專利名稱：磁光存儲(chǔ)介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁光存儲(chǔ)介質(zhì)，特別涉及AC-MAMMOS(磁放大磁光系統(tǒng))型疇膨脹介質(zhì)。
近年來，磁光存儲(chǔ)介質(zhì)大量涌入消費(fèi)市場。磁光存儲(chǔ)技術(shù)提供了高數(shù)據(jù)密度和快速數(shù)據(jù)讀寫速度的優(yōu)點(diǎn)，并因此提供了適于在小尺寸介質(zhì)上進(jìn)行高容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的裝置。
近年來，為了獲得更高的介質(zhì)數(shù)據(jù)密度，已經(jīng)開發(fā)出被稱為疇膨脹(DomEx)技術(shù)的很多新磁光存儲(chǔ)技術(shù)。已知DomEx技術(shù)的兩種確定形式是MAMMOS(磁放大磁光系統(tǒng))和DWDD(磁疇壁移動(dòng)檢測)技術(shù)。MAMMOS介質(zhì)可以分為兩種類型AC-MAMMOS和ZF-MAMMOS；在讀回期間，前者需要脈沖(AC)磁場，而后者需要施加零磁場(ZF)。
AC-MAMMOS介質(zhì)包括至少兩個(gè)磁性層。一個(gè)磁性層是存儲(chǔ)層(或記錄層)，其中在寫入介質(zhì)期間存儲(chǔ)信息。第二磁性層是再現(xiàn)層(也稱為讀出層)。在讀取信息期間，操作該再現(xiàn)層以產(chǎn)生膨脹的磁疇，該磁疇對應(yīng)于存儲(chǔ)層的磁疇。
特別地，在AC-MAMMOS中通常按照以下方式進(jìn)行數(shù)據(jù)獲取。在AC-MAMMOS讀取操作期間，低功率激光點(diǎn)加熱存儲(chǔ)和讀出層。這導(dǎo)致存儲(chǔ)層的磁化和雜散磁場增加，而使再現(xiàn)層的矯頑磁性降低。同時(shí)，將脈沖磁場施加到該介質(zhì)。當(dāng)該磁場與記錄位模式同步，且從一位開始平行于雜散場時(shí)，磁化方向與存儲(chǔ)層中的位相同且與預(yù)磁化的讀出層的磁化相反的疇將會(huì)成核并且在再現(xiàn)層內(nèi)膨脹。
膨脹的疇大得足以借助克爾效應(yīng)通過光學(xué)探測分辨出來，從而在讀出信號(hào)中產(chǎn)生“峰”?？藸栃?yīng)是入射激光從磁性材料反射回來時(shí)的偏振旋轉(zhuǎn)。偏振旋轉(zhuǎn)的大小和感應(yīng)與磁性材料的磁化強(qiáng)度成比例，并且可以使用適當(dāng)?shù)奶綔y器監(jiān)測。
隨后，通過脈沖場反向符號(hào)，讀取該位，使再現(xiàn)層中膨脹疇收縮。相反，不讀出磁化的位，因?yàn)樗鼈兊拇呕瘡?qiáng)度已經(jīng)與讀出層的磁化強(qiáng)度相對準(zhǔn)，并且因此在克爾信號(hào)中觀察不到變化。
在例如H.Awano和N.Ohta的“Magnetooptical RecordingTechnology Toward 100Gb/in2”(IEEE Journal of Selected Topicsin Quantum Electronics；1998；vol.4；No.5 pp815-820)中可以發(fā)現(xiàn)關(guān)于AC-MAMMOS技術(shù)的進(jìn)一步描述。
對于所有的常規(guī)和疇膨脹磁光存儲(chǔ)介質(zhì)來說，品質(zhì)因數(shù)(FOM)都是重要參數(shù)，該品質(zhì)因數(shù)近似等于反射率與克爾旋轉(zhuǎn)角度和橢圓率的平方和的乘積的平方根(FOM=R(θ2+ϵ2),]]>其中R是反射率，θ是克爾旋轉(zhuǎn)，ε是橢圓率)。該FOM指示了可以獲得多強(qiáng)的光學(xué)讀出信號(hào)。為了增加磁光存儲(chǔ)介質(zhì)的數(shù)據(jù)密度，需要使用波長較短的激光，因?yàn)檫@種激光可以使各個(gè)位之間的分辨率更高。然而，對于當(dāng)前的磁光存儲(chǔ)介質(zhì)而言，當(dāng)激光波長從660nm(紅)減小到410nm(藍(lán))時(shí)，品質(zhì)因數(shù)降低，因此減小了載波噪聲比(CNR)，并因此增加了誤差率。此外，光學(xué)探測器對藍(lán)光波長的靈敏度降低，這更加減小了CNR。當(dāng)探測器平均次數(shù)下降而使CNR降低到不可接收的低水平時(shí)，這對于高數(shù)據(jù)率很危險(xiǎn)?？朔搯栴}的一個(gè)選擇是增加激光讀回功率(增加到達(dá)探測器的光子數(shù))，然而，這需要更小心的該介質(zhì)的熱學(xué)設(shè)計(jì)，以便減少有害激光引起的熱。
為了實(shí)現(xiàn)高數(shù)據(jù)率介質(zhì)，如果可以在較短激光波長下實(shí)現(xiàn)品質(zhì)因數(shù)的提高是有利的，因?yàn)檫@允許更高的數(shù)據(jù)密度。此外，磁光存儲(chǔ)介質(zhì)具有增強(qiáng)的熱消散，因此允許使用更高功率的激光，這將是有利的。
因此，本發(fā)明尋求提供一種改進(jìn)的磁光介質(zhì)，該介質(zhì)單獨(dú)地或者組合地消除或減輕了上述缺點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)。
因此提供了一種磁光記錄介質(zhì)，包括-用于支撐其它層的襯底層；-用于存儲(chǔ)信息的磁性存儲(chǔ)層；-磁性再現(xiàn)層，用于再現(xiàn)磁性存儲(chǔ)層的信息以讀取信息；-分隔層，夾在磁性存儲(chǔ)層和磁性再現(xiàn)層之間；以及-至少一層與磁性再現(xiàn)層相鄰的金屬層。
該額外金屬層提供了增強(qiáng)的熱消散特性以及增強(qiáng)的克爾效應(yīng)，并且因此提高了品質(zhì)因數(shù)(FOM)。此外，該額外的金屬層可使反射率增加，因而將更多的從再現(xiàn)層反射的光耦合到探測器中，并因此進(jìn)一步提高FOM。提高的FOM和熱消散允許使用功率更高且波長更短的激光，因此能使該介質(zhì)的數(shù)據(jù)密度增加。
位于存儲(chǔ)和再現(xiàn)層之間的分隔層可以是例如非金屬的或金屬的、非磁性的(例如，在AC-MAMMOS介質(zhì)的情況下)或磁性的(例如，在ZF-MAMMOS和DWDD介質(zhì)的情況下)。此外，該分隔層可以由單層或多層構(gòu)成。
根據(jù)本發(fā)明的第一特征，該至少一層金屬層之一夾在存儲(chǔ)層和再現(xiàn)層之間。這提供了熱消散、反射率增加以及克爾效應(yīng)改善的優(yōu)點(diǎn)。
根據(jù)本發(fā)明的第二特征，該至少一層金屬層之一在與磁性存儲(chǔ)層相反的方向上和再現(xiàn)層相鄰。類似地，這提供了熱消散、反射率以及克爾效應(yīng)增加的優(yōu)點(diǎn)。
根據(jù)本發(fā)明的第三特征，該磁光存儲(chǔ)介質(zhì)包括兩層金屬層，所述金屬層在磁性再現(xiàn)層各側(cè)上與該磁性再現(xiàn)層相鄰。通過將金屬層放置在再現(xiàn)層兩側(cè)上，增大了熱消散、反射率以及增強(qiáng)了克爾效應(yīng)。
根據(jù)本發(fā)明的第四特征，該磁光存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)一步包括夾在襯底和存儲(chǔ)層之間的反射層。該反射層提供了增加的反射率并將光耦合到存儲(chǔ)和再現(xiàn)層中。該層還可以輔助寫入或讀出聚焦產(chǎn)生的熱的消散。
根據(jù)本發(fā)明的第五特征，該反射層位于襯底層上；第一介電層位于反射層上；磁性存儲(chǔ)層位于第一介電層上；分隔層位于磁性存儲(chǔ)層上；金屬層位于分隔層上；磁性再現(xiàn)層位于金屬層上；第二介電層位于磁性再現(xiàn)層上；以及覆蓋層位于第二介電層上。這提供了具有高數(shù)據(jù)密度的高效磁光存儲(chǔ)介質(zhì)。尤其提供了一種磁光存儲(chǔ)介質(zhì)，其能被設(shè)計(jì)成具有適當(dāng)?shù)臋C(jī)械、熱學(xué)、磁性和光學(xué)特性，以允許高數(shù)據(jù)密度存儲(chǔ)。
根據(jù)本發(fā)明的第六特征，該反射層位于襯底層上；第一介電層位于該反射層上；磁性存儲(chǔ)層位于該第一介電層上；分隔層位于該磁性存儲(chǔ)層上；磁性再現(xiàn)層位于該分隔層上；金屬層位于該磁性再現(xiàn)層上；第二介電層位于該金屬層上；以及覆蓋層位于該第二介電層上。尤其提供了一種高效磁光存儲(chǔ)介質(zhì)，其能被設(shè)計(jì)成具有適當(dāng)?shù)臋C(jī)械、熱學(xué)、磁性和光學(xué)特性，以允許高數(shù)據(jù)密度存儲(chǔ)。
根據(jù)本發(fā)明的第七特征，該反射層位于襯底層上；第一介電層位于該反射層上；磁性存儲(chǔ)層位于該第一介電層上；分隔層位于該磁性存儲(chǔ)層上；兩個(gè)金屬層中的第一金屬層位于該分隔層上；磁性再現(xiàn)層位于該第一金屬層上；兩個(gè)金屬層中的第二金屬層位于該磁性再現(xiàn)層上；第二介電層位于該第二金屬層上；以及覆蓋層位于該第二介電層上。
根據(jù)本發(fā)明的第八特征，該至少一層金屬層的金屬包括過渡金屬。因此該金屬可以是過渡金屬或包含過渡金屬的合金。尤其是，包含這些金屬之一的薄層允許更多的熱傳導(dǎo)通過該層，并允許反射率增加。
根據(jù)本發(fā)明的第九特征，該至少一層金屬層的金屬包括選自以下組的金屬，該組包括Pt、Pd、Ta、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Cu、Ag、Au和W。特別是，這些金屬提供鄰接再現(xiàn)層的一個(gè)或幾個(gè)金屬原子層，以增強(qiáng)克爾效應(yīng)并因此進(jìn)一步提高FOM。
根據(jù)本發(fā)明的第十特征，該至少一層金屬層的厚度小于2nm。因此，優(yōu)選使用很薄的層，從而不顯著減弱存儲(chǔ)層和再現(xiàn)層之間的磁耦合或者光學(xué)或機(jī)械特性，并同時(shí)提供增加的熱消散、反射率和克爾效應(yīng)。
根據(jù)本發(fā)明的第十一特征，該分隔層是介電層。這提供了適當(dāng)?shù)膶?，以用于控制該磁光存?chǔ)介質(zhì)的疊層的光學(xué)特性。
根據(jù)本發(fā)明的第十二特征，該至少一層金屬層耦合到磁性再現(xiàn)層，使得該至少一層金屬層引起克爾旋轉(zhuǎn)增加。這提供的優(yōu)點(diǎn)是允許FOM增加，因此允許該磁光存儲(chǔ)介質(zhì)的數(shù)據(jù)密度增加。
根據(jù)本發(fā)明的第十三特征，該至少一層金屬層耦合到磁性再現(xiàn)層，以使該至少一層金屬層引起熱消散增加。這允許使用提高的激光功率，因而使得該磁光存儲(chǔ)介質(zhì)能夠具有更高的數(shù)據(jù)密度。此外，該層優(yōu)選提供了增加的克爾效應(yīng)以及由此改善了FOM。
根據(jù)本發(fā)明的第十四特征，該至少一層金屬層耦合到磁性再現(xiàn)層，以使該至少一層金屬層引起反射率增加。這提供的優(yōu)點(diǎn)是，增加了耦合到再現(xiàn)層中的光，因而改善了FOM，并因此能夠?qū)崿F(xiàn)更高的數(shù)據(jù)密度。
根據(jù)本發(fā)明的第十五特征，該磁光記錄介質(zhì)是疇膨脹介質(zhì)，例如磁放大磁光系統(tǒng)(MAMMOS)介質(zhì)或疇壁移動(dòng)檢測(DWDD)介質(zhì)。
通過下面結(jié)合實(shí)施例的闡述，本發(fā)明的這些和其它特征將變得明顯。
將僅通過示例的方式參照附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例，附圖中

圖1示出了典型MAMMOS介質(zhì)；以及圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁光介質(zhì)。
在下文中，將描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但是明顯的是本發(fā)明不限于此用途。特別是，描述了應(yīng)用于AC-MAMMOS介質(zhì)的優(yōu)選實(shí)施例，然而本發(fā)明同樣適用于所有疇膨脹介質(zhì)，包括例如ZF-MAMMOS和DWDD介質(zhì)。
圖1示出了典型MAMMOS介質(zhì)100。
所示出的介質(zhì)包括由聚碳酸酯介質(zhì)制成的襯底101。該襯底為其它各層提供了機(jī)械基底。在該襯底頂上放置了反射和導(dǎo)熱層103。該層執(zhí)行兩項(xiàng)功能在讀寫操作期間充當(dāng)光反射器；以及在這些操作期間輔助由激光產(chǎn)生的熱的消散。在本優(yōu)選實(shí)施例中，該反射導(dǎo)熱層103直接沉積在該襯底的頂上，并且由薄的鋁鉻(AlCr)薄膜制成。
在該反射導(dǎo)熱層103頂上是介電層105，該介電層105用于控制該疊層的光學(xué)特性，使得盡可能多的光耦合到存儲(chǔ)和再現(xiàn)層。在本優(yōu)選實(shí)施例中，該反射層是Si3N4(氮化硅)層。
介電層105頂上是磁性硬TbFeCo(鋱鐵鈷)存儲(chǔ)層107。該存儲(chǔ)層107中，信息存儲(chǔ)在磁性穩(wěn)定的且半永久性的疇中。每個(gè)疇或位的尺寸很小，長度在20-100nm的量級(jí)，從而在磁盤上獲得高密度的信息。典型地，當(dāng)前可以獲得數(shù)據(jù)密度達(dá)到20Gbit/in2，該數(shù)字有望在將來顯著增加。該存儲(chǔ)層很薄，通常在20nm的量級(jí)。
存儲(chǔ)層107之后是另一介電層109，該介電層109由Si3N4材料制成，且該介電層109頂上是再現(xiàn)層111，其靜磁地耦合到存儲(chǔ)層107，并通過提供膨脹磁疇促進(jìn)光學(xué)檢測來輔助讀取操作。在本優(yōu)選實(shí)施例中，該再現(xiàn)層111由磁性軟GdFeCo(釓鐵鈷)材料制成。該再現(xiàn)層因此比存儲(chǔ)層需要更低的磁場強(qiáng)度以產(chǎn)生磁疇。
再現(xiàn)層111頂上是第三介電層113，且該層之上是由丙烯酸類樹脂制成的覆蓋層，該覆蓋層為下面的層提供機(jī)械保護(hù)。
可以利用熱-磁寫入技術(shù)實(shí)現(xiàn)所述介質(zhì)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。特別是，通過聚焦的激光點(diǎn)將該存儲(chǔ)層加熱到居里溫度，然后在磁場下冷卻。然后“冷凍”被加熱區(qū)域的磁化，其方向平行于磁場方向。在冷卻階段施加的磁場的方向受到將要存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)位的數(shù)據(jù)值控制。這樣，就產(chǎn)生了磁疇，其磁場方向?qū)?yīng)于該位的數(shù)據(jù)值。
通過MAMMOS處理實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)介質(zhì)100的讀取，其中記錄層中的疇在低功率加熱激光和磁場的控制下在再現(xiàn)層中被放大。通過檢測磁化對入射激光的克爾旋轉(zhuǎn)的影響，光學(xué)讀取了再現(xiàn)層的放大疇的磁場方向。
為了提高性能，通過引入鄰接再現(xiàn)層的金屬層改進(jìn)了圖1的磁光盤。因此，金屬層優(yōu)選直接位于再現(xiàn)層下和/或上。
因此，圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的磁光介質(zhì)。
因此，在本優(yōu)選實(shí)施例中，該磁光介質(zhì)包括與圖1所述的相同的層，只是增加了直接鄰接再現(xiàn)層放置的一個(gè)或兩個(gè)額外的金屬層。因此，所述金屬層鄰接該再現(xiàn)層并尤其與再現(xiàn)層直接接觸。
因此，如圖所示，根據(jù)本實(shí)施例的磁光介質(zhì)200包括與介電層113相鄰的覆蓋層115，介電層113又與第一金屬層201相鄰。第一金屬層201直接與再現(xiàn)層111相鄰，再現(xiàn)層111又與第二金屬層203相接觸。其它的層與圖1的介質(zhì)相同，因此包括與第二金屬層203相鄰的介電層109。然后存儲(chǔ)層107之后是存儲(chǔ)層107，存儲(chǔ)層107與另一介電層105相鄰，介電層105又與襯底101上的反射導(dǎo)熱層103相鄰。
通過鄰接再現(xiàn)層放置金屬層，可以獲得很多優(yōu)點(diǎn)。特別是，這些金屬層提供了額外的熱分布，并因此充當(dāng)除了通過反射導(dǎo)熱層103獲得的熱分布之外的散熱器。這允許使用更高的讀回激光功率，因此允許更大的載波噪聲比(CNR)。
此外，額外的金屬層的引入使得較短波長下的克爾旋轉(zhuǎn)和橢圓率增加。期望至少對于Pt和Pd的情況，克爾效應(yīng)的增加部分是由金屬層的最初幾個(gè)原子層在與再現(xiàn)層的磁性材料鄰接放置時(shí)變成磁性極化的而引起的。增強(qiáng)的克爾效應(yīng)導(dǎo)致光學(xué)讀出信號(hào)的更強(qiáng)的變化。因此，獲得了增強(qiáng)的品質(zhì)因子(FOM)以及增加的CNR，并且由此對于相同的激光波長和功率產(chǎn)生了更少的誤差。
因此，通過增加激光功率以及增強(qiáng)克爾效應(yīng)補(bǔ)償了較短波長下FOM的降低，由此允許使用更短的激光波長。因此，對于藍(lán)色激光(大約405nm)，可獲得可接受的誤差性能。這允許光學(xué)檢測分辨更小的疇，因此使得磁光存儲(chǔ)介質(zhì)的數(shù)據(jù)密度增加。
優(yōu)選地，該磁光介質(zhì)包括在再現(xiàn)層各側(cè)上的金屬層，但是在其它實(shí)施例中，可以只包括這些金屬層中的一層。因此，特別是可以只包括位于再現(xiàn)層上與存儲(chǔ)層相對側(cè)上的金屬層。這使得入射光的反射率增加以及熱導(dǎo)率增加。
金屬層優(yōu)選包括過渡金屬，因?yàn)檎J(rèn)為這些金屬具有最適當(dāng)?shù)臋C(jī)械、光學(xué)和熱學(xué)特性。特別是，該金屬層優(yōu)選由鈀(Pd)和/或鉑(Pt)制成。這些金屬具有另外的優(yōu)點(diǎn)，即當(dāng)鄰接磁性材料放置時(shí)，頂部的幾個(gè)原子層可表現(xiàn)出磁性極化，由此增強(qiáng)了較短波長下的克爾效應(yīng)。
該金屬層優(yōu)選為薄的，且每層金屬層的厚度優(yōu)選小于2nm。這提供了適當(dāng)?shù)臒釋?dǎo)率并增強(qiáng)了克爾效應(yīng)，同時(shí)沒有顯著增加該介質(zhì)的總厚度或影響存儲(chǔ)和再現(xiàn)層之間的磁耦合。
此外，對于這種尺寸的金屬層厚度而言，該金屬層將增加讀回輻射從再現(xiàn)層的反射。這就減少了讀回激光到達(dá)存儲(chǔ)層并被該層吸收或反射的可能性。因此，也可以減少從存儲(chǔ)層讀出不想要的“鬼影”讀回信號(hào)(一種“印透”效應(yīng))的可能性。
在本優(yōu)選實(shí)施例中，介電層109沉積在存儲(chǔ)層和再現(xiàn)層之間。然而，其它實(shí)施例中可以使用具有其它特性的分隔層。因此，雖然介電層提供了對介質(zhì)光學(xué)特性的適當(dāng)控制，但也可使用其它材料，特別是，分隔層可以由例如金屬或其它磁性或非磁性材料制成。
在不同的實(shí)施例中，分隔層可以是磁性的或非磁性的分隔層。特別是，對于AC-MAMMOS介質(zhì)而言，優(yōu)選非磁性分隔層。對于DWDD介質(zhì)而言，分隔層優(yōu)選是磁性的，并且例如可以包括多達(dá)三個(gè)成份不同的疊層。對于ZF-MAMMOS介質(zhì)而言，分隔層優(yōu)選包括非磁性和磁性疊層。
可以理解，可以對本文中描述的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行修改，特別是，可以從該介質(zhì)中略去幾個(gè)所描述的層，也可以包含其它未描述的層，或者對所描述的層采用不同的順序。但是，該介質(zhì)要至少包含磁性存儲(chǔ)層和磁性再現(xiàn)層，這兩個(gè)磁性層之間某處有分隔層，以及至少一個(gè)與磁性再現(xiàn)層相鄰的金屬層。
可以理解，可以使用任何適當(dāng)?shù)姆椒▉碇圃煸摯殴饨橘|(zhì)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)知道多種適當(dāng)?shù)闹圃旆椒?，但是?yōu)選將該磁光介質(zhì)作為磁光盤制造，使用聚碳酸酯襯底并在隨后的步驟中分別濺射沉積剩余的層。
雖然已經(jīng)參照優(yōu)選實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是本發(fā)明并不意圖限制為本文中闡述的具體表現(xiàn)。本發(fā)明的范圍僅由所附的權(quán)利要求書進(jìn)行限定。
權(quán)利要求
1.一種磁光記錄介質(zhì)，包括-用于支撐其它層的襯底層；-用于存儲(chǔ)信息的磁性存儲(chǔ)層；-磁性再現(xiàn)層，用于再現(xiàn)磁性存儲(chǔ)層的信息以讀取該信息；-分隔層，夾在磁性存儲(chǔ)層和磁性再現(xiàn)層之間；以及-至少一層與磁性再現(xiàn)層相鄰的金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁光記錄介質(zhì)，其中至少一層金屬層之一夾在存儲(chǔ)層和再現(xiàn)層之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁光記錄介質(zhì)，其中至少一層金屬層之一在與磁性存儲(chǔ)層相反的方向上和再現(xiàn)層相鄰。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁光記錄介質(zhì)，其中該磁光存儲(chǔ)介質(zhì)包括兩層金屬層，分別在磁性再現(xiàn)層的每側(cè)上與該磁性再現(xiàn)層相鄰。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁光記錄介質(zhì)，進(jìn)一步包括夾在襯底和存儲(chǔ)層之間的反射層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁光記錄介質(zhì)，其中反射層位于襯底層上；第一介電層位于該反射層上；磁性存儲(chǔ)層位于該第一介電層上；分隔層位于該磁性存儲(chǔ)層上；金屬層位于該分隔層上；磁性再現(xiàn)層位于該金屬層上；第二介電層位于該磁性再現(xiàn)層上；以及覆蓋層位于該第二介電層上。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁光記錄介質(zhì)，其中反射層位于襯底層上；第一介電層位于該反射層上；磁性存儲(chǔ)層位于該第一介電層上；分隔層位于該磁性存儲(chǔ)層上；磁性再現(xiàn)層位于該分隔層上；金屬層位于該磁性再現(xiàn)層上；第二介電層位于該金屬層上；以及覆蓋層位于該第二介電層上。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁光記錄介質(zhì)，其中反射層位于襯底層上；第一介電層位于該反射層上；磁性存儲(chǔ)層位于該第一介電層上；分隔層位于該磁性存儲(chǔ)層上；兩個(gè)金屬層中的第一金屬層位于該分隔層上；磁性再現(xiàn)層位于該第一金屬層上；兩個(gè)金屬層中的第二金屬層位于該磁性再現(xiàn)層上；第二介電層位于該第二金屬層上；以及覆蓋層位于該第二介電層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁光記錄介質(zhì)，其中至少一層金屬層的金屬包括過渡金屬。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁光記錄介質(zhì)，其中至少一層金屬層的金屬包括選自以下組中的金屬，該組包括a.鉑b.鈀c.鉭d.鋯e.鈮f.鉬g.釕h.銠i.銅j.銀k.金l.鎢
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁光記錄介質(zhì)，其中該至少一層金屬層的厚度小于2nm。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁光記錄介質(zhì)，其中該分隔層是介電層。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁光記錄介質(zhì)，其中該至少一層金屬層耦合到磁性再現(xiàn)層，以使該至少一層金屬層引起克爾旋轉(zhuǎn)增加。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁光記錄介質(zhì)，其中該至少一層金屬層耦合到磁性再現(xiàn)層，以使該至少一層金屬層引起熱消散增加。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁光記錄介質(zhì)，其中該至少一層金屬層耦合到磁性再現(xiàn)層，以使該至少一層金屬層引起反射率增加。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁光記錄介質(zhì)，其中該磁光記錄介質(zhì)是疇膨脹介質(zhì)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁光記錄介質(zhì)，其中該磁光記錄介質(zhì)是磁放大磁光系統(tǒng)(MAMMOS)介質(zhì)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的磁光記錄介質(zhì)，其中該磁光記錄介質(zhì)是AC MAMMOS介質(zhì)。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的磁光記錄介質(zhì)，其中該磁光記錄介質(zhì)是ZF MAMMOS介質(zhì)。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的磁光記錄介質(zhì)，其中磁光記錄介質(zhì)是疇壁移動(dòng)檢測(DWDD)介質(zhì)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種磁光存儲(chǔ)介質(zhì)(200)，特別涉及疇膨脹存儲(chǔ)介質(zhì)。該介質(zhì)(200)包括用于長期存儲(chǔ)信息的磁存儲(chǔ)層(107)，以及磁性耦合到該層的磁性再現(xiàn)或讀出層(111)，其中在讀出期間可以產(chǎn)生增強(qiáng)的磁疇。磁性層(107、111)被非金屬的或金屬的、非磁性的或磁性的層(109)分隔開，并且至少一層金屬層(201、203)(例如鈀或鉑)與磁性再現(xiàn)層(111)相鄰放置。該金屬層(201、203)優(yōu)選位于磁性再現(xiàn)層(111)的每側(cè)上。(多個(gè))金屬層(201、203)提供增加的熱消散以及克爾效應(yīng)，并由此允許磁光存儲(chǔ)介質(zhì)(200)具有增加的數(shù)據(jù)密度。
文檔編號(hào)G11B11/105GK1682300SQ03822089
公開日2005年10月12日 申請日期2003年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月18日
發(fā)明者G·N·菲利普 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司