專利名稱：磁頭條夾持部件，拋光裝置及拋光薄膜磁頭相對(duì)介質(zhì)的表面的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁頭條夾持部件、一種拋光裝置以及拋光薄膜磁頭相對(duì)介質(zhì)的表面(ABS)的方法。
背景技術(shù)：
通常，磁頭萬向節(jié)組件(HGA)是通過把一個(gè)形成有薄膜磁頭的磁頭滑動(dòng)器連接在一個(gè)諸如懸架的活動(dòng)臂構(gòu)件的前端構(gòu)造而成的。這一磁頭萬向節(jié)組件構(gòu)造在硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)中，對(duì)作為記錄媒體的硬盤執(zhí)行記錄/復(fù)制的功能。在記錄/復(fù)制的時(shí)候，伴隨著硬盤旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的氣流從薄膜磁頭的下方穿過，因此使磁頭從硬盤上懸浮起來。伴隨著硬盤上記錄密度的增加，在薄膜磁頭和硬盤之間的空隙，即磁頭懸浮的高度，降低到10nm，10nm當(dāng)前看起來是一個(gè)極限。
在這種情況下，在一個(gè)組合薄膜磁頭中，當(dāng)電感電磁式傳感器被通電時(shí)，組成電磁式傳感器的線圈將會(huì)產(chǎn)生熱量，在組合薄膜磁頭中一個(gè)用于復(fù)制的磁阻裝置和一個(gè)用于記錄的電感電磁式傳感器在一個(gè)支座上按照該順序疊壓。然后，在電磁式傳感器附近，薄膜磁頭在與硬盤記錄表面相對(duì)的薄膜磁頭的表面上熱膨脹，即相對(duì)介質(zhì)的表面(ABS；空氣軸承表面)，從而向硬盤凸出。因而，在薄膜磁頭和硬盤之間的空隙可能會(huì)縮小，從而使薄膜磁頭和硬盤互相接觸。因此，必須保持薄膜磁頭的懸浮高度，使得即使電磁式傳感器附近熱膨脹時(shí)，薄膜磁頭和硬盤也不會(huì)互相接觸。因此，完全實(shí)現(xiàn)薄膜磁頭的低懸浮一直是困難的。
通過阻止這種狀態(tài)出現(xiàn)而獲得更低薄膜磁頭懸浮的已知技術(shù)的實(shí)例包括部分削去薄膜磁頭相對(duì)介質(zhì)的表面上外層前端的部分，以形成一個(gè)臺(tái)階，將組成電磁式傳感器的線圈設(shè)計(jì)成具有大約70到100°C玻璃化溫度，從而降低了楊氏系數(shù)，以及減小線圈部分發(fā)生的熱應(yīng)力(例如，參見日本特開2000-306215號(hào))。

發(fā)明內(nèi)容
但是，上面提到的傳統(tǒng)技術(shù)可能無法完全阻止相對(duì)介質(zhì)的表面的凸出，因此，將來更進(jìn)一步的降低薄膜磁頭的懸浮是很困難的。
發(fā)明者還研究了設(shè)置一個(gè)加熱器來調(diào)整磁阻裝置和薄膜磁頭硬盤之間空隙(尚未對(duì)外公開)，上述問題在這種情況下也可能會(huì)出現(xiàn)。
本發(fā)明的目標(biāo)之一是提供一種磁頭條夾持部件、一種拋光裝置和一種拋光薄膜磁頭相對(duì)介質(zhì)的表面的方法，該方法能夠防止薄膜磁頭和硬盤互相接觸，因此薄膜磁頭可以獲得更低的懸浮。
一方面，本發(fā)明提供了一種拋光薄膜磁頭相對(duì)介質(zhì)的表面的方法，該方法包括以下步驟準(zhǔn)備一個(gè)磁頭條，在該磁頭條中薄膜磁頭排列為一行，每個(gè)薄膜磁頭包含一個(gè)用于復(fù)制的磁阻裝置、一個(gè)用于記錄的電感電磁式傳感器、一個(gè)通電時(shí)產(chǎn)生熱量的加熱器，各個(gè)薄膜磁頭中的加熱器與其臨近的加熱器串聯(lián)電連接；每個(gè)加熱器都與一個(gè)可變電阻器并行相連；根據(jù)薄膜磁頭相對(duì)介質(zhì)的表面的凸出量調(diào)整每個(gè)可變電阻器的阻值；當(dāng)加熱器通電時(shí)，將在磁頭條上的薄膜磁頭的相對(duì)介質(zhì)的表面拋光。
在向硬盤上實(shí)際記錄的時(shí)候，一旦通電，薄膜磁頭的電磁式傳感器就產(chǎn)生熱量。因而，包圍在電磁式傳感器的層膨脹，所以相對(duì)介質(zhì)的表面凸出起來。在本發(fā)明的這一方面，在薄膜磁頭裝入硬盤驅(qū)動(dòng)之前，薄膜磁頭配備的加熱器被導(dǎo)致產(chǎn)生熱量，使得加熱器附近的相對(duì)介質(zhì)的表面膨脹，這樣膨脹的部分被拋光。
磁條中各個(gè)薄膜磁頭的每個(gè)加熱器與其鄰近的加熱器串聯(lián)電連接，并且每個(gè)加熱器都與一個(gè)可變電阻器并行連接。在這樣的構(gòu)造中，每個(gè)加熱器都通電以產(chǎn)生熱量。結(jié)果，就有可能改變每個(gè)加熱器的可變電阻器的電阻，以分別調(diào)整流入每個(gè)加熱器的電流量，因此可能調(diào)整每個(gè)薄膜磁頭相對(duì)介質(zhì)的表面的凸出量。并且，為多個(gè)薄膜磁頭的相對(duì)介質(zhì)的表面一次通電和拋光不需要這么多設(shè)備。因此，每個(gè)薄膜磁頭的相對(duì)介質(zhì)的表面可以被很好和有效率地拋光。結(jié)果，在向硬盤上實(shí)際記錄時(shí)，當(dāng)電磁式傳感器被通電，即使相對(duì)介質(zhì)的表面膨脹，薄膜磁頭的懸浮高度也能被設(shè)定在一個(gè)合適的值，在薄膜磁頭和硬盤之間的接觸會(huì)被防止，從而降低了薄膜磁頭的懸浮。
在這種情況下，可以在一個(gè)支座上形成薄膜磁頭，加熱器被設(shè)置在與支座相對(duì)的薄膜磁頭表面上，這樣無需在薄膜磁頭內(nèi)形成加熱器，所以使薄膜磁頭的制造簡(jiǎn)易化。
另一方面，本發(fā)明提供了一個(gè)磁頭條夾持部件，它由一個(gè)磁條夾持部分組成以?shī)A持磁頭條，在磁頭條中薄膜磁頭排列為一行，每個(gè)薄膜磁頭包括一個(gè)通電時(shí)用于產(chǎn)生熱量的加熱器和與每個(gè)加熱器并行連接的可變電阻器。
為了使用根據(jù)本發(fā)明的磁頭條夾持部件拋光薄膜磁頭的相對(duì)介質(zhì)的表面，首先，磁頭條被磁條夾持部分夾持。在磁頭條中薄膜磁頭排列為一行，每個(gè)薄膜磁頭包含一個(gè)加熱器。并且，可變電阻器與每個(gè)加熱器并行連接。此時(shí)，磁頭條上各個(gè)薄膜磁頭的每個(gè)加熱器被設(shè)置為與其臨近的加熱器串聯(lián)電連接。因此，根據(jù)每個(gè)薄膜磁頭的凸出量改變每個(gè)可變電阻器的電阻。在這種情況下，在由磁條夾持部件夾持的磁頭條的加熱器被通電，薄膜磁頭的相對(duì)介質(zhì)的表面被拋光機(jī)等拋光。
因此，有可能改變每個(gè)加熱器的可變電阻器的電阻，以分別調(diào)整流入每個(gè)加熱器的電流量，從而可能調(diào)整每個(gè)薄膜磁頭的相對(duì)介質(zhì)的表面的凸出量。而且，為多個(gè)薄膜磁頭的相對(duì)介質(zhì)的表面一次通電和拋光不需要這么多設(shè)備。因此，每個(gè)薄膜磁頭的相對(duì)介質(zhì)的表面可以被很好和有效率的拋光。結(jié)果，在向硬盤上實(shí)際記錄時(shí)，當(dāng)電磁式傳感器通電，即使相對(duì)介質(zhì)的表面膨脹，薄膜磁頭的懸浮高度也能被設(shè)定在一個(gè)合適的值，這就能阻止薄膜磁頭和硬盤彼此接觸，從而實(shí)現(xiàn)了更低的薄膜磁頭懸浮。
另一方面，本發(fā)明提供了一個(gè)拋光裝置，它由一個(gè)具有磁條夾持部分以?shī)A持磁頭條的磁頭條夾持部件組成，在磁頭條中薄膜磁頭排列為一行，每個(gè)薄膜磁頭包括一個(gè)通電時(shí)產(chǎn)生熱量的加熱器和與每個(gè)加熱器并行連接的可變電阻器，一個(gè)用于拋光磁頭條的相對(duì)介質(zhì)的表面的拋光部件由磁條夾持部件夾持。
根據(jù)這樣的配置，在用上述的磁頭條夾持部件夾持磁頭條的時(shí)候，拋光裝置拋光磁頭條夾持的薄膜磁頭的相對(duì)介質(zhì)的表面。因此，每個(gè)薄膜磁頭上相對(duì)介質(zhì)的表面都能被很好和有效地拋光。結(jié)果防止了薄膜磁頭和硬盤互相接觸，因此實(shí)現(xiàn)了薄膜磁頭的更低懸浮。
從下文給出的詳細(xì)描述，本發(fā)明將會(huì)被更完全地理解，附圖只是示意性的給出，因此不能被認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的限制。


圖1A是一個(gè)顯示了形成在支座上的薄膜磁頭的視圖，將對(duì)多個(gè)薄膜磁頭應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的拋光方法；圖1B是一個(gè)顯示了通過切割支座生產(chǎn)多個(gè)磁條的視圖，每個(gè)磁條都包括排列為一行的薄膜磁頭；圖2是一個(gè)顯示了在MR高度校正之后磁條的視圖；圖3是一個(gè)沿著與圖2所示磁條的薄膜磁頭相對(duì)介質(zhì)的表面垂直的方向得到的示意性剖視圖；圖4是一個(gè)顯示加熱器一個(gè)例子的平面圖；圖5是一個(gè)顯示相對(duì)介質(zhì)的表面和硬盤記錄表面之間關(guān)系的視圖；圖6是一個(gè)顯示外部電源與圖2所示磁條連接狀態(tài)的示意圖；圖7是一個(gè)圖6所示磁條的VII區(qū)域的局部放大圖；圖8是一個(gè)顯示了加熱器通電模式一個(gè)例子的視圖；圖9A是一個(gè)顯示了根據(jù)本發(fā)明的磁頭條夾持裝置的實(shí)施方式的視圖；圖9B是圖9A的側(cè)視圖；圖10是一個(gè)顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的拋光裝置的視圖；圖11A到圖11F是顯示使用圖10所示的拋光裝置的拋光步驟的視圖；圖12A是一個(gè)顯示觀察到磁條的相對(duì)介質(zhì)的表面狀態(tài)的視圖；圖12B是一個(gè)顯示基于圖12A觀察到的結(jié)果，當(dāng)改變可變電阻器的電阻時(shí)加熱器通電狀態(tài)的視圖；圖13是一個(gè)示意性剖視圖，它是在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式拋光之后，沿著與薄膜磁頭的相對(duì)介質(zhì)的表面垂直的方向得到的視圖；圖14是一個(gè)顯示薄膜磁頭一個(gè)例子的示意性剖視圖，在薄膜磁頭中加熱器按照隔開的方式排列；圖15是一個(gè)顯示在薄膜磁頭中加熱器位置的另一例子的視圖；圖16是一個(gè)顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式將圖15所示磁條應(yīng)用于拋光裝置的視圖。
具體實(shí)施例方式
下面將會(huì)參考附圖，詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。在圖中，相同構(gòu)件用相同參考號(hào)碼標(biāo)識(shí)。
圖1A顯示了薄膜磁頭1在支座2上形成，根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式的拋光方法應(yīng)用于薄膜磁頭1上，支座2由AlTiC(Al2O3·TiC)或者類似物組成。圖1B顯示了通過切割支座2生產(chǎn)多個(gè)磁頭條3(在下文中，稱為“磁條”)，每個(gè)磁頭條包括排列為一行的薄膜磁頭1。
在根據(jù)此實(shí)施方式的拋光方法中的拋光指的是，為調(diào)整MR高度或者類似物，在拋光之前、之后或者之中，對(duì)圖1B所示階段的磁條3的薄膜磁頭的相對(duì)介質(zhì)的表面進(jìn)行的拋光。MR高度指的是沿深度方向從相對(duì)介質(zhì)的表面看去，用于復(fù)制的磁阻裝置的距離。相對(duì)介質(zhì)的表面是一個(gè)與硬盤的記錄表面相對(duì)的表面，一般被認(rèn)為是空氣軸承表面(ABS)。圖2顯示了MR高度調(diào)整之后的磁條3。
現(xiàn)在解釋每個(gè)薄膜磁頭1的構(gòu)造，根據(jù)此實(shí)施方式的拋光方法應(yīng)用在薄膜磁頭1上。
圖3是沿著與薄膜磁頭1的相對(duì)介質(zhì)的表面S相垂直的方向得到的磁條3(顯示在圖2中)的示意性剖視圖。在圖3中，薄膜磁頭1是一個(gè)組合薄膜磁頭，其中用于復(fù)制的復(fù)制磁頭部分11和用于寫入的擔(dān)當(dāng)電感電磁式傳感器的記錄磁頭部分12在支座2上被疊壓，復(fù)制磁頭部分11有一個(gè)GMR(巨型磁阻)裝置。GMR裝置使用一個(gè)巨大的磁阻效應(yīng)產(chǎn)生很高的磁阻變化率?？蛇x地，利用各向異性磁阻效應(yīng)的AMR(各向異性磁阻)裝置，利用出現(xiàn)在隧道接合處的磁阻效應(yīng)TMR(隧道效應(yīng))磁阻裝置，CPP-GMR裝置和其它類似的裝置可以用于替代GMR裝置。
支座2包含一個(gè)由AlTiC(Al2O3·TiC)或類似物制成的基板22和形成在其上的由諸如氧化鋁(Al2O3)的絕緣材料組成的內(nèi)層21。
在內(nèi)層21上形成下護(hù)層23，在下護(hù)層23上形成上述GMR裝置10。GMR裝置10被描述成一個(gè)單獨(dú)的層，實(shí)際上它由多層薄膜構(gòu)成。
GMR裝置10被一層由Al2O3或者相似物組成的絕緣層24包圍。在絕緣層24上面形成上保護(hù)層25。
記錄磁頭部分12用于縱向記錄，其主要包含一個(gè)下層磁極13、一個(gè)與下層磁極13磁耦合的上層磁極14和一個(gè)薄膜線圈15，該線圈部分地位于下層磁極13和上層磁極14之間。
上層磁極14由一個(gè)位于相對(duì)介質(zhì)的表面S一側(cè)的磁極部分層14a和一個(gè)軛狀部分層14b組成，軛狀部分層14b與磁極部分層14a連接在一起，同時(shí)繞過其下薄膜線圈15?？梢哉w形成磁極部分層14a和軛狀部分層14b。
在上層磁極14的上面形成外層16。在外層16上形成加熱器17，它由Cu、NiFe、Ta、Ti、CoNiFe合金、FeAlSi合金或者類似物組成。加熱器17一旦通電就會(huì)產(chǎn)生熱量，使得其附近的層熱膨脹，因此調(diào)整了GMR裝置10和硬盤之間的空隙。在加熱器17上還形成有外層18。
兩個(gè)傳導(dǎo)部分19a、19b與加熱器17電連接，其由導(dǎo)電材料如Cu制成，每個(gè)部分在圖中向上延伸。加熱器電極襯墊20a、20b分別在傳導(dǎo)部分19a、19b的上端(在外層18的表面)與傳導(dǎo)部分19a、19b連接在一起(如圖7所示)。
類似地，兩個(gè)由導(dǎo)電材料制成的傳導(dǎo)部分(未描述)和每個(gè)復(fù)制磁頭部分11以及記錄磁頭部分12電連接，從而在傳導(dǎo)部分的上端與它們對(duì)應(yīng)的復(fù)制和記錄電極襯墊連接起來。復(fù)制和記錄電極襯墊將會(huì)在后面解釋。
圖4是顯示了加熱器17一個(gè)例子的視圖。加熱器17具有彎曲的形狀(蜿蜒形狀)，加熱器17的兩端分別與汲取電極86a、86b連接。汲取電極86a、86b分別與圖3所示的傳導(dǎo)部分19a、19b連接。
圖5是一個(gè)顯示了薄膜磁頭1的相對(duì)介質(zhì)的表面S和硬盤記錄表面D之間關(guān)系的視圖。
當(dāng)薄膜磁頭1的加熱器17通電的時(shí)候，相對(duì)介質(zhì)的表面S在加熱器17的附近熱膨脹，因此，向硬盤的記錄表面D凸出(如圖中雙點(diǎn)劃線所示)。這里，在與支座2相對(duì)的表面上角T附近的外層18趨向于最大程度地凸出，從而減小了相對(duì)介質(zhì)的表面S和硬盤記錄表面D之間的空隙F。因此，角T有可能與硬盤的記錄表面D接觸。
因此，在本實(shí)施方式的拋光方法中，當(dāng)相對(duì)介質(zhì)的表面S在加熱器17附近膨脹的時(shí)候，即加熱器17通電時(shí)，在薄膜磁頭1裝入硬盤驅(qū)動(dòng)器之前，外層18從角T被拋光至圖5中虛線L顯示的區(qū)域內(nèi)。
下面將更明確地解釋本實(shí)施方式的拋光方法。
圖6是一個(gè)外部電源31與先前圖2所示的磁條3連接情況的示意性視圖。圖7顯示了圖6所示磁條3的VII區(qū)域的一個(gè)放大圖。在這個(gè)實(shí)施方式中，磁條3中多個(gè)薄膜磁頭1的加熱器17中的每一個(gè)都與其臨近的加熱器串聯(lián)電連接(連接方法會(huì)在后面解釋)，可變電阻器33與加熱器17并聯(lián)，從而使得對(duì)每一個(gè)加熱器17都有一個(gè)可變電阻器33與之連接。打開外部電源31，為磁條3中每個(gè)薄膜磁頭1的可變電阻器33和加熱器17通電。
如圖7中所示，加熱器電極襯墊20a、20b，記錄電極襯墊40a、40b，以及復(fù)制電極襯墊41a、41b都被連接在每個(gè)薄膜磁頭1的外層18上。盡管加加熱器電極襯墊20a、20b顯示在記錄電極襯墊40a、40b和復(fù)制電極襯墊41a、41b外面，這個(gè)順序并不是限制性的。例如，加加熱器電極襯墊20a、20b中的一個(gè)可能會(huì)被配置在記錄電極襯墊40a、40b以及復(fù)制電極襯墊41a、41b的外面。同樣，加熱器電極襯墊20a、20b可能被配置在記錄電極襯墊40a、40b以及復(fù)制電極襯墊41a、41b的里面。此外，記錄電極襯墊40a、40b的位置可以與復(fù)制電極襯墊41a、41b的位置互換。
例如，相鄰薄膜磁頭1的加熱器電極襯墊20a、20b通過電線45彼此電連接。因此，磁條3中的所有薄膜磁頭1都是彼此電連接，從而當(dāng)打開圖6中所示的外部電源時(shí)，磁條3所有薄膜磁頭1的加熱器17都被通電。
加熱器17的通電方法并不局限于圖7中所示的模式。例如，鄰近的加熱器17可以通過圖8所示的在磁條3上布置的電線45直接彼此連接。
圖9A是一個(gè)顯示本實(shí)施方式的磁頭條夾持部件(下文中，稱為“磁條夾持部件”)的視圖，圖9B是一個(gè)側(cè)視圖。本實(shí)施方式的拋光方法中使用的拋光裝置由磁條夾持部件和拋光部件(后面解釋)構(gòu)成。
如圖9A和9B所示，磁條夾持部件51配備有一個(gè)拋光夾具52和一個(gè)位于拋光夾具52底部以?shī)A持磁條3的夾持橡膠部分(磁條夾持部分)53。拋光夾具52配備有一對(duì)用于磁條3和包括一對(duì)電線55的PCB(印刷板電路)56通電的電極54。PCB56上的電阻控制器57能夠根據(jù)每個(gè)薄膜磁頭1的相對(duì)介質(zhì)的表面S的凸出量，來改變每個(gè)可變電阻器33(如圖8所示)的電阻值，可變電阻器33通過電線58與每個(gè)加熱器17并行連接。
多條電線58被提供用于連接可變電阻器33和加熱器17。電線55的一端與最外面的電線58相連接，電線55的另一端與電極54連接，電極54與外部電源32電連接。因此，電力通過電線55和58提供給加熱器17和可變電阻器33。
為了簡(jiǎn)化圖形，圖9A只顯示了七個(gè)可變電阻器33。但是，因?yàn)殡娮杩刂破?7的可變電阻器33的數(shù)目與磁條3中的加熱器數(shù)目一樣，所以實(shí)際上有更多的的可變電阻器33顯示。
圖10顯示了一個(gè)根據(jù)本實(shí)施方式的拋光裝置。拋光裝置65由磁條夾持部件51和拋光部件61組成。在這一拋光裝置65中，由磁條夾持部件51夾持的磁條3下降，與拋光部件61的旋轉(zhuǎn)拋光表面R接觸，被拋光。
然后，參照?qǐng)D11解釋使用圖10所示的拋光裝置的拋光步驟。
開始時(shí)，磁條3被裝在磁條夾持部件51(參看圖11A)的夾持橡膠部分53上。隨后，通過連接電線，使得電線58與裝在夾持橡膠部分53(參看圖11B)上的磁條3的加熱器電極襯墊20a、20b連接。然后，磁條夾持部件51和磁條3一起下移，使得磁條3與旋轉(zhuǎn)拋光表面R相接觸，被粗拋光(參看圖11C)。
在粗拋光之后，將磁條3與拋光部件61分離一次，通過圖11D所示的一個(gè)觀察設(shè)備85觀察磁條3上每個(gè)薄膜磁頭1的相對(duì)介質(zhì)的表面S。利用光學(xué)方法或者激光方法實(shí)現(xiàn)這一觀察。圖11D顯示了用激光照射磁條3觀察相對(duì)介質(zhì)的界面S時(shí)的情況。使用原子力顯微鏡(AFM)、光學(xué)干涉計(jì)等作為觀察設(shè)備85。
圖12A顯示了觀察磁條3的相對(duì)介質(zhì)的表面，圖12B顯示了當(dāng)根據(jù)圖12A的觀察結(jié)果改變每個(gè)可變電阻器33的電阻時(shí)的每個(gè)加熱器被通電。在這一實(shí)施方式中，觀察裝置85觀察磁條3相對(duì)介質(zhì)的表面S的凹度和凸?fàn)?，并且基于該結(jié)果，計(jì)算要使表面S平整而要將相對(duì)介質(zhì)的表面S凸出的量。隨后，確定每個(gè)可變電阻器33的電阻值，然后通過電阻控制器57改變電阻值。
當(dāng)可變電阻器33的電阻增加時(shí)，流入與可變電阻器33相連接的加熱器17的電流增加，從而增加了加熱器17釋放的熱量。因此，相對(duì)介質(zhì)的表面S的凸出增加。相反的，當(dāng)可變電阻器33的電阻下降時(shí)，情況相反，相對(duì)介質(zhì)的表面S的凸出減小。
通過電阻控制器57改變可變電阻器33的電阻之后，當(dāng)加熱器17被外部電源32通電時(shí)，每個(gè)薄膜磁頭1的相對(duì)介質(zhì)的表面S的量根據(jù)可變電阻器33的電阻值膨脹，使磁條3相對(duì)介質(zhì)的表面S修平。
在圖12A中，電阻控制器57和觀察設(shè)備85是分離的部件，基于觀察裝置85得到的結(jié)果，通過操作者手工或者類似的方法調(diào)整電阻控制器57的可變電阻器33的電阻值。但是，電阻控制器57和觀察裝置85可以互相關(guān)聯(lián)工作。也就是說，觀察裝置85可以將觀察得來的數(shù)據(jù)發(fā)送到電阻控制器57，電阻控制器57能夠基于數(shù)據(jù)自動(dòng)改變可變電阻器的電阻值。
參考圖11E解釋下一步驟。當(dāng)磁條3上相對(duì)介質(zhì)的表面S被修平，同時(shí)加熱器17和磁條3的薄膜磁頭1中的可變電阻33被通電，如圖12B所示，磁條3下移，從而和旋轉(zhuǎn)拋光表面R相接觸，因此拋光相對(duì)介質(zhì)的表面S。隨后，拋光將圖5所示的從角T至虛線L指示區(qū)域的外層18去除。
在拋光之后，如圖11F所示，將磁條3從磁條夾持部件51的夾持橡膠部分53上卸除。
圖13是一個(gè)在拋光之后沿著與相對(duì)介質(zhì)的表面S垂直的方向得到的薄膜磁頭1的示意性剖視圖。雙點(diǎn)劃線顯示了被拋光削去的部分。圖13只顯示了拋光后一個(gè)形式的例子。在一些情況下，從外層18(參看圖5)的角T延伸到記錄磁頭部分12或者復(fù)制磁頭部分11的區(qū)域可以被拋光。
如果當(dāng)磁條3的薄膜磁頭1被拋光的時(shí)候，相對(duì)介質(zhì)的表面S未被修平，那么磁條3不是所有區(qū)域與旋轉(zhuǎn)的拋光表面R接觸，因此在薄膜磁頭1上產(chǎn)生拋光差異。另一方面，如本實(shí)施方式，當(dāng)薄膜磁頭1被拋光時(shí)，相對(duì)介質(zhì)的表面S被修平，那么磁條3的相對(duì)介質(zhì)的表面S均勻地與旋轉(zhuǎn)拋光表面S接觸，所有薄膜磁頭1的相對(duì)介質(zhì)的表面S都能被拋光以形成圖13所示的形狀。
如上所述，根據(jù)使用本實(shí)施方式拋光裝置的拋光方法，有可能改變每個(gè)加熱器17的可變電阻器33的電阻值，從而調(diào)整流入每個(gè)加熱器17的電流量，因此可能調(diào)整每個(gè)薄膜磁頭1的相對(duì)介質(zhì)的表面S的凸出量。所以，每個(gè)薄膜磁頭1的相對(duì)介質(zhì)的表面S能夠被有效的拋光。結(jié)果，即使當(dāng)記錄磁頭部分12通電的時(shí)候相對(duì)介質(zhì)的表面S膨脹，薄膜磁頭1的懸浮高度仍然能夠被設(shè)置到一個(gè)合適值。因此，能夠防止薄膜磁頭1和硬盤的記錄表面D互相接觸，薄膜磁頭需要的懸浮量能夠被降低。
在拋光操作中，所有加熱器17都由同樣的外部電源通電，使得將薄膜磁頭1的多個(gè)相對(duì)介質(zhì)的表面S一起拋光。因此，要拋光薄膜磁頭的多個(gè)相對(duì)介質(zhì)的表面S，不需要很多設(shè)備，這樣相對(duì)介質(zhì)的表面S能夠被高效益和有效率地拋光。
加熱器17不局限于圖5所示的位置。例如，從相對(duì)介質(zhì)的表面S看去，加熱器17可位于記錄磁頭部分12的后面。優(yōu)選地，復(fù)制磁頭部分11、記錄磁頭部分12和加熱器17都在支座2一側(cè)按照這樣的順序疊壓，如圖5中所示。即是說，加熱器17優(yōu)選位于距離記錄磁頭部分12比距離復(fù)制磁頭部分11更近的位置。在向硬盤上進(jìn)行記錄時(shí)，當(dāng)薄膜線圈15通電，記錄磁頭部分12的周圍被產(chǎn)生的熱量膨脹，因此記錄磁頭部分12的附近離硬盤最近。所以，當(dāng)加熱器17通電時(shí)拋光膨脹最大的部分能夠防止薄膜磁頭1和硬盤的記錄表面D互相接觸。當(dāng)加熱器17按照?qǐng)D5所示放置在外層18內(nèi)部時(shí)，不管距離相對(duì)介質(zhì)的表面S或者記錄磁頭部分12如何，加熱器17可以位于外層18內(nèi)的任何位置。
一個(gè)單獨(dú)的加熱器17可以布置在上述位置，或者多個(gè)加熱器17可以被排列在分離的位置上。圖14是顯示薄膜磁頭1一個(gè)例子的示意性剖視圖，磁頭1在分離的位置上排列有兩個(gè)加熱器。在這幅圖中，加熱器60位于分離的位置上，它的高度與圖3所示的加熱器17在外層18內(nèi)的放置高度相同。
盡管在本實(shí)施方式中加熱器17放置在薄膜磁頭1的外層18內(nèi)，加熱器17可以用粘合劑或者類似物粘結(jié)到圖15所示的與支座2相對(duì)的外層18的表面，因此，不必要在薄膜磁頭1內(nèi)形成加熱器，這樣使得薄膜磁頭1的生產(chǎn)簡(jiǎn)易化。圖16顯示了將根據(jù)本實(shí)施方式的拋光裝置應(yīng)用于圖15所示的磁條3。加熱器17由諸如FPC(軟性印刷電路)等材料的薄膜制成，厚度大概從50μm到100μm。
使用加熱器17粘結(jié)到與支座2相對(duì)的外層18的表面的構(gòu)造可能會(huì)產(chǎn)生一種效應(yīng)，這種效應(yīng)類似于當(dāng)加熱器17放置在薄膜磁頭1的外層18內(nèi)的效應(yīng)。也即，同圖13中所示的一樣，當(dāng)加熱器17通電產(chǎn)生熱量的時(shí)候，相對(duì)介質(zhì)的表面S能夠在加熱器17的附近膨脹。
盡管在上述實(shí)施方式中，拋光時(shí)加熱器17被用于使相對(duì)介質(zhì)的表面S膨脹，也可以以另一方式使用加熱器17。即是說，一旦通電，在進(jìn)行與硬盤相關(guān)的記錄/復(fù)制時(shí)，加熱器17可以用于產(chǎn)生熱量，使得在復(fù)制磁頭部分11附近的相對(duì)介質(zhì)的表面S膨脹，因此調(diào)整了復(fù)制磁頭部分11和硬盤之間的空隙。這里，加熱器17產(chǎn)生的熱量可以延伸到薄膜磁頭1的不需要膨脹的區(qū)域。但是，在這樣的情況下，通過應(yīng)用本實(shí)施方式的拋光方法也可以提前消除這些區(qū)域。
盡管本發(fā)明的說明是參考了前述的實(shí)施方式，但本發(fā)明并不局限于上述的實(shí)施方式。例如，盡管在上面提到的實(shí)施方式中薄膜磁頭使用縱向記錄方式(平面內(nèi)記錄類型(in-plane recording type))，本發(fā)明也適用于垂直記錄類型(perpendicular recording type)的薄膜磁頭。
如上所述，本發(fā)明提供了一個(gè)磁頭條夾持部件、一個(gè)拋光裝置以及一種拋光薄膜磁頭相對(duì)介質(zhì)的表面的方法，這種方法能夠防止薄膜磁頭和硬盤互相接觸，因而能夠獲得薄膜磁頭的更低懸浮。
因此，在此結(jié)合2003年4月18日提交的基本日本申請(qǐng)?zhí)?003-114713作為參考。
權(quán)利要求
1.一種拋光薄膜磁頭相對(duì)介質(zhì)的表面的方法，該方法包括如下步驟準(zhǔn)備一個(gè)磁頭條，薄膜磁頭在其中排列為一行，每個(gè)薄膜磁頭包括一個(gè)用于復(fù)制的磁阻裝置、一個(gè)用于記錄的電感電磁式傳感器、一個(gè)通電時(shí)用于產(chǎn)生熱量的加熱器，在各個(gè)薄膜磁頭中的加熱器與其鄰近的加熱器彼此之間串聯(lián)電連接；將每個(gè)加熱器與一個(gè)可變電阻器并行連接；根據(jù)薄膜磁頭的相對(duì)介質(zhì)的表面的凸出量改變每個(gè)可變電阻器的電阻值；在為加熱器通電時(shí)，將磁頭條上薄膜磁頭的相對(duì)介質(zhì)的表面拋光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的拋光薄膜磁頭相對(duì)介質(zhì)的表面的方法，其中所述薄膜磁頭形成在一個(gè)支座上，并且加熱器布置在與支座相對(duì)的薄膜磁頭的表面上。
3.一種磁頭條夾持部件，其包括一個(gè)用于夾持磁頭條的磁條夾持部分，薄膜磁頭在其中排列為一行，每個(gè)薄膜磁頭包括通電時(shí)產(chǎn)生熱量的加熱器；和與每個(gè)加熱器并行連接的可變電阻器。
4.一種拋光裝置，其包括一個(gè)用于夾持磁頭條的具有磁條夾持部分的磁頭條夾持部件，薄膜磁頭在其中排列為一行，每個(gè)薄膜磁頭包括一個(gè)通電時(shí)產(chǎn)生熱量的加熱器和與每個(gè)加熱器并行連接的可變電阻器，一個(gè)用于拋光磁頭條的相對(duì)介質(zhì)的表面的拋光部件，其中磁頭條由磁條夾持部件所夾持。
全文摘要
磁條(3)上的各個(gè)薄膜磁頭(1)中的加熱器(17)與其鄰近的加熱器電連接，每個(gè)加熱器(17)都與一個(gè)可變電阻器(33)并行連接。根據(jù)薄膜磁頭(1)的相對(duì)介質(zhì)的表面(S)的凸出量，改變每個(gè)可變電阻器(33)的電阻值。并且，當(dāng)使用相同的電源為所有的加熱器(17)通電時(shí)，磁頭條(3)上薄膜磁頭(1)的相對(duì)介質(zhì)的表面(S)被拋光。
文檔編號(hào)G11B5/31GK1538387SQ20041003273
公開日2004年10月20日 申請(qǐng)日期2004年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月18日
發(fā)明者大山信也, 太田憲和, 小出宗司, 佐佐木徹郎, 袋井修, 司, 和, 郎 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社, 新科實(shí)業(yè)有限公司