專利名稱：：數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理方法和裝置以及電子器件廢棄處理方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種進(jìn)行記錄在數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的消除處理或者破壞處理的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理方法和裝置。此外，本發(fā)明還涉及一種進(jìn)行記錄在電子器件上的數(shù)據(jù)的破壞處理的電子器件廢棄處理方法和裝置。
背景技術(shù)：
：記錄模擬數(shù)據(jù)或者數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)具有多種。例如，作為記錄模擬數(shù)據(jù)的磁記錄介質(zhì)，有VHS(家用錄像系統(tǒng)(VideoHomeSystem))錄像磁帶、8mm錄像磁帶等，對于記錄數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的磁記錄介質(zhì)，有通用計(jì)算機(jī)用的磁帶(MTMagneticTape)等。此外，作為記錄數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的光記錄介質(zhì)，有CD(光盤(CompactDisc))、DVD(數(shù)字通用光盤(DigitalVersatileDisc))等，利用光和磁兩者來記錄的光磁盤(MOMagneto-OpticalDisc)等也已得到實(shí)用。光記錄介質(zhì)中的CD或者DVD原來是使用源盤壓制記錄的專用于讀取的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)。但是，可利用記錄裝置僅記錄一次數(shù)據(jù)的CD-R(可寫光盤(CDRecordable))或者DVD-R(可寫DVD(DVD-Recordable))，或者可利用記錄裝置重復(fù)進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄的CD-RW(可重寫CD(CDReWritable))或者DVD-RW(可重寫DVD(DVDReWritable))等規(guī)格也已得到實(shí)用。在使用這樣的光記錄介質(zhì)中讀取專用的CD或DVD，或者，CD-R或DVD-R之后，當(dāng)廢棄時，因?yàn)椴荒芟涗浀臄?shù)據(jù)，所以，從確保數(shù)據(jù)安全方面來考慮必須破壞記錄數(shù)據(jù)或者介質(zhì)本身。此外，CD-RW或者DVD-RW既使進(jìn)行對記錄數(shù)據(jù)的消除操作，也僅僅消除表示數(shù)據(jù)的位置信息的索引(index)，數(shù)據(jù)本身依舊殘留。因此，為了確保安全，需要寫上無意義的數(shù)據(jù)來消除原始數(shù)據(jù)，因此，需要花費(fèi)很大的工夫和時間。此外，對于所述光磁盤(MO)來說，使用激光，一邊升溫盤一邊對應(yīng)數(shù)據(jù)向盤上記錄磁數(shù)據(jù)，在讀出時，照射激光，檢測與磁化對應(yīng)的反射偏振光，進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀出。該MO能夠利用記錄裝置反復(fù)進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄，但與所述CD-RW或DVD-RW相同，既使進(jìn)行記錄數(shù)據(jù)的消除操作，也僅僅消除索引，數(shù)據(jù)本身依舊殘留。因此，在MO的再利用時，為了確保安全，而需要寫上無意義的數(shù)據(jù)，以消除原始數(shù)據(jù)，因此需要很大的工夫和時間。另一方面，磁記錄介質(zhì)能夠消除記錄的數(shù)據(jù)再利用，但僅通過物理格式化或者邏輯格式化介質(zhì)，并不能消除記錄的數(shù)據(jù)，具有確保安全性方面的問題。因此，在再利用時，在磁記錄介質(zhì)的情況下，為了確保安全，而需要寫上無意義的數(shù)據(jù)，以消除原始數(shù)據(jù)，因此需要花費(fèi)很大的工夫和時間。這里，本發(fā)明的發(fā)明者們，在先前申請(專利申請2003-307606號)中，提出有一種磁數(shù)據(jù)消除裝置，能夠完全地消除記錄在內(nèi)置于計(jì)算機(jī)中的硬盤或者通用計(jì)算機(jī)所使用的磁帶(MagneticTape)上的磁數(shù)據(jù)。通過使用該磁數(shù)據(jù)消除裝置，不需要花費(fèi)寫上無意義數(shù)據(jù)的工夫和時間，能夠在短時間內(nèi)可靠地消除硬盤或者磁帶的記錄數(shù)據(jù)，能夠容易地確保再利用時的安全性。但是，在先前申請(專利申請2003-307606)中提出的磁數(shù)據(jù)消除裝置，并不是與光記錄介質(zhì)對應(yīng)的裝置。為此，在光記錄介質(zhì)的廢棄時，仍然需要機(jī)械破壞盤本身，或者，必須在盤的數(shù)據(jù)記錄面上增添損傷等來進(jìn)行數(shù)據(jù)的破壞。這樣，在廢棄光記錄介質(zhì)時要耗費(fèi)工夫，此外，還具有從廢棄的盤斷片讀取數(shù)據(jù)的擔(dān)心，從確保安全方面來看，并不是萬全的。為此，期待開發(fā)一種數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，其能夠容易地進(jìn)行記錄在磁記錄介質(zhì)上的磁數(shù)據(jù)的消除處理，此外，能夠容易地進(jìn)行記錄在光記錄介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的破壞處理。此外，與所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的問題不同，最近，小型便攜電話等急速普及，附加功能也多功能化，除了具有存儲器號碼盤(memeorydial)功能和電子郵件功能之外，還具有照相功能的便攜電話也實(shí)用化。在這樣的便攜電話中，為了保存通話目的的姓名和電話號碼，或者電子郵件的發(fā)送目的的姓名和郵件地址，或者由照相機(jī)攝像的圖像數(shù)據(jù)等，而需要大容量的存儲器。為此，內(nèi)置于便攜電話中的存儲器也變?yōu)榇笕萘?，根?jù)需要，還開發(fā)了將存儲卡安裝在外部存儲器插槽中來擴(kuò)大存儲器容量的機(jī)型。但是，便攜電話的通話性能或者設(shè)計(jì)全新的機(jī)型，或者附帶新功能的機(jī)型短時間地依次發(fā)布，所以，將使用中的機(jī)型更換為新機(jī)型的用戶多。雖然可以回收舊機(jī)型，但由于回收量膨脹，所以，便攜電話不能再利用而需要進(jìn)行廢棄處理。但是，便攜電話的用戶在更換機(jī)型時，沒有消除至此所使用的便攜電話中所存儲的數(shù)據(jù)而原樣保持的情況較多，在回收的便攜電話的再循環(huán)過程中，具有存儲的數(shù)據(jù)向外部泄漏的擔(dān)心。為此，回收者為了確保安全，必須在供再循環(huán)之前，逐一消除存儲在大量回收的便攜電話中的數(shù)據(jù)，需要花費(fèi)很多的時間，所以期望改善。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述問題而提出的，其目的在于，提供一種數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理方法和裝置，能夠容易地進(jìn)行記錄在磁記錄介質(zhì)上的磁數(shù)據(jù)的消除處理、或者記錄在光記錄介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的破壞處理。此外，同時提出的本發(fā)明的目的在于，提供一種電子器件廢棄處理方法和裝置，可以很容易地破壞處理便攜電話或者存儲卡等電子器件，阻止讀出存儲的數(shù)據(jù)。為了實(shí)現(xiàn)上目的而提出的發(fā)明，是一種數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理方法，其特征在于使用具有磁場發(fā)生部件和電磁波發(fā)生部件的處理裝置，發(fā)生磁場或者電磁波的任何一種或者兩者，將發(fā)生的磁場或者電磁波中的任何一個單獨(dú)地施加給數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，或者將兩者同時地施加給數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，進(jìn)行記錄在該介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的消除處理或者破壞處理。這里，本發(fā)明所說的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，包含磁記錄介質(zhì)和光記錄介質(zhì)，磁記錄介質(zhì)指的是一般家庭所使用的錄像磁帶等磁帶，而光記錄介質(zhì)指的是將光反射電平不同的凹坑等記錄在盤上的介質(zhì)。而且，MO(光磁盤)是如所述那樣一邊使用激光升溫盤一邊記錄磁數(shù)據(jù)的介質(zhì)，所以，在本發(fā)明中，為了方便說明，將其歸屬于磁記錄介質(zhì)來描述。這里，磁記錄介質(zhì)和光記錄介質(zhì)，向介質(zhì)的數(shù)據(jù)記錄方式不同，與此對應(yīng)，為了使得不能進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取，其處理方法是不同的。即，屬于磁記錄介質(zhì)的VHS錄像磁帶或者8mm錄像磁帶等如所述那樣，僅物理格式化或者邏輯格式化該介質(zhì)并不能消除記錄的數(shù)據(jù)。但是，如上述在前申請(專利申請2003-307606號)所公開的那樣，通過向磁記錄介質(zhì)施加磁場，消除記錄的數(shù)據(jù)，或者，擾亂記錄的數(shù)據(jù)，而能夠使得不能等效地讀取。另一方面，屬于光記錄介質(zhì)的CD或者DVD是這樣的介質(zhì)，是在塑料或者聚碳酸酯制成的圓板上形成與數(shù)據(jù)對應(yīng)的稱為凹坑(pit)的凹凸，為了向該凹坑照射激光并讀取反射光，具有鋁蒸鍍膜和保護(hù)層。因此，記錄在CD(CD-R)或者DVD(DVD-R)上的數(shù)據(jù)，不能如磁數(shù)據(jù)那樣地消除。對于CD-RW或者DVD-RW，唯一能夠通過寫上無意義的數(shù)據(jù)來使得不能讀取原始數(shù)據(jù)。因此，在廢棄CD(CD-R)或者DVD(DVD-R)時，為了確保記錄的數(shù)據(jù)的安全，需要破壞數(shù)據(jù)。為此，必須利用加熱形成的凹坑或者鋁蒸鍍膜等方法機(jī)械地破壞。此外，屬于磁記錄介質(zhì)的光磁盤(MO)如所述那樣，一邊進(jìn)行由激光導(dǎo)致的升溫一邊進(jìn)行磁數(shù)據(jù)的記錄。為此，如磁帶等那樣，僅施加磁場不能充分地進(jìn)行記錄的磁數(shù)據(jù)的消除。因此，為了在再利用MO時不能讀取數(shù)據(jù)，必須升溫該MO且施加磁場。如果根據(jù)本發(fā)明，通過單獨(dú)地發(fā)生規(guī)定強(qiáng)度的磁場，向磁記錄介質(zhì)施加發(fā)生的磁場，能夠消除記錄在該磁記錄介質(zhì)上的磁數(shù)據(jù)。此外，通過單獨(dú)地發(fā)生規(guī)定頻率和規(guī)定強(qiáng)度的電磁波，向光記錄介質(zhì)施加發(fā)生的電磁波，可加熱變形該光記錄介質(zhì)的凹坑和鋁蒸鍍膜，能夠破壞記錄數(shù)據(jù)。而且，也可以順序地或者交互地進(jìn)行磁場或電磁波的發(fā)生以及向數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的施加。在這種情況下，如果著眼于一個時刻，則磁場或者電磁波的發(fā)生和施加單獨(dú)地進(jìn)行。此外，關(guān)于屬于磁記錄介質(zhì)的光磁盤(MO)，通過同時發(fā)生規(guī)定強(qiáng)度的磁場以及規(guī)定頻率和規(guī)定強(qiáng)度的電磁波，向MO同時施加發(fā)生的磁場和電磁波，來升溫MO且暴露在磁場中，從而能夠進(jìn)行記錄數(shù)據(jù)的消除或者破壞。其中，通過適當(dāng)調(diào)整電磁波的強(qiáng)度，也能夠不破壞MO，而僅消除磁數(shù)據(jù)。不言而喻，通過同時發(fā)生、施加這樣的磁場和電磁波，記錄在MO以外的磁記錄介質(zhì)上的數(shù)據(jù)消除和記錄在光記錄介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的破壞也能夠同時進(jìn)行。解決同樣問題的其它的發(fā)明是數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，包括勵磁線圈，發(fā)生規(guī)定強(qiáng)度的磁場；磁控管，以規(guī)定強(qiáng)度輻射規(guī)定頻率的電磁波；和收容部，收容數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，其中，收容部由屏蔽電磁波的非磁性體制成，在收容部的外周部卷裝勵磁線圈，能夠在該收容部的內(nèi)部感應(yīng)磁場，同時，在收容部的壁部設(shè)置磁控管，能夠向該收容部的內(nèi)部輻射電磁波。這里，磁力線和電磁波能夠通過鐵等磁性體屏蔽，另一方面，磁力線不能由銅等非磁性體屏蔽，特定頻率頻帶的電磁波能夠由銅等非磁性體屏蔽。根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)樵谟煞谴判泽w制成的收容部的外周部卷裝勵磁線圈，所以，由勵磁線圈所發(fā)生的磁場貫通收容部的壁部，向收容部的內(nèi)部施加。此外，在由非磁性體制成的收容部的壁部設(shè)置磁控管，向收容部的內(nèi)部輻射電磁波。因此，通過適當(dāng)設(shè)定電磁波的頻率，能夠一邊向收容部的內(nèi)部輻射電磁波一邊阻止從收容部泄漏電磁波。根據(jù)本發(fā)明，在收容數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的由非磁性體制成的收容部，設(shè)置發(fā)生電磁波的磁控管和發(fā)生磁場的勵磁線圈這兩者，采用這樣的構(gòu)成，能夠很容易地實(shí)施所述處理方法。解決同樣問題的其它的發(fā)明是數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，包括磁控管，輻射電磁波；和收容部，收容數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，其中，收容部由屏蔽電磁波的非磁性體或者磁性體制成，在收容部的壁部設(shè)置磁控管，能夠向該收容部的內(nèi)部輻射電磁波。此外，除了上述發(fā)明的構(gòu)成之外，還可以設(shè)置吸附部件，吸附由于電磁波的照射而從數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)發(fā)生的氣體，或者，排氣部件，將從數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)發(fā)生的氣體向收容部外部排出。此外，后述的電子器件廢棄處理裝置也能夠采用同樣的構(gòu)成。這里，數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)多使用在主體殼體中成形加工合成樹脂材料等的記錄介質(zhì)，為此，如果照射電磁波，則由于電磁波的頻率和照射時間，使得含水率高的樹脂材料加熱到高溫而發(fā)生氣體，發(fā)生的氣體滯留在收容部的內(nèi)部而發(fā)出惡臭，產(chǎn)生這樣的不合適的情況。根據(jù)本發(fā)明，通過設(shè)置吸附部件，由吸附部件來吸附發(fā)生的氣體，能夠脫臭。此外，通過設(shè)置排氣部件，將發(fā)生的氣體向收容部外部排出，能夠防止氣體滯留在收容部的內(nèi)部。在本發(fā)明中，作為吸附部件，例如，能夠采用利用活性炭等吸附材料的構(gòu)成。而且能夠?qū)⒃撐讲牧显O(shè)置在收容部的內(nèi)部來進(jìn)行脫臭。此外，作為排氣部件，能夠采用這樣的構(gòu)成，在收容部設(shè)置的排氣通道中連接排氣扇，將滯留在收容部中的氣體向外部強(qiáng)制排氣。此外，除了上述發(fā)明的構(gòu)成之外，收容部也可以采樣這樣的構(gòu)成，即，具有進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的收納和取出的由磁性體制成的門。此外，后述的電子器件廢棄處理裝置也能夠采用同樣的構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明，能夠打開門使得數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)容易地出入收容部的內(nèi)部。此外，由于門由鐵等磁性體制成，所以，通過閉合門，能夠遮斷收容部的內(nèi)部感應(yīng)的磁場和輻射的電磁波向外部泄漏。通過這樣，能夠很容易地進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)向收容部的出入，而且能夠阻止磁場和電磁波的泄漏，從而提高了安全性。此外，除了上述發(fā)明的構(gòu)成之外，還可以采用這樣的構(gòu)成，即，貫通收容部設(shè)置搬送數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的傳送器，在該傳送器貫通收容部的部位，自由開閉地設(shè)置由磁性體制成的門。此外，后述的電子器件廢棄處理裝置也能夠采用同樣的構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)⑤d置在傳送器上的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)順序向收容部搬送，能夠高效率地進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的處理。此外，在搬入部位和搬出部位設(shè)置由磁性體制成的門，所以，在數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)向收容部的內(nèi)部搬送來進(jìn)行處理期間，能夠閉合門，能夠阻止向收容部內(nèi)部輻射的電磁波向外部泄漏。在本發(fā)明中，門和開閉門的機(jī)構(gòu)能夠采用各種方式。例如，能夠采用這樣的構(gòu)造，由鐵等磁性體制成門，同時，始終保持向閉合該門的方向施加作用力。通過該構(gòu)成，能夠利用載置于傳送器上的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)本身或者內(nèi)置數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的電子器件來抵抗門的作用力而打開門，隨著它們的通過而自動地閉合。此外，作為其它構(gòu)成，也能夠采用這樣的構(gòu)成，由具有柔軟性的磁性材料制成門，利用載置于傳送器上的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)或者電子器件按壓具有柔軟性的門來打開，隨著介質(zhì)或者電子器件的移動，由于門的柔軟性而閉合成原始狀態(tài)。這種情況下，作為具有柔軟性的磁性材料，能夠使用在橡膠中混合金屬粉末等的磁性體橡膠等。此外，作為其它構(gòu)成，能夠采用這樣的構(gòu)成，由鐵等磁性體制成門，同時，設(shè)置檢測載置于傳送器上的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的移動位置的檢測傳感器。根據(jù)該構(gòu)成，能夠在利用檢測傳感器檢測到介質(zhì)時打開門，在利用該傳感器進(jìn)行的檢測解除時閉合門。關(guān)于這些追加構(gòu)成，后述的電子器件廢棄處理裝置也能夠采用同樣的構(gòu)成。對于門和開閉門的機(jī)構(gòu)，采用所述構(gòu)成，由此，在載置于傳送器上的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)搬送到收容部內(nèi)部來進(jìn)行處理期間，能夠閉合門，從而能夠阻止在收容部內(nèi)部感應(yīng)的磁場和輻射的電磁波向外部泄漏。此外，在上述發(fā)明中，傳送器能夠以規(guī)定速度連續(xù)搬送數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，推薦這樣的構(gòu)成，即一邊以規(guī)定速度連續(xù)搬送載置的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，一邊連續(xù)地進(jìn)行記錄在該介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的消除處理或者破壞處理。此外，后述的電子器件廢棄處理裝置也能夠采用同樣的構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明，能夠在傳送器上順序地載置多個數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，連續(xù)地進(jìn)行數(shù)據(jù)的消除處理或者破壞處理。通過這樣，能夠在短時間內(nèi)高效地處理數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)。此外，代替其，傳送器能夠斷續(xù)搬送數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，也可以形成這樣的構(gòu)成，即一邊斷續(xù)搬送載置的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，一邊以成批(batch)方式進(jìn)行記錄在該介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的消除處理或者破壞處理。此外，對于后述的電子器件廢棄處理裝置也能夠采用同樣的構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明，在數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)搬入收容部后施加磁場或者電磁波，在數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)從收容部搬出前，停止施加磁場或者電磁波，能夠采用這樣的成批方式。通過這樣，能夠?qū)⑾蚴杖莶客獠啃孤┑拇艌龌蛘唠姶挪ㄒ种频阶钚∠薅?，同時，利用成批方式順序地處理數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，而能夠?qū)崿F(xiàn)處理效率的提高。而且，無論是成批方式還是連續(xù)方式，后述的電子器件廢棄處理裝置都能夠采用同樣的構(gòu)成。此外，除了所述發(fā)明的構(gòu)成之外，推薦收容部的外側(cè)一部分或者全部是利用由磁性體制成的殼體(case)覆蓋的構(gòu)成。殼體也可以是外裝殼體。后述的電子器件廢棄處理裝置也能夠采用同樣的構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明，收容部的外側(cè)一部分或者全部由殼體覆蓋，所以，能夠進(jìn)一步抑制從收容部泄漏的磁場或者電磁波向外部泄漏，從而能夠提高安全性。此外，除了所述發(fā)明的構(gòu)成之外，推薦在殼體的內(nèi)面的一部分或者全部設(shè)置電磁波吸收材料的構(gòu)成。后面所述的電子器件廢棄處理裝置也能夠采用同樣的構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)閺氖杖莶啃孤┑碾姶挪ㄓ稍O(shè)置在外裝殼體上的電磁波吸收材料所吸收，所以，能夠進(jìn)一步減少向外裝殼體的外部泄漏電磁波。通過這樣，能夠進(jìn)一步提高安全性。作為電磁波吸收材料能夠使用各種材料，例如，能夠使用在合成樹脂劑中混合電磁波吸收劑的涂覆型電磁波吸收材料。此外，也能夠使用在合成橡膠中分散具有電磁波吸收性的鐵材料的橡膠系列電磁波吸收材料。橡膠系列的電磁波吸收材料的柔軟性和加工性優(yōu)異，容易安裝。從磁控管輻射的電磁波優(yōu)選為300兆赫(MHz)以上300千兆赫(GHz)以下的屬于微波頻帶的頻率。后述的電子器件廢棄處理裝置也同樣。如所述那樣，為了破壞光記錄介質(zhì)的記錄數(shù)據(jù)，需要加熱變形在該光記錄介質(zhì)上形成的凹坑或者鋁蒸鍍膜。但是，根據(jù)電磁波的頻率，由鋁蒸鍍膜反射電磁波，高效地加熱是困難的。本發(fā)明者一邊改變電磁波的頻率一邊重復(fù)實(shí)驗(yàn)，結(jié)果知道通過振蕩頻率300兆赫～300千兆赫的屬于微波的電磁波，既使小的輸出也能夠加熱變形凹坑和鋁蒸鍍膜。通過這樣，能夠高效地破壞處理記錄在光記錄介質(zhì)上的數(shù)據(jù)。此外，推薦的頻率是大致為2.45千兆赫或者大致為4.3千兆赫的微波。對于后述的電子器件廢棄處理裝置也是同樣的。本發(fā)明者一邊在微波頻帶改變電磁波的頻率一邊重復(fù)實(shí)驗(yàn)，結(jié)果知道通過振蕩頻率大致為2.45千兆赫的電磁波或者頻率大致為4.3千兆赫的電磁波，利用小輸出能夠短時間高效地加熱變形凹坑和鋁蒸鍍膜。根據(jù)本發(fā)明，通過利用磁控管振蕩頻率大致為2.45千兆赫或者大致為4.3千兆赫的電磁波，而能夠高效地處理光記錄介質(zhì)。這里，頻率大致為2.45千兆赫的電磁波屬于波長大致為12cm的微波頻帶。此外，頻率大致為4.3千兆赫的電磁波同樣屬于波長大致為7cm的微波頻帶。因此，具有若輻射的電磁波向外部泄漏，則對人體帶來影響的擔(dān)心。但是，如所述那樣，通過利用磁性體制成的殼體覆蓋收容部等的對策，而能夠?qū)⑿孤┑碾姶挪ń档偷綐O限，從而能夠確保安全性。此外，通過采用大致為2.45千兆赫的電磁波，如果收容部的內(nèi)部確保大致12cm以上的輻射空間，則能夠進(jìn)行穩(wěn)定的電磁波輻射。同樣，通過采用大致為4.3千兆赫的電磁波，如果收容部的內(nèi)部確保大致7cm以上的輻射空間，則能夠進(jìn)行穩(wěn)定的電磁波輻射。通過這樣，能夠?qū)⑹杖莶恐瞥尚⌒停軌驅(qū)崿F(xiàn)節(jié)省空間。此外，在采用具有勵磁線圈的構(gòu)成的情況下，優(yōu)選在勵磁線圈中通電隨著時間的推移波峰值降低的衰減交變電壓，在收容部的內(nèi)部，感應(yīng)隨著時間的推移其磁通密度的最大值降低的衰減交變磁場。這里，本發(fā)明中所稱的衰減交變磁場，指的是在特定位置的磁場一邊交互地反轉(zhuǎn)磁極一邊磁通密度降低的磁場。通常，如果在磁性體的周圍急劇地施加磁場，則能夠規(guī)定強(qiáng)度地磁化該磁性體。此外，將磁化的磁性體放置在磁場中，逐漸降低磁場的強(qiáng)度直到變?yōu)榱?，或者使得磁化的磁性體逐漸地遠(yuǎn)離磁場，而能夠消磁該磁性體。在本發(fā)明中，利用該消磁特性來進(jìn)行消磁，所以，通過從外部向磁記錄介質(zhì)施加衰減交變磁場，來消磁記錄的磁數(shù)據(jù)。這里，為了向磁記錄介質(zhì)施加磁場來擾亂磁數(shù)據(jù)，需要向磁記錄介質(zhì)長時間施加強(qiáng)磁場。為此，具有需要增大對勵磁線圈的通電電力和通電時間，而且為了屏蔽向外部泄漏的磁場的構(gòu)造變成大規(guī)模的麻煩。但是，根據(jù)本發(fā)明，并不是長時間地施加磁通密度高的磁場，而是向磁記錄介質(zhì)施加隨著時間推移其磁通密度的最大值降低的衰減交變磁場。因此，在施加磁場最初，僅短時間向磁記錄介質(zhì)施加磁通密度高的磁場，磁通密度與時間的推移同時衰減，變?yōu)榱恪Ｍㄟ^這樣，可抑制長時間施加磁通密度高的磁場，而且能夠消磁磁記錄介質(zhì)，消除磁數(shù)據(jù)。即，根據(jù)本發(fā)明，不是向磁記錄介質(zhì)長時間施加強(qiáng)磁場來擾亂磁定向(沿著特定的方向定向)，能夠通過衰減交變磁場消磁磁數(shù)據(jù)本身從而來消除磁數(shù)據(jù)。此外，根據(jù)本發(fā)明，由于施加衰減交變磁場，所以強(qiáng)磁通密度的狀態(tài)為極短時間。通過這樣，能夠?qū)㈦S著磁場的施加向外部泄漏的磁通抑制到最小限度，從而能夠簡化泄漏磁通的屏蔽構(gòu)造。在本發(fā)明中，作為向勵磁線圈通電衰減交變電壓的方法，能夠采用各種構(gòu)成。例如，能夠采用這樣的構(gòu)成，設(shè)置生成衰減交變電壓的電源電路部，向勵磁線圈通電從該電源電路部輸出的衰減交變電壓。此外，作為其它的構(gòu)成，也能夠采用這樣的構(gòu)成，通過利用勵磁線圈放電在電容器中充電的電荷，利用由電容器和勵磁線圈確定的共振特性，向勵磁線圈通電衰減交變電壓(電流)。上述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，能夠?qū)浵翊艓Щ蛘哂脖P、DVD等單體記錄介質(zhì)插入收容部來進(jìn)行數(shù)據(jù)的破壞，但也可以將安裝這些記錄介質(zhì)的電子器件放入收容部中，來破壞附屬的記錄介質(zhì)。例如，將安裝有記錄介質(zhì)的計(jì)算機(jī)主體連同外裝殼體一起放入收容部中來破壞內(nèi)部的硬盤等。此外，也可以將便攜電話原樣放入收容部中來破壞內(nèi)部的存儲元件等。即，所述收容部能夠收容內(nèi)置有存儲器部件的電子器件，也能夠形成這樣的構(gòu)成，向收容的電子器件輻射電磁波來破壞存儲在存儲器部件上的數(shù)據(jù)。此外，為了解決所述課題的另外一個方法的發(fā)明，是一種處理方法，發(fā)生規(guī)定頻率和規(guī)定強(qiáng)度的電磁波，至少向電子器件照射發(fā)生的電磁波，機(jī)械地破壞電子器件中內(nèi)置的存儲器部件，來阻止讀出在該存儲器部件中存儲的數(shù)據(jù)。這里，本發(fā)明中所稱的電子器件，由于說的是內(nèi)置可存儲數(shù)據(jù)的存儲部件的器件，所以指的是例如個人計(jì)算機(jī)或者便攜電話、便攜終端或者這些器件中所內(nèi)置的基板(主板)等。此外，內(nèi)置存儲器部件的存儲卡等存儲器介質(zhì)，或者內(nèi)置具有存儲器功能的IC芯片的IC卡或者IC標(biāo)簽(tag)等也包含在本發(fā)明所說的電子器件中。電子器件通過將安裝有存儲器部件(存儲器集成電路)或者控制用多個集成電路和多個電路部件的印刷基板收納在器件主體內(nèi)部來構(gòu)成。此外，存儲器卡(存儲器介質(zhì))等電子器件，也通過將安裝存儲器部件(存儲器集成電路)或者控制用集成電路和電路部件的印刷基板收納在卡主體內(nèi)部來構(gòu)成。在這些電子器件的印刷基板上，繞有用于相互連接集成電路或者電路部件的印刷布線。此外，在安裝于印刷基板上的集成電路內(nèi)部，也形成用于相互連接多個晶體管元件和電容器元件等的細(xì)微布線圖案。這里，2GHz附近頻率的電磁波容易由水吸收，如果向含水物質(zhì)照射這樣的頻率頻帶的電磁波則能夠加熱，已知微波爐就是利用該方法進(jìn)行烹調(diào)加熱的。另一方面，如果從器件主體外部向所述電子器件照射特定頻率頻帶的電磁波，則照射的電磁波的磁場與印刷基板的印刷布線或者集成電路內(nèi)部的布線圖案交鏈，而感應(yīng)高電壓。為此，通過印刷基板上繞有的印刷布線所感應(yīng)的高電壓產(chǎn)生電壓破壞，產(chǎn)生印刷布線的斷線或者短路，同時，向安裝在印刷基板上的電路部件也施加高電壓，產(chǎn)生絕緣破壞。此外，通過感應(yīng)的高電壓，集成電路內(nèi)部的布線圖案產(chǎn)生電壓破壞，產(chǎn)生布線圖案的斷線或者短路，同時，向集成電路內(nèi)部的晶體管元件和電容器元件施加高電壓，產(chǎn)生絕緣破壞。即，如果從電子器件的外部照射特定頻率頻帶的電磁波，則機(jī)械地破壞設(shè)置在電子器件內(nèi)部的印刷基板的印刷布線、或者安裝在印刷基板上的集成電路、電路部件。根據(jù)本發(fā)明，基于上述原理，通過向電子器件照射電磁波，來破壞內(nèi)置于電子器件中的存儲器部件和控制用集成電路及印刷基板，能夠阻止讀出存儲在該存儲器部件中的數(shù)據(jù)。通過這樣，不是逐一地進(jìn)行電子器件的數(shù)據(jù)消除處理，能夠在短時間內(nèi)進(jìn)行高效率的破壞處理。此外，進(jìn)一步發(fā)展所述發(fā)明，也可以這樣，即，電子器件能夠安裝內(nèi)置存儲器部件的其它電子器件，通過向電子器件照射電磁波，而機(jī)械地破壞安裝在該電子器件上的其它電子器件的至少存儲部件，阻止讀出存儲的數(shù)據(jù)。這里，如果以便攜電話為例子，則如所述那樣，也是能夠根據(jù)需要將存儲卡(其它的電子器件)等安裝在外部插槽中擴(kuò)大存儲容量的機(jī)型。但是，設(shè)置在便攜電話上的外部插槽，從便攜性方面出發(fā)，安裝的存儲卡大體上由盒蓋(casecover)覆蓋。為此，僅從外面看不能判斷是否安裝存儲卡，在廢棄時，就產(chǎn)生僅消除內(nèi)置在電子器件中的存儲器部件的數(shù)據(jù)，而沒有消除存儲在存儲器卡中的數(shù)據(jù)仍然剩余的擔(dān)心。根據(jù)本發(fā)明，通過向安裝存儲卡的電子器件照射電磁波，基于上述原理，不僅機(jī)械地破壞內(nèi)置于電子器件中的存儲器部件，而且也機(jī)械地破壞安裝在電子器件中的存儲卡(其它的電子器件)所內(nèi)置的存儲器部件。通過這樣，阻止讀出存儲在電子器件中的全部數(shù)據(jù)，能夠確保安全性。此外，為了解決同樣課題的另外一個發(fā)明是電子器件廢棄處理裝置，其包括磁控管，以規(guī)定強(qiáng)度輻射規(guī)定頻率的電磁波；和收容部，收容電子器件，由磁性體制成，其中，磁控管安裝在收容部上，能夠向該收容部內(nèi)部輻射電磁波。根據(jù)本發(fā)明，僅在收容部內(nèi)部收容電子器件，就能夠向電子器件照射從磁控管輻射的電磁波，通過簡單的構(gòu)成，能夠?qū)嵤?shù)據(jù)的破壞。此外，收容部由磁性體制成，所以，阻止輻射的電磁波向收容部外部泄漏，從而提高了安全性。此外，優(yōu)選設(shè)置吸附部件，吸附由于電磁波的照射從電子器件發(fā)生的氣體；和排氣部件，向收容部外部排出從電子器件發(fā)生的氣體。這里，便攜電話等電子器件由主體殼體和印刷基板構(gòu)成，在印刷基板上安裝多個集成電路和電路部件的同時，繞有印刷布線。對于主體殼體，多使用成形加工合成樹脂材料等的殼體，印刷基板多使用酚醛樹脂或者玻璃環(huán)氧樹脂，同時，印刷布線使用銅。因此，如果向便攜電話或者存儲卡等電子器件照射電磁波，根據(jù)電磁波的頻率和照射時間，高溫加熱含水率高的樹脂材料，則發(fā)生氣體，發(fā)生的氣體滯留在收容部內(nèi)部而發(fā)出惡臭，產(chǎn)生這樣的不合適。根據(jù)本發(fā)明，通過設(shè)置吸附部件，由吸附部件吸附發(fā)生的氣體，而能夠脫臭。此外，通過設(shè)置排氣部件，將發(fā)生的氣體向收容部外部排出，而能夠防止氣體滯留在收容部內(nèi)部。在本發(fā)明中，作為吸附部件，能夠采用使用例如活性炭等吸附材料的構(gòu)成，能夠?qū)⒃撐讲牧显O(shè)置在收容部內(nèi)部來進(jìn)行脫臭。此外，作為排氣部件，能夠采用這樣的構(gòu)成，在收容部上所設(shè)置的排氣通道上連接排氣扇，向外部強(qiáng)制排氣滯留在收容部中的氣體。而且，電子器件廢棄處理裝置也能夠形成這樣的構(gòu)成，即，其具有傳送器，向收容部內(nèi)部搬入電子器件的同時，從該收容部內(nèi)部向外部搬出電子器件，其中，在電子器件向收容部搬入的搬入部位和電子器件從收容部搬出的搬出部位，自由開閉地設(shè)置由磁性體制成的門。根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)⑤d置在傳送器上的電子器件順序搬送到收容部中，能夠高效地進(jìn)行電子器件的廢棄處理。此外，由于在搬入部位和搬出部位設(shè)置由磁性體制成的門，所以，在電子器件搬送到收容部內(nèi)部進(jìn)行處理期間，能夠閉合門，能夠阻止向收容部內(nèi)部輻射的電磁波向外部泄漏。此外，本發(fā)明公開的另外一個發(fā)明是一種數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，其特征在于，包括收容部，破壞處理數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)；搬送部件，向所述收容部內(nèi)部搬入所述電子器件的同時，從該收容部內(nèi)部向外部搬出電子器件；和供給部件，供給所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)。優(yōu)選作為搬送部件，能夠采用傳送器，傳送器貫通所述收容部而設(shè)置，在該傳送器貫通所述收容部的部位，自由開閉地設(shè)置由磁性體制成的門。傳送器可以連續(xù)地動作也可以斷續(xù)地動作。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理方法，能夠根據(jù)各種數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)容易且可靠地進(jìn)行數(shù)據(jù)消除處理或者破壞處理，確保安全性。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，能夠防止隨著數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的處理而發(fā)生的氣體的滯留，能夠?qū)崿F(xiàn)作業(yè)環(huán)境的提高。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，能夠提供一種數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，能夠容易地取出放入數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，實(shí)現(xiàn)提高使用方便性而且提高安全性。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，能夠提供一種數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，實(shí)現(xiàn)提高安全性而且提高處理效率。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，能夠提供一種數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，進(jìn)一步提高安全性。根據(jù)本發(fā)明的一個方式，能夠提供一種數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，能夠短時間高效地處理記錄在磁記錄介質(zhì)上的數(shù)據(jù)，而且實(shí)現(xiàn)節(jié)省空間。圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置的基本電路圖。圖2是表示由圖1所示的基本電路圖的磁場發(fā)生部所感應(yīng)的衰減交變磁場的曲線圖。圖3是表示圖1所示的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置的內(nèi)部構(gòu)造的分解立體圖。圖4是表示圖3所示的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置的立體圖。圖5是以進(jìn)行VHS錄像磁帶的處理的狀態(tài)來表示本發(fā)明其它實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置的內(nèi)部構(gòu)造之立體圖。圖6是以進(jìn)行DVD的處理的狀態(tài)來表示圖5所示的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置的內(nèi)部構(gòu)造的立體圖。圖7是表示圖1所示的基本電路圖的磁場發(fā)生部的變形例的電路圖。圖8是本發(fā)明的另外其它實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置的基本電路圖。圖9是表示圖8所示的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置的內(nèi)部構(gòu)造的分解立體圖。圖10是以進(jìn)行DVD處理的狀態(tài)來表示本發(fā)明的另外其它實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置的內(nèi)部構(gòu)造的立體圖。圖11是本發(fā)明的實(shí)施方式的電子器件廢棄處理裝置的基本電路圖。圖12是表示圖11所示的電子器件廢棄處理裝置的內(nèi)部構(gòu)造的分解立體圖。圖13是表示圖12所示的電子器件廢棄處理裝置的立體圖。圖14是表示安裝在電子器件上的印刷基板的說明圖。圖15是表示本發(fā)明的其它實(shí)施方式的電子器件廢棄處理裝置的內(nèi)部構(gòu)造的立體圖。具體實(shí)施例方式下面，參照附圖來說明本發(fā)明的實(shí)施方式。本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1，如圖1所示那樣，大致劃分包括磁場發(fā)生部20、電磁波發(fā)生部30和控制部50，向這些各個部分提供交流電源的電源變壓器11，形成這樣的構(gòu)成。下面，詳細(xì)地說明各個構(gòu)成部。電源變壓器11如圖1那樣，接收商用電源(AC100V)，生成各部所需要的交流電壓，所以包括與AC100V側(cè)連接的初級繞組12；與磁場發(fā)生部20連接的次級繞組13；與電磁波發(fā)生部30連接的次級繞組14、15；以及與控制部50連接的次級繞組16。電源變壓器11的初級繞組12通過電源開關(guān)SW和保險絲F與電源插頭C連接。磁場發(fā)生部20如圖1所示那樣，具有通過勵磁線圈23放電電容器22中充電的電荷，從而發(fā)生衰減交變磁場的功能。在磁場發(fā)生部20中，電源變壓器11的次級繞組13與橋式二極管21連接，橋式二極管21的整流輸出通過充電觸點(diǎn)25與電容器22連接。此外，電容器22的兩端通過極性反轉(zhuǎn)部27，與電抗器(reactor)26、勵磁線圈23和勵磁觸點(diǎn)24的串聯(lián)電路連接，形成這樣的構(gòu)成。在本實(shí)施方式中，電容器22使用有極性的電解電容器。與勵磁線圈23串聯(lián)設(shè)置的電抗器26具有實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定勵磁線圈23的通電電流的功能。此外，極性反轉(zhuǎn)部27具有連動切換的觸點(diǎn)27a、27b，具有通過切換連接觸點(diǎn)27a、27b來反轉(zhuǎn)從電容器22向勵磁線圈23流動的電流的方向的功能。而且，磁場發(fā)生部20的充電觸點(diǎn)25、勵磁觸點(diǎn)24、以及極性反轉(zhuǎn)部27的觸點(diǎn)27a、27b的各個觸點(diǎn)的任何一個通過后述的控制部50來開閉控制。磁場發(fā)生部20利用下面的動作來發(fā)生衰減交變磁場。首先，在打開勵磁觸點(diǎn)24的狀態(tài)下，閉合充電觸點(diǎn)25，進(jìn)行向電容器22的充電。進(jìn)行充電直到電容器22的充電電壓達(dá)到由橋式二極管21進(jìn)行全波整流的電壓波峰值。充電所需要的時間根據(jù)電容器22的電容和電源變壓器11的次級繞組13的繞組電阻來確定。如果結(jié)束向電容器22的充電，則打開充電觸點(diǎn)25。在該時刻電容器22滿充電，端子電壓大致等于由橋式二極管21全波整流的電壓的波峰值。接著，如果閉合勵磁觸點(diǎn)24，則充電在電容器22上的電荷通過勵磁線圈23急速放電。這里，電容器22和勵磁線圈23串聯(lián)連接，形成串聯(lián)共振電路。因此，如果閉合勵磁觸點(diǎn)24，則如圖2所示那樣，向勵磁線圈23流動隨著時間推移其波峰值降低的衰減交變電流i。向勵磁線圈23流動的衰減交變電流i的周期，由電容器22的電容和勵磁線圈23的電感而大致確定。此外，衰減交變電流i的衰減率由電容器22的內(nèi)部電阻和勵磁線圈23的電阻成分來確定。即，如果閉合勵磁觸點(diǎn)24，則如圖2所示那樣，由電容器22和勵磁線圈23的串聯(lián)共振電路確定的周期和衰減率的衰減交變電流i就向勵磁線圈23通電，通電電流一邊反轉(zhuǎn)極性一邊衰減直到為零。因此，如果閉合勵磁觸點(diǎn)24，則在勵磁線圈23的周圍生成隨著時間推移一邊磁極交互反轉(zhuǎn)一邊磁通密度逐漸降低的衰減交變磁場。磁場發(fā)生部20基于這樣的原理發(fā)生衰減交變磁場，使用發(fā)生的衰減交變磁場來進(jìn)行記錄在磁記錄介質(zhì)上的磁數(shù)據(jù)的消除。即，本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1的磁場發(fā)生部20是具有如下功能的電路不長時間發(fā)生強(qiáng)磁場，發(fā)生隨著時間推移其磁通密度降低的衰減交變磁場。電磁波發(fā)生部30具有發(fā)生微波頻帶的電磁波的功能。電磁波發(fā)生部30如圖1所示那樣，磁控管31的陰極(加熱絲(heater))31a通過加熱絲通電觸點(diǎn)36與電源變壓器11的次級繞組(加熱絲繞組)14連接。此外，電源變壓器11的次級繞組15與由電容器32和二極管33所形成的倍電壓整流電路38連接，該倍電壓整流電路38的正輸出電壓通過電流限制電阻34與磁控管31的陽極31b連接，倍電壓整流電路38的負(fù)輸出電壓與磁控管31的陰極31a連接，形成這樣的電路構(gòu)成。在本實(shí)施方式中，采用將磁控管31的陽極31b接地的陽極接地電路。此外，形成這樣的構(gòu)成，即與倍電壓整流電路38的二極管33并聯(lián)連接過電壓吸收器35，吸收電路中發(fā)生的浪涌(surge)電壓，保護(hù)二極管33不受破壞。而且，電磁波發(fā)生部30上所設(shè)置的加熱絲通電觸點(diǎn)36和陽極通電觸點(diǎn)37的任何一個都通過后面所述的控制部50來開閉控制。電磁波發(fā)生部30按照下面的動作發(fā)生電磁波。首先，閉合加熱絲通電觸點(diǎn)36，加熱磁控管31的陰極(加熱絲)31a。通過這樣，磁控管31變?yōu)槟軌驈年帢O31a放出熱電子的狀態(tài)。接著，如果閉合陽極通電觸點(diǎn)37，則倍電壓整流電路38的整流輸出電壓就向磁控管31的陽極31b施加，磁控管31開始振蕩，從天線31c輻射規(guī)定強(qiáng)度的電磁波。在本實(shí)施方式中，使用振蕩頻率大致為4.3GHz的磁控管31，從天線31c輻射的電磁波是頻率大致為4.3GHz、波長大致為7cm的微波。電磁波發(fā)生部30具有如下功能通過這樣的電路構(gòu)成發(fā)生微波，向光記錄介質(zhì)施加發(fā)生的電磁波來進(jìn)行記錄數(shù)據(jù)的破壞。其中，在本實(shí)施方式中，使用大致為4.3GHz的振蕩頻率的磁控管31，但是也可以使用大致為2.45GHz的振蕩頻率的磁控管31?？刂撇?0如圖1所示那樣具有定電壓電路51和控制電路52，具有進(jìn)行設(shè)置在所述磁場發(fā)生部20和電磁波發(fā)生部30的各個觸點(diǎn)的開閉控制的功能。而且，與控制部50的傳送器驅(qū)動電路53和控制電路52連接的檢測傳感器84在后述的其它實(shí)施方式中采用。因此，這些構(gòu)成的說明在后面描述。定電壓電路51接收電源變壓器11的次級繞組16的交流電壓，向控制電路52提供穩(wěn)定的直流電壓?？刂齐娐肥?2是具有CPU的進(jìn)行數(shù)字控制的電路，該控制電路52分別連接具有磁場發(fā)生開關(guān)54a、電磁波發(fā)生開關(guān)54b和磁場·電磁波發(fā)生開關(guān)54c的模式設(shè)定部54；和動作開關(guān)55。此外，控制電路52具有能夠根據(jù)程序處理個別地開閉控制多個觸點(diǎn)的構(gòu)成，形成這些各個觸點(diǎn)與所述磁場發(fā)生部20和電磁波發(fā)生部30的各個觸點(diǎn)對應(yīng)的構(gòu)成。其中，在本實(shí)施方式中，模式設(shè)定部54的各個開關(guān)54a～54c利用機(jī)械聯(lián)動型交替按壓開關(guān)來構(gòu)成，形成這樣的構(gòu)成，如果按壓任何一個開關(guān)來閉合，則其它兩個開關(guān)就突出而打開。此外，動作開關(guān)55使用瞬時型按壓開關(guān)。控制電路52具有如下功能根據(jù)模式設(shè)定部54的設(shè)定和動作開關(guān)55的操作來進(jìn)行程序處理，開閉控制所述磁場發(fā)生部20和電磁波發(fā)生部30的各個觸點(diǎn)，控制發(fā)生磁場或者電磁波或者它們兩者。本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1包括具有以上功能的磁場發(fā)生部20、電磁波發(fā)生部30和控制部50，圖1中由點(diǎn)劃線表示的電路塊10與電路基板等一體地形成。下面，參照圖3來說明本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1的構(gòu)造。數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1包括收容部60、和從外側(cè)覆蓋該收容部60的外裝殼體66的機(jī)構(gòu)部件。收容部60如圖3那樣是內(nèi)部具有空間的由非磁性體制成的方形箱體，前面敞開，上下左右和后面閉塞。在本實(shí)施方式中，使用非磁性體的銅板來制作收容部60。在收容部60的上面中央部固定磁控管31，其天線31c(參照圖1)向收容部60的內(nèi)部空間突出。在磁控管31上連接施加加熱絲電壓和陽極電壓的布線L1，在該布線L1的頂端連接連接器68。在收容部60的外壁，從前方向后方卷裝勵磁線圈23使得從前后兩側(cè)夾持磁控管31，該勵磁線圈23的兩端通過布線L2與連接器69連接。在本實(shí)施方式中，勵磁線圈23使用漆包線，在勵磁線圈23和收容部60的外周面之間，插入絕緣片(未圖示)。在收容部60的前面?zhèn)榷瞬啃纬捎纱判泽w制成的凸緣部61，同時，在凸緣部安裝門62，使得覆蓋收容部60的前面。即，門62的左端軸支在凸緣部61的左端部上，門62自由開閉。在本實(shí)施方式中，凸緣部61和門62的任何一個使用磁性體的鐵板制成。在門62的前面右方設(shè)置把手63，在該把手63的附近，設(shè)置向后面突出的掛鉤64。此外，在與掛鉤64對應(yīng)的凸緣部61上，設(shè)置接合孔65。這樣，收容部60是由非磁性體的銅板制成的前面敞開的箱體，在該敞開部位設(shè)置由磁性體的鐵板制成的凸緣部61，在該凸緣部61自由開閉地安裝由磁性體的鐵板制成的門62。此外，在凸緣部61的后面，遍及整個面貼附電磁波吸收材料67。在本實(shí)施方式中，作為電磁波吸收材料67，使用向合成橡膠中分散具有電磁波吸收性的鐵材料之橡膠系列電磁波吸收材料。另一方面，外裝殼體66是比收容部60大一圈的由磁性體制成的箱體，前面敞開，上下左右和后面閉塞，具有完全收納收容部60的形狀。在外裝殼體66的內(nèi)壁面上遍及整個面地安裝與設(shè)置在所述凸緣部61上的材料相同的電磁波吸收材料67。即，外裝殼體66是由鐵制成的箱體，是在其內(nèi)面遍及整個面安裝電磁波吸收材料67的構(gòu)造。在外裝殼體66的內(nèi)部后方，收納所述圖1所示的電路塊10，在右側(cè)面配置電源開關(guān)SW。此外，在外裝殼體66的上面后方，排列模式設(shè)定部54的三個開關(guān)54a，54b，54c和動作開關(guān)55，從后面拉出具有電源插頭C的AC軟線。在組裝數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1時，如圖3所示那樣，使得與磁控管31連接的連接器68、與勵磁線圈23連接的連接器69，同設(shè)置在電路塊10中的連接器(未圖示)連接。而且，將收容部60插入外裝殼體66內(nèi)部，使設(shè)置在收容部60上的凸緣部61碰到外裝殼體66的敞開側(cè)端部并且固定。如果這樣組裝數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1，則如圖4那樣，能夠抓住把手63自由地開閉前面的門62，能夠打開門62，容易地將數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)取出放入收容部60中。接著，參照圖1和圖4來說明本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1的動作。首先說明進(jìn)行記錄在圖4所示的作為磁記錄介質(zhì)的VHS錄像磁帶5上的磁數(shù)據(jù)的消除處理的情況下的動作。首先，接通電源開關(guān)SW，按壓模式設(shè)定部54的磁場發(fā)生開關(guān)54a，設(shè)定為磁場發(fā)生模式。接著，打開門62，將要進(jìn)行磁數(shù)據(jù)消除的VHS錄像磁帶5收納在收容部60中。然后，在關(guān)閉門62之后，按壓操作動作開關(guān)55。如果操作動作開關(guān)55，則控制電路52就參照模式設(shè)定部54的磁場發(fā)生開關(guān)54a的閉合狀態(tài)，進(jìn)行磁場發(fā)生部20的充電觸點(diǎn)25、勵磁觸點(diǎn)24和極性反轉(zhuǎn)部27的觸點(diǎn)27a、27b的控制。而且，在磁場發(fā)生模式中，電磁波發(fā)生部30的加熱絲通電觸點(diǎn)36和陽極通電觸點(diǎn)37仍然打開?？刂齐娐?2首先將極性反轉(zhuǎn)部27的觸點(diǎn)27a、27b兩者切換連接到任一側(cè)，僅閉合充電觸點(diǎn)25規(guī)定時間。通過這樣，如所述那樣，電容器22充電直到達(dá)到由橋式二極管21全波整流的電壓的波峰值。如果從閉合充電觸動25開始經(jīng)過規(guī)定時間，則控制電路52就打開充電觸動25，接著，閉合勵磁觸點(diǎn)24。如果這樣，充電在電容器22中的電荷就通過勵磁線圈23放電，由所述圖2所示的衰減交變電流i就向勵磁線圈23中通電，發(fā)生衰減交變磁場。這里，如圖3所示那樣，勵磁線圈23卷裝在由非磁性體(銅板)制成的收容部60上，收容部60的外側(cè)由磁性體(鐵板)制成的外裝殼體66覆蓋，同時，收容部60的前面也由磁性體(鐵板)制成的門62屏蔽。因此，由勵磁線圈23發(fā)生的衰減交變磁場，沒有由于收容部60而衰減，在收容部60的內(nèi)部空間中感應(yīng)，而且，向收容部60的外側(cè)泄漏的磁力線由外裝殼體66、凸緣部61和門62所屏蔽。通過這樣，向收納在收容部60中的磁記錄介質(zhì)(VHS錄像磁帶5)施加衰減交變磁場，消除記錄的磁數(shù)據(jù)。如果從閉合勵磁觸點(diǎn)24開始經(jīng)過規(guī)定時間，則控制電路52打開勵磁觸點(diǎn)24，結(jié)束一系列的磁記錄介質(zhì)的磁數(shù)據(jù)消除處理。這樣，根據(jù)本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1，操作模式設(shè)定部54的磁場發(fā)生開關(guān)54a，在設(shè)定為磁場發(fā)生模式之后，僅操作動作開關(guān)55，就能夠自動地、在短時間內(nèi)消除記錄在作為磁記錄介質(zhì)的VHS錄像磁帶5上的磁數(shù)據(jù)。此外，可將向外部泄漏的磁力線抑制到最小限度，所以，能夠預(yù)先防止由泄漏磁力線導(dǎo)致的損害發(fā)生。在以上的說明中，是以VHS錄像磁帶5為例進(jìn)行描述，但是，對于同樣的作為磁記錄介質(zhì)的8mm錄像磁帶6，也能夠利用同樣的順序來進(jìn)行消除處理。而且，設(shè)置在磁場發(fā)生部20的極性反轉(zhuǎn)部27上的觸點(diǎn)27a、27b，每當(dāng)進(jìn)行磁場發(fā)生模式的動作時利用控制電路52反轉(zhuǎn)連接。即，形成這樣的構(gòu)成，每當(dāng)磁場發(fā)生模式動作時，反轉(zhuǎn)從電容器22向勵磁線圈23的放電極性。因此，利用由勵磁線圈23所發(fā)生的磁場，在由磁性體構(gòu)成的外裝殼體66中感應(yīng)磁場，既使在勵磁線圈23和外裝殼體66之間產(chǎn)生機(jī)械排斥力或者吸引力，也能夠通過所述極性反轉(zhuǎn)部27的反轉(zhuǎn)連接，在每次動作時反轉(zhuǎn)發(fā)生的機(jī)械力。通過這樣，可以防止勵磁線圈23相對收容部60發(fā)生位置偏離。下面，說明圖4所示的進(jìn)行記錄在作為光記錄介質(zhì)的DVD7上的數(shù)據(jù)的破壞處理的情況下的動作。首先，接通電源開關(guān)SW，按壓模式設(shè)定部54的電磁波發(fā)生開關(guān)54b，設(shè)定為電磁波發(fā)生模式。接著，打開門62，將要進(jìn)行數(shù)據(jù)破壞的DVD7收納在收容部60中。然后，關(guān)閉門62，之后，按壓操作動作開關(guān)55。如果操作動作開關(guān)55，則控制電路52參照模式設(shè)定部54的電磁波發(fā)生開關(guān)54b的閉合狀態(tài)，進(jìn)行電磁波發(fā)生部30的加熱絲通電觸點(diǎn)36和陽極通電觸點(diǎn)37的控制。而且，在電磁波發(fā)生模式，磁場發(fā)生部20的充電觸點(diǎn)25以及勵磁觸點(diǎn)24仍然打開。控制電路52首先閉合加熱絲通電觸點(diǎn)36，加熱磁控管31的陰極(加熱絲)31a。通過這樣，變?yōu)槟軌驈年帢O31a放出熱電子的狀態(tài)。如果從閉合加熱絲通電觸點(diǎn)36開始經(jīng)過規(guī)定時間，則控制電路52閉合陽極通電觸點(diǎn)37。通過這樣，從倍電壓整流電路38向磁控管31的陽極31b施加陽極電壓，從天線31c向收容部60的內(nèi)部輻射大致為4.3GHz的微波。這里，如圖3所示那樣，因?yàn)槭杖莶?0由非磁性體(銅板)制成，所以向內(nèi)部輻射的大致為4.3GHz的微波由收容部60的內(nèi)壁面反射，不向外部泄漏。此外，因?yàn)槭杖莶?0的前面利用由磁性體(鐵板)制成的門62來覆蓋，所以可以阻止向收容部60的內(nèi)部輻射的微波向外部泄漏。此外，一旦在電磁波向收容部60的外部泄漏的情況下，也由外裝殼體66的內(nèi)壁和凸緣部61的后面所設(shè)置的電磁波吸收材料67所吸收，可以完全阻止電磁波向外裝殼體66的外部泄漏。向收容部60輻射的電磁波向收納在內(nèi)部的DVD7施加，在介質(zhì)上形成的鋁蒸鍍膜或者凹坑由電磁波加熱變形，通過這樣，能夠在短時間內(nèi)破壞記錄數(shù)據(jù)。此外，如所述那樣，因?yàn)橄蚴杖莶?0的外部泄漏的電磁波由電磁波吸收材料67所吸收，所以，向數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1的外部泄漏的電磁波可降低到極限。如果從閉合陽極通電觸點(diǎn)37開始經(jīng)過規(guī)定時間，則控制電路52打開陽極通電觸點(diǎn)37和加熱絲通電觸點(diǎn)36，結(jié)束一系列光記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)破壞處理。這樣，根據(jù)本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1，在操作模式設(shè)定部54的電磁波發(fā)生開關(guān)54b，設(shè)定為電磁波發(fā)生模式之后，僅操作動作開關(guān)55，就能夠自動地短時間地破壞處理作為光記錄介質(zhì)的DVD7上所記錄的數(shù)據(jù)。此外，向外部泄漏的電磁波可抑制到最小限度，所以，泄漏電磁波不會對人體帶來危險。而且，對于DVD7來說，有單面記錄數(shù)據(jù)的DVD也有雙面記錄數(shù)據(jù)的DVD，在本實(shí)施方式中，通過適當(dāng)設(shè)定電磁波的輻射輸出，對于任何一種DVD7都能夠通過施加一次電磁波來破壞處理兩面的數(shù)據(jù)。此外，在以上的說明中，關(guān)于DVD7所描述的內(nèi)容對于CD7也同樣，能夠進(jìn)行記錄數(shù)據(jù)的破壞處理。接著，說明圖4所示的進(jìn)行作為磁記錄介質(zhì)的光磁盤8上所記錄的磁數(shù)據(jù)的消除處理情況下的動作。首先，接通電源開關(guān)SW，按壓模式設(shè)定部54的磁場·電磁波發(fā)生開關(guān)54c，設(shè)定為磁場·電磁波發(fā)生模式。接著，打開門62，將要進(jìn)行數(shù)據(jù)消除的光磁盤8收納在收容部60中。然后，在閉合門62之后，按壓操作動作開關(guān)55。如果操作動作開關(guān)55，則控制電路52參照模式設(shè)定部54的磁場·電磁波發(fā)生開關(guān)54c的閉合狀態(tài)，進(jìn)行磁場發(fā)生部20的充電觸點(diǎn)25和勵磁觸點(diǎn)24的控制，同時，進(jìn)行電磁波發(fā)生部30的加熱絲通電觸點(diǎn)36和陽極通電觸點(diǎn)37的控制。即，如果利用模式設(shè)定部54設(shè)定為磁場·電磁波發(fā)生模式，則根據(jù)控制電路52，所述磁場發(fā)生模式和電磁波發(fā)生模式同時執(zhí)行，在向收容部60的內(nèi)部施加衰減交變磁場的同時，輻射大致為4.3GHz頻率的微波。通過這樣，收容部60內(nèi)所輻射的光磁盤8，一邊利用輻射的微波加熱，一邊利用施加的衰減交變磁場短時間地消磁，消除記錄的磁數(shù)據(jù)。在該磁場·電磁波模式中，也如所述那樣，阻止磁力線和電磁波向數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1的外部泄漏，所以能夠提高安全性。這樣，根據(jù)本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1，在操作模式設(shè)定部54的磁場·電磁波發(fā)生開關(guān)54c，設(shè)定磁場·電磁波發(fā)生模式之后，僅操作動作開關(guān)55，就能夠自動地短時間地消除記錄在光磁盤8上的數(shù)據(jù)。此外，向外部泄漏的電磁波可抑制到最小限度，所以，泄漏電磁波不會對人體帶來危險。而且，在磁場·電磁波發(fā)生模式中，通過適當(dāng)設(shè)定電磁波的輻射電平，能夠消除光磁盤8的磁數(shù)據(jù)，但通過增大電磁波的輻射電平，代替消除磁數(shù)據(jù)，也能夠破壞處理光磁盤8的記錄數(shù)據(jù)。上面說明了本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1，但是本發(fā)明不限于所述實(shí)施方式，在安全方面和操作方面，能夠采用追加的構(gòu)成。例如，在上述實(shí)施方式中，將門62的掛鉤64扣合在凸緣部61的接合孔65中，僅閉合門，形成這樣的構(gòu)成。但是，也能夠形成這樣的構(gòu)成，在接合孔65中設(shè)置檢測開關(guān)，在門62打開中，利用控制電路52強(qiáng)制停止發(fā)生磁場和電磁波。根據(jù)該構(gòu)成，既使在數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的處理中誤打開門62，也能夠預(yù)先防止磁場和電磁波向外部泄漏，能夠進(jìn)一步提高安全性。此外，例如形成這樣的構(gòu)成，在從操作動作開關(guān)55開始的輸出磁場或者電磁波的任何一種期間點(diǎn)燈信號燈，由此也能夠提高使用方便性。此外，在所述實(shí)施方式中，采用具有CPU的進(jìn)行數(shù)字處理的控制電路52，本發(fā)明不限于這樣的構(gòu)成，也能夠采用利用電子電路來進(jìn)行各部的控制的構(gòu)成。此外，也可以形成這樣的構(gòu)成來代替設(shè)置控制電路52，即，手動操作磁場發(fā)生部20或者電磁波發(fā)生部30的各個觸點(diǎn)。下面，說明本發(fā)明的其它實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置2。圖5是以進(jìn)行VHS錄像磁帶5的處理的狀態(tài)來表示數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置2的內(nèi)部構(gòu)造的立體圖。此外，圖6是以進(jìn)行DVD7的處理之狀態(tài)來表示數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置2的內(nèi)部構(gòu)造之立體圖。此外，圖7是表示圖1所示的磁場發(fā)生部的變形例的電路圖。對于所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1來說，每當(dāng)將數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)收容在收容部60中就進(jìn)行數(shù)據(jù)的消除處理或者破壞處理。與此相對，圖5所示的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置2，一邊利用傳送器搬送多個數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，一邊自動地進(jìn)行數(shù)據(jù)的消除處理或者破壞處理。下面，說明本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置2的電路構(gòu)成和構(gòu)造。而且，對于與所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1相同的構(gòu)成部分，賦予相同的符號，并省略重復(fù)說明。本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置2，具有與所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1基本相同的電路構(gòu)成。但是，如所述那樣，形成這樣的構(gòu)成，在控制部50追加圖1中用于搬送驅(qū)動傳送器82的傳送器驅(qū)動電路53，同時在控制電路52追加檢測傳感器84。另一方面，如象圖5那樣，本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置2的內(nèi)部構(gòu)造與所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1有很大的不同。即，本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置2形成這樣的構(gòu)成，搬送數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的傳送器82貫通收容部83而設(shè)置，在傳送器82貫通收容部83的部位，自由開閉地設(shè)置由磁性體制成的門73。如果詳細(xì)地說明，收容部83與上述實(shí)施方式所示的收容部60相同，由非磁性體(銅板)制成，但是形成為前面和后面敞開的方形筒狀形狀。在收容部83的內(nèi)部下方，具有比收容部83稍窄寬度的傳送器帶74接近收容部83的下面平行配置。此外，在該收容部83的前面和后面的開放部位，除了傳送器帶74所位于的部位，固定屏蔽板72，在屏蔽板72上，比該屏蔽板72稍窄寬度的門73，其下端接近傳送器帶74，自由開閉地設(shè)置。這些屏蔽板72和門73的任何一個都是由磁性體的鐵所制成。在收容部83的前面?zhèn)仍O(shè)置的門73是向外開的門，在收容部83的后面?zhèn)仍O(shè)置的門73是向內(nèi)開的門。這些門73、73的任何一個都是利用加力部件(未圖示)向閉合位置(垂直位置)輕輕施加作用力，通常維持閉合狀態(tài)。此外，在收容部83上設(shè)置檢測該收容部83的內(nèi)部有無數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的檢測傳感器84。檢測傳感器84如圖5所示那樣貫通收容部83的上壁而設(shè)置，從檢測傳感器84延伸的布線與電路箱80連接。在本實(shí)施方式中，作為檢測傳感器84，使用光反射型傳感器。如上述那樣，傳送器帶74是具有比收容部83稍窄寬度的環(huán)狀帶，架設(shè)在配置于收容部83前方的驅(qū)動輥75和配置在收容部83后方的自由輥76之間。而且形成這樣的構(gòu)成，如果利用馬達(dá)77的驅(qū)動力向逆時針方向旋轉(zhuǎn)驅(qū)動驅(qū)動輥75，則傳送器帶74追隨驅(qū)動，貫通收容部83的傳送器帶74的上部側(cè)而從后方向前方移動。在傳送器82的上游側(cè)的自由輥76的上方，配置將作為數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的VHS錄像磁帶5等提供到傳送器帶74上的供給托架78。供給托架78具有這樣的構(gòu)造，能夠收容多個數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)5，以預(yù)先確定的規(guī)定間隔向傳送器帶74順序落下提供數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)5。此外，在供給托架78的上部，設(shè)置由磁性體(鐵)制成的自由開閉的門78a。在傳送器82的下游側(cè)的驅(qū)動輥75的下方，配置收容處理后的作為數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的VHS錄像磁帶5等的收容托架79。此外，在收容托架79的前部，設(shè)置由磁性體(鐵)制成的自由開閉的門79a。而且，在收容部83附近，配置有收納圖1所示的電路塊10的電路箱80，與勵磁線圈23連接的連接器69以及與磁控管31連接的連接器68，同電路箱80連接。此外，從馬達(dá)77延伸出的布線L3上所設(shè)置的連接器81，也同樣地與電路箱80連接。在本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置2中，這些收容部83、傳送器82、供給托架78、收容托架79和電路箱80的各個構(gòu)成要件整體由外裝殼體70所覆蓋。外裝殼體70是由磁性體的鐵制成的方形箱體，在內(nèi)面遍及整個面地安裝電磁波吸收材料71。該電磁波吸收材料71是與上述實(shí)施方式所示的材料相同的橡膠系列電磁波吸收材料。其中，供給托架78的門78a以及收容托架79的門79a位于設(shè)置在外裝殼體70上的開口處，門78a、79a自由開閉，在這些門78a、79a的內(nèi)面也安裝了電磁波吸收材料71。在外裝殼體70的右側(cè)面后方配置電源開關(guān)SW，在上面后方配置模式設(shè)定部54的各個開關(guān)54a～54c以及動作開關(guān)55。電源開關(guān)SW利用布線L5與電路箱80連接，模式設(shè)定部54的各個開關(guān)54a～54c以及動作開關(guān)55利用布線L4與電路箱80連接。此外，具有電源插頭C的電源軟線L6從電路箱80延伸出，從外裝殼體70的后面向外部引出。接著，參照圖1和圖5、圖6來說明這樣構(gòu)成的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置2的動作。先說明進(jìn)行圖5那樣的作為磁記錄介質(zhì)的VHS錄像磁帶5上所記錄的磁數(shù)據(jù)的消除處理的情況下的動作。首先，打開供給托架78的門78a，將多個VHS錄像磁帶5重疊收納在內(nèi)部。接著，接通電源開關(guān)SW，按壓模式設(shè)定部54的磁場發(fā)生開關(guān)54a，設(shè)定為磁場發(fā)生模式。接著，按壓操作動作開關(guān)55，如果操作動作開關(guān)55，則控制電路52控制馬達(dá)驅(qū)動電路53來驅(qū)動馬達(dá)77，開始傳送器82的搬送。如果這樣，則從供給托架78下落到傳送器帶74上的VHS錄像磁帶5就一邊由傳送器82搬送，一邊按壓打開門73而向收容部83內(nèi)部移動。如果VHS錄像磁帶5搬送到收容部83內(nèi)部，則門73通過作用力而自動地關(guān)閉。如果VHS錄像磁帶5搬送到收容部83內(nèi)，檢測傳感器84檢測到VHS錄像磁帶5，則控制電路52暫時停止馬達(dá)77的驅(qū)動。然后，控制電路52參照模式設(shè)定部54的磁場發(fā)生開關(guān)54a的閉合狀態(tài)，開閉控制磁場發(fā)生部20的充電觸點(diǎn)25和勵磁觸點(diǎn)24，向VHS錄像磁帶5施加衰減交變磁場。而且，磁場發(fā)生部20的控制與上述實(shí)施例表示的內(nèi)容相同，所以省略。如果結(jié)束衰減交變磁場的施加，則控制電路52再次打開馬達(dá)77的驅(qū)動，向下游側(cè)搬送VHS錄像磁帶5。由傳送器82搬送的VHS錄像磁帶5按壓打開下游側(cè)的門73，向收容部83的外部移動。如果VHS錄像磁帶5搬送到收容部83的外部，則門73通過作用力而自動關(guān)閉。而且，搬送到下游側(cè)的VHS錄像磁帶5從傳送器82下落到收容托架79上而被收容。通過重復(fù)以上的控制，收容在供給托架78中的VHS錄像磁帶5的磁數(shù)據(jù)消除處理以順序成批方式來進(jìn)行。這里，如上述那樣，在本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置2中，裝置整體通過由磁性體(鐵)制成的外裝殼體70而覆蓋。因此，利用外裝殼體70來阻止由勵磁線圈23所產(chǎn)生的衰減交變磁場向外部泄漏，能夠在處理中完全遮斷向外部的磁泄漏。接著，參照圖6來說明進(jìn)行作為光記錄介質(zhì)的DVD7上所記錄的數(shù)據(jù)的破壞處理的情況下的動作。首先，打開供給托架78的門78a，將多個DVD7重疊收納在內(nèi)部。接著，接通電源開關(guān)SW，按壓模式設(shè)定部54的電磁波發(fā)生開關(guān)54b，設(shè)定為電磁波發(fā)生模式。接著，按壓操作動作開關(guān)55。如果操作動作開關(guān)55，則控制電路52控制馬達(dá)驅(qū)動電路53來驅(qū)動馬達(dá)77，開始傳送器82的搬送。如果這樣，從供給托架78下落到傳送器帶74上的DVD7就由傳送器82來搬送。這里，由于DVD7較輕，所以依靠自重來打開門73是困難的。因此，在本實(shí)施方式中，將設(shè)置在收容部83上的門73的下端與傳送器帶74的間隙設(shè)為比DVD7的厚度稍大。通過這樣，由傳送器82搬送的DVD7不接觸門73而原樣移動到收容部83的內(nèi)部。如果DVD7搬送到收容部83內(nèi)，檢測傳感器84檢測到DVD7，則控制電路52暫時停止馬達(dá)77的驅(qū)動。然后，控制電路52就參照模式設(shè)定部54的電磁波發(fā)生開關(guān)54b的閉合狀態(tài)，開閉控制電磁波發(fā)生部30的加熱絲通電觸點(diǎn)36和陽極通電觸點(diǎn)37，向DVD7施加電磁波(微波)。而且，電磁波發(fā)生部30的控制，與上述實(shí)施方式所示的控制相同，所以省略。如果結(jié)束電磁波的施加，則控制電路52再次打開馬達(dá)77的驅(qū)動，向下游側(cè)搬送DVD7。由傳送器82搬送的DVD7通過下游側(cè)的門73和傳送器帶74的間隙而向收容部83的外部移動。然后，搬送到下游側(cè)的DVD7從傳送器82下落到收容托架79上而被收容。通過重復(fù)以上的控制，以順序成批方式來進(jìn)行收容在供給托架78中的DVD7上所記錄的數(shù)據(jù)的破壞處理。這里，如上述那樣，在本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置2中，收容部83由非磁性體(銅)制成，在收容部83的前面和后面所配置的屏蔽板72和門73由磁性體(鐵)所制成。此外，傳送器帶74貫通收容部83的部位，即位于門73的下端的間隙，與電磁波的波長(7cm)相比充分小。因此，向收容部83的內(nèi)部輻射的電磁波由收容部83、屏蔽板72和門73屏蔽，幾乎沒有向收容部83的外部泄漏。此外，在覆蓋裝置整體的外裝殼體70的內(nèi)面上安裝電磁波吸收材料71，所以，既使在從收容部83泄漏一部分電磁波的情況下，也能夠由電磁波吸收材料71吸收，能夠完全阻止向裝置外部泄漏。通過這樣，排除了由于微波泄漏對人體的影響，而且能夠高效地進(jìn)行光記錄介質(zhì)的處理。以上，說明了使用數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置2來進(jìn)行磁記錄數(shù)據(jù)(VHS錄像磁帶)5和光記錄介質(zhì)(DVD)7的處理的情況下的操作。而且，關(guān)于進(jìn)行光磁盤8的處理的情況下的操作，僅僅是在模式設(shè)定部54的操作磁場·電磁波發(fā)生開關(guān)54c這點(diǎn)不同，而操作與上述實(shí)施方式所示的內(nèi)容相同，所以省略了詳細(xì)說明。而且，在本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置2中，適用成批方式的處理，在數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)收納在收容部83內(nèi)部的時刻，暫時停止傳送器82的搬送，進(jìn)行磁場或者電磁波的施加。但是，本發(fā)明除了這樣的成批方式之外，也能夠采用連續(xù)方式，即一邊利用傳送器82連續(xù)搬送數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)一邊施加磁場或者電磁波。此外，在本實(shí)施方式中，形成輻射大致為4.3GHz的電磁波的構(gòu)成，但是也能夠使用屬于300MHz～300GHz的微波頻帶的電磁波。此外，通過使用家庭用的微波爐所采用的2.45GHz的磁控管，而能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)省成本。以上，詳細(xì)地說明了本發(fā)明實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1、2的構(gòu)成和動作，但本發(fā)明的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1、2不限于所述實(shí)施方式所示的構(gòu)成，也能夠采用其它方式。例如，圖1所示的磁場發(fā)生部20，也能夠采用圖7所示的磁場發(fā)生部20’的電路構(gòu)成。圖7所示的磁場發(fā)生部20’形成這樣的構(gòu)成，電源變壓器11具有兩個次級繞組13、13，同時，分別雙電路設(shè)置橋式二極管21、電容器22和充電觸點(diǎn)25，形成向串聯(lián)連接的電容器22進(jìn)行充電的構(gòu)成。根據(jù)該構(gòu)成，能夠一邊將各個電容器22的充電電壓抑制為低電壓，一邊在串聯(lián)連接的電容器22、22的兩端得到高電壓。因此，能夠一邊抑制電源變壓器11的次級繞組13的電壓和電容器22的耐壓，一邊向勵磁線圈23施加高電壓來發(fā)生磁通密度高的磁場。通過這樣，能夠使用通用部件來構(gòu)成發(fā)生強(qiáng)磁場的電路，能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)省成本。此外，在進(jìn)一步增大向勵磁線圈23的通電電壓的情況下，也能夠形成將電源變壓器11的次級繞組13和橋式二極管21、電容器22設(shè)置三組以上的電路構(gòu)成。此外，在施加磁場的處理對象物較大的情況下，如圖7所示那樣，也能夠采用將勵磁線圈23和勵磁觸點(diǎn)24設(shè)置多組的構(gòu)成。根據(jù)該構(gòu)成，向各個勵磁線圈23順序通電電容器22的充電電壓，能夠?qū)^大形狀的處理對象物區(qū)分施加衰減交變磁場。通過這樣，能夠一邊維持需要的磁場強(qiáng)度，一邊采用使用通用部件的電路構(gòu)成。此外，在上述實(shí)施方式中，如圖1那樣，形成這樣的構(gòu)成，即電磁波發(fā)生部30適用倍電壓整流電路38，但也能夠使用3倍電壓以上的整流電路。此外，在所述實(shí)施方式中，形成這樣的構(gòu)成，在磁場發(fā)生部20發(fā)生衰減交變磁場，但本發(fā)明不限于這樣的構(gòu)成，例如，也能夠采用這樣的構(gòu)成，即以規(guī)定時間持續(xù)發(fā)生規(guī)定強(qiáng)度的磁場。根據(jù)該構(gòu)成，利用施加的磁場擾亂磁數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的磁定向，能夠等效地阻止讀出原始數(shù)據(jù)。此外，在上述實(shí)施方式中，表示了進(jìn)行VHS錄像磁帶5和8mm錄像磁帶6或者光磁盤(MO)8等磁記錄介質(zhì)，或者DVD7和CD7的光記錄介質(zhì)的處理的裝置，但是，本發(fā)明不限于這些數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的處理。例如，也能夠是通過適當(dāng)設(shè)定發(fā)生的磁場強(qiáng)度和磁場發(fā)生范圍，進(jìn)行通用計(jì)算機(jī)等所使用的大型磁帶或者硬盤裝置等磁數(shù)據(jù)的消除的裝置。此外，也能夠形成這樣的構(gòu)成，將內(nèi)置硬盤的計(jì)算機(jī)原樣收容在收容部60、83中，來消除記錄在硬盤上的磁數(shù)據(jù)。下面，說明本發(fā)明的另外其它的實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置3、4。圖8是數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置3、4的基本電路圖，圖9是表示數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置3的構(gòu)造的分解立體圖，圖10是以進(jìn)行DVD7的處理的狀態(tài)來表示數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置4的內(nèi)部構(gòu)造的立體圖。而且，本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置3，具有變形所述圖1～圖4所示的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)1的一部分的構(gòu)成。此外，本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置4具有變形所述圖1、圖5、圖6所示的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置2的一部分的構(gòu)成。因此，對于相同的構(gòu)成部分賦予相同的符號，并省略重復(fù)說明。本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置3，如圖8所示那樣，大致劃分具有電磁波發(fā)生部30和控制部50，向這些各個部分提供交流電源的電源變壓器11，形成這樣的構(gòu)成。即，本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置3具有從所述圖1所示的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1中去除磁場發(fā)生部20的電路構(gòu)成。電磁波發(fā)生部30如圖8所示那樣，具有與所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1(參照圖1)的電磁波發(fā)生部30相同的電路構(gòu)成。此外，電源變壓器11具有從所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1(參照圖1)的電源變壓器11中去除次級繞組13的構(gòu)成?？刂撇?0如圖8所示那樣具有定電壓電路51和控制電路52，具有進(jìn)行設(shè)置在電磁波發(fā)生部30上的各個觸點(diǎn)的開閉控制的功能。而且，與控制電路52連接的傳送器驅(qū)動電路53和檢測傳感器84，在后述的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置4中采用，這些構(gòu)成的說明在后面描述。定電壓電路51接收電源變壓器11的次級繞組16的交流電壓，向控制電路52提供穩(wěn)定的直流電壓。控制電路52是具有CPU的進(jìn)行數(shù)字控制的電路，該控制電路52上連接動作開關(guān)55。此外，控制電路52具有這樣的構(gòu)成，能夠根據(jù)程序處理個別地開閉控制兩個觸點(diǎn)，這些各個觸點(diǎn)分別連接到電磁波發(fā)生部30的加熱絲通電觸點(diǎn)36和陽極通電觸點(diǎn)37?？刂齐娐?2根據(jù)動作開關(guān)55的操作來進(jìn)行程序處理，具有如下功能開閉控制電磁波發(fā)生部30的各個觸點(diǎn)來發(fā)生電磁波，同時，控制排氣驅(qū)動電路57來驅(qū)動后述的排氣部件58。本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置3，包括具有以上功能的電磁波發(fā)生部30和控制部50，圖8中由點(diǎn)劃線表示的電路塊10，與電路基板等一體地形成。下面，參照圖9來說明數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置3的構(gòu)造，本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置3具有與所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1(參照圖3)基本相同的構(gòu)造，但下面描述的部分不同。即，所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1是這樣的構(gòu)成，在由非磁性體的銅制成的收容部60的上面中央部固定磁控管31，卷裝勵磁線圈23，使得從前后兩側(cè)夾持磁控管31。與此相對，在本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置3中，在由磁性體的鐵制成的收容部60的上面中央部僅固定磁控管31。此外，在外裝殼體66的上面后方僅設(shè)置動作開關(guān)55。在組裝數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置3時，如圖9所示那樣，使得與磁控管31連接的連接器68與設(shè)置在電路塊10上的連接器(未圖示)連接，將收容部60插入外裝殼體66的內(nèi)部，設(shè)置在收容部60上的凸緣部61碰到外裝殼體66的敞開側(cè)端部并固定。這樣組裝后的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置3，通過操作動作開關(guān)55，向收容部60內(nèi)部僅輻射規(guī)定時間的大致為4.3GHz的微波。因此，打開門62，將要進(jìn)行數(shù)據(jù)破壞的DVD7或者CD7收納在收容部60中，在閉合門62之后，僅按壓操作動作開關(guān)55，就能夠在短時間內(nèi)高效地破壞收納的DVD7或者CD7上所記錄的數(shù)據(jù)。即，利用與在所述圖4所示的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1中，閉合模式設(shè)定部54的電磁波發(fā)生開關(guān)54b的情況相同的控制，就能夠高效地破壞記錄在DVD7或者CD7上的數(shù)據(jù)。下面，說明數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置4。所述實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置3，每當(dāng)將DVD7或CD7收容在收容部60中，就進(jìn)行破壞處理。與此相對，圖10所示的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置4一邊利用傳送器搬送多個數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)一邊自動地進(jìn)行破壞處理。本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置4，具有與所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置3基本上相同的電路構(gòu)成。但是，在控制部50追加圖8中用于搬送驅(qū)動傳送器82的傳送器驅(qū)動電路53，同時，在控制電路52追加連接檢測傳感器84，形成這樣的構(gòu)成。另一方面，本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置4的內(nèi)部構(gòu)造如圖10所示那樣具有與所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置2(參照圖5)基本上相同的構(gòu)成。但是，形成這樣的構(gòu)成，在收容部83上僅設(shè)置磁控管31，去除勵磁線圈23。此外，在外裝殼體70的上面后方，配置動作開關(guān)55，該動作開關(guān)55通過布線L4與電路箱80連接。該數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置4，通過與在所述圖6所示的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置2中閉合模式設(shè)定部54的電磁波發(fā)生開關(guān)54b的情況下相同的控制，而能夠連續(xù)高效地破壞記錄在DVD7或者CD7上的數(shù)據(jù)。所述各個數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置能夠?qū)浵翊艓Щ蛴脖P、DVD等記錄介質(zhì)以單體方式插入收容部來進(jìn)行數(shù)據(jù)破壞，但是，也可以將安裝這些記錄介質(zhì)的電子器件放入收容部中，來破壞記錄在附屬的記錄介質(zhì)上的數(shù)據(jù)。即，所述各個數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置能夠活用為用于廢棄處理原樣電子器件的裝置。下面，說明將數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置活用為電子器件廢棄處理裝置之情況下的實(shí)施方式。圖11是本實(shí)施方式的電子器件廢棄處理裝置18的基本電路圖，圖12是表示圖11的電子器件廢棄處理裝置18的內(nèi)部構(gòu)造的分解立體圖，圖13是表示電子器件廢棄處理裝置18的立體圖，圖14是表示設(shè)置在電子器件內(nèi)部的印刷基板的一個例子的說明圖。而且，本實(shí)施方式的電子器件廢棄處理裝置18，具有變形所述圖1、圖3所示的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1的一部分的構(gòu)成。因此，對于與前述構(gòu)成相同的部分，賦予相同的符號，并省略重復(fù)說明。本實(shí)施方式的電子器件廢棄處理裝置18，如圖11那樣，形成這樣的構(gòu)成，大致劃分具有電磁波發(fā)生部30和控制部50、以及向這些各個部分提供交流電源的電源變壓器11。即，本實(shí)施方式的電子器件廢棄處理裝置18具有從所述圖1所示的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1中去除磁場發(fā)生部20的電路構(gòu)成。電磁波發(fā)生部30如圖11那樣具有與所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1(參照圖1)的電磁波發(fā)生部30相同的電路構(gòu)成。此外，電源變壓器11具有從前述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1(參照圖1)的電源變壓器11去除次級繞組13的構(gòu)成。控制部50如圖11那樣具有定電壓電路51、控制電路52和排氣驅(qū)動電路57，具有進(jìn)行在電磁波發(fā)生部30上所設(shè)置的各個觸點(diǎn)的開閉控制和后述的排氣部件58的控制的功能。而且，與控制電路52連接的傳送器驅(qū)動電路53和檢測傳感器84在后述的其它實(shí)施方式中采用，它們的構(gòu)成說明在后面描述。定電壓電路51是接收電源變壓器11的次級繞組16的交流電壓，向控制電路52提供穩(wěn)定的直流電壓的電路?？刂齐娐?2是具有CPU進(jìn)行數(shù)字控制的電路，在該控制電路52上連接動作開關(guān)55。此外，控制電路52具有根據(jù)程序處理來個別地開閉控制兩個觸點(diǎn)的構(gòu)成，這些各個觸點(diǎn)分別連接到電磁波發(fā)生部30的加熱絲通電觸點(diǎn)36和陽極通電觸點(diǎn)37?？刂齐娐?2具有如下功能根據(jù)動作開關(guān)55的操作來進(jìn)行程序處理，開閉控制電磁波發(fā)生部30的各個觸點(diǎn)來發(fā)生電磁波，同時，控制排氣驅(qū)動電路57，驅(qū)動后述的排氣部件58。本實(shí)施方式的電子器件廢棄處理裝置18，包括具有以上功能的電磁波發(fā)生部30和控制部50，圖11中由點(diǎn)劃線表示的電路塊10與電路基板等一體地形成。下面，參照圖12來說明電子器件廢棄處理裝置18的構(gòu)造，本實(shí)施方式的電子器件廢棄處理裝置18具有與所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1(參照圖3)基本相同的構(gòu)造，但下面描述的部分的構(gòu)造不同。即，所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1形成這樣的構(gòu)成，在由非磁性體的銅制成的收容部60的上面中央部固定磁控管31，卷裝勵磁線圈23使得從前后兩側(cè)夾持磁控管31。與此相對，本實(shí)施方式的電子器件廢棄處理裝置18中，在由磁性體的鐵制成的收容部60的上面中央部僅固定磁控管31，在收容部60的右側(cè)壁開有圓形開口，來設(shè)置短的排氣通道88。另一方面，形成這樣的構(gòu)成，在外裝殼體66的右側(cè)壁上，設(shè)置具有由馬達(dá)59旋轉(zhuǎn)驅(qū)動的排氣扇59a的排氣部件58，在排氣部件58上連接排氣管86。此外，在外裝殼體66的上面后方僅設(shè)置動作開關(guān)55。而且，本實(shí)施方式的電子器件廢棄處理裝置18的上述以外的構(gòu)成與上述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1(參照圖3)相同，所以，賦予相同的符號，并省略重復(fù)說明。在組裝電子器件廢棄處理裝置18時，如圖12所示那樣，將與磁控管31連接的連接器68與設(shè)置在電路塊10上的連接器(未圖示)連接，將收容部60插入外裝殼體66內(nèi)部，將設(shè)置在收容部60上的凸緣部61碰到外裝殼體66的敞開側(cè)端部并且固定。如果這樣組裝電子器件廢棄處理裝置18，則設(shè)置在收容部60上的排氣通道88就接近設(shè)置在外裝殼體66上的排氣部件58的排氣扇59a并定位。因此，形成這樣的構(gòu)成，如果利用馬達(dá)59來旋轉(zhuǎn)驅(qū)動排氣扇59a，則排氣管86側(cè)相對收容部60內(nèi)部形成負(fù)壓，收容部60內(nèi)部的空氣就向排氣管86側(cè)吸引。下面，參照圖11和圖13來說明本實(shí)施方式的電子器件廢棄處理裝置18的動作。首先，接通電源開關(guān)SW，打開門62，將要進(jìn)行破壞處理的電子器件9收納在收容部60中。進(jìn)行破壞處理的電子器件9，例如能夠舉出在內(nèi)部內(nèi)置存儲器部件(集成電路)的便攜電話90等。此外，可舉出MemoryStick(索尼公司的注冊商標(biāo))91或者SDMemoryCard(松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社其它的商標(biāo))92或者CompactFlash(美國SanDisk公司的注冊商標(biāo))93等各種存儲卡。此外，能夠舉出將這些存儲卡91～93安裝在外部插槽的便攜電話90。而且，雖然沒有圖示，也可以收納內(nèi)置IC芯片的IC卡等電子器件。在將要進(jìn)行破壞處理的這些電子器件9收容在收容部60之后，閉合門62，按壓操作動作開關(guān)55。如果操作動作開關(guān)55，則控制電路52首先閉合加熱絲通電觸點(diǎn)36，加熱磁控管31的陰極(加熱絲)31a。通過這樣，變?yōu)槟軌驈年帢O31a放出熱電子的狀態(tài)。如果從閉合加熱絲通電觸點(diǎn)36開始經(jīng)過規(guī)定時間，則控制電路52閉合陽極通電觸點(diǎn)37。通過這樣，就從倍電壓整流電路38向磁控管31的陽極31b施加陽極電壓，大致為2.45GHz的微波就從天線31c向收容部60的內(nèi)部輻射。此外，如果操作動作開關(guān)55，則控制電路52向排氣驅(qū)動電路57發(fā)送控制信號，開始排氣部件58的馬達(dá)59的驅(qū)動。通過這樣，收容部60內(nèi)部的空氣就利用排氣部件58通過排氣管86向外部放出。這里，如圖12那樣，收容部60由磁性體(鐵)制成，所以向內(nèi)部輻射的微波由收容部60的內(nèi)壁面反射，不向外部泄漏。此外，收容部60的前面利用由磁性體(鐵板)制成的門62覆蓋，所以，可阻止向收容部60內(nèi)部輻射的微波向外部泄漏。而且，一旦在向收容部60外部泄漏電磁波的情況下，也由設(shè)置在外裝殼體66內(nèi)壁和凸緣部61后面的電磁波吸收材料67來吸收，可完全阻止電磁波向外裝殼體66的外部泄漏。向收容部60中輻射的電磁波，向收納在內(nèi)部的電子器件9照射。如果著眼于照射電磁波的電子器件9中的便攜電話90，則如圖14那樣，在便攜電話90內(nèi)部固定安裝有存儲器集成電路(存儲器部件)95或者控制用集成電路96、電路部件97的印刷基板94。此外，在印刷基板94上，纏繞有相互連接集成電路95、96或者電路部件97的多個印刷布線94a。如果向這樣的具有印刷基板94的便攜電話90照射電磁波，則在印刷布線94a中交鏈電磁波的磁場，而感應(yīng)高電壓。同樣地，在集成電路95、96的內(nèi)部布線圖案中交鏈電磁波的磁場，而感應(yīng)高電壓。為此，通過在印刷基板94上的印刷布線94a中感應(yīng)的高電壓，產(chǎn)生印刷布線94a的斷線或者短路，同時，也向安裝在印刷基板94上的電路部件97施加高電壓，從而產(chǎn)生絕緣破壞。此外，通過在集成電路95、96內(nèi)部的布線圖案中感應(yīng)的高電壓，產(chǎn)生布線圖案的斷線或者短路，同時，向集成電路內(nèi)部的晶體管元件或者電容元件施加高電壓，從而產(chǎn)生絕緣破壞。因此，通過照射電磁波，安裝在便攜電話90中的印刷基板94的印刷布線94a產(chǎn)生斷線或者短路，不能進(jìn)行正常的電路動作。此外，搭載在印刷基板94上的電路部件97產(chǎn)生絕緣破壞而不能動作。而且，搭載在印刷基板94上的存儲器集成電路(存儲器部件)95或者控制用集成電路96的布線圖案也產(chǎn)生斷線或者短路，晶體管元件或電容元件也絕緣破壞，而不能動作。此外，在便攜電話90上搭載液晶顯示器等的情況下，該液晶顯示器內(nèi)部布線也產(chǎn)生斷線或者短路而破壞。關(guān)于收納在收容部60中的存儲卡91～93，也與便攜電話90一樣，破壞了設(shè)置在內(nèi)部的印刷基板的印刷布線或者存儲器部件。此外，在便攜電話90中安裝存儲卡的情況下，也同樣地破壞了設(shè)置在存儲卡內(nèi)部的印刷基板的印刷布線或者存儲器部件。此外，既使通過電磁波的照射，加熱便攜電話90的殼體主體90a或者印刷基板94，從而發(fā)生氣體，發(fā)生的氣體通過排氣部件58從排氣管86向外部排出。通過這樣，發(fā)生的氣體不會滯留在收容部60內(nèi)部，從而不會由于發(fā)生的氣體導(dǎo)致產(chǎn)生惡臭。如果從閉合陽極通電觸點(diǎn)37開始經(jīng)過規(guī)定時間，則控制電路52打開陽極通電觸點(diǎn)37和加熱絲通電觸點(diǎn)36，結(jié)束一系列的電子器件廢棄處理。其中，磁控管31的微波輻射輸出和微波輻射時間能夠根據(jù)收納在收容部60中的電子器件9的量而適當(dāng)設(shè)定。此外，也能夠固定設(shè)定微波的輻射輸出，可變地設(shè)定微波的輻射時間。這樣，根據(jù)本實(shí)施方式的電子器件廢棄處理裝置18，僅操作動作開關(guān)55，就可短時間高效地破壞收容在收容部60中的便攜電話90或者存儲卡91～93等電子器件9，能夠阻止讀出存儲的數(shù)據(jù)。通過這樣，能夠防止大量回收的電子器件9中所存儲數(shù)據(jù)的泄漏，一邊確保安全性，一邊能夠短時間高效地進(jìn)行廢棄處理。此外，既使在隨著電磁波照射而發(fā)生來自加熱的樹脂材料等的氣體的情況下，也能夠利用排氣部件58將發(fā)生的氣體向外部排出，滯留在收容部60中的氣體向處理場擴(kuò)散，能夠防止發(fā)出惡臭。此外，也能夠?qū)ο蛲獠颗懦龅臍怏w進(jìn)行脫臭處理或者除去有害成分處理，向大氣排出。下面，說明本發(fā)明的其它實(shí)施方式的電子器件廢棄處理裝置19。圖15是表示電子器件廢棄處理裝置19的內(nèi)部構(gòu)造的立體圖。所述實(shí)施方式的電子器件廢棄處理裝置18，每當(dāng)將電子器件9收容在收容部60中，就進(jìn)行破壞處理。與此相對，圖15所示的電子器件廢棄處理裝置19，一邊利用傳送器搬送多個電子器件9，一邊自動地進(jìn)行破壞處理。下面，說明本實(shí)施方式的電子器件廢棄處理裝置19的電路構(gòu)成和構(gòu)造。而且，本實(shí)施方式的電子器件廢棄處理裝置19部分地變更上述電子器件廢棄處理裝置18的電路構(gòu)成和所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置2(參照圖5)的構(gòu)造。本實(shí)施方式的電子器件廢棄處理裝置19具有與所述電子器件廢棄處理裝置18基本相同的電路構(gòu)成。但是，形成這樣的構(gòu)成，在控制部50追加圖11中用于搬送驅(qū)動傳送器82的傳送器驅(qū)動電路56，同時，在控制電路52追加連接檢測傳感器84。檢測傳感器84與上述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置2(參照圖5)所使用的檢測傳感器84相同。另一方面，本實(shí)施方式的電子器件廢棄處理裝置19的內(nèi)部構(gòu)造，象圖15那樣，具有與上述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置2(參照圖5)基本相同的構(gòu)成。但是，在電路箱80附近設(shè)置排氣部件58，在收容部83和排氣部件58之間連接排氣管87，同時，從排氣部件58向外部延伸設(shè)置排氣管86。此外，電路箱80和排氣部件58利用具有連接器98、99的布線連接。而且，排氣部件58與電子器件廢棄處理裝置18(參照圖13)所采用的排氣部件相同。此外，在外裝殼體70的上面后方，配置動作開關(guān)55，該動作開關(guān)55利用布線L4與電路箱80連接。而且，本實(shí)施方式的電子器件廢棄處理裝置19的其它構(gòu)成與所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置2(參照圖5)相同，所以對于相同構(gòu)成部分賦予相同的符號，并省略重復(fù)說明。下面，參照圖11和圖15來說明該電子器件廢棄處理裝置19的動作。首先，打開供給托架78的門78a，將要進(jìn)行破壞處理的便攜電話90或者存儲卡91～93等電子器件9收納在內(nèi)部。接著，接通電源開關(guān)SW，按壓操作動作開關(guān)55。如果操作動作開關(guān)55，則控制電路52控制馬達(dá)驅(qū)動電路53，驅(qū)動馬達(dá)77，開始傳送器82的搬送。如果這樣，從供給托架78下落到傳送器帶74上的電子器件9一邊由傳送器82搬送，一邊按壓打開門73向收容部83內(nèi)部移動。如果電子器件9搬送到收容器83內(nèi)部，則門73通過作用力而自動地閉合。如果電子器件9搬送到收容部83內(nèi)，檢測傳感器84檢測到搬入的電子器件9，則控制電路52暫時停止馬達(dá)77的驅(qū)動。然后，控制電路52就開閉控制電磁波發(fā)生部30的加熱絲通電觸點(diǎn)36和陽極通電觸點(diǎn)37，向電子器件9照射電磁波(微波)。同時，控制電路52向排氣驅(qū)動電路57送出控制信號，開始驅(qū)動排氣部件58。而且，電磁波發(fā)生部30的控制，與上述實(shí)施方式所示的控制相同，所以省略。如果結(jié)束電磁波的照射，則控制電路52再次開始馬達(dá)77的驅(qū)動，向下游側(cè)搬送電子器件9，搬送的電子器件9通過下游側(cè)的門73和傳送器帶74的間隙而向收容部83的外部移動。然后，向下游側(cè)搬送的電子器件9從傳送器82下落到收容托架79上而被收容。此外，在從結(jié)束電磁波的照射開始經(jīng)過規(guī)定時間后，控制電路52向排氣驅(qū)動電路57送出控制信號，停止排氣部件58的驅(qū)動。通過重復(fù)以上的控制，以順序成批方式來進(jìn)行收容在供給托架78中的便攜電話90或者存儲卡91～93等電子器件9的破壞處理。這里，在本實(shí)施方式的電子器件廢棄處理裝置19中，收容部83由磁性體(鐵)制成，配置在收容部83的前面和后面的屏蔽板72和門73也由磁性體(鐵)制成。此外，傳送器帶74貫通收容部83的部位，即，位于門73下端的間隙，與電磁波的波長(12cm)相比充分小。因此，向收容部83內(nèi)部輻射的電磁波由收容部83、屏蔽板72和門73屏蔽，幾乎不向收容部83外部泄漏。此外，在覆蓋裝置全體的外裝殼體70的內(nèi)面安裝電磁波吸收材料71，所以，既使在從收容部83泄漏一部分電磁波的情況下，也由電磁波吸收材料71吸收，可以完全地阻止向裝置外部泄漏。這樣，如根據(jù)本實(shí)施方式的電子器件廢棄處理裝置19，僅向供給托架78投入便攜電話90或者存儲卡91～93等電子器件9，則能夠自動地進(jìn)行破壞處理，能夠在短時間內(nèi)高效地進(jìn)行電子器件9的破壞處理。此外，能夠完全地遮斷微波的泄漏，排除對人體的影響，提高安全性。其中，本實(shí)施方式的電子器件廢棄處理裝置19適用成批方式的處理，即在向收容部83內(nèi)部搬入電子器件9的時刻，暫時停止傳送器82的搬送，進(jìn)行電磁波照射。但是，本發(fā)明除了這樣的成批方式之外，也能夠采用連續(xù)方式，即一邊利用傳送器82連續(xù)搬送電子器件9一邊施加電磁波。此外，在本實(shí)施方式中，形成輻射大致為2.45GHz的電磁波的構(gòu)成，但也能夠采用輻射屬于微波頻帶的其它頻率電磁波的構(gòu)成。上面，詳細(xì)地說明了本發(fā)明實(shí)施方式的電子器件廢棄處理裝置18、19的構(gòu)成和動作，但是，本發(fā)明的電子器件廢棄處理裝置18、19不限于所述實(shí)施方式的構(gòu)成，也能夠采用其它方式。例如，上述實(shí)施方式所示的電子器件廢棄處理裝置18、19，形成設(shè)置排氣部件58，從而強(qiáng)制排氣在收容部60內(nèi)部發(fā)生的氣體的構(gòu)成，但是，也能夠代替排氣部件58，在收容部60內(nèi)部設(shè)置利用活性炭等的吸附部件。如果根據(jù)該構(gòu)成，通過利用活性炭來吸附發(fā)生的氣體，能夠防止氣體滯留，從而進(jìn)行脫臭。此外，通過適當(dāng)設(shè)定向電子器件9照射的電磁波的頻率和輸出、照射時間，一邊將電子器件9主體殼體和印刷基板等的加熱抑制到最低限度，一邊短時間地破壞處理內(nèi)部電路，通過這樣，也能夠?qū)怏w發(fā)生抑制到最低限度。如果根據(jù)該構(gòu)成，能夠省略排氣部件58，簡化構(gòu)成。利用電子器件廢棄處理裝置18、19處理的電子器件，不限于上述圖13、圖15所示的便攜電話90或者存儲卡91～93，對于便攜終端或者內(nèi)置于個人計(jì)算機(jī)中搭載存儲部件的基板(主板、母插件板)或者IC標(biāo)簽等電子器件，也能夠高效地進(jìn)行廢棄處理。此外，對于上述圖1～圖10所示的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置1～4，也能夠采用下述構(gòu)成，即采用圖11～圖15所示的電子器件廢棄處理裝置18、19所采用的排氣驅(qū)動電路57和排氣部件58。權(quán)利要求1.一種數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理方法，其特征在于使用具有磁場發(fā)生部件和電磁波發(fā)生部件的處理裝置，發(fā)生磁場或者電磁波的任何一種或者兩者，將發(fā)生的磁場或者電磁波中的任何一個單獨(dú)地施加給數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，或者將兩者同時地施加給數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，進(jìn)行記錄在該介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的消除處理或者破壞處理。2.一種數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，其特征在于，包括勵磁線圈；輻射電磁波的磁控管；和收容數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的收容部，其中，所述收容部由屏蔽所述電磁波的非磁性體制成，在所述收容部的外周部卷裝所述勵磁線圈，能夠在該收容部的內(nèi)部感應(yīng)磁場，同時，在所述收容部的壁部設(shè)置所述磁控管，能夠向該收容部的內(nèi)部輻射電磁波。3.一種數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，其特征在于，包括輻射電磁波的磁控管；和收容數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的收容部，其中，所述收容部由屏蔽所述電磁波的非磁性體或者磁性體制成，在所述收容部的壁部設(shè)置所述磁控管，能夠向該收容部的內(nèi)部輻射電磁波。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，其特征在于設(shè)置吸附部件，吸附由于所述電磁波的照射從所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)發(fā)生的氣體，或者，排氣部件，將從所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)發(fā)生的氣體向收容部外部排出。5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，其特征在于所述收容部具有進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的收納和取出的由磁性體制成的門。6.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，其特征在于貫通所述收容部設(shè)置搬送所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的傳送器，在該傳送器貫通所述收容部的部位，自由開閉地設(shè)置由磁性體制成的門。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，其特征在于所述傳送器能夠以規(guī)定速度連續(xù)搬送所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，一邊以規(guī)定速度連續(xù)搬送載置的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，一邊連續(xù)地進(jìn)行記錄在該介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的消除處理或者破壞處理。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，其特征在于所述傳送器能夠斷續(xù)搬送所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，一邊斷續(xù)搬送載置的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，一邊以成批方式進(jìn)行記錄在該介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的消除處理或者破壞處理。9.根據(jù)權(quán)利要求2至8中任一項(xiàng)所述的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，其特征在于所述收容部的外側(cè)一部分或者全部利用由磁性體制成的殼體所覆蓋。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，其特征在于在所述殼體的內(nèi)面的一部分或者全部設(shè)置電磁波吸收材料。11.根據(jù)權(quán)利要求2至10中任一項(xiàng)所述的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，其特征在于從所述磁控管輻射的電磁波是300兆赫以上300千兆赫以下的屬于微波頻帶的頻率的電磁波。12.根據(jù)權(quán)利要求2至11中任一項(xiàng)所述的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，其特征在于從所述磁控管輻射的電磁波，是頻率大致為2.45千兆赫或者大致為4.3千兆赫的微波。13.根據(jù)權(quán)利要求2或者4至12中任一項(xiàng)所述的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，其特征在于在所述勵磁線圈中通電隨著時間推移波峰值降低的衰減交變電壓，在所述收容部的內(nèi)部，感應(yīng)隨著時間的推移其磁通密度的最大值降低的衰減交變磁場。14.根據(jù)權(quán)利要求2至13中任一項(xiàng)所述的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，其特征在于所述收容部能夠收容內(nèi)置存儲器部件的電子器件，能夠向收容的電子器件輻射電磁波，從而破壞存儲在存儲器部件中的數(shù)據(jù)。15.一種電子器件廢棄處理方法，其特征在于發(fā)生電磁波，并向電子器件照射發(fā)生的電磁波，至少機(jī)械地破壞內(nèi)置在所述電子器件中的存儲器部件，以阻止讀出存儲在該存儲器部件中的數(shù)據(jù)。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子器件廢棄處理方法，其特征在于所述電子器件能夠安裝內(nèi)置存儲器部件的其它電子器件，通過向所述電子器件照射電磁波，機(jī)械破壞安裝在該電子器件中的其它電子器件的至少存儲器部件，來阻止讀出存儲的數(shù)據(jù)。17.一種電子器件廢棄處理裝置，其特征在于，包括磁控管，以規(guī)定強(qiáng)度輻射規(guī)定頻率的電磁波；和收容部，收容電子器件，由磁性體制成，其中，所述磁控管安裝在所述收容部上，能夠向該收容部內(nèi)部輻射電磁波。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電子器件廢棄處理裝置，其特征在于設(shè)置吸附部件，吸附由于所述電磁波的照射從所述電子器件發(fā)生的氣體，或者排氣部件，向收容部外部排出從所述電子器件發(fā)生的氣體。19.根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的電子器件廢棄處理裝置，其特征在于所述收容部具有進(jìn)行所述電子器件的收納和取出的由磁性體制成的門。20.根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的電子器件廢棄處理裝置，其特征在于具有傳送器，向所述收容部內(nèi)部搬入所述電子器件的同時，從該收容部內(nèi)部向外部搬出電子器件，在所述電子器件向收容部搬入的搬入部位和所述電子器件從收容部搬出的搬出部位，自由開閉地設(shè)置由磁性體制成的門。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電子器件廢棄處理裝置，其特征在于所述傳送器能夠以規(guī)定速度連續(xù)搬送載置的所述電子器件，一邊以規(guī)定速度連續(xù)搬送所述電子器件，一邊連續(xù)地進(jìn)行該電子器件的破壞處理。22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電子器件廢棄處理裝置，其特征在于，所述傳送器能夠斷續(xù)搬送載置的所述電子器件，一邊斷續(xù)搬送所述電子器件，一邊以成批方式來進(jìn)行該電子器件的破壞處理。23.根據(jù)權(quán)利要求17至22中任一項(xiàng)所述的電子器件廢棄處理裝置，其特征在于具有所述磁控管的所述收容部外側(cè)的一部分或者全部利用由磁性體制成的外裝殼體而覆蓋。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的電子器件廢棄處理裝置，其特征在于在所述外裝殼體的內(nèi)面的一部分或者全部，設(shè)置電磁波吸收材料。25.根據(jù)權(quán)利要求17至24中任一項(xiàng)所述的電子器件廢棄處理裝置，其特征在于從所述磁控管輻射的電磁波是300兆赫以上300千兆赫以下的屬于微波頻帶的頻率之電磁波。26.一種數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，其特征在于，包括收容部，破壞處理數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)；搬送部件，向所述收容部內(nèi)部搬入所述電子器件的同時，從該收容部內(nèi)部向外部搬出電子器件；和供給部件，供給所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)。27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，其特征在于所述搬送部件是傳送器，該傳送器貫通所述收容部設(shè)置，在該傳送器貫通所述收容部的部位，自由開閉地設(shè)置由磁性體制成的門。28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，其特征在于所述搬送部件是傳送器，該傳送器貫通所述收容部設(shè)置，所述傳送器能夠以規(guī)定速度連續(xù)搬送所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，一邊以規(guī)定速度連續(xù)搬送載置的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，一邊連續(xù)地進(jìn)行記錄在該介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的消除處理或者破壞處理。29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，其特征在于所述搬送部件是傳送器，該傳送器貫通所述收容部設(shè)置，所述傳送器能夠斷續(xù)搬送所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，一邊斷續(xù)搬送載置的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)，一邊以成批方式進(jìn)行記錄在該介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的消除處理或者破壞處理。30.一種數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置，其特征在于，包括磁控管，輻射300兆赫以上300千兆赫以下的屬于微波頻帶的頻率之電磁波；勵磁線圈，發(fā)生磁場；收容部，收容數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)；和排氣部件，其中，所述收容部由能夠屏蔽所述電磁波的非磁性體制成，此外所述收容部還具有進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)的收納和取出的由磁性體制成的門，在所述收容部的外周部卷裝所述勵磁線圈，能夠向所述勵磁線圈通電隨著時間推移波峰值降低的衰減交變電壓，能夠在所述收容部內(nèi)部感應(yīng)隨著時間推移磁通密度的最大值降低的衰減交變磁場，在所述收容部的壁部設(shè)置所述磁控管，能夠向該收容部內(nèi)部輻射電磁波，能夠利用所述排氣部件，將從所述數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)發(fā)生的氣體向收容部外部排出。全文摘要本發(fā)明提供一種很容易進(jìn)行記錄在磁記錄介質(zhì)上的磁數(shù)據(jù)的消除處理或者記錄在光記錄介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的破壞處理的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理方法和裝置。此外，還提供一種進(jìn)行電子器件的破壞處理的電子器件廢棄處理方法和裝置。本發(fā)明的數(shù)據(jù)記錄介質(zhì)處理裝置(1)，包括發(fā)生規(guī)定強(qiáng)度磁場的勵磁線圈(23)；以規(guī)定強(qiáng)度輻射規(guī)定頻率電磁波的磁控管(31)；和收容磁記錄介質(zhì)或者光記錄介質(zhì)的收容部(60)，其中，收容部(60)由屏蔽電磁波的非磁性體制成，在收容部(60)的外周部卷裝勵磁線圈(23)，能夠在內(nèi)部感應(yīng)磁場，同時，在收容部(60)的壁部設(shè)置磁控管(31)，能夠向內(nèi)部輻射電磁波。文檔編號G11B7/00GK1890715SQ20048003671公開日2007年1月3日申請日期2004年12月10日優(yōu)先權(quán)日2003年12月11日發(fā)明者伊藤智章申請人:東洋測器電腦株式會社