專(zhuān)利名稱(chēng)：平面型垂直記錄頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于垂直記錄的磁薄膜頭，特別涉及這種磁頭中使用的磁極片和屏蔽件、以及使用這種磁頭的存儲(chǔ)裝置。
背景技術(shù)：
在常見(jiàn)的現(xiàn)有技術(shù)磁盤(pán)記錄系統(tǒng)中，包括磁換能器(magnetic transducer)的滑塊由懸架(suspension)支撐著在磁盤(pán)之上飛行，磁換能器用來(lái)讀出和寫(xiě)入磁轉(zhuǎn)變(magnetic transition)，心軸電機(jī)(spindle motor)使磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)。磁盤(pán)包括多層薄膜以及至少一層鐵磁性薄膜，在鐵磁性薄膜中，記錄(寫(xiě)入)頭記錄磁轉(zhuǎn)變，信息被編碼在磁轉(zhuǎn)變中。介質(zhì)中的磁疇可以縱向或垂直地被寫(xiě)入。利用薄膜加工技術(shù)，將滑塊的讀出和寫(xiě)入頭部分構(gòu)建為多層。通常，先形成讀出頭，但也可以先制造寫(xiě)入頭。傳統(tǒng)的寫(xiě)入頭是感應(yīng)式的，而讀傳感器是磁阻式(magnetoresistive)的。
在使用垂直記錄的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中，記錄頭設(shè)計(jì)成能引導(dǎo)磁通量在垂直于磁盤(pán)平面的方向通過(guò)記錄層。通常，用于垂直記錄的磁盤(pán)具有硬磁記錄層和磁性軟襯層。在使用單極型磁頭的記錄操作期間，磁通量被引導(dǎo)從記錄頭的主極垂直地通過(guò)硬磁記錄層，然后進(jìn)入軟襯層平面并回到記錄頭中的返回極。主極片(main pole piece)和相關(guān)屏蔽件的形狀和尺寸是決定磁道寬度的主要因素。
Nakamura等人的美國(guó)公開(kāi)的申請(qǐng)2003/0151850中描述了一種具有下行軌(down-track)主極的單極磁頭。主極由至少兩部分構(gòu)成，其中第一部分的寬度在介質(zhì)移動(dòng)方向從上行軌(up-track)側(cè)到下行軌(down-track)側(cè)持續(xù)增加，第二部分的寬度與在介質(zhì)移動(dòng)方向上的第一部分的下行軌邊緣的寬度相同，并且第二部分的寬度在介質(zhì)移動(dòng)方向從上行軌側(cè)到下行軌側(cè)保持不變。這樣據(jù)說(shuō)是為了防止記錄磁場(chǎng)強(qiáng)度在磁道邊緣下降，并增加有效磁道寬度，同時(shí)抑制旁側(cè)寫(xiě)入(side-writing)，因此實(shí)現(xiàn)具有高磁道密度的磁記錄盤(pán)裝置。
授權(quán)給Mallary等人的美國(guó)專(zhuān)利RE33,949中描述了一種用于垂直記錄的單極磁頭，它包括所謂的“下游屏蔽件(downstream shield)”(下行軌down-track)，“下游屏蔽件”在后面被連接到寫(xiě)入極，并在氣墊面(air bearingsurfaceABS)處與寫(xiě)入極分開(kāi)一小縫隙。屏蔽件的ABS面設(shè)計(jì)成為寫(xiě)入極截面的面積的很多倍，這樣磁通量返回截面起到磁屏蔽的作用。來(lái)自寫(xiě)入極尖的磁通量密度足夠來(lái)實(shí)現(xiàn)垂直記錄，而進(jìn)入下游磁屏蔽件的磁通量密度很低，這樣先前記錄的模式?jīng)]有被翻轉(zhuǎn)或弱化。
在制造薄膜磁換能器的常規(guī)工藝中，在晶片上同時(shí)形成大量換能器?；窘Y(jié)構(gòu)形成后，晶片被鋸成行或單個(gè)的換能器。雖然鋸是把晶片分成單個(gè)滑塊的常用方法，近來(lái)利用含氟等離子體的反應(yīng)離子刻蝕(RIE)或深度反應(yīng)離子刻蝕(DRIE)已被使用。晶片切割時(shí)暴露出來(lái)的、滑塊的垂直于晶片表面的表面最后形成滑塊的氣墊面(ABS)。鋸平面的不確定性產(chǎn)生磁條高度的不可接受的變化，如果不修正的話(huà)它會(huì)導(dǎo)致磁性能上不能接受的變化。現(xiàn)有技術(shù)中使用研磨工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)納米范圍內(nèi)的磁條高度控制。對(duì)于具有后屏蔽件(trailing shield)的垂直記錄磁頭，后屏蔽件的厚度也由研磨工藝的終點(diǎn)決定。
研磨后，磁換能器的ABS上形成通常稱(chēng)為“軌道(rail)”的構(gòu)造。傳統(tǒng)上軌道用來(lái)決定滑塊的空氣動(dòng)力學(xué)特性，并在換能器接觸旋轉(zhuǎn)的或靜止的介質(zhì)時(shí)作為接觸面。
現(xiàn)有技術(shù)中，ABS處的極片形狀限定在與晶片表面垂直的橫截面內(nèi)?，F(xiàn)在需要的是無(wú)需研磨即可制造并且具有光刻限定的ABS處的極片形狀的磁記錄頭。

發(fā)明內(nèi)容
將描述一種用于垂直記錄的不需要研磨的磁頭(滑塊)。該磁頭具有平行于晶片表面的氣墊面。線(xiàn)圈和極片由平行于氣墊面設(shè)置的薄膜形成?？梢允褂脴?biāo)準(zhǔn)光刻技術(shù)來(lái)限定形狀、縫隙和極片尺寸。可以形成非直線(xiàn)形狀，例如與寫(xiě)極片區(qū)域周?chē)恢碌膫?cè)屏蔽件。主極片和返回極片的厚度由沉積工藝而不是研磨控制。用來(lái)將各個(gè)滑塊與晶片其余部分分離的鋸切垂直于氣墊面，并且不經(jīng)過(guò)任何重要部件。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的磁頭的選定組件的等距視圖(isometricillustration)。
圖2(a)示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的具有后屏蔽件的寫(xiě)入頭的垂直于晶片表面的中線(xiàn)截面。
圖2(b)示出從晶片表面也就是ABS觀察到的圖2(a)所示的磁頭組件之間的關(guān)系。
圖3(a)示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的具有單探針尖的寫(xiě)入頭的垂直于晶片表面的中線(xiàn)截面。
圖3(b)示出從晶片表面也就是ABS觀察到的圖3(a)所示的磁頭組件之間的關(guān)系。
圖3(c)示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的具有單探針尖的寫(xiě)入頭的垂直于晶片表面的中線(xiàn)截面，該單探針尖沒(méi)有與連接極片的內(nèi)部對(duì)齊。
圖4(a)示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的具有后屏蔽件和側(cè)屏蔽件的寫(xiě)入頭的垂直于晶片表面的中線(xiàn)截面。
圖4(b)示出從晶片表面也就是ABS觀察到的圖4(a)所示的磁頭組件之間的關(guān)系。
圖4(c)示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的寫(xiě)入頭的垂直晶片表面的中線(xiàn)截面。
圖5示出根據(jù)本發(fā)明的具有梯形極尖的實(shí)施例的后屏蔽件和側(cè)屏蔽件的ABS放大視圖。
圖6示出從ABS觀察的根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的寫(xiě)入頭和讀出頭的前后排列。
圖7是根據(jù)本發(fā)明制造的具有多個(gè)磁頭的晶片的切割線(xiàn)的等距視圖。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的磁頭的一實(shí)施例的與ABS相反的底表面的圖。
具體實(shí)施例方式
這里所描述的磁頭的各種實(shí)施例不需要研磨。為了實(shí)現(xiàn)這種磁頭設(shè)計(jì)，寫(xiě)入頭和讀出頭必須集成在制造工藝中，該工藝中晶片表面及根據(jù)本發(fā)明的磁頭中的薄膜層平行于ABS。制造磁頭的現(xiàn)有技術(shù)方法中，薄膜沉積在晶片表面并且當(dāng)然與晶片表面平行，但是晶片及所述薄膜被切割從而暴露薄膜的邊緣?，F(xiàn)有技術(shù)的包括研磨在內(nèi)的ABS加工在暴露的邊緣上進(jìn)行并且最終的ABS垂直于所述薄膜平面取向。相反，根據(jù)本發(fā)明，ABS在晶片上面，并且用來(lái)將磁頭與晶片上多個(gè)其他磁頭分開(kāi)的切割在垂直于ABS的四側(cè)的非功能性材料中進(jìn)行，如圖7所示。示出了大量磁頭(或滑塊)20被沉積在晶片表面上后的晶片17。標(biāo)注了M的線(xiàn)代表晶片17中的來(lái)將磁頭20與晶片17分離開(kāi)的切割。線(xiàn)K、J、P、Q、R和S標(biāo)記了未來(lái)的切割線(xiàn)。每個(gè)磁頭20具有平行于ABS制造的讀出頭30和寫(xiě)入頭40，ABS也就是晶片17的上表面。圖7中的元件并不符合比例，因?yàn)槿绫绢I(lǐng)域技術(shù)人員所清楚的那樣，相對(duì)于磁頭20，讀出頭30和寫(xiě)入頭40的實(shí)際尺寸比圖中所示的要小很多。讀出頭30和寫(xiě)入頭40在磁頭20上的位置也不具有代表性。優(yōu)選地讀出頭30和寫(xiě)入頭40位于非常接近邊緣的地方，當(dāng)磁頭20安裝在磁存儲(chǔ)裝置中時(shí)該邊緣將是磁頭20的后緣。因?yàn)楦鶕?jù)本發(fā)明的工藝中不需要研磨，讀出頭和寫(xiě)入頭在“z”方向上不需要嚴(yán)格對(duì)齊(critical alignment)。因?yàn)橹匾Y(jié)構(gòu)是通過(guò)沉積的厚度形成而不是通過(guò)機(jī)械去除材料形成，所以減小了“z”方向上對(duì)齊的需要。但是，對(duì)于所有磁頭，相對(duì)于寫(xiě)縫隙中心線(xiàn)位置的讀傳感器中心線(xiàn)位置確實(shí)依賴(lài)于對(duì)齊，而這是通過(guò)光刻達(dá)到的?，F(xiàn)有技術(shù)方案中，需要“z”方向上讀出頭和寫(xiě)入頭對(duì)齊，因?yàn)檠心サ慕K點(diǎn)決定讀傳感器的最終磁條高度，以及寫(xiě)入頭中的臨界尺寸(critical dimension)。但是，垂直記錄磁頭中，對(duì)于在讀傳感器和寫(xiě)入頭中同時(shí)形成精確尺寸，現(xiàn)有技術(shù)ABS加工難以有效。例如，在一些垂直磁頭方案中，讀傳感器頂部必須參照后屏蔽件型返回極片的頂部，而且研磨同時(shí)減小后屏蔽件厚度和磁條高度，這使得難以精確控制兩者尺寸。根據(jù)本發(fā)明的工藝中，包括讀傳感器和后屏蔽件的頂部的ABS的平坦化可以通過(guò)簡(jiǎn)單的平坦化步驟完成，例如化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)，并且后屏蔽件和傳感器厚度由薄膜沉積而不是研磨決定。另外，本發(fā)明可以制造簡(jiǎn)單單極磁頭，其中極尖(pole tip)的形狀通過(guò)離子研磨和光刻形成。
構(gòu)造具有平行于ABS形成的返回極片或屏蔽件的垂直記錄頭(即，將磁頭設(shè)計(jì)與平行于晶片加工表面的ABS結(jié)合)的優(yōu)點(diǎn)包括1.屏蔽件和傳感器厚度的控制由沉積而不是研磨決定。
2.寫(xiě)縫隙由光刻步驟控制。
3.重要ABS構(gòu)造的形狀由使用薄抗蝕劑而不是厚抗蝕劑結(jié)構(gòu)的光刻來(lái)控制。
4.重要元件的對(duì)齊由光刻控制。
5.與主(寫(xiě))極周?chē)嘁恢碌姆侵本€(xiàn)屏蔽件形狀可以光刻形成。
對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的磁頭20的概觀，參照?qǐng)D1，其為去掉了覆蓋層和襯底的選定元件的立體圖(isometric illustration)。此實(shí)施例是后屏蔽設(shè)計(jì)。圖不符合比例，因?yàn)榇蟮某叽绶秶鷮⑹怪磺宄?。除了下面注明的地方外，相?duì)尺寸根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)確定，并且對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是明顯的。圖1中指明的X和Y軸平行于晶片表面，Z軸垂直于晶片表面。預(yù)定介質(zhì)移動(dòng)方向在圖中是沿著Y軸從左到右。本實(shí)施例中相對(duì)于介質(zhì)移動(dòng)方向讀出頭30和寫(xiě)入頭40并排設(shè)置。本發(fā)明使用引線(xiàn)焊盤(pán)(lead pad)61、62、63、64，它們?cè)O(shè)置在磁頭20的底部上，所述底部也是制造期間晶片的底部。注意，讀出頭30和寫(xiě)入頭40不但可以并排放置，也可以前后放置，即順著磁道。因此，引線(xiàn)焊盤(pán)61、62、63、64在晶片底部上，這也示于圖8。讀出頭30和寫(xiě)入頭40形成在晶片的上表面上。電連接器71、72、73、74穿過(guò)晶片從頂部延伸到底部，也就是在Z軸方向，從而將讀出頭30和寫(xiě)入頭40連接到引線(xiàn)焊盤(pán)61、62、63和64。制造用于電連接器71、72、73、74的例如200μm的較深的通孔的一種方法是使用進(jìn)入到硅體中的深度RIE?？梢杂勉~填充通孔從而形成連接。寫(xiě)入頭40中的線(xiàn)圈46連接到電連接器73、74，后者又連接到引線(xiàn)焊盤(pán)63、64上。線(xiàn)圈46由導(dǎo)電材料制成并且可以是螺旋形的(spiral)或螺旋狀的(helical)。在制造過(guò)程中，單層線(xiàn)圈可在單個(gè)光刻步驟限定，因?yàn)檫@里匝(turn)在晶片表面上是共面的。雖然圖中只示出了三匝，根據(jù)已知原理線(xiàn)圈也可以有其他數(shù)目的匝。寫(xiě)入頭40中的電磁體的軛包括軛背41，它由鐵磁材料制成并在線(xiàn)圈46之前形成。本實(shí)施例中軛背41是直線(xiàn)型的，具有兩個(gè)平行于晶片表面延伸的最長(zhǎng)尺寸。除了特別指出的地方外，軛背的尺寸和磁頭其他結(jié)構(gòu)的尺寸一起，可以根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)原理確定。為特定實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)所給的尺寸不應(yīng)該被作為對(duì)本發(fā)明的限制。作為一個(gè)示例，軛背(41)可以制成大約1μm到2μm厚(Z方向)、2μm到20μm寬(X方向)和10μm到30μm長(zhǎng)(Y方向)。軛背41可以通過(guò)電鍍或真空沉積形成。它可以用鐵磁材料和絕緣材料的交替層疊成。在軛背末端垂直極片42、45從軛背沿著線(xiàn)圈46的側(cè)面朝ABS延伸。內(nèi)垂直極片45穿過(guò)線(xiàn)圈46內(nèi)部延伸，優(yōu)選地制得比外垂直極片42更厚(Y方向)，因?yàn)槭莾?nèi)垂直極片45位于返回磁通路徑中。本發(fā)明的各種實(shí)施例可以有不同的極片尖，這將在下面更清楚地看到，但是在圖1所示的實(shí)施例中，外垂直極片42具有設(shè)置在頂端—即更接近ABS—的主極片43。主極片43優(yōu)選地由高磁矩鐵磁材料制成，該材料可以和用于軛片41、42、45的材料不同。在X、Y尺寸上主極片43優(yōu)選地比外垂直極片42小，從而集中寫(xiě)通量。返回極片44設(shè)置在內(nèi)垂直極片45之上。返回極片44的厚度作為圖2中的薄膜的厚度由虛線(xiàn)和箭頭標(biāo)明。應(yīng)該注意的是，返回極片44和主極片43沉積至基本相同的厚度并且實(shí)際上優(yōu)選地同時(shí)沉積。薄膜平面被標(biāo)出并平行于ABS。在圖1所示的實(shí)施例中返回極片44比內(nèi)垂直極片45窄(X方向)，但是比內(nèi)垂直極片45明顯寬(Y方向)。在Y方向上返回極片44從內(nèi)垂直極片45向主極片43延伸，從而降低寫(xiě)縫隙的寬度。在寫(xiě)縫隙處，主極片43和返回極片44的對(duì)著的表面寬度相近(X方向)。返回極片44的在平行于ABS的平面(X-Y)內(nèi)的面積比主極片43大很多，從而降低返回磁場(chǎng)的強(qiáng)度。本實(shí)施例中，主極片43的內(nèi)表面，也就是面對(duì)著寫(xiě)縫隙的表面，和外垂直極片42的內(nèi)表面共面。如將要看到的，在其它實(shí)施例中，返回極片和主極片可以以其它方式成形和定位。
讀出頭30基本獨(dú)立于寫(xiě)入頭40。讀出頭和寫(xiě)入頭可以相對(duì)于彼此和磁道方向平行或前后排列，并且他們之間沒(méi)有電連接。用于讀出頭的引線(xiàn)焊盤(pán)61、62方便地放置在與用于寫(xiě)入頭的引線(xiàn)焊盤(pán)63、64相同的平面中。同樣的，傳感器31方便地設(shè)置在與主極片43大致相同的平面中。根據(jù)本發(fā)明的寫(xiě)入頭40可以和具有傳感器結(jié)構(gòu)的各種讀出頭結(jié)構(gòu)一起使用，該傳感器結(jié)構(gòu)是平的，具有平行于晶片表面的膜層。
常規(guī)ABS構(gòu)造(feature)(未示出)可以在晶片水平面處以RIE形成到例如二氧化硅的覆蓋層(overcoat)內(nèi)，該覆蓋層可以在讀出頭和寫(xiě)入頭的部件形成后沉積。
圖2(a)示出了圖1的寫(xiě)入頭40的垂直于ABS截取的截面。圖中示出了包圍寫(xiě)入頭結(jié)構(gòu)的體材料39。通常將磁性元件與空氣和介質(zhì)表面隔開(kāi)的覆蓋層未示出。這個(gè)視圖中，可以看出主極片43和外垂直極片42的內(nèi)表面共面這一事實(shí)。也要注意的是，外垂直極片42優(yōu)選地比內(nèi)垂直極片45更薄，因?yàn)閮?nèi)垂直極片45是磁通量返回磁路的一部分。
已經(jīng)描述了垂直寫(xiě)入頭，其中關(guān)鍵極構(gòu)造和返回極構(gòu)造定義在晶片表面也就是ABS面上。這允許返回屏蔽件的厚度控制可以由沉積而不是研磨控制。這也允許ABS上通過(guò)薄層材料的光刻和簡(jiǎn)單離子研磨形成的返回屏蔽件及主極的形狀控制。圖2(b)示出圖1的寫(xiě)入頭40的ABS視圖。內(nèi)垂直極片45和外垂直極片42由虛線(xiàn)示出，因?yàn)樗麄儚腁BS凹進(jìn)。
圖6示出本發(fā)明一實(shí)施例的ABS視圖，除了讀出頭和寫(xiě)入頭一前一后排列外，其與圖1的相似。根據(jù)本發(fā)明設(shè)計(jì)，讀出頭和寫(xiě)入頭的并排或一前一后排列都可以。
圖3(a)和3(b)示出根據(jù)本發(fā)明的寫(xiě)入頭40A的供選的單探針極尖(singleprobe pole tip)實(shí)施例。圖3(a)示出寫(xiě)入頭40A的垂直于ABS截取的截面。圖3(b)示出寫(xiě)入頭40A的ABS視圖。寫(xiě)入頭40A的供選的實(shí)施例和寫(xiě)入頭40的不同在于，寫(xiě)入頭40A中省略了返回極片44。為了補(bǔ)償返回極片的缺少，在內(nèi)垂直極片45之上沉積附加增量45A，這實(shí)質(zhì)上使它更高。附加增量45A可以由和內(nèi)垂直極片45相同的材料制成，或由更高磁矩的材料制成。極尖43不需要和極片42的內(nèi)緣共面，這示于圖3c所示的實(shí)施例中。
圖4(a)和4(b)示出根據(jù)本發(fā)明的寫(xiě)入頭40A的供選的側(cè)屏蔽件實(shí)施例。圖4(a)示出寫(xiě)入頭40S的垂直于ABS截取的截面。圖4(b)示出寫(xiě)入頭40S的ABS視圖。側(cè)屏蔽件沿著主極片43的側(cè)面延伸，其是側(cè)屏蔽返回極片44S的組成構(gòu)造，因?yàn)槌叽缧?，在圖4(b)中未單獨(dú)標(biāo)注。和其他側(cè)屏蔽件設(shè)計(jì)一樣，它的目的是為了減少側(cè)寫(xiě)(side writing)。為了改善寫(xiě)入頭40S的可制造性，在外垂直極片42的頂上形成主支座(standoff)48。主支座48和主極片43形狀相同，其比外垂直極片42小很多。主支座48的具有，在外垂直極片42和側(cè)屏蔽返回極片44S的側(cè)屏蔽件部分之間產(chǎn)生了間隙區(qū)(clearance region)。在內(nèi)垂直極片45之上形成相匹配的返回支座47來(lái)實(shí)際上增加內(nèi)垂直極片的高度，從而側(cè)屏蔽返回極片44S和內(nèi)垂直極片45相連接。極尖43或支座48都不必需和極片42的內(nèi)緣共面，如圖4c的實(shí)施例所示。另外，極尖(poletip)43和支座48的內(nèi)緣和外緣不必需共面。特別地，極片43的長(zhǎng)度(圖1中Y方向)可以比支座48的長(zhǎng)度短。圖4c示出了這種情況。
圖5示出寫(xiě)入頭40B的供選實(shí)施例，它包括側(cè)屏蔽和后屏蔽兩者，并包括有梯形極尖形狀43T。從ABS觀察到的寫(xiě)入頭40B的視圖。如從ABS看到的，本實(shí)施例中，主極片43T形狀是梯形的。梯形的底邊設(shè)置為最接近返回極片44S。梯形主極片43T是可用于根據(jù)本發(fā)明的任何寫(xiě)入頭實(shí)施例中的優(yōu)選實(shí)施例。
根據(jù)本發(fā)明的磁頭可以使用標(biāo)準(zhǔn)薄膜制造技術(shù)制造。但是，可以用新的方式來(lái)使用一些標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。例如，根據(jù)本發(fā)明的磁頭中的寫(xiě)縫隙可以由光刻和消去加工(subtractive processing)(研磨或RIE)確定。主極片和返回極片在相同薄膜平面內(nèi)形成；因此，寫(xiě)縫隙可以由用來(lái)形成這些磁結(jié)構(gòu)的光刻確定。在具有側(cè)屏蔽件的實(shí)施例中，類(lèi)似地控制側(cè)間隙。實(shí)際上，在根據(jù)本發(fā)明的磁頭中，ABS處的包括讀傳感器的所有部件的嚴(yán)格的形狀、位置和尺寸，都可以類(lèi)似地利用全部可用的薄膜制造技術(shù)通過(guò)光刻來(lái)確定。
已經(jīng)參照特定實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明的鐵磁性結(jié)構(gòu)的其他用途和應(yīng)用是顯而易見(jiàn)的。
權(quán)利要求
1.一種薄膜磁記錄頭，用于與磁記錄介質(zhì)一起使用，包括寫(xiě)入頭，包括主極片，其設(shè)置在氣墊面處，由平行于襯底表面和所述氣墊面設(shè)置的薄膜形成在第一薄膜平面內(nèi)；以及返回極片，設(shè)置在所述第一薄膜平面內(nèi)，由平行于襯底表面和所述氣墊面設(shè)置的薄膜形成在第一薄膜平面內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1的薄膜磁記錄頭，其中所述寫(xiě)入頭還包括第一垂直極片；第二垂直極片；以及環(huán)繞所述第一或第二垂直極片的導(dǎo)電材料線(xiàn)圈；其中，所述主極片設(shè)置在所述氣墊面處所述第一垂直極片上，所述返回極片設(shè)置在所述氣墊面處所述第二垂直極片上。
3.如權(quán)利要求1的薄膜磁記錄頭，其中用于所述主極片和所述返回極片的材料同時(shí)沉積在一薄膜中。
4.如權(quán)利要求1的薄膜磁記錄頭，其中所述主極片的內(nèi)表面和所述第一垂直極片的內(nèi)表面共面，并且所述內(nèi)表面分別面對(duì)所述返回極片和所述第二垂直極片。
5.如權(quán)利要求1的薄膜磁記錄頭，其中所述返回極片的面向所述氣墊面的表面的面積比所述主極片的面向所述氣墊面的表面的面積大。
6.如權(quán)利要求2的薄膜磁記錄頭，其中所述返回極片延伸超出所述第二垂直極片的朝向所述主極片的邊緣。
7.如權(quán)利要求1的薄膜磁記錄頭，其中所述返回極片是沉積在平行于所述氣墊面的平面內(nèi)的具有垂直于所述氣墊面測(cè)量的厚度的薄膜結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求1的薄膜磁記錄頭，其中所述氣墊面具有四條垂直于所述氣墊面延伸的切邊，沒(méi)有切邊經(jīng)過(guò)所述主極片。
9.一種薄膜磁記錄頭，用于與磁記錄介質(zhì)一起使用，包括支撐平行于氣墊面設(shè)置的薄膜的襯底；包括第一和第二垂直極片的軛；環(huán)繞所述第一或第二垂直極片的導(dǎo)電材料線(xiàn)圈；鐵磁材料的主支座，其設(shè)置在所述氣墊面處所述第一垂直極片上；設(shè)置在所述主支座上的主極片；鐵磁材料的返回支座，其設(shè)置在所述氣墊面處所述第二垂直極片上；以及返回極片，其設(shè)置在所述氣墊面處所述返回支座上。
10.如權(quán)利要求9的薄膜磁記錄頭，其中所述主極片具有與所述主支座的內(nèi)表面共面的內(nèi)表面，所述內(nèi)表面分別對(duì)著所述返回極片和所述返回支座，并且從面向所述第二垂直極片的所述第一垂直極片的內(nèi)表面縮進(jìn)；并且其中所述返回極片超出所述第二垂直極片的內(nèi)緣向所述主極片延伸，從而使所述主極片和所述返回極片之間的縫隙變窄。
11.如權(quán)利要求10的薄膜磁記錄頭，其中所述返回極片具有后屏蔽件及從所述氣墊面觀察設(shè)置在所述主極片的第一和第二側(cè)的第一和第二側(cè)屏蔽件。
12.如權(quán)利要求9的薄膜磁記錄頭，其中所述主極片和所述主支座的內(nèi)表面與所述第一垂直極片的內(nèi)表面共面，所述內(nèi)表面分別面對(duì)所述返回極片、所述返回支座和所述第二垂直極片。
13.如權(quán)利要求12的薄膜磁記錄頭，其中所述返回極片具有第一和第二側(cè)屏蔽件，從所述氣墊面觀察所述側(cè)屏蔽件設(shè)置在所述主極片的第一和第二側(cè)。
14.如權(quán)利要求13的薄膜磁記錄頭，其中所述第一和第二側(cè)屏蔽件是與主極片外圍相一致的非直線(xiàn)形狀。
15.如權(quán)利要求9的薄膜磁記錄頭，其中所述主極片的垂直于所述氣墊面的表面從所述第一垂直極片的垂直于所述氣墊面的表面凹進(jìn)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于垂直記錄的不需要研磨的磁頭(滑塊)。磁頭具有平行于晶片表面的氣墊面。線(xiàn)圈和極片由平行于氣墊面設(shè)置的薄膜形成?？梢允褂脴?biāo)準(zhǔn)光刻技術(shù)來(lái)限定形狀、縫隙和極片尺寸。可以形成非直線(xiàn)形狀，例如與寫(xiě)極片區(qū)域周?chē)恢碌膫?cè)屏蔽件。主極和返回極的厚度由沉積工藝而不是研磨控制。用來(lái)將各個(gè)滑塊與晶片其余部分分離的鋸切垂直于氣墊面，并且不經(jīng)過(guò)任何重要部件。
文檔編號(hào)G11B5/147GK1697023SQ20051006673
公開(kāi)日2005年11月16日 申請(qǐng)日期2005年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月30日
發(fā)明者小羅伯特·E·方塔納, 何國(guó)山, 曾慶驊 申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司