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只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)和從其再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法

文檔序號(hào):6761528閱讀:241來源:國(guó)知局
專利名稱:只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)和從其再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種在其中用于數(shù)據(jù)再現(xiàn)所需的圖樣形成在引入?yún)^(qū)域和/或引出區(qū)域中,因此提高再現(xiàn)特性的高密度只讀光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì),以及一種從這種高密度只讀光學(xué)信息存儲(chǔ)介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法。
背景技術(shù)
通常,信息存儲(chǔ)介質(zhì)如,例如,光盤被廣泛地使用在用于以非接觸方式記錄/再現(xiàn)信息的光學(xué)拾取設(shè)備中。光盤根據(jù)其信息存儲(chǔ)容量可分類為壓縮盤(CD)或數(shù)字多功能盤(DVD)??捎涗浀墓獗P的例子包括650MB的CD-R、CD-RW、4.7GB的DVD+RW、DVD-RAM(隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)、和DVD-R/RW(可重寫)。此外,正在開發(fā)具有20GB或更大的記錄容量的HD-DVD。
如上所述,隨著信息存儲(chǔ)介質(zhì)的容量的增加,記錄在只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的凹坑的長(zhǎng)度和寬度降低。由于凹坑長(zhǎng)度和凹坑寬度的這種減小,用于最小標(biāo)記的信號(hào)變得很小,這使得測(cè)量調(diào)制度很困難。需要調(diào)制度測(cè)量來測(cè)量數(shù)據(jù)信號(hào)的記錄和/或再現(xiàn)性能。例如,基于游程限制RLL(d,k)調(diào)制技術(shù)的調(diào)制度是I(d+1)/I(k+1),其中,I表示在網(wǎng)眼圖樣(eye pattern)中的信號(hào)的強(qiáng)度。該網(wǎng)眼圖樣是示出數(shù)據(jù)信號(hào)的特性的曲線圖。
在游程限制(RLL)調(diào)制技術(shù)中,基于在值為1的兩個(gè)比特之間存在多少值為0的比特來執(zhí)行調(diào)制。RLL(d,k)表示在兩個(gè)為1的比特之間的為0的比特的最小和最大數(shù)目分別是d和k。例如,RLL(1,7)表示在兩個(gè)為1的比特之間的為0的比特的最小和最大數(shù)目分別是1和7。在RLL(1,7)調(diào)制技術(shù)中,如果一個(gè)為0的比特存在于為1的兩個(gè)比特之間,則數(shù)據(jù)“1010101”被記錄。于是,在為1的兩個(gè)比特之間的長(zhǎng)度是2T。如果7個(gè)為0的比特存在于兩個(gè)為1的比特之間,則數(shù)據(jù)“10000000100000001”被記錄,因此,在兩個(gè)為1的比特之間的長(zhǎng)度是8T。于此,T表示最小標(biāo)記,即最小凹坑的長(zhǎng)度。于是,在RLL(1,7)調(diào)制技術(shù)中,以在2T和8T之間的長(zhǎng)度的范圍內(nèi)的凹坑和間隔的形式來記錄數(shù)據(jù)。
在RLL(2,10)調(diào)制技術(shù)中,以在3T和11T之間的長(zhǎng)度的范圍內(nèi)的凹坑和間隔的形式來記錄數(shù)據(jù)。
在RLL(1,7)調(diào)制技術(shù)中,調(diào)制度被測(cè)量為I2/I8。在RLL(2,10)調(diào)制方法中,調(diào)制度被測(cè)量為I3/I11。
圖1示出傳統(tǒng)只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)的引入?yún)^(qū)域的結(jié)構(gòu)。引入?yún)^(qū)域包括控制數(shù)據(jù)區(qū)100a、緩沖區(qū)100b、和信息區(qū)100d??刂茢?shù)據(jù)區(qū)100a存儲(chǔ)盤有關(guān)信息和復(fù)制保護(hù)信息。信息區(qū)100d存儲(chǔ)關(guān)于驅(qū)動(dòng)器或盤的狀態(tài)的信息。引入?yún)^(qū)域還包括用于存儲(chǔ)還沒有被確定但以后將被加入的數(shù)據(jù)的保留區(qū)100c。
如圖1所示,傳統(tǒng)只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)不包括用于測(cè)量調(diào)制度的區(qū)域。因此,測(cè)量員必須直接從記錄在用戶數(shù)據(jù)區(qū)域中的數(shù)據(jù)的網(wǎng)眼圖樣來測(cè)量調(diào)制度。
圖2示出在基于RLL(1,7)調(diào)制技術(shù)的數(shù)據(jù)記錄期間用于隨機(jī)信號(hào)的網(wǎng)眼圖樣。在圖2中,水平軸表示時(shí)間,垂直軸表示信號(hào)的強(qiáng)度(I)。在相關(guān)技術(shù)中,當(dāng)使用圖2示出的這種網(wǎng)眼圖樣來測(cè)量調(diào)制度時(shí),測(cè)量員將示波器的光標(biāo)移動(dòng)到與2T長(zhǎng)最小凹坑相應(yīng)的信號(hào)圖樣的波形的波峰以測(cè)量I2,另外,將示波器的光標(biāo)移動(dòng)到與8T長(zhǎng)的最大凹坑相應(yīng)的信號(hào)圖樣的波形的波峰以測(cè)量I8,從而測(cè)量為I2/I8的調(diào)制度。
然而,隨著信息存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄容量的增加,最小凹坑的長(zhǎng)度和寬度降低,于是,最小凹坑的網(wǎng)眼圖樣變得更小而更難準(zhǔn)確地測(cè)量。因此,在這種傳統(tǒng)調(diào)制度測(cè)量技術(shù)中,不同的測(cè)量員可能輸出不同的測(cè)量結(jié)果,因此增加了錯(cuò)誤。換言之,隨著網(wǎng)眼圖樣的幅值的降低,測(cè)量員更可能將示波器光標(biāo)移動(dòng)到與最小凹坑的長(zhǎng)度相應(yīng)的信號(hào)圖樣的波形的波峰上的不同位置。因此,測(cè)量的調(diào)制度的準(zhǔn)確度下降。隨著信息存儲(chǔ)介質(zhì)的容量的增加,這個(gè)問題變得更嚴(yán)重。另外,隨著在相鄰凹坑之間的間隔的長(zhǎng)度的降低,產(chǎn)生嚴(yán)重的串?dāng)_,這妨礙了調(diào)制度的準(zhǔn)確測(cè)量。
在數(shù)據(jù)再現(xiàn)時(shí),上述的調(diào)制度測(cè)量是必須的。在數(shù)據(jù)再現(xiàn)時(shí),系統(tǒng)自適應(yīng)過程也是必須的。用于數(shù)據(jù)再現(xiàn)的這些要求必須被滿足以實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)數(shù)據(jù)再現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),在其中,數(shù)據(jù)再現(xiàn)所需的用于實(shí)現(xiàn)用途的圖樣形成在引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域的至少一個(gè)中,并且通過使用該圖樣來提高再現(xiàn)特性,以及一種從該只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法。
將在接下來的描述中部分闡述本發(fā)明另外的方面和/或優(yōu)點(diǎn),還有一部分通過描述將是清楚的,或者可以經(jīng)過本發(fā)明的實(shí)施而得知。
根據(jù)本發(fā)明的一方面,提供了一種只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),該介質(zhì)包括用戶數(shù)據(jù)區(qū)域,其存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù);引入?yún)^(qū)域;和引出區(qū)域。用于實(shí)現(xiàn)用途的圖樣形成在引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域的至少一個(gè)中。
該圖樣可以是用于當(dāng)使用數(shù)據(jù)記錄調(diào)制技術(shù)記錄數(shù)據(jù)時(shí)測(cè)量調(diào)制度的測(cè)試圖樣。
可以以在通過數(shù)據(jù)記錄調(diào)制技術(shù)產(chǎn)生的凹坑中的至少一個(gè)最小凹坑和一個(gè)最大凹坑被記錄在一個(gè)周期內(nèi)的方式來記錄測(cè)試圖樣。
測(cè)試圖樣可以包括具有與最小和最大凹坑的長(zhǎng)度不同的長(zhǎng)度的凹坑。
測(cè)試圖樣可包括在每個(gè)記錄單位中交替的通過數(shù)據(jù)記錄調(diào)制技術(shù)產(chǎn)生的凹坑中的最小凹坑和最大凹坑。
測(cè)試圖樣可以包括在每個(gè)記錄單位中交替的第一和第二圖樣。第一圖樣可包括在通過數(shù)據(jù)記錄調(diào)制技術(shù)產(chǎn)生的凹坑中的最小凹坑和具有與最小凹坑不同的長(zhǎng)度的凹坑,第二圖樣可包括在通過數(shù)據(jù)記錄調(diào)制技術(shù)產(chǎn)生的凹坑中的最大凹坑和具有與最大凹坑不同的長(zhǎng)度的凹坑。
在測(cè)試圖樣的再現(xiàn)中,可以使用微分相位檢測(cè)(DPD)方法或推挽方法來執(zhí)行跟蹤。
數(shù)據(jù)記錄調(diào)制技術(shù)可以是RLL(d,k)調(diào)制技術(shù)。
測(cè)試圖樣可以產(chǎn)生為0的信號(hào)特性曲線圖的DC和。
測(cè)試圖樣可包括(d+1)T凹坑的第一數(shù)據(jù)圖樣和(k+1)T凹坑的第二數(shù)據(jù)圖樣。
第一和第二數(shù)據(jù)圖樣的整個(gè)長(zhǎng)度可以是(d+1)和(k+1)的最小公倍數(shù)的2n倍(n是自然數(shù))。
圖樣的使用的用途可以是數(shù)據(jù)再現(xiàn)。
用于用途的圖樣可以是用于非對(duì)稱測(cè)量的圖樣。
測(cè)試區(qū)可被包括在引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域中的至少一個(gè)中,并且用于用途的圖樣形成在測(cè)試區(qū)中。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供了一種只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),包括數(shù)據(jù)區(qū)域,其存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù);引入?yún)^(qū)域;引出區(qū)域。用于局部響應(yīng)最大相似(PRML)自適應(yīng)的圖樣形成在引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域的至少一個(gè)中。
用于PRML自適應(yīng)的圖樣根據(jù)PRML系統(tǒng)的目標(biāo)通道和RLL(d,k)碼的d的值來變化。
當(dāng)PRML(a,b,b,b,a)系統(tǒng)和RLL(d,k)碼(其中,d是1)用于數(shù)據(jù)再現(xiàn)時(shí),用于PRML自適應(yīng)的圖樣可以包括具有2T、3T長(zhǎng)度至少一個(gè)和從5T到(k+1)T的范圍內(nèi)的長(zhǎng)度的信號(hào)。
當(dāng)PRML(1,2,2,2,1)系統(tǒng)和RLL(d,k)碼(其中,d是1)用于數(shù)據(jù)再現(xiàn)時(shí),用于PRML自適應(yīng)的圖樣可包括具有3T和具有從5T到(k+1)T范圍的至少一個(gè)的長(zhǎng)度的信號(hào)。
當(dāng)PRML(a,b,b,a)系統(tǒng)和RLL(d,k)碼(其中,d是1)用于數(shù)據(jù)再現(xiàn)時(shí),用于自適應(yīng)的圖樣可以是2T/2T/4T/4T的圖樣。
當(dāng)PRML(a,b,a)系統(tǒng)和RLL(d,k)碼(其中,d是1)用于數(shù)據(jù)再現(xiàn)時(shí),用于PRML自適應(yīng)的圖樣可以是每個(gè)具有3T長(zhǎng)度的信號(hào)的圖樣。
當(dāng)PRML系統(tǒng)和RLL(d,k)碼用于數(shù)據(jù)再現(xiàn)時(shí),用于PRML自適應(yīng)的圖樣可以包括具有從2T到(k+1)T范圍內(nèi)的長(zhǎng)度的信號(hào)中的至少一個(gè)。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供了一種從包括用于存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)的用戶數(shù)據(jù)區(qū)域、引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法。該方法包括在引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域的至少一個(gè)中形成用于實(shí)現(xiàn)測(cè)試和自適應(yīng)操作之一的圖樣,這兩種操作是數(shù)據(jù)再現(xiàn)所必需的;使用該圖樣執(zhí)行測(cè)試和自適應(yīng)操作之一;和再現(xiàn)該數(shù)據(jù)。該圖樣是測(cè)試圖樣和自適應(yīng)圖樣之一,其中,當(dāng)該執(zhí)行是執(zhí)行測(cè)試操作時(shí),該圖樣是測(cè)試圖樣,其中,當(dāng)該執(zhí)行是自適應(yīng)操作時(shí),該圖樣是自適應(yīng)圖樣。
測(cè)試執(zhí)行步驟可包括跟蹤測(cè)試圖樣,和通過使用測(cè)試圖樣的信號(hào)特性曲線圖來測(cè)量調(diào)制度。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供了一種從只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法,該只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)包括數(shù)據(jù)區(qū)域,用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù);引入?yún)^(qū)域;引出區(qū)域,并且數(shù)據(jù)再現(xiàn)所需的用于實(shí)現(xiàn)用途的圖樣形成在引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域的至少一個(gè)中。該方法包括使用該圖樣執(zhí)行測(cè)試操作和自適應(yīng)操作之一;和再現(xiàn)該數(shù)據(jù)。該圖樣是測(cè)試和自適應(yīng)圖樣之一,其中,當(dāng)該執(zhí)行是執(zhí)行測(cè)試操作時(shí),該圖樣是測(cè)試圖樣,其中,當(dāng)該執(zhí)行是自適應(yīng)操作時(shí),該圖樣是自適應(yīng)圖樣。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供了一種測(cè)量表示數(shù)據(jù)記錄和/或再現(xiàn)性能的調(diào)制度的方法。該方法包括讀取具有可去除的DC分量的圖樣,并且響應(yīng)讀取的圖樣來產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào);去除圖樣的DC分量;和使用信號(hào)特性曲線圖來測(cè)量數(shù)據(jù)信號(hào)的調(diào)制度。圖樣形成在只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)的引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域的至少一個(gè)中。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供了一種優(yōu)化數(shù)據(jù)再現(xiàn)特性的方法。該方法包括讀取形成在包括存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)域、引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)的圖樣,該圖樣形成在引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域的至少一個(gè)中。該圖樣是用于調(diào)制度測(cè)量的圖樣、局部響應(yīng)最大相似(PRML)自適應(yīng)圖樣、和用于非對(duì)稱測(cè)量的圖樣的至少一個(gè)。


圖1示出傳統(tǒng)只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)的引入?yún)^(qū)域的結(jié)構(gòu);圖2示出通過再現(xiàn)根據(jù)RLL(1,7)調(diào)制方法記錄的數(shù)據(jù)獲得的信號(hào)的網(wǎng)眼圖樣;圖3示意性地示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu);圖4A到圖4D示出用于調(diào)制度測(cè)量的圖樣的例子,該圖樣記錄在包括在圖3的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的測(cè)試區(qū)中;圖5A到圖5C示出用于獲得使用在圖3的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的局部響應(yīng)最大相似(PRML)系統(tǒng)的預(yù)期值的均衡器;圖6A示出用于單一圖樣的微分相位檢測(cè)(DPD)信號(hào)和用于單一圖樣的推挽信號(hào);圖6B示出均具有良好特性的推挽信號(hào)和射頻(RF)信號(hào);圖6C示出具有良好特性的DPD信號(hào);和圖7是用于示出產(chǎn)生用于測(cè)量調(diào)制度的信號(hào)的過程的方框圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)地討論本發(fā)明的實(shí)施方式,其例子在附圖中示出,其中,相同標(biāo)記始終指定同一部件。以下通過參考附圖來描述實(shí)施例以解釋本發(fā)明。
參考圖3,根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)包括用戶數(shù)據(jù)區(qū)域20,其存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù);引入?yún)^(qū)域10,其形成在用戶數(shù)據(jù)區(qū)域20的內(nèi)部邊界以存儲(chǔ)盤有關(guān)信息;和引出區(qū)域(未示出),其形成在用戶數(shù)據(jù)區(qū)域的外部邊界。
在根據(jù)本發(fā)明的本實(shí)施例的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)中,用于實(shí)現(xiàn)用途的圖樣形成在引入?yún)^(qū)域10和引出區(qū)域中的至少一個(gè)中。
圖樣的用途在于從信息存儲(chǔ)介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)。例如,圖樣可以是用于調(diào)制度測(cè)量、非對(duì)稱測(cè)量、和局部響應(yīng)最大相似(PRML)自適應(yīng)中的至少一個(gè)的圖樣。圖樣形成于引入?yún)^(qū)域10和引出區(qū)域中的至少一個(gè)的一部分中。并且,圖樣可形成于引入?yún)^(qū)域10的測(cè)試區(qū)10d中。此外,測(cè)試區(qū)10d還可包括在引出區(qū)域中。圖樣可形成于引入?yún)^(qū)域10d和引出區(qū)域二者中以提高可靠性。
引入?yún)^(qū)域10包括控制數(shù)據(jù)區(qū)10a,其存儲(chǔ)盤有關(guān)信息和復(fù)制保護(hù)信息;緩沖區(qū)10b;保留區(qū)10c;和信息區(qū)10e,其存儲(chǔ)關(guān)于驅(qū)動(dòng)器或盤的狀態(tài)的信息。盤有關(guān)信息的例子包括關(guān)于存儲(chǔ)介質(zhì)如可記錄盤、一次寫入盤和只讀盤的類型的信息、關(guān)于記錄層的數(shù)目的信息、關(guān)于記錄速度的信息、關(guān)于盤的尺寸的信息等等。
例如,用于測(cè)量調(diào)制度的凹坑圖樣可形成在測(cè)試區(qū)10d中?,F(xiàn)在將詳細(xì)解釋用于測(cè)量已經(jīng)根據(jù)RLL(d,k)調(diào)制方法記錄的數(shù)據(jù)的調(diào)制度的方法。
如上所述,RLL(d,k)調(diào)制方法是基于在為1的兩個(gè)比特之間的為0的比特的最小和最大數(shù)目分別是d和k的定義。在這種情況下,至少在周期(P)內(nèi)包括最小凹坑和最大凹坑的圖樣形成在測(cè)試區(qū)10d中。例如,在RLL(1,7)調(diào)制方法中,數(shù)據(jù)以在2T和8T之間長(zhǎng)度范圍內(nèi)的凹坑和間隔的形式被記錄。于是,在周期(P)內(nèi)包括至少一個(gè)2T凹坑和一個(gè)8T凹坑的圖樣形成在測(cè)試區(qū)10d中。于此,T表示最小標(biāo)記的長(zhǎng)度。
更具體地講,如圖4A所示,在一個(gè)周期(P)內(nèi)包括2T凹坑和8T凹坑的圖樣形成在測(cè)試區(qū)10d中。在這種情況下,周期(P)是記錄單位如糾錯(cuò)碼(ECC)塊、扇區(qū)、和幀。地址記錄在每個(gè)記錄單位的頭部。
另外,連續(xù)2T凹坑被布置在記錄單位的前半部分,連續(xù)8T凹坑被布置在其后半部分。此外,2T凹坑和8T凹坑可以交替如2T/8T/2T/8T/2T/8T,或者可形成2T/2T/8T/2T/2T/8T的圖樣。換言之,2T和8T凹坑可以以各種方式來組合以形成圖樣。這時(shí),如圖4B所示,一個(gè)周期包括兩個(gè)記錄單位。在圖4B中,2T的最小凹坑被記錄在兩個(gè)記錄單位之一中,8T的最大凹坑被記錄在另一個(gè)記錄單位中。換言之,如果最小凹坑的圖樣被記錄在一個(gè)記錄單位中,則最大凹坑的圖樣被記錄在下一個(gè)記錄單位中。
另外,最小凹坑、最大凹坑、和具有與最小和最大凹坑不同的長(zhǎng)度的凹坑的圖樣可形成在一個(gè)周期(P)中。與最小和最大凹坑不同的凹坑具有在最小和最大凹坑的長(zhǎng)度之間的中間長(zhǎng)度。例如,如圖4C所示,2T、5T、和8T凹坑的圖樣被記錄在一個(gè)周期(P)中。在這種情況下,與圖4A的例子相同,周期(P)是記錄單位如ECC塊、扇區(qū)、或幀。
如圖4D所示,通過將包括最小凹坑和具有與最小凹坑長(zhǎng)度不同的凹坑的第一圖樣和包括最大凹坑和具有與最大凹坑波長(zhǎng)不同的凹坑的第二圖樣交替,也可形成用于調(diào)制度測(cè)量的圖樣(以下,稱作測(cè)試圖樣)。第一和第二圖樣的每個(gè)被記錄在每個(gè)記錄單位中。在這種情況下,周期(P)包括兩個(gè)記錄單位。每個(gè)記錄單位可以是糾錯(cuò)碼(ECC)塊、扇區(qū)、或幀。因此,第一圖樣可記錄在第n ECC塊中,第二圖樣可記錄在第(n+1)ECC塊。例如,如圖4D所示,兩個(gè)2T凹坑和一個(gè)5T凹坑的第一圖樣和兩個(gè)8T凹坑和一個(gè)5T凹坑的第二圖樣被記錄在周期(P)中。
記錄在測(cè)試區(qū)10d中的測(cè)試圖樣被構(gòu)造,從而DC和變成0,因此增加信號(hào)再現(xiàn)的可靠性。
如上所述,包括最小凹坑和最大凹坑的測(cè)試圖樣至少被周期地記錄在測(cè)試區(qū)10d中,通過使用用于測(cè)試圖樣的信號(hào),可容易地測(cè)量調(diào)制度。存儲(chǔ)測(cè)試圖樣的測(cè)試區(qū)10d可被包括在引出區(qū)域和引入?yún)^(qū)域中以測(cè)量?jī)?nèi)部和外部邊界二者的再現(xiàn)性能。由于引出區(qū)域的結(jié)構(gòu)與引入?yún)^(qū)域的結(jié)構(gòu)相似,所以將不詳細(xì)地描述。
替代測(cè)試圖樣,用于對(duì)局部響應(yīng)最大相似(PRML)自適應(yīng)的圖樣(以下,稱作PRML自適應(yīng)圖樣)可形成在測(cè)試區(qū)10d中。在PRML檢測(cè)技術(shù)中,輸入信號(hào)首先被預(yù)解碼,從而當(dāng)前和先前數(shù)據(jù)具有碼元間干擾,然后預(yù)編碼的輸入信號(hào)被調(diào)制成目標(biāo)響應(yīng)。通過裴特比(viterbi)解碼器,目標(biāo)響應(yīng)的值被解碼成數(shù)據(jù)。根據(jù)PRML檢測(cè)技術(shù),通過均衡來補(bǔ)償通道特性(即,失真),并且使用裴特比解碼器來實(shí)現(xiàn)由于抖動(dòng)導(dǎo)致的糾錯(cuò)。
當(dāng)RLL(d,k)碼應(yīng)用在PRML檢測(cè)技術(shù)時(shí),PRML自適應(yīng)圖樣根據(jù)PRML系統(tǒng)的目標(biāo)通道和在RLL(d,k)碼中的“d”的值來變化。例如,在PRML(a,b,b,b,a)系統(tǒng)中,在括號(hào)中的值表示目標(biāo)通道。PRML自適應(yīng)圖樣表示可從PRML系統(tǒng)的目標(biāo)通道獲得的所有預(yù)期值,并且由從具有從(d+1)T到(k+1)T范圍內(nèi)的長(zhǎng)度的信號(hào)中選擇的至少一個(gè)信號(hào)形成。如果可能,由從具有在從(d+1)T到(k+1)T范圍內(nèi)的長(zhǎng)度的信號(hào)中選擇的具有最小長(zhǎng)度的信號(hào)形成PRML自適應(yīng)圖樣。
圖5A示出用于獲得預(yù)期值的均衡器,該預(yù)期值在RLL(d,k)碼(其中,d是1)和PRML(a,b,b,b,a)系統(tǒng)被用于根據(jù)本發(fā)明的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)的情況下可表示。在下面表1中示出了獲得的預(yù)期值。

如表1所示,在RLL(d,k)碼(其中,d是1)和PRML(a,b,b,b,a)系統(tǒng)被使用的情況下,總共可獲得10個(gè)預(yù)期值。在PRML(1,2,2,2,1)系統(tǒng)被使用的情況下,為+8,+6,+4,+2,0,-2,-4,-6,和-8的9個(gè)預(yù)期值被獲得。通過通過重復(fù)從具有2T長(zhǎng)度、3T長(zhǎng)度、和在5T到(k+1)T的范圍內(nèi)的長(zhǎng)度的信號(hào)中選擇的至少一個(gè)信號(hào)形成的PRML自適應(yīng)圖樣可表示9個(gè)預(yù)期值。PRML自適應(yīng)圖樣包括具有至少2T、3T、和5T的長(zhǎng)度的信號(hào)。當(dāng)3T/2T/2T/3T/5T/5T或2T/2T/3T/3T/5T/5T的重復(fù)圖樣被記錄時(shí),重復(fù)圖樣可用于當(dāng)數(shù)據(jù)再現(xiàn)時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)PRML(1,2,2,2,1)系統(tǒng)自適應(yīng)的用途。使用重復(fù)圖樣,PRML(1,2,2,2,1)系統(tǒng)表示所有9個(gè)預(yù)期值。
圖5B示出用于獲得預(yù)期值的均衡器,該預(yù)期值在RLL(d,k)碼(其中,d是1)和PRML(a,b,b,a)系統(tǒng)被用于根據(jù)本發(fā)明的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)的情況下可表示。在下面表2中示出了獲得的預(yù)期值。


如表2所示,在RLL(d,k)碼(其中d是1)和PRML(a,b,b,a)系統(tǒng)被使用的情況下,可表示總共7個(gè)預(yù)期值。在PRML(1,2,2,1)系統(tǒng)被使用的情況下,獲得為+6、+4、+2、0、-2、-4、和-6的7個(gè)預(yù)期值。通過由從具有2T長(zhǎng)度和在4T到(k+1)T范圍內(nèi)的長(zhǎng)度的信號(hào)中選擇的至少一個(gè)信號(hào)形成的PRML自適應(yīng)圖樣可表示7個(gè)預(yù)期值。當(dāng)數(shù)據(jù)被記錄在2T 2T 4T 4T的重復(fù)圖樣中時(shí),重復(fù)圖樣表示在PRML(1,2,2,1)系統(tǒng)和RLL(1,k)碼被使用的情況下獲得的所有7個(gè)預(yù)期值。因此,重復(fù)圖樣可用于當(dāng)數(shù)據(jù)再現(xiàn)時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)RLL(d,k)碼和PRML(a,b,b,a)系統(tǒng)自適應(yīng)的用途。換言之,通過包括2T和4T凹坑的圖樣可表示+6、+4、+2、0、-2、-4、和-6的所有的7個(gè)預(yù)期值。
圖5C示出用于獲得預(yù)期值的均衡器,該預(yù)期值在RLL(d,k)碼(其中,d是1)和PRML(a,b,a)系統(tǒng)被用于根據(jù)本發(fā)明的本實(shí)施例的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)的情況下可表示。在下面表3中示出了獲得的預(yù)期值。

如表3所示,在RLL(d,k)碼(其中d是1)和PRML(a,b,a)系統(tǒng)被使用的情況下,可表示總共4個(gè)預(yù)期值。通過由從具有在3T到(k+1)T范圍內(nèi)的長(zhǎng)度的信號(hào)中選擇的至少一個(gè)信號(hào)形成的PRML自適應(yīng)圖樣可表示4個(gè)預(yù)期值。PRML自適應(yīng)圖樣可用于實(shí)現(xiàn)對(duì)RLL(d,k)碼和PRML(a,b,a)系統(tǒng)自適應(yīng)的用途。在PRML(1,2,1)系統(tǒng)和RLL(1,k)碼被使用的情況下,獲得為+4、+2、-2和-4的4個(gè)預(yù)期值。在這種情況下,通過3T凹坑的圖樣可表示所有4個(gè)預(yù)期值。
上述的PRML自適應(yīng)圖樣可形成在引入?yún)^(qū)域10和引出區(qū)域(未示出)中的至少一個(gè)中。此外,該圖樣可形成在引入?yún)^(qū)域10的測(cè)試區(qū)10d中。
根據(jù)本發(fā)明的本實(shí)施例,用于實(shí)現(xiàn)用途的圖樣可以是用于非對(duì)稱測(cè)量的圖樣。當(dāng)RLL(d,k)碼被使用時(shí),用于非對(duì)稱測(cè)量的圖樣至少包括a(d+1)T凹坑和a(k+1)T凹坑。
如上所述,在根據(jù)本發(fā)明的本實(shí)施例的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)中,用于用途如調(diào)制度測(cè)量、PRML自適應(yīng)、和非對(duì)稱測(cè)量的圖樣的至少之一形成在測(cè)試區(qū)10d中,以提高信息存儲(chǔ)介質(zhì)的再現(xiàn)特性。
現(xiàn)在將詳細(xì)地描述從根據(jù)本發(fā)明的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法。
如上所述,測(cè)試區(qū)被安裝在引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域中的至少一個(gè)中,并且用于用途的圖樣形成在測(cè)試區(qū)中。當(dāng)數(shù)據(jù)再現(xiàn)時(shí),使用用于用途的圖樣,并且例如,包括用于調(diào)制度測(cè)量的圖樣(即,測(cè)試圖樣)、PRML自適應(yīng)圖樣和用于非對(duì)稱測(cè)量的圖樣中的至少一個(gè)。
測(cè)試圖樣可以是以上參考圖4A到4D描述的圖樣中的任何一個(gè)。執(zhí)行跟蹤以使用由從通過數(shù)據(jù)記錄調(diào)制技術(shù)產(chǎn)生的凹坑中選擇的至少最小凹坑和最大凹坑形成的測(cè)試圖樣來測(cè)量調(diào)制度。
根據(jù)微分相位檢測(cè)(DPD)方法或推挽方法可實(shí)現(xiàn)跟蹤。在DPD方法中,使用聚焦在光電探測(cè)器例如象限光電探測(cè)器的光點(diǎn)的相位差來實(shí)現(xiàn)跟蹤飼服。在推挽方法中,使用聚焦在光電探測(cè)器的光點(diǎn)的右-左(right-left)信號(hào)差來實(shí)現(xiàn)飼服。這些方法是公知的,所以將不再詳細(xì)地描述。
當(dāng)單一圖樣被跟蹤時(shí),使用DPD方法控制跟蹤是困難的。圖6A示出二者都用于由具有2T長(zhǎng)度的凹坑和具有2T長(zhǎng)度的間隔形成的單一圖樣的DPD信號(hào)和推挽信號(hào)。圖6A的下部的曲線圖示出DPD信號(hào)和推挽信號(hào)的放大的部分。圖6B示出具有良好特性的推挽信號(hào)和通過使用推挽信號(hào)跟蹤單一圖樣獲得的射頻(RF)信號(hào)。參考圖6A和6B,用于單一圖樣的推挽信號(hào)具有良好特性。于是,最好,推挽方法使用在跟蹤單一圖樣中。
圖6C示出具有良好特性的DPD信號(hào)。與圖6C相比,圖6A的用于單一圖樣的DPD信號(hào)具有失真的三角波,從而正常的信號(hào)檢測(cè)是不可能的。然而,DPD信號(hào)有利地跟蹤隨機(jī)圖樣。
因此,使用良好的檢測(cè)方法,或者DPD檢測(cè)方法或推挽方法,可以跟蹤形成在測(cè)試區(qū)10d中的測(cè)試圖樣(即,用于調(diào)制度測(cè)量的圖樣)。
這種使用測(cè)試圖樣的跟蹤建立信號(hào)特性曲線圖,例如,網(wǎng)眼圖樣。信號(hào)特性曲線圖被使用在測(cè)量調(diào)制度。根據(jù)RLL(1,7)調(diào)制技術(shù),由2T最小凹坑和8T最大凹坑形成用于調(diào)制度測(cè)量的圖樣。從與2T最小凹坑相應(yīng)的信號(hào)測(cè)量I2T,從與8T最大凹坑相應(yīng)的信號(hào)測(cè)量I8T。此時(shí),僅僅用于調(diào)制度測(cè)量的圖樣的信號(hào)可被檢測(cè),從而由于缺少其它信號(hào)的影響,所以最大和最小凹坑中的每個(gè)的信號(hào)的檢測(cè)是容易的。
具體地講,隨著信息存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄容量的增加,最小凹坑的檢測(cè)變得更困難。然而,在本發(fā)明的本實(shí)施例中,包括最小凹坑和最大凹坑的簡(jiǎn)單圖樣被用作用于調(diào)制度測(cè)量的圖樣,從而可以容易地測(cè)量調(diào)制度。隨著最小凹坑的尺寸的降低,在相鄰最小凹坑之間可能產(chǎn)生串?dāng)_。然而,根據(jù)本發(fā)明的用于調(diào)制度測(cè)量的圖樣包括規(guī)則布置的最小凹坑,從而串?dāng)_規(guī)則地產(chǎn)生。因此,盡管考慮到串?dāng)_的規(guī)則產(chǎn)生,但調(diào)制度還可以被測(cè)量。如果使用隨機(jī)圖樣,則串?dāng)_在相鄰凹坑之間隨機(jī)地產(chǎn)生,從而考慮到串?dāng)_的影響,調(diào)制度測(cè)量是不可能的。
用于測(cè)量根據(jù)本發(fā)明的本實(shí)施例的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)的調(diào)制度的測(cè)試圖樣包括從使用在數(shù)據(jù)記錄調(diào)制技術(shù)中的凹坑中選擇的至少一個(gè)最小凹坑和一個(gè)最大凹坑,并且還被形成,從而信號(hào)特性曲線圖具有為0的DC和。
根據(jù)RLL(d,k)調(diào)制方法中,以在(d+1)T和(k+1)T之間的長(zhǎng)度的范圍內(nèi)的凹坑和間隔的形式來記錄數(shù)據(jù)。在RLL(d,k)調(diào)制方法中,d表示最小游程,k表示最大游程。在與數(shù)據(jù)相應(yīng)的信號(hào)的再現(xiàn)中,通過從在從調(diào)制的碼的為d的最小游程到為k的最大游程的范圍內(nèi)的游程中選擇兩個(gè)特定游程來去除DC分量。例如,選擇滿足d≤i和i≤k的特定游程i和i。如圖7所示,在調(diào)制的信號(hào)的再現(xiàn)中,隨機(jī)比特值產(chǎn)生器25產(chǎn)生隨機(jī)比特值,數(shù)據(jù)圖樣產(chǎn)生器27從隨機(jī)比特值來產(chǎn)生第一和第二數(shù)據(jù)圖樣。第一和第二數(shù)據(jù)圖樣經(jīng)過NRZI編碼30產(chǎn)生比特流。標(biāo)記32表示定時(shí)控制器。
第一和第二數(shù)據(jù)圖樣分別是連續(xù)(i+1)T凹坑的圖樣和連續(xù)(j+1)T凹坑的圖樣,其中,d≤i和i≤k。通過將第一和第二數(shù)據(jù)圖樣的整個(gè)長(zhǎng)度設(shè)置成(i+1)和(i+1)的最小公倍數(shù)的2n(其中,n是自然數(shù))倍可去除DC分量。
如果i是1并且j是7,則第一數(shù)據(jù)圖樣是2T凹坑的圖樣,第二數(shù)據(jù)圖樣是8T凹坑的圖樣。第一和第二數(shù)據(jù)圖樣的整個(gè)長(zhǎng)度被設(shè)置成作為2T和8T的最小公倍數(shù)的8T的2n倍。如果n是1,則通過將2T凹坑重復(fù)8次以形成第一數(shù)據(jù)圖樣和將8T凹坑重復(fù)2次以形成第二數(shù)據(jù)圖樣,第一和第二數(shù)據(jù)圖樣的整個(gè)長(zhǎng)度被設(shè)置成16T。如果n是2,則通過將2T凹坑重復(fù)16次以形成第一數(shù)據(jù)圖樣和將8T凹坑重復(fù)4次以形成第二數(shù)據(jù)圖樣,第一和第二數(shù)據(jù)圖樣的整個(gè)長(zhǎng)度被設(shè)置成32T。如上所述,由分別根據(jù)特定游程i和j的重復(fù)凹坑形成第一和第二數(shù)據(jù)圖樣,并且該第一和第二數(shù)據(jù)圖樣的整個(gè)長(zhǎng)度被設(shè)置成第一和第二數(shù)據(jù)圖樣的最小公倍數(shù)的偶數(shù)倍,從而產(chǎn)生為0的DC和。
第一數(shù)據(jù)圖樣至少包括最小凹坑,第二數(shù)據(jù)圖樣至少包括最大凹坑。換言之,在RLL(d,k)調(diào)制方法中,重復(fù)(d+1)T凹坑形成第一數(shù)據(jù)圖樣,重復(fù)(k+1)T凹坑形成第二數(shù)據(jù)圖樣。第一和第二數(shù)據(jù)圖樣的整個(gè)長(zhǎng)度是(d+1)和(k+1)的最小公倍數(shù)的2n(n是自然數(shù))倍。如果I表示(d+1)和(k+1)的最小公倍數(shù),則(d+1)重復(fù)2np次,(k+1)重復(fù)2nq次。因此,p是I/(d+1),q是I/(k+1)。上述內(nèi)容被總結(jié)如表4。

當(dāng)通過使用表4的圖樣構(gòu)成測(cè)試圖樣來產(chǎn)生用于測(cè)量調(diào)制度的信號(hào)時(shí),可獲得為0的DC和。因此,調(diào)制度可被準(zhǔn)確測(cè)量。
PRML自適應(yīng)圖樣是如上參考圖5A到圖5C描述的圖樣中的任何一個(gè)。于是,可以從只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)平穩(wěn)地再現(xiàn)數(shù)據(jù)。
如上所述,用于調(diào)制度測(cè)量的圖樣、PRML自適應(yīng)圖樣、和用于非對(duì)稱測(cè)量的圖樣中的至少一個(gè)被記錄在引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域的至少一個(gè)中。這些圖樣的使用使得數(shù)據(jù)再現(xiàn)特性優(yōu)化。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性在根據(jù)本發(fā)明的本實(shí)施例的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)和從其再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法中,引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域的至少一個(gè)包括額外的測(cè)試區(qū),在其中記錄了用于數(shù)據(jù)再現(xiàn)所需的凹坑圖樣。因此,提高了數(shù)據(jù)再現(xiàn)的性能。
另外,防止由于由記錄容量的增加導(dǎo)致的凹坑長(zhǎng)度的降低而使得用于最小凹坑的信號(hào)測(cè)量變得困難。于是,調(diào)制度可準(zhǔn)確地測(cè)量,因此,實(shí)現(xiàn)更可靠的數(shù)據(jù)再現(xiàn)。
在根據(jù)本發(fā)明的本實(shí)施例的數(shù)據(jù)再現(xiàn)方法中,用于調(diào)制度測(cè)量的測(cè)試圖樣形成在測(cè)試區(qū)中,可以使用關(guān)于測(cè)試圖樣的信號(hào)特性曲線圖來測(cè)量可靠的調(diào)制度。此外,形成測(cè)試圖樣,從而可去除DC分量,使得調(diào)制度被更準(zhǔn)確地測(cè)量。
此外,獲得用于PRML自適應(yīng)的最佳圖樣以容易地實(shí)現(xiàn)PRML自適應(yīng)。因此,提高了數(shù)據(jù)再現(xiàn)的性能。
盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例,但本發(fā)明不限于公開的實(shí)施例。另外,本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下,可在實(shí)施例中作出改變,本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
權(quán)利要求
1.一種只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),包括數(shù)據(jù)區(qū)域,其存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù);引入?yún)^(qū)域;和引出區(qū)域,其中,用于實(shí)現(xiàn)用途的圖樣形成在引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域的至少一個(gè)中。
2.如權(quán)利要求1所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,該圖樣是當(dāng)使用數(shù)據(jù)記錄調(diào)制技術(shù)記錄數(shù)據(jù)時(shí)用于測(cè)量調(diào)制度的測(cè)試圖樣。
3.如權(quán)利要求2所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,測(cè)試圖樣包括在通過數(shù)據(jù)記錄調(diào)制技術(shù)產(chǎn)生的凹坑中的至少一個(gè)最小凹坑和一個(gè)最大凹坑,并且該凹坑被記錄在一個(gè)周期內(nèi)。
4.如權(quán)利要求3所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,測(cè)試圖樣包括具有與最小和最大凹坑的長(zhǎng)度不同的長(zhǎng)度的凹坑。
5.如權(quán)利要求2所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,測(cè)試圖樣的周期相應(yīng)于糾錯(cuò)碼(ECC)塊、扇區(qū)、和幀之一。
6.如權(quán)利要求2所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,測(cè)試圖樣包括在通過數(shù)據(jù)記錄調(diào)制技術(shù)產(chǎn)生的凹坑中的最小凹坑和最大凹坑,并且最小凹坑和最大凹坑在每個(gè)記錄單位中交替。
7.如權(quán)利要求2所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,測(cè)試圖樣包括在每個(gè)記錄單位中交替的第一和第二圖樣,其中,第一圖樣包括在通過數(shù)據(jù)記錄調(diào)制技術(shù)產(chǎn)生的凹坑中的最小凹坑和具有與最小凹坑不同的長(zhǎng)度的凹坑,第二圖樣包括在通過數(shù)據(jù)記錄調(diào)制技術(shù)產(chǎn)生的凹坑中的最大凹坑和具有與最大凹坑不同的長(zhǎng)度的凹坑。
8.如權(quán)利要求7所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,記錄單位是糾錯(cuò)碼(ECC)塊、扇區(qū)、和幀之一。
9.如權(quán)利要求2所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,當(dāng)再現(xiàn)測(cè)試圖樣時(shí),使用微分相位檢測(cè)(DPD)方法和推挽方法之一來執(zhí)行跟蹤。
10.如權(quán)利要求2所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,數(shù)據(jù)記錄調(diào)制技術(shù)是游程限制(RLL)(d,k)調(diào)制技術(shù)。
11.如權(quán)利要求10所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,測(cè)試圖樣包括至少一個(gè)具有(d+1)T長(zhǎng)度的凹坑和一個(gè)具有(k+1)T長(zhǎng)度的凹坑,并且該凹坑被包括在一個(gè)周期內(nèi)。
12.如權(quán)利要求10所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,測(cè)試圖樣包括至少一個(gè)具有(d+1)T長(zhǎng)度的凹坑、一個(gè)具有(k+1)T長(zhǎng)度的凹坑、和一個(gè)具有與(d+1)T和(k+1)T長(zhǎng)度不同的長(zhǎng)度的凹坑,并且該凹坑被包括在一個(gè)周期內(nèi)。
13.如權(quán)利要求11所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,一個(gè)周期是一個(gè)和兩個(gè)記錄單位之一。
14.如權(quán)利要求13所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,記錄單位是糾錯(cuò)碼(ECC)塊、扇區(qū)、和幀之一。
15.如權(quán)利要求2所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,測(cè)試圖樣產(chǎn)生為0的信號(hào)特性曲線圖的DC和。
16.如權(quán)利要求10所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,測(cè)試圖樣包括(d+1)T凹坑的第一數(shù)據(jù)圖樣和(k+1)T凹坑的第二數(shù)據(jù)圖樣。
17.如權(quán)利要求16所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,第一和第二數(shù)據(jù)圖樣的整個(gè)長(zhǎng)度是(d+1)和(k+1)的最小公倍數(shù)的2n倍,其中,n是自然數(shù)。
18.如權(quán)利要求1所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,圖樣的用途是數(shù)據(jù)再現(xiàn)。
19.如權(quán)利要求1所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,該圖樣是用于非對(duì)稱測(cè)量的圖樣。
20.如權(quán)利要求1所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,測(cè)試區(qū)被包括在引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域中的至少一個(gè)中,并且該圖樣形成在測(cè)試區(qū)中。
21.一種只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),包括數(shù)據(jù)區(qū)域,其存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù);引入?yún)^(qū)域;和引出區(qū)域,其中,用于局部響應(yīng)最大相似(PRML)自適應(yīng)的圖樣形成在引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域的至少一個(gè)中。
22.如權(quán)利要求21所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,該圖樣形成在形成在引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域的至少一個(gè)中的測(cè)試區(qū)中。
23.如權(quán)利要求21所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,圖樣根據(jù)PRML系統(tǒng)的目標(biāo)通道和游程限制(RLL)(d,k)碼的d的值來變化。
24.如權(quán)利要求21所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,當(dāng)PRML(a,b,b,b,a)系統(tǒng)和游程限制(RLL)(d,k)碼(其中,d是1)用于數(shù)據(jù)再現(xiàn)時(shí),圖樣包括至少一個(gè)2T、3T和從5T到(k+1)T的范圍內(nèi)的長(zhǎng)度的信號(hào)。
25.如權(quán)利要求21所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,對(duì)于PRML(a,b,b,b,a)系統(tǒng)和游程限制(RLL)(d,k)碼(其中,d是1),該圖樣包括至少三個(gè)分別具有2T、3T和5T的長(zhǎng)度的信號(hào)。
26.如權(quán)利要求25所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,該圖樣是2T/2T/3T/3T/5T/5T的圖樣。
27.如權(quán)利要求21所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,當(dāng)PRML(1,2,2,2,1)系統(tǒng)和游程限制(RLL)(d,k)碼(其中,d是1)用于數(shù)據(jù)再現(xiàn)時(shí),圖樣包括具有3T長(zhǎng)度的信號(hào)和具有從5T到(k+1)T范圍內(nèi)的長(zhǎng)度的信號(hào)中的至少一個(gè)。
28.如權(quán)利要求27所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,當(dāng)PRML(1,2,2,2,1)系統(tǒng)和游程限制(RLL)(d,k)碼(其中,d是1)用于數(shù)據(jù)再現(xiàn)時(shí),圖樣是3T/3T/5T/5T的圖樣。
29.如權(quán)利要求21所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,對(duì)于PRML(a,b,b,a)系統(tǒng)和游程限制(RLL)(d,k)碼(其中,d是1),圖樣是具有2T長(zhǎng)度和從4T到kT范圍內(nèi)的長(zhǎng)度的信號(hào)的組合。
30.如權(quán)利要求29所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,當(dāng)PRML(a,b,b,a)系統(tǒng)和RLL(d,k)碼(其中,d是1)用于數(shù)據(jù)再現(xiàn)時(shí),圖樣是2T/2T/4T/4T的圖樣。
31.如權(quán)利要求21所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,對(duì)于PRML(a,b,b,a)系統(tǒng)和游程限制(RLL)(d,k)碼(其中,d是1),圖樣是具有從3T到(k+1)T范圍內(nèi)的長(zhǎng)度的信號(hào)的組合。
32.如權(quán)利要求31所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,當(dāng)PRML(a,b,a)系統(tǒng)和RLL(d,k)碼(其中,d是1)用于數(shù)據(jù)再現(xiàn)時(shí),圖樣是3T長(zhǎng)度的信號(hào)的圖樣。
33.如權(quán)利要求23所述的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),其中,當(dāng)PRML系統(tǒng)和RLL(d,k)碼用于數(shù)據(jù)再現(xiàn)時(shí),用于PRML自適應(yīng)的圖樣包括具有從2T到(k+1)范圍內(nèi)的長(zhǎng)度的信號(hào)中的至少一個(gè)。
34.一種從包括用于存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)域、引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法,包括在引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域的至少一個(gè)中形成用于實(shí)現(xiàn)測(cè)試和自適應(yīng)操作之一的圖樣,這兩種操作是數(shù)據(jù)再現(xiàn)所必需的;使用該圖樣執(zhí)行測(cè)試和自適應(yīng)操作之一;和再現(xiàn)該數(shù)據(jù),其中,該圖樣是測(cè)試圖樣和自適應(yīng)圖樣之一,其中,當(dāng)該執(zhí)行是執(zhí)行測(cè)試操作時(shí),該圖樣是測(cè)試圖樣,其中,當(dāng)該執(zhí)行是自適應(yīng)操作時(shí),該圖樣是自適應(yīng)圖樣。
35.如權(quán)利要求34所述的方法,其中,該測(cè)試執(zhí)行包括跟蹤測(cè)試圖樣;和通過使用用于測(cè)試圖樣的信號(hào)特性曲線圖來測(cè)量調(diào)制度。
36.如權(quán)利要求35所述的方法,其中,測(cè)試圖樣包括在通過數(shù)據(jù)記錄調(diào)制技術(shù)產(chǎn)生的凹坑中的至少一個(gè)最小凹坑和一個(gè)最大凹坑,并且該凹坑被記錄在一個(gè)周期內(nèi)。
37.如權(quán)利要求35所述的方法,其中,測(cè)試圖樣包括最小凹坑、最大凹坑、和具有與最小和最大凹坑的長(zhǎng)度不同的長(zhǎng)度的凹坑。
38.如權(quán)利要求36所述的方法,其中,一個(gè)周期相應(yīng)于糾錯(cuò)碼(ECC)塊、扇區(qū)、和幀之一。
39.如權(quán)利要求35所述的方法,其中,測(cè)試圖樣是在通過數(shù)據(jù)記錄調(diào)制技術(shù)產(chǎn)生的凹坑中的最小凹坑的圖樣和最大凹坑的圖樣,其中,圖樣交替地在每個(gè)記錄單位中重復(fù)。
40.如權(quán)利要求35所述的方法,其中,測(cè)試圖樣包括在每個(gè)記錄單位中交替的第一和第二圖樣,其中,第一圖樣包括在通過數(shù)據(jù)記錄調(diào)制技術(shù)產(chǎn)生的凹坑中的最小凹坑和具有與最小凹坑不同的長(zhǎng)度的凹坑,第二圖樣包括在通過數(shù)據(jù)記錄調(diào)制技術(shù)產(chǎn)生的凹坑中的最大凹坑和具有與最大凹坑不同的長(zhǎng)度的凹坑。
41.如權(quán)利要求35所述的方法,其中,以微分相位檢測(cè)(DPD)方法或推挽方法來執(zhí)行該跟蹤。
42.如權(quán)利要求34所述的方法,其中,數(shù)據(jù)記錄調(diào)制技術(shù)是游程限制(RLL)(d,k)調(diào)制技術(shù)。
43.如權(quán)利要求42所述的方法,其中,測(cè)試圖樣包括至少一個(gè)具有(d+1)T長(zhǎng)度的凹坑和一個(gè)具有(k+1)T長(zhǎng)度的凹坑,并且該凹坑被記錄在一個(gè)周期內(nèi)。
44.如權(quán)利要求42所述的方法,其中,測(cè)試圖樣包括至少一個(gè)具有(d+1)T長(zhǎng)度的凹坑、一個(gè)具有(k+1)T長(zhǎng)度的凹坑、和一個(gè)具有與(d+1)T和(k+1)T長(zhǎng)度不同的長(zhǎng)度的凹坑,并且凹坑被包括在一個(gè)周期內(nèi)。
45.如權(quán)利要求43所述的方法,其中,該周期是一個(gè)和兩個(gè)記錄單位之一。
46.如權(quán)利要求34所述的方法,其中,測(cè)試圖樣產(chǎn)生大約為0的信號(hào)特性曲線圖的DC和。
47.如權(quán)利要求34所述的方法,其中,測(cè)試圖樣包括(d+1)T凹坑的第一數(shù)據(jù)圖樣和(k+1)T凹坑的第二數(shù)據(jù)圖樣。
48.如權(quán)利要求47所述的方法,其中,第一和第二數(shù)據(jù)圖樣的整個(gè)長(zhǎng)度是(d+1)和(k+1)的最小公倍數(shù)的2n倍,其中,n是自然數(shù)。
49.如權(quán)利要求34所述的方法,其中,該圖樣形成在引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域的至少一個(gè)中。
50.如權(quán)利要求49所述的方法,其中,該圖樣形成在形成在引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域的至少一個(gè)中的測(cè)試區(qū)中。
51.如權(quán)利要求49所述的方法,其中,圖樣根據(jù)PRML系統(tǒng)的目標(biāo)通道和游程限制(RLL)(d,k)碼的d的值而變化。
52.如權(quán)利要求34所述的方法,其中,該圖樣是用于非對(duì)稱測(cè)量的圖樣。
53.一種從只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法,該只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)包括用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)域、引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域,并且數(shù)據(jù)再現(xiàn)所需的用于實(shí)現(xiàn)用途的圖樣形成在引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域的至少一個(gè)中,該方法包括使用該圖樣執(zhí)行測(cè)試操作和自適應(yīng)操作之一;和再現(xiàn)該數(shù)據(jù),其中,該圖樣是測(cè)試圖樣和自適應(yīng)圖樣之一,其中,當(dāng)該執(zhí)行是測(cè)試操作時(shí),該圖樣是測(cè)試圖樣,其中,當(dāng)該執(zhí)行是執(zhí)行自適應(yīng)操作時(shí),該圖樣是自適應(yīng)圖樣。
54.一種測(cè)量表示數(shù)據(jù)記錄和/或再現(xiàn)的性能的調(diào)制度的方法,包括讀取具有可去除的DC分量的圖樣,并且響應(yīng)該讀取的圖樣來產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào);去除圖樣的DC分量;和使用信號(hào)特性曲線圖來測(cè)量數(shù)據(jù)信號(hào)的調(diào)制度,其中,圖樣形成在只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)的引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域的至少一個(gè)中。
55.一種優(yōu)化數(shù)據(jù)再現(xiàn)特性的方法,包括讀取形成在包括存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)域、引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域的只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的圖樣,該圖樣形成在引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域的至少一個(gè)中,其中,該圖樣是用于調(diào)制度測(cè)量的圖樣、局部響應(yīng)最大相似(PRML)自適應(yīng)圖樣、和用于非對(duì)稱測(cè)量的圖樣的至少一個(gè)。
全文摘要
一種只讀信息存儲(chǔ)介質(zhì),包括數(shù)據(jù)區(qū)域,其存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù);引入?yún)^(qū)域;和引出區(qū)域。一種用于實(shí)現(xiàn)目的圖樣形成在引入?yún)^(qū)域和引出區(qū)域的至少一個(gè)中。
文檔編號(hào)G11B7/007GK1703742SQ200380100915
公開日2005年11月30日 申請(qǐng)日期2003年10月4日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月5日
發(fā)明者李坰根, 沈載晟, 高禎完, 樸仁植, 盧明道, 金珍漢, 樸昶敏, 黃仁吾 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社
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