專利名稱：非易失性可變電阻器，存儲器件，及其定標法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及即使在電源斷電時也能保持其中的數(shù)據(jù)的非易失性可變電阻器，使用非易失性可變電阻器的存儲器件，以及非易失性可變電阻器的定標(scaling)方法。
背景技術(shù)：
在目前對其進行研究的非易失性存儲器中，大量的注意力集中在使用非易失性可變電阻器的存儲器件上，在每個非易失性可變電阻器中，如同在MRAM(磁致電阻隨機存取存儲器)或OUM(雙向通用存儲器)一樣，由于其高寫入耐久性和高速操作而電流中讀出電阻值(下文中，在某些情況下簡稱為“電阻”)中的差異。根據(jù)統(tǒng)計物理學，該存儲器具有在微觀構(gòu)造上沒有DRAM，快速擦寫存儲器和FeRAM(鐵電隨機存取存儲器)遇到的尺寸限制的優(yōu)點。
圖7是表示使用常規(guī)非易失性可變電阻器的存儲器件的示意圖。例如，在美國專利No.6,204,139 B1中公開了這種非易失性可變電阻器Rv。參考數(shù)字1表示第一電極，非易失性可變電阻主體2以薄膜的形式形成在第一電極1上，第二電極3形成在非易失性可變電阻主體2上，從而構(gòu)成非易失性可變電阻器Rv。非易失性可變電阻器Rv形成在具有絕緣特性的襯底9的表面。通過在具有這種結(jié)構(gòu)的非易失性可變電阻器Rv的第一電極1和第二電極3之間施加脈沖電源Vp，非易失性可變電阻器Rv作為即使在普通溫度下可操作的存儲元件(存儲器件)工作。已知的非易失性可變電阻主體2的例子包括鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的氧化錳，例如，Pr0.7Ca0.3MnO3。雖然非易失性可變電阻主體2的電阻值隨著向其施加的脈沖電壓而改變，非易失性可變電阻主體2具有即使在斷開電源時維持其電阻值的非易失性。大量非易失性可變器件Rv以矩陣的形式排列能夠使存儲器件形成在襯底9上。
圖8是表示電阻值相對于施加到圖7的存儲器件中的電壓脈沖而改變的方式的曲線圖。橫坐標表示施加的脈沖(施加的脈沖碼)數(shù)量，縱坐標表示電阻值(Ω)，其中施加的脈沖的電壓是2.9V，脈沖寬度是17ns，脈沖極性是正(+)或負(-)。例如，第一脈沖(施加的脈沖代碼1)為負，施加了第一脈沖后的電阻值從104改變(增加)到106。第二脈沖(施加的脈沖代碼2)為正，施加了第二脈沖后的電阻值從106改變(降低)到104?？蓪㈦娮璧倪@一差值(改變)作為與邏輯值1或0對應的邏輯信號存儲。由于在斷開電源時可保持該電阻值，該存儲器件可被用作非易失性的。
圖9和10是各表示使用常規(guī)非易失性可變電阻器的存儲器件中的示例存儲單元的電路圖。圖9示出了使用晶體管作為選擇器件的存儲單元，該選擇器件從在矩陣中排列的非易失性可變電阻器Rv中選擇一個電阻器(下文中稱該存儲單元為1T1R型存儲單元)，其中晶體管是由MOS晶體管5組成的。存儲單元由MOS晶體管5和非易失性可變電阻器Rv組成。圖10示出了使用二極管作為選擇器件的存儲單元，該選擇器件從在矩陣中排列的非易失性可變電阻器Rv中選擇一個電阻器(下文中稱該存儲單元為1D1R型存儲單元)。該存儲單元由二極管6和非易失性可變電阻器Rv組成。
在1T1R型存儲單元中，MOS晶體管5包括柵極，源極(源區(qū))和漏極(漏區(qū))。柵極連接到存儲器件的字線WL，源極和漏極分別連接到源極線SL和非易失性可變電阻器Rv的一端。非易失性可變電阻器Rv的另一端連接到位線BL。在圖10的1D1R型存儲器件中，二極管6的陽極連接到字線WL，其陰極連接到位線BL。
在1T1R型存儲器件中進行重寫(寫入或復位)的情況下，連接到要被選擇的存儲單元(下文稱之為所選單元)的柵極的字線WL上的電位首先升高，以使MOS晶體管5導通。然后，在所選單元的位線BL和源線SL之間施加電位差(電壓)，以便在非易失性可變電阻器Rv的第一電極1和第二電極3之間施加合適的電壓，并改變非易失性可變電阻主體2的電阻。
在此，將做出定義，以使，例如，升高電阻的操作為寫入，減小電阻的操作為復位(在下面的描述中采用該定義)。在寫入操作中，將正電壓脈沖施加到位線BL，而將源線SL驅(qū)動到地電位。在復位操作中，將位線BL驅(qū)動到地電位，而將正電壓脈沖施加到源線SL。就是說，由于在寫入和復位操作中，將相反的脈沖(不同極性的脈沖，正和負)施加到非易失性可變電阻器主體2，因此可改變電阻。
作為1T1R存儲單元中其它重寫方法中的一種，下面的方法同樣可供使用。在該方法中，在寫入操作中，與上面描述的寫入操作相同，將正電壓脈沖施加到位線BL，而將源線SL驅(qū)動到地電位。在復位操作中，將位線BL驅(qū)動到地電位，而使施加到源線SL的正電壓脈沖的電壓(幅度)比寫入操作中的小，并使其脈沖寬度比寫入操作中的寬。
雖然在1T1R存儲單元中進行讀取的情況下所應用的方法與進行重寫的情況下的方法基本相同，使施加到位線BL或源線SL的正電壓較小，從而防止讀取破壞。
在1D1R型存儲單元中進行重寫的情況下，所選單元的字線WL上的電位首先升高，同時將位線BL驅(qū)動到地電位。此時，在除所選單元外的存儲單元(下文稱該存儲單元為非選擇單元)中，將字線WL驅(qū)動到地電位，而將位線BL上的電位設(shè)置到正電位，以使二極管6起到整流作用，因此，不向非選擇單元施加電壓。使復位操作中的電壓脈沖的電壓(幅度)比寫入操作中的電壓脈沖的電壓小，并使其脈沖寬度比寫入操作中的寬。
在1D1R型存儲單元中，雖然在進行讀取操作情況下的方法與進行寫入操作情況下的方法基本相同，使施加到位線BL(或源線SL)上的電壓較小，從而防止讀取破壞。
圖11是常規(guī)1T1R型選擇單元的示意截面圖。應指出，圖中未示出指示一個截面的斜陰影線(在下面的描述中采用上面的內(nèi)容)。MOS晶體管5的漏極(漏區(qū))5d和源極(源區(qū))5s形成在由單晶硅或類似物制成的襯底10上。柵極5g形成在襯底10的表面上沉積的絕緣層11中與漏極5d和源極5s對應的位置。漏極5d借助通過絕緣層11的插頭7連接到絕緣層11的表面上形成的非易失性可變電阻Rv的第一電極1。
在第一電極1上進一步依次層疊非易失性可變電阻主體2和第二電極3，以構(gòu)成非易失性可變電阻Rv。就是說，構(gòu)成非易失性可變電阻Rv的第一電極1和第二電極3，以使第一和第二電極1和3在與襯底10表面相交的方向彼此面對。由絕緣層11上形成的絕緣層12保護非易失性可變電阻Rv，以使選擇單元的表面平面化。位線BL形成在絕緣層11的表面上，第二電極3連接到位線BL。要指出，柵極5g延伸并連接到字線WL，源極5s延伸并連接到源線SL。
圖12是常規(guī)1D1R型選擇單元的示意截面圖。與圖11相同的對應組成部分用與圖11中相同的標記表示，并且不再重復對其描述。應指出，圖中未示出襯底10。在字線WL和第一電極1之間形成包括半導體PN結(jié)的二極管6，二極管6的陽極6p連接到字線WL，其陰極6n連接到第一電極1。與圖11的情況相同，在第一電極1上依次層疊非易失性可變電阻主體2和第二電極3，以構(gòu)成非易失性可變電阻Rv。就是說，構(gòu)成非易失性可變電阻Rv的第一電極1和第二電極3，以使第一和第二電極1和3在與襯底10的表面相交的方向彼此面對。
在存儲器件，特別是許多存儲單元在矩陣中排列的半導體存儲器件(存儲芯片)中，根據(jù)定標規(guī)則對存儲單元進行定標(在尺寸上成比例地縮小)，以減小存儲單元平面上的投影面積，并達到更高的集成度，從而實現(xiàn)更大的容量(增加存儲容量)。雖然定標的表達在大多數(shù)情況下通常意味著尺寸按比例縮小，存在著該表達也用于尺寸按比例放大的情況(見第三實施例)。當需要表現(xiàn)他們之間的區(qū)別時，為此使用縮小定標或放大定標的表達。
由于在使用非易失性可變電阻器Rv的存儲器件中需要更大的容量，并且已經(jīng)研究了通過定標減小存儲單元的平面上的投影面積(特別是非易失性可變電阻主體的平面上的投影面積)。然而，由于在常規(guī)非易失性可變電阻的結(jié)構(gòu)中，如果通過定標減小非易失性可變電阻主體(第一電極和第二電極)的平面上的投影面積，電阻與投影面積的減小比成反比地增加，存在著下述的問題存儲單元中的時間常數(shù)(τ＝CR)增加以致減慢操作。
圖13A和13B是表示常規(guī)非易失性可變電阻中的定標方式的示意圖。圖13A是定標前非易失性可變電阻器Rv的透視圖，圖13B是以1/kX(k＞1)的放大率對圖13A中的非易失性可變電阻器Rv進行定標之后，非易失性可變電阻器Rv的透視圖。為了簡化起見，以相同的矩形形狀示出了第一電極1，非易失性可變電阻主體2和第二電極3的面積。定標前的尺寸是短邊的長度為a，長邊的長度為b，而定標后的尺寸是短邊的長度為a/k，長邊的長度為b/k。應該指出，對于進行定標的情況，非易失性可變電阻主體2的薄膜厚度是t/k，或?qū)τ谖催M行定標的情況，非易失性可變電阻主體2的薄膜厚度是t。
在定標前彼此面對的第一電極1和第二電極3的表面面積So是ab(短邊的長度為a×長邊的長度為b)。在定標后彼此面對的第一電極1和第二電極3的表面面積Ss是ab/k2(短邊的長度a/k×長邊的長度b/k)。如果非易失性可變電阻主體2的電阻率是ρ，定標前的電阻“Ro”在理論上是Ro＝ρt/ab。以同樣的方式可計算定標后的電阻“Rs”。就是說，在沒有對薄膜厚度t進行定標的情況下，Rs＝ρtk2/ab＝k2Ro，電阻比由該定標進行定標前增加了k2倍。在對薄膜厚度t進行定標的情況下，Rs＝ρtk/ab＝kRo，電阻比由該定標進行定標前增加了k倍。在對非易失性可變電阻主體2的薄膜厚度進行定標和沒有對非易失性可變電阻主體2的薄膜厚度t進行定標的任何一種情況下，非易失性可變電阻器Rv的電阻都不可避免地增加。
圖14A和14B是描繪伴隨非易失性可變電阻器的電阻增加而使特性減小的曲線。圖14A示出了在具有邊長為μm的正方形的形狀中包括彼此面對的第一和第二電極1和3的非易失性可變電阻器Rv的定標所伴隨的電阻的變化(增加)。圖14B示出了在與電阻增加對應的，作為參數(shù)的相應時間常數(shù)τ，位線BL上的電位的變化方式。
在圖14A中，橫坐標表示正方形一個邊a的長度(μm)，縱坐標表示在該邊a的長度電阻值，作為相對值。該曲線描繪了在以值100產(chǎn)生長度a＝1(在橫坐標標度上的1)的情況下，縱坐標上的讀數(shù)標準化后的電阻值。例如，在縮小在k＝5達到了O.2(μm)的情況下，如果沒有對薄膜厚度t進行定標，根據(jù)上面描述的計算公式，電阻值的數(shù)額達到定標前的k2倍的值，即2500。
在圖14B中，橫坐標代表時間(μs)，而縱坐標利用設(shè)置到100的位線BL上的電位的飽和值表示的相對電位。曲線T1的時間常數(shù)τ是10μs，曲線T2的時間常數(shù)τ是1μs，曲線T3的時間常數(shù)τ是100ns，曲線T4的時間常數(shù)τ是10ns。例如，在曲線T3中的情況下，電阻值100增加25倍(即電阻值達到2500)，按照簡單的計算，時間常數(shù)τ(＝CR)從100ns增加到2500ns(2.5μs)。就是說，曲線T3上的位線BL上的電位的變化是放慢曲線上電位的變化比曲線T2上的慢，導致存儲單元的操作速度降低。這樣，在常規(guī)非易失性可變電阻器Rv中出現(xiàn)了問題，伴隨著因定標增加電阻而使操作速度，特別是讀取速度降低。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題做出了本發(fā)明，本發(fā)明的一個目的是提供一種非易失性可變電阻器，其結(jié)構(gòu)能夠在進行定標以減小非易失性可變電阻器的平面上的投影面積的情況下抑制電阻的增加。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種包括在矩陣中排列的非易失性可變電阻器的存儲器件，其中即使在進行定標以減小非易失性可變電阻器的平面上的投影面積的情況下，通過采用各具有能夠抑制電阻增加的結(jié)構(gòu)的非易失性可變電阻器，即使進行定標也可以不降低操作速度。
本發(fā)明的再一個目的是提供一種在進行定標以減小非易失性可變電阻器的平面上的投影面積的情況下，能夠防止非易失性可變電阻器的電阻增加的非易失性可變電阻器的定標方法。
根據(jù)本發(fā)明，非易失性可變電阻器包括彼此面對并形成在襯底上的第一電極和第二電極；和形成在第一電極和第二電極之間的非易失性可變電阻主體，其中第一電極和第二電極在襯底表面的方向彼此面對。
在根據(jù)本發(fā)明的非易失性可變電阻器中，非易失性可變電阻主體形成在第一電極的外表面上，第二電極形成在非易失性可變電阻主體的外表面上。
在根據(jù)本發(fā)明的非易失性可變電阻器中，第一電極是圓柱形或棱形。
在根據(jù)本發(fā)明的非易失性可變電阻器中，非易失性可變電阻主體由鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的氧化錳制造。
在根據(jù)本發(fā)明的非易失性可變電阻器中，氧化錳是Pr(1-x)CaxMnO3，La(1-x)CaxMnO3和La(1-x-y)CaxPbyMnO3中的任何一種。在根據(jù)本發(fā)明的非易失性可變電阻器中，氧化錳是Pr0.7Ca0.3MnO3，La0.65Ca0.35MnO3和La0.65Ca0.175Pb0.175MnO3中的任何一種。
根據(jù)本發(fā)明，存儲器件具有排列在襯底上的矩陣中的存儲單元，每個存儲器件由非易失性可變電阻器和連接到非易失性可變電阻器，用于選擇非易失性可變電阻器的選擇器件構(gòu)成。
在根據(jù)本發(fā)明的存儲器件中，選擇器件從非易失性可變電阻器中選擇一個非易失性可變電阻器，以控制施加到非易失性可變電阻器之一的電流。
在根據(jù)本發(fā)明的存儲器件中，選擇器件是形成在襯底上的晶體管或二極管。
在根據(jù)本發(fā)明的存儲器件中，晶體管是MOS晶體管，MOS晶體管的漏極連接到第一電極。
在根據(jù)本發(fā)明的存儲器件中，二極管的陰極連接到第一電極。
在根據(jù)本發(fā)明的存儲器件中，存儲器件各具有連接到選擇器件的字線和連接到非易失性可變電阻器的位線，第二電極連接到位線。
根據(jù)本發(fā)明，包括在襯底的表面的方向彼此面對并形成在襯底上的第一電極和第二電極，和形成在第一電極和第二電極之間的非易失性可變電阻主體的非易失性可變電阻器的定標方法，包括步驟對第一電極的平面尺寸進行縮小定標；和對第一電極的高度進行放大定標。
在根據(jù)本發(fā)明的非易失性可變電阻器的定標方法中，以1/k倍(k＞1)的放大率進行縮小定標，而以k倍的放大率進行放大定標。
在本發(fā)明中，由于形成在襯底上的第一電極和第二電極在襯底表面的方向中彼此面對，在對非易失性可變電阻器進行定標，以減小其平面上的投影面積的情況下，可以抑制非易失性可變電阻器的電阻增加。特別是，由于非易失性可變電阻主體形成在第一電極的外表面上，第二電極形成在非易失性可變電阻主體的外表面上，易于對其進行布圖，能使非易失性可變電阻器適合于實現(xiàn)具有大容量的存儲器件。此外，由于非易失性可變電阻主體由鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的氧化錳制造，能夠獲得適合于存儲器件的其電阻具有穩(wěn)定變化的非易失性可變電阻器。
在本發(fā)明中，由于存儲單元由形成在襯底上的非易失性可變電阻器構(gòu)成，以使第一電極和第二電極在襯底表面的方向上彼此面對，可抑制非易失性可變電阻器的電阻增加，并且在對非易失性可變電阻器進行定標，以減小平面非易失性可變電阻器上的投影面積的情況下，不降低存儲器件的操作速度(存取時間)。特別是，在對1T1R型存儲單元或1D1R型的存儲單元中的非易失性可變電阻器進行定標，以減小平面非易失性可變電阻器上的投影面積的情況下，可抑制非易失性可變電阻器的電阻增加，并且不降低存儲器件的操作速度(存取時間)。
在本發(fā)明中，由于對非易失性可變電阻器進行縮小定標，以減小其平面上的投影面積的情況下對高度方向進行放大定標，因此可以使用能夠抑制其電阻增加的非易失性可變電阻器的定標方法。
從下面參考附圖所做的詳細描述中將更全面地顯現(xiàn)本發(fā)明的上述和進一步的目的和特征。


圖1A和1B是表示根據(jù)第一實施例的非易失性可變電阻器中的定標方式的示意圖；圖2是表示根據(jù)第一實施例在非易失性可變電阻器中可抑制因定標造成的電阻增加的示意圖；圖3是表示根據(jù)第一實施例在非易失性可變電阻器中可抑制因定標造成的電阻增加的示意圖；圖4A和4B是描繪根據(jù)第二實施例在存儲器件中的1T1R型存儲單元的結(jié)構(gòu)的示意圖；圖5A和5B是描繪根據(jù)第二實施例在存儲器件中的1D1R型存儲單元的結(jié)構(gòu)的示意圖；圖6A至6D是表示根據(jù)第三實施例的非易失性可變電阻器中的定標方式的示意圖；圖7是表示使用常規(guī)非易失性可變電阻器的存儲器件的概況示意圖；
圖8是表示相對于圖7的存儲器件中施加電壓脈沖，電阻值的變化方式的曲線圖；圖9是表示使用常規(guī)非易失性可變電阻器的存儲器件中的示例存儲單元的電路圖；圖10是表示使用常規(guī)非易失性可變電阻器的存儲器件中的示例存儲單元的電路圖；圖11是常規(guī)1T1R型存儲單元的示意截面圖；圖12是常規(guī)1D1R型存儲單元的示意截面圖；圖13A和13B是表示常規(guī)非易失性可變電阻器中定標方式的示意圖；圖14A和14B是描繪非易失性可變電阻器的電阻增加伴隨的特性變形的曲線圖。
具體實施例方式
根據(jù)下面給出實施例的附圖對本發(fā)明進行具體描述。
第一實施例圖1A和1B是表示根據(jù)第一實施例的非易失性可變電阻器中的定標方式的示意圖。圖1A是在進行定標前非易失性可變電阻器Rv的透視圖。圖1B是在以1/k(k＞1)的放大倍數(shù)對其進行定標后非易失性可變電阻器Rv的透視圖。在圖1A中，非易失性可變電阻器Rv形成有作為內(nèi)部電極的圓柱狀的第一電極1，圓柱的高度為h，半徑為r。圓柱狀的非易失性可變電阻主體2以薄膜厚度為t在第一電極1的外表面上形成一層，半徑為r+t的圓筒狀第二電極3作為外部電極形成在非易失性可變電阻主體2的外表面上，以面對第一電極1。
在圖1B中，當需要以1/k倍(k＞1)的放大率進行定標，以使第一電極1的半徑是r/k，其高度是h(未對高度方向進行定標)時，非易失性可變電阻器Rv采用新尺寸。當需要使薄膜厚度為t/k(當對薄膜厚度進行定標時)或薄膜厚度為t(當未對其進行定標時)時，非易失性可變電阻主體2采用新尺寸，當需要使半徑為[(r+t)/k](當向薄膜厚度t應用定標時)或使半徑為[(r/k)+t](當未對其進行定標時)時，第二電極3采用新尺寸，并且呈圓筒狀作為外部電極。應指出，在下面描述的電阻計算中，非易失性可變電阻主體2的電阻率近似為ρ。
在圖1A中，由于面對非易失性可變電阻主體2的第一電極1的表面積So是2πrh，薄膜厚度是t，在進行定標前，使用第一電極1的表面積So的電阻Ro近似為Ro＝ρt/2πrh。在圖1B中，進行定標后，面對非易失性可變電阻主體2的第一電極1的表面積Ss是2πrh/k。在不對薄膜厚度t進行定標的情況下進行定標后，電阻Rs是ρt/Ss＝ρtk/2πrh＝kRo。因此，在以1/k倍的放大率進行定標的情況下，定標后的電阻Rs與定標前的電阻Ro之比是k。與在常規(guī)非易失性可變電阻器Rv中進行定標的定標前的電阻值增加k2倍相比，本發(fā)明的非易失性可變電阻器Rv中進行的定標為定標前的電阻值的k倍，表明了在本發(fā)明中能夠抑制電阻增加。
對薄膜厚度t進行定標時的電阻Rs是(ρt/k)/Ss＝ρt/2πrh＝Ro。就是說，由以1/k倍的放大率進行定標所造成的電阻增加比Rs/Ro是1，沒有增加電阻。這表明可抑制電阻增加，很顯然，沒有與常規(guī)非易失性可變電阻器Rv中定標前增加k倍值相比。在與第一電極1的表面面積(So和Ss)的情況相同地減小面對非易失性可變電阻主體2的第二電極3的表面面積時，由于利用第一電極1的表面面積近似地計算電阻，未描述表面面積的詳細計算。
非易失性可變電阻器Rv形成在襯底(未示出)上，第一電極1第二電極3形成在該襯底上以便在襯底表面的方向彼此面對。在進行定標以減小具有如上所述三維結(jié)構(gòu)的非易失性可變電阻器Rv的非易失性可變電阻器Rv的平面上的投影面積的情況下，可抑制非易失性可變電阻器Rv的電阻增加。就是說，不出現(xiàn)常規(guī)技術(shù)中發(fā)生的因定標而造成第一電極1的表面積減小而伴隨的電阻增加的情況。應指出，利用根據(jù)第一實施例的非易失性可變電阻器Rv，在存儲器件(存儲單元)中，可以實現(xiàn)具有大容量，并且不出現(xiàn)因定標而造成操作速度降低的存儲器件。
利用第一電極1作為內(nèi)部電極，在第一電極1的外表面上形成非易失性可變電阻主體2，并進一步在非易失性可變電阻主體2的外表面上形成第二電極3，確實可以減小所占據(jù)的襯底的平面上的投影面積。就是說，由于采用了非易失性可變電阻主體2包圍第一電極1的外表面，第二電極3包圍非易失性可變電阻主體2的外表面的結(jié)構(gòu)，第一電極1的平面上的投影面積的減小直接表明了非易失性可變電阻器的投影面積的減小。例如，幾乎占據(jù)非易失性可變電阻器Rv的整個體積的第一電極1的面積在定標前是πr2，而在以1k倍的放大率定標后，該面積減小到r2/k2。
通過在第一電極1的外表面上布置非易失性可變電阻主體2，并在非易失性可變電阻主體2的外表面上布置第二電極3，在其制造過程中易于布圖，并且也易于掩模定位，從而能夠?qū)崿F(xiàn)以更高的密度布圖。在上面的實施例中，雖然第一電極1呈圓柱狀，第二電極3呈圓筒狀，這樣使布圖更易于以棱柱的形狀形成第一電極1，從而能夠?qū)崿F(xiàn)更高的密度。應指出，雖然優(yōu)選圓柱或棱柱結(jié)構(gòu)的第一電極1以便于布圖，該結(jié)構(gòu)不限于此，可以使用任何與此類似的三維形狀(例如，棒)。很顯然，可相應于第一電極的形狀適當?shù)馗淖兎且资钥勺冸娮柚黧w2和第二電極3的形狀。
應指出，在本發(fā)明中，已使用鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的氧化錳作為非易失性可變電阻主體2。特別是，作為氧化錳，可使用由表現(xiàn)出穩(wěn)定的和良好的存儲特性的(伴隨脈沖的施加而產(chǎn)生電阻變化)Pr(1-x)CaxMnO3，La(1-x)CaxMnO3和La(1-x-y)CaxPbyMnO3表示的任何一種材料。更具體地講，是各表現(xiàn)出良好的存儲特性的Pr0.7Ca0.3MnO3，La0.65Ca0.35MnO3和La0.65Ca0.175Pb0.175MnO3中的任何一種。通過濺射并利用光刻在上面形成圖案來形成非易失性可變電阻主體2的薄膜。
通過使用鉑或銥作為目標，并利用光刻形成圖案來形成第一電極1和第二電極3的薄膜。通過采用使第一電極1的半徑r在約0.1至約0.3μm的范圍，其高度h在約0.5至約1μm的范圍，非易失性可變電阻主體2的薄膜厚度在約100至約300nm的范圍的尺寸來達到所需的電阻值。
圖2是表示在根據(jù)第一實施例的非易失性可變電阻器中能夠抑制因定標造成的電阻增加的示意圖。該圖示出了以1/k倍(k＞1)的放大率對非易失性可變電阻器Rv進行定標的情況。該圖示出了不對非易失性可變電阻主體2的薄膜厚度t進行定標的情況下電阻的變化方式。該圖另外示出了與由定標造成的電阻變化相比，常規(guī)結(jié)構(gòu)的非易失性可變電阻器Rv中的電阻變化途徑?；居嬎惴椒?近似法)如圖1A和1B所述。所示的結(jié)構(gòu)包括第一電極1為圓柱和棱柱兩種情況，其中，為了簡化起見，該圖僅示出了第一電極1和非易失性可變電阻主體2，而未示出第二電極3。
假設(shè)第一電極1是圓柱狀的情況，在定標前半徑是r，高度是h，在定標后半徑是r/k，高度是h。進一步假設(shè)在同樣情況下，在第一電極1的外表面上圓筒式地形成的非易失性可變電阻主體2的薄膜厚度在定標之前和之后同樣是t。如圖1A和1B所述，定標造成電阻增加，并且定標后的電阻Rs與定標前的電阻Ro之比Rs/Ro取k。另一方面，常規(guī)結(jié)構(gòu)中的Rs/Ro是k2(見圖13A和13B)。就是說，可將圓柱結(jié)構(gòu)的非易失性可變電阻器Rv的定標中增加的電阻抑制到常規(guī)結(jié)構(gòu)的值的1/k倍。
假設(shè)第一電極1是棱柱的情況，定標前，邊長的總長度是2(a+b)，高度是h，定標后，邊長的總長度是2(a+b)/k，高度是h。進一步假設(shè)在相同的情況下，在第一電極1的外表面上的框架中形成的非易失性可變電阻主體2的薄膜厚度是t，在定標前和定標后相同。因此，在定標前，由于第一電極1的表面積So是2(a+b)h，薄膜厚度是t，使用第一電極1的表面積So近似計算的電阻Ro是Ro＝ρt/2(a+b)h。定標后，由于第一電極1的表面積Ss是2(a+b)h/k，薄膜厚度是t，使用第一電極1的表面積Ss近似計算的電阻Rs是Rs＝ρtk/2(a+b)h＝kRo。
因此，在進行定標的情況下，定標后的電阻Rs與定標前的電阻Ro之比Rs/Ro是k。另一方面，常規(guī)結(jié)構(gòu)的Rs/Ro之比是如上所述的k2。就是說，可將棱柱結(jié)構(gòu)的非易失性可變電阻器Rv的定標中增加的電阻抑制到常規(guī)結(jié)構(gòu)的值的1/k倍，與圓柱狀的非易失性可變電阻器Rv的情況相同。
圖3是表示在根據(jù)第一實施例的非易失性可變電阻器中能夠抑制因定標造成的電阻增加的示意圖。該圖示出了以1/k倍(k＞1)的放大率對非易失性可變電阻器Rv進行定標的情況。在圖3中，示出了還對非易失性可變電阻主體2的薄膜厚度t進行定標的情況下電阻的變化方式。應指出，該圖另外示出了與由定標造成的電阻變化相比，常規(guī)結(jié)構(gòu)的非易失性可變電阻器Rv中的電阻變化途徑?；居嬎惴椒?近似法)如圖1A和1B所述。所示的結(jié)構(gòu)包括第一電極1為圓柱和棱柱兩種情況，其中，為了簡化描述，該圖僅示出了第一電極1和非易失性可變電阻主體2，而未示出第二電極3。
假設(shè)第一電極1是圓柱狀的情況，在定標前半徑是r，高度是h，在定標后半徑是r/k，高度是h，與圖2的圓柱情況相同。進一步假設(shè)在同樣情況下，在第一電極1的外表面上圓筒式地形成的非易失性可變電阻主體2的薄膜厚度在定標之前是t，而在定標之后是t/k。增加的電阻如圖1A和1B所述，并且定標后的電阻Rs與定標前的電阻Ro之比Rs/Ro取1，電阻沒有增加。另一方面，常規(guī)結(jié)構(gòu)中的Rs/Ro之比是k(見圖13A和13B)。就是說，可將圓柱結(jié)構(gòu)的非易失性可變電阻器Rv的定標中增加的電阻抑制到常規(guī)結(jié)構(gòu)的值的1/k倍。
假設(shè)第一電極1是棱柱的情況，定標前，邊長的總長度是2(a+b)，高度是h，定標后，邊長的總長度是2(a+b)/k，高度是h，與圖2的棱柱的情況相同。進一步假設(shè)在相同的情況下，在第一電極1的外表面上的框架中形成的非易失性可變電阻主體2的薄膜厚度在定標前是t，在定標后是t/k。在定標前，由于第一電極1的表面積So是2(a+b)h/k，薄膜厚度是t，使用第一電極1的表面積So近似計算的電阻Ro是Ro＝ρt/2(a+b)h，與圖2的情況相同。定標后，由于第一電極1的表面積Ss是2(a+b)h/k，薄膜厚度是t/k，使用第一電極1的表面積Ss近似計算的電阻Rs是Rs＝(ρt/k)Ss＝(ρt/k)/[2(a+b)h/k]＝ρt/2(a+b)h＝Ro。
因此，在應用定標的情況下，定標后的電阻Rs與定標前的電阻Ro之比Rs/Ro是1，沒有出現(xiàn)因定標造成電阻增加。另一方面，常規(guī)結(jié)構(gòu)的Rs/Ro之比是如上所述的k。就是說，可將棱柱結(jié)構(gòu)的非易失性可變電阻器Rv的定標中增加的電阻抑制到常規(guī)結(jié)構(gòu)的值的1/k倍，與圓柱狀的非易失性可變電阻器Rv的情況類似。
應指出，也可對薄膜厚度t進行圖3所示的定標情況，定標后的薄膜厚度t/k足夠厚，伴隨薄膜厚度的減小而不降低非易失性可變電阻主體2的薄膜質(zhì)量，并且在第一電極1和第二電極3之間不出現(xiàn)短路的危險是絕對必要的條件。就是說，僅需要對受要形成的非易失性可變電阻主體2的薄膜厚度影響的特性進行正確的評估，以確定是否應該進行定標。
第二實施例圖4A和4B是表示根據(jù)第二實施例的存儲器件中的1T1R型存儲單元的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中示出了使用晶體管(MOS晶體管5)作為用于選擇非易失性可變電阻器Rv的選擇器件的1T1R型存儲單元。圖4A示出了示意平面圖，圖4B示出了沿圖4A的B-B線的截面圖。MOS晶體管5的漏極5d和源極5s形成在由單晶硅或類似材料制成的襯底10上。在襯底10的表面上形成的絕緣層11中與漏極5d和源極5s對應的位置形成柵極5g。絕緣層11例如由氧化硅薄膜制成，柵極5g由例如多晶硅，高熔點金屬或類似材料制成。漏極5d連接到非易失性可變電阻器Rv的第一電極1。
第一電極1以圓柱狀形成在絕緣層11的表面上作為內(nèi)部電極。在絕緣層11的表面上，非易失性可變電阻器Rv以圓筒狀在第一電極1的外表面上形成一層，第二電極3以圓筒狀形成在非易失性可變電阻主體2的外表面上與第一電極1面對，作為外部電極。絕緣層11的表面上形成位線BL，第二電極3連接到位線BL。柵極5g延伸并連接到字線WL，源極5s延伸并連接到源線SL。
1T1R型存儲單元由MOS晶體管5和非易失性可變電阻器Rv構(gòu)成，其電路配置與常規(guī)的電路配置相同(見圖9和11)?？砂凑掌胀ǖ陌雽w制造工藝或?qū)ζ溥M行的改進來制造MOS晶體管5和非易失性可變電阻器Rv。1T1R型存儲單元(MOS晶體管5和非易失性可變電阻器Rv)排列在襯底10上的矩陣中，以形成根據(jù)本發(fā)明的存儲器件。
在對1T1R型存儲單元進行定標以減小非易失性可變電阻器Rv的平面上的投影面積，從而達到大容量的情況下，由于可抑制非易失性可變電阻器Rv的電阻增加，因此可實現(xiàn)具有大容量，且不降低操作速度的(存取時間)的存儲器件。由于作為外部電極的第二電極3連接到位線，易于進行布圖，并可獲得大容量而不犧牲集成度。
在進行重寫(寫入或復位)的情況下，首先升高連接到所選擇的存儲單元(下文稱之為所選單元)的柵極5g的字線WL上的電位，接通MOS晶體管5。在所選單元的位線BL和源線SL之間產(chǎn)生電位差(電壓)，從而在非易失性可變電阻器Rv的第一電極1和第二電極3之間施加合適的電壓，以改變非易失性可變電阻器Rv的電阻。例如，在寫入操作中，將正電壓脈沖(例如，5V)施加到位線BL，同時將源線SL驅(qū)動到地電位(0V)。就是說，將第一電極1的電位設(shè)置到0V，而將第二電極3的電位設(shè)置到5V，從而能夠使非易失性可變電阻主體2的電阻升高(寫入操作)。在復位操作中，將位線BL驅(qū)動到地電位(0V)，而將正電壓脈沖(例如，5V)施加到源線SL。
就是說，由于在寫入和復位操作中向非易失性可變電阻主體2施加相反的脈沖(不同極性的脈沖，正和負)，可降低非易失性可變電阻器Rv的電阻(復位操作)。應指出，在復位的情況下，施加與寫入操作中相同極性(正)的，但比寫入操作具有更小幅度(例如，2至3V)和更寬的脈沖寬度的電壓脈沖，以相同的方式進行復位操作。應指出，應根據(jù)非易失性可變電阻主體2的形狀(薄膜厚度t)，材料等適當?shù)卣{(diào)節(jié)施加的電壓脈沖的值(電壓值)，在一般情況下，從減小功耗的觀點來看，電壓值的等級最好在2至3V或以上，和5V以下，對此沒有限制。
雖然進行讀取的方法與重寫的情況基本相同，向位線BL或源線SL施加更小的正電壓(例如1V)，以防止讀取破壞。
圖5A和5B是表示根據(jù)第二實施例的存儲器件中的1D1R型存儲單元的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中示出了使用二極管6作為用于選擇非易失性可變電阻器Rv的選擇器件的1D1R型存儲單元。圖5A示出了示意平面圖，圖5B示出了沿圖5A的B-B線的截面圖。與圖4A和4B中相同的對應部件用與圖4A和4B相同的符號表示，并不再重復對其描述。應指出，圖中未示出襯底10。在襯底10的表面上形成的絕緣層11上形成例如由多晶硅制成的位線WL，包括半導體PN結(jié)的二極管6形成在字線WL上。
二極管的陽極6p(P+)連接到字線WL，其陰極6n(N+)連接到第一電極1。第一電極1以圓柱狀形成絕緣層11的表面上作為內(nèi)部電極。在絕緣層11的表面上，非易失性可變電阻主體2以圓筒狀在第一電極1的外表面上形成一層，第二電極3以圓筒狀形成在非易失性可變電阻主體2的外表面上與第一電極1面對，作為外部電極。位線BL形成在絕緣層11的表面上，第二電極3連接到位線BL。
1D1R型存儲單元由二極管6和非易失性可變電阻器Rv構(gòu)成，其電路配置與常規(guī)的電路配置相同(見圖10和12)?？砂凑掌胀ǖ陌雽w制造工藝或?qū)ζ溥M行的改進來制造二極管6和非易失性可變電阻器Rv。1D1R型存儲單元(各包括二極管6和非易失性可變電阻器Rv)排列在襯底10上的矩陣中，以形成根據(jù)本發(fā)明的存儲器件。在對1T1R型存儲單元進行定標以減小非易失性可變電阻器Rv的平面上的投影面積，從而達到大容量的情況下，由于可抑制非易失性可變電阻器Rv的電阻增加，因此可實現(xiàn)具有大容量，且不降低操作速度的(存取時間)的存儲器件。由于作為外部電極的第二電極3連接到位線，易于進行布圖，并可獲得大容量而不犧牲集成度。
在進行重寫(寫入或復位)的情況下，升高連接到所選單元的字線WL上的電位，同時將所選單元的位線BL驅(qū)動到地電位，以便在所選單元的字線WL和位線BL之間產(chǎn)生電位差，并由此在非易失性可變電阻器Rv的第一電極1和第二電極3之間施加合適的電壓，并改變非易失性可變電阻主體2的電阻。例如，在寫入操作中，將正電壓脈沖(例如，5V)施加到字線WL，同時將位線BL驅(qū)動到地電位(0V)。就是說，將第一電極1的電位設(shè)置到5V，而將第二電極3的電位設(shè)置到0V，從而能夠使非易失性可變電阻主體2的電阻升高(寫入操作)。
應指出，除了所選單元，在存儲單元中(下文稱存儲單元為非所選單元)，將字線WL上的電位設(shè)置到地電位，而將位線BL上的電位設(shè)置到正電位(與施加到所選單元的字線WL上的電位相同的電位，例如5V)，從而使二極管6的整流作用工作，以便將電壓施加到非所選單元。在復位操作中，通過施加與寫入操作中相同極性的，比寫入操作具有更小幅度(例如，2至3V)，比寫入操作具有更寬的脈沖寬度的電壓，可減小非易失性可變電阻主體2的電阻(復位操作)。
進行讀取操作的情況下的過程和工作與進行重寫操作的情況下過程和工作基本相同，在讀取操作中，使施加到位線BL(或源線SL)上的正電壓更小(例如，1V)，以防止發(fā)生讀取破壞。
第三實施例圖6A至6D是表示根據(jù)第三實施例的非易失性可變電阻器中的定標方式的示意圖。圖6A是定標前的非易失性可變電阻器Rv(圓柱結(jié)構(gòu))示意平面圖，圖6B示出了沿圖6A徑向線的截面圖。圖6C是以1/k倍(k＞1)的放大率對圖6A的非易失性可變電阻器Rv進行定標后的非易失性可變電阻器Rv的平面圖，圖6D是沿圖6C徑向線的截面圖。
與第一和第二實施例的情況相同，第一電極1形成為圓柱狀，非易失性可變電阻主體2以圓筒狀形成在第一電極1的外表面上，第二電極3以圓筒狀形成在非易失性可變電阻主體2的外表面上作為外部電極，以便面對第一電極1。應指出，在第三實施例中，以k倍的放大率對高度方向進行定標(就是說，對高度進行放大定標，而對平面進行普通縮小定標)。
在圖6A和6B中，如果第一電極1的半徑是r，周長則是2πr，高度是h；因此，面對非易失性可變電阻主體2的第一電極1的表面積So是2πrh。使用第一電極1的表面積So定標前的電阻Ro近似為Ro＝ρt/2πrh，其中t是非易失性可變電阻主體2的薄膜厚度。另一方面，在圖6A至6D中，面對非易失性可變電阻主體2的第一電極1的表面積Ss是(2πr/k)×(hk)＝2πrh，表面積Ss在定標后沒有改變。就是說，與常規(guī)技術(shù)中的情況不同，定標沒有造成第一電極1的表面積減小。
由于在以相同的方式進行定標后，非易失性可變電阻主體2的薄膜厚度t變?yōu)楸∧ず穸萾/k，第一電極1的電阻Rs使用其表面積Ss定標后近似于Rs＝(ρt/k)/Ss＝(ρt/k)/2πrh＝ρt/2πrhk＝Ro/k。就是說，定標后的電阻Rs與定標前的電阻Ro之比Rs/Ro是1/k，從而不僅能防止因定標造成電阻增加，而且達到了因定標使電阻減小。由于在沒有對非易失性可變電阻主體2的薄膜厚度t進行定標的情況下非易失性可變電阻主體2的薄膜厚度t沒有改變，是t，因此，使用第一電極1的表面積Ss定標后的電阻Rs近似為Rs＝ρt/2πrh＝Ro。就是說，定標后的電阻Rs與定標前的電阻Ro之比Rs/Ro是1，從而能夠以與第一實施例相同的方式(圖3)防止因定標造成的電阻增加。
應指出，雖然以1/k倍(k＞1)的放大率對第一電極1的平面尺寸進行了縮小定標，以k倍(k＞1)的放大率對第一電極的高度進行了放大定標，定標常數(shù)(在對平面尺寸進行縮小定標中是1/k，在對高度尺寸進行放大定標中是k)不必是用作互為倒數(shù)，無需指出，可以是適當?shù)牟煌?。例如，可以是在縮小定標中將放大率設(shè)置為1/2倍(k＝2)，在放大定標中將放大率設(shè)置為1.5倍(k＝1.5)或2.5倍(k＝2.5)。
在根據(jù)第三實施例的非易失性可變電阻器的定標方法中，由于在縮小第一電極1的平面上的投影面積的情況下可防止第一電極1的表面積Ss增加，因此能夠防止非易失性可變電阻器Rv的電阻增加，或能夠進行減小電阻的定標。就是說，不會象常規(guī)技術(shù)中出現(xiàn)的那樣，在縮小第一電極1的表面積的定標中伴隨著出現(xiàn)電阻增加的情況。因此，通過對第二實施例的存儲器件(存儲單元)應用根據(jù)第三實施例的非易失性可變電阻器的定標方法，能夠?qū)崿F(xiàn)具有大容量，且不降低操作速度的存儲器件。
在本發(fā)明中，在對非易失性可變電阻器的平面上的投影面積進行縮小定標的情況下，可實現(xiàn)抑制因定標造成電阻增加的非易失性可變電阻器。
在本發(fā)明中，由于在對構(gòu)成存儲單元的非易失性可變電阻器進行定標以減小存儲單元的平面上的投影面積的情況下，可抑制因定標造成非易失性可變電阻器的電阻增加，因此，可以實現(xiàn)具有大容量，且不出現(xiàn)操作速度(存取時間)降低的存儲器件。
在本發(fā)明中，在進行縮小定標以減小非易失性可變電阻器的平面上的投影面積的情況下，通過對高度方向進行放大定標可實現(xiàn)能夠抑制因定標造成電阻增加的非易失性可變電阻器的定標方法。
由于在不脫離本發(fā)明實質(zhì)特性的精神的情況下可以以多種形式實施本發(fā)明，給出的實施例只是說明性的，而非限制性的，由于本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求限定，而不是由前面的描述來限定，該權(quán)利要求包括落入權(quán)利要求的邊界和范圍內(nèi)的所有變化，或其邊界和范圍的等同物中。
權(quán)利要求
1.一種非易失性可變電阻器，包括彼此面對并形成在襯底上的第一電極和第二電極；和形成在第一電極和第二電極之間的非易失性可變電阻主體，其特征在于第一電極和第二電極在襯底表面的方向彼此面對。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性可變電阻器，其中非易失性可變電阻主體形成在第一電極的外表面上，第二電極形成在非易失性可變電阻主體的外表面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非易失性可變電阻器，其中第一電極是圓柱形或棱形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的非易失性可變電阻器，其中非易失性可變電阻主體由鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的氧化錳制造。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的非易失性可變電阻器，其中氧化錳是Pr(1-x)CaxMnO3，La(1-x)CaxMnO3和La(1-x-y)CaxPbyMnO3中的任何一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的非易失性可變電阻器，其中氧化錳是Pr0.7Ca0.3MnO3，La0.65Ca0.35MnO3和La0.65Ca0.175Pb0.175MnO3中的任何一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性可變電阻器，其中第一電極是圓柱形或棱形。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的非易失性可變電阻器，其中非易失性可變電阻主體由鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的氧化錳制造。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的非易失性可變電阻器，其中氧化錳是Pr(1-x)CaxMnO3，La(1-x)CaxMnO3和La(1-x-y)CaxPbyMnO3中的任何一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的非易失性可變電阻器，其中氧化錳是Pr0.7Ca0.3MnO3，La0.65Ca0.35MnO3和La0.65Ca0.175Pb0.175MnO3中的任何一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性可變電阻器，其中非易失性可變電阻主體由鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的氧化錳制造。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的非易失性可變電阻器，其中氧化錳是Pr(1-x)CaxMnO3，La(1-x)CaxMnO3和La(1-x-y)CaxPbyMnO3中的任何一種。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的非易失性可變電阻器，其中氧化錳是Pr0.7Ca0.3MnO3，La0.65Ca0.35MnO3和La0.65Ca0.175Pb0.175MnO3中的任何一種。
14.一種具有排列在襯底上的矩陣中的存儲單元的存儲器件，每個存儲單元由非易失性可變電阻器和連接到非易失性可變電阻器，用于選擇非易失性可變電阻器的選擇器件構(gòu)成，其特征在于非易失性可變電阻器包括在襯底表面的方向中彼此面對的并形成在襯底上的第一電極和第二電極；和形成在第一電極和第二電極之間的非易失性可變電阻主體。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的存儲器件，其中非易失性可變電阻主體形成在第一電極的外表面上，第二電極形成在非易失性可變電阻主體的外表面上。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲器件，其中第一電極是圓柱形或棱形。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的存儲器件，其中非易失性可變電阻主體由鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的氧化錳制造。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲器件，其中氧化錳是Pr(1-x)CaxMnO3，La(1-x)CaxMnO3和La(1-x-y)CaxPbyMnO3中的任何一種。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的存儲器件，其中選擇器件從非易失性可變電阻器中選擇一個非易失性可變電阻器，以控制施加到非易失性可變電阻器之一的電流。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的存儲器件，其中選擇器件是形成在襯底上的晶體管或二極管。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的存儲器件，其中晶體管是MOS晶體管，MOS晶體管的漏極連接到第一電極。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的存儲器件，其中二極管的陰極連接到第一電極。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的存儲器件，其中存儲器件各具有連接到選擇器件的字線和連接到非易失性可變電阻器的位線，第二電極連接到位線。
24.根據(jù)權(quán)利要求14所述的存儲器件，其中存儲器件各具有連接到選擇器件的字線和連接到非易失性可變電阻器的位線，第二電極連接到位線。
25.一種非易失性可變電阻器的定標方法，該非易失性可變電阻器包括在襯底表面的方向中彼此面對的并形成在襯底上的第一電極和第二電極，和形成在第一電極和第二電極之間的非易失性可變電阻主體，該方法包括步驟對第一電極的平面尺寸進行縮小定標；和對第一電極的高度尺寸進行放大定標。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的非易失性可變電阻器的定標方法，其中以1/k倍(k＞1)的放大率進行縮小定標，而以k倍的放大率進行放大定標。
全文摘要
提供一種具有在進行定標以減小平面上的投影面積的情況下抑制電阻增加的結(jié)構(gòu)的非易失性可變電阻器，使用非易失性可變電阻器的存儲器件，和非易失性可變電阻器的定標方法。形成在襯底上的第一電極和第二電極在襯底表面的方向中彼此面對。第一電極用作內(nèi)部電極，非易失性可變電阻主體形成在第一電極的外表面上，第二電極作為外部電極形成在非易失性可變電阻主體的外表面上。
文檔編號G11C13/00GK1499522SQ20031011560
公開日2004年5月26日 申請日期2003年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月8日
發(fā)明者田尻雅之 申請人:夏普株式會社