專利名稱：：光記錄介質(zhì)、及其記錄再現(xiàn)方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及通過(guò)光束的照射進(jìn)行信息的記錄、再現(xiàn)的光記錄介質(zhì)，特別是涉及可以大容量、高密度記錄的單面2層型光記錄介質(zhì)及其記錄再現(xiàn)方法和裝置。
背景技術(shù)：
：通常，在微型光盤(CD)或DVD中，利用通過(guò)來(lái)自凹槽底部及鏡面部的光的干涉產(chǎn)生的反射率變化，進(jìn)行2值信號(hào)的記錄及跟蹤信號(hào)的檢測(cè)。近年來(lái)，作為與CD具有再現(xiàn)互換性(互換性)的介質(zhì)，將有機(jī)色素膜作為記錄層的追記型微型光盤(CD-R)或相變化型的可擦寫微型光盤(CD-RWCD-Rewritable)被廣泛使用，并且對(duì)于DVD也提出了各種可以追記的DVD或相變化型的可擦寫的DVD。在以往的將有機(jī)色素薄膜作為記錄層的光記錄介質(zhì)中，已知在有機(jī)色素薄膜上使用酞菁化合物的光記錄介質(zhì)、使用賽安寧類色素的光記錄介質(zhì)、或使用1，8-苯嵌萘(フエナレン)類色素、萘醌類色素等的光記錄介質(zhì)。在基板上依次疊層有機(jī)色素、金屬反射層、UV樹脂保護(hù)層的追記微型光盤型(CD-R)光記錄介質(zhì)，為滿足CD標(biāo)準(zhǔn)需要高反射率，因此需要開發(fā)在再現(xiàn)波長(zhǎng)區(qū)域(770～830nm)上有高折射率且穩(wěn)定性高的有機(jī)色素(作為DVD的追記型的DVD±R再現(xiàn)波長(zhǎng)為630～680nm)。迄今為止，CD-R及DVD±R有使用賽安寧色素、酞菁色素、偶氮金屬螯合物色素等作為記錄材料并組合金屬反射層的多個(gè)方案。在光盤上形成含有信號(hào)記錄用的稱為槽·臺(tái)(グル一ブ·ランド)的凹凸形狀的導(dǎo)向槽，從照射用于進(jìn)行記錄再現(xiàn)的激光的一側(cè)(基板側(cè))觀察，將向遠(yuǎn)處方向凹陷為凹狀的一側(cè)稱為臺(tái)，將向近處方向突出為凸?fàn)畹囊粋?cè)稱為槽?？梢杂涗浀娜萘坑煽梢杂涗浽佻F(xiàn)的導(dǎo)向槽的間距(軌道間距)決定。例如，在DVD+R或DVD+RW中，采取僅在槽上記錄信息的槽記錄方式，如果記錄容量為4.7GB，軌道間距為0.74μm。另外，還已知記錄在槽和臺(tái)二者的臺(tái)·槽記錄方式，DVD-RAM采取該方式。最近，為增加1片光盤的存儲(chǔ)容量，提出了多數(shù)據(jù)層系統(tǒng)。在具有2片或其以上的數(shù)據(jù)層的光盤中，通過(guò)改變透鏡的焦點(diǎn)，可以在各個(gè)層上進(jìn)行存取。專利文獻(xiàn)1～2中記載了使用有機(jī)色素層的單面2層型的追記型盤，但信息層只是有機(jī)色素層1層的重復(fù)，不是考慮反射率或和DVD等的互換性的層結(jié)構(gòu)。專利文獻(xiàn)3～4中記載了單面2層型的追記型盤，但它在記錄層上使用無(wú)機(jī)材料，在成本方面存在問(wèn)題。另外，在這些已知文獻(xiàn)中，對(duì)于槽的形狀、推挽值完全沒(méi)有提及。在專利文獻(xiàn)5～6中也記載了單面2層型的追記型光盤，但對(duì)于這些，也沒(méi)有考慮將各層的光學(xué)特性調(diào)整為最適、且邊穩(wěn)定地進(jìn)行跟蹤邊良好地進(jìn)行記錄·再現(xiàn)這些課題，也沒(méi)有對(duì)于推挽值的記載。另一方面，相變化型的可擦寫的CD、DVD利用由非晶體和結(jié)晶狀態(tài)的折射率差產(chǎn)生的反射率差及相位差變化進(jìn)行記錄信息信號(hào)的檢測(cè)。通常的相變化型光記錄介質(zhì)具有在基板上設(shè)置了下部保護(hù)層、相變化型記錄層、上部保護(hù)層、反射層的結(jié)構(gòu)(將它們統(tǒng)稱為信息層)，利用這些信息層的多重干涉控制反射率差及相位差，并可以具有CD或和DVD互換性。在CD-RW中，在將反射率控制落在15～25％左右的范圍內(nèi)，可以確保和CD的記錄信號(hào)和槽信號(hào)的互換性，在添加了補(bǔ)償反射率降低的放大體系的CD驅(qū)動(dòng)器中可以再現(xiàn)。另外，相變化型光記錄介質(zhì)可以僅通過(guò)1束聚焦光束的強(qiáng)度調(diào)制進(jìn)行消除和再記錄過(guò)程，因此，在CD-RW或可擦寫的DVD(DVD+RW、DVD-RW等)等相變化型光記錄介質(zhì)中，所謂記錄包含記錄和消除同時(shí)進(jìn)行的蓋寫記錄。在利用相變化的信息記錄中，可以使用結(jié)晶、非晶體或它們的混合狀態(tài)，也可以使用多個(gè)結(jié)晶相，但現(xiàn)在被實(shí)用化的可擦寫的相變化型光記錄介質(zhì)通常是將未記錄·消除狀態(tài)作為結(jié)晶狀態(tài)，形成非晶體的標(biāo)記而記錄。作為相變化型記錄層的材料，大多使用含有硫?qū)僭兀?，S、Se、Te的硫?qū)倩镱惡辖?。例如，以GeTe-Sb2Te3準(zhǔn)二元合金為主要成分的GeSbTe類、以InTe-Sb2Te3準(zhǔn)二元合金為主要成分的InSbTe類、以Sb0.7Te0.3共晶合金為主要成分的準(zhǔn)AgInSbTe類、GeSbTe類等。特別是，已知作為在CD-RW等相變化型光記錄介質(zhì)中廣泛使用的材料之一的Sb-Te共晶合金類記錄材料與GeTe-Sb2Te3準(zhǔn)二元化合物類記錄材料相比消除比優(yōu)異且具有高靈敏度，因此，在記錄標(biāo)記的非晶體部的輪廓是明確的這一點(diǎn)上，是優(yōu)異的。在DVD中，為提高光盤的記錄密度，除提高記錄面內(nèi)的密度以外，也可以考慮增加信息記錄層的數(shù)目。例如，近年來(lái)，標(biāo)準(zhǔn)化和商品化的DVD是具有2層的信息記錄層、且可以從盤的一側(cè)讀取2層信息記錄層的再現(xiàn)專用光盤。最近有報(bào)導(dǎo)稱，作為記錄再現(xiàn)型的DVD，開發(fā)出具有2層信息記錄層的光盤(例如，專利文獻(xiàn)7、8)。但是，還沒(méi)有達(dá)到作為商品實(shí)用化。位于單面2層型光盤的近前側(cè)的信息層(稱為第1信息層)為進(jìn)行內(nèi)側(cè)的信息層(稱為第2信息層)的記錄·再現(xiàn)，必須透過(guò)50％左右的激光。另外，為靈敏度良好地進(jìn)行記錄，第1信息層有必要吸收40％左右的激光。從以上幾點(diǎn)來(lái)看，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)，追記型DVD的反射率例如在DVD+R中為45～85％，可擦寫型DVD的反射率例如在DVD+RW中為30％或30％以下，但由于在單面2層型光盤的第1信息層中反射率變得更小，因此跟蹤可能變得不穩(wěn)定。另一方面，認(rèn)為在第2信息層被反射的信號(hào)會(huì)在第1信息層被吸收，因此到達(dá)受光元件的比例為50％左右，第2信息層的反射率也會(huì)降低。另外，上述專利文獻(xiàn)7中完全沒(méi)有關(guān)于槽形狀的記載，專利文獻(xiàn)8中雖然對(duì)導(dǎo)向槽的寬度進(jìn)行了規(guī)定，但是沒(méi)有涉及槽深、推挽值。(專利文獻(xiàn)1)國(guó)際公開第00/016320號(hào)小冊(cè)子(專利文獻(xiàn)2)國(guó)際公開第00/023990號(hào)小冊(cè)子(專利文獻(xiàn)3)特開2001-084643號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)4)特開2001-101709號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)5)特開2000-082238號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)6)特開2000-311384號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)7)專利第2702905號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)8)特開2002-184032號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于如上述的實(shí)際情況而進(jìn)行的，其目的在于提供可以穩(wěn)定地跟蹤、能夠?qū)Ω餍畔舆M(jìn)行良好地進(jìn)行記錄·再現(xiàn)的單面2層型的追記型光記錄介質(zhì)和相變化型光記錄介質(zhì)以及這些記錄再現(xiàn)方法和裝置。本發(fā)明者們?yōu)榻鉀Q上述以往技術(shù)的問(wèn)題點(diǎn)反復(fù)深入研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在單面2層型光盤中有必要平衡性好地設(shè)計(jì)反射率、透過(guò)率和吸收率，而且槽形狀與這些有很大關(guān)系。另外，如后所述，本發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)了對(duì)槽形狀有很大影響的單面2層型光盤的推挽值的最適范圍。推挽信號(hào)在將光檢測(cè)器的受光元件在半徑方向分為2部分時(shí)，將每個(gè)的輸出設(shè)為I1、I2時(shí)，用下式表示。式中，pp為峰對(duì)峰，max為最大值，min為最小值。(I1-I2)pp/[{(I1+I2)max+(I1+I2)min}/2]本發(fā)明是基于發(fā)明者們的以上發(fā)現(xiàn)而成的，用于解決上述課題的措施如下<1>一種光記錄介質(zhì)，該光記錄介質(zhì)是，在第1基板和第2基板之間依次設(shè)置第1信息層、中間層以及第2信息層，各信息層具有含有有機(jī)色素的追記型記錄層，且沿記錄軌道形成槽，從第1基板入射波長(zhǎng)λ的激光，通過(guò)光強(qiáng)度的2值或2值以上的調(diào)制進(jìn)行信息的記錄·再現(xiàn)的單面2層光記錄介質(zhì)，其特征在于，將第1基板的折射率設(shè)為n1、中間層的折射率設(shè)為n2、第1信息層的槽深設(shè)為d1、槽寬度設(shè)為w1、軌道間距設(shè)為p1、第2信息層的槽深設(shè)為d2、槽寬度設(shè)為w2、軌道間距設(shè)為p2，且滿足下列條件4λ/16n1≤d1≤7λ/16n1λ/16n2≤d2≤3λ/16n2、或4λ/16n2≤d2≤7λ/16n20.2≤w1/p1≤0.550.2≤w2/p2≤0.55。<2>按照上述<1>記載的光記錄介質(zhì)，其中，將第1信息層的記錄前的推挽值設(shè)為PP1、第2信息層的記錄前的推挽值設(shè)為PP2，并滿足下列條件0.30≤PP1≤0.700.25≤PP2≤0.600.6≤PP1/PP2≤1.4。<3>按照上述<1>和<2>中任意一項(xiàng)記載的光記錄介質(zhì)，其中，對(duì)于波長(zhǎng)λ的波長(zhǎng)區(qū)域的光在記錄層單層的折射率n為1.5≤n≤3.0，消光系數(shù)k為0.02≤k≤0.2。<4>按照上述<1>至<3>中任意一項(xiàng)記載的光記錄介質(zhì)，其中，在未記錄部的反射率為18～30％。<5>按照上述<1>至<4>中任意一項(xiàng)記載的光記錄介質(zhì)，其中，DPD信號(hào)為0.3或0.3以上。<6>按照上述<1>記載的光記錄介質(zhì)，其中，激光的波長(zhǎng)λ為350～700nm的范圍的任意值時(shí)都滿足上述條件。<7>按照上述<6>記載的光記錄介質(zhì)，其中，激光的波長(zhǎng)λ為630～680nm以及390～420nm的范圍的任意值時(shí)都滿足上述條件。<8>一種光記錄介質(zhì)，該光記錄介質(zhì)是，在第1基板和第2基板之間依次設(shè)置第1信息層、中間層以及第2信息層，各信息層具有含有相變化記錄材料的記錄層，且沿記錄軌道形成槽，從第1基板入射波長(zhǎng)λ的激光，通過(guò)光強(qiáng)度的2值或2值以上的調(diào)制進(jìn)行信息的記錄·再現(xiàn)的單面2層光記錄介質(zhì)，其特征在于，將第1基板的折射率設(shè)為n1、中間層的折射率設(shè)為n2、第1信息層的槽深設(shè)為d1、槽寬度設(shè)為w1、軌道間距設(shè)為p1、第2信息層的槽深設(shè)為d2、槽寬度設(shè)為w2、軌道間距設(shè)為p2，且滿足下列條件0.9λ/16n1≤d1≤3λ/16n10.9λ/16n2≤d2≤3λ/16n20.2≤w1/p1≤0.60.2≤w2/p2≤0.6。<9>按照上述<8>記載的光記錄介質(zhì)，其中，將第1信息層的記錄前的推挽值設(shè)為PP1、第2信息層的記錄前的推挽值設(shè)為PP2，并滿足下列條件0.30≤PP1≤0.700.25≤PP2≤0.600.6≤PP1/PP2≤1.4。<10>按照上述<8>和<9>中任意一項(xiàng)記載的光記錄介質(zhì)，其中，相變化記錄層含有用M1w(SbzTe100-z)100-w(w、z為原子％，0≤w≤15、50＜z＜90、M1是從含有In、Ga、Ge、Sn、Si、Zr、Nb、Ta、V、Ag、Al、Pt、Pb、Cr、Co、O、S、N的組中選出的至少一種)表示的合金。<11>按照上述<8>和<9>中任意一項(xiàng)記載的光記錄介質(zhì)，其中，相變化記錄層含有用(Ge-M2)xSbyTe3+x(x、y為原子％，2≤x＜22、2≤y≤4，M2是從含有Sn、Bi、Pb的組中選出的至少1種)表示的合金。<12>按照上述<8>至<11>中任意一項(xiàng)記載的光記錄介質(zhì)，其中，在作為光盤的沒(méi)有槽的部分的鏡面部的反射率為4～20％。<13>按照上述<8>至<12>中任意一項(xiàng)記載的光記錄介質(zhì)，其中，DPD信號(hào)為0.3或0.3以上。<14>按照上述<8>記載的光記錄介質(zhì)，其中，激光的波長(zhǎng)λ為350～700nm的范圍的任意值時(shí)都滿足上述條件。<15>按照上述<14>記載的光記錄介質(zhì)，其中，激光的波長(zhǎng)λ為630～680nm以及390nm～420nm的范圍的任意值時(shí)都滿足上述條件。<16>一種光記錄介質(zhì)的記錄再現(xiàn)方法，其特征在于，對(duì)上述<1>至<15>的任意一項(xiàng)中記載的2層光記錄介質(zhì)的各信息層入射波長(zhǎng)為350～700nm的上述激光進(jìn)行信息的記錄·再現(xiàn)。<17>一種光記錄介質(zhì)的記錄再現(xiàn)裝置，該裝置是對(duì)上述<1>至<15>的任意一項(xiàng)中記載的2層光記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄再現(xiàn)的裝置，其特征在于，該裝置具有產(chǎn)生波長(zhǎng)350～700nm的激光的光源、和通過(guò)從基板側(cè)入射至各信息層的上述激光形成和檢測(cè)標(biāo)記用的層識(shí)別裝置和層切換裝置。圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案涉及的單面2層型的追記型光記錄介質(zhì)的概要斷面圖。圖2是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案涉及的單面2層型的相變化型光記錄介質(zhì)的概要斷面圖。圖3是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案涉及的光記錄介質(zhì)的記錄再現(xiàn)裝置。圖4是示出單面2層型的追記型光記錄介質(zhì)的槽寬與第1信息層的透過(guò)率的關(guān)系的曲線圖。圖5是示出單面2層型的追記型光記錄介質(zhì)的槽深與第1信息層的透過(guò)率的關(guān)系的曲線圖。圖6是示出單面2層型的追記型光記錄介質(zhì)的PP1/PP2與抖晃(ジツタ一)的關(guān)系的曲線圖。圖7是示出單面2層型的相變化型光記錄介質(zhì)的槽寬與第1信息層的透過(guò)率的關(guān)系的曲線圖。圖8是示出單面2層型的相變化型光記錄介質(zhì)的槽深與第1信息層的透過(guò)率的關(guān)系的曲線圖。圖9是示出單面2層型的相變化型光記錄介質(zhì)的PP1/PP2與抖晃的關(guān)系的曲線圖。實(shí)施發(fā)明的最佳方案下面，對(duì)于上述的本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。光學(xué)槽的讀取通過(guò)在接受與光頭或拾取器整體移動(dòng)的光點(diǎn)的反射光的光盤的半徑方向上分為2部分的伺服用光檢測(cè)器進(jìn)行，該第一光檢測(cè)部的輸出I1和第2光檢測(cè)部的輸出I2在信號(hào)處理電路進(jìn)行運(yùn)算處理。光束的焦點(diǎn)位置從跟蹤中心偏離時(shí)，推挽信號(hào)輸出示出與其對(duì)應(yīng)的曲線。在DVD+R、DVD+RW的標(biāo)準(zhǔn)中，記錄前的推挽信號(hào)強(qiáng)度分別為0.30～0.60、0.28～0.56的范圍。但是，在第1信息層、第2信息層的推挽信號(hào)強(qiáng)度都在上述范圍的光盤中，產(chǎn)生由于調(diào)制的降低、重復(fù)記錄引起的抖晃的惡化、第2信息層的靈敏度不足等。其原因尚不明確，但由于推挽信號(hào)強(qiáng)度受到槽形狀的很大影響，因此認(rèn)為可能與槽形狀有關(guān)系。槽深度比較淺時(shí)，如果槽變淺則推挽信號(hào)強(qiáng)度變小。槽過(guò)淺時(shí)則不能采取調(diào)制，另外，通過(guò)來(lái)自鄰接的軌道的影響抖晃增加，槽過(guò)深時(shí)反射率下降，或由于反復(fù)記錄引起的抖晃急劇增加。對(duì)于槽寬，寬度過(guò)大時(shí)，仍然不能采取調(diào)制，并且由于反復(fù)記錄引起的抖晃急劇增加。寬度過(guò)窄時(shí)，跟蹤變得不穩(wěn)定，特別是在第1信息層中，槽寬過(guò)窄時(shí)，反射率和透過(guò)率的平衡崩潰，產(chǎn)生透過(guò)率減少的不良現(xiàn)象。因此，研究的結(jié)果得知，要制成記錄再現(xiàn)特性優(yōu)異的單面2層光盤，將激光的波長(zhǎng)設(shè)為λnm，將第1基板的折射率設(shè)為n1、中間層的折射率設(shè)為n2、第1信息層的槽深設(shè)為d1、槽寬度設(shè)為w1、軌道間距設(shè)為p1、第2信息層的槽深設(shè)為d2、槽寬度設(shè)為w2、軌道間距設(shè)為p2，在追記型光記錄介質(zhì)的場(chǎng)合，必須滿足下列條件4λ/16n1≤d1≤7λ/16n1λ/16n2≤d2≤3λ/16n2、或4λ/16n1≤d1≤7λ/16n10.2≤w1/p1≤0.550.2≤w2/p2≤0.55，在相變化型光記錄介質(zhì)的場(chǎng)合，必須滿足以下條件0.9λ/16n1≤d1≤3λ/16n10.9λ/16n2≤d2≤3λ/16n20.2≤w1/p1≤0.60.2≤w2/p2≤0.6，d1優(yōu)選滿足λ/16n1≤d1≤3λ/16n1的條件，d2優(yōu)選滿足λ/16n2≤d2≤3λ/16n2的條件。另外，推挽信號(hào)強(qiáng)度，將第1信息層的記錄前的推挽值設(shè)為PP1、第2信息層的記錄前的推挽值設(shè)為PP2，并滿足以下條件時(shí)，可以得到綜合上優(yōu)異的記錄特性。0.30≤PP1≤0.700.25≤PP2≤0.600.6≤PP1/PP2≤1.4。推挽值比上述范圍大時(shí)，成為反射率變低等的原因，難以將各層穩(wěn)定地聚焦。另外，推挽值比上述范圍小時(shí)，跟蹤變得不穩(wěn)定，或者第1信息層的透過(guò)率減少。另外，如果PP1/PP2在0.6～1.4的范圍，例如，在數(shù)據(jù)讀取中拾取器從第1信息層轉(zhuǎn)移到第2信息層時(shí)，跟蹤不會(huì)偏離，可以穩(wěn)定地進(jìn)行讀取。由于推挽值與來(lái)自槽面的反射光和來(lái)自臺(tái)部的反射光的相位差有深刻的關(guān)系，因此雖然以往就已知槽的槽深的最適值用和激光波長(zhǎng)λ關(guān)系式表示，但本發(fā)明者們深入研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明涉及的2層光記錄介質(zhì)的場(chǎng)合，在激光波長(zhǎng)λ＝350～750nm的范圍，優(yōu)選用本發(fā)明1或5規(guī)定的范圍。該發(fā)現(xiàn)是如上所述的已知文獻(xiàn)中完全沒(méi)有記載的新發(fā)現(xiàn)的事情。另外，本發(fā)明1或5用含有激光波長(zhǎng)λ的式子規(guī)定，但通常，光記錄介質(zhì)是規(guī)定使用的記錄再現(xiàn)用激光波長(zhǎng)的范圍而設(shè)計(jì)的，只要在350～750nm的范圍內(nèi)，通過(guò)由光記錄介質(zhì)的種類規(guī)定的記錄再現(xiàn)用激光波長(zhǎng)決定槽的深度，因此，通過(guò)在構(gòu)成要素中含有激光波長(zhǎng)λ，作為光記錄介質(zhì)的構(gòu)成就不會(huì)不明確。特別地，本發(fā)明在DVD+R中使用的紅色激光的波長(zhǎng)630～680nm、或藍(lán)色激光的波長(zhǎng)390～420nm的范圍，優(yōu)選用本發(fā)明1或5規(guī)定的范圍。對(duì)于反射率，在追記型光記錄介質(zhì)的場(chǎng)合，從和單面2層型DVD-ROM的互換性來(lái)看，未記錄部分的反射率優(yōu)選18～30％，特別優(yōu)選18～25％。另外，相變化型光記錄介質(zhì)的場(chǎng)合，光盤沒(méi)有槽的部分(鏡面部)的反射率超過(guò)20％時(shí)，難以得到記錄信號(hào)的對(duì)比度大的光盤。另一方面，反射率小時(shí)，由于全部信號(hào)強(qiáng)度都變小，因此反射率也不能過(guò)小。因此，鏡面部的反射率優(yōu)選4～20％，特別優(yōu)選6～12％。DPD信號(hào)在追記型場(chǎng)合和相變化的場(chǎng)合都優(yōu)選0.3或0.3以上。再現(xiàn)專用的光盤裝置中的跟蹤方式可以采用DPD(DifferentialPhaseDetection位相差檢測(cè)法)。因此，DPD信號(hào)小于0.3時(shí)，用再現(xiàn)專用的光盤裝置的跟蹤變得不穩(wěn)定，有容易引起跟蹤偏離的傾向。圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案涉及的單面2層追記型記錄介質(zhì)的概要斷面圖。圖1所示的記錄再現(xiàn)型光記錄介質(zhì)具有2個(gè)信息層。各信息層用有機(jī)色素材料形成。信息向各信息層的記錄通過(guò)從第1基板側(cè)入射激光，記錄稱為標(biāo)記的圖案來(lái)進(jìn)行。更為具體地，在具有導(dǎo)向槽的第1基板101上形成第1信息層100。第1信息層100可以是第1記錄層103單層，也可以是在第1記錄層上疊層第1反射層105的結(jié)構(gòu)。還可以在第1反射層上設(shè)置透明的第1熱擴(kuò)散層106。另外，在第1記錄層103和第1基板101之間也可以設(shè)置底層或保護(hù)層(未圖示)，為提高性能，也可以制成將它們疊層化的結(jié)構(gòu)。另一方面，第2信息層200形成在具有導(dǎo)向槽的第2基板201上。第2信息層200可以是第2記錄層203單層，也可以是第2反射層205和第2記錄層203疊層的結(jié)構(gòu)。另外，在第2記錄層203和中間層300之間還可以設(shè)置底層或保護(hù)層(未圖示)，為提高功能，也可以制成將它們疊層化的結(jié)構(gòu)。第1信息層100和第2信息層200通過(guò)大致透明的中間層300(粘接層)按照規(guī)定的距離隔開，以對(duì)置的狀態(tài)貼合。另外，按照制造方法，在中間層300上形成導(dǎo)向槽，也可以在其上形成第2信息層200。作為第1基板的材料，可以使用聚碳酸酯、丙烯酸類樹脂、聚烯烴等透明樹脂或透明玻璃。其中，聚碳酸酯樹脂具有在CD中使用最為廣泛的實(shí)際成效，另外，由于廉價(jià)，因此成為最為優(yōu)選的材料。在第1基板上視需要可以設(shè)計(jì)引導(dǎo)記錄再現(xiàn)光的間距的槽。另外，第1基板的厚度優(yōu)選0.6mm±0.1mm左右。作為第2基板的材料，可以使用與第1基板相同的材料，但也可以使用對(duì)記錄再現(xiàn)光不透明的材料，可以與第1基板的材質(zhì)、槽形狀不同。第2基板的厚度沒(méi)有特別的限制，但優(yōu)選按照與第1基板的合計(jì)厚度為1.2mm地來(lái)選擇第2基板的厚度。另外，還可以在形成第2信息層的一側(cè)設(shè)置導(dǎo)向槽。中間層優(yōu)選在為記錄再現(xiàn)而照射的光的波長(zhǎng)下的光吸收小者，作為材料，在成型性和成本方面優(yōu)選樹脂，可以使用紫外線固化性樹脂、遲效性樹脂、熱塑性樹脂等。另外，也可以使用光盤貼合用的雙面膠帶(例如，日東電工社制造的粘接片DA-8320)等。另外，與第1基板同樣，也可以在中間層上設(shè)置引導(dǎo)記錄再現(xiàn)光的槽。在進(jìn)行記錄再現(xiàn)時(shí)，中間層是使拾取器識(shí)別第1信息層和第2信息層并能進(jìn)行光學(xué)分離的層，其厚度優(yōu)選10～70μm。比10μm薄時(shí)，產(chǎn)生層間串?dāng)_(crosstalk)，另外，比70μm厚時(shí)，對(duì)第2信息層進(jìn)行記錄再現(xiàn)時(shí)產(chǎn)生球面象差，存在記錄再現(xiàn)困難的傾向。更為優(yōu)選的范圍是40～70μm。下面，對(duì)第1記錄層103以及第2記錄層203進(jìn)行說(shuō)明。作為構(gòu)成光記錄介質(zhì)所必需的項(xiàng)目，可以舉出光學(xué)特性。作為光學(xué)特性，必要的條件是在記錄再現(xiàn)波長(zhǎng)下，在短波長(zhǎng)一側(cè)具有大的吸收帶，并且記錄再現(xiàn)波長(zhǎng)在該吸收帶的長(zhǎng)波長(zhǎng)一端附近。這意味著在記錄再現(xiàn)波長(zhǎng)下具有大的折射率和消光系數(shù)。具體地，在記錄再現(xiàn)波長(zhǎng)下的記錄層單層的折射率n為1.5≤n≤3.0，消光系數(shù)k優(yōu)選在0.02≤k≤0.2的范圍。滿足該條件時(shí)，可以以高靈敏度、高調(diào)制穩(wěn)定地進(jìn)行記錄·再現(xiàn)。但是，如果n不足1.5，則難以得到充分的光學(xué)變化，因此記錄調(diào)制度變低，故不為優(yōu)選，如果n超過(guò)3.0，波長(zhǎng)依賴性過(guò)高，因此即使是記錄再現(xiàn)波長(zhǎng)區(qū)域，也會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)誤，故不優(yōu)選。另外，如果k不足0.02，記錄靈敏度變差，故不優(yōu)選，如果k超過(guò)0.2，難以獲得18％或18％以上的反射率，特別是在第1信息層，透過(guò)率變得過(guò)低，第2信息層的記錄靈敏度變差，故不優(yōu)選。接著，作為可以在記錄層中使用的有機(jī)色素材料的具體例子，可以舉出，偶氮類金屬螯合物色素、甲金屬螯合物色素、甲川二吡咯金屬螯合物色素、聚甲炔色素、スクアリリウム色素、氮雜輪烯(アザアヌレン)類色素等，優(yōu)選的是，金屬螯合物色素、三甲川賽安寧色素、スクアリリウム色素、四氮雜卟啉色素。作為偶氮類金屬螯合物色素，特別優(yōu)選夾持偶氮鍵的兩側(cè)的偶氮化合物形成單元含有取代·非取代的芳香環(huán)、吡啶殘基、嘧啶殘基、吡嗪殘基、噠嗪殘基、三嗪殘基、咪唑殘基、三唑殘基、吡唑殘基、噻唑殘基、異噻唑殘基、苯并噻唑殘基等的組合的偶氮化合物的金屬螯合化合物。另外，作為甲金屬螯合物色素，優(yōu)選用下述[化1]的通式表示的甲化合物和2價(jià)金屬原子的螯合化合物?；?(式中，Z是與其結(jié)合的碳原子和氮原子一起形成雜環(huán)的殘基，具體地，是噠嗪環(huán)、嘧啶環(huán)、吡嗪環(huán)或三嗪環(huán)。另外，這些雜環(huán)也可以具有烷基、烷氧基、烷硫基、取代氨基、烯丙基、烯丙氧基、苯胺基、酮基等取代基。A表示烷基、芳烷基、烯丙基或環(huán)己基，也可以具有鹵原子、烷基、烷氧基、酮基、羧基或其酯、腈基、硝基等取代基。B表示烯丙基，也可以具有鹵原子、烷基、烷氧基、羧基或其酯、腈基、硝基等取代基。)作為甲川二吡咯金屬螯合物色素，優(yōu)選用下述[化2]的通式表示的甲川二吡咯化合物和2價(jià)金屬原子的螯合化合物。(式中，R1～R9各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵素原子、取代·未取代的烷基、烷氧基、鏈烯基、?；⑼檠豸驶?、芳烷基、芳基、或雜芳基。)作為與上述偶氮化合物、甲化合物、甲川二吡咯化合物形成螯合化合物的金屬，可以舉出，例如，Ni、Co、Cu、Mn、V、Zn、Fe、Cr、Al等，從制造上和光盤特性上來(lái)看，特別優(yōu)選Ni、Co、Cu、Mn、V。作為聚甲炔色素，只要是在530～600nm處具有吸收帶的物質(zhì)則可以使用，但其中優(yōu)選三甲川賽安寧色素，特別優(yōu)選三甲川鏈的兩端為取代·非取代的假吲哚、苯并假吲哚的物質(zhì)，作為反陰離子除鹵素陰離子、ClO4-、BF4-、PF6-、SbF6-等之外，也可以是以二硫醇鎳(ニツケルジチオレ一ト)配位化合物為代表的各種金屬螯合物陰離子。作為スクアリリウム色素，優(yōu)選角鯊烯環(huán)的兩端含有取代·未取代的假吲哚、苯并假吲哚、吡唑、咔唑、喹喔啉、異吲哚、芳香環(huán)、取代氨基殘基中的組合的物質(zhì)。作為氮雜輪烯色素可以舉出，各種具有特定的取代基的酞菁、萘酞菁(ナフタロシアニン)、四吡嗪并卟嗪(テトラピラジノポルフイラジン)、四吡啶并卟嗪(テトラピリジノポルフイラジン)、四氮雜卟啉等，但其中特別優(yōu)選四氮雜卟啉，而后依次優(yōu)選四吡嗪并卟嗪、四吡啶并卟嗪、酞菁。作為上述色素的熱分解特性，優(yōu)選在色素單獨(dú)使用時(shí)和混合使用時(shí)，其記錄材料的分解開始溫度均為360℃或360℃以下，特別優(yōu)選100～350℃。分解溫度超過(guò)360℃時(shí)，記錄時(shí)的坑形成不能順利進(jìn)行，抖晃特性惡化。另外，不足100℃，此時(shí)光盤的保存穩(wěn)定性惡化。另外，以提高光學(xué)特性、記錄靈敏度、信號(hào)特性等為目的，上述色素還可以與其他有機(jī)色素和金屬、金屬化合物混合或疊層化使用。作為這樣的有機(jī)色素的例子，可以舉出，(聚)甲炔色素、萘酞菁(ナフタロシアニン)類、酞菁類、スクアリリウム類、クロコニウム類、吡喃鎓類、萘醌類、蒽醌類(陰丹士林類)、呫噸類、三苯基甲烷、薁、四氫膽堿類、菲類、三苯并噻嗪類各染料以及金屬配位化合物等。作為金屬、金屬化合物的例子，可以舉出，In、Te、Bi、Se、Sb、Ge、Sn、Al、Be、TeO2、SnO、As、Cd等，可以以將它們分散混合或疊層的形態(tài)使用。另外，還可以向上述染料中分散混合高分子材料、例如離子鍵聚合物樹脂、聚酰胺樹脂、乙烯基類樹脂、天然高分子、聚硅氧烷、液態(tài)橡膠等各種材料、或硅烷偶合劑等，以特性改良為目的，還可以同時(shí)使用穩(wěn)定劑(例如，過(guò)渡金屬配位化合物)、分散劑、阻燃劑、潤(rùn)滑劑、防靜電劑、表面活性劑、增塑劑等。作為有機(jī)色素記錄層的形成方法，可以使用蒸鍍、濺射、CVD(化學(xué)氣相沉積法)、溶劑涂布等通常的方法。在使用涂布法時(shí)，可以將上述染料等溶解于有機(jī)溶劑，通過(guò)噴涂、輥涂、浸漬、旋涂等常用的涂布法進(jìn)行。作為使用的有機(jī)溶劑，一般可以舉出，甲醇、乙醇、異丙醇等醇類；丙酮、甲乙酮、環(huán)己酮等酮類；N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺等酰胺類；二甲基亞砜等亞砜類；四氫呋喃、二噁烷、二乙基醚、乙二醇單甲基醚等醚類；醋酸甲酯、醋酸乙酯等酯類；氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、四氯化碳、三氯乙烷等脂肪族鹵代烴類；苯、二甲苯、一氯代苯、二氯代苯等芳香族類；甲氧基乙醇、乙氧基乙醇等溶纖劑類；己烷、戊烷、環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷等烴類等。記錄層的膜厚設(shè)為10nm～10μm，優(yōu)選20～200nm。底層以(1)提高粘接性、(2)屏蔽水或氣體等、(3)提高記錄層的保存穩(wěn)定性、(4)提高反射率、(5)保護(hù)基板不受溶劑影響、(6)形成導(dǎo)向槽、導(dǎo)向坑、預(yù)格式化等為目的而被使用。對(duì)于(1)的目的，可以使用例如，離子鍵聚合物樹脂、聚酰胺樹脂、乙烯基類樹脂、天然樹脂、天然高分子、聚硅氧烷、液態(tài)橡膠等各種高分子化合物及硅烷偶合劑等，對(duì)于(2)和(3)的目的，除上述高分子材料以外，還可以使用SiO、MgF、SiO2、TiO、ZnO、TiN、SiN等無(wú)機(jī)化合物，還可以使用Zn、Cu、Ni、Cr、Ge、Se、Au、Ag、Al等金屬或半金屬。對(duì)于(4)的目的，可以使用Al、Au、Ag等金屬或甲炔染料、呫噸類染料等具有金屬光澤的有機(jī)薄膜。對(duì)于(5)及(6)的目的，可以使用紫外線固化性樹脂、熱固化性樹脂、熱塑性樹脂等。作為底層的膜厚0.01～30μm是合適的，優(yōu)選0.05～10μm。作為反射層的材料，可以舉出，用單質(zhì)得到高反射率的不易腐蝕的金屬、半金屬等，作為具體的例子，可以舉出，Au、Ag、Cr、Ni、Al、Fe、Sn等，但從反射率、生產(chǎn)性的觀點(diǎn)來(lái)看，最為優(yōu)選Au、Ag、Al。另外，這些金屬、半金屬可以單獨(dú)使用也可以制成2種的合金使用。由于第1信息層需要高的透過(guò)率，因此，特別優(yōu)選在第1反射層上使用折射率低、熱傳導(dǎo)率高的Ag或其合金。作為反射層的膜形成法可以舉出蒸鍍、濺射等。第2反射層的膜厚設(shè)為3～500nm，優(yōu)選3～300nm。關(guān)于第1反射層，優(yōu)選3～20nm。不足3nm時(shí)，難以制作厚度均勻而致密的膜。第2反射層的膜厚超過(guò)500nm時(shí)，第2反射層和第2記錄層的界面的形狀與基板的槽形狀會(huì)有很大不同。另外，第1反射層的膜厚超過(guò)20nm時(shí)，透過(guò)率減少，第2信息層的靈敏度有下降的傾向。保護(hù)層是以保護(hù)記錄層(反射吸收層)不會(huì)受到熱的損傷、提高記錄層(反射吸收層)的保存穩(wěn)定性、提高反射率、減輕串?dāng)_(crossttalk)等為目的而使用的。對(duì)于些目的，可以使用在上述底層中所示的材料。另外，作為無(wú)機(jī)材料，也可以使用SiO、SiO2等，作為有機(jī)材料，還可以使用聚丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、環(huán)氧乙烷樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚酯樹脂、乙烯基樹脂、纖維素樹脂、脂肪族烴樹脂、天然橡膠、苯乙烯-丁二烯樹脂、氯丁橡膠、石蠟、醇酸樹脂、干性油、松香等熱軟化性、熱熔融性樹脂。上述材料中最為優(yōu)選的是ZnS、SiO2等無(wú)機(jī)材料。保護(hù)層的膜厚設(shè)為0.01～30μm，優(yōu)選0.05～10μm。另外，與記錄層的情況同樣，底層和保護(hù)層中可以含有穩(wěn)定劑、分散劑、阻燃劑、潤(rùn)滑劑、抗靜電劑、表面活性劑、增塑劑等。在本發(fā)明的單面2層型追記型光記錄介質(zhì)中，也可以在第1反射層上設(shè)置第1熱擴(kuò)散層。從透過(guò)率的觀點(diǎn)來(lái)看，第1反射層必須非常薄，但第1反射層很薄時(shí)熱容量不足，熱量就會(huì)聚集在有機(jī)色素記錄層上，難以形成微小的標(biāo)記。因此，為補(bǔ)充第1反射層的熱容量不足，設(shè)置第1熱擴(kuò)散層。作為第1熱擴(kuò)散層，為將激光照射的有機(jī)色素記錄層快速冷卻，優(yōu)選熱傳導(dǎo)率大者。另外，為將內(nèi)側(cè)的信息層進(jìn)行記錄再現(xiàn)，優(yōu)選在激光波長(zhǎng)下的吸收率小者。在信息的記錄再現(xiàn)中使用的激光波長(zhǎng)下，優(yōu)選消光系數(shù)為0.5或0.5以下，更為優(yōu)選0.3或0.3以下。比0.5大時(shí)，在第1信息層的吸收率增大，第2信息層的記錄再現(xiàn)變得困難。另外，在信息的記錄再現(xiàn)所使用的激光波長(zhǎng)下，折射率優(yōu)選1.6或1.6以上。比該值小時(shí)，增大第1信息層的透過(guò)率變得困難。從以上可以看出，優(yōu)選含有氮化物、氧化物、硫化物、氮氧化物、碳化物、氟化物中的至少1種?？梢耘e出，例如，AlN、Al2O3、SiC、SiN、SnO2、In2O3、ZnO、ITO(氧化銦-氧化錫)、IZO(氧化銦-氧化鋅)、ATO(氧化錫-銻)、DLC金剛石型碳(グイアモンドライクカ一ボン)、BN等。第1熱擴(kuò)散層可以通過(guò)各種氣相成長(zhǎng)法，例如，真空蒸鍍法、濺射法、等離子體CVD法、光CVD法、離子鍍法、電子束蒸鍍法等形成。其中，濺射法在批量生產(chǎn)性、膜質(zhì)量等方面優(yōu)異。第1熱擴(kuò)散層的膜厚優(yōu)選10～200nm。比10nm薄時(shí)，不能得到散熱效果。比200nm厚時(shí)，應(yīng)力變大，不僅會(huì)降低反復(fù)記錄特性，在批量生產(chǎn)上也會(huì)產(chǎn)生問(wèn)題。圖2是本發(fā)明的另一實(shí)施方案涉及的單面2層型的相變化型光記錄介質(zhì)的概要斷面圖。圖2所示的記錄再現(xiàn)型光記錄介質(zhì)具有2個(gè)信息層。各信息層使用在非晶體和結(jié)晶體之間光學(xué)特性發(fā)生變化的材料(所謂的相變化記錄材料)而形成。信息向各信息層的記錄與圖1的情況一樣，通過(guò)從第1基板入射激光，并透過(guò)記錄被稱為標(biāo)記的圖案來(lái)進(jìn)行。更為具體地，在具有導(dǎo)向槽的第1基板101上形成第1信息層100。第1信息層至少由第1記錄層103，以及半透明的第1反射層105疊層而構(gòu)成，所述第1記錄層103是由用透明的第1下部層保護(hù)層102和透明的第1上部保護(hù)層104夾持方式而形成的相變化記錄材料構(gòu)成的。在反射層105上還可以設(shè)置透明的第1熱擴(kuò)散層106。另一方面，第2信息層200形成于具有導(dǎo)向槽的第2基板201上。第2信息層200由第2反射層205、第2記錄層203疊層而構(gòu)成，所述第2記錄層203是由用透明的第2下部層保護(hù)層202和透明的第2上部保護(hù)層204夾持方式而形成的相變化記錄材料構(gòu)成的。第1信息層100和第2信息層200通過(guò)大致透明的中間層300(粘接層)以規(guī)定的距離隔開、貼合并對(duì)置。這些信息層沿基板表面上的導(dǎo)向槽形狀形成，由于信息層內(nèi)的記錄層也以沿導(dǎo)向槽形狀的形式而形成，因此記錄層也具有導(dǎo)向槽。下面，依次對(duì)各層進(jìn)行說(shuō)明，但由于第1基板101、第2基板102、中間層300與圖1的情況相同，因此省略說(shuō)明。下面，對(duì)第1記錄層和第2記錄層進(jìn)行說(shuō)明。圖2的第1記錄層103和第2記錄層203是相變化型的記錄層，其膜厚在第1信息層和第2信息層的優(yōu)選的范圍不同，在第1記錄層中優(yōu)選3～20nm的范圍。比3nm薄時(shí)，制成均勻厚度的膜變得困難，而且，由于結(jié)晶化速度有變慢的傾向，故難以在短時(shí)間進(jìn)行消除。另一方面，超過(guò)20nm時(shí)，透過(guò)率減少，第2信息層的靈敏度降低。從透過(guò)率的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選15nm或15nm以下。第2記錄層的膜厚優(yōu)選3～100nm的范圍。比3nm薄時(shí)，產(chǎn)生與第1記錄層同樣的不良現(xiàn)象。超過(guò)100nm時(shí)，難以得到光學(xué)上的對(duì)比度，而且容易產(chǎn)生裂紋。另外，在最短標(biāo)記長(zhǎng)度為0.5μm或0.5μm以下的高密度記錄中，第2記錄層的膜厚優(yōu)選3～25nm。如果不足3nm，反射率變得過(guò)低，另外容易出現(xiàn)膜成長(zhǎng)初期的不均勻組成、疏松的膜的影響，因此不優(yōu)選。另一方面，比25nm厚時(shí)，除熱容量變大而記錄靈敏度變差之外，結(jié)晶成長(zhǎng)變成3維，非晶體標(biāo)記的邊界混亂，抖晃有增高的傾向。再有，由第2記錄層的相變化引起的體積變化變得顯著，反復(fù)蓋寫(O/W)耐久性變差，因此不優(yōu)選。從標(biāo)記端的抖晃以及反復(fù)蓋寫(O/W)耐久性的觀點(diǎn)來(lái)看，更為優(yōu)選20nm或20nm以下。第1和第2記錄層的密度優(yōu)選體積密度的80％或80％以上，更優(yōu)選90％或90％以上。為提高密度，在濺射成膜法時(shí)，降低成膜時(shí)的濺射氣體(Ar等稀有氣體)的壓力，或接近靶的正面設(shè)置基板等來(lái)增多照射在記錄層上的高能Ar量是必要的。高能Ar是為濺射而照射在靶上的Ar離子一部分被彈回并到達(dá)基板側(cè)的Ar離子、或等離子體中的Ar離子在基板全面的殼(シ一ス)電壓下被加速而到達(dá)基板上的Ar離子的任意一種。將這樣的高能的稀有氣體的照射效果稱為“原子轟擊(atomicpeening)”效果。在通常使用的Ar氣體的濺射中，通過(guò)原子轟擊效果Ar混入濺射膜中。通過(guò)該混入濺射膜中的Ar量可以估計(jì)出原子轟擊的效果。即，如果Ar量少，意味著高能Ar照射效果減少，容易形成密度疏松的膜。另一方面，如果Ar量多，高能Ar的照射激烈，密度變高，但混入膜中的Ar在反復(fù)蓋寫(O/W)時(shí)，成為空隙(void)而析出，使反復(fù)的耐久性劣化。記錄層膜中的適當(dāng)?shù)腁r量為0.1～1.5原子％。再有，與直流濺射相比，使用高頻濺射可以減少膜中的Ar量并得到高膜密度，因此優(yōu)選。作為第1和第2記錄層中使用的相變化材料，優(yōu)選用在上述本發(fā)明7中規(guī)定的組成式表示的含有以Sb和Te作為主要的構(gòu)成元素的合金。作為添加元素，Ge在保存穩(wěn)定性、強(qiáng)對(duì)比度比這點(diǎn)上是合適的。另外，通過(guò)在各記錄層中再添加0.1～5原子％的從O、S、N中選出的至少一種元素，可以對(duì)記錄層的光學(xué)常數(shù)進(jìn)行微調(diào)。但是，如果添加超過(guò)5原子％，結(jié)晶化速度降低，消除性能惡化，因此不優(yōu)選。另外，為不降低蓋寫時(shí)的結(jié)晶化速度并增加隨時(shí)間推移的穩(wěn)定性，優(yōu)選添加8原子％或8原子％以下的從V、Nb、Ta、Cr、Co、Pt、Zr中選出的至少一種元素，更為優(yōu)選的添加量為0.1～5原子％。上述添加元素和Ge的合計(jì)添加量相對(duì)于SbTe優(yōu)選15原子％或15原子％以下。如果含有合計(jì)添加量比15原子％多時(shí)，引起Sb以外的相分離。特別是，Ge含量為3～5原子％時(shí)添加效果大。另外，為提高隨時(shí)間推移的穩(wěn)定性和微調(diào)折射率，優(yōu)選添加5原子％或5原子％以下的從Si、Sn、Pb中選出的至少一種元素。這些添加元素和Ge的合計(jì)添加量?jī)?yōu)選15原子％或15原子％以下。另外，Si、Sn、Pb的各元素是與Ge相同的具有4配位網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的元素。另外，通過(guò)添加8原子％或8原子％以下的Al、Ga、In，在提高結(jié)晶化溫度的同時(shí)，還有降低抖晃、改善記錄靈敏度的效果，但由于容易發(fā)生偏析，因此優(yōu)選設(shè)為6原子％或6原子％以下。Al、Ga、In的各添加量，作為與Ge合起來(lái)的合計(jì)添加量?jī)?yōu)選15原子％或15原子％以下，更加優(yōu)選13％或13％以下。另外，通過(guò)以8原子％或8原子％以下的量添加Ag，在改善記錄靈敏度上是有效的，特別是如果在Ge原子量超過(guò)5原子％時(shí)使用則效果顯著。但Ag的添加量超過(guò)8原子％時(shí)會(huì)增加抖晃，或損害非晶體標(biāo)記的穩(wěn)定性，因此不優(yōu)選。另外，與Ge加在一起的合計(jì)添加量超過(guò)15原子％時(shí)容易產(chǎn)生偏析因此不優(yōu)選。作為Ag的含量最為優(yōu)選的是5原子％或5原子％以下。另外，作為第1和第2記錄層中使用的其他的相變化材料，優(yōu)選在本發(fā)明8中用規(guī)定的組成式表示的含有Ge、Sb和Te為主要構(gòu)成元素的合金。該組成式表示在記錄層中合計(jì)含有100×x/(2x+y+3)原子％的Ge和M2。為得到反復(fù)記錄性能優(yōu)異的光記錄介質(zhì)，A更為優(yōu)選滿足2≤A≤10。在GeTe-Sb2Te3假二元體系組成中，通過(guò)固溶SnTe或PbTe或Bi2Te3，可以進(jìn)一步加快結(jié)晶化速度。第1和第2記錄層的成膜后的狀態(tài)通常為非晶體。因此，成膜后必須將各記錄層全面進(jìn)行結(jié)晶化，成為初始化的狀態(tài)(未記錄狀態(tài))。作為初始化方法可以是采用在固相下的退火進(jìn)行的初始化，但優(yōu)選采用將記錄層一次熔融，再凝固時(shí)緩慢冷卻而結(jié)晶化的所謂熔融重結(jié)晶化的初始化。第1和第2記錄層剛成膜之后，幾乎沒(méi)有結(jié)晶成長(zhǎng)的核，因此在固相下進(jìn)行的結(jié)晶化是困難的，但通過(guò)熔融重結(jié)晶化形成少數(shù)的結(jié)晶核之后，熔融并結(jié)晶成長(zhǎng)成為主體，高速進(jìn)行重結(jié)晶化。采用熔融重結(jié)晶化的結(jié)晶和在采用在固相下的退火的結(jié)晶的反射率不同，因此，如果混入，就會(huì)成為產(chǎn)生噪音的原因。而且，在實(shí)際的蓋寫(O/W)記錄時(shí)，消除部是采用熔融再結(jié)晶化的結(jié)晶，因此，優(yōu)選初始化也通過(guò)熔融重結(jié)晶化進(jìn)行。通過(guò)熔融重結(jié)晶化進(jìn)行初始化時(shí)，記錄層的熔融可以在局部且1毫秒或1毫秒以下左右的短時(shí)間進(jìn)行。其原因是由于，熔融區(qū)域大、熔融時(shí)間或冷卻時(shí)間過(guò)長(zhǎng)時(shí)，各層會(huì)被熱破壞，或者塑料基板表面變形。要施加適合初始化的熱歷程，優(yōu)選將波長(zhǎng)600～1000nm左右的高輸出功率半導(dǎo)體激光聚焦為長(zhǎng)軸100～300μm、短軸1～3μm進(jìn)行照射，將短軸方向作為掃描軸以1～10m/s的線速度進(jìn)行掃描。即使是同樣的聚焦光，如果接近圓形，熔融區(qū)域變得過(guò)大，容易引起重非晶體化，另外，對(duì)多層構(gòu)成或基板的損傷增大，因此不優(yōu)選。初始化通過(guò)熔融重結(jié)晶化進(jìn)行的情況可以按照以下方法確認(rèn)。即，向初始化后的介質(zhì)上以一定線速度直流地照射聚焦成直徑約比1.5μm小的光點(diǎn)徑的足以熔融記錄層的記錄功率Pw的記錄光。有導(dǎo)向槽時(shí)，由該其槽或槽間構(gòu)成的軌道上施加跟蹤伺服以及聚焦伺服的狀態(tài)進(jìn)行。之后，如果向相同的軌道上直流地照射消除功率Pe(≤Pw)的消除光得到的消除狀態(tài)的反射率與完全未記錄的初始狀態(tài)的反射率基本相同，則可以確認(rèn)該初始化狀態(tài)為熔融重結(jié)晶狀態(tài)。這是因?yàn)椋ㄟ^(guò)記錄光照射，記錄層被一次熔融，用消除光照射使其完全重結(jié)晶化的狀態(tài)是經(jīng)過(guò)采用記錄光的熔融和采用消除光進(jìn)行重結(jié)晶化的過(guò)程，成為熔融重結(jié)晶化的狀態(tài)。另外，作為初始化狀態(tài)的反射率Rini和熔融重結(jié)晶化狀態(tài)Rcry的反射率基本相同，是指用(Rini-Rcry)/{(Rini+Rcry)/2}定義的二者的反射率之差為20％或20％以下。通常，如果只進(jìn)行退火等固相結(jié)晶化，其反射率差大于20％。如圖2所示，第1記錄層是夾入第1上部保護(hù)層和第1下部保護(hù)層之間的結(jié)構(gòu)，第2記錄層是夾入第2上部保護(hù)層和第2下部保護(hù)層之間的結(jié)構(gòu)，分別設(shè)置在第1基板的槽形成面上和第2基板的槽形成面上。第1和第2下部保護(hù)層在主要防止由于記錄時(shí)的高溫導(dǎo)致的第1和第2記錄層的變形上是有效的。另外，還兼有防止記錄層和反射層之間的相互擴(kuò)散、抑制第1和第2記錄層的變形、并高效地向第1和第2反射層散熱的功能。這些保護(hù)層的材料視折射率、導(dǎo)熱系數(shù)、化學(xué)穩(wěn)定性、機(jī)械強(qiáng)度、密合性等決定。通?？梢允褂猛该餍愿咔腋呷埸c(diǎn)的金屬或半導(dǎo)體的氧化物、硫化物、氮化物、碳化物或Ca、Mg、Li等的氟化物，但本發(fā)明者們研究各種材料的結(jié)果認(rèn)為，如果考慮上述觀點(diǎn)以及與構(gòu)成本發(fā)明的第1和第2記錄層的材料的整合性，最為優(yōu)選ZnS和SiO2的混合物。另外，也含有該材料時(shí)，上述氧化物、硫化物、氮化物、碳化物、氟化物沒(méi)有必要采取化學(xué)計(jì)量的組成，為控制折射率等或控制組成或混合來(lái)使用也是有效的。對(duì)保護(hù)層的功能等進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明。本發(fā)明的層結(jié)構(gòu)屬于被稱為急冷結(jié)構(gòu)的層結(jié)構(gòu)的一種。急冷結(jié)構(gòu)促進(jìn)放熱，并通過(guò)采用提高記錄層再凝固時(shí)的冷卻速度的層結(jié)構(gòu)，避免了非晶體標(biāo)記形成時(shí)的重結(jié)晶化的問(wèn)題，并實(shí)現(xiàn)由高速結(jié)晶化產(chǎn)生的高消除比。因此，第1和第2上部保護(hù)層的膜厚設(shè)置為5～30nm。比5nm薄時(shí)，容易被記錄層熔融時(shí)的變形等破壞，另外，放熱效果過(guò)大，記錄所需要的功率變?yōu)椴恍枰卦龃?。再有，上述保護(hù)層的膜厚對(duì)反復(fù)蓋寫時(shí)的耐久性有很大影響，特別是，在抑制抖晃的惡化上也是重要的。膜厚比30nm厚時(shí)，記錄時(shí)，在上部保護(hù)層的記錄層側(cè)和反射層側(cè)，溫度差變大，由于保護(hù)層的兩側(cè)的熱膨脹差，保護(hù)層本身容易變形成為不對(duì)稱。這種反復(fù)使保護(hù)層內(nèi)部蓄積微觀的塑性變形，導(dǎo)致噪音增加，因此不優(yōu)選。使用上述的相變化記錄材料時(shí)，可以在最短標(biāo)記長(zhǎng)為0.5μm或0.5μm以下的高密度記錄中實(shí)現(xiàn)低抖晃，但通過(guò)本發(fā)明者們的研究發(fā)現(xiàn)，為實(shí)現(xiàn)高密度記錄而使用短波長(zhǎng)的激光二極管(例如，波長(zhǎng)為700nm或700nm以下)時(shí)，即使對(duì)于上述急冷結(jié)構(gòu)的層結(jié)構(gòu)也必須留意每一層。特別地，在使用波長(zhǎng)為500nm或500nm以下、開口數(shù)NA為0.55或0.55以上的小的聚焦光束的1光束蓋寫特性的研究中得知，為廣泛取得高消除比和消除功率邊界(パワ一マ一ジン)，將標(biāo)記寬方向的溫度分布平坦化是重要的。該傾向在使用波長(zhǎng)630～680nm、NA＝0.6左右的光學(xué)體系的DVD對(duì)應(yīng)的光學(xué)體系中也是同樣的。在使用這樣的光學(xué)體系的高密度標(biāo)記長(zhǎng)調(diào)制記錄中，將熱傳導(dǎo)特性特別低的物質(zhì)用作上部保護(hù)層。優(yōu)選的是，將其膜厚設(shè)定為10～25nm。在任何情況下，通過(guò)將設(shè)置在其上的反射層制成導(dǎo)熱系數(shù)特別高的材料，可以改善消除比和消除功率邊界(パワ一マ一ジン)。根據(jù)研究，在廣泛的消除功率范圍中，要發(fā)揮相變化記錄層所具有的良好的消除特性，優(yōu)選使用不僅單單膜厚方向的溫度分布或時(shí)間變化、而且膜面方向(記錄光束掃描方向的垂直方向)的溫度分布也盡可能平坦化的層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明者們嘗試適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)光記錄介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)，使介質(zhì)中的橫穿軌道方向的溫度分布平坦化，由此將不進(jìn)行熔融并重非晶體化就可以重結(jié)晶化的寬度擴(kuò)大，并擴(kuò)大消除率和消除功率邊界。另一方面，得知，通過(guò)導(dǎo)熱系數(shù)低且極薄的上部保護(hù)層，促進(jìn)從記錄層向?qū)嵯禂?shù)極高的反射層的散熱，從而記錄層中的溫度分布變得平坦。雖然提高上部保護(hù)層的導(dǎo)熱系數(shù)，也可以促進(jìn)散熱效果，但如果過(guò)度促進(jìn)散熱，記錄所需要的照射功率變高，記錄靈敏度顯著降低。在本發(fā)明中，優(yōu)選使用低導(dǎo)熱系數(shù)的薄的上述保護(hù)層。由此，在記錄功率照射開始時(shí)刻的數(shù)nsec～數(shù)十nsec中，給從記錄層向反射層的熱傳導(dǎo)帶來(lái)時(shí)間上的延遲，可以促進(jìn)之后向反射層的放熱，因此，通過(guò)放熱不能將記錄靈敏度降低至必要或必要以上。以往已知的以SiO2、Ta2O5、Al2O3、AlN、SiN等為主要成分的保護(hù)層材料，其自身的導(dǎo)熱系數(shù)過(guò)高，以單質(zhì)形式，不適合第1和第2上部保護(hù)層。另一方面，反射層中的放熱，在例如第2信息層的情況下，即使增厚第2反射膜的膜厚也可以實(shí)現(xiàn)，但第2反射層的膜厚超過(guò)300nm時(shí)，與第2記錄層的膜面方向相比，膜厚方向的熱傳導(dǎo)顯著，不能得到膜面方向的溫度分布改善效果。另外，第2反射層本身的熱容量變大，第2反射層、進(jìn)一步說(shuō)，第2記錄層的冷卻需要時(shí)間，會(huì)阻礙非晶體標(biāo)記的形成。最為優(yōu)選的是，將高導(dǎo)熱系數(shù)的第2反射層設(shè)置為薄的，從而選擇性地促進(jìn)向橫方向的放熱。以往使用的急冷結(jié)構(gòu)只關(guān)注膜厚方向的1維的熱的散發(fā)，只是謀求將熱量快速地從第2記錄層散發(fā)到第2反射層，而沒(méi)有充分注意該平面方向的溫度分布的平坦化。另外，上述的所謂“考慮在上部保護(hù)層中的熱傳導(dǎo)延遲效果的超急冷結(jié)構(gòu)”使用于上述第1和第2記錄層時(shí)，與以往的GeTe-Sb2Te3記錄層相比有進(jìn)一步的效果。這是因?yàn)?，?和第2記錄層在Tm附近的再凝固時(shí)的結(jié)晶成長(zhǎng)支配重結(jié)晶化的速度。要將在Tm附近的冷卻速度增大到極限，將非晶體標(biāo)記及其邊界的形成調(diào)整得確實(shí)且明確，超急冷結(jié)構(gòu)是有效的，并且，在膜面方向的溫度分布的平坦化中，原本在Tm附近可以進(jìn)行高速消除，這是由于，可以確保達(dá)到更高的消除功率確實(shí)地重結(jié)晶化進(jìn)行的消除。作為第1以及第2上部保護(hù)層的材料，優(yōu)選熱傳導(dǎo)特性低者，但其參考值是1×10-3pJ/(μm·K·nsec)。但是，直接測(cè)定這樣的低導(dǎo)熱系數(shù)材料的薄膜狀態(tài)的導(dǎo)熱系數(shù)是困難的，取而代之，可以從熱模擬和實(shí)際的記錄靈敏度的測(cè)定結(jié)果得到參考值。作為得到優(yōu)選的結(jié)果的低導(dǎo)熱系數(shù)的上部保護(hù)層材料，是含有50～90摩爾％的ZnS、ZnO、TaS2、稀土類硫化物中的至少一種，且含有熔點(diǎn)或分解點(diǎn)在1000℃或1000℃以上的耐熱性化合物的復(fù)合電介體。更為優(yōu)選的是，含有60～90摩爾％的La、Ce、Nd、Y等稀土類硫化物，或含有70～90摩爾％的ZnS、ZnO的復(fù)合電介體。作為熔點(diǎn)或分解點(diǎn)在1000℃或1000℃以上的耐熱性化合物材料，可以舉出，Mg、Ca、Sr、Y、La、Ce、Ho、Er、Yb、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Zn、Al、Si、Ge、Pb等的氧化物、氮化物、碳化物或Ca、Mg、Li的氟化物。作為可以與ZnS混合的材料，特別優(yōu)選SiO2，且認(rèn)為在本發(fā)明中該組合是最合適的。第1和第2上部保護(hù)層的膜厚設(shè)置為如上所述的5～30nm。優(yōu)選25nm或25nm以下。比30nm厚時(shí)，不能得到標(biāo)記寬度方向的溫度分布的充分平坦化效果。另外，如果不足5nm，在上部保護(hù)層部的熱傳導(dǎo)的延遲效果不充分，記錄靈敏度降低顯著，因此不優(yōu)選。第1和第2上部保護(hù)層的膜厚在記錄激光波長(zhǎng)為600～700nm下，優(yōu)選15～25nm，在350～600nm下優(yōu)選5～20nm，更加優(yōu)選5～15nm。第1和第2下部保護(hù)層的膜厚優(yōu)選30～200nm。不足30nm時(shí)，有可能由于記錄時(shí)的熱量而使記錄層變形。比200nm厚時(shí)，在批量生產(chǎn)性上有產(chǎn)生問(wèn)題的傾向。在這些范圍內(nèi)，按照達(dá)到最適的反射率地進(jìn)行膜厚的設(shè)計(jì)。另外，將上部保護(hù)層和下部保護(hù)層制成相同材料時(shí)，從減少制造上的成本方面也是有利的。下面，對(duì)第1反射層105和第2反射層205進(jìn)行說(shuō)明。第1和第2反射層是具有高效使用入射光并提高冷卻速度容易非晶體化等的功能的反射層，特別是在作為本發(fā)明的特征的超急冷結(jié)構(gòu)中，使用了導(dǎo)熱系數(shù)非常高的金屬。具體地，可以舉出，Au、Ag、Cu、W、Al、Ta等或它們的合金，作為添加元素可以舉出Cr、Ti、Si、Pd、Ta、Nd、Zn等。其中，由于Ag類材料折射率小、并可以將光吸收抑制得很小，因此作為第1信息層的反射層使用的材料是特別優(yōu)選的。這樣的反射層可以通過(guò)各種氣相成長(zhǎng)法，例如，真空蒸鍍法、濺射法、等離子CVD法、光CVD法、離子鍍法、電子束蒸鍍法等形成。其中，濺射法的批量生產(chǎn)性、膜質(zhì)量等優(yōu)異。由于第1信息層需要高的透過(guò)率，因此，優(yōu)選在第1反射層中使用折射率低且導(dǎo)熱系數(shù)高的Ag或Ag合金。另外，膜厚優(yōu)選3～20nm左右。如果不足3nm，制作膜厚均勻且致密的膜變得困難。比20nm厚時(shí)，透過(guò)率減少，第2信息層200的記錄再現(xiàn)變得困難。另外，構(gòu)成第2信息層的第2反射層的膜厚以50～300nm為佳，優(yōu)選80～150nm。如果不足50nm，即使使用純Ag如果在其上不再設(shè)置熱擴(kuò)散層，則放熱效果不足，在超急冷結(jié)構(gòu)中是不充分的。另一方面，超過(guò)300nm時(shí)，熱從水平方向散發(fā)至垂直方向，無(wú)助于水平方向的熱分布改善，第2反射層本身的熱容量變大，相反地，第2記錄層的冷卻速度變慢。另外，膜表面的微觀平坦性也變差。另外，也可以在第1上部保護(hù)層和第1反射層之間和/或第2上部保護(hù)層和第2反射層之間設(shè)置阻擋層。如上所述，作為反射層，最為優(yōu)選Ag合金，作為保護(hù)層，最為優(yōu)選ZnS和SiO2的混合物，但該2層鄰接時(shí)，保護(hù)層的中的硫有可能腐蝕反射層中的Ag，有保存信賴性降低的危險(xiǎn)。為避免該不良現(xiàn)象，在反射層中使用Ag類時(shí)，優(yōu)選設(shè)置阻擋層。阻擋層必須不含硫且熔點(diǎn)比記錄層高，具體地可以舉出，SiO2、ZnO、SnO2、Al2O3、TiO2、In2O3、MgO、ZrO2等金屬氧化物；Si3N4、AlN、TiN、ZrN等氮化物；SiC、TaC、B4C、WC、TiC、ZrC等碳化物；或它們的混合物。這些阻擋層優(yōu)選在激光波長(zhǎng)下的吸收率小者。阻擋層可以通過(guò)各種氣相成長(zhǎng)法，例如，真空蒸鍍法、濺射法、等離子CVD法、光CVD法、離子鍍法、電子束蒸鍍法等形成。其中，濺射法的批量生產(chǎn)性、膜質(zhì)量等方面優(yōu)異。阻擋層的膜厚優(yōu)選2～10nm。不足2nm時(shí)，不能得到防止Ag腐蝕的效果，保存信賴性降低。比10nm厚時(shí)，不能得到急冷結(jié)構(gòu)，或者透過(guò)率有下降的傾向。另外，可以在第1反射層上設(shè)置第1熱擴(kuò)散層。如上所述，從透過(guò)率的觀點(diǎn)來(lái)看，第1反射層必須非常薄，但第1反射層如果很薄，熱容量不足，第1記錄層的急冷變得困難。為補(bǔ)充第1反射層的熱容量，可以設(shè)置第1熱擴(kuò)散層。為將激光照射的記錄層急冷，第1熱擴(kuò)散層優(yōu)選導(dǎo)熱系數(shù)大者。另外，為使內(nèi)側(cè)的信息層可以進(jìn)行記錄再現(xiàn)，優(yōu)選在激光波長(zhǎng)下的吸收率小者。在使用于信息的記錄再現(xiàn)的激光波長(zhǎng)下，消光系數(shù)優(yōu)選0.5或0.5以下。更為優(yōu)選0.3或0.3以下。比0.5大時(shí)，在第1信息層的吸收率增大，第2信息層的記錄再現(xiàn)變得困難。另外，在使用于信息的記錄再現(xiàn)的激光波長(zhǎng)下，折射率優(yōu)選1.6或1.6以上。比該值小時(shí)，增大第1信息層的透過(guò)率變得困難。從以上可以看出，作為第1熱擴(kuò)散層的材料，優(yōu)選含有氮化物、氧化物、硫化物、氮氧化物、碳化物、氟化物中的至少1種?？梢耘e出，例如，AlN、Al2O3、SiC、SiN、SnO2、In2O3、ZnO、ITO(氧化銦-氧化錫)、IZO(氧化銦-氧化鋅)、ATO(氧化錫-銻)、DLC(金剛石型碳)、BN等。第1熱擴(kuò)散層可以通過(guò)各種氣相成長(zhǎng)法，例如，真空蒸鍍法、濺射法、等離子CVD法、光CVD法、離子鍍法、電子束蒸鍍法等形成。其中，濺射法，在批量生產(chǎn)性、膜質(zhì)量等方面優(yōu)異。第1熱擴(kuò)散層的膜厚優(yōu)選10～200nm。比10nm薄時(shí)，不能得到放熱效果。比200nm厚時(shí)，應(yīng)力變大，不僅會(huì)降低反復(fù)記錄特性，而且在批量生產(chǎn)性上也會(huì)產(chǎn)生問(wèn)題。另外，即使再在第1下部保護(hù)層和第1基板之間設(shè)置熱擴(kuò)散層，謀求熱擴(kuò)散效果的進(jìn)一步提高，也沒(méi)有任何問(wèn)題。下面，對(duì)本發(fā)明的單面2層型的相變化型光記錄介質(zhì)的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。制造方法之一是，依次進(jìn)行包括成膜工序、初始化工序、密合工序的各基本工序。作為成膜工序，另行制作在第1基板的設(shè)置了導(dǎo)向槽的面上形成第1信息層的層和在第2基板的設(shè)置了導(dǎo)向槽的面上形成第2信息層的層。分別構(gòu)成第1信息層和第2信息層的各層可以通過(guò)各種氣相成長(zhǎng)法，例如，真空蒸鍍法、濺射法、等離子CVD法、光CVD法、離子鍍法、電子束蒸鍍法等形成。其中，濺射法，在批量生產(chǎn)性、膜質(zhì)量等方面優(yōu)異。濺射法通常邊流通氬等非活性氣體邊進(jìn)行成膜，但此時(shí)，也可以邊混入氧、氮等邊進(jìn)行反應(yīng)濺射。在初始化工序中，通過(guò)對(duì)第1和第2信息層照射激光等能量光，使之全面初始化，即，使記錄層結(jié)晶化。在初始化工序時(shí)，有可能由于激光能量使膜浮起時(shí)，故在初始化工序前，可以在第1和第2信息層上旋涂UV樹脂等，照射紫外線使之固化，實(shí)施罩面層涂布(オ一バ一コ一ト)。另外，也可以首先進(jìn)行下面的密合工序之后，再?gòu)牡?基板側(cè)將第1和第2信息層初始化。接著，將上述初始化了的在第1基板的設(shè)置了導(dǎo)向槽的面上形成第1信息層的層和在第2基板的設(shè)置了導(dǎo)向槽的面上形成第2信息層的層邊將第1信息層和第2信息層對(duì)合，邊通過(guò)中間層貼合。例如，在任何一邊的膜面上旋涂成為中間層的紫外線固化樹脂，將膜面彼此對(duì)合，并對(duì)兩基板加壓，使之密合，此外，照射紫外線使樹脂固化。接著，對(duì)用于制造本發(fā)明涉及的2層相變化型光記錄介質(zhì)的另一方法進(jìn)行說(shuō)明。該方法依次進(jìn)行包括第一成膜工序、中間層形成工序、第二成膜工序、基板貼合工序和初始化工序的各基本工序。通過(guò)該方法制造的2層相變化型光記錄介質(zhì)是在第1基板和中間層上形成槽。在第一成膜工序中，將第1信息層成膜在第1基板上設(shè)置了導(dǎo)向槽的面上。成膜方法如上所述。在中間層形成工序中，在第1信息層上形成具有導(dǎo)向槽的中間層。例如，在第1信息層上全面涂布紫外線固化性樹脂，并直接接觸用可以透過(guò)紫外線的材料制作的圖案地照射紫外線而固化，形成槽。在第二成膜工序中，在中間層上成膜第2信息層。成膜方法如上所述。在基板貼合工序中，用粘接材料貼合第2信息層和第2基板。例如，在第2信息層上或第2基板上旋涂作為粘接層材料的紫外線固化性樹脂，貼合第2信息層和第2基板之后，照射紫外線使之固化。在初始化工序中，通過(guò)從第1基板側(cè)對(duì)第1信息層、第2信息層照射激光等能量光使記錄層全面初始化(結(jié)晶化)。圖3是用于進(jìn)行本發(fā)明涉及的單面2層型光記錄介質(zhì)的記錄·再現(xiàn)的裝置的概要圖。從激光二極管11射出的激光通過(guò)半透半反鏡12和物鏡13聚焦在由主軸電動(dòng)機(jī)14旋轉(zhuǎn)的光記錄介質(zhì)15上，進(jìn)行信息信號(hào)的記錄·再現(xiàn)。16是光電探測(cè)器。(發(fā)明的效果)按照本發(fā)明，可以提供，能夠穩(wěn)定地跟蹤、可以對(duì)各信息層進(jìn)行良好地記錄·再現(xiàn)的單面2層型的追記型光記錄介質(zhì)和相變化型光記錄介質(zhì)。另外，按照作為本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的、DPD信號(hào)為0.3或0.3以上的光記錄介質(zhì)，還可以提供即使是現(xiàn)有的DVD-ROM驅(qū)動(dòng)器也可以穩(wěn)定再現(xiàn)的單面2層型的追記型光記錄介質(zhì)和相變化型光記錄介質(zhì)。另外，按照本發(fā)明的記錄再現(xiàn)方法，可以使用本發(fā)明的單面2層型的追記型光記錄介質(zhì)和相變化型光記錄介質(zhì)進(jìn)行良好地記錄·再現(xiàn)。此外，按照本發(fā)明，可以提供，能夠穩(wěn)定地跟蹤、可以對(duì)各信息層進(jìn)行良好地記錄·再現(xiàn)的單面2層型的追記型光記錄介質(zhì)和相變化型光記錄介質(zhì)的記錄·再現(xiàn)裝置。下面，舉實(shí)施例和比較例更加詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明并不受這些實(shí)施例的任何限定。另外，各實(shí)施例和比較例的第1及第2基板的槽寬和槽深是用HeNe激光的干涉光強(qiáng)度求得的值。另外，槽寬是槽的半值的寬度。(實(shí)施例1)在直徑為12cm、厚為0.6mm、含有表面上具有軌道間距為0.74μm、槽寬0.30μm、槽深145nm的導(dǎo)向槽的聚碳酸酯樹脂(折射率ni＝1.58)的第1基板上旋轉(zhuǎn)涂布將下述化合物[化3]溶解于2，2，3，3-四氟丙醇中的溶液，形成膜厚為60nm的第1有機(jī)色素記錄層。接著，通過(guò)磁控管濺射法在記錄層上制作膜厚10nm的含有Ag的第1反射層，在其上制作膜厚為30nm的含有IZO[In2O3-ZnO(10重量％)]的第1熱擴(kuò)散層，制成第1信息層。在這樣形成的第1信息層上涂布樹脂(折射率n2＝1.58)，通過(guò)2P(photopolymerization)法形成具有軌道間距為0.74μm、槽寬0.25μm、槽深150nm的導(dǎo)向槽的中間層。中間層的厚度為50μm。再在其上形成膜厚20nm的含有SiO2的保護(hù)層，在其上旋轉(zhuǎn)涂布與第1信息層同樣的溶液，形成膜厚為90nm的第2有機(jī)色素記錄層，接著，形成膜厚為60nm的含有Au的第2反射層，制成第2信息層。接著，在第2信息層的膜面上，涂布紫外線固化樹脂，與不具有導(dǎo)向槽的第2基板貼合并旋涂，從第2基板側(cè)照射紫外線，固化紫外線固化樹脂而貼合，制成單面2層型的追記型光盤?；?使用光盤評(píng)價(jià)裝置(激光波長(zhǎng)658nm、NA0.65)對(duì)上述光盤測(cè)定記錄前的第1信息層的推挽值PP1及第2信息層的推挽值PP2，PP1＝0.40、PP2＝0.42、PP1/PP2＝0.95。另外，反射率，第1信息層為19.1％、第2信息層為18.4％。另外，對(duì)該光盤的槽部以線速度3.49m/s記錄EFM隨機(jī)信號(hào)后的3T信號(hào)的標(biāo)記抖晃，第1信息層、第2信息層在記錄功率為25mW或25mW以下均為9％或9％以下，調(diào)制也均在50％或50％以上。另外，DPD信號(hào)為0.3或0.3以上。(實(shí)施例2)除將第1基板的槽寬變?yōu)?.20μm、槽深變?yōu)?10nm、中間層的槽寬變?yōu)?.29μm、槽深變?yōu)?05nm這些點(diǎn)以外，與實(shí)施例1同樣地制成2層追記型光盤，測(cè)定記錄前的第1信息層的推挽值PP1及第2信息層的推挽值PP2，PP1＝0.35、PP2＝0.30、PP1/PP2＝1.17。另外，反射率，第1信息層為19.8％、第2信息層為18.5％。另外，對(duì)該光盤以線速度3.49m/s記錄EFM隨機(jī)信號(hào)后的3T信號(hào)的標(biāo)記抖晃，第1信息層、第2信息層在記錄功率為25mW或25mW以下均為9％或9％以下，調(diào)制也均在50％或50％以上。另外，DPD信號(hào)為0.3或0.3以上。(實(shí)施例3)除將第1基板的槽寬變?yōu)?.36μm、槽深變?yōu)?60nm、中間層的槽寬變?yōu)?.30μm、槽深變?yōu)?58nm這些點(diǎn)以外，與實(shí)施例1同樣地制成2層追記型光盤，測(cè)定記錄前的第1信息層的推挽值PP1及第2信息層的推挽值PP2，PP1＝0.61、PP2＝0.58、PP1/PP2＝1.05。另外，反射率，第1信息層為18.4％、第2信息層為18.1％。另外，對(duì)該光盤以線速度3.49m/s記錄EFM隨機(jī)信號(hào)后的3T信號(hào)的標(biāo)記抖晃，第1信息層、第2信息層在記錄功率為25mW或25mW以下均為9％或9％以下，調(diào)制也均在50％或50％以上。另外，DPD信號(hào)為0.3或0.3以上。(實(shí)施例4)除將第1基板的槽寬變?yōu)?.32μm、槽深變?yōu)?80nm、中間層的槽寬變?yōu)?.37μm、槽深變?yōu)?70nm這些點(diǎn)以外，與實(shí)施例1同樣地制成2層追記型光盤，測(cè)定記錄前的第1信息層的推挽值PP1及第2信息層的推挽值PP2，PP1＝0.70、PP2＝0.60、PP1/PP2＝1.17。另外，反射率，第1信息層為18.6％、第2信息層為18.3％。另外，對(duì)該光盤以線速度3.49m/s記錄EFM隨機(jī)信號(hào)后的3T信號(hào)的標(biāo)記抖晃，第1信息層、第2信息層在記錄功率為25mW或25mW以下均為9％或9％以下，調(diào)制也均在50％或50％以上。另外，DPD信號(hào)為0.3或0.3以上。(比較例1)除將第1基板的槽寬變?yōu)?.40μm、槽深變?yōu)?7nm、中間層的槽寬變?yōu)?.38μm、槽深變?yōu)?8nm這些點(diǎn)以外，與實(shí)施例1同樣地制成2層追記型光盤，測(cè)定記錄前的第1信息層的推挽值PP1及第2信息層的推挽值PP2，PP1＝0.25、PP2＝0.24、PP1/PP2＝1.06。另外，反射率，第1信息層為20.4％、第2信息層為18.9％。另外，對(duì)該光盤以線速度3.49m/s記錄EFM隨機(jī)信號(hào)后的3T信號(hào)的標(biāo)記抖晃在記錄功率為25mW或25mW以下時(shí)為9％或9％以上，另外，調(diào)制也不足50％，由此得知，比實(shí)施例1～4差。(比較例2)除將第1基板的槽寬變?yōu)?.25μm、槽深變?yōu)?00nm、中間層的槽寬變?yōu)?.28μm、槽深變?yōu)?55nm這些點(diǎn)以外，與實(shí)施例1同樣地制成2層追記型光盤，測(cè)定記錄前的第1信息層的推挽值PP1及第2信息層的推挽值PP2，PP1＝0.72、PP2＝0.40、PP1/PP2＝0.8。另外，反射率，第1信息層為18.1％、第2信息層為17.1％。另外，測(cè)定該光盤的反射率，第1信息層、第2信息層均在18％或18％以下，用線速度3.49m/s記錄EFM信號(hào)，插入DVD-ROM驅(qū)動(dòng)器中，不能識(shí)讀光盤。除實(shí)施例1～4以外，進(jìn)行以下的2層追記型光盤的試制實(shí)驗(yàn)。除將第1基板的槽深設(shè)置為150nm，槽寬在0.1～0.5μm之間變化，按照在各自的第1信息層的未記錄部分的反射率為19％地改變第1記錄層和第1熱擴(kuò)散層的厚度以外，與實(shí)施例1同樣地制成2層追記型光盤。將各個(gè)光盤的槽寬和第1信息層的透過(guò)率、3T信號(hào)的標(biāo)記抖晃的關(guān)系作圖為圖4。從圖4可知，為將透過(guò)率為40％或40％以上、抖晃控制在9％或9％以下，槽寬優(yōu)選0.15～0.4μm的范圍。該范圍用與軌道間距的比表示時(shí)，為0.2≤w1/p1≤0.55的范圍。另外，除將第1基板的槽寬設(shè)置為0.26μm，槽深在85～300nm之間變化，按照在各自的第1信息層的未記錄部分的反射率為19％地改變第1記錄層和第1熱擴(kuò)散層的厚度以外，與實(shí)施例1同樣地制成2層追記型光盤。將各個(gè)光盤的槽深和第1信息層的透過(guò)率、3T信號(hào)的標(biāo)記抖晃的關(guān)系作圖為圖5。從圖5可知，為將透過(guò)率為40％或40％以上、抖晃控制在9％或9％以下，槽深優(yōu)選4λ/16n1≤d1≤7λ/16n1的范圍。此外，除上述實(shí)施例以外，制作改變槽寬、槽深的2層追記型光盤，測(cè)定各個(gè)光盤的PP1、PP2，確認(rèn)到，如果PP1在0.30～0.70的范圍內(nèi)、PP2在0.25～0.60的范圍內(nèi)，可以穩(wěn)定地對(duì)兩層進(jìn)行跟蹤，層間跳遷時(shí)跟蹤也不會(huì)偏離，并可以平穩(wěn)地進(jìn)行讀取，第1信息層、第2信息層的抖晃也在9％或9％以下。另外，各光盤的PP1/PP2與第1信息層、第2信息層的抖晃關(guān)系作圖為圖6。如果PP1/PP2為0.6～1.4的范圍，兩層的抖晃均在9％或9％以下，可以良好地進(jìn)行記錄再現(xiàn)。另外，關(guān)于記錄層，對(duì)于波長(zhǎng)為655±25nm的波長(zhǎng)區(qū)域的折射率n如果在1.5≤n≤3.0，消光系數(shù)k為0.02≤k≤0.2，即使光線功率Pw在24mW或24mW以下也可以良好地記錄。再有，除改變第1記錄層和第1熱擴(kuò)散層的膜厚這一點(diǎn)之外，與實(shí)施例1同樣地制作2層追記型光盤。對(duì)各個(gè)光盤以線速度3.49m/sec記錄EFM信號(hào)，測(cè)定DPD信號(hào)。用再現(xiàn)專用DVD裝置對(duì)各個(gè)光盤進(jìn)行讀取，如表1所示，如果DPD信號(hào)為0.3或0.3以上，則可以穩(wěn)定地讀取。表1(實(shí)施例5)在直徑為12cm、厚0.6mm、含有表面上具有軌道間距為0.74μm、槽寬0.30μm、槽深31nm的導(dǎo)向槽的聚碳酸酯樹脂(折射率n1＝1.58)的第1基板上，以含有(ZnS)80(SiO2)20的第1下部保護(hù)層(膜厚120nm)、含有Ge5Ag1In2Sb70Te22的第1記錄層(膜厚6nm)、含有(ZnS)80(SiO2)20的第1上部保護(hù)層(膜厚15nm)、含有Ag98Zn1Al1的第1反射層(膜厚10nm)、含有IZO(In2O3-10重量％Zn)的第1熱擴(kuò)散層(膜厚120nm)的順序，使用Balzers社制造的單張(枚葉)濺射裝置，采用Ar氣體氛圍中的磁控管濺射法制膜，得到第1信息層。然后，在將第1基板的漕寬變?yōu)?.25μm、槽深變?yōu)?1nm的第2基板上，以含有Al99Ti1的第2反射層(膜厚120nm)、含有(ZnS)80(SiO2)20的第2上部保護(hù)層(膜厚20nm)、含有Ge4Ag1In3Sb70Te22的第2記錄層(膜厚15nm)、含有(ZnS)80(SiO2)20的第2下部保護(hù)層(膜厚130nm)的順序用Ar氣體氛圍中的濺射法制膜，得到第2信息層。接著，分別從第1基板側(cè)、第2信息層膜面?zhèn)葘?duì)第1信息層、第2信息層照射激光，進(jìn)行初始化處理。然后，在第1信息層的膜面上涂布紫外線固化樹脂(折射率n2＝1.58)，貼合第2基板的第2信息層面?zhèn)炔⑿浚瑥牡?基板側(cè)照射紫外線光，固化紫外線固化樹脂成為中間層，制成具有2個(gè)信息層的單面2層型相變化型光記錄介質(zhì)。中間層的厚度為50μm。使用光盤評(píng)價(jià)裝置(激光波長(zhǎng)660nm、NA0.65)對(duì)上述光盤測(cè)定記錄前的第1信息層的推挽值PP1及第2信息層的推挽值PP2，PP1＝0.38、PP2＝0.43、PP1/PP2＝0.86。另外，以線速度3.49m/s、寫入激光功率28mW、消除激光功率10mW對(duì)該光盤的槽部進(jìn)行1000次EFM隨機(jī)信號(hào)蓋寫后的3T信號(hào)的標(biāo)記抖晃增加，在第1信息層為0.9％，在第2信息層為0.6％。另外，將僅在1條軌道上記錄一次隨機(jī)信號(hào)時(shí)的標(biāo)記抖晃和在左右鄰接的軌道上也記錄一次隨機(jī)信號(hào)時(shí)的正中間的軌道的標(biāo)記抖晃相比較，后者僅大0.2％。另外，DPD信號(hào)為0.3或0.3以上。(實(shí)施例6)除將第1基板的槽寬變?yōu)?.20μm、槽深變?yōu)?5nm、將第1熱擴(kuò)散層變?yōu)楹蠥lN的膜厚為80nm的層、第2基板的槽寬變?yōu)?.29μm、槽深變?yōu)?5nm這些點(diǎn)以外，與實(shí)施例5同樣地制成單面2層型相變化型光盤，測(cè)定記錄前的第1信息層的推挽值PP1及第2信息層的推挽值PP2，PP1＝0.30、PP2＝0.28、PP1/PP2＝1.07。另外，以線速度3.49m/s、寫入激光功率28mW、消除激光功率10mW對(duì)該光盤進(jìn)行1000次EFM隨機(jī)信號(hào)蓋寫后的3T信號(hào)的標(biāo)記抖晃增加，在第1信息層為0.8％，在第2信息層為0.8％。另外，將僅在1條軌道上記錄一次隨機(jī)信號(hào)時(shí)的標(biāo)記抖晃和在左右鄰接的軌道上也記錄一次隨機(jī)信號(hào)時(shí)的正中間的軌道的標(biāo)記抖晃相比較，后者僅大0.6％。另外，DPD信號(hào)為0.3或0.3以上。(實(shí)施例7)除將第1基板的槽寬變?yōu)?.35μm、槽深變?yōu)?7nm、將第1熱擴(kuò)散層變?yōu)楹蠥lN的膜厚為80nm的層、第2基板的槽寬變?yōu)?.27μm、槽深變?yōu)?7nm這些點(diǎn)以外，與實(shí)施例5同樣地制成單面2層型相變化型光盤，測(cè)定記錄前的第1信息層的推挽值PP1及第2信息層的推挽值PP2，PP1＝0.45、PP2＝0.46、PP1/PP2＝0.98。另外，以線速度3.49m/s、寫入激光功率28mW、消除激光功率10mW對(duì)該光盤進(jìn)行1000次EFM隨機(jī)信號(hào)蓋寫后的3T信號(hào)的標(biāo)記抖晃增加，在第1信息層為0.7％，在第2信息層為0.5％。另外，將僅在1條軌道上記錄一次隨機(jī)信號(hào)時(shí)的標(biāo)記抖晃和在左右鄰接的軌道上也記錄一次隨機(jī)信號(hào)時(shí)的正中間的軌道的標(biāo)記抖晃相比較，后者僅大0.2％。另外，DPD信號(hào)為0.3或0.3以上。(實(shí)施例8)除將第1基板的槽寬變?yōu)?.36μm、槽深變?yōu)?3nm、將第1熱擴(kuò)散層變?yōu)楹蠭TO(In2O3-10重量％SnO2)的膜厚為120nm的層、第2基板的槽寬變?yōu)?.30μm、槽深變?yōu)?0nm這些點(diǎn)以外，與實(shí)施例5同樣地制成單面2層型相變化型光盤，測(cè)定記錄前的第1信息層的推挽值PP1及第2信息層的推挽值PP2，PP1＝0.60、PP2＝0.58、PP1/PP2＝1.03。另外，以線速度3.49m/s、寫入激光功率28mW、消除激光功率10mW對(duì)該光盤進(jìn)行1000次EFM隨機(jī)信號(hào)蓋寫后的3T信號(hào)的標(biāo)記抖晃增加，在第1信息層為1.2％，在第2信息層為0.9％。另外，將僅在1條軌道上記錄一次隨機(jī)信號(hào)時(shí)的標(biāo)記抖晃和在左右鄰接的軌道上也記錄一次隨機(jī)信號(hào)時(shí)的正中間的軌道的標(biāo)記抖晃相比較，后者僅大0.2％。另外，DPD信號(hào)為0.3或0.3以上。(比較例3)除將第1基板的槽寬變?yōu)?.40μm、槽深變?yōu)?3nm、將第1熱擴(kuò)散層變?yōu)楹蠭TO(In2O3-10重量％SnO2)的膜厚為120nm的層、第2基板的槽寬變?yōu)?.38μm、槽深變?yōu)?3nm這些點(diǎn)以外，與實(shí)施例5同樣地制成單面2層型相變化型光盤，測(cè)定記錄前的第1信息層的推挽值PP1及第2信息層的推挽值PP2，PP1＝0.23、PP2＝0.20、PP1/PP2＝1.15。另外，以線速度3.49m/s、寫入激光功率28mW、消除激光功率10mW對(duì)該光盤進(jìn)行1000次EFM隨機(jī)信號(hào)蓋寫后的3T信號(hào)的標(biāo)記抖晃增加，在第1信息層為3.5％，在第2信息層為2.7％。另外，將僅在1條軌道上記錄一次隨機(jī)信號(hào)時(shí)的標(biāo)記抖晃和在左右鄰接的軌道上也記錄一次隨機(jī)信號(hào)時(shí)的正中間的軌道的標(biāo)記抖晃相比較，后者大出4.5％，由此可知，比實(shí)施例5～8差。(比較例4)除將第1基板的槽寬變?yōu)?.25μm、槽深變?yōu)?8nm、將第1熱擴(kuò)散層變?yōu)楹蠭TO(In2O3-10重量％SnO2)的膜厚為120nm的層、第2基板槽深變?yōu)?5nm(槽寬保持0.25μm不變)這些點(diǎn)以外，與實(shí)施例5同樣地制成單面2層型相變化型光盤，測(cè)定記錄前的第1信息層的推挽值PP1及第2信息層的推挽值PP2，PP1＝0.67、PP2＝0.63、PP1/PP2＝1.06。另外，以線速度3.49m/s、寫入激光功率28mW、消除激光功率10mW對(duì)該光盤進(jìn)行1000次EFM隨機(jī)信號(hào)蓋寫后的3T信號(hào)的標(biāo)記抖晃增加，在第1信息層增大4.5％，在第2信息層增大4.3％。由此可知，比實(shí)施例5～8差。(實(shí)施例9)與實(shí)施例5同樣地制成單面2層型相變化型光盤。在進(jìn)行初始化處理之后，對(duì)第1信息層從第1基板側(cè)用SHIMADZU制造的分光光度計(jì)(MPC-2200)測(cè)定660nm下的透過(guò)率，為47％。另外，使用光盤評(píng)價(jià)裝置(激光波長(zhǎng)660nm、NA0.65)，測(cè)定該光盤的記錄前的反射率，在第1信息層為9.6％，第2信息層為9.2％。以線速度3.49m/s、寫入激光功率28mW、消除激光功率10mW對(duì)該光盤記錄EFM隨機(jī)信號(hào)，其抖晃在第1信息層為8.3％、第2信息層為8.7％。(比較例5)除將第1基板的槽寬變?yōu)?.13μm、槽深變?yōu)?7nm、第2基板的槽寬變?yōu)?.25μm、槽深變?yōu)?1nm這一點(diǎn)以外，與實(shí)施例5同樣地制成單面2層型相變化型光盤。在進(jìn)行初始化處理之后，對(duì)第1信息層從第1基板側(cè)用SHIMADZU制造的分光光度計(jì)(MPC-2200)測(cè)定660nm下的透過(guò)率，為39％。另外，測(cè)定記錄前的第1信息層的推挽值PP1及第2信息層的推挽值PP2，PP1＝0.29、PP2＝0.43、PP1/PP2＝0.67。此外，反射率在第1信息層為9.4％，在第2信息層為6.3％。以線速度3.49m/s、寫入激光功率28mW、消除激光功率10mW對(duì)該光盤記錄EFM隨機(jī)信號(hào)，在第1信息層為8.3％，但在第2信息層增大至13.7％，由此可知，作為光盤是劣質(zhì)的。對(duì)于實(shí)施例9和比較例5可知，實(shí)施例9的光盤的第1基板的槽寬為0.30μm，但如比較例5，第1基板的槽寬比0.15μm(w1/p1＝0.2)窄，為穩(wěn)定地聚焦而調(diào)整膜厚，將反射率設(shè)置為9％左右時(shí)，透過(guò)率減少。由此可知，在比較例5中，第2信息層的靈敏度變差，抖晃值為9％或9％以上。除上述實(shí)施例以外，進(jìn)行以下的2層相變化型光盤的試制實(shí)驗(yàn)。除將第1基板的槽深設(shè)置為31nm，槽寬在0.1～0.5μm之間變化，按照在各自的第1信息層的未記錄部分的反射率為9％地改變第1下部保護(hù)層和第1熱擴(kuò)散層的厚度以外，與實(shí)施例5同樣地制成2層相變化型光盤。將各個(gè)光盤的槽寬和第1信息層的透過(guò)率、1000次記錄后的3T信號(hào)的標(biāo)記抖晃的增加量關(guān)系作圖為圖7。從圖7可知，為使透過(guò)率為40％或40％以上、1000次記錄后的抖晃增加量控制在3％或3％以下，槽寬與軌道間距的關(guān)系優(yōu)選0.2≤w1/p1≤0.6的范圍。另外，除將第1基板的槽寬設(shè)置為30μm，槽深在5～90nm之間變化，按照在各自的第1信息層的未記錄部分的反射率為9％地改變第1下部保護(hù)層和第1熱擴(kuò)散層的厚度以外，與實(shí)施例5同樣地制成2層相變化型光盤。將各個(gè)光盤的槽深和第1信息層的透過(guò)率、3T信號(hào)的標(biāo)記抖晃的關(guān)系作圖為圖8。從圖8可知，為使透過(guò)率為40％或40％以上、抖晃控制在9％或9％以下，槽深優(yōu)選0.9λ/16n1≤d1≤3λ/16n1的范圍，更加優(yōu)選λ/16n1≤d1≤3λ/16n1的范圍。此外，除上述實(shí)施例以外，制作改變槽寬、槽深的2層相變化型光盤，測(cè)定各個(gè)光盤的PP1、PP2，確認(rèn)到，如果PP1在0.30～0.70的范圍內(nèi)、PP2在0.25～0.60的范圍內(nèi)，則可以穩(wěn)定地對(duì)兩層進(jìn)行跟蹤，層間跳遷時(shí)跟蹤也不會(huì)偏離，并可以平穩(wěn)地進(jìn)行讀取，第1信息層、第2信息層的抖晃也在9％或9％以下。另外，各光盤的PP1/PP2與第1信息層、第2信息層的抖晃的關(guān)系作圖為圖9。如果PP1/PP2為0.6～1.4的范圍，兩層的抖晃均在9％或9％以下，可以良好地進(jìn)行記錄再現(xiàn)。(實(shí)施例10～24)除使用表2所示的組成的材料作為第1記錄層的材料以外，與實(shí)施例5同樣，制成2層相變化型光盤。以線速度3.49m/s、寫入激光功率28mW、消除激光功率10mW對(duì)該光盤記錄EFM隨機(jī)信號(hào)時(shí)的1次記錄后和100次蓋寫后的3T信號(hào)的標(biāo)記抖晃示于表2。任一光盤的抖晃都在9％或9％以下，均為良好。(實(shí)施例25)在直徑為12cm、厚0.57mm、含有表面上具有軌道間距為0.45μm、槽寬0.21μm、槽深30nm的導(dǎo)向槽的聚碳酸酯樹脂(折射率n1＝1.58)的第1基板上，以含有(ZnS)70(SiO2)30的第1下部保護(hù)層(膜厚120nm)、含有Ge4Ag1In3Sb70Te22的第1記錄層(膜厚6nm)、含有(ZnS)70(SiO2)30的第1上部保護(hù)層(膜厚10nm)、含有Ag98Pd1Cu1的第1反射層(膜厚8nm)、含有IZO(In2O3-10重量％Zn)的第1熱擴(kuò)散層(膜厚35nm)的順序，采用Ar氣體氛圍中的濺射法制膜，得到第1信息層。在該第1信息層上涂布樹脂(日本化藥社制DVD003、折射率n2＝1.58)，通過(guò)2P(photopolymerization、光聚合)法形成具有軌道間距為0.45μm、槽寬0.21μm、槽深33nm的跟蹤導(dǎo)向用的凹凸的中間層。中間層的厚度為30μm。再在其上以以含有(ZnS)70(SiO2)30的第2下部保護(hù)層(厚度55nm)、含有Ge5Ag1In2Sb70Te22的第2記錄層(厚度12nm)、含有(ZnS)70(SiO2)30的第2上部保護(hù)層(厚度20nm)、含有Ag98Pd1Cu1的第2反射層(厚度160nm)的順序，采用Ar氣體氛圍中的濺射法制膜，得到第2信息層。再在第2信息層膜面上，貼合直徑12cm、厚度0.6mm的含有聚碳酸酯膜的第1基板，制作2層相變化型信息記錄介質(zhì)。接著，從第1基板側(cè)對(duì)第1信息層、第2信息層照射激光進(jìn)行初始化處理。用光盤評(píng)價(jià)裝置(激光波長(zhǎng)405nm、NA0.65)對(duì)該光盤測(cè)定記錄前的第1信息層的推挽值PP1和第2記錄層的推挽值PP2，PP1＝0.42、PP2＝0.45、PP1/PP2＝0.93。另外，使用與此不同的評(píng)價(jià)裝置，測(cè)定將激光波長(zhǎng)變?yōu)?95nm、410nm、415nm時(shí)的推挽值在0.30≤PP1≤0.70、0.25PP2≤0.70的范圍內(nèi)。另外，以線速度5.3m/s、寫入激光功率14.5mW、消除激光功率5mW對(duì)該光盤的槽部進(jìn)行1000次1-7RLL隨機(jī)信號(hào)蓋寫后的3T信號(hào)的標(biāo)記抖晃，在第1信息層和第2信息層均為9％或9％以下，是良好的。另外，將僅在1條軌道上記錄一次隨機(jī)信號(hào)時(shí)的標(biāo)記抖晃和在左右鄰接的軌道上也記錄一次隨機(jī)信號(hào)時(shí)的正中間的軌道的標(biāo)記抖晃相比較，后者僅大0.3％。另外，DPD信號(hào)為0.3或0.3以上。權(quán)利要求1.一種光記錄介質(zhì)，該光記錄介質(zhì)是，在第1基板和第2基板之間依次設(shè)置第1信息層、中間層以及第2信息層，各信息層具有包含有機(jī)色素的追記型記錄層，且沿記錄軌道形成槽，從第1基板入射波長(zhǎng)λ的激光，通過(guò)光強(qiáng)度的2值或2值以上的調(diào)制進(jìn)行信息的記錄再現(xiàn)的單面2層光記錄介質(zhì)，其特征在于，將第1基板的折射率設(shè)為n1、中間層的折射率設(shè)為n2、第1信息層的槽深設(shè)為d1、槽寬度設(shè)為w1、軌道間距設(shè)為p1、第2信息層的槽深設(shè)為d2、槽寬度設(shè)為w2、軌道間距設(shè)為p2，且滿足下列條件4λ/16n1≤d1≤7λ/16n1λ/16n2≤d2≤3λ/16n2、或4λ/16n2≤d2≤7λ/16n20.2≤w1/p1≤0.550.2≤w2/p2≤0.55。2.按照權(quán)利要求1記載的光記錄介質(zhì)，其中，將第1信息層的記錄前的推挽值設(shè)為PP1、第2信息層的記錄前的推挽值設(shè)為PP2，并滿足下列條件0.30≤PP1≤0.700.25≤PP2≤0.600.6≤PP1/PP2≤1.4。3.按照權(quán)利要求1和2中任意一項(xiàng)記載的光記錄介質(zhì)，其中，對(duì)于波長(zhǎng)λ的波長(zhǎng)區(qū)域的光在記錄層單層的折射率n為1.5≤n≤3.0，消光系數(shù)k為0.02≤k≤0.2。4.按照權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)記載的光記錄介質(zhì)，其中，在未記錄部的反射率為18～30％。5.按照權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)記載的光記錄介質(zhì)，其中，DPD信號(hào)為0.3或0.3以上。6.按照權(quán)利要求1記載的光記錄介質(zhì)，其中，激光的波長(zhǎng)λ為350～700nm的范圍的任意值時(shí)都滿足上述條件。7.按照權(quán)利要求6記載的光記錄介質(zhì)，其中，激光的波長(zhǎng)λ為630～680nm以及390nm～420nm的范圍的任意值時(shí)都滿足上述條件。8.一種光記錄介質(zhì)，該光記錄介質(zhì)是，在第1基板和第2基板之間依次設(shè)置第1信息層、中間層以及第2信息層，各信息層具有含相變化記錄材料的記錄層，且沿記錄軌道形成槽，從第1基板入射波長(zhǎng)λ的激光，通過(guò)光強(qiáng)度的2值或2值以上的調(diào)制進(jìn)行信息的記錄·再現(xiàn)的單面2層光記錄介質(zhì)，其特征在于，將第1基板的折射率設(shè)為n1、中間層的折射率設(shè)為n2、第1信息層的槽深設(shè)為d1、槽寬度設(shè)為w1、軌道間距設(shè)為p1、第2信息層的槽深設(shè)為d2、槽寬度設(shè)為w2、軌道間距設(shè)為p2，且滿足下列條件0.9λ/16n1≤d1≤3λ/16n10.9λ/16n2≤d2≤3λ/16n20.2≤w1/p1≤0.60.2≤w2/p2≤0.6。9.按照權(quán)利要求8記載的光記錄介質(zhì)，其中，將第1信息層的記錄前的推挽值設(shè)為PP1、第2信息層的記錄前的推挽值設(shè)為PP2，并滿足下列條件0.30≤PP1≤0.700.25≤PP2≤0.600.6≤PP1/PP2≤1.4。10.按照權(quán)利要求8和9中任意一項(xiàng)記載的光記錄介質(zhì)，其中，相變化記錄層含有用M1w(SbzTe100-z)100-w(式中，w、z為原子％，0≤w＜15、50＜z＜90、M1是從含有In、Ga、Ge、Sn、Si、Zr、Nb、Ta、V、Ag、A1、Pt、Pb、Cr、Co、O、S、N的組中選出的至少一種)表示的合金。11.按照權(quán)利要求8和9中任意一項(xiàng)記載的光記錄介質(zhì)，其中，相變化記錄層含有用(Ge-M2)xSbyTe3+x(式中，x、y為原子％，2≤x＜22、2≤y≤4，M2是從含有Sn、Bi、Pb的組中選出的至少1種)表示的合金。12.按照權(quán)利要求8至11中任意一項(xiàng)記載的光記錄介質(zhì)，其中，在作為光盤的沒(méi)有槽的部分的鏡面部的反射率為4～20％。13.按照權(quán)利要求8至12中任意一項(xiàng)記載的光記錄介質(zhì)，其中，DPD信號(hào)為0.3或0.3以上。14.按照權(quán)利要求8記載的光記錄介質(zhì)，其中，激光的波長(zhǎng)λ為350～700nm的范圍的任意值時(shí)都滿足上述條件。15.按照權(quán)利要求14記載的光記錄介質(zhì)，其中，激光的波長(zhǎng)λ為630～680nm以及390nm～420nm的范圍的任意值時(shí)都滿足上述條件。16.一種光記錄介質(zhì)的記錄再現(xiàn)方法，其特征在于，對(duì)權(quán)利要求1至15中任意一項(xiàng)記載的2層光記錄介質(zhì)的各信息層入射波長(zhǎng)為350～700nm的上述激光進(jìn)行信息的記錄·再現(xiàn)。17.一種光記錄介質(zhì)的記錄再現(xiàn)裝置，該裝置是進(jìn)行對(duì)權(quán)利要求1至15的任意一項(xiàng)中記載的2層光記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄再現(xiàn)的裝置，其特征在于，該裝置具有產(chǎn)生波長(zhǎng)350～700nm的激光的光源、和通過(guò)從基板側(cè)入射至各信息層的上述激光形成和檢測(cè)標(biāo)記用的層識(shí)讀裝置和層切換裝置。全文摘要本發(fā)明提供一種光記錄介質(zhì)，該光記錄介質(zhì)是照射波長(zhǎng)λ的激光，通過(guò)光強(qiáng)度2值或2值以上的調(diào)制進(jìn)行信息的記錄·再現(xiàn)的單面2層記錄介質(zhì)，將第1基板的折射率設(shè)為n文檔編號(hào)G11B7/09GK1816853SQ20048001922公開日2006年8月9日申請(qǐng)日期2004年4月26日優(yōu)先權(quán)日2003年5月16日發(fā)明者巖佐博之,篠塚道明,真貝勝申請(qǐng)人:株式會(huì)社理光