專(zhuān)利名稱(chēng)：具有延遲自動(dòng)預(yù)充電功能的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其相關(guān)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，更具體地說(shuō)，涉及具有自動(dòng)預(yù)充電能力的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)，通常將位線充電到預(yù)定電壓(例如Vcc/2)，以便從/向存儲(chǔ)單元讀或?qū)懶畔⒒蛘哧P(guān)閉已激活的存儲(chǔ)單元(memory cell)的存儲(chǔ)體(bank)。在這些器件中，在打開(kāi)已激活存儲(chǔ)體的新行之前，應(yīng)該通過(guò)預(yù)充電功能或自動(dòng)預(yù)充電指令來(lái)對(duì)已激活的存儲(chǔ)體進(jìn)行預(yù)充電。例如，雙倍數(shù)據(jù)速率的同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DDR SDRAM)的讀寫(xiě)指令，通常根據(jù)列地址選通脈沖(/CAS)信號(hào)的定時(shí)，通過(guò)接收特定地址信號(hào)(如列地址A10)在一個(gè)脈沖讀周期或?qū)懼芷趦?nèi)自動(dòng)對(duì)存儲(chǔ)單元的已激活的存儲(chǔ)體進(jìn)行預(yù)充電。當(dāng)輸入讀或?qū)懼噶顣r(shí)，如果列地址A10被設(shè)置為高電平，則開(kāi)始自動(dòng)預(yù)充電操作。除了預(yù)充電操作在讀脈沖包(burst packet)結(jié)束之前開(kāi)始于列地址選通脈沖(/CAS)信號(hào)的時(shí)鐘周期的脈沖前沿之外，以與普通讀指令相同的模式執(zhí)行指定到自動(dòng)預(yù)充電操作的讀指令。自動(dòng)預(yù)充電操作也能由寫(xiě)指令激活。直到脈沖寫(xiě)序列內(nèi)包含的所有數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)陣列(memoryarray)時(shí)，自動(dòng)預(yù)充電操作才開(kāi)始。通過(guò)阻止預(yù)充電操作干擾脈沖操作，對(duì)啟動(dòng)自動(dòng)預(yù)充電操作的上述控制會(huì)增強(qiáng)器件的不對(duì)稱(chēng)性能。
圖1A是一個(gè)時(shí)序圖，該圖示出不具有自動(dòng)預(yù)充電能力的DDR DRAM器件的常規(guī)讀操作。為了便于說(shuō)明該器件是如何工作的，假定DDR DRAM以10個(gè)時(shí)鐘周期(10*tCK)的行周期時(shí)間tRC、3個(gè)時(shí)鐘周期(3*tCK)的/RAS-to-CAS延遲時(shí)間tRCD和2個(gè)時(shí)鐘周期(2*tCK)的CAS等待時(shí)間(CL)進(jìn)行操作。另外，還假定DDR DRAM的存儲(chǔ)單元陣列被分成4個(gè)存儲(chǔ)體。在圖1A中，A0-A3代表第一到第四激活行指令(active row command)，R0-R3代表第一到第四讀指令，P0-P3代表給該器件的4個(gè)相應(yīng)存儲(chǔ)體的第一到第四預(yù)充電指令。
參考圖1A，在時(shí)鐘周期T0時(shí)輸入第一激活行指令A(yù)0。經(jīng)過(guò)tRCD后在時(shí)鐘周期T3時(shí)輸入讀指令R0。在時(shí)鐘周期T2時(shí)輸入第二激活行指令A(yù)1，接著經(jīng)過(guò)tRCD后在時(shí)鐘周期T5時(shí)輸入與第二激活行指令A(yù)1相對(duì)應(yīng)的第二讀指令R1。在時(shí)鐘周期T4時(shí)輸入第三激活行指令A(yù)2，接著經(jīng)過(guò)tRCD后在時(shí)鐘周期T7時(shí)輸入相應(yīng)的第三讀指令R2。在時(shí)鐘周期T6時(shí)輸入第四激活行指令A(yù)3，接著經(jīng)過(guò)tRCD后在時(shí)鐘周期T9時(shí)輸入相應(yīng)的第四激活讀指令R3。
再如圖1A所示，從輸入第一讀指令R0的時(shí)鐘周期(即時(shí)鐘周期T3)開(kāi)始經(jīng)過(guò)兩個(gè)時(shí)鐘周期(對(duì)應(yīng)于CL＝2)之后，在時(shí)鐘周期T5時(shí)將第一數(shù)據(jù)位Q0輸出到數(shù)據(jù)輸入/輸出(I/O)信號(hào)線DQ。從輸入第二讀指令R1的時(shí)鐘周期開(kāi)始經(jīng)過(guò)兩個(gè)時(shí)鐘周期(對(duì)應(yīng)于CL＝2)之后，在時(shí)鐘周期T7時(shí)輸出第二數(shù)據(jù)位Q1。同樣，從輸入第三讀指令R2的時(shí)鐘周期T7開(kāi)始經(jīng)過(guò)兩個(gè)時(shí)鐘周期(對(duì)應(yīng)CL＝2)之后，在時(shí)鐘周期T9時(shí)輸出第三數(shù)據(jù)位Q2，并且從輸入第四讀指令R3的時(shí)鐘周期T9開(kāi)始經(jīng)過(guò)兩個(gè)時(shí)鐘周期(對(duì)應(yīng)CL＝2)之后，在時(shí)鐘周期T11時(shí)輸出第四數(shù)據(jù)位Q3。
在行周期時(shí)間tRC結(jié)束后，在時(shí)鐘周期T10時(shí)再次輸入第一激活行指令A(yù)0。如果時(shí)鐘周期T0時(shí)的第一激活行指令A(yù)0的列地址與時(shí)鐘周期T10時(shí)的第一激活行指令的列地址不同，就會(huì)在時(shí)鐘周期T10時(shí)接收到第一激活行指令A(yù)0之前施加第一預(yù)充電指令P0。在圖1A中，在時(shí)鐘周期T8時(shí)輸入第一預(yù)充電指令P0。同樣，如果在時(shí)鐘周期T2時(shí)輸入的第二激活行指令A(yù)1的列地址與在時(shí)鐘周期T14時(shí)輸入的第二激活行指令A(yù)1的列地址不同，就在接收到第二行指令A(yù)1之前于時(shí)鐘周期T11時(shí)輸入第二預(yù)充電指令P1。
如上所述，不具有自動(dòng)預(yù)充電能力的DDR DRAM的常規(guī)讀操作，使用激活行讀預(yù)充電指令。正如圖1A所示，這會(huì)導(dǎo)致時(shí)鐘周期T13-T14和T17-T18期間的空周期，在這期間不會(huì)通過(guò)存儲(chǔ)系統(tǒng)的總線傳送數(shù)據(jù)。這些空周期通常會(huì)降低器件的傳輸效率。
已經(jīng)采用自動(dòng)預(yù)充電指令解決了這個(gè)效率問(wèn)題。具體地說(shuō)，包含自動(dòng)預(yù)充電功能或能力的讀指令(以下稱(chēng)為自動(dòng)預(yù)充電讀指令或“RA”)或者包含自動(dòng)預(yù)充電能力的寫(xiě)指令(WA)，可以用來(lái)在讀寫(xiě)操作完成之后執(zhí)行預(yù)充電操作，而不需要單獨(dú)的預(yù)充電指令。圖1B是時(shí)序圖，該圖示出了具有這種自動(dòng)預(yù)充電能力的常規(guī)DDR DRAM的讀操作。
正如圖1B所示，在時(shí)鐘周期T0時(shí)輸入第一激活行指令A(yù)0，然后經(jīng)過(guò)tRCD后在時(shí)鐘周期T3時(shí)輸入第一自動(dòng)預(yù)充電讀指令RA0。在時(shí)鐘周期T2時(shí)輸入第二激活行指令A(yù)1，然后經(jīng)過(guò)tRCD后在時(shí)鐘周期T5時(shí)輸入第二自動(dòng)預(yù)充電讀指令RA1。在時(shí)鐘周期T4時(shí)輸入第三激活行指令A(yù)2，然后經(jīng)過(guò)tRCD后在時(shí)鐘周期T7時(shí)輸入第三自動(dòng)預(yù)充電讀指令RA2。在時(shí)鐘周期T6時(shí)輸入第四激活行指令A(yù)3，然后經(jīng)過(guò)tRCD后在時(shí)鐘周期T9時(shí)輸入第四自動(dòng)預(yù)充電讀指令RA3。從輸入第一自動(dòng)預(yù)充電讀指令RA0的時(shí)鐘周期T3開(kāi)始經(jīng)過(guò)兩個(gè)時(shí)鐘周期(對(duì)應(yīng)于CL＝2)之后，在時(shí)鐘周期T5時(shí)將第一數(shù)據(jù)位Q0輸出到數(shù)據(jù)I/O信號(hào)線DQ。同樣，在輸入第二自動(dòng)預(yù)充電讀指令RA1的時(shí)鐘周期T5之后經(jīng)過(guò)兩個(gè)時(shí)鐘周期，在時(shí)鐘周期T7時(shí)輸出第二數(shù)據(jù)位Q1。在輸入第三自動(dòng)預(yù)充電讀指令RA2的時(shí)鐘周期T7之后經(jīng)過(guò)兩個(gè)時(shí)鐘周期，在時(shí)鐘周期T9時(shí)輸出第三數(shù)據(jù)位Q2。在輸入第四自動(dòng)預(yù)充電讀指令RA3的時(shí)鐘周期T9之后經(jīng)過(guò)兩個(gè)時(shí)鐘周期，在時(shí)鐘周期T11時(shí)輸出第四數(shù)據(jù)位Q3。
在時(shí)鐘周期T3時(shí)，由第一自動(dòng)預(yù)充電讀指令RA0對(duì)相應(yīng)的存儲(chǔ)體進(jìn)行預(yù)充電。這允許無(wú)需在時(shí)鐘周期T10輸入第一激活行指令A(yù)0之前輸入額外的預(yù)充電指令的情況下操作半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。對(duì)比圖1A和圖1B可以清楚地看出，這種方式可以提高數(shù)據(jù)總線的效率。然而，由于在讀寫(xiě)操作完成之后自動(dòng)關(guān)閉打開(kāi)的行(即由激活行指令讀取的所有單元)，在使用自動(dòng)預(yù)充電讀或?qū)懼噶顣r(shí)，依然存在低效率情形。于是，為了能夠在若干時(shí)鐘周期之后存取相同的行，應(yīng)該再次激活該激活行指令。由于行一般不可用于進(jìn)行頁(yè)面模式(page mode)操作，所述頁(yè)面模式操作不需要另外的激活行指令來(lái)存取前一個(gè)被讀取的行，因此會(huì)延長(zhǎng)存儲(chǔ)器中的等待時(shí)間，降低存儲(chǔ)器件的性能效率。
對(duì)典型的數(shù)據(jù)處理程序的分析表明，對(duì)于連續(xù)讀寫(xiě)操作的串，具有集中于存儲(chǔ)器件的局部區(qū)域的趨勢(shì)。發(fā)生這種情況是因?yàn)楹芏嘤?jì)算機(jī)程序使用大量以順序步驟執(zhí)行的循環(huán)程序和子程序。因此，在許多情況下，要在讀寫(xiě)操作期間存取的存儲(chǔ)單元將包含前一個(gè)已存取的存儲(chǔ)單元或與前一個(gè)已存取的存儲(chǔ)單元局部相鄰的存儲(chǔ)單元。頁(yè)面模式操作將緩存理論應(yīng)用到DRAM器件的操作中。DRAM器件的頁(yè)面被定義為由一個(gè)激活行指令同時(shí)選擇的單元的數(shù)量。頁(yè)面的大小可以被計(jì)算為2行地址位*I/O位。例如，在DRAM器件有10個(gè)行地址位和8個(gè)數(shù)據(jù)針的情況下，則頁(yè)面大小(或容量)為210*8＝8192位。因此，當(dāng)存取8192位頁(yè)面之內(nèi)的特定存儲(chǔ)單元時(shí)，下一個(gè)存取的存儲(chǔ)單元也可能是相應(yīng)于8192位之內(nèi)的單元的另一個(gè)存儲(chǔ)單元。當(dāng)將頁(yè)面模式用于讀寫(xiě)操作時(shí)，由激活行指令打開(kāi)的頁(yè)面通常保持打開(kāi)狀態(tài)而不進(jìn)行預(yù)充電。如果讀寫(xiě)操作的下一個(gè)地址是已經(jīng)打開(kāi)的頁(yè)面之內(nèi)的地址，不需要另外的激活行指令就能執(zhí)行讀寫(xiě)操作。因此，使用頁(yè)面模式有助于提高存儲(chǔ)器件的操作性能。然而，當(dāng)傳統(tǒng)的DRAM采用如圖1B所示的具有頁(yè)面模式的自動(dòng)預(yù)充電功能時(shí)，由于在讀寫(xiě)操作完成之后可能關(guān)閉所打開(kāi)的頁(yè)面，頁(yè)面模式操作可能是不可用的。

發(fā)明內(nèi)容
提供一種給半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中的存儲(chǔ)體預(yù)充電的方法，其中半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件接收包含自動(dòng)預(yù)充電功能的指令。所接收的指令可能與讀取存儲(chǔ)在存儲(chǔ)體的特定行中的數(shù)據(jù)有關(guān)。響應(yīng)于所接收的指令，啟動(dòng)定時(shí)器，當(dāng)定時(shí)器達(dá)到預(yù)定值時(shí)，存儲(chǔ)體自動(dòng)預(yù)充電。如果在定時(shí)器達(dá)到預(yù)定值之前，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件接收到與存儲(chǔ)在該存儲(chǔ)體的特定行中的其他數(shù)據(jù)相關(guān)的第二指令，就復(fù)位該定時(shí)器?；蛘?，如果在定時(shí)器達(dá)到預(yù)定值之前，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件接收到與存儲(chǔ)在該存儲(chǔ)體的不同行中的數(shù)據(jù)相關(guān)的第二指令，就發(fā)出預(yù)充電指令。另外，在與該指令相關(guān)的操作完成后，存儲(chǔ)體的特定行保持打開(kāi)狀態(tài)一段時(shí)間，以及在使用頁(yè)面模式操作的第一讀操作完成后，可以執(zhí)行第二操作。
根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例，提供一種從半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件讀取數(shù)據(jù)的方法，其中由半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件接收包含自動(dòng)預(yù)充電功能的讀指令。響應(yīng)于讀指令，從半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中單元的第一存儲(chǔ)體中的單元讀取第一數(shù)據(jù)位，并且響應(yīng)于隨后的第二讀指令，使用頁(yè)面模式操作從單元的第一存儲(chǔ)體中的第二單元讀取第二數(shù)據(jù)位。響應(yīng)于接收第一讀指令，啟動(dòng)定時(shí)器來(lái)測(cè)量自動(dòng)預(yù)充電的延遲周期。
根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例，提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件具有以行和列排列的存儲(chǔ)單元陣列和預(yù)充電控制電路，預(yù)充電控制電路被構(gòu)造成在激活預(yù)充電功能的指令被輸入到半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件之后經(jīng)過(guò)預(yù)定時(shí)間向存儲(chǔ)單元陣列發(fā)出預(yù)充電控制信號(hào)。這種器件的預(yù)充電控制電路還包含至少一個(gè)定時(shí)器，并且當(dāng)定時(shí)器達(dá)到預(yù)定延遲時(shí)間時(shí)，預(yù)充電控制電路向存儲(chǔ)單元陣列發(fā)出自動(dòng)預(yù)充電控制信號(hào)。


圖1A是示出DDR DRAM中不包含自動(dòng)預(yù)充電功能的常規(guī)讀操作的時(shí)序圖；圖1B是示出DDR DRAM中包含自動(dòng)預(yù)充電功能的常規(guī)讀操作的時(shí)序圖；圖2是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明幾個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的方框圖；圖3是說(shuō)明如圖2所示的存儲(chǔ)器件的功能結(jié)構(gòu)的方框圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明幾個(gè)實(shí)施例的部分存儲(chǔ)單元陣列的電路圖，包括由預(yù)充電信號(hào)啟動(dòng)的位線預(yù)充電電路；圖5A是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明幾個(gè)實(shí)施例的包含自動(dòng)預(yù)充電指令的讀操作的時(shí)序圖；圖5B是示出根據(jù)本發(fā)明幾個(gè)實(shí)施例的讀操作的時(shí)序圖，其中在存儲(chǔ)體打開(kāi)時(shí)輸入存取存儲(chǔ)體的指令。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述本發(fā)明，附圖中示出本發(fā)明的典型實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以多種不同的形式體現(xiàn)，而不應(yīng)該被認(rèn)為僅僅局限于本文闡述的實(shí)施例。確切地說(shuō)，提供這些實(shí)施例是為了使公開(kāi)徹底、完整，并且使這種公開(kāi)能夠全面地向本領(lǐng)域技術(shù)人員說(shuō)明本發(fā)明的范圍。相同的標(biāo)號(hào)始終表示相同的要素。
根據(jù)本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施例，提供能夠在使用自動(dòng)預(yù)充電指令的同時(shí)執(zhí)行頁(yè)面模式操作的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。出于說(shuō)明性的目的，下面將關(guān)于DRAM器件描述根據(jù)本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的操作，其中DRAM器件被分成4個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)體。當(dāng)發(fā)出讀寫(xiě)指令時(shí)，如果特定地址位(如地址位A10)被設(shè)置為高電平，則DRAM執(zhí)行自動(dòng)預(yù)充電功能。然而，即使輸入帶有自動(dòng)預(yù)充電功能的讀或?qū)懼噶?，DRAM器件也不會(huì)在完成讀或?qū)懖僮髦罅⒓磮?zhí)行自動(dòng)預(yù)充電操作，而是在經(jīng)過(guò)預(yù)定延遲時(shí)間之后才執(zhí)行自動(dòng)預(yù)充電功能。因此，該器件可以同時(shí)使用自動(dòng)預(yù)充電讀或?qū)懼噶詈晚?yè)面模式操作。
圖2是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的方框圖。參考圖2，存儲(chǔ)系統(tǒng)包含存儲(chǔ)器控制器100和存儲(chǔ)器件200。存儲(chǔ)器控制器100通過(guò)來(lái)自外部處理器的地址信號(hào)ADDR、數(shù)據(jù)信號(hào)DATA、指令CMD和時(shí)鐘信號(hào)CLK來(lái)操作存儲(chǔ)器件200。存儲(chǔ)器控制器100包含定時(shí)器111-114和寄存器121-124。
圖3示出存儲(chǔ)器件200的示例性結(jié)構(gòu)。如圖3所示，存儲(chǔ)器件200包含地址寄存器210、存儲(chǔ)體選擇器215、行譯碼器220、存儲(chǔ)單元陣列230、讀出放大器235、數(shù)據(jù)I/O緩沖器240、指令譯碼器250、預(yù)充電控制器260、列譯碼器270、程序寄存器280和定時(shí)寄存器290。
圖3中所示的存儲(chǔ)單元陣列230被分成BANK0、BANK1、BANK2、BANK3四個(gè)存儲(chǔ)體，每個(gè)存儲(chǔ)體包含以行與列排列的存儲(chǔ)單元。地址寄存器210存儲(chǔ)地址信號(hào)A0-An和存儲(chǔ)體地址信號(hào)BA0及BA1，所有這些信號(hào)由存儲(chǔ)器控制器100提供。存儲(chǔ)體選擇器215通過(guò)產(chǎn)生用于選擇四個(gè)存儲(chǔ)體BANK0到BANK3之一的存儲(chǔ)體選擇信號(hào)，來(lái)響應(yīng)存儲(chǔ)在地址寄存器210中的存儲(chǔ)體地址信號(hào)BA0和BA1。行譯碼器220基于存儲(chǔ)在地址寄存器210中的地址信號(hào)A0-An來(lái)解碼行地址，以便產(chǎn)生行選擇信號(hào)，用于指定由存儲(chǔ)體選擇器215選擇的存儲(chǔ)體的行。列譯碼器270從存儲(chǔ)在地址寄存器210中的地址信號(hào)A0-An譯碼列地址，以便產(chǎn)生列選擇信號(hào)，用于指定存儲(chǔ)單元陣列230的列。
讀出放大器235檢測(cè)存儲(chǔ)在由行譯碼器220和列譯碼器270選擇的存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)。從陣列230的所選存儲(chǔ)單元讀出的數(shù)據(jù)位，通過(guò)I/O緩沖器240被傳送到數(shù)據(jù)線DQ。通過(guò)數(shù)據(jù)線DQ接收到的數(shù)據(jù)位，通過(guò)I/O緩沖器240被寫(xiě)到存儲(chǔ)單元陣列的所選單元中。
基于應(yīng)用于定時(shí)寄存器290的控制信號(hào)CLK、CKE、/CS、/RAS、/CAS和/WE，指令譯碼器250產(chǎn)生控制信號(hào)AP和NP。程序寄存器(或模式寄存器組(mode register set，MRS)電路)280通過(guò)邏輯組合應(yīng)用于定時(shí)寄存器290的控制信號(hào)，來(lái)存儲(chǔ)用于決定存儲(chǔ)器件200各種操作模式的信息。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，程序寄存器280存儲(chǔ)定時(shí)信息，該定時(shí)信息指定何時(shí)產(chǎn)生帶有自動(dòng)預(yù)充電功能的讀或?qū)懼噶?。定時(shí)信息用來(lái)確定延遲時(shí)間，在該延遲時(shí)間之后，預(yù)充電操作會(huì)隨著激活行指令的輸入而被啟動(dòng)。
預(yù)充電控制器260包含定時(shí)器261-264，并響應(yīng)于指令譯碼器250提供的控制信號(hào)AP和NP以及存儲(chǔ)在程序寄存器280中的預(yù)充電定時(shí)信息。預(yù)充電控制器260響應(yīng)于上述輸入信號(hào)，激活預(yù)充電控制信號(hào)BLP0、BLP1、BLP2和BLP3之一，以便對(duì)由存儲(chǔ)體選擇器215所選擇的存儲(chǔ)體BANK0-BANK3之一進(jìn)行預(yù)充電。
本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施例中的存儲(chǔ)器件200可以有兩種預(yù)充電操作模式。第一種是普通預(yù)充電模式，該模式根據(jù)存儲(chǔ)器控制器100提供的預(yù)充電指令來(lái)執(zhí)行；第二種是自動(dòng)預(yù)充電模式，該模式使用包含自動(dòng)預(yù)充電功能的讀或?qū)懼噶顏?lái)執(zhí)行。在普通預(yù)充電模式中，當(dāng)處于時(shí)鐘信號(hào)CK的脈沖前沿的情況下，控制信號(hào)/CS、RAS和/WE是低電平而控制信號(hào)/CAS是高電平時(shí)，指令譯碼器250輸出普通預(yù)充電信號(hào)NP。該預(yù)充電指令用來(lái)在普通預(yù)充電模式下給每個(gè)存儲(chǔ)體進(jìn)行獨(dú)立預(yù)充電或給所有存儲(chǔ)體同時(shí)進(jìn)行預(yù)充電。地址信號(hào)A10以及存儲(chǔ)體地址信號(hào)BA0和BA1用于指定當(dāng)發(fā)出預(yù)充電指令時(shí)對(duì)哪一個(gè)存儲(chǔ)體進(jìn)行預(yù)充電。表1示出在地址信號(hào)A10和存儲(chǔ)體地址信號(hào)BA0及BA1的各種可能組合的情況下哪些存儲(chǔ)體被預(yù)充電。
表1

如表1所示，當(dāng)激活普通預(yù)充電信號(hào)NP時(shí)，根據(jù)來(lái)自于存儲(chǔ)體選擇器215的存儲(chǔ)體選擇信號(hào)BA0和BA1以及地址信號(hào)A10的不同組合，預(yù)充電控制器260激活預(yù)充電控制信號(hào)BLP0-BLP3中的一個(gè)或全部四個(gè)。
圖4說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明幾個(gè)實(shí)施例的一部分存儲(chǔ)單元陣列230以及基于預(yù)充電控制信號(hào)給位線充電的操作。如圖4所示，存儲(chǔ)單元陣列230的所說(shuō)明部分包含DRAM存儲(chǔ)單元，該DRAM存儲(chǔ)單元包含晶體管T1和電容器C1。晶體管T1的柵極與字線WL相連，晶體管T1的漏極與位線BL或/BL相連。電容器C1連接在晶體管T1和地線之間。存儲(chǔ)單元陣列230還包含預(yù)充電電路231，該電路包含NMOS晶體管M1、M2和M3。預(yù)充電晶體管M1連接在預(yù)充電電壓VBLP和位線/BL之間，晶體管M1的柵極與預(yù)充電控制信號(hào)BLP相連。均衡晶體管M3連接在位線/BL和BL之間，晶體管M3的柵極與預(yù)充電控制信號(hào)BLP相連。當(dāng)預(yù)充電控制信號(hào)BLP被激活到高電平時(shí)，位線/BL和BL由預(yù)充電晶體管M1和M2預(yù)充電到預(yù)充電電壓VBLP，并且由均衡晶體管M3進(jìn)行電壓均衡。預(yù)充電電壓VBLP可以是例如Vcc/2。
當(dāng)隔離信號(hào)BISL被激活到高電平時(shí)，隔離晶體管M4和M5斷開(kāi)位線/BL、BL和讀出放大器235之間的連接。讀出放大器235檢測(cè)位線/BL和BL之間的電壓差值。門(mén)晶體管M6和M7分別連接在位線/BL、BL和數(shù)據(jù)線/DB、DB之間。門(mén)晶體管M6和M7的柵極與行選擇信號(hào)CDi相連。在讀模式下，當(dāng)門(mén)晶體管M6和M7被行選擇信號(hào)Cdi斷開(kāi)時(shí)，由讀出放大器235讀取的數(shù)據(jù)被分別加載到數(shù)據(jù)線/DB和DB上。在寫(xiě)模式下，數(shù)據(jù)線/DB和DB上的數(shù)據(jù)通過(guò)位線/BL和BL被寫(xiě)到存儲(chǔ)單元中。
再次參考圖3，來(lái)進(jìn)一步闡述自動(dòng)預(yù)充電模式。當(dāng)通過(guò)定時(shí)寄存器290施加激活行指令的控制信號(hào)時(shí)，地址信號(hào)A0-An以及存儲(chǔ)體地址信號(hào)BA0和BA1被存儲(chǔ)在地址寄存器210中。存儲(chǔ)體選擇器215選擇與存儲(chǔ)在地址寄存器210中的地址相對(duì)應(yīng)的特定存儲(chǔ)體的特定行。如果地址信號(hào)A10被設(shè)置為低電平，當(dāng)輸入讀或?qū)懼噶畹目刂菩盘?hào)時(shí)，執(zhí)行普通的讀或?qū)懖僮鳎鎯?chǔ)體保持激活低電平狀態(tài)。如果地址信號(hào)A10設(shè)置為高電平，指令譯碼器250激活自動(dòng)預(yù)充電控制信號(hào)AP。通常以與執(zhí)行常規(guī)讀或?qū)懖僮飨嗤姆绞絹?lái)執(zhí)行讀或?qū)懖僮?。然而，自?dòng)預(yù)充電功能開(kāi)始執(zhí)行的時(shí)間被延遲，例如直到完成普通的讀或?qū)懖僮鳌?br> 預(yù)充電控制器260包含四個(gè)定時(shí)器261-264，它們分別對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)體BANK0-BANK3。當(dāng)激活自動(dòng)預(yù)充電信號(hào)AP時(shí)，預(yù)充電控制器260將與存儲(chǔ)體選擇器215施加的存儲(chǔ)體選擇信號(hào)相對(duì)應(yīng)的定時(shí)器復(fù)位。例如，當(dāng)存儲(chǔ)體選擇器215產(chǎn)生選擇存儲(chǔ)體BANK0的選擇信號(hào)時(shí)，定時(shí)器261被復(fù)位；當(dāng)產(chǎn)生選擇存儲(chǔ)體BANK1的選擇信號(hào)時(shí)，定時(shí)器262被復(fù)位；當(dāng)產(chǎn)生選擇存儲(chǔ)體BANK2的選擇信號(hào)時(shí)，定時(shí)器263被復(fù)位；當(dāng)產(chǎn)生選擇存儲(chǔ)體BANK3的選擇信號(hào)時(shí)，定時(shí)器264被復(fù)位。
如上所述，當(dāng)施加包含自動(dòng)預(yù)充電功能的讀或?qū)懼噶顣r(shí)，程序寄存器280存儲(chǔ)定時(shí)信息。定時(shí)信息指定輸入激活行指令之后給存儲(chǔ)單元預(yù)充電之前的延遲。因此，實(shí)際上存儲(chǔ)在程序寄存器280中的定時(shí)信息，可能是預(yù)充電延遲時(shí)間tAP減去輸入激活行指令與產(chǎn)生自動(dòng)預(yù)充電控制信號(hào)AP之間的間隔時(shí)間。
預(yù)充電控制器260監(jiān)測(cè)定時(shí)器261-264的時(shí)間值，產(chǎn)生用于給存儲(chǔ)體預(yù)充電的預(yù)充電控制信號(hào)，該存儲(chǔ)體相應(yīng)于達(dá)到程序寄存器280所指定的預(yù)定時(shí)間的定時(shí)器。
現(xiàn)在參考圖5A，說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明幾個(gè)實(shí)施例的帶有自動(dòng)預(yù)充電功能的讀指令的示例性操作。在圖5A中，每個(gè)第一到第四激活行指令A(yù)0、A1、A2、A3，每個(gè)第一到第四帶有自動(dòng)預(yù)充電功能的讀指令RA0、RA1、RA2、RA3以及每個(gè)第一到第四預(yù)充電指令P0、P1、P2、P3，都分別與四個(gè)存儲(chǔ)體之一相對(duì)應(yīng)。
如圖5A所示，在時(shí)鐘周期T0時(shí)輸入第一激活行指令A(yù)0，然后經(jīng)過(guò)tRCD后在時(shí)鐘周期T3時(shí)輸入帶有自動(dòng)預(yù)充電功能的第一讀指令RA0。在時(shí)鐘周期T2時(shí)輸入第二激活行指令A(yù)1，經(jīng)過(guò)tRCD后在時(shí)鐘周期T5時(shí)輸入帶有自動(dòng)預(yù)充電功能的第二讀指令RA1。在時(shí)鐘周期T4時(shí)輸入第三激活行指令A(yù)2，經(jīng)過(guò)tRCD后在時(shí)鐘周期T7時(shí)輸入帶有自動(dòng)預(yù)充電功能的第三讀指令RA2。在時(shí)鐘周期T6時(shí)輸入第四激活行指令A(yù)3，經(jīng)過(guò)tRCD后在時(shí)鐘周期T9時(shí)輸入帶有自動(dòng)預(yù)充電功能的第四讀指令RA3。在輸入第一讀指令RA0之后經(jīng)過(guò)兩個(gè)時(shí)鐘周期(對(duì)應(yīng)于CL＝2)，在時(shí)鐘周期T5時(shí)將第一數(shù)據(jù)位Q0輸出到數(shù)據(jù)I/O信號(hào)線DQ。在輸入第二讀指令RA1之后經(jīng)過(guò)兩個(gè)時(shí)鐘周期(對(duì)應(yīng)于CL＝2)，在時(shí)鐘周期T7時(shí)輸出第二數(shù)據(jù)位Q1。同樣，在輸入第三讀指令RA2之后經(jīng)過(guò)兩個(gè)時(shí)鐘周期，在時(shí)鐘周期T9時(shí)輸出第三數(shù)據(jù)位Q2，在輸入第四讀指令RA3之后經(jīng)過(guò)兩個(gè)時(shí)鐘周期，在時(shí)鐘周期T11輸出第四數(shù)據(jù)位Q3。
在如圖5A所示的實(shí)施例中，根據(jù)存儲(chǔ)器件200的I/O配置，可以用不同的位倍數(shù)輸出第一到第四數(shù)據(jù)位Q0、Q1、Q2、Q3，例如×4、×8、×16、×32。另外，可以用間隔tRCD連續(xù)產(chǎn)生第一到第四數(shù)據(jù)位Q0、Q1、Q2、Q3。
再次參考圖3，在時(shí)鐘周期T0時(shí)輸入第一激活行指令A(yù)0，如果在時(shí)鐘周期T3時(shí)輸入帶有自動(dòng)預(yù)充電功能的第一讀指令RA0，指令譯碼器250激活自動(dòng)預(yù)充電控制信號(hào)AP。預(yù)充電控制器260通過(guò)將與存儲(chǔ)體BANK0相對(duì)應(yīng)的定時(shí)器261復(fù)位，來(lái)響應(yīng)激活的自動(dòng)預(yù)充電控制信號(hào)AP。預(yù)充電控制器260從程序寄存器280接收定時(shí)信息，并且當(dāng)定時(shí)器261達(dá)到自動(dòng)預(yù)充電延遲時(shí)間tAP時(shí)，激活預(yù)充電控制信號(hào)BLP0(以便給存儲(chǔ)體BANK0預(yù)充電，該存儲(chǔ)體是通過(guò)存儲(chǔ)體選擇器215的存儲(chǔ)體選擇信號(hào)所選擇的存儲(chǔ)體)。如果預(yù)充電控制信號(hào)BLP0被激活，存儲(chǔ)體BANK0的位線就被預(yù)充電到例如Vcc/2。
如果在定時(shí)器261達(dá)到自動(dòng)預(yù)充電延遲時(shí)間tAP之前輸入用于存取存儲(chǔ)體BANK0的相同行的帶有自動(dòng)預(yù)充電功能的讀或?qū)懼噶?，自?dòng)預(yù)充電控制信號(hào)AP就被指令譯碼器250激活。這使定時(shí)器261復(fù)位。如果不是這樣，而是在定時(shí)器261達(dá)到自動(dòng)預(yù)充電延遲時(shí)間tAP之前輸入用于存取存儲(chǔ)體BANK0的相同行的普通讀或?qū)懼噶?，則從輸入上一個(gè)帶有自動(dòng)預(yù)充電功能的讀或?qū)懼噶顣r(shí)起，經(jīng)過(guò)自動(dòng)預(yù)充電延遲時(shí)間tAP后，才對(duì)存儲(chǔ)體進(jìn)行預(yù)充電。
再次參考圖2，每個(gè)定時(shí)器111到114和每個(gè)寄存器121到124分別對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)體BANK0-BANK3。如果從外部接收到的指令CMD是包含自動(dòng)預(yù)充電功能的讀或?qū)懼噶?，就根?jù)存儲(chǔ)體地址信號(hào)BA0和BA1將定時(shí)器111到114之一復(fù)位。當(dāng)發(fā)出包含自動(dòng)預(yù)充電功能的讀或?qū)懼噶顣r(shí)，根據(jù)存儲(chǔ)體地址信號(hào)BA0和BA1，將地址信號(hào)ADDR的行地址存儲(chǔ)在寄存器121到124之一中。例如，當(dāng)輸入包含自動(dòng)預(yù)充電功能的讀或?qū)懼噶顣r(shí)，如果存儲(chǔ)體地址信號(hào)BA0和BA1選擇存儲(chǔ)體BANK0，則定時(shí)器111被復(fù)位，地址信號(hào)ADDR的行地址被存儲(chǔ)在寄存器121中。同樣，當(dāng)輸入包含自動(dòng)預(yù)充電功能的讀或?qū)懼噶顣r(shí)，如果存儲(chǔ)體地址信號(hào)BA0和BA1選擇存儲(chǔ)體BANK1，則定時(shí)器112被復(fù)位，地址信號(hào)ADDR的行地址被存儲(chǔ)在寄存器122中。
示例當(dāng)用于讀取存儲(chǔ)在存儲(chǔ)體BANK0的行地址i和列地址j中的數(shù)據(jù)的自動(dòng)預(yù)充電指令被輸入到存儲(chǔ)器控制器100中時(shí)，存儲(chǔ)器控制器100和存儲(chǔ)器件200會(huì)執(zhí)行如下操作。首先，存儲(chǔ)器控制器100將與存儲(chǔ)體BANK0相對(duì)應(yīng)的定時(shí)器111復(fù)位，并將行地址i存儲(chǔ)在寄存器121中。如圖5A所示，存儲(chǔ)器控制器100在時(shí)鐘周期T0時(shí)將第一激活行指令A(yù)0發(fā)送到存儲(chǔ)器件200。在時(shí)鐘周期T3時(shí)輸入包含自動(dòng)預(yù)充電功能的讀指令，在時(shí)鐘周期T5時(shí)輸出數(shù)據(jù)位Q0。如果在自動(dòng)預(yù)充電延遲時(shí)間tAP期間沒(méi)有輸入用于存取行地址i的數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)器控制器100將停止定時(shí)器111，并刪除存儲(chǔ)在寄存器121中的行地址，預(yù)充電控制器260輸出給存儲(chǔ)體BANK0預(yù)充電的預(yù)充電控制信號(hào)BLP0，并停止定時(shí)器261。在一些實(shí)施例中，tRCD被設(shè)置為3個(gè)時(shí)鐘周期，并且存儲(chǔ)器控制器100停止定時(shí)器111并刪除存儲(chǔ)在寄存器121中的行地址的時(shí)間為定時(shí)器111達(dá)到值“自動(dòng)預(yù)充電延遲時(shí)間tAP-tRCD”時(shí)的時(shí)間。這是因?yàn)樵谶@些實(shí)施例中，直到輸入帶有自動(dòng)預(yù)充電功能的讀指令RA0時(shí)，定時(shí)器111才被復(fù)位。當(dāng)定時(shí)器261達(dá)到存儲(chǔ)在程序寄存器280中的時(shí)間時(shí)，預(yù)充電控制260輸出預(yù)充電控制信號(hào)BLP0，并停止定時(shí)器261。
對(duì)于這些實(shí)施例，即使輸入了包含自動(dòng)預(yù)充電功能的讀或?qū)懼噶?，也不?huì)在讀寫(xiě)操作完成后的預(yù)充電延遲時(shí)間tAP期間執(zhí)行預(yù)充電操作。因此，頁(yè)面模式是可用的。然而，如果在預(yù)充電延遲時(shí)間tAP期間沒(méi)有輸入用于存取相同存儲(chǔ)體的相同行地址的讀寫(xiě)指令，以后向相同存儲(chǔ)體的相同行地址輸入讀寫(xiě)指令的可能性就相對(duì)較低，因此，可以自動(dòng)執(zhí)行預(yù)充電操作。如果當(dāng)打開(kāi)頁(yè)面輸入的讀寫(xiě)指令與該打開(kāi)的頁(yè)面無(wú)關(guān)而與另一頁(yè)面有關(guān)時(shí)，就以“預(yù)充電-激活行-讀或?qū)憽钡捻樞驁?zhí)行讀或?qū)懖僮?。也就是說(shuō)，存取等待時(shí)間會(huì)延長(zhǎng)到預(yù)充電時(shí)間tRP。因此，考慮這種等待時(shí)間的延長(zhǎng)來(lái)確定預(yù)充電延遲時(shí)間tAP。
圖5B是示出根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的讀操作的時(shí)序圖，其中在存儲(chǔ)體BANK0的行地址i處于打開(kāi)狀態(tài)的同時(shí)，發(fā)出用于存取存儲(chǔ)體BANK0的另一行的指令。在時(shí)鐘周期T0時(shí)輸入用于打開(kāi)存儲(chǔ)體BANK0的行地址i的第一激活行指令A(yù)0，并在時(shí)鐘周期T3時(shí)發(fā)出包含自動(dòng)預(yù)充電功能的讀指令。然后，給存儲(chǔ)體BANK0預(yù)充電，以便輸入存儲(chǔ)體BANK0的行地址i。存儲(chǔ)器控制器100在時(shí)鐘周期T10時(shí)輸出第一預(yù)充電指令P0，以便在輸入讀取存儲(chǔ)體BANK0的不同行地址的指令時(shí)給存儲(chǔ)體BANK0預(yù)充電。另外，存儲(chǔ)器控制器100停止定時(shí)器111，并擦除存儲(chǔ)在寄存器121中的行地址。同時(shí)，存儲(chǔ)器控制器100的指令譯碼器250根據(jù)第一預(yù)充電指令P0來(lái)輸出普通預(yù)充電信號(hào)NP，并停止與存儲(chǔ)體BANK0相對(duì)應(yīng)的定時(shí)器261。當(dāng)預(yù)充電時(shí)間tRP是兩個(gè)時(shí)鐘周期時(shí)，可以輸入用來(lái)打開(kāi)存儲(chǔ)體BANK0的行地址i的第一激活行指令A(yù)0，并在時(shí)鐘周期T15時(shí)輸入帶有自動(dòng)預(yù)充電功能的讀指令RA0，從而在時(shí)鐘周期T17時(shí)輸出數(shù)據(jù)位Q0。
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，當(dāng)施加包含自動(dòng)預(yù)充電功能的讀寫(xiě)指令時(shí)，首先執(zhí)行該讀寫(xiě)指令，然后經(jīng)過(guò)所選擇的自動(dòng)預(yù)充電延遲時(shí)間后執(zhí)行自動(dòng)預(yù)充電操作。因此，可以在使用包含自動(dòng)預(yù)充電功能的讀寫(xiě)指令的同時(shí)，執(zhí)行頁(yè)面模式操作。所以，可以減少器件的操作等待時(shí)間，從而提高了存儲(chǔ)器件的性能。
雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的特定優(yōu)選實(shí)施例示出和說(shuō)明了本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍的情況下，可以對(duì)其進(jìn)行各種改變和修改。應(yīng)該理解，本發(fā)明的范圍不限于以上對(duì)發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明，上述說(shuō)明僅僅是說(shuō)明性的，而應(yīng)該包含由所附權(quán)利要求書(shū)及其等價(jià)方案所定義的本發(fā)明的主題。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中給存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)體預(yù)充電的方法，所述方法包括接收傳送給所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的包含自動(dòng)預(yù)充電功能的指令；根據(jù)接收到的指令啟動(dòng)定時(shí)器；和當(dāng)所述定時(shí)器達(dá)到預(yù)定值時(shí)，自動(dòng)給存儲(chǔ)體預(yù)充電。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所接收的指令與存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)體的特定行中的數(shù)據(jù)有關(guān)聯(lián)，并且，其中所述方法還包括當(dāng)所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件在所述定時(shí)器達(dá)到預(yù)定值之前接收到第二指令時(shí)，復(fù)位所述定時(shí)器，所述第二指令與存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)體的特定行中的其他數(shù)據(jù)有關(guān)聯(lián)。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所接收的指令與存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)體的特定行中的數(shù)據(jù)有關(guān)聯(lián)，并且，其中所述方法還包括當(dāng)所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件在所述定時(shí)器達(dá)到預(yù)定值之前接收到第二指令時(shí)，給所述存儲(chǔ)體預(yù)充電，所述第二指令與存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)體的不同行中的數(shù)據(jù)有關(guān)聯(lián)。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所接收的指令與存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)體的特定行中的數(shù)據(jù)有關(guān)聯(lián)，并且，其中在與所述指令有關(guān)的操作完成之后，所述存儲(chǔ)體的特定行保持打開(kāi)狀態(tài)一段時(shí)間。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所接收的指令是第一讀指令，并且，其中所述方法還包括根據(jù)所述第一讀指令來(lái)執(zhí)行第一讀操作，并且在所述第一讀操作完成之后，使用頁(yè)面模式操作來(lái)執(zhí)行第二讀操作。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括根據(jù)所接收的指令啟動(dòng)第二定時(shí)器，并且存儲(chǔ)與所接收的指令有關(guān)聯(lián)的行地址。
7.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括以行與列排列的存儲(chǔ)單元陣列；和預(yù)充電控制電路，至少包含一個(gè)定時(shí)器，其中，所述預(yù)充電控制電路被構(gòu)造成在接收到包含自動(dòng)預(yù)充電功能的指令之后經(jīng)過(guò)預(yù)定時(shí)間，響應(yīng)于所述指令的接收，給所述存儲(chǔ)單元陣列發(fā)送預(yù)充電控制信號(hào)。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，在至少一個(gè)定時(shí)器達(dá)到所述預(yù)定時(shí)間時(shí)，所述預(yù)充電控制電路向所述存儲(chǔ)單元陣列發(fā)送自動(dòng)預(yù)充電控制信號(hào)。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括存儲(chǔ)所述預(yù)定時(shí)間的存儲(chǔ)器件。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件還包括用于測(cè)量預(yù)定自動(dòng)預(yù)充電時(shí)間的經(jīng)過(guò)的第二定時(shí)器和與所述第二定時(shí)器有關(guān)聯(lián)的行地址存儲(chǔ)寄存器。
11.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括用于譯碼從外部接收到的行地址的行譯碼器和用于響應(yīng)于具有自動(dòng)預(yù)充電功能的指令的輸入來(lái)激活自動(dòng)預(yù)充電控制信號(hào)的指令譯碼器。
12.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中給存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)體預(yù)充電的方法，所述方法包括在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中接收包含自動(dòng)預(yù)充電功能的讀指令；根據(jù)所接收的讀指令來(lái)啟動(dòng)定時(shí)器；根據(jù)所接收的讀指令來(lái)執(zhí)行讀操作；延遲啟動(dòng)由所述自動(dòng)預(yù)充電功能要求的自動(dòng)預(yù)充電操作，直到所述定時(shí)器達(dá)到預(yù)定時(shí)間。
13.一種從半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中讀取數(shù)據(jù)的方法，所述方法包括在所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中接收包含自動(dòng)預(yù)充電功能的讀指令；根據(jù)所接收的讀指令，從所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中單元的第一存儲(chǔ)體中的單元讀取第一數(shù)據(jù)位；和根據(jù)第二讀指令，使用頁(yè)面模式操作從所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中單元的第一存儲(chǔ)體中的第二單元讀取第二數(shù)據(jù)位。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，還包括響應(yīng)于接收所述第一讀指令，啟動(dòng)用于測(cè)量自動(dòng)預(yù)充電延遲期間的定時(shí)器。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括響應(yīng)于第二讀指令的輸入，將所述定時(shí)器復(fù)位。
16.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括以行與列排列的存儲(chǔ)單元陣列；行譯碼器，用于譯碼從外部接收到的行地址；指令譯碼器，用于譯碼從外部接收到的指令，并且在被譯碼的指令包含自動(dòng)預(yù)充電功能時(shí)激活自動(dòng)預(yù)充電控制信號(hào)；以及預(yù)充電控制電路，至少包含一個(gè)定時(shí)器，所述定時(shí)器根據(jù)所述自動(dòng)預(yù)充電控制信號(hào)被復(fù)位，以及當(dāng)至少一個(gè)定時(shí)器達(dá)到預(yù)定值時(shí)啟動(dòng)對(duì)至少一部分存儲(chǔ)單元陣列的預(yù)充電。
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括程序寄存器，用于存儲(chǔ)關(guān)于至少一部分存儲(chǔ)單元陣列何時(shí)被預(yù)充電的定時(shí)信息。
18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中當(dāng)所述定時(shí)器達(dá)到存儲(chǔ)在所述程序寄存器中的所述定時(shí)信息的值時(shí)，所述預(yù)充電控制電路使所述存儲(chǔ)單元陣列被預(yù)充電。
19.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中所述程序寄存器是模式寄存器組(MRS)。
20.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中所述存儲(chǔ)器件是DRAM器件。
21.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括多個(gè)存儲(chǔ)體，具有多個(gè)以行與列排列的存儲(chǔ)單元；存儲(chǔ)體選擇器，用于根據(jù)從外部接收到的存儲(chǔ)體地址，選擇一個(gè)所述存儲(chǔ)體；行選擇器，用于根據(jù)從外部接收到的行地址，選擇所選擇的存儲(chǔ)體的一行；指令譯碼器，用于譯碼從外部接收到的指令，并且在被譯碼的指令包含自動(dòng)預(yù)充電功能時(shí)，激活自動(dòng)預(yù)充電控制信號(hào)；以及預(yù)充電控制電路，包含分別與所述多個(gè)存儲(chǔ)體相對(duì)應(yīng)的多個(gè)定時(shí)器，其中，與所選擇的存儲(chǔ)體相對(duì)應(yīng)的所述定時(shí)器，根據(jù)自動(dòng)預(yù)充電控制信號(hào)被復(fù)位，并且當(dāng)所述定時(shí)器達(dá)到預(yù)定值時(shí)，控制所述存儲(chǔ)體被預(yù)充電。
22.如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括程序寄存器，用于存儲(chǔ)關(guān)于所選擇的存儲(chǔ)體何時(shí)被預(yù)充電的定時(shí)信息。
23.如權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中當(dāng)所述定時(shí)器達(dá)到存儲(chǔ)在所述程序寄存器中的所述定時(shí)信息的值時(shí)，所述預(yù)充電控制電路使所選擇的存儲(chǔ)體被預(yù)充電。
24.如權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中所述程序寄存器是模式寄存器組(MRS)。
全文摘要
當(dāng)輸入帶有自動(dòng)預(yù)充電功能的讀寫(xiě)指令時(shí)，半導(dǎo)體器件進(jìn)行讀寫(xiě)操作。直到經(jīng)過(guò)預(yù)定的自動(dòng)預(yù)充電延遲時(shí)間時(shí)，半導(dǎo)體器件才執(zhí)行自動(dòng)預(yù)充電操作。因此，能夠在使用帶有自動(dòng)預(yù)充電功能的讀寫(xiě)指令的同時(shí)，執(zhí)行頁(yè)面模式。
文檔編號(hào)G11C11/409GK1516192SQ20031012235
公開(kāi)日2004年7月28日 申請(qǐng)日期2003年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月20日
發(fā)明者李東陽(yáng) 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社