專利名稱：確定最佳擦除和寫入功率的方法、以及帶有使用所述方法的設(shè)備的記錄裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種確定用于擦除在一種光記錄介質(zhì)中所提供標(biāo)記的最佳擦除功率的方法，其中，在所述這種光記錄介質(zhì)中是這樣提供這些標(biāo)記的通過用具有足夠高功率的輻射脈沖來局部加熱所述記錄介質(zhì)從而導(dǎo)致該記錄介質(zhì)上的光學(xué)特性的改變，其中隨著所述輻射脈沖反射的減小，這種光學(xué)特性的改變變得顯著。
本發(fā)明還涉及一種確定用于在光記錄介質(zhì)上提供標(biāo)記的最佳寫入功率的方法，其中通過用具有足夠高功率的輻射脈沖來局部加熱所述記錄介質(zhì)從而導(dǎo)致該記錄介質(zhì)上的光學(xué)特性的改變，其中隨著所述輻射脈沖反射的減小，這種光學(xué)特性的改變變得顯著。
本發(fā)明還涉及用于根據(jù)本發(fā)明的其中一種方法的光記錄介質(zhì)，該記錄介質(zhì)是由射線束可刻的，并且包含有其中包括有關(guān)所述光記錄介質(zhì)的特性的信息的區(qū)域。
本發(fā)明還進(jìn)一步涉及一種記錄裝置，該裝置包括用于確定用于擦除在一種光記錄介質(zhì)中所提供標(biāo)記的最佳擦除功率的校準(zhǔn)裝置，其中，在所述這種光記錄介質(zhì)中是這樣提供這些標(biāo)記的通過用具有足夠高功率的輻射脈沖來局部加熱所述記錄介質(zhì)從而導(dǎo)致該記錄介質(zhì)上的光學(xué)特性的改變，其中隨著所述輻射脈沖反射的減小，這種光學(xué)特性的改變變得顯著。
本發(fā)明還進(jìn)一步涉及一種記錄裝置，該裝置包括用于確定用于在一種光記錄介質(zhì)中所提供標(biāo)記所需的最佳寫入功率的校準(zhǔn)裝置，其中，在所述這種光記錄介質(zhì)中是這樣提供這些標(biāo)記的通過用具有足夠高功率的輻射脈沖來局部加熱所述記錄介質(zhì)從而導(dǎo)致該記錄介質(zhì)上的光學(xué)特性的改變，其中隨著所述輻射脈沖反射的減小，這種光學(xué)特性的改變變得顯著。
本發(fā)明還涉及一種在記錄裝置中所使用的校準(zhǔn)裝置。
最佳擦除功率和最佳寫入功率是依賴于所使用的記錄介質(zhì)的特性以及記錄裝置的各種特性。因此，只要在記錄裝置中使用一個(gè)給定的記錄介質(zhì)，就應(yīng)該可以確定這些功率值。
背景技術(shù)：
用于確定這些功率值的方法和裝置是公知的，尤其是可以從EP0737962(Ricoh有限公司)中可以了解到。該申請描述了一種方法，其中可以參考對于每個(gè)記錄介質(zhì)和記錄裝置的組合是固定的調(diào)制功率曲線來確定最佳寫入功率。通過在大范圍的寫入功率(PW)中在記錄介質(zhì)上提供標(biāo)記并且通過隨后檢測每個(gè)寫入功率的相關(guān)標(biāo)記的調(diào)制值(m)來確定所述調(diào)制功率曲線，該調(diào)制值是來自一個(gè)標(biāo)記上的反射功率相對于來自沒有標(biāo)記區(qū)域的反射功率的值?？梢栽谡{(diào)制功率曲線(m(PW))上相對于相關(guān)的寫入功率來畫出因此而獲得的調(diào)制值。隨后，可以確定代表前述調(diào)制功率曲線(m(PW))的歸一化一階導(dǎo)數(shù)(γ＝(dm/dPW)·PW/m))的曲線(γ曲線)。這條γ曲線具有漸近的變化，在較高的寫入功率處僅產(chǎn)生γ的輕微減少。通過選擇與導(dǎo)數(shù)γ的預(yù)定值相關(guān)的功率來發(fā)現(xiàn)最佳的寫入功率。最佳擦除功率隨后線性依賴于所發(fā)現(xiàn)的最佳寫入功率。
不可能從諸如γ曲線這樣的漸近變化曲線中確定一個(gè)明確的值。輸入值的微小改變、γ的預(yù)定值都可能導(dǎo)致輸出信號即最佳寫入功率的較大的變化。另外，當(dāng)確定調(diào)制功率曲線時(shí)，使用位于最佳寫入功率之上的寫入功率從而在記錄介質(zhì)上導(dǎo)致不必要的高溫。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種明確確定最佳擦除功率的方法并提供一種明確確定最佳寫入功率的方法并能避免在記錄介質(zhì)中產(chǎn)生不必要的高溫。
根據(jù)本發(fā)明，通過借助于確定最佳擦除功率的方法來獲得這個(gè)目的，這種方法的特征在于該方法包括一個(gè)準(zhǔn)備步驟通過用具有第一功率的輻射脈沖來局部加熱記錄介質(zhì)從而在該記錄介質(zhì)上提供標(biāo)記，隨后是確定該輻射脈沖的第二功率(Pmin)的第一檢測步驟，在該功率處，當(dāng)以低于所述第二功率的功率照射該記錄介質(zhì)時(shí)，在準(zhǔn)備步驟中所提供的標(biāo)記位置處，該記錄介質(zhì)的光學(xué)特性基本不變，而當(dāng)以高于所述第二功率的功率照射該記錄介質(zhì)時(shí)，在所提供的標(biāo)記位置處的該記錄介質(zhì)的光學(xué)特性發(fā)生改變，以便于歸一化的反射功率增加，而第二檢測步驟確定該輻射脈沖的第三功率(Pmax)，在該功率處，當(dāng)在準(zhǔn)備步驟中所提供的標(biāo)記位置處以第三功率照射該記錄介質(zhì)時(shí)，該記錄介質(zhì)的光學(xué)特性改變到被歸一化的反射功率變得最大的程度，隨后是從下列方程中確定最佳擦除功率(PE0)的比較步驟PEO=β·(Pmin+Pmax)α]]>其中α是提前公知的一個(gè)常數(shù)，β是依賴于記錄介質(zhì)特性的一個(gè)變量?？梢岳斫?，歸一化反射功率(R)表示相對于照射記錄介質(zhì)的功率處的反射功率。
該方法的一個(gè)好處是可以從最佳擦除功率所遵循的方程中明確地確定待定的功率Pmin和Pmax，這是因?yàn)樗鼈兌继幱谇€的拐點(diǎn)處，而該在曲線中，相對于在準(zhǔn)備步驟中所提供的標(biāo)記位置處照射記錄介質(zhì)的功率(P)來劃出歸一化的反射功率(R)。這意味著，一階導(dǎo)數(shù)dR/dP在功率處Pmin和Pmax展現(xiàn)出數(shù)值或符號的突變從而可以以一種簡單和明確的方式來確定這些功率。該方法的另一個(gè)好處體現(xiàn)在所確定的這些功率Pmin和Pmax幾乎不依賴于在準(zhǔn)備步驟中在記錄介質(zhì)上提供標(biāo)記所用的寫入方法。同樣，連續(xù)執(zhí)行其中在記錄介質(zhì)的相同位置上每次所提供標(biāo)記的方法的次數(shù)不受所確定功率Pmin和Pmax的顯著影響。
根據(jù)本發(fā)明，該目的是借助于確定最佳寫入功率的方法來進(jìn)一步獲得的，其特征在于，該方法包括一個(gè)準(zhǔn)備步驟通過用具有第一功率的輻射脈沖來局部加熱記錄介質(zhì)從而在該記錄介質(zhì)上提供標(biāo)記，隨后是確定該輻射脈沖的第二功率(Pmin)的第一檢測步驟，在該功率處，當(dāng)以低于所述第二功率的功率照射該記錄介質(zhì)時(shí)，在準(zhǔn)備步驟中所提供的標(biāo)記位置處，該記錄介質(zhì)的光學(xué)特性基本不變，而當(dāng)以高于所述第二功率的功率照射該記錄介質(zhì)時(shí)，在所提供的標(biāo)記位置處的該記錄介質(zhì)的光學(xué)特性發(fā)生改變?yōu)闅w一化的反射功率增加的程度，而第二檢測步驟確定該輻射脈沖的第三功率(Pmax)，在該功率處，當(dāng)在準(zhǔn)備步驟中所提供的標(biāo)記位置處以第三功率照射該記錄介質(zhì)時(shí)，該記錄介質(zhì)的光學(xué)特性改變以便于歸一化的反射功率變得最大，隨后是從下列方程中確定最佳寫入功率(PW0)的比較步驟PWO=δ·β·(Pmin+Pmax)α]]>其中α是提前公知的一個(gè)常數(shù)，β和δ是依賴于記錄介質(zhì)特性的一個(gè)變量。
同樣在該方法中，可以明確地確定功率Pmin和Pmax，這是因?yàn)樗鼈兌继幱谇€的拐點(diǎn)處，而該在曲線中，相對于在準(zhǔn)備步驟中所提供的標(biāo)記位置處照射記錄介質(zhì)的功率(P)來劃出歸一化的反射功率(R)，并且所確定的這些功率Pmin和Pmax幾乎不依賴于寫入方法以及執(zhí)行該方法的次數(shù)。
當(dāng)使用“相變”類型的光記錄介質(zhì)時(shí)，可以使用所述這些方法，其中在產(chǎn)生從晶態(tài)到無定形狀態(tài)以及相反情況的局部轉(zhuǎn)換的影響下，通過局部加熱該記錄介質(zhì)從而在該記錄介質(zhì)上提供標(biāo)記。
根據(jù)本發(fā)明的該方法的一個(gè)實(shí)施例其特征在于；第一檢測步驟包括至少兩個(gè)子步驟，在這些子步驟中，在所提供的標(biāo)記位置處用具有所選的一個(gè)測試值的輻射脈沖來照射該記錄介質(zhì)，其中，只要位于所照射標(biāo)記位置處的記錄介質(zhì)的光學(xué)特性基本不變，則在連續(xù)的子步驟中，測試功率增加，并且一旦位于所照射標(biāo)記位置處的記錄介質(zhì)的光學(xué)特性改變到使歸一化反射功率增加的程度，則停止這些子步驟，隨后是第一最后步驟，其中將在最后一個(gè)子步驟中的測試功率值設(shè)置到第二功率(Pmin)。
這個(gè)實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是可以通過一個(gè)清楚的停止標(biāo)準(zhǔn)來終止系列連續(xù)的子步驟，這是因?yàn)橐詢H高于第二功率(Pmin)的測試功率照射下的歸一化反射功率相對于以僅低于第二功率(Pmin)的測試功率照射下的歸一化反射功率而言，顯示出了相當(dāng)陡峭的增加。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例其特征在于第二檢測步驟包括至少兩個(gè)子步驟，在這些子步驟中，在所提供的標(biāo)記位置處用具有所選值的一個(gè)測試功率的輻射脈沖來照射該記錄介質(zhì)，其中在這些連續(xù)子步驟中測試功率增加并且一旦位于所照射標(biāo)記位置處的記錄介質(zhì)的光學(xué)特性改變到使歸一化反射功率減少的程度，則停止這些子步驟，隨后是第二最后步驟，其中將在最后一個(gè)子步驟中的測試功率值設(shè)置到第三功率(Pmax)。
這個(gè)實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是可以通過一個(gè)清楚的停止標(biāo)準(zhǔn)來終止一系列連續(xù)的子步驟，這是因?yàn)橐詢H高于第三功率(Pmax)的測試功率照射下的歸一化反射功率相對于以僅低于第三功率(Pmax)的測試功率照射下的歸一化反射功率而言，顯示出了相當(dāng)陡峭的增加。這個(gè)實(shí)施例的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是這些測試功率不會變得比提供標(biāo)記所需的最小功率要高。因此，不用具有不必要高的測試功率的輻射脈沖來照射該記錄介質(zhì)，從而在該記錄介質(zhì)中不會導(dǎo)致不必要高的溫度。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，其特征在于在準(zhǔn)備步驟中所提供的這些標(biāo)記具有一個(gè)最大長度，該最大長度是由所采用的編碼方法所允許的最大長度。
在該實(shí)施例中，提供了在方法范圍內(nèi)所允許的可能有的最長標(biāo)記。例如，當(dāng)采用(d，k)RLL編碼方法時(shí)，提供具有(d+1)長度乘以信道-比特-長度(即，I(d+I)載體)的一個(gè)標(biāo)記。
相對于該記錄介質(zhì)而言，這些可能有的最長標(biāo)記的長度至少大于輻射脈沖的橫截面直徑。該實(shí)施例的一個(gè)好處是，由于提供了這些標(biāo)記，在一個(gè)標(biāo)記和一個(gè)沒有標(biāo)記區(qū)域之間可以獲得歸一化反射功率中的最大限度的明確的轉(zhuǎn)換。這對于其中位于標(biāo)記位置上的記錄介質(zhì)的光學(xué)特性略微不同于沒有標(biāo)記區(qū)域中的光學(xué)特性的地方特別重要。
根據(jù)本發(fā)明的方法的一個(gè)實(shí)施例，其特征在于，根據(jù)EFM+(8到14調(diào)制+)編碼方法使用I11載體對在準(zhǔn)備步驟中所提供的這些標(biāo)記進(jìn)行編碼。
在該實(shí)施例中，在DVD系統(tǒng)中所使用的EFM+編碼方法范圍內(nèi)可以提供可能最長的這些標(biāo)記。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其特征在于在所選的可辨別區(qū)域內(nèi)提供在準(zhǔn)備步驟中所提供的那些標(biāo)記。
例如，可以在一條軌道的有限數(shù)目的扇區(qū)內(nèi)提供這些標(biāo)記。該實(shí)施例的一個(gè)好處是可以比當(dāng)在例如一條完整軌道上這樣較大區(qū)域內(nèi)提供標(biāo)記時(shí)更快地執(zhí)行檢測步驟。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，其特征在于所選的可辨別區(qū)域均勻分布在記錄介質(zhì)的表面上。
該實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，記錄介質(zhì)的光學(xué)特性的不規(guī)則性，即不是均勻分布在記錄介質(zhì)的表面上，該不規(guī)則性與其中可辨別區(qū)域不均勻分布在記錄介質(zhì)表面上的情況相比，對所述檢測步驟的檢測結(jié)果具有較小的影響。通過使用均勻分布在記錄介質(zhì)表面上的區(qū)域，可以發(fā)現(xiàn)用于整個(gè)記錄介質(zhì)的擦除功率和寫入功率的最佳值。
根據(jù)本發(fā)明的方法的一個(gè)實(shí)施例，其特征在于比較步驟中的因子α其值為2。
盡管對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，可以將因子α假設(shè)為(Pmin+Pmax)/Pmin和(Pmin+Pmax)/Pmax之間的任何一個(gè)值，在檢測過程中可以發(fā)現(xiàn)，在α為2時(shí)，如果假設(shè)β為接近于1，則該方法可以產(chǎn)生最佳擦除功率和寫入功率的最好的接近度。
根據(jù)本發(fā)明方法的一個(gè)實(shí)施例，其特征在于比較步驟中的因子α為2，并且比較步驟中的因子β為0.7和1.3之間的一個(gè)值。
檢測過程證明在可以產(chǎn)生用于擦除功率和寫入功率的最佳值的所述范圍內(nèi)的β值具有這樣一個(gè)值即，在該值上可以依賴于所使用記錄介質(zhì)特性來獲得這些最佳值。
根據(jù)本發(fā)明方法的一個(gè)實(shí)施例，其特征在于從記錄介質(zhì)中的一個(gè)區(qū)域中讀出比較步驟中的因子β，其中所述區(qū)域包括有關(guān)該記錄介質(zhì)特性的信息。
由于對于可以獲得用于擦除功率和寫入功率的最佳值的β值依賴于所使用記錄介質(zhì)的特性，因此，一旦在記錄介質(zhì)的制造過程中確定了這個(gè)值就可以固定在該記錄介質(zhì)上。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是可以提供可用于根據(jù)本發(fā)明的這些方法中的一種光記錄介質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)，其特征在于包括有關(guān)記錄介質(zhì)特性信息的區(qū)域包括在根據(jù)本發(fā)明的方法中的比較步驟中所使用的因子β的值。
根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)，其特征在于包括有關(guān)記錄介質(zhì)特性信息的區(qū)域包括在根據(jù)本發(fā)明的方法中的比較步驟中所使用的因子δ的值。
由于對于可以獲得用于擦除功率和寫入功率的最佳值的β和δ值依賴于所使用記錄介質(zhì)的特性，因此，一旦在記錄介質(zhì)的制造過程中確定了這個(gè)值并且可以連續(xù)存儲在包括有關(guān)記錄介質(zhì)特性信息的記錄介質(zhì)的區(qū)域上。
這樣一個(gè)區(qū)域例如是所謂的位于可記錄致密盤(CD-R)上的導(dǎo)入?yún)^(qū)中的預(yù)置槽。該預(yù)置槽是用輔助信號頻率調(diào)制的，并且有關(guān)記錄介質(zhì)特性的信息被編碼在輔助信號中?？梢栽贓P0397238中發(fā)現(xiàn)對于帶有記錄在預(yù)置槽中的信息的記錄介質(zhì)的描述。這種區(qū)域的另一個(gè)例子是在記錄介質(zhì)上的控制區(qū)，其中該記錄介質(zhì)被分成用于寫入用戶信息的信息記錄區(qū)以及用于存儲與寫入、讀出以及擦除信息相關(guān)的信息的控制區(qū)?？梢詫ⅵ潞挺牡木幋a值作為標(biāo)記模式來存儲。該控制區(qū)可以被壓印。
諸如光學(xué)類型的不同類型的記錄介質(zhì)可以以不同的方式帶有有關(guān)記錄介質(zhì)特性的信息，例如，通過在磁帶的開始部分或沿著輔助軌道來安排包括有關(guān)光記錄介質(zhì)特性的信息。
可以被存儲在記錄介質(zhì)區(qū)域中的其他有關(guān)記錄介質(zhì)特性的信息包括例如，一個(gè)或多個(gè)記錄速度、在記錄過程中所使用的射線束的固定電平比如偏置電平、以及輻射脈沖的持續(xù)時(shí)間和運(yùn)行周期。
根據(jù)本發(fā)明方法的一個(gè)實(shí)施例，其特征在于從記錄介質(zhì)中的一個(gè)區(qū)域中讀出比較步驟中的因子δ，其中所述區(qū)域包括有關(guān)該記錄介質(zhì)特性的信息。
由于對于可以獲得用于擦除功率和寫入功率的最佳值的δ值依賴于所使用記錄介質(zhì)的特性，因此，一旦在記錄介質(zhì)的制造過程中確定了這個(gè)值就可以固定在該記錄介質(zhì)上。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種使用確定最佳擦除功率方法的記錄裝置，以及使用確定最佳寫入功率方法的記錄裝置。
根據(jù)本發(fā)明的記錄裝置，其特征在于，采用一個(gè)校準(zhǔn)裝置來完成下列工作通過用具有第一功率的輻射脈沖來局部加熱記錄介質(zhì)從而在該記錄介質(zhì)上提供標(biāo)記，并且確定該輻射脈沖的第二功率(Pmin)，在該功率處，當(dāng)以低于所述第二功率的功率照射該記錄介質(zhì)時(shí)，在準(zhǔn)備步驟中所提供的標(biāo)記位置處，該記錄介質(zhì)的光學(xué)特性基本不變，而當(dāng)以高于所述第二功率的功率照射該記錄介質(zhì)時(shí)，在所提供的標(biāo)記位置處的該記錄介質(zhì)的光學(xué)特性發(fā)生改變從而使歸一化的反射功率增加，并且確定該輻射脈沖的第三功率(Pmax)，在該功率處，當(dāng)在準(zhǔn)備步驟中所提供的標(biāo)記位置處以第三功率照射該記錄介質(zhì)時(shí)，該記錄介質(zhì)的光學(xué)特性改變?yōu)槭箽w一化的反射功率變得最大的程度，然后是從下列方程中確定最佳擦除功率(PE0)的比較步驟PEO=β·(Pmin+Pmax)α]]>其中α是提前公知的一個(gè)常數(shù)，β是依賴于記錄介質(zhì)特性的一個(gè)變量。
根據(jù)本發(fā)明的記錄裝置，其特征在于，采用一個(gè)校準(zhǔn)裝置來完成下列工作通過用具有第一功率的輻射脈沖來局部加熱記錄介質(zhì)從而在該記錄介質(zhì)上提供標(biāo)記，并且確定該輻射脈沖的第二功率(Pmin)，在該功率處，當(dāng)以低于所述第二功率的功率照射該記錄介質(zhì)時(shí)，在準(zhǔn)備步驟中所提供的標(biāo)記位置處，該記錄介質(zhì)的光學(xué)特性基本不變，而當(dāng)以高于所述第二功率的功率照射該記錄介質(zhì)時(shí)，在所提供的標(biāo)記位置處的該記錄介質(zhì)的光學(xué)特性發(fā)生改變到使歸一化的反射功率增加的程度，并且確定該輻射脈沖的第三功率(Pmax)，在該功率處，當(dāng)在準(zhǔn)備步驟中所提供的標(biāo)記位置處以所述第三功率照射該記錄介質(zhì)時(shí)，該記錄介質(zhì)的光學(xué)特性改變?yōu)闅w一化的反射功率變?yōu)樽畲?，然后是從下列方程中確定最佳寫入功率(PW0)的比較步驟PWO=δ·β·(Pmin+Pmax)α]]>其中α是提前公知的一個(gè)常數(shù)，β和δ是依賴于記錄介質(zhì)特性的一個(gè)變量。
發(fā)明的這些以及其他方面是顯然的，并且參考下面要描述的這些實(shí)施例將進(jìn)一步對其進(jìn)行闡述。


附圖中圖1是用圖示的方法顯示當(dāng)在準(zhǔn)備步驟中所提供的標(biāo)記位置處照射該記錄介質(zhì)時(shí)的歸一化反射功率(R)和測試功率(P)之間關(guān)系的圖，圖2是顯示作為測試功率(P)函數(shù)的歸一化反射功率(R)的檢測次數(shù)的結(jié)果例子的圖，圖3顯示了根據(jù)本發(fā)明的方法的流程圖，圖4顯示了根據(jù)本發(fā)明的方法的流程圖，以及圖5是根據(jù)本發(fā)明的記錄裝置中的校準(zhǔn)裝置的框圖。
具體實(shí)施例方式
圖1中的曲線用圖示的方法顯示了在準(zhǔn)備步驟中所提供的標(biāo)記位置處照射記錄介質(zhì)(11)時(shí)的測試功率P和歸一化擦除功率R(12)之間的關(guān)系。第二功率Pmin(15)是這樣一個(gè)功率值，即在該功率值上，曲線上具有設(shè)置在具有基本為常數(shù)的歸一化反射功率(21)的區(qū)域和具有增加的反射功率(23)的區(qū)域之間的一個(gè)反射點(diǎn)(22)。第三功率Pmax(16)是這樣一個(gè)功率值，即在該功率值上歸一化反射功率最大即Rmax(19)。還是這個(gè)功率值，在該功率值上，曲線上具有設(shè)置在具有增加的歸一化反射功率(23)的區(qū)域和具有減少的歸一化反射功率(25)的區(qū)域之間的一個(gè)反射點(diǎn)(24)。最佳的擦除功率(17)位于Pmin(15)和Pmax(16)之間。
圖2是顯示在任一個(gè)單元中，作為測試功率P(11)函數(shù)的歸一化反射功率R(12)檢測次數(shù)結(jié)果(31到34)的例子的圖。在檢測過程31中，使用用于在準(zhǔn)備步驟中提供標(biāo)記的寫入方法，該方法偏離于在檢測過程32到34中所使用的寫入方法。檢測過程31和32是在以前沒有執(zhí)行過檢測過程的記錄介質(zhì)上進(jìn)行的。檢測過程33和34是在以前已經(jīng)在檢測過程33中執(zhí)行100個(gè)檢測以及在檢測過程34中執(zhí)行1000次檢測的記錄介質(zhì)上進(jìn)行的，其中，標(biāo)記總是被提供在記錄介質(zhì)相同的位置上。在該圖中所顯示的檢測證明了Pmin(15)和Pmax(16)是相對不依賴于所使用的寫入方法以及在一個(gè)和相同記錄介質(zhì)上所執(zhí)行的檢測次數(shù)。
圖3顯示了根據(jù)本發(fā)明的方法的流程圖。在準(zhǔn)備步驟(40)中，在記錄介質(zhì)上提供標(biāo)記。隨后，可以在第一檢測步驟(41)中確定第二功率Pmin，隨后在第二檢測步驟(42)中確定第三功率Pmax。在準(zhǔn)備步驟(40)之后，可以在第二檢測步驟(42)中確定第三功率Pmax，隨后在第一檢測步驟(41)中確定第二功率Pmin。當(dāng)已經(jīng)執(zhí)行了這些檢測步驟之后，在比較步驟(43)中分別確定擦除功率和寫入功率的最佳值。
圖4A示出了用于確定Pmin的第一檢測步驟(41)的一個(gè)實(shí)施例的流程圖，圖4B示出了用于確定Pmax的第二檢測步驟(42)的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。在方框51中，將初始值1設(shè)置給保持所執(zhí)行子步驟數(shù)的軌道的計(jì)數(shù)器n。隨后，在方框52中，在由準(zhǔn)備步驟(40)所提供的標(biāo)記位置處，用具有所選值的測試功率P(1)的輻射脈沖來照射記錄介質(zhì)，并檢測與檢測到的該測試功率相關(guān)的歸一化反射功率R(1)。在方框53中，將保持所執(zhí)行子步驟數(shù)的軌道的計(jì)數(shù)器n增加1。在方框54中，在由準(zhǔn)備步驟(40)所提供的標(biāo)記位置處，用具有值為P(n)的測試功率的輻射脈沖來照射記錄介質(zhì)并檢測與檢測到的該測試功率相關(guān)的歸一化反射功率R(n)，其中，該測試功率P(n)大于前一個(gè)步驟P(n-1)中的測試功率值。
在圖4A的比較方框551中，將當(dāng)前子步驟中的歸一化反射功率R(n)與前一個(gè)子步驟中的歸一化反射功率R(n-1)相比。如果兩個(gè)功率基本相同，則經(jīng)路徑581重復(fù)方框53和54。如果這兩個(gè)功率不相同，則在方框561中經(jīng)路徑591將最后一個(gè)子步驟中的測試功率值p(n)設(shè)置為Pmin。
在圖4B中的比較方框552中，將當(dāng)前子步驟中的歸一化反射功率R(n)與前一個(gè)子步驟中的歸一化反射功率R(n-1)相比。如果R(n)的值小于R(n-1)的值，則在方框562中經(jīng)路徑592將最后一個(gè)子步驟中的測試功率值p(n)設(shè)置為Pmax。如果R(n)的值不小于R(n-1)的值，則經(jīng)路徑582重復(fù)方框53和54。
圖5是位于根據(jù)本發(fā)明的記錄裝置中的校準(zhǔn)裝置(60)的框圖。方框81示出了該記錄裝置中的一個(gè)光學(xué)系統(tǒng)，其中該光學(xué)系統(tǒng)用輻射脈沖(84)照射光記錄介質(zhì)(85)并接收反射的輻射脈沖并將其轉(zhuǎn)換為一個(gè)信息信號(71)。由帶有控制邏輯的方框(82)來驅(qū)動(dòng)該光學(xué)系統(tǒng)。該控制邏輯方框(82)控制所述輻射脈沖(84)的功率。校準(zhǔn)裝置(60)包括帶有用于根據(jù)本發(fā)明的方法來執(zhí)行準(zhǔn)備步驟的控制邏輯的方框(61)，帶有用于根據(jù)本發(fā)明的方法來執(zhí)行第一檢測步驟的控制邏輯的方框(62)，帶有用于根據(jù)本發(fā)明的方法來執(zhí)行第二檢測步驟的控制邏輯的方框(63)，以及帶有用于根據(jù)本發(fā)明的方法來執(zhí)行比較步驟的控制邏輯的方框(64)。
方框61將信息經(jīng)控制信號72發(fā)送到控制邏輯(82)，其中，該信息是在該記錄介質(zhì)(85)上提供標(biāo)記所必需的。方框62和63將信息經(jīng)控制信號73發(fā)送到控制邏輯(82)，其中，該信息是執(zhí)行檢測步驟所必需的。信息信號(71)給方框62和63提供有關(guān)反射輻射脈沖的信息。方框62通過信號75將第一檢測步驟的結(jié)果提供給方框64，而方框63通過信號76將第二檢測步驟的結(jié)果提供給方框64。方框64經(jīng)信號79分別將最佳的擦除功率和最佳的寫入功率提供給記錄裝置。經(jīng)信息信號71從光記錄介質(zhì)(85)上或經(jīng)信號78從記錄裝置上獲得有關(guān)參數(shù)β和δ的信息。
權(quán)利要求
1.一種使用在確定用于擦除在一種光記錄介質(zhì)中所提供標(biāo)記的最佳擦除功率的方法中的光記錄介質(zhì)(85)，其中，在所述這種光記錄介質(zhì)中是這樣提供這些標(biāo)記的通過用具有足夠高功率的輻射脈沖來局部加熱所述記錄介質(zhì)從而導(dǎo)致該記錄介質(zhì)上的光學(xué)特性的改變，其中隨著所述輻射脈沖反射的減小，這種光學(xué)特性的改變變得顯著，其特征在于，該方法包括一個(gè)準(zhǔn)備步驟通過用具有第一功率的輻射脈沖來局部加熱記錄介質(zhì)從而在該記錄介質(zhì)上提供標(biāo)記，隨后是確定該輻射脈沖的第二功率(Pmin)的第一檢測步驟，在該功率處，當(dāng)以低于所述第二功率的功率照射該記錄介質(zhì)時(shí)，在準(zhǔn)備步驟中所提供的標(biāo)記位置處，該記錄介質(zhì)的光學(xué)特性基本不變，而當(dāng)以高于所述第二功率的功率照射該記錄介質(zhì)時(shí)，在所提供的標(biāo)記位置處的該記錄介質(zhì)的光學(xué)特性發(fā)生改變，使得歸一化的反射功率增加，以及第二檢測步驟確定該輻射脈沖的第三功率(Pmax)，在該功率處，當(dāng)在準(zhǔn)備步驟中所提供的標(biāo)記位置處以所述第三功率照射該記錄介質(zhì)時(shí)，該記錄介質(zhì)的光學(xué)特性改變，使得歸一化的反射功率變得最大，隨后是從下列方程中確定最佳擦除功率(PEO)的計(jì)算步驟PEO=β·(Pmin+Pmax)α]]>其中α是提前公知的一個(gè)常數(shù)，β是依賴于所使用的記錄介質(zhì)特性的一個(gè)預(yù)定變量，其中所述記錄介質(zhì)由射線束所刻錄，該記錄介質(zhì)包含一個(gè)包括有關(guān)該光記錄介質(zhì)特性的信息的區(qū)域，其特征在于，包括有關(guān)該光記錄介質(zhì)特性的信息的區(qū)域包括表示用于在所述方法的比較步驟中使用的因子β的值的標(biāo)記模式。
2.一種使用在確定用于在一種光記錄介質(zhì)中所提供標(biāo)記的最佳寫入功率的方法中的記錄介質(zhì)(85)，其中，在所述這種光記錄介質(zhì)中是這樣提供這些標(biāo)記的通過用具有足夠高功率的輻射脈沖來局部加熱所述記錄介質(zhì)從而導(dǎo)致該記錄介質(zhì)上的光學(xué)特性的改變，其中隨著所述輻射脈沖反射的減小，這種光學(xué)特性的改變變得顯著，其特征在于，該方法包括一個(gè)準(zhǔn)備步驟通過用具有第一功率的輻射脈沖來局部加熱記錄介質(zhì)從而在該記錄介質(zhì)上提供標(biāo)記，隨后是確定該輻射脈沖的第二功率(Pmin)的第一檢測步驟，在該功率處，當(dāng)以低于所述第二功率的功率照射該記錄介質(zhì)時(shí)，在準(zhǔn)備步驟中所提供的標(biāo)記位置處，該記錄介質(zhì)的光學(xué)特性基本不變，而當(dāng)以高于所述第二功率的功率照射該記錄介質(zhì)時(shí)，在所提供的標(biāo)記位置處的該記錄介質(zhì)的光學(xué)特性改變到歸一化的反射功率增加的程度，以及第二檢測步驟確定該輻射脈沖的第三功率(Pmax)，在該功率處，當(dāng)在準(zhǔn)備步驟中所提供的標(biāo)記位置處以所述第三功率照射該記錄介質(zhì)時(shí)，該記錄介質(zhì)的光學(xué)特性改變，使得歸一化的反射功率變得最大，隨后是從下列方程中確定最佳寫入功率(PWO)的計(jì)算步驟PWO=δ·β·(Pmin+Pmax)α]]>其中α是提前公知的一個(gè)常數(shù)，β和δ是依賴于所使用的記錄介質(zhì)特性的預(yù)定變量，所述記錄介質(zhì)由射線束所刻錄，該記錄介質(zhì)包含一個(gè)包括有關(guān)該光記錄介質(zhì)特性的信息的區(qū)域，其特征在于，包括有關(guān)該光記錄介質(zhì)特性的信息的區(qū)域包括表示用于在所述方法的比較步驟中使用的因子β和因子δ的值的標(biāo)記模式。
3.如權(quán)利要求1或2所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，所述因子β具有位于0.7和1.3之間的一個(gè)值。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于確定擦除和寫入光記錄載體(85)信息的最佳擦除(17)和寫入功率的方法和裝置。從其中標(biāo)準(zhǔn)反射功率(12)與測試功率(11)相對的圖示曲線中的兩個(gè)特定點(diǎn)(22)和(24)上找到的P
文檔編號G11B7/125GK1694165SQ200510059200
公開日2005年11月9日 申請日期2000年1月6日 優(yōu)先權(quán)日1999年1月8日
發(fā)明者G·-F·周, R·范沃登博格, J·H·M·斯普瑞特 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司