專利名稱：再現(xiàn)記錄在超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的信息的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于再現(xiàn)記錄在超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)(在下文中，稱為‘SRISM’)中的信息的方法和設(shè)備，更具體地說，涉及一種用于通過積極地檢測根據(jù)SRISM的反射率而變化的閾域，使用實(shí)際上適于再現(xiàn)的再現(xiàn)功率來再現(xiàn)記錄在SRISM中的信息的方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
隨著近來的信息技術(shù)的進(jìn)步，對更高記錄密度的信息存儲(chǔ)介質(zhì)的需求在增加，使用不接觸該存儲(chǔ)介質(zhì)的光學(xué)拾取單元來將信息記錄在這種更高記錄密度的信息存儲(chǔ)介質(zhì)中或從這種更高記錄密度的信息存儲(chǔ)介質(zhì)中再現(xiàn)信息。
為了滿足這個(gè)要求，已深入地研究了具有比激光光束的分辨率極限小的或與其相等的記錄標(biāo)記的SRISM。SRISM包括當(dāng)暴露于激光光束時(shí)產(chǎn)生表面等離子的掩模層并能夠使用在掩模層中產(chǎn)生的表面等離子實(shí)現(xiàn)高密度記錄。
例如，當(dāng)SRISM具有由鉑(Pt)和氧(O2)，或者鉑氧化物(PtOx)組成的掩模層時(shí)，當(dāng)掩模層被激光光束照射時(shí)，掩模層的PtOx分解成Pt和O2。對于SRISM，使用從Pt產(chǎn)生的表面等離子能夠?qū)崿F(xiàn)近場再現(xiàn)。因而，能夠從比被物鏡聚焦在SRISM上的激光光束的分辨率極限小的記錄標(biāo)記再現(xiàn)信號(hào)。
為了確保從SRISM再現(xiàn)信息，期望大約30dB或大的載噪比(CNR)。CNR根據(jù)用于為信息再現(xiàn)產(chǎn)生激光光束的激光二極管的再現(xiàn)功率而靈敏地變化。因此，期望比預(yù)定水平大的再現(xiàn)功率。
圖1是在傳統(tǒng)的SRISM中CNR對再現(xiàn)功率的曲線圖。當(dāng)以5m/s的線速度旋轉(zhuǎn)SRISM時(shí)，從以12.0mW的記錄功率、1.1mW的偏置功率和25％的占空因數(shù)記錄的75nm長的記錄標(biāo)記獲得的結(jié)果如圖1所示。
參照圖1，當(dāng)再現(xiàn)功率從1.3mW改變?yōu)?.4mW時(shí)，CNR急劇增加到大約30dB。CNR急劇改變的區(qū)域被稱為‘閾域’并由A表示。
但是，閾域不僅僅極限于1.3mW和1.4mW之間的區(qū)域，如圖1所示，可以根據(jù)SRISM的不同制造者而改變。
記錄在SRISM上的信息需要大約30dB或大的CNR。因而，需要比在閾域中的再現(xiàn)功率大的再現(xiàn)功率以從SRISM再現(xiàn)信息。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題但是，當(dāng)在圖1的曲線中將再現(xiàn)功率增加到2.0mW以上時(shí)，發(fā)生諸如CNR的下降和由再現(xiàn)信號(hào)導(dǎo)致的記錄標(biāo)記的損壞的問題。因此，為了避免如上所述的問題，不希望將信息再現(xiàn)設(shè)備的再現(xiàn)功率設(shè)置到比閾域中的功率水準(zhǔn)更高。
技術(shù)方案本發(fā)明有利地提供了一種用于再現(xiàn)記錄在超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)(在下文中，稱為‘SRISM’)中的信息的方法和設(shè)備，其中，基于再現(xiàn)功率和再現(xiàn)信號(hào)之間的關(guān)系檢測根據(jù)SRISM的反射率而變化的閾域以確定適當(dāng)?shù)膶?shí)際再現(xiàn)功率水準(zhǔn)，并以實(shí)際再現(xiàn)功率水準(zhǔn)再現(xiàn)信號(hào)。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，從包括比激光光束的分辨率極限小的記錄標(biāo)記的SRISM再現(xiàn)信息的方法包括將激光光束發(fā)射到SRISM上，同時(shí)改變激光光束的再現(xiàn)功率，接收從SRISM反射的激光光束，并從接收的激光光束檢測再現(xiàn)信號(hào)電平的變化；基于再現(xiàn)信號(hào)電平的變化，計(jì)算參考再現(xiàn)功率，在該參考再現(xiàn)功率處，再現(xiàn)信號(hào)電平對再現(xiàn)功率的曲線的梯度改變；和基于參考再現(xiàn)功率設(shè)置激光光束的實(shí)際再現(xiàn)功率。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種從包括比激光光束的分辨率極限小的記錄標(biāo)記的SRISM再現(xiàn)信息的方法包括通過將具有預(yù)定的記錄功率的激光光束發(fā)射到SRISM的預(yù)定區(qū)上來記錄用于計(jì)算參考再現(xiàn)功率的參考信號(hào)；將激光光束發(fā)射到SRISM上，同時(shí)改變激光光束的再現(xiàn)功率，接收從SRISM反射的激光光束，并從接收的激光光束檢測再現(xiàn)信號(hào)電平的變化；基于再現(xiàn)信號(hào)電平的變化，計(jì)算參考再現(xiàn)功率，在該參考再現(xiàn)功率處，再現(xiàn)信號(hào)電平對再現(xiàn)功率的曲線的梯度改變；和基于參考再現(xiàn)功率設(shè)置激光光束的實(shí)際再現(xiàn)功率。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種提供了一種用于從包括比激光光束的分辨率極限小的記錄標(biāo)記的SRISM再現(xiàn)信息的設(shè)備。這種設(shè)備包括光學(xué)拾取單元和信號(hào)處理單元。該光學(xué)拾取單元包括光源和光電檢測器，其中光源將具有一定范圍的功率的激光光束發(fā)射到SRISM上，光電檢測器接收從SRISM反射的激光光束，并從接收的激光光束檢測再現(xiàn)信號(hào)；該信號(hào)處理單元根據(jù)被光源發(fā)射到SRISM上的激光光束的再現(xiàn)功率的變化來檢測再現(xiàn)信號(hào)電平的變化，并基于參考再現(xiàn)功率設(shè)置從光源發(fā)射的激光光束的實(shí)際再現(xiàn)功率，在該參考再現(xiàn)功率處，再現(xiàn)信號(hào)電平對再現(xiàn)功率的曲線的梯度改變。
信號(hào)處理單元可以包括功率控制器，控制光源以使具有一定范圍的功率的激光光束能夠被發(fā)射到SRISM上；計(jì)算部分，計(jì)算參考再現(xiàn)功率，在該參考再現(xiàn)功率處，再現(xiàn)信號(hào)電平對再現(xiàn)功率的曲線的梯度改變；和設(shè)置部分，基于參考再現(xiàn)功率設(shè)置實(shí)際再現(xiàn)功率。
有益效果根據(jù)本發(fā)明的用于從SRISM再現(xiàn)信息的設(shè)備和方法有利地、積極地識(shí)別閾域，并基于閾域確定實(shí)際再現(xiàn)功率，以使能夠以實(shí)際再現(xiàn)功率執(zhí)行信息再現(xiàn)，其中，在閾域中CNR信號(hào)是不穩(wěn)定的。因此，能夠從具有不同特性的SRISM，例如，從具有特定的反射率的SRISM穩(wěn)定地再現(xiàn)信號(hào)。
盡管已說明和描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解隨著技術(shù)的發(fā)展可作各種變化和修改，并且在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可用等同物替代其中的元件。在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下可作出多種修改以使發(fā)明的教導(dǎo)適應(yīng)特殊的情形。例如，只要記錄標(biāo)記不大于光束的分辨率極限，可以利用其它的存儲(chǔ)介質(zhì)。此外，只要超分辨率現(xiàn)象能夠被利用來從比光束的分辨率極限小的或與其相等的記錄標(biāo)記再現(xiàn)信息信號(hào)，SRISM的替換的結(jié)構(gòu)也可以是可利用的。同樣，能夠用芯片組，或者另一方面，用被編程以執(zhí)行如參照圖5和圖6所描述的方法的通用或?qū)Ｓ玫挠?jì)算機(jī)來實(shí)現(xiàn)中央控制器。因此，這意味著本發(fā)明不限于公開的各種示例性實(shí)施例，本發(fā)明包括落入權(quán)利要求的范圍內(nèi)的所有實(shí)施例。


通過結(jié)合附圖來閱讀對示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述和權(quán)利要求，對本發(fā)明的更好的理解將變得清楚，所有附圖形成本發(fā)明公開的一部分。雖然下面書寫的和說明的公開集中在公開本發(fā)明的示例性實(shí)施例，但應(yīng)該清楚地理解所述實(shí)施例僅僅是說明性和示例性的，并且本發(fā)明不限于其。本發(fā)明的精神和范圍僅僅由權(quán)利要求的條款極限。下面是附圖的簡要描述，其中
圖1是在包括75nm的記錄標(biāo)記的傳統(tǒng)的超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)(SRISM)中CNR對再現(xiàn)功率的曲線圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的SRISM的剖視圖；圖3是在圖2中示出的SRISM中的再現(xiàn)信號(hào)對再現(xiàn)功率的曲線圖；圖4是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的信息再現(xiàn)設(shè)備的原理圖；圖5是表示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的信息再現(xiàn)方法的流程圖；和圖6是表示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的信息再現(xiàn)方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施例，其示例表示在附圖中，其中，相同的標(biāo)號(hào)始終表示同一部件。在下面通過參照圖形描述實(shí)施例以解釋本發(fā)明。
在描述根據(jù)本發(fā)明的信息再現(xiàn)方法和設(shè)備的各種實(shí)施例之前，將參照具有在圖2中示出的結(jié)構(gòu)的SRISM描述再現(xiàn)信號(hào)對再現(xiàn)功率的變化的關(guān)系。
參照圖2，SRISM 1包括碳酸鹽襯底和形成于碳酸鹽襯底上并被覆蓋層保護(hù)的一系列的電介質(zhì)層及輔助記錄層。如圖2所示，SRISM 1通過在厚度大約為1.1mm的碳酸鹽襯底1a上使用濺射來順序地堆疊由ZnS-SiO2制成的厚度大約為85nm的電介質(zhì)層1b、由Ge-Sb-Te制成的厚度大約為15nm的輔助記錄層1c、由ZnS-SiO2制成的厚度大約為25nm的電介質(zhì)層1d、由鉑氧化物(PtOx)制成的厚度大約為3.5nm的記錄層1e、由ZnS-SiO2制成的厚度大約為25nm的電介質(zhì)層1f、由Ge-Sb-Te制成的厚度大約為15nm的輔助記錄層1g、和由ZnS-SiO2制成的厚度大約為95nm的電介質(zhì)層1h而形成。在最高的電介質(zhì)層1h的上面形成厚度大約為0.1mm的覆蓋層1i。如圖3所示，SRISM1的結(jié)構(gòu)有利地允許使用超分辨率現(xiàn)象來再現(xiàn)信息，并能夠被用于從比光束(即，激光光束)的分辨率極限小的記錄標(biāo)記再現(xiàn)信號(hào)。例如，使用具有119nm的分辨率的光學(xué)拾取設(shè)備，能夠高可靠性地并高穩(wěn)定性地再現(xiàn)比該光學(xué)拾取設(shè)備的分辨率極限小的具有75nm長度的記錄標(biāo)記。
用于從SRISM的比再現(xiàn)光束(激光光束)的分辨率極限小的記錄標(biāo)記再現(xiàn)信息的再現(xiàn)功率和從其再現(xiàn)的信號(hào)水準(zhǔn)之間的關(guān)系被表示在圖3中。
圖3是在圖2中示出的SRISM中的再現(xiàn)信號(hào)對再現(xiàn)功率的變化的曲線圖。當(dāng)在從大約1.0mW到大約2.0mW的范圍內(nèi)改變參考信號(hào)的再現(xiàn)功率時(shí)，以大約0.1mW為單位測量再現(xiàn)信號(hào)。這里，參考信號(hào)指當(dāng)以大約5m/s的線速度旋轉(zhuǎn)SRISM時(shí)，從以大約12.0mW的記錄功率記錄的大約75nm長的標(biāo)記讀取的信號(hào)。
參照圖3，連接在不同再現(xiàn)功率水準(zhǔn)處的再現(xiàn)信號(hào)電平的線R是線性的，并且在大約1.0mW和大約1.4mW之間有恒定的梯度。從大約1.0mW到大約1.4mW的再現(xiàn)功率水準(zhǔn)之間以恒定的梯度延伸的線與線F匹配。
但是，在大約1.4mW或大的再現(xiàn)功率處，線R不再是線性的并與線F不匹配。
將在圖3中示出的曲線與在圖1中示出的CNR對再現(xiàn)功率的曲線比較，線R的梯度不改變的最大再現(xiàn)功率是相應(yīng)于在圖1中示出的閾域(A)的上邊界的大約1.4mW。當(dāng)該最大再現(xiàn)功率被定義為參考再現(xiàn)功率(B)時(shí)，可使用比參考再現(xiàn)功率B大的再現(xiàn)功率來從具有比再現(xiàn)光束(即，激光光束)的分辨率極限小或與其相等的尺寸的記錄標(biāo)記再現(xiàn)信息。
在具有與在圖2中示出的結(jié)構(gòu)不同的結(jié)構(gòu)的SRISM中，線R的梯度改變處的再現(xiàn)功率水準(zhǔn)對應(yīng)于閾域A的上邊界。但是，參考再現(xiàn)功率B能夠根據(jù)，例如，反射率而改變。在這種情況下，基于線R的梯度改變處的再現(xiàn)功率水準(zhǔn)確定參考再現(xiàn)功率B。
以下，將參照圖4、圖5和圖6詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的信息再現(xiàn)設(shè)備和使用該信息再現(xiàn)設(shè)備再現(xiàn)信息的方法，其中信息再現(xiàn)設(shè)備使用基于參考再現(xiàn)功率確定的適合再現(xiàn)信息的實(shí)際再現(xiàn)功率來再現(xiàn)信息，所述參考再現(xiàn)功率是基于再現(xiàn)信號(hào)對再現(xiàn)功率的曲線的梯度確定的。
參照圖4，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的信息再現(xiàn)設(shè)備包括驅(qū)動(dòng)單元10，使SRISM 1旋轉(zhuǎn)；光學(xué)拾取單元20，從SRISM 1讀取再現(xiàn)信號(hào)；和信號(hào)處理單元30，處理讀取的再現(xiàn)信號(hào)。
光學(xué)拾取單元20包括光源21，發(fā)射光束；分束器23，改變光束的傳播路徑；物鏡25，聚焦朝向SRISM 1傳播的光束；和光電檢測器27，接收從SRISM 1反射的光束并從接收的光束檢測再現(xiàn)信號(hào)和參考信號(hào)。
雖然再現(xiàn)功率的閾域根據(jù)SRISM 1的諸如反射率等的光學(xué)特性而變化，但是信號(hào)處理單元30積極地設(shè)置光源21的實(shí)際再現(xiàn)功率。換句話說，信號(hào)處理單元30根據(jù)從光源21發(fā)射到SRISM 1上的光束的再現(xiàn)功率檢測再現(xiàn)信號(hào)電平的變化，并基于再現(xiàn)信號(hào)對再現(xiàn)功率的曲線的梯度改變處的再現(xiàn)功率水準(zhǔn)來設(shè)置再現(xiàn)所實(shí)際需要的光源21的實(shí)際再現(xiàn)功率。
為此，信號(hào)處理單元30包括功率控制器31，控制從光源21發(fā)射的光束的功率；再現(xiàn)信號(hào)檢測部分33，檢測由光電檢測器27讀出的再現(xiàn)信號(hào)電平；和中央控制器40。
當(dāng)SRISM 1被初始加載時(shí)，功率控制器31調(diào)節(jié)從光源21發(fā)射的光束的功率水準(zhǔn)以根據(jù)SRISM 1的光學(xué)特性獲得實(shí)際再現(xiàn)功率水準(zhǔn)。例如，在確定實(shí)際再現(xiàn)功率水準(zhǔn)的過程中，再現(xiàn)功率被從大約1.0mW以大約0.1mW增加到大約2.0mW。一旦設(shè)置了實(shí)際再現(xiàn)功率水準(zhǔn)，功率控制器31控制光源21以使具有與實(shí)際再現(xiàn)功率水準(zhǔn)相應(yīng)的功率水準(zhǔn)的光束能夠被從光源21發(fā)出。
中央控制器40基于由再現(xiàn)信號(hào)檢測部分33讀出的信號(hào)計(jì)算參考再現(xiàn)功率，并設(shè)置實(shí)際再現(xiàn)功率。為此，中央控制器40包括計(jì)算部分41，計(jì)算參考再現(xiàn)功率；設(shè)置部分43，基于參考再現(xiàn)功率設(shè)置實(shí)際再現(xiàn)功率；和存儲(chǔ)器部分45，存儲(chǔ)由再現(xiàn)信號(hào)檢測部分33讀出的信號(hào)。計(jì)算部分41計(jì)算再現(xiàn)信號(hào)對再現(xiàn)功率的曲線的梯度改變處的參考再現(xiàn)功率。設(shè)置部分43設(shè)置實(shí)際再現(xiàn)功率。由設(shè)置部分43設(shè)置的實(shí)際再現(xiàn)功率相對高于參考再現(xiàn)功率。實(shí)際再現(xiàn)功率可以高于參考再現(xiàn)功率大約0.1mW。使用在CNR值穩(wěn)定的范圍內(nèi)、不在CNR值突變的閾域內(nèi)的實(shí)際再現(xiàn)功率，能夠穩(wěn)定地再現(xiàn)信號(hào)。
參照圖5，將描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的使用在圖4中示出的信息再現(xiàn)設(shè)備來從包括比再現(xiàn)光的分辨率極限小或與其相等的記錄標(biāo)記的SRISM再現(xiàn)信息的方法。
本發(fā)明示例性實(shí)施例中使用的SRISM包括比入射的再現(xiàn)光的分辨率極限小或與其相等的記錄標(biāo)記，并且當(dāng)制造SRISM 1時(shí)，用于計(jì)算參考再現(xiàn)功率的參考信號(hào)被作為數(shù)據(jù)記錄在預(yù)定區(qū)。例如，參考信號(hào)可以被作為ROM-Pit標(biāo)記、預(yù)記錄的標(biāo)記、或擺動(dòng)記錄在SRISM 1上。
SRISM可被分成記錄用戶數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)、從數(shù)據(jù)區(qū)向內(nèi)配置的導(dǎo)入?yún)^(qū)和從數(shù)據(jù)區(qū)向外配置的導(dǎo)出區(qū)。參考信號(hào)最好被記錄在導(dǎo)入?yún)^(qū)和/或?qū)С鰠^(qū)中。
參照圖4和5，光束被發(fā)射到SRISM 1上，同時(shí)改變光束的再現(xiàn)功率。接收從SRISM 1反射的光束被，并從接收的光束檢測再現(xiàn)信號(hào)電平的變化(操作S10)。特別地，具有預(yù)定的再現(xiàn)功率的再現(xiàn)光束被發(fā)射到旋轉(zhuǎn)的SRISM 1的記錄有參考信號(hào)的區(qū)上(操作S11)。這里，SRISM 1被驅(qū)動(dòng)源10旋轉(zhuǎn)。接著，從SRISM 1反射的光束被光電檢測器27接收以檢測其中的再現(xiàn)信號(hào)，并且所檢測的信號(hào)被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器45中(操作S13)。當(dāng)改變操作S15中的再現(xiàn)功率時(shí)，重復(fù)操作S11和S13。通過上述操作獲得的再現(xiàn)信號(hào)電平被光電檢測器27檢測(操作S17)。在各個(gè)再現(xiàn)功率水準(zhǔn)處的再現(xiàn)信號(hào)的電平被繪出如圖3所示。
計(jì)算再現(xiàn)信號(hào)對再現(xiàn)功率水準(zhǔn)的曲線的梯度改變處的參考再現(xiàn)功率水準(zhǔn)(參照圖3中的B)(操作S20)。
接著，控制光源21的功率以設(shè)置比所計(jì)算的參考再現(xiàn)功率大的實(shí)際再現(xiàn)功率(操作S30)。實(shí)際再現(xiàn)功率最好被設(shè)置成比參考再現(xiàn)功率大大約0.1mW。如上所述，通過將實(shí)際再現(xiàn)功率設(shè)置到這個(gè)水準(zhǔn)，能夠有利地獲得大約30dB或大的穩(wěn)定的CNR值。
將參照圖6描述根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的信息再現(xiàn)方法。
在本發(fā)明這個(gè)示例性實(shí)施例中使用的SRISM包括如參照圖5描述的實(shí)施例中的比入射的再現(xiàn)光的分辨率極限小或與其相等的記錄標(biāo)記。但是，沒有用于計(jì)算參考再現(xiàn)功率的參考信號(hào)被記錄在下面描述的本發(fā)明示例性實(shí)施例中使用的SRISM中。
參照圖4和6，具有預(yù)定的記錄功率水準(zhǔn)的光束被發(fā)射到SRISM 1的預(yù)定區(qū)上以記錄用于計(jì)算參考再現(xiàn)功率的參考信號(hào)(操作S5)。通過將大約12mW的記錄功率發(fā)射到被驅(qū)動(dòng)源10以大約5m/s的線速度旋轉(zhuǎn)的SRISM 1上，參考信號(hào)被作為數(shù)據(jù)記錄。該參考信號(hào)最好被記錄在SRISM 1的導(dǎo)入?yún)^(qū)和或?qū)С鰠^(qū)中。
接著，檢測再現(xiàn)信號(hào)的電平的變化(操作S10)?；谠佻F(xiàn)信號(hào)電平的變化計(jì)算參考再現(xiàn)功率(操作S20)。設(shè)置比參考再現(xiàn)功率大的實(shí)際再現(xiàn)功率(操作S30)，以便使用實(shí)際再現(xiàn)功率再現(xiàn)信號(hào)(操作S40)。
權(quán)利要求
1.一種從包括比激光光束的分辨率極限小的記錄標(biāo)記的超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)再現(xiàn)信息的方法，包括將激光光束發(fā)射到所述超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)上，同時(shí)改變所述激光光束的再現(xiàn)功率，接收從所述超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)反射的激光光束，并從接收的激光光束檢測再現(xiàn)信號(hào)電平的變化；基于所述再現(xiàn)信號(hào)電平的變化，計(jì)算參考再現(xiàn)功率，在該參考再現(xiàn)功率處，再現(xiàn)信號(hào)電平對再現(xiàn)功率的曲線的梯度改變；和基于所述參考再現(xiàn)功率設(shè)置實(shí)際再現(xiàn)功率。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，用于計(jì)算所述參考再現(xiàn)功率的參考信號(hào)被作為數(shù)據(jù)記錄在所述超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)的預(yù)定區(qū)中，并且所述再現(xiàn)信號(hào)通過將具有一定功率范圍的再現(xiàn)功率發(fā)射到記錄有所述參考信號(hào)的所述預(yù)定區(qū)上而被檢測。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述參考信號(hào)被作為ROM-Pit標(biāo)記、預(yù)記錄的標(biāo)記、或擺動(dòng)記錄。
4.如權(quán)利要求2或3所述的方法，其中，所述參考信號(hào)被記錄在所述超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)的導(dǎo)入?yún)^(qū)和/或?qū)С鰠^(qū)中。
5.如權(quán)利要求1到3中的任一個(gè)所述的方法，其中，所述實(shí)際再現(xiàn)功率大于所述參考再現(xiàn)功率。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述實(shí)際再現(xiàn)功率比所述參考再現(xiàn)功率大大約0.1mW。
7.一種從包括比激光光束的分辨率極限小的記錄標(biāo)記的超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)再現(xiàn)信息的方法，包括通過將具有預(yù)定的記錄功率的激光光束發(fā)射到超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)的預(yù)定區(qū)中來記錄用于計(jì)算參考再現(xiàn)功率的參考信號(hào)；將激光光束發(fā)射到所述超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)上，同時(shí)改變所述激光光束的再現(xiàn)功率，接收從所述超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)反射的激光光束，并從接收的激光光束檢測再現(xiàn)信號(hào)電平的變化；基于所述再現(xiàn)信號(hào)電平的變化，計(jì)算參考再現(xiàn)功率，在該參考再現(xiàn)功率處，再現(xiàn)信號(hào)電平對再現(xiàn)功率的曲線的梯度改變；和基于所述參考再現(xiàn)功率設(shè)置實(shí)際再現(xiàn)功率。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述參考信號(hào)被記錄在所述超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)的導(dǎo)入?yún)^(qū)和/或?qū)С鰠^(qū)中。
9.如權(quán)利要求7或8所述的方法，其中，所述實(shí)際再現(xiàn)功率大于所述參考再現(xiàn)功率。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述實(shí)際再現(xiàn)功率比所述參考再現(xiàn)功率大大約0.1mW。
11.一種用于從包括比激光光束的分辨率極限小的記錄標(biāo)記的超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)再現(xiàn)信息的設(shè)備，包括光學(xué)拾取單元，包括光源和光電檢測器，所述光源將具有一定范圍的功率的光束發(fā)射到所述超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)上，所述光電檢測器接收從所述超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)反射的光束，并從接收的光束檢測再現(xiàn)信號(hào)；和信號(hào)處理單元，根據(jù)被所述光源發(fā)射到所述超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的光束的再現(xiàn)功率的變化來檢測所述再現(xiàn)信號(hào)的電平的變化，并基于參考再現(xiàn)功率設(shè)置從所述光源發(fā)射的光束的實(shí)際再現(xiàn)功率，在所述參考再現(xiàn)功率處，再現(xiàn)信號(hào)電平對再現(xiàn)功率的曲線的梯度改變。
12.如權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中，所述信號(hào)處理單元包括功率控制器，控制所述光源以使所述具有一定范圍的功率的光束能夠被發(fā)射到所述超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)上；計(jì)算部分，計(jì)算所述參考再現(xiàn)功率，在所述參考再現(xiàn)功率處，再現(xiàn)信號(hào)電平對再現(xiàn)功率的曲線的梯度改變；和設(shè)置部分，基于所述參考再現(xiàn)功率設(shè)置所述光源的所述實(shí)際再現(xiàn)功率。
13.如權(quán)利要求11或12所述的設(shè)備，其中，所述實(shí)際再現(xiàn)功率大于所述參考再現(xiàn)功率。
14.如權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中，所述實(shí)際再現(xiàn)功率比所述參考再現(xiàn)功率大大約0.1mW。
15.一種方法，包括將光束發(fā)射到具有比所述光束的分辨率極限小的記錄標(biāo)記的存儲(chǔ)介質(zhì)上，同時(shí)改變所述光束的再現(xiàn)功率；接收從所述存儲(chǔ)介質(zhì)反射的光束，并從接收的激光光束檢測再現(xiàn)信號(hào)電平的變化；基于所述再現(xiàn)信號(hào)電平的變化，確定參考再現(xiàn)功率；和基于所述參考再現(xiàn)功率將光束的再現(xiàn)功率調(diào)節(jié)到實(shí)際再現(xiàn)功率以再現(xiàn)記錄在所述存儲(chǔ)介質(zhì)上的信息。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述存儲(chǔ)介質(zhì)是超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)，所述超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)具有記錄用戶數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)、從所述數(shù)據(jù)區(qū)向內(nèi)配置的導(dǎo)入?yún)^(qū)和從所述數(shù)據(jù)區(qū)向外配置的導(dǎo)出區(qū)。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，用于計(jì)算所述參考再現(xiàn)功率的參考信號(hào)被作為數(shù)據(jù)記錄在所述超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)的所述導(dǎo)入?yún)^(qū)和所述導(dǎo)出區(qū)之一中，并且所述再現(xiàn)信號(hào)通過將具有一定功率范圍的再現(xiàn)功率發(fā)射到記錄有所述參考信號(hào)的所述區(qū)上而被檢測。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述參考信號(hào)被作為ROM-Pit標(biāo)記、預(yù)記錄的標(biāo)記、或擺動(dòng)記錄在所述存儲(chǔ)介質(zhì)上。
19.如權(quán)利要求15到18中的任一個(gè)所述的方法，其中，所述實(shí)際再現(xiàn)功率大于基于所述再現(xiàn)信號(hào)電平的變化確定的所述參考再現(xiàn)功率，在所述參考再現(xiàn)功率處，再現(xiàn)信號(hào)對再現(xiàn)功率水平的曲線的梯度改變。
20.如權(quán)利要求15到18中的任一個(gè)所述的方法，其中，所述實(shí)際再現(xiàn)功率比所述參考再現(xiàn)功率大大約0.1mW。
21.一種設(shè)備，包括光學(xué)單元，包括光源和光電檢測器，所述光源將具有一定范圍的功率的光束發(fā)射到具有比所述光束的分辨率小的記錄標(biāo)記的存儲(chǔ)介質(zhì)上，所述光電檢測器接收從所述存儲(chǔ)介質(zhì)反射的光束，并從接收的光束檢測再現(xiàn)信號(hào)；和信號(hào)處理單元，根據(jù)被所述光源發(fā)射到所述存儲(chǔ)介質(zhì)上的光束的再現(xiàn)功率的變化來檢測所述再現(xiàn)信號(hào)的電平的變化，并基于參考再現(xiàn)功率設(shè)置從所述光源發(fā)射的光束的實(shí)際再現(xiàn)功率，以從所述存儲(chǔ)介質(zhì)再現(xiàn)信息。
22.如權(quán)利要求21所述的設(shè)備，其中，基于所述再現(xiàn)信號(hào)的電平的變化確定所述參考再現(xiàn)功率，在所述參考再現(xiàn)功率處，再現(xiàn)信號(hào)的電平對再現(xiàn)功率的曲線的梯度改變。
23.如權(quán)利要求21所述的設(shè)備，其中，所述信號(hào)處理單元包括功率控制器，控制所述光源以使具有一定范圍的功率的光束能夠被發(fā)射到所述存儲(chǔ)介質(zhì)上；計(jì)算部分，計(jì)算所述參考再現(xiàn)功率，在所述參考再現(xiàn)功率處，再現(xiàn)信號(hào)電平對再現(xiàn)功率的曲線的梯度改變；和設(shè)置部分，基于所述參考再現(xiàn)功率設(shè)置光束的所述實(shí)際再現(xiàn)功率。
24.如權(quán)利要求21到23中的任一個(gè)所述的設(shè)備，其中，所述實(shí)際再現(xiàn)功率大于所述參考再現(xiàn)功率。
25.如權(quán)利要求21到23中的任一個(gè)所述的設(shè)備，其中，所述實(shí)際再現(xiàn)功率比所述參考再現(xiàn)功率大大約0.1mW。
26.如權(quán)利要求21到23中的任一個(gè)所述的設(shè)備，其中，所述存儲(chǔ)介質(zhì)是超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)，所述超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)具有記錄用戶數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)、從所述數(shù)據(jù)區(qū)向內(nèi)配置的導(dǎo)入?yún)^(qū)和從所述數(shù)據(jù)區(qū)向外配置的導(dǎo)出區(qū)。
27.如權(quán)利要求26所述的設(shè)備，其中，用于計(jì)算所述參考再現(xiàn)功率的參考信號(hào)被作為數(shù)據(jù)記錄在所述超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)的所述導(dǎo)入?yún)^(qū)和所述導(dǎo)出區(qū)之一中，并且所述再現(xiàn)信號(hào)通過將具有一定功率范圍的再現(xiàn)功率發(fā)射到記錄有所述參考信號(hào)的所述區(qū)上而被檢測。
28.如權(quán)利要求27所述的設(shè)備，其中，所述參考信號(hào)被作為ROM-Pit標(biāo)記、預(yù)記錄的標(biāo)記、或擺動(dòng)記錄在所述儲(chǔ)存介質(zhì)上。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于通過積極地檢測根據(jù)超分辨率信息存儲(chǔ)介質(zhì)(SRISM)的反射率而變化的閾域，使用實(shí)際上適于再現(xiàn)的適當(dāng)實(shí)際再現(xiàn)功率來再現(xiàn)記錄在SRISM中的信息的方法和設(shè)備。從SRISM再現(xiàn)信息的方法包括將光束發(fā)射到SRISM上，同時(shí)改變激光光束的再現(xiàn)功率，接收被SRISM反射的光束，并從接收的光束檢測再現(xiàn)信號(hào)電平的變化；基于再現(xiàn)信號(hào)電平的變化，計(jì)算再現(xiàn)信號(hào)電平對再現(xiàn)功率的曲線的梯度改變處的參考再現(xiàn)功率；和基于參考再現(xiàn)功率設(shè)置實(shí)際再現(xiàn)功率。用于從SRISM再現(xiàn)信息的設(shè)備包括光學(xué)拾取單元和信號(hào)處理單元。該光學(xué)拾取單元包括光源和光電檢測器，其中光源將具有一定范圍的功率的光束發(fā)射到SRISM上，光電檢測器接收從SRISM反射的光束，并從接收的光束檢測再現(xiàn)信號(hào)；該信號(hào)處理單元根據(jù)被光源發(fā)射到SRISM上的光束的再現(xiàn)功率的變化來檢測再現(xiàn)信號(hào)電平的變化，并基于再現(xiàn)信號(hào)電平對再現(xiàn)功率的曲線的梯度改變處的參考再現(xiàn)功率設(shè)置從光源發(fā)射的光束的實(shí)際再現(xiàn)功率。
文檔編號(hào)G11B7/00GK1771540SQ200580000173
公開日2006年5月10日 申請日期2005年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月11日
發(fā)明者金朱鎬, 黃仁吾, 金鉉基, 尹斗燮 申請人:三星電子株式會(huì)社