專利名稱：相變型信息記錄媒體及其制法、濺射靶以及相變型信息記錄媒體的使用方法及光記錄裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種相變型信息記錄媒體(以下，有時稱為「相變型光信息記錄媒體」「光記錄媒體」「光信息記錄媒體」「信息記錄媒體」)以及該相變型信息記錄媒體的制造方法、濺射靶、以及相變型信息記錄媒體的使用方法及光記錄裝置，所述相變型信息記錄媒體是通過照射激光使構(gòu)成相變記錄層的材料產(chǎn)生光學(xué)變化，從而可以進(jìn)行信息的記錄、再生、清除以及重寫的至少任意一種相變型信息記錄媒體。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在，對于DVD類的記錄層材料，開發(fā)了可以2.5倍速(約8.5m/s)的速度記錄的系統(tǒng)，并且，對高速記錄的要求也日漸提高。因此，關(guān)于各種相變記錄層材料的研究也正在開展。例如，提出了AgInSbTe類材料(參照專利文獻(xiàn)1)、GeGaSbTe類材料(參照專利文獻(xiàn)2)、GeInSbTe類材料(參照專利文獻(xiàn)3)、InSbSn類材料(參照專利文獻(xiàn)4和5)等。
這些當(dāng)中，作為用于DVD+RW的相變記錄層材料，有改良了以前在CD-RW中采用的AgInSbTe類材料，其是可以高線速記錄和清除的材料。該AgInSbTe類材料，為了對應(yīng)于高線速記錄區(qū)域的記錄速度，使用了Sb的含量比CD-RW對應(yīng)的記錄材料增多的材料?？墒?，高Sb組成比的材料，雖然結(jié)晶化速度變快，但存在結(jié)晶化溫度降低這樣的問題。已知結(jié)晶化溫度的降低牽連到保存信賴性的惡化。這樣的相變型信息記錄媒體的保存信賴性的問題，通過增加相變記錄層記錄材料中的Ag、或添加Ge等第5元素，甚至是DVD4倍速媒體，也可以抑制到實(shí)用上不成問題的程度?？墒牵绻麨榱诉_(dá)到更加高線速記錄而增加Sb量，結(jié)晶化溫度急劇下降，非晶形特征(アモルフアスマ一ク)的穩(wěn)定性變得非常差。由此可以推斷，使用了AgInSbTe類材料的高速記錄媒體的實(shí)用化，DVD4倍速左右是極限。
另一方面，作為4倍速或4倍速以上的高速記錄用材料，還研究了GaSb類材料。該GaSb類材料可以高速記錄，同時保存可靠性也優(yōu)異?？墒牵捎贕aSb類材料熔點(diǎn)高達(dá)600℃，存在記錄靈敏度低、為了高速記錄需要高功率的缺點(diǎn)。另外，為了用GaSb材料進(jìn)行高速化，有必要通過增加Sb含量來加速結(jié)晶化速度。可是，如果Sb量達(dá)到90原子％或90原子％以上，由于Sb分相，產(chǎn)生初期結(jié)晶化不能均勻地進(jìn)行這樣的問題。如果初期結(jié)晶化不能均勻地進(jìn)行，由于從初次記錄重復(fù)到第10次的初期記錄特性顯著惡化，因此存在不能實(shí)用化的問題。
因此，現(xiàn)狀是初期結(jié)晶化容易，即使是在與DVD-ROM同容量并且記錄線速為10倍或10倍以上的高線速下記錄靈敏度也良好、并可以反復(fù)記錄，同時保存可靠性也優(yōu)異的相變型信息記錄媒體及其關(guān)聯(lián)技術(shù)仍然沒有得到，并期望它的早日實(shí)現(xiàn)。
專利文獻(xiàn)1特開2000-339751號公報(bào)專利文獻(xiàn)2特開2002-225437號公報(bào)專利文獻(xiàn)3特開2002-264515號公報(bào)專利文獻(xiàn)4特開平9-286174號公報(bào)專利文獻(xiàn)5特開平9-286175號公報(bào)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種相變型信息記錄媒體以及用于制造相變型信息記錄媒體的濺射靶，所述相變型信息記錄媒體是初期結(jié)晶化容易、即使是在與DVD-ROM同容量并且記錄線速為10倍或10倍以上的高線速下記錄感度也良好，并可以反復(fù)記錄，同時保存可靠性也優(yōu)異的相變型信息記錄媒體。
另外，以CAV(Constant Angular Velocity恒定角速度，轉(zhuǎn)數(shù)一定)記錄方式在相變型信息記錄媒體上記錄信息時，由于記錄線速因半徑位置而異，因此需要在寬的記錄線速區(qū)域反復(fù)記錄特性優(yōu)異的相變型信息記錄媒體。因此，本發(fā)明的目的在于提供一種與DVD-ROM相同容量并且在寬的記錄線速區(qū)域反復(fù)記錄特性良好的相變型信息記錄媒體和用于制造該相變型信息記錄媒體的濺射靶以及相變型信息記錄媒體的使用方法和光記錄裝置。
為了解決上述課題，本發(fā)明者們進(jìn)行了深刻的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過使用Sn、Sb、Ga以及Ge為主成分(90原子％或90原子％以上)的合金作為構(gòu)成相變記錄層的材料，可以提供具有良好的靈敏度(比GaSb類熔點(diǎn)還低)，例如使用波長660nm、透鏡NA＝0.65的DVD類記錄系統(tǒng)時，在約35m/s或35m/s以上的記錄速度下具有充分的記錄靈敏度、并得到良好的重寫特性以及保存信賴性、與DVD-ROM相同容量并且在寬的記錄線速區(qū)域反復(fù)記錄特性良好的相變型信息記錄媒體。
本發(fā)明是基于本發(fā)明者們提出的上述見解而作成的，作為用于解決上述課題的措施如下。即<1>一種相變型信息記錄媒體，其特征在于，該相變型信息記錄媒體是具有基板、和在該基板上以下面的順序或相反的順序的任意一種順序至少具有第1保護(hù)層、相變記錄層、第2保護(hù)層以及反射層而形成的，上述相變記錄層含有下式1表示的組成。在該<1>記載的相變型信息記錄媒體中，由于相變記錄層含有下式1表示的組成，因此可以得到保存穩(wěn)定性優(yōu)異，與DVD-ROM相同容量并可以以DVD的3倍速或3倍速以上的記錄線速反復(fù)記錄的相變型信息記錄媒體。
SnαSbβGaγGeδTeε-Xζ上式1中，X表示選自Ag、Zn、In以及Cu的至少1種元素，α、β、γ、δ、ε以及ζ表示各自元素的組成比率(原子％)，5≤α≤25、40≤β≤91、2≤γ≤20、2≤δ≤20、0≤ε≤10以及0≤ζ≤10，并且α+β+γ+δ+ε+ζ＝100。
<2>上述<1>記載的相變型信息記錄媒體，其中，相變記錄層含有下式1表示的組成。在該<2>記載的相變型信息記錄媒體中，由于相變記錄層含有下式1表示的組成，因此可以得到與DVD-ROM相同容量并且以DVD的10倍速或10倍速以上的記錄線速反復(fù)記錄良好的相變型信息記錄媒體。
SnαSbβGaγGeδTeε-Xζ上式1中，X表示與上述相同的含義，α、β、γ、δ、ε以及ζ表示各自元素的組成比率(原子％)，5≤α≤20、40≤β≤85、5≤γ≤20、5≤δ≤20、0≤ε≤7以及0≤ζ≤7，并且α+β+γ+δ+ε+ζ＝100。
<3>上述<2>記載的相變型信息記錄媒體，其中，相變記錄層含有下式1表示的組成。在該<3>記載的相變型信息記錄媒體中，由于相變記錄層含有下式1表示的組成，因此可以得到以DVD的3倍速到8倍速之間的記錄線速反復(fù)記錄良好的相變型信息記錄媒體。另外，由于在寬的記錄速度區(qū)域反復(fù)記錄良好，可以在相變型信息記錄媒體上在半徑位置以記錄線速不同的CAV(轉(zhuǎn)速一定方式)記錄信息。
SnαSbβGaγGeδTeε-Xζ上式1中，X表示與上述相同的含義，α、β、γ、δ、ε以及ζ表示各自元素的組成比率(原子％)，10≤α≤20、50≤β≤80、5≤γ≤15、5≤δ≤15、0≤ε≤7以及0≤ζ≤7，并且α+β+γ+δ+ε+ζ＝100。
<4>上述<1>～<3>中的任一項(xiàng)記載的相變型信息記錄媒體，其中，相變記錄層含有下式2表示的組成。
SnαSbβGaγGeδ上式2中，α、β、γ以及δ表示各自元素的組成比率(原子％)，5≤α≤25、40≤β≤91、2≤γ≤20以及2≤δ≤20，并且α+β+γ+δ＝100。
<5>上述<4>記載的相變型信息記錄媒體，其中，相變記錄層含有下式2表示的組成。
SnαSbβGaγGeδ上式2中，α、β、γ以及δ表示各自元素的組成比率(原子％)，5≤α≤20、40≤β≤85、5≤γ≤20以及5≤δ≤20，并且α+β+γ+δ＝100。
<6>上述<5>記載的相變型信息記錄媒體，其中，相變記錄層含有下式2表示的組成。
SnαSbβGaγGeδ上式2中，α、β、γ以及δ表示各自元素的組成比率(原子％)，10≤α≤20、50≤β≤80、5≤γ≤15以及5≤δ≤15，并且α+β+γ+δ＝100。
<7>上述<1>～<6>中的任一項(xiàng)記載的相變型信息記錄媒體，其中，相變記錄層通過激光的照射產(chǎn)生可逆的相變來進(jìn)行信息的記錄、再生、清除以及重寫的至少任意一種。
<8>上述<7>記載的相變型信息記錄媒體，其中，在將第1保護(hù)層的膜厚定為t1(nm)、相變記錄層的膜厚定為t2(nm)、第2保護(hù)層的膜厚定為t3(nm)、反射層的膜厚定為t4(nm)以及激光的波長定為λ(nm)時，滿足下式0.070≤t1/λ≤0.160、0.015≤t2/λ≤0.032、0.005≤t3/λ≤0.040以及0.100≤t4/λ的關(guān)系。在該<8>記載的相變型信息記錄媒體中，可以用與激光波長λ(nm)的關(guān)系規(guī)定第1保護(hù)層、相變記錄層、第2保護(hù)層以及反射層的適當(dāng)?shù)暮穸确秶?，如果決定了用于相變型信息記錄媒體的記錄再生的激光波長，就可以按照這些式子選定適當(dāng)?shù)哪ず穹秶M(jìn)行媒體設(shè)計(jì)。
<9>上述<1>～<8>中的任一項(xiàng)記載的相變型信息記錄媒體，其中，第1保護(hù)層以及第2保護(hù)層含有ZnS與SiO2的混合物。
<10>上述<1>～<9>中的任一項(xiàng)記載的相變型信息記錄媒體，其中，反射層含有Ag和Ag合金的任一種。
<11>上述<1>～<10>中的任一項(xiàng)記載的相變型信息記錄媒體，其中，在相變記錄層和第1保護(hù)層之間具有界面層。
<12>上述<11>中記載的相變型信息記錄媒體，其中，界面層含有SiO2，并且該界面層的厚度為2～10nm。
<13>上述<1>～<12>中的任一項(xiàng)記載的相變型信息記錄媒體，其中，在第2保護(hù)層和反射層之間具有第3保護(hù)層。
<14>一種濺射靶，其特征在于，含有下式1表示的組成，并且可以用于相變記錄層的制造。
SnαSbβGaγGeδTeε-Xζ上式1中，X表示選自Ag、Zn、In以及Cu的至少1種元素，α、β、γ、δ、ε以及ζ表示各自元素的組成比率(原子％)，5≤α≤25、40≤β≤91、2≤γ≤20、2≤δ≤20、0≤ε≤10以及0≤ζ≤10，并且α+β+γ+δ+ε+ζ＝100。
<15>上述<14>記載的濺射靶，其中，含有下式1表示的組成。
SnαSbβGaγGeδTeε-Xζ上式1中，X表示與上述相同的含義，α、β、γ、δ、ε以及ζ表示各自元素的組成比率(原子％)，5≤α≤20、40≤β≤85、5≤γ≤20、5≤δ≤20、0≤ε≤7以及0≤ζ≤7，并且α+β+γ+δ+ε+ζ＝100。
<16>上述<15>記載的濺射靶，其中，含有下式1表示的組成。
SnαSbβGaγGeδTeε-Xζ上式1中，X表示與上述相同的含義，α、β、γ、δ、ε以及ζ表示各自元素的組成比率(原子％)，10≤α≤20、50≤β≤80、5≤γ≤15、5≤δ≤15、0≤ε≤7以及0≤ζ≤7，并且α+β+γ+δ+ε+ζ＝100。
<17>上述<14>～<16>中的任一項(xiàng)記載的濺射靶，其中，含有下式2表示的組成，并且可以用于相變記錄層的制造。
SnαSbβGaγGeδ上式2中，α、β、γ以及δ表示各自元素的組成比率(原子％)，5≤α≤25、40≤β≤91、2≤γ≤20以及2≤δ≤20，并且α+β+γ+δ＝100。
<18>上述<17>記載的濺射靶，其中，含有下式2表示的組成。
SnαSbβGaγGeδ上式2中，α、β、γ以及δ表示各自元素的組成比率(原子％)，5≤α≤20、40≤β≤85、5≤γ≤20以及5≤δ≤20，并且α+β+γ+δ＝100。
<19>上述<18>記載的濺射靶，其中，含有下式2表示的組成。
SnαSbβGaγGeδ上式2中，α、β、γ以及δ表示各自元素的組成比率(原子％)，10≤α≤20、50≤β≤80、5≤γ≤15以及5≤δ≤15，并且α+β+γ+δ＝100。
<20>一種相變型信息記錄媒體的制造方法，該制造方法是在基板上以下面的順序或相反的順序的任意一種順序至少具有第1保護(hù)層、相變記錄層、第2保護(hù)層以及反射層而形成的相變型信息記錄媒體的制造方法，其特征在于，在該制造方法中，包含相變記錄層形成工序，該工序使用上述<14>～<19>中的任一項(xiàng)記載的濺射靶，通過濺射法成膜相變記錄層。
<21>上述<20>記載的相變型信息記錄媒體的制造方法，其中包含初期結(jié)晶化工序，該工序使相變型信息記錄媒體在10～21m/s的范圍內(nèi)以一定的線速旋轉(zhuǎn)，并以功率密度(パワ一密度)15～40mW/μm2進(jìn)行初期結(jié)晶化。
<22>一種相變型信息記錄媒體的使用方法，其特征在于，從上述<1>～<13>中的任一項(xiàng)記載的相變型信息記錄媒體中的第1保護(hù)層一側(cè)照射激光來進(jìn)行信息的記錄、再生、清除以及重寫的至少任意一種。
<23>一種光記錄裝置，該光記錄裝置是從光源照射激光到相變型信息記錄媒體上，從而在該相變型信息記錄媒體上進(jìn)行信息的記錄、再生、清除以及重寫的至少任意一種的光記錄裝置，其特征在于，上述相變型信息記錄媒體是上述<1>～<13>中的任一項(xiàng)記載的相變型信息記錄媒體。
本發(fā)明的相變型信息記錄媒體的使用方法，通過對上述本發(fā)明的相變型信息記錄媒體照射激光來進(jìn)行信息的記錄、再生、清除以及重寫的至少任意一種。其結(jié)果是，可以穩(wěn)定并且確保高效地進(jìn)行信息的記錄、再生、清除以及重寫的至少任意一種。
本發(fā)明的光記錄裝置是由光源對相變型信息記錄媒體照射激光，從而在該相變型信息記錄媒體上進(jìn)行信息的記錄、再生、清除以及重寫的至少任意一種的光記錄裝置，在該光記錄裝置中，使用本發(fā)明的相變型信息記錄媒體，作為上述相變型信息記錄媒體。在該本發(fā)明的光記錄裝置中，可以穩(wěn)定并且確保高效地進(jìn)行信息的記錄、再生、清除以及重寫的至少任意一種。
附圖的簡單說明圖1是示出本發(fā)明的相變型信息記錄媒體之一例的剖面圖。
圖2是示出實(shí)施例16的相變型信息記錄媒體的從初次到反復(fù)記錄1000次的抖動(ジツタ一)的曲線圖。
圖3是示出實(shí)施例17的相變型信息記錄媒體的從初次到反復(fù)記錄1000次的抖動的曲線圖。
圖4是示出實(shí)施例16的相變型信息記錄媒體的反復(fù)記錄特性的曲線圖。
圖5是示出實(shí)施例18的相變型信息記錄媒體的反復(fù)記錄特性的曲線圖。
實(shí)施發(fā)明的最佳方案(相變型信息記錄媒體)本發(fā)明的相變型信息記錄媒體是具有基板、和在該基板上以下面的順序或相反的順序的任意一種順序至少具有第1保護(hù)層、相變記錄層、第2保護(hù)層以及反射層而形成，還可視需要具有其他的層而形成。此時，相變型信息記錄媒體是從第1保護(hù)層一側(cè)照射激光來進(jìn)行信息的記錄、再生、清除以及重寫的至少任意一種。
在本發(fā)明中，為了達(dá)到保存穩(wěn)定性優(yōu)異，與DVD-ROM相同容量并且以DVD的3倍或3倍以上的記錄線速進(jìn)行反復(fù)記錄，上述相變記錄層必須含有下式1表示的組成。
SnαSbβGaγGeδTeε-Xζ上式1中，X表示選自Ag、Zn、In以及Cu的至少1種元素，α、β、γ、δ、ε以及ζ表示各自元素的組成比率(原子％)，5≤α≤25、40≤β≤91、2≤γ≤20、2≤δ≤20、0≤ε≤10以及0≤ζ≤10，并且α+β+γ+δ+ε+ζ＝100。
此時，上述相變記錄層特別優(yōu)選含有下式2表示的組成。
SnαSbβGaγGeδ上式2中，α、β、γ以及δ表示各自元素的組成比率(原子％)，5≤α≤25、40≤β≤91、2≤γ≤20以及2≤δ≤20，并且α+β+γ+δ＝100。
在此，由于Sn50Sb50化合物熔點(diǎn)低至425℃，并且結(jié)晶化速度非?？欤虼?，可認(rèn)為具有實(shí)現(xiàn)記錄靈敏度良好的高速記錄媒體的可能性?？墒牵琒n50Sb50化合物在室溫越進(jìn)行結(jié)晶，結(jié)晶速度越快，由于在現(xiàn)在的DVD+RW用評價裝置中不能使之非結(jié)晶化，所以不能單獨(dú)使用Sn50Sb50化合物作為DVD+RW的相變記錄層。因此，通過將Sn50Sb50化合物作為母相并改良組成來探討可以反復(fù)記錄并且保存穩(wěn)定性優(yōu)異的材料。其結(jié)果是，通過在Sn50Sb50化合物中同時添加具有使易于結(jié)晶變?yōu)橐子诜墙Y(jié)晶的效果的Ga以及對保存穩(wěn)定性有效的Ge這2種物質(zhì)，可以提供能反復(fù)記錄并且保存穩(wěn)定性優(yōu)異的光記錄媒體。只添加Ga時，在長期保存后，引起結(jié)晶相的反射率降低，作為保存穩(wěn)定性的評價項(xiàng)目之一的擱置(シエルフ)特性(長期間放置后的記錄再生特性)惡化。另一方面，在只添加Ge時，在非晶形特征(アモルフアスマ一ク)長度上產(chǎn)生偏移，抖動特性不會變好。
另外，由于Ga以及Ge具有使Sn50Sb50化合物的結(jié)晶化速度變慢的效果，故通過調(diào)整Ga+Ge原子％，可以改變結(jié)晶化速度。例如，Ga+Ge＝20原子％或20原子％以上時，低速的記錄特性特別良好，與此相反，Ga+Ge＝10～15原子％的范圍時，8倍速或8倍速以上的高速記錄特性特別良好。
因此，上述相變記錄層含有下式1表示的組成。由此，可以得到保存穩(wěn)定性優(yōu)異，與DVD-ROM相同容量并且在記錄線速為DVD的3倍速或3倍速以上的記錄線速下可以反復(fù)記錄的相變型信息記錄媒體。
SnαSbβGaγGeδTeε-Xζ上式1中，X表示選自Ag、Zn、In以及Cu的至少1種元素，α、β、γ、δ、ε以及ζ表示各自元素的組成比率(原子％)，5≤α≤25、40≤β≤91、2≤γ≤20、2≤δ≤20、0≤ε≤10以及0≤ζ≤10，并且α+β+γ+δ+ε+ζ＝100。
此時，上述α、β、γ、δ、ε以及ζ優(yōu)選5≤α≤20、40≤β≤85、5≤γ≤20、5≤δ≤85、0≤ε≤7以及0≤ζ≤7，并且優(yōu)選α+β+γ+δ+ε+ζ＝100。
上述α、β、γ、δ、ε以及ζ更加優(yōu)選10≤α≤20、50≤β≤80、5≤γ≤15、5≤δ≤15、0≤ε≤7以及0≤ζ≤7，并且更加優(yōu)選α+β+γ+δ+ε+ζ＝100。
另外，上述相變記錄層特別優(yōu)選含有下式2表示的組成。
SnαSbβGaγGeδ上式2中，α、β、γ以及δ表示各自元素的組成比率(原子％)，5≤α≤25、40≤β≤91、2≤γ≤20以及2≤δ≤20，并且α+β+γ+δ＝100。
此時，上述α、β、γ以及δ優(yōu)選5≤α≤20、40≤β≤85、5≤γ≤20以及5≤δ≤20，并且優(yōu)選α+β+γ+δ＝100。
上述α、β、γ以及δ更加優(yōu)選10≤α≤20、50≤β≤80、5≤γ≤15以及5≤δ≤15，并且更加優(yōu)選α+β+γ+δ＝100。
在上式1以及式2表示的組成中，當(dāng)Sn低于5原子％時，熔點(diǎn)變高、靈敏度變差，如果Sn超過25原子％，結(jié)晶化速度過于變快，有時不能進(jìn)行非結(jié)晶化。另外，如果Sb低于40原子％，有時熔點(diǎn)變高、靈敏度變低。另一方面，如果Sb超過91原子％，有時非晶形特征的保存可靠性降低。另外，如果Ga以及Ge低于2原子％，有時保存可靠性降低。另一方面，如果Ga以及Ge超過20原子％，有時結(jié)晶化溫度過于變高，初期結(jié)晶化變得困難。
另外，相變記錄層優(yōu)選添加選自Ag、Zn、In以及Cu的至少1種元素。由此，可以使保存可靠性變得更加良好。這些元素的添加量優(yōu)選0～10原子％，更加優(yōu)選0～7原子％。如果上述添加量超過10原子％，有時結(jié)晶溫度過于變高，初期結(jié)晶化變得困難。
另外，在相變記錄層中，更加優(yōu)選添加Te。Te的添加量優(yōu)選0～10原子％，更加優(yōu)選0～7原子％。由此，可以使初期結(jié)晶化變得容易并容易得到均勻的結(jié)晶狀態(tài)，并且可以降低從初次到10次左右的由于反復(fù)記錄引起的抖動的上升。
另外，在本發(fā)明中，在將第1保護(hù)層的膜厚定為t1(nm)、相變記錄層的膜厚定為t2(nm)、第2保護(hù)層的膜厚定為t3(nm)、反射層的膜厚定為t4(nm)以及激光的波長定為λ(nm)時，優(yōu)選滿足下式0.070≤t1/λ≤0.160、0.015≤t2/λ≤0.032、0.005≤t3/λ≤0.040及0.100≤t4/λ的關(guān)系。
如果取波長630～680nm的DVD類為一例，為了保持與DVD-ROM的再生互換性，光記錄媒體的反射率必須為18％或18％以上。為了滿足這樣的光學(xué)條件，例如，可以將第2保護(hù)層和反射層的膜厚定為滿足上述膜厚條件的范圍，主要控制相變記錄層和第1保護(hù)層的膜厚即可。關(guān)于上述相變記錄層，如果膜厚過薄，記錄層的光吸收能有時降低，如果膜厚過厚，記錄靈敏度有時降低。因此，相變記錄層的膜厚優(yōu)選0.015≤t2/λ≤0.032的范圍。
這里，在將上述相變記錄層的膜厚設(shè)定為0.015≤t2/λ≤0.032的范圍時，為滿足上述光學(xué)條件的第1保護(hù)層的膜厚條件，除了0.070≤t1/λ≤0.160的第1膜厚條件以外，還存在膜厚比其大的第2膜厚范圍、第3膜厚范圍。可是，由于上述第2以及第3膜厚范圍比第1膜厚范圍的膜厚要厚，故每1張的制造時間變長，因此，從相變型信息記錄媒體的制造的觀點(diǎn)看，由于第1膜厚范圍實(shí)現(xiàn)了低成本的光盤，故是有利的。因此，第1保護(hù)層的膜厚，在將激光的波長作為λ時，優(yōu)選滿足下式0.070≤t1/λ≤0.160的關(guān)系。
另外，第2保護(hù)層的作用是將上述相變型信息記錄媒體內(nèi)吸收的光能(吸收的主體是相變記錄層材料)通過降溫產(chǎn)生的熱暫時積蓄，同時傳送到反射層，并使之放熱。為此，第2保護(hù)層優(yōu)選不太厚的，更加優(yōu)選0.005≤t3/λ≤0.040。比這個厚時，熱積蓄在相變記錄層中，記錄標(biāo)記(マ一ク)不清晰，記錄特性，特別是抖動特性變差。在此所說的上述抖動特性，是用對信道(チヤネル)周期Tw的標(biāo)記邊緣(マ一クエツジ)的偏移σ/Tw來評價的特性。另一方面，當(dāng)上述第2保護(hù)層的膜厚比這個薄時，由于在相變記錄層中吸收的光能被蓄積，相變記錄層熔融，在達(dá)到能夠發(fā)揮制作記錄標(biāo)記(マ一ク)的相變記錄原理的熱量之前，被放熱到反射層上，因此，產(chǎn)生不能獲得充分記錄特性這樣的缺陷。
另外，為了通過在記錄系統(tǒng)中使用的波長來改變激光束的功率密度，必須改變上述第2保護(hù)層的膜厚，但可以通過使膜厚處于滿足上述光學(xué)膜厚條件的范圍內(nèi)來解決。即使對其他的膜厚條件這也是適用的。
下面，基于


本發(fā)明的相變型信息記錄媒體的層結(jié)構(gòu)之一例。
這里，圖1是示出本發(fā)明的相變型信息記錄媒體之一例的示意剖面圖，基板1和在該基板1上將第1保護(hù)層2、相變記錄層3、第2保護(hù)層4、第3保護(hù)層5以及反射層6依次疊層而形成。另外，雖然省略了圖示，但優(yōu)選在相變記錄層3和第1保護(hù)層2之間具有界面層。另外，也可以在反射層上，通過旋轉(zhuǎn)涂布形成包含紫外線(UV)固化樹脂的保護(hù)層，為了更加增強(qiáng)或保護(hù)相變型信息記錄媒體，在該保護(hù)層上，視需要還可以貼合其他的基板。
—基板—作為上述基板1的材料，通常可以使用玻璃、陶瓷、樹脂等，但從成型性、成本的觀點(diǎn)看，樹脂制基板是合適的。作為該樹脂，可以舉出，例如，聚碳酸酯樹脂、丙烯酸類樹脂、環(huán)氧樹脂、聚苯乙烯樹脂、丙烯腈-苯乙烯共聚物、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、硅樹脂、氟樹脂、ABS樹脂、聚氨酯樹脂等。這些當(dāng)中，從成型性、光學(xué)特性、成本方面看，特別優(yōu)選聚碳酸酯樹脂、丙烯酸類樹脂。
上述基板1的厚度，沒有特別限制，由通常使用的激光的波長或攝像鏡頭(ピツクアツプ·レンズ)的聚光特性決定。在波長780nm的CD類中可以使用1.2mm的基板厚度，在波長650～665nm的DVD類中可以使用0.6mm板厚的基板。
作為上述基板，例如，在表面具有導(dǎo)引用的導(dǎo)向槽，直徑12cm、厚度0.6mm的圓盤狀，加工性、光學(xué)特性優(yōu)異的聚碳酸酯樹脂基板是合適的。導(dǎo)引用的導(dǎo)向槽優(yōu)選間距0.74±0.03μm、槽深22～40nm、槽寬0.2～0.4μm范圍內(nèi)的蛇形槽。特別是通過使槽加深，可以降低相變型信息記錄媒體的反射率，增大調(diào)制度。
另外，為了貼合寫入信息信號的基板1和貼合用基板，粘接層是通過在基膜的兩側(cè)涂布了粘合劑的雙面粘合性片、或熱固性樹脂或紫外線固化樹脂而形成的。上述粘接層的膜厚通常為50μm左右。
上述貼合用基板(ダミ一基板)使用粘合性片或熱固性樹脂作為粘接層時，雖然不必是透明的，但將紫外線固化樹脂用于該粘接層時，優(yōu)選使用透過紫外線的透明基板。上述貼合用基板的厚度，通常與寫入信息信號的透明基板相同的0.6mm的基板是合適的。
—第1保護(hù)層—上述第1保護(hù)層2優(yōu)選與基板以及相變記錄層的密封性良好并且耐熱性高的，另外，由于還承擔(dān)作為可以進(jìn)行相變記錄層的有效的光吸收的光干涉層的作用，因此，優(yōu)選具有適合于高線速下的反復(fù)記錄的光學(xué)特性的。
作為上述第1保護(hù)層的材料，可以舉出，例如，SiO、SiO2、ZnO、SnO2、Al2O3、TiO2、In2O3、MgO、ZrO2等金屬氧化物；Si3N4、AlN、TiN、BN、ZrN等氮化物；ZnS、In2S3、TaS4等硫化物；SiC、TaC、B4C、WC、TiC、ZrC等碳化物或金剛石狀碳、或它們的混合物。這些當(dāng)中，優(yōu)選ZnS和SiO2的混合物。上述ZnS和SiO2的混合摩爾比(ZnS∶SiO2)優(yōu)選50～90∶50～10，更加優(yōu)選60～90∶40～10。
作為上述第1保護(hù)層2的形成方法，可以舉出各種氣相成長法，例如，真空蒸鍍法、濺射法、等離子體CVD法、光CVD法、離子鍍法、電子束蒸鍍法等。這些當(dāng)中，從批量生產(chǎn)率、膜質(zhì)等方面看，濺射法是優(yōu)異的。濺射條件，例如，優(yōu)選使用氬氣作為成膜氣體，接通功率3kW、氬氣壓力(成膜室氣壓)2×10-3Torr。
上述第1保護(hù)層的膜厚(t1)優(yōu)選50～90nm，在將激光的波長定為λ時，優(yōu)選滿足下式0.070≤t1/λ≤0.160的。比此范圍薄時，則喪失作為耐熱保護(hù)層的功能，比此范圍厚時，則容易產(chǎn)生界面剝離。
—相變記錄層—上述相變記錄層3，如上所述，包含式1表示的組成，優(yōu)選包含式2表示的組成。
上述相變保護(hù)層的膜厚(t2)，在將激光的波長定為λ時，如上所述優(yōu)選滿足下式0.015≤t2/λ≤0.032的。相變記錄層的膜厚如果比此范圍薄時，光吸收能有時降低，喪失作為相變記錄層的功能，如果過厚，則記錄靈敏度有時變差。
作為上述相變記錄層的形成方法，可以舉出各種氣相成長法，例如，真空蒸鍍法、濺射法、等離子體CVD法、光CVD法、離子鍍法、電子束蒸鍍法等。這些當(dāng)中，從批量生產(chǎn)率、膜質(zhì)等方面看，濺射法是優(yōu)異的。濺射條件例如，優(yōu)選使用氬氣作為成膜氣體，接通功率1kW、氬氣壓力(成膜室氣壓)2×10-3Torr。
—第2保護(hù)層—上述第2保護(hù)層4優(yōu)選與相變記錄層以及反射層的密封性良好并且耐熱性高的，另外，由于還承擔(dān)作為可以進(jìn)行相變記錄層的有效的光吸收的光干涉層的作用，因此，優(yōu)選具有適合于高線速下反復(fù)記錄的光學(xué)特性的。
作為上述第1保護(hù)層的材料，可以舉出，例如，SiO、SiO2、ZnO、SnO2、Al2O3、TiO2、In2O3、MgO、ZrO2等金屬氧化物；Si3N4、AlN、TiN、BN、ZrN等氮化物；ZnS、In2S3、TaS4等硫化物；SiC、TaC、B4C、WC、TiC、ZrC等碳化物或金剛石狀碳、或它們的混合物。這些當(dāng)中，優(yōu)選ZnS和SiO2的混合物。上述ZnS和SiO2的混合摩爾比(ZnS∶SiO2)優(yōu)選50～90∶50～10，更加優(yōu)選60～90∶40～10。
作為上述第2保護(hù)層4的形成方法，可以舉出各種氣相成長法，例如，真空蒸鍍法、濺射法、等離子體CVD法、光CVD法、離子鍍法、電子束蒸鍍法等。這些當(dāng)中，從批量生產(chǎn)率、膜質(zhì)等方面看，濺射法是優(yōu)異的。濺射條件，例如，優(yōu)選使用氬氣作為成膜氣體，接通功率3kW、氬氣壓力(成膜室氣壓)2×10-3Torr。
上述第2保護(hù)層的膜厚(t3)優(yōu)選6～20nm，如上所述，在將激光的波長定為λ時，優(yōu)選滿足下式0.005≤t3/λ≤0.040的。上述第2保護(hù)層的膜厚比此范圍薄時，記錄靈敏度有時變差，如果比此范圍厚時，則熱有時過于積蓄。
—反射層—上述反射層，不僅實(shí)現(xiàn)作為光反射層的作用，另一方面，還承擔(dān)放出記錄時由于激光照射產(chǎn)生的施加在相變記錄層上的熱，作為放熱層的作用。非晶質(zhì)標(biāo)記(マ一ク)的形成，由于很大程度上受由放熱引起的冷卻速度的左右，因此，反射層的選擇，對應(yīng)高線速的相變型信息記錄媒體是重要的。
上述反射層6可以使用例如，Al、Au、Ag、Cu、Ta等金屬材料、或它們的合金等。另外，作為向這些金屬材料的添加元素，可以使用Cr、Ti、Si、Cu、Ag、Pd、Ta等。這些當(dāng)中，優(yōu)選含有Ag以及Ag合金的任意一種。這是因?yàn)?，從調(diào)整記錄時產(chǎn)生的熱的冷卻速度的導(dǎo)熱性的觀點(diǎn)和利用干涉效果改善再生信號對比度的光學(xué)觀點(diǎn)看，構(gòu)成上述相變型信息記錄媒體的反射層通常希望是高導(dǎo)熱系數(shù)/高反射率的金屬，Ag的導(dǎo)熱系數(shù)極高，為427W/m·K，純Ag或Ag合金是可以實(shí)現(xiàn)適合于記錄時相變記錄層達(dá)到高溫后立刻形成非晶形特征的驟冷結(jié)構(gòu)。
另外，如果考慮這種高導(dǎo)熱系數(shù)性質(zhì)，純銀是最好的，但考慮耐腐蝕性，也可以添加Cu。此時，為了不損害Ag的特性，銅的添加量范圍優(yōu)選0.1～10原子％左右，特別是，0.5～3原子％是合適的。銅的過量添加有時會降低高導(dǎo)熱系數(shù)性質(zhì)。
上述反射層6可以通過各種氣相成長法，例如，真空蒸鍍法、濺射法、等離子體CVD法、光CVD法、離子鍍法、電子束蒸鍍法等形成。這些當(dāng)中，從批量生產(chǎn)率、膜質(zhì)等方面看，濺射法是優(yōu)異的。濺射條件，例如，優(yōu)選使用氬氣作為成膜氣體，接通功率5kW、氬氣壓力(成膜室氣壓)2×10-3Torr。
上述反射層的放熱能力基本上與層的厚度成比例，如果反射層的膜厚為60nm或60nm以上，則可以得到良好的光盤特性。此時，不特別地存在厚的極限值，從光盤的制造成本的觀點(diǎn)看，只要是可以容許的范圍內(nèi)的膜厚即可，但優(yōu)選約300nm或300nm以下，上述反射層的膜厚(t4)，如上所述，在將激光的波長定為λ時，優(yōu)選滿足下式0.100≤t4/λ的。上述反射層的膜厚如果比此范圍薄，有時不能得到放熱效果。
另外，在上述反射層6上，視需要還可以設(shè)置樹脂保護(hù)層。該樹脂保護(hù)層在工序中以及成為制品時具有保護(hù)相變記錄層的作用效果，通常由紫外線固化性的樹脂形成。上述樹脂層的膜厚優(yōu)選2～5μm。
—第3保護(hù)層—在上述第2保護(hù)層4和上述反射層6之間優(yōu)選設(shè)置第3保護(hù)層5。
作為第3保護(hù)層5的材料，可以舉出，例如，Si、SiC、SiN、SiO2、TiC、TiO2、TiC-TiO2、NbC、NbO2、NbV-NbO2、Ta2O5、Al2O3、ITO、GeN、ZrO2等，這些當(dāng)中，從阻擋性高這點(diǎn)看，特別優(yōu)選TiC-TiO2、Si或SiC。
如果將純Ag或Ag合金用于反射層，在使用ZnS和SiO2混合物這樣的含有硫的保護(hù)層時，硫向Ag中擴(kuò)散，產(chǎn)生成為光盤缺陷的不良情況(Ag的硫化反應(yīng))。因此，作為防止這樣反應(yīng)的第3保護(hù)層，希望從下述觀點(diǎn)考慮(1)防止Ag的硫化反應(yīng)，并具有阻擋能力；(2)對激光是光學(xué)透明的；(3)為了形成非晶形特征，熱傳導(dǎo)系數(shù)要低；(4)與保護(hù)層或反射層的密合性好；(5)容易形成等選擇適當(dāng)?shù)牟牧?，作為?保護(hù)層的材料，優(yōu)選滿足上述必要條件的TiC-TiO2、Si或SiC為主成分的材料。
上述第3保護(hù)層的膜厚優(yōu)選2～20nm，更加優(yōu)選2～10nm。如果上述膜厚低于2nm，有時不具有阻擋層的功能，如果超過20nm，有導(dǎo)致調(diào)制度降低的危險。
—界面層—優(yōu)選在上述第1保護(hù)層2和相變記錄層3之間設(shè)置界面層。該界面層優(yōu)選含有SiO2，并且厚度為2～10nm。由此，在高功率記錄時，可以減少所受的損傷，因此，高功率記錄的反復(fù)記錄特性良好，并可以采取寬的記錄功率儲備(パワ一マ一ジン)。如果上述界面層的厚度低于2nm，有時難以形成均勻的SiO2膜，如果超過10nm，則有時容易發(fā)生膜剝離。
以上，對本發(fā)明的相變型信息記錄媒體詳細(xì)地進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不僅限定于上述實(shí)施方案，在不偏離本發(fā)明主旨的范圍內(nèi)，也可以進(jìn)行各種變更。例如，對于通過樹脂保護(hù)層，即可以用2張相同或不同的相變型信息記錄媒體互相貼合的相變型信息記錄媒體等代替DVD類中可以見到的貼合用基板使用。
(濺射靶)本發(fā)明的濺射靶含有下式1表示的組成，并可以用于相變記錄層的制造。
SnαSbβGaγGeδTeε-Xζ上式1中，X表示選自Ag、Zn、In以及Cu的至少1種元素，α、β、γ、δ、ε以及ζ表示各自元素的組成比率(原子％)，5≤α≤25、40≤β≤91、2≤γ≤20、2≤δ≤20、0≤ε≤10以及0≤ζ≤10，并且α+β+γ+δ+ε+ζ＝100。
此時，上述α、β、γ、δ、ε以及ζ優(yōu)選5≤α≤20、40≤β≤85、5≤γ≤20、5≤δ≤20、0≤ε≤7以及0≤ζ≤7，并且優(yōu)選α+β+γ+δ+ε+ζ＝100。
上述α、β、γ、δ、ε以及ζ更加優(yōu)選10≤α≤20、50≤β≤80、5≤γ≤15、5≤δ≤15、0≤ε≤7以及0≤ζ≤7，并且更加優(yōu)選α+β+γ+δ+ε+ζ＝100。
另外，上述濺射靶特別優(yōu)選含有下式2表示的組成，并可以用于相變記錄層的制造。
SnαSbβGaγGeδ上式2中，α、β、γ以及δ表示各自元素的組成比率(原子％)，5≤α≤25、40≤β≤91、2≤γ≤20以及2≤δ≤20，并且α+β+γ+δ＝100。
此時，上述α、β、γ以及δ優(yōu)選5≤α≤20、40≤β≤85、5≤γ≤20以及5≤δ≤20，并且優(yōu)選α+β+γ+δ＝100。
上述α、β、γ以及δ更加優(yōu)選10≤α≤20、50≤β≤80、5≤γ≤15以及5≤δ≤15，并且更加優(yōu)選α+β+γ+δ＝100。
作為上述濺射靶的制作方法，沒有特別限制，可以對應(yīng)于目的進(jìn)行適當(dāng)選擇，預(yù)先稱量規(guī)定的加入量，在玻璃安瓿中加熱熔融。然后，將其取出并用粉碎機(jī)粉碎，通過將得到的粉末加熱燒結(jié)，可以得到圓盤狀的濺射靶。
按照本發(fā)明，可以提供一種，初期結(jié)晶容易、即使是在與DVD-ROM同容量并且記錄線速為10倍或10倍以上的高線速下記錄靈敏度也良好、并可以反復(fù)記錄，同時保存可靠性也優(yōu)異的相變型信息記錄媒體。
另外，按照本發(fā)明，還可以提供與DVD-ROM相同容量并且在寬的記錄線速區(qū)域反復(fù)記錄特性良好的相變型信息記錄媒體以及用于制造相變型信息記錄媒體的濺射靶。
(相變記錄媒體的制造方法)本發(fā)明的相變記錄媒體的制造方法至少含有相變記錄層形成工序，還含有初期結(jié)晶工序、以及視需要的其他的工序。
—相變記錄層形成工序—上述相變記錄層形成工序是使用本發(fā)明的上述濺射靶，通過濺射法使相變記錄層成膜的工序。
作為上述濺射法，沒有特別限制，可以對應(yīng)于目的從已知的方法中適當(dāng)選擇，例如，優(yōu)選使用氬氣作為成膜氣體、接通功率1～5kW、成膜氣體流量為10～40sccm。濺射中的容器內(nèi)的氬氣壓力優(yōu)選7.0×10-3mTorr(mbar)或7.0×10-3mTorr(mbar)以下。
—初期結(jié)晶化工序—初期結(jié)晶化工序是使相變型信息記錄媒體以10～21m/s范圍內(nèi)的一定的線速度旋轉(zhuǎn)，并在功率密度15～40mW/μm2下進(jìn)行初期結(jié)晶化的工序。
上述初期結(jié)晶化，具體地是一邊使相變型信息記錄媒體以規(guī)定的線速度或規(guī)定的角速度旋轉(zhuǎn)，一邊從基板一側(cè)通過物鏡鏡頭照射半導(dǎo)體激光(例如，600～720nm的激發(fā)波長)等記錄用光。通過該照射光，相變記錄層吸收此光，局部地溫度上升，例如，產(chǎn)生麻點(diǎn)，通過改變該光學(xué)特性而記錄信息。如上述，被記錄的信息的再生可以通過一邊使相變型信息記錄媒體以規(guī)定的線速度旋轉(zhuǎn)，一邊從第1保護(hù)層一側(cè)照射激光，并檢測出該反射光來進(jìn)行。
(相變型信息記錄媒體的使用方法)本發(fā)明的相變型信息記錄媒體的使用方法是從上述本發(fā)明的相變型信息記錄媒體中的第1保護(hù)層一側(cè)照射激光而進(jìn)行信息的記錄、再生、清除以及重寫的至少任意一種。
此時，上述激光優(yōu)選波長400～780nm，更加優(yōu)選630～680nm。
(光記錄裝置)本發(fā)明的光記錄裝置是在相變型信息記錄媒體中由光源照射激光，從而在該相變型信息記錄媒體上記錄信息的光記錄裝置，在該裝置中，作為上述相變型信息記錄媒體，使用了本發(fā)明的上述相變型信息記錄媒體。
上述光記錄裝置沒有特別限制，可以對應(yīng)于目的適當(dāng)選擇，例如，具有作為射出激光的半導(dǎo)體激光等光源的激光光源；和在安裝在主軸上的光記錄媒體中聚光、由激光光源射出的激光的聚光鏡；將由激光光源射出的激光導(dǎo)入到聚光鏡和激光檢出器中的光學(xué)元件、檢出激光的反射光的激光檢出器，另外，視需要還可以具有其他的裝置。
上述光記錄裝置通過光學(xué)元件將從激光光源射出的激光導(dǎo)入到聚光鏡上，通過該聚光鏡將激光聚光照射在相變型信息記錄媒體上，從而在光記錄媒體上進(jìn)行記錄。此時，光記錄裝置將激光的反射光導(dǎo)入到激光檢出器中，基于激光檢出器的激光的檢出量來控制激光光源的光量。
上述激光檢出器將檢出的激光的檢出量變換為電壓或電流，作為檢出信號輸出。
作為上述的其他的裝置，可以舉出控制裝置等。作為上述控制裝置，只要可以控制上述各裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)即可，則沒有特別限制，可以對應(yīng)于目的適當(dāng)選擇，例如，可以舉出用于照射·掃描調(diào)制了強(qiáng)度的激光的程序裝置、計(jì)算機(jī)等儀器。
以下，通過實(shí)施例更加具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不僅限定于這些實(shí)施例。
實(shí)施例1—相變型信息記錄媒體的制作—按照以下的方法制作相變型信息記錄媒體(光盤)。另外，濺射法是使用單張式濺射裝置(Unaxis社制造，Big Sprinter)，在氬氣氛圍氣中以接通功率1～5kW、氬氣壓力2×10-3Torr的條件進(jìn)行。
準(zhǔn)備磁道間距0.74μm、槽深27nm、直徑12cm、厚度0.6mm的聚碳酸酯樹脂制基板。
首先，使用含有(ZnS)80(SiO2)20的組成(摩爾％)的濺射靶，通過濺射法在上述基板上成膜第1保護(hù)層并使膜厚達(dá)到80nm。
接著，使用含有Sn5Sb75Ga13Ge7的組成(原子％)的濺射靶，通過濺射法在上述第1保護(hù)層上成膜相變記錄層并使膜厚達(dá)到20nm。
接著，使用含有(ZnS)80(SiO2)20的組成(摩爾％)的濺射靶，通過濺射法在上述相變記錄層上成膜第2保護(hù)層并使膜厚達(dá)到14nm。
接著，使用含有SiC的濺射靶，通過濺射法在上述第2保護(hù)層上成膜第3保護(hù)層并使膜厚達(dá)到4nm。
接著，使用含有Ag的濺射靶，通過濺射法在上述第3保護(hù)層上成膜反射層并使膜厚達(dá)到180nm。
接著，通過旋轉(zhuǎn)器在上述反射層上涂布丙烯酸類固化樹脂并使膜厚達(dá)到5～10μm，然后，進(jìn)行紫外線固化而形成有機(jī)保護(hù)層。
最后，將直徑12cm、厚度0.6mm的聚碳酸酯樹脂制基板使用粘合劑貼合在有機(jī)保護(hù)層上。按照以上步驟，制作了實(shí)施例1的相變型信息記錄媒體。
實(shí)施例2—相變型信息記錄媒體的制作—在實(shí)施例1中，除了使用含有Sn25Sb56Ga9Ge10的組成(原子％)的濺射靶，通過濺射法成膜相變記錄層以外，與實(shí)施例1同樣地制作實(shí)施例2的相變型信息記錄媒體。
實(shí)施例3—相變型信息記錄媒體的制作—在實(shí)施例1中，除了使用含有Sn24Sb41Ga18Ge17的組成(原子％)的濺射靶，通過濺射法成膜相變記錄層以外，與實(shí)施例1同樣地制作實(shí)施例3的相變型信息記錄媒體。
實(shí)施例4—相變型信息記錄媒體的制作—在實(shí)施例1中，除了使用含有Sn10Sb78Ga8Ge4的組成(原子％)的濺射靶，通過濺射法成膜相變記錄層以外，與實(shí)施例1同樣地制作實(shí)施例4的相變型信息記錄媒體。
實(shí)施例5—相變型信息記錄媒體的制作—在實(shí)施例1中，除了使用含有Sn19Sb67Ga2Ge12的組成(原子％)的濺射靶，通過濺射法成膜相變記錄層以外，與實(shí)施例1同樣地制作實(shí)施例5的相變型信息記錄媒體。
實(shí)施例6—相變型信息記錄媒體的制作—在實(shí)施例1中，除了使用含有Sn22Sb55Ga18Ge5的組成(原子％)的濺射靶，通過濺射法成膜相變記錄層以外，與實(shí)施例1同樣地制作實(shí)施例6的相變型信息記錄媒體。
實(shí)施例7—相變型信息記錄媒體的制作—在實(shí)施例1中，除了使用含有Sn16Sb72Ga10Ge2的組成(原子％)的濺射靶，通過濺射法成膜相變記錄層以外，與實(shí)施例1同樣地制作實(shí)施例7的相變型信息記錄媒體。
實(shí)施例8—相變型信息記錄媒體的制作—在實(shí)施例1中，除了使用含有Sn22Sb55Ga4Ge19的組成(原子％)的濺射靶，通過濺射法成膜相變記錄層以外，與實(shí)施例1同樣地制作實(shí)施例8的相變型信息記錄媒體。
比較例1—相變型信息記錄媒體的制作—在實(shí)施例1中，除了使用含有Sn3Sb60Ga18Ge19的組成(原子％)的濺射靶，通過濺射法成膜相變記錄層以外，與實(shí)施例1同樣地制作比較例1的相變型信息記錄媒體。
比較例2—相變型信息記錄媒體的制作—在實(shí)施例1中，除了使用含有Sn27Sb67Ga4Ge2的組成(原子％)的濺射靶，通過濺射法成膜相變記錄層以外，與實(shí)施例1同樣地制作比較例2的相變型信息記錄媒體。
比較例3—相變型信息記錄媒體的制作—在實(shí)施例1中，除了使用含有Sn24Sb39Ga18Ge19的組成(原子％)的濺射靶，通過濺射法成膜相變記錄層以外，與實(shí)施例1同樣地制作比較例3的相變型信息記錄媒體。
比較例4—相變型信息記錄媒體的制作—在實(shí)施例1中，除了使用含有Sn20Sb66Ga1Ge13的組成(原子％)的濺射靶，通過濺射法成膜相變記錄層以外，與實(shí)施例1同樣地制作比較例4的相變型信息記錄媒體。
比較例5—相變型信息記錄媒體的制作—在實(shí)施例1中，除了使用含有Sn13Sb52Ga21Ge14的組成(原子％)的濺射靶，通過濺射法成膜相變記錄層以外，與實(shí)施例1同樣地制作比較例5的相變型信息記錄媒體。
比較例6—相變型信息記錄媒體的制作—在實(shí)施例1中，除了使用含有Sn18Sb61Ga20Ge1的組成(原子％)的濺射靶，通過濺射法成膜相變記錄層以外，與實(shí)施例1同樣地制作比較例6的相變型信息記錄媒體。
比較例7—相變型信息記錄媒體的制作—在實(shí)施例1中，除了使用含有Sn15Sb61Ga3Ge21的組成(原子％)的濺射靶，通過濺射法成膜相變記錄層以外，與實(shí)施例1同樣地制作比較例7的相變型信息記錄媒體。
<初期結(jié)晶化>
將得到的各相變型信息記錄媒體使用波長810nm的半導(dǎo)體激光進(jìn)行初期結(jié)晶化。具體地是使相變型信息記錄媒體以固定線速20m/s進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，使用電子束寬度75μm的光電傳感器，將功率密度為25mW/μm2的激光送到半徑方向，并且邊以50μm/r的速度移動邊照射，進(jìn)行初期結(jié)晶化。
<評價>
記錄再生的評價是使用具有波長660nm、開口數(shù)NA0.65的傳感頭的光盤評價裝置(パルステツク社制造，DDU-1000)來進(jìn)行。記錄線速為10.5m/s(相當(dāng)于DVD3倍速)、28m/s(相當(dāng)于DVD8倍速)，記錄功率對應(yīng)線速進(jìn)行改變。偏壓功率為0.2mW，清除功率為2～15mW，分別進(jìn)行了最適化。
對于各相變型信息記錄媒體，反復(fù)進(jìn)行10次測定記錄3T時的C/N比[使用光譜分析器的噪聲(N)電平和信號強(qiáng)度(C載波電流)的比]。實(shí)施例1～8的結(jié)果示于表3，比較例1～7的結(jié)果示于表4。
另外，實(shí)現(xiàn)重寫型光盤系統(tǒng)時，其C/N比必須至少為45dB或45dB以上。




由表3的結(jié)果可知，實(shí)施例1～8的相變型信息記錄媒體中，在相當(dāng)于DVD3倍速的記錄線速10.5m/s下進(jìn)行反復(fù)記錄時，以及在相當(dāng)于DVD8倍速的記錄線速28m/s下進(jìn)行反復(fù)記錄時，均可以獲得45dB或45dB以上的C/N比。


由表4的結(jié)果可知，比較例1～7的相變型信息記錄媒體中，在記錄線速10.5m/s以及記錄線速28m/s下進(jìn)行反復(fù)記錄時的C/N比，除了比較例1的記錄線速為10.5m/s的場合以外，所有的均為45dB或45dB以下。
實(shí)施例9—相變型信息記錄媒體的制作—
按照以下的方法制作相變型信息記錄媒體(光盤)。另外，濺射法是使用單張式濺射裝置(Unaxis社制造，Big Sprinter)，在氬氣氛圍氣中以接通功率1～5kW、氬氣壓力2×10-3Torr的條件進(jìn)行。
準(zhǔn)備磁道間距0.74μm、槽深27nm、直徑12cm、厚度0.6mm的聚碳酸酯樹脂制基板。
首先，使用含有(ZnS)80(SiO2)20的組成(摩爾％)的濺射靶，通過濺射法在上述基板上成膜第1保護(hù)層并使膜厚達(dá)到70nm。
接著，使用含有Sn18Sb55Ga11Ge16的組成(原子％)的濺射靶，通過濺射法在上述第1保護(hù)層上成膜相變記錄層并使膜厚達(dá)到18nm。
接著，使用含有(ZnS)80(SiO2)20的組成(摩爾％)的濺射靶，通過濺射法在上述相變記錄層上成膜第2保護(hù)層并使膜厚達(dá)到10nm。
接著，使用含有SiC的濺射靶，通過濺射法在上述第2保護(hù)層上成膜第3保護(hù)層并使膜厚達(dá)到4nm。
接著，使用含有Ag的濺射靶，通過濺射法在上述第3保護(hù)層上成膜反射層并使膜厚達(dá)到140nm。
接著，通過旋轉(zhuǎn)器在上述反射層上涂布丙烯酸類固化樹脂并使膜厚達(dá)到5～10μm，然后，進(jìn)行紫外線固化而形成有機(jī)保護(hù)層。
最后，將直徑12cm、厚度0.6mm的聚碳酸酯樹脂制基板使用粘合劑貼合在有機(jī)保護(hù)層上。按照以上步驟，制作了實(shí)施例9的相變型信息記錄媒體。
實(shí)施例10—相變型信息記錄媒體的制作—在實(shí)施例9中，除了使用含有Sn19Sb50Ga14Ge17的組成(原子％)的濺射靶，通過濺射法成膜相變記錄層以外，與實(shí)施例9同樣地制作實(shí)施例10的相變型信息記錄媒體。
實(shí)施例11—相變型信息記錄媒體的制作—在實(shí)施例9中，除了使用含有Sn17Sb59Ga12Ge12的組成(原子％)的濺射靶，通過濺射法成膜相變記錄層以外，與實(shí)施例9同樣地制作實(shí)施例11的相變型信息記錄媒體。
實(shí)施例12—相變型信息記錄媒體的制作—在實(shí)施例9中，除了使用含有Sn16Sb50Ga16Ge13Ag5的組成(原子％)的濺射靶，通過濺射法成膜相變記錄層以外，與實(shí)施例9同樣地制作實(shí)施例12的相變型信息記錄媒體。
實(shí)施例13—相變型信息記錄媒體的制作—在實(shí)施例9中，除了使用含有Sn10Sb62Ga10Ge13In5的組成(原子％)的濺射靶，通過濺射法成膜相變記錄層以外，與實(shí)施例9同樣地制作實(shí)施例13的相變型信息記錄媒體。
實(shí)施例14—相變型信息記錄媒體的制作—在實(shí)施例9中，除了使用含有Sn15Sb70Ga5Ge8Zn2的組成(原子％)的濺射靶，通過濺射法成膜相變記錄層以外，與實(shí)施例9同樣地制作實(shí)施例14的相變型信息記錄媒體。
實(shí)施例15—相變型信息記錄媒體的制作—在實(shí)施例9中，除了使用含有Sn15Sb70Ga3Ge8Cu4的組成(原子％)的濺射靶，通過濺射法成膜相變記錄層以外，與實(shí)施例9同樣地制作實(shí)施例15的相變型信息記錄媒體。
比較例8—相變型信息記錄媒體的制作—在實(shí)施例9中，除了使用含有Ag3In4Sb75Te18的組成(原子％)的濺射靶，通過濺射法成膜相變記錄層以外，與實(shí)施例9同樣地制作比較例8的相變型信息記錄媒體。
比較例9—相變型信息記錄媒體的制作—在實(shí)施例9中，除了使用含有Ge5Ga4Sb80Te11的組成(原子％)的濺射靶，通過濺射法成膜相變記錄層以外，與實(shí)施例9同樣地制作比較例9的相變型信息記錄媒體。
<初期結(jié)晶化>
將得到的各相變型信息記錄媒體使用波長810nm的半導(dǎo)體激光進(jìn)行初期結(jié)晶化。具體地，使相變型信息記錄媒體以固定線速20m/s進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，使用電子束寬度75μm的光電傳感器，將功率密度為25mW/μm2的激光送到半徑方向，并且邊以50μm/r的速度移動邊照射，進(jìn)行初期結(jié)晶化。
<評價>
再生記錄的評價是使用具有波長660nm、開口數(shù)NA0.65的傳感頭的光盤評價裝置(パルステツク社制造，DDU-1000)來進(jìn)行。記錄線速為17.5m/s、24.5m/s以及35.0m/s，記錄功率對應(yīng)線速進(jìn)行改變。偏壓功率為0.2mW，清除功率為2～15mW，分別進(jìn)行了最適化。把記錄策略(ストラテジ一)分別進(jìn)行最適化。再生均是在線速3.5m/s、功率0.7mW下進(jìn)行。
抖動是用檢出窗口寬度Tw，將時鐘抖動數(shù)值(date to clock jitter)σ進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化的值。各自的評價結(jié)果示于表6。
<保存穩(wěn)定性的評價>
保存穩(wěn)定性是在各試樣中寫入記錄標(biāo)記，在80℃-85％RH的恒溫槽中保持300小時后，按照下述標(biāo)準(zhǔn)由抖動的上升程度來評價保存穩(wěn)定性，將結(jié)果示于表6。
〔評價基準(zhǔn)〕○抖動上升不到1％△抖動上升為1％或1％以上但不足3％×抖動上升為3％或3％以上
<再生光穩(wěn)定性的評價>
再生光穩(wěn)定性是在各試樣中寫入記錄標(biāo)記，以線速3.5m/s、功率1.0mW照射再生光10分鐘后，按照下述標(biāo)準(zhǔn)由抖動的上升程度來評價再生光穩(wěn)定性，將結(jié)果示于表6。
〔評價基準(zhǔn)〕○抖動上升不到1％△抖動上升為1％或1％以上但不足3％×抖動上升為3％或3％以上[表5]




由表6的結(jié)果可知，實(shí)施例9～15的相變型信息記錄媒體的初期結(jié)晶化可以容易地進(jìn)行，并且反射率在圓周內(nèi)是均勻的。另外，熔點(diǎn)在400～600℃之間，記錄線速分別在17.5m/s、24.5m/s以及35.0m/s時，重寫1000次后抖動仍顯示10％或10％以下，可以得到記錄靈敏度良好并且保存穩(wěn)定性良好的相變型信息記錄媒體。另外，各種試樣的調(diào)制度在重寫1000次后仍顯示60％或60％以上，保存穩(wěn)定性試驗(yàn)后也幾乎沒有變化。特別是實(shí)施例12以及實(shí)施例13的相變型信息記錄媒體，即使在80℃-85％RH的恒溫槽中保持600小時后也沒有變化。另外，重寫1000次后反射率仍顯示20％或20％以上，保存穩(wěn)定性試驗(yàn)后也幾乎沒有變化。
與此相反，比較例8比實(shí)施例9～15的場合需要高的記錄功率。線速35.0m/s時，即使在使用的激光二極管(LD)的極限的38mW下進(jìn)行寫入，初次的抖動仍高達(dá)13.4％，而調(diào)制則低達(dá)50％。記錄線速為17.5m/s以及記錄線速為24.5m/s時，保存穩(wěn)定性雖然良好，但記錄線速為35.0m/s時，由于不能充分地形成非晶形特征，故認(rèn)為劣化快。
另外，比較例9在記錄線速為17.5m/s時，重寫至100次時雖然抖動為10％或10％以下，但1000次時抖動上升至15.3％。保存穩(wěn)定性是抖動的上升不足3％。另外，反射率在保存試驗(yàn)前抖動為23％，保存試驗(yàn)后降低到16％，保存穩(wěn)定性存在問題。再生穩(wěn)定性良好。在記錄線速為35.0m/s時，雖然初次抖動高達(dá)18.8％，但由于其結(jié)晶化速度慢，可以認(rèn)為在此記錄速度下不能進(jìn)行充分的標(biāo)記寫入。
實(shí)施例16—相變型信息記錄媒體的制作—按照以下的方法制作相變型信息記錄媒體(光盤)。另外，濺射法是使用單張式濺射裝置(Unaxis社制造，Big Sprinter)，在氬氣氛圍氣中以接通功率1～5kW、氬氣壓力2×10-3Torr的條件進(jìn)行。
準(zhǔn)備磁道間距0.74μm、槽深27nm、直徑12cm、厚度0.6mm的聚碳酸酯樹脂制基板。
首先，使用含有(ZnS)80(SiO2)20的組成(摩爾％)的濺射靶，通過濺射法在上述基板上成膜第1保護(hù)層并使膜厚達(dá)到60nm。
接著，使用含有Sn18Sb69Ga6Ge7的組成(原子％)的濺射靶，通過濺射法在上述第1保護(hù)層上成膜相變記錄層并使膜厚達(dá)到16nm。
接著，使用含有(ZnS)80(SiO2)20的組成(摩爾％)的濺射靶，通過濺射法在上述相變記錄層上成膜第2保護(hù)層并使膜厚達(dá)到8nm。
接著，使用含有SiC的濺射靶，通過濺射法在上述第2保護(hù)層上成膜第3保護(hù)層并使膜厚達(dá)到4nm。
接著，使用含有Ag的濺射靶，通過濺射法在上述第3保護(hù)層上成膜反射層并使膜厚達(dá)到140nm。
接著，通過旋轉(zhuǎn)器在上述反射層上涂布丙烯酸類固化樹脂并使膜厚達(dá)到5～10μm，然后，進(jìn)行紫外線固化而形成有機(jī)保護(hù)層。
最后，將直徑12cm、厚度0.6mm的聚碳酸酯樹脂制基板使用粘合劑貼合在有機(jī)保護(hù)層上。按照以上步驟，制作了實(shí)施例16的相變型信息記錄媒體。
<初期結(jié)晶化>
將得到的相變型信息記錄媒體以固定線速20m/s進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，使用電子束寬度75μm的光電傳感器，將功率密度為25mW/μm2的激光送到半徑方向，并且邊以50μm/r的速度移動邊通過照射進(jìn)行初期結(jié)晶化。
<評價>
記錄再生的評價是使用具有波長660nm、開口數(shù)NA0.65的傳感頭的光盤評價裝置(パルステツク社制造，DDU-1000)來進(jìn)行。記錄線速為10.5m/s(3倍速)、14m/s(4倍速)、21m/s(6倍速)以及28m/s(8倍速)，記錄功率對應(yīng)線速進(jìn)行改變。偏壓功率為0.2mW，清除功率為5～10mW，分別進(jìn)行了最適化。
從初次到反復(fù)記錄1000次的抖動示于圖2。由圖2的結(jié)果可知，在所有的線速下抖動均為10％或10％以下。另外，為了實(shí)現(xiàn)重寫型光盤系統(tǒng)，至少需要抖動為10％或10％以下。
實(shí)施例17—相變型信息記錄媒體的制作—在實(shí)施例16中，除了使用含有相變記錄層中的Ga6Sb67Sn18Ge6Te3的組成(原子％)的濺射靶進(jìn)行濺射法以外，與實(shí)施例16同樣地制作實(shí)施例17的相變型信息記錄媒體(光盤)。
<初期結(jié)晶化>
對得到的相變型信息記錄媒體以固定線速15m/s進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，使用電子束寬度75μm的光電傳感器，將功率密度為20mW/μm2的激光送到半徑方向，并且邊以50μm/r的速度移動邊通過照射進(jìn)行初期結(jié)晶化。
<評價>
對得到的相變型信息記錄媒體，與實(shí)施例16同樣地進(jìn)行評價。結(jié)果示于圖3。由圖3的結(jié)果可知，特別是從初次到反復(fù)記錄10次的抖動良好，為DVD的標(biāo)準(zhǔn)抖動值的9％以內(nèi)。
實(shí)施例18—相變型信息記錄媒體的制作—在實(shí)施例16中，除了在第1保護(hù)層和相變記錄層之間設(shè)置含有SiO2的界面層并是膜厚為2nm以外，與實(shí)施例16同樣地制作實(shí)施例18的相變型信息記錄媒體(光盤)。
<初期結(jié)晶化>
將得到的相變型信息記錄媒體和實(shí)施例16的相變型信息記錄媒體以固定線速20m/s進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，使用電子束寬度75μm的光電傳感器，將功率密度為25mW/μm2的激光送到半徑方向，并且邊以50μm/r的速度移動邊通過照射進(jìn)行初期結(jié)晶化。
<評價>
對得到的相變型信息記錄媒體，在記錄線速28m/s(8倍速)下，評價記錄功率為28mW、30mW、32mW、34mW、36mW以及38mW時的反復(fù)記錄特性。
實(shí)施例16的結(jié)果示于圖4。另外，實(shí)施例18的結(jié)果示于圖5。
由圖4和圖5的結(jié)果可知，實(shí)施例16以及實(shí)施例18在最適功率下，抖動均為9％以內(nèi)。特別是實(shí)施例18，在36mW或36mW以上的高功率下反復(fù)記錄第1000次的抖動仍為9％以內(nèi)?？梢源_認(rèn)，通過設(shè)置含有SiO2的界面層，高功率下的反復(fù)記錄特性良好，可以使記錄功率儲備變寬。
工業(yè)上實(shí)用性本發(fā)明的相變型信息記錄媒體由于初期結(jié)晶化容易，即使是在與DVD-ROM同容量并且記錄線速為10倍或10倍以上的高線速下記錄靈敏度也良好并可以反復(fù)記錄，同時保存可靠性也優(yōu)異，因此，可以廣泛地應(yīng)用于各種相變型信息記錄媒體，特別是DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW等DVD類光記錄媒體中。
權(quán)利要求
1.一種相變型信息記錄媒體，其特征在于，該相變型信息記錄媒體是具有基板、和在該基板上以下面的順序或相反的順序的任意一種順序至少具有第1保護(hù)層、相變記錄層、第2保護(hù)層以及反射層而形成的，上述相變記錄層含有下式1表示的組成，[式1]SnαSbβGaγGeδTeε-Xζ上式1中，X表示選自Ag、Zn、In以及Cu的至少1種元素，α、β、γ、δ、ε以及ζ表示各自元素的組成比率(原子％)，5≤α≤25、40≤β≤91、2≤γ≤20、2≤δ≤20、0≤ε≤10以及0≤ζ≤10，并且α+β+γ+δ+ε+ζ＝100。
2.按照權(quán)利要求1記載的相變型信息記錄媒體，其中，相變記錄層含有下式1表示的組成，[式1]SnαSbβGaγGeδTeε-Xζ上式1中，X表示與上述相同的含義，α、β、γ、δ、ε以及ζ表示各自元素的組成比率(原子％)，5≤α≤20、40≤β≤85、5≤γ≤20、5≤δ≤20、0≤ε≤7以及0≤ζ≤7，并且α+β+γ+δ+ε+ζ＝100。
3.按照權(quán)利要求2記載的相變型信息記錄媒體，其中，相變記錄層含有下式1表示的組成，[式1]SnαSbβGaγGeδTeε-Xζ上式1中，X表示與上述相同的含義，α、β、γ、δ、ε以及ζ表示各自元素的組成比率(原子％)，10≤α≤20、50≤β≤80、5≤γ≤15、5≤δ≤15、0≤ε≤7以及0≤ζ≤7，并且α+β+γ+δ+ε+ζ＝100。
4.按照權(quán)利要求1～3中的任一項(xiàng)記載的相變型信息記錄媒體，其中，相變記錄層含有下式2表示的組成，[式2]SnαSbβGaγGeδ上式2中，α、β、γ以及δ表示各自元素的組成比率(原子％)，5≤α≤25、40≤β≤91、2≤γ≤20以及2≤δ≤20，并且α+β+γ+δ＝100。
5.按照權(quán)利要求4記載的相變型信息記錄媒體，其中，相變記錄層含有下式2表示的組成，[式2]SnαSbβGaγGeδ上式2中，α、β、γ以及δ表示各自元素的組成比率(原子％)，5≤α≤20、40≤β≤85、5≤γ≤20以及5≤δ≤20，并且α+β+γ+δ＝100。
6.按照權(quán)利要求5記載的相變型信息記錄媒體，其中，相變記錄層含有下式2表示的組成，[式2]SnαSbβGaγGeδ上式2中，α、β、γ以及δ表示各自元素的組成比率(原子％)，10≤α≤20、50≤β≤80、5≤γ≤15以及5≤δ≤15，并且α+β+γ+δ＝100。
7.按照權(quán)利要求1～6中的任一項(xiàng)記載的相變型信息記錄媒體，其中，相變記錄層通過激光的照射產(chǎn)生可逆的相變來進(jìn)行信息的記錄、再生、清除以及重寫的至少任意一種。
8.按照權(quán)利要求8記載的相變型信息記錄媒體，其中，在將第1保護(hù)層的膜厚定為t1(nm)、相變記錄層的膜厚定為t2(nm)、第2保護(hù)層的膜厚定為t3(nm)、反射層的膜厚定為t4(nm)以及激光的波長定為λ(nm)時，滿足下式0.070≤t1/λ≤0.160、0.015≤t2/λ≤0.032、0.005≤t3/λ≤0.040及0.100≤t4/λ的關(guān)系。
9.按照權(quán)利要求1～8中的任一項(xiàng)記載的相變型信息記錄媒體，其中，第1保護(hù)層以及第2保護(hù)層含有ZnS和SiO2的混合物。
10.按照權(quán)利要求1～9中的任一項(xiàng)記載的相變型信息記錄媒體，其中，反射層含有Ag和Ag合金的任意一種。
11.按照權(quán)利要求1～10中的任一項(xiàng)記載的相變型信息記錄媒體，其中，在相變記錄層和第1保護(hù)層之間具有界面層。
12.按照權(quán)利要求11中記載的相變型信息記錄媒體，其中，界面層含有SiO2，并且該界面層的厚度為2～10nm。
13.按照權(quán)利要求1～12中的任一項(xiàng)記載的相變型信息記錄媒體，其中，在第2保護(hù)層和反射層之間具有第3保護(hù)層。
14.一種濺射靶，其特征在于，含有下式1表示的組成，并且可以用于相變記錄層的制造，[式1]SnαSbβGaγGeδTeε-Xζ上式1中，X表示選自Ag、Zn、In以及Cu的至少1種元素，α、β、γ、δ、ε以及ζ表示各自元素的組成比率(原子％)，5≤α≤25、40≤β≤91、2≤γ≤20、2≤δ≤20、0≤ε≤10以及0≤ζ≤10，并且α+β+γ+δ+ε+ζ＝100。
15.按照權(quán)利要求14中記載的濺射靶，其中，含有下式1表示的組成，[式1]SnαSbβGaγGeδTeε-Xζ上式1中，X表示與上述相同的含義，α、β、γ、δ、ε以及ζ表示各自元素的組成比率(原子％)，5≤α≤20、40≤β≤85、5≤γ≤20、5≤δ≤20、0≤ε≤7以及0≤ζ≤7，并且α+β+γ+δ+ε+ζ＝100。
16.按照權(quán)利要求15中記載的濺射靶，其中，含有下式1表示的組成，[式1]SnαSbβGaγGeδTeε-Xζ上式1中，X表示與上述相同的含義，α、β、γ、δ、ε以及ζ表示各自元素的組成比率(原子％)，10≤α≤20、50≤β≤80、5≤γ≤15、5≤δ≤15、0≤ε≤7以及0≤ζ≤7，并且α+β+γ+δ+ε+ζ＝100。
17.按照權(quán)利要求14～16中的任一項(xiàng)記載的濺射靶，其中，含有下式2表示的組成，并且可以用于相變記錄層的制造，[式2]SnαSbβGaγGeδ上式2中，α、β、γ以及δ表示各自元素的組成比率(原子％)，5≤α≤25、40≤β≤91、2≤γ≤20以及2≤δ≤20，并且α+β+γ+δ＝100。
18.按照權(quán)利要求17中記載的濺射靶，其中，含有下式2表示的組成，[式2]SnαSbβGaγGeδ上式2中，α、β、γ以及δ表示各自元素的組成比率(原子％)，5≤α≤20、40≤β≤85、5≤γ≤20以及5≤δ≤20，并且α+β+γ+δ＝100。
19.按照權(quán)利要求18中記載的濺射靶，其中，含有下式2表示的組成，[式2]SnαSbβGaγGeδ上式2中，α、β、γ以及δ表示各自元素的組成比率(原子％)，10≤α≤20、50≤β≤80、5≤γ≤15以及5≤δ≤15，并且α+β+γ+δ＝100。
20.一種相變型信息記錄媒體的制造方法，該制造方法是在基板上以下面的順序或相反的順序的任意一種順序至少具有第1保護(hù)層、相變記錄層、第2保護(hù)層以及反射層而形成的相變型信息記錄媒體的制造方法，其特征在于，在該制造方法中，包含使用權(quán)利要求14～19中的任一項(xiàng)記載的濺射靶，通過濺射法使相變記錄層成膜的相變記錄層形成工序。
21.按照權(quán)利要求20記載的相變型信息記錄媒體的制造方法，其中，包含使相變型信息記錄媒體以10～21m/s的范圍內(nèi)的一定的線速旋轉(zhuǎn)，并以功率密度15～40mW/μm2進(jìn)行初期結(jié)晶化的初期結(jié)晶化工序。
22.一種相變型信息記錄媒體的使用方法，其特征在于，從權(quán)利要求1～13中的任一項(xiàng)記載的相變型信息記錄媒體中的第1保護(hù)層一側(cè)照射激光來進(jìn)行信息的記錄、再生、清除以及重寫的至少任意一種。
23.一種光記錄裝置，該光記錄裝置是從光源照射激光到相變型信息記錄媒體上，從而在該相變型信息記錄媒體上進(jìn)行信息的記錄、再生、清除以及重寫的至少任意一種的光記錄裝置，其特征在于，上述相變型信息記錄媒體是權(quán)利要求1～13中的任一項(xiàng)記載的相變型信息記錄媒體。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種初期結(jié)晶化容易、即使是在與DVD－ROM同容量并且記錄線速為10倍或10倍以上的高線速下記錄靈敏度也良好并可以重寫記錄，同時保存可靠性也優(yōu)異的相變型信息記錄媒體。為此，具有基板、和在該基板上以下面的順序或相反的順序的任意一種順序至少具有第1保護(hù)層、相變記錄層、第2保護(hù)層以及反射層而形成，上述相變記錄層為Sn
文檔編號G11B7/258GK1767954SQ20048000919
公開日2006年5月3日 申請日期2004年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月5日
發(fā)明者大倉浩子, 伊藤和典, 出口浩司, 加藤將紀(jì), 安部美樹子, 關(guān)口洋義, 針谷真人, 真貝勝 申請人:株式會社理光