專利名稱：拋光組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可用于拋光諸如磁盤基質(zhì)等的拋光組合物。
背景技術(shù)：
鑒于磁盤可用作硬盤，而硬盤可作為計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)設(shè)備，對(duì)于高記錄密度有強(qiáng)烈的要求。因此，要求用于磁盤的基質(zhì)具有優(yōu)越的表面性能，例如，有較少的腐蝕或刮痕。
公開號(hào)為2002-327170的日本公開專利公開了一種改進(jìn)的拋光組合物以滿足基質(zhì)的這種需要。這種拋光組合物含有磨料、氧化劑、有機(jī)磷酸(如二亞乙基三胺亞戊基磷酸)和水。當(dāng)用這種拋光組合物拋光基質(zhì)時(shí)，在基質(zhì)的表面形成了一層由有機(jī)磷酸反應(yīng)生成的保護(hù)膜，由此，拋光過程中在表面產(chǎn)生的腐蝕和刮痕得到了抑制。
然而，由于有機(jī)磷酸的保護(hù)膜形成作用并不很強(qiáng)烈，對(duì)腐蝕和刮痕的抑制程度還不是很高。因此，還有改進(jìn)傳統(tǒng)拋光組合物的空間。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的就是提供一種更適用于拋光磁盤基質(zhì)的拋光組合物。
為了達(dá)到前述的及其他目的，與本發(fā)明的目標(biāo)一致，這里提供了一種拋光組合物。這種拋光組合物含有二氧化硅，第一化合物，它含有下列化合物組中的至少一個(gè)化合物正磷酸、焦磷酸、多磷酸、偏磷酸、甲基酸式磷酸鹽、乙基酸式磷酸鹽、乙基乙二醇酸式磷酸鹽、肌醇六磷酸、1-羥乙基亞基-1，1-雙磷酸、偏磷酸鈉和酸性六偏磷酸鈉，第二化合物，它含有至少一種由下列化合物與氨發(fā)生中和反應(yīng)生成的鹽正磷酸、焦磷酸、多磷酸、偏磷酸、甲基酸式磷酸鹽、乙基酸式磷酸鹽、乙基乙二醇酸式磷酸鹽、肌醇六磷酸、1-羥乙基亞基-1，1-雙磷酸；過氧化氫和水。
本發(fā)明的其他方面及優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中闡明；并通過舉例說明本發(fā)明的原理。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在介紹本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例。
根據(jù)本實(shí)施例，一種含有二氧化硅、含磷化合物、銨鹽、過氧化氫和水的拋光組合物被用于拋光，例如，磁盤的基質(zhì)。這個(gè)基質(zhì)可以是一種在鋁合金構(gòu)成的空白構(gòu)件上提供一層鎳-磷構(gòu)成的無電鍍層形成的基質(zhì)，或在一個(gè)空白構(gòu)件上提供鎳-鐵構(gòu)成的層，形成基質(zhì)，或含有碳化硼或碳的基質(zhì)。
上面所述的二氧化硅是一種磨料，用于一個(gè)物品的機(jī)械拋光。除了二氧化硅外，二氧化鈰、金剛石、氧化鋁和類似物都可作為磨料。然而，含有二氧化鈰代替二氧化硅的拋光組合物不能用在高速下對(duì)基質(zhì)的拋光。含有金剛石或氧化鋁而不含二氧化硅的拋光組合物常常產(chǎn)生表面缺陷，例如，在拋光過程中在基質(zhì)上產(chǎn)生刮痕或凹痕。相反的，根據(jù)本實(shí)施例含有二氧化硅作為磨料的拋光組合物，其磨料能夠在高速下拋光基質(zhì)，并且在拋光過程中幾乎不會(huì)產(chǎn)生刮痕或凹痕。
拋光組合物可以含有兩種或更多的二氧化硅。二氧化硅可以是膠體二氧化硅、鍛制氧化硅或沉淀二氧化硅，最好是膠體二氧化硅。含有膠體二氧化硅的拋光組合物在拋光過程中幾乎不會(huì)在基質(zhì)上產(chǎn)生刮痕。膠體二氧化硅由無定形二氧化硅顆粒構(gòu)成，其表面有電荷，并且在水中分散呈膠體狀。膠體二氧化硅是通過以下方法獲得的，例如，通過離子交換除掉硅酸鈉和硅酸鉀而得到超細(xì)膠體二氧化硅，并進(jìn)行顆粒增長(zhǎng)過程，或用酸或堿來水解烷氧基硅烷；或加熱有機(jī)硅化合物并在濕體系中分解。
二氧化硅的平均顆粒尺寸由采用BET方法測(cè)量的二氧化硅的特定表面積來決定，在0.005至0.5μm范圍內(nèi)較為適宜，最好在0.01至0.3μm范圍內(nèi)。如果平均顆粒尺寸小于0.005μm，拋光組合物不能在高速下拋光基質(zhì)。換句話說，拋光組合物對(duì)于基質(zhì)的拋光速度減小。此外，由于大的拋光阻力會(huì)導(dǎo)致拋光機(jī)器的振動(dòng)，從而難以實(shí)現(xiàn)精密拋光。如果平均顆粒尺寸超過0.5μm，在拋光組合物中會(huì)產(chǎn)生沉淀，并且在許多情況下導(dǎo)致在拋光過程中拋光的基質(zhì)表面變得粗糙或在基質(zhì)上產(chǎn)生刮痕。
拋光組合物中二氧化硅的含量在0.01至40％重量范圍內(nèi)較為適宜，包括0.01％和40％最好在0.1至10％重量范圍內(nèi)，包括0.1％和10％。如果含量少于0.01％重量，拋光組合物對(duì)于基質(zhì)的拋光速率減小，此外由于大的拋光阻力會(huì)導(dǎo)致拋光機(jī)器的振動(dòng)，從而難以實(shí)現(xiàn)精密拋光。如果含量超過40％重量，二氧化硅將在拋光組合物中凝結(jié)，導(dǎo)致存儲(chǔ)穩(wěn)定性遭到破壞，并且在許多情況下由于二氧化硅的凝結(jié)而在拋光過程中在基質(zhì)上產(chǎn)生刮痕。此外，拋光組合物中含有大量的二氧化硅在成本上也是不利的。
上述含磷化合物在化學(xué)拋光及增加拋光組合物的酸性以加速過氧化氫對(duì)物品的氧化中起到了作用。含磷化合物含有正磷酸、焦磷酸、多磷酸、偏磷酸、甲基酸式磷酸鹽、乙基酸式磷酸鹽、乙基乙二醇酸式磷酸鹽、肌醇六磷酸、1-羥乙基亞基-1，1-雙磷酸，偏磷酸鈉和六偏磷酸鈉中至少一種化合物。與已知的作為拋光加速劑的檸檬酸不同，含磷化合物在拋光過程中有保護(hù)膜形成，在基質(zhì)的表面形成了一層耐刮和耐腐蝕的保護(hù)膜。，而且含磷化合物較二亞乙基三胺亞戊基磷酸所形成的保護(hù)膜更牢固。
正磷酸可用分子式H3PO4表示。雙磷酸可用分子式H4P2O7表示，也可稱為焦磷酸。多磷酸是一種線性聚合的磷酸，由正磷酸脫水縮合制得，可用分子式Hn+2PnO3n+1表示，其中n代表2至4范圍內(nèi)的整數(shù)，包含2和4。多磷酸是線性聚合的磷酸的混和物，它們彼此n的數(shù)值不同。更為具體地是，至少混合兩種從雙磷酸，三磷酸(H5P3O10)和四磷酸(H6P4O13)中選出的化合物。多磷酸的聚合比率，更為具體地是，由多磷酸水解產(chǎn)生的正磷酸基于多磷酸重量的重量比，可以是105％或116％或其它值。偏磷酸是一種由正磷酸縮合生成的環(huán)狀磷酸，可用分子式(HPO3)m表示，其中m代表3至8范圍內(nèi)的整數(shù)，包括3和8。甲基酸式磷酸鹽也稱為甲基磷酸。乙基酸式磷酸鹽也稱為乙基磷酸。肌醇六磷酸也稱為乙基肌醇六磷酸。1-羥乙基亞基-1，1-雙磷酸縮寫為HEDP。偏磷酸鈉可用分子式(NaPO3)m表示，其中m代表3至8范圍內(nèi)的整數(shù)，包括3和8。酸性的六偏磷酸鈉可用分子式NaxHy(PO3)x+y表示，其中x，y分別代表1至7范圍內(nèi)的一個(gè)整數(shù)，包括1和7；并且x與y的和在3至8范圍內(nèi)，包括3和8。拋光組合物中含磷化合物的含量在0.01至40％重量范圍內(nèi)較為適宜，包括0.01％和40％，最好是在1至20％重量范圍內(nèi)，包括1％和20％。如果含量少于0.01％重量，拋光組合物對(duì)基質(zhì)的拋光速率降低。如果含量超過40％重量，在有些情況下，在拋光過程中在基質(zhì)上會(huì)產(chǎn)生腐蝕，而且也是不經(jīng)濟(jì)的。
上述銨鹽包括由以下至少一種酸與氨發(fā)生中和反應(yīng)所生成的鹽正磷酸、焦磷酸、多磷酸、偏磷酸、甲基酸式磷酸鹽、乙甲基酸式磷酸鹽、乙基乙二醇酸磷、肌醇六磷酸和1-羥乙基亞基-1，1-雙磷酸，最好包含至少一種由下列化合物中選出的一種鹽磷酸三銨((NH4)3PO4)，磷酸氫二銨((NH4)2HPO4)和磷酸二氫銨(NH4H2PO4)。
在拋光過程中，銨鹽具有保護(hù)膜形成作用，在基質(zhì)表面形成一層耐刮和耐磨的保護(hù)膜。以下每一種酸的金屬鹽也可具有與銨鹽類似的保護(hù)膜形成作用正磷酸、焦磷酸、多磷酸、偏磷酸、甲基酸式磷酸鹽、乙基酸式磷酸鹽、乙基乙二醇酸式磷酸鹽、肌醇六磷酸和1-羥乙基亞基-1，1-雙磷酸。但是，在含有金屬鹽的拋光組合物中，拋光組合物中的二氧化硅由于金屬鹽衍生出金屬離子而發(fā)生凝結(jié)，從而在拋光過程中由于凝結(jié)的二氧化硅而導(dǎo)致在基質(zhì)上產(chǎn)生刮痕。
拋光組合物中銨鹽的含量在0.01至30％重量范圍內(nèi)較為適宜，包括0.01％和30％，最好在1至10％重量范圍內(nèi)，包括1％和10％。如果含量少于0.01％重量，在許多情況下拋光組合物的保護(hù)膜形成作用不強(qiáng)。當(dāng)拋光組合物的保護(hù)膜形成作用不夠強(qiáng)時(shí)，在拋光過程中在基質(zhì)上會(huì)產(chǎn)生腐蝕和刮痕。拋光組合物中銨鹽含量超過30％重量時(shí)，其穩(wěn)定性差。
上述過氧化氫是一種氧化劑，起到氧化物品來加速磨料的機(jī)械拋光。除了過氧化氫之外的已知氧化劑還有硝酸，高錳酸鉀，過硫酸和相似物。但是，硝酸的氧化性不強(qiáng)，而含有高錳酸鉀或過硫酸的拋光組合物作為氧化劑在拋光過程中在基質(zhì)上產(chǎn)生刮痕。相反，過氧化氫具有足夠的氧化能力，環(huán)境適宜且相對(duì)便宜。過氧化氫可以水溶液的形式加到拋光組合物中，該水溶液中過氧化氫的含量為30至35％重量。
拋光組合物中過氧化氫的含量在0.1至5％重量范圍內(nèi)較為適宜，包括0.1％和5％，最好是在0.3至1％重量范圍內(nèi)，包括0.3％和1％。如果含量低于0.1％重量，拋光組合物對(duì)基質(zhì)的拋光速率會(huì)降低，且一些情況下在拋光過程中在基質(zhì)上產(chǎn)生刮痕。如果含量高于5％重量，在有些情況下，在拋光過程中在基質(zhì)上產(chǎn)生腐蝕，并且拋光組合物對(duì)基質(zhì)的拋光速率不穩(wěn)定。
上述水起到媒介作用，用以分散或溶解拋光組合物中除水之外的組分。水中所含雜質(zhì)越少越好。更為特殊的是，凈化水，超純水和蒸餾水較為適宜。
拋光組合物的pH值在0.5至5范圍內(nèi)較為適宜，包括0.5和5，最好是在1.0至3.0范圍內(nèi)，包括1.0和3.0。如果pH值小于0.5，一些情況下在拋光過程中在基質(zhì)上會(huì)產(chǎn)生腐蝕。如果pH值超過5.0，由于過氧化氫所產(chǎn)生的對(duì)基質(zhì)的氧化被抑制，結(jié)果是拋光組合物對(duì)基質(zhì)的拋光速率降低。
根據(jù)本實(shí)施例的拋光組合物可通過混合二氧化硅，一種含磷化合物，銨鹽，過氧化氫和水制備。在混合過程中，哪種化合物先加的順序是任意的，或所有化合物可以同時(shí)加入。
當(dāng)使用根據(jù)本實(shí)施例的拋光組合物來拋光基質(zhì)表面時(shí)，例如，當(dāng)將拋光組合物用于基質(zhì)表面前，用拋光墊打磨基質(zhì)表面。拋光后的基質(zhì)需清洗和干燥。在基質(zhì)的制造過程中，通常要進(jìn)行許多道拋光工序，根據(jù)本實(shí)施例的一種拋光組合物最好在拋光的最后一道工序中應(yīng)用。
本實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn)。
根據(jù)本實(shí)施例的一種拋光組合物含有一種含磷化合物和銨鹽，它們都具有形成保護(hù)膜的作用，因此，在拋光過程中在一種物品上產(chǎn)生的腐蝕和刮痕被有效地抑制，特別是對(duì)于磁盤基質(zhì)的拋光。相應(yīng)的，根據(jù)本實(shí)施例的一種拋光組合物非常適用于在基質(zhì)的拋光中，特別是用在對(duì)基質(zhì)的最后拋光中。使用根據(jù)本實(shí)施例的拋光組合物來拋光的基質(zhì)，具有良好的表面特性，如較少的腐蝕和刮痕，以及表面粗糙程度很低。相應(yīng)的，根據(jù)本實(shí)施例的拋光組合物對(duì)于實(shí)現(xiàn)磁盤的高記錄密度做出了貢獻(xiàn)。
根據(jù)本實(shí)施例的拋光組合物含有用于機(jī)械拋光物品的二氧化硅，用于化學(xué)拋光物品的含磷化合物，以及加速二氧化硅機(jī)械拋光的過氧化氫。因此，此拋光組合物可用于拋光物品，特別是在高速下拋光磁盤的基質(zhì)。換句話說，根據(jù)本實(shí)施例的拋光組合物對(duì)于基質(zhì)具有很高的拋光速率。
當(dāng)拋光組合物中的銨鹽含有至少一種從由磷酸三銨，磷酸氫二銨和磷酸二氫銨組成的組中的鹽時(shí)，拋光組合物在基質(zhì)拋光過程中對(duì)腐蝕和刮痕的抑制效果可以持續(xù)很長(zhǎng)一段時(shí)間。這是因?yàn)榱姿崛@，磷酸氫二銨和磷酸二氫胺在拋光組合物中具有很好的穩(wěn)定性。
對(duì)于那些對(duì)本領(lǐng)域非常熟悉的人來說，很明顯，在不背離本發(fā)明的精神下，本發(fā)明可通過許多其他特殊形式實(shí)現(xiàn)。特別地，應(yīng)該理解本發(fā)明可采用下列方式來實(shí)現(xiàn)。
拋光組合物可以進(jìn)一步包含可用于加速二氧化硅機(jī)械拋光的拋光加速劑。拋光加速劑最好包含下列化合物中的一種檸檬酸，馬來酸，馬來酐，羥基丁二酸，羥基乙酸，琥珀酸，衣康酸，丙二酸，亞氨基二乙酸，葡萄糖酸，乳酸，苯乙醇酸，酒石酸，丁烯酸，煙酸，醋酸，己二酸，甘氨酸，丙氨酸，組胺酸，甲酸和草酸。拋光加速劑在拋光組合物中的含量在0.01至40％重量范圍內(nèi)較為適宜，包括0.01％和40％，最好是在1至20％重量范圍內(nèi)，包括1％和20％。如果其含量低于0.01％重量，二氧化硅的機(jī)械拋光加速不明顯。如果含量超過40％重量，在拋光過程中在基質(zhì)上會(huì)產(chǎn)生腐蝕。
如果有必要的話，拋光組合物可進(jìn)一步含有表面活性劑，增稠劑，螯合劑或消泡劑。表面活性劑可以是聚羧酸鹽表面活性劑，或者可以是聚磺酸鹽表面活性劑。具體地，表面活性劑可以是聚苯乙烯磺酸鈉或聚丙烯酸鈉。表面活性劑增加了二氧化硅在拋光組合物中的分散能力。增稠劑可以是水溶性纖維素或聚乙烯醇。
拋光組合物可在使用前，立即通過用水稀釋儲(chǔ)備液來配制。
拋光組合物可在使用前，立即通過將過氧化氫與二氧化硅，含磷化合物，銨鹽和水的混合物混合來制備。在這種情況下，可以防止由于拋光組合物中過氧化氫分解而導(dǎo)致的儲(chǔ)備液穩(wěn)定性的破壞。
拋光組合物還可用于磁盤基質(zhì)之外物品的拋光。磁盤基質(zhì)之外的物品可以是含有鎢，銅，硅，玻璃或陶瓷。更特別的是，此物品可以是半導(dǎo)體芯片或光學(xué)透鏡。
現(xiàn)在通過參考實(shí)施例和比較實(shí)施例來對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的介紹。
在實(shí)施例1至22中，拋光組合物是通過混合膠體二氧化硅，含磷化合物，銨鹽，過氧化氫和水制得。在實(shí)施例23至26中，拋光組合物是通過混合膠體二氧化硅，含磷化合物，銨鹽，過氧化氫，拋光加速劑和水制得。在比較實(shí)施例1至5中，拋光組合物是通過將含磷化合物，銨鹽和過氧化氫中至少兩種化合物與膠體二氧化硅和水混合制得。在比較實(shí)施例6至11中，拋光組合物是通過將含磷化合物，銨鹽和過氧化氫中至少兩種化合物與膠體二氧化硅，拋光加速劑和水混合制得。在比較實(shí)施例12和13中，制備了含有二亞乙基三胺亞戊基磷酸代替含磷化合物的拋光組合物。各種拋光組合物的詳細(xì)組成列于表1和表2。
需要指出的是，實(shí)施例1至9，12至26，和比較實(shí)施例1至13中的膠體二氧化硅的平均顆粒尺寸為30nm；實(shí)施例10中的膠體二氧化硅的平均顆粒尺寸為50nm；實(shí)施例11中的膠體二氧化硅的平均顆粒尺寸為10nm。進(jìn)一步的，多磷酸的縮合比率為116％。
使用實(shí)施例1至26和比較實(shí)施例1至13中每一種拋光組合物，在下列拋光條件下對(duì)基質(zhì)表面進(jìn)行拋光。
拋光條件拋光基質(zhì)以鎳-磷無電鍍層方式提供的直徑3.5英寸(約95mm)的基質(zhì)，該平板鍍層首先進(jìn)行拋光，表面粗糙度(Ra)約為6埃，這是用數(shù)字式儀器有限公司制造的掃描探測(cè)顯微鏡“Nanoscope III”測(cè)得。
拋光機(jī)一種雙面拋光機(jī)“SFDL-9B”，由SPEEDFAM有限公司制造。
拋光墊一種麂皮拋光墊“Belatrix N0058”，由Kanebo公司制造。
拋光負(fù)荷80mg/cm2較低固定基座的旋轉(zhuǎn)速率為30rpm拋光劑拋光組合物的供給速率40毫升/分鐘拋光時(shí)間8分鐘拋光基質(zhì)數(shù)10當(dāng)拋光加工是在上述條件下進(jìn)行時(shí)，拋光速率可根據(jù)下面的公式計(jì)算。表1和表2中標(biāo)題為″拋光速率″一欄說明由計(jì)算的拋光速率決定的評(píng)價(jià)結(jié)果，這基于表3中標(biāo)題為″拋光速率″一欄的四個(gè)等級(jí)。
方程
拋光速率(μm/min)＝基質(zhì)由于拋光而減少的量(g)/[被拋光的基質(zhì)表面面積(cm2)×鎳-磷平板鍍層的密度(g/cm3)×拋光時(shí)間(min)]×104使用一種超精細(xì)缺陷顯象宏觀檢測(cè)儀(由VISION PSYTEC公司制造的MicroMax VMX2100)來觀察被拋光的基質(zhì)，測(cè)量每個(gè)基質(zhì)表面的刮痕數(shù)量。表1和表2中標(biāo)題為″刮痕″一欄，說明使用10個(gè)樣品測(cè)得得刮痕數(shù)的平均數(shù)目所決定的評(píng)價(jià)結(jié)果，這基于表3中標(biāo)題為″刮痕″欄中所顯示的四個(gè)等級(jí)。
為了調(diào)查實(shí)施例1至26中和比較實(shí)施例1至13中，對(duì)于每種拋光組合物，基質(zhì)的腐蝕程度。將由鎳-磷無電鍍層提供的和直徑為3.5英寸的基質(zhì)在30℃下浸入拋光組合物中3小時(shí)。測(cè)量由于浸泡導(dǎo)致的基質(zhì)重量減輕。根據(jù)由兩個(gè)樣品測(cè)得的重量減少量，根據(jù)表3中標(biāo)題為″腐蝕程度″欄顯示的四個(gè)等級(jí)來評(píng)價(jià)腐蝕程度。結(jié)果顯示在表1和表2標(biāo)題為″腐蝕程度″欄中。
表1


表2


表3

如表1和表2所示，在實(shí)施例1至26中，對(duì)拋光組合物速率，刮痕和腐蝕的所有評(píng)估結(jié)果都是好的。相反，在比較實(shí)施例1至13中，拋光速率，刮痕和腐蝕中至少有一項(xiàng)評(píng)估結(jié)果不好。
本實(shí)施例和實(shí)施方案是為了說明而不是限制本發(fā)明，本發(fā)明不被此處提供的細(xì)節(jié)所限制，但可以在所附權(quán)利要求書的范圍和等效性之內(nèi)改動(dòng)。
權(quán)利要求
1.一種拋光組合物，其特征在于二氧化硅；第一化合物，該化合物含有至少一種選自由距磷酸、焦磷酸、多磷酸、偏磷酸、甲基酸式磷酸鹽、乙基酸式磷酸鹽、乙基乙二醇酸式磷酸鹽、肌醇六磷酸、1-羥乙基亞基-1，1-雙磷酸、偏磷酸鈉和酸性六偏磷酸鈉構(gòu)成的組中的化合物；第二化合物，該化合物含有由正磷酸、焦磷酸、多磷酸、偏磷酸、甲基酸式磷酸鹽、乙基酸式磷酸鹽、乙基乙二醇酸式磷酸鹽、肌醇六磷酸、1-羥乙基亞基-1，1-雙磷酸中的每一個(gè)通過與銨的中和反應(yīng)生成的鹽中的至少一種鹽；過氧化氫；和水。
2.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，一種含有檸檬酸，馬來酸，馬來酐，羥基丁二酸，羥基乙酸，琥珀酸，衣康酸，丙二酸，亞氨基二乙酸，葡萄糖酸，乳酸，苯乙醇酸，酒石酸，丁烯酸，煙酸，醋酸，己二酸，甘氨酸，丙氨酸，組胺酸，甲酸和草酸中至少一種化合物的拋光加速劑。
3.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述二氧化硅是膠體二氧化硅。
4.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述二氧化硅的平均顆粒尺寸決定于采用BET方法測(cè)量的二氧化硅比表面積在0.005至0.5μm范圍內(nèi)，包括0.005μ.m和0.5μm。
5.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述二氧化硅在拋光組合物中的含量在0.01至40％重量范圍內(nèi)，包括0.01％重量和40％重量。
6.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述第一化合物在拋光組合物中的含量在0.01至40％重量范圍內(nèi)，包括0.01％重量和40％重量。
7.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述第二化合物含有磷酸三銨，磷酸氫二銨和磷酸二氫銨中至少一種化合物。
8.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述第二化合物在拋光組合物中的含量在0.01至30％重量范圍內(nèi)，包括0.01％重量和30％重量。
9.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述過氧化氫在拋光組合物中的含量在0.1至5％重量范圍內(nèi)，包括0.1％重量和5％重量。
10.如權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其特征在于，所述拋光組合物的pH值在0.5至5.0范圍內(nèi)，包括0.5和5.0。
11.如權(quán)利要求1至10中任何一項(xiàng)所述的拋光組合物，其特征在于，所述拋光組合物用在磁盤基質(zhì)表面的最后拋光中。
12.一種拋光磁盤基質(zhì)的方法，其特征在于，制備如權(quán)利要求1至10中任何一項(xiàng)所述的拋光組合物；用該拋光組合物拋光基質(zhì)表面。
全文摘要
本發(fā)明涉及了一種更適于拋光磁盤基質(zhì)的拋光組合物。此拋光劑拋光組合物含有二氧化硅，含有至少一種選自特殊組中化合物的含磷化合物，含有至少一種由每個(gè)具體的酸與氨發(fā)生中和反應(yīng)生成鹽的銨鹽，過氧化氫和水。
文檔編號(hào)G11B5/84GK1536046SQ20041003421
公開日2004年10月13日 申請(qǐng)日期2004年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月31日
發(fā)明者平野淳一, 孝, 松波靖, 樹, 橫道典孝, 大脅壽樹 申請(qǐng)人:福吉米株式會(huì)社