專利名稱：多磁道磁頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁頭，更詳細地說，本發(fā)明涉及一種對應(yīng)于高保磁力的多磁道磁頭。
背景技術(shù)：
以往的多磁道磁頭的結(jié)構(gòu)如圖18～21所示。例如，這種磁頭101為所謂寬寫入/窄讀取磁頭，其設(shè)有頭部102，該頭部由斷面大致為コ字形狀且卷繞有記錄用線圈111的記錄用芯部112，斷面大致為コ字形狀、芯部寬度小于記錄用芯部112且卷繞有再現(xiàn)用線圈113的再現(xiàn)用芯部114構(gòu)成。
如圖18所示，再現(xiàn)用芯部114位于記錄用芯部112的芯部寬度的范圍內(nèi)。所述再現(xiàn)用芯部114以夾持形成磁隙的墊片15的方式對接記錄用芯部112，以形成記錄用芯部112和環(huán)路狀磁路。在再現(xiàn)用芯部114的芯部寬度方向兩側(cè)以夾持層疊墊片116、116的方式設(shè)置側(cè)部芯部117、117。側(cè)部芯部117、117以夾持間隙墊片115的方式與記錄用芯部112的兩側(cè)端部對接。記錄用線圈111與圖中未示出的記錄電路相連，所述記錄電路用于通過磁芯112、114對磁卡的各個磁道記錄磁數(shù)據(jù)。另外，再現(xiàn)用線圈113與圖中未示出的再現(xiàn)電路相連，所述再現(xiàn)電路用于通過磁芯112、114對磁卡的各個磁道記錄磁數(shù)據(jù)。
磁道101例如為設(shè)有2個頭部102、102的2磁道磁頭，且具有對2個數(shù)據(jù)磁道進行記錄和再現(xiàn)磁數(shù)據(jù)的功能。
但是，隨著近些年來磁卡的高保磁力(高保磁)化，要求采用與高保磁力對應(yīng)的磁頭。
然而，在寫入或讀取高保磁力(高保磁)卡(例如，27500e217250A/m左右)時與寫入或讀取低保磁力卡(例如，3000e23700A/m左右)時相比，芯部材料的透磁率較小，另外，由于必須利用大電流寫入等原因，因此，在以往的磁頭101中，某一磁道的磁信號會泄漏至其它的磁道中，從而出現(xiàn)所謂串?dāng)_的問題。
此處，作為串音的具體不良情況，例如，列舉了在讀取輸出上載入鄰接磁道上的數(shù)據(jù)的現(xiàn)象。例如，如圖22中所示的再現(xiàn)輸出波形那樣，會發(fā)生圖中箭頭P所示的額外峰值，控制部會將其確認為峰值，從而產(chǎn)生讀取誤差。
另外，作為其它不良情況，存在的問題有在將低保磁力卡誤認為高保磁力卡而寫入的情況下，也會重寫寫入鄰接磁道的數(shù)據(jù)，從而破壞數(shù)據(jù)。
實用新型內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種對應(yīng)于高保磁力且可降低串音的多磁道磁頭。
為了實現(xiàn)上述目的，權(quán)利要求1記載的發(fā)明提供了一種多磁道磁頭，其中，相對于多個數(shù)據(jù)磁道設(shè)置多個頭部，這些頭部由至少以夾持磁隙的方式相對設(shè)置的至少一對磁芯構(gòu)成，其中以頭部的寬度朝離開磁隙的方向減小的方式形成磁芯。
因此，能夠防止在相鄰的頭部之間的、一個頭部的磁信號影響另一個頭部，從而減小串音。
另外，權(quán)利要求2記載的發(fā)明為，在權(quán)利要求1的多磁道磁頭中，以沿磁媒體輸送方向，從所述磁隙至至少0.3mm具有記錄寬度的方式形成上述磁芯。
因此，在減小各個頭部之間的磁信號的影響的同時，能夠確保磁數(shù)據(jù)低記錄所必需的記錄寬度。
另外，權(quán)利要求3記載的發(fā)明為，在權(quán)利要求1或2所述的多磁道磁頭中所述頭部由卷繞記錄用線圈卷繞而成的記錄用芯部，芯部寬度小于記錄用芯部線圈且卷繞再現(xiàn)用線圈卷繞而成的再現(xiàn)用芯部，設(shè)置在再現(xiàn)用芯部兩側(cè)的側(cè)部芯部構(gòu)成。
因此，在具有磁數(shù)據(jù)記錄和再現(xiàn)功能的多磁道磁頭中，可使用本發(fā)明。
另外，權(quán)利要求4記載的發(fā)明為，在權(quán)利要求1～3中任意一項所述的多磁道磁頭，其中所述頭部形成有臺階部。
在這種情況下，以頭部寬度朝離開磁隙的方向減小的方式設(shè)置臺階部，因此能夠減小各個槽道之間的磁信號的影響。


圖1為示意性平面圖，其顯示了適用本發(fā)明的多磁道磁頭的一個例子。
圖2為該磁頭的示意性側(cè)視圖。
圖3為該磁頭的示意性正視圖。
圖4為示意性平面圖，其顯示了該磁頭中頭部的一個例子。
圖5為示意性平面圖，其顯示了該磁頭中頭部的一個例子，(A)為側(cè)視圖，(B)為正面圖，(C)為底視圖。
圖6為示意圖，其顯示了該磁頭中頭部的一個例子，(A)為側(cè)視圖，(B)為正面圖，(C)為底視圖。
圖7為顯示該磁頭的頭部的一個例子的示意性透視圖。
圖8為曲線圖，其顯示了記錄高保磁力卡時的飽和特性和重寫特性的一個例子。
圖9為曲線圖，其顯示了記錄低保磁力卡時的飽和特性和過調(diào)節(jié)特性的一個例子。
圖10為顯示以往磁頭的輸出波形的視圖，箭頭P顯示了所示額外峰值的場所。
圖11顯示了本發(fā)明的磁頭的輸出波形的視圖。
圖12為示意性平面圖，其顯示了適用本發(fā)明的多磁道磁頭的其它例子。
圖13為示意性平面圖，其顯示了適用本發(fā)明的多磁道磁頭的其它例子。
圖14為示意性平面圖，其顯示了適用本發(fā)明的多磁道磁頭的其它例子。
圖15為示意性平面圖，其顯示了適用本發(fā)明的多磁道磁頭的其它例子。
圖16為示意性平面圖，其顯示了適用本發(fā)明的多磁道磁頭的的頭部的其它例子。
圖17為示意性平面圖，其顯示了適用本發(fā)明的多磁道磁頭的的頭部的其它例子。
圖18為示意性平面圖，其顯示了以往多磁道磁頭的頭部的其它例子。
圖19為該磁頭的示意性側(cè)視圖。
圖20為該磁頭的示意性正視圖。
圖21為顯示該磁頭的頭部的示意性透視圖。
圖22為顯示以往磁頭的輸出波形的視圖，箭頭P顯示了所示額外峰值的場所。
具體實施方式
下面，根據(jù)附圖所示的實施例詳細說明本發(fā)明的結(jié)構(gòu)。
在圖1～圖7中，顯示了本發(fā)明的多磁道磁頭。在所述多磁道磁頭1(以下，稱為磁頭1)中，相對于數(shù)據(jù)磁道設(shè)有多個夾持磁隙G方式相對設(shè)置的至少一對磁芯構(gòu)成的頭部2，頭部2的寬度向離開磁隙G的方向減小，以形成磁芯。
例如，在本實施例中，頭部2由卷繞記錄用線圈11卷繞而成的記錄用芯部3，芯部寬度小于記錄用芯部3且卷繞再現(xiàn)用線圈卷繞而成的再現(xiàn)用芯部4，設(shè)置在再現(xiàn)用芯部4兩側(cè)的側(cè)部芯部5、5構(gòu)成。本實施例中的磁芯指記錄用芯部3，再現(xiàn)用芯部4，側(cè)部芯部5。
在本實施例中，如圖1所示，例如，在記錄用線圈3，側(cè)部芯部5、5上形成有臺階部，頭部2的寬度與磁隙G附近的寬度相比，向離開磁隙G的方向減小。在圖5中顯示了具有這種情況的記錄用芯部3形狀的一個例子，在圖6中顯示了側(cè)部芯部5形狀的一個例子。通過利用具有這種形狀的記錄用芯部3和側(cè)部芯部5、5構(gòu)成頭部2，能夠防止在相鄰的頭部2之間，一個頭部2的磁信號影響另一個頭部2，以防止串音的產(chǎn)生。
另外，在本實施例中，在從磁隙G、向磁媒體輸送方向至圖中L1所示的至少0.3mm之間，以具有圖中L2所示記錄寬度的方式形成記錄用芯部3和側(cè)部芯部5、5的臺階部。以此方式，在抑制串音發(fā)生的同時，能夠確保磁數(shù)據(jù)記錄所必需的記錄寬度。
另外，例如，記錄用芯部3，再現(xiàn)用芯部4和側(cè)部芯部5的縱向剖面可以形成大致コ字形狀。
再現(xiàn)用芯部4位于記錄用芯部3的記錄寬度L2的范圍內(nèi)。再現(xiàn)用芯部4夾持形成磁隙G的間隙墊片10并與記錄用線圈3對接，以便與記錄用芯部3一同形成環(huán)狀磁路。在再現(xiàn)用芯部4的芯部寬度方向的兩側(cè)，以夾持層疊墊片6、6的方式設(shè)置側(cè)部芯部5、5。側(cè)部芯部5、5以夾持間隙墊片10的方式與記錄用線圈3的兩側(cè)端部對接。記錄用線圈11通過記錄用芯部3，再現(xiàn)用芯部4和側(cè)部芯部5，與相對磁卡的多個磁道記錄磁數(shù)據(jù)的未圖示的記錄回路相連。另外，再現(xiàn)用線圈12通過記錄用芯部3和再現(xiàn)用芯部4與使磁卡中各個磁道的磁數(shù)據(jù)再現(xiàn)的圖中未示出的再現(xiàn)回路相連。記錄用線圈3，再現(xiàn)用芯部4，側(cè)部芯部5例如采用了坡莫合金、仙臺鐵硅鋁磁性合金、鐵素體等磁性材料并以規(guī)定形狀形成的芯部或者層疊多個薄板狀金屬磁性材料并形成規(guī)定芯部厚度的芯部等。另外，各個墊片6、6、10例如使用了非磁性材料。
磁頭1例如以下面所述的方式裝配而成。記錄用芯部3，再現(xiàn)用芯部4，和側(cè)部芯部5、5設(shè)置固定在例如由黃銅材料等形成的框架7上。之后，對它們的對接面研磨并以夾持間隙墊片10的方式使它們對接，在框架7中填充樹脂8并使其凝固形成為一體。在樹脂8凝固后，以規(guī)定的極率半徑研磨頭部2，以便能夠與磁卡實現(xiàn)良好的接觸。另外，在磁頭1上例如裝配有接地用部件9，以防止磁頭1帶電。
另外，以與規(guī)定數(shù)量的數(shù)據(jù)磁道相對應(yīng)的方式，將規(guī)定數(shù)量的頭部2設(shè)置在框架7上。例如，在本實施例中，通過2個頭部2形成具有ICH和2CH兩個槽道的磁頭1。另外，槽道數(shù)量，即頭部2的數(shù)量不應(yīng)局限于2個。
在圖8中顯示了磁頭1以及以往磁頭的高保磁力卡的飽和特性和重寫特性的一個例子，在圖9中顯示了低保磁力卡的飽和特性和過調(diào)節(jié)特性的一個例子。過調(diào)節(jié)的特性(在本說明書中稱為過調(diào)節(jié)特性)意味著例如利用相同的1CH在由1CH記錄的初期數(shù)據(jù)a上寫入數(shù)據(jù)b時的特性，過調(diào)節(jié)特性(dB)＝-20log(Vb/Va)。Va為由在所述寫入之后讀取1CH時的初期數(shù)據(jù)a產(chǎn)生的輸出。Vb為由在所述寫入之后讀取1CH時的寫入數(shù)據(jù)b產(chǎn)生的輸出。在圖8以及圖9中，飽和特性的輸出值為縱向軸左側(cè)，而過調(diào)節(jié)特性的輸出值為縱向軸右側(cè)，記錄電流值為橫軸，由箭頭A，C顯示的曲線分別顯示了飽和特性，而由箭頭B，D所示的曲線分別顯示了過調(diào)節(jié)特性。
記錄電流帶有余力，應(yīng)使用為通常飽和的80％輸出的2.5～3.5倍左右的電流。在這種情況下，例如，磁頭1的適當(dāng)記錄電流對于低保磁力卡而言，為22mAO-P，對于高保磁力卡而言，為210mAO-P。
作為磁鐵1和以往的磁頭，對于該高保磁力卡以及低保磁力卡而言，飽和特性以及過調(diào)節(jié)特性均是不變的，并由圖8，圖9中所示的同一曲線顯示。因此，磁頭1具有與以往磁頭相同的磁數(shù)據(jù)記錄性能。
接著，由于了解了通過本發(fā)明的磁頭1能夠降低串音，因此，進行下面的2個實驗。
作為實驗1，利用低保磁力卡，以低保磁力的適當(dāng)記錄電流寫入2CH后，在1CH中以高保磁力的適當(dāng)記錄電流讀取，根據(jù)2CH的輸出，以磁頭1和以往的磁頭比較1CH，2CH的數(shù)據(jù)成分。即，測定并比較磁頭1和以往磁頭對相鄰磁道的過調(diào)節(jié)特性。此處，對相鄰磁道的過調(diào)節(jié)特性意味著例如，對相鄰磁道的過調(diào)節(jié)特性(dB)＝-20log(Vc/Vd)。Vc為由在寫入后讀取2CH時的數(shù)據(jù)c產(chǎn)生的輸出。Vd為由在寫入后讀取2CH時的數(shù)據(jù)d產(chǎn)生的輸出。
作為實驗2，利用高保磁力卡，在2CH中以高保磁力的適當(dāng)記錄電流讀取后，以由磁頭1和以往的磁頭比較2CH的輸出波形。
上述實驗結(jié)果分別如下所述。
作為實驗1的結(jié)果，對于磁頭1而言，對相鄰磁道的過調(diào)節(jié)特性(dB)為-33～-36dB，以往磁頭為-23～-27dB。作為通常的卡片閱讀機，必須在-30dB以下，因此，在采用以往磁頭的情況下，在利用高保磁力的適當(dāng)寫入電流寫入低保磁力卡片時會出現(xiàn)問題，而對磁頭1而言，該問題則會大大改善。
作為實驗2的結(jié)果，磁頭1的輸出波形如圖11所示，以往的磁頭輸出波形如圖10所示。以往的磁頭輸出波形具有由圖10中箭頭P所示的額外峰值，因而存在會產(chǎn)生讀數(shù)誤差的問題，而磁頭1的輸出波形為沒有額外峰值，因此能夠改善產(chǎn)生讀數(shù)誤差的問題。
如上所述，采用本發(fā)明的多磁道磁頭，各個頭部2在磁芯(在本實施例中，為記錄用芯部3，側(cè)部芯部5、5)上形成有臺階部，以便各個頭部2的寬度沿離開磁隙G的方向減小，因此，能夠降低槽道之間的磁信號的影響，從而能降低串音。
另外，由于記錄用芯部3與側(cè)部芯部5、5的臺階部以沿磁媒體輸送方向，從磁隙G至圖中L1所示的至少0.3mm之間具有記錄寬度L2的方式形成，因此，能夠確保磁數(shù)據(jù)記錄所必需的記錄寬度。
另外，上述實施例不應(yīng)局限于本發(fā)明的最佳實施例的一個例子，在不脫離本發(fā)明思想的情況下可作出各種變形。
例如，不應(yīng)局限于在整個磁道的頭部2形成臺階部，例如，如圖12所示，也可以僅在奇數(shù)槽道的頭部2上設(shè)置臺階，而在偶數(shù)磁道上使用沒有臺階部的頭部2a。
另外，磁芯的形狀不應(yīng)局限于以頭部2的寬度向離開磁隙G的兩個方向減小的方式，在夾持磁隙G對接的兩個磁芯上設(shè)置臺階部。例如，如圖13至圖15所示的頭部2b或頭部2c那樣，也可以在一個磁芯上設(shè)置臺階部，以使頭部2的寬度向離開磁隙G的一個方向減小。例如，頭部2b僅在記錄用芯部3上設(shè)置臺階部，頭部2c僅在側(cè)部芯部5、5設(shè)置臺階部。
在這些情況下，能夠降低制造成本，并獲得與上述實施例相似的效果。
另外，用于實現(xiàn)頭部2的寬度沿離開磁隙G的方向減小的磁芯的形狀不應(yīng)局限于設(shè)置臺階部。例如，如圖16所示，也可以采用這樣的磁芯，即隨著離開磁隙G，使頭部2的寬度連續(xù)減小。另一方面，如圖17所示，也可以使再現(xiàn)用芯部4的一部分形成切口，并設(shè)置臺階部。在這種情況下，在從磁隙G向磁媒體的輸送方向到達至少0.3mm之間，具有記錄寬度L2，因此，能夠確保磁數(shù)據(jù)記錄所必需的記錄寬度。
如上所述，在權(quán)利要求1記載的多磁道磁頭中，由于以所述頭部的寬度以朝離開所述磁隙的方向減小的方式形成所述磁芯，因此，能夠減小在各個槽道之間的磁信號泄漏的影響，從而減小串音。
另外，在權(quán)利要求2記載的多磁道磁頭中，由于以從磁隙沿磁媒體輸送方向至至少0.3mm具有記錄寬度的方式形成磁芯，因此，在能夠減小串音的同時，頭部能夠確保磁數(shù)據(jù)記錄所必需的記錄寬度。
另外，在權(quán)利要求3記載的多磁道磁頭中，由于頭部由卷繞記錄用線圈卷繞而成的記錄用芯部，芯部寬度小于記錄用芯部線圈且卷繞再現(xiàn)用線圈卷繞而成的再現(xiàn)用芯部，設(shè)置在再現(xiàn)用芯部兩側(cè)的側(cè)部芯部構(gòu)成，因此，可以將本發(fā)明用于具有磁數(shù)據(jù)記錄以及再現(xiàn)功能的多磁道磁頭。
另外，在權(quán)利要求4記載的多磁道磁頭中，由于所述頭部形成有臺階部，因此，通過沿頭部寬度向離開磁隙的方向減小的方式設(shè)置臺階部，從而能夠容易地獲得可減小串音的形狀。
權(quán)利要求1.一種多磁道磁頭，相對于多個數(shù)據(jù)磁道設(shè)置多個頭部，這些頭部由至少以夾持磁隙的方式相對設(shè)置的至少一對磁芯構(gòu)成，其特征在于以所述頭部的寬度朝離開所述磁隙的方向減小的方式形成所述磁芯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多磁道磁頭，其特征在于以沿磁媒體輸送方向，從所述磁隙至至少0.3mm具有記錄寬度的方式形成上述磁芯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多磁道磁頭，其特征在于所述頭部由卷繞記錄用線圈卷繞而成的記錄用芯部，芯部寬度小于記錄用芯部線圈且卷繞再現(xiàn)用線圈卷繞而成的再現(xiàn)用芯部，設(shè)置在再現(xiàn)用芯部兩側(cè)的側(cè)部芯部構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多磁道磁頭，其特征在于所述頭部形成有臺階部。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多磁道磁頭，其特征在于所述頭部形成有臺階部。
專利摘要本實用新型提供一種降低串音的多磁道磁頭1，其中，相對于多個數(shù)據(jù)磁道設(shè)置多個頭部2，這些頭部由以至少以夾持磁隙G的方式相對設(shè)置的至少一對磁芯構(gòu)成，其中以所述頭部2的寬度朝離開所述磁隙G的方向減小的方式形成所述磁芯。
文檔編號G11B5/127GK2741144SQ20042011833
公開日2005年11月16日 申請日期2004年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月13日
發(fā)明者堀口昌男, 工藤克志, 久保江二郎 申請人:北京泰和磁記錄制品有限公司