專利名稱：磁記錄再現(xiàn)裝置及磁記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種通過加熱和施加磁場(chǎng)來記錄磁數(shù)據(jù)，磁性的再現(xiàn)磁數(shù)據(jù)的磁記錄再現(xiàn)裝置以及磁記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
一直以來，硬盤等磁記錄介質(zhì)希望通過構(gòu)成磁記錄層的磁性粒子的微細(xì)化、材料的變更、磁頭加工的細(xì)化等的改進(jìn)而顯著的提高面記錄密度，以后也仍然期待著進(jìn)一步地提高面記錄密度。
另一方面，由于伴隨著面記錄密度的提高容易產(chǎn)生熱搖擺，所以最好使用矯頑磁力大的強(qiáng)磁性各向異性材料作為磁記錄層的材料，但是在使用強(qiáng)磁性各向異性材料的的情況下，對(duì)于以往的磁頭的性能，施加比矯頑磁力大的磁場(chǎng)是有困難的。即，磁數(shù)據(jù)的記錄·刪除是困難的。
對(duì)此，通過將電子束照射到磁記錄層而進(jìn)行加熱，從而降低矯頑磁力并進(jìn)行磁數(shù)據(jù)的記錄·再現(xiàn)的磁記錄再現(xiàn)裝置是公知的(例如參見日本專利特開2001-250201號(hào)公報(bào))。
但是，磁記錄層不僅是被電子束照射的部位被加熱，由于導(dǎo)熱其周邊的部位也被加熱，另外，由于被加熱部分的溫度分布和磁頭的磁場(chǎng)分布不是均一的，只可靠地磁化磁記錄層所希望的部位是困難的，僅此就存在數(shù)據(jù)的記錄·再現(xiàn)精度低的問題。
另外，如果確保使記錄數(shù)據(jù)的最小區(qū)域充分?jǐn)U大，雖然記錄·再現(xiàn)精度提高，但是面記錄密度就會(huì)降低。
本發(fā)明就是鑒于以上問題提出的，其目的在于提供一種面記錄密度高，且記錄·再現(xiàn)精度良好的磁記錄再現(xiàn)裝置以及磁記錄介質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明通過以規(guī)定的磁道寬度的凸部形成磁道，從而以凹凸圖案形成磁記錄層，通過將加熱磁頭和記錄磁頭在磁記錄介質(zhì)上生成的有效記錄區(qū)域的所述磁道寬度方向的有效記錄寬度，限制在磁道寬度或以上、并且在該磁道寬度與磁道之間的凹部寬度的二倍的值的合計(jì)值或以下的范圍，從而直到記錄對(duì)象的磁道的端部都能夠可靠地記錄磁數(shù)據(jù)，并且防止向鄰近的其它磁道錯(cuò)誤的記錄磁數(shù)據(jù)。
即，通過下述那樣的本發(fā)明，可以獲得上述課題的解決。
(1)一種磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于包括磁記錄介質(zhì)、用于加熱該磁記錄介質(zhì)并部分地降低上述磁道的矯頑磁力的加熱磁頭、用于將記錄磁場(chǎng)施加給上述磁記錄介質(zhì)的被加熱部分的記錄磁頭、以及用于檢測(cè)上述磁道的再現(xiàn)磁場(chǎng)的再現(xiàn)磁頭，其中該磁記錄介質(zhì)的磁記錄層，由凹凸圖案形成且用于記錄磁數(shù)據(jù)的磁道由預(yù)定磁道寬度的凸部形成，且該磁道在上述磁道寬度方向上以預(yù)定的磁道節(jié)距多個(gè)并列設(shè)置，把上述加熱磁頭以及上述磁頭在上述磁記錄介質(zhì)上生成的有效記錄區(qū)域的上述磁道寬度方向的有效記錄寬度，限制在上述磁道寬度或以上、且在該磁道寬度和上述磁道之間的凹部的寬度的二倍的值合計(jì)值或以下。
(2)根據(jù)上述(1)的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，所述有效記錄寬度限制在二倍的所述有效記錄區(qū)域與上述磁道的記錄時(shí)的偏移量的值，加上所述磁道寬度的合計(jì)值或以上，并且在從所述磁道寬度和二倍的所述凹部寬度的合計(jì)值減去二倍的上述記錄時(shí)的偏移量的值所得到的值或以下。
(3)根據(jù)上述(1)或(2)的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，上述磁道之間的凹部由比上述磁記錄層的熱傳導(dǎo)率低的非磁性材料填充。
(4)根據(jù)上述(3)的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，上述非磁性材料是以SiO2、Ti、Al2O3、MgO、TiO2、ZrO2中的任意之一作為主要成分的材料。
(5)根據(jù)上述(1)到(4)中的任一磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，上述磁記錄層的磁道的至少的一個(gè)面上形成比該磁記錄層的熱傳導(dǎo)率高的熱傳導(dǎo)層。
(6)根據(jù)上述(1)到(5)中的任一磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，由上述磁記錄介質(zhì)在上述再現(xiàn)磁頭上生成的有效再現(xiàn)區(qū)域的上述磁道寬度方向的有效再現(xiàn)寬度限制在上述磁道寬度或以上、且在該磁道寬度和二倍的上述凹部的寬度的值的合計(jì)值或以下。
(7)根據(jù)上述(6)的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，上述有效再現(xiàn)寬度，限制在上述有效再現(xiàn)區(qū)域與上述磁道的再現(xiàn)時(shí)的偏移量的二倍的值，加上所述的磁道寬度的合計(jì)值或以上，且在從上述磁道寬度和二倍的上述凹部的寬度的合計(jì)值中，減去二倍的上述再現(xiàn)時(shí)的偏移量的值所得到的值或以下。
(8)一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，磁記錄層由凹凸圖案形成，該凹凸圖案的凹部由比上述磁記錄層的熱傳導(dǎo)率低的非磁性材料填充。
(9)根據(jù)上述(8)的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述非磁性材料是以SiO2、Ti、Al2O3、MgO、TiO2、ZrO2中的任意之一作為主要成分的材料。
(10)根據(jù)上述(8)或(9)的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述磁記錄層的磁道的至少一個(gè)面上，形成比該磁記錄層的熱傳導(dǎo)率高的熱傳導(dǎo)層。
另外，在本申請(qǐng)中“磁記錄層由凹凸圖案形成”的意思是指除了包含磁記錄層分割成多個(gè)記錄要素的情況之外，還包括部分地分割成一部分連續(xù)的情況、基板上的一部分連續(xù)地形成螺旋狀的螺旋形記錄層的情況、以及在連續(xù)的磁記錄層上形成凹部和凸部兩者的情況。
另外，本申請(qǐng)中的術(shù)語“磁記錄介質(zhì)”意思是除了包含硬盤以外，還包括軟磁盤(注冊(cè)商標(biāo))等其它磁記錄介質(zhì)。
另外，本申請(qǐng)中，術(shù)語“有效記錄區(qū)域”意思是假定在整個(gè)表面均一地形成磁記錄層的情況下，由加熱磁頭和上述記錄磁頭在磁記錄介質(zhì)上寫出的區(qū)域，且記錄磁場(chǎng)比磁記錄層的矯頑磁力大、可以記錄·刪除磁數(shù)據(jù)的區(qū)域。
另外，在本申請(qǐng)中，術(shù)語“記錄時(shí)的偏移量”意思是有效記錄區(qū)域的磁道寬度中心與作為記錄對(duì)象的磁道的寬度方向的中心，在磁道寬度方向上的偏移量。
另外，在本申請(qǐng)中，術(shù)語“有效再現(xiàn)區(qū)域”意思是由磁記錄介質(zhì)在再現(xiàn)磁頭上生成的、比再現(xiàn)磁頭可以檢測(cè)的磁場(chǎng)大小的下限值大的再現(xiàn)磁場(chǎng)、且是再現(xiàn)磁頭可以檢測(cè)的再現(xiàn)磁場(chǎng)的區(qū)域。
另外，在本申請(qǐng)中，術(shù)語“再現(xiàn)時(shí)的偏移量”意思是再現(xiàn)磁頭中有效再現(xiàn)區(qū)域的磁道的寬度方向的中心，與作為再現(xiàn)對(duì)象的磁道的寬度方向的中心，在該磁道寬度方向上的偏移量。
本發(fā)明因?yàn)橛赏共啃纬纱诺?，且使有效記錄寬度在磁道寬度或以上，所以一直到磁道寬度方向的端部都可以可靠地磁化磁道，可以記錄或刪除磁數(shù)據(jù)。另外，由于以凸部形成磁道，相比較于只在連續(xù)記錄層上由熱或磁場(chǎng)形成的磁道，可以抑制在磁道(磁道寬度方向)的端部附近中的錯(cuò)誤記錄等。
另外，由于將有效記錄寬度限制在磁道寬度和二倍的凹部寬度的合計(jì)值或以下，所以可以防止向相鄰的其它磁道錯(cuò)誤地記錄磁數(shù)據(jù)。
另外，即使磁道寬度細(xì)小，但是由于有效記錄寬度限制在磁道寬度或以上且在磁道寬度和二倍的凹部寬度的合計(jì)值或以下，因而可以容易地實(shí)現(xiàn)磁道的被加熱部分的溫度，記錄磁場(chǎng)的分布的容許值只在該范圍內(nèi)擴(kuò)大。
即，可以可靠地在微小的區(qū)域內(nèi)記錄、再現(xiàn)磁數(shù)據(jù)，且實(shí)現(xiàn)面記錄密度的提高以及記錄·再現(xiàn)精度的提高。
另外，通過由凸部形成磁道，可以抑制干涉條紋(サイドフリンジ/sidefringe)、交調(diào)失真(クロスト一ク/cross talk)，就這一點(diǎn)也能使面記錄密度提高。


圖1是示意地表示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的磁記錄再現(xiàn)裝置的簡要結(jié)構(gòu)的側(cè)面剖視圖。
圖2是沿圖1中II-II線的側(cè)面剖視圖。
圖3是放大地表示同樣的磁記錄再現(xiàn)裝置的磁記錄介質(zhì)的磁記錄層的俯視圖。
圖4是示意地表示同樣的磁記錄再現(xiàn)介質(zhì)中記錄磁場(chǎng)、矯頑磁力、溫度分布的曲線。
圖5是示意地表示同樣的磁記錄介質(zhì)中再現(xiàn)磁場(chǎng)分布的曲線。
圖6是表示同樣的磁記錄再現(xiàn)裝置的記錄偏移磁道量、再現(xiàn)偏移磁道量的俯視圖。
圖7是表示同樣的磁記錄再現(xiàn)裝置的磁記錄介質(zhì)的其它結(jié)構(gòu)的例子的側(cè)面剖視圖。
圖8是表示同樣的磁記錄再現(xiàn)裝置的磁記錄介質(zhì)的其它結(jié)構(gòu)的例子的側(cè)面剖視圖。
圖9是表示同樣的磁記錄再現(xiàn)裝置的磁記錄介質(zhì)的其它結(jié)構(gòu)的例子的側(cè)面剖視圖。
圖10是表示同樣的磁記錄再現(xiàn)裝置的磁記錄介質(zhì)的其它結(jié)構(gòu)的例子的側(cè)面剖視圖。
圖11是示意地表示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的磁記錄再現(xiàn)裝置的簡要結(jié)構(gòu)的側(cè)面剖視圖。
圖12是沿圖11中XII-XII線的側(cè)面剖視圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。
如圖1～圖4所示，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的磁記錄再現(xiàn)裝置10，其特征在于包括磁記錄介質(zhì)16，用于加熱磁記錄介質(zhì)并部分地降低磁道14的矯頑磁力的加熱磁頭18，將記錄磁場(chǎng)施加到磁記錄介質(zhì)16的被加熱部分的記錄磁頭20，以及用于檢測(cè)磁道14的再現(xiàn)磁場(chǎng)的再現(xiàn)磁頭21，其中該記錄介質(zhì)16的磁記錄層12由凹凸圖案形成，用于記錄磁數(shù)據(jù)的磁道14由預(yù)定的磁道寬度Tw的凸部形成，并且磁道14在磁道寬度Tw的方向上以預(yù)定的磁道間隔Tp多個(gè)并列設(shè)置，將由加熱磁頭18和記錄磁頭20在記錄介質(zhì)16上寫出的有效記錄區(qū)域A3的有效記錄寬度Er限制在磁道寬度Tw或以上而且在磁道的寬度與磁道之間的凹部的寬度Gw的2倍的值的合計(jì)值Tw+2Gw或以下。對(duì)于其它的結(jié)構(gòu)由于與以往的磁記錄再現(xiàn)裝置相同，所以適當(dāng)?shù)厥÷粤藢?duì)其的說明。
由于磁記錄介質(zhì)16是略呈圓板狀體的垂直記錄型離散磁軌道介質(zhì)，磁記錄層12在數(shù)據(jù)區(qū)域中以徑向方向上微小間隔的同心圓狀形成磁道14，而對(duì)于伺服區(qū)域，形成預(yù)定的伺服信息等的圖案的凸起形狀的記錄元素(圖中省略)。磁記錄層12是材料為CoCrPt(鈷-鉻-鉑)的合金。
另外，磁道14之間的凹部22由比磁記錄層12的熱傳導(dǎo)率低的非磁性材料24填充。作為非磁性材料24，具體的說可以使用以SiO2(二氧化硅)、Ti(鈦)、Al2O3(氧化鋁)，MgO(氧化鎂)，TiO2(二氧化鈦)、ZrO2(氧化鋯)為主要成分的材料等。
另外，在磁記錄層12的磁道14的上表面形成比磁記錄層12的熱傳導(dǎo)率高的熱傳導(dǎo)層28。熱傳導(dǎo)層28例如由Al(鋁)材料，與磁道14同樣的分隔后形成，在這種熱傳導(dǎo)層28之間也填充非磁性材料24。另外，雖然在熱傳導(dǎo)層28以及非磁性材料24上實(shí)際上以保護(hù)層、潤滑層這樣的順序形成，但是這些層對(duì)于本發(fā)明的理解不是必要的，在這里省略圖示及說明。
另外，雖然在磁記錄層12和玻璃基板30之間形成定向?qū)?6、軟磁性層32、底層34，但是這些層對(duì)于本發(fā)明的理解不是必要的，在這里省略圖示及說明。
加熱磁頭18的構(gòu)成是這樣的，其具有激光光源18A和物鏡18B，在鄰近磁記錄介質(zhì)16的上面設(shè)置，通過照射激光來加熱磁記錄介質(zhì)16。
記錄磁頭20也在鄰近磁記錄介質(zhì)16的上面設(shè)置，且設(shè)置在相對(duì)于加熱磁頭18的磁記錄介質(zhì)16的送出方向(圖2中用箭頭表示的方向)側(cè)的附近。記錄磁頭20以能夠?qū)⑾鄬?duì)于磁記錄介質(zhì)16的表面的垂直方向的記錄磁場(chǎng)施加給磁道14的方式來構(gòu)成。
再現(xiàn)磁頭21也鄰近磁記錄介質(zhì)16的上表面，且在相對(duì)于記錄磁頭20的記錄介質(zhì)16的送出方向(圖2中由箭頭表示的方向)側(cè)的附近設(shè)置。
有效記錄區(qū)域A3，具體的說，假定在整個(gè)表面均一地形成(在凹部22中也形成磁記錄層12)磁記錄層12的情況下，如圖4所示的那樣，由加熱磁頭18和記錄磁頭20在磁記錄介質(zhì)16上寫出的、記錄磁場(chǎng)Hr比磁記錄層12的矯頑磁力Hc大且可記錄·擦除磁數(shù)據(jù)的區(qū)域。
有效記錄寬度Erw是有效記錄區(qū)域A3的磁道寬度Tw方向的寬度。另外，在圖4中表示磁道的矯頑磁力Hc的曲線中，雙點(diǎn)劃線部分表示假定磁記錄層12是在整個(gè)表面均一地形成的情況下，矯頑磁力的分布。
另外，再現(xiàn)磁頭21的有效再現(xiàn)寬度Epw也限制在磁道寬度Tw或以上且在磁道寬度Tw和2倍的凹部寬度Gw值的合計(jì)值Tw+2Gw或以下的范圍內(nèi)。如圖5所示，有效再現(xiàn)寬度Epw是由磁記錄介質(zhì)16在再現(xiàn)磁頭21上生成的、再現(xiàn)磁場(chǎng)Hp比再現(xiàn)磁頭21可能檢測(cè)的磁場(chǎng)大小的下限值大、再現(xiàn)磁頭21可以檢測(cè)的再現(xiàn)磁場(chǎng)Hp區(qū)域在磁道寬度Tw方向上的寬度。
接下來，說明磁記錄再現(xiàn)裝置10的作用。
首先說明記錄磁數(shù)據(jù)情況的作用。在圖2所示的箭頭方向?qū)Υ庞涗浗橘|(zhì)16進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，如果加熱磁頭18對(duì)磁道14的記錄對(duì)象部分照射激光，在磁記錄介質(zhì)16中，圖3中的符號(hào)A1表示的區(qū)域被加熱而升溫，形成圖4中符號(hào)t表示的溫度分布。為此，在區(qū)域A1內(nèi)磁道14的矯頑磁力降低，矯頑磁力形成如圖4中符號(hào)Hc表示的分布。另外，由于在磁道14的上表面形成熱傳導(dǎo)層28，促進(jìn)傳熱，可以效果良好的加熱。另一方面，由于在磁道14之間以及熱傳導(dǎo)層28之間填充了比磁記錄層12的熱傳導(dǎo)率低的非磁性材料24，所以向記錄對(duì)象的磁道14相鄰的另外的磁道14的傳熱受到抑制。
對(duì)于該磁道14的被加熱部分，當(dāng)記錄磁頭20施加記錄磁場(chǎng)時(shí)，記錄磁場(chǎng)被施加在磁記錄介質(zhì)16中如圖3所示的區(qū)域A2，記錄磁場(chǎng)在區(qū)域A2內(nèi)形成如圖4中的符號(hào)Hr所表示的分布。雖然磁數(shù)據(jù)被記錄在記錄磁頭20的記錄磁場(chǎng)Hr中的磁道14的矯頑磁力Hc以上的有效記錄區(qū)域A3內(nèi)，但是由于有效記錄區(qū)域A3的有效記錄寬度Erw為磁道寬度Tw或以上，實(shí)際上，直到磁道寬度Tw方向的端部為止，磁道14都可以被磁化或磁極反轉(zhuǎn)，來記錄磁數(shù)據(jù)。
另外，由于有效記錄寬度Erw在磁道寬度Tw和2倍的凹部寬度Gw的合計(jì)值Tw+2Gw或以下，所以不會(huì)在記錄對(duì)象的磁道的相鄰的其它的磁道14錯(cuò)誤地記錄磁數(shù)據(jù)。
接下來，針對(duì)再現(xiàn)磁數(shù)據(jù)情況下的作用進(jìn)行說明。在圖2所示的箭頭方向驅(qū)動(dòng)磁記錄介質(zhì)16，再現(xiàn)磁頭21獲得磁道14的再現(xiàn)磁場(chǎng)的信息。具體的說，如圖5所示，再現(xiàn)磁頭21在再現(xiàn)磁場(chǎng)Hp大于可以檢測(cè)的再現(xiàn)磁場(chǎng)的下限值Hmin的有效再現(xiàn)區(qū)域接收磁數(shù)據(jù)。由于該有效再現(xiàn)區(qū)域的有效再現(xiàn)寬度Epw在磁道寬度Tw或以上，所以幾乎可以完全接收乃至磁道寬度方向的端部的記錄在磁道14上的磁數(shù)據(jù)，因而感知度良好。另外，由于有效再現(xiàn)寬度Epw在磁道寬度Tw與2倍的凹部寬度Gw的合計(jì)值Tw+2Gw或以下，所以不會(huì)接收記錄在記錄對(duì)象的磁道14的相鄰的其它的磁道14上的磁數(shù)據(jù)的再現(xiàn)磁場(chǎng)。
即，磁記錄再現(xiàn)裝置10可以限定在磁道14中記錄對(duì)象部分而可靠地記錄磁數(shù)據(jù)，另外，能夠可靠地再現(xiàn)磁數(shù)據(jù)。換句話說，即使磁數(shù)據(jù)的記錄對(duì)象區(qū)域是微小的也可以可靠地記錄、再現(xiàn)磁數(shù)據(jù)，可以實(shí)現(xiàn)高的面記錄密度和良好的記錄·再現(xiàn)精度兩者兼顧。
另外，即使磁道寬度Tw是微小的，由于有效記錄寬度Erw在磁道寬度Tw以上且在磁道寬度Tw與2倍的凹部寬度Gw的合計(jì)值T+2Gw以下的范圍，磁道14的被加熱部分的溫度、記錄磁場(chǎng)的分布的容許值只在該范圍內(nèi)擴(kuò)展，容易實(shí)現(xiàn)。
另外，由于磁道14由凸部形成、分隔，所以可以抑制向記錄對(duì)象的磁道14的相鄰的其它磁道14的記錄和交調(diào)失真，這一點(diǎn)有助于面記錄密度的提高。
另外，在該第一實(shí)施方式中，雖然有效記錄寬度Erw限制在磁道寬度Tw或以上且在磁道寬度Tw和2倍的磁道14間的凹部寬度Gw的合計(jì)值Tw+2Gw或以下的范圍，但是如圖6所示，在有效記錄區(qū)域A3和磁道14的記錄時(shí)的偏移量為Otwr的情況下，比較好的，是將有效記錄寬度Erw限制在2倍的記錄時(shí)的偏移量Otwr的值與磁道寬度Tw的合計(jì)值2Otwr+Tw或以上、且在從磁道寬度Tw與2倍的凹部寬度Gw的合計(jì)值減去2倍的記錄時(shí)的偏移量Otwr所得到的值Tw+2Gw-2Otwr或以下的范圍。另外，記錄時(shí)的偏移量是有效記錄區(qū)域A3的磁道方向的中心與記錄對(duì)象磁道14的寬度方向的中心在磁道寬度方向上的偏移量。由此，即使加熱磁頭18和/或記錄磁頭20與記錄對(duì)象的磁道14，在磁道寬度Tw方向上有Otwr的偏移，也能可靠地記錄磁數(shù)據(jù)。
同樣，如圖6所示，在再現(xiàn)磁頭21中有效再現(xiàn)區(qū)域與磁道14的再現(xiàn)時(shí)的偏移量為Otwp的情況下，比較好的是將有效再現(xiàn)寬度Epw限制在Tw+2Otwp或以上且在Tw+2Gw-2Otwp或以下的范圍。另外再現(xiàn)時(shí)的偏移量，是再現(xiàn)磁頭21的有效再現(xiàn)區(qū)域的磁道寬度方向上的中心與再現(xiàn)對(duì)象即磁道14的寬度方向上的中心，在磁道寬度方向的偏移量。由此，即使再現(xiàn)磁頭21與再現(xiàn)對(duì)象即磁道14在磁道寬度方向上有Otwp的偏移，也能可靠地再現(xiàn)磁數(shù)據(jù)。
另外，在該第一實(shí)施方式中，雖然在磁道14的上表面形成熱傳導(dǎo)層28，但是本發(fā)明并不局限于此，如圖7所示的磁記錄介質(zhì)40那樣，在磁道14的下表面形成熱傳導(dǎo)層28的情況，也可以獲得抑制被加熱部的溫度分布的分散。另外，如果如圖8所示的磁記錄介質(zhì)42那樣，在磁道14的兩個(gè)表面形成熱傳導(dǎo)層28，更能進(jìn)一步地抑制被加熱部的溫度分布的分散。另一方面，在加熱磁頭18產(chǎn)生的被加熱部的溫度分布的不規(guī)則度小的情況下，也可以省略熱傳導(dǎo)層。
另外，在該第一實(shí)施方式中，作為非磁性材料24，雖然例示出了以SiO2、Ti、Al2O3、MgO、TiO2、ZrO2為主要成分的材料，只要是比磁記錄層12的熱傳導(dǎo)率低的非磁性材料就可以，非磁性材料24的材料沒有特別的限定。
另外，在該第一實(shí)施方式中，通過用非磁性材料24填充凹部22，抑制表面的凹凸且使磁頭上浮高度穩(wěn)定，同時(shí)抑制向記錄對(duì)象的磁道的相鄰的其它磁道傳熱，但是本發(fā)明并不局限于此，在不用非磁性材料24填充凹部22也能得到足夠穩(wěn)定的磁頭上浮高度的情況下，如圖9所示的磁記錄介質(zhì)44那樣，凹部22作為空隙部也是可以的。這樣，可以進(jìn)一步抑制向記錄對(duì)象磁道的相鄰的其它磁道傳熱。
另外，在該第一實(shí)施方式中，雖然磁記錄介質(zhì)16直到磁記錄層12的下表面都形成凹部22，但是如圖10所示的磁記錄介質(zhì)46那樣，也可以一直到達(dá)磁記錄層12的下面的層(具體的是定向?qū)?6，或進(jìn)一步的軟磁性層32的一部分)形成凹部22，用比磁記錄層的熱傳導(dǎo)率低的非磁性材料24填充可以進(jìn)一步提高隔熱效果。另外，在得到足夠穩(wěn)定的磁頭上浮高度的情況下，一直到達(dá)磁記錄層12的下面的層形成凹部22，如果凹部22是空隙部，可以進(jìn)一步提高隔熱效果。
另外，在該第一實(shí)施方式中，雖然加熱磁頭18是通過照射激光而部分地加熱磁記錄介質(zhì)16的方式來構(gòu)成，但是本發(fā)明并不局限于此，如果能夠部分地加熱磁記錄介質(zhì)16，例如，也可以采用使用電子束照射等其它方法的加熱磁頭。
另外，在該第一實(shí)施方式中，雖然在磁記錄層12下面形成定向?qū)?6、軟磁性層32、底層34，但是本發(fā)明并不局限于此，磁記錄層12的下面的層的構(gòu)成，可以根據(jù)磁記錄再現(xiàn)裝置的種類進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖兏?。例如，可以省略底?4、軟磁性層32、定向?qū)?6中的一層或兩層。另外，各個(gè)層也可以由多層構(gòu)成。除此以外，也可以在玻璃基板30上直接形成磁記錄層12。
另外，在該第一實(shí)施方式中，雖然磁記錄介質(zhì)16是在玻璃基板30的一個(gè)面上形成磁記錄層12的單面記錄方式，但是本發(fā)明并不局限與此，在玻璃基板的兩面形成磁記錄層的兩面記錄式的磁記錄介質(zhì)也可以適用于本發(fā)明。此種情況下，加熱磁頭、記錄磁頭以及再現(xiàn)磁頭可以設(shè)置在磁記錄介質(zhì)的兩側(cè)。
另外，在該第一實(shí)施方式中，雖然磁記錄介質(zhì)16是垂直記錄式的，但是本發(fā)明并不局限于此，面內(nèi)記錄式的磁記錄介質(zhì)也可以適用于本發(fā)明。另外，此種情況下，不必在磁記錄層的下面形成軟磁性層。
接下來說明本發(fā)明的第二實(shí)施方式。如圖11和圖12所示，根據(jù)該第二實(shí)施方式的磁記錄再現(xiàn)裝置50，是在磁記錄介質(zhì)52的一側(cè)配置記錄磁頭20和再現(xiàn)磁頭21，在另一側(cè)配置加熱磁頭18，中間經(jīng)過玻璃基板30，照射激光，從而加熱磁記錄層12。另外，磁記錄介質(zhì)52在磁記錄層12的下面不形成軟磁性層。另外，雖然沒有在磁道14上形成熱傳導(dǎo)層，通過在磁道14的下面，用比磁道14的熱傳導(dǎo)率高的材料構(gòu)成的定向?qū)蛹孀鳠醾鲗?dǎo)層54，以與磁道14同樣的分割形式來形成。對(duì)于其它的結(jié)構(gòu)，由于與上述第一實(shí)施方式的磁記錄再現(xiàn)裝置10相同，所以使用與圖1～圖5相同的符號(hào)并省略對(duì)其的說明。
記錄磁頭20和加熱磁頭18以能夠在磁記錄介質(zhì)52的公共記錄對(duì)象部分同時(shí)施加記錄磁場(chǎng)、照射激光的方式來配置。由此，可以進(jìn)一步提高磁數(shù)據(jù)的記錄精度。另外，如果能夠得到足夠的記錄精度，與上述第一實(shí)施方式的磁記錄再現(xiàn)裝置10相同，也可以通過使記錄磁場(chǎng)的施加部位與激光的照射部位稍微錯(cuò)開而配置記錄磁頭21和加熱磁頭18。
另外，在該第二實(shí)施方式中，雖然磁記錄介質(zhì)52具備有玻璃基板30，而使用具有透光性的非磁性材料的其它材料作為基板材料也可以。
另外，在該第二實(shí)施方式中，雖然在磁道14的下表面形成熱傳導(dǎo)層54，但是本發(fā)明并不局限與此，在磁道14的上表面形成熱傳導(dǎo)層也可以。另外，在磁道14的兩個(gè)表面形成熱傳導(dǎo)層可以進(jìn)一步抑制被加熱部的溫度分布的散亂性。
另外，在上述的第一和第二實(shí)施方式中，雖然磁記錄層12的材料是CoCrPt合金，但是本發(fā)明并不局限于此，例如由含有鐵族元素(Co、Fe(鐵)、Ni)的其它合金，這些材料的層疊體等的其它材料，特別是CoPt和FePt系的規(guī)則合金，和Co/Pd、Co/Pt多層膜等的高磁性各向異性材料的記錄元素構(gòu)成的磁記錄介質(zhì)也可以適用于本發(fā)明。
另外，在上述第一及第二實(shí)施方式中，雖然磁記錄介質(zhì)16、磁記錄介質(zhì)40、磁記錄介質(zhì)42、磁記錄介質(zhì)44、磁記錄介質(zhì)46、磁記錄介質(zhì)52是在數(shù)據(jù)區(qū)域中磁道14沿徑向方向并列設(shè)置的離散磁道介質(zhì)，但是本發(fā)明并不局限于此，包括以下這些磁記錄介質(zhì)的磁記錄再現(xiàn)裝置當(dāng)然也可以適用于本發(fā)明，如磁道在徑向方向以及圓周方向的兩個(gè)方向以微小間隔并列設(shè)置的晶格介質(zhì)、在凹凸圖案的凹部中具有連續(xù)磁記錄層的掌上型磁記錄介質(zhì)、磁道形成螺旋狀的磁記錄介質(zhì)。
本發(fā)明是可以利用于通過加熱和施加磁場(chǎng)而記錄磁數(shù)據(jù)，并磁性地再現(xiàn)磁數(shù)據(jù)的磁記錄再現(xiàn)裝置。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于包括磁記錄介質(zhì)，該磁記錄介質(zhì)的磁記錄層由凹凸圖案形成且用于記錄磁數(shù)據(jù)的磁道由預(yù)定的磁道寬度的凸部形成，且該磁道在上述磁道寬度方向上以預(yù)定的磁道節(jié)距多個(gè)并列設(shè)置；加熱磁頭，用于加熱該磁記錄介質(zhì)并部分地降低上述磁道的矯頑磁力；記錄磁頭，用于將記錄磁場(chǎng)施加給上述磁記錄介質(zhì)的被加熱部分；再現(xiàn)磁頭，用于檢測(cè)上述磁道的再現(xiàn)磁場(chǎng)；由上述加熱磁頭以及上述記錄磁頭在上述磁記錄介質(zhì)上寫出有效記錄區(qū)域的上述磁道寬度方向的有效記錄寬度被限制在上述磁道寬度或以上、且在該磁道寬度和二倍的上述磁道之間的凹部寬度的合計(jì)值或以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，上述有效記錄寬度，限制在上述有效記錄區(qū)域與上述磁道的記錄時(shí)的偏移量的二倍，加上所述磁道寬度得到的合計(jì)值或以上，且在上述磁道寬度與二倍的上述凹部寬度的合計(jì)值，減去二倍的上述記錄時(shí)的偏移量的值所得到的值或以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，上述磁道之間的凹部由比上述磁記錄層的熱傳導(dǎo)率低的非磁性材料填充。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，上述非磁性材料是以SiO2、Ti、Al2O3、MgO、TiO2、ZrO2中的任意之一作為主要成分的材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，在上述磁記錄層的磁道的至少一個(gè)面上形成比該磁記錄層的熱傳導(dǎo)率高的熱傳導(dǎo)層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，將由上述磁記錄介質(zhì)在上述再現(xiàn)磁頭上生成的有效再現(xiàn)區(qū)域的上述磁道寬度方向的有效再現(xiàn)寬度，限制在上述磁道寬度或以上、且在該磁道寬度和二倍的上述凹部的寬度的合計(jì)值或以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的磁記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，上述有效再現(xiàn)寬度限制在上述有效再現(xiàn)區(qū)域和上述磁道的再現(xiàn)時(shí)的偏移量的二倍，加上上述磁道寬度得到的合計(jì)值或以上，且在上述磁道寬度和二倍的上述凹部寬度的合計(jì)值，減去二倍的上述再現(xiàn)時(shí)的偏移量的值所得到的值或以下。
8.一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，磁記錄層由凹凸圖案形成，該凹凸圖案的凹部由比上述磁記錄層的熱傳導(dǎo)率低的非磁性材料填充。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述非磁性材料是以SiO2、Ti、Al2O3、MgO、TiO2、ZrO2中的任意之一作為主要成分的材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，在上述磁記錄層的磁道的至少一個(gè)面上形成比該磁記錄層的熱傳導(dǎo)率高的熱傳導(dǎo)層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種面記錄密度高、記錄·再現(xiàn)精度良好的磁記錄再現(xiàn)裝置。磁記錄再現(xiàn)裝置包括磁記錄介質(zhì)；用于加熱磁記錄介質(zhì)并部分地降低磁道的矯頑磁力的加熱磁頭；用于將記錄磁場(chǎng)施加給磁記錄介質(zhì)的被加熱部分并在磁道上記錄磁數(shù)據(jù)的記錄磁頭；以及用于檢測(cè)磁道的再現(xiàn)磁場(chǎng)的再現(xiàn)磁頭，其中磁記錄介質(zhì)的磁記錄層由凹凸圖案形成且磁道由預(yù)定的磁道寬度的凸部形成，磁道在磁道寬度方向上以預(yù)定的磁道間隔多個(gè)并列設(shè)置，有效記錄區(qū)域的有效記錄寬度限制在磁道寬度或以上且在磁道寬度和二倍的磁道之間的凹部寬度合計(jì)值或以下。
文檔編號(hào)G11B5/738GK1661679SQ20051000834
公開日2005年8月31日 申請(qǐng)日期2005年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月27日
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