專(zhuān)利名稱(chēng)：光學(xué)信息再生方法和光學(xué)信息再生裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及采用激光等光對(duì)信息進(jìn)行記錄、再生的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，以及采用這種介質(zhì)的光學(xué)信息記錄再生方法和光學(xué)信息記錄再生裝置，尤其涉及對(duì)于在具有跟蹤用引導(dǎo)溝的基板表面上設(shè)置的記錄層，在對(duì)應(yīng)于跟蹤用引導(dǎo)溝內(nèi)部的部分以及對(duì)應(yīng)于鄰接的引導(dǎo)溝之間的部分的兩方上進(jìn)行信息記錄的光學(xué)信息記錄介質(zhì)以及采用這種介質(zhì)的光學(xué)信息記錄再生方法及裝置。
背景技術(shù)：
作為由激光照射進(jìn)行信息的記錄、再生而使用的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，一般知道有MO(光磁盤(pán))、或者CD-R、CD-RW、DVD-R、DVD-RAM、DVD-RW等。作為光學(xué)信息記錄介質(zhì)中的增加記錄密度的手段，已知有如下的陸面/溝槽記錄技術(shù)在基板面上基本呈圓形互相平行地形成的跟蹤用引導(dǎo)溝(溝槽)鄰接的各溝之間的平坦部(陸面)以及該引導(dǎo)溝的內(nèi)部的兩方所對(duì)應(yīng)的記錄層部分上進(jìn)行記錄(特開(kāi)昭57-50330號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平9-73665號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平9-198716號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平10-64120號(hào)公報(bào)等)。
而且，近年來(lái)，作為高密度化記錄的方法，提出了以下的技術(shù)，即，將構(gòu)成用于進(jìn)行信息的記錄、再生的裝置的光頭的物鏡的NA提高到0.85左右。由于通過(guò)提高NA可以減小在對(duì)激光進(jìn)行聚焦之際的光束直徑，因而能夠記錄、再生微小的標(biāo)記。當(dāng)如此地提高NA之時(shí)，可以不象以往那樣，從0.6-1.2mm厚的支承基板側(cè)照射激光，而是在光學(xué)信息記錄介質(zhì)的形成有跟蹤用引導(dǎo)溝的表面上形成厚度0.1mm左右的光穿透層，并從該光穿透層側(cè)照射激光，從而進(jìn)行信息的記錄、再生。
而且，由激光光源的短波長(zhǎng)化而提高記錄密度的研究也在蓬勃展開(kāi)。與在以往的DVD記錄再生中使用的紅色的半導(dǎo)體激光相比，通過(guò)使用波長(zhǎng)405nm左右的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光，可望實(shí)現(xiàn)三倍以上的高記錄密度。
另一方面，為了改善光學(xué)信息記錄介質(zhì)的信號(hào)品質(zhì)，先降低記錄前的記錄層的反射率，再提高記錄后的記錄層的反射率的所謂Low-to-high(L-H)的記錄方式是有效的。這是由于通過(guò)先降低記錄前的記錄層的反射率，可以提高調(diào)制度，因而與以往的DVD-RAM、DVD-RW中采用的記錄后的記錄層的反射率降低的High-to-1ow(H-L)的記錄方式相比，可以提高C/N。
將這些技術(shù)組合起來(lái)，也就是對(duì)于高信號(hào)品質(zhì)的L-H方式的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，采用藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光等短波長(zhǎng)光源以及高NA的光頭來(lái)進(jìn)行陸面/溝槽記錄，就可以極大地增加記錄密度。
但是，在進(jìn)行陸面/溝槽記錄之際的一個(gè)很大的課題，就是從鄰接光道的信號(hào)泄漏，即所謂串?dāng)_。如果為了增加記錄密度，減小跟蹤用引導(dǎo)溝的間隙，則會(huì)增大從鄰接光道上記錄的信息的串?dāng)_成分，因此要在目的光道上的(自己光道)正確地再生信息是困難的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于，提供一種即使在采用短波長(zhǎng)光源、高NA光頭的情況下，也可以進(jìn)行抑制了從鄰接光道的串?dāng)_的高密度的陸面/溝槽記錄的信號(hào)品質(zhì)高的L-H方式的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。
而且，本發(fā)明的另一目的在于，提供一種采用這樣的光學(xué)信息記錄介質(zhì)進(jìn)行光學(xué)信息的記錄、再生的方法以及裝置。
根據(jù)本發(fā)明，為了實(shí)現(xiàn)上述目的提供一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，是通過(guò)以點(diǎn)狀照射光而進(jìn)行信息的記錄、再生，并且在具有上述點(diǎn)狀的光的跟蹤用引導(dǎo)溝的基板上至少順序設(shè)置有記錄層以及光穿透層，從上述光穿透層側(cè)對(duì)上述記錄層側(cè)以點(diǎn)狀照射上述光，在對(duì)應(yīng)于上述引導(dǎo)溝的內(nèi)部的上述記錄層的第一部分以及對(duì)應(yīng)于相互鄰接的上述引導(dǎo)溝間的平坦部的上述記錄層的第二部分都進(jìn)行記錄的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其特征在于當(dāng)將上述光的波長(zhǎng)作為λ，并將該波長(zhǎng)λ的上述光穿透層的折射率作為nf的情況下，上述第一部分相對(duì)于上述記錄層的上述光穿透層的側(cè)面的上述第二部分的深度d滿(mǎn)足λ/5.8nf≤d≤λ/5nf的關(guān)系，并且上述記錄層，通過(guò)記錄以后，比進(jìn)行記錄之前的反射率變大。
在本發(fā)明的一方式中，上述深度d，與上述引導(dǎo)溝內(nèi)部相對(duì)于上述引導(dǎo)溝間平坦部的深度實(shí)質(zhì)上是相同的。在本發(fā)明的一方式中，在上述基板與上述記錄層之間存在著電介體層。在本發(fā)明的一方式中，在上述基板與上述電介體層之間存在著反射膜。在本發(fā)明的一方式中，在上述記錄層與上述光穿透層之間存在著電介體層。
而且，根據(jù)本發(fā)明，為了實(shí)現(xiàn)上述目的提供一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，是通過(guò)以點(diǎn)狀照射光而進(jìn)行信息的記錄、再生，并且在具有上述點(diǎn)狀的光的跟蹤用引導(dǎo)溝的基板上至少設(shè)置有記錄層，從上述基板側(cè)對(duì)上述記錄層側(cè)以點(diǎn)狀照射上述光，在對(duì)應(yīng)于上述引導(dǎo)溝的內(nèi)部的上述記錄層的第一部分以及對(duì)應(yīng)于相互鄰接的上述引導(dǎo)溝間的平坦部的上述記錄層的第二部分都進(jìn)行記錄的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其特征在于當(dāng)將上述光的波長(zhǎng)作為λ，并將該波長(zhǎng)λ下的上述基板的折射率作為ns的情況下，上述二部分相對(duì)于上述記錄層的上述基板側(cè)面的上述第一部分的深度D滿(mǎn)足λ/5.8ns≤D≤λ/5ns的關(guān)系，并且上述記錄層，通過(guò)記錄以后，比進(jìn)行記錄之前的反射率變大。
在本發(fā)明的一方式中，上述深度D，與上述引導(dǎo)溝內(nèi)部相對(duì)于上述引導(dǎo)溝間平坦部的深度實(shí)質(zhì)上是相同的。在本發(fā)明的一方式中，在上述記錄層的與上述基板相反的一側(cè)存在著反射膜。在本發(fā)明的一方式中，在上述基板與上述記錄層之間存在著電介體層。
而且，根據(jù)本發(fā)明，為了實(shí)現(xiàn)上述目的提供一種光學(xué)信息記錄介質(zhì)，是通過(guò)以點(diǎn)狀照射光而進(jìn)行信息的記錄、再生，并且在具有上述點(diǎn)狀的光的跟蹤用引導(dǎo)溝的基板上至少設(shè)置有記錄層，在對(duì)應(yīng)于上述引導(dǎo)溝的內(nèi)部的上述記錄層的第一部分以及對(duì)應(yīng)于相互鄰接的上述引導(dǎo)溝間的平坦部的上述記錄層的第二部分都進(jìn)行記錄的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，其特征在于將在沒(méi)有形成上述引導(dǎo)溝和上述引導(dǎo)溝間平坦部的交互配置的非記錄區(qū)域上照射光時(shí)的反射光量作為I1，將以同一條件在對(duì)應(yīng)于信息未記錄狀態(tài)的上述引導(dǎo)溝內(nèi)部的部分以及對(duì)應(yīng)于上述引導(dǎo)溝間平坦部的部分照射光時(shí)的反射光量分別作為I2以及I3，R＝0.5(I2+I3)/I1的值為0.55～0.7，上述記錄層，通過(guò)進(jìn)行記錄而比進(jìn)行記錄之前反射率變大。
在本發(fā)明的一方式中，也可以在上述基板與上述記錄層之間存在著電介體層，在上述基板與上述電介體層之間存在著反射膜。
在本發(fā)明的一方式中，也可以在上述記錄層的上述基板的相反側(cè)上存在著電介體層，在上述電介體層的上述記錄層的相反側(cè)上存在著反射膜。
而且，根據(jù)本發(fā)明，為了實(shí)現(xiàn)上述目的提供一種光學(xué)信息記錄再生方法，其特征在于對(duì)于權(quán)利要求1～14的任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的上述記錄層的第一部分以及第二部分的兩方，采用數(shù)值孔徑0.8～0.9的物鏡將波長(zhǎng)390～440nm的光照射成點(diǎn)狀，從而進(jìn)行信息的記錄、再生。
而且，根據(jù)本發(fā)明，為了實(shí)現(xiàn)上述目的提供一種光學(xué)信息記錄再生裝置，其特征在于具備對(duì)權(quán)利要求1～14的任一項(xiàng)所述的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的上述記錄層的第一部分以及第二部分的兩方將光照射成點(diǎn)狀的光頭，該光頭，具有發(fā)射波長(zhǎng)為390～440nm的光的半導(dǎo)體激光器、以及數(shù)值孔徑為0.8～0.9的物鏡。
通過(guò)改變溝槽深度，來(lái)改變陸面/溝槽記錄中的串?dāng)_是以往就廣為人知的技術(shù)。本發(fā)明者，在L-H記錄方式中，發(fā)現(xiàn)了與H-L記錄方式相比可以降低串?dāng)_的溝槽深度是不同的這一事實(shí)。圖6表示了溝槽深度與串?dāng)_的關(guān)系。在圖6中，橫軸，將激光的波長(zhǎng)作為λ，將向記錄層入射激光的一側(cè)存在的光穿透層或者基板的折射率作為n，表示了以λ/(a·n)來(lái)表示溝槽深度的情況下的a的值，而縱軸表示了串?dāng)_信號(hào)的振幅。這相當(dāng)于a越小溝槽深度就越深。如圖6所示，可以降低串?dāng)_的溝槽深度，與H-L方式相比，L-H方式的更深。但是，如果溝槽深度發(fā)展下去，基板的噪音就會(huì)顯著增加，因此即使抑制了串?dāng)_，在目的光道(自己光道)上的信號(hào)品質(zhì)也會(huì)很低，從而不能進(jìn)行高密度記錄。通過(guò)將溝槽深度選擇為上述適當(dāng)?shù)姆秶?，也就是將圖6中的a的值設(shè)定為5～5.8的范圍之內(nèi)，就可以既確保對(duì)于高密度記錄所必需的自己光道的信號(hào)品質(zhì)，又可以抑制鄰接光道的串?dāng)_，從而可以增加記錄容量。


圖1是本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的部分放大剖面圖。
圖2是用于說(shuō)明本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的信息記錄再生方法以及裝置的示意圖。
圖3是表示本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的跳動(dòng)特性的一例的圖。
圖4是表示在記錄后反射率降低的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的跳動(dòng)特性的一例的圖。
圖5是表示本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的跳動(dòng)特性的一例的圖。
圖6是表示光學(xué)信息記錄介質(zhì)的溝槽深度與串?dāng)_的關(guān)系的圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
圖1是表示本發(fā)明的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的一實(shí)施方式的部分放大剖面圖。在厚度為1.2mm左右的圓板狀的支承基板1的表面(上面)上，形成在基板中心的周?chē)境蕡A形延伸的跟蹤用引導(dǎo)溝，在相鄰的引導(dǎo)溝之間形成平坦部(陸面)L。特別將跟蹤用引導(dǎo)溝的內(nèi)部(底部)作為溝槽G。溝槽G相對(duì)于陸面L的深度(槽深)為D。陸面L的寬與溝槽G的寬，典型的是基本相同，最好其誤差在10％以?xún)?nèi)。而且，溝槽G的排列間隙比如為0.5～1.2μm。
在基板1的上面上形成電介體層4，在該電介體層4的上面形成記錄光學(xué)信息的記錄層2，在該記錄層2的上面形成電介體層5，在該電介體層5的上面形成折射率nf的光穿透層3。從光穿透層3側(cè)照射激光LB，進(jìn)行對(duì)記錄層2的信息記錄、再生。在基板1上，可以采用聚碳酸酯(PC)、鋁(Al)等材料。光穿透層2的厚度為0.1mm左右，也可以由紫外線(xiàn)硬化樹(shù)脂等來(lái)粘接PC薄膜，而且，也可以為由厚度為0.1mm左右的紫外線(xiàn)硬化樹(shù)脂構(gòu)成的層。當(dāng)粘接PC薄膜時(shí)，由于PC薄膜的厚度比紫外線(xiàn)硬化樹(shù)脂粘接層的厚度相比厚很多，因此，可以采用PC薄膜的折射率作為光穿透層3的折射率nf。
作為記錄層2，可以使用由激光照射會(huì)使光學(xué)反射率、相位發(fā)生變化的材料，比如，GeSbTe等周知的相變化型的記錄材料、周知的光折射材料等。記錄層2具有對(duì)應(yīng)于基板1的表面的陸面一溝槽的形狀的凹凸形狀，形成對(duì)應(yīng)于基板溝槽G的部分(即第一部分)G’以及對(duì)應(yīng)于基板陸面L的部分(即第二部分)L’。在記錄層2的上面，溝槽對(duì)應(yīng)部分G’相對(duì)于陸面對(duì)應(yīng)部分L’的深度(溝槽深度)為d。典型地，記錄層2的厚度在陸面對(duì)應(yīng)部分L’和溝槽對(duì)應(yīng)部分G’是一樣的，而且同樣地，電介體層4、5的各自的厚度在對(duì)應(yīng)于陸面的部分和對(duì)應(yīng)于溝槽的部分是一樣的，因此，上述的溝槽深度d基本相等。這里，將照射激光的波長(zhǎng)作為λ，為了使λ/5.8nf≤d≤λ/5nf的關(guān)系成立而選擇溝槽深度d。記錄層2的厚度，比如是10～30mm，優(yōu)選10～20nm。電介體4、5，除了作為保護(hù)層的功能以外，如果適當(dāng)?shù)卦O(shè)定包含這些的層構(gòu)成(包含電介體層4、5的厚度)，還有助實(shí)現(xiàn)L-H記錄方式的記錄介質(zhì)的功能。
根據(jù)需要，也可以在基板1的上面，在與電介體層4之間設(shè)置作為反射膜的金屬層。
信息的記錄、再生，對(duì)于記錄層2的溝槽對(duì)應(yīng)部分G’以及陸面對(duì)應(yīng)部分L’，以L(fǎng)-H記錄方式進(jìn)行。為了實(shí)現(xiàn)L-H記錄方式，各層以及它們的膜厚以及其他的層構(gòu)成，都可以根據(jù)周知的設(shè)計(jì)方法進(jìn)行適當(dāng)?shù)脑O(shè)定。
圖2是用于說(shuō)明以上的光學(xué)信息記錄介質(zhì)的信息記錄再生方法以及裝置的實(shí)施方式的示意圖。光學(xué)信息記錄介質(zhì)10，在通過(guò)其中心的上下方向的旋轉(zhuǎn)中心的周?chē)D(zhuǎn)。在記錄介質(zhì)10的上方，配置構(gòu)成記錄再生裝置的光頭20。在光頭20中，從作為光源的半導(dǎo)體激光器21發(fā)出的激光，經(jīng)過(guò)準(zhǔn)直透鏡22以及物鏡23，以點(diǎn)狀照射到記錄介質(zhì)10的記錄層2的溝槽對(duì)應(yīng)部分G’或者陸面對(duì)應(yīng)部分L’。從記錄介質(zhì)10反射的光，經(jīng)過(guò)物鏡23以及分光器24到達(dá)光檢測(cè)系統(tǒng)25。由該光檢測(cè)系統(tǒng)25得到再生信號(hào)、跟蹤信號(hào)等。從半導(dǎo)體激光器21照射的激光的波長(zhǎng)λ，比如是390～680nm，最好是390～440nm。作為物鏡23，數(shù)值孔徑(NA)的大小比如是0.6～0.9，最好使用0.8～0.9。
另外，本發(fā)明，并不限定于從光穿透層3側(cè)照射激光，也可以從基板1側(cè)照射激光。在這種情況下，作為基板1也使用具有光穿透性的材料。由于上述的典型的電介體層4的厚度在對(duì)應(yīng)于陸面L的部分與對(duì)應(yīng)于溝槽G的部分是一樣的，因此，在記錄層2的下面，陸面對(duì)應(yīng)部分L’相對(duì)于溝槽對(duì)應(yīng)部分G’的深度(溝槽深度)基本上就是D。如果將照射激光的波長(zhǎng)作為λ，將基板1的折射率作為ns，則為了使λ/5.8ns≤d≤λ/5ns的關(guān)系成立而選擇溝槽深度D。而且，當(dāng)形成反射層的情況下，在記錄層2的上側(cè)，通過(guò)電介體層5而進(jìn)行配置。在這種情況下，信息的記錄、再生，對(duì)記錄層2的溝槽對(duì)應(yīng)部分G’以及陸面對(duì)應(yīng)部分L’的兩方都以L(fǎng)-H記錄方式進(jìn)行。
接著，對(duì)本發(fā)明的其它實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。在上述實(shí)施方式中，特定了溝槽深度與光穿透層或者基板的折射率的關(guān)系，在本實(shí)施方式中，特定記錄介質(zhì)的多個(gè)規(guī)定部位的照射光的反射光量的關(guān)系。由此，也可以進(jìn)行良好的跳動(dòng)特性的記錄再生。
具體地，在本實(shí)施方式中，具有與形成有記錄介質(zhì)10的圖1所示的陸面一溝槽的交互配置構(gòu)造的信息記錄區(qū)域同等的層構(gòu)成，但是該陸面一溝槽不是交互配置，而是在與光束點(diǎn)的直徑相比在十分廣的區(qū)域形成有同樣的平坦部的非記錄區(qū)域(比如相對(duì)于信息記錄區(qū)域在直徑方向位于內(nèi)側(cè)或者位于外側(cè)的區(qū)域)的記錄層上，將光點(diǎn)照射激光時(shí)的反射光量作為I1，以同一條件，將在信息未記錄狀態(tài)的信息記錄區(qū)域的記錄層的溝槽對(duì)應(yīng)部分以及陸面對(duì)應(yīng)部分上，光點(diǎn)照射激光時(shí)的反射光量分別作為I2以及I3，可以判明R＝0.5(I2+I3)/I1的值為0.55～0.7時(shí)可以實(shí)現(xiàn)良好的跳動(dòng)特性，因而是有效的。R最好在0.6～0.7之間。
這里，作為信息記錄區(qū)域的反射光量，采用從溝槽對(duì)應(yīng)部分的反射光量與從陸面對(duì)應(yīng)部分的反射光量的平均值。其理由主要是考慮到有溝槽和陸面有寬度不同的情況。當(dāng)進(jìn)行陸面/溝槽的記錄時(shí)，如果溝槽和陸面的寬度一樣，I2以及I3的值基本相等是典型的，但是由于制造誤差等，如果溝槽和陸面的寬度不等，則也會(huì)有I2與I3的值不同的情況，并對(duì)這種情況進(jìn)行應(yīng)對(duì)。
根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)取代溝槽深度與光穿透層、基板的折射率的關(guān)系，而規(guī)定測(cè)定簡(jiǎn)便的多個(gè)部位的反射光量之間的關(guān)系，可以發(fā)揮同樣的作用效果。
以下，根據(jù)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明。
實(shí)施例1作為基板采用厚度1.1mm的盤(pán)狀PC基板，由陰極濺鍍工藝順序地層疊Al反射膜100nm、ZnS-SiO2電介體層40nm、GeSbTe記錄層15nm、ZnS-SiO2電介體層100nm，而得到記錄介質(zhì)(盤(pán))。另外，作為PC基板，使用引導(dǎo)溝的間隙0.56μm、引導(dǎo)溝的深度35～55nm的基板。進(jìn)而，由紫外線(xiàn)硬化樹(shù)脂粘接厚度0.1mm的PC薄膜。PC薄膜的波長(zhǎng)400nm下的折射率(nf)是1.6。
將上述的盤(pán)初始化以后(使結(jié)晶化)，以線(xiàn)速5.1m/s使之旋轉(zhuǎn)，采用具備波長(zhǎng)(λ)400nm的激光光源、NA＝0.85的物鏡的光頭，從基板的相反側(cè)照射激光，以L(fǎng)-H記錄方式，在0.116μm/bit的線(xiàn)密度條件進(jìn)行陸面/溝槽記錄，并測(cè)定跳動(dòng)。盤(pán)的反射率，記錄前(信息未記錄狀態(tài))為6％，記錄后(已經(jīng)記錄了信息的狀態(tài))為20％。
跳動(dòng)的測(cè)定結(jié)果表示于圖3。在圖3中，表示了在鄰接光道上沒(méi)有記錄數(shù)據(jù)的情況(標(biāo)記為X.T無(wú))的跳動(dòng)、以及在鄰接的光道上記錄了數(shù)據(jù)的情況(標(biāo)記X.T有)的跳動(dòng)的情況。在鄰接光道上沒(méi)有記錄、沒(méi)有串?dāng)_的情況的自己光道上的跳動(dòng)，溝槽深度越淺越好，如果深度大于50nm，就會(huì)使起因于基板的噪音增加，因此，會(huì)使自己光道的跳動(dòng)顯著變差。另一方面，在鄰接光道上也進(jìn)行記錄的情況下，當(dāng)溝槽深度比43nm淺時(shí)，由于串?dāng)_的影響而使挑動(dòng)顯著變差。通過(guò)將溝槽深度設(shè)定在43～50nm的范圍，也就是λ/5.8nf以上、λ/5nf以下的范圍，即使受到串?dāng)_，也可以得到良好的跳動(dòng)特性。
比較例1作為基板采用厚度1.1mm的盤(pán)狀PC基板，由陰極濺鍍工藝順序地層疊Al反射膜100nm、ZnS-SiO2電介體層15nm、GeSbTe記錄層15nm、ZnS-SiO2電介體層45nm，而得到記錄介質(zhì)(盤(pán))。另外，作為PC基板，使用引導(dǎo)溝的間隙0.56μm、引導(dǎo)溝的深度35～55nm的基板。進(jìn)而，由紫外線(xiàn)硬化樹(shù)脂粘接厚度0.1mm的PC薄膜。PC薄膜的波長(zhǎng)400nm下的折射率(nf)是1.6。
將上述的盤(pán)初始化以后(使結(jié)晶化)，以線(xiàn)速5.1m/s使之旋轉(zhuǎn)，采用具備波長(zhǎng)400nm的激光光源、NA＝0.85的物鏡的光頭，從基板的相反側(cè)照射激光，以H-L記錄方式，在0.116μm/bit的線(xiàn)密度條件下進(jìn)行陸面/溝槽記錄并測(cè)定跳動(dòng)。盤(pán)的反射率，記錄前為18％，記錄后為2％。
跳動(dòng)的測(cè)定結(jié)果表示于圖4。在鄰接光道上沒(méi)有記錄的自己光道上的跳動(dòng)，溝槽深度越淺越好，如果深度大于50nm，就會(huì)顯著地使自己光道的跳動(dòng)變差。另一方面當(dāng)在鄰接光道上也進(jìn)行了記錄的情況下，當(dāng)溝槽深度淺于37nm的情況下，由串?dāng)_的影響使跳動(dòng)顯著變差，而且當(dāng)溝槽深度大于43nm時(shí)，由串?dāng)_的影響而導(dǎo)致的跳動(dòng)的增加不可忽視。
通過(guò)將該比較例1與上述的實(shí)施例1進(jìn)行比較(圖3與圖4的比較)可以看出，H-L記錄方式與L-H記錄方式所合適的溝槽深度是不同的，并且，L-H記錄方式可以使跳動(dòng)更加降低一些。
實(shí)施例2作為基板采用厚度1.1mm的盤(pán)狀PC基板，由陰極濺鍍工藝順序地層疊Al反射膜100nm、ZnS-SiO2電介體層45nm、GeSbTe記錄層13nm、ZnS-SiO2電介體層110nm，而得到記錄介質(zhì)(盤(pán))。另外，作為PC基板，使用引導(dǎo)溝的間隙0.6μm、引導(dǎo)溝的深度38nm～60nm的基板。進(jìn)而，由紫外線(xiàn)硬化樹(shù)脂粘接厚度0.1mm的PC薄膜。PC薄膜的波長(zhǎng)432nm下的折射率(nf)是1.6。
將上述的盤(pán)初始化以后(使結(jié)晶化)，以線(xiàn)速5.1m/s使之旋轉(zhuǎn)，采用具備波長(zhǎng)(λ)432nm的激光光源、NA＝0.85的物鏡的光頭，從基板的相反側(cè)照射激光，以L(fǎng)-H記錄方式，在0.125μm/bit的線(xiàn)密度條件下進(jìn)行陸面/溝槽記錄并測(cè)定跳動(dòng)。盤(pán)的反射率，記錄前為5％，記錄后為21％。
跳動(dòng)的測(cè)定結(jié)果表示于圖5。在鄰接光道上沒(méi)有記錄的自己光道上的跳動(dòng)，溝槽深度越淺越好，如果深度大于54nm，就會(huì)使自己光道的跳動(dòng)顯著變差。而另一方面，當(dāng)在鄰接光道上也進(jìn)行了記錄的情況下，當(dāng)溝槽深度淺于46nm的情況下，由串?dāng)_的影響而使跳動(dòng)顯著變差。通過(guò)將溝槽深度設(shè)定在46nm～54nm的范圍，也就是λ/5.86nf以上、λ/5nf以下的范圍，即使受到串?dāng)_，也可以得到良好的跳動(dòng)特性。
實(shí)施例3作為基板采用厚度1.1mm的PC基板，由陰極濺鍍工藝順序地層疊Al反射膜100nm、ZnS-SiO2電介體層65mm、GeSbTe記錄層13nm、ZnS-SiO2電介體層150nm，而得到記錄介質(zhì)(盤(pán))。另外，作為PC基板，使用引導(dǎo)溝的間隙1.0μm、引導(dǎo)溝的深度62nm～98nm的基板。進(jìn)而，由紫外線(xiàn)硬化樹(shù)脂粘接厚度0.1mm的PC薄膜。PC薄膜的波長(zhǎng)660nm下的折射率(nf)是1.58。
將上述的盤(pán)初始化以后(使結(jié)晶化)，以線(xiàn)速5.1m/s使之旋轉(zhuǎn)，采用具備波長(zhǎng)(λ)660nm的激光光源、NA＝0.85的物鏡的光頭，從基板的相反側(cè)照射激光，以L(fǎng)-H記錄方式，在0.2lμm/bit的線(xiàn)密度條件下進(jìn)行陸面/溝槽記錄并測(cè)定跳動(dòng)。盤(pán)的反射率，記錄前為6％，記錄后為25％。
與實(shí)施例1以及實(shí)施例2相同，對(duì)即使受到串?dāng)_跳動(dòng)特性也良好的溝槽深度進(jìn)行了調(diào)查，其結(jié)果，通過(guò)將溝槽深度在設(shè)定72～83nm的范圍，也就是λ/5.8nf以上、λ/5nf以下的范圍，即使受到串?dāng)_，也可以得到良好的跳動(dòng)特性。
實(shí)施例4作為基板采用厚度0.6mm的PC基板，由陰極濺鍍工藝順序地層疊ZnS-SiO2電介體層100nm、GeSbTe記錄層15nm、ZnS-SiO2電介體層40nm，Al反射膜10nm而得到記錄介質(zhì)(盤(pán))。在Al反射膜形成后，通過(guò)紫外線(xiàn)硬化樹(shù)脂與沒(méi)有成膜的空的0.6mm的PC基板粘合在一起后，進(jìn)行評(píng)價(jià)。作為PC基板，使用引導(dǎo)溝的間隙0.7μm、引導(dǎo)溝的深度35nm～55nm的基板。PC薄膜的波長(zhǎng)400nm下的折射率(nf)是1.6。
將上述的盤(pán)初始化以后(使結(jié)晶化)，以線(xiàn)速5.1m/s使之旋轉(zhuǎn)，采用具備波長(zhǎng)(λ)400nm的激光光源、NA＝0.65的物鏡的光頭，從基板側(cè)照射激光，以L(fǎng)-H記錄方式，在0.152μm/bit的線(xiàn)密度條件下進(jìn)行陸面/溝槽記錄并測(cè)定跳動(dòng)。盤(pán)的反射率，記錄前為6％，記錄后為20％。
跳動(dòng)測(cè)定的結(jié)果，與實(shí)施例1相同，通過(guò)將溝槽深度設(shè)定在43～50nm的范圍內(nèi)，也就是λ/5.8nf以上、λ/5nf以下的范圍，即使受到串?dāng)_，也可以得到良好的跳動(dòng)特性。
以下的表1中歸納了上述實(shí)施例1～4的結(jié)果。
表1

從表1可以看出，在所有的波長(zhǎng)中，通過(guò)將溝槽深度設(shè)定在λ/5.8nf(或λ/5.8ns)以上、λ/5nf(或λ/5ns)以下的范圍內(nèi)，即使受到串?dāng)_，也可以得到良好的跳動(dòng)特性。
實(shí)施例5對(duì)于在實(shí)施例4中使用的光盤(pán)，使用在實(shí)施例4中使用的光頭，對(duì)上述I1、I2、I3進(jìn)行測(cè)定，并算出R＝0.5(I2+I3)/I1的值，對(duì)其與跳動(dòng)的關(guān)系進(jìn)行了調(diào)查，得到了表2所示的結(jié)果。另外，跳動(dòng)是在各盤(pán)的記錄層的陸面對(duì)應(yīng)部分以及溝槽對(duì)應(yīng)部分的鄰接的7處的全部位置進(jìn)行記錄，在其中央的陸面對(duì)應(yīng)部分以及溝槽對(duì)應(yīng)部分上進(jìn)行測(cè)量而得到的平均值。
表2

如表2所示，在R為0.55到0.7的范圍中都可以得到良好的特性，特別是在0.6～0.7的范圍內(nèi)，可以得到最好的特性。
而且，對(duì)實(shí)施例1～實(shí)施例3所使用的光盤(pán)，也同樣地使用在各自實(shí)施例中使用的光頭對(duì)I1、I2、I3進(jìn)行測(cè)定，并算出R＝0.5(I2+I3)/I1的值，對(duì)其與跳動(dòng)的關(guān)系進(jìn)行了調(diào)查，確認(rèn)了在良好的跳動(dòng)特性的光盤(pán)中，R的值在0.55～0.7的范圍內(nèi)。
也就是，對(duì)于光頭的物鏡的NA以及激光波長(zhǎng)或記錄層厚度或光穿透層、基板的折射率取各種各樣的值，在L-H記錄方式的光學(xué)信息記錄介質(zhì)中，R在0.55～0.7的范圍內(nèi)可以取得良好的特性。
另外，在本實(shí)施例中，陸面的寬與溝槽的寬是一樣的，但是對(duì)于陸面與溝槽的寬有10％的差異的情況進(jìn)行同樣的測(cè)定時(shí)，在R的合適范圍也可以得到同樣的結(jié)果。
比較例2采用與實(shí)施例4同樣的PC基板，制作H-L記錄方式的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，采用與實(shí)施例4相同的光頭，對(duì)R與跳動(dòng)的關(guān)系進(jìn)行了調(diào)查。其結(jié)果，確認(rèn)了跳動(dòng)良好的R的范圍是0.7～0.8，并且與L-H記錄方式相比合適的R的范圍是不同的。而且，合適范圍內(nèi)的R的跳動(dòng)的值與實(shí)施例5相比也要大。
所以，確認(rèn)了L-H記錄方式適于記錄的高密度化。
如以上說(shuō)明的那樣，根據(jù)本發(fā)明，對(duì)于信號(hào)品質(zhì)很高的L-H方式的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，可以采用高NA光頭，以高的記錄密度，進(jìn)行陸面/溝槽的記錄。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)信息再生方法，其用于從具有基板和記錄層的Low-to-high記錄方式的陸面/溝槽記錄用光學(xué)信息記錄介質(zhì)再生信息，其特征在于通過(guò)使用數(shù)值孔徑0.65的物鏡從上述基板側(cè)向上述記錄層照射波長(zhǎng)390～440nm的光，來(lái)進(jìn)行信息的再生，并且，在設(shè)上述光的波長(zhǎng)為λ、該波長(zhǎng)下的上述基板的折射率為ns的情況下，上述記錄層的溝槽對(duì)應(yīng)部分相對(duì)于陸面對(duì)應(yīng)部分的深度D滿(mǎn)足λ/5.8ns≤D≤λ/5ns的關(guān)系。
2.一種光學(xué)信息再生裝置，其從具有基板和記錄層的Low-to-high記錄方式的陸面/溝槽記錄用光學(xué)信息記錄介質(zhì)再生信息，其特征在于至少具有出射波長(zhǎng)390～440nm的光的光源、和數(shù)值孔徑0.65的物鏡，通過(guò)從上述基板側(cè)向上述記錄層照射上述光，來(lái)進(jìn)行信息的再生，并且，在設(shè)上述光的波長(zhǎng)為λ、該波長(zhǎng)下的上述基板的折射率為ns的情況下，上述記錄層的溝槽對(duì)應(yīng)部分相對(duì)于陸面對(duì)應(yīng)部分的深度D滿(mǎn)足λ/5.8ns≤D≤λ/5ns的關(guān)系。
3.一種光學(xué)信息再生方法，其用于從具有基板和記錄層的Low-to-high記錄方式的陸面/溝槽記錄用光學(xué)信息記錄介質(zhì)再生信息，其特征在于通過(guò)使用數(shù)值孔徑0.65的物鏡從上述基板側(cè)向上述記錄層照射波長(zhǎng)390～440nm的光，來(lái)進(jìn)行信息的再生，并且，將在沒(méi)有形成上述陸面部和上述溝槽部的交互配置的非記錄區(qū)域上照射光時(shí)的反射光量設(shè)為I1，將以同一條件在對(duì)應(yīng)于信息未記錄狀態(tài)的上述溝槽部的部分以及對(duì)應(yīng)于上述陸面部的部分照射光時(shí)的反射光量分別設(shè)為I2以及I3，R＝0.5(I2+I3)/I1的值處于規(guī)定范圍內(nèi)。
4.如權(quán)利要求3所述的光學(xué)信息再生方法，其特征在于上述R的值為0.5～0.75。
5.如權(quán)利要求4所述的光學(xué)信息再生方法，其特征在于上述R的值為0.6～0.7。
6.一種光學(xué)信息再生裝置，其從具有基板和記錄層的Low-to-high記錄方式的陸面/溝槽記錄用光學(xué)信息記錄介質(zhì)再生信息，其特征在于至少具有出射波長(zhǎng)390～440nm的光的光源、和數(shù)值孔徑0.65的物鏡，通過(guò)從上述基板側(cè)向上述記錄層照射上述光，來(lái)進(jìn)行信息的再生，并且，將在沒(méi)有形成上述陸面部和上述溝槽部的交互配置的非記錄區(qū)域上照射光時(shí)的反射光量設(shè)為I1，將以同一條件在對(duì)應(yīng)于信息未記錄狀態(tài)的上述溝槽部的部分以及對(duì)應(yīng)于上述陸面部的部分照射光時(shí)的反射光量分別設(shè)為I2以及I3，R＝0.5(I2+I3)/I1的值處于規(guī)定范圍內(nèi)。
7.如權(quán)利要求6所述的光學(xué)信息再生裝置，其特征在于上述R的值為0.55～0.7。
8.如權(quán)利要求7所述的光學(xué)信息再生方法，其特征在于上述R的值為0.6～0.7。
9.一種光學(xué)信息再生方法，其用于從具有基板和記錄層的Low-to-high記錄方式的陸面/溝槽記錄用光學(xué)信息記錄介質(zhì)再生信息，其特征在于通過(guò)使用數(shù)值孔徑0.65的物鏡從上述基板側(cè)向上述記錄層照射波長(zhǎng)390～440nm的光，來(lái)進(jìn)行信息的再生，并且，在設(shè)上述光的波長(zhǎng)為λ、該波長(zhǎng)下的上述基板的折射率為ns的情況下，上述記錄層的溝槽對(duì)應(yīng)部分相對(duì)于陸面對(duì)應(yīng)部分的深度D滿(mǎn)足λ/5.8ns≤D≤λ/5ns的關(guān)系，且上述溝槽部的寬度與上述陸面部的寬度的和處于0.5～1.2μm的范圍內(nèi)。
10.一種光學(xué)信息再生裝置，其從具有基板和記錄層的Low-to-high記錄方式的陸面/溝槽記錄用光學(xué)信息記錄介質(zhì)再生信息，其特征在于至少具有出射波長(zhǎng)390～440nm的光的光源、和數(shù)值孔徑0.65的物鏡，通過(guò)從上述基板側(cè)向上述記錄層照射上述光，來(lái)進(jìn)行信息的再生，并且，在設(shè)上述光的波長(zhǎng)為λ、該波長(zhǎng)下的上述基板的折射率為ns的情況下，上述記錄層的溝槽對(duì)應(yīng)部分相對(duì)于陸面對(duì)應(yīng)部分的深度D滿(mǎn)足λ/5.8ns≤D≤λ/5ns的關(guān)系，且上述溝槽部的寬度與上述陸面部的寬度的和處于0.5～1.2μm的范圍內(nèi)。
全文摘要
在具有為了進(jìn)行信息的記錄、再生而以點(diǎn)狀照射的光的跟蹤用的引導(dǎo)溝的基板(1)上設(shè)置有記錄層(2)以及光穿透層(3)，從光穿透層(3)側(cè)對(duì)記錄層(2)照射點(diǎn)狀光，在對(duì)應(yīng)于引導(dǎo)溝內(nèi)部(G)的記錄層的第一部分(G′)以及對(duì)應(yīng)于相互鄰接的引導(dǎo)溝間平坦部(L)的記錄層的第二部分(L′)的兩方上進(jìn)行記錄。當(dāng)將光的波長(zhǎng)作為λ，并將波長(zhǎng)λ下的光穿透層(3)的折射率作為nf時(shí)，第一部分(G′)相對(duì)于記錄層(2)的光穿透層側(cè)的面的第二部分(L′)的深度d滿(mǎn)足λ/5.8nf≤d≤λ/5nf的關(guān)系。記錄層(2)在記錄后，比記錄前其反射率加大。
文檔編號(hào)G11B7/007GK1707635SQ20051007023
公開(kāi)日2005年12月14日 申請(qǐng)日期2003年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月8日
發(fā)明者大久保修一 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社