專利名稱：多層光盤及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光盤及其制作方法，特別是指一種多層光盤及其相應(yīng)的制作方法。
背景技術(shù)：
隨著光存貯技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了越來越多存貯(刻錄)數(shù)據(jù)信息的光盤，如常見的DVD、VCD、CD等。其中，DVD、VCD及CD等是根據(jù)制定光盤的不同標(biāo)準(zhǔn)而分類命名。然而，從光盤的物理層結(jié)構(gòu)來講，光盤還可簡(jiǎn)單地分為單刻錄層光盤及多刻錄層光盤，其中多刻錄層光盤中以雙刻錄層光盤最為常見。與單刻錄層光盤相比較，雙刻錄層光盤不但在物理層結(jié)構(gòu)上比單刻錄層光盤復(fù)雜，而且其相應(yīng)的制作過程也比單刻錄層光盤復(fù)雜。
圖5所示，為現(xiàn)有的一種用2P(Photo-Polymerization)法制得的雙刻錄層光盤5，其依次包括基片510、第一刻錄層514、間隔層515、第二刻錄層516及保護(hù)層520。其中基片510及間隔層515上分別形成有第一預(yù)刻錄槽512及第二預(yù)刻槽513。第一刻錄層514及第二刻錄層516分別沿著第一預(yù)刻槽512及第二預(yù)刻槽513而呈起伏狀，以利用該起伏來定位光學(xué)頭、跟蹤地址及控制光盤轉(zhuǎn)速等。第一刻錄層514及第二刻錄層516上均包含許多細(xì)層，如第一介電層、功能層、第二介電層及金屬反射層(或半反射層)等(圖未示)。
上述的雙刻錄層光盤5的第一預(yù)刻槽512及第二預(yù)刻槽513是通過傳統(tǒng)的鎳質(zhì)壓模(Stamper)分別壓制基片510及間隔層515而成。如果要在雙刻錄層光盤5中再加一個(gè)刻錄層，就需要再用一次壓模，也就是說，在光盤上每增加一個(gè)刻錄層就需要用一次壓模，此明顯增加了制作程序，降低了生產(chǎn)率，也增加了生產(chǎn)成本。
另外，多次壓模過程中，后次壓模與前一次壓模的位置很難精確對(duì)應(yīng)，如此，則極易導(dǎo)致壓模的失敗，降低成品率。
再者，用2P法制作而成的雙刻錄層光盤5，其間隔層515上的第二預(yù)刻槽513被壓模壓制后，需用紫外光來固化成型。然而，紫外光不能穿過包含金屬反射層的第一刻錄層514，也不能穿過傳統(tǒng)的鎳質(zhì)壓模，故極難將間隔層固化形成第二預(yù)刻槽。
為解決這一難題，一般使用塑料壓模來代替鎳制壓模，以使紫外光透過并固化第二預(yù)刻槽。然而，這種塑料壓模的使用壽命非常有限，脫模困難，成品率相當(dāng)?shù)?，很難實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。
因此，需要一種改進(jìn)的光盤及其制作方法以避免上述缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的光盤。
本發(fā)明也提供了一種制造簡(jiǎn)單、成本較低的光盤制作方法。
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明所述的光盤包括第一層、第二層及位于第一層與第二層之間的間隔層。其中該第一層表面呈起伏狀，并具有用來刻錄信息的物質(zhì)，而第二層表面基本平整，并具有參考第一層的起伏來刻錄信息的物質(zhì)。
本發(fā)明所述的光盤是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)形成表面呈起伏狀的第一層，并于其表面形成一間隔層。再形成基本平整的第二層于該間隔層上。其中該第一層上具有用來刻錄信息的物質(zhì)，而第二層具有參考第一層的起伏來刻錄信息的物質(zhì)。
由于采用了本發(fā)明所述的技術(shù)方案，本發(fā)明所述的光盤僅有一個(gè)用來刻錄信息的層結(jié)構(gòu)呈起伏狀，其它用來刻錄信息的層結(jié)構(gòu)基本平整，并直接涂在間隔層上即可，無需每增加一個(gè)刻錄層即使用一次壓模。如此不僅節(jié)約了壓模，也提高了生產(chǎn)率、降低了生產(chǎn)成本。


圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例光盤的剖視圖；圖2A、2B、2C、2D及2E是本發(fā)明第一實(shí)施例光盤制作過程的剖視圖；圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例光盤的剖視圖；圖4是向本發(fā)明第一實(shí)施例的光盤刻入信息的示意圖；圖5是一現(xiàn)有光盤的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。圖1所示為本發(fā)明光盤的第一實(shí)施例。該實(shí)施例所顯示的光盤1包括基片110及保護(hù)層120?；?10包括一體壓制而成的預(yù)刻槽112?；?10的預(yù)刻槽112表面涂有第一刻錄層114，該第一刻錄層114沿著預(yù)刻槽112而呈起伏狀，以用該起伏來定位光學(xué)頭、跟蹤地址及控制光盤轉(zhuǎn)速等。第一刻錄層114上進(jìn)一步設(shè)有間隔層115。間隔層115為一透明的、粘性的層結(jié)構(gòu)，基本上會(huì)將第一刻錄層114的起伏填平。間隔層115頂面涂有第二刻錄層116，該第二刻錄層115表面基本平整，故其刻錄信息時(shí)，是參考第一刻錄層114來定位光學(xué)頭、跟蹤地址及控制光盤轉(zhuǎn)速。保護(hù)層120覆蓋在該第二刻錄層116上。
光盤1的第一刻錄層114及第二刻錄層116均包含許多細(xì)層，如第一介電層、功能層、第二介電層及反射層(或半反射層)等，此等結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有光盤的刻錄層結(jié)構(gòu)相同，故圖中不再示出。
光盤1的各層結(jié)構(gòu)中，基片110的主要成分通常為聚碳酸酯(polycarbonate)，但也可以為玻璃(glass)、有機(jī)玻璃(PMMA)或其它有機(jī)物等。
第一刻錄層114及第二刻錄層116所包含的各細(xì)層中，反射層(或半反射層)中的成分可以為金(gold)、銀(silver)或鋁(aluminum)等；介電層的主要成分為氧化硅-硫化鋅(SiO-ZnS)、氮化硅(Si3N4)或炭化硅(SiC)等；而功能層通?？梢詾橐淮涡钥啼洸牧匣蚩刹翆懖牧蠘?gòu)成，如果是一次性記錄材料，則通常是染料，如花菁(dye)、酞菁(phthalocyanine)或偶氮(azo)等，而如果是可擦寫材料，則可以是相變物(phase-change alloy)，或光致變色化合物(photochromicmolecules)。
間隔層115通常為透明樹脂(resin)材料制成。保護(hù)層120主要是由紫外光固化膠(UVcured lacquer)構(gòu)成。保護(hù)層120也可以與基片110的材料相同。
圖2A到圖2E所示，為第實(shí)施例光盤1的制作流程圖。制作光盤1時(shí)，是先壓制形成具有預(yù)刻槽112的基片110；再向基片110的預(yù)刻槽112的表面涂上第一刻錄層114，第一刻錄層114沿著預(yù)刻槽112而呈起伏狀；之后，向第一刻錄層114上涂一間隔層115，間隔層115基本上會(huì)填滿第一刻錄層114上的起伏，從而使得間隔層的頂基本平整；接著，直接向該間隔層115頂面涂上基本平整的第二刻錄層116；最后，向基本平整的第二刻錄層116上進(jìn)一步粘接保護(hù)層120，即完成光盤1的制作。
以上所述的光盤1僅為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，光盤1中僅有兩個(gè)刻錄層，事實(shí)上，還可以在第二刻錄層116上涂一層間隔層117，如圖3所示；再于該間隔層117表面涂上基本平整的第三刻錄層118；之后，于第三刻錄層上貼設(shè)保護(hù)層120，從而形成圖3所示的三刻錄層光盤1’。同樣，也可以制成四刻錄光盤，甚至五或六刻錄層光盤等，從而實(shí)現(xiàn)用極簡(jiǎn)單的方法形成多刻錄層光盤。
本發(fā)明所述的光盤僅有一個(gè)用來刻錄信息的層結(jié)構(gòu)呈起伏狀，其它用來刻錄信息的層結(jié)構(gòu)基本平整，并直接涂在間隔層上即可，無需每增加一個(gè)刻錄層使用一次壓模。如此不僅節(jié)約了壓模，也提高了生產(chǎn)率、降低了生產(chǎn)成本。
現(xiàn)以本發(fā)明第一實(shí)施例中的光盤1來說明如何從本發(fā)明所述的光盤中讀出信息及向本發(fā)明所述的光盤中刻入信息。
讀出本發(fā)明第一實(shí)施例所披露的光盤1的方式是與現(xiàn)有的雙刻錄層光盤相同的；向雙刻錄層光盤1中表面呈起伏狀的第一刻錄層114上刻入信息的方式，與現(xiàn)有雙刻錄層光盤的刻入方式也相同。
然而，向光盤1的第二刻錄層116上刻入信息的方式與現(xiàn)有的雙刻錄層光盤的刻入方式不同。不同的原因在于，第二刻錄層116表面平整，無法跟蹤其地址信息，故在刻入信息時(shí)，需用類似圖4所示的光學(xué)設(shè)備2來實(shí)現(xiàn)信息的刻入。
圖4所示的光學(xué)設(shè)備2中，由第一半導(dǎo)體激光器21發(fā)出的數(shù)據(jù)光束A依次通過第一準(zhǔn)直鏡22、偏振分光鏡23、四分之一波片24、雙色分光鏡25及物鏡26到達(dá)光盤1的第二刻錄層116后，反射回來，并經(jīng)探測(cè)鏡27到達(dá)光電轉(zhuǎn)換鏡28。然而，第二刻錄層116表面平整，無法跟蹤其地址，僅用數(shù)據(jù)光束A無法向第二刻錄層116中刻入信息，因此，光學(xué)設(shè)備2另增加了一服務(wù)光束B來協(xié)助該數(shù)據(jù)光束A向第二刻錄層116刻入信息。服務(wù)光束B是由第二半導(dǎo)體激光器31(僅在向基本平整的第二刻錄層116刻入信息時(shí)打開)所發(fā)出，并依次通過全息光柵32、第二準(zhǔn)直鏡33、雙色分光鏡25后，與數(shù)據(jù)光束A一起穿過物鏡26。其中，服務(wù)光束B聚焦到第一刻錄層114上，以跟蹤第一刻錄層114的地址信息，從而協(xié)助入射到第二刻錄層116的數(shù)據(jù)光束A向第二刻錄層116上刻錄信息。服務(wù)光束B反射回來時(shí)，經(jīng)全息光柵32偏射至第二光電轉(zhuǎn)換器34。
基本平整的第二刻錄層116被刻入信息后，便會(huì)通過其本身物理變化來貯存地址信息。故在讀出時(shí)就不再需要服務(wù)光束B的協(xié)助。
雖然已經(jīng)結(jié)合特定實(shí)施例對(duì)本發(fā)明加以描述，然而根據(jù)前面的描述，許多替代、修改與變更對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是顯而易見的。因此，本發(fā)明將包括所有落在后附的權(quán)利要求的構(gòu)思與范圍之內(nèi)的這種替代、修改與變更。
權(quán)利要求
1.一種光盤，其特征在于，包括第一層，其表面呈起伏狀，并具有用來刻錄信息的物質(zhì)；第二層，其表面基本平整，并具有參考該第一層的起伏來刻錄信息物質(zhì)；及一間隔層，位于第一層和第二層之間。
2.如權(quán)利要求1所述的光盤，其特征在于，進(jìn)一步包括一個(gè)基片，其中該第一層是位于該基片上。
3.如權(quán)利要求2所述的光盤，其特征在于，該基片具有預(yù)刻槽，該第一層沿著該基片的預(yù)刻槽而呈起伏狀。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述的光盤，其特征在于，進(jìn)一步包括一個(gè)保護(hù)層，該保護(hù)層是覆蓋在該第二層上。
5.一種光盤的制造方法，其特征在于，包括步驟(a)形成表面呈起伏狀的第一層于一基片上，該第一層具有用來刻錄信息物質(zhì)；(b)形成一個(gè)間隔層于該第一層上；及(c)形成表面基本平整的第二層于該間隔層上，該第二層具有參考該第一層的起伏來刻錄信息的物質(zhì)。
6.如權(quán)利要求5所述的光盤制造方法，其特征在于，該基片上具有預(yù)刻槽，而該第一層沿著該預(yù)刻槽而呈起伏狀。
7.如權(quán)利要求5或6所述的光盤制造方法，其特征在于，進(jìn)一步包括形成一保護(hù)層于該第二層上。
8.一種光盤，其特征在于，包括第一層，其表面呈起伏狀，并具有用來刻錄信息的物質(zhì)；第二層，其表面基本平整，且與該第一層粘接在一起，并具有參考該第一層的起伏來刻錄信息物質(zhì)。
9.如權(quán)利要求8所述的光盤，其特征在于，進(jìn)一步包括一間隔層，該間隔層位于該第一層與該第二層之間。
10.一種光盤的制作方法，其特征在于形成表面呈起伏形狀的第一層于一個(gè)基片上，該第一層具有用來刻錄信息的物質(zhì)；及形成表面基本平整的第二層于該第一層上，該第二層具有參考該第一層的起伏來刻錄信息的物質(zhì)。
11.如權(quán)利要求10所述的光盤的制作方法，其特征在于，進(jìn)一步包括形成一間隔層，該間隔層是位該于第一層上，且該第二層位于該間隔層上。
12.一種光盤刻錄方法，其特征在于，包括步驟刻錄光盤的第一層；及參考光盤的第一層刻錄光盤的第二層。
13.如權(quán)利要求第12項(xiàng)所述的光盤刻錄方法，其特征在于，該第一層表面為起伏狀，而該第二層的表面基本平整。
14.一種光盤刻錄方法，其特征在于，該光盤具有表面呈起伏狀的第一層及表面基本平整的第二層，該光盤刻錄方法包括步驟刻錄光盤的第一層；及參考光盤的第一層刻錄光盤的第二層。
全文摘要
一種光盤，包括第一層、第二層和位于第一層與第二層之間的間隔層。其中該第一層表面呈起伏狀，并具有用來刻錄信息的物質(zhì)，而第二層表面基本平整，并具有參考第一層的起伏來刻錄信息的物質(zhì)。該種光盤是通過如下方法來制作的形成表面呈起伏狀的第一層，并在其表面形成一間隔層，再形成基本平整的第二層于該間隔層上。其中該第一層上具有用來刻錄信息的物質(zhì)，而第二層具有參考第一層的起伏來刻錄信息的物質(zhì)。
文檔編號(hào)G11B7/26GK1591626SQ03157990
公開日2005年3月9日 申請(qǐng)日期2003年9月2日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月2日
發(fā)明者唐福龍, 陳殿勇, 陶靖 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司