專利名稱：用于在光記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法和裝置,及光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于在光記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法，用于在光記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的裝置，以及光記錄介質(zhì)，以及更具體地說(shuō)，涉及用于在一次寫入型記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法，用于在一次寫入型光記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的裝置，以及一次寫入型光記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
光記錄介質(zhì)，諸如CD、DVD等等已經(jīng)廣泛用作用于記錄數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的記錄介質(zhì)。這些光記錄介質(zhì)可粗略地劃分成不允許寫入和重寫數(shù)據(jù)的光記錄介質(zhì)，諸如CD-ROM和DVD-ROM(ROM型光記錄介質(zhì))、允許寫入但不允許重寫數(shù)據(jù)的光記錄介質(zhì)，諸如CD-R和DVD-R(一次寫入型光記錄介質(zhì))，以及允許重寫數(shù)據(jù)的光記錄介質(zhì)，諸如CD-RW和DVD-RW(數(shù)據(jù)可重寫型光記錄介質(zhì))。
如本領(lǐng)域所公知的，通常在其制造過(guò)程中，使用在襯底中形成的預(yù)制凹坑(pre-pit)，將數(shù)據(jù)記錄在ROM型光記錄介質(zhì)中，而在數(shù)據(jù)可重寫型光記錄介質(zhì)中，通常將相變材料用作記錄層的材料以及利用由相變材料的相變引起的光特性變化來(lái)記錄數(shù)據(jù)。
另一方面，在一次寫入型光記錄介質(zhì)，通常將有機(jī)染料，諸如花青染料、酞花青染料或偶氮染料用作記錄層的材料，以及利用由有機(jī)染料的化學(xué)變化或有機(jī)顏色的化學(xué)和物理變化引起的光特性變化來(lái)記錄數(shù)據(jù)。
另外，已知一種通過(guò)層壓兩個(gè)記錄層形成的一次寫入型記錄介質(zhì)(例如見日本專利申請(qǐng)公開No.62-204442)，在該光記錄介質(zhì)中，通過(guò)在其上投射激光束以及混合包含在兩個(gè)記錄層中的元素來(lái)形成光特性不同于附近區(qū)域的光學(xué)特性的區(qū)域，從而在其中記錄數(shù)據(jù)。
在本說(shuō)明書中，在光記錄介質(zhì)包括包含有機(jī)染料的記錄層的情況下，在用激光束照射時(shí)有機(jī)染料化學(xué)變化或化學(xué)和物理變化的區(qū)域稱為“記錄標(biāo)記”，以及在光記錄介質(zhì)包括兩個(gè)記錄層且每一個(gè)包含無(wú)機(jī)元素作為主要成分的情況下，在用激光束照射時(shí)混合包含在兩個(gè)記錄層中作為主要成分的無(wú)機(jī)元素的區(qū)域稱為“記錄標(biāo)記”。
用于調(diào)制投射在用于在其中記錄數(shù)據(jù)的光記錄介質(zhì)上的激光束的功率的最佳方法通常稱為“脈沖串模式”或“記錄策略”。
圖10是表示用于在包括包含有機(jī)染料的記錄層的CD-R中記錄數(shù)據(jù)的典型脈沖串模式，以及表示用于以EFM調(diào)制碼記錄3T至11T信號(hào)的脈沖串模式的圖。
如圖10所示，在CD-R中記錄數(shù)據(jù)的情況下，通常采用具有對(duì)應(yīng)于將形成的記錄標(biāo)記M的長(zhǎng)度的寬度的記錄脈沖(例如參見日本專利申請(qǐng)公開No.2000-187842)。
更具體地說(shuō)，當(dāng)激光束投射到未形成記錄標(biāo)記M的空白區(qū)上時(shí)，使激光束的功率固定到最低功率(bottom power)Pb，以及當(dāng)激光束投射到形成記錄標(biāo)記M的區(qū)域時(shí)，將其功率固定到記錄功率Pw。因此，在形成記錄標(biāo)記M的區(qū)域處，使包含在記錄層中的有機(jī)染料分解或裂降，并且該區(qū)域物理變形，從而在其中形成記錄標(biāo)記M。其中，按CD-R的1X線記錄速度，最短空白區(qū)間隔(3T)與線記錄速度的比(最短空白區(qū)間隔/線記錄速度)為約700nsec。
圖11是表示用于在包括包含有機(jī)染料的記錄層的DVD-R中記錄數(shù)據(jù)的典型脈沖串模式，以及表示用于以8/16調(diào)制碼記錄7T信號(hào)的脈沖串模式的圖。
由于以比當(dāng)在CD-R中記錄數(shù)據(jù)時(shí)使用的更高線記錄速度在DVD-R中記錄數(shù)據(jù)，與在CD-R中記錄數(shù)據(jù)的情形不同，使用具有對(duì)應(yīng)于將形成的記錄標(biāo)記M的長(zhǎng)度的寬度的記錄脈沖，難以形成具有良好形狀的記錄標(biāo)記。
因此，使用脈沖串在DVD-R中記錄數(shù)據(jù)，其中，如圖11所示，將記錄脈沖劃分成對(duì)應(yīng)于將形成的記錄標(biāo)記M的長(zhǎng)度的數(shù)量的劃分脈沖(divided pulse)。
更具體地說(shuō)，在以8/16調(diào)制碼記錄nT信號(hào)的情況下，其中，n是等于或大于3以及等于或小于11或14的整數(shù)，采用(n-2)個(gè)劃分脈沖，以及在每個(gè)劃分脈沖的峰值處，將激光束的功率設(shè)置成記錄功率Pw，以及在脈沖的其他部分，將其設(shè)置成最低功率Pb。在本說(shuō)明書中，由此構(gòu)成的脈沖串模式稱為“基本脈沖串模式”。其中，按DVD-R的1X記錄速度，最短空白區(qū)間隔(3T)與線記錄速度的比(最短空白區(qū)間隔/線記錄速度)為約115nsec。
然而，在由本發(fā)明的發(fā)明人所做的研究中，發(fā)現(xiàn)隨著最短空白區(qū)間隔與線記錄速度之比(最短空白區(qū)間隔/線記錄速度)減小，當(dāng)采用基本脈沖串模式用于形成短記錄標(biāo)記M時(shí)，相對(duì)于激光束的運(yùn)動(dòng)方向，在記錄標(biāo)記M下游端處的記錄標(biāo)記邊緣部分傾向于朝激光束的移動(dòng)方向偏移，由此記錄標(biāo)記M變得長(zhǎng)于所需長(zhǎng)度并且所再現(xiàn)的信號(hào)的抖動(dòng)變得更惡劣。
發(fā)現(xiàn)在最短空白區(qū)間隔(3T)與線記錄速度之比(最短空白區(qū)間隔/線記錄速度)等于或小于40nsec的情況下以及在最短空白區(qū)間隔(3T)與線記錄速度之比(最短空白區(qū)間隔/線記錄速度)進(jìn)一步小于和等于或小于20nsec的情況下，該現(xiàn)象變得更顯著，相對(duì)于激光束的運(yùn)動(dòng)方向，在小記錄標(biāo)記M上游端上的記錄標(biāo)記邊緣部分(在下文中稱為“記錄標(biāo)記M的前緣部分”)也傾向于向與激光束的運(yùn)動(dòng)方向相反的方向偏移，由此記錄標(biāo)記M變得長(zhǎng)于所需長(zhǎng)度并且再現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)也變得更惡劣。
可合理地假定，記錄標(biāo)記的后緣部分向激光束的運(yùn)動(dòng)方向偏移的原因是因?yàn)榧词乖谙鄬?duì)于激光束的運(yùn)動(dòng)方向的記錄標(biāo)記的后緣部分下游的區(qū)域處，通過(guò)由具有投射在其上、用于形成記錄標(biāo)記的記錄功率Pw的激光束所生成的熱，使記錄層物理和/或化學(xué)地變化。另一方面，可假定記錄標(biāo)記的前緣部分向與激光束的移動(dòng)方向相反的方向偏移的原因是因?yàn)橥ㄟ^(guò)相鄰記錄標(biāo)記之間的熱干擾使道的溫度增加，由此通過(guò)具有投射到其上、用于形成記錄標(biāo)記的記錄功率Pw的激光束照射的區(qū)域的溫度變得過(guò)高。
在記錄標(biāo)記的長(zhǎng)度變得長(zhǎng)于預(yù)定長(zhǎng)度的情況下，由于再現(xiàn)信號(hào)的抖動(dòng)顯著變得更惡劣，有必要防止記錄標(biāo)記變得長(zhǎng)于預(yù)定長(zhǎng)度。
可考慮通過(guò)降低激光束的記錄功率Pw，從而當(dāng)形成記錄標(biāo)記時(shí)減少施加到記錄層上的熱量，由此防止記錄標(biāo)記變得長(zhǎng)于預(yù)定長(zhǎng)度。
然而，在降低激光束的記錄功率Pw的情況下，記錄標(biāo)記的寬度和信號(hào)的C/N比(載波/噪聲比)因此降低。
可考慮的另一解決方案是縮短將激光束的功率設(shè)置成記錄功率Pw的時(shí)間周期，即脈沖的寬度，以便降低當(dāng)形成記錄標(biāo)記時(shí)施加到記錄層上的總熱量。然而，由于激光束功率的調(diào)制率有限制，在線記錄速度特別高的情況下，激光束的脈沖寬度有時(shí)不能設(shè)置成所需寬度。
因此，發(fā)現(xiàn)在采用基本脈沖串模式的情況下，隨著最短空白區(qū)間隔與線記錄速度之比(最短空白區(qū)間隔/線記錄速度之比)減小時(shí)，更難以獲得具有良好信號(hào)特性的信號(hào)。
在通過(guò)將激光束投射在其上以便生成熱，以及通過(guò)該熱混合包含在多個(gè)記錄層中的元素的一次寫入型光記錄介質(zhì)中，上述問(wèn)題特別顯著。
另一方面，近年來(lái)，已經(jīng)提出了提供改進(jìn)的記錄密度和具有極其高的數(shù)據(jù)傳輸率的下一代型光記錄介質(zhì)。
在這種下一代型光記錄介質(zhì)中，實(shí)現(xiàn)增加的記錄容量和極其高的數(shù)據(jù)傳輸速率要求用來(lái)記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的激光束的直徑減小到非常小。
為減小激光束點(diǎn)直徑，有必要將用于聚集激光束的物鏡的數(shù)值孔徑增加到0.7或更大，例如到約0.85，以及將激光束的波長(zhǎng)縮短到450nm或更小，例如到約400nm。
另外，由于在下一代型光記錄介質(zhì)中，以極其高的線記錄速度記錄數(shù)據(jù)，要求增加激光束的記錄功率Pw。然而，由于具有高輸出的半導(dǎo)體激光設(shè)備昂貴，以及半導(dǎo)體激光設(shè)備的使用壽命隨激光束的記錄功率Pw設(shè)置得更高而減小，所以最好使用其記錄功率Pw盡可能低的激光束來(lái)記錄數(shù)據(jù)。
為使用其記錄功率Pw盡可能低的激光束將數(shù)據(jù)記錄在下一代型光記錄介質(zhì)中，將激光束的最低功率Pb設(shè)置為高以便通過(guò)具有記錄功率Pw的激光束來(lái)增加記錄層的加熱很有效。
然而，如果將激光束的最低功率Pb設(shè)置成高，記錄標(biāo)記的前緣部分和后緣部分偏移更大，并且即使在空白區(qū)有時(shí)也物理和/或化學(xué)地改變記錄層，由此不能將數(shù)據(jù)記錄在其中。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的方法，其能在一次寫入型光記錄介質(zhì)中形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記。
本發(fā)明的另一目的是提供一種用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的方法，該方法即使在最短空白區(qū)間隔與線記錄速度之比小的情況下，也能在一次寫入型光記錄介質(zhì)中形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記。
本發(fā)明的另一目的是提供一種用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的方法，該方法能使用其記錄功率設(shè)置成低的激光束，在一次寫入型光記錄介質(zhì)中形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記。
本發(fā)明的另一目的提供一種用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的方法，該方法能在包括兩個(gè)或多個(gè)記錄層的一次寫入型光記錄介質(zhì)中形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記。
本發(fā)明的另一目的是提供一種用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的裝置，該方法能在一次寫入型光記錄介質(zhì)中形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記。
本發(fā)明的另一目的是提供一種用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的裝置，該方法即使在最短空白區(qū)間隔與線記錄速度之比小的情況下，也能在一次寫入型光記錄介質(zhì)中形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記。
本發(fā)明的另一目的是提供一種用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的裝置，其能使用其記錄功率設(shè)置成低的激光束在一次寫入型光記錄介質(zhì)中形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記。
本發(fā)明的另一目的是提供一種用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的裝置，其能在包括兩個(gè)或多個(gè)記錄層的一次寫入型光記錄介質(zhì)中形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記。
本發(fā)明的另一目的是提供一種一次寫入型光記錄介質(zhì)，在其中能形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記。
本發(fā)明的另一目的是提供一種一次寫入型光記錄介質(zhì)，其中，即使在最短空白區(qū)間隔與線記錄速度之比小的情況下，也能形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記。
本發(fā)明的另一目的是提供一種一次寫入型光記錄介質(zhì)，其中，可使用其功率被設(shè)置為低的激光束形成具有所述長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記。
本發(fā)明的另一目的是提供一種包括兩個(gè)或多個(gè)記錄層的一次寫入型光記錄介質(zhì)，在其中能形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記。
本發(fā)明的發(fā)明人努力地從事用于實(shí)現(xiàn)上述目的的研究，結(jié)果，發(fā)現(xiàn)當(dāng)通過(guò)投射由至少包括其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于記錄功率的電平的脈沖和其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于第一最低功率的電平的脈沖的脈沖串模式調(diào)制其功率的激光束，在光記錄介質(zhì)中形成記錄標(biāo)記時(shí)，如果通過(guò)在其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于記錄功率的電平的脈沖的前后端的至少一個(gè)上進(jìn)一步包括其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于低于第一最低功率的第二最低功率的電平的脈沖的脈沖串模式調(diào)制激光束的功率，可以形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記，防止信號(hào)抖動(dòng)變得更惡劣以及降低其C/N比。
因此，能通過(guò)一種用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，其中，在包括襯底和襯底上形成的至少一個(gè)記錄層的一次寫入型光記錄介質(zhì)中，通過(guò)將根據(jù)脈沖串模式調(diào)制其功率的激光束投射在至少一個(gè)記錄層上以及在至少一個(gè)記錄層中形成至少兩個(gè)記錄標(biāo)記來(lái)記錄數(shù)據(jù)，該脈沖串模式至少包括其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于記錄功率的電平的脈沖和其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于第一最低功率的電平的脈沖，該用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的方法包括通過(guò)在其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于記錄功率的電平的脈沖的前后端的至少一個(gè)上進(jìn)一步包括其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于低于第一最低功率的第二最低功率的電平的脈沖的脈沖串模式來(lái)調(diào)制激光束的功率的步驟。
在本說(shuō)明書中，在光記錄介質(zhì)包括包含有機(jī)染料的記錄層的情況下，在用激光束照射時(shí)有機(jī)染料化學(xué)變化或化學(xué)和物理變化的區(qū)域稱為“記錄標(biāo)記”，以及在光記錄介質(zhì)包括兩個(gè)記錄層的且每個(gè)層包含無(wú)機(jī)元素作為主要成分情況下，在用激光束照射時(shí)包含在兩個(gè)記錄層中作為主要成分的無(wú)機(jī)元素混合的區(qū)域稱為“記錄標(biāo)記”。
根據(jù)本發(fā)明，由于通過(guò)在其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于記錄功率的電平的脈沖的前后端的至少一個(gè)上進(jìn)一步包括其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于低于第一最低功率的第二最低功率的電平的脈沖的脈沖串模式來(lái)調(diào)制激光束的功率，所以在脈沖串模式在其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于記錄功率的電平的脈沖的前端上包括其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于低于第一最低功率的第二最低功率的電平的脈沖的情況下，能有效地冷卻由于相鄰記錄標(biāo)記的熱干擾而加熱的每個(gè)記錄標(biāo)記的前緣部分。因此，由于可以防止相對(duì)于激光束的運(yùn)動(dòng)方向的記錄標(biāo)記的前緣部分上游的記錄層的區(qū)域化學(xué)或化學(xué)和物理地改變，故可以有效地防止記錄標(biāo)記的前緣部分偏移以及信號(hào)抖動(dòng)變得更惡劣。
另外，根據(jù)本發(fā)明，在脈沖串模式在其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于記錄功率的電平的脈沖的后端部分進(jìn)一步包括其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于低于第一最低功率的第二最低功率的電平的脈沖的情況下，能有效地冷卻由激光束加熱的記錄標(biāo)記的后緣部分，以及由于可以有效地防止相對(duì)于激光束的運(yùn)動(dòng)方向的記錄標(biāo)記的后緣部分下游的記錄層的區(qū)域化學(xué)或化學(xué)和物理地改變，故可以有效地防止記錄標(biāo)記的后緣部分偏移和信號(hào)抖動(dòng)變得更惡劣。
另外，根據(jù)本發(fā)明，在脈沖串模式在其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于記錄功率的電平的脈沖的前后端部分都進(jìn)一步包括其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于低于第一最低功率的第二最低功率的電平的脈沖的情況下，能有效地防止記錄標(biāo)記的前后緣偏移和信號(hào)抖動(dòng)變得更惡劣。
此外，在由本發(fā)明的發(fā)明人所做的研究中，發(fā)現(xiàn)在通過(guò)使用在其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于記錄功率的電平的脈沖的前后端的至少一個(gè)上進(jìn)一步包括其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于低于第一最低功率的第二最低功率的電平的脈沖的脈沖串模式來(lái)調(diào)制激光束的功率以便記錄數(shù)據(jù)的情況下，即使當(dāng)使用其第一最低功率設(shè)置成高以及記錄功率設(shè)置成低的激光束記錄數(shù)據(jù)時(shí)，也可以有效地防止信號(hào)的C/N比降低。
在本發(fā)明的優(yōu)選方面中，光記錄介質(zhì)進(jìn)一步包括光透射層、以及在襯底和光透射層間形成的第一記錄層和第二記錄層，該光記錄介質(zhì)構(gòu)成為通過(guò)將激光束投射到其上、從而使包含在第一記錄層中作為主要成分的元素和包含在第二記錄層中作為主要成分的元素混合來(lái)形成至少兩個(gè)記錄標(biāo)記。
在本發(fā)明的優(yōu)選方面中，第二記錄層形成為與第一記錄層接觸。
在本發(fā)明的優(yōu)選方面中，通過(guò)將最短空白區(qū)間隔與線記錄速度之比設(shè)置成等于或小于40nsec來(lái)形成至少兩個(gè)記錄標(biāo)記。
在本發(fā)明的優(yōu)選方面中，通過(guò)將最短空白區(qū)間隔與線記錄速度之比設(shè)置成等于或小于20nsec來(lái)形成至少兩個(gè)記錄標(biāo)記。
在本發(fā)明的優(yōu)選方面中，由對(duì)應(yīng)于記錄標(biāo)記的長(zhǎng)度的數(shù)量的劃分脈沖構(gòu)成其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于記錄電平的電平的脈沖。
在本發(fā)明的優(yōu)選方面中，將激光束的功率設(shè)置成相鄰劃分脈沖之間的第一最低功率。
在本發(fā)明的優(yōu)選方面中，通過(guò)在其上投射具有等于或短于450nm的波長(zhǎng)的激光束，在光記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)。
在本發(fā)明的優(yōu)選方面中，通過(guò)采用數(shù)值孔徑NA和波長(zhǎng)λ滿足λ/NA≤640nm的物鏡和激光束，并且經(jīng)物鏡將激光束投射在光記錄介質(zhì)上，從而將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中。
還能通過(guò)一種用于在光記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，該裝置包括激光束投射裝置，用于將根據(jù)脈沖串模式調(diào)制其功率的激光束投射在包括襯底和在襯底上形成的至少一個(gè)記錄層的一次寫入型光記錄介質(zhì)上，該脈沖串模式至少包括其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于記錄功率的電平的脈沖和其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于第一最低功率的電平的脈沖，該激光束投射裝置構(gòu)造成借助于在其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于記錄功率的電平的脈沖的前后端的至少一個(gè)上進(jìn)一步包括其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于低于第一最低功率的第二最低功率的電平的脈沖的脈沖串模式來(lái)調(diào)制激光束的功率。
還能通過(guò)一種一次寫入型光記錄介質(zhì)來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，該光記錄介質(zhì)包括襯底和在襯底上形成的至少一個(gè)記錄層，該光記錄介質(zhì)構(gòu)造成通過(guò)將根據(jù)脈沖串模式調(diào)制其功率的激光束投射在其上以及在至少一個(gè)記錄層中形成至少兩個(gè)記錄標(biāo)記來(lái)在其中記錄數(shù)據(jù)，該脈沖串模式至少包括其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于記錄功率的電平的脈沖和其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于第一最低功率的電平的脈沖，該光記錄介質(zhì)記錄有用于設(shè)置用來(lái)根據(jù)脈沖串模式調(diào)制激光束的功率所需的記錄條件的數(shù)據(jù)，該脈沖串模式在其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于記錄功率的電平的脈沖的前后端的至少一個(gè)上進(jìn)一步包括其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于低于第一最低功率的第二最低功率的電平的脈沖。
根據(jù)本發(fā)明，由于光記錄介質(zhì)記錄有用于設(shè)置用來(lái)根據(jù)脈沖串模式調(diào)制激光束的功率所需的記錄條件的數(shù)據(jù)，該脈沖串模式在其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于記錄功率的電平的脈沖的前后端的至少一個(gè)上進(jìn)一步包括其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于低于第一最低功率的第二最低功率的電平的脈沖，所以當(dāng)通過(guò)將激光束投射在其上而將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中時(shí)，能調(diào)制激光束的功率以便形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記，因此，可以防止信號(hào)抖動(dòng)變得更惡劣以及防止C/N比降低。
在本發(fā)明的優(yōu)選方面中，光記錄介質(zhì)進(jìn)一步包括光透射層，以及在襯底和光透射層間形成的第一記錄層和第二記錄層，該光記錄介質(zhì)構(gòu)成為通過(guò)將激光束投射到其上、從而使包含在第一記錄層中作為主要成分的元素和包含在第二記錄層中作為主要成分的元素混合來(lái)形成至少兩個(gè)記錄標(biāo)記。
在本發(fā)明的優(yōu)選方面中，第二記錄層形成為與第一記錄層接觸。
在本發(fā)明中，最好第一記錄層和第二記錄層包含不同元素作為主要成分，以及對(duì)它們中每一個(gè)來(lái)說(shuō)，將從由Al、Si、Ge、C、Sn、Au、Zn、Cu、B、Mg、Ti、Mn、Fe、Ga、Zr、Ag和Pt組成的組中選擇的一種元素包含作為主要成分。
在本發(fā)明的優(yōu)選方面，第一記錄層將從由Si、Ge、Sn、Mg、In、Zn、Bi和Al組成的組中選擇的一種元素包含作為主要成分，以及第二記錄層將Cu包含為主要元素。
在本發(fā)明中，在第一記錄層將從由Si、Ge、Sn、Mg、In、Zn、Bi和Al組成的組中選擇的一種元素包含為主要成分以及第二記錄層將Cu包含作為主要元素的情況下，除第一記錄層和第二記錄層外，光記錄介質(zhì)可以包括將從由Si、Ge、Sn、Mg、In、Zn、Bi和Al組成的組中選擇的一種元素包含作為主要成分的一個(gè)或多個(gè)記錄層，或?qū)u包含作為主要元素的一個(gè)或多個(gè)記錄層。
在本發(fā)明中，最好第一記錄層將從由Ge、Si、Mg、Al和Sn組成的組中選擇的一種元素包含作為主要成分。
在本發(fā)明中，在第一記錄層將從由Si、Ge、Sn、Mg、In、Zn、Bi和Al組成的組中選擇的一種元素包含作為主要成分以及第二記錄層將Cu包含作為主要元素的情況下，最好將從Al、Si、Zn、Mg、Au、Sn、Ge、Ag、P、Cr、Fe和Ti組成的組中選擇的至少一種元素加到第二記錄層，以及更好的是從由Al、Zn、Sn和Au組成的組中選擇的至少一種元素加到第二記錄層。
在本發(fā)明的另一優(yōu)選方面中，第一記錄層包含從由Si、Ge、C、Sn、Zn和Cu組成的組中選擇的一種元素包含作為主要成分，第二記錄層將Al包含作為主要成分。
在本發(fā)明中，在第一記錄層將從由Si、Ge、C、Sn、Zn和Cu組成的組中選擇的一種元素包含為主要成分以及第二記錄層將Al包含作為主要成分的情況下，除第一記錄層和第二記錄層外，光記錄介質(zhì)可以包括包含從由Si、Ge、C、Sn、Zn和Cu組成的組中選擇的一種元素包含作為主要成分的一個(gè)或多個(gè)記錄層或?qū)l包含為主要成分的一個(gè)或多個(gè)記錄層。
在本發(fā)明中，在第一記錄層包含從由Si、Ge、C、Sn、Zn和Cu組成的組中選擇的一種元素作為主要成分以及第二記錄層將Al包含作為主要成分的情況下，最好將從由Mg、Au、Ti和Cu組成的組中選擇的至少一種元素加到第二記錄層。
在本發(fā)明中，在第一記錄層包含從由Si、Ge、C、Sn、Zn和Cu組成的組中選擇的一種元素包含作為主要成分以及第二記錄層將Al包含作為主要成分的情況下，第一記錄層和第二記錄層最好形成為其總厚度為2nm至40nm，最好為2nm至30nm，更可取的是2nm至20nm。
在本發(fā)明的另一優(yōu)選方面中，第一記錄層將從由Si、Ge、C和Al組成的組中選擇的一種元素包含作為主要成分，第二記錄層將Zn包含作為主要成分，以及第一記錄層和第二記錄層形成為其總厚度等于或薄于30nm。
在本發(fā)明中，在第一記錄層將從由Si、Ge、C和Al組成的組中選擇的一種元素包含作為主要成分，第二記錄層將Zn包含作為主要成分的情況下，光記錄介質(zhì)可以包括將從由Si、Ge、C和Al組成的組中選擇的一種元素包含為主要成分的一個(gè)或多個(gè)記錄層或?qū)n包含為主要成分的一個(gè)或多個(gè)記錄層。
在本發(fā)明中，在第一記錄層將從由Si、Ge、C和Al組成的組中選擇的一種元素包含作為主要成分，第二記錄層將Zn包含為主要成分的情況下，最好第一記錄層將從由Si、Ge和C組成的組中選擇的一種元素包含作為主要成分。
在本發(fā)明中，在第一記錄層將從由Si、Ge、C和Al組成的組中選擇的一種元素包含為主要成分，第二記錄層將Zn包含作為主要成分的情況下，第一記錄層和第二記錄層最好形成為其總厚度為2nm至30nm，最好為2nm至24nm，更可取的是2nm至12nm。
在本發(fā)明中，在第一記錄層將從由Si、Ge、C和Al組成的組中選擇的一種元素包含作為主要成分，第二記錄層將Zn包含作為主要成分的情況下，最好將從由Mg、Cu和Al組成的組中選擇的至少一種元素加到第二記錄層。
在本發(fā)明的優(yōu)選方面中，光透射層形成為具有10nm至300nm的厚度。
從下述參考附圖的描述，本發(fā)明的上述和其他目的和特征將變得顯而易見。


圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的示意截面圖。
圖2(a)是圖1所示的光記錄介質(zhì)的示意放大截面圖，以及圖2(b)是表示在其中記錄數(shù)據(jù)后的光記錄介質(zhì)的示意放大截面圖。
圖3是表示在采用1.7RLL調(diào)制碼的情況下的第一脈沖串模式的一組圖，其中圖3(a)表示當(dāng)記錄2T信號(hào)時(shí)的脈沖串模式，以及圖3(b)表示當(dāng)記錄3T信號(hào)至8T信號(hào)中的一個(gè)時(shí)的脈沖串模式。
圖4是表示在采用1.7RLL調(diào)制碼的情形下的第二脈沖串模式的一組圖，其中圖4(a)表示當(dāng)記錄2T信號(hào)時(shí)的脈沖串模式，以及圖4(b)表示當(dāng)記錄3T信號(hào)至8T信號(hào)中的一個(gè)時(shí)的脈沖串模式。
圖5是表示在采用1.7RLL調(diào)制碼的情形下的第三脈沖串模式的一組圖，其中圖5(a)表示當(dāng)記錄2T信號(hào)時(shí)的脈沖串模式，以及圖5(b)表示當(dāng)記錄3T信號(hào)至8T信號(hào)中的一個(gè)時(shí)的脈沖串模式。
圖6是表示本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的數(shù)據(jù)記錄和再現(xiàn)裝置的框圖。
圖7是表示在使用具有被確定為抖動(dòng)最小時(shí)的記錄功率Pw的最佳記錄功率Pw的激光束，以約35Mpbs的數(shù)據(jù)傳輸率記錄數(shù)據(jù)的情況下，2T信號(hào)的C/N比和第一最低功率Pb1之間的關(guān)系的圖。
圖8是表示在使用具有被確定為抖動(dòng)最小時(shí)的記錄功率Pw的最佳記錄功率Pw的激光束，以約70Mpbs的數(shù)據(jù)傳輸率記錄數(shù)據(jù)的情況下，2T信號(hào)的C/N比和第一最低功率Pb1之間的關(guān)系的圖。
圖9是表示在使用具有最佳記錄功率Pw的激光束，以約70Mbps的數(shù)據(jù)傳輸率記錄數(shù)據(jù)的情況下，被確定為抖動(dòng)最小時(shí)的記錄功率Pw的激光束的最佳記錄功率與第一最低功率Pb1之間的關(guān)系的圖。
圖10是表示用于將數(shù)據(jù)記錄在包括包含有機(jī)染料的記錄層的CD-R中的典型的脈沖串模式的圖。
圖11是表示用于將數(shù)據(jù)記錄在包括包含有機(jī)染料的記錄層的DVD-R中的典型的脈沖串模式(基本脈沖串模式)的圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在，將參考附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的示意截面圖。
如圖1所示，根據(jù)該實(shí)施例的光記錄介質(zhì)10構(gòu)造成一次寫入型光記錄介質(zhì)，其包括襯底11、在襯底11的表面上形成的反射層12、在反射層12的表面上形成的第二介電層13、在第二介電層13的表面上形成的第二記錄層32、在第二記錄層32的表面上形成的第一記錄層31、在第一記錄層31的表面上形成的第一介電層15、以及在第一介電層15的表面上形成的光透射層16。
如圖1所示，在光記錄介質(zhì)10的中心部分處形成中心孔。
在該實(shí)施例中，如圖1所示，激光束L10投射到光透射層16的表面上，從而將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)10中或從光記錄介質(zhì)10再現(xiàn)數(shù)據(jù)。
襯底11用作用于確保光記錄介質(zhì)10所需的機(jī)械強(qiáng)度的支架。
用來(lái)形成襯底11的材料不特別地限定到襯底11能用作光記錄介質(zhì)10的支架地范圍內(nèi)。襯底11能由玻璃、陶瓷、樹脂等等形成。在這些中，最好將樹脂用于形成襯底11，因?yàn)闃渲菀壮尚?。適合于形成襯底40的樹脂的示例性例子包括聚碳酸酯樹脂、聚丙烯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、硅樹脂、含氟聚合物、丙烯腈丁二烯苯乙烯樹脂、聚氨基甲酸酯樹脂等等。在這些材料中，從易于處理、光特性等等的觀點(diǎn)看，聚碳酸酯樹脂最適合于用于形成襯底11。
在這一實(shí)施例中，襯底11具有約1.1mm的厚度。
不特別限定襯底11的形狀，但通常為盤狀、卡狀或片狀。
如圖1所示，凹槽11a和凸起11b交替形成在襯底11的表面上。當(dāng)記錄數(shù)據(jù)時(shí)或當(dāng)再現(xiàn)數(shù)據(jù)時(shí)，凹槽11a和/或凸起11b用作用于激光束L10的導(dǎo)軌。
反射層12用來(lái)反射通過(guò)光透射層16進(jìn)入的激光束L10以便從光透射層16發(fā)出它。
不特別限定反射層12的厚度，但可取的是從10nm至300nm，更好是從20nm至200nm。
用來(lái)形成反射層12的材料不特別地限定于能反射激光束的范圍，反射層12可以由Mg、Al、Ti、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、Ag、Pt、Au等等形成。在這些材料中，最好由具有高反射率的金屬材料，諸如Al、Au、Ag、Cu或包含這些金屬的至少一種的合金，諸如Al和Ti的合金形成。
提供反射層12以便當(dāng)激光束L10用于光學(xué)地再現(xiàn)來(lái)自第一記錄層31和第二記錄層32的數(shù)據(jù)時(shí)，通過(guò)多干擾效應(yīng)(multipleinterference effect)增加記錄區(qū)和未記錄區(qū)間的反射系數(shù)差，從而獲得較高再現(xiàn)信號(hào)(C/N比)。
第一介電層15和第二介電層13用來(lái)保護(hù)第一記錄層31和第二記錄層32。通過(guò)第一介電層15和第二介電層13，能在長(zhǎng)的時(shí)間周期內(nèi)防止光記錄數(shù)據(jù)退化。另外，由于第二介電層13也用來(lái)防止襯底11等等由于熱而變形，故可以有效地防止抖動(dòng)等等由于襯底11的變形等等而變得更惡劣。
用來(lái)形成第一介電層15和第二介電層13的介電材料不特別地限定于透明的范圍，第一介電層15和第二介電層可以由包含氧化物、硫化物、氮化物或其組合(例如作為主要成分)的介電材料形成。更具體地說(shuō)，為防止襯底11等等由于熱而變形，從而保護(hù)第一記錄層31和第二記錄層32，最好第一介電層15和第二介電層13將從由Al2O3、AlN、ZnO、ZnS、GeN、GeCrN、CeO、SiO、SiO2、SiN和SiC組成的組中選擇的至少一種介電材料包含作為主要成分，以及最好第一介電層15和第二介電層13將ZnS·SiO2包含作為主要成分。
第一介電層15和第二介電層13可以由相同介電材料或不同介電材料形成。此外，第一介電層15和第二介電層13的至少一個(gè)可以具有包括多層介電膜的多層結(jié)構(gòu)。
在本說(shuō)明書中，介電層將某種介電材料包含作為主要成分的陳述是指該介電材料在包含于介電層中的介電材料中為最多。ZnS·SiO2是指ZnS和SiO2的混合物。
第一介電層15和第二介電層13的厚度不特別限定，但最好是從3nm至200nm。如果第一介電層15或第二介電層13薄于3nm，難以獲得上述優(yōu)點(diǎn)。另一方面，如果第一介電層15或第二介電層13厚于200nm，則要花費(fèi)很長(zhǎng)時(shí)間來(lái)形成第一介電層15和第二介電層13，從而降低光記錄介質(zhì)10的生產(chǎn)率，以及由于存在于第一介電層15和/或第二介電層13中的應(yīng)力，會(huì)在光記錄介質(zhì)10中生成裂紋。
第一記錄層31和第二記錄層32適合于在其中記錄數(shù)據(jù)。在這一實(shí)施例中，第一記錄層31位于光透射層16的一側(cè)，第二記錄層32位于襯底11的一側(cè)。
在這一實(shí)施例中，第一記錄層31將從由Si、Ge、Sn、Mg、In、Zn、Bi和Al組成的組中選擇的一種元素包含作為主要成分，第二記錄層32將Cu包含作為主要成分。
用這種方式，通過(guò)提供包含從由Si、Ge、Sn、Mg、In、Zn、Bi和Al組成的組中選擇的一種元素作為主要成分的第一記錄層31和包含Cu作為主要成分的第二記錄層32，可以提高光記錄介質(zhì)10的長(zhǎng)期存儲(chǔ)可靠性。
另外，這些元素僅對(duì)環(huán)境施加輕負(fù)荷，以及沒有損害全球大氣的風(fēng)險(xiǎn)。
為全面地改進(jìn)再現(xiàn)信號(hào)的C/N比，最好第一記錄層31將從由Ge、Si、Mg、Al和Sn組成的組中選擇的一種元素包含作為主要成分，并且最好將Si包含為主要成分。
當(dāng)用激光束L10照射時(shí)，包含在第二記錄層32中作為主要成分的Cu快速與包含在第一記錄層31中的元素混合，從而允許將數(shù)據(jù)快速記錄在第一記錄層31和第二記錄層32中。
為改進(jìn)第一記錄層31的記錄靈敏度，最好第一記錄層31添加從由Mg、Al、Cu、Ag和Au組成的組中選擇的至少一種元素。
為改進(jìn)第二記錄層32的存儲(chǔ)可靠性和記錄靈敏度，最好第二記錄層32添加從由Al、Si、Zn、Mg、Au、Sn、Ge、Ag、P、Cr、Fe和Ti組成的組中選擇的至少一種元素。
不特別限定第一記錄層31和第二記錄層32的總厚度，但當(dāng)?shù)谝挥涗泴?1和第二記錄層32的總厚度變得較厚時(shí)，用激光束L10照射的第一記錄層31的表面平滑度更糟。因此，再現(xiàn)信號(hào)的噪聲級(jí)變得較高，且記錄靈敏度降低。另一方面，在第一記錄層31和第二記錄層32的總厚度太小的情況下，在用激光束L10照射前后之間反射系數(shù)的變化很小，以致不能獲得具有高強(qiáng)度(C/N比)的再現(xiàn)信號(hào)。此外，難以控制第一記錄層31和第二記錄層32的厚度。
因此，在該實(shí)施例中，將第一記錄層31和第二記錄層32形成為其總厚度從2nm至40nm。為獲得具有較高強(qiáng)度(C/N比)的再現(xiàn)信號(hào)以及進(jìn)一步降低再現(xiàn)信號(hào)的噪聲級(jí)，第一記錄層31和第二記錄層32的總厚度最好從2nm至20nm，以及更好為2nm至10nm。
不特別地限定第一記錄層31和第二記錄層32各自的厚度，但為相當(dāng)大地改進(jìn)記錄靈敏度和大大地增加用激光束L10照射前后之間反射系數(shù)的變化，第一記錄層10的厚度最好從1nm至30nm以及第二記錄層32的厚度最好從1nm至30nm。另外，最好將第一記錄層31的厚度與第二記錄層32的厚度的比率(第一記錄層31的厚度/第二記錄層32的厚度)限定為從0.2至5.0。
光透射層16用來(lái)傳輸激光束L10以及最好具有10μm至300μm的厚度。更好地，光透射層16具有50μm至150μm的厚度。
用來(lái)形成光透射層16的材料不特別地限定，但在通過(guò)旋涂工藝等等形成光透射層16的情況下，最好使用紫外線固化樹脂、電子束固化樹脂等等。更好地，光透射層16由紫外線固化樹脂形成。
可以通過(guò)將由可透光樹脂制成的薄片使用粘接劑粘接到第一介電層15的表面上來(lái)形成光透射層16。
具有上述結(jié)構(gòu)的光記錄介質(zhì)10能用例如下述方式制作。
首先在形成有凹槽11a和凸起11b的襯底11的表面上形成反射層12。
能使用包含用于形成反射層12的元素的化學(xué)物質(zhì)，通過(guò)氣相生長(zhǎng)方法來(lái)形成反射層12。氣相生長(zhǎng)方法的示例性例子包括真空沉積方法、濺射方法等等。
然后，在反射層12的表面上形成第二介電層13。
也可使用包含用于形成第二介電層13的元素的化學(xué)物質(zhì)，通過(guò)氣相生長(zhǎng)方法形成第二介電層13。氣相生長(zhǎng)方法的示例性例子包括真空沉積方法、濺射方法等等。
另外，在第二介電層13上形成第二記錄層32。也可使用包含用于形成第二記錄層32的元素的化學(xué)物質(zhì)，通過(guò)氣相生長(zhǎng)方法形成第二記錄層32。
然后，在第二記錄層32上形成第一記錄層31。也可使用包含用于形成第一記錄層31的元素的化學(xué)物質(zhì)，通過(guò)氣相生長(zhǎng)方法形成第一記錄層31。
然后，在第一記錄層31上形成第一介電層15。也可使用包含用于形第一介電層15的元素的化學(xué)物質(zhì)，通過(guò)氣相生長(zhǎng)方法形成第一介電層15。
最后，在第一介電層15上形成光透射層16。例如，可通過(guò)旋涂，借助于將調(diào)整到適當(dāng)粘度的丙烯酸紫外線固化樹脂或環(huán)氧紫外線固化樹脂施加到第二介電層15的表面上來(lái)形成涂層以及用紫外線照射該涂層以固化該涂層，從而形成光透射層16。
由此，制作出光記錄介質(zhì)10。
例如，用下述方法將數(shù)據(jù)光學(xué)地記錄在上述結(jié)構(gòu)的光記錄介質(zhì)10中。
如圖1和2(a)所示，首先，通過(guò)具有預(yù)定功率的激光束L10，經(jīng)光透射層16照射第一記錄層31和第二記錄層32。
為了高記錄密度地記錄數(shù)據(jù)，最好經(jīng)具有0.7或以上的數(shù)值孔徑的物鏡(未示出)，將具有450nm或更短的波長(zhǎng)λ的激光束L10投射在光記錄介質(zhì)10上，更可取的是，λ/NA等于或小于640nm。在這種情況下，第一記錄層31的表面上的激光束L10的光點(diǎn)直徑變得等于或小于0.65μm。
在該實(shí)施例中，經(jīng)具有0.85的數(shù)值孔徑NA的物鏡，將具有405nm的波長(zhǎng)λ的激光束L10聚集在光記錄介質(zhì)10上，以便第一記錄層31的表面上的激光束L10的光點(diǎn)直徑變?yōu)榧s0.43μm。
因此，包含在第一記錄層31中作為主要成分的元素以及包含第二記錄層32中作為主要成分的元素彼此混合，并如圖2(b)所示，形成由第一記錄層31的主要成分元素和第二記錄層32的主要成分元素的混合物組成的記錄標(biāo)記M。
當(dāng)混合第一記錄層31和32的主要成分時(shí)，該區(qū)域的反射系數(shù)顯著變化。由于由此形成的記錄標(biāo)記M的反射系數(shù)大大地不同于環(huán)繞所混合的區(qū)域M的區(qū)域的反射系數(shù)，所以當(dāng)再現(xiàn)光學(xué)記錄的信息時(shí)，可以獲得高再現(xiàn)信號(hào)(C/N比)。
當(dāng)投射激光束L10時(shí)，由激光束L10使第一記錄層31和第二記錄層32加熱。然而，在該實(shí)施例中，第一介電層15和第二介電層13位于第一記錄層31和第二記錄層32之外。因此，有效地防止由于加熱導(dǎo)致的襯底11和光透射層16的變形。
圖3是表示在采用1.7RLL調(diào)制碼的情況下的第一脈沖串模式的一組圖，其中圖3(a)表示當(dāng)記錄2T信號(hào)時(shí)的脈沖串模式，以及圖3(b)表示當(dāng)記錄3T信號(hào)至8T信號(hào)中的一個(gè)時(shí)的脈沖串模式。
第一脈沖串模式是用于調(diào)制激光束L10的功率的模式，適合于有必要冷卻記錄標(biāo)記M的后緣部分的情形，并特別是在最短空白區(qū)間隔與線記錄速度之比(最短空白區(qū)間隔/線記錄速度)小于40nsec的情形中選擇。
如圖3(a)和3(b)所示，在第一脈沖串模式中，將用于形成記錄標(biāo)記M的記錄脈沖劃分成(n-1)個(gè)劃分脈沖，在每個(gè)劃分脈沖的峰值處，將激光束L10的功率設(shè)置成記錄功率Pw，正好在最后一個(gè)劃分脈沖之后，將其設(shè)置成第二最低功率Pb2，以及在脈沖的其他部分，將其設(shè)置成第一最低功率Pb1。更具體地說(shuō)，通過(guò)將其中激光束L10的功率設(shè)置成第二最低功率Pb2的冷卻間隔Tcl(last)插入圖11所示的基本脈沖串模式中正好最后一個(gè)劃分脈沖之后的部分，從而構(gòu)成第一脈沖串模式。
將記錄功率Pw設(shè)置成高電平，在該高電平，包含在第一記錄層31中作為主要成分的元素和包含在第二記錄層32中作為主要成分的元素可被加熱并混合，以便當(dāng)具有記錄功率Pw的激光束投射在光記錄介質(zhì)10上時(shí)，形成記錄標(biāo)記M。另一方面，將第一最低功率Pb1和第二最低功率Pb2設(shè)置成低電平，在該低電平，即使當(dāng)具有第一最低功率Pb1或第二最低功率Pb2的激光束投射在光記錄介質(zhì)10上時(shí)，也基本上不能混合包含在第一記錄層31中作為主要成分的元素以及包含在第二記錄層32中作為主要成分的元素。
如圖3所示，第一最低功率Pb1和第二最低功率Pb2確定成使第一最低功率高于第二最低功率，從而有效地冷卻由投射在光記錄介質(zhì)10上用于形成記錄標(biāo)記M、且其功率設(shè)置成記錄功率Pw的激光束L10加熱的記錄標(biāo)記M的后緣部分，以及防止在相對(duì)于激光束L10的運(yùn)動(dòng)方向的、記錄標(biāo)記M的后緣部分下游的區(qū)域，包含在第一記錄層31中作為主要成分的元素以及包含在第二記錄層32中作為主要成分的元素彼此混合。
因此，在使用第一脈沖串模式調(diào)制激光束L10的功率以及將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)10中的情況下，由于可控制記錄標(biāo)記M的長(zhǎng)度以使其具有所需長(zhǎng)度，所以即使在通過(guò)將最短空白區(qū)間隔與線記錄速度之比(最短空白區(qū)間隔/線記錄速度)設(shè)置成小于40nsec的情況下記錄數(shù)據(jù)，也可以降低信號(hào)抖動(dòng)以及增加其C/N比。
圖4是表示在采用1.7RLL調(diào)制碼的情形下的第二脈沖串模式的一組圖，其中圖4(a)表示當(dāng)記錄2T信號(hào)時(shí)的脈沖串模式，以及圖4(b)表示當(dāng)記錄3T信號(hào)至8T信號(hào)中的一個(gè)時(shí)的脈沖串模式。
第二脈沖串模式是適合于有必要冷卻記錄標(biāo)記M的前緣部分的情形，換句話說(shuō)，適合于由于記錄速度變高和數(shù)據(jù)的記錄密度變高而使相鄰記錄標(biāo)記間的熱干擾變大的情形以及使用具有低功率的激光束L10記錄數(shù)據(jù)的情形，以及該第二脈沖串模式特別適合于通過(guò)將最短空白區(qū)間隔與線記錄速度之比(最短空白區(qū)間隔/線記錄速度)設(shè)置成小于20nsec，將數(shù)據(jù)記錄在具有低記錄靈敏度的光記錄介質(zhì)10中的情形。
如圖4(a)和4(b)所示，在第二脈沖串模式中，用于形成記錄標(biāo)記M的記錄脈沖劃分成(n-1)個(gè)劃分脈沖，在每個(gè)劃分脈沖的峰值處，將激光束L10的功率設(shè)置成記錄功率Pw，以及正好在第一劃分脈沖前，將其設(shè)置成第二最低功率Pb2，以及在脈沖的其他部分，將其設(shè)置成第一最低功率Pb1。特別地，通過(guò)將其中激光束L10的功率設(shè)置成第二最低功率Pb2的冷卻間隔Tcl(front)插入圖11所示的基本脈沖串模式中正好第一劃分脈沖之前的部分，從而構(gòu)成第二脈沖串模式。
在此，與在第一脈沖串模式中類似地確定記錄功率Pw、第一最低功率Pb1和第二最低功率Pb2。
在使用第二脈沖串模式調(diào)制激光束L10的功率并且將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)10中的情況下，由于有效地冷卻由于相鄰記錄標(biāo)記之間的熱干擾而加熱的記錄標(biāo)記M的前緣部分，故可以防止在相對(duì)于激光束L10的運(yùn)動(dòng)方向的記錄標(biāo)記M的前緣部分上游的區(qū)域，包含在第一記錄層31中作為主要成分的元素和包含在第二記錄層32中作為主要成分的元素彼此混合。
因此，在使用第二脈沖串模式調(diào)制激光束L10的功率并且將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)10中的情況中，由于能使混合區(qū)M的長(zhǎng)度控制成具有所需長(zhǎng)度，所以即使在通過(guò)將最短空白區(qū)間隔與線記錄速度之比(最短空白區(qū)間隔/線記錄速度)設(shè)置成非常小(例如小于20nsec)而記錄數(shù)據(jù)的情況下，也可以減少信號(hào)的抖動(dòng)和增加C/N比。
圖5是表示在采用1.7RLL調(diào)制碼的情形下第三脈沖串模式的一組圖，其中圖5(a)表示當(dāng)記錄2T信號(hào)時(shí)的脈沖串模式，以及圖5(b)表示當(dāng)記錄3T信號(hào)至8T信號(hào)中的一個(gè)時(shí)的脈沖串模式。
第三脈沖串模式是適合于有必要冷卻記錄標(biāo)記M的前緣部分和后緣部分兩者的情形，換句話說(shuō)，適合于由于記錄速度變高和數(shù)據(jù)記錄密度變高而使相鄰記錄標(biāo)記間的熱干擾變大的情形，第三脈沖串模式特別適合于通過(guò)將最短空白區(qū)間隔與線記錄速度之比(最短空白區(qū)間隔/線記錄速度)設(shè)置成小于20nsec來(lái)將數(shù)據(jù)記錄在具有低記錄靈敏度的光記錄介質(zhì)10中的情形。
如圖5(a)和5(b)所示，在第三脈沖串模式中，將用于形成記錄標(biāo)記M的記錄脈沖劃分成(n-1)個(gè)劃分脈沖，在每個(gè)劃分脈沖的峰值處，將激光束L10的功率設(shè)置成記錄功率Pw，以及正好在第一劃分脈沖之前和正好在最后一個(gè)劃分脈沖之后，將其設(shè)置成第二最低功率Pb2，在脈沖的其他部分，將其設(shè)置成第一最低功率Pb1。特別地，通過(guò)將冷卻間隔Tcl(front)插入正好在圖11所示的基本脈沖串模式中第一劃分脈沖之前的部分，以及將冷卻間隔Tcl(last)插入正好在其最后一個(gè)劃分脈沖之后的部分，從而構(gòu)成第三脈沖串模式。
在此，與在第一脈沖串模式中類似地確定記錄功率Pw、第一最低功率Pb1和第二最低功率Pb2。
在使用第第三脈沖串模式調(diào)制激光束L10的功率并且將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)10中的情況下，由于有效地冷卻由其功率設(shè)置成記錄功率Pw并投射用于形成記錄標(biāo)記M的激光束L10加熱的記錄標(biāo)記M的后緣部分，故可以在相對(duì)于激光束L10的運(yùn)動(dòng)方向的記錄標(biāo)記M的后緣部分下游的區(qū)域，防止包含在第一記錄層31中作為主要成分的元素和包含在第二記錄層32中作為主要成分的元素彼此混合。另外，由于有效地冷卻由于相鄰記錄標(biāo)記間的熱干擾而加熱的記錄標(biāo)記M的前緣部分，故可以在相對(duì)于激光束L10的運(yùn)動(dòng)方向的記錄標(biāo)記M的前緣部分上游的區(qū)域，防止包含在第一記錄層31中作為主要成分的元素和包含在第二記錄層32中作為主要成分的元素彼此混合。
因此，在使用第三脈沖串模式調(diào)制激光束L10的功率并且將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)10中的情況下，由于能使混合區(qū)M的長(zhǎng)度控制成具有所需長(zhǎng)度，所以即使在通過(guò)將最短空白區(qū)間隔與線記錄速度之比(最短空白區(qū)間隔/線記錄速度)設(shè)置成極其小(例如小于20nsec)而記錄數(shù)據(jù)的情況下，也可以減少信號(hào)的抖動(dòng)和增加C/N比。
根據(jù)該實(shí)施例，通過(guò)將記錄脈沖劃分成(n-a)個(gè)劃分脈沖(其中a為0，1或2，以及在8/16調(diào)制碼中，最好將a設(shè)置成2，在1.7RLL調(diào)制碼中，將a設(shè)置成1)，以及將冷卻間隔Tcl(last)插入正好在最后一個(gè)劃分脈沖之后的部分，或?qū)⒗鋮s間隔Tcl(front)插入正好在第一劃分脈沖之前的部分，或?qū)⒗鋮s間隔Tcl(last)插入正好在最后一個(gè)劃分脈沖之后的部分以及將冷卻間隔Tcl(front)插入正好在第一劃分脈沖之前的部分，由此構(gòu)成用于調(diào)制激光束L10的功率的脈沖串模式。因此，可以有效地防止記錄標(biāo)記M的后緣部分和/或前緣部分偏移，因此即使在將最短空白區(qū)間隔與線記錄速度之比(最短空白區(qū)間隔/線記錄速度)設(shè)置成小并記錄數(shù)據(jù)的情況下，也可以減少信號(hào)抖動(dòng)和增加C/N比。
圖6是表示本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的數(shù)據(jù)記錄裝置的框圖。
如圖6所示，數(shù)據(jù)記錄裝置100包括主軸馬達(dá)52，用于旋轉(zhuǎn)光記錄介質(zhì)10；頭53，用于將激光束投射在光記錄介質(zhì)10上以及接收通過(guò)光記錄介質(zhì)10反射的光；控制器54，用于控制主軸馬達(dá)52和頭53的操作；激光驅(qū)動(dòng)電路55，用于將激光驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸送到頭53；以及透鏡驅(qū)動(dòng)電路56，用于將透鏡驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸送到光頭53。
如圖6所示，控制器54包括聚焦伺服跟蹤電路57、跟蹤伺服電路58和激光控制電路59。
當(dāng)啟動(dòng)聚焦伺服跟蹤電路57時(shí)，使激光束L10聚焦在旋轉(zhuǎn)的光記錄介質(zhì)10的第一記錄層51上，以及當(dāng)啟動(dòng)跟蹤伺服電路58時(shí)，激光束L10的光點(diǎn)自動(dòng)跟隨光記錄介質(zhì)10的道。
如圖6所示，聚焦伺服跟蹤電路57和跟蹤伺服電路58的每一個(gè)具有用于自動(dòng)調(diào)整聚焦增益的自動(dòng)增益控制功能和用于自動(dòng)調(diào)整跟蹤增益的自動(dòng)增益控制功能。
另外，激光控制電路59適合于生成將由激光驅(qū)動(dòng)電路55提供的激光驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
在該實(shí)施例中，與用于識(shí)別各種記錄條件，諸如用于記錄數(shù)據(jù)所需的線記錄速度的數(shù)據(jù)一起，將用于識(shí)別上述第一脈沖串模式、第二脈沖串模式和第二脈沖串模式的數(shù)據(jù)記錄在第一記錄介質(zhì)10中，作為用于以擺動(dòng)(wobble)或預(yù)制凹坑的形式設(shè)置記錄條件的數(shù)據(jù)。
因此，激光控制電路59在將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)10中前，讀取記錄在光記錄介質(zhì)10中的用于設(shè)置記錄條件的數(shù)據(jù)，基于由此讀取的用于設(shè)置記錄條件的數(shù)據(jù)，選擇第一脈沖串模式、第二脈沖串模式和第三脈沖串模式的一個(gè)，以便生成激光驅(qū)動(dòng)信號(hào)以及使激光驅(qū)動(dòng)電路55將其輸出到頭55。
因此，根據(jù)所需記錄策略將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)10中。
根據(jù)該實(shí)施例，光記錄介質(zhì)10記錄有用于識(shí)別第一脈沖串模式、第二脈沖串模式和第三脈沖串模式的數(shù)據(jù)以及用于識(shí)別各種記錄條件，諸如用于記錄數(shù)據(jù)所需的線記錄速度的數(shù)據(jù)，作為用于設(shè)置記錄條件的數(shù)據(jù)，以及在將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)10中前，激光控制電路59讀取記錄在光記錄介質(zhì)10中的用于設(shè)置記錄條件的數(shù)據(jù)，基于由此讀取的用于設(shè)置記錄條件的數(shù)據(jù)來(lái)選擇第一脈沖串模式、第二脈沖串模式和第三脈沖串模式的一個(gè)，以便生成激光驅(qū)動(dòng)信號(hào)和控制用于將激光束投射在光記錄介質(zhì)10上的頭53。因此，可根據(jù)所需記錄策略記錄數(shù)據(jù)。
工作例子和比較例子在下文中，將闡述工作例子和比較例子以便進(jìn)一步闡明本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。
用下述方式，制作具有與如圖1所示的光記錄介質(zhì)1相同的結(jié)構(gòu)的光記錄介質(zhì)。
首先，在濺射裝置上放置具有1.1mm厚度和120mm直徑的聚碳酸酯襯底。然后，使用濺射工藝，順序地在聚碳酸酯襯底上形成包含Ag、Pd和Cu的混合物以及具有100nm厚度的反射層、包含ZnS和SiO2的混合物并具有30nm厚度的第二介電層、包含Cu作為主要成分并具有5nm厚度的第二記錄層、包含Si作為主要成分并具有5nm厚度的第一記錄層、以及包含ZnS和SiO2的混合物并具有25nm厚度的第一介電層。
包含在第一介電層和第二介電層中的ZnS和SiO2的混合物中的ZnS和SiO2的摩爾比為80∶20。
另外，使用旋涂方法，使第一介電層涂覆以丙烯酸紫外線固化樹脂，以便形成涂層，以及用紫外線照射該涂層，從而固化丙烯酸紫外線固化樹脂以便形成具有厚度為100μm的光透射層。
工作例子1將由此制作的光記錄介質(zhì)放在由Pulstec Industrial Co.Ltd制造的光記錄介質(zhì)評(píng)價(jià)裝置“DDU1000”(產(chǎn)品名)中。然后，將具有405nm波長(zhǎng)的藍(lán)色激光束用作用于記錄數(shù)據(jù)的激光束，以及使用其數(shù)值孔徑為0.85的物鏡，經(jīng)光透射層，將激光束聚焦在光記錄介質(zhì)上，以及在下述記錄信號(hào)條件下于其中記錄數(shù)據(jù)。
調(diào)制碼(1.7)RLL信道位長(zhǎng)度0.12μm線記錄速度5.3m/sec信道時(shí)鐘66MHz記錄信號(hào)隨機(jī)信號(hào)，包括無(wú)特定順序的2T信號(hào)至8T信號(hào)通過(guò)將包括(n-1)個(gè)劃分脈沖作為記錄脈沖的第一脈沖串模式來(lái)調(diào)制激光束的功率，其中n是2至8的整數(shù)，冷卻間隔Tcl(last)的長(zhǎng)度固定在1T以及第二最低功率Pb2固定在0.1mW，而第一最低功率Pb2在0.5mW、1.0mW、1.5mW和2.0mnW之間改變，以及改變記錄功率Pw。
當(dāng)格式效率(format efficiency)為80％以及最短空白區(qū)間隔與線記錄速度的比率(最短空白區(qū)間隔/線記錄速度)為30.4nsec時(shí)，數(shù)據(jù)傳輸率約為35Mpbs。
工作例子2除使用第一脈沖串模式記錄2T信號(hào)以及使用基本脈沖串模式記錄3T信號(hào)至8T信號(hào)中的每一個(gè)外，與工作例子1類似地將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中。
工作例子3除使用第二脈沖串模式調(diào)制激光束的功率外，用工作例子1的方式將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中。
冷卻間隔Tcl(last)的長(zhǎng)度設(shè)置成1T。
工作例子4除使用第二脈沖串模式記錄2T信號(hào)以及使用基本脈沖串模式記錄3T至8T信號(hào)中的每一個(gè)外，用工作例子1的方式將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中。
冷卻間隔Tcl(last)的長(zhǎng)度設(shè)置成1T。
工作例子5除使用第三脈沖串模式調(diào)制激光束的功率外，用工作例子1的方式將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中。
冷卻間隔Tcl(last)和冷卻間隔Tcl(front)的長(zhǎng)度分別設(shè)置成1T。
工作例子6除使用第三脈沖串模式記錄2T信號(hào)以及使用基本脈沖串模式記錄3T信號(hào)至8T信號(hào)中的每一個(gè)外，用工作例子1的方式將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中。
冷卻間隔Tcl(last)和冷卻間隔Tcl(front)的長(zhǎng)度分別設(shè)置成1T。
比較例子除使用基本脈沖串模式調(diào)制激光束的功率外，用工作例子1的方式將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中。
然后，使用上述光記錄介質(zhì)評(píng)價(jià)裝置，再現(xiàn)光記錄介質(zhì)中記錄的數(shù)據(jù)，以及測(cè)量使用具有最佳記錄功率Pw的激光束記錄的2T信號(hào)的C/N比。當(dāng)再現(xiàn)數(shù)據(jù)時(shí)，采用具有405nm的波長(zhǎng)的激光束和數(shù)值孔徑(NA)為0.85的物鏡。
在此，將抖動(dòng)最小時(shí)的記錄功率Pw確定為最佳記錄功率Pw。
測(cè)量結(jié)果如圖7所示。
如圖7所示，在工作例子1、2、5和6中，通過(guò)使用各包括冷卻間隔Tcl(last)的脈沖串模式調(diào)制激光束的功率而記錄數(shù)據(jù)，發(fā)現(xiàn)即使當(dāng)增加第一最低功率Pb1時(shí)，也難以降低2T信號(hào)的C/N比。
因此，發(fā)現(xiàn)在以約35Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率記錄數(shù)據(jù)的情況下，如果使用包括冷卻間隔Tcl(last)的脈沖串模式調(diào)制激光束的功率，通過(guò)將第一最低功率Pb1設(shè)置成高值，能以低記錄功率Pw記錄數(shù)據(jù)。
相反，在工作例子3中，通過(guò)使用不包括冷卻間隔Tcl(last)的脈沖串模式調(diào)制激光束的功率而記錄數(shù)據(jù)，發(fā)現(xiàn)當(dāng)?shù)谝蛔畹凸β蔖b1設(shè)置得太高時(shí)，2T信號(hào)的C/N比變得更糟，以及在工作例子4中，發(fā)現(xiàn)總的來(lái)說(shuō)，2T信號(hào)的C/N比為低?？珊侠淼赝茢?，這是因?yàn)樵谧疃炭瞻讌^(qū)間隔與線記錄速度之比為30.4nsec的情形中，記錄標(biāo)記的前緣部分不由于相鄰記錄標(biāo)記間的熱干擾而在與激光束的運(yùn)動(dòng)方向相反的方向中偏移。
另一方面，如圖7所示，在其中通過(guò)使用基本脈沖串模式調(diào)制激光束的功率來(lái)記錄數(shù)據(jù)的比較例子中，發(fā)現(xiàn)隨著第一最低功率Pb1增加，2T信號(hào)的C/N比顯著地得更糟。
除將線記錄速度設(shè)置成10.6m/sec，信道時(shí)鐘頻率設(shè)置成133MHz以及第一最低功率Pb1在0.5mW、1.0mW、1.5mW和2.0mW之間改變之外，與上述類似，包括無(wú)特定順序的2T信號(hào)至8T信號(hào)的隨機(jī)信號(hào)被記錄在光記錄介質(zhì)中。再現(xiàn)由此記錄在光記錄介質(zhì)中的數(shù)據(jù)以及測(cè)量使用具有最佳記錄功率Pw的激光束記錄的2T信號(hào)的C/N比。
在此，當(dāng)格式效率為80％以及最短空白區(qū)間隔與線記錄速度的比率(最短空白區(qū)間隔/線記錄速度)為15.2nsec時(shí)，數(shù)據(jù)傳輸率為約70Mbps。
測(cè)量結(jié)果如圖8所示。
如圖8所示，發(fā)現(xiàn)在每種情況下，當(dāng)?shù)谝蛔畹凸β蔖b1增加時(shí)，2T信號(hào)的C/N比變得更糟。然而，發(fā)現(xiàn)在通過(guò)使用各包括冷卻間隔Tcl(last)的脈沖串模式調(diào)制激光束的功率而記錄數(shù)據(jù)的工作例子1和2、通過(guò)使用各包括冷卻間隔Tcl(front)的脈沖串模式調(diào)制激光束的功率而記錄數(shù)據(jù)的工作例子3和4、以及通過(guò)使用各包括冷卻間隔Tcl(front)和冷卻間隔Tcl(last)的脈沖串模式調(diào)制激光束的功率而記錄數(shù)據(jù)的工作例子5和6的每一個(gè)中，2T信號(hào)的C/N比要比較例子中2T信號(hào)的C/N比更好。
因此，發(fā)現(xiàn)在以約70Mbps的數(shù)據(jù)傳輸率記錄數(shù)據(jù)的情況下，最好當(dāng)記錄數(shù)據(jù)時(shí)，使用包括冷卻間隔Tcl(last)的脈沖串模式、包括冷卻間隔Tcl(front)的脈沖串模式，或包括冷卻間隔Tcl(last)和冷卻間隔Tcl(front)的脈沖串模式來(lái)調(diào)制激光束的功率。
特別地，在使用第一脈沖串模式記錄數(shù)據(jù)的工作例子1、使用第二脈沖串模式記錄數(shù)據(jù)的工作例子3、使用第三脈沖串模式記錄數(shù)據(jù)的工作例子5、以及按使用第三脈沖串模式記錄2T信號(hào)和使用基本脈沖串模式記錄3T信號(hào)至8T信號(hào)中每一個(gè)的方式來(lái)記錄數(shù)據(jù)的工作例子6的每一個(gè)中，發(fā)現(xiàn)即使在使第一最低功率Pb1增加到2mW的情況下，2T信號(hào)的C/N比基本上等于或高于其中使用第一最低功率Pb1設(shè)置成0.5mW的基本脈沖模式來(lái)調(diào)制激光束的功率從而記錄數(shù)據(jù)的比較例子中的2T信號(hào)的C/N比，以及在通過(guò)使用這些脈沖串模式的一個(gè)調(diào)制激光束的功率而記錄數(shù)據(jù)的情況下，可通過(guò)將第一最低功率Pb1設(shè)置成高值，以低記錄功率Pw記錄數(shù)據(jù)。
另外，除將線記錄速度設(shè)置成10.6m/sec，信道時(shí)鐘設(shè)置成133MHz以及第一最低功率Pb1在0.5mW、1.0mW、1.5mW、2.0mW和2.5mW之間改變外，與上述類似，包括無(wú)特定順序的2T信號(hào)至8T信號(hào)的隨機(jī)信號(hào)記錄在光記錄介質(zhì)中。然后，再現(xiàn)由此記錄在光記錄介質(zhì)中的數(shù)據(jù)以便測(cè)量再現(xiàn)信號(hào)的C/N比，以及測(cè)量激光束的最佳功率Pw和第一最低功率Pb1間的關(guān)系。
測(cè)量結(jié)果如圖9所示。
如圖9所示，發(fā)現(xiàn)在每種情況下，如果第一最低功率Pb1設(shè)置得較高，激光束的最佳記錄功率Pw減小，以及能使用具有低記錄功率Pw的激光束來(lái)記錄數(shù)據(jù)。
然而，發(fā)現(xiàn)在每種情況下，在第一最低功率Pb1設(shè)置成等于或高于2.5mW的情況下，使包含在第一記錄層中作為主要成分的元素和包含在第二記錄層中作為主要成分的元素彼此混合，以便即使在空白區(qū)處也能形成記錄標(biāo)記M，以及C/N比變得相當(dāng)糟。
參考特定的實(shí)施例和工作例子，示出和描述了本發(fā)明。然而，應(yīng)注意到本發(fā)明絕不限于所述的配置的細(xì)節(jié)以及在不背離附后權(quán)利要求書的范圍的情況下，可以做出各種修改和改進(jìn)。
例如，在上述實(shí)施例和工作例子中，盡管第一記錄層31和第二記錄層32形成為彼此接觸，但不是絕對(duì)有必要彼此接觸地形成第一記錄層31和第二記錄層32，而是只要第二記錄層32位于第一記錄層31附近，以便當(dāng)用激光束照射區(qū)域時(shí)，可形成包括第一記錄層31的主要成分和第二記錄層32的主要成分的混合區(qū)則足亦。另外，可以在第一記錄層31和第二記錄層32間插入一個(gè)或多個(gè)其他層，諸如介電層。
另外，在上述實(shí)施例中，盡管第一記錄層31包含從由Si、Ge、Sn、Mg、In、Zn、Bi和Al組成的組中選擇的一種元素作為主要成分以及第二記錄層32包含Cu作為主要成分，但對(duì)第一記錄層31來(lái)說(shuō)，包含從由Si、Ge、Sn、Mg、In、Zn、Bi和Al組成的組中選擇的一種元素作為主要成分以及對(duì)第二記錄層32來(lái)說(shuō)，包含Cu作為主要成分不是絕對(duì)必要的，以及第一記錄層31可以包含從由Si、Ge、C、Sn、Zn和Cu組成的組中選擇的一種元素作為主要成分以及第二記錄層32可以包含Al作為主要成分。另外，第一記錄層31可以包含從由Si、Ge、C和Al組成的組中選擇的一種元素作為主要成分以及第二記錄層32可以包含Zn作為主要成分。此外，對(duì)第一記錄層31和第二記錄層32來(lái)說(shuō)，包含彼此不同的元素以及包含從由Al、Si、Ge、C、Sn、Au、Zn、Cu、B、Mg、Ti、Mn、Fe、Ga、Zr、Ag和Pt組成的組中選擇的一種元素作為主要成分則足亦。
此外，在上述實(shí)施例和工作例子中，盡管光記錄介質(zhì)10包括第一記錄層31和第二記錄層32，但除第一記錄層31和第二記錄層32外，光記錄介質(zhì)10可以包括包含從由Si、Ge、Sn、Mg、In、Zn、Bi和Al組成的組中選擇的一種元素作為主要成分的一個(gè)或多個(gè)記錄層或包含Al作為主要成分的一個(gè)或多個(gè)記錄層。
此外，盡管在上述實(shí)施例和工作例子中，第一記錄層31位于光透射層16一側(cè)以及第二記錄層32位于襯底11一側(cè)，但也可以使第一記錄層31位于襯底11一側(cè)以及第二記錄層32位于光透射層16一側(cè)。
另外，在上述實(shí)施例和工作例子中，光記錄介質(zhì)10包括第一介電層15和第二介電層13，以及第一記錄層31和第二記錄層32位于第一介電層15和第二介電層13之間。然而，對(duì)光記錄介質(zhì)10來(lái)說(shuō)，包括第一介電層15和第二介電層13不是絕對(duì)必要的，即，光記錄介質(zhì)10可以不包括介電層。另外，光記錄介質(zhì)10可以包括單個(gè)介電層，在這種情況下，介電層相對(duì)于第一記錄層31和第二記錄層32，可以位于襯底11一側(cè)或光透射層16一側(cè)。
此外，在工作例子中，盡管在上述實(shí)施例和工作例子中，第一記錄層和第二記錄層形成為具有相同的厚度，但使第一記錄層和第二記錄層形成為具有相同的厚度不是絕對(duì)必要的。
此外，在上述實(shí)施例和工作例子中，盡管光記錄介質(zhì)10具有反射層12，但如果通過(guò)使包含在第一記錄層中作為主要成分的元素和包含在第二記錄層中作為主要成分的Zn混合形成的記錄標(biāo)記M中的反射光的電平與未投射激光束的區(qū)域的反射光的電平彼此顯著不同，則可以省略反射層。
另外，在上述實(shí)施例中，盡管根據(jù)第一脈沖串模式、第二脈沖串模式和第三脈沖串模式來(lái)調(diào)制激光束的功率，從而形成所有記錄標(biāo)記M，但是僅在記錄標(biāo)記M的長(zhǎng)度短的情況下，當(dāng)降低激光束的記錄功率Pw時(shí)記錄標(biāo)記M的寬度變細(xì)以及顯著地降低信號(hào)的C/N比(載波/噪聲比)，以便防止記錄標(biāo)記M的前緣部分和/或后緣部分偏移以及記錄標(biāo)記M變得長(zhǎng)于所需長(zhǎng)度。因此，僅在記錄2T信號(hào)以便形成短記錄標(biāo)記M的情況下，才可以根據(jù)第一脈沖串模式、第二脈沖串模式或第三脈沖串模式來(lái)調(diào)制激光束的功率，以及在記錄3T信號(hào)至8T信號(hào)中的一個(gè)以便形成記錄標(biāo)記M的情況下，根據(jù)基本脈沖串模式來(lái)調(diào)制激光束的功率。
此外，在圖6所示的實(shí)施例中，盡管以擺動(dòng)或預(yù)制凹坑的形式，將用于設(shè)置記錄條件的數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)10中，但用于設(shè)置記錄條件的數(shù)據(jù)可以記錄在第一記錄層31或第二記錄層32中。
此外，在圖6所示的實(shí)施例中，盡管聚焦伺服跟蹤電路57、跟蹤伺服電路58和激光控制電路59均集成到控制器54中，但將聚焦伺服跟蹤電路57、跟蹤伺服電路58和激光控制電路59集成到控制器54中不是絕對(duì)必要的，可以與控制器54分開地提供聚焦伺服跟蹤電路57、跟蹤伺服電路58和激光控制電路59。此外，也可以在控制器54中安裝用于實(shí)現(xiàn)聚焦伺服跟蹤電路57、跟蹤伺服電路58和激光控制電路59的功能的軟件。
另外，在上述實(shí)施例和工作例子中，盡管描述了關(guān)于將數(shù)據(jù)記錄在下一代型光記錄介質(zhì)10中的情形，其中，記錄標(biāo)記M的后緣部分和前緣部分由于采用其每單位面積能量相當(dāng)高的激光束而傾向于偏移，但本發(fā)明不限于在將數(shù)據(jù)記錄在下一代型光記錄介質(zhì)中的情形中的應(yīng)用，本發(fā)明可廣泛地應(yīng)用于將數(shù)據(jù)記錄在除下一代型光記錄介質(zhì)外的一次寫入型光記錄介質(zhì)中的情形。
根據(jù)本發(fā)明，可以提供用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的方法，其能在一次寫入型光記錄介質(zhì)中形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記。
此外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的方法，該方法即使在最短空白區(qū)間隔與線記錄速度之比小的情況下，也能在一次寫入型光記錄介質(zhì)中形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記。
此外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的方法，該方法能使用其記錄功率設(shè)置成低的激光束，在一次寫入型光記錄介質(zhì)中形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記。
此外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的方法，該方法能在包括兩個(gè)或多個(gè)記錄層的一次寫入型光記錄介質(zhì)中，形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記。
此外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的裝置，其能在一次寫入型光記錄介質(zhì)中形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記。
此外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的裝置，其即使在最短空白區(qū)間隔與線記錄速度之比小的情況下，也能在一次寫入型光記錄介質(zhì)中形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記。
此外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的裝置，其能使用記錄功率設(shè)置成低的激光束，在一次寫入型光記錄介質(zhì)中形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記。
此外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的裝置，其能在包括兩個(gè)或多個(gè)記錄層的一次寫入型光記錄介質(zhì)中，形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記。
此外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供一次寫入型光記錄介質(zhì)，其中能形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記。
此外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供一次寫入型光記錄介質(zhì)，其中，即使在最短空白區(qū)間隔與線記錄速度之比小的情況下，也能形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記。
此外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供一次寫入型光記錄介質(zhì)，其中，能使用其記錄功率設(shè)置成低的激光束，在一次寫入型光記錄介質(zhì)中形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記。
此外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供一次寫入型光記錄介質(zhì)，其中，能在包括兩個(gè)或多個(gè)記錄層的一次寫入型光記錄介質(zhì)中形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記。
權(quán)利要求
1.一種用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的方法，其中，在包括襯底和在所述襯底上形成的至少一個(gè)記錄層的一次寫入型光記錄介質(zhì)中，通過(guò)將根據(jù)脈沖串模式調(diào)制其功率的激光束投射在所述至少一個(gè)記錄層上、以及在該至少一個(gè)記錄層中形成至少兩個(gè)記錄標(biāo)記來(lái)記錄數(shù)據(jù)，所述脈沖串模式至少包括其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于記錄功率的電平的脈沖和其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于第一最低功率的電平的脈沖，用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的該方法包括通過(guò)在其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于所述記錄功率的電平的脈沖的前端和后端中至少之一進(jìn)一步包括其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于低于所述第一最低功率的第二最低功率的電平的脈沖的脈沖串模式來(lái)調(diào)制所述激光束的功率的步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的方法，其中，該光記錄介質(zhì)進(jìn)一步包括光透射層、以及在所述襯底和所述光透射層間形成的第一記錄層和第二記錄層，以及，該光記錄介質(zhì)構(gòu)成為通過(guò)將激光束投射到其上、從而使包含在所述第一記錄層中作為主要成分的元素和包含在所述第二記錄層中作為主要成分的元素混合來(lái)形成所述至少兩個(gè)記錄標(biāo)記。
3.如權(quán)利要求2所述的用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的方法，其中，所述第二記錄層形成為與所述第一記錄層接觸。
4.如權(quán)利要求1至3的任何一個(gè)所述的用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的方法，其中，通過(guò)將最短空白區(qū)間隔與線記錄速度之比設(shè)置成等于或小于40nsec，形成所述至少兩個(gè)記錄標(biāo)記。
5.如權(quán)利要求4所述的用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的方法，其中，通過(guò)將所述最短空白區(qū)間隔與線記錄速度之比設(shè)置成等于或小于20nsec，形成所述至少兩個(gè)記錄標(biāo)記。
6.如權(quán)利要求1至5的任何一個(gè)所述的用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的方法，其中，由對(duì)應(yīng)于所述記錄標(biāo)記的長(zhǎng)度的數(shù)量的劃分脈沖構(gòu)成其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于所述記錄電平的電平的脈沖。
7.如權(quán)利要求6所述的用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的方法，其中，將所述激光束的功率設(shè)置成相鄰劃分脈沖之間的第一最低功率。
8.如權(quán)利要求1至7的任何一個(gè)所述的用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的方法，其中，通過(guò)在所述光記錄介質(zhì)上投射具有等于或短于450nm的波長(zhǎng)的激光束來(lái)在其中記錄數(shù)據(jù)。
9.如權(quán)利要求1至8的任何一個(gè)所述的用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的方法，其中，通過(guò)采用數(shù)值孔徑NA和波長(zhǎng)λ滿足λ/NA≤640nm的物鏡和激光束、以及經(jīng)所述物鏡將所述激光束投射在所述光記錄介質(zhì)上，從而將數(shù)據(jù)記錄在所述光記錄介質(zhì)中。
10.一種用于在光記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的裝置，包括激光束投射裝置，用于將根據(jù)脈沖串模式調(diào)制其功率的激光束投射在包括襯底和在所述襯底上形成的至少一個(gè)記錄層的一次寫入型光記錄介質(zhì)上，所述脈沖串模式至少包括其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于記錄功率的電平的脈沖和其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于第一最低功率的電平的脈沖，所述激光束投射裝置構(gòu)造成通過(guò)在其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于記錄功率的電平的脈沖的前端和后端中至少之一進(jìn)一步包括其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于低于所述第一最低功率的第二最低功率的電平的脈沖的脈沖串模式來(lái)調(diào)制所述激光束的功率。
11.如權(quán)利要求10所述的用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的裝置，其中，通過(guò)將最短空白區(qū)間隔與線記錄速度之比設(shè)置成等于或小于40nsec，形成所述至少兩個(gè)記錄標(biāo)記。
12.如權(quán)利要求11所述的用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的裝置，其中，通過(guò)將所述最短空白區(qū)間隔與線記錄速度之比設(shè)置成等于或小于20nsec，形成所述至少兩個(gè)記錄標(biāo)記。
13.一種一次寫入型光記錄介質(zhì)，包括襯底和在所述襯底上形成的至少一個(gè)記錄層，該光記錄介質(zhì)構(gòu)造成通過(guò)將根據(jù)脈沖串模式調(diào)制其功率的激光束投射在其上、以及在所述至少一個(gè)記錄層中形成至少兩個(gè)記錄標(biāo)記來(lái)在其中記錄數(shù)據(jù)，所述脈沖串模式至少包括其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于記錄功率的電平的脈沖和其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于第一最低功率的電平的脈沖，所述光記錄介質(zhì)記錄有用于設(shè)置記錄條件的數(shù)據(jù)，該記錄條件是用來(lái)根據(jù)在其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于記錄功率的電平的脈沖的前端和后端中至少之一進(jìn)一步包括其電平設(shè)置成對(duì)應(yīng)于低于所述第一最低功率的第二最低功率的電平的脈沖的脈沖串模式來(lái)調(diào)制激光束的功率所需要的。
14.如權(quán)利要求13所述的一次寫入型光記錄介質(zhì)，進(jìn)一步包括光透射層、以及在所述襯底和所述光透射層間形成的第一記錄層和第二記錄層，該光記錄介質(zhì)構(gòu)成為通過(guò)將激光束投射到其上、從而使包含在所述第一記錄層中作為主要成分的元素和包含在所述第二記錄層中作為主要成分的元素混合，從而形成所述至少兩個(gè)記錄標(biāo)記。
15.如權(quán)利要求14所述的一次寫入型光記錄介質(zhì)，其中，所述第二記錄層形成為與所述第一記錄層接觸。
16.如權(quán)利要求14或15所述的一次寫入型光記錄介質(zhì)，其中，所述光透射層形成為具有10nm至300nm的厚度。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供用于在光記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法，能在一次寫入型光記錄介質(zhì)中形成具有所需長(zhǎng)度和寬度的記錄標(biāo)記。根據(jù)本發(fā)明，用于將數(shù)據(jù)記錄在光記錄介質(zhì)中的方法構(gòu)成為將通過(guò)脈沖串模式調(diào)制的功率的激光束投射在包括襯底、第一記錄層、第二記錄層和光透射層16的光記錄介質(zhì)上，其中，脈沖串模式的記錄脈沖劃分成(n－1)個(gè)劃分脈沖，以及在每個(gè)劃分脈沖的峰值處將激光束的功率設(shè)置成記功率Pw，在正好在最后一個(gè)劃分脈沖之后的部分處，將其設(shè)置成第二最低功率Pb2，以及在其他間隔，將其設(shè)置成第一最低功率Pb1，其中Pb1高于Pb2。
文檔編號(hào)G11B7/24038GK1662966SQ0381415
公開日2005年8月31日 申請(qǐng)日期2003年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月17日
發(fā)明者加藤達(dá)也, 平田秀樹 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社