壁面800迫使磁盤逐漸接觸，這表示在圖146和147中。
該盒子780可用于各種加工處理，其中，將磁盤一次一對地取出以進行處理，處理后又將磁盤對運回盒子內(nèi)。在運回每一對磁盤時，可調(diào)節(jié)該盒子相對于加工設(shè)備的位置，以便取出下一對磁盤。盒子位置的調(diào)節(jié)可通過將盒子放在一導(dǎo)件或支架上來得以實現(xiàn)，該導(dǎo)件或支架被預(yù)編程序以按照預(yù)期的增量調(diào)節(jié)該盒子的位置。可替換的，該盒子可具有一個或多個參考或指示標(biāo)記，該標(biāo)記用于相對于加工設(shè)備調(diào)節(jié)和對準(zhǔn)盒子。該指示標(biāo)記可以是位于盒體上的孔或記號，或者，如果具有光學(xué)系統(tǒng)，該盒子現(xiàn)有的特征例如端壁的角或其它邊緣可用作參考標(biāo)記。
應(yīng)認識到的是，本發(fā)明還可一次處理一對磁盤。為了獲得更大的生產(chǎn)量，要求該盒子裝載的所有磁盤被同時合并。該盒子的設(shè)計應(yīng)保持不變。除了使用圖137或148所示心軸外，還可使用用于處理單面磁盤對(2磁盤)的機構(gòu)。這樣一種磁盤對機構(gòu)可包括雙磁盤心軸設(shè)計和雙磁盤滑座。該滑座位于盒子敞口底部的下方，且經(jīng)由該盒子垂直移動至該盒子敞口頂部的上方。在其提升位置上，被升起的滑座可接納雙磁盤心軸上的一對磁盤并將它們降入盒子內(nèi)，或者該心軸可簡單地將磁盤降入盒子內(nèi)，而不使用提升滑座。
H.便于合并單面硬磁盤的合并凹槽座通過使用一種合并凹槽座進一步地方便磁盤的合并。該合并凹槽與磁盤盒結(jié)合使用，有助于將磁盤對合并成接觸合并、間隙合并或同軸接觸合并方位。
轉(zhuǎn)至圖166和167，表示了一種盒式工作臺或合并工作站850。該工作臺被構(gòu)造用以接納一磁盤盒或磁盤載體852。圖167和168中所示盒子被構(gòu)造用于接觸合并方位的磁盤對。這些磁盤盒通常具有一個敞口的頂部854、一個敞口的底部856、兩側(cè)壁858以及一對端壁862。該兩側(cè)壁858具有凹槽或通道860，該凹槽或通道860用于使許多磁盤平行軸向?qū)R且位于同軸接觸合并方位。該一對端壁862具有用于接近磁盤的U形開口864。該工作臺850具有通常為矩形的凹槽866，盒子側(cè)壁858及端壁862的底部868位于該凹槽866內(nèi)。該工作臺的外端壁870和側(cè)壁872支撐著盒子。另外，該工作臺的側(cè)壁可包括抬高部分874，該抬高部分874構(gòu)造有例如一斜面或斜坡部分876，以與盒子外側(cè)壁858的構(gòu)造相匹配，并在處理操作過程中提供額外的穩(wěn)定性。
本發(fā)明還采用一種凹槽座或多磁盤合并滑座880，該滑座880具有弧形的上表面882以助于磁盤對的合并以及使磁盤對坐在盒子內(nèi)。該凹槽座表示在圖166，167，174和175中。該弧形上表面的形狀最好與磁盤的曲率半徑相匹配。該凹槽座880位于工作臺850的中央?yún)^(qū)域，在一種實施例中，其位于工作臺上盒子敞口底部的下方。在該同一實施例中，該凹槽座880與一致動器884連接，該致動器884經(jīng)由盒子的底部開口在第一縮回位置(圖170)和第二伸出位置(圖175)之間垂直移動該凹槽座。該凹槽座的上表面882上形成有凹槽886，該凹槽886的尺寸被設(shè)定為每個凹槽內(nèi)支撐一對磁盤(圖166和172-174)。另外，該凹槽由具有傾斜側(cè)壁890的一排齒888形成。該傾斜側(cè)壁890使凹槽886形成錐形，這樣每條凹槽的頂部就比底部寬。如果目的是生成磁盤對之間的同軸接觸合并，那么每個凹槽886的底部寬度就等于兩張磁盤的厚度。操作時，隨著將每對相互間隔的磁盤降到該凹槽座880上，每個齒888的側(cè)壁890將迫使兩磁盤在降到凹槽座880上的同時相互接觸(圖172，173)。在該優(yōu)選實施例中，每對側(cè)壁890所形成的角度應(yīng)等于或稍寬于由磁盤外周邊892形成的倒棱。
在操作時，一心軸或類似的輸送裝置(未表示)將許多磁盤輸送給位于工作臺850上的一盒子852。最初，經(jīng)由盒子的敞口底部將凹槽座提升至該盒子底部上方的一個位置(參見圖175)。當(dāng)心軸降下磁盤時，根據(jù)凹槽座880的相對位置，磁盤可在接觸盒子側(cè)壁前就接觸凹槽座，或者反過來也可以。例如，如果凹槽座較高，磁盤可在接觸盒子側(cè)壁前就接觸凹槽座，或者如果凹槽座較低，磁盤會首先接觸盒子的側(cè)壁。在該優(yōu)選實施例中，磁盤將首先接觸工作臺。在二種情況中，或者凹槽座內(nèi)的凹槽通過使磁盤的底部合并成預(yù)期的方位來啟動預(yù)期的合并處理，或者凹槽座內(nèi)的凹槽繼續(xù)由盒子側(cè)壁上類似構(gòu)造的凹槽860所啟動的合并處理。一旦磁盤與凹槽座完全接合，它們應(yīng)被獨立地支撐在一個垂直方位上，從而可以與心軸脫離。圖171和173表示了位于接觸合并方位的磁盤。
在一種實施例中，相對于靜止的盒子降下凹槽座和心軸，直至磁盤與盒子側(cè)壁上的凹槽860相接合。當(dāng)磁盤足夠穩(wěn)定后，可移除心軸。可替換的，一旦磁盤在凹槽座內(nèi)足夠穩(wěn)定，但并沒有完全位于盒子內(nèi)時，如圖175所示，可除去心軸且降下凹槽座，直至磁盤完全位于盒子內(nèi)。在第二種實施例中，凹槽座880可保持在一提升位置，或者永久地固定在一提升位置。在這種情況下，磁盤沒有完全位于盒子內(nèi)，但被充分地支撐以允許移除心軸。當(dāng)例如為將盒子輸送至另一加工站而將盒子升離工作臺時，磁盤就完全坐落盒子內(nèi)。在任一種情況下，該凹槽座都有利于預(yù)期方位的改變，由磁盤在心軸上的定位改變至磁盤在盒子內(nèi)的預(yù)期定位。當(dāng)將盒子升離工作臺時，磁盤就完全坐落盒子內(nèi)。
本發(fā)明還可用于將磁盤定位在間隙合并方位，或者例如通過使磁盤由第一間隙合并方位重新定位成第二及不同間隙的合并方位來改變間隙尺寸。在這種情況下，凹槽座的弧形上表面882的構(gòu)造將類似于用于接納間隙合并磁盤的盒子的側(cè)壁的構(gòu)造。如圖169所示，盒子側(cè)壁的內(nèi)表面包括一排交替的大齒894和小齒896，該大齒和小齒限定了凹槽860。因此，凹槽座880的圖案將具有分別與之互配的交替大小齒898和900。這種構(gòu)造在相鄰大齒以及小齒的相對側(cè)之間產(chǎn)生了兩個凹槽902，904，如圖176，177所示。相對于該凹槽座這樣定位磁盤，使在將磁盤降落在凹槽座上的同時，大齒最初將磁盤分離成對。大齒的側(cè)壁906將磁盤合并成對且合并成間隙合并方位(圖177)。小齒900將維持預(yù)期的分離。
I.兩張單面硬磁盤的同時磁盤拋光處理拋光處理通常跟隨在潤滑處理后。優(yōu)選的，在磁盤對位于同軸接觸合并方位時進行拋光處理。這是由于具有糙化帶的相對輥將被壓靠在磁盤對中兩磁盤朝外的R側(cè)面上以拋光該面。參照圖178-181，其表示了用于帶拋光處理的一般磁盤操作及輸送順序。在一種實施例中，磁盤盒910位于帶拋光站處，且磁盤對位于同軸接觸合并方位。最符合邏輯的是在潤滑站中、對磁盤對的潤滑后操作過程中將磁盤對定位成接觸合并方位。但是，應(yīng)認識到的是，磁盤到達拋光站時可以位于其它方位，然后在拋光站里將其重新定位成同軸接觸合并方位。類似的，盡管優(yōu)選的是，在磁盤對位于同軸接觸合并狀態(tài)時對其進行帶拋光處理，但在本發(fā)明范圍內(nèi)帶拋光處理也可在其它方位下進行，例如墊片合并，只要充分地支撐該磁盤，使得拋光操作能均勻一致地作用給一磁盤對的兩磁盤表面。
提升滑座912位于該盒子910的下方，用于將一對磁盤移出盒子。如圖182-186所示，該提升滑座包括一主體914，該主體914具有一弓形或弧形的磁盤接觸面916(圖182)。該弓形磁盤接觸面包括位于兩凸起側(cè)壁920之間的一單個凹槽918(圖184-186)。該凹槽的尺寸被設(shè)定成用以將一對單面硬存儲磁盤保持在同軸接觸合并方位。該提升滑座體具有內(nèi)孔穴922，用于接合提升桿的末端(未表示)。提升桿在盒子下方的第一位置與一較高位置之間移動該提升滑座，如圖178所示，在該較高位置上其它的操作及輸送機構(gòu)可接近磁盤對。通道或凹槽918具有一平的底部924(圖183)，該底部接合并支撐兩磁盤的外周邊。優(yōu)選的，這樣確定側(cè)壁的角度，使其對應(yīng)于磁盤外周邊的倒棱并維持磁盤對的垂直對齊。
參照圖178和179，在將一對磁盤移出盒子后，利用許多同軸接觸合并輥926來接合該磁盤對。在一種實施例中，該輥徑向朝內(nèi)和朝外地移動，以在四個均勻間隔例如90度間隔的位置上接合和脫離該兩磁盤的外周邊。合并輥的一種實施例表示在圖187和188中。該輥被構(gòu)造成在兩傾斜側(cè)壁930之間形成一單個凹槽或通道928。類似于提升滑座，該輥具有一平的底部932，該底部與兩磁盤的外周邊相接合。由側(cè)壁930和底部932形成的通道將磁盤對維持在同軸接觸合并方位。
一旦磁盤對與四個合并輥接合，提升滑座912就脫離該磁盤對，且該磁盤對被移動至第二位置。在第二位置，如圖180所示，磁盤對經(jīng)由其中心孔與一心軸部件934相接合。該心軸部件沿中心孔的內(nèi)邊緣936牢固地接合該磁盤。該心軸被設(shè)計成在帶拋光處理過程中使磁盤轉(zhuǎn)動。在心軸與磁盤對接合后，四個合并輥就脫離該磁盤對。
圖189表示與傳統(tǒng)雙面磁盤的相對面相接合的四個拋光輥938的示意圖。相比較的，圖181和190表示與一對同軸接觸合并磁盤的R面相接合的四個帶拋光輥938。本發(fā)明允許將用于拋光一個雙面磁盤的設(shè)備應(yīng)用于同時拋光兩個單面磁盤。環(huán)繞該輥設(shè)置有一帶或粗糙的織造織物，以提供必要的粗糙度，從而為除去表面凹凸和過量的潤滑劑而拋光該磁盤表面。這些輥將高達四磅的力從相反方向作用給磁盤對的R面。
為了使帶拋光處理的產(chǎn)物一致，優(yōu)選的，在拋光過程中磁盤對的兩磁盤之間沒有相對移動。預(yù)先涂覆在磁盤表面上的潤滑劑作為接觸合并磁盤的L面間的一種粘合劑。圖193從原理上表示了在將磁盤重新定位成接觸合并方位前，位于磁盤L面之間的潤滑液L。對不同潤滑劑進行測試，那些其內(nèi)滲有粘合劑的潤滑劑能得到較好結(jié)果。一種適用的配方是AM3001潤滑油、X1P添加劑和PF5060溶劑的混合物。其它采用和不采用添加劑的潤滑劑也可得到類似的積極效果，例如Z-Dol或Z-Tetrol。
帶拋光處理后，磁盤對可保持在同軸接觸合并狀態(tài)，并運回一盒子內(nèi)。合并輥926與磁盤的外周邊相接合，從而允許心軸部件934與磁盤脫離。該合并輥將磁盤對輸送給提升滑座912，然后該提升滑座將磁盤放入一盒子內(nèi)。根據(jù)磁盤對的下一處理，也可改變磁盤對的方位。但是，如果下一處理要求磁盤位于同軸接觸合并狀態(tài)，那么優(yōu)選的是不拆分磁盤對，而是在維持磁盤對的同軸接觸合并方位的同時，將磁盤對輸送至下一處理站。
J.兩個單面硬磁盤的同時測試在單面磁盤的制造過程中理想的是，多次和/或在多個位置對磁盤進行測試，以確信加工過程正在正常地進行。可以進行測試的一個位置就是在加工處理基本完成后的帶拋光處理后。在一些實施例中，帶拋光處理可能是最后一個加工步驟，因此有必要進行測試以確認磁盤被正確地制造。測試通常包括確定是否存在任何凹凸的滑行測試，凹凸會負面地影響磁頭/滑觸頭組件的浮動。測試還包括對磁盤進行讀和寫操作的鑒定測試，用以確定是否存在使磁盤無法使用的缺陷。
圖194-198表示用于測試的機械加工步驟。優(yōu)選的，磁盤到達測試站時位于同軸接觸合并方位。因此，如果在帶拋光處理后進行測試，就不需要重新定位磁盤對；磁盤對將位于同軸接觸合并方位。如圖194和195所示，利用一種真空夾具950來夾住磁盤對的上部外周邊。該真空夾具的一種實施例表示在圖200-203中。該真空夾具包括具有弧形磁盤接合部954的主體952。該弧形磁盤接合部由一單個凹槽或通道956形成，該凹槽956構(gòu)造成將一對磁盤保持在同軸接觸合并狀態(tài)。該凹槽具有一對傾斜側(cè)壁958和一平的底部960。主體內(nèi)的一對孔或孔穴962與凹槽的底部連通，并形成一歧管或真空系統(tǒng)964以提供該夾具的真空性能。在一種實施例中，該真空夾具由聚酯酯酮(PEEK)制成。為夾住并支撐直徑95毫米、厚0.05英寸的一對磁盤，所施加的真空壓在5至20英寸的壓力(inches of pressure)之間。
該真空夾具一次自盒子966內(nèi)取出一對磁盤。該真空夾具使磁盤樞轉(zhuǎn)90度(圖51)，并將磁盤對輸送至圖196所示的第二位置。在該第二位置，磁盤對經(jīng)由其中心孔970與一心軸部件968接合。在磁盤對與心軸組件接合后，該真空夾具就脫離磁盤對并被移除以免妨礙測試步驟。
圖191示意性地表示了一種用于單個雙面磁盤的傳統(tǒng)測試裝置972。比較性的，圖192表示將同一裝置用于一對同軸接觸合并磁盤。圖198還表示了將同一測試裝置972設(shè)置用于同時測試兩個同軸接觸合并磁盤。利用心軸部件來轉(zhuǎn)動磁盤，同時測試裝置進行滑行測試和鑒定測試。在測試操作后，測試裝置將退回，同時利用真空夾具夾住磁盤對。心軸部件脫離，同時真空夾具將磁盤對送回盒子并夾住盒子內(nèi)的下一對磁盤，重復(fù)上述操作直至測試完盒子內(nèi)的所有磁盤對。未通過測試的磁盤將被廢棄。
K.兩張單面硬磁盤的同時伺服寫入處理不同于前述處理，同時伺服寫入處理是選擇性的。伺服寫入處理可一次在一單張磁盤上進行，例如在組裝入利用自伺服寫入技術(shù)的磁盤驅(qū)動器內(nèi)后。但是，兩張磁盤的同時伺服寫入處理可維持本發(fā)明所能提供的高產(chǎn)量。
圖204和205表示了一種伺服寫入裝置1020，該裝置用于具有兩個功能性或活性表面的單張雙面磁盤，該裝置1020將伺服磁道1022同時地寫入該單張雙面磁盤D的兩表面1024和1026上。該伺服寫入裝置包括兩個獨立的驅(qū)動組件1028和1030。典型的，利用其中一個驅(qū)動部件來相對于磁盤表面控制并定位另一個驅(qū)動組件。更具體的，第一驅(qū)動組件1028包括一對換能器(transducers)或讀/寫元件1032，利用驅(qū)動臂1034使該換能器或讀/寫元件1032與一單個樞轉(zhuǎn)點或軸1036連接，且將其中一個磁頭設(shè)置成靠近上表面1024，將另一個磁頭設(shè)置成作用下表面1026。該寫元件或換能器1032將伺服磁道1022寫在磁盤的上下兩表面上，兩表面都是活性的或功能性的，因此都可用來存儲。隨著兩換能器1032圍繞單個軸1034而樞轉(zhuǎn)，兩換能器1032將一種弧形圖案的伺服磁道1022寫在磁盤D的表面上。在這種布置下，當(dāng)在雙面磁盤上寫入伺服磁道數(shù)據(jù)時，很重要的是兩換能器1032要共享一個公共樞轉(zhuǎn)點且沿著共同的弧線移動。這是因為，一旦將磁盤安裝在一磁盤驅(qū)動器內(nèi)，用于對磁盤D表面1024和1026進行讀取和寫入操作的磁頭也將共享一個公共樞轉(zhuǎn)點，同時也正像該伺服磁道寫入裝置一樣協(xié)調(diào)一致地移動。實際上，一種伺服磁道的寫入方法包括在組裝磁盤驅(qū)動器后，利用磁盤驅(qū)動器的磁頭\驅(qū)動組件來寫入伺服磁道。這種技術(shù)被稱為自伺服寫入。圖206和207分別表示了在該雙面磁盤的兩表面1024和1026上所生成的伺服圖案1022。
在這個實施例中，第二驅(qū)動組件1030包括一編碼器1040，用于相對于磁盤表面定位第一驅(qū)動組件1028的換能器1032。該編碼器1040包括用于一對驅(qū)動臂1044的單個軸或樞轉(zhuǎn)點1042。一推銷1046位于該驅(qū)動臂1044的末端。一個音圈電機(voice coil motor)位于該驅(qū)動臂的相對端，該音圈電機通常包括一線圈元件1048和永久磁鐵1050。還可具有一標(biāo)尺或量規(guī)作為該音圈電機的部件。在該主動/從動裝置中，用于第二驅(qū)動組件1030的音圈電機使得驅(qū)動臂1044和推銷1046繞樞轉(zhuǎn)點1042轉(zhuǎn)動。反過來，由于推銷1046接觸驅(qū)動臂1034，這又使得驅(qū)動臂1034繞軸1036樞轉(zhuǎn)。這種相對移動就相對于磁盤表面1024和1026定位該換能器1032。因此，第二驅(qū)動組件1030的音圈電機間接地將第一驅(qū)動組件1028的磁頭1032定位在正確位置，以生成預(yù)期的伺服磁道。第一驅(qū)動組件1028還可包括一音圈電機，但其在這種伺服磁道寫入操作過程中是不起作用的。
這樣一種伺服磁道寫入裝置不能用作在一對位于合并方位的單面磁盤上進行伺服磁道寫入處理。如先前所提到的，圖206和207表示了用于圖204和205所示單張雙面磁盤的上下表面1024和1026的示范性伺服圖案。如所看到的，由磁道1022產(chǎn)生的圖案在其方向和方位上是相反的。由此，如果將該同一裝置用作在一對合并磁盤的活性表面(R面)上寫入伺服磁道，那么位于下方的磁盤在傳統(tǒng)磁盤驅(qū)動器中將不能起到其應(yīng)有的功能，因為其所設(shè)置的伺服圖案不能被傳統(tǒng)安裝的磁頭磁盤組件所讀取并理解。
利用圖208和209所示裝置及方法來解決前述問題。其中，采用兩個伺服磁道寫入器1058和1060，將其中一個設(shè)置成用于在上端磁盤1062的外表面(R面)上執(zhí)行寫入，而第二個用于在下端磁盤1064的外表面(R面)上執(zhí)行寫入。如所看到的，除了每組伺服磁道寫入器在不同的位置樞轉(zhuǎn)而不是在一個共同的位置樞轉(zhuǎn)外，伺服磁道寫入裝置1058和1060的組件與用作在單張雙面磁盤上進行伺服磁道寫入的傳統(tǒng)寫入裝置的組件相同。
更具體的，如圖208和209所示，每個伺服磁道寫入裝置1058和1060都包括一個主驅(qū)動組件1066，其用于定位執(zhí)行實際伺服寫入的從驅(qū)動組件1068。該主驅(qū)動組件1066包括一個定位編碼器1070，該定位編碼器1070具有單個驅(qū)動臂1072，一推銷1074位于該驅(qū)動臂1072的末端。該驅(qū)動臂1072的另一端具有一音圈電機，該音圈電機用于直接定位包括銷1074在內(nèi)的驅(qū)動組件1066。該驅(qū)動臂繞一軸1076樞轉(zhuǎn)。音圈電機包括一線圈1078和一永久磁鐵1080。在一控制器(未表示)的指導(dǎo)下給該線圈通電，以相對于磁盤表面定位該推銷。
該伺服磁道寫入裝置還包括第二驅(qū)動組件1068。該第二或從驅(qū)動組件1068包括繞一軸1084樞轉(zhuǎn)的驅(qū)動臂1082。一讀/寫元件或換能器1086位于該驅(qū)動臂1082的末端。該換能器1086在編碼器驅(qū)動組件1066的定位導(dǎo)引下寫入伺服磁道。因此，該編碼器驅(qū)動組件1066在一控制器(未表示)的指導(dǎo)下移動該驅(qū)動臂1072和推銷1074，以將換能器1086定位在磁盤1026及1028的R面上的預(yù)期位置。該換能器1086將預(yù)期的伺服磁道寫在磁盤表面上。
該從驅(qū)動組件1068也可包括音圈電機，但該音圈電機在伺服磁道的寫入過程中應(yīng)不起任何作用。另外優(yōu)選的是，軸1076和1084采用空氣軸承而不是滾珠軸承。空氣軸承與滾珠軸承相比更平滑，且?guī)Ыo驅(qū)動臂1072和1082的振動更小。如圖209所示，優(yōu)選的，磁盤位于同軸接觸合并方位，盡管同軸間隙合并或同軸墊片合并方位也能產(chǎn)生很好的效果。
由伺服磁道寫入裝置1058生成的伺服磁道圖案1090的例子以及由伺服磁道寫入裝置1060生成的伺服磁道圖案1092的例子表示在圖208中。整套伺服磁道圖案1090和1092分別表示在圖210和211中。如在圖210和211中所看到的，不同于圖206和207，該伺服磁道圖案1090和1092的定向是相同的。相應(yīng)的，圖208和209所示磁盤可在同一單面磁盤驅(qū)動器內(nèi)互換地用于記錄，因為伺服磁道圖案1090和1092是一致的。
在該優(yōu)選實施例中，編碼器1070包括一種未表示的激光定位裝置。該激光定位裝置確定一種公知的原始位置，例如將驅(qū)動臂1072的突然停住限定為“0”位置。用于編碼器驅(qū)動組件1066的音圈電機與該激光定位裝置相結(jié)合，可增量地調(diào)節(jié)該換能器1086的位置以生成預(yù)期的伺服磁道圖案。激光定位裝置可以是那些本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的激光定位裝置。另外，具有第二組音圈電機以及相關(guān)的第二或從驅(qū)動組件1068的優(yōu)點在于，一旦生成足夠數(shù)量的伺服磁道1090和1092，編碼器1070就可被松開并移出第二驅(qū)動組件的路徑。接著，與第二或從驅(qū)動組件相關(guān)的音圈電機利用先前已寫入的伺服磁道相對于磁盤1062和1064的R面定位換能器1086，并填入或生成所需的剩余伺服磁道，或者該音圈電機被用于在將磁盤移離寫入裝置前對先前已寫入的伺服磁道進行測試或復(fù)核。
除上述方法及裝置外，至少存在兩種可供選擇的用于在一對磁盤的R面上生成伺服磁道的方法及裝置。在第一種可供選擇的實施例中，將一種模板定位在每張單面磁盤的R面上，該模板具有與預(yù)期伺服磁道圖案相對應(yīng)的預(yù)制磁性圖案。該磁性圖案的一種示例就是圖209和210所示的伺服磁道圖案。該圖案由永久磁體制成。該磁性圖案影響將要被磁化成預(yù)定圖案的每張磁盤1062和1064的R面上的磁性層。該磁性圖案可以是伺服磁道圖案的一部分或一整套。由組成該圖案的永久磁體所產(chǎn)生的磁場強度應(yīng)超過磁盤的矯頑磁性，或者換句話說，應(yīng)足夠強到使預(yù)定位置上的介質(zhì)飽合。模板對磁盤的作用很可能少于五秒。若結(jié)果該模板僅生成一部分伺服磁道圖案，那么剩下的圖案可利用進行自伺服磁道寫入的磁盤驅(qū)動器的讀/寫磁頭來填充。
第二種可供選擇的用于生成伺服磁道圖案的實施例采用一種激光投射技術(shù)。在這個實施例中也使用一模板。該模板優(yōu)選由玻璃制成。利用在玻璃上形成透明和不透明部分來生成預(yù)期圖案。不透明部分阻止激光投射到磁盤表面上，而透明部分允許激光接觸磁盤表面。也可利用照相制版技術(shù)來生成該圖案。一種預(yù)定圖案的例子是圖210和211所示的伺服磁道圖案。在第一步，激光提供充分的能量以升高磁盤暴露區(qū)域的溫度。接著，將該磁盤表面暴露在一磁場下。磁體將磁化磁盤表面中由于受激光束加熱而改變了矯頑磁性的易磁化部分。這就生成預(yù)定的伺服磁道圖案。該磁體可以是永久磁體或電磁體。磁體產(chǎn)生的磁場強度應(yīng)小于磁盤在室溫時的矯頑磁性，但應(yīng)強于磁盤在所述提升溫度下的矯頑磁性。換句話說，激光束應(yīng)升高磁盤表面選定部分的溫度且使該溫度足夠高到高于室溫，這樣，發(fā)生在磁盤表面上的矯頑磁性的變化足夠大到使得磁場改變矯頑磁性減小的區(qū)域，但不改變其余區(qū)域。一旦磁盤表面在激光加熱后冷卻，磁性圖案將設(shè)定。同第一種可供選擇的實施例一樣，該圖案可以是全部或部分。如果生成一部分的圖案，那么剩余的伺服磁道圖案可利用自伺服磁道寫入技術(shù)來填充。
L.形狀可變的盒子圖212-220表示了一多種形狀的盒子1110的實施例。該盒子包括一主體1112和一對可移動或可調(diào)節(jié)的側(cè)壁插件1114和1116。該盒子具有敞口的頂部1118，敞口的底部1120，以及其端壁1124內(nèi)具有U形開口1122。該U形開口允許進入磁盤的中心孔。敞口的頂部和敞口的底部也允許接近磁盤。一所示的磁盤D封閉在盒子內(nèi)。該主體還包括在端壁之間延伸的兩一體側(cè)壁1126，1128。該一體側(cè)壁1126，1128以及插件內(nèi)形成有許多凹槽或孔1130。在加工過程中，這些凹槽允許排出盒子及磁盤上的處理液。盡管所示的側(cè)壁1126，1128與端壁1124形成一體，但它們也可以是安裝在端壁之間的分離部件。類似的，一對底座1132沿該盒子的底部在兩端壁之間延伸。該底座還給盒子提供剛性，并形成一支撐結(jié)構(gòu)，盒子支靠在該支撐結(jié)構(gòu)上(圖215)。該底座可以與端壁一體形成，或者作為單獨部件經(jīng)由合適的固定件安裝在端壁上。
側(cè)壁插件1114，1116通常表示在圖212，213，215和221中。一般地說，優(yōu)選的，該插件包括一垂直壁部分1134，以及與該垂直壁部分形成一鈍角且朝向盒子內(nèi)側(cè)開口向內(nèi)傾斜的第二壁部分1136。圖212-214所示垂直壁部分和第二壁部分1134，1136的內(nèi)表面都包括一排凸肋1138，該凸肋1138限定了一排磁盤接納凹槽或通道1140。根據(jù)將要使用的磁盤的形狀因素來確定凸肋的相對尺寸及間隔。另外，沿著垂直壁部分1134和第二壁部分1136，在凸肋之間還形成有槽1130，用于允許處理液進入和離開盒子。
如在圖212和214中最清晰表示的，水平支撐件1142，1144沿每個插件的長度延伸。該支撐件為插件1114，1116提供結(jié)構(gòu)剛性以防止其彎曲，翹曲或破損。該支撐件可以是空心的，也可是實心的，或者可包括一種由金屬或其它對環(huán)境合適的材料所制成的加固桿。另外，該支撐件的每端具有一安裝區(qū)域1146，該安裝區(qū)域1146與形成在盒子端壁內(nèi)的類似安裝區(qū)域1148，1150和1152相對應(yīng)。在對準(zhǔn)時，經(jīng)由安裝區(qū)域1148，1150和1152定位適當(dāng)?shù)墓潭?154，并將其插入安裝區(qū)域1146內(nèi)，以將插件1114，1116固定在端壁上的各個位置。
如圖217-219所示，利用安裝區(qū)域1148，1150，1152的預(yù)定樣式將插件固定在端壁的多個位置上，以適應(yīng)不同直徑的磁盤。因此，通過采用這樣一種單個通用盒子來減少設(shè)備問題和成本問題，該通用盒子可通過重新定位插件而得以重新構(gòu)造以適應(yīng)不同直徑的磁盤。例如，使用安裝區(qū)域1148，就如圖217所示定位該插件以適應(yīng)大直徑磁盤。使用安裝區(qū)域1150，就如圖218所示定位該插件以適應(yīng)稍小直徑的磁盤。使用安裝區(qū)域1152，就如圖219所示定位該插件以適應(yīng)更小直徑的磁盤。因此，所示盒子可被重新構(gòu)造以支撐至少三種不同直徑的磁盤，直徑可能為95，84和65毫米，但應(yīng)認識到的是，也可用于三種以上的不同直徑。
另外，和/或可供選擇的，用具有不同構(gòu)造或尺寸的凸肋1138的不同插件進行替換，將使得該盒子可以適應(yīng)不同厚度的磁盤或不同方位的磁盤對。例如，如果該盒子將要用在單面磁盤加工過程中，那么可如圖221或222構(gòu)造該凸肋1138，以分別適應(yīng)接觸合并磁盤對或間隙合并磁盤對。在圖221中，凸肋1138限定了用于將磁盤定向在接觸合并方位的凹槽1140。在圖222中，將磁盤定位成位于大凸肋1142與小凸肋1144之間的一種間隙合并方位。
對于絕大多數(shù)加工應(yīng)用來說，由聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)塑料制成的盒子是令人滿意的。但是，PBT塑料經(jīng)受不住與噴鍍處理有關(guān)的高溫，該溫度可以達到350攝氏度。在類似于這種高溫環(huán)境下，聚酯酯酮(PEEK)將提供滿意的產(chǎn)品，如同一種全金屬盒子。由于磁盤要不斷地移入和移出盒子，因此還理想的是采用一種抗磨損塑料。這樣一種塑料可以是PEEK。選擇性的，可將一種抗磨損塑料例如聚四氟乙烯添加在一種芯材料例如不銹鋼或鋁合金上作為其外層，從而該盒子具備每種材料的優(yōu)點。
M.單面硬磁盤人們已經(jīng)開發(fā)出單面加工磁盤，以提供低成本的存儲介質(zhì)。在這種磁盤中，通常僅對一面即活性或包含信息的一面進行各種加工步驟。再現(xiàn)單面加工磁盤的一個問題是磁盤的平面度或平整度。參照圖223和224，表示了一張單面磁記錄磁盤1190。該磁盤1190包括一基底磁盤1200(通常為鋁或鋁合金)、上下界面層1204和1208(通常為磷化鎳)、一襯層1212(通常為鉻或鉻合金)，一磁性層1216(通常為一種基于鈷和鉑且公式為CoPtXY的四元合金或者五元合金CoPtXYZ，其中X、Y和Z可以是鉭、鉻、鎳或硼)、一覆蓋層1220(通常為碳)，以及一潤滑層1224(通常為全氟聚醚有機聚合物)。兩磷化鎳層具有相同的厚度“tU”(上層厚度)和“tL”(下層厚度)(每個通常都在大約8微米至15微米之間)，且通常利用無電電鍍技術(shù)來沉積該兩磷化鎳層。襯層，磁性層以及覆蓋層具有不同的厚度(它們的總厚度通常在大約20鈉米到100鈉米之間)，且通常利用噴鍍技術(shù)(sputtering techniques)來沉積上述層。盡管磷化鎳層可被沉積成處于壓縮狀態(tài)(compression)或處于拉伸狀態(tài)(tension)，但通常將它們沉積成處于壓縮狀態(tài)，且通常也將噴鍍層沉積成處于壓縮狀態(tài)。如自圖224中所能看到的，下磷化鎳層1208的壓縮力大于被上磷化鎳層1204以及噴鍍層1212，1216和1220的壓縮力所補償?shù)牧?，使得磁盤1190上表面1228呈凹形，而下表面1232呈凸形。
磁盤信息存儲面上的磁盤凹面會導(dǎo)致一些問題。例如由于磁頭軌跡的錯誤以及磁頭非預(yù)期地接觸磁盤表面，磁盤凹面會導(dǎo)致讀/寫操作方面的問題。由于這些問題，一般磁盤的規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)都要求磁盤的包含信息表面或活性表面的平整度要不大于大約7至15微米。如所能理解的，“平整度”指磁盤表面上最高點與最低點之間的距離。參照圖224，平整度是點1與2的高度差，其中點1是上磁盤面1228的最低點，而點2是上磁盤面1228的最高點。
參照圖225，將描述本發(fā)明的磁盤的第一實施例。盡管將具體參照一種磁記錄盤來描述本發(fā)明，但應(yīng)認識到的是，本發(fā)明原理也可擴展到其它類型的記錄介質(zhì)，例如光記錄介質(zhì)以及磁光記錄介質(zhì)，并可用作軟盤或硬盤。
圖225表示了一種噴鍍磁盤(或者中間(磁盤)結(jié)構(gòu))1300，其在一基底磁盤1312上分別具有上界面層1304和下界面層1308。該基底磁盤可以是任何一種合適的基底磁盤，例如鋁，鋁合金(例如，AlMg)，玻璃，陶瓷材料，鈦，鈦合金以及石墨。該界面層可以是任何適當(dāng)?shù)牟牧?，用以取得覆蓋磁性層內(nèi)可接受的磁記錄特性，例如氧化鐵，磷化鎳，磷化鉬鎳，以及磷化銻鎳，優(yōu)選采用后三種材料。界面層1304和1308通常具有相同的化學(xué)成分，且與基底磁盤的成分不同，從而橫過磁盤的橫截面提供不均勻的內(nèi)應(yīng)力分配。
如自圖225中所看到的，上下界面層1304和1308的厚度即tU和tL是不同的。當(dāng)將界面層沉積成處于壓縮狀態(tài)或具有內(nèi)壓縮應(yīng)力時，上界面層1304的厚度tU最好小于下界面層1308的厚度tL，其中上界面層1304將要成為用于噴鍍襯層、磁性層及覆蓋層的表面。這導(dǎo)致該磁盤1300的橫截面彎曲(例如，具有一球面曲率)或者成為碗形，且磁盤1300的凹入面是將要在其上噴鍍額外層的那一面。這是因為較厚下界面層1308的壓縮應(yīng)力超過了較薄上界面層1304的壓縮應(yīng)力，因而導(dǎo)致該磁盤朝向薄界面層彎曲。
以下闡述這一行為的基本方程。
某一選定層的應(yīng)力ε由材料的獨特物理特性及沉積技術(shù)及條件決定。
磁盤的球面曲率或曲率半徑R由以下方程獲得。
R＝tsub2/(6×Δtlayer×ε)其中，tsub是基底磁盤1312的厚度，Δtlayer是上下界面層1304和1308的厚度差，以及ε是每層內(nèi)的應(yīng)力。
盡管兩層的相對厚度取決于每層內(nèi)的內(nèi)壓縮應(yīng)力的量及噴鍍層內(nèi)的壓縮應(yīng)力的量，但上界面層1304的厚度通常不超過下界面層1308厚度的大約99.3％，更典型的是在下界面層1308厚度的大約98.3％至99.3％之間，再更典型的是在下界面層1308厚度的大約97.7％至98.3％之間。按絕對數(shù)量計算，上界面層1304的厚度在大約7.5微米至14.5微米的范圍內(nèi)，同時下界面層1308的厚度在大約8微米至15微米的范圍內(nèi)。換句話說，上下界面層間的厚度差通常至少為大約0.075微米，更一般的是該厚度差在大約0.2微米至2微米的范圍內(nèi)。
磁盤1300的平整度(或第一平整度)較高，則平面分布3σ就較低。一般的，磁盤1300的每個上下表面1316和1320的平整度至少為大約5微米，且更一般的，該平整度在大約2微米至10微米的范圍內(nèi)。
圖226表示沉積覆蓋層之后的同一磁盤1400。特別的，該磁盤1400的上表面1404包括優(yōu)選利用噴鍍技術(shù)沉積的襯層1408、磁性層1412以及覆蓋層1416。該襯層1408可以是任何一種能給磁性層1412提供預(yù)期結(jié)晶的材料。優(yōu)選的，該襯層1408是鉻或一種鉻合金，且其厚度在大約5鈉米至20鈉米的范圍內(nèi)。磁性層1412可以是任何一種鐵磁性材料，并且是基于鈷和鉑、公式為CoPtXY的四元合金或者五元合金CoPtXYZ，其中X、Y和Z可以是鉭、鉻、硼或鎳中的一種或幾種。磁性層的厚度通常在大約7鈉米至20鈉米的范圍內(nèi)。覆蓋層1416可以是任何一種合適的材料，且優(yōu)選為碳，同時該層的厚度通常在大約1鈉米至6鈉米的范圍內(nèi)。
上述層通常處于壓縮狀態(tài)或者說具有內(nèi)壓縮應(yīng)力?？衫蒙鲜龇匠逃嬎愠雒繉觾?nèi)的應(yīng)力。上界面層1304、襯層1408、磁性層1412以及覆蓋層1416內(nèi)的累計壓縮應(yīng)力的量抵消了下界面層1308內(nèi)的壓縮應(yīng)力，從而將磁盤拉平或者使其變得更加平。對于下界面層1308的一給定厚度而言，所得到的磁盤曲率半徑與層1304，1408，1412和1416的累計厚度成反比。磁盤1400的平整度(或者說第二平整度)一般不超過大約17微米，更一般的不超過大約12微米。
可控制上部層1304，1408，1412和1416內(nèi)累計壓縮應(yīng)力相對于下界面層1308內(nèi)壓縮壓力的相對值，以給最終磁盤提供一預(yù)定平整度。例如，當(dāng)上部層內(nèi)累計壓縮應(yīng)力越過下界面層內(nèi)壓縮應(yīng)力時，磁盤的上表面1404將呈凸形且碗形的開口朝下。當(dāng)上部層內(nèi)累計壓縮應(yīng)力小于下界面層內(nèi)壓縮應(yīng)力時，磁盤的上表面1404將呈凹形且碗形的開口朝上。當(dāng)上部層內(nèi)累計壓縮應(yīng)力近似等于下界面層內(nèi)壓縮應(yīng)力時，磁盤的上表面1404將基本上或完全地呈扁平狀或平面狀，如圖226所示。利用這些技巧，可生成具有變化曲率半徑及平整度的磁盤。通常，使平整度值在大約1微米至50微米的范圍內(nèi)。
控制磁盤的曲率半徑或平整度是很重要的。這不僅對于使磁盤符合有關(guān)的平整度規(guī)格來說很重要，而且因為在讀/寫操作過程中磁盤溫度會由于磁盤的轉(zhuǎn)動而漲落，因而磁盤曲率會發(fā)生變化。例如，根據(jù)每層內(nèi)壓縮應(yīng)力受熱漲落作用的變化率，磁盤可能變得更凹或更凸。在一種構(gòu)造中，理想的是磁盤在較高操作溫度下變得更凸，同時在較低操作溫度下變得更凹。
如圖230所示，可選擇上界面層1804的厚度，使其比下界面層1808厚，以提供一種凸形上磁盤表面1800。當(dāng)將襯層，磁性層以及覆蓋層沉積在上磁盤表面上后，該表面將變得更凸。在一種構(gòu)造中，將襯層，磁性層以及覆蓋層沉積成具有一凈內(nèi)拉伸應(yīng)力。這可通過為每層選擇適當(dāng)材料和/或通過使用除噴鍍之外的適當(dāng)沉積技術(shù)來得以實現(xiàn)。在這種構(gòu)造中，利用厚度比下界面層厚度更厚的上界面層來抵消拉伸應(yīng)力，從而提供具有預(yù)定的磁盤表面平整度。
當(dāng)磷化鎳作為磁盤兩側(cè)面上的界面層時，通過改變無電電鍍池的成份可以將該界面層沉積成具有預(yù)定程度的內(nèi)壓縮應(yīng)力或內(nèi)拉伸應(yīng)力。當(dāng)該層處于拉伸狀態(tài)而不是具有壓縮應(yīng)力時，采用比下界面層1908更薄的上界面層1904會導(dǎo)致上磁盤表面1912呈凸形，如圖231所示。為抵消這種效應(yīng)，最好將具有壓縮應(yīng)力的襯層，磁性層以及覆蓋層沉積在具有較厚界面層即圖231所示構(gòu)造中下界面層1908的那一面上。噴鍍層所施加的拉伸力以及上界面層所施加的壓縮力抵消了由下界面層施加的拉伸力，從而提供一較平的磁盤1950，如圖232所示。
現(xiàn)在將參照圖227和228說明制造圖225和226所示磁盤的方法的實施例。
參照圖227，首先說明基底磁盤處理，在步驟1500中，將一種片材沖壓成磁盤的基底磁盤1312。在步驟1504中，研磨所切割出的磁盤以使該基底磁盤具有扁平或平面的上下表面。在步驟1508中，烘焙該磁盤，以及在步驟1516中，在基底磁盤的上下表面上形成倒棱。在步驟1520中，利用無電電鍍技術(shù)在基底磁盤的上下表面上形成上下界面層，該上下界面層的材料為磷化鎳。在該步驟中，上下界面層的厚度相同或基本相同。通常，上界面層的厚度至少為下界面層厚度的大約95％，反過來也可以。步驟1500至1520是采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的技術(shù)來執(zhí)行的。
在步驟1524和1528中，對界面層進行粗磨光(polishing)(步驟1524)和細磨光(步驟1528)以提供圖225所示的電鍍磁盤構(gòu)造。如圖228A所示，在步驟1524和1528的每一步中，一磁盤保持件板1600包含間隔部分(或孔)，每個間隔部分(或孔)用于同時容納兩張磁盤(稱其為“一次兩張磁盤的磨光處理”)。上下磨光墊1604和1608磨光相鄰層疊磁盤1620a，b的朝外表面1612和1616。磨光面1612和1616是圖225中的上磁盤表面13 16。以這種方式，可同時磨光兩相鄰或?qū)盈B的磁盤，從而與制造雙面磁盤的成本相比極大地節(jié)省了成本。
優(yōu)選的，上界面層的厚度減少量為至少大約0.70％，更優(yōu)選的在大約1.0％至4.0％的范圍內(nèi)。
在磨光步驟中，可采用幾種方法來實現(xiàn)界面層的厚度減薄。在一種方法中，在粗磨光步驟1524中實現(xiàn)上下界面層間的全部厚度差。在第二種方法中，在細磨光步驟1528中實現(xiàn)上下界面層間的全部厚度差。這兩種方法都要求在一個磨光步驟中對磁盤的兩面進行磨光，這可以節(jié)省成本。利用圖228B所示一次一張磁盤的磨光處理來進行上述步驟中的磨光。參照圖228B，上下磨光墊1604和1608同時接合每張磁盤1700的上下面1704和1708。載體1712將磁盤輸送至磨光站。在第三種方法中，在粗磨光步驟及細磨光步驟的每一步中實現(xiàn)上下界面層間厚度差的一部分。在此方法中，磁盤經(jīng)過每個磨光步驟時保持在載體1600內(nèi)(圖228A)，這相對于其它兩種方法極大地節(jié)省了成本。
在一種加工構(gòu)造中，上下界面層1304和1308的厚度在步驟1520之后是相同的，且在大約8微米至15微米的范圍內(nèi)。在粗磨光步驟1524中，實現(xiàn)上界面層1304預(yù)定厚度減薄的大約70％至95％。上界面層1304剩下的預(yù)定厚度減薄在細磨光步驟1528中實現(xiàn)。
在細磨光步驟1528后，將電鍍磁盤送至介質(zhì)加工工序。
現(xiàn)在將參照圖229說明介質(zhì)加工。
在步驟1700中，將電鍍磁盤合并以進行加工?！昂喜ⅰ敝副晨勘车胤胖么疟P，使上磁盤表面1316朝外。換句話說，下磁盤表面1320相互鄰接。磁盤可接觸合并(如圖228A所示)，在這種情況下每張磁盤1300的下磁盤表面1320相互直接接觸；或者可間隙合并，在這種情況下每張磁盤1300的下磁盤表面1320相隔一定距離。
在步驟1704中，上磁盤表面1316利用公知技術(shù)進行數(shù)據(jù)區(qū)域紋理化處理。
在步驟1708中，清洗該上磁盤表面1316，以除去在數(shù)據(jù)區(qū)域紋理化步驟中所生成的任何碎屑或雜質(zhì)。
在步驟1712中，上磁盤表面1316利用公知技術(shù)進行涂層區(qū)域紋理化處理，隨后在步驟1716中清洗該上磁盤表面。
在步驟1720中，利用公知技術(shù)將襯層1408，磁性層1412以及覆蓋層1416噴鍍到該上磁盤表面上，以生成圖226所示的磁盤構(gòu)造。如先前所提到的，該噴鍍層使彎曲的磁盤變平。也可采用其它技術(shù)來沉積這些層，例如蒸發(fā)技術(shù)(evaporation techniques)，離子束技術(shù)，鍍層技術(shù)等。
接著在步驟1724中給該磁盤涂覆潤滑層(如一種有機聚合物，例如全氟聚醚)，以及在步驟1728中對該磁盤進行帶拋光處理。利用本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的技術(shù)來完成步驟1724和1728。
在步驟1732中，分離或拆分相鄰接的磁盤，以獲得最終磁盤1736。該磁盤的下表面1420為“非活性”或非信息存儲面，而該磁盤的上表面1404為“活性”或信息存儲面。
實驗進行大量實驗以說明本發(fā)明原理。在第一組實驗中，利用一次一張磁盤的磨光處理以及一次兩張磁盤的磨光處理來制造各種磁盤，以評估磁盤平整度的變化以及在細及粗磨光步驟中這種磨光技術(shù)的使用。
通過在鋁鎂(AlMg)磁盤的兩面上無電電鍍磷化鎳(NiP)來形成第1類磁盤。磁盤兩面上的NiP層相等且大約為500μ。磁盤凹度近似為5μ。磁盤厚度為大約50密耳(mil)，且外直徑(OD)為95毫米，內(nèi)直徑(ID)為25毫米。利用一次一張磁盤的磨光處理(如圖228B所示)對該第1類磁盤進行粗磨光，保持兩側(cè)上除去等量的鎳材料。接著，徹底清洗該經(jīng)粗磨光的基底磁盤，并確保真正的沒有顆粒。對磁盤進行清洗可減小在最終對非信息存儲面(或者非活性面)進行磨光的步驟過程中形成深刻痕的可能性。這種刻痕通常會滲透到信息存儲面(或者活性面)上。保持該經(jīng)清洗的基底磁盤完全浸沒在蒸餾水中，直至準(zhǔn)備最終的磨光步驟。
通過載體孔內(nèi)一次承載2張磁盤來進行最終磨光步驟，如圖228A所示。該載體被設(shè)計成適應(yīng)兩張磁盤的厚度。在該最終磨光步驟中，鎳材料的移除僅發(fā)生在每張磁盤的一面上。通過調(diào)節(jié)磨光時間，可控制活性面與非活性面間的NiP厚度差以及基底磁盤的最終凹度。
粗和細磨光步驟中的加工變量如下機械/加工配置條件壓力180～220dAN旋轉(zhuǎn)14～20轉(zhuǎn)/分粗磨光用漿料礬土(Aluminia)(～0.45μ大小)最終磨光用漿料硅膠(35～100鈉米大小)所用機器類型Peter Wolters AC3 19TM磁盤磨光機活性面上NiP層與非活性面上NiP層的預(yù)定厚度差為大約10μ″至20μ″，且活性面的NiP層較薄。在粗磨光步驟中，載體具有六個載體孔且每個孔容納一單張磁盤；在細磨光步驟中，載體具有六個載體孔且每個孔容納兩張磁盤。對于粗磨光步驟，該載體的厚度為大約40密耳；對于細磨光步驟，該載體的厚度為大約90密耳。對于每次運行，使用九個載體。
通過在鋁鎂(AlMg)磁盤的兩面上無電電鍍磷化鎳(NiP)來形成第2類磁盤。磁盤兩面上的NiP層相等且大約為500μ。磁盤凹度近似為35μ。磁盤厚度為大約50密耳，且外直徑(OD)為95毫米，內(nèi)直徑(ID)為25毫米。
利用一次兩張磁盤的磨光技術(shù)對經(jīng)電鍍的基底磁盤進行粗磨光，這樣一次就將兩張磁盤放置在同一個孔內(nèi)或一個公共載體孔內(nèi)。因而，該粗磨光步驟不同于第1類磁盤的粗磨光步驟，其中第1類磁盤采用一次一張磁盤的磨光技術(shù)。在該粗磨光步驟中，僅每張磁盤的一面上的鎳材料被除去。清洗及細磨光步驟與第1類磁盤所采用的步驟相同。
除磁盤活性面上NiP層與磁盤非活性面上NiP層之間的厚度差以及粗磨光步驟中的載體厚度外，加工變量與以上所示用于制作第1類磁盤的加工變量相同。用于粗和細磨光步驟的載體厚度相同，大約為90密耳。
磁盤活性面上NiP層與磁盤非活性面上NiP層之間的預(yù)定厚度差為大約70μ″至80μ″，活性面上的NiP層比非活性面上的NiP層要薄。
圖233A至237B表示所得到磁盤的形狀及平整度(第1類磁盤)，圖238A至242B表示所得到磁盤的形狀及平整度(第2類磁盤)，并總結(jié)在以下圖表中。重要的是應(yīng)注意到第2類磁盤的平整度曲線似乎被截斷，因為在這些地方超過了測量工具的極限。

(nda無有效數(shù)據(jù))第1類磁盤試樣的平均NiP厚度差為大約14μ″，而第2類磁盤試樣的平均NiP厚度差為大約85μ″。每個值都對應(yīng)于在最終磨光處理過程中(第1類磁盤)以及在粗磨光處理和最終磨光處理過程中(第2類磁盤)所除去的NiP材料量。第1類磁盤表現(xiàn)出大約5μ的凹度，且僅在最終磨光步驟中進行一次同時兩張磁盤的磨光處理。第2類磁盤表現(xiàn)出大約35μ的凹度，且在粗磨光步驟以及最終磨光步驟中進行一次同時兩張磁盤的磨光處理。
由活性/非活性面上不均勻的材料移除所導(dǎo)致的凹度與兩面之間的NiP層厚度差成正比。利用傳統(tǒng)方法磨光的相對應(yīng)一般基底磁盤(如圖228B所示)表現(xiàn)出大約2μ的平均平整度(～50％的平面呈凹狀，～50％的平面呈凸?fàn)?，且其NiP層厚度差小于大約3μ″。嚴(yán)格來說，厚度差是各種磁盤間NiP層厚度差的平均絕對值。
進行進一步的實驗以確定噴鍍薄膜能使預(yù)彎曲磁盤例如以上第1類及第2類磁盤變平的程度。制造兩種不同類型的磁記錄盤。兩種不同類型的磁盤具有以下結(jié)構(gòu)A類磁盤右側(cè)NiP層厚度 ～415μ″(控制) 左側(cè)NiP層厚度 ～415μ″噴鍍薄膜總厚度～300A左右側(cè)NiP層厚度差0μ″B類磁盤右側(cè)(活性面)NiP層厚度～415μ″左側(cè)(非活性面)NiP層厚度～435μ″噴鍍薄膜總厚度～300A左右側(cè)NiP層厚度差～20μ″圖243A至248B表示所得到磁盤的形狀及平整度(A類磁盤)，圖249A至254B表示所得到磁盤的形狀及平整度(B類磁盤)。以下列出磁盤的平整度A類磁盤1(圖243A-B)R-凸形5.645μ磁盤2(圖244A-B)R-凸形2.870μ磁盤3(圖245A-B)R-凸形4.808μ磁盤4(圖246A-B)R-凸形4.822μ磁盤5(圖247A-B)R-凸形5.317μ磁盤6(圖248A-B)R-凸形4.192μB類磁盤1(圖249A-B)不規(guī)則形 0.617μ磁盤2(圖250A-B)R-凸形2.254μ磁盤3(圖251A-B)R-凹形0.982μ磁盤4(圖252A-B)R-凸形1.358μ磁盤5(圖253A-B)R-凹形2.926μ
磁盤6(圖254A-B) R-凹形 2.234μ從以上實驗結(jié)果可看出，A類磁盤全部表現(xiàn)為“錐形”且具有較高的平整度；而B類磁盤一些表面為“錐形”，一些表面為“碗形”，且具有較低的平整度。B類磁盤比A類磁盤更平，因為B類磁盤的NiP層厚度差大約為～20μ″，而A類磁盤的NiP層厚度差大約為0μ″。如先前所提到的，為某些專門的應(yīng)用，可調(diào)整該NiP層厚度差以獲得特定的平整度。
以上所提供的實驗結(jié)果表示了在磁性介質(zhì)工業(yè)中，當(dāng)對磁盤的一面進行噴鍍引起由于各層/膜內(nèi)壓縮應(yīng)力的不平衡導(dǎo)致磁盤彎曲并形成一凸形的情況下，可采用預(yù)彎曲的磁盤。通過將要噴鍍的膜層沉積到已經(jīng)被彎曲從而形成一凹形(“碗”形，凹面為所述噴鍍面)的基底磁盤表面上，朝相反方向的兩個彎曲趨勢(來自磁盤一面上的較厚NiP層，和磁盤另一面上的較薄NiP層及噴鍍層)抵消。磁盤兩面上壓縮應(yīng)力的抵消(或均衡)使所得到的磁盤(噴鍍后磁盤)變得更平。
可對本發(fā)明進行很多變形和修改?？梢蕴峁┍景l(fā)明的某些特征，而不提供其它特征。
例如在一種可供選擇的實施例中，本發(fā)明可應(yīng)用于任何一種形狀的磁盤，無論其直徑為95毫米、84毫米、65毫米、48毫米還是25毫米，且無論其厚度為60密耳、50密耳、40密耳、31.5密耳還是25密耳。
在另一種可供選擇的實施例中，在沉積界面層的過程中生成上下界面層1304和1308的厚度，而不是在粗和/或細磨光處理中生成或者是在粗和/或細磨光處理中生成之外還在沉積時生成。換句話說，給磁盤的不同面涂覆不同厚度的界面層。
在再一種可供選擇的實施例中，可利用機械技術(shù)(其使電鍍磁盤發(fā)生塑性變形)，熱技術(shù)以及其組合來實現(xiàn)基底磁盤及界面層的預(yù)彎曲或預(yù)成形。
N.單面硬磁盤的倒棱設(shè)計如在圖255中所看到的，其為一種傳統(tǒng)磁盤的外周邊的橫截面，難以區(qū)分非活性面1980和活性面1984。例如，在該磁盤1992的兩面上使用一種相同的倒棱1988；換句話說，每個倒棱具有相同的角度θ1，相同的倒棱長度C1，以及倒棱面1996具有相同長度l1。如所能認識到的，采用該倒棱是出于很多理由，包括控制磁盤的脫落和變形，使盒材料在操作及運輸過程中的損耗和磨蝕最小化，以及在讀/寫操作過程中便于在磁盤上引入讀/寫磁頭。
圖256是依照本發(fā)明一種具體實施例的一張磁盤的活性(或非活性)面的俯視圖。該磁盤2200具有外徑RO和內(nèi)徑RI。內(nèi)徑或內(nèi)周邊由一孔2204所限定，該孔2204用于接納一輪轂、心軸或其它旋轉(zhuǎn)機構(gòu)。外徑或外周邊和內(nèi)周邊分別具有外倒棱2208和內(nèi)倒棱2212。該倒棱環(huán)繞外和內(nèi)周邊的直徑徑向延伸。磁盤背面上也設(shè)置有相同的技術(shù)特征。如所能認識到的，在其它構(gòu)造中根據(jù)磁盤的應(yīng)用，磁盤也可僅具有外倒棱或內(nèi)倒棱。
如在圖257A至257G中所看到的，磁盤活性和非活性面上的外倒棱(或磁盤活性和非活性面上的內(nèi)倒棱)是不相同或具有不同形狀的。不同形狀使得通常在視覺上就能夠機械地識別或區(qū)分該活性和非活性面上的一個倒棱和另一個倒棱。盡管圖257A至257G表示了用于該倒棱的各種不同形狀，但應(yīng)認識到的是，這些圖并非窮舉。無窮數(shù)量的其它形狀也可被用于識別或區(qū)分該活性和非活性面。
參照圖257A中的第一種磁盤構(gòu)造，活性面2300具有第一倒棱2304，而非活性面2308具有第二倒棱2312。第一和第二倒棱角θ相同，但第一倒棱2304的倒棱長度CL1和倒棱面長度l1不同于第二倒棱2312的倒棱長度CL2和倒棱面長度l2。如自圖257A中所看到的，通常優(yōu)選的但并非要求的是，磁盤2200的活性面2300具有最小的倒棱長度，從而為存儲信息給活性面2300提供盡可能大的表面積。第一倒棱長度通常在大約0.004至0.008英寸的范圍內(nèi)，而第二倒棱長度通常在大約0.003至0.300英寸的范圍內(nèi)。由于磁盤的非活性面不存儲信息，因而在選擇第二倒棱的尺寸參數(shù)時具有相當(dāng)大的自由度。
參照圖257B中的第二種磁盤構(gòu)造，第一及第二倒棱2316和2320的第一及第二倒棱長度CL相同，但第一和第二倒棱角θ1和θ2以及倒棱面長度l1和l2不同。第一倒棱角通常在大約25°至50°的范圍內(nèi)，而第二倒棱角通常在大約2°至60°的范圍內(nèi)。
參照圖257C中的第三種磁盤構(gòu)造，第一及第二倒棱2324和2328的棱面長度l相同，但第一及第二倒棱長度CL1和CL2以及第一和第二倒棱角θ1和θ2不同。在所示構(gòu)造中，磁盤非活性面2308的第二倒棱長度要小于磁盤活性面2300的第一倒棱長度。
參照圖257D中的第四種磁盤構(gòu)造，可以使倒棱具有非平面(或非平直)的表面。所示第一倒棱2332的倒棱表面2330為弧形，而第二倒棱2336的倒棱表面2334為平面。表示了第一倒棱表面2330的半徑R?？梢岳斫獾氖?，該第一倒棱表面2330還可以是非弧形。例如包括拋物線形和橢圓形。如所看到的，第一及第二倒棱長度CL1和CL2是不同的。
參照圖257E中的第五種磁盤構(gòu)造，可以使第一和第二倒棱中的每一個都具有非平面(或非平直)的表面。所示第一及第二倒棱2342和2344的倒棱表面2338和2340都為弧形。分別表示了第一及第二倒棱表面2338和2340的半徑R1和R2。如所能想到的，該第一和/或第二倒棱表面還可以是非弧形。例如包括拋物線形和橢圓形。如所看到的，第一及第二倒棱長度CL1和CL2是不同的。
參照圖257F中的第六種磁盤構(gòu)造，可以使第一和/或第二倒棱具有一種識別結(jié)構(gòu)特征，以便于識別活性和非活性磁盤面。如自圖257F中所看到的，第一及第二倒棱長度CL，第一及第二倒棱表面長度l，以及第一和第二倒棱角θ相互相同。通過第一倒棱2350上的凹槽2346可識別一個磁盤面與另一個磁盤面。如所能想到的，第二倒棱2354上也可選擇性地設(shè)置該凹槽，或者額外地設(shè)置另一個凹槽(形狀不同或定位不同的凹槽)。如所能想到的，根據(jù)具體應(yīng)用，可用各種其它不同形狀的表面凹凹槽來代替該凹槽。
參照圖257G中的第七種磁盤構(gòu)造，可以使第一和/或第二倒棱具有一種凸起結(jié)構(gòu)特征，以便于識別活性和非活性磁盤面。如自圖257G中所看到的，第一及第二倒棱長度CL，第一及第二倒棱表面長度l，以及第一和第二倒棱角θ相互相同。通過第一倒棱2362上的梯級2358可識別一個磁盤面與另一個磁盤面。如所能想到的，第二倒棱2366上也可選擇性地設(shè)置該梯級，或者額外地設(shè)置另一個梯級(形狀不同或定位不同的梯級)。如所能想到的，根據(jù)具體應(yīng)用，可用各種其它不同形狀的凸起表面特征來代替該梯級。
圖258表示第一和第二磁盤2400和2404，每張磁盤都具有相同的第一和第二倒棱2408和2412，將兩張磁盤合并以進行同時加工。每張磁盤的活性面2300都朝外，而非活性面2308相對。非活性面可如所示相互接觸(且相互平行)(接觸合并)，或者可相隔一定距離(間隙合并)。對活性面的加工包括磨光，噴鍍、數(shù)據(jù)區(qū)域紋理化，層區(qū)域紋理化，潤滑，帶拋光，測試以及清洗。第二倒棱2412的形狀不同或不相似于第一倒棱2408，使得可通過合并工具或拆分工具(以及合并/拆分磁盤)或憑目視就可容易地識別活性面和非活性面。
圖259表示在利用一種適當(dāng)?shù)那邢?成形工具例如金剛石刀頭形成磁盤前，一模壓磁盤2500的橫截面。決定加工刀頭(在磁盤基底磁盤的情況下通常為單點，金剛石刀頭)如何行進的計算機化數(shù)控機械加工程序可被構(gòu)造用以生成不同形狀的第一和第二倒棱。如圖259所示，刀頭(未表示)路徑起始于點“1”，直線移動至點“2”，轉(zhuǎn)過一個直角后直線移動至點“3”，以一鈍角直線移動至點“4”，垂直直線移動至點“5”，再轉(zhuǎn)過另一個直角后直線移動至點“6”，最后以一銳角直線移動至點“7”。所示路徑允許一個單點刀頭在磁盤的活性和非活性面2300和2308上生成兩不相似或不同形狀的倒棱。
O.磁盤對的單面加工以上描述了整個單面磁盤制造過程的各個步驟，其中同時加工成對的磁盤，這樣每個磁盤中僅一個表面被完全加工。在第一種實施例中，如圖260所示，加工過程3000包括上述分處理中的每一步。首先在3002，在一種盒子或磁盤載體內(nèi)，將基片合并成位于間隙合并方位的基片對。接著在3004，對磁盤進行數(shù)據(jù)區(qū)域紋理化處理，在該處理中暫時地將間隙合并磁盤對設(shè)置成同軸接觸合并方位以進行紋理化處理。在3006，磁盤被拆分且返回盒子內(nèi)并設(shè)置成間隙合并方位。在重新定位成間隙合并方位后，在3008對磁盤進行清洗和洗滌操作。作為清洗和洗滌操作的一部分，暫時地將磁盤定位為同軸接觸合并方位以洗滌直接接觸面。在3010，磁盤被拆分并返回一盒子或載體內(nèi)，在該盒子或載體內(nèi)磁盤位于間隙合并方位以進行額外的清洗和沖洗。接著在3012對磁盤進行激光區(qū)域紋理化處理。為進行激光區(qū)域紋理化處理，再一次暫時地將磁盤合并成同軸接觸合并方位。在3014的激光區(qū)域紋理化處理后，磁盤被拆分并在一盒子內(nèi)重新定位成間隙合并方位。接著在3016對該磁盤進行第二次清洗處理?？蓪Υ疟P進行第二次擦洗，其方式與先前所述的方式相同。選擇性的，磁盤可跳過沖洗步驟3016，在3018磁盤保持在該盒子內(nèi)且位于間隙合并方位，并對該磁盤進行超聲波清洗和沖洗。
在第二次清洗后，就準(zhǔn)備噴鍍磁盤。在3020的噴鍍過程中，磁盤保持在間隙合并方位。自盒子或載體內(nèi)取出位于間隙合并方位的磁盤對。該磁盤對接著經(jīng)過噴鍍加工的各個步驟并維持其間隙合并方位。在完成上述加工后，將位于間隙合并方位的磁盤對返回一載體盒子內(nèi)。
接著，將盛裝噴鍍后磁盤的盒子輸送至3022的潤滑處理。同時對盒子內(nèi)的所有磁盤進行潤滑處理。盡管也可對磁盤對一對一對地單獨進行潤滑，但一般不這樣。在潤滑處理過程中，在一種實施例中，優(yōu)選的是將磁盤重新定位成所有磁盤間具有相等間隔，以便于潤滑劑進入每張磁盤的兩表面。在潤滑處理后有多種選擇來重新定位磁盤。為了獲得高效率，如果下一處理是帶拋光，那么例如在3024最好將磁盤設(shè)置成同軸接觸合并方位?？刹捎靡环N合并凹槽座。
在3026的帶拋光處理中，磁盤最好在一載體內(nèi)定位成同軸接觸合并方位。自該載體內(nèi)取出磁盤對，經(jīng)由一心軸與磁盤的中心孔相接合，并對磁盤進行帶拋光。在帶拋光處理后，磁盤可繼續(xù)處于同軸接觸合并方位或者可將它們拆分。如果下一加工步驟是測試，那么優(yōu)選的是磁盤維持在同軸接觸合并方位。
在3028的測試處理中，自盒子內(nèi)取出磁盤，并將它們放置在一種使其旋轉(zhuǎn)的心軸部件上，然后測試裝置作用于該磁盤。在測試后，磁盤對返回至一盒子內(nèi)。未通過測試的磁盤將被廢棄。根據(jù)下一加工步驟，可將磁盤以各種不同方位中任一種放置在盒子內(nèi)。為了簡化步驟。磁盤會維持在同軸接觸合并方位。
接著對磁盤表面進行伺服寫入?？蛇x擇單面磁盤的同時伺服寫入。在3030的伺服寫入處理中，自盒子中取出位于接觸合并方位的磁盤。一心軸部件經(jīng)由該磁盤的中心孔與該磁盤接合，該心軸部件可轉(zhuǎn)動磁盤對，同時兩獨立的伺服磁道寫入器將伺服磁道數(shù)據(jù)寫在磁盤的表面上。
在最后一加工步驟后，一旦基底磁盤已經(jīng)成為最終的單面硬存儲磁盤，該磁盤就在3032經(jīng)過拆分處理。在拆分處理中，首先利用一種拆分工具分離該同軸接觸合并磁盤對。在磁盤間形成一定間隔后，將磁盤放置在一種轉(zhuǎn)移盒子內(nèi)。由該轉(zhuǎn)移盒子，磁盤將被分離成位于兩個盒子內(nèi)，在每個盒子內(nèi)每張磁盤的R面都朝向同一方向。這樣分離磁盤對后，就準(zhǔn)備將該載體輸送至一硬磁盤驅(qū)動器制造設(shè)備，在那里可將最終磁盤組裝在硬磁盤驅(qū)動器內(nèi)。
該加工過程的第一種替換實施例表示在圖261中。在這個加工過程中，采用傳統(tǒng)的雙面處理一次僅對一張磁盤進行紋理化和清洗。首先在3040將磁盤設(shè)置成間隙合并方位。接著在3042對間隙合并方位的磁盤進行噴鍍。接著在3044拆分磁盤，并將它們放置在使磁盤間具有相等間隔的盒子內(nèi)。然后在3046對磁盤進行潤滑處理。潤滑處理后，在3048將磁盤重新定位成接觸合并方位以進行帶拋光和測試。在3050將對磁盤進行帶拋光，接著在3052進行測試。測試后，在3054磁盤被拆分并重新定位在兩個盒子內(nèi)，且每個盒子內(nèi)磁盤的R面朝同一方向。
該加工過程的第二種替換實施例表示在圖262中。在這個加工過程中，采用傳統(tǒng)的雙面處理一次僅對一張磁盤進行紋理化和清洗。接著在3060將磁盤定位成間隙合并方位。在3062對間隙合并方位的磁盤進行噴鍍。在3064對間隙合并方位或磁盤間具有相等間隔的磁盤進行潤滑。在從潤滑凹槽中取出后，在3066將磁盤重新定位成接觸合并方位。一旦定位成接觸合并方位的磁盤對后，就在3068對磁盤對進行帶拋光，并在3070進行測試。測試后，在3072將磁盤拆分入盒子內(nèi)，且盒子內(nèi)磁盤的R面朝同一方向。
該加工過程的第三種替換實施例表示在圖263中。在這個加工過程中，可采用任何一種理想的方式對磁盤進行紋理化和清洗。接著在3080將磁盤定位成間隙合并方位。然后在3082磁盤在間隙合并方位下經(jīng)過噴鍍處理。在3084磁盤在間隙合并方位下又經(jīng)過潤滑處理。潤滑后，磁盤接著進行帶拋光。在3086，在帶拋光站當(dāng)將磁盤放置在心軸或夾頭上時，將磁盤重新定位成接觸合并方位。在3088對同軸接觸合并方位下的磁盤進行帶拋光。將磁盤保持在同軸接觸合并方位，并在3090對其進行測試。測試后，在3092磁盤被拆分入兩個盒子內(nèi)，使得每個盒子內(nèi)所有磁盤的R面朝同一方向。
該加工過程的第四種替換實施例表示在圖264中。在這個加工過程中，可采用任何一種理想的加工技術(shù)對磁盤進行紋理化、擦洗和清洗。接著在3100將磁盤定位成間隙合并方位。在3110對維持在間隙合并方位下的磁盤進行噴鍍。噴鍍后，在3112拆分磁盤并將其放置在常規(guī)的加工盒子內(nèi)。換句話說，磁盤不排列成磁盤對，而是位于被設(shè)計用來操作雙面加工磁盤的盒子內(nèi)。接著在3114利用傳統(tǒng)磁盤技術(shù)和間隔對磁盤進行潤滑處理。潤滑后，在3116的帶拋光站處將磁盤重新定位成接觸合并方位。這可通過將每對磁盤放置在心軸部件或夾頭上來實現(xiàn)。在3118，在接觸合并方位下對磁盤進行帶拋光。接著在3120，在接觸合并方位下對磁盤進行測試，在帶拋光和測試之間不改變磁盤的方位。測試后，在3122磁盤被拆分入兩個盒子內(nèi)，且每個盒子內(nèi)所有磁盤的R面朝同一方向。
該加工過程的第五種替換實施例表示在圖265中。在這個加工過程中，可采用任何一種理想的加工技術(shù)對磁盤進行紋理化、擦洗和清洗。接著在3130將磁盤定位成間隙合并方位。在3132，維持磁盤的間隙合并方位，同時對磁盤進行噴鍍。噴鍍后，在3184，使磁盤由第一間隙合并方位重新定位成第二間隙合并方位。實質(zhì)上，是加寬磁盤間的間距以便于潤滑。接著在3136，對位于第二間隙合并方位的磁盤進行潤滑。潤滑后，在3138磁盤由間隙合并重新定位成接觸合并。在接觸合并方位下，在3140對磁盤進行帶拋光，隨后在3142進行測試。接著，在3144磁盤被拆分入兩個盒子內(nèi)，使得每個盒子內(nèi)所有磁盤的R面朝同一方向。
該加工過程的第六種替換實施例表示在圖266中。這里，可采用任何一種理想的加工技術(shù)對磁盤進行紋理化、擦洗和清洗。接著，首先在3150將磁盤定位成間隙合并方位或接觸合并方位。然后在3152對位于合并方位的磁盤進行噴鍍，在3154對位于該合并方位的磁盤進行潤滑，在3156對位于該合并方位的磁盤進行帶拋光，以及在3158對位于該合并方位的磁盤進行測試。測試后，在3160拆分磁盤。如所述，磁盤在噴鍍、潤滑、拋光或測試的任一步驟過程中都不改變其方位。
以上為例示和說明已經(jīng)給出了對本發(fā)明的描述。但上述內(nèi)容并不意味著將本發(fā)明限制在這里所公開的一種或多種形式的范圍內(nèi)。在上述詳細說明中，例如，為了使公開內(nèi)容成為一個整體，在一個或多個實施例中將本發(fā)明的各個特征組合在一起。所公開的方法并不意味著所要求保護的發(fā)明需要比每項權(quán)利要求中所述更多的特征。而是如以下權(quán)利要求中所反映的，創(chuàng)造性方面在于比先前公開的單個實施例的所有特征更少。因此，以下權(quán)利要求包含在此詳細說明內(nèi)，且每項權(quán)利要求自身都代表本發(fā)明一項獨立的優(yōu)選實施例。
此外，盡管本發(fā)明說明書已經(jīng)包括了一個或多個實施例的描述以及某些變形和修改，但其它變形和修改也在本發(fā)明范圍內(nèi)，例如本發(fā)明技術(shù)人員在理解本公開內(nèi)容后可以做出的變形和修改。我們試圖獲得在允許程度下包括替換實施例在內(nèi)的權(quán)利，包括所要求結(jié)構(gòu)的替換、可互換和/或等效結(jié)構(gòu)，功能，范圍或步驟，而無論這種替換、可互換和/或等效結(jié)構(gòu)，功能，范圍或步驟是否在此公開，且并不意味著將任何可獲專利的主題獻于公眾。
權(quán)利要求
1.一種制造硬存儲磁盤的方法，每張磁盤具有第一面和第二面，還具有一外周邊和一限定內(nèi)周邊的中心孔，所述方法包括a.對齊一對磁盤，使每張磁盤的第一面對著另一張磁盤的第一面，每張磁盤的第二面朝向與另一張磁盤的第二面相反的方向，每張磁盤的外周邊基本對準(zhǔn)，且所述磁盤間存在一間隙；b.將磁性物質(zhì)同時添加到每張磁盤的所述第二面上；c.同時潤滑每張磁盤的所述兩表面；d.消除所述磁盤間的間隙，使每張磁盤的第一面基本接觸另一張磁盤的第一面；f.同時拋光每張磁盤的所述第二面；e.分離磁盤。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在潤滑所述磁盤前，增大所述磁盤間的間隙。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，消除所述磁盤間的間隙包括將所述磁盤周邊的一部分放置在一種合并凹槽座內(nèi)。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，消除所述磁盤間的間隙包括將所述磁盤放置在一種磁盤載體內(nèi)。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，消除所述磁盤間的間隙包括利用一心軸部件接合每張磁盤的所述中心孔。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在帶拋光后，測試所述磁盤。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，測試所述磁盤包括滑行測試或讀/寫測試中的一者或兩者。
8.一種同時處理兩張磁盤的方法，每張磁盤具有第一面和第二面，還具有一外周邊和一限定內(nèi)周邊的中心孔，所述方法包括a.將一對磁盤對齊成間隙合并方位；b.對磁盤對中每張磁盤朝外的表面進行噴鍍；c.潤滑兩張磁盤；d.將所述磁盤對齊成接觸合并方位；e.對磁盤對中每張磁盤朝外的表面進行拋光；f.測試所述磁盤；g.拆分所述磁盤對。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，測試所述磁盤包括進行滑行測試或讀/寫測試中一者或兩者。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，拆分所述磁盤對包括將所述磁盤放置在盒子內(nèi)，且在所述盒子內(nèi)，每張磁盤的所述噴鍍面朝同一方向。
11.如權(quán)利要求8所述的方法，還包括在潤滑所述磁盤前，增大所述磁盤間的間隙。
12.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，將所述磁盤對齊成接觸合并方位包括將所述磁盤放置在一種磁盤載體內(nèi)。
13.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，將所述磁盤對齊成接觸合并方位包括利用一心軸部件接合所述磁盤的中心孔。
14.如權(quán)利要求8所述的方法，還包括，在拆分后，將所述磁盤對分開到不同的容器內(nèi)。
15.一種制造硬存儲磁盤的方法，包括a.將許多磁盤放置在一容器內(nèi)；b.使所述磁盤排列成一單排且軸向?qū)R；c.從所述容器內(nèi)取出一對磁盤；d.將所述一對磁盤放置成背靠背的方位；e.同時處理所述在背靠背方位的一對磁盤，這樣僅所述一對磁盤的朝外表面被完全處理；f.將所述磁盤放入一容器內(nèi)。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，將所述一對磁盤放置成背靠背的方位包括將所述磁盤放置成間隙合并方位。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，將所述一對磁盤放置成間隙合并方位包括使所述磁盤與這樣一種工具接合，所述工具具有至少二個單獨的磁盤接觸區(qū)域。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述每個單獨區(qū)域適合于接合所述磁盤的倒棱部分。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述單獨區(qū)域被定形為用來保持所述磁盤的分離。
20.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，將所述一對磁盤放置成背靠背的方位包括將所述磁盤放置成接觸合并方位。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，將所述一對磁盤放置成接觸合并方位包括使所述磁盤與這樣一種工具接合，所述工具具有單獨一個接觸區(qū)域，所述接觸區(qū)域適合于將所述磁盤設(shè)置成相互接觸。
22.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，處理所述磁盤對還包括將物質(zhì)同時噴鍍到每張磁盤的一個表面上。
23.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，處理所述磁盤對還包括同時潤滑兩張磁盤。
24.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，處理所述磁盤對還包括同時地紋理化每張磁盤的一個表面。
25.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，處理所述磁盤對還包括同時地拋光每張磁盤的一個表面。
26.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，處理所述磁盤對還包括同時地擦洗每張磁盤的一個表面。
27.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，處理所述磁盤對還包括同時地測試每張磁盤的一個表面。
28.一種制造單面硬存儲磁盤的方法，包括a.將許多磁盤設(shè)置成一對一對的，且每對都位于間隙合并方位；b.將一對間隙合并方位的磁盤輸送至處理站；c.同時地處理所述磁盤對中的兩張磁盤。
29.如權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，所述將許多磁盤設(shè)置成一對一對的且每對都位于間隙合并方位包括，將所述許多磁盤放置在一種間隙合并定位的磁盤載體內(nèi)。
30.如權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，同時地處理所述磁盤對中的兩張磁盤包括噴鍍。
31.如權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，同時地處理所述磁盤對中的兩張磁盤包括紋理化。
32.如權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，同時地處理所述磁盤對中的兩張磁盤包括清洗。
33.一種制造僅有一個活性面的硬存儲磁盤的方法，包括a.將單個磁盤組合成磁盤對；b.同時處理所述磁盤對。
34.如權(quán)利要求33所述的方法，還包括在同時處理前，將每對磁盤設(shè)置成背靠背的方位，且所述磁盤間具有一定間隙。
35.如權(quán)利要求34所述的方法，還包括在同時處理前，將每對磁盤設(shè)置成間隙合并方位。
36.如權(quán)利要求34所述的方法，還包括在同時處理前，將每對磁盤設(shè)置成空間的合并方位。
37.如權(quán)利要求33所述的方法，還包括在同時處理前，將每對磁盤設(shè)置成背靠背的方位，且一張磁盤的一個表面接觸第二張磁盤的一個表面。
38.如權(quán)利要求37所述的方法，還包括在同時處理前，將每對磁盤設(shè)置成接觸合并方位。
39.如權(quán)利要求33所述的方法，還包括同時處理磁盤對間相互分隔的每對磁盤。
40.如權(quán)利要求33所述的方法，其特征在于，同時處理所述磁盤對包括紋理化，清洗，噴鍍，拋光以及測試中一者或多者。
41.如權(quán)利要求33所述的方法，其特征在于，分離每對經(jīng)處理的磁盤包括拆分所述磁盤對。
42.一種制造單面硬存儲磁盤的方法，包括a.提供許多磁盤；b.將所述許多磁盤成對地且處于間隙合并方位地放置在一容器內(nèi)；c.自所述容器內(nèi)將所述磁盤對一對一對地單獨取出；d.同時處理每對磁盤；e.將每對磁盤返回至一容器內(nèi)。
43.如權(quán)利要求42所述的方法，其特征在于，同時處理每對磁盤包括紋理化，擦洗，噴鍍，拋光以及測試中一者或多者。
44.如權(quán)利要求42所述的方法，其特征在于，同時處理每對磁盤包括紋理化，還包括將所述每對磁盤設(shè)置成接觸合并方位以進行紋理化。
45.如權(quán)利要求44所述的方法，還包括在紋理化后，拆分每對磁盤。
46.如權(quán)利要求45所述的方法，其特征在于，拆分每對磁盤包括將所述磁盤設(shè)置成間隙合并方位。
47.如權(quán)利要求45所述的方法，還包括在拆分后，對每對磁盤進行另外的同時處理。
48.如權(quán)利要求43所述的方法，還包括將每對磁盤設(shè)置成接觸合并方位以進行處理。
49.如權(quán)利要求48所述的方法，還包括在紋理化和/擦洗后，拆分每對磁盤。
50.如權(quán)利要求42所述的方法，其特征在于，同時處理每對磁盤包括擦洗，還包括將所述每對磁盤設(shè)置成接觸合并方位以進行擦洗。
51.如權(quán)利要求50所述的方法，還包括在擦洗后，拆分每對磁盤。
52.如權(quán)利要求42所述的方法，其特征在于，同時處理每對磁盤包括噴鍍。
53.如權(quán)利要求52所述的方法，還包括在噴鍍后，同時潤滑所述多個磁盤。
54.如權(quán)利要求53所述的方法，還包括在噴鍍和潤滑之間，改變每對磁盤的方位。
55.如權(quán)利要求54所述的方法，其特征在于，改變每對磁盤的方位包括在所述每對磁盤間形成更大的空間。
56.如權(quán)利要求54所述的方法，其特征在于，改變每對磁盤的方位包括以基本上相同的量分離所有磁盤。
57.如權(quán)利要求53所述的方法，還包括在潤滑后，將每對磁盤設(shè)置成接觸合并方位。
58.如權(quán)利要求57所述的方法，其特征在于，同時處理每對磁盤還包括在潤滑后，同時拋光每對磁盤。
59.如權(quán)利要求58所述的方法，還包括在拋光過程中，保持每對磁盤處于接觸合并方位。
60.如權(quán)利要求58所述的方法，其特征在于，同時處理每對磁盤還包括，在拋光后，同時測試每對磁盤。
61.如權(quán)利要求60所述的方法，還包括在測試過程中，保持每對磁盤處于接觸合并方位。
62.一種制造各面中僅有一個活性面的硬存儲磁盤的方法，包括a.提供許多磁盤；b.改變所述磁盤的方位；c.一次處理兩張所述磁盤，這樣僅每張磁盤的一個表面被完全處理。
63.如權(quán)利要求62所述的方法，其特征在于，處理所述磁盤包括數(shù)據(jù)區(qū)域紋理化，激光區(qū)域紋理化，擦洗，噴鍍，拋光，測試以及伺服磁道寫入中一者或多者。
64.如權(quán)利要求63所述的方法，還包括在所述一者或多者的加工處理后，改變所述磁盤的方位。
65.如權(quán)利要求63所述的方法，其特征在于，在所述一者或多者的加工處理前，改變所述磁盤的方位。
66.如權(quán)利要求62所述的方法，其特征在于，改變所述磁盤的方位發(fā)生在所述加工處理前。
67.如權(quán)利要求62所述的方法，其特征在于，改變所述磁盤的方位發(fā)生在所述加工處理后。
68.一種制造單面硬存儲磁盤的方法，所述磁盤具有一外周邊和一限定內(nèi)周邊的中心孔，所述方法包括a.提供許多磁盤；b.將所述許多磁盤成對地放置在一容器內(nèi)，且磁盤位于接觸合并方位；c.從所述容器內(nèi)一次一對地取出所述磁盤對；d.同時地拋光磁盤對中每張磁盤的朝外表面；e.將所述磁盤對放置在容器內(nèi)。
69.如權(quán)利要求68所述的方法，其特征在于，從所述容器內(nèi)一次一對地取出所述磁盤對包括使所述磁盤對的下外周邊相接合。
70.如權(quán)利要求69所述的方法，還包括在拋光前使每對磁盤的內(nèi)周邊相接合。
71.如權(quán)利要求69所述的方法，還包括在從所述容器內(nèi)取出所述每個磁盤對后且在拋光前，將每個磁盤對移動至一不同位置。
72.如權(quán)利要求71所述的方法，還包括在將每對磁盤移動至一不同位置時，保持每對磁盤處于接觸合并方位。
73.如權(quán)利要求68所述的方法，還包括同時地測試磁盤對中每張磁盤的朝外表面。
74.如權(quán)利要求73所述的方法，其特征在于，在拋光后進行測試。
75.如權(quán)利要求74所述的方法，其特征在于，在將所述磁盤對放置在一容器內(nèi)后，進行測試。
76.如權(quán)利要求75所述的方法，其特征在于，在拋光處理后將所述磁盤對放置在一容器內(nèi)包括使所述磁盤對處于接觸合并方位。
77.如權(quán)利要求75所述的方法，還包括在測試后，將所述磁盤對放置在一容器內(nèi)。
78.如權(quán)利要求75所述的方法，還包括根據(jù)測試結(jié)果分離所述磁盤。
79.如權(quán)利要求77所述的方法，還包括在測試后拆分所述磁盤對。
80.如權(quán)利要求79所述的方法，還包括分離所述經(jīng)拆分的磁盤對，并將磁盤分別放置在容器內(nèi)，且使每容器內(nèi)每張磁盤的活性面朝同一方向。
全文摘要
本發(fā)明提供了多種用于同時處理兩張單面硬存儲磁盤的方法及裝置。成對地設(shè)置磁盤，且一張磁盤的一個表面靠近第二張磁盤的一個表面，兩磁盤面相接觸或兩磁盤面間略有間隙。在這種背靠背的方位下，可利用傳統(tǒng)雙面磁盤的處理設(shè)備和技術(shù)來處理該磁盤對。但是，每張磁盤不具備兩個活性面。由于在處理過程中磁盤的前述定位，因而僅每張磁盤的一個表面被完全處理。因此，每張磁盤僅具有一個活性面。
文檔編號G11B5/851GK1479277SQ03143838
公開日2004年3月3日 申請日期2003年5月9日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月9日
發(fā)明者布魯斯·哈克特曼, 金光坤, 杰拉多·比特龍, 克拉倫斯·加佩伊, 約翰·格羅, 胡安·古延, 黑爾 托姆·奧, 比特龍, 古延, 黑爾 奧, 布魯斯 哈克特曼, 斯 加佩伊, 格羅 申請人:麥克斯特公司