專利名稱：光學(xué)記錄介質(zhì)及用于光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄方法和記錄裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有多個記錄層的從其一側(cè)進(jìn)行記錄或讀取的光學(xué)記錄介質(zhì)，以及用于該光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄方法和記錄裝置。
背景技術(shù)：
作為諸如計算機(jī)的信息處理裝置的外部存儲設(shè)備，諸如CD-R、CD-RW、DVD-R、DVD-RW、DVD-ROM、MO等的各種光學(xué)記錄介質(zhì)得到廣泛認(rèn)識和普及，因為它們可以存儲大量信息并可以被容易地隨機(jī)訪問。隨著處理的信息量的增加，需要提高記錄密度。
在各種光學(xué)記錄介質(zhì)中，具有含有機(jī)染料的記錄層(也稱為含染料的記錄層)的光盤(例如CD-R、DVD-R、DVD+R等)尤其得到了廣泛使用，因為它們相對較便宜并與只讀光盤兼容。
代表具有含染料的記錄層的光盤的諸如CD-R的介質(zhì)例如為層疊結(jié)構(gòu)，該層疊結(jié)構(gòu)在透明的盤基片上依次具有含染料的記錄層和反射層，以及用于覆蓋含染料的記錄層和反射層的保護(hù)層。利用透過基片的激光束來進(jìn)行記錄或讀取。
在這種CD-R中，例如，如圖11所示，在相對于導(dǎo)入?yún)^(qū)的內(nèi)周側(cè)上的部分中設(shè)置有用于優(yōu)化激光束的記錄功率(OPC最佳功率控制)的功率校準(zhǔn)區(qū)(PCA)(例如，參見日本未審專利公報特開平No.HEI 9-63061)。所述PCA分為OPC區(qū)和OPC管理區(qū)。每個區(qū)包含100個分區(qū)，對于一次OPC處理，在每個區(qū)中使用一個分區(qū)。此時，從外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)使用OPC區(qū)中的分區(qū)，而從內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)使用OPC管理區(qū)中的分區(qū)。
在CD-R的情況下，當(dāng)使用激光束在信息記錄區(qū)上進(jìn)行記錄時，使用各種功率的激光束在OPC區(qū)(例如圖11中的a1分區(qū))進(jìn)行試寫入，重復(fù)讀取試寫入的記錄，確定可以最適當(dāng)?shù)刈x取的激光束最佳功率，并且將對OPC區(qū)的使用的狀態(tài)(例如已進(jìn)行的試寫入的次數(shù))記錄在OPC管理區(qū)(例如，圖11的b1分區(qū))。
同時，通常將激光束的推薦記錄功率值預(yù)先記錄在介質(zhì)中。然而，由于最佳功率實際上根據(jù)介質(zhì)而變化，所以優(yōu)選地，在各個介質(zhì)中設(shè)置上述的PCA，以每次在介質(zhì)上進(jìn)行記錄時優(yōu)化激光束功率。
同樣作為代表的DVD-R(單面、單層DVD-R)具有層疊結(jié)構(gòu)，在所述層疊結(jié)構(gòu)中，在第一透明盤基片上按順序形成有含染料的記錄層、反射層以及覆蓋它們的保護(hù)層，并在保護(hù)層上通過或不通過粘合層形成有作為第二盤基片的所謂的啞盤(其可以為透明或不透明)以及形成在該第二盤基片上的反射層。利用來自盤的一側(cè)透過第一透明盤基片的激光束進(jìn)行記錄或讀取。該啞盤可以僅為透明或不透明的盤基片，或者可以設(shè)置有除反射層之外的層。
同時，DVD+R具有與DVD-R幾乎相同的結(jié)構(gòu)，下面通過DVD-R代表對其的說明。
CD-R和DVD-R是利用染料記錄層中的化學(xué)變化的光盤，在其上只能寫入一次(即，不能重寫)。另一方面，CD-RW和DVD-RW是利用記錄層的結(jié)晶變化的相變型光盤，在其上可以進(jìn)行多次重寫。在這種相變光盤中，通常在記錄層的上面和下面形成有保護(hù)層。
為了大幅提高光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄容量，將兩個如上所述的單面DVD-R貼合在一起以形成具有兩個記錄層的介質(zhì)，其公知為雙面DVD-R(雙面、雙層DVD-R)。通過將激光束從兩側(cè)照射到各個記錄層上來進(jìn)行記錄或讀取(即，從介質(zhì)的一側(cè)發(fā)射激光束以在較靠近該側(cè)的記錄層上進(jìn)行記錄和讀取，同時從介質(zhì)的另一側(cè)發(fā)射激光束以在較靠近所述另一側(cè)的另一記錄層上進(jìn)行記錄或讀取)。
正如上述的CD-R，在公知的單面DVD-R和雙面DVD-R中也設(shè)置有用于OPC處理的PCA。
對于具有多個記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)，近年來，需要如下的單面入射型光學(xué)記錄介質(zhì)(例如，單面入射雙層DVD-R)在該介質(zhì)上，可以通過從一側(cè)照射激光束來在多個記錄層上進(jìn)行記錄或讀取，以避免記錄/讀取裝置的大小和復(fù)雜性的增加，使得能夠從多個記錄層連續(xù)進(jìn)行讀取，并提高便利性。
為了滿足上述需求，例如，已經(jīng)提出了圖12所示的光學(xué)記錄介質(zhì)(DVD-R)。即，例如已經(jīng)提出了具有兩個記錄層的雙層型單面入射型DVD-R(單面、雙層DVD-R)，如具有以下結(jié)構(gòu)的單面入射型光學(xué)記錄介質(zhì)(參見日本未審專利公報特開平No.HEI 11-66622)。
例如，通過在第一透光基片5上按順序?qū)盈B如下多層來形成層疊型的雙層型單面入射型DVD-R由有機(jī)染料制成的第一記錄層12，可以通過照射記錄激光束來在其上對信息進(jìn)行光學(xué)記錄；由半透光反射膜制成的第一反射層13，其可以透過讀取激光束的一部分；中間層11，其可以透過記錄激光束和讀取激光束；由有機(jī)染料制成的第二記錄層12’，可以通過照射記錄激光束來在其上對信息進(jìn)行光學(xué)記錄；第二反射層13’，反射讀取激光束；以及第二透光基片5’。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，可以從光學(xué)記錄介質(zhì)的一側(cè)在第一記錄層12和第二記錄層12’上記錄信息。在讀取過程中，可以從作為所謂的雙層型光學(xué)記錄介質(zhì)的介質(zhì)的一側(cè)讀出信號。
在具有通過從其一側(cè)照射激光束來記錄信息的兩個記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)的情況下，因為在第二記錄層12’上的記錄是透過第一記錄層12、半透光反射層13等而進(jìn)行的，所以記錄或讀取條件可能根據(jù)各個記錄層而變化。
具體來說，第一記錄層12的復(fù)折射率根據(jù)第一記錄層12上是否記錄有信息而改變，因此透過的光的量發(fā)生變化。為此，第二記錄層12’的最佳記錄功率可能發(fā)生很大變化。
當(dāng)將數(shù)據(jù)記錄在具有多個記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)(具體來說，雙層型的單面入射型DVD-R)的各個記錄層上時，為了在各個記錄層上實現(xiàn)良好記錄，必須以最佳記錄功率(最佳功率)在各個記錄層進(jìn)行記錄。
當(dāng)在各記錄層上進(jìn)行記錄前在各記錄層上的相對于數(shù)據(jù)記錄區(qū)的內(nèi)周側(cè)區(qū)域中進(jìn)行OPC(最佳功率控制)以得到最佳功率時，將激光二極管的功率(激光功率)控制為預(yù)先確定的最佳功率，然后記錄數(shù)據(jù)。
當(dāng)供給電流時，用作記錄光光源的激光二極管根據(jù)電流使激光功率振蕩。然而，當(dāng)激光二極管連續(xù)振蕩時，溫度上升，因此即使在相同的電流值下激光功率也趨于減小。
溫度上升時，從激光二極管輸出的激光束的波長趨于向較長波長側(cè)漂移。具體來說，CD-R和DVD-R在比激光束波長短的波長側(cè)具有最大吸收波長，因此隨著激光束波長向較長波長漂移，吸收率變得較小。當(dāng)作為記錄光束的激光束的波長向較長波長側(cè)漂移時，記錄的靈敏度下降。由此，為了穩(wěn)定地記錄，需要更大的激光功率。
此外，激光二極管自身的溫度根據(jù)用于記錄的激光功率的大小、記錄時間、環(huán)境溫度等而變化。這使得激光功率發(fā)生變化。
即使以使其提供預(yù)先確定的最佳功率的方式來設(shè)置激光二級管的電流值并控制激光功率，實際輸出的激光功率也可能例如由于激光二極管的溫度的變化而變化，這可能使得難以進(jìn)行優(yōu)異的記錄。
在將數(shù)據(jù)記錄在一個記錄層中并連續(xù)地將數(shù)據(jù)記錄在另一個記錄層上的情況下，如果以與預(yù)先確定的最佳功率對應(yīng)的激光電流值在后一記錄層上記錄數(shù)據(jù)，則可能因為激光功率不夠而不能記錄數(shù)據(jù)或者記錄不充分，這導(dǎo)致優(yōu)異記錄的失敗。
具體來說，當(dāng)連續(xù)地將數(shù)據(jù)記錄在多個記錄層上時，無法恰在在各個記錄層上進(jìn)行記錄之前在各個記錄層進(jìn)行OPC。為此，除了使用在預(yù)先進(jìn)行的OPC中確定的最佳功率外別無他選。因此無法處理激光源的溫度的變化，這妨礙了在各個記錄層中實現(xiàn)優(yōu)異的記錄。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到以上問題，本發(fā)明的目的是提供一種具有可以通過從其一側(cè)照射激光束來在其上記錄信息的多個記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)，以及用于所述光學(xué)記錄介質(zhì)的可以確定各個記錄層的最佳記錄功率的記錄方法和記錄裝置。
本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄方法和記錄裝置旨在即使記錄功率例如由于激光源溫度變化而變化也精確地調(diào)節(jié)在各層上記錄數(shù)據(jù)時使用的記錄功率，從而在各個記錄層上實現(xiàn)良好的記錄。
根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)具有可以通過從其一側(cè)照射激光束來在其上記錄信息的多個記錄層，各個記錄層包括用于優(yōu)化激光束的強(qiáng)度的功率校準(zhǔn)區(qū)。
優(yōu)選地，功率校準(zhǔn)區(qū)位于記錄層的信息記錄區(qū)的內(nèi)周側(cè)和/或外周側(cè)。
根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)具有透光的第一基片；設(shè)置在第一基片上的第一記錄層，可以通過從第一基片側(cè)照射激光束來在其上記錄信息；以及設(shè)置在第一記錄層上的第二記錄層，可以通過照射激光束來在其上記錄信息。第一記錄層和第二記錄層各自包括用于優(yōu)化激光束的強(qiáng)度的功率校準(zhǔn)區(qū)。
優(yōu)選地，第一記錄層和第二記錄層的功率校準(zhǔn)區(qū)分別位于第一記錄層和第二記錄層的信息記錄區(qū)的內(nèi)周側(cè)和/或外周側(cè)。
優(yōu)選地，第一記錄層和第二記錄層的功率校準(zhǔn)區(qū)分別設(shè)置在第一記錄層和第二記錄層的信息記錄區(qū)的內(nèi)周側(cè)，并且在第一記錄層和第二記錄層上的對信息的記錄是從信息記錄區(qū)中的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)進(jìn)行的。
優(yōu)選地，第一記錄層的功率校準(zhǔn)區(qū)設(shè)置在信息記錄區(qū)的內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)中的一側(cè)，而第二記錄層的功率校準(zhǔn)區(qū)設(shè)置在信息記錄區(qū)的另一側(cè)，在第一記錄層上的記錄和在第二記錄層上的記錄是沿著相反的方向進(jìn)行的。
優(yōu)選地，第二記錄層的功率校準(zhǔn)區(qū)具有未被第一記錄層的功率校準(zhǔn)區(qū)覆蓋的區(qū)域。
優(yōu)選地，重疊在第二記錄區(qū)的功率校準(zhǔn)區(qū)上的第一記錄區(qū)的部分處于先前已記錄的狀態(tài)。
優(yōu)選地，在第一記錄層上的信息記錄是在第二記錄層上的信息記錄之前進(jìn)行的。
優(yōu)選地，針對各個記錄層的推薦記錄功率值被預(yù)先記錄。
根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄方法是用于具有多個記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄方法，該記錄方法包括OPC記錄功率設(shè)置步驟，所述OPC記錄功率設(shè)置步驟在所述多個記錄層中的每一個上進(jìn)行記錄之前進(jìn)行最佳功率控制(以下稱為OPC)以針對各個記錄層設(shè)置OPC記錄功率。
優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的記錄方法還包括初始記錄功率設(shè)置步驟，所述初始記錄功率設(shè)置步驟根據(jù)實際記錄功率相對于在OPC功率設(shè)置步驟設(shè)置的一個記錄層的OPC記錄功率的變化來校正在OPC記錄功率設(shè)置步驟中設(shè)置的另一記錄層的OPC記錄功率，以設(shè)置當(dāng)對另一記錄層進(jìn)行記錄時要使用的記錄功率。
優(yōu)選地，在初始記錄功率設(shè)置步驟，根據(jù)激光源的溫度來估計實際記錄功率的變化。
此外，優(yōu)選地，在初始記錄功率設(shè)置步驟，根據(jù)從光學(xué)記錄介質(zhì)反射的光的量來估計實際記錄功率的變化。
此外，優(yōu)選地，在初始記錄功率設(shè)置步驟，根據(jù)從激光源發(fā)射的光的量來估計實際記錄功率的變化。
此外，優(yōu)選地，在初始記錄功率設(shè)置步驟，根據(jù)運行OPC中設(shè)置的激光電流值來估計實際記錄功率的變化。
此外，優(yōu)選地，在初始記錄功率設(shè)置步驟，根據(jù)發(fā)射激光束的時間段來估計實際記錄功率的變化。
優(yōu)選地，連續(xù)進(jìn)行在一個記錄層上的記錄和在另一記錄層上的記錄。
此外，優(yōu)選地，在光學(xué)記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄之前預(yù)先在所有記錄層進(jìn)行OPC記錄功率設(shè)置步驟，并且，在一個記錄層上進(jìn)行記錄之后、在另一記錄層上進(jìn)行記錄之前，進(jìn)行初始記錄功率設(shè)置步驟。
優(yōu)選地，在OPC記錄功率設(shè)置步驟，在各個記錄層的內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)進(jìn)行OPC。
用于光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄裝置是用于具有多個記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄裝置，所述記錄裝置包括控制算術(shù)單元，所述控制算術(shù)單元用于在所述多個記錄層中的每一個上進(jìn)行記錄之前進(jìn)行最佳功率控制(此后稱為OPC)以針對各個記錄層設(shè)置OPC記錄功率。
優(yōu)選地，控制算術(shù)單元根據(jù)實際記錄功率相對于一個記錄層的OPC記錄功率的變化來校正另一記錄層的OPC記錄功率，以設(shè)置當(dāng)開始在后一記錄層上進(jìn)行記錄時使用的記錄功率。
優(yōu)選地，控制算術(shù)單元根據(jù)激光源的溫度來估計實際記錄功率的變化。
另選地，控制算術(shù)單元根據(jù)從光學(xué)記錄介質(zhì)反射的光的量來估計實際記錄功率的變化。
此外，另選地，控制算術(shù)單元根據(jù)從激光源發(fā)射的光的量來估計實際記錄功率的變化。
此外，另選地，控制算術(shù)單元根據(jù)運行OPC中設(shè)置的激光電流值來估計實際記錄功率的變化。
此外，另選地，控制算術(shù)單元根據(jù)發(fā)射激光束的時間段來估計實際記錄功率的變化。
控制算術(shù)單元連續(xù)地進(jìn)行在一個記錄層上的記錄和在另一記錄層上的記錄。
此外，控制算術(shù)單元在光學(xué)記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄之前針對所有記錄層中的每一個預(yù)先設(shè)置OPC記錄功率，并且，在一個記錄層上進(jìn)行記錄之后且在另一記錄層上進(jìn)行記錄之前，設(shè)置在所述另一記錄層上開始記錄時使用的記錄功率。
控制算術(shù)單元在各個記錄層的內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)進(jìn)行OPC。
優(yōu)選地，本發(fā)明適用于其中記錄層是含染料的記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明，在通過從其一側(cè)照射激光束來在多個記錄層上記錄信息的光學(xué)記錄介質(zhì)中，在每個記錄層上都設(shè)置有用于優(yōu)化激光束強(qiáng)度的功率校準(zhǔn)區(qū)，從而確定每個記錄層的最佳記錄功率。
因此，可以精確地調(diào)節(jié)在各個記錄層上記錄數(shù)據(jù)時使用的記錄功率，從而在各個層上實現(xiàn)良好的記錄。
根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄方法和記錄裝置的優(yōu)點是，即使例如由于激光源溫度變化而使得記錄功率發(fā)生變化，也可以精確地調(diào)節(jié)在各個記錄層上記錄數(shù)據(jù)時要使用的記錄功率，這使得可以在各個記錄層上進(jìn)行良好的記錄。結(jié)果，例如，當(dāng)在具有多個記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)的多個記錄層上連續(xù)進(jìn)行記錄時，可以在各個記錄層上進(jìn)行良好的記錄。


圖1是代表性地示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)(類型1)的圖；圖2是代表性地示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)(類型2)的圖；圖3是代表性地示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄裝置的整體結(jié)構(gòu)的圖；圖4是用于說明根據(jù)本發(fā)明第一實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄方法的流程圖；圖5(A)是用于說明根據(jù)本發(fā)明第一實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)(類型1和類型2)的區(qū)結(jié)構(gòu)和對記錄功率的優(yōu)化的區(qū)結(jié)構(gòu)圖；圖5(B)是圖5(A)中的重要部分的放大圖；圖6(A)是用于說明根據(jù)本發(fā)明第二實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)(類型1和類型2)的區(qū)結(jié)構(gòu)和對記錄功率的優(yōu)化的區(qū)結(jié)構(gòu)圖；圖6(B)和6(C)是圖6(A)中的重要部分的放大圖；圖7(A)是用于說明根據(jù)本發(fā)明第三實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)(類型1和類型2)的區(qū)結(jié)構(gòu)和對記錄功率的優(yōu)化的區(qū)結(jié)構(gòu)圖；圖7(B)和7(C)是圖7(A)中的重要部分的放大圖；圖8是用于說明根據(jù)本發(fā)明第四實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄方法的流程圖；圖9(A)和圖9(B)是用于說明根據(jù)本發(fā)明第四實施例的當(dāng)在光學(xué)記錄介質(zhì)中記錄有數(shù)據(jù)時執(zhí)行運行OPC時發(fā)生的激光電流值和記錄功率的變化的圖；圖10(A)和圖10(B)是用于說明根據(jù)第四實施例的當(dāng)在光學(xué)記錄介質(zhì)中記錄有數(shù)據(jù)時不執(zhí)行運行OPC時發(fā)生的激光電流值和記錄功率的變化的圖；
圖11是代表性地示出公知光學(xué)記錄介質(zhì)(CD-R)的區(qū)結(jié)構(gòu)和對記錄功率的優(yōu)化的圖；以及圖12是代表性地示出公知的雙層光學(xué)記錄介質(zhì)的圖。
具體實施例方式
以下，將參照附圖來說明本發(fā)明的實施例。
第一實施例根據(jù)本實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄方法和記錄裝置可以應(yīng)用于所有具有多個記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)。
例如，優(yōu)選地，本實施例的記錄方法和記錄裝置用于在具有多個記錄層的單面入射型光學(xué)記錄介質(zhì)(單面入射型DVD)中記錄數(shù)據(jù)(信息)，在所述單面入射型光學(xué)記錄介質(zhì)中可以通過從其一側(cè)照射光束(激光束)來在記錄層上記錄數(shù)據(jù)和從記錄層讀取數(shù)據(jù)。
具體來說，當(dāng)本發(fā)明應(yīng)用于具有含染料的記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)時本發(fā)明更有效，因為例如單面入射型DVD-R的含染料記錄層的記錄敏感度由于激光束波長的變化而發(fā)生很大變化。
作為單面入射型光學(xué)記錄介質(zhì)(光盤)，例如存在具有兩個含染料記錄層的雙層型單面入射型DVD-R(單面雙層DVD-R；單面雙層DVD可記錄盤)，其分類為層疊型和貼合型。
光學(xué)記錄介質(zhì)的層疊結(jié)構(gòu)首先，對根據(jù)本實施例的具有不同層疊結(jié)構(gòu)的兩類光學(xué)記錄介質(zhì)(層疊型的雙層單面入射型DVD-R)進(jìn)行說明。
類型1的光學(xué)記錄介質(zhì)圖1是根據(jù)本實施例的典型光學(xué)記錄介質(zhì)(類型1)的剖面圖。
如圖1所示，根據(jù)本實施例的類型1的光學(xué)記錄介質(zhì)在盤形的透明(可透光)第一基片(第一基片，第一可透光基片)1上依次具有含染料的第一記錄層(第一記錄層，第一含染料記錄層)2、半透明的反射層(以下稱為半透明反射層，第一反射層)3、中間樹脂層(中間層)4、含染料的第二記錄層(第二記錄層，第二含染料記錄層)5、反射層(第二反射層)6、粘合層7、和第二基片(第二基片)8。從第一基片1側(cè)發(fā)射光束(激光束)以進(jìn)行記錄或讀取。
在本實施例中，“透明(可透光)”表示“對于用于在光學(xué)記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄或從光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)行讀取的光束為透明(可透光)”。透明(可透光)層包括或多或少地吸收用于進(jìn)行記錄或讀取的光束的層。例如，當(dāng)該層對于用于進(jìn)行記錄或讀取的光束的波長的透光率不小于50％(優(yōu)選地不小于60％)時，認(rèn)為該層可透光(透明)。
在透明的第一基片1和中間樹脂層4上形成有凹部和凸部(岸(land)和溝(groove))。利用凹部和/或凸部形成記錄軌道。此外，可以用凹部或者凸部形成記錄軌道。一般地，通常，第一基片1上的記錄軌道11由相對入射光束的方向的凸部形成，中間樹脂層4上的記錄軌道12也由相對入射光束的方向的凸部形成。在本發(fā)明中，除非特別說明，否則凹部和凸部是相對于用于進(jìn)行記錄或讀取的入射光束的方向而定義的。
這些記錄軌道11和12被構(gòu)成為以預(yù)定幅度和頻率沿半徑方向略微蛇形(這稱為“擺動(wobble)”)。在記錄軌道11與12之間的岸上按照特定規(guī)則形成多個孤立的坑(地址坑)(這稱為“岸預(yù)制坑，LPP”；LandPre-Pit)?？梢岳冒额A(yù)制坑來預(yù)先記錄地址信息。此外，除了岸預(yù)制坑之外，有時可以根據(jù)需要形成凹預(yù)制坑或凸預(yù)制坑。也可以反轉(zhuǎn)擺動方向或?qū)︻l率進(jìn)行調(diào)制，從而記錄信息。
接下來，將對各層進(jìn)行說明。
(1)關(guān)于第一基片1希望第一基片1具有優(yōu)異的光學(xué)特性，即，第一基片1是透明的、具有小的雙折射率等。還希望第一基片1具有優(yōu)異的成型性質(zhì)，即，可以以注射成型法容易地形成第一基片1。當(dāng)?shù)谝换?具有小的吸濕性時，這種性質(zhì)是所希望的，因為可以減少彎曲。
此外，希望第一基片1具有形狀穩(wěn)定性，以使得光學(xué)記錄介質(zhì)具有一定程度的剛性。當(dāng)?shù)诙?具有足夠的形狀穩(wěn)定性時，不需要第一基片1具有大的形狀穩(wěn)定性。
作為這種材料，可以使用樹脂(例如丙烯酸樹脂、異丁烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚烯烴樹脂(具體地，非晶聚烯烴)、聚酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、環(huán)氧樹脂等)和玻璃。另選地，可以在由玻璃等制成的基片上設(shè)置由諸如光硬化樹脂等的放射線硬化樹脂制成的樹脂層。此外，“放射線”是光(紫外線、可見光、紅外線等)、電子束等的統(tǒng)稱。
同時，從光學(xué)性質(zhì)、諸如成型性質(zhì)等的高生產(chǎn)率、成本、低吸濕性、形狀穩(wěn)定性等角度來看，聚碳酸酯為優(yōu)選。從耐化學(xué)品性、低吸濕性等角度來看，非晶聚烯烴為優(yōu)選。從高速響應(yīng)性等角度來看，玻璃基片為優(yōu)選。
第一基片1優(yōu)選地是薄的。第一基片1的厚度優(yōu)選地為不大于2mm，更優(yōu)選為不大于1mm。物鏡與記錄層之間的距離越小并且基片越薄，彗形像差(coma aberration)就越小，這有利于提高記錄密度。為了獲得足夠的光學(xué)性質(zhì)、吸濕性、成型性質(zhì)和形狀穩(wěn)定性，需要一定的厚度。因此，優(yōu)選地，第一基片1的厚度通常不小于10μm，更優(yōu)選地不小于30μm。
為了在該光學(xué)記錄介質(zhì)中的第一記錄層2和第二記錄層5上均良好地進(jìn)行記錄或讀取，希望適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)物鏡與這兩個記錄層之間的距離。例如，優(yōu)選地，將物鏡的焦點設(shè)置在這兩個記錄層之間的大致中間點處，因為使得對兩層的訪問變得容易。
更具體地，在單面DVD-R系統(tǒng)中，當(dāng)基片的厚度為0.6mm時將物鏡與記錄層之間的距離調(diào)節(jié)為最合適。
當(dāng)該層結(jié)構(gòu)與單面DVD-R兼容時，最優(yōu)選地，第一基片1的厚度為從0.6mm中減去中間樹脂層4的膜厚度的一半而得到的。如果這樣，則兩層之間的大致中間點為大約0.6mm，由此可以容易地在兩個記錄層進(jìn)行聚焦伺服控制。
當(dāng)在第二記錄層5與半透明反射層3之間存在諸如緩沖層、保護(hù)層等的其它層時，最優(yōu)選地，第一基片1的厚度為從0.6mm中減去此層與中間樹脂層4的厚度之和的一半而得到的。
在第一基片1上螺旋狀地或者同心狀地形成有凹部和凸部以形成溝和岸。通常，以這些溝和岸作為記錄軌道，將信息記錄在第一記錄層2上或從第一記錄層2讀取信息。在所謂的DVD盤(在其上通過用數(shù)值孔徑為0.6到0.65的物鏡對波長為650nm的激光束進(jìn)行聚光來進(jìn)行記錄或讀取)的情況下，通常通過涂布來形成第一記錄層2，從而第一記錄層2的膜在溝部厚，這適于進(jìn)行記錄或讀取。
在該光學(xué)記錄介質(zhì)中，優(yōu)選地，第一基片1的溝部(即，相對于入射光束的方向的凸部)用作記錄軌道11。這里，凹部和凸部是相對于入射光束的方向凹進(jìn)和凸出的部分。通常，溝的寬度為大約50到500nm，溝的深度為大約10到250nm。當(dāng)記錄軌道為螺旋形時，軌道間距優(yōu)選為大約0.1至2.0μm。第一基片1可以根據(jù)需要具有凹坑或凸坑，如岸預(yù)制坑等。
從成本的角度看，優(yōu)選地，在注射成型過程中，由具有凹部和凸部的壓模(stamper)來制造具有這種凹部和凸部的基片。當(dāng)在由玻璃等制成的基片上形成由諸如光硬化樹脂等的放射線硬化樹脂制成的樹脂層時，可以在該樹脂層上形成諸如記錄軌道等的凹部或凸部。
(2)關(guān)于第一記錄層2通常，第一記錄層2的敏感度幾乎與單面記錄介質(zhì)(例如CD-R、DVD-R、DVD+R等)等中使用的記錄層的敏感度相等。
為了實現(xiàn)良好的記錄/讀取性能，優(yōu)選地，第一記錄層2含有具有高折射率的低發(fā)熱染料。
此外，優(yōu)選地，第一記錄層2與半透明反射層3的組合在光的反射、透射和吸收的適當(dāng)范圍之內(nèi)，由此，提高了記錄敏感度并降低了記錄時的熱干擾。
作為這種有機(jī)染料材料，存在大環(huán)氮雜輪烯類染料(酞菁染料、萘酞菁染料、卟啉染料等)、吡咯亞甲基類染料、多次甲基類染料(菁染料、部花青染料、斯夸鎓(squalirium)染料等)、花醌(anthoraquinone)類染料、薁鎓(azulenium)類染料、金屬絡(luò)合物偶氮類染料、金屬絡(luò)合物靛苯胺類染料等。
在上述各種有機(jī)染料中，優(yōu)選金屬絡(luò)合物偶氮類染料，因為它們具有優(yōu)異的記錄敏感性、耐久性和耐光性。具體來說，優(yōu)選如下通式(I)或(II)所代表的化合物 (其中，A1環(huán)和A2環(huán)是含氮芳香雜環(huán)，其各自可以獨立地具有取代基；B1環(huán)和B2環(huán)是芳香環(huán)，其各自可以獨立地具有取代基；X是1至6個碳被至少兩個氟原子取代的烷基)。用于這種光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層(此外，除非特別說明，否則在下文中“記錄層”表示第一記錄層1和第二記錄層2)的有機(jī)染料優(yōu)選地在大約350至900nm的從可見光到近紅外線的范圍內(nèi)具有最大吸收波長λmax，并且是適于用藍(lán)色到近微波的激光進(jìn)行記錄的染料化合物。更為優(yōu)選的是適合用以下激光進(jìn)行記錄的染料通常用于CD-R的近紅外激光(典型為780nm、830nm等)，用于DVD-R的波長為約620至690nm的紅色激光(典型為635nm、650nm、680nm等)；或波長為410nm或515nm的所謂藍(lán)色激光。
可以用一種染料，或者混和兩種或更多種相同或不同種類的染料并使用它們。此外，可以聯(lián)合使用適合用多種波長的記錄光束進(jìn)行記錄的染料，以實現(xiàn)可用多波段的激光束進(jìn)行記錄的光學(xué)記錄介質(zhì)。
記錄層可以含有過渡金屬螯合物(例如，乙酰丙酮螯合物、聯(lián)苯基二硫醇(bisphenyldithiol)、水楊醛肟、雙二硫代-α-二酮等)作為單態(tài)氧(singlet oxygen)淬滅劑以使記錄層穩(wěn)定或改進(jìn)耐光性，或者含有記錄增敏劑(例如金屬系化合物等)以改進(jìn)記錄敏感度。在此，所述金屬系化合物是化合物中含有原子、離子或團(tuán)簇等形式的諸如過渡金屬等的金屬。作為這種金屬系化合物，例如存在有機(jī)金屬化合物，如乙二胺絡(luò)合物、偶氮次甲基絡(luò)合物、苯基羥胺絡(luò)合物、菲咯啉絡(luò)合物、二羥基偶氮苯絡(luò)合物、二肟絡(luò)合物、亞硝基氨基酚絡(luò)合物、吡啶基三嗪絡(luò)合物、乙酰丙酮絡(luò)合物、金屬茂絡(luò)合物、卟啉絡(luò)合物等。對于金屬原子沒有限制，但是優(yōu)選為過渡金屬。
此外，還可以根據(jù)需要一起使用粘合劑、均化劑(leveling agent)和消泡劑等，以制成該光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層。作為優(yōu)選粘合劑，存在聚(乙烯醇)、聚(乙烯吡咯烷酮)、硝化纖維素、醋酸纖維素、酮樹脂、丙烯酸樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚氨酯樹脂、聚(乙烯基丁縮醛)、聚碳酸酯、聚烯烴等。
記錄層的膜厚度沒有具體限制，因為適當(dāng)?shù)哪ず穸雀鶕?jù)記錄方法等而不同。然而，為得到足夠的調(diào)制幅度，通常，膜厚度優(yōu)選為不小于5nm，更優(yōu)選為不小于10nm，特別優(yōu)選為不小于20nm。然而，為了在該光學(xué)記錄介質(zhì)中適當(dāng)?shù)赝腹猓笥涗泴硬荒苓^厚。因此，記錄層的膜厚度通常不大于3μm，優(yōu)選為不大于1μm，更優(yōu)選為不大于200nm。記錄層的膜厚度從溝部到岸部不同。在這種光學(xué)記錄介質(zhì)中，記錄層的膜厚度為基片的溝部處的厚度。
作為記錄層的淀積方法，可以應(yīng)用通常進(jìn)行的薄膜淀積，例如真空蒸發(fā)、濺射法、刮刀法、澆注(cast)法、旋涂、浸漬法等。從生產(chǎn)率和成本的角度來看，旋涂法為優(yōu)選。真空蒸發(fā)法比涂布法更為優(yōu)選，因為其可以產(chǎn)生厚度均勻的記錄層。
當(dāng)以旋涂來進(jìn)行淀積時，旋轉(zhuǎn)速度優(yōu)選為10至15000rpm。在旋涂之后，可以進(jìn)行加熱或施加溶劑蒸汽等的處理。
對于用涂布法(例如刮刀法、澆注法、旋涂法、浸漬法等)形成記錄層時所使用的涂布溶劑，對該溶劑的類型沒有限制，因此，可以使用任何溶劑，只要它不侵蝕基片。例如有酮醇類溶劑，如二丙酮醇、3-羥基-3-甲基-2-丁酮等；溶纖劑類溶劑，例如甲基溶纖劑、乙基溶纖劑等；鏈烴類溶劑，例如正己烷、正辛烷等；環(huán)烴類溶劑，例如環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷、乙基環(huán)己烷、二甲基環(huán)己烷、正丁基環(huán)己烷、叔丁基環(huán)己烷、環(huán)辛烷等；全氟烷醇類溶劑，例如四氟丙醇、八氟戊醇、六氟丁醇等；羥基羧酸酯類溶劑，例如乳酸甲酯、乳酸乙酯、甲基-2-羥基異丁酸等；等等。
在真空蒸發(fā)的情況下，例如，將有機(jī)染料以及需要的諸如各種添加劑等的記錄層成分放入設(shè)置在真空室內(nèi)的坩鍋中，通過適當(dāng)?shù)恼婵毡脤⒄婵帐业膬?nèi)部抽空至大約10-2到10-5Pa，之后，對坩鍋加熱以使記錄層成分蒸發(fā)，使記錄層成分淀積在對著坩鍋放置的基片上，由此形成記錄層。
(3)關(guān)于半透明反射層3半透明反射層3是具有一定的透光率的反射層。即，半透明反射層3是具有小吸光率、不小于40％的透光率以及適當(dāng)?shù)姆垂饴?通常不小于30％)的反射層。例如，通過設(shè)置具有高反射率的薄金屬膜，可以提供適當(dāng)?shù)耐腹饴?。希望半透明反射?具有一定的抗蝕性。此外，希望半透明反射層3具有遮斷性，以使得第一記錄層2不受半透明反射層3的上層(這里為中間樹脂層4)的滲漏的影響。
為了確保高透射率，半透明反射層3的厚度通常優(yōu)選為不大于50nm。半透明反射層3的厚度更優(yōu)選為不大于30nm，進(jìn)一步優(yōu)選為不大于20nm。然而，為了避免第一記錄層2上的半透明反射層3的上層的影響，需要半透明反射層3有一定的厚度。因此，半透明反射層3的厚度通常不小于3nm，更優(yōu)選為不小于5nm。
作為半透明反射層3的材料，可以單獨地使用或以合金形式使用金屬和半金屬，如Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、Pt、Ta、Pd、Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Zn、Cd、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi和稀土金屬，其在讀取光束的波長具有適當(dāng)?shù)母叻瓷渎?。其中，Au、Al和Ag具有高反射率，因此適合作為半透明反射層3的材料。半透明反射層3可以包含上述成分之外的其它成分作為主要成分。
包含Ag作為主要成分的材料由于其成本低且反射率高而特別優(yōu)選。這里，主要成分表示含量不少于50％的材料。
因為半透明反射層3的膜厚度薄，所以膜的大晶粒引起再現(xiàn)噪聲。因此，優(yōu)選地使用具有小晶粒的材料。由于純銀通常具有大晶粒，所以優(yōu)選地使用合金形式的Ag。
具體地，優(yōu)選地包含Ag作為主要成分，并包含0.1至15原子％的從包括Ti、Zn、Cu、Pd、Au和稀土金屬的組中選擇的至少一種元素。當(dāng)包含了Ti、Zn、Cu、Pd、Au和稀土金屬中的兩種或更多種時，它們中的每一個可以為0.1至15原子％。然而，它們的和優(yōu)選地為0.1至15原子％。
一種特別優(yōu)選的合金組成是包含如下成分的組成作為主要成分的Ag、0.1至15原子％的從包括Ti、Zn、Cu、Pd和Au的組中選出的至少一種元素，以及0.1至15原子％的至少一種稀土元素。在稀土金屬中，釹為特別優(yōu)選。更具體地，AgPdCu、AgCuAu、AgCuAuNd、AgCuNd等為優(yōu)選。
作為半透明反射層3，僅由Au制成的層為優(yōu)選，因為其具有小晶粒和抗蝕性，但它比Ag合金貴。
另選地，可以使用由Si制成的層作為半透明反射層3。
可以將均由非金屬的材料制成的低反射率的薄膜與高反射率的薄膜相互層疊以形成多層，并將它們用作反射層。
作為形成半透明反射層3的方法，例如可以采用濺射、離子鍍敷、化學(xué)蒸發(fā)、真空蒸發(fā)等?？梢栽诘谝换?與第一記錄層2和/或第一記錄層2與半透明反射層3之間設(shè)置無機(jī)或有機(jī)中間層和粘合層，以提高反射率、記錄性能和粘合性。例如，可以將中間層(或粘合層)、第一記錄層2、以及中間層(或粘合層)和半透明反射層3按順序?qū)盈B在第一基片1上，以提供第一基片1與第一記錄層2之間的中間層(或粘合層)，并提供第一記錄層2與半透明反射層3之間的中間層(或粘合層)。
(4)關(guān)于中間樹脂層4需要中間樹脂層(樹脂層)4是透明的，并可以通過凹部和凸部在其上形成溝和坑。優(yōu)選地，中間樹脂層4具有強(qiáng)粘合性并在其硬化并粘合時收縮率小，這對介質(zhì)的形狀提供了穩(wěn)定性。
希望中間樹脂層4由不損壞第二記錄層5的材料制成。因為中間樹脂層4通常由樹脂制成，所以中間樹脂層4容易與第二記錄層5相溶。為此，為了防止中間樹脂層4溶解第二記錄層5并對其造成損壞，希望在中間樹脂層4與第二記錄層5之間設(shè)置稍后要描述的緩沖層。
此外，希望中間樹脂層4由不損壞半透明反射層3的材料制成?？梢栽谶@兩層之間提供稍后所述的緩沖層以避免損壞。
在該光學(xué)記錄介質(zhì)中，優(yōu)選地，對中間樹脂層4的膜厚度進(jìn)行精確控制。通常，中間樹脂層4的膜厚度優(yōu)選為不小于5μm。必須在兩個記錄層之間設(shè)置一定的距離，以對兩個記錄層分別地進(jìn)行聚焦伺服控制。雖然這取決于聚焦伺服機(jī)制，但是中間樹脂層4的膜厚度通常需要不小于5μm，優(yōu)選為不小于10μm。通常，隨著物鏡的數(shù)值孔徑越大，兩個記錄層之間的距離可以越小。然而，當(dāng)中間樹脂層4過厚時，要花費長時間來調(diào)整對兩個記錄層的聚焦伺服并且必須使物鏡移動長距離，因此這是不希望的。此外，過厚的層需要長時間來硬化，這導(dǎo)致生產(chǎn)率的下降。因此，中間樹脂層4的膜厚度優(yōu)選為不大于100μm。
在中間樹脂層4上形成螺旋形或同心形的凹部和凸部，以形成溝和岸。通常，這些溝和岸用作記錄軌道來在第二記錄層5中記錄信息或從其中讀取信息。由于第二記錄層5是以涂布形成的，所以其膜在溝處厚，由此適于記錄或讀取。在該光學(xué)記錄介質(zhì)中，優(yōu)選地使用中間樹脂層4的溝(即相對于入射光束的方向的凸部)作為記錄軌道12。這里，凹部和凸部是相對于入射光束的方向的凹部和凸部。通常，溝的寬度為大約50到500nm，其深度為大約10到250nm。當(dāng)記錄軌道為螺旋形時，軌道間距優(yōu)選為大約0.1到2.0μm?？梢愿鶕?jù)需要形成凹坑或凸坑，如岸預(yù)制坑。
從成本的角度，優(yōu)選地，通過將凹部和凸部從具有凹部和凸部的樹脂壓模等轉(zhuǎn)印到硬化樹脂(例如光硬化樹脂)并使該樹脂硬化來制造這種凹部和凸部。下文中，有時將這種方法稱為2P方法(光聚合法)。
作為中間樹脂層4的材料，例如可以使用諸如熱塑樹脂、熱硬化樹脂、電子束硬化樹脂、紫外線硬化樹脂(包括延遲硬化型)等的放射線固化樹脂。此外，“放射線”是對光(紫外線、可見光、紅外線等)、電子束等的統(tǒng)稱。
可以通過將熱塑樹脂、熱硬化樹脂等溶解在適當(dāng)?shù)娜軇┲幸灾苽渫坎家后w、應(yīng)用該液體、并對該液體進(jìn)行干燥(加熱)來形成中間樹脂層4。在紫外線硬化樹脂的情況下，可以通過按原樣溶解樹脂或者將樹脂溶解在適當(dāng)?shù)娜軇┲幸灾苽渫坎家后w、涂布該涂布液體、并照射紫外線以使樹脂硬化來形成中間樹脂層4。存在各種類型的紫外線硬化樹脂。然而，可以使用其中的任何一種，只要它是透明的。可以使用這些材料中的一種，或者可以將它們中的一些混和在一起來使用。不僅可以采用單層而且可以采用多層。
作為涂布方法，與記錄層一樣，可以采用諸如旋涂、澆注法等的涂布方法。在這些方法中，旋涂是優(yōu)選的?？梢砸越z網(wǎng)印刷(screen print)等來涂布具有高粘度的樹脂。優(yōu)選地，使用在溫度20到40℃液化的紫外線硬化樹脂，因為涂布該樹脂不需要溶劑。優(yōu)選地，以使其粘度為20到4000mPa·s的方式制備樹脂。
作為紫外線硬化粘合劑，存在基團(tuán)型紫外線硬化粘合劑和陽離子型紫外線硬化粘合劑，這兩種都是可用的。
作為基團(tuán)型紫外線硬化粘合劑，所有已知的組合物都是可用的。使用包含紫外線硬化化合物和光聚合引發(fā)劑作為必要組分的組合物。作為紫外線硬化化合物，可以用單官能(甲基)丙烯酸酯和多官能(甲基)丙烯酸酯作為聚合性單體組分。它們可以單獨使用，或者其中的兩種或更多種一起使用。在本發(fā)明中，丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯統(tǒng)稱為(甲基)丙烯酸酯。
例如，以下是可以用于這種光學(xué)記錄介質(zhì)的聚合性單體。作為單官能(甲基)丙烯酸酯，例如存在具有以下基團(tuán)作為取代基的(甲基)丙烯酸酯等，所述基團(tuán)有甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、2-乙基己基、辛基、壬基、十二烷基、十六烷基、十八烷基、環(huán)己基、苯甲基、甲氧基乙基、丁氧基乙基、苯氧基乙基、壬基苯氧基乙基、四氫糠基、縮水甘油基、2-羥基乙基、2-羥基丙基、3-氯-2羥基丙基、二甲基氨基乙基、二乙基氨基乙基、壬基苯氧基乙基四氫糠基、己內(nèi)酯變性的四氫糠基、異冰片基、二環(huán)戊基、二環(huán)戊烯基、二環(huán)戊烯氧乙基等。
作為多官能(甲基)丙烯酸酯，存在下列物質(zhì)的二(甲基)丙烯酸酯1，3-丁二醇、1，4-丁二醇、1，5-戊二醇、3-甲基-1，5-戊二醇、1，6-己二醇、新戊二醇、1，8-辛二醇、1，9-壬二醇、三環(huán)癸烷基二甲醇、乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、二丙二醇、三丙二醇、聚丙二醇等；三(2-羥乙基)異氰尿酸酯的二(甲基)丙烯酸酯；通過將4摩爾或更多的環(huán)氧乙烷或環(huán)氧丙烷加成到1摩爾新戊二醇中而獲得的二醇的二(甲基)丙烯酸酯；通過將2摩爾環(huán)氧乙烷或環(huán)氧丙烷加成到1摩爾雙酚A而獲得的二醇的二(甲基)丙烯酸酯；通過將3摩爾或更多的環(huán)氧乙烷或環(huán)氧丙烷加成到三羥甲基丙烷中而獲得的三醇的二或三(甲基)丙烯酸酯；通過將4摩爾或更多的環(huán)氧乙烷或環(huán)氧丙烷加成到1摩爾雙酚A而獲得的二醇的二(甲基)丙烯酸酯；三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇的聚(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧乙烷變性的磷酸(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧乙烷變性的烷基化磷酸(甲基)丙烯酸酯等。
可以作為聚合性低聚物與聚合性聚合體一起使用的物質(zhì)是聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯、聚氨酯(甲基)丙烯酸酯等。
作為用于這種光學(xué)記錄介質(zhì)的光聚合引發(fā)劑，可以使用任何一種可以使由聚合性低聚物和/或聚合性單體代表的所使用紫外線硬化化合物硬化的已知引發(fā)劑。作為光聚合引發(fā)劑，分子裂變型或氫奪取型是合適的。
作為這種光聚合引發(fā)劑，適合使用的有安息香(bensoin)異丁醚、2，4-二乙基噻噸酮、2-異丙基噻噸酮、苯甲基、2，4，6-三甲基苯甲?；交趸ⅰ?-苯甲基-2-二甲基氨基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁-1-酮、雙(2，6-二甲氧基苯甲?；?-2，4，4-三甲基苯基氧化膦等。作為與此不同的分子裂變型，還可以一起使用1-羥基環(huán)己基苯基酮、苯偶姻乙醚、苯甲基二甲基縮酮、2-羥基-2-甲基-1-苯丙基-1-酮、1-(4-異丙基苯基)-2-羥基-2-甲基丙基-1-酮、2-甲基-1-(4-甲基苯硫基)-2-嗎啉基丙-1-酮等。此外，可以一起使用以下分子奪取型光聚合引發(fā)劑二苯酮、4-苯基二苯酮、異酞苯酮(isophthalphenone)、4-苯甲?；?4′-甲基-二苯硫等。
作為對光聚合引發(fā)劑的敏化劑，可以使用不會引起與上述聚合成分的加成反應(yīng)的胺，例如三甲基胺、甲基二羥甲基胺、三乙醇胺、對二乙基胺基苯乙酮、對二甲基胺基乙基苯甲酸酯、對二甲基胺基異戊基苯甲酸酯、N，N-二甲基苯甲胺、4，4′-雙(二乙基胺基)二苯甲酮等。優(yōu)選地，選擇并使用對紫外線硬化化合物具有優(yōu)異的可溶解性且不阻礙紫外線透過性的上述光聚合引發(fā)劑和敏化劑之一。
作為陽離子型紫外線硬化粘合劑，可以用任何已知的組合物。含有陽離子聚合型的光聚合引發(fā)劑的環(huán)氧樹脂對應(yīng)于此。作為陽離子聚合型的光引發(fā)劑，存在锍鹽、碘鎓鹽、重氮鹽等。
作為碘鎓鹽的示例，存在六氟磷酸二苯基碘鎓鹽、六氟銻酸二苯基碘鎓鹽、四氟硼酸二苯基碘鎓鹽、四(五氟苯基)硼酸二苯基碘鎓鹽、六氟磷酸雙(十二烷基苯基)碘鎓鹽、六氟銻酸雙(十二烷基苯基)碘鎓鹽、四氟硼酸雙(十二烷基)碘鎓鹽、四(五氟苯基)硼酸雙(十二烷基苯基)碘鎓鹽、六氟磷酸4-甲基苯基-4-(1-甲基乙基)苯基碘鎓鹽、六氟銻酸4-甲基苯基-4-(1-甲基乙基)苯基碘鎓鹽、四氟硼酸4-甲基苯基-4-(1-甲基乙基)苯基碘鎓鹽、四(五氟苯基)硼酸4-甲基苯基-4-(1-甲基乙基)苯基碘鎓鹽等。
作為環(huán)氧樹脂，雙酚A-表氯醇類、環(huán)氧脂環(huán)族、長鏈脂族、溴化環(huán)氧樹脂、縮水甘油酯類、縮水甘油醚類、雜環(huán)體系等中的任何一種都是可用的。
作為環(huán)氧樹脂，優(yōu)選使用具有少量游離氯和氯離子的環(huán)氧樹脂，以避免該樹脂損壞反射層。氯的量優(yōu)選地不大于1重量％，更優(yōu)選地不大于0.5重量％。
陽離子聚合型光引發(fā)劑在陽離子型紫外線硬化樹脂的重量的100部分中的比率通常為0.1至20重量部分，優(yōu)選為0.2至5重量部分。為了更有效地使用近紅外線區(qū)域或紫外線光源波段中的可見輻射區(qū)的波長，可以結(jié)合使用已知的光敏化劑。作為這種光敏化劑，存在蒽、吩噻嗪、苯甲基甲縮酮、二苯甲酮、苯乙酮等。
為了提高紫外線硬化粘合劑的各種性質(zhì)，可以根據(jù)需要添加作為其它添加劑的熱聚合抑制劑，以受阻酚、受阻胺、亞磷酸鹽等為代表的抗氧化劑，增塑劑，以環(huán)氧硅烷、巰基硅烷、(甲基)丙烯基硅烷為代表的硅烷耦合劑等。在這些添加劑中，選擇并使用對于紫外線硬化化合物具有優(yōu)異的可溶解性且不阻礙紫外線透過性的添加劑。
(5)關(guān)于第二記錄層5第二記錄層5通常具有比用于單面記錄介質(zhì)(例如，CD-R、DVD-R、DVD+R)等的記錄層更高的敏感度。在該光學(xué)記錄介質(zhì)中，因為入射光束的功率由于半透明反射層3等的存在而被分割，并且為了在第一記錄層2記錄和在第二記錄層5記錄而被分散，所以以一半的功率進(jìn)行記錄。因而，第二記錄層5需要具有特別高的敏感度。
為了實現(xiàn)優(yōu)異的記錄/讀取性能，希望染料產(chǎn)生較少熱量并具有大折射率。
此外，希望第二記錄層5與反射層6的組合提供光反射和吸收的適當(dāng)范圍。由此，可以增加記錄敏感度，并可以減小記錄時的熱干擾。
第二記錄層5的材料和淀積方法與第一記錄層2的材料和淀積方法幾乎相同，因此下面只說明它們之間的不同。
第二記錄層5的膜厚度并沒有具體限制，因為合適的膜厚度根據(jù)記錄方法等而不同。為了獲得足夠的調(diào)制幅度，第二記錄層5的膜厚度通常優(yōu)選為不小于10nm，更優(yōu)選為不小于30nm，特別優(yōu)選為不小于50nm。然而，為了獲得適當(dāng)?shù)姆瓷渎?，要求該膜不能過厚，膜厚度通常為不大于3μm，優(yōu)選為不大于1μm，更優(yōu)選為不大于200nm。
用于第一記錄層2和第二記錄層5的材料可以彼此相同或不同。
(6)關(guān)于反射層6要求反射層6具有高反射率。希望反射層6高度耐用。
為了確保高反射率，反射層6的厚度通常優(yōu)選為不小于20nm，更優(yōu)選為不小于30nm，進(jìn)一步優(yōu)選為不小于50nm。為了縮短制造的節(jié)拍時間和降低成本，優(yōu)選地，反射層6薄到一定程度。因此，膜厚度通常不大于400nm，更優(yōu)選為不大于300nm。
作為反射層6的材料，例如可以單獨地使用或以合金的形式使用在讀取光的波長具有足夠高的反射率的金屬，如Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、Pt、Ta和Pd。在這些金屬中，Au、Al和Ag由于其具有高反射率而適于作為反射層6的材料。除了作為主要組分的這些金屬外，反射層6可以包含以下作為其它組分。作為其它組分的示例，存在諸如Mg，Se，Hf，V，Nb，Ru，W，Mn，Re，F(xiàn)e，Co，Rh，Ir，Cu，Zn，Cd，Ga，In，Si，Ge，Te，Pb，Po，Sn，Bi和稀土金屬的金屬，以及半金屬。
包含Ag作為主要組分的膜由于其成本低而特別優(yōu)選，該膜提供了高反射率，并且當(dāng)進(jìn)一步設(shè)置下文所述的印刷接收層時提供了美麗的白底色。這里，“主要成分”表示其含有率不小于50％的成分。
為了確保反射層6的高耐用性(高抗蝕性)，優(yōu)選地使用合金形式而不是作為純銀的Ag。
在這些合金中，包含Ag作為主要成分并包含0.1至15原子％的從包括Ti、Zn、Cu、Pd、Au和稀土金屬的組中選擇的至少一種元素的合金是優(yōu)選的。當(dāng)該合金包含Ti、Zn、Cu、Pd、Au和稀土金屬中的兩種或更多種時，它們中的每一個可以被包含為0.1至15原子％。然而，優(yōu)選地，這些元素之和為0.1至15原子％。
該合金的特別優(yōu)選的組成為包含Ag作為主要成分；包含0.1至15原子％的從包括Ti、Zn、Cu、Pd、和Au的組中選擇的至少一種元素；并且包含0.1至15原子％的至少一種稀土元素。在這些稀土元素中，釹是特別優(yōu)選的。更具體地，AgPdCu、AgCuAu、AgCuAuNd、AgCuNd等是優(yōu)選的。
作為反射層6，僅由Au制成的層因其高耐用性(高抗蝕性)而為優(yōu)選的，但是比僅由Ag合金制成的層更貴。
可以將均由非金屬材料制成的具有低反射率的薄膜與具有高反射率的薄膜相互層疊以形成多層，并將其用作反射層6。
作為形成反射層6的方法，例如存在濺射、離子鍍敷、化學(xué)汽相淀積、真空蒸發(fā)等?？梢栽诜瓷鋵?的上表面和下表面上設(shè)置已知的無機(jī)或有機(jī)中間層或粘合層，以改進(jìn)反射率、記錄性能、粘合性等。
(7)關(guān)于粘合層7
粘合層7無需透明。粘合層7的高粘合性以及其硬化和粘合時的小收縮率使得介質(zhì)形狀具有穩(wěn)定性，這是優(yōu)選的。
優(yōu)選地，粘合層7由不損壞反射層6的材料制成?？梢栽谶@兩層之間設(shè)置已知的無機(jī)或有機(jī)的保護(hù)層，以避免對反射層6的損壞。
在該光學(xué)記錄介質(zhì)中，粘合層7的膜厚度通常優(yōu)選地為不小于2μm。為了獲得預(yù)定的粘合性，需要一定的膜厚度。更優(yōu)選地，粘合層7的膜厚度為不小于5μm。通常，優(yōu)選地，粘合層7的膜厚度不大于100μm，以使光學(xué)記錄介質(zhì)盡可能薄。這是因為厚的膜需要較長時間來硬化，這導(dǎo)致生產(chǎn)率下降。
粘合層7的材料可以與中間樹脂層4的材料相同，或者可以為壓敏的雙面帶等。通過將壓敏雙面帶放在反射層6與第二基片8之間并對其進(jìn)行按壓，可以形成粘合層7。
(8)關(guān)于第二基片8優(yōu)選地，第二基片8具有形狀穩(wěn)定性，以使得光學(xué)記錄介質(zhì)具有一定的剛性。即，優(yōu)選地，第二基片8具有高的機(jī)械穩(wěn)定性和大的剛性。此外，優(yōu)選地，第二基片8具有對于粘合層7的大粘合性。
當(dāng)?shù)谝换?不具有上述的充分的形狀穩(wěn)定性時，特別需要第二基片8具有大的形狀穩(wěn)定性?？紤]到此，優(yōu)選地，第二基片8具有低的吸濕性。第二基片8無需透明。第二基片8可以為鏡面基片，其上無需具有凹部和凸部。由此，并非總是需要第二基片8在注射成型過程中具有良好的轉(zhuǎn)印性。
作為該材料，可以使用與用于第一基片1的材料相同的材料。除此之外，可以使用諸如Al-Mg合金等的含有Al作為主要組分的Al合金基片，諸如Mg-Zn合金等的含有Mg作為主要組分的Mg合金基片，由硅、鈦和陶瓷中的任一種制成的基片，或者由其組合制成的基片。
從諸如成型性等的高生產(chǎn)率、成本、低吸濕性、形狀穩(wěn)定性等角度出發(fā)，聚碳酸酯是優(yōu)選的。從抗化學(xué)品性、低吸濕性等的角度出發(fā)，非晶聚烯烴是優(yōu)選的。從高速響應(yīng)性等的角度出發(fā)，玻璃基片是優(yōu)選的。
為了使光學(xué)記錄介質(zhì)具有足夠的剛性，優(yōu)選地第二基片8厚至一定程度，具有不小于0.3mm的厚度。然而，由于第二基片8越薄就越有利于使記錄/讀取裝置變薄，所以第二基片8的厚度優(yōu)選為不大于3mm，更優(yōu)選為不大于1.5mm。
第二基片8可以為其上不具有凹部和凸部的鏡面基片。從容易制造的角度，優(yōu)選地，以注射成型來制造第二基片8。
第一基片1與第二基片8的優(yōu)選組合的示例為第一基片1和第二基片8由相同材料制成，并具有相同厚度。這樣，第一基片1和第二基片8的剛性相同，這提供了良好的平衡。由此，介質(zhì)不會由于環(huán)境變化而易變形，這是優(yōu)選的。在這種情況下，優(yōu)選地，當(dāng)環(huán)境變化時引起的兩個基片的變形的程度和方向一致。
作為該組合的另一優(yōu)選示例，第一基片1薄約0.1mm，而第二基片8厚約1.1mm。這樣，物鏡可以容易地接近記錄層，由此可以容易地提高記錄密度。因此，這是優(yōu)選地。在這種情況下，第一基片1可以是片狀形狀。
(9)關(guān)于其它層在該層化結(jié)構(gòu)中，可以根據(jù)需要將另一層隨意放在這些層中。另選地，可以在該介質(zhì)的最外表面上隨意設(shè)置另一層。具體地，例如可以在半透明反射層3與中間樹脂層4之間、中間樹脂層4與第二記錄層5之間、或者反射層6與粘合層7之間設(shè)置緩沖層作為中間層。
緩沖層用于防止兩層互相溶解并防止兩層互相混合。緩沖層可以具有防止溶解現(xiàn)象的功能之外的其它功能。此外，可以根據(jù)需要放置另一中間層。
需要緩沖層的材料不與第二記錄層5或中間樹脂層4相溶合，并在一定程度上可透光?？梢詫⒁阎臒o機(jī)或有機(jī)材料用于緩沖層。從性質(zhì)的角度，優(yōu)選使用有機(jī)材料。例如，可以使用(1)金屬或半導(dǎo)體，(2)金屬或半導(dǎo)體的氧化物、氮化物、硫化物、三硫化物、氟化物或碳化物，以及(3)非晶碳等。其中，由幾乎透明的介電材料制成的層或非常薄的金屬層(包括合金)是優(yōu)選的。
具體地，諸如氧化硅(特別地，二氧化硅)、氧化鋅、氧化鈰、氧化釔等的氧化物；諸如硫化鋅、硫化釔等的硫化物；諸如氮化硅等的氮化物；碳化硅；氧化物和硫的混合物(三硫化物)；以及稍后所述的合金是優(yōu)選的。比率為大約30∶70到90∶10(重量比)的氧化硅和硫化鋅的混合物是優(yōu)選的。硫、二氧化釔和氧化鋅的混合物(Y2O2S-ZnO)也是優(yōu)選的。
作為金屬或合金，銀或者包含銀作為主要組分并包含0.1至15原子％的從鈦、鋅、銅、鈀、金組成的組中選擇的至少一種元素的合金是優(yōu)選的。包含銀作為主要組分并包含0.1至15原子％的至少一種稀土元素的合金也是優(yōu)選的。作為稀土元素，釹、鐠、鈰等是優(yōu)選的。
另選地，可以使用任何樹脂層，只要當(dāng)制作緩沖層時其不會溶解記錄層中的染料。具體地，可以以真空蒸發(fā)或CVD方法來制造的高分子膜是有用的。
緩沖層的厚度優(yōu)選為不小于2nm，更優(yōu)選為不小于5nm。當(dāng)緩沖層過薄時，不能充分防止上述混合現(xiàn)象。緩沖層的厚度優(yōu)選為不大于2000nm，更優(yōu)選為不大于500nm。過厚的緩沖層不僅對于防止混和是不必要的，而且導(dǎo)致透光率下降。當(dāng)該層是由無機(jī)物質(zhì)制成的時，層的膜淀積需要較長時間，這導(dǎo)致生產(chǎn)率的下降，或者膜應(yīng)力增加。由此，膜厚度優(yōu)選為不大于200nm。具體地，由于由金屬制成的膜過度降低透光率，所以膜厚度優(yōu)選為不大于約20nm。
可以設(shè)置保護(hù)層來保護(hù)記錄層或反射層。保護(hù)層的材料并不受具體限制，而是可以用任何材料，只要其保護(hù)記錄層或反射層不受外力影響。作為保護(hù)層的有機(jī)材料，存在熱塑樹脂、熱硬化樹脂、電子束硬化樹脂、紫外線硬化樹脂等。作為保護(hù)層的無機(jī)材料，存在氧化硅、氮化硅、MgF2、SnO2等。
可以通過將熱塑樹脂、熱硬化樹脂等溶解在適當(dāng)?shù)娜軇┲幸灾苽渫坎家后w、應(yīng)用該液體并對其進(jìn)行干燥從而形成保護(hù)層。在紫外線硬化樹脂的情況下，可以通過制備紫外線硬化樹脂自身的涂布液體或者通過將紫外線硬化樹脂溶解在適當(dāng)?shù)娜軇┲卸@得的涂布液體、應(yīng)用該涂布液體、對液體照射UV光以使其硬化，從而形成保護(hù)層。作為紫外線硬化樹脂，存在丙烯酸樹脂，如聚氨酯丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸脂等?？梢詥为毷褂眠@些材料或者可以將其混合使用。此外，不僅可以使用單層而且可以使用多層。
作為形成保護(hù)層的方法，存在諸如旋涂、澆注等的涂布方法、濺射、化學(xué)蒸發(fā)等。在這些方法中，旋涂是優(yōu)選的。
保護(hù)層的膜厚度通常在0.1至100μm的范圍內(nèi)。在該光學(xué)記錄介質(zhì)中，保護(hù)層的膜厚度優(yōu)選為3到50μm。
根據(jù)需要，可以在并非記錄/讀取光束入射的表面的表面上設(shè)置印刷接受層，可以通過諸如噴墨轉(zhuǎn)印體(printer)、熱轉(zhuǎn)印體等的各種轉(zhuǎn)印體或各種寫入工具在其上進(jìn)行寫入(印刷)。
另選地，可以將具有該結(jié)構(gòu)的兩個光學(xué)記錄介質(zhì)以第一基片1在外側(cè)的方式貼合在一起，以形成具有4個記錄層的更大容量的介質(zhì)。
類型2的光學(xué)記錄介質(zhì)圖2是根據(jù)本實施例的典型光學(xué)記錄介質(zhì)(類型2)的剖面圖。
根據(jù)本實施例的類型2的光學(xué)記錄介質(zhì)(貼合的單面入射型的雙層DVD-R)在盤狀形狀的透明(可透光)第一基片(第一基片、第一可透光基片)21上按順序具有含有染料的第一記錄層(第一記錄層、第一含染料的記錄層)22、半透明的反射層(下文中稱為半透明反射層，第一反射層)23、透明的粘合層(中間層)24、緩沖層28、含有染料的第二記錄層(第二記錄層、第二含染料的記錄層)25、反射層(第二反射層)26、盤狀形狀的第二基片(第二基片)27。從第一基片21側(cè)照射光束以進(jìn)行記錄/讀取。正如第一實施例，在本實施例中，“透明”表示對用于在該光學(xué)記錄介質(zhì)上記錄或從光學(xué)記錄介質(zhì)讀取的光束透明。
也就是說，貼合的雙層型單面入射DVD-R具有第一信息記錄體，通過至少將含有第一染料的第一含染料記錄層22和半透明反射層23依次層疊在具有導(dǎo)溝的第一基片上而形成；以及第二信息記錄體，通過至少將反射層26和含有第二染料的第二含染料記錄層25依次層疊在具有導(dǎo)溝的第二基片27上而形成。該DVD-R是通過使第一信息記錄體和第二信息記錄體的基片的相對側(cè)彼此面對、并由光學(xué)透明的粘合層將其貼合而形成的。
在第一基片21和第二基片27上形成有凹部和凸部，以形成各自的記錄軌道。記錄軌道可以是凸起部分或者凹進(jìn)部分。然而，優(yōu)選地，第一基片21上的記錄軌道31由相對于入射光束的方向的凸起部分形成，而第二基片27的記錄軌道32由相對于入射光束的方向的凹進(jìn)部分形成。根據(jù)需要，基片可以具有凹坑和凸坑。根據(jù)本實施例，除非具體指出，否則凸部和凹部是相對于用于進(jìn)行記錄或者讀取的入射光束的方向而限定的。
接下來，將對各層進(jìn)行說明。
根據(jù)本實施例的單面入射型的貼合雙層DVD-R的第一基片21、第一記錄層22、半透明反射層23、第二記錄層25和反射層26在結(jié)構(gòu)上與根據(jù)第一實施例的單面入射型的層疊雙層DVD-R的第一基片1、第一記錄層2、半透明反射層3、第二記錄層5和反射層6幾乎相似。
除了無需以凹部和凸部來形成溝和坑之外，作為中間層的透明粘合層24在結(jié)構(gòu)上與根據(jù)第一實施例的單面入射型的層疊雙層DVD-R的中間樹脂層4幾乎相似。此外，在稍后要描述的第二基片27上形成有上述的溝和坑。
作為中間層的緩沖層28在結(jié)構(gòu)上與以上在第一實施例中所述的緩沖層幾乎相似?？梢詢H在必要時形成緩沖層。
優(yōu)選地，第二基片27具有形狀穩(wěn)定性，以使得光學(xué)記錄介質(zhì)具有一定的剛性。即，優(yōu)選地，第二基片27具有高機(jī)械穩(wěn)定性和大的剛性。當(dāng)?shù)谝换?1不具有足夠的形狀穩(wěn)定性時，需要第二基片27具有特別高的形狀穩(wěn)定性。從這個角度，第二基片27優(yōu)選地具有低的吸濕性。
因為在其上形成凹部和凸部(記錄軌道)，所以第二基片27優(yōu)選地具有良好的成型性質(zhì)。不需要第二基片27透明。然而，當(dāng)?shù)诙?7透明時，在制造過程中對第二記錄層25的膜厚度的測量變得容易，這是優(yōu)選的。
作為這種材料，可以使用諸如丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂(特別地，非晶聚烯烴)、聚酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、環(huán)氧樹脂等的樹脂和玻璃。
在第二基片27上，螺旋形或同心形地形成有凹部和凸部，以形成溝和岸。通常，這些溝和/或岸用作記錄軌道以在第二記錄層25上記錄信息或從其讀取信息。由于第二記錄層25通常是用涂布形成的，所以其膜厚度在溝部大，從而溝部適于記錄或讀取。優(yōu)選地，在該光學(xué)記錄介質(zhì)中，指定第二基片27的溝部(即，對于入射光束的方向的凹部)作為記錄軌道32。這里，“凹部”和“凸部”表示相對于入射光束的方向的“凹部”和“凸部”。通常，溝的寬度為約50到500nm，深度為約10到250nm。當(dāng)記錄軌道為螺旋形時，優(yōu)選地，軌道間距為約0.1到2.0μm。根據(jù)需要，第二基片27可以具有諸如岸預(yù)制坑的凹/凸坑。
從成本的角度，優(yōu)選地，具有這種凹部和凸部的第二基片27由樹脂制成，并利用具有凹部和凸部的壓模以注射成型來制造。當(dāng)在玻璃等制成的基片體上形成由諸如光硬化樹脂等的放射線硬化樹脂制成的樹脂層時，可以在樹脂層上形成用于記錄軌道等的凹部和凸部。
盡管本發(fā)明適于在具有上述結(jié)構(gòu)的具有含染料的記錄層的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)(DVD-R)中記錄數(shù)據(jù)，但是本發(fā)明也可以應(yīng)用于具有其它結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)，只要該光學(xué)記錄介質(zhì)是具有多個記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)(多層光學(xué)記錄介質(zhì))。例如，本發(fā)明可以用于具有相變記錄層作為記錄層的可重寫光學(xué)記錄介質(zhì)(例如，DVD-RW、DVD+RW、DVD-RAM等)，其中結(jié)晶狀態(tài)的部分用作未記錄狀態(tài)/擦除狀態(tài)而非晶狀態(tài)的部分用作已記錄狀態(tài)的記錄層，或者，本發(fā)明還可以應(yīng)用于例如具有磁記錄層作為記錄層的磁光記錄介質(zhì)。本發(fā)明不僅可以應(yīng)用于基片表面入射型光學(xué)記錄介質(zhì)，還可以應(yīng)用于所謂的膜表面入射型光學(xué)記錄介質(zhì)。
光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄裝置接下來，將參照圖3對根據(jù)本實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄裝置進(jìn)行說明。
如圖3所示，用于該光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄裝置(驅(qū)動器、寫入器)250包括主軸電機(jī)252，驅(qū)動光學(xué)記錄介質(zhì)251以使其轉(zhuǎn)動；諸如激光二極管(LD)等的半導(dǎo)體激光器(激光源)253；分束器254；物鏡255；包括光檢測器256(例如光電二極管(PD)等)的光學(xué)讀寫頭257；放大器258，放大由光學(xué)讀寫頭257檢測到的信號；激光驅(qū)動器(驅(qū)動單元；例如驅(qū)動電路)259，驅(qū)動半導(dǎo)體激光器253；以及控制算術(shù)單元260[例如包括CPU 260A和存儲器(存儲單元)260B]。
當(dāng)向控制算術(shù)單元260輸入記錄指令(寫入指令)時，控制算術(shù)單元260向激光驅(qū)動器259輸出控制信號，激光驅(qū)動器259驅(qū)動半導(dǎo)體激光器253。由此，半導(dǎo)體激光器253通過分束器254、物鏡255等向光學(xué)記錄介質(zhì)251的希望的記錄層發(fā)射激光束(記錄束)，以記錄數(shù)據(jù)。
在數(shù)據(jù)記錄過程中，從光學(xué)記錄介質(zhì)251反射的光束的光量通過分束器254被光檢測器256檢測，被放大器258放大，并被輸入到控制算術(shù)單元260?？刂扑阈g(shù)單元260對從半導(dǎo)體激光器253輸出的激光束的功率進(jìn)行優(yōu)化，也就是說，控制算術(shù)單元260進(jìn)行最佳功率控制(OPC)。
在本實施例中，僅僅需要“OPC”確定最佳值，因此可以使用任何方法。OPC中確定的最佳值稱為OPC記錄功率。
在數(shù)據(jù)記錄期間，控制算術(shù)單元260對光學(xué)記錄介質(zhì)251反射的返回光束(反射光；記錄光束的返回光)的光量進(jìn)行監(jiān)測并對記錄功率(激光功率)進(jìn)行控制，以使得在形成記錄標(biāo)記時反射光束的量的降低是恒定的(即，使得不對稱是恒定的)。
在該光學(xué)記錄介質(zhì)(類型1和類型2)中的記錄是通過從第一基片1或21的一側(cè)照射在記錄層上會聚到直徑約0.5到1μm的激光束來進(jìn)行的。在發(fā)射激光束的部分中，由于吸收了激光束的能量，發(fā)生記錄層的熱變形，例如分解、放熱、溶解等，從而改變其化學(xué)性質(zhì)。
對已記錄信息的讀取是通過用激光束讀取光學(xué)性質(zhì)發(fā)生了變化的部分與光學(xué)性質(zhì)保持不變的部分之間的反射率之差而進(jìn)行的。
通過以下方式在兩個記錄層的每一個上進(jìn)行記錄或讀取?？梢酝ㄟ^使用以刀緣(knife edge)法、像散法、傅科(Foucault)法等獲得的焦點誤差信號來區(qū)分會聚激光束的會聚位置是在第一記錄層2、22上還是在第二記錄層5、25上。即，當(dāng)用于會聚激光束的物鏡在垂直方向移動時，根據(jù)激光束的焦點位置是在第一記錄層2、22上還是在第二記錄層5、25上而獲得不同的S形曲線。可以通過選擇將哪個S形曲線用于聚焦伺服來選擇要進(jìn)行記錄或讀取的第一記錄層2、22或者第二記錄層5、25。
在類型1的光學(xué)記錄介質(zhì)中，優(yōu)選地，在第一基片1和中間樹脂層4上形成凹部和凸部，并將第一基片1的凸部和中間樹脂層4的凸部用作記錄軌道來進(jìn)行記錄或讀取，如圖1所示。由于染料記錄層通常是以涂布而形成的，所以其膜在溝部厚，因此溝部適于記錄或讀取。在類型1的光學(xué)記錄介質(zhì)中，優(yōu)選地，第一基片1的溝部(即相對于入射光束的方向的凸部)用作記錄軌道11，而中間樹脂層4的溝部(即相對于入射光束的方向的凸部)用作記錄軌道12。
在類型2的光學(xué)記錄介質(zhì)中，優(yōu)選地，在第一基片21和第二基片27上形成凹部和凸部，并且將第一基片21的凸部和第二基片27的凹部用作記錄軌道以進(jìn)行記錄或讀取，如圖2所示。此外，存在第一記錄層22上的循軌伺服控制的極性與第二記錄層25上的循軌伺服控制的極性相反的情況。在類型2的光學(xué)記錄介質(zhì)中，優(yōu)選地，第一基片21的溝部(即相對于入射光束的方向的凸部)用作記錄軌道31，而第二基片27的溝部(即相對于入射光束方向的凹部)用作記錄軌道32。
作為用于該光學(xué)記錄介質(zhì)(類型1和類型2)的激光束，可以使用N2、He-Cd、Ar、He-Ne、紅寶石、半導(dǎo)體、染料激光器等。其中，半導(dǎo)體激光器由于其重量輕、緊湊、方便等而優(yōu)選。
優(yōu)選地，所使用的激光束的波長盡可能短，以進(jìn)行高密度記錄。具體地，波長為350到530nm的激光束是優(yōu)選的。作為這種激光束的典型示例，存在中心波長為405nm、410nm和515nm的激光束。
可以使用405nm或410nm藍(lán)色高功率半導(dǎo)體激光或515nm藍(lán)綠色高功率半導(dǎo)體激光來獲得波長范圍為350到530nm的激光束的示例。除此之外，可以通過用二次諧波生成元件(SHG)對(a)可以以740到960nm的基本振蕩波長連續(xù)振蕩的半導(dǎo)體激光、或者(b)被半導(dǎo)體激光激勵從而能夠以740到960nm的基本振蕩波長連續(xù)振蕩的固態(tài)激光進(jìn)行波長調(diào)制，從而獲得激光束。
作為上述SHG，可以使用任何沒有反轉(zhuǎn)對稱性的壓電元件，但是KDP、ADP、BNN、KN、LBO以及化合半導(dǎo)體是優(yōu)選的。作為二次諧波的實際示例，在基本振蕩波長為860nm的半導(dǎo)體激光的情況下，存在作為860nm的倍頻波的430nm，在半導(dǎo)體激光等激勵的固體激光的情況下，存在作為摻Cr的LiSrAlF6晶體(基本振蕩波長為860nm)的860nm的倍頻波的430nm。
光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄方法接下來，將參照圖4來說明通過用于如上構(gòu)成的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄裝置250的控制算術(shù)單元260執(zhí)行預(yù)定程序而進(jìn)行的處理(光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄方法)。
當(dāng)在上述的單面入射型雙層DVD-R(參考圖1和2)中記錄數(shù)據(jù)時，首先在遠(yuǎn)離激光束入射表面的第二記錄層5(25)中記錄數(shù)據(jù)，然后在接近激光束入射表面的第一記錄層2(22)上記錄數(shù)據(jù)。
在用于該光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄裝置250中，在光學(xué)記錄介質(zhì)251上進(jìn)行記錄之前(例如，當(dāng)將介質(zhì)載入該裝置時)，根據(jù)來自控制算術(shù)單元260的指令讀出與光學(xué)記錄介質(zhì)251中的各個記錄層2和5(22和25)的層信息相關(guān)聯(lián)地記錄的記錄條件(例如記錄推薦功率等)。記錄條件與各個記錄層2和5(22和25)的層信息相關(guān)聯(lián)，并且存儲在存儲器260B中。
如圖4所示，當(dāng)從諸如個人計算機(jī)等的計算機(jī)(或者通過驅(qū)動器本身配備的諸如按鈕的輸入單元)向用于光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄裝置250輸入記錄指令時，控制算術(shù)單元260獲取例如從個人計算機(jī)或其它設(shè)備發(fā)送的記錄數(shù)據(jù)(記錄脈沖、連續(xù)數(shù)據(jù))，并且將其分割成要記錄在第一記錄層2(22)上的部分和要記錄在第二記錄層5(25)上的部分。控制算術(shù)單元260的該功能稱為數(shù)據(jù)分割單元。
也就是說，將被發(fā)送以記錄在具有兩個記錄層2和5(22和25)的光學(xué)記錄介質(zhì)251上的連續(xù)數(shù)據(jù)分割為前一半連續(xù)數(shù)據(jù)和后一半連續(xù)數(shù)據(jù)。這里，將前一半連續(xù)數(shù)據(jù)指定為要記錄在靠近入射光束入射側(cè)的第一記錄層2(22)上的部分，將后一半連續(xù)數(shù)據(jù)指定為要記錄在遠(yuǎn)離入射光束入射側(cè)的第二記錄層5(25)上的部分。
控制算術(shù)單元260控制光學(xué)讀寫頭257以在第一記錄層2(22)進(jìn)行焦距伺服控制，從而通過激光驅(qū)動器259對從半導(dǎo)體激光器253輸出的激光束的功率(激光功率)進(jìn)行最佳功率控制(步驟S20)。這里，控制算術(shù)單元260根據(jù)第一記錄層2(22)的層信息，從存儲器260B讀出記錄推薦功率，并根據(jù)讀出的記錄推薦功率進(jìn)行OPC?？刂扑阈g(shù)單元260的此功能稱為最佳功率控制單元。
也就是說，為了在設(shè)置于已執(zhí)行了焦距伺服控制的第一記錄層2(22)上的功率校準(zhǔn)區(qū)(PCA，記錄功率校準(zhǔn)區(qū))中用不同的激光功率進(jìn)行試寫入，控制算術(shù)單元260控制光學(xué)讀寫頭257以將激光功率調(diào)節(jié)到對于第一記錄層2(22)的最佳功率(最佳記錄功率、OPC記錄功率)。然后，控制算術(shù)單元260將通過執(zhí)行OPC而獲得的對于第一記錄層2(22)的最佳功率(對應(yīng)于最佳功率的激光電流值)存儲在存儲器260B中。
接下來，控制算術(shù)單元260控制光學(xué)讀寫頭257以在第二記錄層5(25)進(jìn)行聚焦伺服控制，從而通過激光驅(qū)動器259對從半導(dǎo)體激光器253輸出的激光束的功率(激光功率)進(jìn)行最佳功率控制(OPC)(步驟S30)。這里，控制算術(shù)單元260根據(jù)第二記錄層5(25)的層信息從存儲器讀出記錄推薦功率，并且根據(jù)讀出的記錄推薦功率進(jìn)行OPC?？刂扑阈g(shù)單元260的此功能稱為最佳功率控制單元。
也就是說，為了在設(shè)置于已執(zhí)行了焦距伺服控制的第二記錄層5(25)上的PCA中用不同的激光功率進(jìn)行試寫入，控制算術(shù)單元260控制光學(xué)讀寫頭257以將激光功率調(diào)節(jié)到對于第二記錄層5(25)的最佳功率(最佳記錄功率、OPC記錄功率)。然后，控制算術(shù)單元260將通過執(zhí)行OPC而獲得的對于第二記錄層5(25)的最佳功率(對應(yīng)于最佳功率的激光電流值)存儲在存儲器260B中。
由于在上述的步驟S20和S30中設(shè)置了對于各個記錄層2和5(22和25)的OPC記錄功率，所以這些步驟稱為OPC記錄功率設(shè)置步驟。
在所有記錄層[這里，第一記錄層2(22)和第二記錄層5(25)]進(jìn)行了OPC之后，在記錄層2和5(22和25)上記錄數(shù)據(jù)。如上所述，數(shù)據(jù)首先記錄在第二記錄層5(25)上，然后連續(xù)地記錄在第一記錄層2(22)上。
控制算術(shù)單元260讀出存儲在存儲器260B中的第二記錄層5(25)的最佳功率，通過激光驅(qū)動器259驅(qū)動半導(dǎo)體激光器253，將半導(dǎo)體激光器253的記錄功率控制到第二記錄層5(25)的最佳功率(對應(yīng)于最佳功率的激光電流值)，并將后一半連續(xù)數(shù)據(jù)記錄在第二記錄層5(25)上(步驟S40)?？刂扑阈g(shù)單元260的該功能稱為數(shù)據(jù)記錄單元。
當(dāng)在第二記錄層5(25)上進(jìn)行了記錄之后連續(xù)地在第一記錄層2(22)上進(jìn)行記錄時，控制算術(shù)單元260在開始在第一記錄層2(22)上進(jìn)行記錄時將半導(dǎo)體激光器253的記錄功率控制到記錄功率(對應(yīng)于該記錄功率的激光電流值)，并將前一半連續(xù)數(shù)據(jù)記錄在第一記錄層2(22)上。
上述的記錄裝置和記錄方法的優(yōu)點在于，可以精確地調(diào)節(jié)當(dāng)在記錄層2和5(22和25)上記錄數(shù)據(jù)時要使用的記錄功率，以實現(xiàn)良好的記錄。因此，例如，當(dāng)在具有多個記錄層2和5(22和25)的光學(xué)記錄介質(zhì)251的記錄層2和5(22和25)上連續(xù)記錄數(shù)據(jù)時，可以在各個記錄層2和5(22和25)上進(jìn)行良好的記錄。
在以上的說明中，在第二記錄層5或25上進(jìn)行記錄之后在第一記錄層2或22上進(jìn)行記錄。然而，當(dāng)然可以在第一記錄層2或22上進(jìn)行記錄之后在第二記錄層5或25上進(jìn)行記錄。
光學(xué)記錄介質(zhì)的區(qū)結(jié)構(gòu)和記錄功率的優(yōu)化當(dāng)從第一基片1或21側(cè)照射激光束以在介質(zhì)上進(jìn)行記錄時，首先在第一記錄層2或22上進(jìn)行記錄，當(dāng)記錄層2或22中的可記錄區(qū)耗盡時開始在第二記錄層5或25上進(jìn)行記錄。
以下，對在從第一記錄層2或22的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)進(jìn)行了記錄之后從第二記錄層5或25的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)進(jìn)行記錄的情況下的區(qū)結(jié)構(gòu)和記錄功率(密度)優(yōu)化進(jìn)行說明。
在該光學(xué)記錄介質(zhì)中，在各個記錄層上實際開始記錄之前，使用功率校準(zhǔn)區(qū)域(PCA)針對各個記錄層進(jìn)行激光束的記錄功率的優(yōu)化(OPC)。
如圖5(A)所示，在該光學(xué)記錄介質(zhì)的第一記錄層2或22上從盤內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)設(shè)置有預(yù)定區(qū)51、PCA 52、用戶數(shù)據(jù)區(qū)53。
在第二記錄層5或25上，從盤的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)設(shè)置有PCA 61、預(yù)定區(qū)62和用戶數(shù)據(jù)區(qū)63。
在各個用戶數(shù)據(jù)區(qū)53和63中，包括導(dǎo)入?yún)^(qū)、信息記錄區(qū)、導(dǎo)出區(qū)等。
如圖5(B)所示，第一記錄層2或22的PCA 52分為OPC區(qū)52a，用于通過照射激光束來進(jìn)行試寫入；和OPC管理區(qū)52b，用于記錄試寫入已經(jīng)進(jìn)行的次數(shù)等。各個區(qū)52a和52b包含多個分區(qū)，在各個區(qū)52a和52b中，針對一次OPC處理使用一個分區(qū)(2418字節(jié))。例如，從外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)使用OPC區(qū)52a中的分區(qū)，而從內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)使用OPC管理區(qū)52b中的分區(qū)。
當(dāng)使用激光束在第一記錄層2或22上進(jìn)行記錄時，通過在OPC區(qū)52a中的一個分區(qū)上照射具有各種功率的激光束來進(jìn)行試寫入，重復(fù)對試寫入的記錄進(jìn)行讀取，確定可以最適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行讀取的激光束的記錄功率，并且將諸如試寫入已進(jìn)行的次數(shù)等的OPC區(qū)52a的使用狀態(tài)記錄在OPC管理區(qū)52b的一個分區(qū)中。
第二記錄層5或25的PCA 61分為OPC區(qū)61a，用于通過照射激光束來進(jìn)行試寫入；和OPC管理區(qū)61b，用于記錄試寫入已進(jìn)行的次數(shù)等。各個區(qū)61a和61b包含多個分區(qū)。在各個區(qū)61a和61b中，針對一次OPC處理使用一個分區(qū)。例如，從內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)使用OPC區(qū)61a中的分區(qū)，而從外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)使用OPC管理區(qū)61b中的分區(qū)。
當(dāng)使用激光束在第二記錄層5或25上進(jìn)行記錄時，在OPC區(qū)61a中的一個分區(qū)上照射具有各種功率的激光束以進(jìn)行試寫入，重復(fù)對試寫入記錄進(jìn)行讀取，確定可以最適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行讀取的激光束的記錄功率，并且將諸如試寫入已進(jìn)行的次數(shù)等的OPC區(qū)61a的使用狀態(tài)記錄在OPC管理區(qū)61b的一個分區(qū)中。
第二記錄層5或25中的預(yù)定區(qū)62處于沒有任何記錄的狀態(tài)(未記錄狀態(tài))。在該光學(xué)記錄介質(zhì)中，由于如上所述地當(dāng)完成在第一記錄層2或22上的記錄之后進(jìn)行在第二記錄層5或25上的記錄，所以當(dāng)在第一記錄層2或22上進(jìn)行記錄時第二記錄層5或25處于未記錄狀態(tài)。為此，通過使預(yù)定區(qū)62如同第二記錄層5或25一樣處于未記錄狀態(tài)，可以在接近實際記錄條件的狀態(tài)下在第一記錄層2或22上進(jìn)行OPC處理。
另一方面，第一記錄區(qū)2或22中的預(yù)定區(qū)51處于先前已記錄的狀態(tài)。在該光學(xué)記錄介質(zhì)中，由于如上所述地當(dāng)完成在第一記錄層2或22上的記錄之后在第二記錄層5或25上進(jìn)行記錄，所以當(dāng)在第二記錄層5或25上進(jìn)行記錄時第一記錄層已經(jīng)處于已記錄狀態(tài)。為此，通過使預(yù)定區(qū)51如同第一記錄層2或22一樣處于已記錄狀態(tài)，可以在接近實際記錄條件的狀態(tài)下在第二記錄層5或25上進(jìn)行OPC處理。
當(dāng)應(yīng)用的介質(zhì)是DVD-R時，優(yōu)選地，在預(yù)定區(qū)51中記錄符合EFM+(其為用于DVD-R的記錄方法)的記錄。例如，當(dāng)記錄的基準(zhǔn)時鐘周期為T時，標(biāo)記或空白的長度優(yōu)選地在3T到14T的范圍內(nèi)，并且標(biāo)記與空白的比率優(yōu)選為0.9到1.1，更優(yōu)選為1.0(即，50％占空(duty))。這樣，優(yōu)選地，以與通常用于在所采用介質(zhì)上進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄的方法相同的方法來進(jìn)行記錄。
預(yù)定區(qū)51中的記錄可以是制造商在制造該盤時進(jìn)行的，或者可以是當(dāng)用戶購買該盤時由用戶使用驅(qū)動器來進(jìn)行的。在任一種情況中，都僅僅需要在開始針對第二記錄層5或25的第一次OPC處理之前已經(jīng)對第一記錄層2或22中的預(yù)定區(qū)51進(jìn)行了記錄。
由于該光學(xué)記錄介質(zhì)是如上構(gòu)成的，所以在開始在第一記錄層2或22上進(jìn)行記錄之前在第一記錄層2或22的PCA 52中進(jìn)行針對第一記錄層2或22的OPC處理。此時，當(dāng)從激光束看時，第一記錄層2或22的OPC區(qū)52a覆蓋的第二記錄層5或25處于未記錄狀態(tài)。因此，可以在接近實際記錄狀態(tài)的狀態(tài)下針對第一記錄層2或22進(jìn)行OPC處理，由此可以確定對于第一記錄層2或22的最佳記錄功率。
以后在第一記錄層2或22上開始記錄時，在第一記錄層2或22的PCA 52中進(jìn)行針對第一記錄層2或22的OPC處理。
當(dāng)完成了整個第一記錄層2或22上的記錄時，在第二記錄層5或25的PCA 61中進(jìn)行針對第二記錄層5或25的OPC處理。此時，當(dāng)從激光束看時，重疊在第二記錄層5或25的OPC區(qū)61a上的第一記錄層2或22處于先前已記錄狀態(tài)。因此，可以在接近實際記錄狀態(tài)的狀態(tài)下針對第二記錄層5或25進(jìn)行OPC處理，由此可以確定對于第二記錄層5或25的最佳記錄功率。
通過將第二記錄層5或25的OPC區(qū)61a設(shè)置為不被第一記錄層2或22的OPC區(qū)52a覆蓋，可以不受第一記錄層2或22的OPC區(qū)52a的記錄狀態(tài)的影響地針對第二記錄層5或25進(jìn)行OPC處理。因此，也可以確定對于第二記錄層5或25的最佳記錄功率。
當(dāng)然，如上所述，可以預(yù)先將激光束的推薦記錄功率記錄在介質(zhì)中。具體來說，通過記錄軌道的擺動來記錄各個記錄層2和5(22和25)的推薦記錄功率值。另選地，可以通過預(yù)制坑(岸預(yù)制坑)等將推薦記錄功率值記錄在形成于各個記錄層2和5(22和25)的記錄管理區(qū)[RMAPCA與導(dǎo)入?yún)^(qū)之間的區(qū)(未示出)]之間的區(qū)域(未示出)中。當(dāng)進(jìn)行OPC處理時參照如此記錄的推薦記錄功率值，由此可以更快速地確定最佳記錄功率。
在本實施例中，第一記錄層2或22的OPC區(qū)52a覆蓋的第二記錄層5或25處于未記錄狀態(tài)。然而，優(yōu)選地，至少一部分第二記錄層5或25處于未記錄狀態(tài)。重疊在第二記錄層5或25的OPC區(qū)61a上的第一記錄層2或22處于先前已記錄狀態(tài)。然而，優(yōu)選地，至少一部分第一記錄層2或22處于先前已記錄狀態(tài)。
在本實施例中，在完成了在第一記錄層2或22上的記錄之后在第二記錄層5或25上進(jìn)行記錄。然而，可以在完成了在第二記錄層5或25上的記錄之后在第一記錄層2或22上進(jìn)行記錄。
在這種情況下，由于當(dāng)在第二記錄層5或25上進(jìn)行記錄時第一記錄層2或22處在未記錄狀態(tài)，所以優(yōu)選地，第一記錄層2或22的預(yù)定區(qū)51處于未記錄狀態(tài)。這樣，可以在接近實際記錄條件的狀態(tài)下針對第二記錄層5或25進(jìn)行OPC處理，并且確定對于第二記錄層5或25的最佳功率。
由于當(dāng)完成第二記錄層5或25上的記錄之后在第一記錄層2或22上進(jìn)行記錄時第二記錄層5或25處于已記錄狀態(tài)，所以優(yōu)選地，使第二記錄層5或25的預(yù)定區(qū)62處于先前已記錄狀態(tài)。由此，可以在接近實際記錄條件的狀態(tài)下針對第一記錄層2或22進(jìn)行OPC處理，并且確定對于第一記錄層2或22的最佳功率。
如圖5(A)所示，優(yōu)選地，將PCA 52和61設(shè)置在靠近開始記錄的位置，因為激光束可以更容易地訪問那里。然而，另選地，也可以將PCA52和61與預(yù)定區(qū)51和62放在一起設(shè)置在用戶數(shù)據(jù)區(qū)53和63的外周側(cè)。在這種情況下，為使激光束可以容易地訪問那里，優(yōu)選地，從外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)在第一記錄層2或22和第二記錄層5或25上進(jìn)行記錄。
另選地，可以將PCA 52和61以及預(yù)定區(qū)51和62設(shè)置在內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)這兩側(cè)，或者沿徑向方向設(shè)置多個PCA和多個預(yù)定區(qū)。
光學(xué)記錄介質(zhì)的另一記錄方法以下，參照圖8、9(A)、9(B)、10(A)和10(B)，對根據(jù)本實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的另一記錄方法(即，通過如上構(gòu)成的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄裝置250的控制算術(shù)單元260執(zhí)行預(yù)定程序而進(jìn)行的處理)進(jìn)行說明。
這里，通過如下的示例來進(jìn)行說明其中，在上述的雙層單面入射型DVD-R中記錄數(shù)據(jù)(參見圖1和2)，在遠(yuǎn)離激光束入射側(cè)的第二記錄層5(25)上記錄數(shù)據(jù)，然后在靠近激光束入射側(cè)的第一記錄層2(22)上連續(xù)地記錄數(shù)據(jù)。此外，“連續(xù)地記錄”表示在第一記錄層2(22)上的記錄結(jié)束與第二記錄層5(25)上的記錄開始之間的時間間隔不大(在預(yù)定時間內(nèi)；例如，在10分鐘內(nèi)，優(yōu)選在5分鐘內(nèi))。
在用于光學(xué)記錄介質(zhì)的該記錄裝置250中，在光學(xué)記錄介質(zhì)251上進(jìn)行記錄之前(例如，載入介質(zhì)時)，根據(jù)來自控制算術(shù)單元260的指令，讀出與光學(xué)記錄介質(zhì)251中的記錄層2和5(22和25)的層信息相關(guān)聯(lián)地記錄的記錄條件(例如推薦記錄功率等)，所述記錄條件與各個記錄層2和5(22和25)的層信息相關(guān)聯(lián)并存儲在存儲器260B中。
如圖8所示，例如，當(dāng)從諸如個人計算機(jī)的計算機(jī)(或者通過驅(qū)動器本身配備的諸如按鈕的輸入單元)向用于光學(xué)記錄介質(zhì)的該記錄裝置250輸入記錄指令時，控制算術(shù)單元260獲取例如從個人計算機(jī)或其它設(shè)備發(fā)送的要記錄的數(shù)據(jù)(記錄脈沖，連續(xù)數(shù)據(jù))，并將該數(shù)據(jù)分割為要記錄在第一記錄層2(22)上的部分和要記錄在第二記錄層5(25)上的部分(步驟A10)?？刂扑阈g(shù)單元260的該功能稱為數(shù)據(jù)分割單元。
換句話說，將被發(fā)送以記錄在具有兩個記錄層2和5(22和25)的光學(xué)記錄介質(zhì)51上的連續(xù)數(shù)據(jù)分割為前一半連續(xù)數(shù)據(jù)和后一半連續(xù)數(shù)據(jù)。這里，將前一半連續(xù)數(shù)據(jù)記錄在靠近入射激光束入射側(cè)的第一記錄層2(22)上，而將后一半連續(xù)數(shù)據(jù)記錄在遠(yuǎn)離入射激光束入射側(cè)的第二記錄層5(25)上。
接下來，控制算術(shù)單元260控制光學(xué)讀寫頭257以針對第一記錄層2(22)進(jìn)行聚焦伺服控制，并且通過激光驅(qū)動器259對從半導(dǎo)體激光器253輸出的激光束的功率進(jìn)行最佳功率控制(OPC)(步驟A20)。這里，控制算術(shù)單元260根據(jù)第一記錄層2(22)的層信息從存儲器260B讀出記錄推薦功率，并且根據(jù)讀出的記錄推薦功率進(jìn)行OPC?？刂扑阈g(shù)單元260的該功能稱為最佳功率控制單元。
為了用不同的激光功率在設(shè)置于已進(jìn)行了聚焦伺服控制的第一記錄層2(22)的數(shù)據(jù)記錄區(qū)的內(nèi)周側(cè)(位于內(nèi)周部分)和外周側(cè)(位于外周部分)這兩側(cè)上的功率校準(zhǔn)區(qū)(PCA，記錄功率校準(zhǔn)區(qū))中進(jìn)行試寫入，控制算術(shù)單元260控制光學(xué)讀寫頭257以將激光功率調(diào)節(jié)到適于第一記錄層2(22)的最佳功率(最佳記錄功率，OPC記錄功率)?？刂扑阈g(shù)單元260將通過進(jìn)行OPC而得到的第一記錄層2(22)的最佳功率(對應(yīng)于最佳功率的激光電流值)存儲在存儲器260B中。
其間，在設(shè)置于第一記錄層2(22)的數(shù)據(jù)記錄區(qū)的內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)上的各個PCA中進(jìn)行OPC。然而，例如，可以僅在設(shè)置于第一記錄層2(22)的內(nèi)周側(cè)上的PCA中進(jìn)行OPC，或者僅在設(shè)置于第一記錄層2(22)的外周側(cè)上的PCA中進(jìn)行OPC。
接下來，控制算術(shù)單元260控制光學(xué)讀寫頭257以針對第二記錄層5(25)進(jìn)行聚焦伺服控制，從而通過激光驅(qū)動器259對從半導(dǎo)體激光器253輸出的激光束的功率(激光功率)進(jìn)行最佳功率控制(OPC)(步驟A30)。這里，控制算術(shù)單元260根據(jù)第二記錄層5(25)的層信息從存儲器260B讀出記錄推薦功率，并且根據(jù)讀出的記錄推薦功率進(jìn)行OPC?？刂扑阈g(shù)單元260的該功能稱為最佳功率控制單元。
為了用不同的激光功率在設(shè)置于已進(jìn)行了聚焦伺服控制的第二記錄層5(25)的數(shù)據(jù)記錄區(qū)的內(nèi)周側(cè)(位于內(nèi)周部分)和外周側(cè)(位于外周部分)這兩側(cè)上PCA中進(jìn)行試寫入，控制算術(shù)單元260控制光學(xué)讀寫頭257以將激光功率調(diào)節(jié)到對于第二記錄層5(25)的最佳功率(最佳記錄功率，OPC記錄功率)?？刂扑阈g(shù)單元260將通過進(jìn)行OPC而得到的第二記錄層5(25)的最佳功率(對應(yīng)于最佳功率的激光電流值)存儲在存儲器260B中。
其間，在設(shè)置于第二記錄層5(25)的內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)這兩側(cè)上的各個PCA中進(jìn)行OPC。然而，本發(fā)明并不限于此。另選地，例如，可以僅在設(shè)置于第二記錄層5(25)的內(nèi)周側(cè)上的PCA中進(jìn)行OPC，或者僅在設(shè)置于第二記錄層5(25)的外周側(cè)上的PCA中進(jìn)行OPC。
由于在上述步驟A20和A30中設(shè)置了各個記錄層2和5(22和25)的OPC記錄功率，所以這些步驟稱為OPC記錄功率設(shè)置步驟。
根據(jù)本實施例，在對所有記錄層[這里，第一記錄層2(22)和第二記錄層5(25)]進(jìn)行了OPC之后將數(shù)據(jù)記錄在記錄層2和5(22和25)上。這里，數(shù)據(jù)首先記錄在第二記錄層5(25)上，然后連續(xù)地記錄在第一記錄層2(22)上。
首先，控制算術(shù)單元260讀出存儲在存儲器260B中的第二記錄層5(25)的最佳功率，通過激光驅(qū)動器259驅(qū)動半導(dǎo)體激光器253，將半導(dǎo)體激光器253的記錄功率控制到第二記錄層5(25)的最佳功率(對應(yīng)于最佳功率的激光電流值)，然后從外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)將后一半連續(xù)數(shù)據(jù)記錄在第二記錄層5(25)上(步驟A40)?？刂扑阈g(shù)單元260的該功能稱為數(shù)據(jù)記錄單元。
根據(jù)本實施例，在數(shù)據(jù)記錄期間執(zhí)行運行OPC。也就是說，控制算術(shù)單元260在第二記錄層5(25)上進(jìn)行記錄期間監(jiān)測光學(xué)記錄介質(zhì)251反射的返回光束(反射光；記錄光束的返回光)的光量，并控制記錄功率(激光功率)，以使得在記錄標(biāo)記期間反射光束的量的減小(反射光量的變化量)恒定(即，不對稱恒定)。由此，可以用最佳的不對稱性來進(jìn)行記錄。控制算術(shù)單元260的該功能稱為運行OPC單元。
圖9(A)是示出執(zhí)行運行OPC時光學(xué)記錄介質(zhì)251上的徑向方向位置與提供給半導(dǎo)體激光器253的激光電流值之間的關(guān)系的圖。在圖9(A)中，由Iopc表示與OPC中獲得的最佳功率(OPC記錄功率)對應(yīng)的激光電流值。
當(dāng)在光學(xué)記錄介質(zhì)251上從內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄期間執(zhí)行運行OPC時，如圖9(A)所示，提供給半導(dǎo)體激光器253的激光電流值趨向于逐漸增大。
如果在執(zhí)行運行OPC時進(jìn)行記錄，那么在數(shù)據(jù)記錄終止側(cè)(這里，在光學(xué)記錄介質(zhì)251的外周側(cè))的位置提供的實際激光電流值大于與OPC中獲得的最佳功率(OPC記錄功率)對應(yīng)的激光電流值Iopc。
圖9(B)是示出執(zhí)行運行OPC時光學(xué)記錄介質(zhì)251上的徑向方向位置與從半導(dǎo)體激光器253輸出的激光束的記錄功率(激光功率)之間的關(guān)系的圖。在圖9(B)中，由Popc表示OPC中獲得的最佳功率(OPC記錄功率)。
如果在光學(xué)記錄介質(zhì)上從內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄期間執(zhí)行運行OPC，那么如圖9(B)所示，從半導(dǎo)體激光器253輸出的激光束的記錄功率(激光功率)趨向于逐漸增大。
如果在執(zhí)行運行OPC時進(jìn)行記錄，那么在數(shù)據(jù)記錄終止側(cè)(這里，光學(xué)記錄介質(zhì)251的外周側(cè))的位置上的實際記錄功率大于OPC中獲取的最佳功率(OPC記錄功率)Popc。此外，由于在運行OPC中根據(jù)反射光的量進(jìn)行反饋控制，所以當(dāng)在執(zhí)行運行OPC時進(jìn)行記錄時不對稱是恒定的。
由于當(dāng)執(zhí)行運行OPC時實際記錄功率(實際激光電流值)相對于OPC中獲得的最佳功率(OPC記錄功率)Popc(與其對應(yīng)的激光電流值Iopc)發(fā)生變化，所以按后述的方式對第一記錄層2(22)的記錄功率(激光電流值)進(jìn)行設(shè)置以在開始記錄時使用。
盡管在這里執(zhí)行運行OPC，但是運行OPC并不總是必要的。
圖10(A)是示出當(dāng)不執(zhí)行運行OPC時光學(xué)記錄介質(zhì)251上的徑向方向位置與提供給半導(dǎo)體激光器253的激光電流值之間的關(guān)系的圖。在圖10(A)中，由Iopc表示與OPC中獲得的最佳功率(OPC記錄功率)對應(yīng)的激光電流值。
如果在光學(xué)記錄介質(zhì)上從內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄期間不執(zhí)行運行OPC，那么如圖10(A)所示，提供給半導(dǎo)體激光器253的激光電流值是恒定的。
為此，在數(shù)據(jù)記錄終止側(cè)(這里，光學(xué)記錄介質(zhì)251的外周側(cè))的位置提供的實際激光電流值等于與OPC中獲得的最佳功率(OPC記錄功率)對應(yīng)的激光電流值Iopc。
圖10(B)是示出當(dāng)不執(zhí)行運行OPC時光學(xué)記錄介質(zhì)251上的徑向方向位置與從半導(dǎo)體激光器253輸出的激光束的記錄功率(激光功率)之間的關(guān)系的圖。在圖10(B)中，由Popc表示OPC中獲得的最佳功率(OPC記錄功率)。
如果在光學(xué)記錄介質(zhì)251上從內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄期間不執(zhí)行運行OPC，那么如圖10(B)所示，從半導(dǎo)體激光器253輸出的激光束的記錄功率(激光功率)趨向于逐漸減小。
為此，在數(shù)據(jù)記錄終止側(cè)的位置的實際記錄功率小于OPC中獲得的最佳功率(OPC記錄功率)Popc。此外，如果在沒有運行OPC的情況下進(jìn)行記錄，那么不對稱性逐漸減小。
如上所述，如果不執(zhí)行運行OPC，則實際激光電流值相對于與OPC中獲得的最佳功率(OPC記錄功率)Popc對應(yīng)的激光電流值Iopc保持不變，但是，實際記錄功率相對于OPC中獲得的最佳功率(OPC記錄功率)Popc發(fā)生變化。因此，按后述的方式對開始在第一記錄層2(22)上進(jìn)行記錄時使用的記錄功率(激光電流值)進(jìn)行設(shè)置。
當(dāng)在第二記錄層5(25)上的數(shù)據(jù)記錄完成之后，控制算術(shù)單元260按如下方式設(shè)置當(dāng)開始在第一記錄層2(22)上進(jìn)行記錄時要使用的記錄功率(這里，對應(yīng)于記錄功率的激光電流值)(步驟A50和A60；開始記錄時的記錄功率設(shè)置步驟)。此外，控制算術(shù)單元260B的該功能稱為開始點記錄功率設(shè)置單元。
具體來說，當(dāng)完成了第二記錄層5(25)中的記錄時，控制算術(shù)單元260確定實際記錄功率相對于先前在步驟A30獲得的第二記錄層5(25)的最佳功率變化了多少(步驟A50)。
在本實施例中，控制算術(shù)單元260將在第二記錄層5(25)上記錄最后數(shù)據(jù)(記錄在第二記錄層上的記錄數(shù)據(jù)的記錄在最后地址處的數(shù)據(jù))而設(shè)置的記錄功率(對應(yīng)于該記錄功率的激光電流值)存儲在存儲器260B中。
當(dāng)完成了第二記錄層5(25)上的記錄時，控制算術(shù)單元260讀出存儲在存儲器260B中的第二記錄層5(25)的最佳功率(OPC記錄功率；對應(yīng)于最佳功率的激光電流值)和在第二記錄層5(25)上記錄最后數(shù)據(jù)而設(shè)置的記錄功率(對應(yīng)于該記錄功率的激光電流值)，獲取用于在第二記錄層5(25)上記錄最后數(shù)據(jù)的記錄功率與第二記錄層5(25)的預(yù)定最佳功率之間的差，并且計算實際記錄功率相對于第二記錄層5(25)的最佳功率的變化量(步驟A50)。控制算術(shù)單元260的該功能稱為記錄功率變化量計算單元。
根據(jù)本實施例，為了在執(zhí)行運行OPC時進(jìn)行記錄，控制算術(shù)單元260從用于在第二記錄層5(25)上記錄最后數(shù)據(jù)的記錄功率(對應(yīng)于該記錄功率的激光電流值)減去先前確定的第二記錄層5(25)的最佳功率(對應(yīng)于最佳功率的激光電流值)，并且計算實際記錄功率相對于第二記錄層5(25)的最佳功率的變化量。
如果不執(zhí)行運行OPC，則可以設(shè)置溫度傳感器或用于監(jiān)測的光電二極管以根據(jù)半導(dǎo)體激光器253的溫度或從半導(dǎo)體激光器253發(fā)射的光的量來估計實際記錄功率(的變化)，可以獲得估計的實際記錄功率與先前確定的第二記錄層5(25)的最佳功率之間的差，并且可以計算實際記錄功率相對于第二記錄層5(25)的最佳功率的的變化量。
這里，如上所述，在設(shè)置于第二記錄層5(25)的數(shù)據(jù)記錄區(qū)的內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)上的各個PCA進(jìn)行OPC，將OPC中得到的最佳功率存儲在存儲器260B中。為此，控制算術(shù)單元260讀出兩個最佳記錄功率(對應(yīng)于各個最佳功率的激光電流值)，根據(jù)記錄第二記錄層5(25)的最后數(shù)據(jù)的徑向方向位置以及第二記錄層5(25)的內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)上的PCA的徑向方向位置，確定通過在靠近記錄第二記錄層5(25)的最后數(shù)據(jù)的位置的PCA中進(jìn)行OPC而確定的最佳功率(對應(yīng)于最佳功率的激光電流值)，并且使用確定的最佳功率作為第二記錄層5(25)的最佳功率(對應(yīng)于最佳功率的激光電流值)。
然而，確定第二記錄層5(25)的最佳功率的方法并不限于上述示例。例如，可以在第二記錄層5(25)的內(nèi)周側(cè)上的PCA的徑向方向位置和在該PCA中進(jìn)行OPC而獲得的最佳功率(對應(yīng)于最佳功率的激光電流值)與第二記錄層5(25)的外周側(cè)上的PCA的徑向方向位置和在該PCA中進(jìn)行OPC而獲得的最佳功率(對應(yīng)于最佳功率的激光電流值)之間進(jìn)行插值，確定對于記錄了第二記錄層5(25)的最后數(shù)據(jù)的部分(徑向方向的位置)的最佳功率，并且將其用作第二記錄層5(25)的最佳功率。
另選地，例如，不考慮第二記錄層5(25)的徑向方向位置，可以確定在第二記錄層5(25)的內(nèi)周側(cè)和外周側(cè)上的PCA中進(jìn)行OPC而確定的最佳功率的平均值，并且將其用作第二記錄層5(25)的最佳功率。
在本實施例中，根據(jù)當(dāng)在第二記錄層5(25)上記錄數(shù)據(jù)時反射光束的量在運行OPC中設(shè)置記錄功率。因此，這意味著根據(jù)當(dāng)在第二記錄層5(25)上記錄最后數(shù)據(jù)時從光學(xué)記錄介質(zhì)反射的光的量來估計實際記錄功率(的變化)。此外，控制算術(shù)單元260的該功能稱為記錄功率估計單元。
當(dāng)像本實施例一樣在執(zhí)行運行OPC時進(jìn)行記錄時，在作為運行OPC執(zhí)行的反饋控制中根據(jù)反射光的量設(shè)置激光電流值，如圖9(A)所示[因為它根據(jù)實際記錄功率的變化[參見圖9(B)]而變化]。這意味著，根據(jù)運行OPC中設(shè)置的激光電流值[即，為在第二記錄層5(25)上記錄最后數(shù)據(jù)而設(shè)置的激光電流值]來估計實際記錄功率(的變化)?？刂扑阈g(shù)單元260的該功能稱為記錄功率估計單元。
換句話說，獲得在作為運行OPC執(zhí)行的反饋控制中根據(jù)作為運行OPC執(zhí)行的反射光量而設(shè)置的用于記錄第二記錄層5(25)的最后數(shù)據(jù)的實際激光電流值與對應(yīng)于在第二記錄層5(25)進(jìn)行OPC而獲得的最佳功率的激光電流值之間的差、并計算實際激光電流值相對于與第二記錄層5(25)的最佳功率對應(yīng)的激光電流值的變化量，這相當(dāng)于獲得用于記錄第二記錄層5(25)的最后數(shù)據(jù)的記錄功率與先前確定的第二記錄層5(25)的最佳功率之間的差、并計算實際記錄功率相對于第二記錄層5(25)的最佳功率的變化量。
這里，在作為運行OPC執(zhí)行的反饋控制中根據(jù)反射光的量確定實際記錄功率的變化量。另選地，可以將反射光的量與記錄功率之間的關(guān)系準(zhǔn)備為表，并且使用該表來確定實際記錄功率的變化量。
接下來，控制算術(shù)單元260根據(jù)實際記錄功率相對于第二記錄層5(25)的最佳功率的變化，對先前確定的第一記錄層2(22)的最佳功率進(jìn)行校正，并且設(shè)置當(dāng)開始在第一記錄層2(22)上進(jìn)行記錄時要使用的記錄功率(步驟A60)?？刂扑阈g(shù)單元260的該功能稱為最佳功率校正單元。
也就是說，控制算術(shù)單元260讀出存儲在存儲器260B中的第一記錄層2(22)的最佳功率(OPC記錄功率；對應(yīng)于最佳功率的激光電流值)，加上實際記錄功率相對于第二記錄層5(25)的最佳功率的變化量，設(shè)置當(dāng)開始在第一記錄層2(22)上進(jìn)行記錄時要使用的記錄功率。
當(dāng)在第二記錄層5(25)上進(jìn)行記錄之后在第一記錄層2(22)上連續(xù)地進(jìn)行記錄時，控制算術(shù)單元260將半導(dǎo)體激光器253的記錄功率控制為當(dāng)開始在第一記錄層2(22)上進(jìn)行記錄時要使用的記錄功率(對應(yīng)于該記錄功率的激光電流值)而無需對第一記錄層2(22)進(jìn)行OPC，并在第一記錄層2(22)上從外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)記錄前一半連續(xù)數(shù)據(jù)(步驟A70)。根據(jù)本實施例，當(dāng)在第一記錄層2(22)進(jìn)行記錄以及在第二記錄層5(25)上進(jìn)行記錄時執(zhí)行運行OPC?？刂扑阈g(shù)單元260的該功能稱為數(shù)據(jù)記錄單元。
在上述實施例中，在光學(xué)記錄介質(zhì)251上進(jìn)行記錄之前在所有層進(jìn)行OPC，然后在各個記錄層上記錄數(shù)據(jù)。然而，預(yù)先在所有記錄層進(jìn)行OPC并非總是必要的。當(dāng)在至少兩個記錄層上進(jìn)行連續(xù)記錄時，在開始在一個記錄層上進(jìn)行記錄之前、在另一記錄層上完成了記錄之后不應(yīng)進(jìn)行OPC。
在上述的在記錄期間執(zhí)行運行OPC的實施例中，當(dāng)開始在第一記錄層2(22)上進(jìn)行記錄時，控制算術(shù)單元260獲取為記錄第二記錄層5(25)的最后數(shù)據(jù)而設(shè)置的記錄功率與第二記錄層5(25)的最佳功率之間的差，并計算實際記錄功率相對于第二記錄層5(25)的最佳功率的變化量，從而根據(jù)在第二記錄層5(25)上的記錄結(jié)束時獲得的從光學(xué)記錄介質(zhì)251反射光量來估計實際記錄功率的變化。然而，該記錄方法不限于上述方法。
例如，控制算術(shù)單元260可以根據(jù)在第二記錄層5(25)上的記錄完成時獲得的半導(dǎo)體激光器(激光源)253的溫度來估計實際記錄功率的變化。該方法不僅可以應(yīng)用于在執(zhí)行運行OPC時進(jìn)行記錄的情況，而且可以應(yīng)用于無需運行OPC就進(jìn)行記錄的情況。此外，控制算術(shù)單元260的該功能稱為記錄功率估計單元。
在這種情況下，優(yōu)選地，例如，如圖3中的兩點鏈線所示地設(shè)置用于檢測半導(dǎo)體激光器253的溫度的溫度傳感器261，控制算術(shù)單元260在第二記錄層5(25)上進(jìn)行記錄時監(jiān)測半導(dǎo)體激光器253的溫度，并根據(jù)在第二記錄層5(25)上的記錄完成之后獲得的半導(dǎo)體激光器253的溫度來估計實際記錄功率的變化。
例如，可以預(yù)先準(zhǔn)備表示半導(dǎo)體激光器253的溫度與記錄功率之間的關(guān)系[激光功率相對于半導(dǎo)體激光器253的溫度變化的變化量的關(guān)系]的表，或者表示半導(dǎo)體激光器253的溫度與輸出激光束的波長之間的關(guān)系的表[含染料記錄層5(25)中包含的染料對激光束的吸收量相對于半導(dǎo)體激光器253的溫度變化的變化量的關(guān)系]，使用這些表根據(jù)在第二記錄層5(25)上的記錄完成之后獲得的半導(dǎo)體激光器253的溫度來估計實際記錄功率的變化。
另選地，例如，控制算術(shù)單元260可以根據(jù)在第二記錄層5(25)上記錄最后數(shù)據(jù)時(記錄完成時)半導(dǎo)體激光器(激光源)253的發(fā)射光束的量來估計實際記錄功率的變化。該方法不僅可以應(yīng)用于在執(zhí)行運行OPC時進(jìn)行記錄的情況，而且可以應(yīng)用于無需運行OPC就進(jìn)行記錄的情況。此外，控制算術(shù)單元260的該功能稱為記錄功率估計單元。
在這種情況下，例如，可以如圖3中的兩點鏈線所示地設(shè)置用于檢測從半導(dǎo)體激光器253發(fā)射的光束的量的監(jiān)測光電二極管(用于監(jiān)測的光學(xué)檢測器)262，控制算術(shù)單元260可以在第二記錄層5(25)上進(jìn)行記錄時對從半導(dǎo)體激光器253發(fā)射的光束的量進(jìn)行監(jiān)測，并根據(jù)在第二記錄層5(25)上的記錄完成時從半導(dǎo)體激光器253發(fā)射的光束的量來估計實際記錄功率的變化。
例如，可以預(yù)先準(zhǔn)備表示從半導(dǎo)體激光器253發(fā)射的光束的量與記錄功率之間的關(guān)系的表，并且可以使用該表根據(jù)在第二記錄層5(25)上的記錄完成時半導(dǎo)體激光器253的溫度來估計實際記錄功率的變化。
此外，控制算術(shù)單元260可以根據(jù)直到在第二記錄層5(25)上記錄最后數(shù)據(jù)(直到記錄終止)的激光照射的時間段來估計實際記錄功率的變化。該方法不僅可以應(yīng)用于在執(zhí)行運行OPC時進(jìn)行記錄的情況，而且可以應(yīng)用于無需運行OPC就進(jìn)行記錄的情況。此外，控制算術(shù)單元260的該功能稱為記錄功率估計單元。
在這種情況下，控制算術(shù)單元260當(dāng)在第二記錄層5(25)上進(jìn)行記錄時對激光照射的時間段進(jìn)行監(jiān)測，并且根據(jù)直到第二記錄層5(25)上的記錄結(jié)束的激光照射的時間段來估計實際記錄功率的變化。
例如，預(yù)先準(zhǔn)備表示激光照射時間段與記錄功率之間的關(guān)系的表，使用該表根據(jù)激光照射的時間段來估計實際記錄功率的變化。
此外，可以對這些方法進(jìn)行組合并使用它們。例如，控制算術(shù)單元260可以根據(jù)第二記錄層5(25)上的記錄完成時獲得的從半導(dǎo)體激光器(激光源)253發(fā)射的光束的量、以及第二記錄層5(25)上的記錄完成之后獲得的半導(dǎo)體激光器(激光源)53的溫度，來估計實際記錄功率的變化。該方法不僅可以應(yīng)用于在執(zhí)行運行OPC時進(jìn)行記錄的情況，而且可以應(yīng)用于無需運行OPC就進(jìn)行記錄的情況。此外，控制算術(shù)單元260的該功能稱為記錄功率估計單元。
在上述的實施例中，通過在具有兩個記錄層2和5(22和25)的光學(xué)記錄介質(zhì)251上連續(xù)記錄數(shù)據(jù)的示例進(jìn)行了描述。由此，在相鄰的兩個記錄層上連續(xù)記錄數(shù)據(jù)。然而，例如，當(dāng)在具有三個或更多個記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)上連續(xù)記錄數(shù)據(jù)時，不必在相鄰的記錄層上連續(xù)進(jìn)行記錄。
第二實施例根據(jù)本實施例，光學(xué)記錄介質(zhì)的區(qū)結(jié)構(gòu)和對記錄功率的優(yōu)化不同于第一實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的區(qū)結(jié)構(gòu)和對記錄功率的優(yōu)化。
以下，對根據(jù)本實施例的區(qū)結(jié)構(gòu)和對記錄功率的優(yōu)化進(jìn)行說明。
在該光學(xué)記錄介質(zhì)(類型1和類型2)中，在第一記錄層2或22上從內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)進(jìn)行記錄，之后，在第二記錄層5或25上從外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)進(jìn)行記錄，如圖6(A)所示。
在該光學(xué)記錄介質(zhì)中，同樣，在各個記錄層上開始實際記錄之前，使用PCA針對各個記錄層進(jìn)行對激光束的記錄功率的優(yōu)化(OPC)。
如圖6(A)所示，在該光學(xué)記錄介質(zhì)上的第一記錄層2或22上，從盤的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)依次設(shè)置有PCA 71、用戶數(shù)據(jù)區(qū)73和預(yù)定區(qū)75。
在第二記錄層5或25上，從盤的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)依次設(shè)置有預(yù)定區(qū)81、用戶數(shù)據(jù)區(qū)83和PCA 85。
各個用戶數(shù)據(jù)區(qū)73和83都包括導(dǎo)入?yún)^(qū)、信息記錄區(qū)、導(dǎo)出區(qū)等。
如圖6(B)所示，第一記錄層2或22的PCA 71分為用于通過照射激光束進(jìn)行試寫入的OPC區(qū)71a、以及用于記錄試寫入已進(jìn)行的次數(shù)的OPC管理區(qū)71b。各個區(qū)71a和71b包含多個分區(qū)，針對一次OPC處理，在各個區(qū)71a和71b中使用一個分區(qū)(2418字節(jié))。此外，例如，從外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)使用OPC區(qū)71a中的分區(qū)，而從內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)使用OPC管理區(qū)71b中的分區(qū)。
當(dāng)使用激光束在第一記錄層2或22上進(jìn)行記錄時，通過在OPC區(qū)71a中的一個分區(qū)上照射具有各種功率的激光束來進(jìn)行試寫入，重復(fù)對試寫入的記錄進(jìn)行讀出，確定可以最適當(dāng)?shù)刈x取數(shù)據(jù)的激光束的記錄功率，并且將OPC區(qū)71a的使用狀態(tài)(例如試寫入已進(jìn)行的次數(shù)等)寫在OPC管理區(qū)71b的一個分區(qū)中。
如圖6(C)所示，第二記錄層5或25的PCA 85分為用于通過照射激光束來進(jìn)行試寫入的OPC區(qū)85a、以及用于記錄試寫入已進(jìn)行的次數(shù)的OPC管理區(qū)85b。各個區(qū)85a和85b包含多個分區(qū)，針對一次OPC處理，在各個區(qū)85a和85b中使用一個分區(qū)。此外，例如，從內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)使用OPC區(qū)85a中的分區(qū)，而從外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)使用OPC管理區(qū)85b中的分區(qū)。
當(dāng)使用激光束在第二記錄層5或25上進(jìn)行記錄時，通過在OPC區(qū)85a中的一個分區(qū)上照射具有各種功率的激光束來進(jìn)行試寫入以試寫入，重復(fù)讀取試寫入的記錄，確定可以最適當(dāng)?shù)刈x取數(shù)據(jù)的激光束的記錄功率，并且將OPC區(qū)85a的使用狀態(tài)(例如試寫入已進(jìn)行的次數(shù)等)寫在OPC管理區(qū)85b的一個分區(qū)中。
其間，第二記錄層5或25的預(yù)定區(qū)81處于沒有任何記錄狀態(tài)。當(dāng)在第一記錄層2或22上進(jìn)行記錄時第二記錄層5和25處于未記錄狀態(tài)，因為如上所述，在第二記錄層5或25上的記錄是在第一記錄層2或22上的記錄完成之后進(jìn)行的。為此，通過使預(yù)定區(qū)81處于與第二記錄層5或25一樣的未記錄狀態(tài)，可以在接近實際記錄狀態(tài)的狀態(tài)下在第一記錄層2或22進(jìn)行OPC處理。
另一方面，第一記錄層2或22的預(yù)定區(qū)75處于先前已記錄狀態(tài)。在該光學(xué)記錄介質(zhì)中，由于在第二記錄層5或25上的記錄是在第一記錄層2或22上的記錄完成之后進(jìn)行的，所以當(dāng)在第二記錄層5或25上進(jìn)行記錄時第一記錄層已經(jīng)處于已記錄狀態(tài)了。為此，通過使預(yù)定區(qū)75處于已記錄狀態(tài)，可以在接近實際記錄狀態(tài)的狀態(tài)下在第二記錄層進(jìn)行OPC處理。
當(dāng)應(yīng)用的介質(zhì)是DVD-R時，優(yōu)選地，在預(yù)定區(qū)51中進(jìn)行符合EFM+(其為用于DVD-R的記錄方法)的記錄。例如，當(dāng)記錄的基準(zhǔn)時鐘周期為T時，標(biāo)記或空白的長度在3T到14T的范圍內(nèi)，并且標(biāo)記與空白的比率為0.9到1.1，更優(yōu)選為1.0(即，50％占空)。這樣，優(yōu)選地，以與通常用于在所采用介質(zhì)上進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄的方法相同的方法來進(jìn)行記錄。
預(yù)定區(qū)75上的記錄可以是制造商在制造該盤時進(jìn)行的，或者可以是在用戶購買該盤后由用戶使用驅(qū)動器來進(jìn)行的。在任一種情況中，都僅僅需要在開始在第二記錄層5或25進(jìn)行第一次OPC處理之前預(yù)定區(qū)75處于先前已記錄狀態(tài)。
在具有上述結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)中，在開始在第一記錄層2或22上進(jìn)行記錄之前在第一記錄層2或22的PCA 71中進(jìn)行針對第一記錄層2或22的OPC處理。由于從激光束看去時此時第一記錄層2或22的OPC區(qū)71a所覆蓋的第二記錄層5或25處于未記錄狀態(tài)，所以可以在接近實際記錄狀態(tài)的狀態(tài)下針對第一記錄層2或22進(jìn)行OPC處理，并且確定第一記錄層2或22的最佳記錄功率。
此后開始在第一記錄層上記錄時，使用第一記錄層2或22的PCA 71執(zhí)行針對第一記錄層2或22的OPC處理。
當(dāng)在第一記錄層2或22的整個區(qū)域上的記錄完成之后，使用第二記錄層5或25的PCA 85執(zhí)行針對第二記錄層5或25的OPC處理。由于從激光束看去時重疊在第二記錄層5或25的OPC區(qū)85a上的第一記錄層2或22處于先前已記錄狀態(tài)，所以可以在接近實際記錄狀態(tài)的狀態(tài)下在第二記錄層5或25進(jìn)行OPC處理，并確定第二記錄層5或25的最佳記錄功率。
通過將第二記錄層5或25的OPC區(qū)85a設(shè)置為不被第一記錄層2或22的OPC區(qū)71a覆蓋，可以不受第一記錄層2或22的OPC區(qū)71a的記錄狀態(tài)的影響地針對第二記錄層5或25進(jìn)行OPC處理。從而確定對于第二記錄層5或25的最佳記錄功率。
與第一實施例相似，可以將激光束的推薦記錄功率值預(yù)先記錄在介質(zhì)中。這樣，在執(zhí)行OPC處理時可以通過參照推薦記錄功率來更快地確定最佳記錄功率。
在本實施例中，第一記錄層2或22的OPC區(qū)71a覆蓋的第二記錄層5或25處于未記錄狀態(tài)。然而，優(yōu)選地，至少一部分第二記錄層5或25處于未記錄狀態(tài)。重疊在第二記錄層5或25的OPC區(qū)85a上的第一記錄層2或22處于先前已記錄狀態(tài)。然而，優(yōu)選地，至少一部分第一記錄層2或22處于先前已記錄狀態(tài)。
如圖6(A)所示，因為激光束的可訪問性，所以優(yōu)選地將各個PCA 71和85設(shè)置在接近開始記錄位置的位置。
第三實施例根據(jù)本實施例，光學(xué)記錄介質(zhì)的區(qū)結(jié)構(gòu)和記錄功率優(yōu)化不同于第一實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的區(qū)結(jié)構(gòu)和對記錄功率的優(yōu)化。
以下，對根據(jù)本實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的區(qū)結(jié)構(gòu)和記錄功率優(yōu)化進(jìn)行說明。
如圖7(A)所示，在該光學(xué)記錄介質(zhì)(類型1和類型2)中，在第二記錄層5或25上從內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)進(jìn)行記錄，之后，在第一記錄層2或22上從外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)進(jìn)行記錄。
在該光學(xué)記錄介質(zhì)中，當(dāng)在各個記錄層上實際進(jìn)行記錄之前，使用PCA針對各個記錄層進(jìn)行對激光束的記錄功率的優(yōu)化(OPC)。
如圖7(A)所示，在該光學(xué)記錄介質(zhì)的第二記錄層5或25上從盤的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)依次設(shè)置有PCA 101、用戶數(shù)據(jù)區(qū)103和預(yù)定區(qū)105。
在第一記錄層2或22上，從盤的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)依次設(shè)置有預(yù)定區(qū)91、用戶數(shù)據(jù)區(qū)93和PCA 95。
各個用戶數(shù)據(jù)區(qū)93和103包括導(dǎo)入?yún)^(qū)、信息記錄區(qū)、導(dǎo)出區(qū)等。
如圖7(B)所示，第二記錄層5或25的PCA 101分為用于通過照射激光束來進(jìn)行試寫入的OPC區(qū)101a、以及用于存儲試寫入已進(jìn)行的次數(shù)的OPC管理區(qū)101b。各個101a和101b區(qū)包含多個分區(qū)，在各個區(qū)101a和101b中，針對一次OPC處理使用一個分區(qū)(2418字節(jié))。此外，例如，從外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)使用OPC區(qū)101a中的分區(qū)，而從內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)使用OPC管理區(qū)101b中的分區(qū)。
當(dāng)使用激光束在第二記錄層5或25上進(jìn)行記錄時，通過在OPC區(qū)101a中的一個分區(qū)上照射具有各種功率的激光束來進(jìn)行試寫入，重復(fù)讀取試寫入的記錄，確定可以最適當(dāng)?shù)刈x取的激光束的記錄功率，并將OPC區(qū)101a的使用狀態(tài)(例如試寫入已進(jìn)行的次數(shù)等)記錄在OPC管理區(qū)101b的一個分區(qū)中。
如圖7(C)所示，第一記錄層2或22的PCA 95分為用于通過照射激光束來進(jìn)行試寫入的OPC區(qū)95a、以及用于存儲試寫入已進(jìn)行的次數(shù)等的OPC管理區(qū)95b。各個區(qū)95a和95b區(qū)包含多個分區(qū)，在各個區(qū)95a和95b中，針對一次OPC處理使用一個分區(qū)(2418字節(jié))。此外，例如，從內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)使用OPC區(qū)95a中的分區(qū)，而從外周側(cè)向內(nèi)周側(cè)使用OPC管理區(qū)95b中的分區(qū)。
當(dāng)使用激光束在第一記錄層2或22上進(jìn)行記錄時，通過在OPC區(qū)95a中的一個分區(qū)上照射具有各種功率的激光束來進(jìn)行試寫入，重復(fù)進(jìn)行對試寫入記錄的讀出，確定可以最適當(dāng)?shù)刈x取的激光束的記錄功率，并將OPC區(qū)95a的使用狀態(tài)(例如試寫入已進(jìn)行的次數(shù)等)記錄在OPC管理區(qū)95b的一個分區(qū)中。
其間，第一記錄層2或22的預(yù)定區(qū)91處于沒有任何記錄的狀態(tài)(未記錄狀態(tài))。因為如上所述，在第一記錄層2或22上的記錄是在第二記錄層5或25上的記錄完成之后進(jìn)行的，所以當(dāng)在第二記錄層5或25上進(jìn)行記錄時第一記錄層2和22處于未記錄狀態(tài)。通過使預(yù)定區(qū)91與第一記錄層2或22一樣處于未記錄狀態(tài)，可以在接近實際記錄狀態(tài)的狀態(tài)下針對第二記錄層5或25進(jìn)行OPC處理。
另一方面，第二記錄層5或25的預(yù)定區(qū)105處于先前已記錄狀態(tài)。因為如上所述，在該光學(xué)記錄介質(zhì)中，在第一記錄層2或22上的記錄是在第二記錄層5或25上的記錄完成之后進(jìn)行的，所以當(dāng)在第一記錄層2或22上進(jìn)行記錄時第二記錄層5或25已經(jīng)處于已記錄狀態(tài)了。通過使預(yù)定區(qū)105與第二記錄層5或25一樣處于已記錄狀態(tài)，可以在接近實際記錄狀態(tài)的狀態(tài)下針對第一記錄層進(jìn)行OPC處理。
當(dāng)采用的介質(zhì)是DVD-R時，優(yōu)選地，在預(yù)定區(qū)105中進(jìn)行符合EFM+(其為用于DVD-R的記錄方法)的記錄。例如，優(yōu)選地，當(dāng)用于記錄的基準(zhǔn)時鐘周期為T時，標(biāo)記或空白的長度在3T到14T的范圍內(nèi)，并且標(biāo)記與空白的比率優(yōu)選為0.9到1.1，更優(yōu)選為1.0(即，50％占空)。這樣，優(yōu)選地，以與通常用于在所采用介質(zhì)上進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄的方法相同的方法來進(jìn)行記錄。
預(yù)定區(qū)51中的記錄可以是制造商在制造該盤時進(jìn)行的，或者可以是在用戶購買該盤之后由用戶使用驅(qū)動器來進(jìn)行的。在任一種情況中，都僅僅需要在開始針對第一記錄層2或22的第一次OPC處理之前第二記錄層5或25的預(yù)定區(qū)105處于先前已記錄狀態(tài)。
在具有上述結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)中，在開始在第二記錄層5或25上進(jìn)行記錄之前，使用第二記錄層5或25的PCA 101進(jìn)行針對第二記錄層5或25的OPC處理。由于當(dāng)從激光束看時重疊在第二記錄層5或25的OPC區(qū)101a上的第一記錄層2或22此時處于未記錄狀態(tài)，所以可以在接近實際記錄狀態(tài)的狀態(tài)下針對第二記錄層5或25進(jìn)行OPC處理，并且確定第二記錄層5或25的最佳記錄功率。
此后開始在第二記錄層5或25上進(jìn)行記錄時，使用第二記錄層5或25的PCA 101執(zhí)行針對第二記錄層5或25的OPC處理。
當(dāng)在第二記錄層5或25的整個區(qū)域上的記錄完成之后，使用第一記錄層2或22的PCA 95執(zhí)行針對第一記錄層2或22的OPC處理。由于當(dāng)從激光束看時重疊在第一記錄層2或22的OPC區(qū)95a上的第二記錄層5或25處于先前已記錄的狀態(tài)，所以可以在接近實際記錄狀態(tài)的狀態(tài)下針對第一記錄層2或22進(jìn)行OPC處理，并且確定第一記錄層2或22的最佳記錄功率。
通過將第一記錄層2或22的OPC區(qū)95a設(shè)置為不重疊在第二記錄層5或25的OPC區(qū)101a上，可以不受第一記錄層2或22的OPC區(qū)95a的記錄狀態(tài)的影響地針對第二記錄層5或25進(jìn)行OPC處理，并確定第二記錄層5或25的最佳記錄功率。
與第一實施例相似，可以預(yù)先記錄激光束的推薦記錄功率。這樣，在執(zhí)行OPC處理時可以通過參照推薦記錄功率來更快地確定最佳記錄功率。
如圖7(A)所示，因為激光束的可訪問性，所以優(yōu)選地將各個PCA 95和101設(shè)置在接近記錄開始的位置。
其它已經(jīng)對本發(fā)明的實施例進(jìn)行了說明，應(yīng)該理解，本發(fā)明并不限于上述實施例，而是可以在不偏離本發(fā)明的范圍的情況下進(jìn)行各種方式的修改。
例如，本發(fā)明可以應(yīng)用于具有三個或更多個記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)，通過來自一側(cè)的激光束在其上進(jìn)行記錄或讀取。在這種情況下，在各個記錄層中設(shè)置有PCA。在這種光學(xué)記錄介質(zhì)中，當(dāng)在某記錄層(除第一記錄層之外)Xn執(zhí)行OPC處理時，優(yōu)選地，當(dāng)從激光束看時，該記錄層Xn的PCA具有不重疊在位于其前面的記錄層Xn-1的PCA上的區(qū)域。此外，從激光束看去重疊在記錄層Xn的PCA上的一部分記錄層Xn-1優(yōu)選地處于先前已記錄狀態(tài)。
在上述實施例中，已經(jīng)描述了具有染料記錄層的染料記錄介質(zhì)。然而，該發(fā)明可以應(yīng)用于相變型介質(zhì)。在相變介質(zhì)的情況下，盡管未示出，第一記錄層包括第一保護(hù)層、信息記錄層和第二保護(hù)層，而第二記錄層包括第一保護(hù)層、信息記錄層和第二保護(hù)層。
作為該信息記錄層的材料，優(yōu)選地使用光學(xué)常數(shù)(折射率n，消光系數(shù)k)通過照射激光束而改變的材料。作為這種材料，存在基于Te或Se的硫族化物，例如含有Ge-Sb-Te、Ge-Te、Pd-Ge-Sb-Te、In-Sb-Te、Sb-Te、Ag-In-Sb-Te、Ge-Sb-Bi-Te、Ge-Sb-Se-Te、Ge-Sn-Te、Ge-Sn-Te-Au、Ge-Sb-Te-Cr，In-Se、In-Se-Co等作為主要組分的合金，以及例如將氮、氧等適當(dāng)加入上述合金的合金。
作為第一保護(hù)層和第二保護(hù)層的材料，為了抑制在照射激光束時由于對保護(hù)基片、信息記錄層等的熱損壞而導(dǎo)致的噪聲增加、調(diào)節(jié)對激光束的反射率和吸收率以及反射光的相位等，優(yōu)選地使用物理和化學(xué)穩(wěn)定、熔點高于信息記錄層的熔點、軟化溫度高、并且不與信息記錄層的材料相溶的材料。作為這種材料，例如存在Y、Ce、Ti、Zr、Nb、Ta、Co、Zn、Al、Si、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Te等的氧化物，Ti、Zr、Nb、Ta、Cr、Mo、W、B、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Pb等的氮化物，Ti、Zr、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Si等的碳化物，Zn、Cd等的硫化物，Mg、Ca等的硒化物、碲化物、氟化物，C、Si、Ge等的單質(zhì)，由這些材料的混和物制成的電介質(zhì)，以及用相同的方法處理為電介質(zhì)的材料。對于第一保護(hù)層和第二保護(hù)層，可以根據(jù)需要使用不同的材料，或者可以使用相同的材料。
在可重寫的光學(xué)記錄介質(zhì)的情況下，由于可以在記錄層中重寫信號，所以可以在相同分區(qū)重復(fù)OPC處理。因此，可重寫的光學(xué)記錄介質(zhì)的PCA僅包括OPC區(qū)，因此用于記錄試寫入已進(jìn)行的次數(shù)的OPC管理區(qū)等是不必要的。
在可重寫的光學(xué)記錄介質(zhì)中，任意選擇用于進(jìn)行OPC的分區(qū)，在發(fā)射用于擦除先前記錄在介質(zhì)的所選擇分區(qū)中的功率的激光束并且擦除了信號之后進(jìn)行OPC處理。由于在可重寫的光學(xué)記錄介質(zhì)中可以擦除對信號的記錄，所以記錄的順序并非恒定為對第一記錄層進(jìn)行了記錄之后對第二記錄層進(jìn)行記錄的方式，因此記錄的順序根據(jù)使用狀態(tài)而不同。在可重寫的光學(xué)記錄介質(zhì)的情況下，第一記錄層和第二記錄層的預(yù)定區(qū)優(yōu)選地處于已記錄狀態(tài)，因為可以在接近實際記錄狀態(tài)的狀態(tài)下執(zhí)行OPC處理。然而，本發(fā)明當(dāng)應(yīng)用于一次寫入介質(zhì)時更為有效，在所述一次寫入介質(zhì)中，在一個記錄層寫入數(shù)據(jù)，之后，開始在另一記錄層記錄數(shù)據(jù)。
本申請基于2002年12月20日提交的日本專利申請?zhí)?002-370934，2003年7月28日提交的日本專利申請No.2003-202321以及2003年4月1日提交的日本專利申請No.2003-098320，在此通過引用并入其全部內(nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)記錄介質(zhì)，包括多個記錄層，可以通過從其一側(cè)照射激光束來在其上記錄信息；并且所述多個記錄層中的每一個都包括用于優(yōu)化激光束的強(qiáng)度的功率校準(zhǔn)區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述功率校準(zhǔn)區(qū)被設(shè)置在所述記錄層的信息記錄區(qū)的內(nèi)周側(cè)和/或外周側(cè)。
3.一種光學(xué)記錄介質(zhì)，包括透光的第一基片；設(shè)置在所述第一基片上的第一記錄層，可以通過從第一基片側(cè)照射激光束來在其上記錄信息；設(shè)置在所述第一記錄層上的第二記錄層，可以通過照射所述激光束來在其上記錄信息；并且所述第一記錄層和所述第二記錄層中的每一個都包括用于優(yōu)化所述激光束的強(qiáng)度的功率校準(zhǔn)區(qū)。
4.如權(quán)利要求3所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述第一記錄層和所述第二記錄層的所述功率校準(zhǔn)區(qū)被設(shè)置在所述第一記錄層和所述第二記錄層的信息記錄區(qū)的內(nèi)周側(cè)和/或外周側(cè)。
5.如權(quán)利要求4所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述第一記錄層和所述第二記錄層的所述功率校準(zhǔn)區(qū)被設(shè)置在所述第一記錄層和所述第二記錄層的所述信息記錄區(qū)的內(nèi)周側(cè)；并且在所述第一記錄層和所述第二記錄層上的信息記錄是從所述信息記錄區(qū)的內(nèi)周側(cè)向外周側(cè)進(jìn)行的。
6.如權(quán)利要求4所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述第一記錄層的所述功率校準(zhǔn)區(qū)被設(shè)置在所述信息記錄區(qū)的所述內(nèi)周側(cè)和所述外周側(cè)中的任一側(cè)；所述第二記錄層的所述功率校準(zhǔn)區(qū)被設(shè)置在所述信息記錄區(qū)的另一側(cè)；并且在所述第一記錄層上的信息記錄和在所述第二記錄層的信息記錄是沿著相反的方向進(jìn)行的。
7.如權(quán)利要求3至6中的任一項所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述第二記錄層的所述功率校準(zhǔn)區(qū)具有不重疊在所述第一記錄層的所述功率校準(zhǔn)區(qū)上的區(qū)域。
8.如權(quán)利要求3至7中的任一項所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述第一記錄區(qū)的重疊在所述第二記錄區(qū)的所述功率校準(zhǔn)區(qū)上的部分處于先前已記錄的狀態(tài)。
9.如權(quán)利要求3至8中的任一項所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，在所述第一記錄層上的信息記錄是在所述第二記錄層上的信息記錄之前進(jìn)行的。
10.如權(quán)利要求1至9中的任一項所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，針對所述記錄層中的每一個的推薦記錄功率值被預(yù)先記錄。
11.一種用于具有多個記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄方法，包括以下步驟最佳功率控制記錄功率設(shè)置步驟，在所述記錄層中的每一個上進(jìn)行記錄之前進(jìn)行最佳功率控制以針對所述記錄層中的每一個設(shè)置最佳功率控制記錄功率。
12.如權(quán)利要求11所述的用于光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄方法，還包括以下步驟初始記錄功率設(shè)置步驟，根據(jù)實際記錄功率相對于在所述最佳功率控制記錄功率設(shè)置步驟為一個記錄層設(shè)置的最佳功率控制記錄功率的變化來校正在所述最佳功率控制記錄功率設(shè)置步驟中為另一記錄層設(shè)置的最佳功率控制記錄功率，以設(shè)置當(dāng)開始在另一記錄層上進(jìn)行記錄時要使用的記錄功率。
13.如權(quán)利要求12所述的用于光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄方法，其中，連續(xù)地進(jìn)行在所述一個記錄層上的記錄和在所述另一記錄層上的記錄。
14.如權(quán)利要求12或13所述的用于光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄方法，其中，當(dāng)在所述光學(xué)記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄之前，在所有所述記錄層上預(yù)先進(jìn)行所述最佳功率控制記錄功率設(shè)置步驟；并且當(dāng)在所述一個記錄層上進(jìn)行記錄之后，在所述另一記錄層上進(jìn)行記錄之前進(jìn)行所述初始記錄功率設(shè)置步驟。
15.一種用于具有多個記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄裝置，包括控制算術(shù)單元，用于當(dāng)在所述多個記錄層中的每一個上進(jìn)行記錄之前進(jìn)行最佳功率控制以針對所述多個記錄層中的每一個設(shè)置最佳功率控制記錄功率。
16.如權(quán)利要求15所述的用于光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄裝置，其中，所述控制算術(shù)單元根據(jù)針對一個記錄層的實際記錄功率相對最佳功率控制記錄功率的變化來校正針對另一記錄層的最佳功率控制記錄功率，以設(shè)置當(dāng)開始在另一記錄層上進(jìn)行記錄時要使用的記錄功率。
17.如權(quán)利要求16所述的用于光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄裝置，其中，所述控制算術(shù)單元連續(xù)地進(jìn)行在所述一個記錄層上的記錄和在所述另一記錄層上的記錄。
18.如權(quán)利要求16或17所述的用于光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄裝置，其中，所述控制算術(shù)單元當(dāng)在所述光學(xué)記錄介質(zhì)上進(jìn)行記錄之前針對所有所述記錄層中的每一個預(yù)先設(shè)置最佳功率控制記錄功率，并且，當(dāng)在所述一個記錄層上進(jìn)行記錄之后，于在所述另一記錄層上進(jìn)行記錄之前設(shè)置在所述另一記錄層上開始記錄時要使用的記錄功率。
全文摘要
在具有可以通過從其一側(cè)照射激光束將信息記錄于其上的多個記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)中，可以確定各個記錄層的最佳記錄功率。光學(xué)記錄介質(zhì)具有可以通過從其一側(cè)照射激光束將信息記錄于其上的多個記錄層，各個記錄層具有用于優(yōu)化激光束的強(qiáng)度的功率校準(zhǔn)區(qū)(PCA)(52)、(61)。
文檔編號G11B7/24GK1729514SQ20038010702
公開日2006年2月1日 申請日期2003年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月20日
發(fā)明者久保秀之, 竹島秀治 申請人:三菱化學(xué)株式會社