專利名稱：一種確定用于光盤刻寫的參數(shù)的方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光存儲(chǔ)領(lǐng)域，尤其涉及一種確定用于光盤刻寫的參數(shù)的方法及裝置。
自從可以刻寫的光盤進(jìn)入市場(chǎng)以來(lái)，強(qiáng)大的市場(chǎng)需求便推動(dòng)著光盤刻寫技術(shù)飛速發(fā)展?？梢钥虒懙墓獗P從CD-R，CD-RW發(fā)展到DVD±R和DVD±RW，進(jìn)而發(fā)展到藍(lán)光刻寫光盤。相應(yīng)的，光盤刻寫速度也由單倍速發(fā)展到多倍速?，F(xiàn)在在市場(chǎng)上已經(jīng)可以方便的購(gòu)買到能夠以16倍速，24倍速，甚至更高倍速(如52倍速)刻寫CD光盤的光盤刻寫設(shè)備，也可以買到以16倍速刻寫DVD光盤的光盤刻寫設(shè)備。
刻寫光盤需要在一定的光盤刻寫策略(write strategy)下進(jìn)行。光盤刻寫策略中包含了各種控制光盤刻寫過(guò)程的參數(shù)，如光盤寫入功率Pw(Write Power)、相變光盤的光盤擦除功率Pe(Erase Power)及冷卻時(shí)間C(cooling gap)等。通常，市場(chǎng)上出售的用來(lái)刻寫的光盤上預(yù)存儲(chǔ)有相應(yīng)的刻寫參數(shù)，例如，對(duì)于可以刻寫的CD光盤，一般在ATIP(Absolute Time In Pregroove)信息中包括有預(yù)存儲(chǔ)的光盤刻寫參數(shù)，而對(duì)于可以刻寫的DVD刻寫光盤，則是在ADIP(Absolute Address In Pregroove)信息包括有預(yù)存儲(chǔ)的刻寫參數(shù)。這些刻寫參數(shù)多數(shù)能滿足光盤刻寫質(zhì)量的要求。通常，光盤刻寫設(shè)備將根據(jù)光盤上的存儲(chǔ)刻錄參數(shù)進(jìn)行最佳功率校正(OPC，Optimum Power Control)，以確定一個(gè)適當(dāng)?shù)膶懭牍β省?br> 然而，并不是所有的可以刻寫的光盤的質(zhì)量都能保持一致，也不是所有的光盤都預(yù)存儲(chǔ)了刻寫參數(shù)。因使用介質(zhì)、工藝不同等原因，市場(chǎng)上出售的可以刻寫的光盤良莠不齊，寫入特性有相當(dāng)大的差異。許多光盤存儲(chǔ)的刻寫策略沒(méi)有得到認(rèn)證、或者根本就沒(méi)有預(yù)存儲(chǔ)刻寫策略，而有些光盤雖有經(jīng)過(guò)認(rèn)證的刻寫策略參數(shù)但卻與光盤刻寫裝置的刻寫特性不相適應(yīng)。
如果光盤刻寫設(shè)備不能適應(yīng)這些各式各樣的光盤，那么生產(chǎn)刻寫設(shè)備的廠家勢(shì)必要失去相當(dāng)一部分市場(chǎng)份額。因此，有些廠商在光盤刻錄設(shè)備上預(yù)存儲(chǔ)了所有能得到的對(duì)應(yīng)于各種刻寫光盤的刻寫策略。即使這樣做，一個(gè)光盤刻寫設(shè)備也不可能應(yīng)付所有的情況，因?yàn)樾碌墓獗P品種層出不窮。還有的光盤刻寫設(shè)備是在刻寫光盤前通過(guò)大量的光盤刻寫測(cè)試來(lái)確定光盤刻寫參數(shù)，這樣做需要較多的時(shí)間和光盤上較多的測(cè)試空間，而實(shí)際上光盤上供刻寫測(cè)試的空間是十分有限的，而用戶也不希望等待較長(zhǎng)時(shí)間后才能進(jìn)行正式刻寫。
因此，需要提供一種確定用于光盤刻寫的參數(shù)的方法，以使光盤刻寫設(shè)備能夠迅速有效的根據(jù)光盤特性確定能夠滿足刻寫質(zhì)量要求的刻寫參數(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種確定用于光盤刻寫的參數(shù)的方法及裝置，以克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例所提供的確定用于光盤刻寫的參數(shù)的方法，包括步驟設(shè)置初始光盤刻寫參數(shù)；針對(duì)所述刻寫參數(shù)中的一組參數(shù)進(jìn)行預(yù)設(shè)定次數(shù)的光盤刻寫測(cè)試，該組參數(shù)中的各參數(shù)之間具有特定關(guān)聯(lián)性；和根據(jù)所述刻寫測(cè)試的結(jié)果，確定該組參數(shù)中的各參數(shù)與光盤刻寫質(zhì)量之間的關(guān)系，以獲得該組參數(shù)中各參數(shù)相應(yīng)的優(yōu)化參數(shù)值，用于光盤刻寫。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一個(gè)確定用于光盤刻寫的參數(shù)的裝置，包括一個(gè)設(shè)置裝置，用于設(shè)置初始光盤刻寫參數(shù)；一個(gè)測(cè)試裝置，針對(duì)所述刻寫參數(shù)中的一組參數(shù)進(jìn)行預(yù)設(shè)定次數(shù)光盤刻寫測(cè)試，該組參數(shù)中的各參數(shù)之間具有特定關(guān)聯(lián)性；和一個(gè)確定裝置，根據(jù)所述刻寫測(cè)試的結(jié)果，確定該組參數(shù)中的各參數(shù)與光盤刻寫質(zhì)量之間的關(guān)系，以獲得該組參數(shù)中各參數(shù)相應(yīng)的優(yōu)化參數(shù)值，用于光盤刻寫。
本發(fā)明還提供一個(gè)光盤刻寫裝置，包括一個(gè)光盤驅(qū)動(dòng)裝置，用于驅(qū)動(dòng)一張待刻錄光盤和一種確定用于光盤刻錄的參數(shù)的裝置；所述確定用于光盤刻錄的參數(shù)的裝置包括，一個(gè)設(shè)置裝置，用于設(shè)置初始光盤刻寫參數(shù)，一個(gè)測(cè)試裝置，同時(shí)針對(duì)所述刻寫參數(shù)中的一組參數(shù)進(jìn)行預(yù)設(shè)定次數(shù)的光盤刻寫測(cè)試，該組參數(shù)中的各參數(shù)之間具有特定關(guān)聯(lián)性和一個(gè)確定裝置，根據(jù)所述刻寫測(cè)試的結(jié)果，確定該組參數(shù)中的各參數(shù)與光盤刻寫質(zhì)量之間的關(guān)系，以獲得該組參數(shù)中各參數(shù)相應(yīng)的優(yōu)化參數(shù)值，用于所述待刻錄光盤的刻寫。
通過(guò)本發(fā)明所提供的方法和裝置，對(duì)于沒(méi)有預(yù)存儲(chǔ)光盤刻寫參數(shù)或根據(jù)預(yù)存儲(chǔ)的光盤刻寫參數(shù)進(jìn)行光盤刻寫不能達(dá)到光盤刻寫質(zhì)量要求的光盤，光盤刻寫設(shè)備可以確定對(duì)光盤刻寫質(zhì)量有重要影響作用的的參數(shù)，尤其是能夠在較短的時(shí)間內(nèi)和較小的光盤空間內(nèi)確定有特定關(guān)聯(lián)性的多個(gè)參數(shù)。
通過(guò)下文中參照附圖對(duì)本發(fā)明所作的描述和權(quán)利要求，本發(fā)明的其他目的和成就將顯而易見，并可對(duì)本發(fā)明有全面的理解。


通過(guò)實(shí)施例，參照附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳盡解釋。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的確定用于光盤刻寫的參數(shù)的方法流程圖；圖2是在預(yù)定的中心組合設(shè)計(jì)測(cè)試方案中的Pw和Pe取值示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明為CD-RW光盤1確定的優(yōu)化的光盤刻寫參數(shù)的多次直接重寫性能示意圖；圖4是DVD+R可一次刻寫光盤所用的光盤刻寫策略示意圖；和圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的確定光盤刻寫參數(shù)裝置600的框圖。
在所有的上述附圖中，相同的標(biāo)號(hào)表示具有相同、相似或相應(yīng)的特征或功能。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)本發(fā)明，如果在待刻寫光盤上不能得到能夠滿足刻寫質(zhì)量要求的刻寫參數(shù)，那么光盤刻寫裝置將為該光盤確定相應(yīng)的用于刻寫的參數(shù)。在確定刻寫參數(shù)過(guò)程中，光盤刻寫裝置將兼顧其中具有特定關(guān)聯(lián)性的多個(gè)刻寫參數(shù)，考慮它們對(duì)刻寫質(zhì)量的共同影響，同時(shí)予以確定，這樣可以在較短的時(shí)間內(nèi)和光盤上有限的測(cè)試空間內(nèi)得到滿足刻寫質(zhì)量要求的參數(shù)值。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的確定光盤刻寫參數(shù)的方法流程圖。一個(gè)待刻寫光盤插入后，光盤刻寫裝置將首先確定這張待刻寫光盤的類型，并且檢索光盤上的刻寫參數(shù)信息(步驟S110)。光盤的類型信息和預(yù)存儲(chǔ)的光盤刻錄參數(shù)信息一般可以在光盤的ADIP(對(duì)于可以刻錄的CD光盤而言)或ADIP(對(duì)于可以刻錄的DVD光盤而言)得到。
如果能檢索到預(yù)存儲(chǔ)的刻寫參數(shù)，那么光盤刻寫裝置將根據(jù)檢索到的刻寫參數(shù)在待刻錄光盤上進(jìn)行刻寫測(cè)試(步驟S120)。這種測(cè)試一般通過(guò)最佳寫入功率校正OPC進(jìn)行，并且一般只對(duì)其中的一個(gè)寫入功率參數(shù)Pw在設(shè)定的取值范圍內(nèi)進(jìn)行測(cè)試、優(yōu)化。衡量光盤刻寫質(zhì)量的方法通常是先讀出測(cè)試刻寫在光盤上的信號(hào)，然后根據(jù)讀出的信號(hào)的數(shù)據(jù)對(duì)時(shí)鐘(data-to-clock)的抖動(dòng)值(Jitter)來(lái)判斷刻寫質(zhì)量的優(yōu)劣。抖動(dòng)值越大，光盤刻寫質(zhì)量越差，反之，抖動(dòng)值越小，光盤刻寫質(zhì)量越好。
然后，根據(jù)測(cè)試結(jié)果，判斷光盤刻寫質(zhì)量是否符合預(yù)設(shè)定光盤刻寫質(zhì)量要求(步驟S130)。如果光盤刻寫測(cè)試的抖動(dòng)值大于一個(gè)參考抖動(dòng)值，那么預(yù)存儲(chǔ)光盤刻寫參數(shù)就不滿足預(yù)設(shè)定刻寫質(zhì)量要求。
如果預(yù)存儲(chǔ)光盤刻寫參數(shù)不滿足光盤刻寫質(zhì)量要求，或者在光盤上沒(méi)有檢索到刻寫參數(shù)，那么光盤刻寫裝置就要為待刻寫光盤設(shè)置初始光盤刻寫參數(shù)(步驟S140)。具體初始光盤刻錄參數(shù)可以由光盤刻錄裝置廠商等根據(jù)光盤類型和光盤刻錄裝置的刻錄速度設(shè)定。一般來(lái)講，不同的類型的刻寫光盤以及不同的光盤刻寫速度適應(yīng)于不同的光盤刻寫策略，也即對(duì)應(yīng)不同的光盤刻寫參數(shù)。例如，在16倍速到32倍速光盤刻寫速度范圍內(nèi)刻寫一張CD-RW光盤，需要2T光盤刻寫策略，而要在10倍速以下的刻寫速度下刻寫一張CD-RW光盤，1T光盤刻寫策略就可以了。
如果在光盤上沒(méi)有預(yù)存儲(chǔ)刻錄信息，那么所設(shè)定的初始光盤刻錄參數(shù)包括相應(yīng)光盤刻錄策略下的所有必須的參數(shù)。如果光盤上有預(yù)存儲(chǔ)的刻寫參數(shù)，但不滿足刻寫質(zhì)量要求，那么需要設(shè)置的初始光盤刻寫參數(shù)可以只包括那些非通用的參數(shù)，而保留使用那些通用的參數(shù)。當(dāng)然，也可以放棄原來(lái)預(yù)存儲(chǔ)的光盤刻寫參數(shù)，而根據(jù)可以刻錄的光盤的類型和光盤刻寫裝置的刻寫速度設(shè)置全套的光盤刻寫參數(shù)。在設(shè)置初始光盤刻錄參數(shù)時(shí)，對(duì)于非通用參數(shù)，一般還要確定其取值范圍，如寫入功率Pw的初始值可以為38毫瓦，其取值范圍在35毫瓦到47毫瓦之間等。
然后，在所設(shè)置的初始刻寫參數(shù)中選定一組具有特定關(guān)聯(lián)性的參數(shù)(步驟S150)，進(jìn)行優(yōu)化確定。有些刻寫參數(shù)對(duì)光盤刻寫質(zhì)量具有重要影響，如在CD-RW光盤刻寫中的寫入功率Pw和擦除功率Pe，在DVD+R光盤刻寫中的寫入功率Pw和功率增量dPw等。這些參數(shù)之間常常又具有十分緊密的關(guān)聯(lián)性，它們共同影響光盤的刻錄質(zhì)量。對(duì)于CD-RW光盤，偶數(shù)標(biāo)記的冷卻時(shí)間Ce(Cooling gaps of even marks)和奇數(shù)標(biāo)記的冷卻時(shí)間Co(Cooling gaps of odd marks)，也是一組具有緊密關(guān)聯(lián)性的重要的光盤刻錄參數(shù)。對(duì)于DVD+R光盤，Ttop(刻錄4T到14T標(biāo)記時(shí)的開始段使用較高功率的時(shí)間)和Tlp(刻錄4T到14T標(biāo)記時(shí)的結(jié)束段使用的較高功率的時(shí)間)也是一組具有緊密關(guān)聯(lián)性的重要的光盤刻錄參數(shù)。
光盤刻寫裝置將在預(yù)設(shè)定的參數(shù)取值范圍內(nèi)，針對(duì)選定的參數(shù)組中的各參數(shù)按照預(yù)定的測(cè)試方案進(jìn)行光盤刻寫測(cè)試(步驟S160)。對(duì)具有特定關(guān)聯(lián)性的參數(shù)同時(shí)進(jìn)行優(yōu)化能夠兼顧各相關(guān)參數(shù)對(duì)光盤質(zhì)量的共同影響。針對(duì)選定的一組光盤刻寫參數(shù)所作的測(cè)試都是在其他參數(shù)不變的情況下進(jìn)行的，這樣可以凸現(xiàn)這一組參數(shù)對(duì)光盤刻寫質(zhì)量的影響。
比較好的測(cè)試方案是采用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)方法DOE(Design Of Experiment)進(jìn)行光盤刻寫測(cè)試設(shè)計(jì)。例如根據(jù)DOE中的中心組合設(shè)計(jì)CCD法(Central Composite Design)設(shè)計(jì)的測(cè)試方案可以在有限的測(cè)試次數(shù)內(nèi)得到較好的測(cè)試效果。中心組合設(shè)計(jì)(CCD)方法考慮了參數(shù)的主要影響、各參數(shù)的交互影響和參數(shù)的二次項(xiàng)成分，實(shí)驗(yàn)的觀測(cè)值可以用來(lái)擬合響應(yīng)曲面，具有比較高的效率。
最后，根據(jù)步驟S160的測(cè)試結(jié)果，確定所選定參數(shù)組中各參數(shù)與刻寫質(zhì)量之間的關(guān)系，以獲得參數(shù)組中各參數(shù)用于光盤刻寫的參數(shù)值(步驟S170)。大量的實(shí)驗(yàn)表明，許多刻寫參數(shù)與表示光盤刻寫質(zhì)量的抖動(dòng)值Jitter之間存在一定的函數(shù)關(guān)系。根據(jù)步驟S160所進(jìn)行的光盤刻寫測(cè)試的結(jié)果，可以擬合這個(gè)關(guān)系，據(jù)此得到在相應(yīng)的參數(shù)范圍內(nèi)抖動(dòng)值最小時(shí)所選定參數(shù)所對(duì)應(yīng)的的參數(shù)值。
在步驟S150中還可以選定多組對(duì)于光盤刻寫質(zhì)量有重要影響的相互關(guān)聯(lián)的參數(shù)，例如對(duì)于相變光盤，除選定Pw和Pe外，還可以選定參數(shù)組Ce和Co，那么在結(jié)束對(duì)參數(shù)組Pw和Pe的優(yōu)化后，再按照步驟S160和S170對(duì)參數(shù)組Ce和Co進(jìn)行優(yōu)化。通過(guò)選定和優(yōu)化確定多組參數(shù)，光盤刻寫質(zhì)量可以得到進(jìn)一步提高。
之所以先確定參數(shù)組Pw和Pe的值，然后再確定參數(shù)組Ce和Co的值，是因?yàn)閰?shù)組Pw和Pe比參數(shù)組Ce和Co對(duì)光盤刻錄質(zhì)量的影響大，按照這個(gè)順序?qū)獗P刻錄參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化確定，相當(dāng)于對(duì)影響光盤刻錄質(zhì)量的參數(shù)先進(jìn)行粗調(diào)，再進(jìn)行細(xì)調(diào)。同樣，對(duì)于可一次刻錄的光盤，如DVD+R，則可以選定參數(shù)組Pw和dPw和參數(shù)組Ttop和Tlp先后進(jìn)行優(yōu)化。
根據(jù)本發(fā)明提供的優(yōu)化光盤刻寫參數(shù)的方法，可以在較短的時(shí)間內(nèi)，較少的光盤刻寫測(cè)試空間內(nèi)確定適合具體光盤的刻寫參數(shù)。這些最終確定的用于光盤刻寫的參數(shù)可以刻錄在光盤上，以備以后的刻錄使用，也可以對(duì)應(yīng)于光盤的識(shí)別信息(如光盤的ID)存儲(chǔ)在光盤刻錄裝置中。
下面以確定可重復(fù)刻錄光盤CD-RW的刻寫參數(shù)為例描述本發(fā)明。大量試驗(yàn)表明，在一定的刻寫速度下，對(duì)于CD-RW光盤來(lái)講，對(duì)刻寫質(zhì)量具有關(guān)鍵影響作用的四個(gè)參數(shù)是寫入功率Pw，擦除功率Pe，偶數(shù)標(biāo)記的冷卻時(shí)間Ce和奇數(shù)標(biāo)記的冷卻時(shí)間Co，其中Pw和Pe具有緊密關(guān)聯(lián)性，Ce和Co具有緊密關(guān)聯(lián)性。因此，可以選定這四個(gè)參數(shù)分成兩組進(jìn)行測(cè)試。因?yàn)镻w和Pe是最關(guān)鍵的刻寫參數(shù)，所以先優(yōu)化參數(shù)組Pw和Pe，作為對(duì)光盤刻寫策略參數(shù)的粗略調(diào)整，然后再優(yōu)化參數(shù)組Ce和Co，作為相對(duì)精細(xì)的調(diào)整。
在CD-RW光盤刻寫中，抖動(dòng)值Jitter和參數(shù)組(Pw和Pe)之間存在著二次函數(shù)關(guān)系，可以表示為函數(shù)關(guān)系式(1)。
Jitter=C+Σi=12Bixi+Σi=12Σj=12Ai,jxixj----(1)]]>其中C是常數(shù)項(xiàng)(即零次項(xiàng)系數(shù))；i是參數(shù)的個(gè)數(shù)，在本實(shí)施例中i＝1，2；j是參數(shù)的個(gè)數(shù)，在本實(shí)施例中j＝1，2；Bi是一次項(xiàng)系數(shù)；Xi和Xj是被選定的測(cè)試優(yōu)化的參數(shù)，在本例中為Pe和Pw；和Aij是二次項(xiàng)系數(shù)，其中A12＝A21，并且設(shè)A1-2＝2A12＝2A21。
根據(jù)式(1)，如果能確定各系數(shù)的值，那么就可以擬合一個(gè)抖動(dòng)值和相應(yīng)刻寫參數(shù)之間的二次函數(shù)關(guān)系。
為確定式(1)中的系數(shù)，根據(jù)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)DOE(Design Of Experiment)的方法設(shè)計(jì)針對(duì)選定的刻寫參數(shù)的測(cè)試方案。使用DOE中的中心組合設(shè)計(jì)(central compositedesign)實(shí)驗(yàn)方法可以在設(shè)定的參數(shù)范圍內(nèi)通過(guò)十分有限次數(shù)的測(cè)試到比較理想的值。例如，針對(duì)兩個(gè)一組的參數(shù)，只需進(jìn)行九次實(shí)驗(yàn)，就可以通過(guò)對(duì)試驗(yàn)結(jié)果的處理得到比較好的參數(shù)值。各參數(shù)的取值范圍可以根據(jù)光盤的類型和光盤的刻寫速度預(yù)先確定，如Pw可以是在35毫瓦到47毫瓦之間，Ce可以是在2.89納秒到8.96納秒之間等等。
圖2是在預(yù)定的CCD測(cè)試方案中的Pw和Pe取值示意圖。在圖2中，其中的數(shù)值1，-1， 和0是將參數(shù)Pw和Pe的取值范圍的端點(diǎn)值進(jìn)行歸一化處理后得到的值。根據(jù)CCD實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)，只需根據(jù)圖2中九個(gè)點(diǎn)所對(duì)應(yīng)Pe和Pw參數(shù)值進(jìn)行九次光盤刻寫測(cè)試，就可以建立Pe和Pw與抖動(dòng)值Jitter之間的關(guān)系。
如表1所示，針對(duì)Pw和Pe所作九次光盤刻寫測(cè)試中，Pw和Pe的取值分別為表1Pw和Pe的測(cè)試取值
每對(duì)應(yīng)于Pw和Pe的一組參數(shù)取值，在刻寫測(cè)試中均可以得到一個(gè)相應(yīng)的Jitter抖動(dòng)值。九次光盤刻寫測(cè)試所獲得的Jitter值表示為式(2)，即矩陣YY=jitter1jitter2jitter3jitter4jitter5jitter6jitter7jitter8jitter9----(2)]]>根據(jù)上述光盤刻寫測(cè)試結(jié)果，以及下列算式(3)可以計(jì)算式(1)中的系數(shù)C和系數(shù)B1，B2，A11，A22，A1-2。
Coeff＝(XT·X)-1·XT·YT(3)其中Coeff代表系數(shù)C和系數(shù)B1，B2，A11，A12，A21，A22組成的列矩陣；X=10-1.4140201-1.414020011.4140200111111100000101.4140201-1111-11-1-111111-111-1----(4)]]>T表示矩陣的轉(zhuǎn)置運(yùn)算。
在得到式(1)的各系數(shù)后，抖動(dòng)值Jitter和參數(shù)Pw和Pe之間的關(guān)系就可以用式(1)表示了。根據(jù)式(1)，通過(guò)下列通常矩陣計(jì)算中的算式(5)可以確定Pe和Pw在抖動(dòng)值為極小值時(shí)相應(yīng)的參數(shù)Pw和Pe的值。
P=-12A-1·B----(5)]]>
其中，P是最終得到的Pe和Pw參數(shù)值的矩陣，A是系數(shù)Aij的矩陣，B是系數(shù)Bi組成的列矩陣。
如上所述，通過(guò)CCD設(shè)計(jì)的測(cè)試方法，通過(guò)九次刻寫測(cè)試，并按照數(shù)學(xué)式(1)到(5)處理測(cè)試結(jié)果就可以得到優(yōu)化的參數(shù)Pe和擦除參數(shù)Pe和抖動(dòng)值Jitter之間的函數(shù)關(guān)系。通過(guò)這個(gè)函數(shù)關(guān)系就可疑得到在抖動(dòng)值Jitter取極小值時(shí)，Pw和Pe的參數(shù)值，即用于光盤刻錄的參數(shù)值。
在實(shí)踐中，針對(duì)Pw和Pe的九次光盤刻寫測(cè)試可以重復(fù)一遍，這樣，在同樣的參數(shù)設(shè)置下所測(cè)定的Jitter值可以取平均值，以減小干擾。同樣，Ce和Co也和抖動(dòng)值Jitter之間存在與式(1)相似的二次函數(shù)關(guān)系，通過(guò)同樣的方法也可以確定參數(shù)Ce和Co。
對(duì)于不同參數(shù)組的優(yōu)化順序，一般應(yīng)當(dāng)按照參數(shù)組對(duì)光盤刻寫質(zhì)量的影響大小確定，先優(yōu)化相對(duì)重要的參數(shù)組，然后再是其他參數(shù)組。
在一個(gè)參數(shù)組中比較好的是有兩個(gè)參數(shù)，這樣根據(jù)CCD的測(cè)試方案只需包括九次試驗(yàn)，因此測(cè)試工作量比較少。如果參數(shù)組中包含三個(gè)或更多個(gè)參數(shù)，也是可行的，但根據(jù)CCD進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)，要得到一個(gè)好的結(jié)果，測(cè)試工作量將有較大增加，例如對(duì)于包括三個(gè)參數(shù)的參數(shù)組，需要27次測(cè)試才能得到需要的結(jié)果。
下面以使用本發(fā)明提供的方法來(lái)為三張CD-RW光盤確定刻寫參數(shù)為例，驗(yàn)證本發(fā)明的效果。本例將根據(jù)本發(fā)明提供的方法確定刻錄參數(shù)，然后將根據(jù)確定的參數(shù)刻錄光盤的質(zhì)量和根據(jù)該三張光盤上預(yù)存刻錄參數(shù)刻錄的光盤質(zhì)量進(jìn)行對(duì)比。該三張光盤上預(yù)存的刻錄參數(shù)是經(jīng)過(guò)認(rèn)證的，完全滿足刻寫質(zhì)量要求。
實(shí)驗(yàn)所用的光盤刻錄裝置的刻錄速度是16倍速，選定的參數(shù)組分別為第一參數(shù)組(Pe和Pw)，第二參數(shù)組(Co和Ce)。各參數(shù)的取值范圍列在表2中，其中Pe的取值范圍可以由Pe/Pw得到。
表2Pe，Pw，Ce和Co的取值范圍

分別針對(duì)光盤1、2和3的第一參數(shù)組(Pw和Pe)和第二參數(shù)組(Co和Ce)按照DOE的中心組合設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)方法進(jìn)行光盤刻寫測(cè)試，測(cè)試結(jié)果列于表3中。
表3光盤刻寫質(zhì)量效果對(duì)比

由表3可以看出，使用本發(fā)明所提供的方法確定的刻寫參數(shù)的刻寫質(zhì)量基本上能夠達(dá)到使用經(jīng)過(guò)認(rèn)證的刻寫參數(shù)進(jìn)行的刻寫質(zhì)量。
圖3是根據(jù)本發(fā)明為CD-RW光盤1確定的優(yōu)化的光盤刻寫策略參數(shù)的多次直接重寫性能示意圖。如圖3所示，對(duì)光盤刻錄質(zhì)量的要求是Jitter值不大于15％。由圖3可以看出根據(jù)本發(fā)明所確定的光盤刻寫參數(shù)在多次重復(fù)擦寫過(guò)程中符合要求并相對(duì)穩(wěn)定。
針對(duì)光盤2和光盤3的試驗(yàn)具有和光盤1基本一致的試驗(yàn)結(jié)果。
下面再以確定可一次刻錄的DVD+R光盤的刻錄參數(shù)為例進(jìn)行描述。對(duì)于DVD+R光盤來(lái)講，對(duì)光盤刻寫質(zhì)量十分關(guān)鍵的參數(shù)組包括參數(shù)組寫入功率參數(shù)Pw和功率增量dPw，參數(shù)組Ttop和Tlp等。
圖4是DVD+R可一次刻寫光盤所用的光盤刻寫策略示意圖。圖4中，曲線510表示要刻寫在DVD+R光盤上的數(shù)據(jù)，曲線520表示在DVD+R光盤上刻寫數(shù)據(jù)時(shí)所用刻寫策略。Pw是在刻寫4T到14T的數(shù)據(jù)時(shí)需要用到的功率，而功率增量dPw則是在刻寫3T數(shù)據(jù)和4T到14T的標(biāo)記的開始段和結(jié)束段用到的功率增量。參數(shù)Pw和dPw對(duì)DVD+R光盤的刻寫質(zhì)量具有十分重要的影響，并且這兩個(gè)參數(shù)之間具有比較強(qiáng)的關(guān)聯(lián)性，應(yīng)當(dāng)同時(shí)確定優(yōu)化。
在一張DVD+R光盤上不能得到滿足刻錄質(zhì)量要求的刻錄參數(shù)時(shí)，光盤刻錄裝置將根據(jù)光盤類型和光盤刻錄速度為待刻寫的DVD+R光盤設(shè)定初始刻錄參數(shù)。
根據(jù)本發(fā)明提供的方法，選擇參數(shù)Pw和dPw作為選定的要優(yōu)化的參數(shù)組中的參數(shù)，這個(gè)參數(shù)組也可以表示成為Phigh(＝Pw+dPw)和dP(＝dPw/Pw)等。
抖動(dòng)值Jitter對(duì)于參數(shù)Phigh和dP的響應(yīng)也具有類似函數(shù)關(guān)系式(1)表示的二階函數(shù)關(guān)系。其他的確定Phigh和dP的步驟按照前述為CD-RW光盤確定光盤刻寫參數(shù)Pw和Pe實(shí)施例的步驟進(jìn)行。不同的是在CCD測(cè)試方案中參數(shù)的取值如表4所示，因?yàn)檫@樣的取值也能得到良好的結(jié)果。
表4參數(shù)dP和Phigh的測(cè)試取值

相應(yīng)的，相應(yīng)于式(4)，在本例中矩陣X表示為式(6)X=10-10101000001-0.50.50.250.25-0.2511010010.5-0.50.250.25-0.251-101001010101-0.5-0.50.250.250.2510.50.50.250.250.25----(6)]]>通過(guò)上面的過(guò)程可以得到對(duì)應(yīng)于DVD+R光盤、能夠達(dá)到刻寫質(zhì)量要求的刻錄參數(shù)。在DVD+R光盤刻錄參數(shù)中，參數(shù)組Ttop和Tlp也是一組十分重要的參數(shù)，也可以通過(guò)這種方法，在dP和Phigh具有了較理想的參數(shù)值后進(jìn)行優(yōu)化。
下面再以為一張DVD+R光盤確定光盤刻寫參數(shù)Phigh和dp以及Ttop和Tlp為例驗(yàn)證本發(fā)明的效果。其他的光盤刻寫策略參數(shù)按照常規(guī)設(shè)置為缺省值。
在刻寫速度為6倍速時(shí)，參數(shù)Phigh和dP的取值范圍和最后確定的Phigh和dP參數(shù)值以及根據(jù)確定的參數(shù)值得出的抖動(dòng)值列于表5中。
表56倍速時(shí)優(yōu)化得到的Phigh和dP

然后根據(jù)表5中確定的6倍速下的Phigh和dP再確定Ttop和Tlp的值，結(jié)果如表6。
表66倍速時(shí)優(yōu)化的Ttop和Tlp

在刻寫速度為8倍速時(shí)，參數(shù)Phigh和dP的取值范圍和最后確定的參數(shù)值以及根據(jù)確定的參數(shù)值得出的抖動(dòng)值列于表7中。
表78倍速時(shí)優(yōu)化確定的Phigh和dP

然后根據(jù)表7中確定的8倍速下的Phigh和dp，再確定Ttop和Tlp的值，結(jié)果如表8。
表88倍速下優(yōu)化確定的Ttop和Tlp

由上面的實(shí)施例可以看出，根據(jù)本發(fā)明提供的方法確定的參數(shù)，可以很好的滿足光盤刻錄質(zhì)量要求。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的確定用于光盤刻錄的參數(shù)的裝置600框圖。裝置600包括一個(gè)設(shè)置裝置610，用于根據(jù)光盤的類型和光盤的刻寫速度設(shè)定初始刻寫參數(shù)。裝置600還可以包括一個(gè)選定裝置620，用于在設(shè)置的初始刻寫參數(shù)中選定一組參數(shù)，這組參數(shù)中的參數(shù)之間具有特定關(guān)聯(lián)性，對(duì)光盤刻寫質(zhì)量具有共同影響作用。如果預(yù)先設(shè)定要優(yōu)化的參數(shù)組，那么選定裝置620也是可以省略的。
裝置600還包括一個(gè)測(cè)試裝置630，在預(yù)設(shè)定的參數(shù)取值范圍內(nèi)，按照預(yù)設(shè)定的測(cè)試方案針對(duì)所述選定的一組參數(shù)進(jìn)行光盤刻寫測(cè)試。預(yù)設(shè)定的 測(cè)試方案可以是根據(jù)DOE中的CCD法設(shè)計(jì)的光盤刻寫測(cè)試方案。
裝置600還包括一個(gè)確定裝置640，用于根據(jù)所述刻寫測(cè)試的結(jié)果，確定所述一組參數(shù)中的各參數(shù)與光盤刻寫質(zhì)量之間的關(guān)系，以獲得所述一組參數(shù)中的優(yōu)化的各參數(shù)值。
根據(jù)裝置600確定的用于光盤刻寫的參數(shù)可以存儲(chǔ)在光盤上，也可以相應(yīng)于各個(gè)光盤存儲(chǔ)在光盤刻寫裝置中。
以上雖然結(jié)合實(shí)施例描述了本發(fā)明，很明顯對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)前面所描述的內(nèi)容作出多種替代、修改、和變化是顯而易見的，因此，所有這樣的替代、修改和變化都應(yīng)該落入本發(fā)明的權(quán)利要求的精神和范圍之中。
權(quán)利要求
1.一種確定用于光盤刻寫的參數(shù)的方法，包括步驟(a)設(shè)置初始光盤刻寫參數(shù)；(b)針對(duì)所述刻寫參數(shù)中的一組參數(shù)進(jìn)行預(yù)設(shè)定次數(shù)的光盤刻寫測(cè)試，該組參數(shù)的各參數(shù)之間具有特定關(guān)聯(lián)性；和(c)根據(jù)所述刻寫測(cè)試的結(jié)果，確定該組參數(shù)中的各參數(shù)與光盤刻寫質(zhì)量之間的關(guān)系，以獲得該組參數(shù)中各參數(shù)相應(yīng)的優(yōu)化參數(shù)值，用于光盤刻寫。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括步驟(d)在所述初始刻錄參數(shù)中選定另一組參數(shù)，該另一參數(shù)組中的各參數(shù)之間具有相應(yīng)的特定關(guān)聯(lián)性，該另一參數(shù)組比步驟(b)中所測(cè)試的參數(shù)組對(duì)光盤刻寫質(zhì)量的影響程度低；(e)針對(duì)該另一參數(shù)組中的各參數(shù)進(jìn)行另一預(yù)設(shè)定次數(shù)的光盤刻寫測(cè)試；和(f)根據(jù)所述對(duì)該另一參數(shù)組所作刻寫測(cè)試的結(jié)果，確定該另一參數(shù)組中的各參數(shù)與光盤刻寫質(zhì)量之間的關(guān)系，以獲得該另一參數(shù)組中各參數(shù)相應(yīng)的優(yōu)化參數(shù)值，用于光盤刻寫。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，步驟(e)所進(jìn)行的光盤刻寫測(cè)試使用步驟(c)所獲得的相應(yīng)的參數(shù)。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，步驟(a)根據(jù)所述光盤的類型設(shè)置所述初始光盤刻錄參數(shù)。
5.如權(quán)利要求1或4所述的方法，其中，步驟(a)根據(jù)光盤刻錄速度設(shè)置所述初始光盤刻錄參數(shù)。
6.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述光盤刻寫測(cè)試根據(jù)參數(shù)組中各參數(shù)的預(yù)設(shè)定的取值范圍和預(yù)定的測(cè)試方案進(jìn)行，其中所述預(yù)設(shè)定次數(shù)由所述預(yù)定測(cè)試方案設(shè)定。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述預(yù)定測(cè)試方案包括中心組合設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)方法的測(cè)試方案。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述參數(shù)組包括光盤刻寫功率參數(shù)。
9.如權(quán)利要求1或8所述的方法，其中，所述參數(shù)組包括光盤擦除功率參數(shù)。
10.如權(quán)利要求1或8所述的方法，其中，所述參數(shù)組包括功率增量參數(shù)(dPw)。
11.如權(quán)利要求1、2或8所述的方法，其中，所述參數(shù)組包括偶數(shù)標(biāo)記冷卻時(shí)間參數(shù)和奇數(shù)標(biāo)記冷卻時(shí)間參數(shù)。
12.如權(quán)利要求1、2或8所述的方法，其中，所述參數(shù)組包括刻錄4T到14T標(biāo)記的開始段的時(shí)間參數(shù)(Ttop)和刻錄4T到14T標(biāo)記時(shí)的結(jié)束段的時(shí)間參數(shù)(Tlp)。
13.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，步驟(b)和步驟(e)所述的光盤刻寫測(cè)試是同時(shí)針對(duì)所述各相應(yīng)的參數(shù)組中的參數(shù)進(jìn)行。
14.一種確定用于光盤刻錄的參數(shù)的裝置，包括一個(gè)設(shè)置裝置，用于設(shè)置初始光盤刻寫參數(shù)；一個(gè)測(cè)試裝置，針對(duì)所述刻寫參數(shù)中的一組參數(shù)進(jìn)行預(yù)設(shè)定次數(shù)的光盤刻寫測(cè)試，該組參數(shù)中的各參數(shù)之間具有特定關(guān)聯(lián)性；和一個(gè)確定裝置，根據(jù)所述刻寫測(cè)試的結(jié)果，確定該組參數(shù)中的各參數(shù)與光盤刻寫質(zhì)量之間的關(guān)系，以獲得該組參數(shù)中各參數(shù)相應(yīng)的優(yōu)化參數(shù)值，用于光盤刻寫。
15.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述設(shè)置裝置根據(jù)光盤的類型和光盤刻寫速度設(shè)置所述初始光盤刻錄參數(shù)。
16.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中，所述光盤刻寫測(cè)試根據(jù)所述參數(shù)組的各參數(shù)預(yù)設(shè)定的取值范圍和預(yù)定的測(cè)試方案進(jìn)行，其中所述預(yù)設(shè)定次數(shù)由所述預(yù)定測(cè)試方案設(shè)定。
17.如權(quán)利要求16所述的裝置，其中，所述預(yù)定測(cè)試方案包括中心組合設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)方法的測(cè)試方案。
18.一個(gè)光盤刻錄裝置，包括一個(gè)光盤驅(qū)動(dòng)裝置，用于驅(qū)動(dòng)一張待刻錄光盤；和一種確定用于光盤刻錄的參數(shù)的裝置，包括，一個(gè)設(shè)置裝置，用于設(shè)置初始光盤刻寫參數(shù)；一個(gè)測(cè)試裝置，針對(duì)所述刻寫參數(shù)中的一組參數(shù)進(jìn)行預(yù)設(shè)定次數(shù)的光盤刻寫測(cè)試，該組參數(shù)中的各參數(shù)之間具有特定關(guān)聯(lián)性；和一個(gè)確定裝置，根據(jù)所述刻寫測(cè)試的結(jié)果，確定該組參數(shù)中的各參數(shù)與光盤刻寫質(zhì)量之間的關(guān)系，以獲得該組參數(shù)中各參數(shù)相應(yīng)的優(yōu)化參數(shù)值，用于所述待刻錄光盤的刻寫。
19.如權(quán)利要求18所述的裝置，其中，所述設(shè)置裝置根據(jù)光盤的類型和光盤刻錄速度設(shè)置所述初始光盤刻錄參數(shù)。
20.如權(quán)利要求18所述的裝置，所述光盤刻寫測(cè)試根據(jù)所述參數(shù)組的各參數(shù)預(yù)設(shè)定的取值范圍和預(yù)定的測(cè)試方案進(jìn)行，其中，所述預(yù)設(shè)定次數(shù)由所述預(yù)設(shè)定測(cè)試方案設(shè)定。
21.如權(quán)利要求20所述的裝置，其中，所述預(yù)定測(cè)試方案包括中心組合設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)方法的測(cè)試方案。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種確定用于光盤刻寫的參數(shù)的方法及裝置。對(duì)于沒(méi)有預(yù)存儲(chǔ)刻寫信息或雖然預(yù)存儲(chǔ)了刻寫信息但不能滿足刻寫質(zhì)量要求的光盤，按照本發(fā)明提供的方法，首先設(shè)置初始的光盤刻錄參數(shù)，然后對(duì)其中相互之間有比較緊密關(guān)聯(lián)性的一組參數(shù)，按照實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)的方法進(jìn)行光盤刻寫測(cè)試，最后根據(jù)光盤刻寫測(cè)試結(jié)果，確定選定優(yōu)化的各參數(shù)與光盤刻寫質(zhì)量之間的關(guān)系，從而根據(jù)這個(gè)關(guān)系獲得各參數(shù)相應(yīng)的優(yōu)化參數(shù)值，用于光盤刻寫。根據(jù)本發(fā)明，可以在有限的時(shí)間和有限的光盤刻寫測(cè)試空間內(nèi)確定優(yōu)化的光盤刻寫參數(shù)。
文檔編號(hào)G11B20/18GK1734584SQ20041005788
公開日2006年2月15日 申請(qǐng)日期2004年8月13日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月13日
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