專利名稱：用于在記錄載體上以連續(xù)的凹坑標(biāo)記的形式記錄信息的記錄裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于在記錄載體上記錄通道(channel)數(shù)據(jù)流的通道符號的記錄裝置，所述裝置適于將所述通道符號記錄為為至少兩個符號行的通道帶，符號行沿第一方向一維展開并且沿第二方向彼此對準(zhǔn)，所述兩個方向構(gòu)成符號單元的二維網(wǎng)格(lattice)，每個符號單元與該記錄載體的一個符號區(qū)域相關(guān)。本發(fā)明還涉及一種相應(yīng)的記錄方法和信息可以被記錄在其上的記錄載體。
背景技術(shù)：
在用于數(shù)據(jù)存儲的光學(xué)系統(tǒng)中，可以使用以位，或者更加通常的以堆疊在二維網(wǎng)格上的符號進行的多軌跡讀出。例如，這可應(yīng)用在稱作TwoDOS的項目中開發(fā)的二維光學(xué)存儲系統(tǒng)中，所述TwoDOS對于記錄載體上的信息基本具有二維特征的二維光學(xué)存儲是一個新的概念。該目的將實現(xiàn)增大的數(shù)據(jù)密度和增加的數(shù)據(jù)率。例如，已經(jīng)在歐洲專利申請02076665.5(PHNL020368)中描述了這種二維光學(xué)存儲系統(tǒng)。
通過相應(yīng)于所述光記錄介質(zhì)的記錄表面上的所述信息的預(yù)定狀態(tài)形成標(biāo)記區(qū)域，例如凹坑(pit)區(qū)域，而將信息寫入一光記錄介質(zhì)的寫入方案已經(jīng)被描述在歐洲專利申請02076255.5(PHNL020279)中。該寫入方案適于以預(yù)定的方式調(diào)制所述標(biāo)記區(qū)域的形狀以便獲得不完整的標(biāo)記區(qū)域，該標(biāo)記區(qū)域未完全覆蓋分配給將要寫入的通道位(或符號)的位(或符號)單元的大小。因此，由于不完整的標(biāo)記區(qū)域(例如凹坑效應(yīng))沒有形成大的連續(xù)的鏡面，當(dāng)與相鄰凹坑組相結(jié)合時，其將等于大的連續(xù)的非標(biāo)記區(qū)域這一事實可以防止或減輕在寫入或控制處理期間的信號重疊的問題?？梢酝ㄟ^以任何適于減少該反射表面和/或增加用于物理檢測的中心孔徑外部的衍射的方式調(diào)制它們的形狀而獲得該不完整的標(biāo)記區(qū)域。此外，可以通過根據(jù)多級編碼信息的級別分別控制不完整標(biāo)記區(qū)域的形狀或數(shù)量來實現(xiàn)多級調(diào)制或二進制調(diào)制。
小的圓形凹坑-孔標(biāo)記可以采用用于生產(chǎn)母盤(在只讀介質(zhì)的情況下，即ROM介質(zhì))的電子束記錄裝置(EBR)成功寫入。但是，在半徑方向上具有最好在其中寫入非常窄的凹坑標(biāo)記的物理寫入-通道。例如，在(TwoDOS)多軌道格式的可重寫版本中，如在基于相變記錄的版本中，當(dāng)對半徑方向上非?？拷能壍肋M行寫入時這種窄的凹坑-標(biāo)記對于減少交叉寫入(cross-write)效應(yīng)可能是很有優(yōu)勢的。對于半徑方向上非?？拷能壍赖膶懭胄枰诙S緊湊網(wǎng)格(如六邊形二維網(wǎng)格)的二維格式。
(小的)凹坑-孔控制的另一個方面是當(dāng)凹坑-孔被分別獨立寫入作為介質(zhì)上分離的寫操作時介質(zhì)噪聲是非常大的。由于EBR控制結(jié)構(gòu)中的電子束的消隱，凹坑-標(biāo)記的前沿和尾沿可能抖動很厲害。因此該方案有利于限制前沿和尾沿的出現(xiàn)。還有在采用相變記錄的可重寫應(yīng)用中，標(biāo)記邊沿的抖動對于應(yīng)當(dāng)被最小化的介質(zhì)噪聲有重要貢獻。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的一個目的是提供一種通過其可以減少凹坑-標(biāo)記的前沿和尾沿的出現(xiàn)以便相對給定的寫入/記錄技術(shù)增加存儲容量的記錄載體，記錄方法和記錄裝置。
根據(jù)本發(fā)明，這一目的可以通過如權(quán)利要求1中所要求的記錄裝置來實現(xiàn)，該裝置適于以標(biāo)記區(qū)域的形式記錄通道符號，該標(biāo)記區(qū)域具有在所述第一方向上的長度基本等于所述第一方向上的符號區(qū)域的長度和在所述第二方向上的寬度小于所述第二方向上的符號區(qū)域的寬度的縱向形狀。
在權(quán)利要求9和10中定義了一種相應(yīng)的記錄方法和適當(dāng)?shù)挠涗涊d體。在從屬權(quán)利要求中定義了本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
本發(fā)明是基于通過寫入縱向形狀的凹坑-標(biāo)記(也稱為標(biāo)記區(qū)域)來限制尾沿和前沿的數(shù)目的想法做出的，該凹坑-標(biāo)記在半徑方向(第二方向)上具有較小的尺寸并且覆蓋全部的符號區(qū)域，其也指寫入操作沿著其進行的方向的寬螺旋線的切線方向(第一方向)內(nèi)的位單元。如果必須沿寬螺旋線的給出符號行寫入幾個“1”-位的話，那么會得到只有一個前沿和一個尾沿的單個長的連續(xù)的凹坑-標(biāo)記。這樣可以減少標(biāo)記邊沿的抖動對介質(zhì)噪聲所做出的貢獻。
根據(jù)一優(yōu)選實施例，該標(biāo)記區(qū)域具有長方形或正方形的形狀，其中，優(yōu)選地，半徑方向(該寬螺旋線的第二方向)內(nèi)的標(biāo)記范圍是幾乎不變的。這種選擇使得在給定區(qū)域內(nèi)的不同位位置處會得到良好控制的位置不變的符號間干擾。
根據(jù)另一個實施例，該標(biāo)記區(qū)域覆蓋少于75％的相關(guān)符號區(qū)域，特別是在該相關(guān)符號區(qū)域的45％到55％之間。如上述歐洲專利申請02076255.5(PHNL020279)中所描述的，這具有可以避免信號重疊的優(yōu)點。優(yōu)選的覆蓋范圍值是大約50％。
標(biāo)記區(qū)域可以通過不同的方式來表示。特別地，對于ROM盤，優(yōu)選方式是包括一支柱(pillar)部分或一圓形的或長方形的孔的凹坑區(qū)域。優(yōu)選地，在本發(fā)明的一個實施例中，該凹坑區(qū)域是一長方形的支柱部分或長方形的孔。特別地，對于可重寫相變盤或可記錄盤，優(yōu)選方式是包括一多晶環(huán)境中的長方形非晶區(qū)域的凹坑區(qū)域或包括一非晶環(huán)境中的長方形多晶區(qū)域的凹坑區(qū)域。
本發(fā)明通常應(yīng)用于多維編碼中，即二維或更多維編碼，特別是用在如TwoDOS方案中建議的二維編碼中。該符號單元可以被設(shè)置在任何類型網(wǎng)格，如準(zhǔn)六邊形，準(zhǔn)長方形或準(zhǔn)正方形網(wǎng)格的格點上，并且可以分別具有不同的形狀，如六邊形，長方形或正方形。優(yōu)選地，六邊形被用在該TwoDOS系統(tǒng)中，并且該符號單元被設(shè)置在準(zhǔn)六邊形網(wǎng)格的格點上。


現(xiàn)在將參考附圖更詳細地描述本發(fā)明，其中圖1表示通常布局的編碼系統(tǒng)的方框圖，圖2表示具有使用六邊形網(wǎng)格的二維寬螺旋線的一部分的示意格式，圖3表示使用覆蓋完整符號-單元的凹坑-標(biāo)記的已知二維編碼系統(tǒng)中的大的脊區(qū)域和大的凹坑區(qū)域，圖4表示使用僅覆蓋完整符號-單元的一部分的凹坑-標(biāo)記的已知二維編碼系統(tǒng)中的圓形凹坑-幾何形狀，圖5表示已知圓形凹坑標(biāo)記和新的長方形凹坑標(biāo)記之間的比較，圖6表示使用僅覆蓋完整符號-單元的一部分的凹坑-標(biāo)記的已知二維編碼系統(tǒng)中使用的二維寬螺旋線的示意圖，圖7表示根據(jù)本發(fā)明的二維寬螺旋線的示意圖，圖8表示已知的和新的凹坑-標(biāo)記的點剖面的幾何圖形。
具體實施例方式
圖1表示一數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的典型編碼和信號處理元件。從輸入DI到輸出DO的用戶數(shù)據(jù)的循環(huán)可以包括交錯10，糾錯碼(ECC)和調(diào)制編碼20，30，信號預(yù)處理40，記錄介質(zhì)50上的數(shù)據(jù)存儲，信號后處理60，二進制檢測70，以及調(diào)制碼和交錯ECC的解碼80，90。ECC編碼器20將冗余添加至該數(shù)據(jù)以便保護該數(shù)據(jù)抵抗來自各種噪聲源的錯誤。ECC編碼數(shù)據(jù)隨后被傳送至使該數(shù)據(jù)適于該通道的調(diào)制編碼器30，即該解碼器使所述數(shù)據(jù)處理成不太可能被通道錯誤所破壞和更容易在通道輸出處被檢測的形式。調(diào)制數(shù)據(jù)隨后被輸入到記錄裝置，如空間光調(diào)制器或類似裝置，并且被存儲在記錄介質(zhì)50中。在重現(xiàn)側(cè)，讀取裝置(如光電檢測器裝置或電荷耦合裝置(CDD))返回必須要變換回數(shù)字數(shù)據(jù)的偽-模擬數(shù)據(jù)值(對于二進制調(diào)制方案來說為每像素一位)。這一處理中的第一步驟是后處理步驟60，稱為均值化(equalization)，其試圖消除在記錄處理中還有在偽-模擬域中產(chǎn)生的失真。隨后通過位檢測器70將該偽-模擬值陣列轉(zhuǎn)換為二進制數(shù)字數(shù)據(jù)陣列。隨后該數(shù)字數(shù)據(jù)陣列首先被傳送至調(diào)制解碼器80，其執(zhí)行與調(diào)制編碼相反的操作，并且隨后被傳送至ECC解碼器90。
如圖2所示，在已知的二維(TwoDOS)編碼系統(tǒng)中，通道符號被組織在一寬螺旋線中。這種螺旋線由多個在半徑方向上具有固定相位關(guān)系的彼此相互堆疊的符號行組成，因此符號被設(shè)置在二維網(wǎng)格上。符號的二維緊湊六邊形排序是優(yōu)選的，因為其具有高出正方形網(wǎng)格15％的堆積部分。如圖2所示，該寬螺旋線的連續(xù)旋轉(zhuǎn)被由一個空白符號行組成的保護帶所分開。提供一種用于平行讀出的多點光路，其中每個光點具有BD(藍光盤)特征。以二維方式，即共同在該寬螺旋線內(nèi)的所有符號行上執(zhí)行具有均值化、定時恢復(fù)和符號檢測的信號處理。
信號重疊問題是位檢測問題，對于作為在二維編碼中使用的相干信號生成而言位檢測問題是典型的。首先，應(yīng)當(dāng)注意的是來自大的脊部分(零-級(level)處鏡面)和大的連續(xù)凹坑部分(零-級以下鏡面，在λ’/4深度處，λ’是盤的信息層上的覆蓋層內(nèi)使用的光的波長)的反射信號被完全識別。圖3表示兩種情況的示意圖。在傳統(tǒng)的一維游程長度受限(RLL)編碼中，一連串的連續(xù)凹坑-位被寫入作為一個大的連續(xù)凹坑(或標(biāo)記)。標(biāo)記的徑向?qū)挾瓤偸沁B續(xù)軌道之間的距離(軌道間距)的一小部分(fraction)。由于光點直徑總大于凹坑的徑向?qū)挾冗@導(dǎo)致在半徑方向上的衍射，因此信號重疊問題不會出現(xiàn)在一維-RLL編碼中，所以該反射光束損失了一些強度(通過用于物理檢測的中心孔徑(CA)外部的衍射)。另一方面，在二維編碼中，由于可能出現(xiàn)由多個相鄰位(所有(或幾乎所有的)都是凹坑類型的)組成的大的連續(xù)凹坑區(qū)域，因此會出現(xiàn)信號重疊問題。應(yīng)當(dāng)注意的是對于入射在大的凹坑區(qū)域(使用對于每一個符號覆蓋完整符號單元的凹坑-標(biāo)記)上的或大的脊區(qū)域上的聚焦激光點而言根本沒有衍射，因為二者都表現(xiàn)為理想的鏡面。
避免信號重疊的一個主要原因是來源于在2D編碼中使用的信號處理和位檢測。一個非常希望的特性是該HF信號值顯示出系統(tǒng)衰減(roll-off)，其意味著當(dāng)相鄰“1”-位(凹坑類型的位)的數(shù)量增加時該信號波形值降低對于中心位的兩種可能的位值必須保持該特性。在信號重疊的情況下，伴隨相鄰凹坑-位數(shù)目的增加(當(dāng)中心位是凹坑類型時，即，“1”位時)，(部分)HF信號值也增加(而不是降低)即使在適度(介質(zhì))噪聲的情況下這一效應(yīng)也可能防礙穩(wěn)定的位檢測。
當(dāng)該凹坑位被物理寫入時(如ROM盤中的控制)通常會發(fā)生信號重疊，使得位區(qū)域覆蓋符號單元的大部分或者甚至符號單元的全部區(qū)域，符號單元優(yōu)選的是六邊形，其二維六邊形網(wǎng)格的基礎(chǔ)單元。根據(jù)上述歐洲專利申請02076255.5(PHNL020279)，通過寫入比最可能的凹坑-孔(相對更)小的凹坑-孔來實現(xiàn)信號重疊的消除對于所謂的50％的占空因數(shù)可以實現(xiàn)非常方便的信號值衰減(roll-off)，即，凹坑-孔覆蓋大約一半的可用六邊形符號區(qū)域。以上認知產(chǎn)生針對TwoDOS中的寫入通道的下述策略每個凹坑-符號被記錄為分開的(最好是圓形的)凹坑-孔，其尺寸小于六邊形符號單元的尺寸。凹坑-符號的幾何形狀被表示在圖4中。按照這種方式，避免了大的連續(xù)的凹坑-標(biāo)記區(qū)域，因此消除了信號重疊問題。
但是，如上所述，由于使用這種窄的凹坑-標(biāo)記可以減少交叉寫入效應(yīng)，因此特別是在具有包括相變材料的記錄層的可重寫記錄載體上最好寫入窄的凹坑-標(biāo)記。再者，最好限制凹坑-標(biāo)記的前沿和尾沿的數(shù)目以便減少從中產(chǎn)生的抖動，其中前沿和尾沿是指沿著寬螺旋線的第一方向的寫入處理的切線方向。
圖5表示與采用圓形凹坑標(biāo)記cpm的原始寫入策略相比較的采用長方形凹坑標(biāo)記的新的寫入策略，兩種凹坑標(biāo)記都充滿該相關(guān)符號單元sc的大約50％的標(biāo)記區(qū)域。圖6和7表示兩種寫入策略下的TwoDOS螺旋線的一部分的示意圖。
在如TwoDOS方案建議的一個實施例中，建議采用總計a＝165nm的六邊形網(wǎng)格參數(shù)(符號單元的中心之間的距離)的六邊形網(wǎng)格。對于圓形凹坑-標(biāo)記，如上所述由可用于每個符號的六邊形符號-單元的50％的填充標(biāo)準(zhǔn)得出該最佳凹坑-孔的尺寸。這導(dǎo)致由b50％＝a(3/π)給出凹坑-孔直徑b。這里給出b50％＝122nm，因此該凹坑-孔區(qū)域等于S＝11789nm2。對于長方形的凹坑標(biāo)記，這導(dǎo)致w＝71.5nm的徑向?qū)挾?凹坑標(biāo)記的長度等于l＝a＝165nm)。
在涉及獲得較高容量(如BD的兩倍)的另一個實施例中，該六邊形網(wǎng)格參數(shù)總計a＝138nm。圓形凹坑-孔的直徑總計b50％＝102.5nm，因此該凹坑-孔區(qū)域等于S＝8246nm2。對于長方形凹坑-標(biāo)記，這導(dǎo)致w＝60nm的徑向?qū)挾?凹坑標(biāo)記的長度等于l＝a＝138nm)。
圖8表示關(guān)于網(wǎng)格參數(shù)等于a＝165nm(對于藍光盤參數(shù)，λ＝405nm，NA＝0.85)的情況下的位-網(wǎng)格的光點形狀。在圓形凹坑-孔的情況下，很明顯符號間干擾(ISI)將是旋轉(zhuǎn)對稱的。在長方形凹坑-標(biāo)記的情況下，ISI失去這一特性在沿著穿過光點的中心(圖8中的情形(b))的水平軸h的給定位置處的凹坑-標(biāo)記將產(chǎn)生比在相對光點中心(圖8中的情形(a))也具有徑向偏移的位置處的凹坑-標(biāo)記更大的符號間干擾。旋轉(zhuǎn)對稱ISI特性可以通過二維網(wǎng)格的適當(dāng)?shù)氖д?，通過壓縮獲得原始傾斜網(wǎng)格的網(wǎng)格的徑向尺寸和拉伸該網(wǎng)格的切線尺寸(同時將該網(wǎng)格的容量維持在其初始值)而被恢復(fù)。
本發(fā)明可以被應(yīng)用在基于二維編碼，但是也可以基于三維或多維編碼的光學(xué)記錄系統(tǒng)中。例如如TwoDOS方案中所建議的，位被設(shè)置在二維六邊形網(wǎng)格上的二維光學(xué)存儲必須處理由于嚴重的通道非線性所引起的“信號重疊”問題。根據(jù)已知的處理方式，其是建議通過為每個凹坑-位指定一個覆蓋不超過該位-單元的50％的圓形凹坑-標(biāo)記面使整個通道線性化至一令人滿意的水平。例如，對于一些物理寫入通道，由于特別是在寫入方向上抖動的標(biāo)記邊緣所引起的介質(zhì)噪聲，寫入分隔開的圓形凹坑-標(biāo)記是不具有優(yōu)點的。本發(fā)明建議針對每個凹坑-位寫入一長方形的凹坑-標(biāo)記，該凹坑-標(biāo)記覆蓋該位-單元的全部切線范圍，并因此其在該螺旋線的徑向方向內(nèi)較窄，所以寫入一連串連續(xù)凹坑-位作為一個帶有一個前沿和一個尾沿的凹坑-標(biāo)記。為了避免信號重疊，該凹坑-標(biāo)記的總的尺寸最好不超過50％。與傳統(tǒng)的一維情況的區(qū)別在于，對于二維情況，二維寬螺旋線內(nèi)的連續(xù)位行上的凹坑-標(biāo)記彼此對準(zhǔn)。對于六邊形網(wǎng)格而言，優(yōu)選使用長方形凹坑-標(biāo)記的結(jié)果將是與符號間干擾(ISI)旋轉(zhuǎn)對稱的一個小的偏差，其可以通過位網(wǎng)格的輕微變形而被補償。
權(quán)利要求
1.用于在記錄載體(50)上記錄通道數(shù)據(jù)流的通道符號的記錄裝置，所述裝置適于將所述通道符號記錄為至少兩個符號行(sr)的通道帶(cb)，符號行沿第一方向(t)一維展開并且沿第二方向(r)彼此對準(zhǔn)，所述兩個方向構(gòu)成符號單元(sc)的二維網(wǎng)格，每個符號單元與該記錄載體(50)的一個符號區(qū)域(sa)相關(guān)聯(lián)，其中以標(biāo)記區(qū)域(rpm)的形式記錄通道符號，該標(biāo)記區(qū)域具有在所述第一方向(t)上的長度基本等于所述第一方向(t)上的符號區(qū)域(sa)的長度和在所述第二方向(r)上的寬度小于所述第二方向(r)上的符號區(qū)域(sa)的寬度的縱向形狀。
2.如權(quán)利要求1中所述的記錄裝置，其中所述標(biāo)記區(qū)域(rpm)具有長方形或正方形形狀。
3.如權(quán)利要求2中所述的記錄裝置，其中所述標(biāo)記區(qū)域(rpm)是包括一長方形支柱部分或一長方形孔的凹坑區(qū)域。
4.如權(quán)利要求1中所述的記錄裝置，其中所述標(biāo)記區(qū)域(rpm)覆蓋少于75％的相關(guān)符號區(qū)域(sa)，特別是相關(guān)符號區(qū)域(sa)的45％和55％之間。
5.如權(quán)利要求1中所述的記錄裝置，其中所述標(biāo)記區(qū)域(rpm)是包括一具有多晶環(huán)境的長方形非晶區(qū)域的凹坑區(qū)域。
6.如權(quán)利要求1中所述的記錄裝置，其中所述標(biāo)記區(qū)域(rpm)是包括一具有非晶環(huán)境的長方形多晶區(qū)域的凹坑區(qū)域。
7.如權(quán)利要求1中所述的記錄裝置，其中所述裝置適于在準(zhǔn)-六邊形，準(zhǔn)-長方形或準(zhǔn)-正方形網(wǎng)格的格點上設(shè)置所述符號單元(sc)并且被設(shè)置采用分別具有六邊形，長方形或正方形的符號區(qū)域。
8.在一記錄載體(50)上記錄通道數(shù)據(jù)流的通道符號的方法，所述通道符號被記錄為至少兩個符號行(sr)的通道帶(cb)，該符號行沿第一方向(t)一維展開并且沿第二方向(r)彼此對準(zhǔn)，所述兩個方向構(gòu)成符號單元(sc)的二維網(wǎng)格，每個符號單元與該記錄載體(50)的一個符號區(qū)域(sa)相關(guān)聯(lián)，其中以標(biāo)記區(qū)域(rpm)的形式記錄通道符號，該標(biāo)記區(qū)域具有在所述第一方向(t)上的長度基本等于所述第一方向(t)上的符號區(qū)域(sa)的長度和在所述第二方向(r)上的寬度小于所述第二方向(r)上的符號區(qū)域(sa)的寬度的縱向形狀。
9.通道數(shù)據(jù)流的通道符號被記錄在其上的記錄載體，該通道符號被記錄為至少兩個符號行(sr)的通道帶(cb)，該符號行沿第一方向(t)一維展開并且沿第二方向(r)彼此對準(zhǔn)，所述兩個方向構(gòu)成符號單元(sc)的二維網(wǎng)格，每個符號單元與該記錄載體(50)的一個符號區(qū)域(sa)相關(guān)聯(lián)，其中以標(biāo)記區(qū)域(rmp)的形式記錄通道符號，該標(biāo)記區(qū)域具有在所述第一方向(t)上的長度基本等于所述第一方向(t)內(nèi)的符號區(qū)域(sa)的長度和在所述第二方向(r)上的寬度小于所述第二方向(r)上的符號區(qū)域(sa)的寬度的縱向形狀。
10.如權(quán)利要求9中所述的記錄載體，其中所述記錄載體(50)是可記錄的或可重寫的記錄載體，特別具有一相變記錄層。
全文摘要
一種用于在記錄載體(50)上記錄通道數(shù)據(jù)流的通道符號的記錄裝置，所述裝置適于將所述通道符號記錄為至少兩個符號行(sr)的通道帶(cb)，符號行沿第一方向(t)一維展開并且沿第二方向(r)彼此對準(zhǔn)，所述兩個方向構(gòu)成符號單元(sc)的二維網(wǎng)格，每個符號單元與該記錄載體(50)的一個符號區(qū)域(sa)相關(guān)聯(lián)。為了減少記錄的通道帶內(nèi)的凹坑－標(biāo)記的前沿和尾沿的出現(xiàn)，并且考慮到限制交叉寫入效應(yīng)為了能夠在所述第二方向上寫入一個小的半徑范圍，建議以標(biāo)記區(qū)域(rpm)的形式記錄通道符號，該標(biāo)記區(qū)域具有在所述第一方向(t)上的長度基本等于所述第一方向(t)上的符號區(qū)域(sa)的長度和在第二方向(r)上的寬度小于所述第二方向(r)上的符號區(qū)域(sa)的寬度的縱向形狀。
文檔編號G11B7/24085GK1875406SQ200480032037
公開日2006年12月6日 申請日期2004年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月29日
發(fā)明者A·H·J·伊明克, A·M·范德李, D·M·布魯爾斯, W·M·J·M·科內(nèi) 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司