專利名稱：確定用于寫(xiě)光盤(pán)的最佳功率的系統(tǒng)及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及光盤(pán)記錄領(lǐng)域，特別是涉及一種確定用于寫(xiě)光盤(pán)的最佳功率的系統(tǒng)及方法。
背景技術(shù)：
光盤(pán)已經(jīng)用作計(jì)算機(jī)的優(yōu)選數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒體。雖然諸如CD-ROM(只讀光盤(pán)存儲(chǔ)器)及DVD(數(shù)字化多用途盤(pán))這樣的某些光盤(pán)是只讀的，但是計(jì)算機(jī)用戶可使用諸如CD-R(可寫(xiě)光盤(pán)存儲(chǔ)器)、CD-RW(可重寫(xiě)的光盤(pán))、DVD+RW(可重寫(xiě)的數(shù)字化多用途盤(pán))、以及DVD-RAM(數(shù)字化視頻光盤(pán)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)來(lái)記錄數(shù)據(jù)。
通常，寫(xiě)光盤(pán)所使用的激光二極管的最佳功率是可變的并且取決于許多因素。例如，光盤(pán)的特性可影響寫(xiě)磁盤(pán)的最佳激光功率，該光盤(pán)特性在磁盤(pán)至磁盤(pán)之間變化并且在邊緣至邊緣之間變化或者根據(jù)每個(gè)磁盤(pán)的半徑而變化。另外，激光二極管的特征以及其工作溫度還必需對(duì)激光功率進(jìn)行校準(zhǔn)。進(jìn)一步，光學(xué)器件或者媒體上的殘?jiān)?、熱量、或者機(jī)械應(yīng)力可使激光束畸變?，F(xiàn)有的系統(tǒng)通過(guò)對(duì)光盤(pán)上的未用于記錄數(shù)據(jù)的一區(qū)域進(jìn)行寫(xiě)操作來(lái)執(zhí)行最佳功率校準(zhǔn)(OPC)。該測(cè)試區(qū)通常被稱為功率校準(zhǔn)區(qū)域(PCA)或者OPC區(qū)域并且占據(jù)了磁盤(pán)內(nèi)半徑附近的區(qū)域。隨后，由于認(rèn)識(shí)到光盤(pán)的特性是不均勻的遍布其表面，因此還在導(dǎo)出區(qū)中的光盤(pán)外緣附近執(zhí)行最佳功率校準(zhǔn)。然而，這兩個(gè)測(cè)試區(qū)域仍遠(yuǎn)離其上記錄有數(shù)據(jù)的光盤(pán)區(qū)域并且可以具有記錄特性。另外，因?yàn)橹芷谛缘膱?zhí)行最佳功率校準(zhǔn)，因此將激光定位在功率校準(zhǔn)區(qū)或者導(dǎo)出區(qū)上所需的較長(zhǎng)的查找時(shí)間使磁盤(pán)寫(xiě)時(shí)間增加并且使系統(tǒng)的整個(gè)操作慢下來(lái)。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，用于確定適合于寫(xiě)光盤(pán)的最佳功率的方法包括執(zhí)行功率校準(zhǔn)測(cè)試。功率校準(zhǔn)測(cè)試包括將測(cè)試數(shù)據(jù)寫(xiě)入光盤(pán)上的用戶數(shù)據(jù)區(qū)，并且讀取寫(xiě)入到光盤(pán)上的用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的測(cè)試數(shù)據(jù)。
根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，用于確定適合于寫(xiě)光盤(pán)的最佳功率的系統(tǒng)包括一可操作的處理器，該處理器指示激光將測(cè)試數(shù)據(jù)寫(xiě)入光盤(pán)上的用戶數(shù)據(jù)區(qū)，并且指示傳感器讀取所寫(xiě)入到光盤(pán)上的用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的測(cè)試數(shù)據(jù)。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，一件產(chǎn)品包括一計(jì)算機(jī)可讀媒體，該計(jì)算機(jī)可讀媒體是由一可操作的處理器所編碼的以執(zhí)行功率校準(zhǔn)測(cè)試。該處理包括將測(cè)試數(shù)據(jù)寫(xiě)入光盤(pán)上的用戶數(shù)據(jù)區(qū)，并且讀取測(cè)試數(shù)據(jù)。


為了更徹底的了解本發(fā)明，參考結(jié)合附圖的以下描述即可得出其目的及優(yōu)點(diǎn)，在附圖中圖1給出了根據(jù)本發(fā)明教導(dǎo)的最佳功率校準(zhǔn)測(cè)試過(guò)程的一實(shí)施例的簡(jiǎn)化流程圖；圖2給出了光盤(pán)上的區(qū)域的示意圖；圖3給出了根據(jù)本發(fā)明教導(dǎo)的最佳功率校準(zhǔn)測(cè)試系統(tǒng)的簡(jiǎn)化方框圖；圖4給出了根據(jù)本發(fā)明教導(dǎo)的功率重新校準(zhǔn)測(cè)試過(guò)程的一實(shí)施例的流程圖。
具體實(shí)施例方式
參考附圖1至附圖4可更好的理解本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例以及其優(yōu)點(diǎn)，在各個(gè)附圖中相同的數(shù)字標(biāo)記用于相同的并且相應(yīng)的部件。
圖1給出了根據(jù)本發(fā)明教導(dǎo)的最佳功率校準(zhǔn)測(cè)試過(guò)程10的一實(shí)施例的簡(jiǎn)化流程圖。如塊12所示，最佳功率校準(zhǔn)測(cè)試過(guò)程10執(zhí)行初始校準(zhǔn)測(cè)試。如圖2所示，為了該目的所保留的初始功率校準(zhǔn)測(cè)試與典型的通過(guò)寫(xiě)入光盤(pán)40上的功率校準(zhǔn)區(qū)(PCA)42所執(zhí)行的傳統(tǒng)校準(zhǔn)測(cè)試相同或者相似。功率校準(zhǔn)區(qū)42位于光盤(pán)40內(nèi)半徑附近。從光盤(pán)40的中心繼續(xù)向外，下一個(gè)區(qū)域是導(dǎo)入?yún)^(qū)46，該導(dǎo)入?yún)^(qū)46包含有盤(pán)信息。在某些光學(xué)格式中，PCA 42被認(rèn)為是部分導(dǎo)入?yún)^(qū)。繼導(dǎo)入?yún)^(qū)46之后的下一個(gè)區(qū)域是程序區(qū)或者用戶數(shù)據(jù)區(qū)48，該用戶數(shù)據(jù)區(qū)具有用戶寫(xiě)數(shù)據(jù)道。與光盤(pán)40的外緣相鄰近的導(dǎo)出區(qū)50具有導(dǎo)出信息，并且還可包括或者繼之以二次功率校準(zhǔn)區(qū)以進(jìn)行正常的或者高速的功率校準(zhǔn)。
同時(shí)參考圖3，圖3給出了最佳功率校準(zhǔn)系統(tǒng)60的簡(jiǎn)化方框圖，在第一寫(xiě)操作之前在光盤(pán)40上執(zhí)行典型的初始校準(zhǔn)。在初始校準(zhǔn)測(cè)試過(guò)程中，從在光盤(pán)40的導(dǎo)入?yún)^(qū)46中所編碼的預(yù)制溝槽中的絕對(duì)時(shí)間(ATIP)信息或者預(yù)制溝槽中的地址(ADIP)信息中讀取最初所提議的最佳記錄功率(RORP)估計(jì)值。利用該估計(jì)值，處理器66確定其包括有該估計(jì)值的激光功率測(cè)試范圍。在某些實(shí)施例中，功率測(cè)試范圍可跨越三個(gè)至四個(gè)毫瓦或者更多。在測(cè)試的過(guò)程中，激光62將測(cè)試數(shù)據(jù)寫(xiě)入到功率校準(zhǔn)區(qū)42或者導(dǎo)出區(qū)50中，同時(shí)控制器64將激光62的功率步調(diào)到功率測(cè)試范圍中。光盤(pán)讀取器68此后讀取測(cè)試數(shù)據(jù)。典型的，測(cè)試數(shù)據(jù)是預(yù)定的測(cè)試模式，該預(yù)定測(cè)試模式的值為處理器66所知。光盤(pán)讀取器68包括低功率激光或者光源，該低功率激光或者光源使激光束聚焦在形成于光學(xué)磁盤(pán)記錄表面上的標(biāo)記及間隔上。由光檢測(cè)器以及光盤(pán)讀取器68中的有關(guān)電子設(shè)備來(lái)解譯來(lái)自該標(biāo)記和間隔的反射光并且將其轉(zhuǎn)換為其可提供與不同功率值有關(guān)的信息的數(shù)據(jù)。處理器66根據(jù)位于光盤(pán)40記錄表面上的由激光62所形成的標(biāo)記和間隔的大小及光學(xué)性能來(lái)確定適合于將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到光盤(pán)40的最佳功率設(shè)置。如過(guò)程10的塊14所示，此后使用所確定的最佳功率設(shè)置以在隨后的寫(xiě)操作中寫(xiě)入光盤(pán)40。
在過(guò)程10的塊16中，做出這樣一個(gè)確定，即確定是否已經(jīng)滿足用于重新校準(zhǔn)的一個(gè)或多個(gè)預(yù)定準(zhǔn)則。例如，如果系統(tǒng)60(圖3)已經(jīng)在一段時(shí)間期間執(zhí)行了許多寫(xiě)操作，那么希望對(duì)激光功率的最佳設(shè)定進(jìn)行重新校準(zhǔn)。許多寫(xiě)操作可造成激光62的工作溫度足以增加到可改變激光62的工作波長(zhǎng)。另一個(gè)示例性的準(zhǔn)則可以是下一個(gè)寫(xiě)操作的位置。光盤(pán)40的物理組成不均勻的遍布其表面，以致當(dāng)寫(xiě)入到相同磁盤(pán)上的用戶數(shù)據(jù)區(qū)時(shí)，所確定的光盤(pán)內(nèi)緣或者外緣附近的最佳功率設(shè)置未必是最佳的。因此，塊16中的決策過(guò)程根據(jù)其可改變激光62最佳功率設(shè)置的多個(gè)因素來(lái)確定是否重新校準(zhǔn)。如果所確定結(jié)果是“否”，此后回到塊14以繼續(xù)操作；然而，如果所確定的結(jié)果是“是”重新校準(zhǔn)，那么此后轉(zhuǎn)到塊18。在圖4中更詳細(xì)的描述了塊18中的重新校準(zhǔn)過(guò)程。
圖4給出了根據(jù)本發(fā)明教導(dǎo)的功率重新校準(zhǔn)測(cè)試過(guò)程18的一實(shí)施例的流程圖。過(guò)程18可以是由硬件和/或軟件來(lái)執(zhí)行的。尤其是，過(guò)程18例如可包括由處理器66和/或控制器64所執(zhí)行的軟件代碼。在初始功率校準(zhǔn)過(guò)程之后執(zhí)行功率重新校準(zhǔn)過(guò)程18并且此后根據(jù)過(guò)程10的確定其是周期性的以便保持寫(xiě)光盤(pán)的最佳激光功率設(shè)置。在塊20中，確定在重新校準(zhǔn)過(guò)程中所測(cè)試的功率設(shè)置的范圍。因?yàn)樾碌淖罴压β试O(shè)置不可能偏離當(dāng)前在初始功率校準(zhǔn)過(guò)程中或者先前重新校準(zhǔn)過(guò)程中所確定的最佳功率設(shè)置很遠(yuǎn)，因此重新校準(zhǔn)測(cè)試范圍最好是以當(dāng)前最佳功率設(shè)置為中心。因此，重新校準(zhǔn)測(cè)試范圍實(shí)質(zhì)上比初始校準(zhǔn)過(guò)程中所使用的范圍更密集。例如，如果上次最佳記錄功率值是20毫瓦，而不是利用18至22毫瓦的重新校準(zhǔn)功率范圍，那么本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例例如將重新校準(zhǔn)功率測(cè)試范圍設(shè)置為從低于當(dāng)前最佳功率設(shè)置的大約5％至高于當(dāng)前最佳功率設(shè)置的大約5％。利用先前的例子，此后將重新校準(zhǔn)測(cè)試范圍設(shè)置為19至21毫瓦的預(yù)定范圍，而不是18至22毫瓦。或者，因?yàn)榧す饫寐视捎诟叩臏囟榷档土?，因此例如可將測(cè)試范圍的上限設(shè)置為高于當(dāng)前最佳功率設(shè)置的大約7％。還可設(shè)置重新校準(zhǔn)的功率測(cè)試范圍以響應(yīng)傳感器(未給出)的輸入。例如，溫度傳感器用于確定激光和/或光盤(pán)的工作溫度。所檢測(cè)的溫度接著用于改變功率測(cè)試范圍的上限值或者下限值。值得注意的是上述所列舉的比率以及范圍是作為例子而提供的并且可根據(jù)所使用的激光和光盤(pán)技術(shù)而改變。
在塊22中，激光62的寫(xiě)入磁頭查找在其上執(zhí)行功率重新校準(zhǔn)處理的用戶數(shù)據(jù)區(qū)的位置。傳統(tǒng)的重新校準(zhǔn)過(guò)程需要通過(guò)寫(xiě)入指定的其未用于記錄數(shù)據(jù)的功率校準(zhǔn)區(qū)或者導(dǎo)出區(qū)來(lái)執(zhí)行測(cè)試，因?yàn)榧す夤β蕼y(cè)試范圍跨越這樣的設(shè)置，即該設(shè)置可破壞光盤(pán)道或者鄰近道中的記錄數(shù)據(jù)。然而，因?yàn)楸景l(fā)明某些實(shí)施例的重新校準(zhǔn)過(guò)程使用其以當(dāng)前最佳功率設(shè)置為中心的較窄重新校準(zhǔn)測(cè)試范圍，因此破壞的可能性極大的降低了。因此，在其上記錄有數(shù)據(jù)的用戶數(shù)據(jù)區(qū)中執(zhí)行重新校準(zhǔn)。最好是，在下一個(gè)寫(xiě)入操作塊或者扇區(qū)附近執(zhí)行重新校準(zhǔn)以便根據(jù)位于該位置上的光盤(pán)的組成來(lái)確定最佳功率設(shè)置。未包含有數(shù)據(jù)的任何扇區(qū)用于寫(xiě)重新校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。或者，包含有數(shù)據(jù)的扇區(qū)用于通過(guò)在重新校準(zhǔn)之后將數(shù)據(jù)寫(xiě)回到該扇區(qū)而進(jìn)行的重新校準(zhǔn)。除了由于較窄的測(cè)試范圍所帶來(lái)的節(jié)約時(shí)間之外，該過(guò)程還避免了長(zhǎng)時(shí)間尋找光盤(pán)的內(nèi)緣或者外緣以便執(zhí)行重新校準(zhǔn)測(cè)試。在塊24中，將測(cè)試功率設(shè)置為預(yù)定的重新校準(zhǔn)功率范圍的下限值。在塊25中，首先利用測(cè)試功率設(shè)置將測(cè)試數(shù)據(jù)寫(xiě)入到用戶數(shù)據(jù)區(qū)。此后在塊26中確定測(cè)試功率設(shè)置是否已到達(dá)先前在塊20中所確定的上界。如果測(cè)試功率未到達(dá)上限，此后在塊28中增加測(cè)試功率級(jí)別。否則，重新校準(zhǔn)測(cè)試跨越整個(gè)功率測(cè)試范圍并且讀取測(cè)試數(shù)據(jù)，如塊30所示。此后響應(yīng)檢測(cè)反射率或在寫(xiě)入過(guò)程中所產(chǎn)生的標(biāo)記及空隙的位置以及長(zhǎng)度在塊32中確定新的最佳功率設(shè)置。此后在隨后的寫(xiě)入操作中使用該新的功率設(shè)置直到下一個(gè)重新校準(zhǔn)測(cè)試。
因?yàn)榧す夤β柿啃滦?zhǔn)處理對(duì)位于當(dāng)前最佳功率設(shè)置周圍的窄范圍之內(nèi)的功率設(shè)置進(jìn)行測(cè)試，因此不可能將損壞引入到光盤(pán)記錄層或者相鄰的數(shù)據(jù)道。因此，可通過(guò)將測(cè)試數(shù)據(jù)寫(xiě)入到與下一個(gè)寫(xiě)入操作的扇區(qū)和塊相鄰近的用戶數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù)道中來(lái)執(zhí)行重新校準(zhǔn)測(cè)試。無(wú)需長(zhǎng)時(shí)間的尋找功率校準(zhǔn)區(qū)或者導(dǎo)出區(qū)即可進(jìn)行按照這種方式所執(zhí)行的重新校準(zhǔn)，因此可提高該系統(tǒng)的總性能。因?yàn)樵谖挥谙乱粋€(gè)寫(xiě)入操作附近的或者位于下一個(gè)寫(xiě)入操作位置上的用戶數(shù)據(jù)區(qū)中執(zhí)行重新校準(zhǔn)測(cè)試，因此根據(jù)此結(jié)果所得出的最佳功率設(shè)置還考慮了光盤(pán)的不均勻性并且其因此更正確。
在當(dāng)前的其采用恒角速度記錄的驅(qū)動(dòng)器中，需要外推計(jì)算，因?yàn)椴豢赡芤运蟮乃俣葘?duì)導(dǎo)出區(qū)執(zhí)行寫(xiě)入操作。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，不必在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中使用重新校準(zhǔn)處理以執(zhí)行外推計(jì)算。
最佳功率校準(zhǔn)系統(tǒng)60可包括遠(yuǎn)離激光62的一處理器66，控制器64和/或光盤(pán)讀取器68。處理器66是可操作的以執(zhí)行在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上所編碼的目前為大家所熟知的或者隨后所開(kāi)發(fā)的軟件代碼實(shí)現(xiàn)處理10及18。
權(quán)利要求
1.一種確定用于寫(xiě)光盤(pán)(40)的最佳功率的方法(10)，包括執(zhí)行功率校準(zhǔn)測(cè)試，包括將測(cè)試數(shù)據(jù)寫(xiě)入光盤(pán)(40)上的用戶數(shù)據(jù)區(qū)(25)；以及讀取測(cè)試數(shù)據(jù)(30)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法(10)，進(jìn)一步包括確定其跨越當(dāng)前最佳功率設(shè)置(20)的功率測(cè)試范圍。
3.如權(quán)利要求2所述的方法(10)，進(jìn)一步包括確定當(dāng)前的最佳功率設(shè)置(12)。
4.如權(quán)利要求3所述的方法(10)，其中確定當(dāng)前最佳功率設(shè)置(12)包括利用初始功率測(cè)試范圍來(lái)執(zhí)行初始功率校準(zhǔn)測(cè)試。
5.如權(quán)利要求1所述的方法(10)，其中將測(cè)試數(shù)據(jù)寫(xiě)入到用戶數(shù)據(jù)區(qū)(25)包括響應(yīng)所確定的功率測(cè)試范圍寫(xiě)入測(cè)試數(shù)據(jù)。
6.如權(quán)利要求1所述的方法(10)，進(jìn)一步包括響應(yīng)讀取測(cè)試數(shù)據(jù)確定新的最佳功率設(shè)置(32)。
7.如權(quán)利要求2所述的方法(10)，其中確定功率測(cè)試范圍(20)包括將下限功率測(cè)試值(20)設(shè)置為低于當(dāng)前最佳功率設(shè)置的預(yù)定比率；以及將上限功率測(cè)試值(22)設(shè)置為高于當(dāng)前最佳功率設(shè)置的預(yù)定比率。
8.如權(quán)利要求1所述的方法(10)，其中將測(cè)試數(shù)據(jù)寫(xiě)入到用戶數(shù)據(jù)區(qū)包括將測(cè)試數(shù)據(jù)寫(xiě)入到下一個(gè)寫(xiě)入操作的位置。
9.如權(quán)利要求1所述的方法(10)，其中將測(cè)試數(shù)據(jù)寫(xiě)入到用戶數(shù)據(jù)區(qū)包括將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到與下一個(gè)寫(xiě)入操作相鄰近的一位置。
10.如權(quán)利要求1所述的方法(10)，其中響應(yīng)檢測(cè)光盤(pán)溫度的升高反復(fù)執(zhí)行功率校準(zhǔn)測(cè)試。
全文摘要
一種用于確定寫(xiě)光盤(pán)(40)的最佳功率的方法(10)，包括執(zhí)行功率校準(zhǔn)測(cè)試，該測(cè)試包括將測(cè)試數(shù)據(jù)寫(xiě)入光盤(pán)(40)上的用戶數(shù)據(jù)區(qū)，并且讀取寫(xiě)入到光盤(pán)(40)上的用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的測(cè)試數(shù)據(jù)。
文檔編號(hào)G11B7/125GK1601618SQ200410049200
公開(kāi)日2005年3月30日 申請(qǐng)日期2004年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月25日
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