專(zhuān)利名稱(chēng)：光學(xué)記錄介質(zhì)、制造其的原盤(pán)、記錄/再現(xiàn)設(shè)備及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種沿著記錄軌道形成有槽的光學(xué)記錄介質(zhì)以及在制造此光學(xué)記錄介質(zhì)時(shí)使用的光學(xué)記錄介質(zhì)制造原盤(pán)。進(jìn)一步地，本發(fā)明涉及用于在光學(xué)記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄和/或再現(xiàn)處理的記錄/再現(xiàn)設(shè)備和記錄/再現(xiàn)方法，其中，所述光學(xué)記錄介質(zhì)具有沿著記錄軌道形成的槽。
背景技術(shù)：
對(duì)于常規(guī)的可記錄圓盤(pán)形記錄介質(zhì)，提出MD(小型盤(pán))、CD(緊湊盤(pán))-R(可記錄)、CD-RW(可重寫(xiě))、DVD(數(shù)字多用途盤(pán)或數(shù)字視頻盤(pán))+RW(可重寫(xiě))、DVD-R(可記錄)、DVD-RW(可重寫(xiě))等。對(duì)于這些圓盤(pán)形記錄介質(zhì)的格式，采用在槽中進(jìn)行記錄的槽記錄格式。
對(duì)于ISO(國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織)的磁光(MO)盤(pán)的每種格式，提出在平面中(在槽之間)進(jìn)行記錄的平面記錄格式。在DVD-RAM(數(shù)字視頻盤(pán)-隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)等中，對(duì)于用于實(shí)現(xiàn)更高光盤(pán)密度的一種方法，提出以下系統(tǒng)(平面和槽記錄)通過(guò)在槽中以及在槽與槽之間(平面)中進(jìn)行記錄而使常規(guī)光盤(pán)的軌道密度翻倍，從而提供更高的密度。這里，所述槽指沿著記錄軌道形成的主要用于跟蹤伺服的所謂引導(dǎo)槽。從光學(xué)拾波器看，更近的部分稱(chēng)作“槽”，更遠(yuǎn)的部分稱(chēng)作“平面”。應(yīng)指出，槽與槽之間的部分稱(chēng)作“平面”。
如圖1所示，通常，在形成有槽的光學(xué)記錄介質(zhì)中，用推挽信號(hào)執(zhí)行跟蹤伺服。推挽信號(hào)指差分信號(hào)并通過(guò)以下方法而獲得，所述方法為對(duì)光學(xué)記錄介質(zhì)照射光束，借助兩個(gè)相對(duì)軌道中心對(duì)稱(chēng)布置的光電檢測(cè)器A和B檢測(cè)由光學(xué)記錄介質(zhì)所反射光束形成的光，并計(jì)算這兩個(gè)光電檢測(cè)器A和B的輸出之差(A-B)而獲得推挽信號(hào)。
檢測(cè)由光學(xué)記錄介質(zhì)所反射光束形成的光的反射光量，作為兩個(gè)光電檢測(cè)器的和(A+B)。這里，通過(guò)檢測(cè)由光學(xué)記錄介質(zhì)所反射光束形成的光的反射光量而形成的信號(hào)，即，兩個(gè)光電檢測(cè)器A和B輸出的和信號(hào)是用于檢測(cè)當(dāng)光點(diǎn)移動(dòng)時(shí)光點(diǎn)所跨越的軌道數(shù)的信號(hào)，并且該信號(hào)一般稱(chēng)作“橫越軌道信號(hào)(CTS)”。
在MD或CD-R中，選擇“槽寬/軌道間距”比例為1/3或2/3左右，從而，可充分地獲得推挽信號(hào)和CTS信號(hào)。也就是說(shuō)，在MD的情況下，“槽寬/軌道間距”＝1.1μm/1.6μm＝69％，并且在CD-R的情況下，“槽寬/軌道間距”＝0.5μm/1.6μm＝31％。
進(jìn)而，對(duì)于提高線(xiàn)性記錄密度的技術(shù)，提出DWDD(疇壁位移檢測(cè))。這是用于磁光盤(pán)中的一種磁疇放大和再現(xiàn)技術(shù)。例如，在日本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)亻_(kāi)平(JP-A)6-290496中，公布一種與DWDD系統(tǒng)有關(guān)的技術(shù)。
圖2示出JP-A 6-290496中所公布的磁光盤(pán)的局部放大截面圖。參考號(hào)71代表基片，參考號(hào)72代表介電層，參考號(hào)73代表記錄層，并且參考號(hào)74代表介電層。進(jìn)一步地，參考號(hào)75代表槽，參考號(hào)76代表平面。
通過(guò)順序?qū)盈B第一磁層、第二磁層和第三磁層而形成記錄層73。第一磁層由在接近室溫的溫度下相對(duì)第三磁層具有更小磁疇壁磁阻和更大磁疇壁移動(dòng)性的正交磁化膜組成，第二磁層由具有比第一磁層和第三磁層更低的居里溫度的磁層組成，并且，第三磁層由正交磁化膜組成。通過(guò)對(duì)外部磁場(chǎng)進(jìn)行調(diào)制并同時(shí)照射功率激光束而對(duì)正在移動(dòng)的介質(zhì)執(zhí)行數(shù)據(jù)信號(hào)記錄，其中，所述激光束使第三磁層的溫度等于或高于居里溫度。
進(jìn)一步地，JP-A 11-296910和2000-40259提出預(yù)格式，通過(guò)所述預(yù)格式，實(shí)現(xiàn)等于平面和槽記錄的記錄密度，適當(dāng)?shù)馗淖儍蓚€(gè)槽的深度，相鄰地布置兩個(gè)具有不同深度的槽，并且，即使在超過(guò)截止頻率時(shí)也可獲得足夠的CTS信號(hào)振幅和推挽信號(hào)振幅。此預(yù)格式以超過(guò)截止頻率的軌道間距實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的跟蹤伺服。在預(yù)格式中，相鄰地布置深槽和淺槽，并且，深槽(或淺槽)之間的間隔是軌道周期(1.0μm)，并且，深槽和淺槽的間隔是軌道間距(0.5μm)。夾在深槽之間的淺槽的兩端上的兩個(gè)平面(軌道A，軌道B)是記錄區(qū)。從而，預(yù)格式中的軌道密度是兩倍于常規(guī)密度的密度，即等于平面和槽記錄的記錄密度。
也就是說(shuō)，平面和槽記錄的軌道密度大約是常規(guī)密度的兩倍，并且在預(yù)格式中，記錄區(qū)也是淺槽兩端上的兩個(gè)平面(軌道A，軌道B)，并且等于平面和槽記錄的軌道密度。從而，難以使軌道密度為等于或高于兩倍常規(guī)密度的更高密度。
進(jìn)一步地，在平面和槽記錄中，槽寬度和平面寬度基本相同。當(dāng)槽寬度和平面寬度基本相同時(shí)，推挽信號(hào)提供足夠的最大信號(hào)量，然而，CTS信號(hào)的信號(hào)量變?yōu)椴蛔悖鐖D1所示。在普通盤(pán)再現(xiàn)設(shè)備中，對(duì)于尋找操作，用于計(jì)算軌道數(shù)的信號(hào)需要大約6％-7％的信號(hào)量，并且，用于跟蹤伺服的檢測(cè)信號(hào)需要大約14％的信號(hào)量。因此，對(duì)于在沒(méi)有形成槽或凹坑的表面(所謂的啞表面)上獲得的信號(hào)的信號(hào)量定義為100％。
如上所述，如果CTS信號(hào)的信號(hào)量不夠，在用于高速移向目標(biāo)地址的尋找操作時(shí)，在用CTS信號(hào)進(jìn)行尋找時(shí)有問(wèn)題，因?yàn)椴荒軓腃TS信號(hào)準(zhǔn)確地檢測(cè)橫越軌道的數(shù)量。不必說(shuō)，用小信號(hào)量的CTS信號(hào)進(jìn)行跟蹤伺服是不可能的。
進(jìn)一步地，為了獲得這些具有所需信號(hào)量的推挽信號(hào)和CTS信號(hào)，軌道間距的空間頻率必須為再現(xiàn)設(shè)備光學(xué)拾波器的截止頻率的大約1/2至2/3。這里，截止頻率指再現(xiàn)信號(hào)振幅變得幾乎為零的頻率，并且用2NA/λ表達(dá)，假設(shè)用于數(shù)據(jù)再現(xiàn)的激光束的波長(zhǎng)為λ，物鏡的數(shù)值孔徑為NA。
從而，本發(fā)明的目的是提供實(shí)現(xiàn)更高軌道密度的光學(xué)記錄介質(zhì)、用于制造光學(xué)記錄介質(zhì)的原盤(pán)、記錄/再現(xiàn)設(shè)備以及記錄/再現(xiàn)方法，并且，即使在槽寬度和平面寬度基本相同時(shí)，也可充分地獲得推挽信號(hào)和CTS信號(hào)的信號(hào)量。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的權(quán)利要求1是一種沿著記錄軌道形成有槽的光學(xué)記錄介質(zhì)，用具有預(yù)定波長(zhǎng)λ的光照射該介質(zhì)以執(zhí)行記錄和/或再現(xiàn)，所述介質(zhì)的特征在于對(duì)于槽，形成相鄰排列的第一和第二槽以及比第一和第二槽更淺的第三槽，以及，信號(hào)記錄到第一和第二槽以及第一槽和第三槽之間平面、第二槽和第三槽之間平面上。
本發(fā)明的權(quán)利要求6是一種在制造光學(xué)記錄介質(zhì)時(shí)使用的光學(xué)記錄介質(zhì)制造原盤(pán)，該介質(zhì)具有沿著記錄軌道形成的槽，用具有預(yù)定波長(zhǎng)λ的光照射該介質(zhì)以執(zhí)行記錄和/或再現(xiàn)，所述原盤(pán)的特征在于對(duì)于槽，形成相鄰排列的第一和第二槽以及比第一和第二槽更淺的第三槽，以及，信號(hào)記錄到第一和第二槽以及第一槽和第三槽之間平面、第二槽和第三槽之間平面上。
本發(fā)明的權(quán)利要求11是一種用于光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄/再現(xiàn)設(shè)備，該介質(zhì)具有沿著記錄軌道形成的槽，用具有預(yù)定波長(zhǎng)λ的光照射該介質(zhì)以執(zhí)行記錄和/或再現(xiàn)，所述設(shè)備的特征在于對(duì)于槽，形成相鄰排列的第一和第二槽以及比第一和第二槽更淺的第三槽，以及，信號(hào)記錄到第一和第二槽以及第一槽和第三槽之間平面、第二槽和第三槽之間平面上。
本發(fā)明的權(quán)利要求14是一種用于光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄/再現(xiàn)方法，該介質(zhì)具有沿著記錄軌道形成的槽，用具有預(yù)定波長(zhǎng)λ的光照射該介質(zhì)以執(zhí)行記錄和/或再現(xiàn)，所述方法的特征在于對(duì)于槽，形成相鄰排列的第一和第二槽以及比第一和第二槽更淺的第三槽，以及，信號(hào)記錄到第一和第二槽以及第一槽和第三槽之間平面、第二槽和第三槽之間平面上。
在本發(fā)明中，由于記錄區(qū)形成為第一和第二槽以及第一和第二平面的總共四個(gè)軌道，因此軌道密度可以比常規(guī)密度高出四倍。進(jìn)一步地，由于第一和第二槽形成為深槽并且第三槽形成為淺槽，因此，通過(guò)適當(dāng)?shù)卦O(shè)定這些槽的深度，可充分地獲得推挽信號(hào)量和CTS信號(hào)量，可執(zhí)行穩(wěn)定的跟蹤伺服和尋找，并進(jìn)一步地，可提供適用于具有良好記錄和再現(xiàn)特性的光學(xué)記錄介質(zhì)的預(yù)格式。


圖1為示出常規(guī)磁光盤(pán)的一部分記錄區(qū)、CTS信號(hào)波形和推挽信號(hào)波形。
圖2為用于解釋DWDD超分辨磁光盤(pán)的局部截面圖。
圖3A和3B為應(yīng)用本發(fā)明的磁光盤(pán)的截面圖，其中，放大磁光盤(pán)的主要部分。
圖4A、4B和4C為示出應(yīng)用本發(fā)明的磁光盤(pán)的一部分記錄區(qū)、CTS信號(hào)波形和推挽信號(hào)波形。
圖5示出在制作根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)和光學(xué)記錄介質(zhì)制造所使用的原盤(pán)時(shí)使用的激光切割裝置實(shí)例的光學(xué)系統(tǒng)的概圖。
圖6為示出在推挽信號(hào)量等于或大于14％的條件下深槽深度和淺槽深度之間關(guān)系的視圖。
圖7為用于對(duì)應(yīng)用本發(fā)明的磁光盤(pán)執(zhí)行記錄/再現(xiàn)的記錄/再現(xiàn)設(shè)備實(shí)例的框圖。
具體實(shí)施例方式
以下結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。對(duì)于應(yīng)用本發(fā)明的磁光盤(pán)，在圖3A和3B中示出放大其主要部分的截面圖。圖3A示出磁光盤(pán)的構(gòu)造，圖3B示出特定記錄軌道結(jié)構(gòu)的實(shí)例。圖4A-4C是與磁光盤(pán)的記錄區(qū)有關(guān)的視圖。圖4A為記錄區(qū)一部分的放大視圖，圖4B示出光電檢測(cè)器的CTS信號(hào)的輸出波形，圖4C為光電檢測(cè)器的推挽信號(hào)的輸出波形。
圖3A中的參考號(hào)1代表磁光盤(pán)。磁光盤(pán)1以圓盤(pán)形狀形成，并通過(guò)利用磁光效應(yīng)而執(zhí)行數(shù)據(jù)的記錄和再現(xiàn)。進(jìn)一步地，磁光盤(pán)1包括執(zhí)行磁光記錄的記錄層3、以及用于保護(hù)在盤(pán)基片2上形成的記錄層3的保護(hù)層4，其中，盤(pán)基片2由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)等構(gòu)成。這里，記錄層3通過(guò)例如層疊由氮化硅(Si3N4)等構(gòu)成的介電膜3a、磁膜3b、由氮化硅(Si3N4)等構(gòu)成的介電膜3c、以及由Al-Ti合金等構(gòu)成的反射膜3d而形成。進(jìn)一步地，例如通過(guò)在記錄層3上自旋涂敷紫外線(xiàn)固化樹(shù)脂并照射紫外線(xiàn)而形成保護(hù)層4。磁膜3b通過(guò)順序?qū)盈B第一磁層(TbFeCo)、第二磁層(GdFe)和第三磁層(GdFeCo)而形成。順便提一下，在本發(fā)明中，記錄層3和保護(hù)層4的構(gòu)成是任意的，不局限于此實(shí)例。
如圖4A一部分記錄區(qū)的放大視圖所示，在磁光盤(pán)1中，沿著記錄軌道以旋繞形式形成槽，并且，通過(guò)用光學(xué)拾波器5照射具有預(yù)定波長(zhǎng)λ的光而執(zhí)行記錄和/或再現(xiàn)。對(duì)于所述槽，形成相鄰排列的第一槽Gv1、第二槽Gv2和第三槽Gv3。
第一槽Gv1和第二槽Gv2是深槽，而第三槽Gv3是淺槽。在以下適當(dāng)?shù)?，第一槽Gv1和第二槽Gv2稱(chēng)作“深槽”，第三槽Gv3稱(chēng)作“淺槽”。進(jìn)一步地，第一槽Gv1和第二槽Gv2的兩個(gè)槽以及第一槽Gv1和第三槽Gv3之間第一平面Ld1與第二槽Gv2和第三槽Gv3之間第二平面Ld2的兩個(gè)平面布置得在其中記錄信號(hào)。也就是說(shuō)，在磁光盤(pán)1中，以旋繞形式形成四個(gè)記錄軌道第一槽Gv1和第二槽Gv2以及第一平面Ld1和第二平面Ld2。應(yīng)指出，第一槽Gv1和第二槽Gv2之間的槽稱(chēng)作半槽hGv。半槽hGv例如通過(guò)使其深度比深槽深度更淺而形成。
四個(gè)記錄軌道以幾乎相同的寬度形成。在圖3B所示實(shí)例中，第一槽Gv1和第二槽Gv2為140nm，第一平面Ld1和第二平面Ld2為150nm。也就是說(shuō)，兩個(gè)平面(第一平面Ld1和第二平面Ld2)的寬度以及深槽(第一槽Gv1和第二槽Gv2)的頂部寬度(上部寬度)形成為幾乎相同的寬度。因而，通過(guò)使記錄軌道的寬度幾乎相同，記錄和再現(xiàn)特性可制作得更好。
進(jìn)一步地，在圖3B所示實(shí)例中，四個(gè)記錄軌道中每一個(gè)的周期例如設(shè)定為1200nm，第三槽Gv3的底部寬度，即第二平面Ld2和第一平面Ld1之間的寬度例如設(shè)定為220nm，并且，作為兩個(gè)深槽底部的第一平面Ld1和第二平面Ld2之間的寬度例如設(shè)定為680nm。進(jìn)一步地，第一槽Gv1和第二槽Gv2的頂部之間半槽hGv的寬度例如設(shè)定為200nm。
深槽和淺槽中的全部或一個(gè)是蜿蜒形成的擺動(dòng)槽。在圖3實(shí)例中，如圖4A所示，作為深槽的第一槽Gv1和第二槽Gv2是擺動(dòng)槽。擺動(dòng)的振幅例如設(shè)定為±15nm。
通過(guò)因此形成四個(gè)記錄軌道，磁光盤(pán)1的軌道密度幾乎為常規(guī)磁光盤(pán)的四倍。
如圖4A所示，應(yīng)用本發(fā)明的磁光盤(pán)1用三個(gè)光束再現(xiàn)。中心光束定位在兩個(gè)相鄰深槽任一個(gè)的中心，并且兩個(gè)側(cè)光束與位于兩個(gè)相鄰深槽兩側(cè)的淺槽的中心對(duì)準(zhǔn)。中心光束的反射光由四分光電檢測(cè)器6檢測(cè)，側(cè)光束的反射光由二分光電檢測(cè)器7a和7b檢測(cè)。
從四分光電檢測(cè)器6的和信號(hào)(A+B+C+D)獲得圖4B所示的CTS信號(hào)。因此獲得的CTS信號(hào)具有與軌道周期相同的周期以及足夠的振幅，并且在兩個(gè)相鄰深槽之間的中心位置(半槽hGv)具有最大值，在淺槽的中心位置具有最小值。
在用和信號(hào)進(jìn)行跟蹤伺服的情況下，從兩個(gè)側(cè)光束7a和7b的各個(gè)和信號(hào)之差(E+F)-(G+H)獲得跟蹤誤差。通過(guò)計(jì)算位于相對(duì)四分光電檢測(cè)器6軌道延伸方向兩側(cè)上的兩個(gè)區(qū)域的檢測(cè)信號(hào)的和(A+D)與(B+C)、以及這些和信號(hào)的差(A+D)-(B+C)，而獲得圖4C所示的推挽信號(hào)。因此獲得的推挽信號(hào)具有與軌道周期相同的周期，并且在兩個(gè)相鄰深槽之間的中心位置(半槽hGv)和淺槽中心位置為零。
如上所述，記錄數(shù)據(jù)的位置是第一槽Gv1和第二槽Gv2以及第一平面Ld1和第二平面Ld2。當(dāng)在第一槽Gv1中尋找時(shí)，例如發(fā)現(xiàn)推挽信號(hào)電平為-75％并且CTS信號(hào)增加且大于介質(zhì)值(平均值)的位置。當(dāng)在第二槽Gv2中尋找時(shí)，例如發(fā)現(xiàn)推挽信號(hào)電平為+75％并且CTS信號(hào)減小且大于介質(zhì)值(平均值)的位置。
進(jìn)一步地，當(dāng)在第一平面Ld1中尋找時(shí)，例如發(fā)現(xiàn)推挽信號(hào)電平為+75％并且CTS信號(hào)減小且小于介質(zhì)值(平均值)的位置。當(dāng)在第二平面Ld2中尋找時(shí)，例如發(fā)現(xiàn)推挽信號(hào)電平為-75％并且CTS信號(hào)增加且小于介質(zhì)值(平均值)的位置。
當(dāng)制造上述磁光盤(pán)1時(shí)，需要制作用于磁光介質(zhì)制造的原盤(pán)，作為磁光介質(zhì)1的原盤(pán)，并且，使用用于它的激光切割裝置。以下結(jié)合圖5詳細(xì)描述用于制作磁光介質(zhì)制造所使用的原盤(pán)的激光切割裝置的實(shí)例。
在這描述的激光切割裝置的實(shí)例通過(guò)用分束器和鏡子把從光源輸出的激光束分離為第一曝光光束(用于擺動(dòng)的深槽信息)和第二曝光光束(用于淺槽信息)，使用于形成擺動(dòng)槽的第一曝光光束偏振，進(jìn)一步用分束器和鏡子把偏振的第一曝光光束分離為兩個(gè)曝光光束(曝光光束1-1和曝光光束1-2)，以適當(dāng)間隔徑向布置分離的這些光束，并適當(dāng)選擇每個(gè)曝光功率，從而形成兩個(gè)深槽和一個(gè)淺槽以均勻的間隔交替徑向布置的凹凸圖案。
圖5所示激光切割裝置10用光束曝光涂敷在玻璃基片11上的光致抗蝕劑12，在光致抗蝕劑12上形成潛像。當(dāng)通過(guò)激光切割裝置10在光致抗蝕劑12上形成潛像時(shí)，在設(shè)置于移動(dòng)光學(xué)平臺(tái)上的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)單元上安裝涂敷光致抗蝕劑12的玻璃基片11。當(dāng)對(duì)光致抗蝕劑12曝光時(shí)，通過(guò)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)單元而旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)玻璃基片11，并通過(guò)移動(dòng)光學(xué)平臺(tái)而平行移動(dòng)玻璃基片11，從而，按所希望的圖案在玻璃基片11的全部表面上用光束對(duì)光致抗蝕劑12曝光。
激光切割裝置10包括用于輸出激光束的光源13；用于調(diào)節(jié)從光源13輸出的激光束的光強(qiáng)度的電光調(diào)制器(EOM)14；布置在從電光調(diào)制器14輸出的激光束的光軸上的檢偏振器15；用于把通過(guò)檢偏振器15傳送的激光束分離為反射光和傳送光的第一分束器BS1和第二分束器BS2；用于檢測(cè)通過(guò)第二分束器BS2傳送的激光束的光電檢測(cè)器(PD)16；用于向電光調(diào)制器14作用信號(hào)場(chǎng)并調(diào)節(jié)從電光調(diào)制器14輸出的激光束的強(qiáng)度的光輸出控制單元(APC自動(dòng)功率控制器)17。
首先，通過(guò)電光調(diào)制器14而使從光源13輸出的激光束具有預(yù)定的光強(qiáng)度，接著，進(jìn)入到檢偏振器15中，其中，電光調(diào)制器14由APC17作用的信號(hào)場(chǎng)驅(qū)動(dòng)。在這，檢偏振器15是用于只傳送S偏振光的檢偏振器，并且，通過(guò)檢偏振器15傳送的激光束變?yōu)镾偏振光。
應(yīng)指出，對(duì)于光源13，可使用任一種光源，然而，輸出短波長(zhǎng)激光束的光源是優(yōu)選的。具體地，例如，輸出波長(zhǎng)λ＝351nm的激光束的Kr激光器、輸出波長(zhǎng)λ＝442nm的激光束的He-Cd激光器等適用于光源13。
光電檢測(cè)器16檢測(cè)通過(guò)分束器BS1和BS2傳送的激光束的光強(qiáng)度，從光電檢測(cè)器16向APC 17發(fā)送與光強(qiáng)度一致的信號(hào)。接著，APC17調(diào)節(jié)作用到電光調(diào)制器14上的信號(hào)場(chǎng)，從而，光電檢測(cè)器16所檢測(cè)的光強(qiáng)度可在預(yù)定的電平下保持恒定。由此執(zhí)行反饋控制，從而，從電光調(diào)制器14輸出的光強(qiáng)度是恒定的，因而獲得噪音更低的穩(wěn)定激光束。
從光源13輸出的激光束被分束器BS1反射，并且，分束器BS1的反射光進(jìn)入到光學(xué)調(diào)制系統(tǒng)(圖15中的OM1所示)18中。在OM1的中間位置上，光束接力光學(xué)系統(tǒng)和AOM 19布置得滿(mǎn)足布拉格條件。接力光學(xué)系統(tǒng)布置得用透鏡L11把從光源13輸出的激光束集中到AOM 19上。所述激光束基于提供給AOM 19的超聲波而進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制。從驅(qū)動(dòng)器20向AOM 19提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
在槽信息的情況下，驅(qū)動(dòng)信號(hào)是直流信號(hào)。如果形成凹坑，調(diào)制信號(hào)就是直流信號(hào)。為響應(yīng)直流信號(hào)，對(duì)激光束連續(xù)調(diào)制，并形成用于深槽信息的曝光光束B(niǎo)1。
由AOM 19進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制并發(fā)散的激光束通過(guò)透鏡L12而轉(zhuǎn)變?yōu)闇?zhǔn)直光束。接著，從光學(xué)調(diào)制系統(tǒng)18(OM1)輸出的曝光光束B(niǎo)1被鏡子M1反射，并被水平地和平行地引導(dǎo)到移動(dòng)光學(xué)平臺(tái)29。
進(jìn)而，從光源13輸出的激光束被分束器BS2反射，分束器BS2的反射光進(jìn)入到光學(xué)調(diào)制系統(tǒng)(圖5中OM2所示)21中。在OM2的中間位置上，光束接力光學(xué)系統(tǒng)(透鏡L21和透鏡L22)和AOM 22布置得滿(mǎn)足布拉格條件。所述激光束基于提供給AOM 22的超聲波而進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制。從驅(qū)動(dòng)器23向AOM 22提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)。為響應(yīng)直流信號(hào)的電平，對(duì)激光束連續(xù)調(diào)制，并形成用于淺槽信息的曝光光束B(niǎo)2。由AOM 22進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制并發(fā)散的激光束通過(guò)透鏡L22而轉(zhuǎn)變?yōu)闇?zhǔn)直光束，被鏡子M2反射，并通過(guò)HWP(半波片)進(jìn)入到偏振分束器PBS。
被鏡子M1反射并水平引導(dǎo)到移動(dòng)光學(xué)平臺(tái)29上的激光束(曝光光束B(niǎo)1)被光學(xué)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)OD光學(xué)偏轉(zhuǎn)，并進(jìn)入到分束器BS3，分離為用于第一深槽信息的曝光光束B(niǎo)1-1和用于第二深槽信息的曝光光束B(niǎo)1-2。曝光光束B(niǎo)1-1由鏡子M3反射，曝光光束B(niǎo)1-2則由鏡子M4反射并且其傳播方向彎曲90°。接著，兩個(gè)分離的曝光光束(曝光光束B(niǎo)1-1和曝光光束B(niǎo)1-2)由分束器BS4重新組合，隨后進(jìn)入到偏振分束器PBS。
光學(xué)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)OD用于對(duì)激光束執(zhí)行光學(xué)偏轉(zhuǎn)，從而，它可與深槽的擺動(dòng)相對(duì)應(yīng)。也就是說(shuō)，入射到光學(xué)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)OD中的激光束通過(guò)楔形棱鏡25a進(jìn)入聲光偏轉(zhuǎn)器(AOD)24中，并借助聲光偏轉(zhuǎn)器24而執(zhí)行光學(xué)偏轉(zhuǎn)，從而，所述激光束可與所希望的曝光圖案相對(duì)應(yīng)。在這，對(duì)于用于聲光偏轉(zhuǎn)器24的聲光元件，例如，由氧化碲(TeO2)組成的聲光元件是合適的。由聲光偏轉(zhuǎn)器24光學(xué)偏轉(zhuǎn)的激光束通過(guò)楔形棱鏡25b從光學(xué)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)OD輸出。
應(yīng)指出，楔形棱鏡25a和25b允許滿(mǎn)足布拉格條件的激光束進(jìn)入聲光偏轉(zhuǎn)器24的聲光元件的晶格面中，并且，通過(guò)聲光偏轉(zhuǎn)器24對(duì)激光束執(zhí)行光學(xué)偏轉(zhuǎn)而改變光束水平高度。
在這，用于驅(qū)動(dòng)聲光偏轉(zhuǎn)器24的驅(qū)動(dòng)器26連接到聲光偏轉(zhuǎn)器24。對(duì)驅(qū)動(dòng)器26提供直流電壓，并提供通過(guò)用包括地址信息的控制信號(hào)對(duì)電壓控制振蕩器(VCO)27的高頻信號(hào)進(jìn)行FM調(diào)制而形成的信號(hào)。接著，驅(qū)動(dòng)器26根據(jù)所述信號(hào)而驅(qū)動(dòng)聲光偏轉(zhuǎn)器24，隨后對(duì)激光束執(zhí)行光學(xué)偏轉(zhuǎn)。
具體地，例如，通過(guò)用作為載波的頻率84.672kHz的FM調(diào)制信號(hào)使槽擺動(dòng)，在槽上增加地址信息。在此情況下，為了創(chuàng)造聲光偏轉(zhuǎn)器24的相柵，例如，通過(guò)在頻率84.672kHz的FM調(diào)制信號(hào)上疊加中心頻率224MHz的高頻信號(hào)而形成的信號(hào)從電壓控制振蕩器27提供給驅(qū)動(dòng)器26。
隨后，驅(qū)動(dòng)器26根據(jù)所述信號(hào)而驅(qū)動(dòng)聲光偏轉(zhuǎn)器24，并且改變聲光偏轉(zhuǎn)器24的聲光元件的布拉格角度，因而，聚集在光致抗蝕劑12上的激光束的光點(diǎn)位置在玻璃基片11的徑向方向上以84.672kHz頻率和±15nm振幅振動(dòng)。
相應(yīng)地，通過(guò)此光學(xué)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)OD光學(xué)偏轉(zhuǎn)以便與擺動(dòng)槽的擺動(dòng)相應(yīng)的激光束由分束器BS3分離為兩個(gè)曝光光束B(niǎo)1-1和B1-2；所述激光束由鏡子M3、鏡子M4和分束器BS4重新組合；隨后進(jìn)入到偏振分束器PBS中。
在這，偏振分束器PBS布置為反射S偏振光和傳送P偏振光。進(jìn)一步地，由光學(xué)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)OD光學(xué)偏轉(zhuǎn)以便擺動(dòng)的曝光光束B(niǎo)1-1以及曝光光束B(niǎo)1-2是S偏振光，通過(guò)HWP進(jìn)入到偏振分束器PBS中的曝光光束B(niǎo)2是P偏振光。從而，曝光光束B(niǎo)1-1和曝光光束B(niǎo)1-2被偏振分束器PBS反射，曝光光束B(niǎo)2通過(guò)偏振分束器PBS傳送。曝光光束B(niǎo)1-1、曝光光束B(niǎo)1-2和曝光光束B(niǎo)2由此重新組合，從而，它們的傳播方向相同。
被重新組合以使它們的傳播方向相同并從偏振分束器PBS輸出的曝光光束B(niǎo)1-1、曝光光束B(niǎo)1-2和曝光光束B(niǎo)2借助放大透鏡L3而具有預(yù)定的光束直徑，并接著被鏡子M5反射，引導(dǎo)到物鏡28，并由物鏡28集中到光致抗蝕劑12上。應(yīng)指出，通過(guò)改變偏振分束器PBS和分束器BS4的角度，被重新組合以使它們的傳播方向相同并從偏振分束器PBS輸出的曝光光束B(niǎo)1-1、曝光光束B(niǎo)1-2和曝光光束B(niǎo)2以適當(dāng)?shù)膹较蜷g隔作用到光致抗蝕劑12上。接著，通過(guò)把激光束調(diào)節(jié)為不同的強(qiáng)度，可形成以適當(dāng)間隔布置的三個(gè)激光束的記錄區(qū)。
光致抗蝕劑12用這三個(gè)激光束曝光，并且在光致抗蝕劑12上形成潛像。此時(shí)，涂敷光致抗蝕劑12的玻璃基片11由旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)單元旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)，從而，以所希望的圖案在光致抗蝕劑12的整個(gè)表面上執(zhí)行曝光，并且，激光束通過(guò)移動(dòng)光學(xué)平臺(tái)而徑向移動(dòng)。結(jié)果，在光致抗蝕劑12的整個(gè)表面上形成與激光束照射軌跡一致的潛像。
應(yīng)指出，用于把激光束聚集到光致抗蝕劑12上的物鏡28優(yōu)選是具有較大數(shù)值孔徑NA能形成更精細(xì)槽圖案的透鏡，更具體地，數(shù)值孔徑NA為0.9左右的物鏡是合適的。
例如，光學(xué)調(diào)制系統(tǒng)18和20的集中透鏡L11和L21的焦距設(shè)定為80nm，準(zhǔn)直透鏡L12和L22的焦距設(shè)定為120nm，放大透鏡L3的的焦距設(shè)定為50nm。在此情況下，對(duì)于兩個(gè)深槽，激光功率選擇為0.35mj/m，而對(duì)于淺槽，激光功率選擇為0.15mj/m。在深槽的情況下，由于執(zhí)行曝光以穿透光致抗蝕劑12，因此，深槽的深度隨著光致抗蝕劑12厚度的改變而改變。另一方面，在淺槽的情況下，由于曝光的執(zhí)行不穿透光致抗蝕劑12，因此，淺槽的深度隨著激光功率的改變而改變?？紤]到這點(diǎn)，兩個(gè)槽的深度設(shè)定為適當(dāng)?shù)纳疃取?br> 下面，通過(guò)引用特定實(shí)例而詳細(xì)描述制造圖3A和3B中所示磁光盤(pán)1的方法。在制造磁光盤(pán)1時(shí)，在原盤(pán)制造過(guò)程中，首先，制造玻璃原盤(pán)，作為磁光介質(zhì)制造原盤(pán)的基礎(chǔ)。在制造玻璃原盤(pán)時(shí)，首先，清潔并烘干具有研磨表面的圓盤(pán)形玻璃基片11，隨后，在此玻璃基片11上涂敷光致抗蝕劑12，作為光敏材料。接著，通過(guò)上述激光切割裝置10用光對(duì)光致抗蝕劑12曝光，并且，在光致抗蝕劑12上形成與三種槽相應(yīng)的潛像。
在光致抗蝕劑12上形成潛像之后，玻璃基片11放置在顯影單元的轉(zhuǎn)臺(tái)上，并且涂敷光致抗蝕劑12的表面朝上。接著，在通過(guò)旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)臺(tái)而旋轉(zhuǎn)玻璃基片11的同時(shí)，借助釋放顯影器在光致抗蝕劑12上執(zhí)行顯影處理，在玻璃基片11上分別形成與兩個(gè)深槽和淺槽相應(yīng)的凹凸圖案。
隨后，通過(guò)無(wú)電鍍?cè)诎纪箞D案上形成由鎳等組成的導(dǎo)電膜，接著，已經(jīng)形成導(dǎo)電膜的玻璃基片11安裝在電鑄成形設(shè)備上，通過(guò)電鍍?cè)趯?dǎo)電膜上形成厚度為300±5[μm]左右的鎳鍍層。然后，剝離此鍍層，用丙酮等清洗剝離的鍍層，并且除去殘余在轉(zhuǎn)移凹凸圖案的表面上的光致抗蝕劑12。
通過(guò)上述過(guò)程，完成用于光學(xué)記錄介質(zhì)制造的原盤(pán)，即，其上凹凸圖案分別與深槽和淺槽相應(yīng)的用于光學(xué)記錄介質(zhì)制造的原盤(pán)(所謂模板)，在此原盤(pán)上，通過(guò)轉(zhuǎn)移在玻璃基片11上形成的凹凸圖案而形成鍍層。
接著，對(duì)于轉(zhuǎn)移過(guò)程，使用光聚合方法(所謂的2P方法)制作盤(pán)基片，所述盤(pán)基片通過(guò)在其上轉(zhuǎn)移光學(xué)記錄介質(zhì)制造原盤(pán)的表面形狀而成形。具體地，首先，光聚合物平滑地涂敷到其上已經(jīng)形成光學(xué)記錄介質(zhì)制造原盤(pán)凹凸圖案的表面上，形成光聚合物層，接著，在防止氣泡和臟物進(jìn)入光聚合物層的同時(shí)，使基板粘附到光聚合物層。在這，對(duì)于基板，例如使用1.2mm厚的由聚甲基丙烯酸甲酯(折射率1.49)構(gòu)成的基板。
然后，通過(guò)照射紫外光而使光聚合物固化，接著，通過(guò)使光學(xué)記錄介質(zhì)制造原盤(pán)分離，制造通過(guò)在其上轉(zhuǎn)移光學(xué)記錄介質(zhì)制造原盤(pán)的表面形狀而成形的盤(pán)基片2。
應(yīng)指出，在這已經(jīng)描述使用2P方法制造盤(pán)基片2的實(shí)例，以便使在光學(xué)記錄介質(zhì)制造原盤(pán)上形成的凹凸圖案更精確地轉(zhuǎn)移到盤(pán)基片2上。然而，在批量生產(chǎn)盤(pán)基片2的情況下，不需多說(shuō)，通過(guò)使用透明樹(shù)脂如聚甲基丙烯酸甲酯和聚碳酸酯進(jìn)行注模而制造盤(pán)基片2。
隨后，對(duì)于膜形成過(guò)程，在其上通過(guò)轉(zhuǎn)移光學(xué)記錄介質(zhì)制造原盤(pán)的表面形狀而成形的盤(pán)基片2上形成記錄層3和保護(hù)層4。具體地，例如，首先在其上形成有凹凸圖案的盤(pán)基片2的表面上，使用濺射裝置等，按第一介電膜3a、磁層3b、第二介電膜3c和光反射膜3d的順序形成膜，其中，第一介電膜3a由氮化硅(Si3N4)等構(gòu)成，磁層3b是由鋱鐵鈷(TbFeCo)等構(gòu)成的磁光記錄層，第二介電膜3c由氮化硅(Si3N4)等構(gòu)成，光反射膜3d由鋁合金(如Al-Ti)等構(gòu)成。
結(jié)果，形成由第一介電層3a、磁層3b、第二介電層3c和光反射層3d構(gòu)成的記錄層3。隨后，通過(guò)自旋涂敷方法等在記錄層3上平滑地涂敷紫外線(xiàn)固化樹(shù)脂，以便覆蓋基片的幾乎全部表面，并且，通過(guò)照射紫外光而固化紫外線(xiàn)固化樹(shù)脂，以形成保護(hù)層4。通過(guò)上述過(guò)程，完成磁光盤(pán)1。
下面描述通過(guò)上述制造方法(2P方法)或注模而制造多個(gè)評(píng)估用磁光盤(pán)并對(duì)它們進(jìn)行評(píng)估的結(jié)果。使用包括光學(xué)拾波器(波長(zhǎng)λ＝650nm，NA＝0.52)的MD評(píng)估機(jī)器執(zhí)行評(píng)估操作。
在評(píng)估操作中，即使平面Ld1和平面Ld2的兩個(gè)平面寬度與槽Gv1和槽Gv2的兩個(gè)深槽頂部寬度基本相同，深槽和淺槽也設(shè)置為槽，并適當(dāng)?shù)剡x擇深槽和淺槽的深度，由此評(píng)估是否可通過(guò)推挽信號(hào)或CTS信號(hào)進(jìn)行跟蹤伺服。在本實(shí)施例的磁光盤(pán)中，評(píng)估四個(gè)記錄軌道的的記錄和再現(xiàn)特性以及擺動(dòng)槽的擺動(dòng)再現(xiàn)特性。
在槽頂部寬度和平面寬度相同的情況下，評(píng)估推挽信號(hào)或CTS信號(hào)對(duì)于深槽深度和淺槽深度是否獲得能進(jìn)行跟蹤伺服的信號(hào)量(例如等于或大于14％)。表1-表6中的評(píng)估值針對(duì)具有圖3所示結(jié)構(gòu)的評(píng)估盤(pán)。
進(jìn)一步地，在表格中，λ/xn代表槽的深度，λ是激光束的波長(zhǎng)，例如為650nm，n代表盤(pán)基片從光進(jìn)入表面到槽的折射率，例如為1.58，x代表系數(shù)。x的值變化。借助x的值定義槽寬度(nm)。例如，對(duì)于x＝8，650nm/(8×1.58)＝650nm/12.64＝51nm。應(yīng)指出，在這，深槽的系數(shù)x和淺槽的系數(shù)y都設(shè)定為槽深度系數(shù)x。
下表1表示在兩個(gè)深槽的系數(shù)x的值設(shè)定為x＝2.9即槽深度設(shè)定為142nm(數(shù)字的分?jǐn)?shù)部分被舍入)并且淺槽的系數(shù)x的值設(shè)定為x＝16的情況下，在改變兩個(gè)深槽之間(半槽hGv)的深度時(shí)推挽信號(hào)和CTS信號(hào)的振幅變化。對(duì)于評(píng)估盤(pán)，制造與淺槽和半槽hGv的每個(gè)深度都相應(yīng)的一個(gè)評(píng)估盤(pán)?？商鎿Q地，制造其中淺槽和半槽hGv的深度連續(xù)改變的評(píng)估盤(pán)。
表1
下表2表示在兩個(gè)深槽的系數(shù)x的值設(shè)定為x＝2.7即槽深度設(shè)定為152nm(數(shù)字的分?jǐn)?shù)部分被舍入)并且淺槽的系數(shù)x的值設(shè)定為x＝16、x＝8和x＝6的情況下，在改變半槽hGv的深度時(shí)推挽信號(hào)和CTS信號(hào)的振幅變化。
表2
下表3表示在兩個(gè)深槽的系數(shù)x的值設(shè)定為x＝2.5即槽深度設(shè)定為165nm(數(shù)字的分?jǐn)?shù)部分被舍入)并且淺槽的系數(shù)x的值設(shè)定為x＝16、x＝6和x＝3.5的情況下，在改變半槽hGv的深度時(shí)推挽信號(hào)和CTS信號(hào)的振幅變化。
表3
下表4表示在兩個(gè)深槽的系數(shù)x的值設(shè)定為x＝2.3即槽深度設(shè)定為179nm(數(shù)字的分?jǐn)?shù)部分被舍入)并且淺槽的系數(shù)x的值設(shè)定為x＝16、x＝8、x＝6、x＝4、x＝3.2和x＝3的情況下，在改變半槽hGv的深度時(shí)推挽信號(hào)和CTS信號(hào)的振幅變化。
表4
下表5表示在兩個(gè)深槽的系數(shù)x的值設(shè)定為x＝2.1即槽深度設(shè)定為196nm(數(shù)字的分?jǐn)?shù)部分被舍入)并且淺槽的系數(shù)x的值設(shè)定為x＝16、x＝8、x＝4和x＝3.7的情況下，在改變半槽hGv的深度時(shí)推挽信號(hào)和CTS信號(hào)的振幅變化。
表5
下表6表示在兩個(gè)深槽的系數(shù)x的值設(shè)定為x＝2即槽深度設(shè)定為206nm(數(shù)字的分?jǐn)?shù)部分被舍入)并且淺槽的系數(shù)x的值設(shè)定為x＝6和x＝5的情況下，在改變半槽hGv的深度時(shí)推挽信號(hào)和CTS信號(hào)的振幅變化。
表6
在這些表1-6中，在粗線(xiàn)所包圍的范圍內(nèi)，在與所述范圍相應(yīng)的深槽和淺槽的深度中，推挽信號(hào)和CTS信號(hào)的信號(hào)量(絕對(duì)值)等于或大于14％，因此可執(zhí)行穩(wěn)定的跟蹤伺服。
圖6示出在推挽信號(hào)的信號(hào)量等于或大于14％(在粗線(xiàn)范圍內(nèi))的條件下，在淺槽和深槽之間的相位深度關(guān)系。圖6中的縱軸代表淺槽的相位深度Y，橫軸代表深槽的相位深度X。例如，通過(guò)表2所示深槽的系數(shù)x的反數(shù)，即通過(guò)“1/2.7”，獲得點(diǎn)a坐標(biāo)(Xa，Ya)中的Xa為0.370...，并且，通過(guò)表2所示淺槽(上限值)的系數(shù)x的反數(shù)，即通過(guò)“1/6”，獲得Ya為0.166...。進(jìn)一步地，例如，通過(guò)表2所示深槽的系數(shù)x的反數(shù)，即通過(guò)“1/2.7”，獲得點(diǎn)g坐標(biāo)(Xg，Yg)中的Xg為0.370...，并且，通過(guò)表2所示淺槽(下限值)的系數(shù)x的反數(shù)，即通過(guò)“1/16”，獲得Yg為0.0625。
從而，圖6中的點(diǎn)a-f是深槽中提供推挽信號(hào)量等于或大于14％的上限值，并且，點(diǎn)f-k是深槽中提供推挽信號(hào)量等于或大于14％的下限值。也就是說(shuō)，眾所周知，在點(diǎn)a-k所包圍的范圍內(nèi)，推挽信號(hào)的信號(hào)量等于或大于14％，并且可執(zhí)行穩(wěn)定的跟蹤伺服。
在這，用以下表達(dá)式(1)表示連接點(diǎn)a-點(diǎn)e的近似曲線(xiàn)L1，用以下表達(dá)式(2)表示連接點(diǎn)f-點(diǎn)k的近似曲線(xiàn)L2。
Y＝-55081.936X5+117717.139X4-100176.653X3+42397.950X2-8916.164X+744.865 ...(1)Y＝33350.000X5-67572.804X4+54585.538X3-21975.309X2+4409.171X-352.671 ...(2)從而，點(diǎn)a-k所包圍的面積可用滿(mǎn)足以下表達(dá)式(3)和表達(dá)式(4)的面積近似表示。
Y≤-55081.936X5+117717.139X4-100176.653X3+42397.950X2-8916.164X+744.865 ...(3)Y≥33350.000X5-67572.804X4+54585.538X3-21975.309X2+4409.171X-352.671 ...(4)即，通過(guò)形成滿(mǎn)足以上表達(dá)式(3)和(4)的淺槽相位深度和深槽相位深度，推挽信號(hào)的信號(hào)量變得等于或大于14％，并由此執(zhí)行穩(wěn)定的跟蹤伺服。
進(jìn)一步地，為了評(píng)估記錄和再現(xiàn)特性是否良好，在具有適當(dāng)深度的兩個(gè)深槽以及第一平面Ld1和第二平面Ld2的四個(gè)記錄軌道的全部記錄區(qū)中執(zhí)行磁光記錄和再現(xiàn)，所述適當(dāng)深度提供等于或大于14％的推挽信號(hào)量。此時(shí)的抖動(dòng)值為10％左右，并且眾所周知，可獲得良好的記錄和再現(xiàn)特性。
在具有±15nm擺動(dòng)振幅的深(擺動(dòng))槽以及不擺動(dòng)淺(DC)槽的所有部分中，可再現(xiàn)擺動(dòng)信號(hào)。
另外，由于激光束的波長(zhǎng)λ為650nm并且物鏡的數(shù)值孔徑NA為0.52，因此，光學(xué)拾波器的截止頻率2NA/λ為1600(數(shù)值/mm)。另一方面，當(dāng)?shù)谝徊跥v1和第二槽Gv2之間距離設(shè)定為軌道間距時(shí)，軌道間距為340nm，因此，評(píng)估光盤(pán)具有大約2941(數(shù)值/mm)的空間頻率。從而，眾所周知，在具有空間頻率高于光學(xué)拾波器截止頻率的軌道間距的光盤(pán)中，可獲得足夠水平的推挽信號(hào)和CTS信號(hào)，并且可執(zhí)行穩(wěn)定的跟蹤伺服和尋找。
圖7示出使用上述磁光盤(pán)的記錄/再現(xiàn)設(shè)備的構(gòu)造實(shí)例。在圖7中，參考號(hào)51代表如上所述兩個(gè)深槽和一個(gè)淺槽交替形成的磁光盤(pán)。將被記錄的數(shù)據(jù)提供給輸入端52。數(shù)據(jù)調(diào)制器53對(duì)輸入數(shù)據(jù)執(zhí)行數(shù)字調(diào)制。例如，輸入數(shù)據(jù)通過(guò)RLL(1，7)進(jìn)行調(diào)制。在RLL(1，7)中，最短的標(biāo)記長(zhǎng)度是2T，最長(zhǎng)的標(biāo)記長(zhǎng)度是8T。
數(shù)據(jù)調(diào)制器53的輸出數(shù)據(jù)提供給記錄頭驅(qū)動(dòng)單元54。記錄頭驅(qū)動(dòng)單元54向包括在記錄/再現(xiàn)單元55中的記錄頭提供調(diào)制數(shù)據(jù)。記錄/再現(xiàn)單元55包括光學(xué)拾波器。在記錄時(shí)，光學(xué)拾波器對(duì)磁光盤(pán)51照射用于記錄的激光束，以記錄數(shù)據(jù)。
進(jìn)一步地，光學(xué)拾波器從磁光盤(pán)51的反射光產(chǎn)生包括跟蹤誤差信號(hào)、聚焦誤差信號(hào)和地址信息的擺動(dòng)信號(hào)。跟蹤誤差信號(hào)從推挽信號(hào)或CTS信號(hào)形成。記錄/再現(xiàn)單元55的跟蹤誤差信號(hào)和聚焦誤差信號(hào)輸出到伺服單元56。伺服單元56產(chǎn)生用于控制記錄/再現(xiàn)單元55內(nèi)光學(xué)拾波器的跟蹤和聚焦的控制信號(hào)、用于控制磁光盤(pán)31旋轉(zhuǎn)的控制信號(hào)、以及用于控制光學(xué)拾波器在盤(pán)徑向方向上運(yùn)動(dòng)的控制信號(hào)。
擺動(dòng)信號(hào)輸出到擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)單元57。擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)單元57從擺動(dòng)信號(hào)解調(diào)地址信息，并向地址解碼器58輸出地址信息。進(jìn)一步地，擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)單元57從擺動(dòng)信號(hào)提取正弦載波信號(hào)，并把提取出的載波信號(hào)提供給伺服單元56。
地址解碼器58從擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)單元57提供的地址信息信號(hào)計(jì)算地址，并把地址輸出到系統(tǒng)控制器59。系統(tǒng)控制器59布置為根據(jù)從地址解碼器58提供的地址信息而向伺服單元56輸出預(yù)定的控制信號(hào)，并且，當(dāng)從輸入裝置60提供與預(yù)定操作相應(yīng)的信號(hào)時(shí)，向伺服單元56輸出與所述操作相應(yīng)的控制信號(hào)，以控制記錄/再現(xiàn)單元55。
已經(jīng)由磁光盤(pán)51的光學(xué)拾波器讀出并通過(guò)記錄/再現(xiàn)單元55中處理而獲得的再現(xiàn)數(shù)據(jù)提供給數(shù)據(jù)解調(diào)器61。在數(shù)據(jù)解調(diào)器61中，執(zhí)行在記錄時(shí)所執(zhí)行數(shù)字調(diào)制如RLL(1，7)的解調(diào)處理。從數(shù)據(jù)解調(diào)器61的輸出端62取出再現(xiàn)數(shù)據(jù)。
在根據(jù)上述一個(gè)實(shí)施例的磁光盤(pán)1中，軌道密度可制作得比常規(guī)密度高出四倍，可執(zhí)行穩(wěn)定的跟蹤伺服和尋找，兩個(gè)深槽和兩個(gè)平面的總共四個(gè)記錄軌道的記錄和再現(xiàn)特性較好，并且擺動(dòng)再現(xiàn)特性也較好。進(jìn)一步地，激光切割裝置10可用于形成上述磁光盤(pán)1，并且，在結(jié)合圖7描述的記錄/再現(xiàn)設(shè)備中，可執(zhí)行上述磁光盤(pán)1的記錄或再現(xiàn)。
本發(fā)明不局限于本發(fā)明的上述一個(gè)實(shí)施例，在不偏離本發(fā)明內(nèi)容的范圍內(nèi)，可進(jìn)行各種修改和應(yīng)用。本發(fā)明可廣泛地應(yīng)用于沿著記錄軌道形成有槽的光學(xué)記錄介質(zhì)以及用于此介質(zhì)制造的光學(xué)記錄介質(zhì)制造原盤(pán)。作為本發(fā)明目標(biāo)的光學(xué)記錄介質(zhì)例如為以下任意一種只進(jìn)行再現(xiàn)的光學(xué)記錄介質(zhì)、能重復(fù)重寫(xiě)數(shù)據(jù)的光學(xué)記錄介質(zhì)、或能進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄但不能刪除的光學(xué)記錄介質(zhì)。
另外，不具體限制數(shù)據(jù)記錄方法，并且，作為本發(fā)明目標(biāo)的光學(xué)記錄介質(zhì)例如為以下任意一種只進(jìn)行再現(xiàn)并且已經(jīng)事先寫(xiě)數(shù)據(jù)的光學(xué)記錄介質(zhì)、利用磁光效應(yīng)執(zhí)行數(shù)據(jù)記錄和再現(xiàn)的磁光盤(pán)、或利用記錄層相變執(zhí)行數(shù)據(jù)記錄和再現(xiàn)的相變光學(xué)記錄介質(zhì)。
進(jìn)一步地，本發(fā)明可廣泛應(yīng)用于在其至少一部分記錄區(qū)中形成槽的光學(xué)記錄介質(zhì)以及用于此介質(zhì)制造的光學(xué)記錄介質(zhì)制造原盤(pán)。也就是說(shuō)，例如，可在整個(gè)記錄區(qū)上形成槽，或在記錄區(qū)內(nèi)存在未形成槽但通過(guò)壓紋凹坑記錄數(shù)據(jù)的區(qū)域。
如以上詳細(xì)描述地，根據(jù)本發(fā)明，由于記錄區(qū)形成為第一和第二槽以及第一和第二平面的總共四個(gè)軌道，因此可實(shí)現(xiàn)更高的軌道密度。進(jìn)一步地，由于第一和第二槽形成為深槽并且第三槽形成為淺槽，因此，通過(guò)適當(dāng)?shù)卦O(shè)定這些槽的深度，可提供具有良好記錄和再現(xiàn)特性的光學(xué)記錄介質(zhì)、可制造此光學(xué)記錄介質(zhì)的光學(xué)記錄介質(zhì)制造原盤(pán)、以及用于在此光學(xué)記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄/再現(xiàn)的記錄/再現(xiàn)設(shè)備，其中，在此光學(xué)記錄介質(zhì)中，可充分地獲得推挽信號(hào)和CTS信號(hào)的信號(hào)量，并可執(zhí)行穩(wěn)定的跟蹤伺服和尋找。
權(quán)利要求
1.一種沿著記錄軌道形成有槽的光學(xué)記錄介質(zhì)，用具有預(yù)定波長(zhǎng)λ的光照射該介質(zhì)以執(zhí)行記錄和/或再現(xiàn)，所述介質(zhì)的特征在于對(duì)于槽，形成相鄰排列的第一和第二槽以及比第一和第二槽更淺的第三槽，以及信號(hào)記錄到第一和第二槽以及第一槽和第三槽之間、第二槽和第三槽之間的兩個(gè)平面上。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，特征在于第一和第二槽以及第三槽中的至少一個(gè)是蜿蜒形成的擺動(dòng)槽。
3.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，特征在于假設(shè)用于記錄和/或再現(xiàn)的物鏡的數(shù)值孔徑為NA并且光的波長(zhǎng)為λ，軌道間距的空間頻率比用2×NA/λ表達(dá)的截止頻率更高。
4.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，特征在于兩個(gè)平面每一個(gè)的寬度以及第一和第二槽的頂部寬度基本上相同。
5.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，特征在于假設(shè)介質(zhì)從光進(jìn)入表面到槽的折射率為n，第一和第二槽的深度系數(shù)為x，x×n/λ為第一和第二槽的相位深度X，第三槽的深度系數(shù)為y，并且y×n/λ為第三槽的相位深度Y，那么，第一和第二槽的深度系數(shù)x以及第三槽的深度系數(shù)y滿(mǎn)足以下表達(dá)式(5)和(6)Y≤-55081.936X5+117717.139X4-100176.653X3+42397.950X2-8916.164X+744.865 …(5)Y≥33350.000X5-67572.804X4+54585.538X3-21975.309X2+4409.171X-352.671 …(6)。
6.一種在制造光學(xué)記錄介質(zhì)時(shí)使用的光學(xué)記錄介質(zhì)制造原盤(pán)，該介質(zhì)具有沿著記錄軌道形成的槽，并用具有預(yù)定波長(zhǎng)λ的光照射該介質(zhì)以執(zhí)行記錄和/或再現(xiàn)，所述原盤(pán)的特征在于對(duì)于槽，形成相鄰排列的第一和第二槽以及比第一和第二槽更淺的第三槽，以及信號(hào)記錄到第一和第二槽以及第一槽和第三槽之間平面、第二槽和第三槽之間平面上。
7.如權(quán)利要求6所述的用于制造光學(xué)記錄介質(zhì)的原盤(pán)，特征在于第一和第二槽以及第三槽中的至少一個(gè)是蜿蜒形成的擺動(dòng)槽。
8.如權(quán)利要求6所述的用于制造光學(xué)記錄介質(zhì)的原盤(pán)，特征在于假設(shè)用于記錄和/或再現(xiàn)的物鏡的數(shù)值孔徑為NA并且光的波長(zhǎng)為λ，軌道間距的空間頻率比用2×NA/λ表達(dá)的截止頻率更高。
9.如權(quán)利要求6所述的用于制造光學(xué)記錄介質(zhì)的原盤(pán)，特征在于兩個(gè)平面每一個(gè)的寬度以及第一和第二槽的頂部寬度基本上相同。
10.如權(quán)利要求6所述的用于制造光學(xué)記錄介質(zhì)的原盤(pán)，特征在于假設(shè)介質(zhì)從光進(jìn)入表面到槽的折射率為n，第一和第二槽的深度系數(shù)為x，x×n/λ為第一和第二槽的相位深度X，第三槽的深度系數(shù)為y，并且y×n/λ為第三槽的相位深度Y，那么，第一和第二槽的深度系數(shù)x以及第三槽的深度系數(shù)y滿(mǎn)足以下表達(dá)式(7)和(8)Y≤-55081.936X5+117717.139X4-100176.653X3+42397.950X2-8916.164X+744.865 …(7)Y≥33350.000X5-67572.804X4+54585.538X3-21975.309X2+4409.171X-352.671 …(8)。
11.一種用于光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄/再現(xiàn)設(shè)備，該介質(zhì)具有沿著記錄軌道形成的槽，并用具有預(yù)定波長(zhǎng)λ的光照射該介質(zhì)以執(zhí)行記錄和/或再現(xiàn)，所述設(shè)備的特征在于對(duì)于槽，形成相鄰排列的第一和第二槽以及比第一和第二槽更淺的第三槽，以及信號(hào)記錄到第一和第二槽以及第一槽和第三槽之間平面、第二槽和第三槽之間平面上。
12.如權(quán)利要求11所述的記錄/再現(xiàn)設(shè)備，特征在于第一和第二槽以及第三槽中的至少一個(gè)是蜿蜒形成的擺動(dòng)槽，以及從擺動(dòng)槽再現(xiàn)擺動(dòng)信號(hào)。
13.如權(quán)利要求11所述的記錄/再現(xiàn)設(shè)備，特征在于用推挽信號(hào)執(zhí)行跟蹤伺服。
14.一種用于光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄/再現(xiàn)方法，該介質(zhì)具有沿著記錄軌道形成的槽，并用具有預(yù)定波長(zhǎng)λ的光照射該介質(zhì)以執(zhí)行記錄和/或再現(xiàn)，所述方法的特征在于對(duì)于槽，形成相鄰排列的第一和第二槽以及比第一和第二槽更淺的第三槽，以及信號(hào)記錄到第一和第二槽以及第一槽和第三槽之間平面、第二槽和第三槽之間平面上。
15.如權(quán)利要求14所述的記錄/再現(xiàn)方法，特征在于第一和第二槽以及第三槽中的至少一個(gè)是蜿蜒形成的擺動(dòng)槽，以及從擺動(dòng)槽再現(xiàn)擺動(dòng)信號(hào)。
16.如權(quán)利要求14所述的記錄/再現(xiàn)方法，特征在于用推挽信號(hào)執(zhí)行跟蹤伺服。
全文摘要
本發(fā)明涉及光學(xué)記錄介質(zhì)、制造該介質(zhì)的原盤(pán)、記錄/再現(xiàn)設(shè)備及方法，其中在磁光盤(pán)中形成第一至第三槽(Gv1，Gv2，Gv3)。槽(Gv1，Gv2，Gv3)相鄰。第一和第二槽(Gv1，Gv2)較深，而第三槽(Gv3)較淺。第一和第二槽(Gv1，Gv2)是擺動(dòng)槽。數(shù)據(jù)記錄在四個(gè)記錄軌道上兩個(gè)深槽以及淺槽與深槽之間的兩個(gè)平面。CTS信號(hào)是光電檢測(cè)器(6)的和信號(hào)(A+B+C+D)，推挽信號(hào)是光電檢測(cè)器(8)的差分信號(hào)(A+D)－(B+C)。
文檔編號(hào)G11B7/24GK1692416SQ200380100400
公開(kāi)日2005年11月2日 申請(qǐng)日期2003年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月14日
發(fā)明者遠(yuǎn)藤惣銘 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社