專利名稱：垂直磁記錄裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及垂直磁記錄裝置。
背景技術：
垂直磁記錄裝置具有包括軟墊層和垂直記錄層的垂直雙層介質；以及包括主磁極、旁軛(return yoke)、以及激勵線圈的磁頭(單磁極頭)，并且利用磁頭和軟墊層之間的磁耦合來記錄數據。由于垂直雙層介質的軟墊層可以被看作磁頭的一部分，因而必須使軟墊層中的磁化穩(wěn)定，并且減少來自軟墊層的噪聲。
通過使用在一個方向上釘扎軟墊層磁化的結構來使軟墊層的磁化穩(wěn)定，在這個方向上，在磁化釘扎層上形成軟墊層。例如，提出垂直磁記錄介質，其中在基底上堆疊面內硬磁性層、中間層、面內軟磁性層以及垂直記錄層，中間層是飽和磁化小于面內硬磁性層飽和磁化的磁性層、厚度小于0.5nm的非磁性層、或者面內硬磁性層的氧化層(Jpn.Pat.Appln.KOKAI公開No.2003-162807)。在這種垂直磁記錄介質中，由外部磁場引起的磁化偏差被抑制了，并且減少了介質噪聲。
如上所述，在使用垂直雙層介質以及單磁極頭的垂直磁記錄裝置中，也利用單磁極頭和垂直雙層介質之間的磁耦合，即磁通量從主磁極經過軟磁墊層到旁軛的流動，來記錄數據。因此，由于主磁極上的剩磁，容易出現記錄在介質上的信息的誤擦除。為了解決這個問題，提出一種通過改變主磁極形狀來減少記錄之后主磁極中剩磁從而防止誤擦除的方法(Jpn.Pat.Appln.KOKAI公開No.2003-317212)。然而，隨著垂直記錄介質的磁道密度(TPI)增加，主磁極的尺寸減小。例如，為了實現200kTPI，需要0.13um或者更小的磁道寬度。因此，主磁極被做成針形外觀，而且變得磁性不穩(wěn)定。這使得很難只通過改變主磁極形狀來減小剩磁并防止誤擦除。此外，當主磁極的磁道寬度減小的時候，主磁極的場強也減小了。這使得很難維持記錄品質。
而且，硬盤驅動器除了被集成到個人計算機中之外，它也被集成到汽車導航系統(tǒng)以及家用電器中，并相應地正開始被用于寬的溫度環(huán)境中。特別是因為磁記錄介質根據使用溫度改變它的矯頑磁性，所以室溫下、高溫下以及低溫下的記錄特性也可能不同。因此，要求硬盤驅動器能夠在從低溫到高溫的寬的溫度環(huán)境中讀寫數據而不出現任何問題。更具體地，需要在高溫下維持高的熱起伏電阻以及良好的邊緣特性(fringe characteristics)，并且在低溫下維持高的重寫特性以及高的信噪比。

發(fā)明內容
根據本發(fā)明一個方面的垂直磁記錄裝置包括垂直雙層介質和以磁頭，垂直雙層介質包括基底、包含軟磁性層、中間層和另一個軟磁性層的軟墊層以及垂直記錄層，其中兩個軟磁性層彼此反鐵磁性地耦合；磁頭包括主磁極，旁軛及激勵線圈，其中當磁頭將低頻信號記錄在垂直記錄層上時包括在軟墊層中的兩個軟磁性層的反鐵磁性耦合力Hex_afc與聯(lián)絡測線(cross track)方向上最大值MWW一半處的整個寬度之間的關系滿足下列公式Hex_afc＞1.6*ln((0.23-MWW)2*100))+25.6。
根據本發(fā)明另一個方面的垂直磁記錄裝置包括垂直雙層介質和磁頭，垂直雙層介質包括基底、包含軟磁性層、反鐵磁性層和另一個軟磁性層的軟墊層、以及垂直記錄層，其中每個軟磁性層和反鐵磁性層通過交換耦合而相互耦合，并且兩個軟磁性層不耦合；磁頭包括主磁極、旁軛及激勵線圈，其中當磁頭將低頻信號記錄在垂直記錄層上時包括在軟墊層中的軟磁性層和反鐵磁性層之間的交換耦合力Hex_sw和聯(lián)絡測線方向上最大值MWW一半處的整個寬度之間的關系滿足下列公式
Hex_sw＞1.6*ln((0.23-MWW)2*100))+25.6。


附圖1是表示根據本發(fā)明第一實施例的垂直磁記錄裝置的剖面圖；附圖2是表示作為附圖1改進的垂直磁記錄介質的剖面圖；附圖3是表示作為附圖1改進的垂直磁記錄介質的剖面圖；附圖4是表示作為附圖1改進的垂直磁記錄介質的剖面圖；附圖5是表示作為附圖1改進的垂直磁記錄介質的剖面圖；附圖6是表示MWW和誤擦除率之間關系的曲線圖；附圖7是表示磁化反轉開始時成核場(nucleation field)絕對值Hn與介質的熱起伏電阻TD之間關系的曲線圖；附圖8是表示包括在軟墊層內的軟磁性層厚度和邊緣特性之間關系的曲線圖；附圖9是表示重寫特性(OW)和誤碼率(BER)之間關系的曲線圖；附圖10是表示軟墊層的反鐵磁性耦合力Hex_afc和重寫特性OW之間關系的曲線圖；附圖11是概略表示包括垂直記錄薄膜及軟墊層的垂直磁記錄介質的靜磁特性(磁化曲線)檢測結果的曲線圖；附圖12是表示介質矯頑磁性Hc與室溫和低溫之間BER差之間關系的曲線圖；附圖13是表示當使用呈現出0.21um的MWW的主磁極時，介質軟墊層的反鐵磁性耦合力與誤擦除率之間關系的曲線圖；附圖14是表示在誤擦除率飽和的狀態(tài)下MWW和反鐵磁性耦合力Hex_afc之間關系的曲線圖；附圖15是表示根據本發(fā)明第二實施例的垂直磁記錄裝置的剖面圖；附圖16是表示作為附圖15改進的垂直磁記錄介質的剖面圖；以及附圖17是表示作為附圖15改進的垂直磁記錄介質的剖面圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的實施例將在下文參照附圖進行描述。
附圖1表示根據本發(fā)明第一實施例的垂直磁記錄裝置。這種垂直磁記錄裝置包括垂直磁記錄介質(垂直雙層介質)和磁頭。附圖1中表示的垂直雙層介質具有這樣的結構在這種結構中，包括軟磁性層3a、中間層4和另一軟磁性層3b的軟墊層2、以及垂直記錄層5被堆疊在非磁性基底1上。附圖1中所示的磁頭是被稱為單磁極頭的記錄頭，并且包括主磁極51、旁軛52、以及激勵線圈53。
軟磁性層3a和3b由具有高導磁性的軟磁材料制成。例子有CoZrNb、FeTaC、FeZrN、FeSi合金、FeAl合金、諸如坡莫合金的FeNi合金、諸如波明德合金的FeCo基合金、諸如Perminvar的FeCoNi合金、Nico合金、山達斯特合金、MnZn基鐵酸鹽、MgMn基鐵酸鹽、MgZn基鐵酸鹽、FeAlGa、FeCuNbSiB、FeGaGe、FeGeSi、FeSiC、FeZrB、FeZrBCu、CoFeSiB、CoTi、以及CoZrTa。
中間層4由Ru或類似材料制成。軟墊層2中包括的兩個軟磁性層3a和3b通過中間層4彼此反鐵磁性地耦合。
下面將參照附圖2到5描述附圖1的改進的垂直磁記錄介質。
附圖2中表示的垂直磁記錄介質具有這樣的結構在這種結構中，包括軟磁性層3a、中間層4、第二中間層14和另一個軟磁性層3b的軟墊層2、以及垂直記錄層5被堆疊在非磁性基底1上。Ru等被用于中間層4，Co等被用于第二中間層14。兩個軟磁性層3a和3b之間的反鐵磁性耦合能夠通過由Ru制成的中間層4以及由Co制成的第二中間層14的堆疊來增強。
附圖3所示的垂直磁記錄介質有這樣的結構，在這個結構中，包括軟磁性層3a、中間層4和另一個軟磁性層3b的軟墊層2、非磁性墊層6、以及垂直記錄層5被堆疊在非磁性基底1上。附圖3所示的垂直磁記錄介質與附圖1中所示的垂直磁記錄介質所不同的地方在于，在軟墊層2和垂直記錄層5之間形成非磁性墊層6。通過使用非磁性墊層6能夠減少介質噪聲。
附圖4中所示的垂直磁記錄介質有這樣的結構在這種結構中，作為磁化釘扎層的面內硬磁性層7、包括軟磁性層3a、中間層4和另一個軟磁性層3b的軟墊層2、以及垂直記錄層5被堆疊在非磁性基底1上。附圖4所示的垂直磁記錄介質與附圖1中所示的垂直磁記錄介質所不同的地方在于，在基底1和軟墊層2之間形成作為磁化釘扎層的面內硬磁性層7。CoCrPtB、CoSm、CoPt或者類似的材料被用于面內硬磁性層7。軟墊層2的磁化能夠通過為軟墊層2形成作為磁化釘扎層的面內硬磁性層7來穩(wěn)定。
附圖5所示的垂直磁記錄介質有這樣的結構在這種結構中，作為磁化釘扎層的面內硬磁性層7、具有比面內硬磁性層7的飽和磁化小的磁性或非磁性層8、包括軟磁性層3a、中間層4和另一個軟磁性層3b的軟墊層2、以及垂直記錄層5被堆疊在非磁性基底1上。附圖5中所示的垂直磁記錄介質是通過在附圖4中所示的垂直磁記錄介質中面內硬磁性層7和軟墊層2之間形成具有比面內硬磁性層7的飽和磁化小的磁性或非磁性層8來獲得的。通過磁性或非磁性層8能夠使軟墊層2的磁化進一步穩(wěn)定。
也可能使用這樣一種垂直磁記錄介質，這種介質是通過適當地組合附圖2到5所示的第二中間層14、非磁性墊層6、面內硬磁性層7以及磁性層8來獲得的。
隨著主磁極的尺寸減小，由于主磁極中的剩磁，記錄在垂直記錄介質上的信息的誤擦除率增加了。這將在下文以數據為基礎來說明。附圖6表示MWW和誤擦除率之間的關系。MWW等于用記錄頭的主磁極在垂直記錄層上記錄的磁道寬度，并且與主磁極的物理磁道寬度有關。當用磁頭在垂直記錄層上記錄低頻信號的時候，MWW被確定為在聯(lián)絡測線方向中最大值一半處的完整寬度。0％的誤擦除率表示在任意部分中都沒有出現誤擦除，并且保證100％的記錄操作。相反，100％的誤擦除率表示所有部分都出現了誤擦除。附圖6表示當MWW小于0.225um時，誤擦除率突然上升。因此，為了相對于MWW的進一步減小而減小誤擦除率，不僅需要改進磁頭，也需要改進磁記錄介質。
如前所述，硬盤驅動器除了被集成到個人計算機里之外，它也被集成到汽車導航系統(tǒng)以及家用電器中了，因而使用溫度范圍從低溫擴展到高溫。因此，存在兩個要求，即(1)在高溫下維持高的熱起伏電阻以及良好的邊緣特性，以及(2)在低溫下維持高的重寫特性以及高的信噪比。
附圖7表示介質的磁性反轉開始時成核場的絕對值Hn(Oe)和信號輸出衰減與時間的依賴性，即熱起伏電阻TD(dB/decade)之間的關系。附圖7表示介質為了維持高于0.05dB/dec的熱起伏電阻只需要具有1kOe或者更多的Hn。而且，由于高溫下介質的Hn小于室溫下的Hn，所以室溫下Hn理想被設為1.2kOe或更多，從而甚至在高溫下也維持高的熱起伏電阻。
附圖8表示軟墊層內包括的軟磁性層的厚度與邊緣特性之間的關系。邊緣特性表示在數據被記錄在相鄰磁道上10,000次之后所檢測到的磁道上(on-track)信號的振幅相對于初始磁道上信號的振幅的比率。因此，100％的振幅比率意味著沒有振幅衰減。
當使用CoZrNb的單層膜[240nm]作為軟墊層時，振幅比率為40％。當使用CoZrNb的單層膜[120nm]作為軟墊層時，振幅比率為60％。
相反，當使用CoZrNb[60nm]/Ru/CoZrNb[60nm](軟磁性層的總厚度為120nm)的三層膜(附圖1)作為軟墊層時，振幅比率大大地增加到98％。而且，當使用CoZrNb[45nm]/Ru/CoZrNb[45nm](軟磁性層的總厚度為90nm)的三層膜作為軟墊層時，幾乎沒有發(fā)現振幅衰減。如上所述，邊緣特性能夠通過使用其中夾著中間層(在這個例子中為Ru)的兩個軟磁性層被反鐵磁性耦合的軟墊層而不是使用單層的軟墊層來改善。
附圖9表示重寫特性(OW)和誤碼率(BER)之間的關系。重寫特性表示關于記錄品質的值。在垂直磁記錄中，寫入低頻信號比寫入高頻信號更加困難。因此，使用這樣一個數值作為重寫特性的指標，這個數值以dB為單位表示在高頻信號已經被寫入之后，當重寫低頻信號時所獲得的未擦除的高頻信號。重寫特性OW理想為盡可能的高，因為如果重寫特性OW被惡化，BER也被惡化。
附圖10表示軟墊層的反鐵磁性耦合力Hex_afc和重寫特性OW之間的關系。與CoZrNb/Ru/CoZrNb三層膜相比，其中非常薄的Co被作為第二中間層插入到Ru上方的CoZrNb/Ru/Co/CoZrNb四層膜能夠增加反鐵磁性耦合力，因而使得可能改善重寫特性。通過CoZrNb/Co/Ru/CoZrNb四層膜也能夠獲得類似的效果。
軟墊層的反鐵磁性耦合力Hex_afc是以下列方式獲得的。附圖11概略地表示包括垂直記錄薄膜及軟墊層的垂直磁記錄介質的靜磁特性(磁化曲線)的檢測結果。參照附圖11，a表示軟墊層的反鐵磁性耦合的上軟磁性層的反向場的大小，b表示軟墊層的反鐵磁性耦合的下軟磁性層的反向場的大小。大小為附圖11中所示磁場b的一半的值被定義為反鐵磁性耦合力Hex_afc。注意，反鐵磁性耦合力Hex_afc與磁化釘扎層的存在或不存在是無關的。
附圖12表示介質的矯頑磁性Hc與室溫和低溫之間的BER差之間的關系。在任何介質中，BER在低溫下減小，盡管這種減小量或多或少依賴于每一種介質的矯頑磁性。當軟墊層是CoZrNb的單層膜[120nm]時，在具有5kOe的Hc的介質中，BER在低溫下的減少量大約為-1.2。相反，當通過使用CoZrNb[60nm]/Ru/Co/CoZrNb[60nm](在附圖12中用“四層膜”來表示)作為軟墊層來增加反鐵磁性耦合力時，由于重寫特性OW改善了，所以在具有5kOe的Hc的介質中，BER在低溫下的減少量提高到大約為-0.6。
正如參照附圖6已經描述的那樣，當MWW小于0.225um時，誤擦除率突然上升。為了解決這個問題，增加軟墊層的反鐵磁性耦合力是有效的。這將在下文中說明。
附圖13表示當使用表現0.21um的MWW的主磁極時，介質軟墊層的反鐵磁性耦合力與誤擦除率之間的關系。如附圖13中所示，當增加軟墊層的反鐵磁性耦合力的時候，由主磁極上的剩磁引起的誤擦除率就減少了。注意，因為當反鐵磁性耦合力約為20Oe或者更多時誤擦除率飽和，因此理想的反鐵磁性耦合力約為20Oe或者更多。
附圖14表示在誤擦除率飽和的情況下MWW和反鐵磁性耦合力Hex_afc之間的關系。附圖14證明使用具有其反鐵磁性耦合力Hex_afc位于附圖14中所示曲線上方區(qū)域中的軟墊層的垂直雙層介質的垂直磁記錄裝置能夠減少誤擦除率，并且改善重寫特性。因而，Hex_afc和MWW只需要滿足下列關系Hex_afc＞1.6*ln((0.23-MWW)2*100))+25.6包括不同Hex_afc軟墊層的兩種類型的垂直雙層介質已經被實際制造出來了，包括這些垂直雙層介質的垂直磁記錄裝置的誤擦除出現以及重寫特性也已經被評估了。
附圖2中所示的垂直雙層介質已經被制造出來了。CoZrNb[60nm]/Ru
/Co/CoZrNb[60nm]的四層膜被用作軟墊層。CoCrPt-SiO2被用作垂直記錄層的材料。兩種類型的垂直雙層介質中每一種的矯頑磁性都是5kOe。一種垂直雙層介質具有厚度約為5、反鐵磁性耦合力Hex_afc為15Oe的Co層。另外一種垂直雙層介質具有厚度約為20、反鐵磁性耦合力Hex_afc為23Oe的Co層。
通過使用每一種垂直雙層介質以及具有主磁極、呈現0.21um的MWW、，飽和磁通量密度Bs為2.15T的磁頭，制造兩種類型的垂直磁記錄裝置。
如前所述，當使用MWW為0.21um的主磁極時，軟墊層的反鐵磁性耦合力Hex_afc必須約為20Oe或者更多，以抑制由主磁極上剩磁導致的記錄在介質上的信息的誤擦除。
在使用其反鐵磁性耦合力Hex_afc為15Oe的垂直雙層介質的垂直磁記錄裝置(比較實例)中，重寫特性值為35dB，并且由于主磁極上的剩磁引起了記錄在介質上的信息的誤擦除。與此相比，在使用其反鐵磁性耦合力Hex_afc為23Oe的垂直雙層介質的垂直磁記錄裝置(實例)中，沒有出現由主磁極上的剩磁而導致的記錄在介質上的信息的誤擦除。同樣，實例的垂直磁記錄裝置的重寫特性值為37dB，比比較實例中的重寫特性值高出2dB。因此，這種裝置即使在低溫下運行也不會有任何問題。
需要注意的是，介質噪聲可以通過在實例的垂直雙層介質中的軟墊層和垂直記錄層之間額外形成非磁性墊層來減少。同樣需要注意的是，軟磁層的磁化可以通過在實例的垂直雙層介質中的基底和軟墊層之間額外形成面內硬磁性層(釘扎層)來進一步穩(wěn)定。
附圖15表示根據本發(fā)明第二實施例的垂直磁記錄裝置。附圖15中所示的垂直雙層介質有這樣的結構，在這種結構中，包括軟磁性層3a、反鐵磁性層21和另一個軟磁性層3b的軟墊層2、以及垂直記錄層5被堆疊在非磁性基底1上。反鐵磁性層21由諸如MnIr基合金、MnFe基合金、NiMn、PtMn、PdPtMn、RhMn、CrMnPt、CrAl、TbCo、NiO或者Fe2O3制成。反鐵磁性層21和每一個軟磁性層3a、3b通過交換耦合來彼此耦合的。與附圖1類似，附圖15中所示的磁頭包括主磁極51、旁軛52以及激勵線圈53。
在附圖15所示的垂直磁記錄裝置中，反鐵磁性層和軟磁性層之間的交換耦合力Hex_sw可以用與上述反鐵磁性耦合力相同的方式來考慮。因此，只需要滿足下列的公式Hex_sw＞1.6*ln((0.23-MWW)2*100))+25.6作為附圖15的改進的垂直磁記錄介質將在下文中參照附圖16和17進行描述。
附圖16中所示的垂直磁記錄介質有這樣的結構，在這種結構中，包括軟磁性層3a、軟磁性墊層22、反鐵磁性層21和另一個軟磁性層3b的軟墊層2、以及垂直記錄層5被堆疊在非磁性基底1上。NiFe或類似材料被用作軟磁性墊層22。
附圖17中所示的垂直磁記錄介質有這樣的結構，在這種結構中，包括軟磁性層3a、反鐵磁性層21和另一個軟磁性層3b的軟墊層2、非磁性墊層6、以及垂直記錄層5被堆疊在非磁性基底1上。附圖17中所示的垂直磁記錄介質與附圖15中所示的垂直磁記錄介質不同的地方在于，在軟墊層2和垂直記錄層5之間形成非磁性墊層6。通過非磁性墊層6能夠減小介質噪聲。
其他的優(yōu)點及改進對于本領域技術人員來說是顯而易見的。因此，本發(fā)明在其寬范圍上不只限于本文中圖示及描述的具體細節(jié)和典型實施例。因此，可以進行多種改進而不會背離附加的權利要求書及其等價物所限定的一般發(fā)明構思的精神和范圍。
權利要求
1.一種垂直磁記錄裝置，包括垂直雙層介質，包括基底(1)、包含軟磁性層(3a)、中間層(4)和另一個軟磁性層(3b)的軟墊層(2)、以及垂直記錄層(5)，其中所述兩個軟磁性層(3a，3b)彼此反鐵磁性地耦合；以及磁頭，包括主磁極(51)、旁軛(52)、以及激勵線圈(53)，其特征在于當低頻信號通過所述磁頭記錄到所述垂直記錄層(5)上的時候，包含在所述軟墊層(2)中的所述兩個軟磁性層(3a，3b)的反鐵磁性耦合力Hex_afc與聯(lián)絡測線方向上MWW最大值一半處的整個寬度之間的關系滿足下列公式Hex_afc＞1.6*ln((0.23-MWW)2*100))+25.6
2.根據1權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述中間層(4)為Ru。
3.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述中間層(4)是Ru和Co的堆疊。
4.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，在所述軟墊層(2)和所述垂直記錄層(5)之間進一步包括非磁性墊層(6)。
5.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，在所述基底(1)和所述軟墊層(2)之間進一步包含磁化釘扎層(7)。
6.根據權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述磁化釘扎層(7)為面內硬磁性層。
7.根據權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述面內硬磁性層是從組CoCrPtB、CoSm以及CoPt中選擇的。
8.根據權利要求6所述的裝置，其特征在于，在所述面內硬磁性層和所述軟墊層(2)之間進一步包含飽和磁化比所述面內硬磁性層的飽和磁化小的磁性或非磁性層(8)。
9.一種垂直磁記錄裝置，包括垂直雙層介質，包括基底(1)、包含軟磁性層(3a)、反鐵磁性層(21)和另一個軟磁性層(3b)的軟墊層(2)、以及垂直記錄層(5)，其中每一個軟磁性層(3a或3b)和所述反鐵磁性層(21)彼此通過交換耦合來耦合，并且所述兩個軟磁性層(3a，3b)不耦合；以及磁頭，包括主磁極(51)、旁軛(52)、以及激勵線圈(53)，其特征在于當低頻信號通過所述磁頭記錄到所述垂直記錄層(5)的時候，包含在所述軟墊層(2)中的所述軟磁性層(3a，3b)與所述反鐵磁性層(21)之間的交換耦合力Hex_sw與聯(lián)絡測線方向上MWW最大值一半處的整個寬度之間的關系滿足下列公式Hex_sw＞1.6*ln((0.23-MWW)2*100))+25.6。
10.根據權利要求9所述的裝置，其特征在于，所述反鐵磁性層(21)是從包含MnIr基合金、MnFe基合金、NiMn、PtMn、PdPtMn、RhMn、CrMnPt、CrAl、TbCo、NiO以及Fe2O3的組中選擇的。
11.根據權利要求9所述的裝置，其特征在于，在所述反鐵磁性層(21)的下面進一步包含軟磁墊層(22)。
12.根據權利要求11所述的裝置，其特征在于，所述軟磁墊層(22)為NiFe。
13.根據權利要求9所述的裝置，其特征在于，在所述軟墊層(2)和所述垂直記錄層(5)之間進一步包含非磁性墊層(6)。
全文摘要
一種包含垂直雙層介質和磁頭的垂直磁記錄裝置，其中垂直雙層介質包括基底(1)、包含軟磁性層(3a)、中間層(4)和另一個軟磁性層(3b)的軟墊層(2)、以及垂直記錄層(5)，其中兩個軟磁性層(3a，3b)彼此反鐵磁性耦合；磁頭包括主磁極(51)、旁軛(52)、以及激勵線圈(53)。當低頻信號通過所述的磁頭記錄到所述的垂直記錄層(5)的時候，包含在所述軟墊層(2)中的兩個所述的軟磁性層(3a，3b)之間的反鐵磁性耦合力Hex_afc與在聯(lián)絡測線方向上的MWW最大值一半處的整個寬度之間的關系滿足下列公式Hex_afc＞1.6*ln((0.23－MWW)
文檔編號G11B5/00GK1725304SQ200510081819
公開日2006年1月25日 申請日期2005年6月30日 優(yōu)先權日2004年6月30日
發(fā)明者青柳由果, 田中勉, 清水謙治, 坂脇彰 申請人:株式會社東芝, 昭和電工株式會社