專利名稱：?jiǎn)味穗娏鳈z測(cè)放大器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于存儲(chǔ)器集成電路的檢測(cè)放大器電路。
背景技術(shù)：
在存儲(chǔ)器集成電路中，檢測(cè)放大器用來(lái)檢測(cè)和確定所選存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)內(nèi)容。在EEPROM(電子可擦除只讀存儲(chǔ)器)和閃存中，檢測(cè)放大器有兩項(xiàng)功能。首先，檢測(cè)放大器將比特線預(yù)先充電到箝位值(clamped value)，其次，它檢測(cè)流入比特線的電流，它取決于存儲(chǔ)器單元狀態(tài)。關(guān)于持久性和保持性的可靠性和性能兩者極大地取決于檢測(cè)放大器的設(shè)計(jì)。
多數(shù)集成檢測(cè)放大器結(jié)構(gòu)基于用于比較從所選的存儲(chǔ)器單元的電流和參考單元的電流的差分放大器。參考單元可以以不同的方式實(shí)現(xiàn)，并可以是不同的類型。參考單元僅在存儲(chǔ)器測(cè)試期間被編程一次，因此增加了測(cè)試時(shí)間。為了確保檢測(cè)放大器的良好功能，比率Icell/Iref必須保持足夠高以便考慮處理存儲(chǔ)器和參考單元上的波動(dòng)，以及存儲(chǔ)器單元上存儲(chǔ)周期的影響。此外，已示出，對(duì)于低于2V的電源電壓值，標(biāo)準(zhǔn)差分放大器檢測(cè)放大器的速度性能和可靠性大大降低。
其它類型的檢測(cè)放大器結(jié)構(gòu)是非差分類型的，它們具有將單個(gè)放大器輸入節(jié)點(diǎn)上通過(guò)被訪問(wèn)的存儲(chǔ)器單元產(chǎn)生的信號(hào)檢測(cè)和放大的非對(duì)稱電路。這種類型的檢測(cè)放大器常稱作“單端”。在現(xiàn)有技術(shù)的單端檢測(cè)放大器中，具有Galbraith等人的美國(guó)專利號(hào)4918341，它揭示了一種包括將單端輸入電流轉(zhuǎn)換成單端輸出電壓的補(bǔ)償電流鏡像電路的單端檢測(cè)放大器。該｀341號(hào)專利還揭示了一種用于過(guò)濾高頻噪聲尖峰的電路。Hirose的美國(guó)專利號(hào)5013943揭示了一種單端檢測(cè)放大器，它具有預(yù)充電電路以便減少比特線容量和通過(guò)單元傳導(dǎo)的電流中的可變性。Yu等人的美國(guó)專利號(hào)5666310中揭示了一種檢測(cè)放大器電路，它通過(guò)存儲(chǔ)器陣列提取電流并在達(dá)到特定電流時(shí)改變輸出狀態(tài)。
近些年的趨勢(shì)是設(shè)計(jì)消耗更少功率的存儲(chǔ)器電路。這樣的一種方法是減少向存儲(chǔ)器供電的電源的電壓。隨著用于檢測(cè)放大器的電源電壓減小，檢測(cè)放大器能檢測(cè)很低的電流電平就變得更加重要。
本發(fā)明的目的在于提供一種單端檢測(cè)放大器，它具有直流放大率以便檢測(cè)很低的電流。
本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種單端檢測(cè)放大器，它能采用標(biāo)準(zhǔn)低電壓CMOS器件進(jìn)行設(shè)計(jì)。

發(fā)明內(nèi)容
通過(guò)一種單端電流檢測(cè)放大器實(shí)現(xiàn)以上目的，它具有預(yù)充電電路以保持比特線上的穩(wěn)定電壓，耦合到比特線并用于檢測(cè)流入比特線的電流量的檢測(cè)電路，耦合到檢測(cè)電路用于放大比特線上被檢測(cè)的電流的直流放大電路，用于將被檢測(cè)的電流轉(zhuǎn)換成電壓的電流電壓變換電路，以及用于將檢測(cè)放大器輸出處的電壓放大的電壓放大電路。檢測(cè)放大器還包括過(guò)沖濾波電路，以便濾去比特線上的正假信號(hào)。
該單端結(jié)構(gòu)提供消除對(duì)具有參考單元和比較器電路的需要，這是差分檢測(cè)放大結(jié)構(gòu)中一般使用的。這節(jié)省了測(cè)試時(shí)間和檢測(cè)放大器電路使用的管芯面積的量。此外，單端結(jié)構(gòu)提供優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)差分結(jié)構(gòu)的其它優(yōu)點(diǎn)，諸如提供對(duì)失配和過(guò)程變化的較低靈敏度并提供較低電源電壓時(shí)的改善了的存取時(shí)間。
通過(guò)在電流檢測(cè)后提供直流放大器，與現(xiàn)有技術(shù)的其它單端檢測(cè)放大器相比，本發(fā)明的檢測(cè)放大器更快并可以檢測(cè)非常低的電流。
附圖概述

圖1是本發(fā)明的檢測(cè)放大器電路的結(jié)構(gòu)的框圖。
圖2是圖1檢測(cè)放大器電路的電氣示意圖。
具體實(shí)施例方式
參考圖1，本發(fā)明的檢測(cè)放大器包括預(yù)充電電路20，它用來(lái)預(yù)充電和保持比特線19上的穩(wěn)定電壓。預(yù)充電電路20在輸入端處接收電源電壓Vdd18并在另一個(gè)輸入端處接收檢測(cè)開(kāi)/關(guān)信號(hào)16以激活檢測(cè)放大器電路。檢測(cè)電路30耦合到比特線19并用來(lái)檢測(cè)流入比特線的電流。過(guò)沖濾波電流70耦合到檢測(cè)電流30以濾去比特線上的正假信號(hào)。檢測(cè)電路30的輸出行進(jìn)到直流放大電路40，它放大由檢測(cè)電路檢測(cè)出的電流。通過(guò)電流電壓變換電流50將被放大的電流轉(zhuǎn)換成電壓，隨后通過(guò)輸出放大級(jí)60放大所生成的電壓并將其提供給檢測(cè)放大器輸出80。
參考圖2，預(yù)充電電路由晶體管101、102、103、202、203和電阻300構(gòu)成。晶體管101、102、103是PMOS型晶體管而晶體管202、203是NMOS型晶體管。晶體管101具有連接到檢測(cè)放大器開(kāi)/關(guān)信號(hào)輸入端子16的柵極輸入、耦合到電源電壓Vdd18的源極端子以及連接到PMOS晶體管102的源極端子的漏極端子。晶體管102具有耦合到電阻器300的第一端的漏極端子以及耦合到晶體管202的柵極的柵極端子。晶體管202的漏極端子連接到電阻器300的第二端且其源極端子連接到接地電位99。晶體管103的柵極端子連接到晶體管202的柵極端子，其源極端子連接到晶體管101的漏極端子，且其漏極端子連接到晶體管203的漏極。晶體管203的源極端子連接到晶體管202的柵極且其柵極端子連接于晶體管202的漏極端子和電阻器300的第二端之間。預(yù)充電電路用來(lái)預(yù)充電和維持比特線19上的穩(wěn)定電壓。比特線19連接到晶體管203的源極端子，如圖2所示。由晶體管101、103和203構(gòu)成的支路必須驅(qū)動(dòng)足夠的電流以便在有限時(shí)間內(nèi)將比特線19設(shè)定到其箝位電壓。通過(guò)調(diào)節(jié)晶體管102和202的大小以及調(diào)節(jié)電阻器300的大小確定箝位預(yù)充電電壓。當(dāng)比特線達(dá)到102、202和電阻器300級(jí)的斷路點(diǎn)時(shí)，偏置低線25變低、關(guān)閉晶體管203，從而關(guān)閉預(yù)充電支路。
檢測(cè)電路由NMOS晶體管210和PMOS晶體管105與106構(gòu)成。晶體管210具有連接到晶體管201的漏極端子的柵極端子，連接到晶體管105的漏極端子和柵極端子并連接到晶體管106的柵極端子的漏極端子，以及連接到比特線的源極端子。晶體管105和106具有連接到105的漏極端子的柵極端子，以及連接到電源電壓Vdd的源極端子。晶體管106的漏極端子連接到NMOS晶體管206的漏極端子。晶體管206具有連接到檢測(cè)模式啟用信號(hào)的柵極端子28，以及連接到接地電位的源極端子。晶體管210用來(lái)使比特線電壓和晶體管105的柵極電平隔離，它允許比特線上的電位由預(yù)充電電路利用。晶體管106反射被乘以系數(shù)N的單元電流。因此，單元電流被直接放大并被提供給低驅(qū)動(dòng)206晶體管的漏極，導(dǎo)致電流到電壓的轉(zhuǎn)換以及節(jié)點(diǎn)58處的第一電壓V1。晶體管206具有較低的W/L值且可以通過(guò)改變倍增系數(shù)N和調(diào)節(jié)晶體管206的大小來(lái)調(diào)整檢測(cè)放大器的電流斷路點(diǎn)。
被轉(zhuǎn)換的電壓V1通過(guò)電壓放大電流放大，該電壓放大電流包括PMOS晶體管107和108以及晶體管207、208和209。晶體管107具有連接到電源電壓Vdd18的源極端子以及連接到晶體管207的漏極端子的漏極端子。晶體管207具有連接到節(jié)點(diǎn)58以接收電壓V1的柵極端子以及連接到接地電位的源極端子。晶體管107和207放大電壓V1以便在節(jié)點(diǎn)68處生成被放大的電壓V2。晶體管108、208和209用作偏置電流發(fā)生器。晶體管208具有連接到電源電壓Vdd18的源極端子，以及連接到其漏極端子并還連接到晶體管107的柵極端子的柵極端子。晶體管208具有連接到晶體管108的漏極端子的漏極端子，以及連接到檢測(cè)模式啟用信號(hào)的柵極端子67。晶體管209具有連接到晶體管208的源極的漏極端子，連接到電源電壓Vdd的柵極端子，以及連接到接地電位的源極端子。偏置電流發(fā)生器產(chǎn)生偏置電流，它經(jīng)由晶體管207被提供給節(jié)點(diǎn)68。電壓V2通過(guò)一對(duì)倒相器82、83，用作輸出緩沖器，并在端子80處產(chǎn)生檢測(cè)放大器的輸出。
NMOS晶體管201和211用于在待機(jī)模式中或在沒(méi)有DC電流的模式中關(guān)閉檢測(cè)放大器。晶體管201具有連接到晶體管210的柵極端子并連接到晶體管102的源極端子以及電阻器300的第一端的漏極端子。晶體管201還具有連接到接地電位的源極端子，以及連接到檢測(cè)開(kāi)/關(guān)信號(hào)輸入端子的柵極端子88。晶體管211具有連接到節(jié)點(diǎn)68的漏極端子，連接到接地電位的源極端子以及連接到檢測(cè)開(kāi)/關(guān)信號(hào)的柵極端子88。
此外，檢測(cè)放大器還包括過(guò)沖濾波電路，它由PMOS晶體管104和NMOS晶體管204與205構(gòu)成。晶體管104和204作為倒相器連接，其中晶體管104的源極連接到電壓Vdd，204的漏極連接到晶體管204的漏極，晶體管204的源極連接到接地電位，且晶體管104和204的柵極連接在一起并接收柵極端子75處的偏置高信號(hào)。104、204倒相器的輸出連接到晶體管205的柵極。晶體管205具有連接到比特線19的漏極端子和連接到接地電位的源極端子。由于檢測(cè)環(huán)境，可能在比特線上出現(xiàn)過(guò)沖，這會(huì)影響正常的檢測(cè)操作。過(guò)沖濾波電路用來(lái)過(guò)濾比特線上的正假信號(hào)，偏置高信號(hào)變低，這在倒相器104、204的輸出處生成高信號(hào)。該高信號(hào)接通使假信號(hào)放電的晶體管205。與使用二極管中的晶體管的常規(guī)現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)相比，該解決方案具有只有在比特線19上存在過(guò)沖時(shí)才驅(qū)動(dòng)晶體管205中的電流的優(yōu)點(diǎn)。
以下是根據(jù)輸入的電路的描述。當(dāng)檢測(cè)開(kāi)/關(guān)信號(hào)16是關(guān)時(shí)，檢測(cè)開(kāi)/關(guān)信號(hào)被設(shè)定為高同時(shí)檢測(cè)模式啟用信號(hào)28被設(shè)定為低。高檢測(cè)模式啟用信號(hào)接通晶體管211，在節(jié)點(diǎn)68上形成低電位，并將檢測(cè)放大器的輸出80設(shè)定為低狀態(tài)。在這種情況中，在結(jié)構(gòu)中沒(méi)有DC電流。當(dāng)檢測(cè)開(kāi)/關(guān)信號(hào)是開(kāi)時(shí)，意味著DC電流流動(dòng)，檢測(cè)開(kāi)/關(guān)信號(hào)變低且檢測(cè)模式啟用信號(hào)變高。低信號(hào)接通晶體管101并關(guān)閉晶體管201。這允許電流流經(jīng)晶體管103、203和210并因此開(kāi)啟預(yù)充電電路。如上所述，預(yù)充電電路將設(shè)定比特線19。
為了讀取ON單元或“0”，晶體管206必須驅(qū)動(dòng)較大的電流等于從晶體管106的漏極生成的電流，以便其漏極處的電壓V1上升。隨后，電壓V1的變化由電壓放大電路(晶體管107和207)放大且節(jié)點(diǎn)68處的輸出電壓V2快速變低，在檢測(cè)放大器輸出80上提供低信號(hào)或“0”。
為了讀取OFF單元或“1”，晶體管206沒(méi)有要驅(qū)動(dòng)的電流，從而節(jié)點(diǎn)58處的電壓V1變低。這關(guān)閉了晶體管207且節(jié)點(diǎn)68處的電壓V2強(qiáng)烈增加，在檢測(cè)放大器輸出80處產(chǎn)生高輸出。
檢測(cè)放大器的尺寸將由兩個(gè)目的驅(qū)動(dòng)，第一個(gè)目的是滿足目標(biāo)電流斷路點(diǎn)限制。這是通過(guò)DC分析獲得的。第二個(gè)目的是實(shí)現(xiàn)關(guān)于存取時(shí)間和功率的性能目標(biāo)。為了確定這些目的，需要結(jié)構(gòu)的一階建模建模。如下描述該一階建模。
該過(guò)程中的第一個(gè)步驟是使用DC建模來(lái)計(jì)算電流斷路點(diǎn)。當(dāng)節(jié)點(diǎn)58達(dá)到輸出級(jí)斷路點(diǎn)時(shí)，檢測(cè)放大器從1切換到0。為了簡(jiǎn)便，假定輸出級(jí)斷路點(diǎn)等于晶體管207的閾值電壓(VTN)。當(dāng)V1從0變成VTN時(shí)，晶體管206處于線性模式，用作電阻。確定電流斷路點(diǎn)限制(Ilim)的條件如下R206nIlim＝VTN其中R206=1μCox(WL)206(VDD-VTN)]]>給出Ilim的如下表達(dá)式Ilim=1nμCox(WL)206(VDD-VTN)VTN]]>該表達(dá)式呈現(xiàn)相對(duì)于VDD的線性變化。當(dāng)遷移率μ和閾值電壓VTN隨溫度降低時(shí)，預(yù)計(jì)Ilim隨溫度降低。最終，可以清晰地表現(xiàn)出，可以通過(guò)調(diào)節(jié)電流反射器的倍增系數(shù)n和晶體管206的尺寸固定電流斷路點(diǎn)。
接著，使用動(dòng)態(tài)分析來(lái)計(jì)算切換時(shí)間。對(duì)于動(dòng)態(tài)分析，必須考慮下降延遲(讀取驅(qū)動(dòng)ION＞Ilim的ON存儲(chǔ)器)以及上升延遲(讀取IOFF＜Ilim的OFF單元)兩者。總的切換延遲可以被分成4個(gè)部分預(yù)充電延遲，開(kāi)啟電流反射器必需的時(shí)間，充/放電節(jié)點(diǎn)58(V1)所必需的時(shí)間，以及充/放電節(jié)點(diǎn)68(V2)所需的時(shí)間。對(duì)于合理的倍增系數(shù)值(n＜3)，電流反射器開(kāi)啟時(shí)間是可以忽略的。假定節(jié)點(diǎn)68處的電壓V2是檢測(cè)的輸出，則輸出緩沖82、83中的延遲是可以忽略的。
在讀取ON存儲(chǔ)器單元時(shí)，節(jié)點(diǎn)58處的電壓V1通過(guò)非平衡的電流nIon-I206充電，而節(jié)點(diǎn)68處的電壓V2通過(guò)非平衡的電流I207-Ibias放電。從而讀取ON單元延遲可以被讀作TrdON=tprecharge+(CG207+Cpar1)VTNnION-I206+(CINV1+Cpar2)VDD/2I207-Ibias]]>其中tprecharge是可以通過(guò)調(diào)整晶體管103和203大小進(jìn)行調(diào)整的預(yù)充電延遲，CG207是晶體管207的柵極電容，CINV1是倒相器82的輸入電容，Cpar1是節(jié)點(diǎn)58上的總寄生電容，包括晶體管206和106的漏極電容以及路由，且Cpar2是節(jié)點(diǎn)68上的總寄生電容，包括晶體管207和107的漏極電容，以及路由。I206和I207分別是流經(jīng)晶體管206和207的電流。
在讀取OFF存儲(chǔ)器時(shí)，V1節(jié)點(diǎn)58通過(guò)電流I206放電，而V2節(jié)點(diǎn)68通過(guò)電流Ibias充電。更精確地，當(dāng)V1從VDD切換到VTN時(shí)，由于非平衡電流Ibias-IN7，輸出電壓V2開(kāi)始上升。對(duì)于一階建模，這是被忽略的。該讀取OFF單元延遲可以被讀作TrdOFF=tprecharge+(CG207+Cpar1)VDD-VTNI206+(CINV1+Cpar2)VDD/2Ibias]]>這些等式給出了關(guān)于如何必須使檢測(cè)調(diào)整大小的指示首先，調(diào)整系數(shù)n以及最小寬度晶體管206的長(zhǎng)度以滿足斷路點(diǎn)目標(biāo)。隨后，降低INV1 82的尺寸以最小化V2節(jié)點(diǎn)68上的電容(CINV1)。隨后，調(diào)整晶體管207和Ibias的大小以最小化和平衡讀取ON和讀取OFF單元延遲。為了限制V1節(jié)點(diǎn)58上的電容，必須將晶體管207的尺寸調(diào)整得盡可能小。
上述檢測(cè)放大器提供了許多優(yōu)點(diǎn)，包括高強(qiáng)度、在低電源電壓時(shí)的改善的存取時(shí)間以及使用低電壓CMOS器件的完整和方便的實(shí)現(xiàn)。
權(quán)利要求
1.一種電流檢測(cè)放大器，其特征在于，包括預(yù)充電電路，它接收激活信號(hào)和第一電源電壓并在比特線上生成預(yù)充電電壓；檢測(cè)電路，它耦合到比特線并具有用于檢測(cè)流入比特線的電流量的裝置；電流放大電路，它電耦合到所述檢測(cè)電路并具有用于放大比特線上被檢測(cè)的電流的裝置；電流電壓變換電路，它電耦合到電流放大電路并具有將被檢測(cè)的電流轉(zhuǎn)換成第一電壓的裝置；以及電壓放大電路，它電耦合到電流電壓變換電路并具有用于放大第一電壓以便在檢測(cè)放大器輸出處生成第二電壓的裝置。
2.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)放大器，其特征在于，進(jìn)一步包括用于使比特線上的預(yù)充電電壓和檢測(cè)電路隔離的裝置。
3.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)放大器，其特征在于，進(jìn)一步包括耦合到比特線的過(guò)沖濾波器電路，所述過(guò)沖濾波器具有用于過(guò)濾比特線上的假信號(hào)的裝置。
4.如權(quán)利要求3所述的檢測(cè)放大器，其特征在于，所述過(guò)沖濾波器包括第一倒相器和放電晶體管，所述第一倒相器在輸入處接收表示假信號(hào)的偏置信號(hào)并在輸出處產(chǎn)生被倒相的偏置信號(hào)，所述放電晶體管具有電耦合到第一倒相器的輸出的柵極端子、電耦合到比特線的漏極端子以及電耦合到接地電位的源極端子。
5.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)放大器，其特征在于，所述預(yù)充電電路將比特線上的預(yù)充電電壓箝位于比第一電源的值更低的值。
6.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)放大器，其特征在于，進(jìn)一步包括用于接收激活信號(hào)的第一輸入端子和用于接收第一電源電壓的第二輸入端子。
7.如權(quán)利要求6所述的檢測(cè)放大器，其特征在于，所述預(yù)充電電路包括第一電阻器；第一PMOS晶體管(101)，它具有電耦合到第一輸入端子的柵極和電耦合到第二輸入端子的源極端子；第二PMOS晶體管(102)，它具有電耦合到第一PMOS晶體管的漏極端子的源極端子和電耦合到第一電阻器的第一端的漏極端子；第一NMOS晶體管(202)，它具有電耦合到比特線的柵極端子，電耦合到第一電阻器的第二端的漏極端子，以及電耦合到接地電位的源極端子；第三PMOS晶體管(103)，它具有電耦合到比特線的柵極端子和電耦合到第一PMOS晶體管的漏極端子的源極端子；以及第二NMOS晶體管(203)，它具有電耦合到比特線的源極端子，電耦合到第一電阻器的第二端的柵極端子，以及電耦合到第三PMOS晶體管的漏極端子的漏極端子。
8.如權(quán)利要求6所述的檢測(cè)放大器，其特征在于，檢測(cè)和電流放大電路包括第三輸入端子，它用于接收檢測(cè)模式啟用信號(hào)；第四PMOS晶體管(105)，它具有電耦合到第二輸入端子的源極端子；第五PMOS晶體管(106)，它具有電耦合到第二輸入端子的源極端子，電耦合到第四PMOS晶體管的柵極端子的柵極端子，以及電耦合到第一電壓節(jié)點(diǎn)(58；V1)的漏極端子；第三NMOS晶體管(206)，它具有電耦合到第三輸入端子的柵極端子，電耦合到接地電位的源極端子，以及電耦合到第一電壓節(jié)點(diǎn)的漏極端子；第四NMOS晶體管(210)，它具有電耦合到第四PMOS晶體管的漏極端子的漏極端子，電耦合到比特線的源極端子；以及第五NMOS晶體管(201)，它具有電耦合到第四NMOS晶體管的柵極的漏極端子，電耦合到接地電位的源極端子，以及電耦合到第一輸入端子以便接收激活信號(hào)的柵極端子。
9.如權(quán)利要求6所述的檢測(cè)放大器，其特征在于，電壓放大電路包括偏置電流發(fā)生器電路；第六NMOS晶體管(207)，它具有電耦合到第一電壓節(jié)點(diǎn)(58；V1)的柵極端子，電耦合到接地電位的源極端子，以及電耦合到第二電壓節(jié)點(diǎn)(68)的漏極端子；第六PMOS晶體管(107)，它具有電耦合到第二輸入端子的源極端子，電耦合到偏置電流發(fā)生器電路的柵極端子，以及電耦合到第二電壓節(jié)點(diǎn)的漏極端子。
10.如權(quán)利要求9所述的檢測(cè)放大器，其特征在于，所述偏置電流發(fā)生器電路包括第四輸入端子，它用于接收檢測(cè)模式啟用信號(hào)；第七PMOS晶體管(108)，它具有漏極端子，電耦合到第二輸入端子的源極端子，以及電耦合漏極端子的柵極端子；第七NMOS晶體管(208)，它具有源極端子，電耦合到第七PMOS晶體管的漏極端子的漏極端子，以及電耦合到第四輸入端子的柵極端子；以及第八NMOS晶體管(209)，它具有電耦合到第七NMOS晶體管的源極端子的漏極端子，電耦合到第二輸入端子的柵極端子，以及電耦合到接地電位的源極端子。
11.如權(quán)利要求9所述的檢測(cè)放大器，其特征在于，所述電壓放大電路進(jìn)一步包括多個(gè)倒相器，它們電耦合于第二電壓節(jié)點(diǎn)和檢測(cè)放大器輸出之間。
12.如權(quán)利要求9所述的檢測(cè)放大器，其特征在于，進(jìn)一步包括第九NMOS晶體管(211)，它具有電耦合到第一輸入端子的柵極端子，電耦合到第二電壓節(jié)點(diǎn)的漏極端子，以及電耦合到接地電位的源極端子。
全文摘要
一種單端檢測(cè)放大器(圖1)具有用于保持比特線(19)上的穩(wěn)定電壓的預(yù)充電電路(20)，耦合到比特線(19)用于檢測(cè)流入比特線(19)的電流量的檢測(cè)電路(30)，電耦合到檢測(cè)電路(30)用于放大比特線(19)上被檢測(cè)的電流的直流放大電路(40)，用于將被檢測(cè)的電流轉(zhuǎn)換成電壓的電流電壓變換電路(50)，以及用于將檢測(cè)放大器輸出(80)處的電壓放大的電壓放大電路(60)。該檢測(cè)放大器可以采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS元件(圖2)實(shí)現(xiàn)并提供低電源電壓時(shí)改善了的存取時(shí)間，對(duì)處理變化的高強(qiáng)度，以及檢測(cè)非常低的電流的能力。
文檔編號(hào)G11C7/06GK1659658SQ03813601
公開(kāi)日2005年8月24日 申請(qǐng)日期2003年2月11日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月11日
發(fā)明者J·M·答加, C·帕陪克斯, J·歸朝瓦 申請(qǐng)人:愛(ài)特梅爾股份有限公司