專利名稱：垂直記錄磁盤設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及垂直記錄磁盤設(shè)備。
背景技術(shù)：
目前正在開發(fā)的垂直記錄磁盤設(shè)備使用了利用單極磁頭向有軟襯層(SUL)和垂直記錄層的所謂垂直雙層介質(zhì)進(jìn)行寫操作的方法。在該垂直記錄磁盤設(shè)備中，利用單極磁頭和軟襯層之間的磁耦合，即從主磁極通過軟襯層向回行軛鐵流動(dòng)的磁通量，將數(shù)據(jù)寫入垂直記錄層。從信號質(zhì)量的觀點(diǎn)看，軟襯層內(nèi)磁化的穩(wěn)定性非常重要。
對垂直記錄磁盤設(shè)備的一項(xiàng)要求是幾乎沒有介質(zhì)噪聲。具體而言，要求不產(chǎn)生尖峰噪聲，彩色寬帶噪聲總體上很低，而且頻率特性小。然而，由于軟襯層的矯頑力Hc很小，所以常常在磁場的影響下形成磁墻。當(dāng)記錄頭從磁疇壁上經(jīng)過時(shí)，在讀信號中就產(chǎn)生尖峰噪聲。因此，要求在軟襯層中很少形成磁疇壁。為達(dá)此目的，采用了一種結(jié)構(gòu)，通過在軟襯層下面形成，例如，硬質(zhì)磁性材料制成的釘扎層，將軟襯層的磁化固定在預(yù)定方位上。
按常規(guī)做法，公開了使用即使在磁場施加于軟襯層時(shí)也很少形成磁疇壁的介質(zhì)(公開出版號為№.2003-109201的日本專利申請說明書)。在該參考資料中，根據(jù)軟襯層面內(nèi)方向上的M-H曲線，獲得了一條直線與M-H曲線和橫坐標(biāo)軸在逆向交會(huì)點(diǎn)(-Hc，0)上的切線之間的交會(huì)點(diǎn)，并且在所述交會(huì)點(diǎn)上的磁場絕對值Hn被作為參數(shù)使用，所述直線連接了第一象限中磁化達(dá)到飽和的點(diǎn)(Hs，Ms)以及M-H曲線與縱坐標(biāo)的正向交會(huì)點(diǎn)(0，Mr)。在該垂直記錄介質(zhì)中，縱向地施加到磁記錄層的最大磁場小于磁場Hn。所以，軟襯層的磁化因保留飽和磁化值而變化，而且M-H曲線不形成小回路。這樣就有可能通過在軟襯層和釘扎層之間的交換耦合相互作用而將磁化保持在同一個(gè)方向上。
如果在釘扎層和軟襯層之間的交換耦合過強(qiáng)，則在施加磁場的時(shí)候在釘扎層內(nèi)的磁化可能會(huì)和在軟襯層內(nèi)的磁化一起倒轉(zhuǎn)。所以，關(guān)于通過適當(dāng)弱化在軟襯層和釘扎層之間的交換耦合力來抑制磁化偏移的方案也已為人所共知(公開出版號為№.2003-162807的日本專利申請說明書)。具體而言，在面內(nèi)硬襯層、中間層、面內(nèi)軟襯層和磁記錄層都堆積在襯底上的磁記錄介質(zhì)中，制成中間層的材料從一組材料中選擇，其中包括飽和磁化小于面內(nèi)硬襯層的磁層、厚度為0.5納米或更小的非磁層以及面內(nèi)硬襯層的氧化層。
導(dǎo)致垂直雙層介質(zhì)中軟襯層的磁化偏出預(yù)定方向的原因包括寫磁頭對釘扎層施加的磁場。為了獲得很高的寫性能，必須加強(qiáng)在記錄層中心的磁頭磁場。然而，當(dāng)該磁頭磁場變強(qiáng)時(shí)，施加到釘扎層的磁場也變強(qiáng)。如果來自寫磁頭的磁場過強(qiáng)，就有可能在軟襯層內(nèi)出現(xiàn)磁化偏移。
在考慮介質(zhì)的可制造性時(shí)，較薄的軟襯層估計(jì)比較受歡迎，因?yàn)榭梢蕴岣哕浺r層的均勻性并減少灰塵。雖然常規(guī)軟襯層的厚度為200至250納米，所瞄準(zhǔn)的未來目標(biāo)厚度則在150納米或更小，而更適宜的厚度為100納米或更小。當(dāng)軟襯層做到如此之薄時(shí)，寫磁頭施加到釘扎層的磁場還要增強(qiáng)，軟襯層內(nèi)的磁化可能很容易偏移。不幸的是，為防止軟襯層內(nèi)磁化偏移的垂直記錄磁盤設(shè)備的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)尚未建立。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的垂直記錄磁盤設(shè)備包括包括釘扎層、軟襯層和垂直記錄層的垂直雙層介質(zhì)；以及包括主磁極、回行軛鐵與勵(lì)磁線圈的寫磁頭，磁化可恢復(fù)磁場大于寫磁頭施加到釘扎層的磁場，釘扎層和軟襯層通過所述磁化可恢復(fù)磁場Hexf可確保磁化恢復(fù)率為1。
在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的垂直記錄磁盤設(shè)備中，如果Tw是主磁極的單位為微米的磁道寬度，PT是主磁極磁頭磁道方向上的單位為微米的尺寸，B(T)是飽和磁通量密度，而t是軟襯層的單位為納米的厚度，則磁化可恢復(fù)磁場滿足以下公式所表述的關(guān)系Hexf＞(((0.264*log(t)+2.77)*B-0.09)*exp(3.48*PT*Tw))*(201*exp(-0.014*t))。


圖1是一幅透視圖，展示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的垂直磁盤設(shè)備的磁盤和磁頭；圖2A展示了軟襯層的厚度t與施加到記錄層中心的磁場Hmax之間的關(guān)系；圖2B展示了軟襯層的厚度t與施加到釘扎層的面內(nèi)磁場Hh之間的關(guān)系；圖3A展示了磁頭主磁極的磁道寬度Tw與施加到記錄層中心的磁場HMAX之間的關(guān)系；圖3B展示了磁頭主磁極的磁道寬度Tw與施加到釘扎層的面內(nèi)磁場Hh之間的關(guān)系；圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的垂直磁盤設(shè)備的平面圖；圖5A展示了外部磁場與讀失真之間的關(guān)系；圖5B展示了讀失真與誤碼率BER之間的關(guān)系。
具體實(shí)施例方式
下面將參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施例加以說明。
圖1是一幅透視圖，展示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的垂直磁盤設(shè)備的磁盤和磁頭?，F(xiàn)在看圖1，該圖利用沿磁道方向通過主磁極中心的剖面圖對磁頭加以說明。如圖1所示，磁盤10的結(jié)構(gòu)方式是將用硬質(zhì)材料制成的釘扎層12、軟襯層13以及用具有垂直各向異性的磁性材料制成的垂直記錄層14都堆積在襯底11上。磁頭20包括寫磁頭30和讀磁頭40。寫磁頭30包括主磁極31、回行軛鐵(屏蔽軛鐵)32以及勵(lì)磁線圈33。讀磁頭40位于寫磁頭30的導(dǎo)引側(cè)，而且在其結(jié)構(gòu)中，巨型磁阻(GMR)部件42設(shè)置在一對屏蔽41之間。
如圖1所示，釘扎層12處于軟襯層13之下，軟襯層13的磁化通過使用交換耦合而固定，因此避免了磁疇壁的形成，并防止產(chǎn)生尖峰噪聲。當(dāng)磁場施加到釘扎層和軟襯層而且隨后磁場被清除時(shí)，如果這些層內(nèi)的磁化返回到原來的狀態(tài)，就可以說沒有出現(xiàn)磁偏移。在本發(fā)明中，如果在所施加的磁場被清除后，釘扎層和軟襯層內(nèi)的磁化完全返回到原來狀態(tài)，這就可以被定義為整體磁化恢復(fù)率。而且，通過施加的最大的磁場，這些層確保整體磁化恢復(fù)率，這里，將所述施加的最大的磁場定義為磁化可恢復(fù)磁場Hexf。
如上所述，在垂直記錄磁盤設(shè)備中，寫磁頭施加到釘扎層的磁場會(huì)導(dǎo)致軟襯層內(nèi)的磁化偏出預(yù)定方向。在本發(fā)明中，可以通過滿足如下關(guān)系，即磁化可恢復(fù)磁場Hexf大于由寫磁頭施加到釘扎層的面內(nèi)磁場，而避免在軟襯層內(nèi)的磁化偏移。
因此下面將對寫磁頭施加到釘扎層的面內(nèi)磁場Hh加以討論。
一種可能影響磁場Hh的因素是軟襯層的厚度t(納米)。也就是說，軟襯層的t越小，寫磁頭與釘扎層的距離就越小，即磁間隔就越小，其結(jié)果是增強(qiáng)了由寫磁頭發(fā)出的磁場。
使用主磁極磁道寬為0.16微米、主磁極磁頭磁道方向上的尺寸PT為0.2微米、主磁極飽和磁通量密度B為2.3T、間隙G為0.1微米的寫磁頭，通過模擬確定了在數(shù)據(jù)寫入磁盤時(shí)施加到包含厚度為t的軟襯層的磁盤上的場強(qiáng)。
圖2A展示了軟襯層的厚度t與施加到記錄層中心的磁場Hmax之間的關(guān)系。圖2B展示了軟襯層的厚度t與施加到釘扎層的面內(nèi)磁場Hh之間的關(guān)系。
如圖2B所示，當(dāng)軟襯層的厚度t下降時(shí)，由寫磁頭施加到釘扎層的面內(nèi)磁場Hh大大增強(qiáng)。例如，當(dāng)軟襯層的厚度t為80納米時(shí)，磁場Hh就為650 Oe(奧斯特)。所以，當(dāng)使用上述尺寸的磁頭時(shí)，軟襯層的厚度t為80納米的磁盤必須具有650 Oe或更大的磁化可恢復(fù)磁場Hexf。
另一種可能影響磁場Hh的因素是主磁極的尺寸，例如，主磁極的磁道寬度Tw。也就是說，主磁極的磁道寬度Tw越小，施加到釘扎層的磁場Hh就越弱。
使用主磁極磁頭磁道方向上的尺寸PT為0.2微米、主磁極飽和磁通量密度B為2.3T以及間隙G為0.1微米的寫磁頭，通過模擬確定了在數(shù)據(jù)寫入磁盤時(shí)施加到包含厚度t為80納米的軟襯層的磁盤上的場強(qiáng)。
圖3A展示了磁頭主磁極的磁道寬度Tw與施加到記錄層中心的磁場Hmax之間的關(guān)系。圖3B展示了磁頭主磁極的磁道寬度Tw與施加到釘扎層的面內(nèi)磁場Hh之間的關(guān)系。例如，當(dāng)主磁極的磁道寬度Tw減小到0.12微米時(shí)，施加到包含厚度t為80納米的軟襯層的磁盤上的磁場Hh大約為610 Oe，小于圖2B所示Tw為0.16微米時(shí)的磁場。因此，該磁盤設(shè)備只需要有610 Oe或更大的磁化可恢復(fù)磁場Hexf。
根據(jù)圖2A至3B所示的結(jié)果，施加到記錄層中心的磁場Hmax、主磁極的磁道寬度Tw(微米)、主磁極磁頭磁道方向上的尺寸PT(微米)、主磁極的飽和磁通量密度B(T)、軟襯層的厚度t(納米)以及由磁頭施加到釘扎層的磁場Hh之間的關(guān)系通過以下公式表示Hmax((0.264*log(t)+2.77)*B-0.09)*exp(3.48*PT*Tw)，Hh/Hmax＝201*exp(-0.014*t)，以及Hh＝(((0.264*log(t)+2.77)*B-0.09)*exp(3.48*PT*Tw))*(201*exp(-0.014*t))。
因此，如果磁化可恢復(fù)磁場Hexf滿足以下公式的條件，就可以克服寫磁頭向釘扎層施加的面內(nèi)磁場而避免軟襯層內(nèi)的磁場偏移Hexf＞(((0.264*log(k)+2.77)*B-0.09)*exp(3.48*PT*Tw))*(201*exp(-0.014*t))。
為了增強(qiáng)磁化可恢復(fù)磁場Hexf，設(shè)想增大釘扎層的厚度或使用具有很高磁各向異性的材料制作釘扎層。還可以通過在釘扎層與軟襯層之間增加飽和磁化低于釘扎層的磁中間層的方法，適當(dāng)減弱在釘扎層與軟襯層之間的交換耦合力，從而抑制軟襯層內(nèi)的磁化偏移。
圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的垂直磁盤設(shè)備的平面圖。磁盤103以可旋轉(zhuǎn)的方式與安裝在基座101上的主軸馬達(dá)箝位器102連接。支臂105由磁盤103近旁的樞軸104支撐。懸掛裝置106與支臂105的末端連接?；瑝K與磁頭107連接懸掛裝置106末端的空氣軸承表面。音圈馬達(dá)(VCM)108位于支臂105的近端一側(cè)。VCM 108有圍繞線軸轉(zhuǎn)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)線圈，以及在驅(qū)動(dòng)線圈兩側(cè)彼此相對的永久磁鐵和反軛鐵(counteryoke)。向VCM 108的驅(qū)動(dòng)線圈提供電流時(shí)，支臂就圍繞樞軸104旋轉(zhuǎn)。
在本發(fā)明中，為了確保釘扎層和軟襯層的磁化可恢復(fù)率為1，在優(yōu)選情況下，考慮在寫磁頭向釘扎層施加的磁場Hh之外由VCM向釘扎層再施加磁場Hv。作為磁場Hv，只要考慮向位于磁盤最外圍、離VCM最近的數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)的釘扎層施加磁場即可。作為由VCM向釘扎層施加的磁場Hv，可以使用位于磁盤最外圍附近的磁強(qiáng)計(jì)所測量的值。
在本發(fā)明中，在優(yōu)選情況下磁化可恢復(fù)磁場Hexf比寫磁頭向釘扎層施加的磁場Hh與VCM向釘扎層施加的磁場Hv的總和還大，即在優(yōu)選情況下保持Hexf＞Hh+Hv。因此，在優(yōu)選情況下滿足以下公式的條件Hexf＞(((0.264*log(k)+2.77)*B-0.09)*exp(3.48*PT*Tw))*(201*exp(-0.014*t))+Hv。
以下將說明利用磁化可恢復(fù)磁場Hexf值各不相同的多個(gè)磁盤對所制造的磁盤設(shè)備所進(jìn)行的評估結(jié)果。進(jìn)行評估使用了主磁極磁道寬為0.2微米、主磁極磁頭磁道方向上的尺寸PT為0.2微米、主磁極飽和磁通量密度B為2.15T的寫磁頭。磁盤設(shè)備的制造利用了兩種類型的磁盤，各有厚度t為120納米的軟襯層，和分別為250和500Oe的磁化可恢復(fù)磁場Hexf。在每部設(shè)備中，VCM向磁盤最外圍的數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)的釘扎層施加的磁場Hv為60Oe。而且，根據(jù)上述公式計(jì)算的由寫磁頭施加到釘扎層的磁場Hh為274Oe。因此，如果磁化可恢復(fù)磁場Hexf為334Oe或更多，則信號質(zhì)量可能會(huì)下降。
實(shí)際上，在使用磁化可恢復(fù)磁場Hexf為250Oe的磁盤的磁盤設(shè)備中已發(fā)現(xiàn)了尖峰噪聲。這表明在軟襯層內(nèi)出現(xiàn)了磁化偏移。對內(nèi)部發(fā)生磁化偏移的磁盤的光學(xué)表面分析儀(OSA)圖像進(jìn)行了檢查。結(jié)果，在磁盤的兩個(gè)部分內(nèi)發(fā)現(xiàn)了主要在徑向方向上的磁疇壁。在形成磁疇壁的部分沒有獲得數(shù)據(jù)。尤其是在磁疇壁延伸到伺服區(qū)的區(qū)域，設(shè)備由于伺服信號丟失而無法運(yùn)行。
相比之下，在使用磁化可恢復(fù)磁場Hexf為500Oe的磁盤的磁盤設(shè)備中未發(fā)現(xiàn)尖峰噪聲，這表明沒有出現(xiàn)磁化偏移。此外，沒有因?yàn)閿?shù)據(jù)丟失或伺服丟失而出現(xiàn)故障，而且設(shè)備的運(yùn)行沒有問題。
下面將說明利用磁化可恢復(fù)磁場Hexf值相同而軟襯層厚度t不同的多個(gè)磁盤對所制造的磁盤設(shè)備所進(jìn)行的評估結(jié)果。像上面的評估一樣，該評估使用了主磁極磁道寬Tw為0.2微米、主磁極磁頭磁道方向上的尺寸PT為0.2微米、主磁極飽和磁通量密度B為2.15T的寫磁頭。磁盤設(shè)備的制造也使用了3種類型的磁盤，其軟襯層厚度分別為120、150和180納米，而磁化可恢復(fù)磁場Hexf均為300Oe。在每部設(shè)備中，VCM向磁盤最外圍的數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)的釘扎層施加的磁場Hv為60Oe。而且，根據(jù)上述公式計(jì)算的由寫磁頭施加到釘扎層的磁場Hh分別為275Oe(t＝120納米時(shí))、182Oe(t＝150納米時(shí))和120Oe(t＝180納米時(shí))。因此，如果各部設(shè)備的磁化可恢復(fù)磁場Hexf分別為315Oe或更多(t＝120納米時(shí))、242Oe或更多(t＝150納米時(shí))和180Oe或更多(t＝180納米時(shí))，則信號質(zhì)量可能會(huì)下降。
實(shí)際上，在使用軟襯層厚度t為120納米的磁盤的磁盤設(shè)備中已發(fā)現(xiàn)了尖峰噪聲。其結(jié)果是沒有獲得數(shù)據(jù)或設(shè)備由于伺服信號丟失而無法運(yùn)行。
相比之下，在使用軟襯層厚度t分別為150和180納米的磁盤的磁盤設(shè)備中未發(fā)現(xiàn)尖峰噪聲，所以，沒有因?yàn)閿?shù)據(jù)丟失或伺服丟失而出現(xiàn)故障，而且設(shè)備的運(yùn)行沒有問題。
此外，在寫磁頭向釘扎層施加的磁場Hh和VCM向釘扎層施加的磁場Hv之外還可向磁盤設(shè)備施加外部磁場。尤其是當(dāng)磁盤設(shè)備要在移動(dòng)中使用時(shí)，應(yīng)考慮外部磁場的影響。如果外部磁場為Ht，在優(yōu)選情況下可恢復(fù)磁場Hexf滿足以下關(guān)系Hexf＞Hh+Hv+Ht，以便保持磁化恢復(fù)率為1，避免磁化偏移。
像上面的評估一樣，該評估使用了主磁極磁道寬Tw為0.2微米、主磁極磁頭磁道方向上的尺寸PT為0.2微米、主磁極飽和磁通量密度B為2.15T的寫磁頭。磁盤設(shè)備的制造使用了軟襯層厚度t為150納米和磁化可恢復(fù)磁場Hexf為400Oe的磁盤。由VCM向磁盤最外圍的數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)的釘扎層施加的磁場Hv為60Oe。而且，根據(jù)上述公式計(jì)算的由磁頭施加到釘扎層的磁場Hh為182Oe。
具有50、100、150、200和250Oe的外部磁場從磁盤設(shè)備的上方位置施加。其結(jié)果是，當(dāng)外部磁場為200Oe或更小時(shí)，沒有發(fā)現(xiàn)尖峰噪聲，表明沒有出現(xiàn)磁化偏移。此外，沒有因?yàn)閿?shù)據(jù)丟失或伺服丟失而出現(xiàn)故障，而且設(shè)備的運(yùn)行沒有問題。然而，當(dāng)施加的外部磁場為250Oe時(shí)，發(fā)現(xiàn)了尖峰噪聲，表明在軟襯層中出現(xiàn)了磁化偏移。
當(dāng)施加外部磁場時(shí)，GMR部件在讀磁頭中的使用增大了讀失真和誤碼率(BER)。根據(jù)這一觀點(diǎn)還定義了可允許的外部磁場。
圖5A展示了外部磁場與讀失真之間的關(guān)系。根據(jù)圖5A，當(dāng)外部磁場為200Oe或更大時(shí)，讀失真就超出了15％。圖5B展示了讀失真與誤碼率BER之間的關(guān)系。根據(jù)圖5B，當(dāng)讀失真超出15％時(shí)，BER就變成比沒有讀失真時(shí)小-0.8個(gè)數(shù)量級。根據(jù)這些結(jié)果，為了避免BER惡化，外部磁場最好為200Oe或更小。因此，在優(yōu)選情況下可恢復(fù)磁場Hexf滿足以下公式所表述的關(guān)系Hexf＞(((0.264*log(t)+2.77)*B-0.09)*exp(3.48*PT*Tw))*(201*exp(-0.014*t))+Hv+200。
本領(lǐng)域技術(shù)人員將很容易地想到其它一些優(yōu)點(diǎn)和修改的地方。因此，從更寬的方面講，本發(fā)明不只限于以上所顯示和說明的特定細(xì)節(jié)和具有代表性的實(shí)施例。在不違背所附權(quán)利要求書及其等效文件所定義的總體發(fā)明設(shè)想的實(shí)質(zhì)和范圍的前提下，可相應(yīng)地作出各種修改。
權(quán)利要求
1.一種垂直記錄磁盤設(shè)備，其特征在于，該設(shè)備包括包括釘扎層(12)、軟襯層(13)和垂直記錄層(14)的垂直雙層介質(zhì)(10)；以及包括主磁極(31)、回行軛鐵(32)與勵(lì)磁線圈(33)的寫磁頭(30)，磁化可恢復(fù)磁場Hexf大于寫磁頭(30)施加到釘扎層(12)的磁場，通過所述磁化可恢復(fù)磁場，釘扎層(12)和軟襯層(13)可確保整體磁化恢復(fù)率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的設(shè)備，其特征在于，如果Tw是主磁極(31)的單位為微米的磁道寬度，PT是主磁極(31)磁頭磁道方向上的單位為微米的尺寸，B(T)是飽和磁通量密度，而t是軟襯層(13)的單位為納米的厚度，則磁化可恢復(fù)磁場Hexf滿足以下公式所表述的關(guān)系Hexf＞(((0.264*log(t)+2.77)*B-0.09)*exp(3.48*PT*Tw))*(201*exp(-0.014*t))。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的設(shè)備，其特征在于，如果Tw是主磁極(31)的單位為微米的磁道寬度，PT是主磁極(31)磁頭磁道方向上的單位為微米的尺寸，B(T)是飽和磁通量密度，t是軟襯層(13)的單位為納米的厚度，而Hv是音圈馬達(dá)(108)向垂直雙層介質(zhì)(10)最外圍上的釘扎層(12)所施加的磁場，則磁化可恢復(fù)磁場Hexf滿足以下公式所表述的關(guān)系Hexf＞(((0.264*log(t)+2.77)*B-0.09)*exp(3.48*PT*Tw))*(201*exp(-0.014*t))+Hv。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的設(shè)備，其特征在于，如果Tw是主磁極(31)的單位為微米的磁道寬度，PT是主磁極(31)磁頭磁道方向上的單位為微米的尺寸，B(T)是飽和磁通量密度，t是軟襯層(13)的單位為納米的厚度，而Hv是音圈馬達(dá)(108)向垂直雙層介質(zhì)(10)最外圍上的釘扎層(12)所施加的磁場，而且如果最大外部磁場為200(Oe)，則磁化可恢復(fù)磁場滿足以下公式所表述的關(guān)系Hexf＞(((0.264*log(t)+2.77)*B-0.09)*exp(3.48*PT*Tw))*(201*exp(-0.014*t))+Hv+200。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的設(shè)備，其特征在于，軟襯層(13)的厚度為150納米或更小。
全文摘要
一種垂直記錄磁盤設(shè)備，該設(shè)備包括包含釘扎層(12)、軟襯層(13)和垂直記錄層(14)的垂直雙層介質(zhì)(10)，以及包含主磁極(31)、回行軛鐵(32)與勵(lì)磁線圈(33)的寫磁頭。在該設(shè)備中，磁化可恢復(fù)磁場Hexf大于寫磁頭(30)施加到釘扎層(12)的磁場，通過所述磁化可恢復(fù)磁場，釘扎層(12)和軟襯層(13)可確保磁化恢復(fù)率為1。
文檔編號G11B5/012GK1627371SQ20041009589
公開日2005年6月15日 申請日期2004年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月28日
發(fā)明者青柳由果 申請人:株式會(huì)社東芝