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存儲器地址線測試方法

文檔序號:6736492閱讀:1231來源:國知局
專利名稱:存儲器地址線測試方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明有關(guān)一種存儲器地址線測試方法,尤指一種采用“走步0”和“走步1”的方法準(zhǔn)確定位出地址線故障的方法。
背景技術(shù)
目前,單板上的CPU最小系統(tǒng)一般都包括CPU、FLASH和SDRAM等器件,CPU是單板的核心,用來執(zhí)行單板軟件指定的各項操作。FLASH是一種電可擦除的存儲器,即使單板掉電,保存在其中的程序或數(shù)據(jù)也不會丟失。CPU可以方便地讀出FLASH中的內(nèi)容,但只有在特定的情況下才可以對其進(jìn)行擦除和寫入操作。SDRAM是一種動態(tài)的存儲器,單板掉電以后,保存在其中的程序或數(shù)據(jù)就會丟失,CPU可以很方便地對SDRAM進(jìn)行讀寫操作。這兩種存儲器本身的特點(diǎn)決定了CPU對FLASH中的數(shù)據(jù)讀寫較慢,而對SDRAM中的數(shù)據(jù)讀寫較快。所以一般都是將單板軟件保存在FLASH中,單板上電進(jìn)行必要的初始化以后,便將FLASH中的程序和數(shù)據(jù)搬移到SDRAM中來運(yùn)行,這樣可以保證單板的運(yùn)行速度較快。SDRAM和FLASH在單板上的作用都是相當(dāng)重要的,因此有必要對其數(shù)據(jù)線、地址線及單元進(jìn)行全面的測試。
目前,對FLASH外圍互連測試一般采取“三步測試法”,其具體的描述摘錄如下表一 三步測試法總表


第一步測試用來測試數(shù)據(jù)線是否存在開路故障,第二步測試用來測試數(shù)據(jù)線是否存在短路故障,第三步測試用來測試地址線是否存在開路或短路故障。在數(shù)據(jù)線與地址線全部測試完成之后再進(jìn)行故障診斷。
第一步測試的故障診斷比較簡單,如果寫全0沒有讀到全0,就說明數(shù)據(jù)線存在S-A-1(固定為1)的故障,數(shù)值為1的數(shù)據(jù)線就是發(fā)生S-A-1的故障線位置。相反的情況,如果寫1沒有讀到全1,就說明數(shù)據(jù)線存在S-A-0(固定為0)的故障,數(shù)值位0的數(shù)據(jù)線就是發(fā)生S-A-0故障的數(shù)據(jù)線位置。
第二步測試需要對短路故障的數(shù)據(jù)線位置和什么類型的短路故障進(jìn)行判斷,表2是第二步測試的一個結(jié)果,舉例對故障診斷進(jìn)行說明(數(shù)據(jù)線b3b2b1b0,<p>表1

注意以上只是判斷了數(shù)據(jù)線兩兩之間短路的情況,其實(shí)兩條以上數(shù)據(jù)線短路的情形也包含在兩兩短路之中,可以對診斷結(jié)果作進(jìn)一步分析,從而得到兩條以上數(shù)據(jù)線短路的情形。
在確保數(shù)據(jù)線沒有故障之后,可以進(jìn)行第三步測試,對地址線進(jìn)行測試,下面是第三步測試的一個結(jié)果,舉例對故障診斷進(jìn)行說明(地址線a3a2a1a0,測試數(shù)據(jù)D0D1...D4互不相同)表三 三步測試法第三步測試(地址線測試)


對地址線開路故障和短路故障的診斷原理是一樣的。大致流程如下BEGINIF讀到數(shù)據(jù)和期望的數(shù)據(jù)一致報告地址線測試沒有發(fā)現(xiàn)故障;ELSE將所有數(shù)據(jù)按寫入順序翻譯成相對應(yīng)的地址,得到期望響應(yīng)矩陣T和實(shí)際響應(yīng)矩陣V;FOR實(shí)際測試響應(yīng)矩陣V的每一列ViIF Vi的每一個分量都固定為1報告第i條地址線發(fā)生了固定為1的開路故障;ELSE IF Vi的每一個分量都固定為0報告第i條地址線發(fā)生了固定為0的開路故障;ELSE IF在期望響應(yīng)矩陣中找到第j列矢量Ti與第i列矢量Ti邏輯或運(yùn)算的結(jié)果等于Vi報告第i條地址線和第j條地址線短路,故障類型為1-支配型短路故障;ELSE IF在期望響應(yīng)矩陣中找到第j列矢量Ti與第列矢量Ti邏輯與運(yùn)算的結(jié)果等于Vi報告第i條地址線和第j條地址線短路,故障類型為0-支配型短路故障;ELSE報告故障類型不可判斷;END IFEND IFEND FOREND。
注意以上也只是判斷了地址線兩兩之間短路的情況,兩條以上地址線短路的情形同樣可以通過對診斷結(jié)果作進(jìn)一步分析得到。
現(xiàn)有技術(shù)一的缺點(diǎn)在運(yùn)用“三步測試法”實(shí)現(xiàn)FLASH測試以后,在采用模擬故障的方法對實(shí)現(xiàn)的情況進(jìn)行測試驗證的過程中,發(fā)現(xiàn)測試程序并不能準(zhǔn)確的定位FLASH地址線的故障所在,經(jīng)過仔細(xì)分析,發(fā)現(xiàn)“三步測試法”的第三步無法準(zhǔn)確定位FLASH地址線故障,下面針對“三步測試法”的第三步進(jìn)行具體的分析。
實(shí)際上現(xiàn)有的“三步測試法”的第三步的思路并沒有錯誤,但具體的方法出現(xiàn)了問題。出問題的原因在于忽略了FLASH的特性,測試方法中把它當(dāng)做RAM了,以為對某一個地址不擦除便可任意寫入,而實(shí)際上FLASH是必須擦除后,才能正常寫入的,即FLASH的寫操作可以將為1的比特寫成0,但不能將為0的比特寫成1。
通過分析發(fā)現(xiàn),上面的表格(表三)并不準(zhǔn)確,假設(shè)a2和a1為短路0-支配型故障,當(dāng)往0010地址寫入數(shù)據(jù)D2時,數(shù)據(jù)實(shí)際上是寫入了0000地址,而非0010地址,此時如果讀0010地址的內(nèi)容,實(shí)際上讀到的是0000地址的內(nèi)容。同樣往0100地址寫入數(shù)據(jù)D3時也寫入了0000地址,實(shí)際上讀到的是0000地址的內(nèi)容。因為FLASH的特性是可以將為1的比特寫成0,但不能將為0的比特寫成1,最終結(jié)果是0000地址中保存的內(nèi)容為D2和D3相“與”的結(jié)果,同樣1111中寫入的內(nèi)容也不是表中分析的那樣。因而步驟三只能判斷出地址線故障,但并不能判斷出是哪一根(或哪幾根)地址線故障。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),本發(fā)明提供一種能準(zhǔn)確定位存儲器(包括FLASH存儲器和RAM存儲器)地址線故障的方法。
本發(fā)明提供的方法如下一種FLASH存儲器地址線測試方法,包括下列步驟
A)擦除FLASH全部存儲空間;B)用“走步1”方法選取FLASH的地址單元,在地址單元中寫入測試數(shù)據(jù),所述測試數(shù)據(jù)與需要測試的地址線相對應(yīng)的數(shù)據(jù)位為“0”,其余數(shù)據(jù)位為“1”;C)重復(fù)步驟B,直到所有的地址線都完成“走步1”測試;D)讀取該FLASH第一個地址單元中的數(shù)據(jù),根據(jù)數(shù)據(jù)中“0”的排列位置,確定相對應(yīng)位置的地址線發(fā)生故障。
本發(fā)明另提供一種FLASH存儲器地址線測試方法,包括下列步驟A)擦除FLASH全部存儲空間;B)用“走步0”方法選取FLASH的地址單元,在地址單元中寫入測試數(shù)據(jù),所述測試數(shù)據(jù)與需要測試的地址線相對應(yīng)的數(shù)據(jù)位為“0”,其余數(shù)據(jù)位為“1”;C)重復(fù)步驟B,直到所有的地址線都完成“走步0”測試;D)讀取該FLASH最后一個地址單元中的數(shù)據(jù),根據(jù)數(shù)據(jù)中“0”的排列位置,確定相對應(yīng)位置的地址線發(fā)生故障。
本發(fā)明提供一種RAM存儲器地址線測試方法,包括下列步驟A)將RAM存儲器的第一地址單元寫上全“1”;B)用“走步1”方法選取RAM的地址單元,在地址單元中寫入測試數(shù)據(jù),所述測試數(shù)據(jù)與需要測試的地址線相對應(yīng)的數(shù)據(jù)位為“0”,其余數(shù)據(jù)位為“1”;C)讀取RAM存儲器第一地址單元中的數(shù)據(jù),并與上一次記錄數(shù)據(jù)進(jìn)行“邏輯與”操作,將操作結(jié)果保存起來(第一次讀取時,沒有“上一次記錄數(shù)據(jù)”,直接將讀到的數(shù)據(jù)保存起來即可);D)重復(fù)步驟B和步驟C,直到所有的地址線都完成“走步1”的測試;E)根據(jù)最后結(jié)果中“0”的排列位置,確定相對應(yīng)位置的地址線發(fā)生故障。
本發(fā)明另提供一種RAM存儲器地址線測試方法,包括下列步驟A)將RAM存儲器的最后一個地址單元寫上全“1”;
B)用“走步0”方法選取RAM的地址單元,在地址單元中寫入測試數(shù)據(jù),所述測試數(shù)據(jù)與需要測試的地址線相對應(yīng)的數(shù)據(jù)位為“0”,其余數(shù)據(jù)位為“1”;C)讀取RAM存儲器最后一個地址單元中的數(shù)據(jù),并與上一次記錄數(shù)據(jù)進(jìn)行“邏輯與”操作,將操作結(jié)果保存起來(第一次讀取時,沒有“上一次記錄數(shù)據(jù)”,直接將讀到的數(shù)據(jù)保存起來即可);D)重復(fù)步驟B和步驟C,直到所有的地址線都完成“走步0”的測試;E)根據(jù)最后結(jié)果中“0”的排列位置,確定相對應(yīng)位置的地址線發(fā)生故障。
根據(jù)本發(fā)明的上述各方法,若數(shù)據(jù)線的數(shù)量比地址線少,則將地址線分批次進(jìn)行測試,使每次測試的地址線數(shù)量小于等于數(shù)據(jù)線。
根據(jù)本發(fā)明的上述各方法,所述的地址單元的大小根據(jù)存儲器的數(shù)據(jù)線位數(shù)確定。
本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)如下1、對FLASH和RAM存儲器能夠準(zhǔn)確地定位故障發(fā)生在哪一根(或哪幾根)地址線上,彌補(bǔ)了現(xiàn)有測試方法中對地址線的故障定位不易的問題。
2、本發(fā)明方法操作簡單直觀,根據(jù)讀到的數(shù)據(jù),很直觀的就可以知道哪根地址線有問題;編程實(shí)現(xiàn)非常簡單,沒必要像現(xiàn)有技術(shù)中的方法那樣對測試數(shù)據(jù)與期望數(shù)據(jù)進(jìn)行運(yùn)算和比較,大大降低了編程的復(fù)雜度。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明用地址線“走步1”的方法定位出哪些地址線存在固定低電平和粘連0-支配型的故障;用地址線“走步0”的方法定位出哪些地址線存在固定高電平和粘連1-支配型的故障;對地址進(jìn)行“走步1”或“走步0”測試時,要求測試數(shù)據(jù)與需要測試的地址線對應(yīng)的數(shù)據(jù)位為0,其它數(shù)據(jù)位為1。
對于地址線“走步1”測試,如表四所示,以8bit的地址為例,首先假設(shè)只存在同一類連線故障,故障模式為a7恒為0,a5和a4短路0-支配型,當(dāng)出現(xiàn)這類故障時,程序在寫入測試數(shù)據(jù)時會將測試數(shù)據(jù)寫入地址為00000000的單元(當(dāng)有多根地址線故障時,會多次寫入,如果地址線正常則不會寫入該地址單元),最后只需讀取00000000地址中的值,根據(jù)哪些bit(比特位)為0就可以知道哪些地址線存在故障。表四中依次寫完所有的測試數(shù)據(jù)以后,讀到的00000000地址的內(nèi)容為01001111。如表四所示,在地址線正常的情況下00000000地址單元中的內(nèi)容應(yīng)該為11111111,而讀到的結(jié)果為01001111,顯示bit7、bit5、bit4變?yōu)?了,說明a7、a5和a4有問題。這樣根據(jù)讀到的數(shù)據(jù)就直觀地知道哪根地址線有問題。
表四 本發(fā)明的三步測試法測試FLASH存儲器地址線0-支配故障示例表(地址線“走步1”)

(上表中加粗的數(shù)據(jù)表示有錯誤發(fā)生)由于FLASH與RAM的讀寫操作有些不同,在測試RAM的時候,首先要往00000000地址中寫入全1,寫入第一個測試數(shù)據(jù)以后,可以將00000000地址中的數(shù)據(jù)讀出并記錄下來,然后每寫入一個數(shù),就讀出00000000地址的內(nèi)容并與上一次記錄數(shù)據(jù)進(jìn)行“邏輯與”操作,將操作結(jié)果保存起來,最后根據(jù)結(jié)果中“0”的位置就可以知道哪根地址線有問題。如下表五所示,以8bit的地址為例,假設(shè)故障模式為a7恒為0,a5恒為1,每次讀到的數(shù)據(jù)“邏輯與”的最后結(jié)果為01011111,通過這個結(jié)果就可以知道a7和a5有問題。
表五 本發(fā)明三步測試法測試RAM存儲器地址線1和0-支配故障的示例表(地址線“走步1”)

(上表中加粗的數(shù)據(jù)表示有錯誤發(fā)生)如果地址線有的存在0-支配故障,有的存在1-支配故障,假設(shè)a7恒為1,a5和a4短路0-支配型。這里讀00000000地址時,讀到的數(shù)據(jù)不一定是在00000000地址中的數(shù)據(jù),但由于走步測試(包括“走步1”和“走步0”測試)過程中如果地址線故障,寫入和讀出就會是同一個地址,因此并不會影響測試結(jié)果,詳細(xì)的情況可以參考下表六。
表六 本發(fā)明的三步測試法測試地址線1和0-支配故障的示例表(地址線“走步1”)


對于地址線“走步0”測試,如下表七所示,以8bit的地址為例,首先假設(shè)只存在同一類連線故障,故障模式為a7恒為1,a5和a4短路1-支配型,當(dāng)出現(xiàn)這類故障時,程序在寫入測試數(shù)據(jù)時會將測試數(shù)據(jù)寫入地址為11111111的空間,最后只需讀取11111111地址中的值,判斷哪些bit為0就可以知道那些地址線存在此類故障。表七中寫完所有的測試數(shù)據(jù)以后,11111111地址的內(nèi)容為01001111,說明a7、a5和a4有問題。
表七 本發(fā)明的三步測試法測試地址線1-支配故障的示例表(地址線“走步0”)

如果地址線有的存在0-支配故障,有的存在1-支配故障,假設(shè)a7恒為1,a5和a4短路0-支配型。這里讀11111111地址時,讀到的數(shù)據(jù)不一定是存在11111111地址中,但由于測試時寫入和讀出是同一個地址,因此并不會影響測試結(jié)果。詳細(xì)的情況可以參考表八。
表八 本發(fā)明的三步測試法測試地址線1和0-支配故障的示例表(地址線“走步0”)


實(shí)際上對于地址線同時存在各種故障的問題,采取上述兩種方法都能定位出故障連線的準(zhǔn)確位置,只是實(shí)際寫入地址可能不是00000000或11111111,但還是只需要讀這兩個地址的內(nèi)容進(jìn)行判斷即可,因為讀取這兩個地址時,讀到的實(shí)際上是寫入的地址中的值。
根據(jù)上面的分析,本發(fā)明步驟三(針對于FLASH存儲器)的流程為BEGIN擦除FLASH空間;用“走步1”的方式向各地址中寫入測試數(shù)據(jù)(測試數(shù)據(jù)與需要測試的地址線對應(yīng)的數(shù)據(jù)位為0,其它位為1);IF FLASH中的0地址空間不為全1;報告地址線測試發(fā)現(xiàn)固定電平(可能固定為低也可能固定為高,但知道哪根地址線有問題了,故障就好定位了)的故障,用二進(jìn)制方式打印該地址空間的內(nèi)容;ELSE報告地址線“走步1”測試未發(fā)現(xiàn)固定電平的故障;END IF用“走步0”的方式向各地址中寫入測試數(shù)據(jù)(測試數(shù)據(jù)與需要測試的地址線對應(yīng)的數(shù)據(jù)位為0,其它位為1);IF FLASH中的最后地址空間不為全1;
報告地址線測試發(fā)現(xiàn)固定電平(可能固定為高也可能固定為低,但知道哪根地址線有問題了,故障就好定位了)的故障,用二進(jìn)制方式打印該地址空間的內(nèi)容;ELSE報告地址線“走步0”測試未發(fā)現(xiàn)固定電平的故障;END IFEND。
注上面的過程是每寫一個數(shù),緊接著就讀一次存儲器的0地址空間或1地址空間,直到所有的地址線都完成走步測試。根據(jù)上述流程對裝備測試程序進(jìn)行修改后,在單板上模擬各種地址線故障,都可以根據(jù)上報的數(shù)據(jù)準(zhǔn)確定位哪根地址線故障。
實(shí)際操作中,關(guān)于FLASH外圍互連測試時需要根據(jù)系統(tǒng)中FLASH的具體應(yīng)用來對待,需要考慮FLASH的數(shù)據(jù)總線寬度和地址空間。如某系統(tǒng)中,使用了兩片數(shù)據(jù)寬度為16bit的FLASH并聯(lián),數(shù)據(jù)總線寬度為32bit,地址范圍為0xFD000000-0xFD7FFFFF。CPU地址總線A29接2片F(xiàn)LASH的A0,實(shí)際用到的地址線為CPU的A[29:9],對應(yīng)FLASH的A
,共21根地址線,可訪問的空間為2M×32bit,正好8M Bytes。進(jìn)行地址線“走步1”測試時,寫數(shù)據(jù)的起始地址為0xFD000004,讀數(shù)據(jù)的地址為0xFD000000。進(jìn)行地址線“走步0”測試時,寫數(shù)據(jù)的起始地址為0xFD7FFFF8,讀數(shù)據(jù)的地址為0xFD7FFFFC。測試的起始地址線為CPU的A29(FLASH的A0),循環(huán)21次,正好覆蓋到21根地址線。判斷哪些地址出錯的根據(jù)就是看0XFD000000和0XFD7FFFFC中讀出的32位數(shù)據(jù)哪些bit為數(shù)據(jù)“0”。
本發(fā)明方法在實(shí)際使用時,若存儲器數(shù)據(jù)線的數(shù)量少于地址線,就需要將地址線分批次進(jìn)行測試,使每次測試的地址線的數(shù)量小于等于數(shù)據(jù)線。如有的單板有8M Bytes FLASH,數(shù)據(jù)線為16位,而地址線共有22根,可訪問的空間為4M×16bit,數(shù)據(jù)線的數(shù)量比地址線少,這樣就要對地址線分兩次進(jìn)行測試了,首先用上面所描述的方法測試低16位地址線,然后再用同樣的方法測試高位的地址線,這樣就可以根據(jù)讀到的數(shù)據(jù)方便地將故障定位到哪根地址線了。
例如對于地址線“走步1”測試,如下表九所示,以22bit的地址為例,為了簡單起見,首先假設(shè)只存在同一類連線故障,故障模式為a20、a18、a15a7恒為0,a5和a4短路0-支配型,表九本發(fā)明的三步測試法測試地址線0-支配故障的示例表(地址線“走步1”)


說明,如上表所示,共需2次測試,經(jīng)過第一次測試,在0000000000000000000000地地址單元讀到的內(nèi)容為0111111101001111,其中d4、d5、d7、d15為0,從而可以判斷與其對應(yīng)的a4、a5、a7、a15有故障。經(jīng)過第二次測試,在0000000000000000000000地地址單元讀到的內(nèi)容為1111111111101011,其中d2、d4為0,從而可以判斷與其對應(yīng)的a18(16+2)、a20(16+4)有故障。這樣經(jīng)過兩次測試,即可準(zhǔn)確定位地址線的故障。地址線“走步0”的方法與這個處理方式相同,在此不再贅述。
權(quán)利要求
1.一種FLASH存儲器地址線測試方法,包括下列步驟A)擦除FLASH全部存儲空間;B)用“走步1”方法選取FLASH的地址單元,在地址單元中寫入測試數(shù)據(jù),所述測試數(shù)據(jù)與需要測試的地址線相對應(yīng)的數(shù)據(jù)位為“0”,其余數(shù)據(jù)位為“1”;C)重復(fù)步驟B,直到所有的地址線都完成“走步1”測試;D)讀取該FLASH第一個地址單元中的數(shù)據(jù),根據(jù)數(shù)據(jù)中“0”的排列位置,確定相對應(yīng)位置的地址線發(fā)生故障。
2.如權(quán)利要求1所述的FLASH存儲器地址線測試方法,其特征在于若數(shù)據(jù)線的數(shù)量比地址線少,則將地址線分批次進(jìn)行測試,使每次測試的地址線數(shù)量小于等于數(shù)據(jù)線。
3.如權(quán)利要求1或2所述的FLASH存儲器地址線測試方法,其特征在于所述的地址單元的大小根據(jù)存儲器的數(shù)據(jù)線位數(shù)確定。
4.一種FLASH存儲器地址線測試方法,包括下列步驟A)擦除FLASH全部存儲空間;B)用“走步0”方法選取FLASH的地址單元,在地址單元中寫入測試數(shù)據(jù),所述測試數(shù)據(jù)與需要測試的地址線相對應(yīng)的數(shù)據(jù)位為“0”,其余數(shù)據(jù)位為“1”;C)重復(fù)步驟B,直到所有的地址線都完成“走步0”測試;D)讀取該FLASH最后一個地址單元中的數(shù)據(jù),根據(jù)數(shù)據(jù)中“0”的排列位置,確定相對應(yīng)位置的地址線發(fā)生故障。
5.如權(quán)利要求4所述的FLASH存儲器地址線測試方法,其特征在于若數(shù)據(jù)線的數(shù)量比地址線少,則將地址線分批次進(jìn)行測試,使每次測試的地址線數(shù)量小于等于數(shù)據(jù)線。
6.如權(quán)利要求4或5所述的FLASH存儲器地址線測試方法,其特征在于所述的地址單元的大小根據(jù)存儲器的數(shù)據(jù)線位數(shù)確定。
7.一種RAM存儲器地址線測試方法,包括下列步驟A)將RAM存儲器的第一地址單元寫上全“1”;B)用“走步1”方法選取RAM的地址單元,在地址單元中寫入測試數(shù)據(jù),所述測試數(shù)據(jù)與需要測試的地址線相對應(yīng)的數(shù)據(jù)位為“0”,其余數(shù)據(jù)位為“1”;C)讀取RAM存儲器第一地址單元中的數(shù)據(jù),并與上一次記錄數(shù)據(jù)進(jìn)行“邏輯與”操作,將操作結(jié)果保存起來;D)重復(fù)步驟B和步驟C,直到所有的地址線都完成“走步1”的測試;E)根據(jù)最后結(jié)果中“0”的排列位置,確定相對應(yīng)位置的地址線發(fā)生故障。
8.如權(quán)利要求7所述的RAM存儲器地址線測試方法,其特征在于若數(shù)據(jù)線的數(shù)量比地址線少,則將地址線分批次進(jìn)行測試,使每次測試的地址線數(shù)量小于等于數(shù)據(jù)線。
9.如權(quán)利要求7或8所述的RAM存儲器地址線測試方法,其特征在于所述的地址單元的大小根據(jù)存儲器的數(shù)據(jù)線位數(shù)確定。
10.一種RAM存儲器地址線測試方法,包括下列步驟A)將RAM存儲器的最后一個地址單元寫上全“1”;B)用“走步0”方法選取RAM的地址單元,在地址單元中寫入測試數(shù)據(jù),所述測試數(shù)據(jù)與需要測試的地址線相對應(yīng)的數(shù)據(jù)位為“0”,其余數(shù)據(jù)位為“1”;C)讀取RAM存儲器最后一個地址單元中的數(shù)據(jù),并與上一次記錄數(shù)據(jù)進(jìn)行“邏輯與”操作,將操作結(jié)果保存起來;D)重復(fù)步驟B和步驟C,直到所有的地址線都完成“走步0”的測試;E)根據(jù)最后結(jié)果中“0”的排列位置,確定相對應(yīng)位置的地址線發(fā)生故障。
11.如權(quán)利要求10所述的RAM存儲器地址線測試方法,其特征在于若數(shù)據(jù)線的數(shù)量比地址線少,則將地址線分批次進(jìn)行測試,使每次測試的地址線數(shù)量小于等于數(shù)據(jù)線。
12.如權(quán)利要求10或11所述的RAM存儲器地址線測試方法,其特征在于所述的地址單元的大小根據(jù)存儲器的數(shù)據(jù)線位數(shù)確定。
全文摘要
本發(fā)明有關(guān)于存儲器地址線的測試方法。其主要是用“走步1”或“走步0”方法選取存儲器的地址單元,在地址單元中寫入測試數(shù)據(jù),所述測試數(shù)據(jù)與需要測試的地址線相對應(yīng)的數(shù)據(jù)位為“0”,其余數(shù)據(jù)位為“1”;對所有地址線進(jìn)行走步測試,讀取存儲器第一地址單元和最后一個地址單元中的數(shù)據(jù),根據(jù)數(shù)據(jù)中的“0”比特位來確定相應(yīng)的地址線故障。
文檔編號G11C29/00GK1681048SQ200410031039
公開日2005年10月12日 申請日期2004年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月7日
發(fā)明者史韋, 白尤新, 朱星海 申請人:華為技術(shù)有限公司
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