專利名稱：保持電荷泵抽效率的高壓生成電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明一般涉及半導體集成電路，更具體地，涉及保持電荷泵抽(pumping)效率的高壓生成電路。
背景技術：
高密度動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)通常工作在低電源電壓1.5V或1.8V。不幸的是，低電源電壓傾向于導致DRAM電路性能低下。例如，低電源電壓通常導致讀出放大器運行緩慢以及位線預充電(precharge)緩慢。為解決這些以及其他的問題，DRAM通常為字線、位線或者讀出放大器提供3.0V或者更高的提升電壓(boosted voltage)。通常通過使用高壓生成電路提升DRAM的低電源電壓來提供提升電壓。
例如，在美國專利No.6,414,882中公開了提供提升電壓的高壓生成電路。
圖1圖示了傳統(tǒng)的高壓生成電路。
參考圖1，高壓生成電路500包括泵電路504a和504b。泵電路504a和504b以合作方式運行，從而在任何給定時刻由泵電路504a或504b中的僅一個驅動電荷泵電路500的輸出節(jié)點VCCP。
泵電路504a和504b耦合起來，使得無論何時由泵電路504b驅動輸出節(jié)點VCCP，泵電路504b中提升節(jié)點(boost node)522b處的過量的電荷就被釋放到泵電路504a中的提升節(jié)點522a中。結果，保存了高壓生成電路500中的電荷，因而，維持了高壓生成電路500的輸出電流，從而降低了功率消耗。由具有電源電壓VCC的電源對提升節(jié)點522a和522b預充電。
圖2是圖示了圖1中所示的高壓生成電路的操作的波形時序圖。
參考圖2，在時刻t2到t3之間，信號P2B2使預充電晶體管524a導通，從而將提升節(jié)點522a預充電到電源電壓VCC。在時刻t2到t3之間，經(jīng)由預充電晶體管524a在提升節(jié)點522a和電源電壓VCC之間形成電流通路。對于提升節(jié)點522a處的電壓大于電源電壓VCC的情況，提升節(jié)點522a處的電壓下降到電源電壓VCC，如圖2中的實線P1A所示。降低提升節(jié)點522a處的電壓降低了高壓生成電路500中的電荷泵抽效率。因此，存在開發(fā)保持電荷泵抽效率的高壓生成電路的需要。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供了一種高壓生成電路，該高壓生成電路能夠在高電源電壓和低電源電壓提高電荷泵抽效率。
根據(jù)本發(fā)明一個方面，提供了一種高壓生成電路。該高壓生成電路包括第一到第三泵電路(pump circuit)和第一到第四開關。
第一泵電路響應于第一預充電信號將第一提升節(jié)點預充電到電源電壓，并且響應于第一泵信號提升第一提升節(jié)點。第二泵電路響應于第一預充電信號將第二提升節(jié)點預充電到電源電壓，響應于第一泵信號提升第二提升節(jié)點，響應于第二預充電信號對第三提升節(jié)點預充電，并且響應于第二泵信號提升第三提升節(jié)點。第三泵電路響應于第三泵信號提升第四提升節(jié)點。
第一開關響應于第一開關信號將第二提升節(jié)點連接到第三提升節(jié)點。第二開關響應于第一開關信號，將第一提升節(jié)點連接到第四提升節(jié)點。第三開關響應于第二開關信號，將第三提升節(jié)點連接到第四提升節(jié)點。第四開關響應于第三開關信號，將第四提升節(jié)點連接到輸出端，由此在輸出端提供高壓。
第一泵電路優(yōu)選地包括第一到第四晶體管和第一和第二電容器。第一晶體管以二極管形式連接在提供電源電壓的電源和第一提升節(jié)點之間。第一電容器提升第一預充電信號。第二晶體管以二極管形式連接在電源和第一電容器之間。第三晶體管連接在電源和第一電容器之間，并且具有柵極。第四晶體管連接在電源和第一提升節(jié)點之間。第四晶體管具有連接到第一電容器的柵極。第二電容器提升第一泵信號，由此提升第一提升節(jié)點。
第二泵電路優(yōu)選地包括第一到第六晶體管和第一到第三電容器。第一晶體管以二極管形式連接在電源和第二提升節(jié)點之間。第一電容器提升第一泵信號，由此提升第二提升節(jié)點。第二晶體管連接在電源和第二提升節(jié)點之間。第二晶體管具有接收提升后的第一預充電信號的柵極。第三晶體管以二極管形式連接在電源和第三提升節(jié)點之間。第二電容器提升第二預充電信號。第四晶體管以二極管形式連接在電源和第二電容器之間。第五晶體管連接在電源和第二電容器之間。第五晶體管具有連接到第三提升節(jié)點的柵極。第六晶體管連接在電源和第三提升節(jié)點之間。第六晶體管具有連接到第二電容器的柵極。第三電容器提升第二泵信號，由此提升第三提升節(jié)點。
第三泵電路優(yōu)選地包括第一到第三晶體管和第一和第二電容器。第一晶體管以二極管形式連接在電源和第四提升節(jié)點之間。第一電容器提升第三預充電信號。第二晶體管以二極管形式連接在電源和第一電容器的輸出之間。第三晶體管連接在電源和第一電容器之間。第三晶體管具有連接到第四提升節(jié)點的柵極。第二電容器提升第三泵信號，由此提升第四提升節(jié)點。
第一開關優(yōu)選地包括第一到第三晶體管和電容器。電容器提升第一開關信號。第一晶體管以二極管形式連接在電源和電容器之間。第二晶體管連接在電源和電容器之間。該第二晶體管具有連接到提升后的第一預充電信號的柵極。第三晶體管連接在第二提升節(jié)點和第三提升節(jié)點之間，該第三晶體管具有連接到電容器的柵極。
第二開關優(yōu)選地包括第一到第三晶體管和電容器。電容器提升第一開關信號。第一晶體管以二極管形式連接在電源和電容器之間。第二晶體管連接在電源和所述電容器之間。第二晶體管具有連接到提升后的第一預充電信號的柵極。第三晶體管連接在第一提升節(jié)點和第四提升節(jié)點之間，第三晶體管具有連接到所述電容器的柵極。
第三開關優(yōu)選地包括第一到第三晶體管和電容器。電容器提升第二開關信號。第一晶體管以二極管形式連接在電源和電容器之間。第二晶體管連接在電源和電容器之間。第二晶體管具有連接到提升后的第二預充電信號的柵極。第三晶體管連接在第三提升節(jié)點和第四提升節(jié)點之間。第三晶體管具有連接到所述電容器的柵極。
第四開關優(yōu)選地包括第一到第四晶體管和電容器。第一晶體管以二極管形式連接在電源和電容器之間。第二晶體管連接在電源和電容器之間。第二晶體管具有連接到提升后的第三預充電信號的柵極。第三晶體管連接在電容器和第四提升節(jié)點之間。第三晶體管具有連接到提升后的第三預充電信號的柵極。第四晶體管連接在第四提升節(jié)點和輸出端之間。第四晶體管具有連接到電容器的柵極。
第三泵電路典型地包括保持器，保持器在電源和第四提升節(jié)點之間，用來防止第四提升節(jié)點漂移。保持器通常包括電容器或長度大于寬度的晶體管。
第三泵電路通常包括電荷泵抽單元，電荷泵抽單元包括電荷補償器。電荷補償器典型地包括第一到第四電阻器、第一和第二比較器和晶體管。第一電阻器具有第一端和第二端，其中第一端連接到提供電源電壓的電源。第二電阻器具有第一端和第二端，其中第一端連接到輸出端。第一比較器具有第一輸入、第二輸入和輸出，其中第一輸入連接到第一電阻器的第二端，第二輸入連接到第二電阻器的第二端。第三電阻器連接在第一電阻器的第二端和第一比較器的輸出之間。第四電阻器連接在第二電阻器的第二端和地之間。第二比較器具有第一輸入和第二輸入，其中第一輸入連接到第一比較器的輸出，第二輸入連接到第四提升節(jié)點。晶體管連接在輸出端和第四提升節(jié)點之間，并且晶體管具有連接到第二比較器的輸出的柵極。
據(jù)此，根據(jù)本發(fā)明的高壓生成電路能夠在電源電壓小于節(jié)點處的電壓時，通過隔絕電源電壓和該節(jié)點之間的電流通路來保存泵抽到該節(jié)點的電荷，由此維持高壓生成電路的泵抽效率。由于在預充電期間維持了節(jié)點處的電壓，所以也維持了后繼期間的泵抽效率。


附示了本發(fā)明的幾個選取的實施例，附圖包含于說明書中并且形成了說明書的一部分。在所述附圖中圖1是傳統(tǒng)高壓生成電路的電路圖；圖2是圖示圖1中的傳統(tǒng)高壓生成電路的操作的波形時序圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的高壓生成電路的電路圖；圖4是圖示圖3中的高壓生成電路的操作的波形時序圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的高壓生成電路的電路圖；圖6A和圖6B是圖示圖5中的高壓生成電路的操作的波形時序圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的高壓生成電路的電路圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的高壓生成電路的電路圖；圖9是圖8中所示的控制器的電路圖；圖10是圖示圖9中的控制器的操作的波形時序圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的高壓生成電路的電路圖；以及圖12圖11中所示的電荷補償器的電路圖。
具體實施例方式
現(xiàn)將參考附圖更全面地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的幾個示例性實施例。在整個附圖和書面公開中，類似的標號用于表示類似的元件。
圖3是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的高壓生成電路的電路圖。圖3中的高壓生成電路包括第一到第三泵電路310、320和330。第一到第三泵電路310、320和330連續(xù)泵抽(pump)電荷以生成高壓VPP，該高壓VPP大于電源提供的電源電壓VDD。第一到第三泵電路310、320和330全體包括第一到第四電容器C310、C312、C320和C330，第一到第七開關S310、S312、S314、S316、S320、S330和S340，第一到第四提升節(jié)點N310、N312、N320和N330，以及電源。
第一泵電路310響應于第一泵信號PMP1驅動第一提升節(jié)點N310。第二泵電路3210響應于第一泵信號PMP1驅動第二提升節(jié)點N312。第二泵電路320還響應于第二泵信號PMP2驅動第三提升節(jié)點N320。第三泵電路330響應于第三泵信號PMP3驅動第四提升節(jié)點N330。
第一泵信號PMP1對第一和第二電容器C310和C312充電，由此增加第一提升節(jié)點N310處的電壓和第二提升節(jié)點N312處的電壓。第二泵信號PMP2對第三電容器C320充電，由此增加第三提升節(jié)點N320處的電壓。第三泵信號PMP3對第四電容器C330充電，由此增加第四提升節(jié)點N330處的電壓。
第三開關S314將第二提升節(jié)點N312連接到第三提升節(jié)點N320，由此進一步增加第三提升節(jié)點N320處的電壓。第四和第六開關S316和S330將第一和第三提升節(jié)點N310和N320連接到第四提升節(jié)點N330，由此進一步增加第四提升節(jié)點N330處的電壓。第七開關S340將第四提升節(jié)點N330連接到輸出端，由此在輸出端提供高壓VPP。第一開關S310將第一提升節(jié)點N310連接到電源，以及第二、第三和第五開關S312、S314和S320將第三提升節(jié)點N320連接到電源，由此將第一和第三提升節(jié)點N310和N320預充電到電源電壓VDD。
圖4是圖示圖3中的高壓生成電路的操作的波形時序圖。
參考圖4，在低循環(huán)周期tRC期間，進行電荷泵抽和預充電。在時刻t1和t2之間發(fā)生第一泵抽周期，在時刻t2和t3之間發(fā)生第二泵抽周期，在時刻t3和t4之間發(fā)生第三泵抽周期，在時刻t4和t5之間發(fā)生預充電周期。在第一泵抽周期期間，響應于第一泵信號PMP1由第一和第二電容器C310和C312泵抽電荷。在第二泵抽周期期間，響應于第二泵信號PMP2由第三電容器C320泵抽電荷。在第三泵抽周期期間，響應于第三泵信號PMP3由第四電容器C330泵抽電荷。在時刻t2和t5之間的周期期間，經(jīng)由第一和第二開關S310和S312由電源對第一和第二提升節(jié)點N310和N312預充電。在時刻t3和t5之間的周期期間，經(jīng)由開關S320由電源對第三提升節(jié)點N320預充電。
圖5是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的高壓生成電路的電路圖。
參考圖5，通過晶體管506和508分別將節(jié)點N502和N310預充電到電壓VDD-Vt，其中晶體管506和508以二極管的形式連接到具有電源電壓VDD的電源。由電容器502提升節(jié)點N502，該電容器502由第一預充電信號P1充電，其中預充電信號P1具有提供電源電壓VDD的高邏輯電平。由連接到電源的晶體管S310進一步對節(jié)點N310預充電。晶體管S310的柵極連接到節(jié)點N502。由電容器C310提升節(jié)點N310，該電容器C310由第一泵信號PMP1充電。第一泵信號PMP1具有提供電源電壓VDD的高邏輯電平。
由晶體管510將第二泵電路320中的節(jié)點N312預充電到電壓VDD-Vt，其中晶體管510以二極管的形式連接到電源。由晶體管S312進一步對節(jié)點N312預充電，該晶體管S312連接到電源并且它的柵極連接到節(jié)點N502。由晶體管504進一步對N502預充電，該晶體管504連接到電源并且它的柵極連接到節(jié)點N312。由第二電容器C312進一步提升節(jié)點N312，該電容器C312由第一泵信號PMP1充電。
通過晶體管514將節(jié)點N516預充電到電壓VDD-Vt，其中晶體管514以二極管的形式連接到電源。通過晶體管512進一步對節(jié)點N516預充電，該晶體管512連接到電源并且它的柵極連接到節(jié)點N502。由電容器516提升節(jié)點N516，該電容器516由第一開關信號S1充電。第一開關信號S1具有提供電源電壓VDD的高邏輯電平。通過柵極連接到節(jié)點N516的晶體管S314和S316分別將節(jié)點N312和N310放電到節(jié)點N320和N330。
通過晶體管522將節(jié)點N518預充電到電源電壓VDD，其中晶體管522以二極管的形式連接到電源。通過晶體管520進一步對節(jié)點N518預充電，該晶體管520連接到電源并且它的柵極連接到節(jié)點N320。由電容器C310提升節(jié)點N518，該電容器C310由第二預充電信號P2充電，其中第二預充電信號P2具有提供電源電壓VDD的高邏輯電平。
通過晶體管524將第三提升節(jié)點N320預充電到電壓VDD-Vt，其中晶體管524以二極管的形式連接到電源。通過晶體管523進一步對第三提升節(jié)點N320預充電，該晶體管523連接到電源并且它的柵極連接到節(jié)點N518。由電容器C320提升第三提升節(jié)點N320，該電容器C320由第二泵信號PMP2充電，其中第二泵信號PMP2具有提供電源電壓VDD的高邏輯電平。
通過晶體管528將節(jié)點N530預充電到電壓VDD-Vt，其中晶體管528以二極管的形式連接到電源。通過晶體管526進一步對節(jié)點N530預充電，該晶體管526連接到電源并且它的柵極連接到節(jié)點N518。由電容器530提升節(jié)點N530，該電容器530由第二開關信號S2充電，其中第二開關信號S2具有提供電源電壓VDD的高邏輯電平。節(jié)點N530處的電壓使得晶體管S330導通，從而通過晶體管S330將節(jié)點N320放電到節(jié)點N330，晶體管S330的柵極連接到節(jié)點N530。
通過晶體管536將第三泵電路330中的節(jié)點N532預充電到電壓VDD-Vt，其中晶體管536以二極管的形式連接到電源。通過晶體管534進一步對節(jié)點N532預充電，該晶體管534連接到電源并且它的柵極連接到節(jié)點N330。由電容器532提升節(jié)點N532，該電容器532由第三預充電信號P3充電，其中第三預充電信號P3具有提供電源電壓VDD的高邏輯電平。
通過晶體管542將節(jié)點N546預充電到電壓VDD-Vt，其中晶體管542以二極管的形式連接到電源。通過晶體管540進一步對節(jié)點N546預充電，該晶體管540連接到電源并且它的柵極連接到節(jié)點N532。由電容器546提升節(jié)點N546，該電容器546由第三開關信號S3充電，其中開關信號具有提供電源電壓VDD的高邏輯電平。通過晶體管544將節(jié)點N546放電到節(jié)點N330，晶體管544的柵極連接到節(jié)點N532。
通過晶體管538將節(jié)點N330預充電到電壓VDD-Vt，其中晶體管538以二極管的形式連接到電源。由電容器C330提升節(jié)點N330，該電容器C330由第三泵信號PMP3充電。第三泵信號PMP3具有提供電源電壓VDD的高邏輯電平。節(jié)點N330處的電壓允許晶體管S340在高壓生成電路的輸出端生成高壓VPP，其中晶體管S340的柵極連接到節(jié)點N546。
圖6A和圖6B是圖示圖5中的高壓生成電路的操作的波形時序圖。參考圖5和圖6A，在時刻t1和t2之間，響應于第一泵信號PMP1的上升沿，由電容器C310和C312分別提升節(jié)點N310和N312。同時，通過晶體管S316和S314分別將節(jié)點N310和N312放電到節(jié)點N330和N320中，其中晶體管S316和S314由第一開關信號S1導通。時刻t1和t2之間的間隔是第一泵抽周期，在第一泵抽周期期間，將電荷泵抽到節(jié)點N330中。
在時刻t2和t3之間，響應于第二泵信號PMP2的上升沿，由第三電容器C320提升節(jié)點N320。同時，通過由第二開關信號S2接通的晶體管S330提升節(jié)點N320。結果，提升了節(jié)點N330。時刻t2和t3之間的間隔是第二泵抽周期，在第二泵抽周期期間，將電荷泵抽到節(jié)點N330中。
在時刻t3和t4之間，響應于第三泵信號PMP3的上升沿，通過電容器C330提升節(jié)點N330。時刻t3和t4之間的間隔是第三泵抽周期，在第三泵抽周期期間，將電荷泵抽到節(jié)點N330中。節(jié)點N330處的電壓允許晶體管S340在高壓生成電路的輸出端生成高壓VPP。
在時刻t2，第一預充電信號P1呈現(xiàn)高邏輯電平，從而將晶體管S310和512接通，由此將節(jié)點N310和N312預充電到電源電壓VDD。在時刻t3，第二預充電信號P2呈現(xiàn)高邏輯電平，從而將晶體管523接通，由此將節(jié)點N320預充電到電源電壓VDD。
參考圖6B，實線示出了圖5中的節(jié)點N330處的電壓。在三個泵抽步驟中提升節(jié)點N330處的電壓。第一泵抽步驟發(fā)生在時刻t1和t2之間，第二泵抽步驟發(fā)生在時刻t2和t3之間，第三泵抽步驟發(fā)生在時刻t3和t4之間。在時刻t4和t5之間，節(jié)點N330處的電壓保持恒定不變。相反，如先前參考圖1和圖2所描述的，在時刻t2和t3之間，提升節(jié)點P1A被放電到輸出節(jié)點VCCP中并且被預充電到電源電壓VCC。但是，由于提升節(jié)點P1A處的電壓大于電源電壓VCC，所以提升節(jié)點P1A處的電壓降低到電源電壓VCC并且重新啟動電荷泵抽，從而降低了泵抽效率，如圖6B中的虛線(dotted line)所示。圖6B中所示的三個泵抽步驟克服了傳統(tǒng)高壓生成電路的這個問題。
圖7是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的高壓生成電路700的電路圖。除了在高壓生成電路700中在第三泵電路330中的電源電壓和節(jié)點N330之間連接了電阻器R外，高壓生成電路700等同于圖5中的高壓生成電路。電阻R用來防止在節(jié)點N330和電源之間形成電流通路?？梢杂镁哂写笥趯挾鹊拈L度的晶體管代替電阻器R。電阻器R或者晶體管稱作保持器(keeper)，因為它們保持節(jié)點N330處的電壓防止其浮動。
圖8是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的高壓生成電路800的電路圖。除了在高壓生成電路800中，第三泵電路330還包括延遲器810、控制器820和預充電晶體管830外，高壓生成電路800等同于圖5中的高壓生成電路。
延遲器810通過使第三預充電信號P3延遲預定的時間段而生成延時的第三預充電信號D_P3。控制器820響應于延時的第三預充電信號D_P3來比較節(jié)點N330處的電壓和電源電壓VDD，并且提供比較的結果作為預充電控制信號PP3。將預充電控制信號PP3施加給預充電晶體管830的柵極，該預充電晶體管830連接在電源和節(jié)點N330之間。
圖9是控制器820的電路圖。
參考圖9，控制器820包括比較器901，比較器901比較參考電壓Vref和控制電壓Vctn并且提供輸出。由電源提供參考電壓Vref，由節(jié)點N330提供控制電壓Vctn?？刂破?20還包括使能比較器901的第一PMOS晶體管902和第一NMOS晶體管903?？刂破?20還包括第二PMOS晶體管904和第二NMOS晶體管905，其中第二PMOS晶體管904接收比較器901的輸出，第二NMOS晶體管905接收反轉的第三預充電信號/P3。控制器820還包括觸發(fā)器(flipflop)906，用于響應于延時的第三預充電信號D_P3來鎖存(latch)控制器節(jié)點N904處的信號，并且提供輸出，其中控制器節(jié)點N904在第二PMOS晶體管904和第二NMOS晶體管905之間。比較器802還包括NOR(或非)門907和電容器908，NOR門907接收觸發(fā)器906的輸出和反轉的第三預充電信號/P3，并且提供輸出，電容器908接收NOR門907的輸出，并且提供預充電控制信號PP3。
對于第三預充電信號P3具有低邏輯電平的情況，響應于反轉的第三預充電信號/P3，第二NMOS晶體管905導通，從而迫使控制器節(jié)點N904處的信號呈現(xiàn)低邏輯電平?；蛘?，對于第三預充電信號P3具有高邏輯電平的情況，相應的第一PMOS和NMOS晶體管902和903導通，從而將比較器901連接在電源和地之間，由此使能比較器901。在這些情況下，控制器節(jié)點N904處的信號的值取決于比較器901的輸出。
對于比較器901的輸出具有高邏輯電平的情況，即，對于使能了比較器901并且參考電壓Vref大于控制電壓Vctn的情況，第二PMOS晶體管904和第二NMOS晶體管905截止。結果，控制器節(jié)點N904處的信號具有低邏輯電平。由于觸發(fā)器906響應于延時的第三預充電信號D_P3，鎖存了控制器節(jié)點N904處的信號，所以觸發(fā)器906的輸出具有低邏輯電平。結果，接收了觸發(fā)器906的輸出和反轉的第三預充電信號/P3的NOR門907的輸出具有高邏輯電平。因此，經(jīng)由電容器908提供的預充電控制信號PP3具有高邏輯電平。
對于預充電控制信號PP3具有高邏輯電平的情況，預充電晶體管830導通。對于預充電晶體管803導通并且電源電壓VDD大于節(jié)點N330處的電壓的情況，在電源和節(jié)點N330之間形成電流通路，由此將節(jié)點N330預充電到電源電壓VDD，如圖10中的部分“A”所示。
對于比較器901的輸出具有低邏輯電平的情況，即，對于參考電壓Vref小于控制電壓Vctn的情況，第二PMOS晶體管904導通。對于第二PMOS晶體管904導通并且第二NMOS晶體管905截止的情況，控制器節(jié)點N904處的信號具有高邏輯電平。由于觸發(fā)器906響應于延時的第三預充電信號D_P3，鎖存了控制器節(jié)點N904處的信號，所以觸發(fā)器906的輸出具有低邏輯電平。結果，接收了觸發(fā)器906的輸出和反轉的第三預充電信號的NOR門907的輸出具有低邏輯電平。因此，經(jīng)由電容器908提供的預充電控制信號PP3具有低邏輯電平，結果，預充電晶體管830截止。
根據(jù)上面給出的控制器820的描述，無論何時電壓VDD小于節(jié)點N330處的電壓，預充電晶體管830都截止，由此防止在節(jié)點N330和電源之間形成電流通路。據(jù)此，節(jié)點N330不被放電，并且節(jié)點N330處的電壓維持恒定不變，如圖10中的部分“B”所示。
圖11是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的高壓生成電路1100的電路圖。除了高壓生成電路1100還包括電荷補償器1110外，高壓生成電路1100等同于圖5中的高壓生成電路。電荷補償器1110比較第四提升節(jié)點N330處的電壓和高壓VPP與電源電壓VDD之間的差VPP-VDD，并且確定要供給節(jié)點N330的電荷量。
圖12是電荷補償器1110的電路圖。
參考圖12，電荷補償器1110包括第一到第四電阻器R1、R2、R3和R4，每個都具有電阻R。電荷補償器1110還包括第一比較器1112、第二比較器1114和NMOS晶體管1116。將電壓VDD/2施加給第一比較器1112的第一輸入端(+)，并且將電壓VPP/2施加給第一比較器1112的第二輸入端(-)。結果，根據(jù)基爾霍夫電壓定律(Kirchhoff’s Voltage Law，KVL)在第一比較器1112的輸出節(jié)點N1112上輸出電壓VPP-VDD。將電壓VPP-VDD施加給第二比較器1114的第一輸入端(+)，并且將節(jié)點N330處的電壓施加給第二比較器1114的第二輸入端(-)。第二比較器1114比較電壓VPP-VDD和節(jié)點N330處的電壓，并且提供輸出信號，該輸出信號連接到NMOS晶體管1116的柵極。
根據(jù)上面給出的有關電荷補償器1110的描述，對于節(jié)點N330處的電壓小于電壓VPP-VDD的情況，第二比較器1114的輸出具有高邏輯電平。對于第二比較器1114的輸出具有高邏輯電平的情況，NMOS晶體管1116導通，由此提供節(jié)點N330高電壓VPP?；蛘?，對于節(jié)點N330處的電壓大于電壓VPP-VDD的情況，第二比較器1114的輸出具有低邏輯電平，從而NMOS晶體管1116截止，以防止將電壓VPP供給節(jié)點N330。
電荷補償器1110用于在預充電期間將節(jié)點N330處的電壓維持在恒定電平VPP-VDD。據(jù)此，高壓生成電路1100使用第一到第三泵電路310、320和330獲得最優(yōu)的電荷泵抽效率。
附圖和相應的書面說明中公開的優(yōu)選實施例是示教示例。本領域的普通技術人員將理解，在不背離由所附權利要求書定義的本發(fā)明的范圍的條件下，可以對示例性實施例進行形式和細節(jié)上的各種修改。
本發(fā)明聲明分別于2004年4月12和2004年5月27日提交的韓國專利申請No.10-2004-0024893和No.10-2004-0037688的優(yōu)先權。這些韓國申請的公開全部在此引作參考。
權利要求
1.一種高壓生成電路，包括第一泵電路，用于響應于第一預充電信號將第一提升節(jié)點預充電到電源電壓，并且響應于第一泵信號提升第一提升節(jié)點；第二泵電路，用于響應于第一預充電信號將第二提升節(jié)點預充電到電源電壓，響應于第一泵信號提升第二提升節(jié)點，響應于第二預充電信號對第三提升節(jié)點預充電，并且響應于第二泵信號提升第三提升節(jié)點；第三泵電路，用于響應于第三泵信號提升第四提升節(jié)點；第一開關，用于響應于第一開關信號將第二提升節(jié)點連接到第三提升節(jié)點；第二開關，用于響應于第一開關信號將第一提升節(jié)點連接到第四提升節(jié)點；第三開關，用于響應于第二開關信號將第三提升節(jié)點連接到第四提升節(jié)點；以及第四開關，用于響應于第三開關信號將第四提升節(jié)點連接到輸出端，由此在輸出端提供高電壓。
2.如權利要求1所述的高壓生成電路，其中所述第一泵電路包括第一晶體管，其以二極管形式連接在提供電源電壓的電源和第一提升節(jié)點之間；第一電容器，用于提升第一預充電信號；第二晶體管，其以二極管形式連接在電源和第一電容器之間；第三晶體管，其連接在電源和第一電容器之間，并且具有柵極；第四晶體管，其連接在電源和第一提升節(jié)點之間，并且具有連接到第一電容器的柵極；以及第二電容器，用于提升第一泵信號，由此提升第一提升節(jié)點。
3.如權利要求1所述的高壓生成電路，其中所述第二泵電路包括第一晶體管，其以二極管形式連接在提供電源電壓的電源和第二提升節(jié)點之間；第一電容器，用于提升第一泵信號，由此提升第二提升節(jié)點；第二晶體管，其連接在電源和第二提升節(jié)點之間，并且具有接收提升后的第一預充電信號的柵極；第三晶體管，其以二極管形式連接在電源和第三提升節(jié)點之間；第二電容器，用于提升第二預充電信號；第四晶體管，其以二極管形式連接在電源和第二電容器之間；第五晶體管，其連接在電源和第二電容器之間，并且具有連接到第三提升節(jié)點的柵極；第六晶體管，其連接在電源和第三提升節(jié)點之間，并且具有連接到第二電容器的柵極；以及第三電容器，用于提升第二泵信號，由此提升第三提升節(jié)點。
4.如權利要求1所述的高壓生成電路，其中所述第三泵電路包括第一晶體管，其以二極管形式連接在提供電源電壓的電源和第四提升節(jié)點之間；第一電容器，用于提升第三預充電信號；第二晶體管，其以二極管形式連接在電源和第一電容器之間；第三晶體管，其連接在電源和第一電容器之間，并且具有連接到第四提升節(jié)點的柵極；以及第二電容器，用于提升第三泵信號，由此提升第四提升節(jié)點。
5.如權利要求1所述的高壓生成電路，其中所述第一開關包括電容器，用于提升第一開關信號；第一晶體管，其以二極管形式連接在提供電源電壓的電源和所述電容器之間；第二晶體管，其連接在電源和所述電容器之間，并且具有連接到提升后的第一預充電信號的柵極；以及第三晶體管，其連接在第二提升節(jié)點和第三提升節(jié)點之間，并且具有連接到所述電容器的柵極。
6.如權利要求1所述的高壓生成電路，其中所述第二開關包括電容器，用于提升第一開關信號；第一晶體管，其以二極管形式連接在提供電源電壓的電源和所述電容器之間；第二晶體管，其連接在電源和所述電容器之間，并且具有連接到提升后的第一預充電信號的柵極；以及第三晶體管，其連接在第一提升節(jié)點和第四提升節(jié)點之間，并且具有連接到所述電容器的柵極。
7.如權利要求1所述的高壓生成電路，其中所述第三開關包括電容器，用于提升第二開關信號；第一晶體管，其以二極管形式連接在提供電源電壓的電源和所述電容器之間；第二晶體管，其連接在電源和所述電容器之間，并且具有連接到提升后的第二預充電信號的柵極；以及第三晶體管，其連接在第三提升節(jié)點和第四提升節(jié)點之間，并且具有連接到所述電容器的柵極。
8.如權利要求1所述的高壓生成電路，其中所述第四開關包括電容器，用于提升第三開關信號；第一晶體管，其以二極管形式連接在提供電源電壓的電源和所述電容器之間；第二晶體管，其連接在電源和所述電容器之間，并且具有連接到提升后的第三預充電信號的柵極；第三晶體管，其連接在所述電容器和第四提升節(jié)點之間，并且具有連接到提升后的第三預充電信號的柵極；以及第四晶體管，其連接在第四提升節(jié)點和輸出端之間，并且具有連接到所述電容器的柵極。
9.一種高壓生成電路，包括第一泵電路，用于響應于第一預充電信號將第一提升節(jié)點預充電到電源電壓，并且響應于第一泵信號提升第一提升節(jié)點；第二泵電路，用于響應于第一預充電信號將第二提升節(jié)點預充電到電源電壓，響應于第一泵信號提升第二提升節(jié)點，響應于第二預充電信號對第三提升節(jié)點預充電，并且響應于第二泵信號提升第三提升節(jié)點；第三泵電路，用于響應于第三泵信號提升第四提升節(jié)點，并且該第三泵電路包括連接在提供電源電壓的電源和第四提升節(jié)點之間的保持器；第一開關，用于響應于第一開關信號將第二提升節(jié)點連接到第三提升節(jié)點；第二開關，用于響應于第一開關信號將第一提升節(jié)點連接到第四提升節(jié)點；第三開關，用于響應于第二開關信號將第三提升節(jié)點連接到第四提升節(jié)點；以及第四開關，用于響應于第三開關信號將第四提升節(jié)點連接到輸出端，由此在輸出端提供高電壓。
10.如權利要求9所述的高壓生成電路，其中所述保持器包括電容器。
11.如權利要求9所述的高壓生成電路，其中所述保持器包括具有長度和寬度的晶體管，其中所述長度大于所述寬度。
12.如權利要求9所述的高壓生成電路，其中所述第一泵電路包括第一晶體管，其以二極管形式連接在電源和第一提升節(jié)點之間；第一電容器，用于提升第一預充電信號；第二晶體管，其以二極管形式連接在電源和第一電容器之間；第三晶體管，其連接在電源和第一電容器之間；第四晶體管，其連接在電源和第一提升節(jié)點之間，并且具有連接到第一電容器的柵極；以及第二電容器，用于提升第一泵信號，由此提升第一提升節(jié)點。
13.如權利要求9所述的高壓生成電路，其中所述第二泵電路包括第一晶體管，其以二極管形式連接在電源和第二提升節(jié)點之間；第一電容器，用于提升第一泵信號，由此提升第二提升節(jié)點；第二晶體管，其連接在電源和第二提升節(jié)點之間，并且具有接收提升后的第一預充電信號的柵極；第三晶體管，其以二極管形式連接在電源和第三提升節(jié)點之間；第二電容器，用于提升第二預充電信號；第四晶體管，其以二極管形式連接在電源和第二電容器之間；第五晶體管，其連接在電源和第二電容器之間，并且具有連接到第三提升節(jié)點的柵極；第六晶體管，其連接在電源和第三提升節(jié)點之間，并且具有連接到第二電容器的柵極；以及第三電容器，用于提升第二泵信號，由此提升第三提升節(jié)點。
14.如權利要求9所述的高壓生成電路，其中所述第三泵電路包括第一晶體管，其以二極管形式連接在電源和第四提升節(jié)點之間；第一電容器，用于提升第三預充電信號；第二晶體管，其以二極管形式連接在電源和第一電容器之間；第三晶體管，其連接在電源和第一電容器之間，并且具有連接到第四提升節(jié)點的柵極；以及第二電容器，用于提升第三泵信號，由此提升第四提升節(jié)點。
15.如權利要求9所述的高壓生成電路，其中所述第一開關包括電容器，用于提升第一開關信號；第一晶體管，其以二極管形式連接在電源和所述電容器之間；第二晶體管，其連接在電源和所述電容器之間，并且具有連接到提升后的第一預充電信號的柵極；以及第三晶體管，其連接在第二提升節(jié)點和第三提升節(jié)點之間，并且具有連接到所述電容器的柵極。
16.如權利要求9所述的高壓生成電路，其中所述第二開關包括電容器，用于提升第一開關信號；第一晶體管，其以二極管形式連接在電源和所述電容器之間；第二晶體管，其連接在電源和所述電容器之間，并且具有連接到提升后的第一預充電信號的柵極；以及第三晶體管，其連接在第一提升節(jié)點和第四提升節(jié)點之間，并且具有連接到所述電容器的柵極。
17.如權利要求9所述的高壓生成電路，其中所述第三開關包括電容器，用于提升第二開關信號；第一晶體管，其以二極管形式連接在電源和所述電容器之間；第二晶體管，其連接在電源和所述電容器之間，并且具有連接到提升后的第二預充電信號的柵極；以及第三晶體管，其連接在第三提升節(jié)點和第四提升節(jié)點之間，并且具有連接到所述電容器的柵極。
18.如權利要求9所述的高壓生成電路，其中所述第四開關包括電容器，用于提升第三開關信號；第一晶體管，其以二極管形式連接在電源和所述電容器之間；第二晶體管，其連接在電源和所述電容器之間，并且具有連接到提升后的第三預充電信號的柵極；第三晶體管，其連接在所述電容器和第四提升節(jié)點之間，并且具有連接到提升后的第三預充電信號的柵極；以及第四晶體管，其連接在第四提升節(jié)點和輸出端之間，并且具有連接到所述電容器的柵極。
19.一種高壓生成電路，包括第一泵電路，用于響應于第一預充電信號將第一提升節(jié)點預充電到電源電壓，并且響應于第一泵信號提升第一提升節(jié)點；第二泵電路，用于響應于第一預充電信號將第二提升節(jié)點預充電到電源電壓，響應于第一泵信號提升第二提升節(jié)點，響應于第二預充電信號對第三提升節(jié)點預充電，并且響應于第二泵信號提升第三提升節(jié)點；第三泵電路，用于選擇性地響應于預充電控制信號對第四提升節(jié)點預充電，和響應于第三泵信號提升第四提升節(jié)點；第一開關，用于響應于第一開關信號將第二提升節(jié)點連接到第三提升節(jié)點；第二開關，用于響應于第一開關信號將第一提升節(jié)點連接到第四提升節(jié)點；第三開關，用于響應于第二開關信號將第三提升節(jié)點連接到第四提升節(jié)點；以及第四開關，用于響應于第三開關信號將第四提升節(jié)點連接到輸出端，由此在輸出端提供高電壓。
20.如權利要求19所述的高壓生成電路，其中由控制器生成所述預充電控制信號，所述控制器包括比較器，用于響應于第三預充電信號比較電源電壓和第四提升節(jié)點處的電壓，所述比較器具有輸出；第一晶體管，其連接在控制器節(jié)點和地之間，并且具有接收第三預充電信號的柵極；第二晶體管，其連接在提供電源電壓的電源和控制器節(jié)點之間，并且具有連接到比較器的輸出的柵極；延遲器，用于接收第三預充電信號，并且使該第三預充電信號延遲預定的時間段；觸發(fā)器，用于響應于延時后的預充電信號鎖存控制器節(jié)點處的信號，所述觸發(fā)器具有輸出；邏輯門，用于接收所述觸發(fā)器的輸出和第三預充電信號；電容器，用于提升所述邏輯門的輸出；以及第三晶體管，其連接在電源和第四提升節(jié)點之間，并且具有連接到所述電容器的柵極。
21.如權利要求19所述的高壓生成電路，其中所述第一泵電路包括第一晶體管，其以二極管形式連接在提供電源電壓的電源和第一提升節(jié)點之間；第一電容器，用于提升第一預充電信號；第二晶體管，其以二極管形式連接在電源和第一電容器之間；第三晶體管，其連接在電源和第一電容器之間，并且具有柵極；第四晶體管，其連接在電源和第一提升節(jié)點之間，并且具有連接到第一電容器的柵極；以及第二電容器，用于提升第一泵信號，由此提升第一提升節(jié)點。
22.如權利要求19所述的高壓生成電路，其中所述第二泵電路包括第一晶體管，其以二極管形式連接在具有電源電壓的電源和第二提升節(jié)點之間；第一電容器，用于提升第一泵信號，由此提升第二提升節(jié)點；第二晶體管，其連接在電源和第二提升節(jié)點之間，并且具有接收提升后的第一預充電信號的柵極；第三晶體管，其以二極管形式連接在電源和第三提升節(jié)點之間；第二電容器，用于提升第二預充電信號；第四晶體管，其以二極管形式連接在電源和第二電容器之間；第五晶體管，其連接在電源和第二電容器之間，并且具有連接到第三提升節(jié)點的柵極；第六晶體管，其連接在電源和第三提升節(jié)點之間，并且具有連接到第二電容器的柵極；以及第三電容器，用于提升第二泵信號，由此提升第三提升節(jié)點。
23.如權利要求19所述的高壓生成電路，其中所述第三泵電路包括第一晶體管，其以二極管形式連接在提供電源電壓的電源和第四提升節(jié)點之間；第一電容器，用于提升第三預充電信號；第二晶體管，其以二極管形式連接在電源和第一電容器之間；第三晶體管，其連接在電源和第一電容器之間，并且具有連接到第四提升節(jié)點的柵極；以及第二電容器，用于提升第三泵信號，由此提升第四提升節(jié)點。
24.如權利要求19所述的高壓生成電路，其中所述第一開關包括電容器，用于提升第一開關信號；第一晶體管，其以二極管形式連接在提供電源電壓的電源和所述電容器之間；第二晶體管，其連接在電源和所述電容器之間，并且具有連接到提升后的第一預充電信號的柵極；以及第三晶體管，其連接在第二提升節(jié)點和第三提升節(jié)點之間，并且具有連接到所述電容器的柵極。
25.如權利要求19所述的高壓生成電路，其中所述第二開關包括電容器，用于提升第一開關信號；第一晶體管，其以二極管形式連接在提供電源電壓的電源和所述電容器之間；第二晶體管，其連接在電源和所述電容器之間，并且具有連接到提升后的第一預充電信號的柵極；以及第三晶體管，其連接在第一提升節(jié)點和第四提升節(jié)點之間，并且具有連接到所述電容器的柵極。
26.如權利要求19所述的高壓生成電路，其中所述第三開關包括電容器，用于提升第二開關信號；第一晶體管，其以二極管形式連接在電源和所述電容器之間；第二晶體管，其連接在電源和所述電容器之間，并且具有連接到提升后的第二預充電信號的柵極；以及第三晶體管，其連接在第三提升節(jié)點和第四提升節(jié)點之間，并且具有連接到所述電容器的柵極。
27.如權利要求19所述的高壓生成電路，其中所述第四開關包括電容器，用于提升第三開關信號；第一晶體管，其以二極管形式連接在提供電源電壓的電源和所述電容器之間；第二晶體管，其連接在電源和所述電容器之間，并且具有連接到提升后的第三預充電信號的柵極；第三晶體管，其連接在所述電容器和第四提升節(jié)點之間，并且具有連接到提升后的第三預充電信號的柵極；以及第四晶體管，其連接在第四提升節(jié)點和輸出端之間，并且具有連接到所述電容器的柵極。
28.一種高壓生成電路，包括第一泵電路，用于響應于第一預充電信號將第一提升節(jié)點預充電到電源電壓，并且響應于第一泵信號提升第一提升節(jié)點；第二泵電路，用于響應于第一預充電信號將第二提升節(jié)點預充電到電源電壓，響應于第一泵信號提升第二提升節(jié)點，響應于第二預充電信號對第三提升節(jié)點預充電，并且響應于第二泵信號提升第三提升節(jié)點；第三泵電路，用于使用電荷泵抽單元將第四提升節(jié)點預充電到預定的電壓，并且響應于第三泵信號提升第四提升節(jié)點，所述電荷泵抽單元比較電源電壓和高壓；第一開關，用于響應于第一開關信號將第二提升節(jié)點連接到第三提升節(jié)點；第二開關，用于響應于第一開關信號將第一提升節(jié)點連接到第四提升節(jié)點；第三開關，用于響應于第二開關信號將第三提升節(jié)點連接到第四提升節(jié)點；以及第四開關，用于響應于第三開關信號將第四提升節(jié)點連接到輸出端，由此在輸出端提供高電壓。
29.如權利要求28所述的高壓生成電路，其中所述第三泵電路包括電荷補償器，所述電荷補償器包括第一電阻器，其具有第一端和第二端，其中第一端連接到提供電源電壓的電源；第二電阻器，其具有第一端和第二端，其中第一端連接到輸出端；第一比較器，其具有第一輸入、第二輸入和輸出，其中第一輸入連接到第一電阻器的第二端，第二輸入連接到第二電阻器的第二端；第三電阻器，其連接在第一電阻器的第二端和第一比較器的輸出之間；第四電阻器，其連接在第二電阻器的第二端和地之間；第二比較器，其具有第一輸入和第二輸入，其中第一輸入連接到第一比較器的輸出，第二輸入連接到第四提升節(jié)點；以及晶體管，其連接在輸出端和第四提升節(jié)點之間，并且具有連接到第二比較器的輸出的柵極。
30.如權利要求28所述的高壓生成電路，其中所述第一泵電路包括第一晶體管，其以二極管形式連接在提供電源電壓的電源和第一提升節(jié)點之間；第一電容器，用于提升第一預充電信號；第二晶體管，其以二極管形式連接在電源和第一電容器之間；第三晶體管，其連接在電源和第一電容器之間，并且具有柵極；第四晶體管，在連接在電源和第一提升節(jié)點之間，并且具有連接到第一電容器的柵極；以及第二電容器，用于提升第一泵信號，由此提升第一提升節(jié)點。
31.如權利要求28所述的高壓生成電路，其中所述第二泵電路包括第一晶體管，其以二極管形式連接在提供電源電壓的電源和第二提升節(jié)點之間；第一電容器，用于提升第一泵信號，由此提升第二提升節(jié)點；第二晶體管，其連接在電源和第二提升節(jié)點之間，并且具有接收提升后的第一預充電信號的柵極；第三晶體管，其以二極管形式連接在電源和第三提升節(jié)點之間；第二電容器，用于提升第二預充電信號；第四晶體管，其以二極管形式連接在電源和第二電容器之間；第五晶體管，其連接在電源和第二電容器之間，并且具有連接到第三提升節(jié)點的柵極；第六晶體管，其連接在電源和第三提升節(jié)點之間，并且具有連接到第二電容器的柵極；以及第三電容器，用于提升第二泵信號，由此提升第三提升節(jié)點。
32.如權利要求28所述的高壓生成電路，其中所述第三泵電路包括第一晶體管，其以二極管形式連接在提供電源電壓的電源和第四提升節(jié)點之間；第一電容器，用于提升第三預充電信號；第二晶體管，其以二極管形式連接在電源和第一電容器之間；第三晶體管，其連接在電源和第一電容器之間，并且具有連接到第四提升節(jié)點的柵極；以及第二電容器，用于提升第三泵信號，由此提升第四提升節(jié)點。
33.如權利要求28所述的高壓生成電路，其中所述第一開關包括電容器，用于提升第一開關信號；第一晶體管，其以二極管形式連接在提供電源電壓的電源和所述電容器之間；第二晶體管，其連接在電源和所述電容器之間，并且具有連接到提升后的第一預充電信號的柵極；以及第三晶體管，其連接在第二提升節(jié)點和第三提升節(jié)點之間，并且具有連接到所述電容器的柵極。
34.如權利要求28所述的高壓生成電路，其中所述第二開關包括電容器，用于提升第一開關信號；第一晶體管，其以二極管形式連接在提供電源電壓的電源和所述電容器之間；第二晶體管，其連接在電源和所述電容器之間，并且具有連接到提升后的第一預充電信號的柵極；以及第三晶體管，其連接在第一提升節(jié)點和第四提升節(jié)點之間，并且具有連接到所述電容器的柵極。
35.如權利要求28所述的高壓生成電路，其中所述第三開關包括電容器，用于提升第二開關信號；第一晶體管，其以二極管形式連接在提供電源電壓的電源和所述電容器之間；第二晶體管，其連接在電源和所述電容器之間，并且具有連接到提升后的第二預充電信號的柵極；以及第三晶體管，其連接在第三提升節(jié)點和第四提升節(jié)點之間，并且具有連接到所述電容器的柵極。
36.如權利要求28所述的高壓生成電路，其中所述第四開關包括電容器，用于提升第三開關信號；第一晶體管，其以二極管形式連接在電源和所述電容器之間，所述電源具有電源電壓；第二晶體管，其連接在電源和所述電容器之間，并且具有連接到提升后的第三預充電信號的柵極；第三晶體管，其連接在所述電容器和第四提升節(jié)點之間，并且具有連接到提升后的第三預充電信號的柵極；以及第四晶體管，其連接在第四提升節(jié)點和輸出端之間，并且具有連接到所述電容器的柵極。
37.一種通過相繼進行預充電和提升生成高壓的高壓生成電路，包括電源，用于對提升節(jié)點預充電；提升所述提升節(jié)點的泵信號；開關，用于將提升節(jié)點連接到輸出端；保持器，用于防止在預充電期間在提升節(jié)點和電源之間形成電流通路。
38.如權利要求37所述的高壓生成電路，其中所述保持器包括連接在電源和提升節(jié)點之間的電阻器。
39.如權利要求37所述的高壓生成電路，其中所述保持器包括長度大于寬度的晶體管。
40.一種通過相繼進行預充電和提升生成高壓的高壓生成電路，包括電源，用于將提升節(jié)點預充電到電源電壓；提升所述提升節(jié)點的泵信號；開關，用于將提升節(jié)點連接到輸出端，由此在輸出端提供高壓；電荷補償器，用于在預充電期間將提升節(jié)點處的電壓維持在預定的電平。
41.如權利要求40所述的高壓生成電路，其中所述電荷補償器將提升節(jié)點處的電壓維持在等于高壓和電源電壓之間的差的電壓電平。
42.如權利要求40所述的高壓生成電路，其中所述電荷補償器包括第一電阻器，其具有第一端和第二端，其中第一端連接到電源；第二電阻器，其具有第一端和第二端，其中第一端連接到輸出端；第一比較器，其具有第一輸入、第二輸入和輸出，其中第一輸入連接到第一電阻器的第二端，第二輸入連接到第二電阻器的第二端；第三電阻器，其連接在第一電阻器的第二端和第一比較器的輸出之間；第四電阻器，其連接在第二電阻器的第二端和地之間；第二比較器，其具有第一輸入和第二輸入，其中第一輸入連接到第一比較器的輸出，第二輸入連接到提升節(jié)點；以及晶體管，其連接在輸出端和提升節(jié)點之間，并且具有連接到第二比較器的輸出的柵極。
43.如權利要求2所述的高壓生成電路，其中所述第一到第四晶體管是NMOS晶體管。
44.如權利要求20所述的高壓生成電路，其中所述第一到第三晶體管是NMOS晶體管。
45.如權利要求30所述的高壓生成電路，其中所述第一到第四晶體管是NMOS晶體管。
全文摘要
公開了一種高壓生成電路。在該高壓生成電路中，由多個泵電路對提升節(jié)點預充電和提升，然后將提升節(jié)點放電到輸出端。對于提升節(jié)點處的電壓小于電源電壓的情況，提升節(jié)點處的電壓被推舉到電源電壓。對于提升節(jié)點處的電源大于電源電壓的情況，防止在提升節(jié)點和電源電壓之間形成電流通路，從而保持提升節(jié)點處的電壓。
文檔編號G11C7/12GK1684195SQ20051006410
公開日2005年10月19日 申請日期2005年4月11日 優(yōu)先權日2004年4月12日
發(fā)明者鞠廷勛, 金正錫, 金大煥, 李中和 申請人:三星電子株式會社