專利名稱：薄膜磁頭、磁頭折片組合、磁頭臂組合、磁記錄裝置以及薄膜磁頭制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及至少具有記錄用感應(yīng)式磁變換元件的薄膜磁頭、磁頭折片組合、磁頭臂組合和磁記錄層以及薄膜磁頭制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，伴隨硬盤等磁記錄媒體(以下簡(jiǎn)稱為“記錄媒體”)的面記錄密度的提高，對(duì)硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD，Hard Disk Drive)等磁記錄裝置(以下簡(jiǎn)稱為“記錄裝置”)上搭載的薄膜磁頭的性能的要求不斷提高。眾所周知，作為這種薄膜磁頭的記錄方式，例如將信號(hào)磁場(chǎng)的朝向設(shè)定為記錄媒體的面內(nèi)方向(長度方向)的長度記錄方式，或者將信號(hào)磁場(chǎng)的朝向設(shè)定為與記錄媒體的面正交的方向的垂直記錄方式。目前廣泛利用長度記錄方式，但考慮伴隨記錄媒體面記錄密度提高的市場(chǎng)動(dòng)向時(shí)，可預(yù)見今后垂直記錄方式有望取代長度記錄方式。這是因?yàn)榇怪庇涗浄绞匠哂锌纱_保高的線記錄密度的優(yōu)點(diǎn)外，還具有記錄完的記錄媒體不易受熱波動(dòng)影響的優(yōu)點(diǎn)。
垂直記錄方式的薄膜磁頭主要具備產(chǎn)生磁束的薄膜線圈、將由該薄膜線圈產(chǎn)生的磁束向記錄媒體放射執(zhí)行記錄處理的磁極層、以及防止由該磁極層放射的磁束擴(kuò)散的記錄屏蔽層。該薄膜磁頭一般以安裝到磁頭浮動(dòng)塊(slider)的狀態(tài)由懸臂件(suspension)支持而構(gòu)成的集合結(jié)構(gòu)體，即磁頭折片組合(HGA，HeadGimbal Assembly)，搭載到記錄裝置，或者以上述懸臂件再由臂支持而構(gòu)成的集合結(jié)構(gòu)體，即磁頭臂組合(HAA，Head Arm Assembly)，搭載到記錄裝置。這種薄膜磁頭，例如在磁極層的后側(cè)(trailing side)配置記錄屏蔽層的薄膜磁頭(例如，參照專利文獻(xiàn)1、2)在現(xiàn)有技術(shù)中已有揭露。使用這種薄膜磁頭，在記錄時(shí)以記錄屏蔽層防止磁束的擴(kuò)散，從而可使記錄媒體上的記錄軌道寬度適當(dāng)變窄，進(jìn)而提高記錄密度。
專利文獻(xiàn)1日本特開2001-250204號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2歐州專利申請(qǐng)公開第0360978號(hào)說明書然而，為了確保垂直記錄方式的薄膜磁頭的工作特性，需要確保記錄處理的穩(wěn)定性。但是在傳統(tǒng)薄膜磁頭中，主要因其結(jié)構(gòu)上的原因而導(dǎo)致其記錄處理的穩(wěn)定性不充分，因此還需要改善其工作特性的穩(wěn)定性。為了確保垂直記錄方式薄膜磁頭的工作特性，希望確立可確保記錄處理穩(wěn)定性的磁頭結(jié)構(gòu)。這種場(chǎng)合，特別是在考慮薄膜磁頭量產(chǎn)性時(shí)，提供易于制造該薄膜磁頭的制造工藝也很重要。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本發(fā)明的第一目的在于提供可確保記錄處理穩(wěn)定性的薄膜磁頭、磁頭折片組合、磁頭臂組合以及磁記錄裝置。
并且，本發(fā)明的第二目的在于提供容易制造并確保記錄處理穩(wěn)定性的薄膜磁頭的制造方法。
本發(fā)明一種薄膜磁頭包括產(chǎn)生磁束的薄膜線圈；由與媒體行進(jìn)方向移動(dòng)的記錄媒體相對(duì)的記錄媒體對(duì)向面(ABS，air bearing surface)向后方延伸，并將所述薄膜線圈中產(chǎn)生的磁束向所述記錄媒體放射的磁極層；以及磁屏蔽層。所述磁屏蔽層通過在所述磁極層的所述媒體行進(jìn)方向側(cè)由所述記錄媒體對(duì)向面向后方延伸，并在所述記錄媒體對(duì)向面的近側(cè)由間隙層與所述磁極層隔開的同時(shí)，在所述記錄媒體對(duì)向面的遠(yuǎn)側(cè)通過后間隙連接到所述磁極層，其在所述記錄媒體對(duì)向面的遠(yuǎn)側(cè)具有第一厚度的同時(shí)，在所述記錄媒體對(duì)向面的近側(cè)因向所述媒體行進(jìn)方向側(cè)和其相反側(cè)兩個(gè)方向突出而具有大于所述第一厚度的第二厚度。
本發(fā)明一種磁頭折片組合包括安裝了上述薄膜磁頭的磁頭浮動(dòng)塊(slider)，以及在一端支撐該磁頭浮動(dòng)塊的懸臂件。
本發(fā)明一種磁頭臂組合包括安裝了上述薄膜磁頭的磁頭浮動(dòng)塊、在一端支撐該磁頭浮動(dòng)塊的懸臂件以及在另一端支持該懸臂件的臂。
本發(fā)明一種磁記錄裝置，包括記錄媒體和磁頭臂組合。所述磁頭臂組合包括安裝了上述薄膜磁頭的磁頭浮動(dòng)塊、在一端支撐該磁頭浮動(dòng)塊的懸臂件以及另一端支撐該懸臂件的臂。
在本發(fā)明的薄膜磁頭、磁頭折片組合、磁頭臂組合或磁記錄裝置中，磁屏蔽層是這樣構(gòu)成的即在記錄媒體對(duì)向面的遠(yuǎn)側(cè)具有第一厚度的同時(shí)，在記錄媒體對(duì)向面的近側(cè)因向媒體行進(jìn)方向側(cè)及其相反側(cè)兩個(gè)方向突出而具有大于第一厚度的第二厚度，因而該磁屏蔽層的體積在后方相對(duì)較小而在前方相對(duì)較大。此時(shí)，磁屏蔽層中前方記錄媒體對(duì)向面上露出的露出面的面積充分大，而且記錄媒體對(duì)向面附近的磁容量充分大，并且后方熱膨脹量充分小。這樣，從記錄媒體對(duì)向面露出的磁屏蔽層的露出面取得的磁束難以在記錄媒體對(duì)向面附近集中，從而未打算的信息難以寫到上面，同時(shí)由于磁屏蔽層不易受熱影響而過度膨脹，從而使突起缺陷難以發(fā)生。
本發(fā)明公開一種薄膜磁頭的制造方法，其中，該薄膜磁頭包括產(chǎn)生磁束的薄膜線圈；由與媒體行進(jìn)方向移動(dòng)的記錄媒體相對(duì)的記錄媒體對(duì)向面(ABS，airbearing surface)向后方延伸，并將所述薄膜線圈中產(chǎn)生的磁束向所述記錄媒體放射的磁極層；以及磁屏蔽層。所述磁屏蔽層通過在所述磁極層的所述媒體行進(jìn)方向側(cè)由所述記錄媒體對(duì)向面向后方延伸，并在所述記錄媒體對(duì)向面的近側(cè)由間隙層與所述磁極層隔開的同時(shí)，在所述記錄媒體對(duì)向面的遠(yuǎn)側(cè)通過后間隙連接到所述磁極層。該薄膜磁頭制造方法中包含形成磁屏蔽層的工序，使得在記錄媒體對(duì)向面的遠(yuǎn)側(cè)具有第一厚度的同時(shí)，在記錄媒體對(duì)向面的近側(cè)因向媒體行進(jìn)方向側(cè)和其相反側(cè)兩個(gè)方向突出而具有大于第一厚度的第二厚度。在本發(fā)明的薄膜磁頭制造方法中，為了形成在記錄媒體對(duì)向面的遠(yuǎn)側(cè)具有第一厚度的同時(shí)，在記錄媒體對(duì)向面的近側(cè)因向媒體行進(jìn)方向側(cè)和其相反側(cè)兩個(gè)方向突出而具有大于第一厚度的第二厚度的磁屏蔽層，僅僅使用包括成膜技術(shù)、圖案形成技術(shù)以及蝕刻技術(shù)等在內(nèi)的現(xiàn)有薄膜工藝，而無需使用新型且復(fù)雜的制造工藝。
在本發(fā)明的薄膜磁頭、磁頭折片組合、磁頭臂組合或磁記錄裝置中，磁屏蔽層的結(jié)構(gòu)包含與所述間隙層相鄰并由所述記錄媒體對(duì)向面延伸至后方所述記錄媒體對(duì)向面與所述后間隙之間的第一位置的第一磁屏蔽層部分；以及與所述第一磁屏蔽層部分以分體方式構(gòu)成，在所述第一磁屏蔽層部分的所述媒體行進(jìn)方向側(cè)、使一部分搭到第一磁屏蔽層部分并由所述記錄媒體對(duì)向面至少延伸至后方的所述后間隙的第二磁屏蔽層部分。
這時(shí)，所述第一磁屏蔽層部分具有第三厚度；所述第二磁屏蔽層部分在所述記錄媒體對(duì)向面的遠(yuǎn)側(cè)具有所述第一厚度的同時(shí)，在所述記錄媒體對(duì)向面的近側(cè)因僅向所述媒體行進(jìn)方向側(cè)突出而具有大于所述第一厚度的第四厚度；所述第二厚度由所述第三厚度與所述第四厚度之和來確定。
并且，所述第二磁屏蔽層部分包括一部分搭到所述第一磁屏蔽層部分并由所述記錄媒體對(duì)向面至少延伸至后方的所述后間隙、并具有所述第一厚度的第二主磁屏蔽層部分；以及在所述第二主磁屏蔽層部分的所述媒體行進(jìn)方向側(cè)，搭到該第二主磁屏蔽層部分并由所述記錄媒體對(duì)向面延伸至后方所述記錄媒體對(duì)向面與所述后間隙之間的第二位置并具有第五厚度的第二副磁屏蔽層部分；其中所述第四厚度由所述第一厚度與所述第五厚度之和來確定，且所述第二位置最好在所述第一位置的后方。
特別是，所述第二主磁屏蔽層部分與所述第二副磁屏蔽層部分可互相以分體方式構(gòu)成，或者可互相以一體方式構(gòu)成。在所述第二主磁屏蔽層部分與所述第二副磁屏蔽層部分相互以分體方式構(gòu)成時(shí)，所述第二主磁屏蔽層部分最好由電阻率大于所述第二副磁屏蔽層部分電阻率的材料構(gòu)成，所述第二副磁屏蔽層部分由飽和磁通密度大于所述第二主磁屏蔽層部分的飽和磁通密度的材料構(gòu)成。另外，所述磁極層最好構(gòu)成為可放射沿所述記錄媒體表面正交的方向被磁化的磁通。
在本發(fā)明薄膜磁頭的制造方法中，所述形成磁屏蔽層的工序包括形成構(gòu)成所述磁屏蔽層中的一部分的第一磁屏蔽層部分的工序，使之與所述間隙層相鄰并由所述記錄媒體對(duì)向面延伸至后方所述記錄媒體對(duì)向面與所述后間隙之間的第一位置；以及與所述第一磁屏蔽層部分以分體方式形成構(gòu)成所述磁屏蔽層中的另一部分的第二磁屏蔽層部分的工序，使之在所述第一磁屏蔽層部分的所述媒體行進(jìn)方向側(cè)，使一部分搭到第一磁屏蔽層部分并由所述記錄媒體對(duì)向面至少延伸至后方的所述后間隙。
這種情況下，可以形成所述第一磁屏蔽層部分，使之具有第三厚度；同時(shí)，形成所述第二磁屏蔽層部分，使之在所述記錄媒體對(duì)向面的遠(yuǎn)側(cè)具有所述第一厚度的同時(shí)，在所述記錄媒體對(duì)向面的近側(cè)因僅向所述媒體行進(jìn)方向側(cè)突出而具有大于所述第一厚度的第四厚度；所述第二厚度由所述第三厚度與所述第四厚度之和來確定。
并且，所述形成第二磁屏蔽層部分的工序包括形成構(gòu)成所述第二磁屏蔽層部分中的一部分的第二主磁屏蔽層部分的工序，使之搭到所述第一磁屏蔽層部分并由所述記錄媒體對(duì)向面至少延伸至后方的所述后間隙并具有所述第一厚度；以及形成構(gòu)成所述第二磁屏蔽層部分中的另一部分的第二副磁屏蔽層部分的工序，使之在所述第二主磁屏蔽層部分的所述媒體行進(jìn)方向側(cè)，搭到該第二主磁屏蔽層部分并由所述記錄媒體對(duì)向面延伸至后方所述記錄媒體對(duì)向面與所述后間隙之間的第二位置并具有第五厚度；所述第四厚度由所述第一厚度與所述第五厚度來確定，最好使所述第二位置在所述第一位置的后方。特別是，所述形成磁屏蔽層的工序包括第一工序，通過生長鍍膜在所述間隙層上形成所述第一磁屏蔽層部分；第二工序，形成所述第二主磁屏蔽層部分，使其一部分搭到所述第一磁屏蔽層部分，且使其整體具有所述第一厚度，并由所述記錄媒體對(duì)向面至少延伸至后方的所述后間隙；以及第三工序，通過生長鍍膜在所述第二主磁屏蔽層部分上與所述第二主磁屏蔽層部分以分體方式形成所述第二副磁屏蔽層部分，從而形成包含第二主磁屏蔽層部分和第二副磁屏蔽層部分的所述第二磁屏蔽層部分?；蛘呖梢园ǖ谝还ば颍ㄟ^生長鍍膜在所述間隙層上形成所述第一磁屏蔽層部分；第二工序，形成作為所述第二磁屏蔽層部分的前準(zhǔn)備層的先驅(qū)磁屏蔽層，使其一部分搭到所述第一磁屏蔽層部分，并使其整體具有所述第四厚度，且由所述記錄媒體對(duì)向面至少延伸至后方的所述后間隙；以及第三工序，通過有選擇地蝕刻所述先驅(qū)磁屏蔽層中所述記錄媒體對(duì)向面的遠(yuǎn)側(cè)部分并挖深到形成所述第一厚度而形成一體包含所述第二主磁屏蔽層部分和所述第二副磁屏蔽層部分的所述第二磁屏蔽層部分。
根據(jù)本發(fā)明的薄膜磁頭、磁頭折片組合、磁頭臂組合或磁記錄裝置，所述構(gòu)成的磁屏蔽層在記錄媒體對(duì)向面的遠(yuǎn)側(cè)具有第一厚度的同時(shí)，在記錄媒體對(duì)向面的近側(cè)因向媒體行進(jìn)方向側(cè)和其相反側(cè)兩個(gè)方向突出而具有大于第一厚度的第二厚度，基于這樣的結(jié)構(gòu)特征，由記錄媒體對(duì)向面露出的磁屏蔽層的露出面取得的磁束難以在記錄媒體對(duì)向面附近集中，因此未打算的信息寫到上面的現(xiàn)象難以發(fā)生，同時(shí)磁屏蔽層不易受熱影響而過度膨脹，因此難以發(fā)生突起缺陷。因而，基于抑制將未打算的信息寫到上面的現(xiàn)象發(fā)生以及抑制發(fā)生突起缺陷這兩個(gè)方面而使記錄處理更加穩(wěn)定，由此可確保其記錄處理的穩(wěn)定性。
另外，依據(jù)本發(fā)明的薄膜磁頭制造方法，為了形成在記錄媒體對(duì)向面的遠(yuǎn)側(cè)具有第一厚度的同時(shí)，在記錄媒體對(duì)向面的近側(cè)因向媒體行進(jìn)方向側(cè)和其相反側(cè)兩個(gè)方向突出而具有大于第一厚度的第二厚度的磁屏蔽層，僅用包括成膜技術(shù)、圖案形成技術(shù)及蝕刻技術(shù)等在內(nèi)的現(xiàn)有薄膜工藝，而不用新型且復(fù)雜的制造工藝，基于這樣的制造方法的特征，僅用現(xiàn)有薄膜工藝，就可容易制造確保記錄處理穩(wěn)定性的薄膜磁頭。


圖1是表示本發(fā)明一實(shí)施形態(tài)的薄膜磁頭的截面結(jié)構(gòu)(與YZ面平行的截面結(jié)構(gòu))的剖視圖。
圖2是表示圖1所示的薄膜磁頭的另一截面結(jié)構(gòu)(與XZ面平行的截面結(jié)構(gòu))的剖視圖。
圖3是表示圖1所示的薄膜磁頭中的主要部分的平面結(jié)構(gòu)(由Z軸方向看的平面結(jié)構(gòu))的平面圖。
圖4是表示相對(duì)本發(fā)明一實(shí)施形態(tài)的薄膜磁頭的第一比較例的薄膜磁頭的截面結(jié)構(gòu)(與YZ面平行的截面結(jié)構(gòu))的剖視圖。
圖5是表示相對(duì)本發(fā)明一實(shí)施形態(tài)的薄膜磁頭的第二比較例的薄膜磁頭的截面結(jié)構(gòu)(與YZ面平行的截面結(jié)構(gòu))的剖視圖。
圖6是表示本發(fā)明一實(shí)施形態(tài)的薄膜磁頭的結(jié)構(gòu)的變形例的剖視圖。
圖7是說明本發(fā)明一實(shí)施形態(tài)的薄膜磁頭制造方法的一工序的剖視圖。
圖8是說明接著圖7的工序的剖視圖。
圖9是說明接著圖8的工序的剖視圖。
圖10是說明接著圖9的工序的剖視圖。
圖11是說明本發(fā)明一實(shí)施形態(tài)的薄膜磁頭制造方法的變形例的一工序的剖視圖。
圖12是說明接著圖11的工序的剖視圖。
圖13是說明接著圖12的工序的剖視圖。
圖14是說明接著圖13的工序的剖視圖。
圖15是表示搭載本發(fā)明的薄膜磁頭的磁記錄裝置的透視結(jié)構(gòu)的透視圖。
圖16是放大表示圖15所示的磁記錄裝置中主要部分的透視結(jié)構(gòu)的透視圖。
圖17是表示磁軛層部分的結(jié)構(gòu)與突出量之間的相關(guān)的圖。
附圖標(biāo)號(hào)說明1.................................襯底 3....................下部讀取屏蔽層2、4、8、11、13、17...........................................................絕緣層5.................................屏蔽間隙膜6...........................MR元件7............................上部讀取屏蔽層 9............................分離層10..............................輔助磁極層 12...........................主磁極層12A..............................前端部 12B..........................后端部14...............................間隙層 14BG..........................后間隙15..............................TH規(guī)定層16..............................薄膜線圈18..............................磁軛層 18A，18B....................磁軛層部分19...............................保護(hù)層 20...............................磁極層30...............................記錄屏蔽層 40、220......................空氣支承面
51、52、61、62.............光刻膠圖案 100A............................再生磁頭部100B............................記錄磁頭部200.............................框體201..............................磁盤 202............................磁頭浮動(dòng)塊203...............................懸臂件 204.............................臂205...............................主軸馬達(dá)206.............................驅(qū)動(dòng)部207...............................固定軸 208.............................軸承211...............................基體212.............................薄膜磁頭300...............................HGA 400.............................HAAFP................................張開點(diǎn) M...........................媒體行進(jìn)方向P1、P2..........................位置 T1～T5........................厚度TH................................喉部高度TP.......................喉部高度零位置具體實(shí)施方式
以下，參照附圖就本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。
首先，參照?qǐng)D1～圖3，就本發(fā)明一實(shí)施形態(tài)的薄膜磁頭的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖1和圖2表示薄膜磁頭的截面結(jié)構(gòu)，圖1表示與空氣支承(air bearing)面垂直的截面結(jié)構(gòu)(與YZ面平行的截面結(jié)構(gòu))，圖2表示與空氣支承面平行的截面結(jié)構(gòu)(與XZ面平行的截面結(jié)構(gòu))。另外，圖3表示圖1和圖2所示的薄膜磁頭的平面結(jié)構(gòu)(從Z軸方向看的平面結(jié)構(gòu))。另外，圖1和圖2所示的朝上的箭頭M表示磁記錄媒體(未圖示)相對(duì)薄膜磁頭的移動(dòng)方向(媒體行進(jìn)方向M)。
以下說明中，將圖1～圖3所示的X軸方向尺寸記為“寬度”，將Y軸方向尺寸記為“長度”，將Z軸方向尺寸記為“厚度”。并且，將Y軸方向的空氣支承面的近側(cè)記為“前方”，其相反側(cè)記為“后方”。該內(nèi)容在后述的圖4以后也相同。
本實(shí)施形態(tài)的薄膜磁頭，為了對(duì)沿媒體行進(jìn)方向M移動(dòng)的例如硬盤等磁記錄媒體(以下簡(jiǎn)稱為“記錄媒體”)進(jìn)行磁性處理，例如搭載于硬盤驅(qū)動(dòng)器等的磁記錄裝置。該薄膜磁頭，例如是可進(jìn)行記錄處理和再生處理兩種磁性處理處理的復(fù)合式磁頭，如圖1所示，其具有如下結(jié)構(gòu)例如在由Al2O3/TiC等的陶瓷材料構(gòu)成的襯底1上，依次層疊例如由氧化鋁(Al2O3)等的非磁性絕緣材料構(gòu)成的絕緣層2；利用磁阻效應(yīng)(MRMagneto-resistive effect)執(zhí)行再生處理的再生磁頭部100A；例如由氧化鋁等的非磁性絕緣材料構(gòu)成的分離層9；執(zhí)行垂直記錄方式的記錄處理的屏蔽式記錄磁頭部100B；例如由氧化鋁等的非磁性絕緣材料構(gòu)成的保護(hù)層19。
再生磁頭部100A例如具有這樣的層疊結(jié)構(gòu)，即依次層疊周圍埋設(shè)絕緣層4的下部讀取屏蔽層3、屏蔽間隙膜5、周圍埋設(shè)絕緣層8的上部讀取屏蔽層7。該屏蔽間隙膜5中，作為再生元件的MR元件6的一端面露出于與記錄媒體相對(duì)的記錄媒體對(duì)向面(空氣支承面)40而埋設(shè)。
下部讀取屏蔽層3和上部讀取屏蔽層7均在外圍與MR元件6磁氣分離。該下部讀取屏蔽層3和上部讀取屏蔽層7由空氣支承面40向后方延伸，例如，如圖3所示，具有寬度W3的矩形平面形狀。另外，下部讀取屏蔽層3和上部讀取屏蔽層7例如都是由鎳鐵合金(NiFe(例如Ni80重量％，F(xiàn)e20重量％)以下簡(jiǎn)稱為“坡莫合金(商品名)”)等的磁性材料構(gòu)成，它們的厚度大致為1.0μm～2.0μm。另外，絕緣層4、8分別使下部讀取屏蔽層3和上部讀取屏蔽層7在周圍電氣分離，例如，均由氧化鋁等的非磁性絕緣材料構(gòu)成。
屏蔽間隙膜5，例如由氧化鋁等非磁性絕緣材料構(gòu)成，使MR元件6與外圍電氣分離。
MR元件6，例如用巨磁阻效應(yīng)(GMRGiant Magneto-resistive effect)或隧道磁阻效應(yīng)(TMRTunneling Magneto-resistive effect)等執(zhí)行磁性處理(再生處理)。
記錄磁頭部100B，例如具有周圍埋設(shè)依次層疊用絕緣層11、13的磁極層20；設(shè)有磁性連接用開口(后間隙14BG)的間隙層14；用絕緣層17埋進(jìn)的薄膜線圈16；以及記錄屏蔽層30的結(jié)構(gòu)。
磁極層20容納薄膜線圈16上發(fā)生的磁通，并將該磁通向記錄媒體放射，從而進(jìn)行磁性處理(記錄處理)，從空氣支承面40向后方延伸，具體地說延伸至設(shè)于間隙層14的后間隙14BG。該磁極層20具有二層結(jié)構(gòu)，例如層疊了作為磁通的放射部分起作用的主磁極層12和為確保該主磁極層12的磁容量(磁通容納量)而作為磁通的容納部分起作用的輔助磁極層10。另外，絕緣層11、13分別在周圍與輔助磁極層10和主磁極層12電氣分離，例如，均用氧化鋁等的非磁性絕緣材料構(gòu)成。
輔助磁極層10在主磁極層12的前側(cè)由空氣支承面40更后的位置向后方延伸，具體延伸至后間隙14BG，與該主磁極層12連接。該“連接”僅指物理接觸，是在物理接觸情況下可磁性導(dǎo)通的狀態(tài)，該“連接”的意思在以下相同。該輔助磁極層10例如由與主磁極層12同樣的材料構(gòu)成，如圖3所示，具有小于寬度W3的寬度W2(W2＜W3)的矩形平面形狀。另外，“前側(cè)”指將沿圖1和圖2所示的媒體行進(jìn)方向M移動(dòng)的記錄媒體的移動(dòng)狀態(tài)看成一個(gè)流動(dòng)時(shí)，該流動(dòng)的流入側(cè)(媒體行進(jìn)方向M側(cè)的相反側(cè))，這里指厚度方向(Z軸方向)的下側(cè)。相反，流動(dòng)的流出側(cè)(媒體行進(jìn)方向M側(cè))稱為“下垂側(cè)”，這里指厚度方向的上側(cè)。
主磁極層12在輔助磁極層10的下垂側(cè)由空氣支承面40向后方延伸，具體與輔助磁極層10同樣延伸至后間隙14BG，例如，由坡莫合金或鐵鈷系合金等的磁性材料構(gòu)成。該“鐵鈷系合金”例如有鐵鈷合金(FeCo)或鐵鈷鎳合金(FeCoNi)等。特別是主磁極層12，最好由具有上述鐵鈷系合金等的高飽和磁通密度磁性材料構(gòu)成。該主磁極層12，例如如圖3所示，由空氣支承面40的近側(cè)依次包含具有規(guī)定記錄軌道寬度的一定寬度W1(例如W1＝約0.15μm)的前端部12A和與該前端部12A的后方連接并具有大于前端部12A寬度W1的寬度W2(W2＞W(wǎng)1)的后端部12B。后端部12B的寬度，例如在后方一定(寬度W2)，而在前方隨著靠近前端部12A逐漸變窄。該主磁極層12的寬度由前端部12A(寬度W1)向后端部12B(寬度W2)擴(kuò)大的位置是確定薄膜磁頭的記錄特性的重要因素之一即“張開點(diǎn)(FP)”。
間隙層14用于形成將磁極層20與記錄屏蔽層30磁氣分離的間隙。該間隙層14例如由氧化鋁等的非磁性絕緣材料構(gòu)成，其厚度大致為0.2μm以下。
薄膜線圈16用以產(chǎn)生記錄用磁通，例如由銅(Cu)等的高導(dǎo)電性材料構(gòu)成。該薄膜線圈16，例如如圖1所示，具有以后間隙14BG為中心纏繞的線圈結(jié)構(gòu)(螺旋結(jié)構(gòu))。特別是構(gòu)成薄膜線圈16的各線圈長度(Y軸方向尺寸)，例如其前方相對(duì)后間隙14BG較窄，同時(shí)后方相對(duì)較寬。另外，圖1中只示出構(gòu)成薄膜線圈16的多個(gè)線圈中的一部分。
絕緣層17覆蓋薄膜線圈16并在外圍電氣分離，不堵塞后間隙14BG地配置在間隙層14上。該絕緣層17例如由加熱狀態(tài)下顯示流動(dòng)性的光刻膠(感光樹脂)或旋涂玻璃(SOGSpin On Glass)等的非磁性絕緣材料構(gòu)成，該絕緣層17的端緣附近部分構(gòu)成慢圓的斜面。該絕緣層17的最前端位置是確定薄膜磁頭的記錄性能的另一重要因素即“喉部高度零位置TP”，空氣支承面40與喉部高度零位置TP之間的距離是“喉部高度TH”。另外，圖1和圖3中，例如示出喉部高度零位置TP與張開點(diǎn)FP1一致的場(chǎng)合。
記錄屏蔽層30收取由磁極層20放射的磁通擴(kuò)張分量，是防止該磁通擴(kuò)張的磁屏蔽層。另外，記錄屏蔽層30例如具有上述防止磁通擴(kuò)張的功能外，還具有從磁極層20向記錄媒體放射磁通時(shí)，通過回收經(jīng)過記錄媒體的(用于記錄處理)磁通再供給到磁極層20，即在薄膜磁頭與記錄媒體之間使磁通循環(huán)的功能。該記錄屏蔽層30在磁極層20的下垂側(cè)由空氣支承面40向后方延伸，從而在空氣支承面40的近側(cè)由間隙層14與磁極層20隔開，同時(shí)在空氣支承面40的遠(yuǎn)側(cè)通過后間隙14BG連接到磁極層20。即，記錄屏蔽層30由空氣支承面40至少延伸至后方的后間隙14BG，具體地說延伸至后間隙14BG的后方，具有在空氣支承面40露出的一端面(露出面)30M。
特別是記錄屏蔽層30，如圖1所示，在空氣支承面40的近側(cè)與遠(yuǎn)側(cè)之間具有不同厚度的特征性結(jié)構(gòu)，即在空氣支承面40的遠(yuǎn)側(cè)具有厚度T1(第一厚度)的同時(shí)，在空氣支承面40的近側(cè)因向下垂側(cè)和讀出(reading)側(cè)兩個(gè)方向突出而具有大于厚度T1的厚度T2(T2＞T1第二厚度)。更簡(jiǎn)單說明記錄屏蔽層30的結(jié)構(gòu)特征，則由如圖1的粗線所示的記錄屏蔽層30的輪廓可知，其記錄屏蔽層30中的后間隙14BG前方的主要部分具有這樣的結(jié)構(gòu)在空氣支承面40的遠(yuǎn)側(cè)具有大致一定的厚度T1，且沿Y軸方向(橫向)延伸，同時(shí)在Z軸方向(上下方向)使厚度擴(kuò)張而空氣支承面40的近側(cè)成為厚度T2的大致T字形截面結(jié)構(gòu)。
該記錄屏蔽層30，例如包括以下部分與間隙層14相鄰的同時(shí)由空氣支承面40延伸至后方的空氣支承面40與后間隙14BG之間的位置P1(第一位置)的TH規(guī)定層15(第一磁屏蔽層部分)；以及與該TH規(guī)定層15以分體方式構(gòu)成，且在TH規(guī)定層15的下垂側(cè)部分搭載到該TH規(guī)定層15，同時(shí)由空氣支承面40至少延伸至后方的后間隙14BG的磁軛(yoke)層18(第二磁屏蔽層部分)，即具有TH規(guī)定層15與磁軛層18按該順序?qū)盈B的層疊結(jié)構(gòu)。
TH規(guī)定層15主要用作磁通取得口，如圖1所示，具有厚度T3(第三厚度)。該TH規(guī)定層15例如由坡莫合金、鐵鎳合金(FeNi)或鐵鈷系合金等的磁性材料構(gòu)成，如圖3所示，呈現(xiàn)具有寬度W3的矩形平面形狀。該TH規(guī)定層15與埋入薄膜線圈16的絕緣層17相鄰，即TH規(guī)定層15負(fù)責(zé)規(guī)定絕緣層17的最前端位置(喉部高度零位置TP)。
磁軛層18用作由TH規(guī)定層15取得的磁通的通路，例如通過由空氣支承面40延伸至后間隙14BG的后方，使一部分搭到后間隙14BG前方的TH規(guī)定層15而連接，同時(shí)通過該后間隙14BG與磁極層20局部連接。特別是如圖1所示，磁軛層18例如在空氣支承面40的遠(yuǎn)側(cè)具有厚度T1的同時(shí)，在空氣支承面40的近側(cè)因僅向下垂側(cè)突出而具有大于厚度T1的厚度T4(T4＞T1第四厚度)。該磁軛層18例如由與TH規(guī)定層15的構(gòu)成材料同樣的磁性材料構(gòu)成，如圖3所示，呈現(xiàn)具有寬度W3的矩形平面形狀。上述記錄屏蔽層30的厚度T2由TH規(guī)定層15的厚度T3和磁軛層18中的前方部分的厚度T4之和來規(guī)定(T2＝T3+T4)。
特別是，磁軛層18例如具有互相以分體方式構(gòu)成的兩個(gè)構(gòu)成部分連接的結(jié)構(gòu)。具體地說，磁軛層18例如包括如下結(jié)構(gòu)一部分搭到TH規(guī)定層15并由空氣支承面40至少延伸至后方的后間隙14BG，具體由空氣支承面40延伸至后間隙14BG的后方并具有厚度T1的磁軛層部分18A(第二主磁屏蔽層部分)；以及在磁軛層部分18A的下垂側(cè)搭到該磁軛層部分18A，同時(shí)由空氣支承面40延伸至后方的空氣支承面40與后間隙14BG之間的位置P2(第二位置)并具有厚度T5(第五厚度)的磁軛層部分18B(第二副磁屏蔽層部分)，即具有磁軛層部分18A、18B按該順序?qū)盈B的層疊構(gòu)造。磁軛層部分18A例如由具有高電阻率的材料構(gòu)成，具體地說，最好由具備大于磁軛層部分18B的電阻率RB的電阻率RA(RA＞RB)的材料構(gòu)成。另一方面，磁軛層部分18B例如由高飽和磁通密度材料構(gòu)成，具體地說，最好由具備大于磁軛層部分18A的飽和磁通密度SA的飽和磁通密度SB(SB＞SA)的材料構(gòu)成。這里，例如磁軛層部分18A由鐵鎳合金(FeNi電阻率RA＝約45μΩcm，飽和磁通密度SA＝約1.5T～1.6T)構(gòu)成，磁軛層部分18B由鐵鈷鎳合金(FeCoNi電阻率RB＝約18μΩcm，飽和磁通密度SB＝約1.8T～2.0T)構(gòu)成。上述磁軛層18的厚度T4由磁軛層部分18A的厚度T1與磁軛層部分18B的厚度T5之和來規(guī)定(T4＝T1+T5)。作為該磁軛層部分18B與TH規(guī)定層15之間的位置關(guān)系，例如磁軛層部分18B的延伸端即位置P2位于TH規(guī)定層15的延伸端即位置P1的后方，即磁軛層部分18B延伸至TH規(guī)定層15的后方。另外，磁軛層部分18A、18B，例如如圖3所示，都具有矩形平面形狀。
以下，參照?qǐng)D1～圖3，就薄膜磁頭的動(dòng)作進(jìn)行說明。
該薄膜磁頭中，信息記錄時(shí)，若從未圖示的外部電路到記錄磁頭部100B中的薄膜線圈16有電流流過，則由該薄膜線圈16產(chǎn)生磁束。這時(shí)發(fā)生的磁通容納到構(gòu)成磁極層20的輔助磁極層10和主磁極層12后，主要在主磁極層12內(nèi)從后端部12B流到前端部12A。這時(shí)，流過磁極層20內(nèi)的磁通伴隨該磁極層20寬度的減少，在張開點(diǎn)FP收窄并會(huì)聚，集中到前端部12A中的下垂側(cè)部分。若集中到該下垂側(cè)部分的磁通由前端部12A向外部放射，則在與記錄媒體表面正交的方向發(fā)生記錄磁場(chǎng)(垂直磁場(chǎng))，基于該垂直磁場(chǎng)，記錄媒體沿垂直方向磁化，因此該記錄媒體上信息被磁性記錄。另外，信息記錄時(shí)，由前端部12A放射的磁通的擴(kuò)張分量收入到記錄屏蔽層30，由此防止該磁通的擴(kuò)張。并且，通過由前端部12A放射而經(jīng)過記錄媒體(用于記錄處理)的磁通回收到記錄屏蔽層30，由此在薄膜磁頭與記錄媒體之間磁通循環(huán)。
另一方面，信息再生時(shí)，若在再生磁頭部100A中的MR元件6上流過讀出電流，則按照來自記錄媒體的信號(hào)磁場(chǎng)改變MR元件6的電阻值。通過檢出該MR元件6的電阻變化作為讀出電流變化，磁性讀出記錄媒體記錄的信息。
本實(shí)施形態(tài)的薄膜磁頭中，記錄屏蔽層30在空氣支承面40的遠(yuǎn)側(cè)具有厚度T1，同時(shí)在空氣支承面40的近側(cè)因向下垂側(cè)和讀出側(cè)兩個(gè)方向突出而具有大于厚度T1的厚度T2(T2＞T1)，基于以下的理由，能夠確保記錄處理的穩(wěn)定性。
圖4表示作為對(duì)本實(shí)施形態(tài)的薄膜磁頭的第一比較例的薄膜磁頭的結(jié)構(gòu)，且圖5表示作為對(duì)本實(shí)施形態(tài)的薄膜磁頭的第二比較例的薄膜磁頭的結(jié)構(gòu)，都示出與圖1對(duì)應(yīng)的截面結(jié)構(gòu)。第一比較例的薄膜磁頭的結(jié)構(gòu)中記錄屏蔽層30包含整個(gè)一律具有厚度T4的磁軛層118，以取代上述磁軛層18，即記錄屏蔽層30在空氣支承面40的遠(yuǎn)側(cè)具有厚度T4的同時(shí)，在空氣支承面40的近側(cè)因僅向讀出側(cè)突出而具有大于厚度T4的厚度T6(T6＞T4，T6＝T3+T4)，除這一點(diǎn)外具有與本實(shí)施形態(tài)的薄膜磁頭相同的結(jié)構(gòu)。并且，第二比較例的薄膜磁頭的結(jié)構(gòu)中記錄屏蔽層30包含整個(gè)一律具有厚度T1的磁軛層218，取代上述磁軛層18，即記錄屏蔽層30在空氣支承面40的遠(yuǎn)側(cè)具有厚度T1的同時(shí)，在空氣支承面40的近側(cè)因僅向讀出側(cè)突出而具有大于厚度T1的厚度T7(T7＞T1，T7＝T1+T3)，除這一點(diǎn)外具有與本實(shí)施形態(tài)的薄膜磁頭相同的結(jié)構(gòu)。
在第一比較例的薄膜磁頭(參照?qǐng)D4)中，由于整個(gè)磁軛層118具有較大的厚度T4，使整個(gè)記錄屏蔽層30的體積變得較大。在這種情況下，在記錄屏蔽層30中的前方，露出面30M的面積充分大，同時(shí)在空氣支承面40附近的磁容量充分大。從而，由記錄屏蔽層30的露出面30M取得的磁通難在空氣支承面40附近集中，因此難以發(fā)生未打算的信息寫到上面。該“未打算的信息寫到上面”指的是，記錄屏蔽層30中的空氣支承面40附近部分因磁通集中而發(fā)生不需要的記錄磁場(chǎng)，基于該不需要的記錄磁場(chǎng)記錄到記錄媒體的信息在未打算的情況下寫到上面的不良情況。但是，在第一比較例的薄膜磁頭中難以發(fā)生上述未打算的信息寫到上面的情況，但因整個(gè)記錄屏蔽層30的體積過大而其記錄屏蔽層30中的后方熱膨脹量過大。這種情況下，薄膜磁頭在記錄動(dòng)作時(shí)發(fā)熱而環(huán)境溫度上升，記錄屏蔽層30受該熱影響而易過度膨脹，因此容易發(fā)生突起缺陷。該“突起缺陷”指的是，薄膜磁頭的構(gòu)成要素(這里例如記錄屏蔽層30)因熱膨脹而在未打算的情況下由空氣支承面40(自由端)突出的不良情況，使薄膜磁頭與記錄媒體碰撞而得到嚴(yán)重的缺陷。由此，第一比較例的薄膜磁頭中，不僅抑制發(fā)生未打算的信息寫到上面，而且可抑制突起缺陷的發(fā)生，因此在抑制發(fā)生這些未打算的信息寫到上面和抑制發(fā)生突起缺陷的兩個(gè)觀點(diǎn)上難以使記錄處理穩(wěn)定化。
另一方面，第二比較例的薄膜磁頭(參照?qǐng)D5)中，由于整個(gè)磁軛層218具有比較小的厚度T1，整個(gè)記錄屏蔽層30的體積比較小。這種情況下，在記錄屏蔽層30中的后方，熱膨脹量充分小。從而，即使薄膜磁頭記錄動(dòng)作時(shí)環(huán)境溫度上升，也不易受該熱影響使記錄屏蔽層30過度膨脹，不易發(fā)生突起缺陷。雖然第二比較例的薄膜磁頭中不易發(fā)生上述突起缺陷，但記錄屏蔽層30的整體體積過小，因而在該記錄屏蔽層30中的前方，不僅露出面30M的面積過小而且空氣支承面40附近的磁容量也過小。這種情況下，由記錄屏蔽層30的露出面30M取得的磁通容易在空氣支承面附近集中，因此容易發(fā)生未打算的信息寫到上面。這樣，第二比較例的薄膜磁頭中，雖然可抑制突起缺陷的發(fā)生，但不能抑制發(fā)生未打算的信息寫到上面，因此在抑制發(fā)生未打算的信息寫到上面和抑制發(fā)生突起缺陷的兩個(gè)觀點(diǎn)上仍難以使記錄處理穩(wěn)定化。
相反，本實(shí)施形態(tài)的薄膜磁頭(參照?qǐng)D1)中，磁軛層18在后方具有比較小的厚度T1，同時(shí)在前方具有比較大的厚度T4，因此記錄屏蔽層30的體積在后方相對(duì)較小，同時(shí)在前方相對(duì)較大。這種情況下，在記錄屏蔽層30中的前方露出面30M的面積充分大，同時(shí)空氣支承面40附近的磁容量充分大，且后方熱膨脹量充分小。從而，由記錄屏蔽層30的露出面30M取得的磁通難以在空氣支承面40附近集中，因此難以發(fā)生未打算的信息寫到上面，同時(shí)不易使記錄屏蔽層30受熱影響而過度膨脹，因此難以發(fā)生突起缺陷。因而，在本實(shí)施形態(tài)的薄膜磁頭中，可抑制發(fā)生未打算的信息寫到上面，并可抑制突起缺陷的發(fā)生，結(jié)果，在抑制發(fā)生未打算的信息寫到上面和抑制發(fā)生突起缺陷的兩個(gè)觀點(diǎn)上使記錄處理穩(wěn)定化，因此能夠確保其記錄處理的穩(wěn)定性。
特別是在本實(shí)施形態(tài)中，記錄屏蔽層30中的磁軛層部分18B的延伸端的位置P2位于TH規(guī)定層15的延伸端的位置P1后方，即磁軛層部分18B延伸至TH規(guī)定層15后方，因此磁軛層部分18B的體積充分大于TH規(guī)定層15。因而，磁軛層部分18B的磁容量充分大，所以能夠有效抑制發(fā)生上述未打算的信息寫到上面。
并且，本實(shí)施形態(tài)中，磁軛層18中的磁軛層部分18A、18B互相以分體方式構(gòu)成，而且磁軛層部分18A由其電阻率RA大于磁軛層部分18B的電阻率RB(RA＞RB)的材料構(gòu)成，磁軛層部分18B由其飽和磁通密度SB大于磁軛層部分18A的飽和磁通密度SA(SB＞SA)的材料構(gòu)成，因此能夠根據(jù)磁軛層部分18A的高電阻率特性確保高頻特性，同時(shí)根據(jù)磁軛層部分18B的高飽和磁通密度特性能夠防止磁飽和的發(fā)生。
另外，如圖1所示，本實(shí)施形態(tài)中，磁軛層18中的磁軛層部分18A、18B互相以分體方式構(gòu)成，但并不限于此，例如如圖6所示，磁軛層部分18A、18B亦可以一體方式構(gòu)成。當(dāng)然，圖6所示的薄膜磁頭中，厚度T1～T4間的關(guān)系也與上述實(shí)施形態(tài)中說明的場(chǎng)合相同。這種情況下，可得到與上述實(shí)施形態(tài)同樣的效果。另外，圖6所示的薄膜磁頭相關(guān)的上述以外的結(jié)構(gòu)與圖1所示的場(chǎng)合相同。
接著，參照?qǐng)D1～圖3和圖7～圖10，就本實(shí)施形態(tài)的薄膜磁頭制造方法進(jìn)行說明。圖7～圖10說明薄膜磁頭的制造工藝，均示出與圖1對(duì)應(yīng)的截面結(jié)構(gòu)。
以下，首先參照?qǐng)D1概略說明整個(gè)薄膜磁頭的制造工藝，然后參照?qǐng)D1～圖3和圖7～圖10，就薄膜磁頭的主要部分(記錄屏蔽層30)的形成工序進(jìn)行詳細(xì)說明。另外，對(duì)于構(gòu)成薄膜磁頭的一系列的構(gòu)成要素的材質(zhì)、尺寸及結(jié)構(gòu)特征已做了詳細(xì)說明，因此有時(shí)省略對(duì)它們的說明。
該薄膜磁頭主要采用現(xiàn)有的鍍膜處理或?yàn)R鍍等成膜技術(shù)、光刻處理等圖案形成技術(shù)以及干蝕刻或濕蝕刻等蝕刻技術(shù)等薄膜工藝，依次形成各構(gòu)成要素并層疊而制造。即，如圖1所示，首先在襯底1上形成絕緣層2，然后在該絕緣層2上依次層疊用絕緣層4埋入周圍的下部讀取屏蔽層3、埋入MR元件6的屏蔽間隙膜5以及用絕緣層8埋入周圍的上部讀取屏蔽層7，從而形成再生磁頭部100A。接著，在再生磁頭部100A上形成分離層9，然后在該分離層9上依次層疊用絕緣層11、13埋入周圍的磁極層20(輔助磁極層10、主磁極層12)、設(shè)有后間隙14BG的間隙層14、埋入薄膜線圈16的絕緣層17以及記錄屏蔽層30(TH規(guī)定層15、磁軛層18)，從而形成記錄磁頭部100B。最后，在記錄磁頭部100B上形成保護(hù)層19，然后利用機(jī)械加工或研磨加工形成空氣支承面40，完成薄膜磁頭。
在形成薄膜磁頭的主要部分即記錄屏蔽層30時(shí)，形成設(shè)有后間隙14BG的間隙層14后，首先，如圖7所示，通過在間隙層14上的張開點(diǎn)FP前方區(qū)域有選擇地生成鍍膜，圖案形成構(gòu)成記錄屏蔽層30中的一部分的TH規(guī)定層15。形成該TH規(guī)定層15時(shí)，與間隙層14相鄰并在后工序使之由成為空氣支承面40(參照?qǐng)D1)的位置延伸至后方的空氣支承面40與后間隙14BG之間的位置P1，同時(shí)具有厚度T3。這種情況下，特別是如上所述，考慮最終基于TH規(guī)定層15的形成位置規(guī)定喉部高度零位置TP(參照?qǐng)D1)，設(shè)定其TH規(guī)定層15的延伸端的位置P1。另外，為了使用鍍膜生長處理形成TH規(guī)定層15的圖案，例如使用未圖示的圖案膜形成用的膜(光刻膠圖案)，對(duì)于該光刻膠圖案的形成工序?qū)⒃诤竺婷枋觥?br> 然后，如圖7所示，在間隙層14上圖案形成薄膜線圈16，并圖案形成絕緣層17，使它覆蓋連續(xù)薄膜線圈16的各線圈間和其外圍的間隙層14并埋入背間隙14BG，基于該絕緣層17的最前端位置規(guī)定喉部高度零位置TP后，形成光刻膠圖案51，覆蓋絕緣層17和其外圍間隙層14。形成該光刻膠圖案51時(shí)，例如通過在間隙層14、TH規(guī)定層15、絕緣層17和其外圍區(qū)域的表面涂敷光刻膠來形成光刻膠膜后，利用光刻處理圖案形成光刻膠膜(曝光、顯像)，由此在后工序中形成磁軛層部分18A(參照?qǐng)D8)的區(qū)域設(shè)開口，即覆蓋除形成磁軛層部分18A的區(qū)域以外的區(qū)域。這里，例如，光刻膠圖案51的前端位于后間隙14BG后方，即后間隙14BG后方配置光刻膠圖案51，覆蓋一部分絕緣層17。
然后，利用光刻膠圖案51有選擇地生長鍍膜，從而如圖8所示，在光刻膠圖案51的開口圖案形成構(gòu)成磁軛層18中的一部分的磁軛層部分18A。形成該磁軛層部分18A時(shí)，使一部分搭載到TH規(guī)定層15上，同時(shí)使整個(gè)具有厚度T1并由后工序中成為空氣支承面40的位置至少延伸至后方的后間隙14BG，具體延伸至后間隙14BG的后方。
接著，除去使用完的光刻膠圖案51，然后如圖9所示，形成光刻膠圖案52來覆蓋間隙層14、絕緣層17和磁軛層部分18A。形成該光刻膠圖案52時(shí)，例如在后工序中形成磁軛層部分18B(參照?qǐng)D10)的區(qū)域設(shè)開口，即覆蓋除形成磁軛層部分18B的區(qū)域以外的區(qū)域。這里，例如光刻膠圖案52的前端位于位置P1后方的位置P2，即TH規(guī)定層15后方配置光刻膠圖案52，以覆蓋磁軛層部分18A的一部分。
然后，利用光刻膠圖案52有選擇地生長鍍膜，從而如圖10所示，在光刻膠圖案52的開口，磁軛層18中的磁軛層部分18A與作為另一部分的磁軛層部分18B以分體方式形成圖案(pattern)。形成該磁軛層部分18B時(shí)，使之在磁軛層部分18A的下垂側(cè)搭到該磁軛層部分18A并由后工序中成為空氣支承面40的位置延伸至后方的空氣支承面40與后間隙14BG之間的位置P2，同時(shí)具有厚度T5。從而形成包含磁軛層部分18A、18B并由磁軛層部分18A的厚度T1與磁軛層部分18B的厚度T5之和規(guī)定厚度T4(T4＝T1+T5)的磁軛層18，即形成在后工序中成為空氣支承面40的位置的遠(yuǎn)側(cè)具有厚度T1的同時(shí)，在成為空氣支承面40的位置的近側(cè)因向下垂側(cè)突出而具有大于厚度T1的厚度T4(T4＞T1)的磁軛層18。結(jié)果，形成包含TH規(guī)定層15和磁軛層18，并在空氣支承面40的遠(yuǎn)側(cè)具有厚度T1并在空氣支承面40的近側(cè)具有因向下垂側(cè)和讀出側(cè)兩個(gè)方向突出而具有大于厚度T1的厚度T2(T2＞T1)的記錄屏蔽層30，完成該記錄屏蔽層30。
另外，以上為了簡(jiǎn)化說明，設(shè)圖10所示的時(shí)刻完成記錄屏蔽層30(TH規(guī)定層15、磁軛層18(磁軛層部分18A、18B))，但嚴(yán)格來說，在除去使用完的光刻膠圖案52后，例如使用拋光技術(shù)等從襯底1研磨至達(dá)到記錄屏蔽層30的層疊結(jié)構(gòu)的一端面，如圖1所示，研磨后形成包含記錄屏蔽層30的露出面30M的空氣支承面40并做成平坦面，從而實(shí)質(zhì)地完成記錄屏蔽層30。
本實(shí)施形態(tài)的薄膜磁頭制造方法中，為了形成在空氣支承面40的遠(yuǎn)側(cè)具有厚度T1并在空氣支承面40的近側(cè)因向下垂側(cè)和讀出側(cè)的兩個(gè)方向突出而具有大于厚度T1的厚度T2(T2＞T1)的記錄屏蔽層30，僅用包括成膜技術(shù)、圖案形成技術(shù)和蝕刻技術(shù)等的現(xiàn)有薄膜工藝，而不用新型且復(fù)雜的制造工藝。因而，本實(shí)施形態(tài)中，僅用現(xiàn)有薄膜工藝，就可容易制造確保記錄處理的穩(wěn)定性的薄膜磁頭。
特別是在本實(shí)施形態(tài)中，分割形成記錄屏蔽層30中的磁軛層18，具體地說，將具有厚度T1的磁軛層部分18A與具有厚度T5的磁軛層部分18B相互以分體方式形成，從而形成記錄屏蔽層30，因此厚度T1在磁軛層部分18A的形成工序中規(guī)定，同時(shí)厚度T5在磁軛層部分18B的形成工序中規(guī)定，即厚度T1、T5分別在個(gè)別工序中互相獨(dú)立規(guī)定。因而，各工序中嚴(yán)格控制厚度T1、T5，因此能夠?qū)@些厚度T1、T5之和規(guī)定的厚度T4(T4＝T1+T5)進(jìn)行嚴(yán)格控制。
這種情況下，通過將磁軛層部分18A、18B互相以分體方式形成，可以用互相不同的材質(zhì)形成磁軛層部分18A、18B，因此考慮薄膜磁頭的性能等可自由設(shè)定磁軛層部分18A、18B的各材質(zhì)。
另外，本實(shí)施形態(tài)中，如圖7～圖10所示，分割形成記錄屏蔽層30中的磁軛層18，但并不受限于此，例如如圖6所示，作為薄膜磁頭構(gòu)成相關(guān)的變形例，可將磁軛層18一體的方式形成，即將磁軛層部分18A、18B互相一體的方式形成。這種一體型的磁軛層18，如以下說明，例如可通過圖11～圖14所示的薄膜磁頭的制造工藝來形成。
即，在形成一體型的磁軛層18時(shí)，經(jīng)由與參照?qǐng)D7說明的工序相同的工序形成TH規(guī)定層15后，首先，如圖11所示，采用上述實(shí)施形態(tài)中形成光刻膠圖案51時(shí)同樣的步驟，形成光刻膠圖案61，以在后工序中形成先驅(qū)磁軛層18Z(參照?qǐng)D12)的區(qū)域設(shè)開口。然后，如圖12所示，通過在光刻膠圖案61的開口有選擇地生長鍍膜，形成先驅(qū)磁軛層18Z作為磁軛層18的前準(zhǔn)備層。形成該先驅(qū)磁軛層18Z時(shí)，使一部分搭到TH規(guī)定層15并使整個(gè)具有厚度T4，由后工序中成為空氣支承面40的位置至少延伸至后方的后間隙14BG，具體地說，覆蓋絕緣層17并延伸至后間隙14BG后方。即，先驅(qū)磁軛層18Z的結(jié)構(gòu)相當(dāng)于上述實(shí)施形態(tài)中說明的磁軛部分層18A的厚度由T1變更到T4的結(jié)構(gòu)。然后，如圖13所示，在殘留光刻膠圖案61的狀態(tài)下，在先驅(qū)磁軛層18Z上形成上述實(shí)施形態(tài)中記錄屏蔽層30具有厚度T1的區(qū)域，即位置P2后方的區(qū)域上與光刻膠圖案61一起具有開口的光刻膠圖案62。然后，以光刻膠圖案61、62作為掩模，例如用離子研磨，將先驅(qū)磁軛層18Z中的后工序中成為空氣支承面40的位置的遠(yuǎn)側(cè)的部分選擇蝕刻且挖深到形成厚度T1，從而如圖14所示，所形成的磁軛層18在后工序中成為空氣支承面40的位置的遠(yuǎn)側(cè)具有厚度T1并空氣支承面40的近側(cè)具有厚度T4。從而，完成一體型的磁軛層18。當(dāng)然，這時(shí)嚴(yán)格說，在除去使用完的光刻膠圖案61、62后，例如使用拋光技術(shù)等來形成空氣支承面40，從而實(shí)質(zhì)地完成磁軛層18。另外，用以蝕刻先驅(qū)磁軛層18Z的蝕刻方法并不限于離子研磨，可采用該離子研磨以外的其它蝕刻方法。另外，圖11～圖14所示的薄膜磁頭的制造工藝相關(guān)的上述以外的步驟，與圖7～圖10所示的薄膜磁頭的制造工藝相同。
以上，結(jié)束對(duì)本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的薄膜磁頭及其制造方法的說明。
接著，參照?qǐng)D15和圖16，就本發(fā)明的搭載薄膜磁頭的磁記錄裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖15和圖16表示磁記錄裝置的結(jié)構(gòu)，圖15是整體結(jié)構(gòu)的透視圖，圖16放大表示主要部分的透視結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明的“磁頭折片組合”和“磁頭臂組合”都是磁記錄裝置的一部分結(jié)構(gòu)，因此以下對(duì)該磁頭折片組合和磁頭臂組合一并進(jìn)行說明。
圖15和圖16所示的磁記錄裝置搭載了上述實(shí)施形態(tài)中說明的薄膜磁頭，例如硬盤驅(qū)動(dòng)器。該磁記錄裝置如圖15所示，例如設(shè)有框體200內(nèi)部作為磁性記錄信息的記錄媒體的多個(gè)磁盤(例如硬盤)201；對(duì)應(yīng)于各磁盤201配置，并在一端支持磁頭浮動(dòng)塊202的多個(gè)懸臂件203；以及支持該懸臂件203另一端的多個(gè)臂204。磁盤201以固定于框體200的主軸馬達(dá)205為中心可旋轉(zhuǎn)。臂204與作為動(dòng)力源的驅(qū)動(dòng)部206連接，以固定于框體200的固定軸207為中心，通過軸承208可轉(zhuǎn)動(dòng)。驅(qū)動(dòng)部206例如為包含音圈馬達(dá)等的驅(qū)動(dòng)源的結(jié)構(gòu)。該磁記錄裝置例如為以固定軸207為中心可使多個(gè)臂204一體旋回的模型。另外，圖15中為使磁記錄裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)清晰，局部切去框體200并加以表示。
如圖16所示，磁頭浮動(dòng)塊202例如具有在由Al2O3/TiC等的非磁性絕緣材料構(gòu)成的具有大致直方體結(jié)構(gòu)的基體211的一面上，安裝了執(zhí)行記錄處理和再生處理的薄膜磁頭212的結(jié)構(gòu)。該基體211例如具有設(shè)有用以減少臂204旋轉(zhuǎn)時(shí)產(chǎn)生的空氣阻力的凹凸結(jié)構(gòu)的一面(空氣支承面220)，與該空氣支承面220正交的另一面(圖16中右前側(cè)的面)安裝了薄膜磁頭212。該薄膜磁頭212具有上述實(shí)施形態(tài)中說明的結(jié)構(gòu)。該磁頭浮動(dòng)塊202利用信息記錄時(shí)或再生時(shí)磁盤201旋轉(zhuǎn)而在該磁盤201的記錄面(與磁頭浮動(dòng)塊202相對(duì)的面)與空氣支承面220之間產(chǎn)生的氣流，使磁盤201的記錄面浮上。另外，圖16中，為使磁頭浮動(dòng)塊202中的空氣支承面220側(cè)的結(jié)構(gòu)清晰，示出與圖15所示的狀態(tài)上下反轉(zhuǎn)的狀態(tài)。
該磁記錄裝置中，具備安裝了薄膜磁頭212的磁頭浮動(dòng)塊202與在一端支持該磁頭浮動(dòng)塊202的懸臂件203的集成結(jié)構(gòu)體就是所謂的磁頭折片組合(HGA，Head Gimbal Assembly)300。并且，具備上述磁頭浮動(dòng)塊202和懸臂件203以及支持該懸臂件203的另一端的臂204和驅(qū)動(dòng)部206的集成結(jié)構(gòu)體就是所謂的磁頭臂組合(HAA，Head Arm Assembly)400。
該磁記錄裝置中，信息記錄時(shí)或再生時(shí)臂204旋轉(zhuǎn)，從而磁頭浮動(dòng)塊202移動(dòng)到磁盤201中預(yù)定區(qū)域(記錄區(qū)域)。然后，在與磁盤201相對(duì)的狀態(tài)下使薄膜磁頭212通電，這樣就上述實(shí)施形態(tài)中說明的那樣進(jìn)行動(dòng)作，從而薄膜磁頭212對(duì)磁盤201執(zhí)行記錄處理或再生處理。
該磁記錄裝置中，具備本發(fā)明的薄膜磁頭212，因此在抑制發(fā)生未打算的信息寫到上面和抑制發(fā)生突起缺陷的兩個(gè)方面上使記錄處理穩(wěn)定。因而，能夠確保記錄處理的穩(wěn)定性。
另外，對(duì)于磁記錄裝置上搭載的薄膜磁頭212的上述以外的結(jié)構(gòu)、動(dòng)作、作用、效果和變形例與上述實(shí)施形態(tài)相同，因此省略其說明。
實(shí)施例接著，就本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說明。
在調(diào)查上述實(shí)施形態(tài)中說明的薄膜磁頭(以下簡(jiǎn)稱為“本發(fā)明的薄膜磁頭”)的各種特性時(shí)，得到以下一連串的結(jié)果。
首先，在調(diào)查發(fā)生未打算的信息寫到上面的狀況時(shí)，得到表1所示的結(jié)果。表1顯示記錄屏蔽層30中的磁軛層18的結(jié)構(gòu)與磁場(chǎng)強(qiáng)度之間的相關(guān)。調(diào)查發(fā)生未打算的信息寫到上面的狀況時(shí)，通過將記錄屏蔽層30中的磁軛層18的空氣支承面40的遠(yuǎn)側(cè)的厚度T1固定于1.0μm的狀態(tài)下，使空氣支承面40的近側(cè)的厚度T4改變3.0μm、2.0μm、1.0μm三次，將其記錄屏蔽層30中的讀出側(cè)端緣部(讀出邊緣)的磁場(chǎng)強(qiáng)度的變動(dòng)狀況模型化后進(jìn)行調(diào)查。另外，表1中示出作為上述記錄屏蔽層30中的讀出邊緣的磁場(chǎng)強(qiáng)度，由于該磁場(chǎng)強(qiáng)度的變動(dòng)狀況容易把握，以厚度T4＝3.0μm時(shí)的磁場(chǎng)強(qiáng)度為基準(zhǔn)(1.00)換算的磁場(chǎng)強(qiáng)度(標(biāo)準(zhǔn)化磁場(chǎng)強(qiáng)度)。
表1

由表1所示的結(jié)果可判定標(biāo)準(zhǔn)化磁場(chǎng)強(qiáng)度隨著厚度T4減小而逐漸增大。該結(jié)果表示隨著厚度T4的減小，容易在記錄屏蔽層30中的空氣支承面40附近使磁通集中，結(jié)果，增加該記錄屏蔽層30中的讀出邊緣的磁場(chǎng)強(qiáng)度，由此在該讀出邊緣容易發(fā)生未打算的信息寫到上面的情況。換言之，表示隨著厚度T4的增大，在記錄屏蔽層30中的空氣支承面40附近磁通不易集中，結(jié)果，減少該記錄屏蔽層30中的讀出邊緣的磁場(chǎng)強(qiáng)度，由此在該讀出邊緣不易發(fā)生未打算的信息寫到上面的情況。由于確認(rèn)了在本發(fā)明的薄膜磁頭中，通過使厚度T4大于厚度T1，可抑制發(fā)生未打算的信息寫到上面的情況。
然后，在調(diào)查突起缺陷的發(fā)生狀況時(shí)，得到表2所示的結(jié)果。表2顯示記錄屏蔽層30中的磁軛層18的結(jié)構(gòu)與突出量之間的相關(guān)。在調(diào)查突起缺陷的發(fā)生狀況時(shí)，將記錄屏蔽層30中的磁軛層18的空氣支承面40的近側(cè)的厚度T4固定為3.0μm的狀態(tài)下，使空氣支承面40的遠(yuǎn)側(cè)的厚度T1改變3.0μm、2.0μm、1.0μm三次，從而調(diào)查該記錄屏蔽層30的突出量，即因受熱影響膨脹而記錄屏蔽層30從空氣支承面40突出的長度(突出長度)。在調(diào)查該記錄屏蔽層30的突出量時(shí)，將該記錄屏蔽層30的構(gòu)成材料設(shè)成鐵鈷鎳合金(FeCoNi線膨脹系數(shù)＝12.0×10-6/K)，將覆蓋記錄屏蔽層30周圍的保護(hù)層19的構(gòu)成材料設(shè)成氧化鋁(線膨脹系數(shù)＝8.0×10-6/K)，同時(shí)使記錄屏蔽層30的外圍溫度(環(huán)境溫度)由25℃上升到60℃共上升35℃。另外，表2中為了容易把握其突出量的變動(dòng)狀況，作為上述記錄屏蔽層30的突出量表示了以厚度T1＝3.0μm時(shí)的突出量為基準(zhǔn)(1.00)換算的突出量(標(biāo)準(zhǔn)化突出量)。
表2

由表2所示的結(jié)果可判斷標(biāo)準(zhǔn)化突出量隨著厚度T1減小而逐漸變小。該結(jié)果表示由于隨著厚度T1的減小，記錄屏蔽層30的熱膨脹量變小，因而該記錄屏蔽層30也不易因受熱影響而由空氣支承面40突出的情況。由此，確認(rèn)在本發(fā)明的薄膜磁頭中，可通過使厚度T1小于厚度T4來抑制突起缺陷的發(fā)生。
如以上說明，綜合由表1和表2得到的結(jié)果，在本發(fā)明的薄膜磁頭中，構(gòu)成磁軛層18，使在空氣支承面40的遠(yuǎn)側(cè)具有厚度T1且在空氣支承面40的近側(cè)因僅向下垂側(cè)突出而具有大于厚度T1的厚度T4(T4＞T1)，即構(gòu)成記錄屏蔽層30，使空氣支承面40的遠(yuǎn)側(cè)具有厚度T1且空氣支承面40的近側(cè)具有大于厚度T1的厚度T2(T2＞T1)，從而可抑制發(fā)生未打算的信息寫到上面，同時(shí)可抑制發(fā)生突起缺陷，基于這種抑制發(fā)生未打算的信息寫到上面和抑制發(fā)生突起缺陷的兩個(gè)方面，確認(rèn)可確保記錄處理的穩(wěn)定性。
最后，在參考前，調(diào)查基于磁軛層18中磁軛層部分18B的結(jié)構(gòu)發(fā)生突起缺陷的狀況，則得到圖17所示的結(jié)果。圖17表示磁軛層18中磁軛層部分18B的結(jié)構(gòu)與突出量之間的相關(guān)，“橫軸”表示磁軛層部分18B的長度(μm)，“縱軸”表示標(biāo)準(zhǔn)化突出量。調(diào)查基于磁軛層部分18B的結(jié)構(gòu)發(fā)生突起缺陷的狀況時(shí)，通過將磁軛層部分18B的厚度T5固定為3.0μm和寬度W3固定為80.0μm，并改變?cè)摯跑棇硬糠?8B的長度，調(diào)查記錄屏蔽層的突出量(突出長度)。上述的“標(biāo)準(zhǔn)化突出量”表示以磁軛層部分18B的長度＝20.0μm時(shí)的突出量為基準(zhǔn)(1.00)進(jìn)行換算的突出量。
由圖17所示的結(jié)果可判斷出標(biāo)準(zhǔn)化突出量隨著磁軛層部分18B的長度減小而逐漸變小。該結(jié)果表示由于隨著記錄屏蔽層30的長度減小而熱膨脹量變小，該記錄屏蔽層30難以受熱影響而由空氣支承面40突出的情況。由此確認(rèn)在本發(fā)明的薄膜磁頭中，不僅通過減小上述的磁軛層18的厚度T4，而且通過減小磁軛層部分18B的長度也可抑制突起缺陷的發(fā)生。
以上，通過實(shí)施形態(tài)和實(shí)施例說明了本發(fā)明，但本發(fā)明并不限于上述實(shí)施形態(tài)和實(shí)施例，可做各種變形。具體地說，例如，上述實(shí)施形態(tài)和實(shí)施例中就本發(fā)明適用于屏蔽式磁頭的場(chǎng)合進(jìn)行了說明，但并不受限于此，可在單磁極式磁頭適用。并且，上述實(shí)施形態(tài)和實(shí)施例中就本發(fā)明適用于復(fù)合式薄膜磁頭的場(chǎng)合進(jìn)行了說明，但并不受于此，例如，可在具備寫入用的感應(yīng)式磁變換元件的記錄專用的薄膜磁頭或具備記錄/再生兼用的感應(yīng)式磁變換元件的薄膜磁頭適用。顯然，本發(fā)明也可在使寫入用的元件和讀出用的元件的層疊順序逆轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)的薄膜磁頭適用。
并且，上述實(shí)施形態(tài)和實(shí)施例中就本發(fā)明適用于垂直記錄方式的薄膜磁頭的場(chǎng)合進(jìn)行了說明，但并不受限于此，本發(fā)明可在長度記錄方式的薄膜磁頭適用。
本發(fā)明的薄膜磁頭、磁頭折片組合、磁頭臂組合和磁記錄裝置，以及薄膜磁頭制造方法，例如可適用于以磁方式對(duì)硬盤記錄信息的硬盤驅(qū)動(dòng)器等。
權(quán)利要求
1.一種薄膜磁頭(magnetic head)，其特征在于包括產(chǎn)生磁束的薄膜線圈；由與媒體行進(jìn)方向移動(dòng)的記錄媒體相對(duì)的記錄媒體對(duì)向面向后方延伸，并將所述薄膜線圈中產(chǎn)生的磁束向所述記錄媒體放射的磁極層；以及磁屏蔽層；所述磁屏蔽層通過在所述磁極層的所述媒體行進(jìn)方向側(cè)由所述記錄媒體對(duì)向面向后方延伸，并在所述記錄媒體對(duì)向面的近側(cè)由間隙層與所述磁極層隔開的同時(shí)，在所述記錄媒體對(duì)向面的遠(yuǎn)側(cè)通過后間隙連接到所述磁極層，其在所述記錄媒體對(duì)向面的遠(yuǎn)側(cè)具有第一厚度的同時(shí)，在所述記錄媒體對(duì)向面的近側(cè)因向所述媒體行進(jìn)方向側(cè)和其相反側(cè)兩個(gè)方向突出而具有大于所述第一厚度的第二厚度。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜磁頭，其特征在于所述磁屏蔽層包含與所述間隙層相鄰并由所述記錄媒體對(duì)向面延伸至后方所述記錄媒體對(duì)向面與所述后間隙之間的第一位置的第一磁屏蔽層部分；以及與所述第一磁屏蔽層部分以分體方式構(gòu)成，在所述第一磁屏蔽層部分的所述媒體行進(jìn)方向側(cè)、使一部分搭到第一磁屏蔽層部分并由所述記錄媒體對(duì)向面至少延伸至后方的所述后間隙的第二磁屏蔽層部分。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜磁頭，其特征在于所述第一磁屏蔽層部分具有第三厚度；同時(shí)所述第二磁屏蔽層部分在所述記錄媒體對(duì)向面的遠(yuǎn)側(cè)具有所述第一厚度的同時(shí)，在所述記錄媒體對(duì)向面的近側(cè)因僅向所述媒體行進(jìn)方向側(cè)突出而具有大于所述第一厚度的第四厚度；所述第二厚度由所述第三厚度與所述第四厚度之和來確定。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜磁頭，其特征在于所述第二磁屏蔽層部分包括一部分搭到所述第一磁屏蔽層部分并由所述記錄媒體對(duì)向面至少延伸至后方的所述后間隙、并具有所述第一厚度的第二主磁屏蔽層部分；以及在所述第二主磁屏蔽層部分的所述媒體行進(jìn)方向側(cè)，搭到該第二主磁屏蔽層部分并由所述記錄媒體對(duì)向面延伸至后方所述記錄媒體對(duì)向面與所述后間隙之間的第二位置并具有第五厚度的第二副磁屏蔽層部分；其中所述第四厚度由所述第一厚度與所述第五厚度之和來確定。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜磁頭，其特征在于所述第二位置在所述第一位置后方。
6.如權(quán)利要求4或權(quán)利要求5所述的薄膜磁頭，其特征在于所述第二主磁屏蔽層部分與所述第二副磁屏蔽層部分互相以分體方式構(gòu)成。
7.如權(quán)利要求6所述的薄膜磁頭，其特征在于所述第二主磁屏蔽層部分由電阻率大于所述第二副磁屏蔽層部分電阻率的材料構(gòu)成；所述第二副磁屏蔽層部分由飽和磁通密度大于所述第二主磁屏蔽層部分的飽和磁通密度的材料構(gòu)成。
8.如權(quán)利要求4或5所述的薄膜磁頭，其特征在于所述第二主磁屏蔽層部分與所述第二副磁屏蔽層部分互相以一體方式構(gòu)成。
9.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的薄膜磁頭，其特征在于所述磁極層構(gòu)成為放射沿所述記錄媒體表面正交的方向被磁化的磁通。
10.一種磁頭折片組合，其特征在于包括安裝有權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述薄膜磁頭(magnetic head)的磁頭浮動(dòng)塊(slider)；以及在一端支撐所述磁頭浮動(dòng)塊的懸臂件。
11.一種磁頭臂組合(head arm assembly)，其特征在于包括安裝有權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的薄膜磁頭(magnetic head)的磁頭浮動(dòng)塊(slider)；在一端支撐該磁頭浮動(dòng)塊的懸臂件，以及支持該懸臂件另一端的臂。
12.一種磁記錄裝置，包括記錄媒體以及磁頭臂組合；其特征在于所述磁頭臂組合包括安裝有權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的薄膜磁頭(magnetic head)的磁頭浮動(dòng)塊(slider)；在一端支持該磁頭浮動(dòng)塊的懸臂件；以及支持該懸臂件另一端的臂。
13.一種薄膜磁頭的制造方法，所述薄膜磁頭包括產(chǎn)生磁束的薄膜線圈；由與媒體行進(jìn)方向移動(dòng)的記錄媒體相對(duì)的記錄媒體對(duì)向面向后方延伸、并將所述薄膜線圈中產(chǎn)生的磁束向所述記錄媒體放射的磁極層；以及通過在所述磁極層的所述媒體行進(jìn)方向側(cè)由所述記錄媒體對(duì)向面向后方延伸，并在所述記錄媒體對(duì)向面的近側(cè)由間隙層與所述磁極層隔開的同時(shí)，在所述記錄媒體對(duì)向面的遠(yuǎn)側(cè)通過后間隙連接到所述磁極層的磁屏蔽層；其特征在于所述薄膜磁頭制造方法包括形成磁屏蔽層的工序；使得在所述記錄媒體對(duì)向面的遠(yuǎn)側(cè)具有第一厚度的同時(shí)，在所述記錄媒體對(duì)向面的近側(cè)因向所述媒體行進(jìn)方向側(cè)和其相反側(cè)兩個(gè)方向突出而具有大于所述第一厚度的第二厚度。
14.如權(quán)利要求13所述的薄膜磁頭的制造方法，其特征在于所述形成磁屏蔽層的工序包括形成構(gòu)成所述磁屏蔽層中的一部分的第一磁屏蔽層部分的工序，使之與所述間隙層相鄰并由所述記錄媒體對(duì)向面延伸至后方所述記錄媒體對(duì)向面與所述后間隙之間的第一位置；以及與所述第一磁屏蔽層部分以分體方式形成、構(gòu)成所述磁屏蔽層中的另一部分的第二磁屏蔽層部分的工序，使之在所述第一磁屏蔽層部分的所述媒體行進(jìn)方向側(cè)，使一部分搭到所述第一磁屏蔽層部分并由所述記錄媒體對(duì)向面至少延伸至后方的所述后間隙。
15.如權(quán)利要求14所述的薄膜磁頭的制造方法，其特征在于包括形成所述第一磁屏蔽層部分，使之具有第三厚度；同時(shí)，形成所述第二磁屏蔽層部分，使之在所述記錄媒體對(duì)向面的遠(yuǎn)側(cè)具有所述第一厚度的同時(shí)，在所述記錄媒體對(duì)向面的近側(cè)因僅向所述媒體行進(jìn)方向側(cè)突出而具有大于所述第一厚度的第四厚度；所述第二厚度由所述第三厚度與所述第四厚度之和來確定。
16.如權(quán)利要求15所述的薄膜磁頭制造方法，其特征在于所述形成第二磁屏蔽層部分的工序包括形成構(gòu)成所述第二磁屏蔽層部分中的一部分的第二主磁屏蔽層部分的工序，使之搭到所述第一磁屏蔽層部分并由所述記錄媒體對(duì)向面至少延伸至后方的所述后間隙并具有所述第一厚度；以及形成構(gòu)成所述第二磁屏蔽層部分中的另一部分的第二副磁屏蔽層部分的工序，使之在所述第二主磁屏蔽層部分的所述媒體行進(jìn)方向側(cè)，搭到該第二主磁屏蔽層部分并由所述記錄媒體對(duì)向面延伸至后方所述記錄媒體對(duì)向面與所述后間隙之間的第二位置并具有第五厚度；所述第四厚度由所述第一厚度與所述第五厚度來確定。
17.如權(quán)利要求16所述的薄膜磁頭制造方法，其特征在于所述第二位置在所述第一位置后方。
18.如權(quán)利要求16或17所述的薄膜磁頭制造方法，其特征在于所述形成磁屏蔽層的工序包括第一工序，通過生長鍍膜在所述間隙層上形成所述第一磁屏蔽層部分；第二工序，形成所述第二主磁屏蔽層部分，使其一部分搭到所述第一磁屏蔽層部分，且使其整體具有所述第一厚度，并由所述記錄媒體對(duì)向面至少延伸至后方的所述后間隙；以及第三工序，通過生長鍍膜在所述第二主磁屏蔽層部分上與所述第二主磁屏蔽層部分以分體方式形成所述第二副磁屏蔽層部分，從而形成包含第二主磁屏蔽層部分和第二副磁屏蔽層部分的所述第二磁屏蔽層部分。
19.如權(quán)利要求16或17所述的薄膜磁頭的制造方法，其特征在于所述形成磁屏蔽層的工序包含第一工序，通過生長鍍膜在所述間隙層上形成所述第一磁屏蔽層部分；第二工序，形成作為所述第二磁屏蔽層部分的前準(zhǔn)備層的先驅(qū)磁屏蔽層，使其一部分搭到所述第一磁屏蔽層部分，并使其整體具有所述第四厚度，且由所述記錄媒體對(duì)向面至少延伸至后方的所述后間隙；以及第三工序，通過有選擇地蝕刻所述先驅(qū)磁屏蔽層中所述記錄媒體對(duì)向面的遠(yuǎn)側(cè)部分并挖深到形成所述第一厚度而形成一體包含所述第二主磁屏蔽層部分和所述第二副磁屏蔽層部分的所述第二磁屏蔽層部分。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可確保記錄處理之穩(wěn)定性的薄膜磁頭。其通過這樣構(gòu)成記錄屏蔽層(30)使空氣支承面(40)的遠(yuǎn)側(cè)具有厚度T1，且空氣支承面(40)的近側(cè)因向下垂側(cè)和讀出側(cè)兩個(gè)方向突出而具有大于厚度T1的厚度T2(T2＞T1)。由于記錄屏蔽層(30)的體積在后方相對(duì)小，同時(shí)在前方相對(duì)大，在前方露于空氣支承面(40)的露出面(30M)的面積充分大，同時(shí)使空氣支承面(40)附近的磁容量充分大，且在后方熱膨脹量充分小。由記錄屏蔽層(30)的露出面(30M)取得的磁通難以在空氣支承面(40)集中，同時(shí)記錄屏蔽層(30)不易因受熱影響而過度膨脹。
文檔編號(hào)G11B21/21GK1901045SQ20051008585
公開日2007年1月24日 申請(qǐng)日期2005年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月18日
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